Д817А характеристики. Стабилитрон Д817А: характеристики, применение и роль в электронных схемах

Что такое стабилитрон Д817А. Каковы его основные характеристики. Где применяется стабилитрон Д817А. Как он работает в электронных схемах. В чем его преимущества перед другими стабилитронами.

Основные характеристики стабилитрона Д817А

Стабилитрон Д817А является полупроводниковым прибором, предназначенным для стабилизации напряжения в электронных схемах. Рассмотрим его ключевые параметры:

• Материал: кремний
• Напряжение стабилизации: 56 В
• Максимальная рассеиваемая мощность: 5 Вт
• Температурный коэффициент напряжения стабилизации: 0,1%/°C
• Дифференциальное сопротивление: не более 30 Ом
• Рабочий диапазон температур: от -60°C до +125°C

Благодаря этим характеристикам Д817А обеспечивает стабильное опорное напряжение в широком диапазоне рабочих условий.

Принцип работы стабилитрона Д817А

Как работает стабилитрон Д817А в электрической цепи? Принцип действия основан на эффекте электрического пробоя p-n перехода:

1. При подаче обратного напряжения, превышающего напряжение пробоя, через стабилитрон начинает протекать ток.
2. При этом напряжение на стабилитроне остается практически неизменным в широком диапазоне токов.
3. Это позволяет стабилизировать напряжение на нагрузке при колебаниях входного напряжения или тока нагрузки.

Таким образом, стабилитрон Д817А выступает в роли «электронного ограничителя напряжения», поддерживая постоянное напряжение 56 В на участке цепи.

Области применения стабилитрона Д817А

Где используется стабилитрон Д817А? Основные сферы применения включают:

• Источники стабилизированного напряжения
• Параметрические стабилизаторы напряжения
• Схемы защиты от перенапряжений
• Формирователи импульсов
• Генераторы пилообразного напряжения
• Преобразователи напряжения

Стабилитрон Д817А широко применяется в радиоэлектронной аппаратуре, измерительной технике, системах автоматики и телемеханики.

Преимущества стабилитрона Д817А

Какие преимущества имеет Д817А по сравнению с другими стабилитронами? Рассмотрим основные достоинства:

• Высокая стабильность напряжения при изменении тока
• Малое дифференциальное сопротивление
• Широкий температурный диапазон
• Высокая надежность и долговечность
• Компактные размеры
• Доступная цена

Эти качества делают Д817А оптимальным выбором для многих электронных устройств, где требуется стабильное опорное напряжение.

Особенности включения стабилитрона Д817А в схему

Как правильно подключить стабилитрон Д817А в электрическую цепь? Необходимо соблюдать следующие правила:

1. Стабилитрон включается в обратном направлении относительно стабилизируемого напряжения.
2. Последовательно со стабилитроном включается ограничительный резистор.
3. Ток через стабилитрон не должен превышать максимально допустимое значение.
4. Мощность, рассеиваемая на стабилитроне, не должна превышать 5 Вт.
5. При необходимости используется радиатор для отвода тепла.

Правильное включение обеспечивает надежную работу стабилитрона Д817А и всей схемы в целом.

Аналоги стабилитрона Д817А

Какие существуют аналоги стабилитрона Д817А? Рассмотрим несколько близких по параметрам стабилитронов:

• 1N3051 — напряжение стабилизации 56 В, мощность 5 Вт
• 1N3305B — напряжение стабилизации 56 В, мощность 5 Вт
• BZX85C56 — напряжение стабилизации 56 В, мощность 1,3 Вт
• 1N5369B — напряжение стабилизации 51 В, мощность 5 Вт

При выборе аналога важно учитывать не только напряжение стабилизации, но и другие параметры — мощность, температурный коэффициент, дифференциальное сопротивление.

Проверка исправности стабилитрона Д817А

Как проверить работоспособность стабилитрона Д817А? Можно использовать следующие методы:

1. Проверка мультиметром в режиме «прозвонки диодов»
2. Измерение напряжения стабилизации при протекании номинального тока
3. Снятие вольт-амперной характеристики
4. Проверка температурной стабильности напряжения

Исправный стабилитрон Д817А должен обеспечивать стабильное напряжение 56 В ± 5% при номинальном токе и температуре 25°C.

