Каковы основные параметры транзистора D2058. Где применяется этот транзистор. Какие есть аналоги D2058. Как правильно использовать D2058 в схемах.
Общая характеристика транзистора D2058
Транзистор D2058 представляет собой биполярный npn-транзистор общего назначения. Он относится к кремниевым эпитаксиально-планарным транзисторам средней мощности. Основные особенности D2058:
- Структура npn
- Корпус TO-220F
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер 60 В
- Максимальный ток коллектора 3 А
- Рассеиваемая мощность до 25 Вт (с радиатором)
Благодаря сочетанию этих параметров, D2058 нашел широкое применение в различных электронных устройствах, особенно в усилителях низкой частоты.
Основные электрические параметры D2058
Рассмотрим подробнее ключевые электрические характеристики транзистора D2058:
- Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO): 60 В
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCEO): 60 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO): 7 В
- Максимальный постоянный ток коллектора (IC): 3 А
- Максимальный импульсный ток коллектора (ICM): 5 А
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (PC):
- Без радиатора: 1,5 Вт
- С радиатором: 25 Вт
- Коэффициент усиления по току (hFE): 60-300 (при VCE=5В, IC=0,5А)
- Граничная частота коэффициента передачи тока (fT): 3 МГц
Как видно из параметров, D2058 обладает довольно высокой мощностью и способен работать с токами до 3 А, что делает его подходящим для применения в выходных каскадах усилителей.
Особенности конструкции и корпуса D2058
Транзистор D2058 выпускается в пластиковом корпусе TO-220F. Этот корпус имеет следующие особенности:
- Три вывода для подключения базы, коллектора и эмиттера
- Металлическая пластина для крепления радиатора
- Отверстие в пластине для винтового крепления
- Изолированная металлическая пластина от кристалла транзистора
Цоколевка D2058 в корпусе TO-220F следующая (если смотреть на маркировку):
- База (B)
- Коллектор (C)
- Эмиттер (E)
Такая конструкция корпуса обеспечивает хороший отвод тепла при использовании радиатора, что критично для мощных применений транзистора.
Области применения транзистора D2058
Благодаря своим характеристикам, транзистор D2058 находит применение в следующих областях:
- Усилители низкой частоты (УНЧ):
- Выходные каскады мощностью до 25-30 Вт
- Предвыходные каскады в более мощных усилителях
- Импульсные источники питания:
- Ключевые элементы в преобразователях напряжения
- Регуляторы напряжения и тока:
- Мощные линейные стабилизаторы
- ШИМ-регуляторы
- Драйверы электродвигателей:
- Управление маломощными двигателями постоянного тока
Наиболее часто D2058 можно встретить в выходных каскадах бюджетных усилителей мощности звуковой частоты.
Аналоги транзистора D2058
При необходимости замены D2058 можно использовать следующие аналоги:
- 2SD2012 — наиболее близкий аналог, превосходящий D2058 по некоторым параметрам
- BD241C — популярный транзистор в корпусе TO-220
- 2N6038 — американский аналог в корпусе TO-126
- КТ817В — отечественный биполярный транзистор схожего класса
- КТ819В — еще один отечественный аналог с немного лучшими параметрами
При выборе аналога следует внимательно сравнивать их характеристики, особенно максимальные напряжения и токи, а также коэффициент усиления.
Особенности применения D2058 в схемах
При использовании транзистора D2058 в электронных схемах следует учитывать несколько важных моментов:
- Теплоотвод:
- При работе с токами более 1 А необходимо использовать радиатор
- Площадь радиатора зависит от рассеиваемой мощности
- Режим работы:
- В линейном режиме требуется более эффективное охлаждение
- В ключевом режиме тепловыделение меньше
- Защита от перегрузок:
- Рекомендуется использовать схемы защиты от короткого замыкания
- Желательно применять температурную защиту
- Подбор элементов:
- Следует учитывать разброс коэффициента усиления при расчетах
- При парном включении желательно подбирать транзисторы с близкими параметрами
Соблюдение этих рекомендаций позволит обеспечить надежную и долговременную работу устройств на основе D2058.
