D2058 транзистор характеристики. Технические характеристики и применение транзистора D2058: подробный обзор

Каковы основные параметры транзистора D2058. Где применяется этот транзистор. Какие есть аналоги D2058. Как правильно использовать D2058 в схемах.

Общая характеристика транзистора D2058

Транзистор D2058 представляет собой биполярный npn-транзистор общего назначения. Он относится к кремниевым эпитаксиально-планарным транзисторам средней мощности. Основные особенности D2058:

• Структура npn
• Корпус TO-220F
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер 60 В
• Максимальный ток коллектора 3 А
• Рассеиваемая мощность до 25 Вт (с радиатором)

Благодаря сочетанию этих параметров, D2058 нашел широкое применение в различных электронных устройствах, особенно в усилителях низкой частоты.

Основные электрические параметры D2058

Рассмотрим подробнее ключевые электрические характеристики транзистора D2058:

• Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO): 60 В
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCEO): 60 В
• Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO): 7 В
• Максимальный постоянный ток коллектора (IC): 3 А
• Максимальный импульсный ток коллектора (ICM): 5 А
• Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (PC):
  • Без радиатора: 1,5 Вт
  • С радиатором: 25 Вт
• Коэффициент усиления по току (hFE): 60-300 (при VCE=5В, IC=0,5А)
• Граничная частота коэффициента передачи тока (fT): 3 МГц

Как видно из параметров, D2058 обладает довольно высокой мощностью и способен работать с токами до 3 А, что делает его подходящим для применения в выходных каскадах усилителей.

Особенности конструкции и корпуса D2058

Транзистор D2058 выпускается в пластиковом корпусе TO-220F. Этот корпус имеет следующие особенности:

• Три вывода для подключения базы, коллектора и эмиттера
• Металлическая пластина для крепления радиатора
• Отверстие в пластине для винтового крепления
• Изолированная металлическая пластина от кристалла транзистора

Цоколевка D2058 в корпусе TO-220F следующая (если смотреть на маркировку):

1. База (B)
2. Коллектор (C)
3. Эмиттер (E)

Такая конструкция корпуса обеспечивает хороший отвод тепла при использовании радиатора, что критично для мощных применений транзистора.

Области применения транзистора D2058

Благодаря своим характеристикам, транзистор D2058 находит применение в следующих областях:

• Усилители низкой частоты (УНЧ):
  • Выходные каскады мощностью до 25-30 Вт
  • Предвыходные каскады в более мощных усилителях
• Импульсные источники питания:
  • Ключевые элементы в преобразователях напряжения
• Регуляторы напряжения и тока:
  • Мощные линейные стабилизаторы
  • ШИМ-регуляторы
• Драйверы электродвигателей:
  • Управление маломощными двигателями постоянного тока

Наиболее часто D2058 можно встретить в выходных каскадах бюджетных усилителей мощности звуковой частоты.

Аналоги транзистора D2058

При необходимости замены D2058 можно использовать следующие аналоги:

• 2SD2012 — наиболее близкий аналог, превосходящий D2058 по некоторым параметрам
• BD241C — популярный транзистор в корпусе TO-220
• 2N6038 — американский аналог в корпусе TO-126
• КТ817В — отечественный биполярный транзистор схожего класса
• КТ819В — еще один отечественный аналог с немного лучшими параметрами

При выборе аналога следует внимательно сравнивать их характеристики, особенно максимальные напряжения и токи, а также коэффициент усиления.

Особенности применения D2058 в схемах

При использовании транзистора D2058 в электронных схемах следует учитывать несколько важных моментов:

1. Теплоотвод:
   • При работе с токами более 1 А необходимо использовать радиатор
   • Площадь радиатора зависит от рассеиваемой мощности
2. Режим работы:
   • В линейном режиме требуется более эффективное охлаждение
   • В ключевом режиме тепловыделение меньше
3. Защита от перегрузок:
   • Рекомендуется использовать схемы защиты от короткого замыкания
   • Желательно применять температурную защиту
4. Подбор элементов:
   • Следует учитывать разброс коэффициента усиления при расчетах
   • При парном включении желательно подбирать транзисторы с близкими параметрами

Соблюдение этих рекомендаций позволит обеспечить надежную и долговременную работу устройств на основе D2058.