Маркировка и внешний вид стабилитрона Д817А

Как выглядит стабилитрон Д817А и как его идентифицировать? Рассмотрим особенности маркировки и внешнего вида:

• Корпус металлический цилиндрический
• Диаметр корпуса 9 мм, высота 5,2 мм
• На корпусе нанесена маркировка «Д817А»
• Цветовая маркировка: синяя полоса — катод, красная — анод
• Выводы расположены аксиально, длина 25-30 мм

Знание особенностей маркировки позволяет легко идентифицировать стабилитрон Д817А и правильно его установить в схему.

История создания и развития стабилитронов

Когда появились первые стабилитроны и как они развивались? Кратко рассмотрим историю:

1. 1930-е годы — открытие эффекта стабилизации напряжения на p-n переходе
2. 1952 год — создание первого коммерческого кремниевого стабилитрона
3. 1960-е годы — начало массового производства стабилитронов
4. 1970-е годы — разработка прецизионных стабилитронов
5. 1980-е годы — создание стабилитронов с малым температурным коэффициентом
6. 2000-е годы — разработка сверхминиатюрных и мощных стабилитронов

Стабилитрон Д817А был разработан в СССР в 1970-х годах и до сих пор широко применяется благодаря оптимальному сочетанию характеристик.

Перспективы развития стабилитронов

Какие тенденции наблюдаются в развитии стабилитронов? Основные направления включают:

• Уменьшение размеров при сохранении мощности
• Снижение температурного коэффициента напряжения
• Повышение точности напряжения стабилизации
• Расширение диапазона рабочих температур
• Создание программируемых стабилитронов
• Интеграция стабилитронов в микросхемы

Несмотря на появление новых технологий, классические стабилитроны, такие как Д817А, еще долго будут находить применение в электронике благодаря простоте, надежности и низкой стоимости.

С1-40 – Содержание драгметаллов в осциллографе

В таблице представлены точные данные по содержанию драгоценных металлов в граммах на единицу изделия осциллографа С1-40:

Золото

0,2169737 гр.

Серебро

40,207189 гр.

Палладий

0,21646 гр.

Стоимость драгметаллов в осциллографе С1-40: 4445.80 ₽

Содержание драгметаллов составных элементов в осциллографе С1-40

Комплектующие	Au	Ag	Pd
транзистор П307Г ЖК3.365.059 ТУ (4 шт.)	0,0046265
транзистор П308 ЖК3.365.059 ТУ (4 шт.)	0,0185060
транзистор П306 ЩБ3.365.005 ТУ (2 шт.)		0,0360061
табилитрон Д816Б УЖ3.362.027 ТУ	0,0006176
стабилитрон Д817А УЖ3.362.027 ТУ	0,0006176
стабилитрон Д817Г УЖ3. 362.027 ТУ (2 шт.)	0,0006176
диод Д104А СМ3.362.007 ТУ (16 шт.)	0,0000002
диод Д237Б Тр3 .362.021 ТУ (30 шт.)	0,0000025	0,0000051
стабилитрон Д814А СМ3.362.012 ТУ (9 шт.)	0,0000011
стабилитрон Д818Г СМ3.362.025 ТУ (6 шт.)	0,0009981	0,0000259
стабилитрон Д818Д СМ3.362.025 ТУ	0,0009981	0,0000259
диод 2Т301Е ЩБ3.365.007 ТУ (2 шт)	0,0005140
диод туннельный 3И3О6Л УЖ3.360.005 ТУ		0,0000085
радиолампа 6С19П-В СБ3.309.023 ТУ1 (12 шт.)	0,0035010
радиолампа 6Э5П-И ТС3.300.029 ТУ (4 шт.)	0,0155100
радиолампа 6Ж9П СД3.300.011 ТУ (19 шт.)	0,0001192
радиолампа 6П14П-ЕВ СД3.302.018 ТУ	0,0075030
радиолампа 6Н6П СА3. 301.011 ТУ (3 шт.)	0,0000115
радиолампа 6С7Б-В ЩШ3.301 001 ТУ4 (6 шт.)	0,0000027
разъем СР-75-166Ф ВР0.364.001 ТУ (6 шт.)		0,0524700
разъем СР-75-154П ВР0.364.007 ТУ (6 шт.)		0,9872000
разъем 2РМ18КПН7Ш1В1 ГЕО.364.126 ТУ		0,2450630
разъем 2РМ18БПН7Г1В1 ГЕО.364.126 ТУ		0,2450630
корпус 8.034.821 (2 шт.)		0,5090000
корпус 6.675.105		0,5906000 .
корпус 8.034.390 (2 шт.)		0,4445300
корпус 8.034.391 (2 шт.)		0,2669100
корпус 8.034.240 (2 шт.)		0,4748600
корпус 8.034.971 (2 шт.)		0,4861000	0,0750600
штепсель 8.224.794 (2 шт.)		0,0141700
штепсель 7.744.149 (2 шт. )		0,0141700
штепсель 7.744.019		0,6924000
штепсель 7.744.141 (2 шт.)		0,0411100
штепсель 7.744.173 (2 шт.)		0,0415800	0,0064200
втулка 8.224.799 (2 шт.)		0,0483500
втулка 8.224.874		0,1862000
втулка 8.223.603 (2 шт.)		0,1250200
втулка 8.225.937 (2 шт.)		0,1732500	0,0267500
контакт 7.732.137 (660 шт.)		0,0102400
контакт 7.732.138 (69 шт.)		0,1291000
контакт 7.732.248 (4 шт.)		0,0070870
контакт 7.732.211 (6 шт.)		0,0143300
контакт 7.732.294 (5 шт.)		0,0206200
контакт 7.732.293		0,0422200
контакт 7.732.025		0,0160000
контакт 7. 740.063 (57 шт )		0,0127600
пружина 7.730.048 (4 шт.)		0,0055100
гнездо 7.746.119 (2 шт.)		0,0771700
штекер 7.744.018 (10 шт)		0,0387000
штекер 7.744.047 (2 шт.)		0,0652000
кронштейн 8.090.932		2,7022300
кронштейн 8.090.931		1,1532100
прокладка 8.600.740 (3 шт.)		0,1074900
проволока 0,2 мм 5.776.171		0,6229100
лепесток 7.750.054 (55 шт.)		0,0014180
лепесток 7.750.022 (18 шт.)		0,0172900
стержень 8.126.020 (5 шт.)		0,0113500
цанга 8.259.081 (16 шт.)		0,0355000
наконечник 7.750.096		0,1323000
наконечник 7.750.097 (5 шт.)		0,0474200
наконечник 7. 750.069 (5 шт )		0,0722900
наконечник 7.750.066 (5 шт.)		0,0799500
кольцо 8.240.034		0,0092600
скоба 6.668.296 (2 шт.)		0,0210600
заклепка 8.955.004 (408 шт.)		0,0029100
зажим 6.625.015 (2 шт.)		0,4196000
пластина 7.725.113		0,0085000
пластина 7.725.173 (14 шт.)		0,0189000

