Даташит транзистора. Транзистор IRF3205: характеристики, применение и особенности использования

Какие основные параметры имеет транзистор IRF3205. Где применяется этот MOSFET-транзистор. Как правильно подключать и проверять IRF3205. Какие аналоги существуют у этой модели.

Основные характеристики транзистора IRF3205

IRF3205 — это мощный N-канальный полевой MOSFET-транзистор, предназначенный для использования в силовой электронике. Вот его ключевые параметры:

• Структура: N-канальный MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток: 55 В
• Максимальный постоянный ток стока: 110 А (при 25°C)
• Сопротивление открытого канала: 8 мОм
• Максимальная рассеиваемая мощность: 200 Вт
• Корпус: TO-220

Благодаря очень низкому сопротивлению открытого канала и высокой токовой нагрузке, IRF3205 отлично подходит для применений, где требуется коммутация больших токов при относительно небольших напряжениях.

Области применения транзистора IRF3205

Транзистор IRF3205 нашел широкое применение в различных областях силовой электроники:

• Импульсные источники питания
• Инверторы
• Регуляторы мощности
• Драйверы электродвигателей
• Аудиоусилители класса D
• Системы управления аккумуляторными батареями

Низкое сопротивление открытого канала позволяет минимизировать потери на проводимость, что особенно важно в импульсных преобразователях. А высокая скорость переключения дает возможность использовать IRF3205 на повышенных частотах.

Особенности подключения IRF3205

При подключении IRF3205 важно учитывать следующие моменты:

• Для полного открытия транзистора необходимо подавать на затвор напряжение 10-20 В относительно истока
• Рекомендуется использовать резистор 10-100 Ом между выходом драйвера и затвором для ограничения тока заряда емкости затвора
• При работе на больших токах необходимо обеспечить эффективный теплоотвод
• Для защиты затвора желательно использовать стабилитрон на 20 В

Правильное подключение позволит полностью реализовать возможности этого мощного транзистора и обеспечить его надежную работу.

Как проверить исправность IRF3205

Проверить работоспособность IRF3205 можно с помощью обычного мультиметра:

1. Прозвоните переход сток-исток. В прямом направлении должно быть сопротивление 0,4-0,7 Ом, в обратном — бесконечность.
2. Измерьте сопротивление затвор-исток и затвор-сток. Оно должно быть очень большим (мегаомы).
3. Подайте на затвор напряжение 5-10 В относительно истока. Сопротивление сток-исток должно уменьшиться до долей Ома.

Если все проверки пройдены успешно, транзистор скорее всего исправен. Для более точной проверки рекомендуется использовать специальный тестер MOSFET-транзисторов.

Аналоги транзистора IRF3205

У IRF3205 существует ряд близких аналогов с похожими параметрами:

• IRFZ44N — самый распространенный аналог, отличается чуть меньшим током
• IRFP3205 — полный аналог в корпусе TO-247
• FQP50N06 — аналог с меньшим напряжением сток-исток (60 В)
• STP80NF55-06 — аналог от STMicroelectronics
• IRLB3034PBF — современный аналог с улучшенными параметрами

При выборе аналога важно сравнивать не только основные параметры, но и динамические характеристики, особенно для высокочастотных применений.

Типичные схемы включения IRF3205

Рассмотрим несколько базовых схем применения IRF3205:

Ключевой режим с управлением от микроконтроллера

В этой схеме транзистор работает как электронный ключ, управляемый от микроконтроллера через буферный каскад:

• Выход микроконтроллера подключается к базе NPN-транзистора через резистор 1-10 кОм
• Коллектор NPN-транзистора через резистор 100 Ом соединяется с затвором IRF3205
• Между затвором и истоком IRF3205 ставится подтягивающий резистор 10 кОм
• Нагрузка включается между стоком IRF3205 и плюсом питания

Такая схема позволяет управлять мощной нагрузкой слаботочным выходом микроконтроллера.

Мостовая схема для управления двигателем постоянного тока

Для реверсивного управления двигателем постоянного тока можно использовать мостовую схему на четырех IRF3205:

• Транзисторы образуют Н-мост
• Двигатель подключается в диагональ моста
• Управление осуществляется подачей сигналов на затворы диагонально расположенных транзисторов
• Обязательно использование драйверов верхнего и нижнего плеча

Такая схема позволяет эффективно управлять скоростью и направлением вращения двигателя.

Меры предосторожности при работе с IRF3205

При использовании IRF3205 следует соблюдать ряд мер предосторожности:

• Не превышать максимально допустимое напряжение сток-исток (55 В)
• Обеспечивать эффективный теплоотвод при работе на больших токах
• Использовать защитные цепи для предотвращения пробоя затвора статическим электричеством
• Не допускать работы транзистора в линейном режиме без ограничения тока
• При монтаже соблюдать меры защиты от статического электричества

Соблюдение этих правил поможет обеспечить долгую и надежную работу транзистора в вашем устройстве.

Цифровые микросхемы транзисторы.

Поиск по сайту

Микросхемы ТТЛ (74…).

На рисунке показана схема самого распространенного логического элемента — основы микросхем серии К155 и ее зарубежного аналога — серии 74. Эти серии принято называть стандартными (СТТЛ). Логический элемент микросхем серии К155 имеет среднее быстродействие t_{зд,р,ср.}= 13 нс. и среднее значение тока потребления I_пот = 1,5…2 мА. Таким образом, энергия, затрачиваемая этим элементом на перенос одного бита информации, примерно 100 пДж.