Измерение параметров и проверка исправности D2058

Для оценки состояния транзистора D2058 и измерения его параметров можно использовать следующие методы:

• Проверка переходов мультиметром:
  • В режиме «прозвонки диодов» проверяются p-n переходы
  • Исправный транзистор должен показывать «пробой» только в прямом направлении переходов
• Измерение коэффициента усиления:
  • Многие мультиметры имеют функцию измерения hFE
  • Для D2058 значение должно быть в пределах 60-300
• Проверка остаточного напряжения:
  • В режиме насыщения измеряется напряжение коллектор-эмиттер
  • Для исправного D2058 оно не должно превышать 1-1,5 В при токе 2 А

Эти простые тесты помогут выявить большинство неисправностей транзистора D2058.

Рекомендации по монтажу транзистора D2058

При монтаже транзистора D2058 в электронные устройства следует соблюдать ряд правил:

1. Защита от статического электричества:
   • Используйте антистатические браслеты при работе
   • Храните транзисторы в антистатической упаковке
2. Пайка:
   • Используйте паяльник с заземленным жалом
   • Температура жала не должна превышать 300°C
   • Время пайки одного вывода — не более 3-5 секунд
3. Монтаж на радиатор:
   • Используйте теплопроводящую пасту между транзистором и радиатором
   • Затягивайте крепежный винт с умеренным усилием
   • При необходимости электрической изоляции применяйте слюдяные прокладки

Соблюдение этих рекомендаций поможет избежать повреждения транзистора при монтаже и обеспечит его надежную работу в составе устройства.

Транзистор D2058: характеристики, аналоги и datasheet

По своим характеристикам транзистор D2058 можно сказать является устройством общего применения. Его отличительная черта – это низкое напряжение насыщения коллектора и высокая рассеиваемая мощность.

Цоколевка

Изготавливают транзистор 2SD2058 в корпусе TO-228F. Если смотреть на него сверху, прямо на маркировку, то самая левая ножка – это база, средняя коллектор, а правая – эмиттер. Обозначения на корпусе производители часто наносят без первой цифры (2) и буквы (S), и маркируются как D2058.

Технические характеристики

Рассмотрение технических характеристик начнём с максимально допустимых. Превышение хотя-бы одного из этих параметров приведёт к выходу устройства из строя. Измерения проводились при температуре Т_а = 25°С.

Характеристики D2058:

• структура n-p-n
• напряжение К – Б V_CBO (U_{кб max}) = 60 В;
• напряжение К — Э V_CEO (U_{кэ max}) = 60 В;
• напряжение Э — Б V_EBO (U_{эб max}) = 7 В;
• постоянный ток через коллектор I_C (I_{к max}) = 3 А;
• постоянный ток через базу I_В (I_{б max}) = 0,5 А;
• мощность, рассеиваемая на коллекторе:
  • — без теплоотвода Р_С (Р_{к max}) = 1,5 Вт;
  • — с теплоотводом Р_С (Р_{к max}) = 25 Вт

• диапазон температур хранения T_stg = -55 … 150°С;
• максимальная температура кристалла T_J = 150°С.

Теперь рассмотрим электрические значения 2SD2058. Они также важны, так как от них зависят возможности транзистора. Тестирование проводилось при температуре Т_а = 25°С. Остальные важные параметры, при которых проводились измерения, можно найти в колонке «Режимы измерения».

Электрические характеристики транзистора 2SD2058 (при Т = +25 оC)
Параметры	Режимы измерения	Обозн.	min	typ	max	Ед. изм
Пробивное напряжение коллектор-эмиттер	IC = 50 мA, IВ = 0	V(BR)CEО	60			В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	IC= 2A, IB = 0,2 A	V CE(sat)			1,5	В
Напряжение база-эмиттер	IC = 0,5 A, VCE=5 В	V ВE		3		В
Обратный ток коллектора	VCВ = 60 В, IЕ = 0	ICВO			10	мкА
Обратный ток эмиттера	VEB = 7 В, IC = 0	IEBO			1	мА
Статический коэффициент передачи тока	VCE = 5 В, IC = 0,5 A	hFE	60		300
Граничная частота коэффициента передачи тока	VCE=5В, ICЕ = 0,5 мA	fT		3		МГц
Выходная ёмкость коллектора	f=1 МГц;VCB =10 В	COB		35		пФ
Время открытия транзистора	IC = 2,0 A; IB = 0,2 A, VCC = 30 В, RL = 15 Ом	ton		0,65		мкс
Время хранения		ts		1,3		мкс
Время закрытия транзистор		tf		0,65		мкс

D2058 производители делят на три класса, в зависимости от статического коэффициента усиления.