Сведения о содержании драгоценных металлов в элементной базе радиоэлектроники, бытовой техники, оборудования, транспорта и прочей готовой продукции взяты из открытых источников: специализированной технической документации (справочников, паспортов, формуляров, руководств по эксплуатации разработчиков и изготовителей), а так же справочников относящихся к категории руководящих нормативных документов для постановки изделий, содержащих драгоценные металлы, на учет, контроля за их движением и списанием.

Характеристики изделия

ГОСТ, СТО, ТУ, год исполнения

Модель

Au

1,70815 гр.

 

Ag

41,71079 гр.

 

Pt

0,2671 гр.

Цена:

12140.89 ₽

Au

11,007 гр.

 

Ag

65,617 гр.

 

Pt

2,166 гр.

 

Pd

4,084 гр.

 

Ru

0,018 гр.

Цена:

82795.01 ₽

Au

0,043171 гр.

 

Ag

0,126738 гр.

Цена:

230.66 ₽

Au

0,723244 гр.

 

Ag

1,026485 гр.

Цена:

3796.30 ₽

Au

5,97463 гр.

 

Ag

9,24275 гр.

 

Pd

3,533 гр.

Цена:

45006.63 ₽

Au

0,0012347 гр.

 

Ag

0,0564336 гр.

Цена:

9.87 ₽

Au

0,7224 гр.

 

Ag

6,381 гр.

 

Pt

0,5367 гр.

 

Pd

0,2115 гр.

Цена:

6423.04 ₽

Au

2,46 гр.

 

Ag

4,84 гр.

 

Pt

13,4 гр.

 

МПГ

13,13 гр.

Цена:

86404.65 ₽

Au

0,9411734 гр.

 

Ag

1,3617863 гр.

 

Pt

0,043671 гр.

Цена:

5062.66 ₽

Au

0,082178 гр.

 

Ag

0,526374 гр.