Измерение параметров и проверка исправности D2058
Для оценки состояния транзистора D2058 и измерения его параметров можно использовать следующие методы:
- Проверка переходов мультиметром:
- В режиме «прозвонки диодов» проверяются p-n переходы
- Исправный транзистор должен показывать «пробой» только в прямом направлении переходов
- Измерение коэффициента усиления:
- Многие мультиметры имеют функцию измерения hFE
- Для D2058 значение должно быть в пределах 60-300
- Проверка остаточного напряжения:
- В режиме насыщения измеряется напряжение коллектор-эмиттер
- Для исправного D2058 оно не должно превышать 1-1,5 В при токе 2 А
Эти простые тесты помогут выявить большинство неисправностей транзистора D2058.
Рекомендации по монтажу транзистора D2058
При монтаже транзистора D2058 в электронные устройства следует соблюдать ряд правил:
- Защита от статического электричества:
- Используйте антистатические браслеты при работе
- Храните транзисторы в антистатической упаковке
- Пайка:
- Используйте паяльник с заземленным жалом
- Температура жала не должна превышать 300°C
- Время пайки одного вывода — не более 3-5 секунд
- Монтаж на радиатор:
- Используйте теплопроводящую пасту между транзистором и радиатором
- Затягивайте крепежный винт с умеренным усилием
- При необходимости электрической изоляции применяйте слюдяные прокладки
Соблюдение этих рекомендаций поможет избежать повреждения транзистора при монтаже и обеспечит его надежную работу в составе устройства.
Транзистор D2058: характеристики, аналоги и datasheet
По своим характеристикам транзистор D2058 можно сказать является устройством общего применения. Его отличительная черта – это низкое напряжение насыщения коллектора и высокая рассеиваемая мощность.
Цоколевка
Изготавливают транзистор 2SD2058 в корпусе TO-228F. Если смотреть на него сверху, прямо на маркировку, то самая левая ножка – это база, средняя коллектор, а правая – эмиттер. Обозначения на корпусе производители часто наносят без первой цифры (2) и буквы (S), и маркируются как D2058.
Технические характеристики
Рассмотрение технических характеристик начнём с максимально допустимых. Превышение хотя-бы одного из этих параметров приведёт к выходу устройства из строя. Измерения проводились при температуре Та = 25°С.
Характеристики D2058:
- структура n-p-n
- напряжение К – Б VCBO (Uкб max) = 60 В;
- напряжение К — Э VCEO (Uкэ max) = 60 В;
- напряжение Э — Б VEBO (Uэб max) = 7 В;
- постоянный ток через коллектор IC (Iк max) = 3 А;
- постоянный ток через базу IВ (Iб max) = 0,5 А;
- мощность, рассеиваемая на коллекторе:
- — без теплоотвода РС (Рк max) = 1,5 Вт;
- — с теплоотводом РС (Рк max) = 25 Вт
- диапазон температур хранения Tstg = -55 … 150°С;
- максимальная температура кристалла TJ = 150°С.
Теперь рассмотрим электрические значения 2SD2058. Они также важны, так как от них зависят возможности транзистора. Тестирование проводилось при температуре Та = 25°С. Остальные важные параметры, при которых проводились измерения, можно найти в колонке «Режимы измерения».
| Электрические характеристики транзистора 2SD2058 (при Т = +25 оC) | ||||||
| Параметры | Режимы измерения | Обозн. | min | typ | max | Ед. изм |
| Пробивное напряжение коллектор-эмиттер | IC = 50 мA, IВ = 0 | V(BR)CEО | 60 | В | ||
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | IC= 2A, IB = 0,2 A | V CE(sat) | 1,5 | В | ||
| Напряжение база-эмиттер | IC = 0,5 A, VCE=5 В | V ВE | 3 | В | ||
| Обратный ток коллектора | VCВ = 60 В, IЕ = 0 | ICВO | 10 | мкА | ||
| Обратный ток эмиттера | VEB = 7 В, IC = 0 | IEBO | 1 | мА | ||
| Статический коэффициент передачи тока | VCE = 5 В, IC = 0,5 A | hFE | 60 | 300 | ||
| Граничная частота коэффициента передачи тока | VCE=5В, ICЕ = 0,5 мA | fT | 3 | МГц | ||
| Выходная ёмкость коллектора | f=1 МГц;VCB =10 В | COB | 35 | пФ | ||
| Время открытия транзистора | IC = 2,0 A; IB = 0,2 A, VCC = 30 В, RL = 15 Ом | ton | 0,65 | мкс | ||
| Время хранения | ts | 1,3 | мкс | |||
| Время закрытия транзистор | tf | 0,65 | мкс | |||
D2058 производители делят на три класса, в зависимости от статического коэффициента усиления.
