Диод д 203 характеристики: КД203Д, Мощный выпрямительный диод | купить в розницу и оптом — Производство и поставка электростанций, Бензиновые и дизельные генераторы от 1 до 100 кВт. Мини ТЭЦ на базе двигателя Стирлинга.

Содержание

HER203 от 2.91 рублей в наличии 1870 шт производства DC COMPONENTS HER203

Главная Каталог Полупроводники Диоды Универсальные диоды Универсальные диоды THT

Количество	Цена ₽/шт
+10	10.22
+50	4.56
+230	3.05
+1090	2.91

Минимально 10 шт и кратно 10 шт

Условия
Срок поставки 5-10 рабочих дней
Цена включает НДС Cрок поставки и цену сообщим по вашему запросу
Артикул
HER203

Производитель
DC COMPONENTS
Техническое описание:

Вы можете запросить у нас любое количество HER203, просто отправьте нам запрос на поставку.
Мы работаем с частными и юридическими лицами.

Купить HER203 от 10 шт с помощью банковской карты можно прямо сейчас на нашем сайте.
Работаем с частными и юридическими лицами.

HER203 описание и характеристики

Диод: выпрямительный; THT; 200В; 2А; Ammo Pack; Ifsm: 60А; DO15; 50нс

Вид упаковки

Ammo Pack
Импульсный ток
60А
Тип диода
выпрямительный
Монтаж
THT
Обратное напряжение макс.
200В
Прямой ток
2А
Конструкция диода
одиночный диод
Корпус
DO15

Характеристики полупроводниковых элементов
быстрое переключение
Производитель
DC COMPONENTS
Падение напряжения макс.
1В
Время готовности
50нс

Бесплатная доставка
заказов от 5000 ₽

Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

www.newcom.cv.ua — Аналоги диодов

Подробности: Опубликовано 16.05.2013 20:14

Аналоги зарубежных и отечественных радиокомпонентов — диодов. С помощью таблицы возможен поиск аналога нужного компонента.