Цена:

456.75 ₽

Стабилитрон на 5 вольт в Арзамасе: 461-товар: бесплатная доставка, скидка-51% [перейти]

Партнерская программаПомощь

Арзамас

Каталог

Каталог Товаров

Одежда и обувь

Одежда и обувь

Стройматериалы

Стройматериалы

Здоровье и красота

Здоровье и красота

Текстиль и кожа

Текстиль и кожа

Электротехника

Электротехника

Детские товары

Детские товары

Продукты и напитки

Продукты и напитки

Мебель и интерьер

Мебель и интерьер

Вода, газ и тепло

Вода, газ и тепло

Промышленность

Промышленность

Сельское хозяйство

Сельское хозяйство

Все категории

ВходИзбранное

Диод стабилитрон 04/05Вт NEXPERIA BZV55-C10. 115 (BZV55-C10.115) Тип: диод, Производитель: Nexperia

ПОДРОБНЕЕ

1N5359B, Стабилитрон 5.0Вт 24В Diotec Semiconductor Тип: стабилитрон

ПОДРОБНЕЕ

Стабилитрон 5,6V 1,3W (BZV85-C5V6) = 1N4734A Тип: диод

ПОДРОБНЕЕ

Диод стабилитрон 5Вт ON SEMICONDUCTOR 1N5338BRLG (1N5338B) Тип: диод, Производитель: ON

ПОДРОБНЕЕ

Диод стабилитрон 04/05Вт NEXPERIA BZV55-B13.115 (BZV55-B13.115) Тип: диод, Производитель: Nexperia

ПОДРОБНЕЕ

Диод стабилитрон 04/05Вт NEXPERIA BZV55-C6V2.115 (BZV55-C6V2.115) Тип: диод, Производитель: Nexperia

ПОДРОБНЕЕ

Диод стабилитрон 04/05Вт NEXPERIA BZX79-C30.113 (BZX79-C30.113) Тип: диод, Производитель: Nexperia

ПОДРОБНЕЕ

Диод стабилитрон 04/05Вт NEXPERIA BZV55-B30.115 (BZV55-B30.115) Тип: диод, Производитель: Nexperia

ПОДРОБНЕЕ

Диод стабилитрон 04/05Вт NEXPERIA BZV55-B33.115 (BZV55-B33.115) Тип: диод, Производитель: Nexperia

ПОДРОБНЕЕ

Диод стабилитрон 5Вт ON SEMICONDUCTOR 1N5388BRLG (1N5388BRLG) Тип: диод, Производитель: ON

ПОДРОБНЕЕ

Диод стабилитрон 5Вт ON SEMICONDUCTOR 1N5343BRLG (1N5343B) Тип: диод, Производитель: ON

ПОДРОБНЕЕ

Диод стабилитрон 5Вт ON SEMICONDUCTOR 1N5333BG (1N5333BG) Тип: диод, Производитель: ON Semiconductor

ПОДРОБНЕЕ

Диод стабилитрон 5Вт MICROSEMI 1N4986 (1N4986) Тип: диод

ПОДРОБНЕЕ

Стабилитрон 27. 0V 0.5W (упаковка 5 шт Тип: стабилитрон, Производитель: KOSHIN

ПОДРОБНЕЕ

Диод стабилитрон 04/05Вт NEXPERIA BZX79-C16.113 (BZX79-C16.113) Тип: диод, Производитель: Nexperia

ПОДРОБНЕЕ

Диод стабилитрон 04/05Вт NEXPERIA BZV55-C30.115 (BZV55-C30.115) Тип: диод, Производитель: Nexperia

ПОДРОБНЕЕ

Диод стабилитрон 04/05Вт NEXPERIA BZX79-C43.113 (BZX79-C43.113) Тип: диод, Производитель: Nexperia

ПОДРОБНЕЕ

BZV55-C12.115, Стабилитрон 12В, 5%, 0.5Вт, [MiniMELF] Тип: стабилитрон

ПОДРОБНЕЕ

BZV55-C15.115, Стабилитрон 15В, 5%, 0.5Вт, [MiniMELF] Тип: стабилитрон

ПОДРОБНЕЕ

Блок питания 12 Вольт 5 Aмпер 60 Вт * ST-12/5 * Разъем DC 5,5×2,5 * Пластиковый корпус * Разъем DC в комплекте * Стабилизированный источник питания

ПОДРОБНЕЕ

1N4733A, Стабилитрон 5.1В, 5%, 1Вт, [DO-41]

ПОДРОБНЕЕ

стабилитрон , BZX84C12 Тип: стабилитрон

ПОДРОБНЕЕ

Стабилитрон 15. 0V 0.5W (упаковка 5 шт.) Тип: стабилитрон

ПОДРОБНЕЕ

1N4749A стабилитрон (24В, 1Вт, 5, DO-41) — оригинал SEMTECH -3550 Тип: стабилитрон

