Диод д 203 характеристики: КД203Д, Мощный выпрямительный диод | купить в розницу и оптом

Содержание

HER203 от 2.91 рублей в наличии 1870 шт производства DC COMPONENTS HER203

Главная Каталог Полупроводники Диоды Универсальные диоды Универсальные диоды THT
Количество Цена ₽/шт
+10 10.22
+50 4.56
+230 3.05
+1090 2.91
Минимально 10 шт и кратно 10 шт
  • Условия

    Срок поставки 5-10 рабочих дней
    Цена включает НДС Cрок поставки и цену сообщим по вашему запросу
  • Артикул

    HER203
  • Производитель

    DC COMPONENTS
  • Техническое описание:

Вы можете запросить у нас любое количество HER203, просто отправьте нам запрос на поставку.
Мы работаем с частными и юридическими лицами.

Купить HER203 от 10 шт с помощью банковской карты можно прямо сейчас на нашем сайте.
Работаем с частными и юридическими лицами.

HER203 описание и характеристики

Диод: выпрямительный; THT; 200В; 2А; Ammo Pack; Ifsm: 60А; DO15; 50нс

  • Вид упаковки

    Ammo Pack

  • Импульсный ток

    60А

  • Тип диода

    выпрямительный

  • Монтаж

    THT

  • Обратное напряжение макс.

    200В

  • Прямой ток

  • Конструкция диода

    одиночный диод

  • Корпус

    DO15

  • Характеристики полупроводниковых элементов

    быстрое переключение

  • Производитель

    DC COMPONENTS

  • Падение напряжения макс.

  • Время готовности

    50нс

Бесплатная доставка
заказов от 5000 ₽

Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи


www.newcom.cv.ua - Аналоги диодов

Подробности
Опубликовано 16.05.2013 20:14

Аналоги зарубежных и отечественных радиокомпонентов - диодов. С помощью таблицы возможен поиск аналога нужного компонента.

Аналоги зарубежных и отечественных диодов
1N1616A

Д248Б

1N1617

КД208А

1N1621

Д242

1N1622

Д243

1N1623

Д245

1N1624

Д246

1N1632

Д229Ж

1N1645

КД104А

1N1647

КД205Л

1N1649

Д229К

1N1651

Д229Л

1N1694

Д229К

1N1695

Д229Л

1N1703

КД205Б

1N1706

КД205Е

1N1709

КД205Г

1N1710

КД205В

1N1711

КД205В

1N1712

КД205А

1N1763

КД205Б

1N1764

КД205А

1N1765

КД456А

1N1765A

КС456А

1N1849

КД104А

1N1927

КС139А

1N1984

КС168В

1N1984A

КС168В

1N1984B

КС168В

1N1985

КС182А

1N1985A

КС182А

1N1985B

КС182А

1N1986

КС210Б

1N1986A

КС210Б

1N1986В

КС210Б

1N1988 '