Аналоги зарубежных и отечественных диодов
1N1616A	Д248Б
1N1617	КД208А
1N1621	Д242
1N1622	Д243
1N1623	Д245
1N1624	Д246
1N1632	Д229Ж
1N1645	КД104А
1N1647	КД205Л
1N1649	Д229К
1N1651	Д229Л
1N1694	Д229К
1N1695	Д229Л
1N1703	КД205Б
1N1706	КД205Е
1N1709	КД205Г
1N1710	КД205В
1N1711	КД205В
1N1712	КД205А
1N1763	КД205Б
1N1764	КД205А
1N1765	КД456А
1N1765A	КС456А
1N1849	КД104А
1N1927	КС139А
1N1984	КС168В
1N1984A	КС168В
1N1984B	КС168В
1N1985	КС182А
1N1985A	КС182А
1N1985B	КС182А
1N1986	КС210Б
1N1986A	КС210Б
1N1986В	КС210Б
1N1988 ‘	КС215Ж
1N1988A	КС215Ж
1N1988B	КС215Ж
1N1989	КС218Ж
1N1989A	КС218Ж
1N1989B	КС218Ж
1N1990	КС222Ж
1N1990A	КС222Ж
1N1990B	КС222Ж
1N2023	Д245
1N2025	Д246
1N2069A	КД205Л
1N2070	Д229Л
1N2070A	Д229Л
1N2073	Д229Ж
1N2080	КД204В
1N2082	КД205Г
1N2083	КД205В
1N2084	КД205Б
1N2085	КД205А
1N2086	КД205Ж
1N2091	Д229Ж
1N2092	КД205Л
1 N2093	Д229К
1N2094	Д229Л
1N2104	Д229Ж
1N2105	КД205Л
1N2106	Д229Л
1N2107	Д229К
1N2230	Д243Б
1N2230A	Д243Б
1N2231	Д243Б
1N2231A	Д243Б
1N2232	Д245Б
1N2232A	Д245Б
1N2233	Д245Б
1N2233A	Д245Б
1N2234	Д246Б
1N2234A	Д246Б
1N2235	Д246Б
1N2235A	Д246Б
1N2236	Д247Б
1N2237	Д247Б
1N2237A	Д247Б
1N2238	Д248Б
1N2238A	Д248Б
1N2239	Д248Б
1N2239А	Д248Б
1N2246	Д305
1 N2246A	Д305
1 N2247	Д305
1N2247A	Д305
1N2248	Д242
1N2248A	Д242
1N2249	Д242
1N2249A	Д242
1N2250	Д243
1N2250A	Д243
1N2251	Д243
1N2251A	Д243
1N2252	Д245
1N2252A	Д245
1N2253	Д245
1N2253A	Д245
1N2254	Д246
1N2254A	Д246
1N2255	Д246
1N2255A	Д246
1N2256	КД206Б
1N2256A	КД206Б
1N2257	КД206Б
1N2257A	КД206Б
1N2258	КД206В
1N2258A	КД206В
1N2259	КД206В
1N2259A	КД206В
1N2260	КД210Б
1N2260A	КД210Б
1N2261	КД210Б
1N2289	КД208А
1N2289A	КД208А
1N2290	Д304
1N2290A	КД208А
1N2350	Д303
1N2373	Д211
1N2374	МД218
1N2391	КД208А
1N2400	КД208А
1N2409	КД208А
1N2418	КД208А
1N2482	КД205Л
1 N2483	Д229Л
1 N2487	Д229Л
1N2505	КД105Г
1N2610	Д229Ж
1N2611	КД205Л
1N2612	Д229К
1N2613	Д229Л
1N2638	КД208А
1N2686	Д234
1N2693	Д305
1N2847	КД208А
1N2859	Д229Ж
1N2860	КД205Л
1N2862	Д229Л
1N2878	КД205И
1N2879	КД205И
1N3063	КД521А
1N3064	КД509А
1N3064M	КД521А
1N3065	КД521А
1N3067	КД521Г
1N3082	КД205Г
1N3083	КД205Б
1N3121	Д220
1N3184	КД205А
1N3193	КД205Л
1N3194	Д229Л
1N3228	КД205Г
1N3229	КД205А
1N3238	Д229Ж
1N3239	КД205Л
1N3240	Д229Л
1N3253	КД205Л
1N3254	Д229Л
1N3270	Д246Б
1N3277	КД205Л
1N3278	Д229Л
1N3282	МД218
1N3545	КД205Г
1N3547	Д229Л
1N3600	КД509А
1N3604	КД521А
1N3606	КД521А
1N3607	КД521А
1N3639	КД205Л
1N3640	Д229Л
1N3656	КД205Л
1N3657	Д220Л
1N3748	КД205Г
1N3749	КД205Б
1N3750	КД205Ж
1N3827	KC456A
1N3827A	KCA456A
1N3873	КД509А
1N3873H	КД509А
1N3954	КД509А
1N4008	МДЗБ
1N4099	КС168А
1N4147	КД503А
1N4148	КД521А
1N4149	КД521А
1N4153	КД521А
1N4305	КД521А
1N4306	КД509А
1N4307	КД509А
1N4364	Д229Ж
1N4365	КД205Л
1N4366	Д229К
1N4367	Д229Л
1N4436	Д243
1N4437	Д246
1N4438	КД206В
1N4439	КД210Б
1N4446	КД521А
1N4447	КД521А
1N4448	КД521А
1N4449	КД521А
1N4454	КД509А
1N4531	КД521А
1N4532	КД509А
1N4622	КС139А
1N4624	КС147А
1N4655	КС456А
1N4686	КС139А
1N4688	КС147А
1N4734	КС456А
1N4734A	КС456А
1N4817	КД2С8А
1 N5151	КД521А
1N5209	Д223Б
1N5215	КД205Г
1N5216	КД205Б
1N5217	КД205Ж
1N5318	КД521А
1N5392	КД208А
1N4153	КД521А
1 N5151	КД521А
1N5518B	КС133А
1N5518C	КС133А
1N5518D	КС133А
1N5720	КД503А
1Р644	Д229В
1Р647	Д229Е
1S020	КД208А
1S031	Д229Ж
1S032	КД205Л
1S034	Д229Л
1S40	Д220Ж
1S41	КД205Л
1S42	Д229К
1S43	Д229Л
1S75	Д9В
1S100	Д229Ж
1S101	КД205Л
1S103	Д229Л
1S113	Д229Е
1S148	Д229К
1S161	Д242
1S162	Д243
1S163	Д245
1S164	Д246
1S165	КД206Б
1S166	КД206В
1S206	Д210
1S240	Д242
1S307	Д18
1S312	КД205Г
1S313	КД205В
1S314	КД205Б
1S315	КД205А
1S334	Д818А
1S421	Д243
1S423	Д246
1S425	КД206В
1S426	Д10
1S427	КД210Б
1S442	КД202Б

Диоды старых типов: pogorily — LiveJournal

Помещаю свою подборку информации (сделанную еще в 2006 году, впрочем, с тех пор вряд ли что-то могло измениться) с параметрами диодов старых типов.
Размещение ее на интернет-сайтах разрешаю с указанием, что составитель — Погорилый А.И. http://pogorily.livejournal.com/
И желательно с оповещением меня об этом в комментах.

I. Сигнальные диоды старых типов

Самая первая советская система обозначений диодов явно происходит от СВЧ диодов.
Состояла из первой буквы Д, второй Г или К — германий или кремний, третьей — указывающей класс прибора, В — видеодетектор, С — смеситель, И — измерительный (детектор для измерителей СВЧ сигнала), и одна буква Ц означала все не-СВЧ диоды. За буквами — число, порядковый номер типа в классе.

Точечные диоды, обозначенные по этой системе. Материал — германий.
Iпр — прямой ток в миллиамперах (не менее) при прямом напряжении 1 В.
Uобр — обратное напряжение в вольтах, Iобр — обратный ток (мка, не более) при этом напряжении.
Iпрmax и Uобрmax — максимально допустимые прямой(выпрямленный) ток, ма и обратное напряжение, В, при комнатных условиях. При повышенной температуре обычно снижаются.
Емкость закрытого диода для точечных невелика, не более 1 пф, и либо не нормируется, либо не представляет особого интереса. Hу какая разница для практически любых применений, 1 пф, 0,7 пф или 0,5 пф.