Для обеспечения выходного напряжения высокого уровня U¹_вых. 2,5 В в схему на рисунке потребовалось добавить диод сдвига уровня VD4, падение напряжения на котором равно 0,7 В. Таким способом была реализована совместимость различных серий ТТЛ по логическим уровням. Микросхемы на основе инвертора, показанного на рисунке (серии К155, К555, К1533, К1531, К134, К131, К531), имеют очень большую номенклатуру и широко применяются.

Динамические параметры микросхем ТТЛ серии

ТТЛ серия		Параметр			Нагрузка
Российские	Зарубежные	Pпот. мВт.	tзд.р. нс	Эпот. пДж.	Cн. пФ.	Rн. кОм.
К155 КМ155	74	10	9	90	15	0,4
К134	74L	1	33	33	50	4
К131	74H	22	6	132	25	0,28
К555	74LS	2	9,5	19	15	2
К531	74S	19	3	57	15	0,28
К1533	74ALS	1,2	4	4,8	15	2
К1531	74F	4	3	12	15	0,28

При совместном использовании микросхем ТТЛ высокоскоростных, стандартных и микромощных следует учитывать, что микросхемы серии К531 дают увеличенный уровень помех по шинам питания из-за больших по силе и коротких по времени импульсов сквозного тока короткого замыкания выходных транзисторов логических элементов.

При совместном применении микросхем серий К155 и К555 помехи невелики.

Взаимная нагрузочная способность логических элементов ТТЛ разных серий

Нагружаемый выход	Число входов-нагрузок из серий
	К555 (74LS)	К155 (74)	К531 (74S)
К155, КM155, (74)	40	10	8
К155, КM155, (74), буферная	60	30	24
К555 (74LS)	20	5	4
К555 (74LS), буферная	60	15	12
К531 (74S)	50	12	10
К531 (74S), буферная	150	37	30

Выходы однокристальных, т. е. расположенных в одном корпусе, логических элементов ТТЛ, можно соединять вместе. При этом надо учитывать, что импульсная помеха от сквозного тока по проводу питания пропорционально возрастет. Реально на печатной плате остаются неиспользованные входы и даже микросхемы (часто их специально «закладывают про запас») Такие входы логического элемента можно соединять вместе, при этом ток I^o_вх. не увеличивается. Как правило, микросхемы ТТЛ с логическими функциями И, ИЛИ потребляют от источников питании меньшие токи, если на всех входах присутствуют напряжения низкого уровня. Из-за этого входы таких неиспользуемых элементов ТТЛ следует заземлять.

Статические параметры микросхем ТТЛ

Параметр	Условия измерения	К155			К555			К531			К1531
		Мин.	Тип.	Макс.	Мин.	Тип.	Макс.	Мин.	Тип.	Макс.	Мин.	Макс.
U1вх, В схема	U1вх или U0вх Присутствуют на всех входах	2			2			2			2
U0вх, В схема				0,8			0,8			0,8
U0вых, В схема	Uи.п.= 4,5 В			0,4		0,35	0,5			0,5		0,5
		I0вых= 16 мА			I0вых= 8 мА			I0вых= 20 мА
U 1вых, В схема	Uи. п.= 4,5 В	2,4	3,5		2,7	3,4		2,7	3,4			2,7
		I1вых= -0,8 мА			I1вых= -0,4 мА			I1вых= -1 мА
I1вых, мкА с ОК схема	U1и.п.= 4,5 В, U1вых=5,5 В			250			100			250
I1вых, мкА Состояние Z схема	U1и.п.= 5,5 В, U1вых= 2,4 В на входе разрешения Е1 Uвх= 2 В			40			20			50
I0вых, мкА Состояние Z схема	U1и. п.= 5,5 В, Uвых= 0,4 В, Uвх= 2 В			-40			-20			-50
I1вх, мкА схема	U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 2,7 В			40			20			50		20
I1вх, max, мА	U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 10 В			1			0,1			1		0,1
I0вх, мА схема	U1и.п.= 5,5 В, U0вх= 0,4 В			-1,6			-0,4			-2,0		-0,6
Iк. з., мА	U1и.п.= 5,5 В, U0вых= 0 В	-18		-55			-100			-100	-60	-150

Характеристики, аналоги, распиновки и datasheet

IRF3205 — это мощный N-канальный полевой транзистор (MOSFET). Его предназначение заключается в использовании в схемах регуляторов мощности, высокочастотных импульсных источников питания, преобразователей, звуковых усилителей и прочего. Его главная особенность, которая выделяет его на рынке — крайне низкое сопротивление в его открытом состоянии. Оно составляет всего около 0.008 Ом. Именно поэтому его удобно использовать при создании преобразователей постоянного тока.

Помимо прочего, он относится к так называемым Power MOSFET, что означает большую толщину оксида кремния внутри на его затворе. Такое отличие позволяет ему выдерживать высокие выходные нагрузки. Благодаря параметрам этого транзистора, его используют как радиолюбители, так и промышленности. В производстве он используется при создании инверторов, электрического инструмента для коммутации цепей в них. А также зачастую пользуется спросом у автопроизводителей, если у них появляется необходимость в управлении цепями с большим током и относительно небольшим напряжением.

Высокая стойкость к нагрузкам, быстрое переключение и полные лавинные параметры, указанные в datasheet, делают его наиболее востребованным вариантом для большинства проектов.

Устройство IRF3205

Устройство и работа данного транзистора не имеет никаких отличий от устройств и работ других n-канальных МОП-транзисторов.

При подаче положительного напряжения между контактом затвора и истока между подложкой и контактом затвора образуется поперечное электрическое поле. Это поле притягивает отрицательно заряженные электроны к поверхностному слою диэлектрика. В результате такого заряда, в этом слое образуется некая область проводимости — так называемый “канал”.