ПОДРОБНЕЕ

Стабилитрон 5.1V 0.5W (упаковка 5 шт Тип: стабилитрон, Производитель: KOSHIN

ПОДРОБНЕЕ

Стабилитрон BZX55C27, BZX55C27 Тип: стабилитрон

ПОДРОБНЕЕ

Стабилитрон Д814В (упаковка 5 шт.) Тип: стабилитрон

ПОДРОБНЕЕ

Диод стабилитрон 04/05Вт NEXPERIA BZX79-C10.113 (BZX79-C10.113) Тип: диод, Производитель: Nexperia

ПОДРОБНЕЕ

2 страница из 18

Стабилитрон на 5 вольт

Полупроводниковые приборы

Светодиод

В настоящее время многие компании предоставляют услуги по поставке оборудования. Как правило, такая деятельность требует опыта, ответственного отношения, высокой квалификации персонала и т. д. Всеми этими характеристиками в полной мере обладает компания «Радиотехкомплект», реализующая транзисторы, светодиоды, стабилитроны и т.

д., комплектующие для электротехники и радиотехники. оборудование. Мы поддерживаем долгосрочные партнерские отношения с ведущими производителями полупроводниковых приборов, что обеспечивает солидный выбор продукции. Кроме того, мы имеем возможность оперативно выполнять заказы на транзисторы, светодиоды и стабилитроны в любом количестве. Все это поддерживает профессиональный авторитет компании и обеспечивает стабильную базу постоянных клиентов.

Историческим предшественником транзисторов, светоизлучающих диодов, стабилитронов и других полупроводников теперь являются устаревшие электронные лампы. Принцип их действия был ориентирован на регулирование и усиление напряжения электрического тока в цепи. В настоящее время без различных типов транзисторов и светодиодов, а также стабилитронов немыслима эксплуатация такой бытовой техники, как телефоны, компьютеры, коммуникаторы и т.п. Кроме того, современные полупроводники активно используются в промышленных масштабах и в высокоточной технике специального назначения.

Светодиод: общая информация

Большинство современных полупроводниковых приборов представляют собой сложные устройства для самых разных целей. Так, например, транзисторы можно использовать в сочетании со светодиодами, если их нужно переключать. Такое комбинированное применение полупроводниковых приборов позволяет оптимизировать работу всего оборудования.

Классический светодиод преобразует электрическую энергию в энергетический поток излучения. На рынке представлено большое количество типовых исполнений этих полупроводников, отличающихся солидной амплитудой параметров.

Программа поставок отечественных полупроводниковых приборов

Тип	Типичный
Диоды	2Д102Б1, 2Д103А1, 2Д212А, 2Д213А, 2Д220Г1, 2Д2997А, 2Д2998В, 2Д419А, 2Д510А, 2Д510А1, 2Д522Б, 2Д706АС9, 2Д707АС9, 2Д803АС9, 2Д906А, 2Д907Б-1
Стабилитроны	2С108А, 2С113А1, 2С119А1, 2С133А, 2С139А, 2С147А, 2С156А, 2С162А, 2С168А, 2С210Ж, 2С212Ж, 2С215Ж, 2С218Ж, 2С456А1, 2С482А1, 2С515А1, 2С522А1 , 2С524А1, 2С530А1, Д818А, Д815А, Д816А, Д817А
транзисторы	2С108А, 2С113А1, 2С119А1, 2С133А, 2С139А, 2С147А, 2С156А, 2С162А, 2С168А, 2С210Ж, 2С212Ж, 2С215Ж, 2С218Ж, 2С456А1, 2С 482А1, 2С515А1, 2С522А1, 2С524А1, 2С530А1, Д818А, Д815А, Д816А, Д817А
Оптопары	3ОД101А, 3ОД109А, 3ОД120А1, 3ОД129А, 3ОТ122А, 3ОТ123А, 3ОТ126А, 3ОТ127А
Светодиоды (LED)	АЛ307АМ, КИПД24Б-К, КИПД35И1-Л, КИПД40М30-С1П7, 3Л341Б
Варикапы	2Б125А, 2Б133А, 2Б158А9, 2Б169А, 2Б170А9

Сверхглубокое пиросеквенирование и молекулярное моделирование Определение ключевых структурных особенностей РНКазы Н вируса гепатита В, предполагаемой мишени для противовирусного вмешательства

1.