Германиевые точечные диоды.
Тип Iпр Uобр Iобр мка Iпрmax Uобрmax
ДГ-Ц1 2,5 50 1000 16 50
ДГ-Ц2 4,0 50 500 16 50
ДГ-Ц3 2,5 50 100 16 50
ДГ-Ц4 2,5 75 800 16 75
ДГ-Ц5 1,0 75 250 16 75
ДГ-Ц6 2,5 100 800 16 100
ДГ-Ц7 1,0 100 250 16 100
ДГ-Ц8 10 30 500 25 30
ДГ-Ц9 10 10 100 16 30
ДГ-Ц10 5,0 10 60 16 30
ДГ-Ц12 5,0 10 500 16 10
ДГ-Ц13 1,0 10 250 16 10
ДГ-Ц14 2,0 50 1000 16 50
ДГ-Ц15 1,5 150 800 8 150
ДГ-Ц16 1,5 150 250 8 150
ДГ-Ц17 1,5 200 800 8 150
Примечание. ДГ-Ц3 практически не выпускался. Видимо, слишком мало получалось со столь малым обратным током.

Затем система была заменена на новую. Из трех элементов — буква Д, число —
порядковый номер типа и буква — разновидность внутри типа.
Вскоре эта система была модифицирована. Число стало характеризовать не только порядковый номер типа, но и класс диода.
Д1-Д99 — точечные германиевые диоды.
Д101-Д199 — точечные кремниевые диоды.
Д201-Д299 — плоскостные кремниевые диоды.
Д301-Д399 — плоскостные германиевые диоды.
Плоскостными считались сплавные, диффузионные, мезадиффузионные, в общем, любые кроме точечных.
Д401-Д499 — СВЧ смесительные диоды.
Д501-Д599 — СВЧ умножительные (умножение частоты) диоды.
Д601-Д699 — СВЧ детекторные диоды.
Д701-Д749 — СВЧ параметрические германиевые диоды.
Д750-Д799 — СВЧ параметрические кремниевые диоды.
Д801-Д899 — кремниевые стабилитроны. Причем последние две цифры обозначают для первых стабилитронов (Д808-Д813) примерное значение напряжения стабилизации в вольтах. Для более но

КТ203 — Справочная — Каталог статей — Микроконтроллеры

Транзистор КТ203 — усилительный, эпитаксиально-планарный, кремниевый, структуры p-n-p. Применяется в импульсных и усилительных устройствах. КТ203А, КТ203Б, КТ203В, 2Т203А, 2Т203Б, 2Т203В, 2Т203Г, 2Т203Д выпускаются в металлостеклянном, а КТ203АМ, КТ203БМ, КТ203ВМ в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. В металлостеклянном варианте тип транзистора указывается на корпусе. Пластмассовый вариант маркируется цветным кодом на торце:

КТ203АМ	тёмно-красный
КТ209БМ	жёлтый
КТ209ВМ	тёмно-зелёный

Боковая поверхность всех транзисторов имеет тёмно-красный окрас.
Весит транзистор КТ203 не более 0.5 г.

КТ203 цоколевка

Цоколевка КТ203 показана на рисунке.

Электрические параметры транзистора КТ203

• Коэффициент передачи тока (в режиме малого сигнала) Uкб = 5 В, Iэ = 1 мА:
Т = +25°C:
КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А, не менее	9
2Т203Б	30 ÷ 90
2Т203В	15 ÷ 100
2Т203Г, не менее	40
2Т203Д	60 ÷ 200
КТ203Б, КТ203БМ	30 ÷ 150
КТ203В, КТ203ВМ	30 ÷ 200
Т = +125°C:
КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А, не менее	9
2Т203Б	30 ÷ 80
2Т203В	15 ÷ 200
2Т203Г, не менее	40
2Т203Д	60 ÷ 400
КТ203Б, КТ203БМ	30 ÷ 230
КТ203В, КТ203ВМ	30 ÷ 400
Т = −60°C:
КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А, не менее	7
2Т203Б	15 ÷ 90
КТ203В, 2Т203В, КТ203БМ	10 ÷ 100
2Т203Г, не менее	20
2Т203Д	30 ÷ 200
КТ203В, КТ203ВМ	15 ÷ 200

• Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОБ при Uкб = 5 В, Iэ = 1 мА, не менее:
КТ203А, КТ203Б, КТ203В, 2Т203А, 2Т203Б, 2Т203В, КТ203АМ, КТ203БМ, КТ203ВМ	5 МГц
2Т203Г, 2Т203Д	10 МГц

• Напряжение насыщения К-Э, не более:
при Iк = 20 мА, Iб = 4 мА для КТ203Б, 2Т203Б, КТ203БМ	1 В
при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА для 2Т203Г	0.5 В
при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА для 2Т203Д	0.35 В
при Iк = 20 мА, Iб = 4 мА для КТ203В, КТ203ВМ	0.5 В

• Ток коллектора (обратный), при Uкб = Uкб, max, не более:
Т = +25°C	1 мкА
Т = Тмакс	15 мкА

• Ток эмиттера (обратный), при Uэб = Uэб max, не более	1 мкА

• Входное сопротивление в режиме малого сигнала в схеме с общей базой при Iэ = 1 мА, не более:
при Uкб = 50 В КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А	300 Ом
при Uкб = 30 В КТ203Б, КТ203БМ, 2Т203Б	300 Ом
при Uкб = 15 В КТ203В, КТ203ВМ, 2Т203В	300 Ом
при Uкб = 5 В 2Т203Г, 2Т203Д	300 Ом