Стоит заметить, что заряд накапливается, в своего рода, электрическом конденсаторе, состоящем из электрода затвора и подложки с диэлектриком. В этом конденсаторе обкладки — металлический вывод затвора и область подложки, а изоляторы — диэлектрики, состоящие из оксида кремния. Именно исходя из характеристик этого конденсатора и складывается параметр емкости затвора транзистора.

Размеры IRF3205

Такого вида транзисторы зачастую отличаются между собой толщиной и другими размерами. Чтобы не допустить какие-либо ошибки, производители всегда указывают точные габариты в datasheet компонента. Также они учитывают производственные процессы и отмечают допуски.

Исходя из этих размеров, Вы можете рассчитать правильное положение транзистора на плате и в корпусе и подобрать подходящий радиатор.

Характеристики IRF3205

• Постоянный максимальный ток на коллектора при 10В и 25C — 110А
• Постоянный максимальный ток на коллекторе при 10В и 100C — 80А
• Максимальный ток при импульсном режиме — 390А
• Максимальное напряжение на канале сток-исток — 55В
• Напряжение для открытия — 2-4В
• Максимальное напряжение на затворе — ±20В
• Сопротивление канала сток-исток — 8 мОм
• Емкость затвора — ±3200 пФ
• Время открытия — ±14 нс
• Время закрытия — ±50 нс
• Максимальная мощность рассеивания — 200 Вт
• Диапазон рабочих температур — -55-175C
• Температура пайки (до 10 секунд) — 300C

Отдельное замечание по поводу максимального тока на коллекторе. Официально указанные 110 Ампер — это действительно максимальная сила тока для кристалла, но к нему он идет по тонкой проволочке от контакта истока. Она может выдержать максимум 75А. Это ограничение носит название “Максимальный ток корпуса”.

Если Вам необходимы полные характеристики и графики зависимости, то найти Вы их сможете в официальном datasheet.

Виды IRF3205

Данный MOSFET транзистор имеет только одну форму выпуска — в корпусе TO220AB. Если Вам требуется транзистор другого размера, можно попробовать найти подходящий вам вариант среди аналогов IRF3205.

Подключение IRF3205

Подключение данного транзистора ничем не отличается от способа подключения остальных n-канальных МОП-транзисторов в корпусе ТО-220. Ниже Вы можете увидеть цоколевку выводов MOSFET’а:

Управление осуществляется затвором (gate). В теории, полевику все равно где у него сток, а где исток. Однако в жизни проблема заключается в том, что ради улучшения характеристик транзистора контакты стока и стока производители делают разными. А на мощных моделях из-за технического процесса образуется паразитный обратный диод.

Подключение к микроконтроллеру

Так как для открытия транзистора на затвор необходимо подать около 20В, то подключить его напрямую к МК, который выйдет максимум 5, не получится. Есть несколько способов решения этой задачи:

• Регулировать напряжение на затворе менее мощным транзистором, благодаря которому можно управлять напряжением в 5В. В таком случае схема будет простая и все, что придется добавить — это два резистора (подтягивающий на 10 кОм и ограничивающий ток на 100 Ом)
• Использовать специализированный драйвер. Такая микросхема будет формировать необходимый сигнал управления и выравнивать уровень между контроллером и транзистором. Ниже приведена одна из возможных схем для такого способа.
• Воспользоваться другим транзистором, у которого вольтаж открытия будет ниже. Вот список наиболее мощных и распространенных транзисторов, которые можно использовать с микроконтроллерами такими, как arduino, например:
  • IRF3704ZPBF
  • IRLB8743PBF
  • IRL2203NPBF
  • IRLB8748PBF
  • IRL8113PBF

Как проверить IRF3205

Это делается, как и с любым другим полевым транзистором с изолированным затвором. Для этого достаточно одного лишь мультиметра.

Перед тем, как проводить проверку рекомендую вам замкнуть все выводы пинцетом между собой, во избежания порчи элемента статическим электричеством (если такое имеется).

Проверка диода

На что нужно обратить внимание первым делом, так это на проверку диода внутри транзистора. Для этого включаем на мультиметре режим прозвонки и прикасаемся красным щупом к контакту истока, а черным к контакту стока. Мультиметр в этом случае должен показывать значение около 400-700. После этого меняем местами щупы — тогда мультиметр должен показывать 1, если мультиметр ограничен индикацией — 1999. Высококлассные мультиметры с ограничением в 4000 будут отображать 2800.

Проверка работы транзистора

Из-за того, что в нашем случае элемент оснащен n-каналом, то для его открытия необходимо на затвор, приложить положительный потенциал. Только в таком случае через транзистор начнет проходить ток.

Снова включаем режим прозвонки на мультиметре, отрицательным щупом прикасаемся к истоку, положительный же к стоку.

В случае исправного транзистора, линия исток-сток начнет проводить ток, другими словами транзистор откроется. Чтобы это проверить, нужно прозвонить исток-сток. В случае, если мультиметр показывает какое-либо значение, значит все работает.

После проверки открытия транзистора, необходимо проверить его закрытие. Для этого на затвор нужно приложить отрицательный потенциал. Для этого присоединим отрицательный щуп к затвору, а положительный к истоку.

Снова проверяем сток-исток и тогда все, что должен показать мультиметр — падение на встроенном диоде.

Если все вышеописанные условия выполняются, значит транзистор полностью исправен и его можно использовать в своих проектах.

Применение IRF3205

Максимальное напряжение стока-истока в 55 В дает возможность использовать этот транзистор в схемах преобразователей напряжения, импульсных источников питания, блоков питания, источниках бесперебойного питания и прочем. Также зачастую при создании высокочастотных инверторов.