КС215Ж

1N1988A

КС215Ж

1N1988B

КС215Ж

1N1989

КС218Ж

1N1989A

КС218Ж

1N1989B

КС218Ж

1N1990

КС222Ж

1N1990A

КС222Ж

1N1990B

КС222Ж

1N2023

Д245

1N2025

Д246

1N2069A

КД205Л

1N2070

Д229Л

1N2070A

Д229Л

1N2073

Д229Ж

1N2080

КД204В

1N2082

КД205Г

1N2083

КД205В

1N2084

КД205Б

1N2085

КД205А

1N2086

КД205Ж

1N2091

Д229Ж

1N2092

КД205Л

1 N2093

Д229К

1N2094

Д229Л

1N2104

Д229Ж

1N2105

КД205Л

1N2106

Д229Л

1N2107

Д229К

1N2230

Д243Б

1N2230A

Д243Б

1N2231

Д243Б

1N2231A

Д243Б

1N2232

Д245Б

1N2232A

Д245Б

1N2233

Д245Б

1N2233A

Д245Б

1N2234

Д246Б

1N2234A

Д246Б

1N2235

Д246Б

1N2235A

Д246Б

1N2236

Д247Б

1N2237

Д247Б

1N2237A

Д247Б

1N2238

Д248Б

1N2238A

Д248Б

1N2239

Д248Б

1N2239А

Д248Б

1N2246

Д305

1 N2246A

Д305

1 N2247

Д305

1N2247A

Д305

1N2248

Д242

1N2248A

Д242

1N2249

Д242

1N2249A

Д242

1N2250

Д243

1N2250A

Д243

1N2251

Д243

1N2251A

Д243

1N2252

Д245

1N2252A

Д245

1N2253

Д245

1N2253A

Д245

1N2254

Д246

1N2254A

Д246

1N2255

Д246

1N2255A

Д246

1N2256

КД206Б

1N2256A

КД206Б

1N2257

КД206Б

1N2257A

КД206Б

1N2258

КД206В

1N2258A

КД206В

1N2259

КД206В

1N2259A

КД206В

1N2260

КД210Б

1N2260A

КД210Б

1N2261

КД210Б

1N2289

КД208А

1N2289A

КД208А

1N2290

Д304

1N2290A

КД208А

1N2350

Д303

1N2373

Д211

1N2374

МД218

1N2391

КД208А

1N2400

КД208А

1N2409

КД208А

1N2418

КД208А

1N2482

КД205Л

1 N2483

Д229Л

1 N2487

Д229Л

1N2505

КД105Г

1N2610

Д229Ж

1N2611

КД205Л

1N2612

Д229К

1N2613

Д229Л

1N2638

КД208А

1N2686

Д234

1N2693

Д305

1N2847

КД208А

1N2859

Д229Ж

1N2860

КД205Л

1N2862

Д229Л

1N2878

КД205И

1N2879

КД205И

1N3063

КД521А

1N3064

КД509А

1N3064M

КД521А

1N3065

КД521А

1N3067

КД521Г

1N3082

КД205Г

1N3083

КД205Б

1N3121

Д220

1N3184

КД205А

1N3193

КД205Л

1N3194

Д229Л

1N3228

КД205Г

1N3229

КД205А

1N3238

Д229Ж

1N3239

КД205Л

1N3240

Д229Л

1N3253

КД205Л

1N3254

Д229Л

1N3270

Д246Б

1N3277

КД205Л

1N3278

Д229Л

1N3282

МД218

1N3545

КД205Г

1N3547

Д229Л

1N3600

КД509А

1N3604

КД521А

1N3606

КД521А

1N3607

КД521А

1N3639

КД205Л

1N3640

Д229Л

1N3656

КД205Л

1N3657

Д220Л

1N3748

КД205Г

1N3749

КД205Б

1N3750

КД205Ж

1N3827

KC456A

1N3827A

KCA456A

1N3873

КД509А

1N3873H

КД509А

1N3954

КД509А

1N4008

МДЗБ

1N4099

КС168А

1N4147

КД503А

1N4148

КД521А

1N4149

КД521А

1N4153

КД521А

1N4305

КД521А

1N4306

КД509А

1N4307

КД509А

1N4364

Д229Ж

1N4365

КД205Л

1N4366

Д229К

1N4367

Д229Л

1N4436

Д243

1N4437

Д246

1N4438

КД206В

1N4439

КД210Б

1N4446

КД521А

1N4447

КД521А

1N4448

КД521А

1N4449

КД521А

1N4454

КД509А

1N4531

КД521А

1N4532

КД509А

1N4622

КС139А

1N4624

КС147А

1N4655

КС456А

1N4686

КС139А

1N4688

КС147А

1N4734

КС456А

1N4734A

КС456А

1N4817

КД2С8А

1 N5151

КД521А

1N5209

Д223Б

1N5215

КД205Г

1N5216

КД205Б

1N5217

КД205Ж

1N5318

КД521А

1N5392

КД208А

1N4153

КД521А

1 N5151

КД521А

1N5518B

КС133А

1N5518C

КС133А

1N5518D

КС133А

1N5720

КД503А

1Р644

Д229В

1Р647

Д229Е

1S020

КД208А

1S031

Д229Ж

1S032

КД205Л

1S034

Д229Л

1S40

Д220Ж

1S41

КД205Л

1S42

Д229К

1S43

Д229Л

1S75

Д9В

1S100

Д229Ж

1S101

КД205Л

1S103

Д229Л

1S113

Д229Е

1S148

Д229К

1S161

Д242

1S162

Д243

1S163

Д245

1S164

Д246

1S165

КД206Б

1S166

КД206В

1S206

Д210

1S240

Д242

1S307

Д18

1S312

КД205Г

1S313

КД205В

1S314

КД205Б

1S315

КД205А

1S334

Д818А

1S421

Д243

1S423

Д246

1S425

КД206В

1S426

Д10

1S427

КД210Б

1S442

КД202Б

Диоды старых типов: pogorily — LiveJournal

Помещаю свою подборку информации (сделанную еще в 2006 году, впрочем, с тех пор вряд ли что-то могло измениться) с параметрами диодов старых типов.
Размещение ее на интернет-сайтах разрешаю с указанием, что составитель - Погорилый А.И. http://pogorily.livejournal.com/
И желательно с оповещением меня об этом в комментах.

I. Сигнальные диоды старых типов

Самая первая советская система обозначений диодов явно происходит от СВЧ диодов.
Состояла из первой буквы Д, второй Г или К - германий или кремний, третьей - указывающей класс прибора, В - видеодетектор, С - смеситель, И - измерительный (детектор для измерителей СВЧ сигнала), и одна буква Ц означала все не-СВЧ диоды. За буквами - число, порядковый номер типа в классе.

Точечные диоды, обозначенные по этой системе. Материал - германий.
Iпр - прямой ток в миллиамперах (не менее) при прямом напряжении 1 В.
Uобр - обратное напряжение в вольтах, Iобр - обратный ток (мка, не более) при этом напряжении.
Iпрmax и Uобрmax - максимально допустимые прямой(выпрямленный) ток, ма и обратное напряжение, В, при комнатных условиях. При повышенной температуре обычно снижаются.
Емкость закрытого диода для точечных невелика, не более 1 пф, и либо не нормируется, либо не представляет особого интереса. Hу какая разница для практически любых применений, 1 пф, 0,7 пф или 0,5 пф.

