По следу диода Д1, или совершенно секретно
История отечественной электронной компонентной базы (ЭКБ)
Чечнев Андрей
Эта, почти детективная история, началась с простого вопроса студента о происхождении первых отечественных (советских) германиевых диодов, которые применялись в детекторных или транзисторных (переносных) радиоприёмниках в середине ХХ века.
Поскольку логично предположить, что самый первый, не предназначенный для СВЧ-диапазона, диод назывался Д1, то я и начал собирать любую доступную, информацию, о разработке германиевых детекторных диодов в отечественных НИИ и предприятиях, где они, предположительно, начали производиться. Мне и в голову тогда не приходило, что история затянется на несколько лет кропотливых и упорных поисков истины.
Отправной точкой поиска стали отдельные номера журнала “Радио”за 50-е годы прошлого века. Там было достаточно информации справочного характера и понимания о примерных сроках начала производства полупроводниковых диодов.
Выяснилось, что на просторах великого и могучего Интернета много информации по теме, в том числе, и по СВЧ-детекторным диодам, созданным в НИИ-160 (будущий “Исток”), и по первым транзисторам, сделанным в НИИ-35 (п/я 281, впоследствии “Пульсар”), и по их создателям (конструкторам), но тщательные поиски нужных мне сведений и заинтересованные обсуждения на профильных форумах, в течение без малого двух лет не привели ни к какому результату. Скорее наоборот. Информация, часто противоречивая, только запутывала и уводила в сторону от темы. Даже на сайтах, специально посвящённых истории радиодеталей, при всём многообразии доступной информации, никакой конкретики и ответа на мой вопрос найти не удалось. Всё только одни предположения и догадки.
Следующим этапом были попытки, иногда удачные, встречаться с бывшими сотрудниками заводов и НИИ, проживающими в Москве и владеющими, хотя бы отрывочными фактами по интересующей меня теме.
К глубокому сожалению, в силу возраста и прошедшего времени ничего толком узнать от этих людей мне не удалось. Были написаны и разосланы письма в “Пульсар”, НИИ-311 (“Сапфир”), институт им. П.Н. Лебедева (ФИАН), Гиредмет (Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности), и ряд других организаций. Безрезультатно. Везде один и тот же ответ: — “Прошло много лет. У нас не сохранилось такой информации”.
Нужно было искать другой путь или отказаться от поисков совсем. Единственно, что оставалось — начать работу с архивами, находящимися в Москве и Саратове. Этот путь оказался куда более плодотворным!
В итоге проведённой работы, я думаю, мне удалось восстановить полную картину создания германиевых детекторных диодов, тех, что предшествовали Д1 и Д2, и тех, чьё производство началось сразу вслед за ними. Включая начало разработки кремниевых, сначала точечных диодов (Д101), диодов для математических машин (Д225), затем стабилитронов (Д808) и мощных диодов (Д214) для выпрямителей.
Начало, 1951 г.
Руководитель лаборатории полупроводников ОКБ 498, будущего Московского предприятия “СТАРТ”, Главный конструктор темы, Александр Никифорович Пужай (фото 1), заканчивает к концу 1951 г. совершенно секретную (тогда) разработку восьми типов точечных германиевых выпрямителей (выпрямительных диодов), называет их ДГ-В1, ДГ-В2 и до ДГ-В8 включительно.
Фото 1. Александр Никифорович Пужай
В технических условиях (ТУ), в целом принятых 6 мая 1952 г., они так бесхитростно и назывались: детекторы германиевые выпрямительные (фото 2, 3). Верхняя рабочая частота у них была 25 МГц.
Фото 2
Фото 3
В разработке временных ТУ на первые отечественные германиевые выпрямители принимало участие несколько организаций, подписавших документ и, планировавших их применение в своих дальнейших разработках. И только представителей НИИ-885, эти временные ТУ не устроили. Это очень важный момент в истории появления диодов Д1 и Д2. Дело в том, что НИИ-885 — ведущий институт по разработке реактивной техники, а параметры ДГ-В в части допустимого интервала температур, вибро- и влагостойкости в то время не устраивали военных разработчиков.
Нам эти диоды стали известны как ДГ-Ц1 — ДГ-Ц8 (фото 4). Изменение названия (до введения ГОСТ 5461-56) было связано с устранением возможной путаницы с назначением диодов. Дело в том, что индекс В, в те времена, означал видеодетектор. Поэтому диодам присвоили индекс Ц, каким обозначались диоды прочие. За 1952 г. завод 498 выпустил 19140 германиевых точечных диодов. При этом в отчёте за тот год сказано, что могли произвести гораздо больше, если бы поставщики не подводили с керамическими корпусами.
Фото 4
Новое место работы
Во исполнение приказа объединённого Министерства электростанций и электропромышленности от 9 июня 1953 г. № 60сс, на базе бывшего СКБ-627, бывшей лаборатории полупроводников СКБ-498 и части бывшей лаборатории полупроводниковых приборов НИИ-160 создан Государственный НИИ полупроводниковых приборов и магнитных материалов. Новый НИИ-35 разместили в корпусе, предназначенном для опытного завода СКБ-627.
А.Н. Пужай, став сотрудником НИИ-35, на вновь образованном предприятии, продолжает совместную работу с СКБ-498 по улучшению параметров диодов, воисполнение требований ракетчиков, и в конце 1953 г. заканчивает НИОКР на тему увеличения влагостойкости диодов серии ДГ-Ц. В этот же период, к концу 1953 г. в НИИ-35 Александром Никифоровичем закончена разработка плоскостных германиевых диодов с обратным напряжением до 150 В и прямым током 1 А по теме “Вентиль”— будущие диоды Д302, Д303 (фото 5).
Фото 5
К слову сказать, на 1 января 1954 г. в НИИ-35 трудилось 540 человек, в том числе, в отделе физики полупроводников — 18 сотрудников, в отделе полупроводниковых диодов — 42 человека, технологическом отделе — 32.
Завод 498 в 1954 г. выпустил 700000 точечных ДГ-Ц, а СКБ-498 выполнило “»Проект производственных работ № 17”(ППР-17). Результатом стала смонтированная механизированная технологическая линия, состоящая из 15 типов полуавтоматов и устройств различного назначения, предназначенных для производства диодов типа ДГЦ-С, в полностью стеклянном оформлении. Нам эти приборы стали известны как диоды Д1 (фото 6).
Фото 6
Завершив совместную работу по совершенствованию технических параметров диодов две дружественные организации пошли каждая своим путём. В принципе, это нормальная практика тех лет — параллельная работа по одной тематике, поскольку немного разные решения в технологии производства приводили к конкуренции и неизбежному улучшению конечного продукта.
В это же самое время в НИИ-35, неутомимый А.Н. Пужай по теме “Стекло”создаёт свой вариант диодов, позволяющих выдерживать длительное воздействие влаги без изменения электрических параметров и пригодных для использования военными в своих разработках.
По сути, конструкция диода, технологически повторяет, с некоторыми доработками, первую разработку Александра Никифоровича — диод ДГ-В, в котором керамический корпус заменён на стеклянным с похожими, полностью металлическими вводами и держателями электродов и кристалла германия и, в последствии, названного диодом Д2 (фото 7).Фото 7
Параллельно коллектив под его руководством, успешно сдаёт государственной комиссии разработку германиевого выпрямительного элемента (работа называлась ППР-11) на обратное напряжение более 150 В и ток 300 мА, с превышением технического задания, включая опытную линию по производству диодов, известных как ДГ-Ц21 — ДГ-Ц24 (фото 8). В 1954 г. на опытном заводе НИИ-35 было изготовлено 7000 шт. таких диодов.
Фото 8
Таким образом, первые германиевые плоскостные выпрямительные диоды ДГ-Ц21 — ДГ-Ц24 созданы А.Н. Пужай, сотрудником НИИ-35 в отделе № 2, начальником которого до конца 1955 г. он и был. По теме “Даль”осенью 1954 г. была полностью закончена и предъявлена на государственные испытания разработка высоковольтных модификаций этих диодов — ДГ-Ц25 и ДГ-Ц26.
1955 г.
Наша история, уважаемые читатели, о диоде Д1. После ознакомления с массой документов по существу и около этой темы, возникает полная уверенность в какой-то интриге вокруг создания и производства диодов Д1 и Д2 (фото 9). Дело в том, что периодически в разного рода документах новые названия германиевых выпрямителей ДГ-В имеют место быть и в материалах относящихся к деятельности ОКБ 498, и в документах НИИ-35. То есть не сразу становиться понятно, что работы по ДГЦ-С, это — ОКБ 498, а ДГЦ в стеклянном корпусе — это разработка НИИ-35. Возможно, это связано с отсутствием ГОСТа в то время на обозначение полупроводниковых приборов. Он появился только в 1956 г., а возможно, с желанием того или иного предприятия назвать свой диод первым. Загадка.
Фото 9
Чётко идентифицировать, кто что разработал и выпускал, мне помогли документы о себестоимости и расчёте оптовых цен. В середине 1955 г. обе организации (причём, НИИ-35 уже договорилась о поставках 58000 шт. новых диодов) подали расчёты в министерство для утверждения отпускных оптовых цен. В этой связи интересным фактом является полная разбивка по типам (17 типономиналов) производимых диодов ДГ-Ц1- ДГ-Ц17 (фото 10) у НИИ-35 и полное отсутствие таковой в СКБ-498 (фото 11). Как будто Д1 всего один тип. Приведённые копии с оригинальных документов хорошо иллюстрируют это.
Фото 10
Фото 11
Хорошо видно, что затраты на производство диодов Д2 превышают в несколько раз себестоимость Д1. Объективности ради отмечу, что характеристики и стабильность параметров последних отличались не в лучшую сторону. Не привожу их параметры на этих страницах, поскольку в журналах “Радио”в конце 1950-х годов масса справочных статей по этой тематике. Также понятно, что в апреле 1955 г. диоды ДГ-Ц1 — ДГ-Ц17 ещё не стали Д2. Такое название для них, произведённых на опытном заводе п/я 281, появиться только с сентября 1955 года.
Простой анализ документов о закупаемых материалах для производства Д1 и Д2, (фото 12— фото 14) под которыми стоят подписи действующих директоров, позволяет сделать совершенно объективный вывод о принадлежности диодов к тому ли иному предприятию. Понятно, для производства какого варианта нужны стеклянные трубки малого диаметра, да и вообще, небольшое количество материалов, а где-то нужен ковар, свинец, никель и кадмий со стеклом.
Фото 12
Фото 13
Фото 14
Дальнейшая судьба диода Д1 связана с заводом 362 (“Плутон”), где до конца 1958 года он производился, и в силу объективных причин был вытеснен вновь разработанным в недавно созданном НИИ-311 диодом Д9. Это совсем не случайно, поскольку его разработкой там занимался Александр Никифорович Пужай — Главный конструктор первых отечественных германиевых точечных выпрямительных диодов ДГ-Ц.И не только германиевых. Но это уже совсем другая история.
Список использованной литературы
- А.Н. Пужай.Германиевые диоды.- «Автоматика и телемеханика», 1956, Том XVII, выпуск 2.
- А. М. Бройде. Справочник по электровакуумным и полупроводниковым приборам. 1957. (Массовая радиобиблиотека. Вып. 269).
- Полупроводниковые приборы. — Всесоюзная промышленная выставка. 1957.
- Журнал «Радио». 1953 год номер 1 стр. 57
- Терещук Р.М., Домбругов Р.М., Босый Н.Д. Справочник радиолюбителя. Под общ. ред. В.В. Огиевского. — Киев, 1957.
- Журнал «Радио» 1955 год номера 1, 5, 10.
- Материалы постоянного хранения Российского государственного архива.
Об авторе: пос. Володарского
журнале в «Радио» номера 2/2020, с. 10.
Помещена в музей с разрешения автора
27 сентября 2020
описание принципа работы, схема, характеристики, способы применения
Обновлена: 24 Ноября 2022 2053 1
Поделиться с друзьями
Фотодиоды – полупроводниковые элементы, обладающие светочувствительностью. Их основная функция – трансформация светового потока в электросигнал. Такие полупроводники применяются в составе различных приборов, функционирование которых базируется на использовании световых потоков.
Принцип работы фотодиодовОснова действия фотодиодных элементов – внутренний фотоэффект. Он заключается в возникновении в полупроводнике под воздействием светового потока неравновесных электронов и дырок (то есть незаполненных валентных связей, проявляющих себя как носители положительного заряда, который равен заряду электрона), которые формируют фотоэлектродвижущую силу.
Если полупроводник находится в темноте, то его свойства аналогичны обычному диоду. При прозванивании тестером в отсутствии освещения результаты будут аналогичны тестированию обычного диода. В прямом направлении будет присутствовать маленькое сопротивление, в обратном – стрелка останется на нуле. Схема фотодиода
Режимы работыФотодиоды разделяют по режиму функционирования. Режим фотогенератораОсуществляется без источника электропитания. Фотогенераторы, являющиеся комплектующими солнечных батарей, иначе называют «солнечными элементами». Их функция – преобразовывать солнечную энергию в электрическую. Наиболее распространены фотогенераторы, созданные на базе кремния – дешевого, распространенного, хорошо изученного. Обладают невысокой стоимостью, но их КПД достигает всего 20%. Более прогрессивными являются пленочные элементы. Режим фотопреобразованияИсточник электропитания в схему подключается с обратной полярностью, фотодиод в данном случае служит датчиком освещенности. Основные параметрыСвойства фотодиодов определяют следующие характеристики:
Из чего состоит фотодиод?
Разновидности фотодиодовP-i-nДля этих полупроводников характерно наличие в зоне p-n перехода участка, обладающего собственной проводимостью и значительной величиной сопротивления. При попадании на этот участок светового потока появляются пары дырок и электронов. Электрополе в данной области постоянно, пространственного заряда нет. Такой вспомогательный слой расширяет диапазон рабочих частот полупроводника. По функциональному назначению p-i-n-фотодиоды разделяют на детекторные, смесительные, параметрические, ограничительные, умножительные, настроечные и другие. ЛавинныеЭтот вид отличается высокой чувствительностью. Его функция – преобразование светового потока в электросигнал, усиленный с помощью эффекта лавинного умножения. Может применяться в условиях незначительного светового потока. В конструкции лавинных фотодиодов используются сверхрешетки, способствующие снижению помех при передаче сигналов. С барьером ШотткиСостоит из металла и полупроводника, вокруг границы соединения которых создается электрическое поле. Главным отличием от обычных фотодиодов p-i-n-типа является использование основных, а не дополнительных носителей зарядов. С гетероструктуройОбразуется из двух полупроводников, имеющих разную ширину запрещенной зоны. Гетерогенным называют слой, находящийся между ними. Путем подбора таких полупроводников можно создать устройство, работающее в полном диапазоне длин волн. Его минусом является высокая сложность изготовления. Области применения фотодиодов
Другие сферы использования: оптоволоконные линии, лазерные дальномеры, установки эмиссионно-позитронной томографии. Была ли статья полезна?Да Нет Оцените статью Что вам не понравилось? Другие материалы по темеАнатолий Мельник Специалист в области радиоэлектроники и электронных компонентов. Консультант по подбору деталей в компании РадиоЭлемент. |
Оптимизация схемы прецизионного фотодиодного датчика
к Луис Ороско Скачать PDF
Фотодиодыявляются одним из самых популярных типов датчиков для многих измерений на основе света. Такие приложения, как абсорбционная и эмиссионная спектроскопия, измерение цвета, определение мутности, обнаружение газов и многое другое, полагаются на фотодиоды для точного измерения света.
Фотодиоды генерируют ток, пропорциональный свету, падающему на их активную область. В большинстве измерительных приложений используется трансимпедансный усилитель для преобразования тока фотодиода в выходное напряжение. На рис. 1 показана упрощенная схема того, как может выглядеть схема.
<img src=’https://www.analog.com/-/media/analog/en/landing-pages /technical-articles/optimizing-precision-photodiode-sensor-circuit-design/figure1.png?w=435 ‘ alt=’Рисунок 1’&gt ;
Рис. 1. Схема простого трансимпедансного усилителя.
Эта схема управляет фотодиодом в фотогальваническом режиме, когда операционный усилитель поддерживает напряжение на фотодиоде равным 0 В. Это наиболее распространенная конфигурация для прецизионных приложений. Кривая зависимости напряжения фотодиода от тока очень похожа на кривую обычного диода, за исключением того, что вся кривая будет смещаться вверх или вниз при изменении уровня освещенности. На рис. 2а показана типичная передаточная функция фотодиода. Рисунок 2b представляет собой увеличенное изображение передаточной функции, и оно показывает, как фотодиод выдает небольшой ток даже при отсутствии света. Этот «темновой ток» растет с увеличением обратного напряжения на фотодиоде. Большинство производителей указывают темновой ток фотодиода с обратным напряжением 10 мВ.
<img src=’https://www.analog.com/-/media/analog/en/landing-pages /technical-articles/optimizing-precision-photodiode-sensor-circuit-design/figure2.png?w=435 ‘ alt=’Рисунок 2’&gt ;
Рис. 2. Типичная передаточная функция фотодиода.
Ток течет от катода к аноду, когда свет падает на активную область фотодиода. В идеале весь ток фотодиода протекает через резистор обратной связи на рис. 1, генерируя выходное напряжение, равное току фотодиода, умноженному на резистор обратной связи. Схема концептуально проста, но есть несколько проблем, которые вы должны решить, чтобы получить от вашей системы максимально возможную производительность.
Рекомендации по постоянному току
Первая задача — выбрать операционный усилитель с характеристиками постоянного тока, которые соответствуют требованиям вашего приложения. Большинство прецизионных приложений будут иметь низкое входное напряжение смещения в верхней части списка. Входное напряжение смещения появляется на выходе усилителя, внося свой вклад в общую ошибку системы, а в фотодиодном усилителе оно создает дополнительную ошибку. Входное напряжение смещения появляется на фотодиоде и вызывает увеличение темнового тока, что еще больше увеличивает системную ошибку смещения. Вы можете удалить начальное смещение постоянного тока с помощью программной калибровки, связи по переменному току или их комбинации, но большие ошибки смещения уменьшают динамический диапазон системы. К счастью, существует широкий выбор операционных усилителей с входным напряжением смещения в сотни и даже десятки микровольт.
Следующей важной характеристикой постоянного тока является входной ток утечки операционного усилителя. Любой ток, поступающий на вход операционного усилителя или куда-либо еще, кроме резистора обратной связи, приводит к ошибкам измерения. Не существует операционных усилителей с нулевым входным током смещения, но некоторые входные операционные усилители на КМОП или полевых транзисторах приближаются к этому. Например, AD8615 имеет максимальный входной ток смещения 1 пА при комнатной температуре. Классический AD549 имеет максимальный входной ток смещения 60 фА, что гарантировано и протестировано на производстве. Входной ток смещения входных усилителей на полевых транзисторах увеличивается экспоненциально с ростом температуры. Многие операционные усилители имеют характеристики для температуры 85°C или 125°C, но для тех, которые этого не делают, хорошее приближение состоит в том, что ток будет удваиваться на каждые 10 градусов повышения температуры.
Еще одной задачей является разработка схемы и компоновки для минимизации внешних путей утечки, которые могут ухудшить характеристики вашего операционного усилителя с малым входным током смещения. Наиболее распространенный путь внешней утечки — через саму печатную плату. Например, на рис. 3 показана одна из возможных компоновок схемы фотодиодного усилителя на рис. 1. Розовая дорожка — это шина +5 В, которая питает усилитель и идет к другим частям платы. Если сопротивление через плату между дорожкой +5 В и дорожкой, по которой течет ток фотодиода, составляет 5 ГОм (обозначено как R L на рис. 3), ток силой 1 нА будет течь от дорожки +5 В к усилителю. Это, очевидно, противоречит цели тщательного выбора операционного усилителя с током 1 пА для приложения. Одним из способов минимизировать этот внешний путь утечки является увеличение сопротивления между дорожкой, по которой протекает ток фотодиода, и любыми другими дорожками. Это может быть так же просто, как добавление большого ограничителя трассировки вокруг трассы, чтобы увеличить расстояние до других трасс. Для некоторых экстремальных приложений некоторые инженеры полностью исключают разводку печатной платы и пропускают вывод фотодиода по воздуху непосредственно на входной контакт операционного усилителя.
<img src=’https://www.analog.com/-/media/analog/en/landing-pages /technical-articles/optimizing-precision-photodiode-sensor-circuit-design/figure3.png?w=435 ‘ alt=’Рисунок 3’&gt ;
Рис. 3. Схема расположения фотодиода с путем утечки.
Еще один способ предотвратить внешнюю утечку — проложить защитную дорожку рядом с дорожкой, по которой протекает ток фотодиода, убедившись, что обе они питаются от одного и того же напряжения. На рис. 4 показана защитная дорожка вокруг сети, по которой течет ток фотодиода. Ток утечки, вызванный дорожкой +5 В, теперь протекает через резистор R 9.0042 L в защитную трассу, а не в усилитель. В этой схеме разница напряжений между защитной дорожкой и входной дорожкой обусловлена только входным напряжением смещения операционного усилителя, что является еще одной причиной для выбора усилителя с низким входным напряжением смещения.
<img src=’https://www.analog.com/-/media/analog/en/landing-pages /technical-articles/optimizing-precision-photodiode-sensor-circuit-design/figure4.png?w=435 ‘ alt=’Рисунок 4’&gt ;
Рис. 4. Использование защитной трассы для уменьшения внешней утечки.
Рекомендации по переменному току
Хотя большинство приложений для прецизионных фотодиодов, как правило, имеют низкое быстродействие, нам все же необходимо убедиться, что производительность системы по переменному току достаточна для данного приложения. Двумя основными проблемами здесь являются ширина полосы сигнала (или полоса пропускания с обратной связью) и ширина полосы шума.
Полоса пропускания обратной связи зависит от полосы пропускания усилителя без обратной связи, коэффициента усиления и общей входной емкости. Входная емкость фотодиода может широко варьироваться от нескольких пикофарад для высокоскоростных фотодиодов до нескольких тысяч пикофарад для прецизионных фотодиодов с очень большой площадью. Однако добавление емкости на вход операционного усилителя приводит к его нестабильности, если только вы не компенсируете это добавлением емкости на резисторе обратной связи. Емкость обратной связи ограничивает полосу пропускания системы с обратной связью. Вы можете использовать уравнение 1, чтобы вычислить максимально возможную полосу пропускания с обратной связью, которая даст запас по фазе в 45 градусов.
Где:
f U – частота единичного усиления усилителя.
R F — резистор обратной связи.
C IN входная емкость, в которую входит емкость диода и любые другие паразитные емкости на плате и т.д.
C M — синфазная емкость операционного усилителя.
C D — дифференциальная емкость операционного усилителя.
Например, если у вас есть приложение с емкостью фотодиода 15 пФ и трансимпедансным усилением 1 МОм, уравнение 1 предсказывает, что вам потребуется усилитель с полосой единичного усиления около 95 МГц для достижения полосы пропускания сигнала 1 МГц. Это с запасом по фазе 45°, который вызовет пики при ступенчатых изменениях сигнала. Возможно, вы захотите уменьшить пики, разработав запас по фазе 60° или выше, что потребует более быстрого усилителя. Вот почему такие компоненты, как ADA4817-1, с максимальным входным током смещения 20 пА и частотой единичного усиления около 400 МГц, хорошо подходят для фотодиодных приложений с высоким коэффициентом усиления даже при средней полосе пропускания.
Емкость фотодиода будет доминировать над общей входной емкостью в большинстве систем, но для некоторых приложений может потребоваться особая осторожность при выборе операционного усилителя с очень низкой входной емкостью. Чтобы решить эту проблему, некоторые операционные усилители доступны со специальной схемой выводов, предназначенной для уменьшения входной емкости. Например, на рис. 5 показана разводка выводов ADA4817-1, которая направляет выход операционного усилителя на контакт, расположенный рядом с инвертирующим входом.
<img src=’https://www. analog.com/-/media/analog/en/landing-pages /technical-articles/optimizing-precision-photodiode-sensor-circuit-design/figure5.png?w=435 ‘ alt=’Рисунок 5’&gt ;
Рис. 5. Схема выводов ADA4817-1 оптимизирована для обеспечения низкой паразитной емкости.
Системный шум обычно является еще одной проблемой при разработке с фотодиодами. Основной вклад в выходной шум вносят шум входного напряжения усилителя и шум Джонсона резистора обратной связи. Шум от резистора обратной связи появляется на выходе без дополнительного усиления. Если вы увеличите размер резистора для усиления тока фотодиода, увеличение шума из-за резистора усиления будет увеличиваться только на квадратный корень из увеличения значения резистора. С практической точки зрения это означает, что лучше иметь максимально возможное усиление фотодиодного усилителя, чем добавлять второй усилительный каскад, где шум будет увеличиваться линейно с усилением.
Выходной шум усилителя представляет собой произведение шума входного напряжения на коэффициент усиления шума усилителя. Шумовое усиление определяется не только резистором обратной связи, но также конденсаторами обратной связи и входными конденсаторами, поэтому оно не является постоянным по частоте. На рис. 6 показан типичный график коэффициента усиления шума усилителя в зависимости от частоты с наложенным коэффициентом усиления замкнутого контура для сравнения. Две вещи, которые вы можете узнать из этого графика, это то, что выходной шум увеличивается на некоторых частотах, и частотный диапазон, в котором шумовые пики могут выходить за пределы полосы пропускания усилителя с обратной связью.
<img src=’https://www.analog.com/-/media/analog/en/landing-pages /technical-articles/optimizing-precision-photodiode-sensor-circuit-design/figure6.png?w=435 ‘ alt=’Рисунок 6’&gt ;
Рис. 6. Шумовое усиление фотодиодного усилителя увеличивается на более высоких частотах.
Поскольку вы не можете воспользоваться этой полосой пропускания, используйте фильтр нижних частот, настроенный на полосу пропускания сигнала усилителя, чтобы уменьшить шум.
Использование программируемого усиления для расширения динамического диапазона
Поскольку шум Джонсона резистора обратной связи увеличивается пропорционально квадратному корню из сопротивления, имеет смысл иметь максимально возможное усиление в фотодиодном усилителе, а не во втором каскаде. Вы можете сделать еще один шаг вперед, добавив к фотодиодному усилителю программируемое усиление, как показано на рис. 7.
<img src=’https://www.analog.com/-/media/analog/en/landing-pages /technical-articles/optimizing-precision-photodiode-sensor-circuit-design/figure7.png?w=435 ‘ alt=’Рисунок 7’&gt ;
Рис. 7. Концепция фотодиодного усилителя с программируемым коэффициентом усиления.
Переключатель S 1 выбирает нужный путь обратной связи, чтобы можно было выбрать оптимальное усиление для различных сигналов. К сожалению, аналоговые переключатели имеют сопротивление во включенном состоянии, которое вносит ошибки усиления в нашу схему. Это сопротивление будет меняться в зависимости от приложенного напряжения, температуры и других факторов, поэтому вы должны найти способ исключить его из схемы. На рис. 8 показано, как можно использовать два набора переключателей для устранения ошибки, вызванной сопротивлением во включенном состоянии в контуре обратной связи. В этой схеме у вас есть один переключатель внутри контура обратной связи, как на рис. 7, но вместо того, чтобы смотреть на напряжение на выходе усилителя, переключите S 2 соединяет выход схемы непосредственно с резистором усиления. Это устраняет любые ошибки усиления из-за тока, протекающего через переключатель S 1 . Одним из компромиссов при использовании этой схемы является то, что выход больше не имеет очень низкого импеданса, связанного с выходами усилителя, поскольку он включает сопротивление мультиплексора S 2 во включенном состоянии. Обычно это не представляет большой проблемы, если следующий каскад имеет вход с высоким импедансом, например, с драйвером АЦП.
<img src=’https://www.analog.com/-/media/analog/en/landing-pages/technical -articles/optimizing-precision-photodiode-sensor-circuit-design/figure8.png?w=435 ‘ alt=’Рисунок 8’>
Рис. 8. Использование двух наборов переключателей снижает количество ошибок из-за дополнительного сопротивления внутри контура.
Использование модуляции и синхронного обнаружения для уменьшения шума
Многие прецизионные приложения включают измерение уровня постоянного света, поглощаемого или отраженного через образец.
В то время как некоторые приложения позволяют экранировать от любого окружающего света, многие другие системы, в основном в промышленных условиях, должны работать под воздействием окружающего света. В этом случае вы можете модулировать источник света и использовать синхронное обнаружение, чтобы отодвинуть сигнал от низкочастотного спектра, где электрические и оптические помехи самые высокие. Простейшей формой модуляции является быстрое включение и выключение источника света. В зависимости от источника света вы можете электронно модулировать его или, как в случае с некоторыми старыми инструментами, вы можете использовать механический прерыватель, чтобы блокировать свет с заданной скоростью.
Например, если вам нужно измерить поглощение света веществом для определения концентрации, вы можете отсечь источник света на частоте в несколько кГц. На рис. 9 показано, как это приводит к удалению измерения от большинства низкочастотных световых загрязнений, обычно присутствующих в большинстве сред, таких как изменения уровня окружающего освещения в зависимости от времени суток, флуоресцентные лампы 50 Гц/60 Гц и т.п. .
<img src=’https://www. analog.com/-/media/analog/en/landing-pages/technical -статьи/оптимизация-прецизионность-схема-фотодиода-датчика-схема/рисунок 9.png?w=435 ‘ alt=’Рисунок 9’>
Рисунок 9. Прерывание входного сигнала Перемещает информацию на частоту прерывания и подальше от окружающего шума.
Поскольку вы управляете частотой сигнала модуляции, вы можете использовать одни и те же часы для синхронной демодуляции принимаемого света. Схема на рис. 10 представляет собой очень простой синхронный демодулятор. Напряжение на выходе фотодиодного усилителя связано по переменному току и затем проходит через усилитель с программируемым коэффициентом усиления +1 и –1. Переключатель усиления синхронизирован, чтобы установить усиление на +1, когда свет должен быть включен, и на -1, когда свет должен быть выключен. В идеале на выходе должно быть постоянное напряжение, соответствующее амплитуде световых импульсов. Фильтр нижних частот отклоняет любые другие сигналы, не синхронизированные с часами модуляции. Частота среза фильтра нижних частот эквивалентна ширине полосового фильтра вокруг частоты модуляции. Например, если частота модуляции 5 кГц и вы используете фильтр нижних частот с полосой пропускания 10 Гц, на выходе схемы будут пропускаться сигналы с 4,9от 9 кГц до 5,01 кГц. Уменьшение полосы пропускания фильтра нижних частот приводит к более сильному подавлению за счет более медленного времени установления.
<img src=’https://www.analog.com/-/media/analog/en/landing-pages/technical -articles/optimizing-precision-photodiode-sensor-circuit-design/figure10.jpg?w=435 ‘ alt=’Рисунок 10’>
Рис. 10. Схема синхронного обнаружения.
Рисунок 9 также показывает дополнительное предостережение при использовании измельчения. Результирующий сигнал представляет собой не одну линию в частотной области (для чего потребовалась бы синусоида), а скорее линию на частоте прерывания и ее нечетных гармониках. Любой шум, присутствующий на нечетных гармониках частоты прерывания, появится на выходе с минимальным затуханием. Вы можете полностью устранить это, используя синусоидальную модуляцию, но это требует более сложной или дорогой схемы. Другое решение состоит в том, чтобы выбрать необычную основную частоту, гармоники которой не совпадают ни с какими известными источниками помех. Вы также можете реализовать ту же функциональность, что и на рис. 10, в прошивке. Вы можете сэмплировать прерванный световой сигнал синхронно с часами модуляции и использовать методы цифровой обработки сигнала для извлечения информации об амплитуде на интересующей частоте.
Заключение
Фотодиодные усилители являются важным строительным блоком большинства прецизионных оптических измерительных систем. Выбор правильного операционного усилителя является важным первым шагом в достижении наилучшей возможной производительности системы, а использование других методов повышения производительности, таких как использование программируемых коэффициентов усиления и синхронного обнаружения, может помочь расширить динамический диапазон и подавить шум. Если вы хотите узнать больше о схемах прецизионных фотодиодов, посетите http://instrumentation.analog.com/en/chemical-analysis/segment/im.html.
Рекомендации
CN0312 Примечание по цепи. Двухканальный колориметр с трансимпедансными усилителями с программируемым коэффициентом усиления и синхронными детекторами.
Ороско, Луис. «Усилители трансимпеданса с программируемым усилением максимизируют динамический диапазон в спектроскопических системах». Аналог Диалог, Том 47. Выпуск 5, 2013.
Лист данных ADA4817.
Джонсон, Марк. Фотообнаружение и измерение: максимальная производительность оптических систем. Нью-Йорк: McGraw-Hill, 2003.
Автор
Луис Ороско
Луис Ороско (Luis Orozco) — инженер по системным приложениям в промышленном и контрольно-измерительном сегменте ADI. Он специализируется на прецизионном приборостроении, химическом анализе и мониторинге окружающей среды. Луис присоединился к ADI в феврале 2011 года.
Фотодиоды и матрицы | Экселитас
Excelitas использует кремний и материалы InGaAs для наших фотодиодов, чтобы обеспечить обнаружение в диапазоне от 220 нм до 1700 нм. Эти устройства предлагаются в различных размерах, чтобы удовлетворить требования клиентов к чувствительности и скорости. Доступно множество различных типов фотодиодов для различных уникальных приложений.
Наши матрицы фотодиодов используются для создания рентгеновского изображения путем построчного сканирования объекта. Рентгеновские лучи преобразуются в свет через прикрепленный сцинтилляционный кристалл. Интенсивность света затем измеряется фотодиодами. В платах используется технология «чип на плате» с оптически адаптированными сцинтилляционными кристаллами.
Каталог Excelitas для обнаружения фотонов
Кремниевые фотодиоды с PIN-кодом
Кремниевые фотодиоды с PIN-кодом доступны в различных активных областях для различных приложений. Структура PIN обеспечивает высокую квантовую эффективность и быстрый отклик для обнаружения фотонов в диапазоне от 400 до 1100 нм. Наша серия YAG обеспечивает исключительную мощность 0,4 A/Вт на длине волны 1060 нм за счет использования…
Подробнее
Фотодиоды для обнаружения радона
Фотодиоды серии Excelitas VTh31 предлагаются в виде микросхем для оптимального обнаружения альфа-частиц, таких как радон. приложений для обнаружения газа. Обладая прочной конструкцией микросхемы, эти кремниевые фотодиоды с низкой емкостью обеспечивают высокую чувствительность к интересующему излучению. Эти фотодиоды…
Подробнее
Фотодиодные матрицы
Excelitas предлагает широкий выбор стандартных фотодиодных матриц из каталога. Со стандартными значениями шага от 0,8 мм до 2,5 мм вы обязательно найдете детектор, подходящий для ваших нужд в рентгеновской визуализации. В дополнение к широкому ассортименту стандартных изделий из каталога мы также предлагаем изготовление на заказ в соответствии с уникальными. ..
Подробнее
Оптоэлектронные компоненты для обнаружения дыма
Электрооптический датчик дыма состоит из излучающего диода и фотодиодной сборки, подает сигнал при наличии дыма. Excelitas предлагает излучающие диоды и фотодиоды, а также индивидуальные сборки для удовлетворения требований электрооптических детекторов дыма.
Подробнее
PIN-фотодиоды InGaAs
PIN-детекторы InGaAs обеспечивают высокую квантовую эффективность в диапазоне длин волн от 800 до 1700 нм. Они отличаются низкой емкостью для расширения полосы пропускания, высоким сопротивлением для высокой чувствительности, высокой линейностью и однородностью в пределах двух процентов по всей активной площади детектора.
Подробнее
Стандартные кремниевые фотодиоды
Наше семейство стандартных кремниевых фотодиодов состоит из наших планарных кремниевых фотодиодов серии VTD в литом пластиковом корпусе, пропускающем инфракрасное излучение и блокирующем видимый свет.