• Ёмкость коллекторного перехода при Uкб = 5 В, f = 10 МГц, не более	10 пФ

Предельные эксплуатационные характеристики транзисторов КТ203

• Напряжение К-Б (постоянное):
при Т = −60…+75°C:
КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А, 2Т203Г	60 В
КТ203Б, КТ203БМ, 2Т203Б	30 В
КТ203В, КТ203ВМ, 2Т203В, 2Т203Д	15 В
при Т = +125°C:
КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А, 2Т203Г	30 В
КТ203Б, КТ203БМ, 2Т203Б	15 В
КТ203В, КТ203ВМ, 2Т203В, 2Т203Д	10 В

• Напряжение К-Э (постоянное) при Rбэ ≤ 2 КОм:
при Т = −60…+75°C:
КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А, 2Т203Г	60 В
КТ203Б, КТ203БМ, 2Т203Б	30 В
КТ203В, КТ203ВМ, 2Т203В, 2Т203Д	15 В
при Т = +125°C:
КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А, 2Т203Г	30 В
КТ203Б, КТ203БМ, 2Т203Б	15 В
КТ203В, КТ203ВМ, 2Т203В, 2Т203Д	10 В

• Напряжение Э-Б (постоянное):
КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А, 2Т203Г	30 В
КТ203Б, КТ203БМ, 2Т203Б	15 В
КТ203В, КТ203ВМ, 2Т203В, 2Т203Д	10 В

• Ток коллектора (постоянный)	10 мА

• Ток коллектора (импульсный) при tи ≤ 10 мкс, Q ≥ 10	50 мА

• Рассеиваемая мощность коллектора1 (постоянная):
T = −60…+75°C	150 мВт
T = +125°C	60 мВт

• Температура p-n перехода	+150°C

• Рабочая температура (окружающей среды)	−60 … +125°C

1 При T > +75°C Pк, макс уменьшается линейно.

Характеристики диода Шоттки и его применение

Ⅰ Введение

Диоды Шоттки названы в честь их изобретателя, доктора Шоттки, сокращенно от барьерный диод Шоттки (сокращенно SBD ). SBD изготавливается не по принципу формирования PN-перехода путем контакта полупроводника P-типа с полупроводником N-типа, а по переходу металл-полупроводник, основанному на принципе контакта металл-полупроводник.Поэтому SBD также называют диодом металл-полупроводник или диодом с поверхностным барьером, который является диодом с горячим носителем .

Это видео знакомит с характеристиками диода Шоттки и его применением.