Германиевые точечные диоды.
Тип       Iпр     Uобр     Iобр мка   Iпрmax   Uобрmax
ДГ-Ц1     2,5     50     1000           16         50
ДГ-Ц2     4,0     50       500           16         50
ДГ-Ц3     2,5     50       100           16         50
ДГ-Ц4     2,5     75       800           16         75
ДГ-Ц5     1,0     75       250           16         75
ДГ-Ц6     2,5     100     800           16         100
ДГ-Ц7     1,0     100     250           16         100
ДГ-Ц8     10       30       500           25         30
ДГ-Ц9     10       10     100           16         30
ДГ-Ц10   5,0     10         60           16         30
ДГ-Ц12   5,0     10       500           16         10
ДГ-Ц13   1,0     10       250           16         10
ДГ-Ц14   2,0     50     1000           16         50
ДГ-Ц15   1,5   150       800             8       150
ДГ-Ц16   1,5   150       250             8       150
ДГ-Ц17   1,5   200       800             8       150
Примечание. ДГ-Ц3 практически не выпускался. Видимо, слишком мало получалось со столь малым обратным током.

Затем система была заменена на новую. Из трех элементов - буква Д, число -
порядковый номер типа и буква - разновидность внутри типа.
Вскоре эта система была модифицирована. Число стало характеризовать не только порядковый номер типа, но и класс диода.
Д1-Д99 - точечные германиевые диоды.
Д101-Д199 - точечные кремниевые диоды.
Д201-Д299 - плоскостные кремниевые диоды.
Д301-Д399 - плоскостные германиевые диоды.
Плоскостными считались сплавные, диффузионные, мезадиффузионные, в общем, любые кроме точечных.
Д401-Д499 - СВЧ смесительные диоды.
Д501-Д599 - СВЧ умножительные (умножение частоты) диоды.
Д601-Д699 - СВЧ детекторные диоды.
Д701-Д749 - СВЧ параметрические германиевые диоды.
Д750-Д799 - СВЧ параметрические кремниевые диоды.
Д801-Д899 - кремниевые стабилитроны. Причем последние две цифры обозначают для первых стабилитронов (Д808-Д813) примерное значение напряжения стабилизации в вольтах. Для более но

КТ203 - Справочная - Каталог статей - Микроконтроллеры

Транзистор КТ203 - усилительный, эпитаксиально-планарный, кремниевый, структуры p-n-p. Применяется в импульсных и усилительных устройствах. КТ203А, КТ203Б, КТ203В, 2Т203А, 2Т203Б, 2Т203В, 2Т203Г, 2Т203Д выпускаются в металлостеклянном, а КТ203АМ, КТ203БМ, КТ203ВМ в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. В металлостеклянном варианте тип транзистора указывается на корпусе. Пластмассовый вариант маркируется цветным кодом на торце:

КТ203АМ тёмно-красный
КТ209БМ жёлтый
КТ209ВМ тёмно-зелёный

Боковая поверхность всех транзисторов имеет тёмно-красный окрас.
Весит транзистор КТ203 не более 0.5 г.

КТ203 цоколевка

Цоколевка КТ203 показана на рисунке.

Электрические параметры транзистора КТ203

• Коэффициент передачи тока (в режиме малого сигнала)
Uкб = 5 В, Iэ = 1 мА:
 Т = +25°C:
КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А, не менее 9
2Т203Б 30 ÷ 90
2Т203В 15 ÷ 100
2Т203Г, не менее 40
2Т203Д 60 ÷ 200
КТ203Б, КТ203БМ 30 ÷ 150
КТ203В, КТ203ВМ 30 ÷ 200
 Т = +125°C:
КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А, не менее 9
2Т203Б 30 ÷ 80
2Т203В 15 ÷ 200
2Т203Г, не менее 40
2Т203Д 60 ÷ 400
КТ203Б, КТ203БМ 30 ÷ 230
КТ203В, КТ203ВМ 30 ÷ 400
 Т = −60°C:
КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А, не менее 7
2Т203Б 15 ÷ 90
КТ203В, 2Т203В, КТ203БМ 10 ÷ 100
2Т203Г, не менее 20
2Т203Д 30 ÷ 200
КТ203В, КТ203ВМ 15 ÷ 200
 
• Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОБ 
при Uкб = 5 В, Iэ = 1 мА, не менее:
КТ203А, КТ203Б, КТ203В, 2Т203А, 2Т203Б,
2Т203В, КТ203АМ, КТ203БМ, КТ203ВМ 
5 МГц
2Т203Г, 2Т203Д 10 МГц
 
• Напряжение насыщения К-Э, не более: 
при Iк = 20 мА, Iб = 4 мА для КТ203Б, 2Т203Б, КТ203БМ 1 В
при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА для 2Т203Г 0.5 В
при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА для 2Т203Д 0.35 В
при Iк = 20 мА, Iб = 4 мА для КТ203В, КТ203ВМ 0.5 В
 
• Ток коллектора (обратный), при Uкб = Uкб, max, не более:
Т = +25°C 1 мкА
Т = Тмакс 15 мкА
 
• Ток эмиттера (обратный), при Uэб = Uэб max, не более 1 мкА
 
• Входное сопротивление в режиме малого сигнала в схеме с общей базой 
при Iэ = 1 мА, не более:
при Uкб = 50 В КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А 300 Ом
при Uкб = 30 В КТ203Б, КТ203БМ, 2Т203Б 300 Ом
при Uкб = 15 В КТ203В, КТ203ВМ, 2Т203В 300 Ом
при Uкб = 5 В 2Т203Г, 2Т203Д 300 Ом
 