Буквой О обозначают транзисторы с к-том от 60 до 120, с Y имеют к-т усиления от 100 до 200 и с G от 150 до 300.

Аналоги

Аналогами транзистора 2SD2058 называют:

• 2N6038;
• BD177;
• 2SD1585;
• 2SD1985;
• 2SD2012.

Есть также отечественное устройство, похожее, по своим техническим характеристикам на рассматриваемое – это КТ817Б. Комплементарной парой является 2SB1366.

Производители и datasheet

Производством транзистора D2058 (скачать datasheet кликнув по названию) занимаются две компании:

• Savantic 1;
• Inchange Semiconductor;
• Savantic 2.

В отечественных магазинах можно встретить продукцию обеих.

NPN

Транзистор D2058 и его характеристики, datasheet, аналоги

Главная » Транзисторы

Транзистор серии D2058 имеет неплохие характеристики для применения в усилителях низкой частоты. Благодаря наличию комплиментарной пары (2SB1366) он довольно часто встречается в простой двухканальной китайской акустике. Выделяется, прежде всего, низким максимальным напряжением насыщения V_{CE (SAT)} до 1 В (при токах коллектора (I_C) 2 А и базы (I_B) всего в 0,2 мА) и высокими значениями коэффициента H_FE до 300. Пластиковый корпус изделия (TO-220F), согласно техописания (datasheet), способен выдерживать рассеиваемую мощность вплоть до 25 Вт.

Содержание

1. Цоколевка
2. Характеристики транзистора D2058
3. Максимальные параметры
4. Электрические параметры
5. Аналоги
6. Применение
7. Производители

Цоколевка

Полное обозначение транзистора — «2SD2058». Первые два символа «2S» в маркировке корпуса не используются. Он встречается только в пластиковой упаковке TO-220F. Имеет следующую цоколевку (слева на право): левая ножка – вывод базы (Б), средняя – коллектор (К), а правая является эмиттером (Э). Корпус оснащен отверстием для крепления к радиатору.

Характеристики транзистора D2058

D2058 является биполярным полупроводниковым триодом имеющим  NPN-структуру. Материал кристалла состоит из кремния (Si). Несмотря на широкое применение в УНЧ, в datasheet скромно указано о том, что перед нами «транзистор общего назначения». Рассмотрим его основные технические характеристики.

Максимальные параметры

Приведем основные максимальные значения параметров транзистора D2058 (при температуре окружающей среды (Т_А) +25 ^oС):

• предельно допустимые напряжения между выводами: К–Б (V_CBO) до 60 В; К-Э (V_CEO) до 60 В; Э-Б (V_EBO) до 7 В;
• токи: коллектора (I_C) до 3 А; базы (I_В) до 0,5 А;
• рассеиваемая коллекторная мощность (P_C) до 25 Вт;
• температуры: хранения (T_stg) -55 … 150°С; p-n-перехода при работе (T_J) до +150°С.

Указанные значения являются максимально возможными. В случае превышения любого из них, даже на незначительно короткий промежуток времени, устройство может выйти из строя.

Электрические параметры

Ниже представлены электрические параметры или номинальные значения характеристик при определенных условиях эксплуатацию. Последние приведены в отдельном столбце таблицы с названием «режимы измерений» при температуре нагрева кристалла (Т_J) до +25 ^oС (если не указано иного). Коэффициент усиления по току (H_FE) может сильно разниться даже у одинаковых устройств. Это один из существенных недостатков D2058. В зависимости от символа в конце маркировки на корпусе, H_FE может находится в следующих интервалах: от 60 до 120 (O), от 100 до 200 (Y), от 150 до 300 (G).

Аналоги

К сожалению полного аналога у D2058 не существует. В тоже время, найти ему подходящую замену, в случае выхода из строя, не должно стать проблемой. Наиболее близким и даже лучшим по параметрам считается 2SD2012 (TO-220F). Не менее достойной альтернативой можно назвать импортные транзисторы вроде: BD241C (TO-220), 2N6038 (ТО-126). Из отечественных — возможно подойдут КТ817В, КТ819В.

Применение

В видеоролике продемонстрирована одна из возможностей применения D2058 и создания на его основе простого двухканального усилителя. Состав электронных компонентов минимальный, а схема не требует особенных познаний в электронике.  При сборке используются наиболее распространенные из этой серии транзисторы с H_FE от 100 до 200 (группа Y).