Каталог

Ⅱ Терминология

, серебро, алюминий, платина и др.) в качестве положительного электрода A, полупроводник N-типа в качестве отрицательного электрода B и барьер, имеющий выпрямляющую характеристику, сформированный на его контактной поверхности. Поскольку в полупроводнике N-типа присутствует большое количество электронов, в благородном металле присутствует только очень небольшое количество свободных электронов, в результате электроны диффундируют от высокой концентрации B к низкой концентрации A. И дырки нет. в A, следовательно, нет диффузионного движения отверстий из A в B.По мере того, как электрон непрерывно диффундирует от B к A, концентрация электронов на поверхности B постепенно уменьшается, разрушая электрическую нейтральность поверхности, и формируется потенциальный барьер, а направление его электрического поля изменяется от B к A. Однако под действием этого электрического поля электроны в A также будут вызывать дрейфовое движение от A к B, что ослабляет электрическое поле, образованное диффузионным движением. Когда устанавливается определенная область пространственного заряда, дрейфовое движение электронов, вызванное электрическим полем, и диффузионное движение электронов, вызванное различными концентрациями, достигают относительного баланса, что является принципом формирования SBD.
Символ диода Шоттки
Структура внутренней схемы типичного диода Шоттки основана на полупроводнике N-типа, на котором сформирован N-эпитаксиальный слой с использованием мышьяка в качестве легирующей примеси. Анод изготовлен из такого материала, как молибден или алюминий, для образования барьерного слоя, а SiO2 используется для устранения электрического поля в краевой области и увеличения выдерживаемого напряжения трубки. Подложка N-типа имеет небольшое сопротивление в открытом состоянии, а ее концентрация легирования в 100 раз выше, чем у H-слоя.Катодный слой N + формируется под подложкой для уменьшения контактного сопротивления катода. Регулируя структурные параметры, между подложкой N-типа и металлом анода формируется барьер Шоттки. Когда к обоим концам барьера Шоттки прикладывается прямое смещение (металл анода соединяется с положительным электродом источника питания, а подложка N-типа соединяется с отрицательным электродом), барьерный слой Шоттки сужается, и внутреннее сопротивление становится небольшим; Когда через барьер Шоттки прикладывается обратное смещение, барьерный слой Шоттки становится шире, а его внутреннее сопротивление увеличивается.
Короче говоря, принцип конструкции диода Шоттки сильно отличается от принципа конструкции диодов PN junction . Тип PN-перехода обычно называется переходным диодом, а контактный диод металл-полупроводник называется диодом Шоттки. Кроме того, были также представлены алюминиево-кремниевые диоды Шоттки, изготовленные с использованием кремниевого планарного процесса, который не только экономит драгоценные металлы, значительно снижает затраты, но также улучшает согласованность параметров.
2.2 Конструкция
Конструкция и материалы нового высоковольтного SBD отличаются от материалов традиционного SBD. Обычный SBD формируется путем контакта металла с полупроводником. Металлический материал может быть алюминием, золотом, молибденом, никелем, титаном и т.д., а полупроводником обычно является кремний (Si) или арсенид галлия (GaAs). Поскольку подвижность электронов больше подвижности дырок, для получения хороших частотных характеристик в качестве подложки выбирается полупроводниковый материал N-типа.Кроме того, уменьшая емкость перехода SBD и увеличивая обратное напряжение пробоя без создания большого последовательного сопротивления, на подложку N + обычно добавляют высокоомный тонкий слой N-типа.
Структурная схема диода Шоттки
Если материал вывода диода Шоттки изготовлен из бескислородной меди высокой чистоты, что улучшит проводимость и толщину. Он также имеет лучшую проводимость и не нагревается долгое время.В то время как обычная медная проволока будет легко окисляться и паяться, что приведет к низкой производительности и легкой поломке.
Схема диода Шоттки
Хорошо известно, что внутри металлического проводника находится большое количество проводящих электронов . Когда металл находится в контакте с полупроводником (расстояние между ними составляет всего один атом), уровень Ферми металла ниже уровня Ферми полупроводника, а электронная плотность меньше электронной плотности полупроводниковой проводимости. полосу по сравнению с зоной проводимости полупроводника внутри металла.Следовательно, после того, как они соединяются, электроны диффундируют из полупроводника в металл, заставляя металл нести отрицательный заряд, а полупроводник заряжается положительно. Поскольку металл является идеальным проводником, отрицательный заряд распределяется только в тонком слое атомного размера. В случае полупроводника N-типа примесные атомы, теряющие электроны, становятся положительными ионами и распределяются в большом толстом слое. В результате диффузии электронов от полупроводника к металлу формируются область пространственного заряда, собственное электрическое поле и барьер, а обедненный слой находится только на стороне полупроводника N-типа (барьер все области со стороны полупроводника).Направление собственного электрического поля в области барьера направлено к металлу областью N-типа . Когда термоэлектронная эмиссия увеличивается из созданного поля, дрейфовый ток, противоположный направлению диффузионного тока, увеличивается, в конечном итоге достигая динамического равновесия, образуя контактный барьер между металлом и полупроводником, и это барьер Шоттки.
Когда приложенное напряжение равно нулю , диффузионный ток электрона равен току обратного дрейфа, что обеспечивает динамический баланс.Когда прикладывается прямое смещение (то есть на металл прикладывается положительное напряжение, а на полупроводник — отрицательное), собственное поле ослабевает, а боковой барьер полупроводника понижается, так что прямой ток от металла к полупроводнику. Когда прикладывается обратное смещение, собственное поле усиливается, а высота барьера увеличивается, чтобы сформировать небольшой обратный ток от полупроводника к металлу. Следовательно, SBD, как и диод с PN-переходом, является нелинейным устройством с однонаправленной проводимостью.

2.3 Упаковка

Диоды Шоттки доступны как в корпусах с выводами, так и в корпусах для поверхностного монтажа ( SMD ), а диоды Шоттки с поверхностным монтажом доступны в различных корпусах, включая однотрубные, двухтрубные и тройные. -трубные версии. Диоды Шоттки в свинцовом корпусе обычно используются в качестве высокочастотных, сильноточных выпрямительных диодов, диодов свободного хода или защитных диодов. Выпускается в однотрубном и двухдиодном корпусах. Кроме того, у Шоттки есть три типа распиновки для лампы, то есть общий катод (катоды соединены), общий анод (аноды соединены) и последовательный (анод одного диода соединен с катодом). другого диода).

Ⅲ Технические параметры

1) Падение напряжения во включенном состоянии VF : VF — это падение напряжения на диоде Шоттки, когда диод Шоттки находится в прямой проводимости. Выбирать его нужно было, чтобы уделить больше внимания VF.

2) Обратный ток утечки насыщения IR : IR относится к току, протекающему через трубку при приложении к ней обратного напряжения. Поскольку диод Шоттки имеет большой обратный ток утечки, при выборе одного из них требуется меньшее значение IR.

3) Номинальный ток IF : IF относится к среднему значению тока, вычисленному по допустимому повышению температуры, когда диод работает в течение длительного периода времени.

4) Импульсный ток IFSM : Прямой ток в момент включения питания. Это не обычный ток, а мгновенный ток, который довольно велик.

5) Обратное пиковое напряжение VRM : Даже при отсутствии обратного тока, пока обратное напряжение постоянно увеличивается, диод рано или поздно выйдет из строя.VRM относится к максимальному обратному напряжению, которое можно приложить, чтобы избежать пробоя.

6) Обратное напряжение постоянного тока VR : Вышеупомянутый VRM представляет собой многократно приложенное пиковое напряжение, а VR — значение, когда напряжение постоянного тока подается постоянно. Для цепей постоянного тока максимальное обратное напряжение постоянного тока важно для определения допустимых и верхних пределов.

7) Рабочая частота FM : Из-за емкости PN перехода, когда рабочая частота превышает определенное значение, его однонаправленная проводимость ухудшается.Диоды Шоттки имеют высокие значения ЧМ до 100 ГГц.

8) Время обратного восстановления Trr : Когда рабочее напряжение изменяется с прямого на обратное, идеальная работа диода заключается в том, что ток может быть мгновенно отключен. На самом деле, обычно это требует небольшой задержки. Величина, определяющая текущую задержку отключения, — это время обратного восстановления. Другими словами, когда диод Шоттки внезапно инвертируется из-за проводимости, обратный ток сильно ослабляется до времени, необходимого для приближения к ИК.Это напрямую влияет на скорость переключения диода, но не означает, что это значение должно быть меньше. И этот показатель важен, когда переключатель большой мощности работает в состоянии переключателя высокой частоты.

Ⅳ Характеристики диодов Шоттки

4.1 Характеристики

1) Поскольку высота барьера Шоттки ниже, чем высота барьера PN-перехода, его пороговое напряжение прямой проводимости и прямое падение напряжения ниже (около 0.На 2 В ниже), чем диод на PN переходе.

2) Поскольку SBD является проводящим устройством для большинства несущих, не возникает проблем со сроком службы неосновных носителей и обратным восстановлением. Время обратного восстановления SBD — это только время заряда и разряда конденсатора с барьером Шоттки, которое полностью отличается от времени обратного восстановления диода с PN переходом. Поскольку заряд обратного восстановления SBD очень мал, скорость переключения очень высока, а потери переключения также очень малы, что особенно подходит для высокочастотных приложений.Однако обратный барьер SBD тонкий, и на его поверхности более вероятно возникновение пробоя, обратное напряжение пробоя относительно низкое. Поскольку SBD более подвержен тепловому пробою, чем диод с PN-переходом, обратный ток утечки больше, чем у диода с PN-переходом.

Диод с барьером Шоттки (SBD)

Самая большая яркая особенность диода Шоттки — это однонаправленная проводимость, что означает, что ток может проходить только в одном направлении.Из-за этой характеристики его часто используют в качестве переключающего элемента для управления током.

4.2 Преимущества и недостатки

SBD имеет преимущества высокой частоты переключения, низкого прямого напряжения и низкого обратного напряжения пробоя, в основном менее 60 В, а максимальное значение составляет всего около 100 В, что ограничивает диапазон его применения. Например, в схемах импульсного источника питания (SMPS) и коррекции коэффициента мощности (PFC), диод свободного хода устройства переключения мощности, вторичная обмотка трансформатора и т. Д.Все они требуют высокочастотного выпрямительного диода на 100 В или более. А в демпфирующей цепи УЗО используется высокоскоростной диод от 600 В до 1,2 кВ, требованиям может соответствовать только эпитаксиальный диод с быстрым восстановлением (FRED) или сверхбыстрый восстанавливающийся диод (UFRD). Время обратного восстановления UFRD также превышает 20 нс, что не может удовлетворить потребности SMPS от 1 МГц до 3 МГц в таких областях, как космические станции. Даже с SMPS 100 кГц, поскольку потери проводимости и потери переключения UFRD велики, температура корпуса высока, и требуется большой радиатор, так что объем и вес SMPS увеличиваются, что не является совместим с тенденцией миниатюризации.Следовательно, разработка SBD высокого давления выше 100 В всегда была темой исследований и вызывала беспокойство. В последние годы SBD совершила прорыв. Запущены в производство высоковольтные БРД на 150 и 200 В, а также успешно разработаны БРД на напряжение более 1 кВ из новых материалов.

Самый большой недостаток диодов Шоттки — это их низкое обратное смещение и большой обратный ток утечки. Для диодов Шоттки из кремния и металла номинальное напряжение обратного смещения составляет до 50 В.Значение обратного тока утечки находится в положительной температурной характеристике, которая легко увеличивается при повышении температуры. Так что необходимо следить за тепловым разгоном. Чтобы избежать вышеупомянутых проблем, напряжение обратного смещения диода Шоттки в реальных условиях применения будет намного меньше его номинального значения. Однако технология диодов Шоттки также продвинулась вперед, с номинальным обратным смещением до 200 В.

Ⅴ Применение диодов Шоттки

Диоды Шоттки широко используются в различных схемах саморегулирования , схемах связи, измерительных схемах, схемах домашних компьютеров и телевизорах из-за их высокой скорости переключения, длительного срока службы, бесконтактности, малых размеров размер и высокая надежность.Они также используются в DVD-плеерах, видеомагнитофонах и других схемах.

Структура и характеристики SBD делают его подходящим для высокочастотного выпрямления в низковольтных, сильноточных выходных ситуациях, а также для обнаружения и микширования на очень высоких частотах (таких как X-диапазон, C-диапазон, S -диапазон и Ku-диапазон). Используется как фиксатор в высокоскоростных логических схемах. SBD также широко используется в ИС.