• Ёмкость коллекторного перехода при Uкб = 5 В, f = 10 МГц, не более    

10 пФ
 

 

Предельные эксплуатационные характеристики транзисторов КТ203

• Напряжение К-Б (постоянное):
 при Т = −60...+75°C:
КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А, 2Т203Г 60 В
КТ203Б, КТ203БМ, 2Т203Б 30 В
КТ203В, КТ203ВМ, 2Т203В, 2Т203Д 15 В
 при Т = +125°C:
КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А, 2Т203Г 30 В
КТ203Б, КТ203БМ, 2Т203Б 15 В
КТ203В, КТ203ВМ, 2Т203В, 2Т203Д 10 В
 
• Напряжение К-Э (постоянное) при Rбэ ≤ 2 КОм:
 при Т = −60...+75°C:
КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А, 2Т203Г 60 В
КТ203Б, КТ203БМ, 2Т203Б 30 В
КТ203В, КТ203ВМ, 2Т203В, 2Т203Д 15 В
 при Т = +125°C:
КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А, 2Т203Г 30 В
КТ203Б, КТ203БМ, 2Т203Б 15 В
КТ203В, КТ203ВМ, 2Т203В, 2Т203Д 10 В
 
• Напряжение Э-Б (постоянное):
КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А, 2Т203Г 30 В
КТ203Б, КТ203БМ, 2Т203Б 15 В
КТ203В, КТ203ВМ, 2Т203В, 2Т203Д 10 В
 
• Ток коллектора (постоянный) 10 мА
 
• Ток коллектора (импульсный) при tи ≤ 10 мкс, Q ≥ 10   50 мА
 
• Рассеиваемая мощность коллектора1 (постоянная):
T = −60...+75°C 150 мВт
T = +125°C 60 мВт
 
• Температура p-n перехода +150°C
 
• Рабочая температура (окружающей среды) −60 ... +125°C

1 При T > +75°C Pк, макс уменьшается линейно.

Характеристики диода Шоттки и его применение

Ⅰ Введение

Диоды Шоттки названы в честь их изобретателя, доктора Шоттки, сокращенно от барьерный диод Шоттки (сокращенно SBD ). SBD изготавливается не по принципу формирования PN-перехода путем контакта полупроводника P-типа с полупроводником N-типа, а по переходу металл-полупроводник, основанному на принципе контакта металл-полупроводник.Поэтому SBD также называют диодом металл-полупроводник или диодом с поверхностным барьером, который является диодом с горячим носителем .

Это видео знакомит с характеристиками диода Шоттки и его применением.

Каталог


Ⅱ Терминология

, серебро, алюминий, платина и др.) в качестве положительного электрода A, полупроводник N-типа в качестве отрицательного электрода B и барьер, имеющий выпрямляющую характеристику, сформированный на его контактной поверхности. Поскольку в полупроводнике N-типа присутствует большое количество электронов, в благородном металле присутствует только очень небольшое количество свободных электронов, в результате электроны диффундируют от высокой концентрации B к низкой концентрации A. И дырки нет. в A, следовательно, нет диффузионного движения отверстий из A в B.По мере того, как электрон непрерывно диффундирует от B к A, концентрация электронов на поверхности B постепенно уменьшается, разрушая электрическую нейтральность поверхности, и формируется потенциальный барьер, а направление его электрического поля изменяется от B к A. Однако под действием этого электрического поля электроны в A также будут вызывать дрейфовое движение от A к B, что ослабляет электрическое поле, образованное диффузионным движением. Когда устанавливается определенная область пространственного заряда, дрейфовое движение электронов, вызванное электрическим полем, и диффузионное движение электронов, вызванное различными концентрациями, достигают относительного баланса, что является принципом формирования SBD.

Символ диода Шоттки

Структура внутренней схемы типичного диода Шоттки основана на полупроводнике N-типа, на котором сформирован N-эпитаксиальный слой с использованием мышьяка в качестве легирующей примеси. Анод изготовлен из такого материала, как молибден или алюминий, для образования барьерного слоя, а SiO2 используется для устранения электрического поля в краевой области и увеличения выдерживаемого напряжения трубки. Подложка N-типа имеет небольшое сопротивление в открытом состоянии, а ее концентрация легирования в 100 раз выше, чем у H-слоя.Катодный слой N + формируется под подложкой для уменьшения контактного сопротивления катода. Регулируя структурные параметры, между подложкой N-типа и металлом анода формируется барьер Шоттки. Когда к обоим концам барьера Шоттки прикладывается прямое смещение (металл анода соединяется с положительным электродом источника питания, а подложка N-типа соединяется с отрицательным электродом), барьерный слой Шоттки сужается, и внутреннее сопротивление становится небольшим; Когда через барьер Шоттки прикладывается обратное смещение, барьерный слой Шоттки становится шире, а его внутреннее сопротивление увеличивается.