Производители

Компаний, занимающихся производство транзистора D2058 очень много, преимущественно китайских. Скачайте datasheet от наиболее известных из них можно по ссылкам: Inchange Semiconductor, Savantic. Найти подробные устройства в России практически невозможно. Поэтому многие радиолюбители приобретают их на специализированных виртуальных интернет-площадках.

NPN

DataSheet PDF Search Site

Вы устали рыскать по Интернету в поисках нужных вам спецификаций? Не ищите ничего, кроме Datasheet39.com, основного источника таблиц данных. С обширной коллекцией спецификаций для электронных компонентов, от транзисторов до микроконтроллеров, Datasheet39В домене .com есть все, что вам нужно для завершения ваших электронных проектов.

Новые списки

Номер детали	Функция	Производители	ПДФ
15600	МЕЛОДИЯ IC	Юнисоник Текнолоджиз
2SD667	NPN КРЕМНИЕВЫЙ ТРАНЗИСТОР	Юнисоник Текнолоджиз
3DU5C	Кремниевый фототранзистор в металлическом корпусе	И Т. Д.
9012	PNP КРЕМНИЕВЫЙ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР	Юнисоник Текнолоджиз
9013	NPN КРЕМНИЕВЫЙ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР	Юнисоник Текнолоджиз
АМС3132	3A Линейный регулятор с быстрым переходным процессом	АМС
BC546	NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ КРЕМНИЕВЫЙ ТРАНЗИСТОР	Юнисоник Текнолоджиз
К20Т04К-11А	СБД	Нихон Интер Электроникс
CY7C1399	32K x 8 Статическая RAM 3,3 В	Сайпресс Полупроводник
EA20QC04	СБД	Нихон Интер Электроникс

транзистор%20d2058 техническое описание и примечания по применению

Лучшие результаты (6)

Модель ECAD Производитель Описание Загрузить техпаспорт Купить часть org/Product»> БД9В101МУФ-ЛБ РОМ Полупроводник 16–60 В, 1 А, 1 канал, 2,1 МГц, синхронный понижающий преобразователь со встроенным полевым транзистором (промышленного класса) БД9Г102Г-ЛБ РОМ Полупроводник 6–42 В, 0,5 А, 1 канал, простой понижающий преобразователь со встроенным полевым транзистором (промышленного класса) BD9G341AEFJ РОМ Полупроводник 12–76 В, понижающий импульсный стабилизатор со встроенным силовым МОП-транзистором 150 мОм org/Product»> БД9А600МУВ РОМ Полупроводник Входное напряжение от 2,7 В до 5,5 В, встроенный полевой МОП-транзистор 6 А, одиночный синхронный понижающий преобразователь постоянного тока в постоянный BD9G341AEFJ-LB РОМ Полупроводник 12–76 В, понижающий импульсный стабилизатор со встроенным силовым полевым МОП-транзистором 150 мОм (промышленного класса) BD9C601EFJ РОМ Полупроводник Вход от 4,5 В до 18 В, 6,0 А Встроенный MOSFET 1-канальный синхронный понижающий преобразователь постоянного тока в постоянный

транзистор%20d2058 Листы данных Context Search

org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»>

Каталог данных	MFG и тип	ПДФ	Ярлыки для документов
хб*9Д5Н20П Реферат: khb9d0n90n 6v стабилитрон khb * 2D0N60P транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9D0N90N схема ktd998 транзистор Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2N2904E до н.э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E хб*9Д5Н20П хб9д0н90н 6В стабилитрон хб*2Д0Н60П транзистор КХБ7Д0Н65Ф Транзистор BC557 киа*278R33PI Схема КХБ9Д0Н90Н транзистор ктд998
КИА78*ПИ Реферат: Транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2Н3904хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004АФ ТРАНЗИСТОР мосфет КИА7812АПИ хб*2Д0Н60П Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2N2904E до н.э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E КИА78*пи транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2N3904 хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004AF ТРАНЗИСТОР MOSFET KIA7812API хб*2Д0Н60П
2SC4793 2sa1837 Реферат: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn to-220 эквивалент 2sc5198 транзистор 2SC5359 2SC5171 транзистор эквивалент NPN транзистор Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2СК5200, 2СА1943, 2СК5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn к-220 эквивалент 2sc5198 транзистор 2SC5359 эквивалент транзистора 2SC5171 НПН-транзистор
транзистор Реферат: Транзистор ITT BC548 pnp транзистор pnp BC337 pnp транзистор pnp bc547 транзистор BC327 NPN транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 TRANSISTOR PNP Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	2Н3904 2Н3906 2Н4124 2Н4126 2N7000 2Н7002 до н. э.327 до н.э.328 до н.э.337 до н.э.338 транзистор транзистор ИТТ BC548 п-н-п транзистор транзистор п-н-п BC337 п-н-п транзистор pnp bc547 транзистор BC327 NPN-транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2н3904 ТРАНЗИСТОР ПНП
Ч520Г2 Реферат: Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47к 22к ПНП НПН ФБПТ-523 Ч521Г2-30ПТ npn переключающий транзистор 60в транзистор Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904T1PT Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	А1100) QFN200 ЧДТА143ЕТ1ПТ ФБПТ-523 100 мА ЧДТА143ЗТ1ПТ ЧДТА144ТТ1ПТ CH520G2 Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47k 22k PNP NPN ФБПТ-523 Ч521Г2-30ПТ npn-переключающий транзистор 60 В транзистор Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904Т1ПТ
транзистор 45 ф 122 Реферат: Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 tlp 122 634 транзистор транзистор ac 127 TRANSISTOR транзистор 502 транзистор f 421 Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор переменного тока 51 Моск 3021 СИМИСТОР 136 тлп 122 634 транзистор транзистор переменного тока 127 ТРАНЗИСТОР транзистор 502 транзистор ф 421
СТХ12С Реферат: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N ​​2SC5586 2SK1343 CTPG2F Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 фн651 SLA4037 sla1004 СТВ-34Д SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F
Варистор RU Реферат: Транзистор СЭ110Н 2SC5487 2SA2003 Транзистор СЭ090Н высоковольтный Транзистор СЭ090 РБВ-406 2SC5586 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор RU SE110N транзистор 2SC5487 2SA2003 SE090N высоковольтный транзистор SE090 РБВ-406 2SC5586
К2Н4401 Резюме: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 Q2N1132 D1N750 D02CZ10 D1N751 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	РД91ЭБ Q2N4401 Д1Н3940 Q2N2907A Д1Н1190 Q2SC1815 Q2N3055 Q2N1132 Д1Н750 D02CZ10 Д1Н751
фн651 Реферат: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 фн651 СТВ-34Д 2SC5586 ХВР-1х7 STR20012 sap17n 2сд2619 РБВ-4156Б SLA4037 2ск1343
2SC5471 Реферат: 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 2Sc5720 транзистор 2SC5766 низкочастотный малошумящий транзистор PNP Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 А1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 транзистор 2са1015 транзистор 2sc1815 Транзистор 2SA970 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP
МОП-транзистор FTR 03-E Резюме: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона DTC114EVA DTC143EF V/65e9 транзистор транзистор 2SC337 Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Мосфет FTR 03-E мт 1389 фе 2СД122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона DTC114EVA DTC143EF Транзистор V/65e9 транзистор 2SC337
фгт313 Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A диод SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096 диодов ry2a Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 фгт313 транзистор фгт313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 фгт412 РБВ-3006 ФМН-1106С SLA5096 диод ry2a
транзистор 91 330 Реферат: tlp 122 ТРАНЗИСТОР TLP635F 388 транзистор R358 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120 Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6Н136 6Н137 6Н138 6Н139 CNY17-L CNY17-M транзистор 91 330 тлп 122 ТРАНЗИСТОР TLP635F 388 транзистор Р358 395 транзистор транзистор ф 421 IC 4N25 симистор 40 РИА 120
1999 — Системы горизонтального отклонения телевизора Реферат: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА an363 TV горизонтальные системы отклонения 25 транзистор горизонтальная секция tv Горизонтальное отклонение переключающие транзисторы TV горизонтальные системы отклонения mosfet CRT TV электронная пушка горизонтальная секция в элт-телевидение TV трансформатор обратного хода Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	16 кГц 32 кГц, 64 кГц, 100 кГц. Системы горизонтального отклонения телевизора РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА Ан363 Системы горизонтального отклонения телевизора 25 транзистор горизонтальной секции телевизор Переключающие транзисторы с горизонтальным отклонением Мосфет системы горизонтального отклонения телевизора ЭЛТ ТВ электронная пушка горизонтальная секция в ЭЛТ-телевизоре Обратный трансформатор для телевизора
транзистор Аннотация: силовой транзистор npn к-220 PNP СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР TO220 транзистор PNP демпферный диод транзистор Дарлингтона 2SD2206A силовой транзистор npn транзистор дарлингтона TO220 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2СД1160 2СД1140 2СД1224 2СД1508 2SD1631 2SD1784 2СД2481 2SB907 2СД1222 2СД1412А транзистор силовой транзистор npn к-220 СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР PNP TO220 транзистор PNP демпферный диод Транзистор Дарлингтона 2СД2206А силовой транзистор нпн дарлингтон транзистор ТО220
1999 — транзистор Реферат: POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип n-канальный полевой массив Низкочастотный силовой транзистор транзистор mp40 TRANSISTOR P 3 high hfe транзистор список Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	X13769XJ2V0CD00 О-126) МП-25 О-220) МП-40 МП-45 МП-45Ф О-220 МП-80 МП-10 транзистор МОЩНЫЙ МОП-транзистор FET 2sj 2sk транзистор 2ск тип 2СК n-канальный полевой массив Силовой низкочастотный транзистор транзистор мп40 ТРАНЗИСТОР Р 3 высокочастотный транзистор список
транзистор 835 Реферат: Усилитель на транзисторе BC548 TRANSISTOR регулятор АУДИО Усилитель на транзисторе BC548 транзистор 81 110 w 85 транзистор 81 110 w 63 транзистор транзистор 438 TRANSISTOR GUIDE транзистор 649 Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	БК327; БК327А; до н. э.328 БК337; БК337А; до н.э.338 до н.э.546; до н.э.547; до н.э.548 до н.э.556; транзистор 835 Усилитель на транзисторе BC548 ТРАНЗИСТОРНЫЙ регулятор Усилитель ЗВУКА на транзисторе BC548 транзистор 81 110 Вт 85 транзистор 81 110 Вт 63 транзистор транзистор 438 ТРАНЗИСТОР РУКОВОДСТВО транзистор 649
2002 — SE012 Реферат: SE090 SE140N SE115N диод 2SC5487 sta474a 8050e SE110N SLA-7611 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 SE090 SE140N SE115N диод 2SC5487 sta474a 8050е SE110N SLA-7611
2SC5586 Реферат: транзистор 2SC5586 диод RU 3AM 2SA2003 диод СВЧ однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A 2SC5487 RG-2A диод Dual MOSFET 606 TFD312S-F Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод для микроволновой печи однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A 2SC5487 Диод РГ-2А Двойной МОП-транзистор 606 ТФД312С-Ф
PWM ИНВЕРТОРНЫЙ сварочный аппарат Реферат: KD224510 250A транзистор Дарлингтона Kd224515 демпфирующий конденсатор powerex инвертор сварочная схема kd2245 kd224510 примечания по применению транзистор KD221K75 Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF
варикап диоды Реферат: БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР МОП-транзистор с двойным затвором в усилителе УКВ Hitachi SAW Фильтр gsm-модуль с микроконтроллером P-канальный MOSFET Транзисторы MOSFET P-канальный Mosfet-транзистор Hitachi Низкочастотный силовой транзистор VHF FET LNA Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	PF0032 PF0040 PF0042 ПФ0045А PF0065 ПФ0065А HWCA602 HWCB602 ХВКА606 HWCB606 варикапные диоды БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР МОП-транзистор с двойным затвором в усилителе УКВ Хитачи ПАВ Фильтр gsm модуль с микроконтроллером p-канальный мосфет Транзисторы mosfet p канал МОП-транзистор хитачи Силовой низкочастотный транзистор УКВ Фет лна
Техническое описание силового транзистора для телевизора Реферат: силовой транзистор 2SD2599 эквивалент 2SC5411 транзистор 2sd2499 транзистор 2Sc5858 эквивалент 2SC5570 компоненты в горизонтальном выходе 2SC5855 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SC5280 2SC5339 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5411 2SC5421 2SC5422 2SC5445 2SC5446 Технический паспорт силового транзистора телевизора силовой транзистор Эквивалент 2SD2599 транзистор 2sd2499 транзистор эквивалент 2Sc5858 2SC5570 компоненты в горизонтальном выводе 2SC5855
2009 — 2sc3052ef Реферат: 2n2222a SOT23 ТРАНЗИСТОР SMD МАРКИРОВКА КОД s2a 1N4148 SMD LL-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2n2222 sot23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 полупроводниковый перекрестный справочник toshiba smd код маркировки транзистора Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	24 ГГц BF517 Б132-Х8248-Г5-С-7600 2sc3052ef 2н2222а СОТ23 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА s2a 1Н4148 СМД ЛЛ-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2н2222 сот23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 смд 1N4148 СОД323 полупроводниковая перекрестная ссылка toshiba smd маркировка код транзистора