Аналоги
Аналогами транзистора 2SD2058 называют:
- 2N6038;
- BD177;
- 2SD1585;
- 2SD1985;
- 2SD2012.
Есть также отечественное устройство, похожее, по своим техническим характеристикам на рассматриваемое – это КТ817Б. Комплементарной парой является 2SB1366.
Производители и datasheet
Производством транзистора D2058 (скачать datasheet кликнув по названию) занимаются две компании:
- Savantic 1;
- Inchange Semiconductor;
- Savantic 2.
В отечественных магазинах можно встретить продукцию обеих.
NPN
Транзистор D2058 и его характеристики, datasheet, аналоги
Главная » Транзисторы
Транзистор серии D2058 имеет неплохие характеристики для применения в усилителях низкой частоты.
Благодаря наличию комплиментарной пары (2SB1366) он довольно часто встречается в простой двухканальной китайской акустике. Выделяется, прежде всего, низким максимальным напряжением насыщения VCE (SAT) до 1 В (при токах коллектора (IC) 2 А и базы (IB) всего в 0,2 мА) и высокими значениями коэффициента HFE до 300. Пластиковый корпус изделия (TO-220F), согласно техописания (datasheet), способен выдерживать рассеиваемую мощность вплоть до 25 Вт.
Содержание
- Цоколевка
- Характеристики транзистора D2058
- Максимальные параметры
- Электрические параметры
- Аналоги
- Применение
- Производители
Цоколевка
Полное обозначение транзистора — «2SD2058». Первые два символа «2S» в маркировке корпуса не используются. Он встречается только в пластиковой упаковке TO-220F. Имеет следующую цоколевку (слева на право): левая ножка – вывод базы (Б), средняя – коллектор (К), а правая является эмиттером (Э).
Корпус оснащен отверстием для крепления к радиатору.
Характеристики транзистора D2058
D2058 является биполярным полупроводниковым триодом имеющим NPN-структуру. Материал кристалла состоит из кремния (Si). Несмотря на широкое применение в УНЧ, в datasheet скромно указано о том, что перед нами «транзистор общего назначения». Рассмотрим его основные технические характеристики.
Максимальные параметры
Приведем основные максимальные значения параметров транзистора D2058 (при температуре окружающей среды (ТА) +25 oС):
- предельно допустимые напряжения между выводами: К–Б (VCBO) до 60 В; К-Э (VCEO) до 60 В; Э-Б (VEBO) до 7 В;
- токи: коллектора (IC) до 3 А; базы (IВ) до 0,5 А;
- рассеиваемая коллекторная мощность (PC) до 25 Вт;
- температуры: хранения (Tstg) -55 … 150°С; p-n-перехода при работе (TJ) до +150°С.
Указанные значения являются максимально возможными.
В случае превышения любого из них, даже на незначительно короткий промежуток времени, устройство может выйти из строя.
Электрические параметры
Ниже представлены электрические параметры или номинальные значения характеристик при определенных условиях эксплуатацию. Последние приведены в отдельном столбце таблицы с названием «режимы измерений» при температуре нагрева кристалла (ТJ) до +25 oС (если не указано иного). Коэффициент усиления по току (HFE) может сильно разниться даже у одинаковых устройств. Это один из существенных недостатков D2058. В зависимости от символа в конце маркировки на корпусе, HFE может находится в следующих интервалах: от 60 до 120 (O), от 100 до 200 (Y), от 150 до 300 (G).