Короче говоря, принцип конструкции диода Шоттки сильно отличается от принципа конструкции диодов PN junction . Тип PN-перехода обычно называется переходным диодом, а контактный диод металл-полупроводник называется диодом Шоттки. Кроме того, были также представлены алюминиево-кремниевые диоды Шоттки, изготовленные с использованием кремниевого планарного процесса, который не только экономит драгоценные металлы, значительно снижает затраты, но также улучшает согласованность параметров.

2.2 Конструкция

Конструкция и материалы нового высоковольтного SBD отличаются от материалов традиционного SBD. Обычный SBD формируется путем контакта металла с полупроводником. Металлический материал может быть алюминием, золотом, молибденом, никелем, титаном и т.д., а полупроводником обычно является кремний (Si) или арсенид галлия (GaAs). Поскольку подвижность электронов больше подвижности дырок, для получения хороших частотных характеристик в качестве подложки выбирается полупроводниковый материал N-типа.Кроме того, уменьшая емкость перехода SBD и увеличивая обратное напряжение пробоя без создания большого последовательного сопротивления, на подложку N + обычно добавляют высокоомный тонкий слой N-типа.

Структурная схема диода Шоттки

Если материал вывода диода Шоттки изготовлен из бескислородной меди высокой чистоты, что улучшит проводимость и толщину. Он также имеет лучшую проводимость и не нагревается долгое время.В то время как обычная медная проволока будет легко окисляться и паяться, что приведет к низкой производительности и легкой поломке.

Схема диода Шоттки

Хорошо известно, что внутри металлического проводника находится большое количество проводящих электронов . Когда металл находится в контакте с полупроводником (расстояние между ними составляет всего один атом), уровень Ферми металла ниже уровня Ферми полупроводника, а электронная плотность меньше электронной плотности полупроводниковой проводимости. полосу по сравнению с зоной проводимости полупроводника внутри металла.Следовательно, после того, как они соединяются, электроны диффундируют из полупроводника в металл, заставляя металл нести отрицательный заряд, а полупроводник заряжается положительно. Поскольку металл является идеальным проводником, отрицательный заряд распределяется только в тонком слое атомного размера. В случае полупроводника N-типа примесные атомы, теряющие электроны, становятся положительными ионами и распределяются в большом толстом слое. В результате диффузии электронов от полупроводника к металлу формируются область пространственного заряда, собственное электрическое поле и барьер, а обедненный слой находится только на стороне полупроводника N-типа (барьер все области со стороны полупроводника).Направление собственного электрического поля в области барьера направлено к металлу областью N-типа . Когда термоэлектронная эмиссия увеличивается из созданного поля, дрейфовый ток, противоположный направлению диффузионного тока, увеличивается, в конечном итоге достигая динамического равновесия, образуя контактный барьер между металлом и полупроводником, и это барьер Шоттки.

Когда приложенное напряжение равно нулю , диффузионный ток электрона равен току обратного дрейфа, что обеспечивает динамический баланс.Когда прикладывается прямое смещение (то есть на металл прикладывается положительное напряжение, а на полупроводник - отрицательное), собственное поле ослабевает, а боковой барьер полупроводника понижается, так что прямой ток от металла к полупроводнику. Когда прикладывается обратное смещение, собственное поле усиливается, а высота барьера увеличивается, чтобы сформировать небольшой обратный ток от полупроводника к металлу. Следовательно, SBD, как и диод с PN-переходом, является нелинейным устройством с однонаправленной проводимостью.

2.3 Упаковка

Диоды Шоттки доступны как в корпусах с выводами, так и в корпусах для поверхностного монтажа ( SMD ), а диоды Шоттки с поверхностным монтажом доступны в различных корпусах, включая однотрубные, двухтрубные и тройные. -трубные версии. Диоды Шоттки в свинцовом корпусе обычно используются в качестве высокочастотных, сильноточных выпрямительных диодов, диодов свободного хода или защитных диодов. Выпускается в однотрубном и двухдиодном корпусах. Кроме того, у Шоттки есть три типа распиновки для лампы, то есть общий катод (катоды соединены), общий анод (аноды соединены) и последовательный (анод одного диода соединен с катодом). другого диода).

Ⅲ Технические параметры

1) Падение напряжения во включенном состоянии VF : VF - это падение напряжения на диоде Шоттки, когда диод Шоттки находится в прямой проводимости. Выбирать его нужно было, чтобы уделить больше внимания VF.

2) Обратный ток утечки насыщения IR : IR относится к току, протекающему через трубку при приложении к ней обратного напряжения. Поскольку диод Шоттки имеет большой обратный ток утечки, при выборе одного из них требуется меньшее значение IR.

3) Номинальный ток IF : IF относится к среднему значению тока, вычисленному по допустимому повышению температуры, когда диод работает в течение длительного периода времени.

4) Импульсный ток IFSM : Прямой ток в момент включения питания. Это не обычный ток, а мгновенный ток, который довольно велик.

5) Обратное пиковое напряжение VRM : Даже при отсутствии обратного тока, пока обратное напряжение постоянно увеличивается, диод рано или поздно выйдет из строя.VRM относится к максимальному обратному напряжению, которое можно приложить, чтобы избежать пробоя.

6) Обратное напряжение постоянного тока VR : Вышеупомянутый VRM представляет собой многократно приложенное пиковое напряжение, а VR - значение, когда напряжение постоянного тока подается постоянно. Для цепей постоянного тока максимальное обратное напряжение постоянного тока важно для определения допустимых и верхних пределов.