Вэй Ю., Невё С., Тиолле П., Буэндиа М.А. 2010. Молекулярная биология вируса гепатита В и роль гена Х. Патол. биол. (Париж) 58:267–272. 10.1016/j.patbio.2010.03.005 [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

2. Европейская ассоциация по изучению печени 2012. Руководящие принципы клинической практики EASL: лечение хронической вирусной инфекции гепатита В. Дж. Гепатол. 57:167–185. 10.1016/j.jhep.2012.02.010 [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

3. Wang GH, Seeger C. 1992. Обратная транскриптаза вируса гепатита В действует как белковый праймер для синтеза вирусной ДНК. Клетка 71: 663–670. 10.1016/0092-8674(92)90599-8 [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

4. Locarnini S, Mason WS. 2006. Клеточные и вирусологические механизмы лекарственной устойчивости ВГВ. Дж. Гепатол. 44:422–431. 10.1016/j.jhep.2005.11.036 [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

5. Локарнини С. 2008. Первичная резистентность, множественная лекарственная устойчивость и пути перекрестной резистентности при ВГВ как следствие неэффективности лечения.

Гепатол. Междунар. 2: 147–151. 10.1007/с12072-008-9048-3 [бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

6. Zoulim F, Locarnini S. 2009. Резистентность вируса гепатита В к аналогам нуклеоз(т)идов. Гастроэнтерология 137:1593–608.e1-2. 10.1053/j.gastro.2009.08.063 [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

7. Европейская ассоциация по изучению печени 2009. Руководство по клинической практике EASL: лечение хронического гепатита B. J. Hepatol. 50:227–242. 10.1016/j.jhep.2008.10.001 [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

8. Вилле С., Пишу С., Биллиуд Г., Барро Л., Дюрантель С., Трепо С., Зулим Ф. 2008. Влияние мутантов rtA181V/T вируса гепатита В на неэффективность лечения гепатита В. Дж. Гепатол. 48:747–755. 10.1016/j.jhep.2008.01.027 [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

9. van Bömmel F, de Man RA, Wedemeyer H, Deterding K, Petersen J, Buggisch P, Erhardt A, Hüppe D, Stein K, Trojan J, Sarrazin C, Böcher WO, Spengler U, Wasmuth HE, Reinders JG, Möller B, Rhode P, Feucht HH, Wiedenmann B, Berg T. 2010. Долгосрочная эффективность монотерапии тенофовиром у пациентов с моноинфекцией вируса гепатита В после неэффективности аналогов нуклеозидов/нуклеотидов. гепатология 51:73–80. 10.1002/hep.23246 [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

10. Паттерсон С.Дж., Джордж Дж., Штрассер С.И., Ли А.У., Зиверт В., Николл А.Дж., Десмонд П.В., Робертс С.К., Локарнини С., Боуден С., Ангус П.В. 2011. Терапия спасения тенофовира дизопроксила фумарата после неэффективности ламивудина и адефовира дипивоксила при хроническом гепатите В. Кишечник 60:247–254. 10.1136/gut.2010.223206 [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

11. Зоулим Ф. 2012. Нужны ли новые комбинированные методы лечения хронического гепатита В? Противовирусный рез. 96: 256–259. 10.1016/j.антивирус.2012.09.006 [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

12. Davies JF, Hostomska Z, Hostomsky Z, Jordan SR, Matthews DA. 1991. Кристаллическая структура домена рибонуклеазы H обратной транскриптазы ВИЧ-1. Наука 252:88–95. 10.1126/science. 1707186 [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

13. Исикава К., Окумура М., Катаянаги К., Кимура С., Каная С., Накамура Х., Морикава К. 1993. Кристаллическая структура рибонуклеазы H из Thermus thermophilus HB8 уточнена при разрешении 2,8 A. Дж. Мол. биол. 230:529–542. 10.1006/jmbi.1993.1169 [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

14. Катаянаги К., Окумура М., Морикава К. 1993. Кристаллическая структура РНКазы HI Escherichia coli в комплексе с Mg2+ при разрешении 2,8 A: доказательство наличия одного сайта связывания Mg(2+). Белки 17: 337–346. 10.1002/prot.340170402 [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

15. Ren J, Bird LE, Chamberlain PP, Stewart-Jones GB, Stuart DI, Stammers DK. 2002. Структура обратной транскриптазы ВИЧ-2 с разрешением 2,35 А и механизм устойчивости к ненуклеозидным ингибиторам. проц. Натл. акад. науч. США. 99:14410–14415. 10.1073/pnas.222366699 [бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