Так как IRF3205 имеет малую паразитную емкость, а, соответственно, и время открытия/закрытия, в совокупности с очень маленьким сопротивлением, то он является универсальным вариантом для многих проектов, связанных с коммутацией небольшого напряжения.

Если же Вам не хватает токовых характеристик этого транзистора, Вы можете подключить несколько штук параллельно, что дает хорошую возможность использовать его для управления большой нагрузкой.

Маркировка IRF3205

В маркировке данного транзистора первые две буквы (IR) означают первого производителя — International Rectifier. Сейчас этот транзистор выпускается многими компаниями, но именно с этой началась история этого компонента.

Помимо оригинальной версии, на данный момент существует еще и бессвинцовая версия, которая помечается постфиксом “Z” — (IRF3205Z), но раньше обозначение выглядело по-другому, а именно — “PbF”, что расшифровывается как Plumbum Free.

А также существуют версии в других корпусах: IRF3205ZL — TO262 (припаивание стока-радиатора к плате для охлаждения) и IRF3205ZS — D2Pak (для поверхностного монтажа).

TO262 и D2Pak, который иначе называется TO263, отличаются тем, что первый предназначен для монтажа в отверстия на плате, после чего загибается и припаивается радиатором к ней же. TO263, в свою очередь, не требует отверстий и обладает короткими выводами, что позволяет использовать его при поверхностном монтаже на небольших платах.

Аналоги IRF3205

В настоящий момент почти каждый именитый производитель, изготавливает аналоги IRF3205, Эта модель выпускается с 2001 года, при этом уже 20 лет удерживается на рынке. Вот небольшой список:

• BUZ111S
• HRF3205
• HUF75344P3
• STP80NF55-06
• STB80NF55L-08-1

Помимо этого существует и отечественный продукт — аналог с маркировкой КП783A.

Безопасная эксплуатация IRF3205

У всех МОСФЕТ транзисторов одинаковые причины для поломки.

Первое, о чем стоит помнить, так это о характеристиках конкретного экземпляра. Не вздумайте использовать его на недопустимых пределах. А при использовании на больших мощностях всегда нужно иметь под рукой дополнительное охлаждения в виде радиатора и, при необходимости, кулера.

Вторая по распространенности проблема — короткое замыкание между стоком и истоком. При такой ситуации кристалл внутри транзистора может легко расплавиться, что приведет устройство в негодность.

Последнее, о чем стоит помнить, это напряжение на затворе. В случае с этим МОП-транзистором, слой диэлектрика способен разрушиться при превышении 25 Вольт на затворе.

Чтобы выбрать подходящий для любого проекта транзистор, нужно опираться на его запас по мощности. Желательно, чтобы этот запас составлял около 30%: этого должно хватить и на нестабильность питания, и на возможную неисправность других компонентов.

Datasheet IRF3205

Даташит компонента можно найти на сайте одного из производителей. https://www.infineon.com/dgdl/irf3205pbf.pdf

Здесь Вы найдете всю наиболее полную информацию о транзисторе, его описание, характеристики, графики зависимостей и важные примечания. Обязательно изучите datasheet перед применением компонента в ответственных проектах.

Производители IRF3205

IRF3205 выпускается многими именитыми производителями радиокомпонентов и микросхем, но наиболее распространенными в СНГ являются модели производства International Rectifier и Infineon Technologies. Иногда можно встретить компоненты, выпущенные First Silicon, Nell, а также Kersemi Electronic.

Все компании имеют примерно одинаковый техпроцесс, а, соответственно, и приблизительно одинаковые характеристики. Но перед использованием конкретной марки, я советую изучить datasheet от этого производителя.

Где купить IRF3205?

Так как этот транзистор выпускается уже много лет и успел обрести огромную популярность в среде производителей и радиолюбителей, приобрести его не составит труда: купить его не только, заказав через Интернет, но и, практически, в любом обычном магазине радиокомпонентов. Однако, вероятнее всего, у нас Вы сможете купить их только с большой наценкой, чего можно избежать, если воспользуетесь услугами AliExpress.

Продавца с наилучшей ценой и быстрой доставкой Вы можете найти по ссылке. Рекомендую сразу покупать пару десятков штук, чтобы хватило на много проектов вперед, поскольку это нужная вещь, которую можно взять очень дешево.

Интересное видео по теме:

Распиновка транзистора

Новости: 9. Высказывания: Лишь в неудаче художник познает свое подлинное отношение к творчеству, только после поражения полководец видит свои ошибки. Стефан Цвейг. Основные параметры транзистора биполярного высокочастотного npn. Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного npn транзистора Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Поиск данных по Вашему запросу:

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.

Содержание:

• Транзисторы биполярные (5 шт.)
• Схема транзистора КТ827
• Транзистор КТ815: параметры, цоколевка, аналог, datasheet
• Цоколевка транзистора 13002 и российский аналог
• TL431 datasheet, TL431 схема включения
• Как определить выводы транзистора, цоколевка

ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Как определить распиновку транзистора Дарлингтона

Транзисторы биполярные (5 шт.)

Здравствуйте уважаемые читатели. Существует много схем, где с большим успехом используются замечательные мощные составные транзисторы КТ и естественно иногда возникает необходимость в их замене. Кода под рукой данных транзисторов не обнаруживается, то начинаем задумываться об их возможных аналогах.

Полных аналогов среди изделий иностранного производства я не нашел, хотя в интернете есть много предложений и утверждений о замене этих транзисторов на TIP Но у этих транзисторов максимальный ток коллектора равен 10А, у он равен 20А, хотя мощности у них одинаковые и равны Вт. У максимальное напряжение насыщения коллектор — эмиттер равно два вольта, у TIP — 3В, а это значит, что в импульсном режиме, когда транзистор будет находиться в насыщении, при токе коллектора 10А на нашем транзисторе будет выделиться мощность 20Вт, а на буржуйском — 30Вт, поэтому придется увеличивать размеры радиатора.

Хорошей заменой может быть транзистор КТА, данные смотрим в табличке. При токе коллектора 10А напряжение насыщения у данного транзистора не более 2В. Это хорошо. При неимении все этих замен я всегда собираю приблизительный аналог на дискретных элементах. Схемы транзисторов и их вид приведены на фото 1. Собираю обычно навесным монтажом, один из возможных вариантов показан на фото 2.

В зависимости от нужных параметров составного транзистора можно подобрать транзисторы для замены. На фото 3 собранный составной транзистор работает на нагрузку при температуре 90 градусов. Ток через транзистор в данном случае равен 4А, а падение напряжения на нем 5 вольт, что соответствует выделяемой тепловой мощности 20Вт.

Обычно такую процедуру я устраиваю полупроводникам в течении двух, трех часов. Для кремния это совсем не страшно. Конечно для работы такого транзистора на данном радиаторе внутри корпуса устройства потребуется дополнительный обдув. Для выбора транзисторов привожу таблицу с параметрами. Параметры самодельного составного транзистора Рвых, Iк макс. Вот вроде и все.

До свидания. Cпасибо за статью, собрал составной транзистор по Вашей схеме, но почему-то коэффиц. Привет, не знаешь, как и обращаться. Трудно из далека точно сказать почему всего 4.

Возникает сомнение в правильности измерения данного параметра. Ваш e-mail не будет опубликован. Поделиться Твитнуть Pin Отпр. Добавить комментарий Отменить ответ Ваш e-mail не будет опубликован.

Схема транзистора КТ827

Биполярный, мощный, высоковольтный, импортного производства транзистор серии имеет обратной проводимости NPN. Самый распространённый корпус TO Имеют высокую скорость переключения. Различные корпуса имеет у многочисленных производителей транзистор Всё дело в последних буквах маркировки. Поэтому надо быть особенно осторожным и всегда прозванивать его тестером перед заменой. Под множеством имён производится этот популярный транзистор: mje , wg2gf , alj , wg2 , wg 2 gf

Чем заменить КТ, схема транзистора КТ, дискретный аналог транзистора.

Транзистор КТ815: параметры, цоколевка, аналог, datasheet

Приведено фото транзистора КТ, его внутренняя схема, а также схема эквивалентной замены. КТ — мощный низкочастотный кремниевый составной транзистор со структурой N-P-N. Транзисторы КТ отличаются высоким коэффициентом усиления и применяются в усилителях низкой частоты, ключевых устройствах, электронных переключателях и т. Транзисторы КТ выпускаются в пластмассовом корпусе TO Цоколевка у транзисторов КТ — перевернутая. Более мощным аналогом является отечественный транзистор КТ Из зарубежных транзисторов наиболее близким по параметрам является TIP Масса транзистора КТ составляет не более 2 грамм. Маркировка и обозначение типа ранзистора приводится на корпусе.

Цоколевка транзистора 13002 и российский аналог

Думаю, многим начинающим и продолжающим любителям электроники знакомо чувство разочарования, когда собираешься какое-то устройство по готовой схеме, а устройство отказывается работать. Проверяешь все в очередной раз. Рыщешь в интернете в поиске похожих ошибок. Убиваешь на эту простейшую схему кучу времени, а она не работает и все тут!

Сайт помогает найти что-нибудь интересное в огромном ассортименте магазинов и сделать удачную покупку.

TL431 datasheet, TL431 схема включения

Про светодиоды уже написал достаточно много, теперь читатели не знают как их правильно и питать, чтобы они не сгорели раньше положенного срока. В импульсных блоках питания на ТЛ бывает реализована обратная связь и опорное напряжение. Вид корпусов ТЛ Частично функционал похож на известную LM , только она работает на малой силе тока и предназначена для регулировки. Все особенности и типовые схемы включения указаны в datasheet на русском языке.

Как определить выводы транзистора, цоколевка

Здравствуйте уважаемые читатели. Существует много схем, где с большим успехом используются замечательные мощные составные транзисторы КТ и естественно иногда возникает необходимость в их замене. Кода под рукой данных транзисторов не обнаруживается, то начинаем задумываться об их возможных аналогах. Полных аналогов среди изделий иностранного производства я не нашел, хотя в интернете есть много предложений и утверждений о замене этих транзисторов на TIP Но у этих транзисторов максимальный ток коллектора равен 10А, у он равен 20А, хотя мощности у них одинаковые и равны Вт. У максимальное напряжение насыщения коллектор — эмиттер равно два вольта, у TIP — 3В, а это значит, что в импульсном режиме, когда транзистор будет находиться в насыщении, при токе коллектора 10А на нашем транзисторе будет выделиться мощность 20Вт, а на буржуйском — 30Вт, поэтому придется увеличивать размеры радиатора. Хорошей заменой может быть транзистор КТА, данные смотрим в табличке. При токе коллектора 10А напряжение насыщения у данного транзистора не более 2В.

Чем заменить КТ, схема транзистора КТ, дискретный аналог транзистора.

Предлагаю создать «кунст-камеру»ловушек. Цоколевка у нее наоборот, в принципе можно поставить другую, типичную кренку, только задом-наперед. В телевизоре Electa в перв. Можно запросто сунуть не той полярностью, причем телевизор временно работать будет.

Подходит для работы в переключающих, усилительных и генераторных устройствах средней и высокой частоты. У некоторых данного устройства другая цоколевка ТО Например, у Kwang Myoung 1 — эммитер, 2 — база, 3 — коллектор. V CE sat не более 0.

Характеризуется как высоковольтный ключевой биполярный транзистор n-p-n структуры с очень высокой коммутационной скоростью переключений.

Расскажите, как с помощью обыкновенного тестера определить где Б Э К. И как биполярные транзисторы изучать? Стас Участник с мая Москва Сообщений: ТАНК проще по корпусу определить. Обыкновенный-это какой хотя бы стрелочный или цифровой? И как понять- изучать биполярный транзистор?

Занимаясь ремонтом и конструированием электроники, частенько приходится проверять транзистор на исправность. Рассмотрим методику проверки биполярных транзисторов обычным цифровым мультиметром, который есть практически у каждого начинающего радиолюбителя. Несмотря на то, что методика проверки биполярного транзистора достаточно проста, начинающие радиолюбители порой могут столкнуться с некоторыми трудностями. Об особенностях тестирования биполярных транзисторов будет рассказано чуть позднее, а пока рассмотрим самую простую технологию проверки обычным цифровым мультиметром.

Transistor Datasheet

Чтобы выбрать транзистор для конкретного применения, необходимо ознакомиться с техническими данными транзисторов, предоставленными производителями устройств.

Большинство спецификаций начинаются с номера типа устройства в верхней части страницы, описательного названия и списка основных приложений для устройства. За этой информацией обычно следуют механические данные в виде иллюстрации, показывающей форму и размеры корпуса, а также указывающие, какие выводы являются коллектором, базой и эмиттером (см. рис. 8-1).

Далее перечислены абсолютные максимальные характеристики транзистора при температуре 25°C. Это максимальные напряжения, токи и рассеиваемая мощность, которые устройство может выдержать без поломки. Очень важно, чтобы эти рейтинги никогда не превышались; в противном случае выход устройства из строя вполне возможен. По надежности к максимальным показателям даже приближаться не стоит. Максимальные номиналы транзисторов также должны быть уменьшены для работы при температурах выше 25 °C.

Следуя абсолютным максимальным номинальным значениям, спецификация транзистора обычно показывает полный список электрических характеристик устройства. Опять же, они указаны для температуры 25°C, и необходимы допуски на колебания температуры.

Полное понимание всех величин, указанных в техническом описании транзистора, не будет достигнуто до тех пор, пока не будет изучен анализ схемы и конструкция. Некоторые из наиболее важных величин рассматриваются ниже. Важно отметить, что номиналы для данного транзистора указаны для конкретных условий схемы. Рейтинги перестают действовать, если эти условия меняются.

В _CBO : Напряжение коллектор-база — максимальное постоянное напряжение для перехода коллектор-база с обратным смещением.

В _CEO : Напряжение коллектор-эмиттер — максимальное постоянное напряжение коллектор-эмиттер при разомкнутой цепи базы.

В _EBO : Напряжение эмиттер-база — максимальное постоянное напряжение обратного смещения эмиттер-база.

I _C : Ток коллектора — максимальный постоянный ток коллектора.

I _CBO или I _CO : Ток отсечки коллектора — постоянный ток коллектора при обратном смещении перехода коллектор-база и разомкнутом эмиттере.

В _CE(sat) : Напряжение насыщения коллектор-эмиттер — напряжение коллектор-эмиттер при насыщении устройства.

h _FE : Статический коэффициент прямой передачи тока — отношение постоянного тока коллектора к току базы с общим эмиттером.

NF : Коэффициент шума — отношение общего выходного шума к общему входному шуму, выраженное в децибелах (дБ). Определяет количество шума, добавляемого устройством.

f _hfe или f _αe : Частота среза с общим эмиттером — рабочая частота с общим эмиттером, при которой коэффициент усиления по току устройства падает до 0,707 от его нормального (среднечастотного) значения.

f _hfb или f _αb : Частота среза по общей базе — как указано выше, для общей базы.

Из раздела технического паспорта 2N3903-2N3904, воспроизведенного на рис. 8-1, максимальное напряжение коллектор-эмиттер указано как В _CEO = 40 В. Очевидно, что это устройство не следует использовать ни в одной цепи с питание более 40 В; в противном случае транзистор может сломаться. Предпочтительно, чтобы напряжение питания схемы всегда было меньше указанного максимального значения V _CEO .

Максимальная В _EB указано как 6 В. Это максимальное напряжение, которое может быть приложено в обратном направлении к переходу база-эмиттер транзистора. Если используется большее напряжение, переход база-эмиттер транзистора, скорее всего, выйдет из строя. Максимальное (обратное) значение V _EB для большинства транзисторов составляет 5 В. В случаях, когда приложенное напряжение может превышать этот уровень, может использоваться схема ограничения. В качестве альтернативы диод может быть включен последовательно с эмиттером транзистора для увеличения напряжения пробоя, как показано на рис. 8-2. Нормальное смещенное в прямом направлении напряжение база-эмиттер для транзистора, конечно, составляет примерно 0,7 В для кремниевого транзистора и примерно 0,3 В для германиевого транзистора.

На рис. 8-3 показаны разделы таблицы данных транзистора, в которых указано усиление по постоянному току h _FE и усиление по току малого сигнала (или переменного тока) h _fe . Для устройства 2N3904 с I _C = 10 мА h _FE указано как минимум 100 и максимум 300 (см. значения, подчеркнутые сплошной линией). Если ток коллектора транзистора должен составлять около 1 мА, то минимальное значение h _FE равно 70 (подчеркнуто пунктиром). Максимальная h _FE для I _C = 1 мА не указано. Маловероятно, что h _FE(max) превысит 300 для этого условия. Однако, поскольку производитель не указывает максимальное значение, оно остается неопределенным. Эта ситуация иллюстрирует важность надежных цепей смещения, которые делают I _C и V _CE в значительной степени независимыми от h _FE .

Коэффициент усиления по току слабого сигнала (h _fe ) для 2N3904 указан на рис. 8-3 как минимум 100 и максимум 400. Опять же, этот параметр указывается для определенного набора условий смещения. Частота сигнала, при которой h _fe измеряется как 1 кГц. В разделе 8-2 обсуждается тот факт, что h _fe уменьшается на высоких частотах.

8.5: Интерпретация паспорта силового транзистора

1. Последнее обновление

2. Сохранить как PDF

Идентификатор страницы

25435

• Джеймс М. {\circ}\) C, максимальный ток коллектора 15 А и максимальное напряжение коллектор-эмиттер 60 В. Очевидно, что устройство не может выдерживать максимальный ток и напряжение одновременно.

  Рисунок \(\PageIndex{1a}\): техпаспорт 2N3055. Используется с разрешения SCILLC dba ON Semiconductor.

  На чертеже корпуса ТО-3 показаны только два вывода. Это для эмиттера и базы. Весь корпус устройства является коллектором. Это связано с тем, что устройство, скорее всего, будет прикреплено к металлическому радиатору (см. следующий раздел), чтобы помочь рассеять выделяемое тепло. Чем больше площадь контакта, тем эффективнее будет тепловой поток. Кривые, представленные на рисунке \(\PageIndex{1b}\), показывают, что \(\beta\) значительно ниже, чем мы видели для устройств с небольшим сигналом. Кроме того, \(I_{C(sat)}\) имеет тенденцию быть больше для транзисторов большей мощности. Для очень высоких токов \(\beta\) может упасть до менее чем 20, а \(I_{C(sat)}\) может превышать половину вольта.

  Рисунок \(\PageIndex{1b}\): Спецификация 2N3055 (продолжение).

  Рисунок \(\PageIndex{1c}\): техпаспорт 2N3055 (продолжение).

  На рисунке \(\PageIndex{1c}\) следует отметить небольшой рисунок в нижней части листа. Это участок безопасной операционной зоны. По сути, комбинация \(V_{CE}\) и \(I_C\) должна находиться в нижней левой зоне. Что представляет особый интерес, так это то, что безопасная зона расширяется дальше, если комбинация ток/напряжение является результатом короткого импульса, а не постоянного состояния. 9{\ circ} C) \ не число \]

  \[P_D = 82,1 Вт \ не число \]

  ---

  Эта страница под названием 8.5: Интерпретация паспорта силового транзистора распространяется под лицензией CC BY-NC-SA 4.0 и была создана, изменена и/или курирована Джеймсом М. Фиоре посредством исходного содержимого, которое было отредактировано в соответствии со стилем и стандартами. платформы LibreTexts; подробная история редактирования доступна по запросу.

  1. Наверх
  • Была ли эта статья полезной?

  1. Тип изделия

     Раздел или страница

     Автор

     Джеймс М. Фиоре

     Лицензия

     СС BY-NC-SA

     Версия лицензии

     4,0

     Показать оглавление

     нет

  2. Метки

     1. источник@http://www.dissidents.com/resources/SemiconductorDevices. pdf

  Силовая электроника — Попытка понять спецификацию транзистора

  Заданный вопрос 2 года, 1 месяц назад

  Изменено 2 года, 1 месяц назад

  Просмотрено 807 раз

  \$\начало группы\$

  Итак, я исследовал, как работает биполярный NPN-транзистор. Вот мое понимание:

  1. Чтобы включить транзистор, вам нужно подать напряжение (от базы к эмиттеру), чтобы преодолеть область истощения, это напряжение обычно составляет 0,7 В постоянного тока
  2. Когда транзистор «включен», по мере увеличения тока базы ток, протекающий от коллектора к эмиттеру, также будет пропорционально увеличиваться на постоянную hfe

  Вооружившись этими знаниями, я должен ожидать увидеть в листе данных следующее:

  1. Минимальный ток/напряжение для включения транзистора (напряжение, необходимое для преодоления барьера)
  2. Максимально допустимый ток на базе во избежание повреждения транзистора

  Как мне перемещаться по таблице данных, чтобы получить эти данные?

  Наконец, в техпаспорте есть диаграмма усиления постоянного тока, вот мои вопросы

  1. Почему они использовали ток коллектора вместо тока базы? не имеет ли смысл использовать базовый ток? потому что вы могли бы подумать: «Если у меня есть x количество тока в базе, я получу x количество тока от коллектора к эмиттеру?
  2. Что делать, если напряжение Vce больше 1,0 В постоянного тока? скажем 5Vdc? какая тогда будет прибыль?

  Спецификация:

  транзистор https://www. onsemi.com/pub/Collateral/2N3903-D.PDF

  Реле https://www.circuitbasics.com/wp-content/uploads/2015/11/SRD-05VDC-SL-C-Datasheet.pdf

  Цепь, которую я пытаюсь разгадать

  Спасибо

  Как видно из диаграммы, реле сработает только в том случае, если на нем есть 5 В постоянного тока и 71,4 мА. Зная этот факт, как мне определить ток, который мне нужен для достижения этой цели?