7) Рабочая частота FM : Из-за емкости PN перехода, когда рабочая частота превышает определенное значение, его однонаправленная проводимость ухудшается.Диоды Шоттки имеют высокие значения ЧМ до 100 ГГц.

8) Время обратного восстановления Trr : Когда рабочее напряжение изменяется с прямого на обратное, идеальная работа диода заключается в том, что ток может быть мгновенно отключен. На самом деле, обычно это требует небольшой задержки. Величина, определяющая текущую задержку отключения, - это время обратного восстановления. Другими словами, когда диод Шоттки внезапно инвертируется из-за проводимости, обратный ток сильно ослабляется до времени, необходимого для приближения к ИК.Это напрямую влияет на скорость переключения диода, но не означает, что это значение должно быть меньше. И этот показатель важен, когда переключатель большой мощности работает в состоянии переключателя высокой частоты.

Ⅳ Характеристики диодов Шоттки

4.1 Характеристики

1) Поскольку высота барьера Шоттки ниже, чем высота барьера PN-перехода, его пороговое напряжение прямой проводимости и прямое падение напряжения ниже (около 0.На 2 В ниже), чем диод на PN переходе.

2) Поскольку SBD является проводящим устройством для большинства несущих, не возникает проблем со сроком службы неосновных носителей и обратным восстановлением. Время обратного восстановления SBD - это только время заряда и разряда конденсатора с барьером Шоттки, которое полностью отличается от времени обратного восстановления диода с PN переходом. Поскольку заряд обратного восстановления SBD очень мал, скорость переключения очень высока, а потери переключения также очень малы, что особенно подходит для высокочастотных приложений.Однако обратный барьер SBD тонкий, и на его поверхности более вероятно возникновение пробоя, обратное напряжение пробоя относительно низкое. Поскольку SBD более подвержен тепловому пробою, чем диод с PN-переходом, обратный ток утечки больше, чем у диода с PN-переходом.

Диод с барьером Шоттки (SBD)

Самая большая яркая особенность диода Шоттки - это однонаправленная проводимость, что означает, что ток может проходить только в одном направлении.Из-за этой характеристики его часто используют в качестве переключающего элемента для управления током.

4.2 Преимущества и недостатки

SBD имеет преимущества высокой частоты переключения, низкого прямого напряжения и низкого обратного напряжения пробоя, в основном менее 60 В, а максимальное значение составляет всего около 100 В, что ограничивает диапазон его применения. Например, в схемах импульсного источника питания (SMPS) и коррекции коэффициента мощности (PFC), диод свободного хода устройства переключения мощности, вторичная обмотка трансформатора и т. Д.Все они требуют высокочастотного выпрямительного диода на 100 В или более. А в демпфирующей цепи УЗО используется высокоскоростной диод от 600 В до 1,2 кВ, требованиям может соответствовать только эпитаксиальный диод с быстрым восстановлением (FRED) или сверхбыстрый восстанавливающийся диод (UFRD). Время обратного восстановления UFRD также превышает 20 нс, что не может удовлетворить потребности SMPS от 1 МГц до 3 МГц в таких областях, как космические станции. Даже с SMPS 100 кГц, поскольку потери проводимости и потери переключения UFRD велики, температура корпуса высока, и требуется большой радиатор, так что объем и вес SMPS увеличиваются, что не является совместим с тенденцией миниатюризации.Следовательно, разработка SBD высокого давления выше 100 В всегда была темой исследований и вызывала беспокойство. В последние годы SBD совершила прорыв. Запущены в производство высоковольтные БРД на 150 и 200 В, а также успешно разработаны БРД на напряжение более 1 кВ из новых материалов.

Самый большой недостаток диодов Шоттки - это их низкое обратное смещение и большой обратный ток утечки. Для диодов Шоттки из кремния и металла номинальное напряжение обратного смещения составляет до 50 В.Значение обратного тока утечки находится в положительной температурной характеристике, которая легко увеличивается при повышении температуры. Так что необходимо следить за тепловым разгоном. Чтобы избежать вышеупомянутых проблем, напряжение обратного смещения диода Шоттки в реальных условиях применения будет намного меньше его номинального значения. Однако технология диодов Шоттки также продвинулась вперед, с номинальным обратным смещением до 200 В.

Ⅴ Применение диодов Шоттки

Диоды Шоттки широко используются в различных схемах саморегулирования , схемах связи, измерительных схемах, схемах домашних компьютеров и телевизорах из-за их высокой скорости переключения, длительного срока службы, бесконтактности, малых размеров размер и высокая надежность.Они также используются в DVD-плеерах, видеомагнитофонах и других схемах.

Структура и характеристики SBD делают его подходящим для высокочастотного выпрямления в низковольтных, сильноточных выходных ситуациях, а также для обнаружения и микширования на очень высоких частотах (таких как X-диапазон, C-диапазон, S -диапазон и Ku-диапазон). Используется как фиксатор в высокоскоростных логических схемах. SBD также широко используется в ИС.