Диоды Шоттки — это маломощные сверхбыстрые полупроводниковые приборы .Наиболее примечательной особенностью является то, что время обратного восстановления чрезвычайно короткое (может составлять всего несколько наносекунд), а прямое падение напряжения составляет всего около 0,4 В. Он широко используется в качестве высокочастотного, низковольтного, сильноточного выпрямительного диода, обратного диода, защитного диода, а также используется в качестве выпрямительного диода и диода обнаружения слабого сигнала в таких схемах, как микроволновая связь. Это чаще встречается в источниках питания и инверторах связи.

Типичное применение диода Шокли — в цепи переключения биполярного транзистора BJT.Закрепите, подключив диод Шокли к BJT, чтобы транзистор казался выключенным, когда он находится во включенном состоянии, чтобы улучшить скорость переключения транзистора. Этот метод используется во внутренних цепях TTL типичных цифровых ИС, таких как 74LS, 74ALS и 74AS.

Самая большая особенность диодов Шоттки заключается в том, что прямое падение напряжения VF относительно невелико. В случае того же тока его прямое падение напряжения намного меньше. Кроме того, время восстановления короткое.У него также есть некоторые недостатки: низкое выдерживаемое напряжение и больший ток утечки. Их необходимо учитывать при выборе диода Шоттки.

Ⅵ Обнаружение

Диод Шоттки широко используется в импульсных источниках питания, инверторах, драйверах и других схемах в качестве высокочастотных, низковольтных, сильноточных выпрямительных диодов, диодов свободного хода и защитных диодов. Его основные неисправности — обрыв цепи, короткое замыкание и нестабильное регулирование напряжения.

При использовании цифрового мультиметра для проверки диода Шоттки красная ручка подключается к отрицательному полюсу диода Шоттки, а черная ручка — к отрицательному полюсу диода.Значение сопротивления, измеренное в это время, является сопротивлением прямой проводимости диода Шоттки.

Ⅶ Диод быстрого восстановления против диода Шоттки

Принцип конструкции отличается. Диод Шоттки представляет собой комбинацию благородного металла и полупроводника n-типа, тогда как диод с быстрым восстановлением представляет собой обычный pn-переход с тонкой базой.

В выпрямителе Шоттки используется только один вид носителя (электрон) для переноса заряда, и нет избыточного накопления неосновных носителей за пределами барьера.Следовательно, нет проблемы накопления заряда, что делает характеристики переключения видимыми. Его время обратного восстановления может быть сокращено до менее 10 нс. Однако его обратное выдерживаемое напряжение низкое, обычно не превышает 100 В. Поэтому он подходит для работы в условиях низкого напряжения и высокого тока. Благодаря низкому падению напряжения он может повысить эффективность низковольтных, сильноточных выпрямительных цепей (или схем свободного хода).

Диоды Шоттки

Диод с быстрым восстановлением относится к диоду с коротким временем обратного восстановления (менее 5 мкс).Процесс в основном легирован золотом. Большинство из них имеют структуру PN-перехода, а некоторые используют улучшенную структуру PIN. Его прямое падение напряжения выше, чем у обычных диодов (1-2 В), а обратное выдерживаемое напряжение составляет более 1200 В. Что касается производительности, его можно разделить на два уровня: быстрое восстановление и сверхбыстрое восстановление. Первое время обратного восстановления составляет сотни наносекунд или больше, а второе — менее 100 наносекунд.

диоды Шоттки, имеющие преимущества низкое прямое падение напряжения (0.4 ~ 1,0 В) и короткое время обратного восстановления (0 ~ 10 наносекунд) с недостатками большого обратного тока утечки и низким выдерживаемым напряжением, обычно ниже 150 В, в основном используются в приложениях с низким напряжением.

Обратное напряжение пробоя диода Шоттки в большинстве случаев не превышает 60 В, а максимальное значение составляет всего около 50 В, что не подходит для условий высокого напряжения. Обратный пик диода с быстрым восстановлением может составлять от нескольких сотен до нескольких тысяч вольт, например, как высокочастотные выпрямительные диоды в схеме импульсного трансформатора питания.

Время восстановления диода Шоттки примерно в сто раз меньше, чем у диодов с быстрым восстановлением, обычно около нескольких наносекунд.

Преимущества первого : низкое энергопотребление , большой ток и сверхвысокая скорость. В диодах с быстрым восстановлением используется легирование золотом, простая диффузия и другие процессы для получения более высоких скоростей переключения и более высоких напряжений пробоя. В настоящее время диоды с быстрым восстановлением в основном используются в инверторных источниках питания в качестве выпрямительных компонентов.

Диоды Шоттки: это диод с « металлическим полупроводниковым переходом », и его прямое пусковое напряжение низкое. В дополнение к материалу металлический слой также может быть выполнен из золота, молибдена, никеля, титана или тому подобного; Используя кремний или арсенид галлия, большинство полупроводниковых материалов относятся к N-типу. Это устройство является электропроводным для большинства носителей, поэтому его обратный ток насыщения намного больше, чем у диодов на основе PN перехода.

Поскольку эффект памяти неосновных несущих в диодах Шоттки очень мал, его частотная характеристика ограничена только постоянной времени RC.Следовательно, это идеальное устройство для высокочастотного и быстрого переключения, а его рабочая частота может достигать 100 ГГц. Кроме того, МДП (металл-диэлектрик-полупроводник) диоды Шоттки могут использоваться для производства солнечных элементов или светодиодов.

Диод с быстрым восстановлением, с падением прямого напряжения 0,8–1,1 В, временем обратного восстановления 35–85 нс, может быстро преобразовывать рабочее состояние (проводящее и отключенное), увеличивая частоту использования устройства и улучшая форму волны.

Диоды Шоттки
обладают хорошими характеристиками переключения, коротким временем обратного восстановления, большим прямым током, небольшими размерами и простой установкой.Диод сверхбыстрого восстановления (SRD) разработан на основе диода быстрого восстановления, его время обратного восстановления близко к времени восстановления диода Шоттки. Они могут широко использоваться в импульсных источниках питания, широтно-импульсных модуляторах (ШИМ), источниках бесперебойного питания, регулировании частоты вращения двигателя переменного тока, высокочастотном нагреве и т. Д. В качестве высокочастотных, сильноточных импульсных диодов или выпрямителей.
Вам также может понравиться
Лавинный фотодиод
Учебное пособие по основам работы со светодиодами
Функция и принцип действия диода
Физические карты и символы диодов
Учебное пособие по стабилитронам
: каков принцип работы стабилитронов?
Принцип работы стабилитрона и определение положительного и отрицательного полюсов
Характеристики PN-переходного диода — скачать ppt
Презентация на тему: «Характеристики диода с PN-переходом» — стенограмма презентации:
1 Характеристики диода с PN-переходом
Прямое смещение — Внешняя батарея делает анод более положительным, чем катод — Ток течет в направлении стрелки на символе.Обратное смещение — внешняя батарея делает катод более положительным, чем анод — слабый ток течет напротив стрелки на символе. ECE 442 Силовая электроника
2 Графическая характеристика V-I диода с PN-переходом
Область прямого смещения Область обратного смещения Обратный пробой ECE 442 Силовая электроника
3 Математическое приближение
ECE 442 Силовая электроника
4 Характеристика V-I идеального PN-диода
Прямое смещение — короткое замыкание Обратное смещение — обрыв цепи ECE 442 Силовая электроника
5 Время обратного восстановления диода
ta — время для удаления заряда, накопленного в области истощения перехода, tb — время, чтобы удалить заряд, накопленный в массивном полупроводниковом материале. ECE 442 Power Electronics

6 Характеристики обратного восстановления Мягкое восстановление
Время обратного восстановления = trr = ta + tb Пиковый обратный ток = IRR = ta (di / dt) Силовая электроника ECE 442
7 Характеристики обратного восстановления Резкое восстановление
Время обратного восстановления = trr = ta + tb Пиковый обратный ток = IRR = ta (di / dt) Силовая электроника ECE 442
8 Последовательно соединенные диоды
Используйте 2 последовательно соединенных диода, чтобы выдерживать более высокое обратное напряжение пробоя.Оба диода проводят одинаковый обратный ток насыщения Is. ECE 442 Силовая электроника
9 Характеристики диода
Из-за различий между устройствами каждый диод имеет разное напряжение на нем. Хотелось бы «выровнять» напряжения. ECE 442 Силовая электроника
10 Последовательно соединенные диоды с резисторами разделения напряжения
ECE 442 Силовая электроника
11 Последовательно соединенные диоды с резисторами разделения напряжения
ECE 442 Силовая электроника
% PDF-1.4 % 1394 0 объект > endobj xref 1394 97 0000000016 00000 н. 0000002946 00000 н. 0000003094 00000 н. 0000003854 00000 н. 0000004190 00000 п. 0000008857 00000 н. 0000009385 00000 п. 0000010012 00000 п. 0000010203 00000 п. 0000013104 00000 п. 0000013485 00000 п. 0000013600 00000 п. 0000013713 00000 п. 0000014182 00000 п. 0000014459 00000 п. 0000015016 00000 п. 0000015609 00000 п. 0000016274 00000 п. 0000016816 00000 п. 0000016959 00000 п. 0000018320 00000 п. 0000018586 00000 п. 0000019001 00000 п. 0000019142 00000 п. 0000019666 00000 п. 0000019780 00000 п. 0000019809 00000 п. 0000020459 00000 п. 0000021826 00000 п. 0000023231 00000 н. 0000025247 00000 п. 0000026535 00000 п. 0000027690 00000 н. 0000027867 00000 п. 0000028193 00000 п. 0000028358 00000 п. 0000028661 00000 п. 0000029922 00000 н. 0000032380 00000 п. 0000032661 00000 п. 0000048145 00000 п. 0000048259 00000 п. 0000048330 00000 н. 0000048838 00000 п. 0000049996 00000 н. 0000074586 00000 п. 0000094942 00000 п. 0000095013 00000 п. 0000095098 00000 п. 0000097504 00000 п. 0000097784 00000 п. 0000097957 00000 п. 0000097986 00000 п. 0000098287 00000 п. 0000099495 00000 п. 0000099536 00000 н. 0000101400 00000 н. 0000101441 00000 н. 0000102640 00000 н. 0000102681 00000 п. 0000112240 00000 н. 0000112281 00000 н. 0000112508 00000 н. 0000112748 00000 н. 0000112975 00000 н. 0000113171 00000 н. 0000113347 00000 н. 0000113496 00000 н. 0000113723 00000 п. 0000113968 00000 н. 0000114195 00000 н.