  • транзисторы
  • силовая электроника

  \$\конечная группа\$

  2

  \$\начало группы\$

  Vbe/Ice является логарифмическим, когда Vbe=594 мВ или 0,6 В/1,00 мА, тогда rBE добавляет омическое падение >0,6. Таким образом, 0,7 ближе к номинальным токам > 10 мА, тогда rBE доминирует над повышением Vbe выше этого значения, поэтому оно становится квазилинейным.

  hFE сильно различается между партиями и легированием устройства для разных типов из-за различий в сильном легировании B-E и легком легировании B-C, поэтому с выходом Ic легче работать, чем с Ib, но оба зависят от hFE и Ic.

  hFE быстро падает, когда Vce<1, потому что, когда Vce~0 В, переход BC теперь смещен в прямом направлении, шунтируя источник тока с высоким импедансом. поэтому все характеристики Vce(sat) выполняются с hFE=10 при некоторых токах для измерения напряжения насыщения. Это зависит от rBE и hFE Max, потому что в целом мы учимся ожидать, что это будет плавный переход, поскольку hFE падает с Vce, поэтому hFE может упасть до 10 на большинстве устройств. Но если hFE >> от 500 до 1500, это может быть оценено как Ic/Ib=50. Но они дороже у Diodes Inc.

  Таким образом, мы считаем, что усиление падает до 10% от Max hFE. тем не менее, как линейный усилитель, мы знаем, что hFE увеличивается с током, а затем снижается, и при максимальном токе это может повлиять на линейное синусоидальное усиление с Vce<2V. Это одна из причин, по которой операционные усилители, использующие BJT, плохо работают в пределах 2 В от шины питания из-за отсутствия усиления и эффектов hFE.

  Обычно с эмиттером R базовое полное сопротивление становится hFE*(rBE+RE), а поскольку Ie=Ib+Ic, поскольку hFE настолько нелинейно и, как правило, велико в линейном режиме, мы упрощаем конструкцию с малым Re, чтобы сделать ее более линейной, таким образом, коэффициент усиления по напряжению становится Rc/Re с линейным входным током Ib=Ve/Re/hFE=Ie/hFE.

  Затем, после того, как вы попробуете смещение H, вы поймете, что оно линейно только при слабом выходном сигнале, затем вы решите, какое искажение приемлемо, и научитесь использовать отрицательную обратную связь с коэффициентами R для регулирования усиления с использованием нескольких каскадов, таких как операционные усилители.

  более короткий ответ

  • Вы можете думать о транзисторах как о логарифмических стоках, управляемых Vbe, действующих как сопротивление, управляемое напряжением, с током, регулируемым Vbe=0,6 В при Ic=1 мА или Vbe =0,7 В при Ic = TBD около 10 мА или Vbe = 0,8 В при Ic = TBD от 100 мА до 1 А в зависимости от размера блока и многих других факторов.

  • , или вы можете добавить Re, чтобы линеаризовать его, и выбрать Ib, более линейный эмиттер с управлением Ic/Ib, в зависимости от падения Ve по отношению к падению напряжения только на диоде.

  • , затем вы выбираете тип транзистора в зависимости от скорости GBW, fT, времени нарастания, рассеиваемой мощности с радиатором или без него, напряжения насыщения или высокого линейного усиления по току, например 2N5088/5089 (старое золото добавлено к легированию для аудио транзистора с малым током и очень высоким чФЭ). Для деталей в контейнерах выбирайте Rohm, специализирующегося на HFE в контейнерах ABC. частей и специализированных гибридных комбинаций или Diodes Inc для переключателей с очень высоким значением hFE, низким значением Vsat=Vce(sat) и низким значением Rce, номиналом в мОм.

  • переход база-коллектор, уменьшающий отрицательное напряжение до 0, а затем до +0,7, влияет на hFE незначительно Vce <2 В и значительно Vce <1 с большим снижением при более высоких токах, таким образом, для лучшей линейности Vce>1 В против 2 В зависит от максимального используемого/номинального тока но помимо этого это хороший источник / приемник тока с высоким Z для PNP / NPN.

  \$\конечная группа\$

  3

  \$\начало группы\$

  «Почему они использовали ток коллектора вместо тока базы? Разве не имеет смысла использовать ток базы? ток от коллектора к эмиттеру?»

  Начните с рисунка 11 вашего первого листа технических данных.

  Поскольку ток коллектора больше тока базы (hfe > 1), этот ток используется для питания нагрузки. Поскольку обычно вы работаете в обратном направлении от требуемого тока нагрузки (коллектора), чтобы получить ток базы, имеет смысл характеризовать транзистор с точки зрения тока коллектора, а не тока базы. Обычно вы думаете: «Мне нужно x количество тока в моей нагрузке, так какой ток базы мне нужен для обеспечения базы?»

  «Что, если ваше напряжение Vce больше 1,0 В пост. тока? Скажем, 5 В пост. тока? Каков тогда будет коэффициент усиления?»

  У вас наоборот. Если Vce < 1,0 вольт, ваш транзистор находится в состоянии насыщения, и усиление будет довольно низким, обычно от 10 до 20 или около того. Опять же, это будет меняться с текущими уровнями.

  Еще раз обратитесь к рисунку 11 первого листа технических данных. Обратите внимание, что hfe характеризуется тем, что Vce поддерживается постоянным на уровне 10 вольт.

  Кроме того, ваше утверждение о том, что «как только транзистор «включен», по мере увеличения тока базы ток, протекающий от коллектора к эмиттеру, также будет увеличиваться пропорционально на постоянную hfe», верно только приблизительно при довольно небольших изменениях тока коллектора.