Диоды Шоттки - это маломощные сверхбыстрые полупроводниковые приборы .Наиболее примечательной особенностью является то, что время обратного восстановления чрезвычайно короткое (может составлять всего несколько наносекунд), а прямое падение напряжения составляет всего около 0,4 В. Он широко используется в качестве высокочастотного, низковольтного, сильноточного выпрямительного диода, обратного диода, защитного диода, а также используется в качестве выпрямительного диода и диода обнаружения слабого сигнала в таких схемах, как микроволновая связь. Это чаще встречается в источниках питания и инверторах связи.

Типичное применение диода Шокли - в цепи переключения биполярного транзистора BJT.Закрепите, подключив диод Шокли к BJT, чтобы транзистор казался выключенным, когда он находится во включенном состоянии, чтобы улучшить скорость переключения транзистора. Этот метод используется во внутренних цепях TTL типичных цифровых ИС, таких как 74LS, 74ALS и 74AS.

Самая большая особенность диодов Шоттки заключается в том, что прямое падение напряжения VF относительно невелико. В случае того же тока его прямое падение напряжения намного меньше. Кроме того, время восстановления короткое.У него также есть некоторые недостатки: низкое выдерживаемое напряжение и больший ток утечки. Их необходимо учитывать при выборе диода Шоттки.

Ⅵ Обнаружение

Диод Шоттки широко используется в импульсных источниках питания, инверторах, драйверах и других схемах в качестве высокочастотных, низковольтных, сильноточных выпрямительных диодов, диодов свободного хода и защитных диодов. Его основные неисправности - обрыв цепи, короткое замыкание и нестабильное регулирование напряжения.

При использовании цифрового мультиметра для проверки диода Шоттки красная ручка подключается к отрицательному полюсу диода Шоттки, а черная ручка - к отрицательному полюсу диода.Значение сопротивления, измеренное в это время, является сопротивлением прямой проводимости диода Шоттки.

Ⅶ Диод быстрого восстановления против диода Шоттки

Принцип конструкции отличается. Диод Шоттки представляет собой комбинацию благородного металла и полупроводника n-типа, тогда как диод с быстрым восстановлением представляет собой обычный pn-переход с тонкой базой.

В выпрямителе Шоттки используется только один вид носителя (электрон) для переноса заряда, и нет избыточного накопления неосновных носителей за пределами барьера.Следовательно, нет проблемы накопления заряда, что делает характеристики переключения видимыми. Его время обратного восстановления может быть сокращено до менее 10 нс. Однако его обратное выдерживаемое напряжение низкое, обычно не превышает 100 В. Поэтому он подходит для работы в условиях низкого напряжения и высокого тока. Благодаря низкому падению напряжения он может повысить эффективность низковольтных, сильноточных выпрямительных цепей (или схем свободного хода).

Диоды Шоттки

Диод с быстрым восстановлением относится к диоду с коротким временем обратного восстановления (менее 5 мкс).Процесс в основном легирован золотом. Большинство из них имеют структуру PN-перехода, а некоторые используют улучшенную структуру PIN. Его прямое падение напряжения выше, чем у обычных диодов (1-2 В), а обратное выдерживаемое напряжение составляет более 1200 В. Что касается производительности, его можно разделить на два уровня: быстрое восстановление и сверхбыстрое восстановление. Первое время обратного восстановления составляет сотни наносекунд или больше, а второе - менее 100 наносекунд.

диоды Шоттки, имеющие преимущества низкое прямое падение напряжения (0.4 ~ 1,0 В) и короткое время обратного восстановления (0 ~ 10 наносекунд) с недостатками большого обратного тока утечки и низким выдерживаемым напряжением, обычно ниже 150 В, в основном используются в приложениях с низким напряжением.

Обратное напряжение пробоя диода Шоттки в большинстве случаев не превышает 60 В, а максимальное значение составляет всего около 50 В, что не подходит для условий высокого напряжения. Обратный пик диода с быстрым восстановлением может составлять от нескольких сотен до нескольких тысяч вольт, например, как высокочастотные выпрямительные диоды в схеме импульсного трансформатора питания.

Время восстановления диода Шоттки примерно в сто раз меньше, чем у диодов с быстрым восстановлением, обычно около нескольких наносекунд.

Преимущества первого : низкое энергопотребление , большой ток и сверхвысокая скорость. В диодах с быстрым восстановлением используется легирование золотом, простая диффузия и другие процессы для получения более высоких скоростей переключения и более высоких напряжений пробоя. В настоящее время диоды с быстрым восстановлением в основном используются в инверторных источниках питания в качестве выпрямительных компонентов.

Диоды Шоттки: это диод с « металлическим полупроводниковым переходом », и его прямое пусковое напряжение низкое. В дополнение к материалу металлический слой также может быть выполнен из золота, молибдена, никеля, титана или тому подобного; Используя кремний или арсенид галлия, большинство полупроводниковых материалов относятся к N-типу. Это устройство является электропроводным для большинства носителей, поэтому его обратный ток насыщения намного больше, чем у диодов на основе PN перехода.

Поскольку эффект памяти неосновных несущих в диодах Шоттки очень мал, его частотная характеристика ограничена только постоянной времени RC.Следовательно, это идеальное устройство для высокочастотного и быстрого переключения, а его рабочая частота может достигать 100 ГГц. Кроме того, МДП (металл-диэлектрик-полупроводник) диоды Шоттки могут использоваться для производства солнечных элементов или светодиодов.