16. Новотны М., Гайдамаков С.А., Крауч Р. Дж., Ян В. 2005. Кристаллические структуры РНКазы H, связанной с гибридом РНК/ДНК: субстратная специфичность и металлозависимый катализ. Клетка 121:1005–1016. 10.1016/j.cell.2005.04.024 [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

17. Lim D, Gregorio GG, Bingman C, Martinez-Hackert E, Hendrickson WA, Goff SP. 2006. Кристаллическая структура домена Н РНКазы вируса мышиного лейкоза Молони. Дж. Вирол. 80:8379–8389. 10.1128/ОВИ.00750-06 [бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

18. Новотны М., Гайдамаков С.А., Гирландо Р., Черрителли С.М., Крауч Р.Дж., Ян В. 2007. Структура комплекса РНКазы h2 человека с гибридом РНК/ДНК: взгляд на обратную транскрипцию ВИЧ. Мол. Клетка 28:264–276. 10.1016/j.molcel.2007.08.015 [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

19. You DJ, Chon H, Koga Y, Takano K, Kanaya S. 2007. Кристаллическая структура рибонуклеазы H типа 1 из гипертермофильных архей Sulfolobus tokodaii: роль аргинина 118 и заякоривания С-конца. Биохимия 46:11494–11503. 10.1021/bi700830f [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

20. Kim HY, Kwon HD, Jang TS, Lim J, Lee HS. 2012. Математическое моделирование трехфазной вирусной динамики у пациентов с HBeAg-положительным хроническим гепатитом В, демонстрирующих ответ на 24-недельную терапию клевудином. PLoS один 7:e50377. 10.1371/journal.pone.0050377 [бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

21. Leo B, Schweimer K, Rösch P, Hartl MJ, Wöhrl BM. 2012. Структура раствора домена РНКазы H прототипа пенистого вируса указывает на важную роль основной петли в связывании субстрата. Ретровирусология 9:73. 10.1186/1742-4690-9-73 [бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

22. Cerritelli SM, Crouch RJ. 2009. Рибонуклеаза Н: ферменты эукариот. ФЕБС Дж. 276: 1494–1505. 10.1111/j.1742-4658.2009.06908.x [бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

23. Champoux JJ, Schultz SJ. 2009. Рибонуклеаза H: свойства, субстратная специфичность и роль в ретровирусной обратной транскрипции. ФЕБС Дж. 276: 1506–1516. 10.1111/j.1742-4658.2009.06909.x [бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

24. Тадокоро Т., Каная С. 2009. Рибонуклеаза H: молекулярное разнообразие, домены связывания субстрата и каталитический механизм прокариотических ферментов. ФЕБС Дж. 276: 1482–1493. 10.1111/j.1742-4658.2009.06907.x [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

25. Каная С., Катаянаги К., Морикава К., Иноуэ Х., Оцука Э., Икехара М. 1991. Влияние мутагенеза по каждому из пяти остатков гистидина на ферментативную активность и стабильность рибонуклеазы Н из Escherichia coli. Евро. Дж. Биохим. 198: 437–440. 10.1111/j.1432-1033.1991.tb16033.x [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

26. Потенца Н., Сальваторе В., Раймондо Д., Фаланга Д., Нобиле В., Петерсон Д.Л., Руссо А. 2007. Оптимизированная экспрессия из синтетического гена немеченого домена РНКазы H полимеразы вируса гепатита В человека, которая является ферментативно активной. Белок Экспр. Очист. 55:93–99. 10.1016/j.pep.2007.04.005 [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

27. Kabsch W, Sander C. 1983. Словарь вторичной структуры белков: распознавание образов водородных связей и геометрических элементов. Биополимеры 22:2577–2637. 10.1002/bip.360221211 [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

28. Рост Б., Сандер С. 1993. Предсказание вторичной структуры белка с точностью более 70%. Дж. Мол. биол. 232: 584–599. 10.1006/jmbi.1993.1413 [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

29. King RD, Sternberg MJ. 1996. Выявление и применение концепций, важных для точного и надежного предсказания вторичной структуры белка. Белковая наука. 5:2298–2310. 10.1002/pro.5560051116 [бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

30. Geourjon C, Deléage G. 1995. SOPMA: значительные улучшения в прогнозировании вторичной структуры белка путем консенсусного прогнозирования на основе множественных выравниваний. вычисл. заявл. Бионауч. 11:681–684 [PubMed] [Google Scholar]

31. Combet C, Blanchet C, Geourjon C, Deléage G. 2000. NPS@: анализ последовательности сетевого белка. Тенденции биохим. науч. 25:147–150. 10.1016/S0968-0004(99)01540-6 [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

32. Combet C, Jambon M, Deléage G, Geourjon C. 2002. Geno3D: автоматическое сравнительное молекулярное моделирование белка. Биоинформатика 18:213–214. 10.1093/bioinformatics/18.1.213 [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

33. Brunger AT. 2007. Версия 1.2 системы кристаллографии и ЯМР. Нац. протокол 2: 2728–2733. 10.1038/nprot.2007.406 [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

34. Hayer J, Jadeau F, Deléage G, Kay A, Zoulim F, Combet C. 2013. HBVdb: база данных по вирусу гепатита В. Нуклеиновые Кислоты Res. 41:D566–D570. 10.1093/nar/gks1022 [бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

35. Rodriguez C, Chevaliez S, Bensadoun P, Pawlotsky JM. 2013. Характеристика динамики резистентности вируса гепатита В к адефовиру методом сверхглубокого пиросеквенирования. гепатология 58:890–901. 10.1002/hep.26383 [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

36. Rodriguez C, Chevaliez S, Pawlotsky JM. Сентябрь 2010. ПироКласс. Французский патент IDDN.FR. 001.360005.001.С.П. 2010.000.31230

37. Родригес С., Шевалье С., Павлоцкий Дж.М. Сентябрь 2010. Пиромьюте. Французский патент IDDN.FR. 001.120008.001.С.К. 2010.000.31230

38. Родригес С., Шевалье С., Павлоцкий Дж.М. Сентябрь 2010. ПироДин. Французский патент IDDN.FR. 001.370024.000.С.П. 2010.000.31230

39. Ласковски Р.А., Руллманн Дж.А., Макартур М.В., Каптейн Р., Торнтон Дж.М. 1996. AQUA и PROCHECK-NMR: программы для проверки качества белковых структур, решенных с помощью ЯМР. Дж. Биомол. ЯМР 8: 477–486. 10.1007/BF00228148 [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

40. Chang LJ, Hirsch RC, Ganem D, Varmus HE. 1990. Влияние инсерционных и точечных мутаций на функции полимеразы вируса гепатита В уток. Дж. Вирол. 64:5553–5558 [бесплатная статья PMC] [PubMed] [Google Scholar]

41. Tavis JE, Cheng X, Hu Y, Totten M, Cao F, Michailidis E, Aurora R, Meyers MJ, Jacobsen EJ, Parniak MA , Сарафианос С.Г. 2013. Рибонуклеаза Н вируса гепатита В чувствительна к ингибиторам ферментов рибонуклеазы Н вируса иммунодефицита человека и интегразы. PLoS Патог. 9:e1003125. 10.1371/journal.ppat.1003125 [бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

42. Oda Y, Yoshida M, Kanaya S. 1993. Роль гистидина 124 в каталитической функции рибонуклеазы HI из Escherichia coli. Дж. Биол. хим. 268:88–92 [PubMed] [Google Scholar]

43. Ho MH, De Vivo M, Dal Peraro M, Klein ML. 2010. Понимание влияния концентрации ионов магния на каталитическую активность рибонуклеазы H с помощью вычислений: модулирует ли третий сайт связывания металла катализ эндонуклеазы? Варенье. хим. соц. 132:13702–13712. 10.1021/ja102933y [бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

44. Накамура Х., Ода Ю., Иваи С., Иноуэ Х., Оцука Э., Каная С., Кимура С., Кацуда С., Катаянаги К. , Морикава К. 1991. Как РНКаза Н распознает гибрид ДНК-РНК? проц. Натл. акад. науч. США. 88:11535–11539. 10.1073/pnas.88.24.11535 [бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

45. Lener D, Budihas SR, Le Grice SF. 2002. Мутации консервативных остатков в домене рибонуклеазы H обратной транскриптазы Ty3 влияют на специализированные события расщепления. Дж. Биол. хим. 277: 26486–26495. 10.1074/jbc.M200496200 [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

46. Yang W, Hendrickson WA, Crouch RJ, Satow Y. 1990. Структура рибонуклеазы H, фазированная с разрешением 2 A, с помощью MAD-анализа селенометионилового белка. Наука 249: 1398–1405. 10.1126/science.2169648 [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

47. Кашиваги Т., Жантер Д., Харуки М., Катаянаги К., Каная С., Морикава К. 1996. Предложение о новой каталитической роли двух инвариантных остатков в рибонуклеазе HI Escherichia coli. Белок англ. 9: 857–867. 10.1093/protein/9.10.857 [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

48.