Аналоги
К сожалению полного аналога у D2058 не существует. В тоже время, найти ему подходящую замену, в случае выхода из строя, не должно стать проблемой. Наиболее близким и даже лучшим по параметрам считается 2SD2012 (TO-220F).
Не менее достойной альтернативой можно назвать импортные транзисторы вроде: BD241C (TO-220), 2N6038 (ТО-126). Из отечественных — возможно подойдут КТ817В, КТ819В.
Применение
В видеоролике продемонстрирована одна из возможностей применения D2058 и создания на его основе простого двухканального усилителя. Состав электронных компонентов минимальный, а схема не требует особенных познаний в электронике. При сборке используются наиболее распространенные из этой серии транзисторы с HFE от 100 до 200 (группа Y).
Производители
Компаний, занимающихся производство транзистора D2058 очень много, преимущественно китайских. Скачайте datasheet от наиболее известных из них можно по ссылкам: Inchange Semiconductor, Savantic.
Найти подробные устройства в России практически невозможно. Поэтому многие радиолюбители приобретают их на специализированных виртуальных интернет-площадках.
NPN
DataSheet PDF Search Site
| Вы устали рыскать по Интернету в поисках нужных вам спецификаций? Не ищите ничего, кроме Datasheet39.com, основного источника таблиц данных. С обширной коллекцией спецификаций для электронных компонентов, от транзисторов до микроконтроллеров, Datasheet39В домене .com есть все, что вам нужно для завершения ваших электронных проектов. |
Новые списки
| Номер детали | Функция | Производители | ПДФ |
| 15600 | МЕЛОДИЯ IC | Юнисоник Текнолоджиз | |
| 2SD667 | NPN КРЕМНИЕВЫЙ ТРАНЗИСТОР | Юнисоник Текнолоджиз | |
| 3DU5C | Кремниевый фототранзистор в металлическом корпусе | И Т.  Д. | |
| 9012 | PNP КРЕМНИЕВЫЙ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР | Юнисоник Текнолоджиз | |
| 9013 | NPN КРЕМНИЕВЫЙ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР | Юнисоник Текнолоджиз | |
| АМС3132 | 3A Линейный регулятор с быстрым переходным процессом | АМС | |
| BC546 | NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ КРЕМНИЕВЫЙ ТРАНЗИСТОР | Юнисоник Текнолоджиз | |
| К20Т04К-11А | СБД | Нихон Интер Электроникс | |
| CY7C1399 | 32K x 8 Статическая RAM 3,3 В | Сайпресс Полупроводник | |
| EA20QC04 | СБД | Нихон Интер Электроникс |
транзистор%20d2058 техническое описание и примечания по применению
Лучшие результаты (6)
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
э.327
до н.э.328
до н.э.337
до н.э.338
транзистор
транзистор ИТТ
BC548 п-н-п транзистор
транзистор п-н-п
BC337 п-н-п транзистор
pnp bc547 транзистор
BC327 NPN-транзистор
MPSA92 168
транзистор 206
2н3904 ТРАНЗИСТОР ПНП
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
Системы горизонтального отклонения телевизора
РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА
Ан363
Системы горизонтального отклонения телевизора 25
транзистор горизонтальной секции телевизор
Переключающие транзисторы с горизонтальным отклонением
Мосфет системы горизонтального отклонения телевизора
ЭЛТ ТВ электронная пушка
горизонтальная секция в ЭЛТ-телевизоре
Обратный трансформатор для телевизора
org/Product»>
э.328
БК337;
БК337А;
до н.э.338
до н.э.546;
до н.э.547;
до н.э.548
до н.э.556;
транзистор 835
Усилитель на транзисторе BC548
ТРАНЗИСТОРНЫЙ регулятор
Усилитель ЗВУКА на транзисторе BC548
транзистор 81 110 Вт 85
транзистор 81 110 Вт 63
транзистор
транзистор 438
ТРАНЗИСТОР РУКОВОДСТВО
транзистор 649
org/Product»>
org/Product»>