Диод с быстрым восстановлением, с падением прямого напряжения 0,8–1,1 В, временем обратного восстановления 35–85 нс, может быстро преобразовывать рабочее состояние (проводящее и отключенное), увеличивая частоту использования устройства и улучшая форму волны.

Диоды Шоттки

обладают хорошими характеристиками переключения, коротким временем обратного восстановления, большим прямым током, небольшими размерами и простой установкой.Диод сверхбыстрого восстановления (SRD) разработан на основе диода быстрого восстановления, его время обратного восстановления близко к времени восстановления диода Шоттки. Они могут широко использоваться в импульсных источниках питания, широтно-импульсных модуляторах (ШИМ), источниках бесперебойного питания, регулировании частоты вращения двигателя переменного тока, высокочастотном нагреве и т. Д. В качестве высокочастотных, сильноточных импульсных диодов или выпрямителей.

Вам также может понравиться

Лавинный фотодиод

Учебное пособие по основам работы со светодиодами

Функция и принцип действия диода

Физические карты и символы диодов

Учебное пособие по стабилитронам

: каков принцип работы стабилитронов?

Принцип работы стабилитрона и определение положительного и отрицательного полюсов

Характеристики PN-переходного диода - скачать ppt

Презентация на тему: «Характеристики диода с PN-переходом» - стенограмма презентации:

1 Характеристики диода с PN-переходом
Прямое смещение --- Внешняя батарея делает анод более положительным, чем катод --- Ток течет в направлении стрелки на символе.Обратное смещение - внешняя батарея делает катод более положительным, чем анод - слабый ток течет напротив стрелки на символе. ECE 442 Силовая электроника

2 Графическая характеристика V-I диода с PN-переходом
Область прямого смещения Область обратного смещения Обратный пробой ECE 442 Силовая электроника

3 Математическое приближение
ECE 442 Силовая электроника

4 Характеристика V-I идеального PN-диода
Прямое смещение - короткое замыкание Обратное смещение - обрыв цепи ECE 442 Силовая электроника

5 Время обратного восстановления диода
ta - время для удаления заряда, накопленного в области истощения перехода, tb - время, чтобы удалить заряд, накопленный в массивном полупроводниковом материале. ECE 442 Power Electronics


6 Характеристики обратного восстановления Мягкое восстановление
Время обратного восстановления = trr = ta + tb Пиковый обратный ток = IRR = ta (di / dt) Силовая электроника ECE 442

7 Характеристики обратного восстановления Резкое восстановление
Время обратного восстановления = trr = ta + tb Пиковый обратный ток = IRR = ta (di / dt) Силовая электроника ECE 442

8 Последовательно соединенные диоды
Используйте 2 последовательно соединенных диода, чтобы выдерживать более высокое обратное напряжение пробоя.Оба диода проводят одинаковый обратный ток насыщения Is. ECE 442 Силовая электроника

9 Характеристики диода
Из-за различий между устройствами каждый диод имеет разное напряжение на нем. Хотелось бы «выровнять» напряжения. ECE 442 Силовая электроника

10 Последовательно соединенные диоды с резисторами разделения напряжения
ECE 442 Силовая электроника

11 Последовательно соединенные диоды с резисторами разделения напряжения
ECE 442 Силовая электроника

% PDF-1.4 % 1394 0 объект > endobj xref 1394 97 0000000016 00000 н. 0000002946 00000 н. 0000003094 00000 н. 0000003854 00000 н. 0000004190 00000 п. 0000008857 00000 н. 0000009385 00000 п. 0000010012 00000 п. 0000010203 00000 п. 0000013104 00000 п. 0000013485 00000 п. 0000013600 00000 п. 0000013713 00000 п. 0000014182 00000 п. 0000014459 00000 п. 0000015016 00000 п. 0000015609 00000 п. 0000016274 00000 п. 0000016816 00000 п. 0000016959 00000 п. 0000018320 00000 п. 0000018586 00000 п. 0000019001 00000 п. 0000019142 00000 п. 0000019666 00000 п. 0000019780 00000 п. 0000019809 00000 п. 0000020459 00000 п. 0000021826 00000 п. 0000023231 00000 н. 0000025247 00000 п. 0000026535 00000 п. 0000027690 00000 н. 0000027867 00000 п. 0000028193 00000 п. 0000028358 00000 п. 0000028661 00000 п. 0000029922 00000 н. 0000032380 00000 п. 0000032661 00000 п. 0000048145 00000 п. 0000048259 00000 п. 0000048330 00000 н. 0000048838 00000 п. 0000049996 00000 н. 0000074586 00000 п. 0000094942 00000 п. 0000095013 00000 п. 0000095098 00000 п. 0000097504 00000 п. 0000097784 00000 п. 0000097957 00000 п. 0000097986 00000 п. 0000098287 00000 п. 0000099495 00000 п. 0000099536 00000 н. 0000101400 00000 н. 0000101441 00000 н. 0000102640 00000 н. 0000102681 00000 п. 0000112240 00000 н. 0000112281 00000 н. 0000112508 00000 н. 0000112748 00000 н. 0000112975 00000 н. 0000113171 00000 н. 0000113347 00000 н. 0000113496 00000 н. 0000113723 00000 п. 0000113968 00000 н. 0000114195 00000 н.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *