Диод в 200 характеристики: Силовой диод В-200. Цена и условия поставки от ООО «ТД Акватория». Наша компания занимается продажей оборудования с хранения. Мы обеспечим быструю и качественную обработку вашей заявки. Наша почта [email protected] тел: 8(499)707-76-61

Содержание

Д 161-200

Диод кремниевый диффузионный. 

Предназначен для работы в цепях статических преобразователей электроэнергии постоянного и переменного токов на частотах до 2 кГц. 

Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибким выводом, прямой и обратной (со знаком Х) полярностей. 

У диодов прямой полярности анодом является основание корпуса, обратной полярности - гибкий вывод.

Средний прямой ток - 200 А

Повторяющееся импульсное обратное напряжение - 1000 В

Охлаждение воздушное естественное или принудительное.

Обозначение типономинала и полярность выводов приводятся на корпусе.

Габаритные размеры: 

- общая длина - 240 мм

- длина шпильки - 16 мм

- резьба - М20

Масса диода не более 298 г.

Климатическое исполнение по ГОСТ 15150: УХЛ2, Т2.

Тип корпуса: SD6.

Рекомендуемый охладитель: O171, O371, OM101.

Технические условия: ТУ16-2006 ИЕАЛ.432000.058ТУ.

Структура условного обозначения: 

Д161-200-10 

Д - диод выпрямительный; 

1 - порядковый номер модификации конструкции; 

6 - обозначение диаметра корпуса диода; 

1 - обозначение конструктивного исполнения корпуса диода; 

200 - максимально допустимый средний ток в открытом состоянии, А;

10 - класс по обратному повторяющемуся напряжению.

Технические характеристики Д 161-200:

Наименование

диода

Предельные эксплуатационные параметры диодовЗначения электрических характеристик диодовTj
IF(AV)URRMURSMURWMURIFRMSIFSMIRRMUFMUTOi2trTtrrQrrRthjc
АВВВВАкАмАВВкА2смОммксмкКл°С/Вт°C
Д212-16Х-1161001168060250,273,01,350,8360,3611,25-701,9
-60…+190
Д212-16Х-216200232160120250,273,01,350,8360,3611,25-701,9-60…+190
Д212-16Х-316300348240180250,273,01,350,8360,3611,25-701,9-60…+190
Д212-16Х-416400464320240250,273,01,350,8360,3611,25-701,9-60…+190
Д212-16Х-516500580400300250,273,01,350,8360,3611,25-701,9-60…+190
Д212-16Х-616600696480360250,273,01,350,8360,3611,25-701,9-60…+190
Д212-16-7
16700812560420250,273,01,350,8360,3611,25-701,9-60…+190
Д212-16Х-816800928640480250,273,01,350,8360,3611,25-701,9-60…+190
Д212-16Х-9169001044720540250,273,01,350,8360,3611,25-701,9-60…+190
Д212-16Х-101610001160800600250,273,01,350,8360,3611,25-701,9-60…+190
Д212-16Х-111611001276880660250,273,01,350,8360,3611,25-701,9-60…+190
Д212-16Х-12
16
12001392960720250,273,01,350,8360,3611,25-701,9-60…+190
Д212-16Х-1316130015081040780250,273,01,350,8360,3611,25-701,9-60…+190
Д212-16Х-1416140016241120840250,273,01,350,8360,3611,25-701,9-60…+190
Д212-16Х-1516150017401200900250,273,01,350,8360,3611,25-701,9-60…+190
Д212-16Х-1616160018561280960250,273,01,350,8360,3611,25-701,9-60…+190
Условные обозначения электрических параметров силовых диодов:

• IF(AV) - Максимально допустимый средний прямой ток.
• URRM - Повторяющееся импульсное обратное напряжение.
• URSM - Не повторяющееся импульсное обратное напряжение.
• URWM - Импульсное рабочее обратное напряжение.
• UR - Постоянное обратное напряжение.
• IFRMS - Максимально допустимый действующий прямой ток.
• IFSM - Ударный прямой ток.
• IRRM - Повторяющийся импульсный обратный ток.
• UFM - Импульсное прямое напряжение.
• UTO - Пороговое напряжение диода.
• i2t - Защитный показатель.
• rT - Динамическое сопротивление.
• trr - Время обратного восстановления.
• Qrr - Заряд обратного восстановления.
• Rthjc - Тепловое сопротивление переход-корпус диода.
• Tj - Температура перехода диода.

Технические характеристики выпрямительных диодов высокой и средней мощности

Выпрямительные диоды предназначены для преобразования переменного тока в постоянный.
Обычно к быстродействию, ёмкости p-n перехода и стабильности параметров данного типа диодов специальных требований не предъявляется.

Частотный диапазон выпрямительных диодов невелик, предельная частота в большинстве случаев не превышает 20 кГц.
Среди выпрямительных диодов следует особо выделить диоды Шоттки, создаваемые на базе контакта металл-полупроводник и отличающиеся более высокой рабочей частотой (для 1 МГц и более), низким прямым падением напряжения (менее 0,6 В).

Мощность выпрямительных диодов определяется максимально допустимым прямым током.

В соответствии с этой характеристикой принята следующая классификация:
- Слаботочные выпрямительные диоды, они используются в цепях с током не более 0,3 А.
Такие устройства, как правило, выполнены в пластмассовом корпусе и имеют малый вес и небольшие габариты.
- Устройства, рассчитанные на среднюю мощность, могут работать с током в диапазоне 0,3-10 А.
Такие элементы, в большинстве своём, изготавливаются корпусе из металла и снабжены жёсткими выводами.
- Силовые полупроводниковые элементы, рассчитанные на прямой ток свыше 10 А.
Производятся такие устройства в металлокерамических или металлостеклянных корпусах штыревого или таблеточного типа.

Условные обозначения электрических параметров, характеризующих свойства
выпрямительных полупроводниковых диодов средней мощности:

 Диод  Uоб/Uимп
   В/В
 Iпр/Iимп
   А/А
Uпр/Iпр
  В/А
Cд/Uд 
 пф/В
(T нс)
Io(25)
   /Ioм
 мА/мА
Fmax
кгц
P/Pт
Вт/Вт
Корпус
КД201А
КД201Б
КД201В
КД201Г
 100/
 100/
 200/
 200/
   5/15
  10/15
   5/15
  10/15
1.0/ 5
1.0/10
1.0/ 5
1.0/10
     /3
   /3
   /3
   /3
1.1
1.1
1.1
1.1
 
  6
  6
  6
  6
КД202А
КД202Б
КД202В
КД202Г
КД202Д
КД202Е
КД202Ж
КД202И
КД202К
КД202Л
КД202М
КД202Н
КД202Р
КД202С
2Д202Т
  35/50
  35/50
  70/100
  70/100
 140/200
 140/200
 210/300
 210/300
 280/400
 280/400
 350/500
 350/500
 420/600
 420/600
 560/800
   5/9
 3.5/9
   5/9
 3.5/9
   5/9
 3.5/9
   5/9
 3.5/9
   5/9
 3.5/9
   5/9
 3.5/9
   5/9
 3.5/9
   3/
0.9/ 5
0. 9/ 3.5
0.9/ 5
0.9/ 3.5
0.9/ 5
0.9/ 3.5
0.9/ 5
0.9/ 3.5
0.9/ 5
0.9/ 3.5
0.9/ 5
0.9/ 3.5
0.9/ 5
0.9/ 3.5
1/ 3
     /1
   /1
   /1
   /1
   /1
   /1
   /1
   /1
   /1
   /1
   /1
   /1
   /1
   /1
   /1
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
    7
  7
  7
  7
  7
  7
  7
  7
  7
  7
  7
  7
  7
  7
  7
КД203А
КД203Б
КД203В
КД203Г
КД203Д
КД203Е
КД203Ж
КД203И
КД203К
КД203Л
КД203М
 420/600
 560/800
 560/800
 700/1000
 700/1000
 560/800
 560/800
 700/1000
 700/1000
 280/400
 420/600
  10/30
   5/15
  10/30
   5/15
  10/30
  10/30
  10/30
  10/
  10/
  10/
  10/
1.0/10
1.0/ 5
1.0/10
1.0/ 5
1.0/10
1.0/10
1.0/10
1.0/10
1.0/10
2.0/
2.0/
     /1.5
   /1.5
   /1.5
   /1.5
   /1.5
   /1.5
   /1.5
   /1.5
   /1.5
   /4.5
   /4.5
  1
  1
  1
  1
  1
  1
  1
  1
  1
  1
  1
  /20
  /20
  /20
  /20
  /20
  6
  6
  6
  6
  6
  8
  8
  8
  8
  8
  8
КД204А
КД204Б
КД204В
 400/400
 200/200
  50/ 50
 0.4/
 0.6/
 1.0/
1. 4/0.4
1.4/0.6
1.4/1.0
  0.15/2
0.1 /1
0.05/0.5
 50
 50
 50
    8
  8
  8
КД205А
КД205Б
КД205В
КД205Г
КД205Д
КД205Е
КД205Ж
КД205И
КД205К
КД205Л
    /500
    /400
    /300
    /200
    /100
    /500
    /600
    /700
    /100
    /200
 0.5/
 0.5/
 0.5/
 0.5/
 0.5/
 0.3/
 0.5/
 0.3/
 0.7/
 0.7/
1.0/0.5
1.0/0.5
1.0/0.5
1.0/0.5
1.0/0.5
1.0/0.3
1.0/0.5
1.0/0.3
1.0/0.7
1.0/0.7
  0.1/0.2
0.1/0.2
0.1/0.2
0.1/0.2
0.1/0.2
0.1/0.2
0.1/0.2
0.1/0.2
0.1/0.2
0.1/0.2
  5
  5
  5
  5
  5
  5
  5
  5
  5
  5
   28
 28
 28
 28
 28
 28
 28
 28
 28
 28
КД206А
КД206Б
КД206В
 400/
 500/
 600/ 
  10/100
   5/100
   5/100
1.2/1
1.2/1
1.2/1
  0.7/1.5
0.7/1.5
0.7/1.5
  1
  1
  1
  /10
  /10
  /10
  8
  8
  8
2Д207А  600/  0.5/4.5 1.5/0.5   0.15/0.5   1 0. 15   5
КД208А  100/100  1.5/ 1.0/1   0.05/0.2   1    10
КД209А
КД209Б
КД209В
КД209Г
 400/400
 600/600
 800/800
1000/1000
 0.7/15
 0.5/15
 0.5/15
 0.2/10
1.0/0.7
1.0/0.5
1.0/0.5
1.0/0.2
  0.1/0.3
0.1/0.3
0.1/0.3
0.1/0.3
  1
  1
  1
  1
   10
 10
 10
 10
КД210А
КД210Б
КД210В
КД210Г
 800/
 800/
1000/
1000/
  10/50
  10/50
  10/50
  10/50
1.0/10
1.0/10
1.0/10
1.0/10
  1.5/1.5
1.5/1.5
1.5/1.5
1.5/1.5
  1
  1
  1
  1
  /20
  /20
  /20
  /20
  8
  8
  8
  8
КД212А
КД212Б
КД212В
КД212Г
 200/
 200/
 100/
 100/
   1/50
   1/50
   1/50
   1/50
1.0/1
1.2/1
1.0/1
1.2/1
 (300)
 (500)
 (500)
 (300)
0.05/2
 0.1/3
0.05/2
 0.1/3
100
100
100
100
   29
 29
 29
 29
КД213А
КД213Б
КД213В
КД213Г
 200/200
 200/200
 200/200
 100/100
  10/100
  10/100
  10/100
  10/100
1. 0/10
1.2/10
1.2/10
1.7/10
 (300)
 (170)
 (500)
 (300)
 0.2/10
 0.2/25
 0.2/25
 0.2/25
100
100
100
100
    9
  9
  9
  9
2Д215А
2Д215Б
2Д215В
 400/400
 600/600
 200/200
   1/10
   1/10
   1/10
1.2/10
1.2/10
1.1/10
  0.05/0.1
0.05/0.1
0.05/0.1
  1
  1
  1
   10
 10
 10
2Д216А
2Д216Б
 100/100
 200/200
  10/30
  10/30
1.2/1
1.2/1
  0.05/0.1
0.05/0.1
100
100
   11
 11
2Д217А
2Д217Б
 100/100
 100/100
   3/9
   3/9
1.1/1
1.1/1
  0.05/2
0.05/2
100
100
    4
  4
2Д218А  100/135   10/100 1.5/10  (300)  0.2/4 100    44
2Д219А
2Д219Б
    /15
    /20
  10/250
  10/250
0. 6/10
0.6/10
    20/150
  20/150
200
200
    8
  8
2Д220А
2Д220Б
2Д220В
2Д220Г
2Д220Д
2Д220Е
2Д220Ж
2Д220И
 400/400
 600/600
 800/800
1000/1000
 400/400
 600/600
 800/800
1000/1000
   3/60
   3/60
   3/60
   3/60
   3/60
   3/60
   3/60
   3/60
1.2/1
1.2/1
1.2/1
1.2/1
1.0/1
1.0/1
1.0/1
1.0/1
 (500)
 (500)
 (500)
 (500)
.045/1.5
.045/1.5
.045/1.5
.045/1.5
.045/1.5
.045/1.5
.045/1.5
.045/1.5
 10
 10
 10
 10
 10
 10
 10
 10
   11
 11
 11
 11
 11
 11
 11
 11
КД221А
КД221Б
КД221В
КД221Г
    /100
    /200
    /400
    /600
 0.7/
 0.5/
    /
    /
1.4/0.7
1.4/0.5
1.4/0.3
1.4/0.3
  0.05/0.15
0.05/0.15
 0.1/0.3
0.15/0.45
 50
 50
 50
 20
   10
 10
 10
 10
2Д222АС
2Д222БС
2Д222ВС
2Д222ГС
2Д222ДС
2Д222ЕС
    /20
    /30
    /40
    /20
    /30
    /40
   3/50
   3/50
   3/50
   3/50
   3/50
   3/50
0. 6/3
0.6/3
0.6/3
0.65/3
0.65/3
0.65/3
     2/50
   2/50
   2/50
   2/50
   2/50
   2/50
200
200
200
200
200
200
   45
 45
 45
 45
 45
 45
КД223А  200/230    2/50 1.3/6   0.01/0.5 1.5    52
2Д225АС
2Д225БС
2Д225ВС
    /15
    /25
    /35
   3/75
   3/75
   3/75
0.55/3
0.6/3
0.6/3
     3/30
   3/30
   3/30
200
200
200
   81
 81
 81
КД226А
КД226Б
КД226В
КД226Г
КД226Д
КД226Е
 100/100
 200/200
 400/400
 600/600
 800/800
 600/600
   2/50
   2/50
   2/50
   2/50
   2/50
   2/50
1.3/1
1.3/1
1.3/1
1.3/1
1.3/1
1.3/1
 (250)
 (250)
 (250)
 (250)
 (250)
 (250)
0.05/0.4
0.05/0.4
0.05/0.4
0.05/0.4
0.05/0.4
0.05/0.4
 50
 50
 50
 50
 50
 50
   52
 52
 52
 52
 52
 52
КД227А
КД227Б
КД227В
КД227Г
КД227Д
КД227Е
КД227Ж
 100/150
 200/250
 300/450
 400/600
 500/700
 600/850
 800/1200
   5/15
   5/15
   5/15
   5/15
   5/15
   5/15
   5/15
1. 6/5
1.6/5
1.6/5
1.6/5
1.6/5
1.6/5
1.6/5
   0.8/
 0.8/
 0.8/
 0.8/
 0.8/
 0.8/
 0.8/
  1
  1
  1
  1
  1
  1
  1
   46
 46
 46
 46
 46
 46
 46
2Д228А  100/100    1/50 0.15/1  (300) .025/.25 100    29
2Д229АС
2Д229БС
2Д229ВС
    /15
    /25
    /35
   3/75
   3/75
   3/75
0.55/3
0.6/3
0.6/3
     3/30
   3/30
   3/30
200
200
200
   81
 81
 81
2Д230А
2Д230Б
2Д230В
2Д230Г
2Д230Д
2Д230Е
2Д230Ж
2Д230И
 400/400
 600/600
 800/800
1000/1000
 400/400
 600/600
 800/800
1000/1000
   3/60
   3/60
   3/60
   3/60
   3/60
   3/60
   3/60
   3/60
1.5/3
1.5/3
1.5/3
1.5/3
1.3/3
1.3/3
1.3/3
1.3/3
 (500)
 (500)
 (500)
 (500)
.045/1.5
.045/1.5
.045/1.5
.045/1.5
.045/1.5
.045/1.5
.045/1.5
.045/1.5
      8
  8
  8
  8
  8
  8
  8
  8
2Д231А
2Д231Б
2Д231В
2Д231Г
    /150
    /200
    /150
    /200
  10/150
  10/150
  10/150
  10/150
1. 0/10
1.0/10
1.0/10
1.0/10
  (50)
  (50)
 (100)
 (100)
0.05/2.0
0.05/2.0
0.05/2.0
0.05/2.0
200
200
200
200
    8
  8
  8
  8
2Д232А
2Д232Б
2Д232В
  15/15
  25/25
  35/35
  10/
  10/
  10/
0.6/10
0.6/10
0.6/10
   7.5/100
 7.5/100
 7.5/100
200
200
200
   46
 46
 46
2Д234А
2Д234Б
2Д234В
 100/100
 200/200
 400/400
   3/
   3/
   3/
1.5/3
1.5/3
1.5/3
 (400)
 (400)
 (400)
 0.1/2.0
 0.1/2.0
 0.1/2.0
 50
 50
 50
   11
 11
 11
2Д235А
2Д235Б
  40/40
  30/30
   1/3
   1/3
0.9/3
0.9/3
   0.8/10
 0.8/10
      1
  1
2Д236А
2Д236Б
 600/600
 800/800
   1/30
   1/30
1.5/1
1.5/1
 (115)
 (150)
   5/
   5/
100
100
   47
 47
2Д237А
2Д237Б
 100/100
 200/200
   1/3
   1/3
1. 3/1
1.3/1
  (50)
  (50)
0.05/0.4
0.05/0.4
300
300
   39
 39
2Д238АС
2Д238БС
2Д238ВС
  25/25
  35/35
  45/45
 7.5/75
 7.5/75
 7.5/75
0.65/7.5
0.65/7.5
0.65/7.5
      /1
    /1
    /1
200
200
200
   46
 46
 46
2Д239А
2Д239Б
2Д239В
 100/100
 150/150
 200/200
  20/80
  20/80
  20/80
1.4/20
1.4/20
1.4/20
  (50)
  (50)
  (50)
0.02/
0.02/
0.02/
500
500
500
  /25
  /25
  /25
 54
 54
 54
КД241А 1500/1500    2/5 1.4/2 (1500)    /0.005  20 3.5  
КД243А
КД243Б
КД243В
КД243Г
КД243Д
КД243Е
КД243Ж
  50/ 50
 100/100
 200/200
 400/400
 600/600
 800/800
1000/1000
   1/6
   1/6
   1/6
   1/6
   1/6
   1/6
   1/6
1.1/1
1.1/1
1.1/1
1.1/1
1.1/1
1.1/1
1.1/1
  0. 01/0.1
0.01/0.1
0.01/0.1
0.01/0.1
0.01/0.1
0.01/0.1
0.01/0.1
  1
  1
  1
  1
  1
  1
  1
   53
 53
 53
 53
 53
 53
 53
КД244А
КД244Б
КД244В
КД244Г
 100/100
 100/100
 200/200
 200/200
  10/100
  10/100
  10/100
  10/100
1.3/10
1.3/10
1.3/10
1.3/10
  (50)
  (35)
  (50)
  (35)
 0.1/
 0.1/
 0.1/
 0.1/
200
200
200
200
   54
 54
 54
 54
2Д245А
2Д245Б
2Д245В
 400/450
 200/250
 100/150
  10/100
  10/100
  10/100
1.4/10
1.4/10
1.4/10
  (70)
  (70)
  (70)
 0.1/
 0.1/
 0.1/
200
200
200
  /20
  /20
  /20
  9
  9
  9
КД247А
КД247Б
КД247В
КД247Г
КД247Д
КД247Е
 100/100
 200/200
 400/400
 600/600
 800/800
  50/50
   1/30
   1/30
   1/30
   1/30
   1/30
   1/30
1.3/1
1.3/1
1.3/1
1.3/1
1.3/1
1.3/1
 (150)
 (150)
 (150)
 (150)
 (250)
 (150)
    /0.1
    /0.1
    /0.1
    /0.1
    /0.1
    /0.1
150
150
150
150
150
150
   53
 53
 53
 53
 53
 53
КД248А
КД248Б
КД248В
КД248Г
КД248Д
КД248Е
КД248Ж
КД248И
КД248К
1000/1000
1000/1000
 800/800
 800/800
 600/600
 600/600
 400/400
 400/400
1000/1200
   3/9. 6
   1/3.2
   3/9.6
   1/3.2
   3/9.6
   1/3.2
   3/9.6
   1/3.2
 1.5/4.8
1.4/3
1.4/1
1.4/3
1.4/1
1.4/3
1.4/1
1.4/3
1.4/1
1.1/1.5
 (250)
 (250)
 (250)
 (250)
 (250)
 (250)
 (250)
 (250)
 (250)
    /1
    /1
    /1
    /1
    /1
    /1
    /1
    /1
    /1
100
100
100
100
100
100
100
100
 65
2.5
2
4.5
2
4.5
2
2.5
2
2.5
 67
 67
 67
 67
 67
 67
 67
 67
 67
2Д249А
2Д249Б
2Д249В
  40/40
  30/30
  20/20
   3/10
   3/10
   3/10
0.475/3
0.475/3
0.475/3
750/1
750/1
750/1
    /3
    /3
    /3
  2.5
2.5
2.5
 52
 52
 52
2Д250А  125/140   10/40 1.4/10 55/100 0.05/ 100    67

Диод В200

Справочник количества содержания ценных металлов в диоде В200 согласно паспорта на изделие и информационной литературы. Указано точное значение драгоценных металлов в граммах (Золото, серебро, платина, палладий и другие) на единицу изделия.

Содержание драгоценных металлов в диоде В200

Золото: 0 грамм.
Серебро: 0,108 грамм.
Платина: 0 грамм.
Палладий: 0 грамм.

Источник информации: .

Фото диода В200:

Панель ламповая виды

Диод — электронный элемент, обладающий различной проводимостью в зависимости от направления электрического поля. Электрод диода, подключаемый к положительному полюсу источника тока, когда диод открыт (то есть имеет маленькое сопротивление), называют анодом, подключаемый к отрицательному полюсу — катодом.

О комплектующем изделии — Диод

Диод — видео.

Диод это полупроводниковый прибор основанный на PN-переходе. А если без теории, то диод в одном направлении пропускает ток, а в другом нет. Вот и все.

Как работает диод — видео.

В этом выпуске вы узнаете: что такое диод, принцип действия диода, как работает диод, что такое p — n переход; что такое прямой ток диода, что такое обратный ток диода; каково внутреннее сопротивление диода; что такое вольт- амперная характеристика диода; что такое пропускное и не пропускное напряжение диода; как работает диод в цепи постоянного тока, как работает диод в цепи переменного тока; как устроен плоскостной диод; какие существуют виды диодов; как устроен выпрямительный диод.

Характеристики диодов В200:

Купить или продать а также цены на Диод В200:

Оставьте отзыв о В200:

Основные технические параметры силовых диодов

Силовые полупроводниковые диоды

Таблица 13.1.1

 Основные технические параметры силовых диодов

 

Тип прибора

lпр max, А

lПР.Иmax, А

МКС

lобр max, мкА

 

UОБР max, В

 UОБР.И max, В

UПРmax, В

 

IПР

f,,

кГц

т,

2Д203А-КД203М

10

10

100

5000

1500

1500

420

420

600

 600

1.0

1,0

10

10

1,0

5

-60...+125

 -60...+70

КД206А

10

100

100

700

400

 

1,2

1,0

1,0

-60...+125

КД206Б

10

100

100

700

500

 

1,2

1,0

1,0

-60...+125

КД206В

100

100

700

600

 

1,2

1,0

1.0

-60...+ 125

2Д210А-

-КД210Г1

10 10

50

5000 5000

1500 1500

 

800 1000

1,0 1,0

10 10

1,0 1,0

-60. ..+ 125

-60...+ 100

2Д213А-

-2Д213Г6

10 10

100 100

10000 10000

200 200

200 100

200 100

1.0 1,2

10 10

100 100

-60...+ 125

-60...+ 125

2Д222АС-

-2Д222ЕС

3 3

150 150

10000 10000

2000 2000

20 40

20 40

0,6 0,65

3 3

200 200

-60...+ 125 -60...+125

2Д231А

10

150

10000

50

150

150

1,0

10

200

-60...+ 125

2Д231Б

10

150

10000

50

200

200

1,0

ю

200

-60...+ 125

2Д231В

10

150

10000

50

150

150

1,0

10

200

-60...+ 125

2Д231Г

150

10000

50

200

200

1,0

10

200

-60...+ 125

2Д239А

20

80

50

20

100

100

1,4

20

500

-60...+125

2Д239Б

20

80

50

20

250

150

1. 4

20

500

-60...+ 125

2Д239В

20

80

50

20

200

200

1,4

20

500

-60...+ 125

КД244А

10

100

10000

100

100

100

1,3

10

200

-45...+ 100

КД2445

10

100

10000

100

100

100

1,3

10

200

-45...+ 100

КД244В

10

100

10000

100

200

200

1,3

10

200

-45...+ 100

КД244Г

10

100

10000

100

200

200

1,3

10

200

-45...+ 100

2Д245А

10

100

50

100

400

400

1,4

10

200

-60...+ 125

2Д2455

10

100

50

100

200

200

1,4

10

200

-60...+ 125

2Д245В

10

100

50

100

100

100

1.4

10

200

-60. ..+ 125

2Д250А

10

40

10000

50

125

125

1.4

10

100

-60...+ 100

2Д251А

10

150

10000

50

50

50

1

10

200

-60...+ 125

2Д251Б

10

150

10000

50

70

70

1

10

200

-60...+125

2Д251В

10

150

10000

50

100

100

1

10

200

-60...+125

2Д251Г

10

150

10000

50

50

50

 

10

200

-60...+ 125

2Д251Д

10

150

10000

50

70

70

1

10

200

-60...+ 125

2Д251Е

10

150

10000

50

100

100

1

10

200

-60...+ 125

2Д252А

30

60

 

2000

80

80

0,95

30

200

-60...+ 125

2Д250Б

30

60

 

2000

100

100

0,95

30

200

-60. ..+125

2Д250В

20

40

 

2000

120

120

0,95

30

200

-60...+ 125

КД2989А

20

60

10000

200

600

600

1,4

20

100

-45...+ 100

КД2989А1

20

60

10000

200

600

600

1.4

20

100

-45...+ 100

КД2989Б

20

60

10000

200

400

400

1,4

20

100

-45...+ 10О

КД2989Б1

20

60

10000

200

400

400

1,4

20

100

-45...+ 100

КД2989В

20

60

10000

200

200

200

1.4

20

100

-45...+ 100

КД2989В1

20

60

10000

200

200

200

1,4

20

100

-45...+ 10О

2Д2990А

20

66

10000

100

600

600

1,4

20

200

-45... + 100

2Д2990Б

20

66

10000

100

400

400

1,4

20

200

-60...+ 125

2Д2990В

20

66

10000

100

200

200

1.4

20

200

-60...+ 125

КД2994А

20

80

10000

100

100

100

1,4

20

200

-60...+ 125

2Д2995А

25

75

 

10

50

50

1,1

30

200

-45...+ 100

2Д2995Б

25

75

 

10

70

70

1,1

30

200

-60...+ 125

2Д2995В

25

75

 

10

100

100

1,1

30

200

-60...+ 125

2Д2995Г

25

75

 

10

150

150

1,1

30

200

-60...+ 125

2Д2995Д

25

75

 

10

200

200

1,1

30

200

-60...+ 125

2Д2995Е

25

75

 

10

100

100

1,1

30

200

-60. ..+ 125

2Д2995Ж

25

75

 

10

150

150

1,1

30

200

-60...+ 125

2Д2995И

25

75

 

10

200

200

1,1

30

200

-60...+ 125

КД2995А

25

75

 

10

50

50

1,1

30

200

-60...+ 125

КД2995Б

25

75

 

10

70

70

1,1

30

200

-60...+125

КД2995В

25

75

 

10

100

100

1.1

30

200

-60...+ 125

КД2995Г

25

75

 

10

150

150

1.1

30

200

-60...+125

КД2995Д

25

75

 

10

200

200

1,1

30

200

-60...+ 125

КД2995Е

25

75

 

10

100

100

1,1

30

200

-60...+ 125

2Д2997А

30

100

50

200

200

250

1

30

100

-60. ..+ 125

2Д2997Б

30

100

50

200

100

200

1

30

100

-60...+ 125

2Д2997В

30

100

50

200

50

100

1

30

100

-60...+ 125

КД2997А

30

100

50

200

200

250

1

30

100

-45...+ 125

КД29975

30

100

50

200

100

200

1

30

100

-45...+ 125

КД2997В

30

100

50

200

50

100

1

30

100

-45...+ 125

2Д2993А

30

600

10000

20000

15

15

0,6

30

200

-60...+125

2Д29985

30

600

10000

20000

25

25

0,68

30

200

-60...+ 125

2Д2998В

30

600

10000

20000

35

35

0,68

30

200

-60...+ 125

КД2998А

30

450

10000

20000

15

15

0,6

30

200

-45. ..+100

КД2998Б

30

450

10000

20000

20

20

0,6

30

200

-45...+100

КД2998В

30

450

10000

20000

25

25

0,7

30

200

-45...+ 100

КД2998Г

30

450

10000

20000

35

35

0,7

30

200

-45...+10О

КД2998Д

30

450

10000

20000

30

30

0,7

30

200

-45...+ 100

2Д2999А

20

100

50

200

200

250

1

20

100

-60...+ 125

2Д299Б

20

100

50

200

100

200

1

20

100

-60...+ 125

2Д2999В

20

100

50

200

50

100

1

20

100

-60...+125

КД2999А

20

100

50

200

200

250

1

20

100

-45...+ 125

КД2999Б

20

100

50

200

100

200

1

20

100

-45. ..+ 125

КД2999В

20

100

50

200

50

100

1

20

100

-45...+ 125

 

Таблица 13.1.2

 

Диоды автотракторные

 

Тип прибора

 

Lпр max, А

 

Lпр.И max, А

 

tи, мс

 

LОБР max, мА

 

UОБР max, В

UПР

max, В

f,

кГц

 

Т,

 °С

Д104-10

10

210

10

-

100

1.4

1.3

-50...+175

Д104-16

16

340

10

-

100

1,4

1.3

-50...+ 175

Д104-20

20

400

10

-

100

1.4

1.3

-50...+ 175

Д204-10

10

210

10

-

100

1,4

1,3

-50...+ 175

Д204-16

16

340

10

-

100

1.4

1,3

-50...+175

Д204-20

20

400

10

-

200

1,4

1.3

-50...+ 175

Таблица 13.1.3

Диоды низкочастотные

 

 

Тип прибора

 

Lпр max, А

 

Lпр. И max, А

 

tи, мс

 

LОБР max, мА

 

UОБР max, В

 

UПР

max, В

 

f, кГц

 

Т,

 °С

Д112-10

10

230

10

1,0

100-1400

1,35

1,35

-50...+ 190

Д112-16

16

270

10

1,0

100-1400

1,35

1,35

-50...+ 190

Д112-25

25

230

10

1,0

100—1400

1,35

1,35

-50...+190

Д122-32

32

440

10

6,0

100-1400

1,35

1,35

-50...+190

Д122-40

40

500

10

6,0

100—1400

1,35

1,35

-50...+ 19О

Д132-50

50

1100

10

8,0

100—1400

1,35

1,35

-50...+190

Д132-80

80

1200

10

8,0

100-1400

1,35

1,35

-50...+190

Д (141-253)

А

кА

мс

мА

кВ

В

кГц

°С

Д141-100

100

 

10

20

0,3-1,6

1,45

0,5

-60. ..+ 190

Д151-160

160

3,0

10

20

0,3-1,6

1,35

0,5

-60...+150

Д161-200

200

6,0

10

40

0,3-1,6

1,35

0,5

-60...+ 150

Д161-320

320

8,2

10

50

0,3-1,6

1,35

0,5

-60...+ 15О

Д171-40О

400

12,0

10

50

0,3-1,6

1,5

0,5

-60...+ 150

Д133-50О

500

10,0

10

50

1-4

1,7

0,5

-6O...+175

Д133-800

800

13,0

10

50

1-4

1,6

0,5

-60...+190

Д143-1000

1000

20,0

10

75

1-4

1,55

0,5

-60...+ 190

Д253-1600

1600

30,0

10

75

0,4-2,0

1,5

0,5

-60...+ 190

 

Таблица  13.1.4

Диоды лавинные

 

 

Тип прибора

 

Lпр max, А

 

Lпр.И max, А

 

tи, мс

 

LОБР max, мА

 

UОБР max, В

 

UПР

max, В

 

f, кГц

 

Т,

 °С

ДЛ 112-10

10

230

10

21

400—1500

1,35

-

-50. ..+160

ДЛ112-25

25

300

10

9,0

400—1500

1,35

-

-50...+160

ДЛ 122-40

40

440

10

4,0

400-1500

1,35

-

-50...+ 160

ДЛ132-50

50

1100

10

4,0

400—1500

1,35

-

-50...+ 160

ДЛ 132-80

80

1320

10

8,0

400—1500

1,35

0,5

•50...+160

ДЛ 161-200

200

6000

10

25,0

400—1400

1,45

0,5

-60...+140

ДЛ171-320

320

8200

10

25,0

400-1400

1,45

0,5

60...+140

ДЛ 123-320

320

6000

10

25,0

400—1400

1,7

0,5

60...+ 140

ДЛ 133-500

500

7500

10

25.0

400—1400

1,8

0,5

60...+140

Таблица 13.1. 5

Диоды частотные (быстро восстанавливающиеся)

 

 

Тип прибора

 

Lпр max, А

 

Lпр.И max, А

 

t и, мс

 

lОБР max, мА

 

UОБР max, В

 

UПР

max, В

 

f,

кГц

 

Т,

 °С

Д4151-80

80

2700

10

25,0

500—1400

1,83

2-25

-60. ..+140

Д4151-100

100

3000

10

25,0

500-1400

1,83

2-25

-60...+ 140

Д4161-125

125

5000

10

35,0

500-1400  

1,8  

2-25

-60...+ 140

Д4161-160

160

5500

10

35,0

500-1400

1,8

2-25

-60...+ 140

Д4171-250

250

88000

10

60,0

500-1400

2,1

2-25

-60...+ 140

Д4171-320

320

10000

10

60,0

500-1400

2,1

2-25

-60...+ 140

Д4143-800

800

14000

10

40

600-1800

3,0

25

-60...+ 175

Д4143-1000

1000

17000

10

40

600-1800

2,3

25

-60...+ 175

 

Таблица 13.1.6

Диодные лавинные столбы

 

 

Тип прибора

 

Lпр max, А

 

Lпр.И max, А

 

t и, мс

 

lОБР max, мА

 

UОБР max, В

 

UПР

max, В

 

f,

кГц

 

Т,

 °С

СДЛ 0,4-750

0,4

60

10

-

75000

-

0,5

-40. ..+ 125

СДЛ 0,4-1250

0,4

60

10

-

125000

-

0,5

-40...+ 125

СДЛ 0,4-2500

0,4

60

10

-

150000

-

0,5

-40...+ 125

СДЛ 2-100

2,0

240

10

-

10000

-

0,5

-40...+ 125

5СДЛ 2-100

2,0

240

10

-

50000

-

0,5

-40...+ 125

10СДЛ 2-100

2,0

240

10

-

100000

-

0,5

-40...+ 125

15СДЛ2-100

2,0

240

10

-

150000

-

0,5

-40...+125



Диод КД244 — DataSheet

Корпус диода КД244

 

Характеристики диода КД244
Параметр Обозначение Маркировка Значение Ед. изм.
Аналог КД244А BYV32-150
КД244Б BYW17-100
КД244В BYW80-200, BYW17-200
КД244Г BYW80-200
Максимальное постоянное обратное напряжение. Uo6p max, Uo6p и max КД244А 100 В
КД244Б 100
КД244В 200
КД244Г 200
Максимальный постоянный прямой ток. Iпp max, Iпp ср max, I*пp и max КД244А 10 А
КД244Б 10
КД244В 10
КД244Г 10
Максимальная рабочая частота диода fд max КД244А 200 кГц
КД244Б 200
КД244В 200
КД244Г 200
Постоянное прямое напряжение Uпр не более (при Iпр, мА) КД244А 1.3(10 А) В
КД244Б 1.3(10 А)
КД244В 1.3(10 А)
КД244Г 1.3(10 А)
Постоянный обратный ток Iобр не более (при Uобр, В) КД244А 100 (100) мкА
КД244Б 100 (200)
КД244В 100 (100)
КД244Г 100 (200)
Время обратного восстановления — время переключения диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение от момента прохождения тока через нулевое значение до момента достижения обратным током заданного значения tвос, обр КД244А 0. 05 мкс
КД244Б 0.035
КД244В 0.05
КД244Г 0.035
Общая емкость Сд (при Uобр, В) КД244А пФ
КД244Б
КД244В
КД244Г

Описание значений со звездочками(*) смотрите в буквенных обозначениях параметров диодов.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Диод В200

Справочник количества содержания ценных металлов в диоде В200 согласно паспорта на изделие и информационной литературы. Указано точное значение драгоценных металлов в граммах (Золото, серебро, платина, палладий и другие) на единицу изделия.

Содержание драгоценных металлов в диоде В200

Золото: 0 грамм.
Серебро: 0,108 грамм.
Платина: 0 грамм.
Палладий: 0 грамм.

Источник информации: .

Фото диода В200:

Панель ламповая виды

Диод — электронный элемент, обладающий различной проводимостью в зависимости от направления электрического поля. Электрод диода, подключаемый к положительному полюсу источника тока, когда диод открыт (то есть имеет маленькое сопротивление), называют анодом, подключаемый к отрицательному полюсу — катодом.

О комплектующем изделии – Диод

Диод – видео.

Диод это полупроводниковый прибор основанный на PN-переходе. А если без теории, то диод в одном направлении пропускает ток, а в другом нет. Вот и все.

Как работает диод – видео.

В этом выпуске вы узнаете: что такое диод, принцип действия диода, как работает диод, что такое p – n переход; что такое прямой ток диода, что такое обратный ток диода; каково внутреннее сопротивление диода; что такое вольт- амперная характеристика диода; что такое пропускное и не пропускное напряжение диода; как работает диод в цепи постоянного тока, как работает диод в цепи переменного тока; как устроен плоскостной диод; какие существуют виды диодов; как устроен выпрямительный диод.

Характеристики диодов В200:

Купить или продать а также цены на Диод В200:

Оставьте отзыв о В200:

Диод в200 содержание драгметаллов — Мастер Фломастер

Контакты

мкр. Приокский, Промбаза
г.Касимов, Рязанская область
391303, Россия

телефон/факс: 8 (49131) 31113

Поставщикам

и покупателям предлагаем отправить заявку

Информация

© ООО "Росконтакт" — предприятие по переработке отходов, содержащих драгоценные металлы.

Компания Голдраг покупает по наиболее выгодным ценам В200 в Москве и Московской области. Принимаем В200 как в новом состоянии, так и бу, стоимость зависит от количества содержания драгоценных металлов в детали.

Оценка производится при Вас в кратчайшие сроки. Также Вы можете отправить В200 Почтой России или любой транспортной компанией, доступной в Вашем регионе. Свяжитесь с менеджером компании по телефону +7 (499)404-25-44 и уточните цену на В200

Чем больше объемы Ваших поставок, тем выше цена. GOLDRAG является надежным покупателем и переработчиком, обращайтесь за консультацией и узнавайте о самых выгодных для скупки радиоэлектронных компонентах.

Силовой диод В-200

Данная цена действительна при оплате на ИП. При оплате на ООО к стоимости прибавится НДС ― 18%.

Диоды В200 — штыревые диоды, преобразовывают постоянный и переменный ток до 200А частотой до 500Гц в цепях с напряжением 200В — 1600В. Полярность диода В200 следующая — медное основание диода является катодом, гибкий вывод — анодом. Диоды В-200 собирают с охладителями при помощи резьбового соединения. Чтобы электрические потери были минимальными, а отвод тепла максимальным, при сборке следует обеспечивать необходимый закручивающий момент, так называемое усилие зажатия. Для лучшего отвода тепла диода В200 при сборке используют теплопроводящую пасту КПТ-8, что не является обязательным условием монтажа. В200 могут изготавливаться для эксплуатации в умеренном, холодном и тропическом климате. Применяются силовые диоды в качестве выпрямительных и размагничивающих диодов, для предотвращения пагубного воздействия коммутационных перенапряжений, в низковольтных выпрямителях сварочного и гальванического оборудования, в неуправляемых или полууправляемых выпрямительных мостах, а также в электрогенераторах промышленности и транспорта.

Основные технические характеристики.

Силовой диод В200
Повторяющееся импульсное обратное напряжение URRM 200-1600 В
Класс по напряжению URRM/100 2-16
Максимально допустимый средний прямой ток (Температура корпуса) IF(AV)/(TC) 200 А (100°C)
Максимально допустимый действующий прямой ток в открытом состоянии IFRMS 320 А
Ударный прямой ток в открытом состоянии IFSM 6. 6 кА
Максимально допустимая температура перехода Tjmax 140 ºC
Импульсное прямое напряжение в открытом состоянии / импульсный прямой ток в открытом состоянии UFM/IFM 1.35/628 В/А
Пороговое напряжение диода в открытом состоянии UT(TO) 0.92 В
Динамическое сопротивление в открытом состоянии rT 0.628 мОм
Повторяющийся импульсный обратный ток в закрытом состоянии IRRM 8 мА
Защитный показатель — значение интеграла от квадрата ударного неповторяющегося импульсного прямого тока в открытом состоянии диода за время протекания i2·t 180 кА2·c
Тепловое сопротивление переход — корпус Rth(j-c) 0.13 ºC/Вт
Усилие зажатия Md 50 Нм
Масса W 0.460 кг
Рекомендуемые охладители О171

Делаем доставку по городам и регионам: Москва, Тверь, Тула, Брянск, Липецк, Смоленск, Нижний Новгород, Ярославль, Вологда, Санкт-Петербург, Петрозаводск, Казань, Ульяновск, Пенза, Самара, Саратов, Волгоград, Ростов-на-Дону, Краснодар, Ставрополь, Владикавказ, Махачкала, Уфа, Оренбург, Челябинск, Мурманск, Салехард, Ханты-Мансийск, Омск, Тюмень, Барнаул, Абакан, Красноярск, Иркутск, Чита, Хабаровск, Владивосток, Майкоп, Улан-Удэ, Горно-Алтайск, Назрань, Нальчик, Элиста, Черкесск, Петрозаводск, Сыктывкар, Йошкар-Ола, Саранск, Якутск, Казань, Кызыл, Ижевск, Чебоксары, Благовещенск, Архангельск, Астрахань, Белгород, Владимир, Воронеж, Иваново, Калининград, Калуга, Петропавловск-Камчатский, Кемерово, Киров, Кострома, Курган, Курск, Магадан, Великий Новгород, Новосибирск, Орел, Пермь, Псков, Рязань, Южно-Сахалинск, Екатеринбург, Тамбов, Томск, Анадырь и т. д.

Характеристики диода

- Диодные и диодные схемы

Мы в девятой главе, а в девятой мы рассмотрим диоды и диодные схемы. Диоды - это первое применение полупроводников, которое мы рассмотрим. Первое, что мы хотим сделать, это посмотреть характеристики диодов.

Характеристики диода

Диод - это просто PN переход, но он широко применяется в электронных схемах. Три важных характеристики диода - это, прежде всего, прямое падение напряжения.При прямом смещении это должно быть около 0,7 вольт. Затем происходит обратное падение напряжения. И наоборот, когда мы смещаем диод в обратном направлении, обедненный слой расширяется, и обычно приложенные напряжения ощущаются на диоде. Затем возникает обратное напряжение пробоя. Обратное падение напряжения, которое приведет к обратному течению тока и в большинстве случаев разрушит диод.

Диодные элементы

Диод имеет два вывода, подключенных к внешней цепи. Здесь у нас есть маленький диод, и это будут два вывода.Поскольку диод ведет себя по-разному в зависимости от прямого или обратного смещения, очень важно иметь возможность различать выводы. Анод соединяется с материалом p-типа, это будет анод прямо здесь, он соединяется с материалом p. Катод подключается к материалу n-типа прямо здесь. Когда вы видите диод, на нем обычно есть цветная полоса, и цветная полоса указывает конец, который является катодом. Один из способов запомнить обозначение здесь - стрелка всегда указывает на конечный материал.Здесь будет материал p, а стрелка укажет на конечный материал, который будет катодом.

Идеальные диоды

В идеальном диоде ток свободно течет через устройство при прямом смещении, не имея сопротивления. В идеале это должно произойти или то, что мы хотели бы, но это не то, что произойдет. В идеальном диоде при прямом смещении на нем не было бы падения напряжения. Все напряжения источника будут падать на резисторы цепи.На диоде не будет падения напряжения; все напряжение источника будет приложено к резисторам цепи. В идеальном диоде при обратном смещении он имел бы бесконечное сопротивление, вызывая нулевой ток.

Практические диоды

Теперь практические диоды, это то, что вы на самом деле увидите, практичный диод действительно оказывает некоторое сопротивление току при прямом смещении. Поскольку имеется некоторое сопротивление, при прохождении тока через диод прямого смещения будет рассеиваться некоторая мощность.Следовательно, существует практический предел силы тока, который диод может проводить без повреждений.

Диод обратного смещения имеет очень высокое сопротивление. Избыточное обратное смещение может вызвать проводимость диода.

Практическое смещение диода в прямом направлении

Вот и ситуация; приложенное напряжение менее 0,7 вольт. Теперь не забудьте направить смещение на диод, который мы должны были подключить более чем на 0,7 вольт, при менее 0,7 вольта мы не сможем преодолеть барьерный потенциал, и это будет действовать как разомкнутый, и не будет падения напряжения схема.Здесь у нас то же самое, только мы увеличили напряжение до пяти вольт и теперь достаточно прямого смещения этого диода. Обратите внимание, здесь опускается 0,7, здесь падает оставшееся напряжение, 4,3, так что это наши 4,3 плюс семь равняется нашим пяти вольтам. Если бы здесь была составляющая 1 кОм, а затем 4,3, разделенная на 1 кОм, мы получили бы 4,3 миллиампера тока через этот резистор и через диод. В данном случае мы увеличили напряжение до 25 вольт. Теперь обратите внимание на то, что здесь показано падение напряжения.8 вольт, в идеале, мы бы сказали, что это 0,7. В этом случае, опять же, если бы оно было 1 кОм, то у нас было бы 24,2 миллиампера тока в этой цепи. В диоде есть внутреннее сопротивление, поэтому при увеличении тока вы увидите, что падение напряжения немного увеличится, но обычно мы говорим, что оно составляет 0,7.

В некоторых случаях я видел выпрямленные диоды, у которых падение напряжения достигает одного вольта, а иногда может достигать 1,2. Это необычно; обычно мы так считаем.7 вольт.

Обратное смещение

Теперь у нас есть конец диода, поэтому он имеет обратное смещение. Обратите внимание, что катод подключен к положительному источнику питания. Помните, что n материала здесь со всеми электронами будет притягиваться таким образом, и мы собираемся увеличить эту область истощения, конденсатор и диод, чтобы они выглядели открытыми. На диоде будут ощущаться 10 вольт, и это состояние обратного смещения. В этой ситуации мы просто увеличили напряжение.Такое же состояние существует, за исключением того, что область истощения, вероятно, немного шире, и здесь чувствуется приложенное напряжение, и в цепи нет тока.

Превышение напряжения пробоя

Теперь здесь приложенное напряжение больше, чем напряжение пробоя. Мы не знаем, какое напряжение пробоя у этого диода, но оно больше. Что произойдет в этот момент, так это то, что, несмотря на то, что это обратное смещение, ток будет принудительно протекать через это устройство.Устройство фактически выходит из строя, и через него должен был пройти ток, равный приложенному напряжению за вычетом любого падения на этом устройстве. Обычно это повреждает диод.

Зависимость тока от напряжения

В практическом диоде прямой ток очень мал, пока не будет достигнуто напряжение барьера. При обратном смещении протекает только небольшой ток, пока обратное напряжение меньше напряжения пробоя устройства. Что у нас есть, у нас есть кривая зависимости тока от напряжения для практического диода.Это довольно типично для диодов. Вы видите, что все основные диоды выглядят так. Есть и другие диоды, диоды специального назначения будут немного отличаться от этого, но это кривая, которую вы обычно видите в диоде. Здесь будет изменяться значение напряжения пробоя. Что это значит? Что ж, здесь у нас есть напряжение колена, напряжение барьера и напряжение колена ... Помните, здесь мы изображаем напряжение, идущее в этом направлении. Это будет прямое напряжение, а затем обратное напряжение, указывающее на обратное смещение.Напряжение в условиях прямого смещения обычно составляет 0,7 В, а затем мы строим график тока, идя в этом направлении. Теперь вы видите, что эта кривая не прямая, а плавная. 0,7 В на диод начинает проводить, а затем мы получаем то, что мы называем прямым током.

По мере того, как напряжение растет, я думаю, мы изобразили на графике пять вольт, и, вероятно, у нас будет ток примерно здесь, а затем мы сделали 25 вольт и сказали, что у нас было около 0,8 вольт, но вы поймете идею, если мы возьмем это и спустились сюда посмотрим, наверное, это будет примерно о.8 в этом конкретном случае. В любом случае, прямое напряжение обычно составляет 0,7, а затем, в зависимости от того, сколько тока проходит через него, вы можете увидеть немного повышенное значение около 0,7. Теперь, когда мы обратим смещение диода, вы увидите, что ток практически равен нулю, а в идеале он должен быть равен нулю, но будет небольшая утечка. По большей части у вас есть; мы смотрим на отсутствие тока вообще. С другой стороны, мы будем видеть это состояние до тех пор, пока не достигнем точки пробоя.В точке пробоя мы увидим выброс тока, идущий в другом направлении против нормального пути тока диода, и снова, вероятно, это означает разрушение диода.

На этом мы завершаем наше введение в характеристики диодов, и мы рассмотрели последний слайд, на котором мы рассмотрели кривую зависимости тока от напряжения диода для тока и напряжения. Мы также рассмотрели напряжение пробоя, и мы рассмотрели несколько различных условий обратного смещения, а также некоторые условия прямого смещения.Мы поговорили о нем, посмотрим, где это было, мы поговорили о практических диодах, идеальных диодах… ах, вот и они. Мы рассмотрели диодные элементы и на этом завершили рассмотрение характеристик диодов.

Видеолекции, созданные Тимом Фигенбаумом в Общественном колледже Северного Сиэтла.

10 А, 200 В, сверхбыстрый диод

% PDF-1. 4 % 1 0 объект > эндобдж 5 0 obj > эндобдж 2 0 obj > эндобдж 3 0 obj > эндобдж 4 0 объект > поток application / pdf

  • zbgc8c
  • FFPF10UP20S - 10 А, 200 В, сверхбыстрый диод
  • FFPF10UP20S - сверхбыстрый диод с низким прямым падением напряжения и надежной UIS-характеристикой.Это устройство предназначено для использования в качестве обратных и ограничивающих диодов в различных импульсных источниках питания и других приложениях для переключения мощности. Он особенно подходит для использования в импульсных источниках питания и промышленных приложениях в качестве сварочных аппаратов и ИБП.
  • 2019-03-08T12: 43: 37 + 01: 00BroadVision, Inc.2019-03-08T12: 50: 38 + 01: 002019-03-08T12: 50: 38 + 01: 00Acrobat Distiller 18.0 (Windows) uuid: 4c764989- 1d04-4c88-94a0-7bcda932bc38uuid: 40779118-faca-4adf-a910-b764c5b29864 конечный поток эндобдж 6 0 obj > эндобдж 7 0 объект > эндобдж 8 0 объект > эндобдж 9 0 объект > эндобдж 10 0 obj > эндобдж 11 0 объект > эндобдж 12 0 объект > эндобдж 13 0 объект > эндобдж 14 0 объект > эндобдж 15 0 объект > эндобдж 16 0 объект > поток HtUMo6zԯT $ IC, ڢ ^ d ۦ {P $ Bl # I ٱ (؂ 03 {& (| B ܽ3 XXB (~ HC LA ׉0 uEBʼnRCΈ2L @ N (,! I) YUZcoyJE07ͮ {o8F ޿ sR3qd '. d / Xk> OzR% ȓ (?: + cdԍZTmOr

    Траншейный диод Шоттки, 200 мА, 30 В

    % PDF-1.4 % 1 0 объект > эндобдж 5 0 obj / Title (NSR02301 - диод Шоттки на основе траншеи, 200 мА, 30 В) >> эндобдж 2 0 obj > эндобдж 3 0 obj > поток Acrobat Distiller 20.0 (Windows) BroadVision, Inc.2020-12-14T10: 13: 54 + 08: 002020-10-13T12: 40: 42-07: 002020-12-14T10: 13: 54 + 08: 00application / pdf

  • NSR02301 - Траншейный диод Шоттки, 200 мА, 30 В
  • ОН Полупроводник
  • Эти диоды Тренча-Шоттки оптимизированы для низкого прямого падение напряжения и низкий ток утечки, что обеспечивает наиболее оптимальный рассеиваемая мощность в приложениях.Они размещены в компактном корпусе. Микроупаковка идеально подходит для приложений с ограниченным пространством.
  • uuid: bb4bf502-9b77-488f-9cbb-24926276e3bfuid: e1514440-95be-49ca-a9d2-471b1d52e699 конечный поток эндобдж 4 0 объект > эндобдж 6 0 obj > эндобдж 7 0 объект > эндобдж 8 0 объект > эндобдж 9 0 объект > эндобдж 10 0 obj > эндобдж 11 0 объект > эндобдж 12 0 объект > эндобдж 13 0 объект > эндобдж 14 0 объект > поток HDT [o0ȯ805m | c & mZek6 iK (. {\ frac {q V} {n k T}} - 1 \ right) $$

    где:
    n = коэффициент идеальности, число от 1 до 2, которое обычно увеличивается при уменьшении тока.

    Уравнение диода показано на интерактивном графике ниже. Измените ток насыщения и наблюдайте за изменением ВАХ. Обратите внимание, что, хотя вы можете просто изменять температуру и коэффициент идеальности, полученные кривые IV вводят в заблуждение. При моделировании подразумевается, что входные параметры независимы, но это не так. В реальных устройствах ток насыщения сильно зависит от температуры устройства. Аналогичным образом механизмы, изменяющие коэффициент идеальности, также влияют на ток насыщения.Температурные эффекты обсуждаются более подробно на странице «Влияние температуры».

    Изменение тока темнового насыщения изменяет напряжение включения диода. Фактор идеальности изменяет форму диода. График не соответствует фактору идеальности. Это означает, что увеличение коэффициента идеальности увеличит напряжение включения. На самом деле это не так, поскольку любой физический эффект, увеличивающий коэффициент идеальности, существенно увеличивает ток темнового насыщения, I 0 , так что устройство с высоким коэффициентом идеальности обычно будет иметь более низкое напряжение включения.

    Диодный закон для кремния показан на следующем рисунке. Повышение температуры заставляет диод «включаться» при более низких напряжениях.

    Диодный закон для кремния - ток изменяется в зависимости от напряжения и температуры. При заданном токе кривая сдвигается примерно на 2 мВ / ° C. Голубая кривая показывает влияние на ВАХ, если I 0 не изменяется с температурой. На самом деле I 0 быстро меняется с температурой, что приводит к синей кривой.

    Характеристики диода

    - динамическое сопротивление, время перехода

    В этом руководстве мы узнаем о некоторых важных характеристиках диода. Изучив эти характеристики диода, вы лучше поймете принцип работы диода в целом.

    Характеристики часто используемых диодов

    Некоторые из часто используемых характеристик диодов приведены ниже.

    • Уравнение тока
    • Сопротивление постоянному току
    • Сопротивление переменному току
    • Переходная емкость
    • Диффузионная емкость
    • Время хранения
    • Время перехода
    • Время восстановления

    Теперь мы увидим немного больше об этих характеристиках диодов в краткий.

    Уравнение тока диода

    Диод с PN-переходом широко известен тем, что пропускает электрический ток только в одном направлении. Величина тока, протекающего через диод с PN-переходом, в значительной степени зависит от типа используемого материала, а также от концентрации легирования при изготовлении диода с PN-переходом.

    Основная причина протекания тока связана с генерацией или рекомбинацией основных носителей заряда в структуре диода с PN переходом.

    У нас будет три области, ответственные за протекание тока основных носителей заряда. Эти области представляют собой квазинейтральную P-область, обедненную область, квазинейтральную N-область. Область квазинейтрального P - типа - это расстояние между краем обедненной области и краем диода на P - стороне.

    Область квазинейтрального N - типа - это расстояние между краем обедненной области и краем диода на N - стороне. Для предположения это разделительное расстояние бесконечно.Концентрация носителей заряда не изменится по мере приближения к границам диода. В квазинейтральной области электрического поля не будет.

    Δn p (x → -∞) = 0

    Δp n (x → + ∞) = 0

    Ток диода в прямом смещении обусловлен рекомбинацией основных носителей заряда . Рекомбинация носителей заряда происходит либо в квазинейтральных областях P - типа, либо в N - типах, в обедненной области или на омических контактах i.е., на контакте металла и полупроводника.

    Ток в обратном смещении возникает из-за генерации носителей заряда. Этот тип процесса генерации носителей заряда дополнительно увеличивает ток как в прямом, так и в обратном смещении.

    Протекание тока в диоде с PN-переходом определяется плотностью носителей заряда, электрическим полем в структуре диода с PN-переходом и энергиями квазиуровня Ферми P-типа и N-типа. Плотность носителей и электрическое поле используются для определения тока дрейфа и диффузионного тока PN-диода.

    Предполагается, что энергии квазиуровней Ферми электронов и дырок в области обеднения и в квазинейтральных областях N-типа и P примерно равны при получении аналитического решения.

    Если предположить, что уровни энергии Ферми постоянны в обедненной области, плотность неосновных носителей заряда на границе обедненной области будет следующей:

    При отсутствии внешнего напряжения состояние теплового равновесия достигается по приведенным выше уравнениям.Расстояние между уровнями Ферми увеличивается с увеличением внешнего приложенного напряжения. Это внешнее напряжение умножается на заряд электрона.

    Избыточные носители заряда, присутствующие в любой из квазиобластей, рекомбинируют сразу же, когда достигают контакта металл-полупроводник. Процесс рекомбинации происходит быстро на омическом контакте и дополнительно усиливается в присутствии металла. Поэтому допустимые граничные условия могут быть сформулированы следующим образом:

    p n (x = w n ) = p n0

    n p (x = -w p ) = n p0

    Рассмотрим уравнение диффузионного тока как для квазинейтральных областей N - типа, так и для P - типа, выражение для тока идеального диода будет получено с использованием граничных условий к рассматриваемому уравнению диффузионного тока.

    Преобразование приведенных выше уравнений в гиперболические функции, переписывание приведенных выше уравнений как

    p n (x≥x n ) = p n0 + A cosh {(xx n ) / L p } + B sinh {(xx n ) / L p }

    n p (x ≤ -x p ) = n p0 + C cosh {(x + x p ) / L n } + D sinh {(x + x p ) / L n }

    Здесь A, B, C и D - постоянные значения, которые необходимо определить. Если к приведенным выше гиперболическим уравнениям применить граничные условия, то мы будем иметь

    , где ширина квазинейтральной области N - типа и P - типа задается как

    n = w n - x n

    p = w p - x p

    Плотность тока носителей заряда в каждой квазинейтральной области рассчитывается из уравнения диффузионного тока как

    . величина электрического тока, протекающего по всей структуре диода с PN-переходом, всегда должна быть постоянной, потому что никакой заряд не может исчезнуть или накапливаться во всей структуре диода.

    Следовательно, полный ток через диод равен сумме максимального дырочного тока в n-области, максимального электронного тока в p-области и тока из-за рекомбинации носителей заряда в обедненной области. Максимальные токи в квазинейтральных областях возникают по бокам от обедненной области.

    Постоянное или статическое сопротивление

    Статическое сопротивление или сопротивление постоянному току диода с PN переходом определяет резистивную природу диода, когда к нему подключен источник постоянного тока.Если внешнее постоянное напряжение подается на схему, в которую входит полупроводниковый диод, это приводит к появлению точки Q или рабочей точки на характеристической кривой диода с PN переходом, которая не изменяется со временем.

    Статическое сопротивление в изгибе кривой и ниже ее будет намного больше, чем значения сопротивления участка вертикального подъема характеристической кривой. Минимум - это ток, проходящий через диод, максимум - это уровень сопротивления постоянному току.

    R DC = V DC / I DC

    Сопротивление переменному току или динамическое сопротивление

    Динамическое сопротивление вычисляется по уравнению диода Шокли.Он определяет резистивную природу диода, когда к нему подключен источник переменного тока, который зависит от поляризации постоянного тока диода с PN переходом.

    Если на схему, состоящую из диода, подается внешний синусоидальный сигнал, изменяющийся вход немного сместит мгновенную точку Q относительно текущего положения в характеристиках и, следовательно, определит определенное изменение напряжения и тока.

    Когда внешний переменный сигнал не подается, рабочей точкой будет точка Q (или точка покоя), которая определяется уровнями подаваемого сигнала постоянного тока.Сопротивление диода переменному току увеличивается за счет понижения точки Q срабатывания. Короче говоря, это эквивалентно наклону напряжение-ток PN-диода.

    r d = ΔV d / ΔI d

    Среднее сопротивление переменному току

    Если входного сигнала достаточно для создания большого колебания, тогда сопротивление, связанное с диодом для эта область называется средним сопротивлением переменного тока. Он определяется прямой линией, соединяющей точку пересечения минимального и максимального значений внешнего входного напряжения.

    R avg = (ΔV d / ΔI d ) pt to pt

    Переходная емкость

    Переходная емкость также может быть названа емкостью обедненного слоя или емкостью пространственного заряда. Это в основном наблюдается в конфигурации с обратным смещением, где области P-типа и N-типа имеют более низкое сопротивление, а обедненный слой может действовать как диэлектрическая среда.

    Этот тип емкости возникает из-за изменений внешнего напряжения, при которых неподвижные заряды изменяются на краях слоя обедненной области.Это зависит от диэлектрической проницаемости и ширины обедненного слоя. Если ширина обедненного слоя увеличивается, переходная емкость уменьшается.

    C T = ε с / w = √ {[qε с /2 (ϕ i - V D )] [N a N d / (N a + N d )]}

    Диффузионная емкость

    Диффузионная емкость также может быть названа как накопительная емкость, которая в основном наблюдается в конфигурации с прямым смещением. Это емкость, вызванная переносом носителей заряда между двумя выводами диода, то есть от анода к катоду в конфигурации с прямым смещением диода с PN переходом.

    Если позволить электрическому току проходить через полупроводниковое устройство, в какой-то момент на нем будет образовываться заряд. В случае, если приложенное внешнее напряжение и ток изменятся на другое значение, при передаче будет создаваться другое количество заряда.

    Отношение переходного заряда, созданного к дифференциальному изменению напряжения, будет диффузионной емкостью. Если уровень тока увеличивается, уровни диффузионной емкости автоматически увеличиваются.

    Повышенные уровни тока приведут к снижению уровней сопутствующего сопротивления, а также постоянной времени, что важно в высокоскоростных приложениях. Значение диффузионной емкости намного больше, чем значение переходной емкости, и оно прямо пропорционально величине постоянного тока.

    C diff = dQ / dV = [dI (V) / dV] Γ F

    Время хранения

    Диод с PN-переходом действует как идеальный проводник в конфигурации с прямым смещением и действует как идеальный изолятор в конфигурации с обратным смещением. Во время переключения из состояния прямого смещения в обратное поток тока переключается и остается постоянным на том же уровне. Это время, в течение которого ток меняет направление и поддерживает постоянный уровень, называется временем хранения (T с ).

    Время, необходимое электронам, чтобы перейти от P-типа обратно к N-типу, и дыркам, чтобы перейти от N-типа обратно к P-типу, является временем хранения. Это значение можно определить по геометрии PN-перехода. В течение этого времени хранения диод ведет себя как короткое замыкание.

    Время перехода

    Время понижения тока до значения обратного тока утечки после того, как он остается на постоянном уровне, называется временем перехода. Обозначается, поскольку значение времени перехода определяется геометрией PN перехода и концентрацией уровней легирования материалов P - типа и N - типа.

    Время обратного восстановления

    Сумма времени хранения и времени перехода называется временем обратного восстановления. Это время, необходимое диоду для повышения подаваемого токового сигнала до 10% от значения постоянного состояния от обратного тока утечки. Значение времени обратного восстановления для диода с PN переходом обычно составляет порядка микросекунд.

    Его значение для широко используемого диодного выпрямителя с малым сигналом 1N4148 обычно составляет 4 нс, а для выпрямительного диода общего назначения - 2 мкс.Высокая скорость переключения может быть достигнута за счет высокого значения обратных токов утечки и высоких падений прямого напряжения. Обозначается T rr .

    Datasheet Analysis

    Summary

    Здесь представлен краткий обзор различных характеристик диодов.

    ПРЕДЫДУЩИЙ - PN ДИОД ПЕРЕХОДА

    СЛЕДУЮЩИЙ - ТИПЫ ДИОДОВ

    Цепи стабилитронов, характеристики, расчеты

    Стабилитроны - названы в честь своего изобретателя д-ра Д.Carl Zener в основном используются в электронных схемах для генерации точных опорных напряжений. Это устройства, которые могут создавать практически постоянное напряжение на них независимо от изменений в схемах и напряжениях.

    Внешне вы можете найти стабилитроны, очень похожие на стандартные диоды, такие как 1N4148. Стабилитроны также работают, преобразуя переменный ток в пульсирующий постоянный ток, как и их традиционные альтернативы. Однако, в отличие от стандартных выпрямительных диодов, стабилитроны сконфигурированы так, что их катод напрямую соединен с плюсом источника питания, а анод - с отрицательным источником питания.

    Характеристики

    В стандартной конфигурации стабилитроны демонстрируют высокое сопротивление ниже определенного критического напряжения (известного как напряжение Зериера). Когда это конкретное критическое напряжение превышается, активное сопротивление стабилитрона падает до чрезвычайно низкого уровня.

    И при этом низком значении сопротивления эффективное постоянное напряжение поддерживается на стабилитронах, и можно ожидать, что это постоянное напряжение будет сохраняться независимо от любого изменения тока источника.

    Проще говоря, всякий раз, когда напряжение на стабилитроне превышает номинальное значение стабилитрона, стабилитрон проводит и заземляет избыточное напряжение. Из-за этого напряжение падает ниже напряжения стабилитрона, которое отключает стабилитрон, и источник питания снова пытается превысить напряжение стабилитрона, снова включая стабилитрон. Этот цикл быстро повторяется, что в конечном итоге приводит к стабилизации выхода точно на постоянном значении напряжения стабилитрона.

    Эта характеристика графически выделена на рисунке ниже, который показывает, что выше «напряжения стабилитрона» обратное напряжение остается почти постоянным даже при изменении обратного тока.В результате диоды Зенера часто используются для получения капли постоянного напряжения или опорного напряжения, с их внутренним сопротивлением.

    Стабилитроны разработаны с различной мощностью и номинальным напряжением от 2,7 до 200 вольт. (Однако в большинстве случаев стабилитроны со значениями намного выше 30 В почти никогда не используются.)

    Работа базовой схемы стабилитрона

    Стандартная схема стабилизатора напряжения, использующая один резистор и стабилитрон, показана на следующем изображении.Предположим, что значение стабилитрона составляет 4,7 В, а напряжение питания V in равно 8,0 В.

    Основную работу стабилитрона можно объяснить следующими моментами:

    При отсутствии нагрузки на цепи. На выходе стабилитрона можно увидеть падение напряжения 4,7 В на стабилитроне, в то время как на резисторе R создается отсечка 2,4 Вольт. приведет к тому, что падение напряжения на стабилитроне останется на уровне 4.7 В.

    Однако можно было заметить, что падение напряжения на резисторе R увеличилось с 2,4 В до 3,4 В.

    Можно ожидать, что падение напряжения на идеальном стабилитроне будет довольно постоянным. На практике вы можете обнаружить, что напряжение на стабилитроне немного увеличивается из-за динамического сопротивления стабилитрона.

    Процедура, посредством которой вычисляется изменение напряжения стабилитрона, заключается в умножении динамического сопротивления стабилитрона на изменение тока стабилитрона.

    Резистор R1 в приведенной выше базовой конструкции регулятора символизирует предпочтительную нагрузку, которая может быть подключена к стабилитрону.R1 в этой связи будет потреблять определенное количество тока, проходящего через стабилитрон.

    Поскольку ток в Rs будет выше, чем ток, поступающий в нагрузку, некоторое количество тока будет продолжать проходить через стабилитрон, обеспечивая совершенно постоянное напряжение на стабилитроне и нагрузке.

    Указанный последовательный резистор Rs должен быть определен таким образом, чтобы наименьший ток, входящий в стабилитрон, всегда был выше минимального уровня, указанного для стабильного регулирования от стабилитрона.Этот уровень начинается сразу под «изломом» кривой обратного напряжения / обратного тока, как показано на предыдущей графической диаграмме выше.

    Вы должны дополнительно убедиться, что выбор Rs гарантирует, что ток, проходящий через стабилитрон, никогда не выходит за пределы его номинальной мощности: которая может быть эквивалентна напряжению стабилитрона x току стабилитрона. Это наибольшая величина тока, которая может пройти через стабилитрон при отсутствии нагрузки R1.

    Как рассчитать стабилитроны

    Спроектировать базовую схему стабилитрона на самом деле просто и можно реализовать с помощью следующих инструкций:

    1. Определите максимальный и минимальный ток нагрузки (Li), например 10 мА и 0 мА.
    2. Определите максимальное возможное напряжение питания, например уровень 12 В, при этом убедитесь, что минимальное напряжение питания всегда равно 1,5 В + Vz (номинальное напряжение стабилитрона).
    3. Как указано в базовой конструкции регулятора, требуемое выходное напряжение, которое эквивалентно напряжению стабилитрона Vz = 4,7 В, и выбранный наименьший ток стабилитрона составляет 100 мкА . Это означает, что максимальный предполагаемый ток стабилитрона здесь составляет 100 микроампер плюс 10 миллиампер, что составляет 10.1 миллиампер.
    4. Последовательный резистор Rs должен допускать минимальную величину тока 10,1 мА, даже если входное напряжение является самым низким заданным уровнем, который на 1,5 В выше, чем выбранное значение стабилитрона Vz, и может быть рассчитано с использованием закона Ома как: Rs = 1,5 / 10,1 x 10 -3 = 148,5 Ом. Ближайшее стандартное значение составляет 150 Ом, поэтому Rs может составлять 150 Ом.
    5. Если напряжение питания повышается до 12 В, падение напряжения на Rs будет Iz x Rs, где Iz = ток через стабилитрон.Следовательно, применяя закон Ома, мы получаем Iz = 12 - 4,7 / 150 = 48,66 мА
    6. Выше указан максимальный ток, который может пройти через стабилитрон. Другими словами, максимальный ток, который может протекать при максимальной выходной нагрузке или максимальном заданном входном напряжении питания. В этих условиях стабилитрон будет рассеивать мощность Iz x Vz = 48,66 x 4,7 = 228 мВт. Ближайшее стандартное значение номинальной мощности для этого составляет 400 мВт.

    Влияние температуры на стабилитроны

    Наряду с параметрами напряжения и нагрузки стабилитроны также довольно устойчивы к колебаниям температуры вокруг них.Однако, в некоторой степени, температура может оказывать некоторое влияние на устройство, как показано на графике ниже:

    Он показывает кривую температурного коэффициента стабилитрона. Хотя при более высоких напряжениях кривая коэффициента соответствует примерно 0,1% на градус Цельсия, она проходит через ноль при 5 В, а затем становится отрицательной для более низких уровней напряжения. В конце концов он достигает -0,04% на градус Цельсия при напряжении около 3,5 В.

    Использование стабилитрона в качестве датчика температуры

    Одним из хороших способов использования чувствительности стабилитрона к изменению температуры является применение устройства в качестве датчика температуры, как показано ниже. диаграмма

    На схеме показана мостовая схема, построенная с использованием пары резисторов и пары стабилитронов с идентичными характеристиками.Один из стабилитроны работает как генератор опорного напряжения, а другой стабилитрон используется для восприятия изменений в уровнях температуры.

    Стандартный стабилитрон 10 В может иметь температурный коэффициент + 0,07% / ° C, что может соответствовать изменению температуры 7 мВ / ° C. Это создаст дисбаланс около 7 мВ между двумя плечами моста на каждый градус Цельсия изменения температуры. Измеритель полной шкалы FSD на 50 мВ можно использовать в указанном положении для отображения соответствующих показаний температуры.

    Настройка значения стабилитрона

    Для некоторых схемных приложений может потребоваться точное значение стабилитрона, которое может быть нестандартным или недоступным.

    Для таких случаев может быть создан массив стабилитронов, который затем может быть использован для получения желаемого настраиваемого значения стабилитрона, как показано ниже:

    В этом примере многие настраиваемые нестандартные значения стабилитрона могут быть получены в различных клеммы, как описано в следующем списке:

    Вы можете использовать другие значения в указанных позициях для получения множества других настраиваемых наборов выходных стабилитронов

    Стабилитроны с питанием переменного тока

    Стабилитроны

    обычно используются с источниками постоянного тока, однако устройства также могут быть разработаны для работы с источниками переменного тока.Некоторые применения стабилитронов переменного тока включают аудио, радиочастотные схемы и другие формы систем управления переменным током.

    Как показано в приведенном ниже примере, когда источник переменного тока используется с стабилитроном, стабилитрон мгновенно будет проводить, как только сигнал переменного тока перейдет от нуля к отрицательной половине своего цикла. Поскольку сигнал отрицательный, переменный ток будет закорочен через анод на катод стабилитрона, в результате чего на выходе появится 0 В.

    Когда источник переменного тока проходит через положительную половину цикла, стабилитрон не проводит ток, пока переменный ток не поднимется до уровня напряжения стабилитрона.Когда сигнал переменного тока пересекает напряжение стабилитрона, стабилитрон проводит и стабилизирует выходной сигнал до уровня 4,7 В, пока цикл переменного тока не упадет обратно до нуля.

    Помните, что при использовании стабилитрона с входом переменного тока убедитесь, что Rs рассчитывается в соответствии с пиковым напряжением переменного тока.

    В приведенном выше примере выход не симметричный, а пульсирующий 4,7 В постоянного тока. Чтобы получить на выходе симметричное 4,7 В переменного тока, можно подключить два стабилитрона, как показано на схеме ниже

    Подавление шума стабилитрона

    Хотя стабилитроны обеспечивают быстрый и простой способ создания стабилизированных выходов с фиксированным напряжением. , у него есть один недостаток, который может повлиять на чувствительные звуковые цепи, такие как усилители мощности.

    Стабилитроны создают шум во время работы из-за лавинного эффекта перехода при переключении в диапазоне от 10 мкВ до 1 мВ. Это можно подавить, добавив конденсатор параллельно стабилитрону, как показано ниже:

    Емкость конденсатора может быть между 0,01 мкФ и 0,1 мкФ, что позволит подавить шум в 10 раз и будет поддерживать наилучшая стабилизация напряжения.

    На следующем графике показано влияние конденсатора на снижение шума стабилитрона.

    Использование стабилитрона для фильтрации пульсаций напряжения

    Стабилитроны могут также применяться в качестве эффективных фильтров пульсаций напряжения, так же как они используются для стабилизации переменного напряжения.

    Благодаря чрезвычайно низкому динамическому импедансу стабилитроны могут работать как фильтр пульсаций точно так же, как и конденсатор фильтра.

    Очень впечатляющую фильтрацию пульсаций можно получить, подключив стабилитрон через нагрузку к любому источнику постоянного тока. Здесь напряжение должно быть таким же, как и уровень пульсации.

    В большинстве схемных приложений он может работать так же эффективно, как и типичный сглаживающий конденсатор емкостью несколько тысяч микрофарад, что приводит к значительному снижению уровня пульсаций напряжения, накладываемого на выход постоянного тока.

    Как увеличить допустимую мощность стабилитрона

    Простой способ увеличить допустимую мощность стабилитрона, вероятно, состоит в том, чтобы просто подключить их параллельно, как показано ниже:

    Однако на практике это может быть не так просто, как кажется, и может работать не так, как задумано.Это связано с тем, что, как и любое другое полупроводниковое устройство, стабилитроны также никогда не имеют точно идентичных характеристик, поэтому один из стабилитронов может проводить перед другим, протягивая через себя весь ток, в конечном итоге разрушаясь.

    Быстрый способ решения этой проблемы может заключаться в добавлении последовательных резисторов низкого номинала к каждому стабилитрону, как показано ниже, что позволит каждому стабилитрону равномерно распределять ток за счет компенсации падений напряжения, создаваемых резисторами R1 и R2:

    Несмотря на то, Пропускную способность мощность может быть увеличена путем подключения стабилитронов параллельно, значительно улучшен подход может быть, чтобы добавить шунтирующий BJT в сочетании с стабилитроном сконфигурирован в качестве опорного источника.См. Следующий пример схемы.

    Добавление шунтирующего транзистора не только увеличивает пропускную способность стабилитрона в 10 раз, но и дополнительно улучшает уровень стабилизации выходного напряжения, который может достигать указанного коэффициента усиления по току транзистора.

    Этот тип стабилизатора стабилитрона на шунтирующих транзисторах может быть использован в экспериментальных целях, поскольку схема имеет 100% защиту от короткого замыкания. Тем не менее, конструкция довольно неэффективна, поскольку транзистор может рассеивать значительное количество тока при отсутствии нагрузки.

    Для получения еще лучших результатов, стабилизатор с последовательным транзистором, показанный ниже, выглядит лучшим и предпочтительным вариантом.

    В этой схеме диод Зенера создает опорное напряжение для серии прохода транзистора, который, по существу, работает как эмиттерный повторитель. В результате напряжение эмиттера поддерживается в пределах нескольких десятых вольт от напряжения базы транзистора, создаваемого стабилитроном. Следовательно, транзистор работает как последовательный компонент и позволяет эффективно контролировать колебания напряжения питания.

    Теперь весь ток нагрузки проходит через этот последовательный транзистор. Пропускная способность этого типа конфигурации полностью определяется стоимостью и спецификацией транзисторов, а также зависит от эффективности и качества используемого радиатора.

    Превосходное регулирование может быть достигнуто за счет вышеупомянутой конструкции с использованием резистора 1 кОм. Регулировку можно увеличить в 10 раз, заменив нормальный стабилитрон на специальный низкодинамический стабилитрон, такой как 1N1589).

    В случае, если вы хотите, чтобы вышеуказанная схема обеспечивала регулируемый выходной сигнал с переменным напряжением, это может быть легко достигнуто с помощью потенциометра 1K на стабилитроне. Это позволяет переменное опорное напряжение, чтобы быть скорректировано на основе серии транзистора.

    Однако эта модификация может привести к снижению эффективности регулирования из-за некоторого эффекта шунтирования, создаваемого потенциометром.

    Схема стабилитрона постоянного тока

    Простой стабилизируемый стабилитроном источник постоянного тока может быть спроектирован на одном транзисторе в качестве последовательного переменного резистора.На рисунке ниже показана основная принципиальная схема.

    Здесь вы можете увидеть пару проходов схемы, один через стабилитрон, подключенный последовательно с резистором смещения, а другой путь через резисторы R1, R2 и последовательный транзистор.

    В случае отклонения тока от исходного диапазона он вызывает пропорциональное изменение уровня смещения R3, что, в свою очередь, вызывает пропорциональное увеличение или уменьшение сопротивления последовательного транзистора.

    Эта регулировка сопротивления транзистора приводит к автоматической корректировке выходного тока до желаемого уровня.Точность управления током в этой конструкции будет около +/- 10% в зависимости от выходных условий, которые могут варьироваться от короткого замыкания до нагрузки до 400 Ом.

    Схема последовательного переключения реле с использованием стабилитрона

    Если у вас есть приложение, в котором требуется последовательно переключать набор реле на выключатель питания, а не все вместе, тогда следующая конструкция может оказаться весьма удобной.

    Здесь последовательно увеличивающиеся стабилитроны устанавливаются последовательно с группой реле вместе с отдельными последовательными резисторами с малым номиналом.При включении питания стабилитроны проводят один за другим последовательно в порядке возрастания их значений стабилитрона. Это приводит к последовательному включению реле в соответствии с требованиями приложения. Значения резисторов могут составлять 10 Ом или 20 Ом в зависимости от величины сопротивления катушки реле.

    Схема стабилитрона для защиты от перенапряжения

    Благодаря их характеристикам чувствительности к напряжению, можно комбинировать стабилитроны с характеристиками чувствительных к току предохранителей для защиты критически важных компонентов схемы от скачков высокого напряжения и, кроме того, устраняя проблемы с предохранителями. частое сгорание, что может произойти, особенно когда номинал предохранителя очень близок к рабочему току схемы.

    Путем присоединения стабилитрона с правильным номиналом поперек нагрузки можно использовать предохранитель, рассчитанный на выдержку заданного тока нагрузки в течение продолжительных периодов времени. В этой ситуации предположим, что входное напряжение увеличивается до такой степени, что превышает напряжение пробоя стабилитрона - это заставит стабилитрон проводить ток. Это вызовет внезапное увеличение тока и почти мгновенно сгорит предохранитель.

    Преимущество этой схемы состоит в том, что она предотвращает частое и непредсказуемое срабатывание предохранителя из-за его близкого значения предохранителя к току нагрузки.Вместо этого предохранитель перегорает только тогда, когда напряжение и ток действительно поднимаются выше указанного опасного уровня.

    Схема защиты от пониженного напряжения с использованием стабилитрона

    Реле и правильно подобранный стабилитрон достаточно для создания точной схемы защиты от пониженного или пониженного напряжения для любого желаемого применения. Принципиальная схема представлена ​​ниже:

    Операция на самом деле очень проста, напряжение Vin, получаемое от сети трансформаторного моста, изменяется пропорционально в зависимости от изменений входного переменного тока.Это означает, что если предположить, что 220 В соответствует 12 В от трансформатора, то 180 В должно соответствовать 9,81 В и так далее. Следовательно, если предполагается, что 180 В является порогом отсечки низкого напряжения, то выбор стабилитрона в качестве устройства на 10 В отключит работу реле всякий раз, когда входной переменный ток упадет ниже 180 В.

    О Swagatam

    Я инженер-электронщик (dipIETE), любитель, изобретатель, разработчик схем / печатных плат, производитель. Я также являюсь основателем сайта: https: // www.homemade-circuits.com/, где я люблю делиться своими новаторскими идеями и руководствами по схемам.
    Если у вас есть запрос, связанный со схемой, вы можете взаимодействовать с ним через комментарии, я буду очень рад помочь!

    (PDF) Электрические свойства кремниевого диода 1N4007

    Электрические свойства кремниевого диода 1N4007

    KK Nanda

    a)

    и SN Sarangi

    b)

    Институт физики, Сачивалая Марг, Бхубанесвар 7500031005, Индия

    1005

    ~ Поступило 10 февраля 1997 г .; принята к публикации 31 марта 1997 г.!

    В случае полупроводниковых диодов диапазон температур, в котором зависимость прямого напряжения

    от температуры является линейной, может быть увеличен за счет снижения рабочего тока наряду с увеличением чувствительности

    (dV

    f

    / dT), которая изменяется логарифмически с I. Температурную

    и токовую зависимость прямого напряжения V

    f

    можно объяснить, используя теорию перехода p-n

    . Измерения емкости-напряжения (C2V) p-n-переходов выполняются при

    различных температурах и обсуждаются в свете теории p-n-перехода. Ширина запрещенной зоны

    E

    g

    , рассчитанная на основе измерений V

    f

    2 Тл, оказалась равной 1,17 эВ, тогда как она оказалась равной 1.189

    эВ по измерению C2 V. © 1997 Американский институт физики. @ S0034-6748 ~ 97! 01107-6 #

    I. ВВЕДЕНИЕ

    Прямое напряжение (В

    f

    ) полупроводникового диода равно

    , которое, как известно, увеличивается при понижении температуры.

    1

    Эта характеристика

    нашла применение при измерении

    температуры.

    2–4

    Типичная чувствительность (dV

    f

    / dT) падение напряжения -

    для кремниевых диодов выше определенной температуры T

    *

    -

    порядка 2–3 мВ / К, ниже которого прямое напряжение

    сначала быстро увеличивается, а затем постепенно с дальнейшим понижением температуры.Таким образом, потеря линейности при низких температурах

    является одной из основных проблем, с которыми сталкивается диодный термометр

    , и, следовательно, применимость ограничена из-за отсутствия у

    надежной формулы интерполяции. Было замечено, что линейность

    может быть улучшена за счет снижения рабочего тока.

    5

    Чтобы изучить это поведение более подробно, мы провели несколько измерений на 1N4003 и 1N4007 силикон-диодах

    .Здесь приведены температурные и текущие зависимости

    прямого напряжения кремниевых диодов 1N4007, а

    обсуждаются в свете теории p-n-перехода.

    Измерения емкости и емкости-напряжения - это

    , которые широко используются для определения характеристик различных полупроводниковых переходов, таких как p-n переход, переход полупроводник-металл

    и переход полупроводник-электролит. Обычно высота барьера V

    b

    определяется из графика C

    2 2

    2 V

    путем экстраполяции до нуля.

    6

    Чтобы изучить влияние температуры

    на V

    b

    , мы провели измерения напряжения емкостного сопротивления

    (C2 В) на кремниевых диодах 1N4007 на различных частотах.

    II. ДЕТАЛИ ЭКСПЕРИМЕНТА

    Измерения проводились при температуре от 10 до 300 K

    с использованием автоматизированной установки, построенной на базе холодильника замкнутого цикла Leybold

    . Детали эксперимента приводятся в другом месте

    .

    7,8

    Эпоксидная изоляция диодов была

    заземлена с одной стороны и прикреплена к месту образца с помощью лака

    GE7031. Сигаретная бумага, покрытая лаком GE7031

    , обеспечивала необходимую электрическую изоляцию. Электрические провода

    ~ изолированные медные провода! термически прикреплены к холодным деталям

    , чтобы уменьшить паразитную термоэдс. К образцу подключаются обычные четыре электрических соединения зонда

    .Стабильный постоянный ток

    подавался на диод от программируемого источника тока Keithley

    model 224/2243. Прямое напряжение

    измерялось с помощью цифрового вольтметра Keithley model 182

    . Диоды работают при постоянном токе в диапазоне от 10 нА до 200

    м

    А, при этом отслеживается изменение напряжения в зависимости от температуры

    . Эта величина тока соответствует значению ниже колена в характеристике V

    f

    2 I

    диода во всем исследованном диапазоне температур.Температура

    на участке отбора пробы контролируется с помощью откалиброванного кремниевого диодного термометра

    типа D в сочетании с контроллером температуры Ley-

    bold модели LTC60. Температура

    определяется с помощью того же кремниевого диодного термометра.

    Имеет стандартную точность измерения 6,1% или лучше -

    тер. Измерения проводились в двух сериях: от 10

    до 27 K с шагом 1 K и от 30 до 300 K с шагом 30 K

    .Было получено типичное температурное разрешение 50 мК и разрешение по напряжению

    100

    м

    В.

    Измерения C2 V проводились на различных частотах

    в интервале температур 77–351 K на самодельной установке

    . Схема установки показана на

    Рис. 1. Для измерения C2 V при низких температурах вся система

    погружается в жидкий азот ~ LN

    2

    ! для охлаждения образца

    .По мере того, как уровень LN

    2

    понижается, образец

    нагревается, и получается изменение температуры. Для температур выше комнатной ~ 298 K !, лунку

    погружают в кипящую воду и выдерживают расстояние между уровнем воды

    и образцом. Термоконтакт

    между образцом и спаем термопары

    выполнен с использованием лака GE7031. Температура контролируется с помощью хромель-константонной термопары

    , у которой один спай

    находится при температуре льда, а другой расположен рядом с образцом.

    Выходной сигнал термопары измеряется с помощью мультиметра Hewlett–

    Packard 34401A. Напряжение подавалось на образец

    от прецизионного измерителя LCR HP4284A, и емкость

    измерялась с его помощью. Уровень осциллятора

    установлен на 10 мВ для всех измерений.

    III. РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ

    A. Прямые характеристики

    Характеристики V

    f

    2 I кремниевого диода 1N4007 при 10

    K и комнатной температуре (; 298 K) показаны на рис.2. Это

    заметил, что при 10 К прямое напряжение уменьшается с

    а!

    Электронная почта: [email protected]

    б!

    Электронная почта: [email protected]

    2904 Rev. Sci. Instrum. 68 (7), июль 1997 г. 0034-6748 / 97/68 (7) /2904/5/$10.00 © 1997 American Institute of Physics

    Загружено¬01¬Apr¬2011¬to¬59.145.201.98.¬Redistribution¬subject¬ to¬AIP¬license¬or¬copyright; ¬see¬http: //rsi.

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *