Диод в25 характеристики. Характеристики и применение стабилитрона В25: обзор параметров и особенностей

Что представляет собой стабилитрон В25. Каковы основные электрические параметры этого полупроводникового прибора. Для чего применяются стабилитроны В25 в электронных схемах. Какие особенности нужно учитывать при использовании В25.

Что такое стабилитрон В25 и его основное назначение

Стабилитрон В25 представляет собой полупроводниковый диод, предназначенный для стабилизации напряжения в электронных схемах. Его основная функция — поддержание постоянного напряжения на участке цепи при изменении тока через прибор в определенных пределах.

Принцип работы стабилитрона В25 основан на использовании области электрического пробоя p-n перехода. При обратном включении и достижении напряжения пробоя, ток через стабилитрон резко возрастает, а напряжение остается практически неизменным.

Основные электрические параметры стабилитрона В25

Ключевыми характеристиками стабилитрона В25 являются:

• Напряжение стабилизации: 25 В ± 5%
• Максимальный ток стабилизации: 40 мА
• Минимальный ток стабилизации: 1 мА
• Дифференциальное сопротивление: не более 25 Ом
• Температурный коэффициент напряжения: 0,1 %/°C
• Максимальная рассеиваемая мощность: 1 Вт

Данные параметры определяют область применения и особенности использования стабилитрона В25 в электронных схемах.

Применение стабилитрона В25 в электронных устройствах

Стабилитрон В25 находит широкое применение в различных электронных устройствах для решения следующих задач:

1. Стабилизация напряжения питания маломощных узлов и каскадов
2. Ограничение амплитуды сигналов и защита от перенапряжений
3. Формирование опорного напряжения в источниках питания
4. Смещение рабочей точки активных элементов
5. Температурная компенсация в прецизионных схемах

Благодаря стабильным характеристикам, стабилитрон В25 позволяет обеспечить надежную работу электронных устройств в широком диапазоне условий.

Особенности включения стабилитрона В25 в схему

При использовании стабилитрона В25 в электронных схемах необходимо учитывать следующие особенности:

• Включение производится в обратном направлении
• Необходимо обеспечить ток через прибор в диапазоне 1-40 мА
• Требуется ограничительный резистор для защиты от перегрузки
• Рекомендуется шунтирование конденсатором для уменьшения шума
• Следует учитывать температурную зависимость напряжения стабилизации

Правильное включение стабилитрона В25 позволяет максимально эффективно использовать его свойства в схеме.

Сравнение стабилитрона В25 с другими типами стабилитронов

По сравнению с другими распространенными типами стабилитронов, В25 имеет следующие особенности:

• Среднее значение напряжения стабилизации (25 В)
• Умеренная мощность рассеивания (1 Вт)
• Хорошая температурная стабильность
• Доступность и низкая стоимость

Эти характеристики делают В25 оптимальным выбором для многих типовых применений, где не требуются предельные параметры.

Маркировка и внешний вид стабилитрона В25

Стабилитрон В25 выпускается в стеклянном корпусе цилиндрической формы. Основные особенности маркировки:

• На корпусе нанесено обозначение В25
• Полоса на корпусе указывает на катод прибора
• Цветовая маркировка отсутствует
• Типовые размеры корпуса: диаметр 2,5-3 мм, длина 5-7 мм

Правильная идентификация выводов важна для корректного включения стабилитрона В25 в схему.

Рекомендации по выбору стабилитрона В25 для конкретного применения

При выборе стабилитрона В25 для использования в электронном устройстве следует учитывать:

1. Требуемое напряжение стабилизации (должно быть близко к 25 В)
2. Максимальный ток через стабилитрон в схеме (не более 40 мА)
3. Допустимый разброс напряжения стабилизации (±5%)
4. Требования к температурной стабильности
5. Максимальную рассеиваемую мощность в схеме (до 1 Вт)

Правильный выбор параметров стабилитрона В25 обеспечит оптимальную работу устройства и длительный срок службы компонента.

Заключение по применению стабилитрона В25

Стабилитрон В25 является надежным и доступным компонентом для стабилизации напряжения в электронных схемах. Его основные преимущества:

• Стабильное напряжение 25 В
• Хорошая температурная стабильность
• Широкий диапазон рабочих токов
• Простота применения
• Невысокая стоимость

При правильном применении стабилитрон В25 обеспечивает надежную работу электронных устройств в различных условиях эксплуатации.

Покупаем на выгодных условиях: платы, радиодетали, микросхемы, АТС, приборы, лом электроники, катализаторы

Мы гарантируем Вам честные цены! Серьезный подход и добропорядочность — наше главное кредо.

Компания ООО «РадиоСкупка» (скупка радиодеталей) закупает и продает радиодетали , а также любое радиотехническое оборудование и приборы. У нас Вы сможете найти не только наиболее востребованные радиодетали, но и редкие производства СССР и стран СЭВ. Мы являемся партнером  «ФГУП НИИ Радиотехники» и накопили огромный опыт  за наши годы работы. Также многих радиолюбителей заинтересует наш уникальный справочник по содержанию драгметаллов в радиодеталях. В левом нижнем углу нашего сайта Вы сможете узнать актуальные цены на драгметаллы такие, как золото, серебро, платина, палладий (цены указаны в $ за унцию) а также текущие курсы основных валют. Работаем со всеми  городами России и география нашей работы простирается от Пскова и до Владивостока. Наш квалифицированный персонал произведет грамотную и выгодную для Вас оценку вашего оборудования, даст профессиональную консультацию любым удобным Вам способом – по почте или телефону.  Наш клиент всегда доволен!

Покупаем платы, радиодетали, приборы, АТС, катализаторы. Заинтересованы в выкупе складов с неликвидными остатками радиодеталей а также цехов под ликвидацию с оборудованием КИПиА.

Приобретаем:

• платы от приборов, компьютеров
• платы от телевизионной и бытовой техники
• микросхемы любые
• транзисторы
• конденсаторы
• разъёмы
• реле
• переключатели
• катализаторы автомобильные и промышленные
• приборы (самописцы, осциллографы, генераторы, измерители и др.)

Купим Ваши радиодетали и приборы в любом состоянии, а не только новые. Цены на сайте указаны на новые детали. Расчет стоимости б/у деталей осуществляется индивидуально в зависимости от года выпуска, состоянии, а также текущих цен Лондонской биржи металлов. Работаем почтой России, а также транспортными компаниями. Наша курьерская служба встретит и заберет Ваш груз с попутного автобуса или поезда.

Честные цены, наличный и безналичный расчет, порядочность и клиентоориентированность наше главное преимущество!

Остались вопросы – звоните 8-961-629-5257, наши менеджеры с удовольствием ответят на все Ваши вопросы. Для вопросов по посылкам: 8-900-491-6775. Почта [email protected]

С уважением, директор Александр Михайлов.

ᐈ Диод силовой В25-11 ᐈ Луцк 70 ГРН

В25-11
Диод кремниевый диффузионный.
Предназначен для работы в цепях статических преобразователей электроэнергии постоянного и переменного токов на частотах до 2 кГц.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибким выводом
Средний прямой ток — 25А
Повторяющееся импульсное обратное напряжение — 1100 В
Охлаждение воздушное естественное или принудительное.
Обозначение типономинала и полярность выводов приводятся на корпусе.
Масса диода не более 84 г.
Технические условия: ТУ 16-529.765-73.
Технические характеристики силовых низкочастотных диодов В25:

Наименование
диода
Предельные эксплуатационные параметры диодов
Значения электрических характеристик диодов
Tj

IF(AV)
URRM
URSM
URWM
UR
IFRMS
IFSM
IRRM
UFM
UTO
i2t
rT
trr
Qrr
Rthjc

А
В
В
В
В
А
кА
мА
В
В
кА2с
мОм
мкс
мкКл
°С/Вт
°C

В25-1.5
25
150
174
120
112
40
0,9
5,0
1,35
0,9
4,05
5,0
5,0
—
1,0
-60…+140

В25-2
25
200
232
160
150
40
0,9
5,0
1,35
0,9
4,05
5,0
5,0
—
1,0
-60…+140

В25-3
25
300
348
240
225
40
0,9
5,0
1,35
0,9
4,05
5,0
5,0
—
1,0
-60…+140

В25-4
25
400
464
320
300
40
0,9
5,0
1,35
0,9
4,05
5,0
5,0
—
1,0
-60…+140

В25-5
25
500
580

400
375
40
0,9
5,0
1,35
0,9
4,05
5,0
5,0
—
1,0
-60…+140

В25-6
25
600
696
480
450
40
0,9
5,0
1,35
0,9
4,05
5,0
5,0
—
1,0
-60…+140

В25-7
25
700
812
560
525
40
0,9
5,0
1,35
0,9
4,05
5,0
5,0
—
1,0
-60…+140

В25-8
25
800
928
640
600
40
0,9
5,0
1,35
0,9
4,05
5,0
5,0
—
1,0
-60…+140

В25-9
25
900
1044
720
675
40
0,9
5,0
1,35
0,9
4,05
5,0
5,0
—
1,0
-60…+140

В25-10
25
1000
1160
800
750
40
0,9
5,0
1,35
0,9
4,05
5,0
5,0
—
1,0
-60…+140

В25-11
25
1100
1276
880
825
40
0,9
5,0
1,35
0,9
4,05
5,0
5,0
—
1,0
-60…+140

В25-12
25
1200

1392
960
900
40
0,9
5,0
1,35
0,9
4,05
5,0
5,0
—
1,0
-60…+140

В25-13
25
1300
1508
1040
975
40
0,9
5,0
1,35
0,9
4,05
5,0
5,0
—
1,0
-60…+140

В25-14
25
1400
1624
1120
1050
40
0,9
5,0
1,35
0,9
4,05
5,0
5,0
—
1,0
-60…+140

В25-15
25
1500
1740
1200
1125
40
0,9
5,0
1,35
0,9
4,05
5,0
5,0
—
1,0
-60…+140

В25-16
25
1600
1856
1280
1200
40
0,9
5,0
1,35
0,9
4,05
5,0
5,0
—
1,0
-60…+140

Условные обозначения электрических параметров силовых диодов:
• IF(AV) — Максимально допустимый средний прямой ток.
• URRM — Повторяющееся импульсное обратное напряжение.
• URSM — Неповторяющееся импульсное обратное напряжение.
• URWM — Импульсное рабочее обратное напряжение.

• UR — Постоянное обратное напряжение.
• IFRMS — Максимально допустимый действующий прямой ток.
• IFSM — Ударный прямой ток.
• IRRM — Повторяющийся импульсный обратный ток.
• UFM — Импульсное прямое напряжение.
• UTO — Пороговое напряжение диода.
• i2t — Защитный показатель.
• rT — Динамическое сопротивление.
• trr — Время обратного восстановления.
• Qrr — Заряд обратного восстановления.
• Rthjc — Тепловое сопротивление переход-корпус диода.
• Tj — Температура перехода диода.

преимущества и недостатки, сферы использования

Дуговые ртутно-вольфрамовые лампы или сокращенно – ДРВ, достаточно популярны среди пользователей. Их производством занимаются крупнейшие мировые компании по производству световой техники. Сегодня мы расскажем, что представляют собой лампы этого вида, каковы их технические характеристики и особенности применения. Также подробно рассмотрим технические особенности изделия ДРВ 250.

Конструктивные особенности лампы ДРВ

Лампа ДРВ в плане конструкции представляет собой разрядную ртутную горелку, такую же, как и в модели типа ДРЛ. Ее строение такое:

• в колбе конструкции дополнительно последовательно с горелкой встроена специальная вольфрамовая спираль;
• эта спираль находится в аргоновой среде во внешней колбе;
• спираль выполняет функции токоограничивающего элемента для горелки.

Благодаря такому строению модель данного типа не нуждается во внешней пускорегулирующей аппаратуре и ее можно устанавливать в светильники вместо обычных ламп накаливания.

Экономические преимущества ртутных ламп

Экономичность применения является одной из причин большого коммерческого успеха вольфрамовых приспособлений, причем не только на территории России и стран СНГ, но и в развитых странах запада. Дело в том, что сильные и мощные лампы накаливания оставили после себя огромные зонтичные светильники, сменить которые, особенно на крупных производствах, крайне затратно во всех отношениях. Затраты будут такие:

• приобретение новых осветительных приборов;
• установка систем крепления;
• осуществление разводки осветительных линий.

Все эти статьи расхода можно сократить, установив в старых светильниках вольфрамовые источники света. Эти источники света гибридного типа более эффективны. Стоит отметить, что в большинстве случаев закупки ртутных ламп высокого давления приходятся именно на приборы ДРВ.

Но есть и ряд нюансов. Например, их световые параметры значительно уступают даже самым малоэффективным лампам ДРЛ. Почему так происходит? Давайте узнаем, какой принцип работы у ламп ДРВ.

Принцип работы ламп ДРВ

Может показаться, что эффективность гибридного светового источника будет выше, чем у каждого по отдельности:

• ртутная горелка дает возбуждение для люминофора;
• вольфрамовая спираль делает свой вклад в общий поток света.

Но даже несмотря на эти особенности работы ламп ДРВ их эффективность в среднем ниже примерно на 50 процентов по сравнению с приборами ДРЛ, оснащенными индуктивными дросселями.

Итак, почему же так происходит? Так, вольфрамовая спираль является ограничителем тока через горелку, а ее мощность и сопротивление зависят от условий пусковых режимов этой горелки. На начальном поджиге напряжение на ней имеет два катодных падения потенциала, а это порядка 20 В.

По мере того, как разгорается горелка, ее напряжение возрастает до показателя 70 В, а вот на спирали напряжение постепенно сокращается. В рабочем режиме вольфрамовая спираль будет светить немного лучше лампы накаливания, включенной на половину рабочего напряжения.

Другая причина малой эффективности ламповых приборов ДРВ такая:

• в приборах ДРЛ горелки чаще всего работают с индуктивным балластом, а когда напряжение сети переходит через значение амплитуды, индуктивность отдает накопленную энергию в нагрузку, а напряжение на горелке затягивается;
• если ток ограничен активным балластом, в роли которого в изделиях ДРВ выступает вольфрамовая спираль, то такой подкачки энергии не будет, соответственно, время свечения горелки будет меньше в среднем на 30 процентов. Естественно, вследствие этого световой поток падает, и эффективность источник света будет низкой.

Недостатки ламп ДРВ

В силу перечисленных причин эффективность конструкций ДРВ не превышает показатель в 30 лм/Вт, даже если их производители – компании Philips или OSRAM. Другие лампы, произведенные ими, имеют отдачу до 50 лм/Вт.

Так, в числе прочих недостатков ламп такого вида можно назвать следующее:

• низкая световая отдача;
• срок службы составляет максимум 4000 часов, что делает такие лампы совершенно непригодными для наружного освещения. Их замена будет связана с большими расходами, а это нивелирует все экономические выгоды, которые характерны при их внутрицеховом использовании.

Номенклатура изделий достаточно скудна:

• модели мощностью 160 Вт с цоколем Е27;
• модель 250 Вт с цоколем Е40;
• 500 Вт с аналогичным цоколем;
• 700 Вт;
• 1000 Вт.

Последние два варианта встречаются крайне редко и применяются в исключительных случаях.

Технические характеристики изделия ДРВ 250

Давайте рассмотрим технические характеристики изделий ДРВ на примере модели мощностью в 25 Вт:

• номинальный уровень мощности составляет 250 Вт;
• напряжение на лампе находится на уровне 220 Вт;
• световой поток имеет показатель в 4700 лм;
• уровень световой отдачи составляет 18,8 лм/Вт;
• цоколь типа Е40;
• диаметр изделия составляет 91 мм;
• длина конструкции 225 мм;
• средний срок эксплуатации – 3000 часов.

Сферы использования приборов ДРВ

Лампы ДРВ на вольфраме применяются для освещения больших открытых пространств, хотя в основном их используют для внутреннего освещения. Однако с их помощью часто освещают такие открытые зоны, как:

• парковые зоны;
• строительные площадки;
• уличные фонари;
• автомобильные стоянки;
• искусственное облучение растений в теплицах (исключительно модели ДРВ 250).

Приборы ДРВ разной мощности устанавливаются в осветительных приборах при освещении таких объектов:

• улицы;
• открытые крупные пространства;
• промышленные крытые и открытые объекты.

Ключевыми особенностями изделий ДРВ, как уже упоминалось ранее, являются:

• возможность применения при отсутствии пускорегулирующей аппаратуры;
• возможность устанавливать вместо ламп накаливания при наружном освещении.

Это и многое другое делает приборы ДРВ популярными среди покупателей даже при большом количестве их недостатков.

Оцените статью: Поделитесь с друзьями!

Характеристика диода IN-5822

Довольно часто в импортных электронных схемах радиолюбителям приходится сталкиваться с полупроводниковыми выпрямительными элементами, имеющими обозначение in5822. Согласно фирменным техническим данным (datasheets), они относятся к классу диодов Шоттки, используемых обычно в режиме ограничения сигнала.

Внешний вид и схемное обозначение

В отличие от типовых диодных изделий, в которых электронный барьер создаётся двумя полупроводниковыми структурами, в приборах этого класса одна из них заменена металлом. Образующийся вследствие этого переход «металл-полупроводник» называется барьером Шоттки, а сам диод получил своё название по имени немецкого учёного, обнаружившего этот эффект.

Описание

В ссылках на описание этого элемента указывается, что при включении в схему он подобно обычным полупроводниковым переходам обеспечивает классическую одностороннюю проводимость. Однако при этом обнаруживается ряд специфических качеств, которые проявляются в следующих особенностях рабочей структуры 1n5822:

• Во-первых, прямое падение напряжения на переходе «металл-полупроводник» несколько меньше, чем у обычных кремниевых изделий и составляет примерно 0,2-0,4 Вольта, что позволяет использовать его как ограничитель напряжения;
• Далее его структура отличается большим быстродействием, позволяющим создавать изделия, работающие в ВЧ цепях;
• И, наконец, такие диоды могут изготавливаться в виде двух одинаковых по параметрам переходов (с двумя анодами и одним катодом, как изображено на рисунке ниже).

Схемное изображение спаренной структуры

Обратите внимание! Последняя особенность диодов типа in5822 позволяет существенно увеличить их эксплуатационный ресурс.

Технические характеристики

Перед рассмотрением характеристик in5822 отметим, что при изготовлении структур этого класса преимущественно применяются такие полупроводники, как кремний (Si) и арсенид галлия. В качестве металлической составляющей используется один из следующих материалов: платина, золото, серебро, палладий или вольфрам.

Характеристики этого элемента должны удовлетворять приведённым ниже параметрам:

• Предельная величина обратного напряжения не может быть более 40 Вольт;
• Максимальная амплитуда прямого тока не должна превышать 3-х Ампер;
• Предельно допустимое прямое напряжение – примерно 0, 5 Вольт;
• Максимальный разрешённый обратный ток – около 0, 5 Ампер;
• Амплитуда импульсного прямого тока – порядка 70 Ампер;
• Тип корпуса диода in5822 – DO-27.

Ко всему перечисленному следует добавить, что предел рабочей температуры корпуса изделия задаётся показателем в 125 градусов.

Недостатки

Основной недостаток этого изделия заключается в том, что небольшая разность потенциалов на его переходе приводит к ограничению допустимого прямого падения напряжения, не превышающего 0,5 Вольта. При дальнейшем повышении его значения диоды этого типа превращаются в обычные выпрямительные элементы с кремниевой структурой и прямым падением 0,6-0,7 Вольта.

К минусам любых диодов с барьером Шоттки (включая in5822) также следует отнести их повышенную чувствительность к величине обратного напряжения. Даже кратковременное превышение этим показателям 40 Вольт приводит к необратимым последствиям в виде разрушения электронного перехода «металл-полупроводник».

В заключение обзора характеристик следует добавить, что обратный ток изделий с такими свойствами в значительной степени зависит от рабочей температуры перехода. При превышении ей допустимого значения может наступить тепловой пробой.

Видео

Оцените статью:

b25% 20диод, техническое описание и примечания по применению

4n7j 100 Абстракция: 4n7j R10J R015J R010J 6N8J 5n6j Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	IMC0603 4n7j 100 4n7j R10J R015J R010J 6N8J 5n6j
3a331 Аннотация: SC10 ntc 3N153 datasheet 3J683 MMC Electronics America FUSE SMD tn 3V152 NTC 22K 0805 3g50 2G300 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	10сек 3a331 SC10 NTC 3N153 лист данных 3J683 MMC Electronics America ПРЕДОХРАНИТЕЛЬ SMD tn 3V152 НТК 22К 0805 3g50 2G300
65SS2 Аннотация: ISC1210 ISC-1210 vishay 40ss Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	195 мА 185 мА 175 мА 165 мА 155 мА 150 мА 115 мА 105 мА 100 мА 1000 МГц 65SS2 ISC1210 ISC-1210 вишай 40сс
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	ISC1210 ISC1210 R010KB25 R012K R015K R018K
SC10 NC Абстракция: 3a331 2G300 3k102 3g50 3J683 4C202 3L104 3h203 019k Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	10сек SC10 NTC 3a331 2G300 3k102 3g50 3J683 4C202 3L104 3ч203 019 тыс.
ISC1812 Аннотация: ISC-1812 Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	ISC1812 15джиХ 68jiH 120 нГн 150 нГн 270 нГн 390jiH 560fiH 820 нГн ISC18121R0KRE4 ISC-1812
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	20сек.MWS-13 B25 / так = B25 / 85
R022 Абстракция: R033K r082k R022K R056K IMC-1210 Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	C1210 012нГ 018нГ 022нГ 027jiH 033jiH 039нГ 450 мА R022 R033K r082k R022K R056K IMC-1210
4н7м Абстракция: r47j R033J 2500-m R22J R039J A540M Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	6000M 5500M 4700M 3300M 3000M 2600M 4н7м r47j R033J 2500-м R22J R039J A540M
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	ISC1812 100pH 120pH 150pH 180pH 220pH 270pH 390pH 470pH 560pH
1997 — тег 8442 Аннотация: 3773 SMD tag 8852 9014 SMD RT-R25 50453 LCD B57620 smd 3773 siemens C472 B57620c620 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	B57620 hlzeitkonstante4100 RT / R25 B25 / 100 тег 8442 3773 SMD тег 8852 9014 SMD RT-R25 50453 ЖК-дисплей B57620 smd 3773 siemens C472 B57620c620
2000 — Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	TN / TC20 25макс B25 / 50) 500 мВт 2Г400 * 2N680 * 2С101 * 2Т151 * 2V221 * 3A331 *
2003 — Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2Б25М125П3001-0-Н 2Б25М175П1001-1-Н 2Б25М125П1001-0-Н 2Б25М175П6001-1-Н
2000 — Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	SC10 / SC20 95макс B25 / 50) 300 мВт B25 / 50 B25 / 85 3F300 * 4C222 *
2004 — Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	MCER41d
SS-39200-011 Реферат: 940-SP-3088R-A133 SS-37200-028 Модульный штекер BOOT БЕЗ ЗАЩИТЫ RJ45 диод B25 450-015 SS-37000-006 SS-37000-007 SS-39100-008 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	SS-39200-011 SS-39100-008 SS-39200-011 940-SP-3088R-A133 SS-37200-028 БЕЗОПАСНЫЕ САПОГИ модульный штекер RJ45 диод B25 450-015 SS-37000-006 SS-37000-007 SS-39100-008
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	B25 / 50 6F103 * 3ч203 * B25 / 85 3466K 3502 тыс.
090Q Аннотация: IMC1812-27 Ih43 IMC181247 IMC18124R7KRE4 Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	C1812 190 мА 180 мА 170 мА 160 мА 150 мА 140 мА 135 мА 130 мА 120 мА 090Q IMC1812-27 Ih43 IMC181247 IMC18124R7KRE4
1996 — AS2731U5-5.0 Абстракция: L22675-5.0 0 / CMX7161 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	B57185 AS2731U5-5.0 L22675-5.0 0 / CMX7161
НТК 50-11 Аннотация: smd 3258 SMD 4435 4435 smd 1307329082 термистор NTC 50-11 4150K 3670K smd 1608 K 3264 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	280oC NTC 50-11 smd 3258 SMD 4435 4435 smd 1 307 329 082 термистор NTC 50-11 4150 тыс. 3670 тыс. smd 1608 K 3264
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	PR35D PR35DS25 PR35DS916 PR35DS1516 PR35DS2516 S78-689
1997 — siemens C472 Резюме: Bauform 1008 1206 1602 LCD, техническое описание LCD 1602 B57621 16208 Rh2034-1.2 smd 3773 тег 8442 тег 8852 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	B57621 siemens C472 Bauform 1008 1206 Технические характеристики ЖК-дисплея 1602 ЖК-дисплей 1602 B57621 16208 Rh2034-1.2 smd 3773 тег 8442 тег 8852
548 мА Абстракция: 47kr IMC-1210 Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	IMC1210 012ftH 022jiH 027fiH 039нГ 047нГ 056fiH 12fiH 27fiH 33jiH 548 мА 47 крон IMC-1210
2012 — Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	SQCD-050-XX CUMMINGS09 / 06/05 635 мм
2002 — Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF

b25% 20zener% 20 техническое описание диода и примечания по применению

4n7j 100 Абстракция: 4n7j R10J R015J R010J 6N8J 5n6j Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	IMC0603 4n7j 100 4n7j R10J R015J R010J 6N8J 5n6j
3a331 Аннотация: SC10 ntc 3N153 datasheet 3J683 MMC Electronics America FUSE SMD tn 3V152 NTC 22K 0805 3g50 2G300 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	10сек 3a331 SC10 NTC 3N153 лист данных 3J683 MMC Electronics America ПРЕДОХРАНИТЕЛЬ SMD tn 3V152 НТК 22К 0805 3g50 2G300
65SS2 Аннотация: ISC1210 ISC-1210 vishay 40ss Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	195 мА 185 мА 175 мА 165 мА 155 мА 150 мА 115 мА 105 мА 100 мА 1000 МГц 65SS2 ISC1210 ISC-1210 вишай 40сс
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	ISC1210 ISC1210 R010KB25 R012K R015K R018K
SC10 NC Абстракция: 3a331 2G300 3k102 3g50 3J683 4C202 3L104 3h203 019k Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	10сек SC10 NTC 3a331 2G300 3k102 3g50 3J683 4C202 3L104 3ч203 019 тыс.
ISC1812 Аннотация: ISC-1812 Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	ISC1812 15джиХ 68jiH 120 нГн 150 нГн 270 нГн 390jiH 560fiH 820 нГн ISC18121R0KRE4 ISC-1812
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	20сек.MWS-13 B25 / так = B25 / 85
R022 Абстракция: R033K r082k R022K R056K IMC-1210 Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	C1210 012нГ 018нГ 022нГ 027jiH 033jiH 039нГ 450 мА R022 R033K r082k R022K R056K IMC-1210
4н7м Абстракция: r47j R033J 2500-m R22J R039J A540M Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	6000M 5500M 4700M 3300M 3000M 2600M 4н7м r47j R033J 2500-м R22J R039J A540M
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	ISC1812 100pH 120pH 150pH 180pH 220pH 270pH 390pH 470pH 560pH
1997 — тег 8442 Аннотация: 3773 SMD tag 8852 9014 SMD RT-R25 50453 LCD B57620 smd 3773 siemens C472 B57620c620 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	B57620 hlzeitkonstante4100 RT / R25 B25 / 100 тег 8442 3773 SMD тег 8852 9014 SMD RT-R25 50453 ЖК-дисплей B57620 smd 3773 siemens C472 B57620c620
2000 — Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	TN / TC20 25макс B25 / 50) 500 мВт 2Г400 * 2N680 * 2С101 * 2Т151 * 2V221 * 3A331 *
2003 — Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2Б25М125П3001-0-Н 2Б25М175П1001-1-Н 2Б25М125П1001-0-Н 2Б25М175П6001-1-Н
2000 — Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	SC10 / SC20 95макс B25 / 50) 300 мВт B25 / 50 B25 / 85 3F300 * 4C222 *
2004 — Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	MCER41d
SS-39200-011 Реферат: 940-SP-3088R-A133 SS-37200-028 Модульный штекер BOOT БЕЗ ЗАЩИТЫ RJ45 диод B25 450-015 SS-37000-006 SS-37000-007 SS-39100-008 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	SS-39200-011 SS-39100-008 SS-39200-011 940-SP-3088R-A133 SS-37200-028 БЕЗОПАСНЫЕ САПОГИ модульный штекер RJ45 диод B25 450-015 SS-37000-006 SS-37000-007 SS-39100-008
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	B25 / 50 6F103 * 3ч203 * B25 / 85 3466K 3502 тыс.
090Q Аннотация: IMC1812-27 Ih43 IMC181247 IMC18124R7KRE4 Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	C1812 190 мА 180 мА 170 мА 160 мА 150 мА 140 мА 135 мА 130 мА 120 мА 090Q IMC1812-27 Ih43 IMC181247 IMC18124R7KRE4
1996 — AS2731U5-5.0 Абстракция: L22675-5.0 0 / CMX7161 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	B57185 AS2731U5-5.0 L22675-5.0 0 / CMX7161
НТК 50-11 Аннотация: smd 3258 SMD 4435 4435 smd 1307329082 термистор NTC 50-11 4150K 3670K smd 1608 K 3264 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	280oC NTC 50-11 smd 3258 SMD 4435 4435 smd 1 307 329 082 термистор NTC 50-11 4150 тыс. 3670 тыс. smd 1608 K 3264
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	PR35D PR35DS25 PR35DS916 PR35DS1516 PR35DS2516 S78-689
1997 — siemens C472 Резюме: Bauform 1008 1206 1602 LCD, техническое описание LCD 1602 B57621 16208 Rh2034-1.2 smd 3773 тег 8442 тег 8852 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	B57621 siemens C472 Bauform 1008 1206 Технические характеристики ЖК-дисплея 1602 ЖК-дисплей 1602 B57621 16208 Rh2034-1.2 smd 3773 тег 8442 тег 8852
548 мА Абстракция: 47kr IMC-1210 Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	IMC1210 012ftH 022jiH 027fiH 039нГ 047нГ 056fiH 12fiH 27fiH 33jiH 548 мА 47 крон IMC-1210
2012 — Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	SQCD-050-XX CUMMINGS09 / 06/05 635 мм
2002 — Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF

MBR (B) 25_CT Технический паспорт, Vishay Semiconductor Diodes Division

— ВИШАЙ.. Modetecn®wshaycom

Номер документа: 93979 По техническим вопросам обращайтесь: [email protected] www.vishay.com

Редакция: 21 августа 2008 г. 1

Выпрямитель Шоттки, 2 x 15 A

MBRB25..CT / MBR25 ..CT-1

Vishay High Power Products

ХАРАКТЕРИСТИКИ

• Работа TJ при 150 ° C

• Центральный отвод D2PAK и корпуса TO-262

• Низкое прямое падение напряжения

• Работа на высокой частоте

• Высокая чистота, высокотемпературная эпоксидная изоляция для

Повышенная механическая прочность и влагостойкость

• Защитное кольцо для повышенной прочности и долговечности

надежность

• Разработано и соответствует уровню Q101

ОПИСАНИЕ

Этот выпрямитель Шоттки с центральным отводом был оптимизирован для низкой обратной утечки

при высокой температуре.Запатентованная технология барьера

обеспечивает надежную работу при температуре перехода

до 150 ° C. Типичные области применения — импульсные источники питания

, преобразователи, обратные диоды и обратная защита батарей

.

ОПИСАНИЕ ИЗДЕЛИЯ

IF (AV) 2 x 15 A

VR35 / 45 V

IRM 40 мА при 125 ° C

MBRB25..CT

База

общий

катод

D

ПАК ТО-262

МБР25..CT-1

Анод Анод

Общий

Катод

13

2

2

Базовый

Общий

Катод

Анод

Катод

Общий

Общий

2

ОСНОВНЫЕ НОМИНАЛЫ И ХАРАКТЕРИСТИКИ

СИМВОЛ ХАРАКТЕРИСТИКИ ЗНАЧЕНИЯ ЕДИНИЦЫ

IF (AV) Прямоугольная форма сигнала (на устройство) 30 A

IFRM TC = 130 ° C (на каждую ногу) 30

VRRM9 35/45 V

VRRM9 35/45 V

VRRM9 35/45 V tp = 5 мкс синус 1060 A

VF30 Apk, TJ = 125 ° C 0.73 В

TJRange — от 65 до 150 ° C

НОМИНАЛЬНОЕ НАПРЯЖЕНИЕ

СИМВОЛ ПАРАМЕТРА MBRB2535CT

MBR2535CT-1

MBRB2545CT

MBR2545CT-1 Макс. VRWM

АБСОЛЮТНЫЕ МАКСИМАЛЬНЫЕ РЕЙТИНГИ

СИМВОЛ ПАРАМЕТРА УСЛОВИЯ ИСПЫТАНИЯ ЗНАЧЕНИЯ ЕДИНИЦЫ

Максимальное среднее значение

прямой ток

на ногу IF (AV) TC = 130 ° C, номинальный VR

15

A на устройство

Пиковый повторяющийся прямой ток на каждую ногу IFRM Номинальный VR, прямоугольная волна, 20 кГц, TC = 130 ° C 30

Непериодический пиковый импульсный ток IFSM

5 мкс синусоидальный или 3 мкс прямой.импульс После любых условий номинальной нагрузки

и с примененным номинальным VRRM 1060

Импульс, приложенный в условиях номинальной нагрузки, полуволна,

, одна фаза, 60 Гц 150

Энергия неповторяющейся лавины на каждую ногу EAS TJ = 25 ° C, IAS = 2 A, L = 8 мГн 16 мДж

Повторяющийся лавинный ток на каждую ветвь IAR

Линейный спад тока до нуля за 1 мкс

Частота ограничена максимальным значением TJ, VA = 1,5 x VR, типичное значение 2A

Nanoscale High-Tc YBCO / GaN Супердиод Шоттки

1.

Шарма Р. Обзор теорий сверхпроводимости. В Сверхпроводимость 109–133 (Springer, 2015).

2.

Филипс Т. и Кин Дж. Субмиллиметровая астрономия (гетеродинная спектроскопия). Протоколы IEEE 80 , 1662–1678 (1992).

ADS CAS Статья Google ученый

3.

Doriese, W. B. et al. . 14-пиксельная мультиплексированная матрица гамма-микрокалориметров с разрешением по энергии 47 эВ при 103 кэВ. Письма по прикладной физике 90 , 193508 (2007).

ADS Статья Google ученый

4.

Де Маагт П., Боливар П. Х. и Манн К. Терагерцовая наука, инженерия и системы — От космоса к приложениям на Земле. Энциклопедия радиотехники и микроволновой техники (2005).

5.

Lanting, T. et al. . Запутанность в процессоре квантового отжига. Physical Review X 4 , 21041 (2014).

Артикул Google ученый

6.

Peacock, A. et al. . Об обнаружении одиночных оптических фотонов при сверхпроводящем туннельном переходе. Журнал прикладной физики 81 , 7641–7646 (1997).

ADS CAS Статья Google ученый

7.

Ленц, Дж. Э. Обзор магнитных датчиков. Протоколы IEEE 78 , 973–989 (1990).

ADS Статья Google ученый

8.

Гамильтон, К. А. Джозефсоновские стандарты напряжения. Обзор научных инструментов 71 , 3611–3623 (2000).

ADS CAS Статья Google ученый

9.

Hayashi, Y. et al. . Светодиод на основе сверхпроводника: демонстрация роли медных пар в процессах излучательной рекомбинации. Экспресс прикладной физики 1 , 11701 (2008).

Артикул Google ученый

10.

Марджие Р., Сабаг Э. и Хаят А. Усиление света в структурах полупроводник-сверхпроводник. Новый физический журнал 18 , 23019 (2016).

Артикул Google ученый

11.

Hayat, A., Kee, H.-Y., Burch, K. S. & Steinberg, A.М. Запутывание фотонов на основе куперовских пар без изолированных эмиттеров. Physical Review B 89 , 94508 (2014).

ADS Статья Google ученый

12.

Сомбати Д. и др. . Джозефсоновский φ 0-переход в квантовых точках нанопроволоки. Nature Physics 12 , 568 (2016).

ADS CAS Статья Google ученый

13.

Вернон, Ф. и др. . Супердиод Шоттки. Транзакции IEEE по теории и методам микроволнового излучения 25 , 286–294 (1977).

ADS Статья Google ученый

14.

McColl, M. et al. . Микроволновая печь Super-Schottky. IEEE Transactions on Magnetics 13 , 221–227 (1977).

ADS Статья Google ученый

15.

Du, J. et al. . Терагерцовая визуализация с использованием высокотемпературного сверхпроводящего детектора джозефсоновских переходов _c . Наука и технологии в области сверхпроводников 21 , 125025 (2008).

ADS Статья Google ученый

16.

Ван Х., Ву П. и Ямашита Т. Терагерцовые отклики собственных джозефсоновских переходов в сверхпроводниках с высокими ТС. Physical Review Letters 87 , 107002 (2001).

ADS CAS Статья PubMed Google ученый

17.

Ву, М.-К. и др. . Сверхпроводимость при 93 К в новой смешанной системе соединений Y-Ba-Cu-O при атмосферном давлении. Physical Review Letters 58 , 908 (1987).

ADS CAS Статья PubMed Google ученый

18.

Хухтинен, Х. и др. .Осаждение тонких пленок YBCO с точки зрения микроволновых приложений. Транзакции IEEE по прикладной сверхпроводимости 27 , 1–5 (2017).

Артикул Google ученый

19.

Чжай, Х. и Чу, В. Влияние межфазной деформации на критическую температуру тонких пленок YBa ₂ Cu ₃ O _7-δ . Письма по прикладной физике 76 , 3469–3471 (2000).

ADS CAS Статья Google ученый

20.

Кавасаки, Р. и др. . Электрические характеристики перехода высокотемпературный сверхпроводник / полупроводник. В достижениях в области сверхпроводимости IV 911–914 (Springer, 1992).

21.

Рамадан, W. и др. . Электрические свойства эпитаксиальных переходов между Nb: Sr Ti O 3 и оптимально легированным, недодопированным и легированным цинком YBa ₂ Cu ₃ O _{7 − δ} . Physical Review B 72 , 205333 (2005).

ADS Статья Google ученый

22.

Hung, C.-Y. и др. . Осаждение одиночной мишени распылением YBCO на Si и YSZ на оси. Материаловедение и инженерия: B 33 , 85–90 (1995).

Артикул Google ученый

23.

Chromik, Š. и др. . Получение и структурные свойства пленок YBCO, выращенных на гексагональной подложке GaN / c-сапфир. Прикладная наука о поверхности 256 , 5618–5622 (2010).

ADS CAS Статья Google ученый

24.

Hayat, A. et al. . Гибридный туннельный диод высокотемпературный сверхпроводник – полупроводник. Physical Review X 2 , 41019 (2012).

Артикул Google ученый

25.

Амбахер, О. и др. . Двумерные электронные газы, индуцированные спонтанными и пьезоэлектрическими поляризационными зарядами в гетероструктурах AlGaN / GaN с N- и Ga-гранями. Журнал прикладной физики 85 , 3222–3233 (1999).

ADS CAS Статья Google ученый

26.

ван дер Харг, А., ван дер Дрифт, Э. и Хэдли, П. Глубокие субмикронные структуры в YBCO: изготовление и измерения. Транзакции IEEE по прикладной сверхпроводимости 5 , 1448–1451 (1995).

Артикул Google ученый

27.

Нортон Д. П., Лаундес Д. Х., Пенникук С. и Будаи Дж. Депрессия и уширение сверхпроводящего перехода в сверхрешетках на основе YBa ₂ Cu ₃ O _{7 − δ} : Влияние барьерных слоев. Physical Review Letters 67 , 1358 (1991).

ADS CAS Статья PubMed Google ученый

28.

Шинде, С. Л. и Рудман, Д. А. Интерфейсы в высокотемпературных сверхпроводящих системах .(Springer Science & Business Media, 2012).

29.

Эйбл, О. и др. . Микроструктура сверхрешеток YBa2Cu3O7 / PrBa2Cu3O7, нанесенных на монокристаллы (1 0 0) SrTiO ₃ . Physica C: сверхпроводимость 172 , 365–372 (1990).

ADS Статья Google ученый

30.

Бауэр, М., Бауденбахер, Ф. и Киндер, Х. Релаксация деформации и образование винтовых дислокаций в пленках YBCO на подложках MgO. Physica C: сверхпроводимость 246 , 113–118 (1995).

ADS CAS Статья Google ученый

31.

Феннер, Д. и др. . Реакции на границах раздела тонких пленок оксидов Y-Ba-Cu и Zr с подложками Si. Журнал прикладной физики 69 , 2176–2182 (1991).

ADS CAS Статья Google ученый

32.

Форк, Д. и др. . Пленки YBCO и буферные слои YSZ, выращенные In situ на кремнии с помощью импульсного лазерного осаждения. В Наука и технология тонкопленочных сверхпроводников 2 187–196 (Springer, 1990).

33.

Такер, Дж. Р. Квантовый отклик нелинейных туннельных переходов как детекторов и смесителей. В обзоре инфракрасных и миллиметровых волн 1–46 (Springer, 1983).

34.

Блондер Г., Тинкхэм М. и Клапвейк Т.Переход от металлического к туннельному режимам в сверхпроводящих микроструктурах: избыточный ток, дисбаланс заряда и сверхтоковое преобразование. Physical Review B 25 , 4515 (1982).

ADS CAS Статья Google ученый

35.

Тинкам М. Введение в сверхпроводимость. (1996).

36.

Вольф Э. Л. Принципы электронной туннельной спектроскопии . 152 (Oxford University Press, 2012).

37.

Дойчер, Г. Андреев – Сент-Джеймс Отражения: зонд купратных сверхпроводников. Обзоры современной физики 77 , 109 (2005).

ADS CAS Статья Google ученый

38.

Sacépé, B. et al. . Локализация преформированных куперовских пар в неупорядоченных сверхпроводниках. Nature Physics 7 , 239 (2011).

ADS Статья Google ученый

39.

Буадим, К., Ло, Ю. Л., Рандерия, М. и Триведи, Н. Одно- и двухчастичные энергетические щели на переходе сверхпроводник – изолятор, вызванном беспорядком. Nature Physics 7 , 884 (2011).

ADS CAS Статья Google ученый

40.

Kamlapure, A. et al. . Возникновение наноразмерной неоднородности в сверхпроводящем состоянии однородно неупорядоченного обычного сверхпроводника. Научные отчеты 3 , 2979 (2013).

Артикул PubMed PubMed Central Google ученый

41.

Rullier-Albenque, F., Alloul, H. & Tourbot, R. Влияние разрыва пар и фазовых флуктуаций на неупорядоченные высокотемпературные купратные сверхпроводники. Physical Review Letters 91 , 47001 (2003).

ADS CAS Статья Google ученый

42.

Hentges, P., Westwood, G., Aubin, H., Klemperer, W. & Greene, L. Выращивание из раствора ультратонких изолирующих слоев диоксида циркония для пассивирования и изготовления туннельных переходов на тонких пленках YBCO. Транзакции IEEE по прикладной сверхпроводимости 13 , 801–804 (2003).

CAS Статья Google ученый

43.

Кашивая, С., Танака, Ю., Коянаги, М., Каджимура, К. Теория туннельной спектроскопии анизотропных сверхпроводников. Physical Review B 53 , 2667 (1996).

ADS CAS Статья Google ученый

44.

Дайнс, Р., Нараянамурти, В. и Гарно, Дж. П. Прямое измерение уширения квазичастиц в сверхпроводнике с сильной связью. Physical Review Letters 41 , 1509 (1978).

ADS CAS Статья Google ученый

Что такое диоды быстрого восстановления (FRD)? | Полупроводник

Что такое диоды быстрого восстановления (FRD)?

Этот диод с p-n переходом предназначен для уменьшения времени обратного восстановления (trr) и также называется высокоскоростным диодом.
По сравнению с обычными выпрямительными диодами, trr на 2–3 разряда меньше, потому что FRD разработан с импульсным источником питания для выпрямления высоких частот в десятки или сотни кГц.

Типовые характеристики

Выдерживаемое напряжение (В RM )	Высокое напряжение, такое как 600 В, 800 В и 1000 В
Прямое напряжение (В F )	Приблизительно от 1,3 до 3,6 В
Обратный ток (I R )	Чрезвычайно малая, от нескольких мкА до десятков мкА
Время обратного восстановления (trr)	Примерно от десятков нСм до 100 нСм
Заявка	Выпрямление цепей переключения высокого напряжения (например, PFC)

Необходимо выбрать и использовать лучший тип диода в соответствии с каждым применением, потому что чем меньше время обратного восстановления, тем больше становится V _F .

Характеристики восстановления диода

Можно приравнять trr к «времени возвращения дырок», потому что движение дырок занимает больше времени по сравнению с движением электронов.

Зависимость между прямым током (I

_F ) и временем обратного восстановления (trr)

Когда прямой ток мал

Когда прямой ток большой

Как улучшить трр

Тяжелый металл рассеивается, или на диод с p-n-переходом облучается пучок электронов, чтобы создать ловушку для носителей, чтобы улавливать дырки, когда они возвращаются.TRR увеличивается на 2–3 цифры, но в результате V _F становится больше.

Диод с этой контрмерой называется высокоскоростным диодом и обычно называется FRD (диод быстрого восстановления).

Выбор и использование диодов быстрого восстановления

• V _F -TRR компромисс для диодов, выдерживающих 600 В

Общие выпрямительные диоды

Эти p-n диоды не быстродействующие.TRR большой, но V _F маленький, около 1 В (для продуктов на 600 В). Эти диоды предназначены для промышленных частот, таких как 50/60 Гц, и не используются в цепи переключения.

FRD

FRD — диоды с быстрым восстановлением. Они обеспечивают высокоскоростную поддержку и обычно имеют время от 50 до 100 нс. При напряжении V _F около 1,5 В это довольно много по сравнению с обычными выпрямительными диодами.
Еще один общий термин для типа FRD — «высокоскоростной диод.”

FRD (сверхскоростной тип)

Даже среди диодов с быстрым восстановлением этот диод разработан специально для быстродействия. TRR составляет примерно 25 нс, что очень мало, но V _F довольно велик при напряжении от 3 до 3,6 В. Этот диод используется в приложениях, где особенно требуется высокая скорость. Даже если V _F больше, чем это, относительное преимущество trr невелико.
Этот тип важен не только из-за его высокой скорости, но и из-за его характеристик мягкого восстановления.

Форма кривой тока для режима критической проводимости PFC

Ток диода медленно переходит в состояние ВЫКЛ, как показано на рисунке. Ток восстановления также ограничен индуктором и не становится таким большим.
В этом типе применения сверхбыстрый диод не требуется, а использование обычного FRD, когда VF не очень большой, повышает эффективность.

трр быстродействующих диодов класса 600 В

• Пример сверхскоростного типа
  trr = 25 нс (макс.), V _F = 3.6 В (макс.)
• Пример высокоскоростного типа
  trr = 100 нс (макс.), В _F = 1,5 В (макс.)

Для этого приложения подходят высокоскоростные типы.

Форма кривой тока для режима непрерывной проводимости PFC

Как показано на рисунке, когда в диоде протекает ток и внезапно прикладывается обратное напряжение, если ток отключается, в течение периода trr протекает чрезвычайно большой ток восстановления, что приводит к потерям.

При использовании в схемах этого типа необходимо использовать диод с наименьшим trr, даже если жертвовать V _F .

трр быстродействующих диодов класса 600 В

• Пример сверхскоростного типа
  trr = 25 нс (макс.), В _F = 3,6 В (макс.)

• Пример высокоскоростного типа
  trr = 100 нс (макс.), В _F = 1,5 В (макс.)

Вышеуказанные сверхвысокоскоростные типы подходят для этого приложения.

Мягкое восстановление и жесткое восстановление

Когда ток восстановления восстанавливается слишком внезапно, он производит больше шума. В результате trr должен быть не только маленьким, но и плавно или плавно восстанавливаться.
Может показаться, что номера 1 и 3 в каталоге имеют одинаковые значения trr, но потери и шум совершенно разные. Кроме того, цифра 2 выглядит очень хорошо при просмотре каталога, но производит большой шум.

• И потери мощности, и шум небольшие

• Потеря мощности мала, но шум велик

• И потери мощности, и шум большие

% PDF-1.3 % 1 0 объект > поток конечный поток эндобдж 2 0 obj > эндобдж 3 0 obj > эндобдж 4 0 obj > / Parent 3 0 R / Contents [19 0 R] / Type / Page / Resources> / Shading> / XObject> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageC] / ColorSpace> / Font >>> / MediaBox [0 0 595 .8J, ‘/ 2 ߒ * ع ߨ y; O

% PDF-1.5 % 1 0 объект > эндобдж 3 0 obj / Автор (Гость) / Создатель / CreationDate (D: 201112061 + 02’00 ‘) / ModDate (D: 201112061 + 02’00 ‘) /Режиссер >> эндобдж 2 0 obj > эндобдж 4 0 obj > / XObject> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB / ImageC / ImageI] >> / Аннотации [26 0 R 27 0 R 28 0 R] / MediaBox [0 0 595,32 841,92] / Содержание [29 0 R 30 0 R 31 0 R] / Группа> / Вкладки / S >> эндобдж 5 0 obj > / XObject> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB / ImageC / ImageI] >> / MediaBox [0 0 595.32 841,92] / Содержание 35 0 руб. / Группа> / Вкладки / S >> эндобдж 6 0 obj > / XObject> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB / ImageC / ImageI] >> / MediaBox [0 0 595,32 841,92] / Содержание 45 0 руб. / Группа> / Вкладки / S >> эндобдж 7 0 объект > / ExtGState> / XObject> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB / ImageC / ImageI] >> / MediaBox [0 0 595,32 841,92] / Содержание 60 0 руб. / Группа> / Вкладки / S >> эндобдж 8 0 объект > / ExtGState> / XObject> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB / ImageC / ImageI] >> / MediaBox [0 0 595.32 841,92] / Содержание 77 0 руб. / Группа> / Вкладки / S >> эндобдж 9 0 объект > / ExtGState> / XObject> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB / ImageC / ImageI] >> / MediaBox [0 0 595,32 841,92] / Содержание 83 0 руб. / Группа> / Вкладки / S >> эндобдж 10 0 obj > / ExtGState> / XObject> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB / ImageC / ImageI] >> / MediaBox [0 0 595,32 841,92] / Содержание 89 0 руб. / Группа> / Вкладки / S >> эндобдж 11 0 объект > / ExtGState> / XObject> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB / ImageC / ImageI] >> / MediaBox [0 0 595.32 841,92] / Содержание 99 0 руб. / Группа> / Вкладки / S >> эндобдж 12 0 объект > / ExtGState> / XObject> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB / ImageC / ImageI] >> / Аннотации [104 0 R 105 0 R 106 0 R 107 0 R 108 0 R 109 0 R 110 0 R 111 0 R 112 0 R] / MediaBox [0 0 595,32 841,92] / Содержание 113 0 руб. / Группа> / Вкладки / S >> эндобдж 13 0 объект > / ExtGState> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB / ImageC / ImageI] >> / Аннотации [114 0 R 115 0 R 116 0 R 117 0 R 118 0 R 119 0 R 120 0 R 121 0 R 122 0 R 123 0 R 124 0 R 125 0 R 126 0 R 127 0 R 128 0 R 129 0 R 130 0 R 131 0 R 132 0 R 133 0 R 134 0 R 135 0 R 136 0 R 137 0 R 138 0 R 139 0 R] / MediaBox [0 0 595.