Что такое дискретные устройства. Какие бывают виды дискретных устройств. Как работают основные типы дискретных устройств. Где применяются дискретные устройства в электронике. Какие преимущества у дискретных устройств.
Что такое дискретные устройства
Дискретные устройства — это электронные компоненты, которые выполняют определенную функцию и могут использоваться как отдельные элементы в электрических схемах. К ним относятся такие компоненты как диоды, транзисторы, тиристоры и др.
Основные характеристики дискретных устройств:
- Выполняют одну конкретную функцию (усиление, переключение, выпрямление и т.д.)
- Имеют небольшое количество выводов (обычно от 2 до 4)
- Могут использоваться как самостоятельные элементы схемы
- Изготавливаются как отдельные компоненты, а не в составе интегральных микросхем
Основные виды дискретных устройств
Существует несколько основных типов дискретных полупроводниковых устройств:
Диоды
Диоды — это полупроводниковые приборы с одним p-n переходом, которые проводят электрический ток только в одном направлении. Основные виды диодов:

- Выпрямительные диоды — для преобразования переменного тока в постоянный
- Стабилитроны — для стабилизации напряжения
- Светодиоды — для преобразования электрической энергии в световую
- Варикапы — диоды с управляемой емкостью
Транзисторы
Транзисторы — это полупроводниковые приборы, способные усиливать и переключать электрические сигналы. Основные типы транзисторов:
- Биполярные транзисторы (BJT) — управляются током базы
- Полевые транзисторы (FET) — управляются напряжением на затворе
- IGBT-транзисторы — сочетают свойства биполярных и полевых транзисторов
Принцип работы основных дискретных устройств
Рассмотрим принципы работы некоторых распространенных дискретных устройств:
Как работает выпрямительный диод
Выпрямительный диод пропускает электрический ток только в одном направлении — от анода к катоду. При подаче прямого напряжения диод открывается и проводит ток. При обратном напряжении диод закрыт и ток не проводит. Это позволяет преобразовывать переменный ток в пульсирующий постоянный.

Принцип работы биполярного транзистора
Биполярный транзистор состоит из трех областей полупроводника — эмиттера, базы и коллектора. При подаче небольшого тока в цепь база-эмиттер открывается переход база-коллектор, что позволяет протекать значительно большему току через цепь эмиттер-коллектор. Таким образом осуществляется усиление тока.
Применение дискретных устройств
Дискретные полупроводниковые устройства широко применяются в различных областях электроники:
- Источники питания — выпрямление, стабилизация напряжения
- Усилители — усиление аналоговых сигналов
- Импульсные преобразователи — эффективное преобразование напряжения
- Защитные цепи — ограничение напряжений и токов
- Генераторы — формирование сигналов различной формы
Преимущества дискретных устройств
Какие преимущества дают дискретные устройства по сравнению с интегральными микросхемами:
- Высокая надежность за счет простоты конструкции
- Возможность работы при больших токах и напряжениях
- Хороший теплоотвод, возможность работы при высоких температурах
- Низкая стоимость массового производства
- Универсальность применения в различных схемах
- Возможность точного подбора параметров для конкретной задачи
Современные тенденции в области дискретных устройств
Какие направления развития наблюдаются сейчас в сфере дискретных полупроводниковых приборов:

- Применение новых полупроводниковых материалов (GaN, SiC)
- Уменьшение размеров и повышение плотности упаковки
- Снижение энергопотребления, особенно в выключенном состоянии
- Улучшение тепловых характеристик
- Повышение рабочих частот и скорости переключения
- Интеграция защитных функций
Выбор дискретных устройств для различных применений
На что следует обращать внимание при выборе дискретных полупроводниковых приборов для конкретных задач:
- Максимально допустимые токи и напряжения
- Частотные характеристики
- Время переключения
- Мощность рассеивания
- Температурный диапазон работы
- Корпус и способ монтажа
- Стоимость и доступность
Правильный выбор дискретных устройств позволяет оптимизировать характеристики электронных схем и повысить их надежность.
Дискретные устройства без памяти — Технарь
Введенное в прошлом параграфе понятие автомата является довольно общим. Накладывая ограничения на составляющие X, Y, Q, Ψ, Θ можно получить личные случаи автоматов. Одним из их являются автоматы без памяти, т.е. устройства, в каких не происходит фиксации внутреннего состояния. Разумеется, в данном случае из общего описания должны быть исключены составляющие Q и Ψ; автомат без памяти задается тройкой компонент < X, Y, Θ>. Соотношение (9.2) воспринимает вид
т.е. выходной знак на данном такте определяется только входным эмблемой и не находится в зависимости от ранее поступивших знаков. Как следует, каждый автомат без памяти реализует единственный преобразователь (оператор), который производит «побуквенный перевод» входных последовательностей знаков в выходные.
Пусть имеется дискретное устройство, имеющее п входов х1…..хп и т выходов y1 …, ут. Если данное устройство не обладает памятью, то преобразование входных сигналов в выходные описывается системой уравнений:
Если входной и выходной алфавиты являются двоичными, то представленная система оказывается системой логических функций, для решения которой можно привлечь аппарат математической логики. Конкретно такие устройства будем рассматривать в предстоящем.
Подобные устройства могут быть построены методом соединения некого набора простых компонент (частей). Эти элементы образуют конечный набор, именуемый базисом, а входящие в него элементы — базовыми. Базис имеет смысл совокупность простых (простых) действий, о которых шла речь в теории алгоритмов, а базовый элемент можно рассматривать в качестве устройства, выполняющее простое действие. Если идет речь о двоичных дискретных устройствах, то базисы строятся из частей, которые реализуют простые логические функции. Напомним, что к таким функциям относятся конъюнкция (логическое И — ^), дизъюнкция (логическое Либо — v), импликация (→), сумма по модулю 2 (Å), эквивалентности (~) и отрицания (логическое НЕ — Ø,). ) имеет два входа, на которые независимо могут подаваться сигналы x1 и х2; любой из сигналов является двоичным, т.е. может принимать одно из 2-ух значений — 1 либо 0; элемент сформировывает единственный выходной сигнал у, значения которого определяются только входными сигналами. Функция выходов Q (x1,x2) согласно табл. Б.1 (см. приложение Б) воспринимает последующие значения:
Функция выходов элемента Либо (V) воспринимает последующие значения:
Логический элемент НЕ (Ø) обеспечивает одноместное преобразование (с одним входным сигналом) в согласовании с правилами:
Сочетая базовые элементы по определенным правилам, можно выстроить их сложные объединения — схемы (над данным базисом), способные совершать преобразования, надлежащие, вообщем говоря, хоть каким логическим функциям. Таким образом, схема есть композиция базовых частей, в какой выходы одних частей присоединяются к входам других. Если в таких объединениях частей отсутствуют замкнутые контуры (подача сигнала с выхода элемента на один из его же входов), то появляется класс схем, которые именуются комбинационными. Молвят, что базис обладает свойством полноты, если схемами над ним может быть реализована неважно какая логическая функция (и, как следует, неважно какая система логических функций). А именно, таким свойством обладает простой базис.
Со схемами связано решение 2-ух классов задач — анализа и синтеза. В задачках анализа выявляется логическая функция, реализуемая данной схемой. Синтез — это, напротив, построение схемы по данной конечной логической функции.
Метки: автоматы без памятиАлфавитанализбазисвходные сигналыИнформатикаИнформациялогикалогические элементыматематическая логикаоператорыпамятьсигналысинтезсхемаустройствафункцияэквивалентность
Дискретное устройство — Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Cтраница 1
График плотности рас.![]() |
Дискретное устройство будем называть точным, если на каждый сигнал, поданный на его вход для перевода устройства в другое устойчивое состояние, оно устойчиво срабатывает. [2]
Механические дискретные устройства — малые цифровые машины ( настольные клавишные машины) — разделяются на суммирующие и вычислительные, выполняющие четыре действия арифметики. Неавтоматическая машина содержит ряд механизмов: механизм ввода, используемый для установки числа в машине; механизм передачи, предназначенный для передачи установленного числа в счетчик; механизм счета — счетчик результатов; счетчик оборотов, на котором фиксируется результат при делении; механизм перемещения каретки, который осуществляет поразрядное перемещение счетчика относительно механизма передачи при умножении и делении; механизм гашения, служащий для установки исходного нулевого наложения; механизм привода. В полуавтоматических машинах имеется дополнительный механизм автоматического деления.
Электромеханические дискретные устройства ( счетно-перфорационные машины) используются комплектом и предполагают применение специального носителя информации — перфокарты. Перфокарта — это документ, в котором в десятичной системе счисления кодируется цифровой материал. Она представляет собой картонную карту 82 5 X 187 4 мм, содержащую 80 колонок. [4]
Пневматические дискретные устройства памяти служат для отработки на выходе дискретного сигнала и сохранения его значения в течение некоторого промежутка времени, определяемого периодом дополнительного синхронизирующего сигнала. [5]
Разработанные и описанные специальные дискретные устройства

Некоторые дискретные устройства для измерения ошибок ( в частности, импульсные элементы и ЦВУ) обладают более высокой чувствительностью, чем непрерывные. [7]
Рассмотрим одновыходное, дискретное устройство М, построенное из г комбинационных элементов и m элементов памяти. [8]
ЛЭ дискретного устройства — это схемы ( электромеханические, электромагнитные, электронные), представляющие собой некоторую совокупность определенным образом соединенных компонентов, выполняющие одну или несколько простейших логических или вспомогательных операций. [9]
В дискретных устройствах автоматики, особенно предназначенных для эксплуатации в горячих цехах и на необслуживаемых объектах, целесообразно применение тиратронов тлеющего разряда. [10]
В современных дискретных устройствах в качестве исполнительных элементов широко используются транзисторы в ключевом режиме и транзисторные триггеры.
[11]
В дискретных устройствах автоматического управления и в телемеханике находит применение код вида Стп или код на одно сочетание. [12]
В дискретных устройствах измерительной техники, в некоторых вычислительных машинах, а также в информационных машинах, в силу специфики коммутации отдельные — цепи приводится переключать контактами реле. Это объясняется малым переходным сопротивлением контактов, составляющим сотые и тысячные доли ома. Для последовательного во времени переключения цепей применяются релейно-контактные переключатели, получившие в телемеханике название релейных распределителей. Такие распределители в целях сведения количества контактов до минимума целесообразно строить в виде структур двухполюсной диодной сетки на одиночных контактах от каждого элемента устройства. [13]
В дискретных устройствах программного управления ошибки могут возникнуть при считывании первичной информации; возможны ошибки при подготовке первичной информации и ряд других. С целью ввода в устройство управления правильной программы желательно контрольное устройство, регистрирующее ошибки при введении программы. Как правило, для контроля предусматривается специальная контрольная дорожка. В простейшем случае контрольное устройство является счетчиком, просчитывающим импульсы с дорожки, на которой записаны перемещения по координате.
[14]
БОИ-3 содержит дискретное устройство, элементы контроля и регулирования, блок питания, электромагнитное реле, выключатель, входные и выходные клеммы для подключения внешних кабелей. [15]
Страницы: 1 2 3 4
Базовые знания о дискретных полупроводниковых устройствах | Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Эта страница частично использует JavaScript. Эта страница может работать неправильно, если эти функции не поддерживаются вашим браузером или настройка отключена.
Пожалуйста, ищите необходимую информацию на следующих страницах:
В этом курсе электронного обучения вы узнаете определение термина «полупроводник» и основы полупроводниковых устройств, включая диоды, транзисторы, изоляторы/твердотельные реле и ИС источников питания.
Глава I: Основы полупроводников
В главе 1 обсуждаются основы полупроводников, такие как определение «полупроводник», материалы полупроводников, полупроводники n-типа и p-типа и p-n переходы.
Пожалуйста, выберите из видео или PDF или веб-страницы. Все имеют одинаковое содержание.
Включает:
- Что такое полупроводник?
- Полупроводниковые материалы
- Полупроводник n-типа
- Полупроводник р-типа
- Что такое составной полупроводник?
- Что такое соединение pn?
- Типы полупроводниковых устройств
Для тех, кто хочет посмотреть видео сразу
Для тех, кто хочет скачать PDF и прочитать его позже
Для тех, кто хочет видеть одну страницу за раз на веб-странице
Что такое полупроводник?
Подробности
Полупроводниковые материалы
Подробности
Что такое составной полупроводник?
Подробности
Что такое pn-соединение?
Подробности
Типы полупроводниковых приборов
Подробности
Глава II: Диоды
В главе 2 показаны различные типы диодов, а также рассмотрены их работа и характеристики.
Включает:
- Типы диодов
- Функции выпрямительных диодов
- Прямая характеристика выпрямительных диодов (характеристика IF-VF)
- FRD (диоды с быстрым восстановлением)
- Диоды регулятора напряжения (стабилитроны)
- Диод TVS (диод защиты от электростатического разряда)
- Разница между диодами TVS и стабилитронами
- Диоды с переменной емкостью (варикап-диоды)
- Диоды с барьером Шоттки (SBD)
- Характеристика обратного восстановления диодов с барьером Шоттки (SBD)
- Разница в зависимости от металла диодов с барьером Шоттки (SBD)
- Характеристики Применение различных диодов
Для тех, кто хочет посмотреть видео сразу
Для тех, кто хочет скачать PDF и прочитать его позже
Для тех, кто хочет видеть одну страницу за раз на веб-странице
Функции выпрямительных диодов
Подробности
Прямая характеристика выпрямительных диодов (I F -V F Характеристика)
Подробности
FRD (диоды с быстрым восстановлением)
Подробности
Диоды регулятора напряжения (стабилитроны)
Подробности
Диод TVS (диод защиты от электростатического разряда)
Подробности
Разница между TVS-диодами и стабилитронами (1)
Подробности
Разница между TVS-диодами и стабилитронами (2)
Подробности
Диоды с переменной емкостью (варикапы)
Подробности
Диоды с барьером Шоттки (SBD)
Подробности
Характеристики обратного восстановления диодов с барьером Шоттки (SBD)
Подробности
Разница в зависимости от металла диодов с барьером Шоттки (SBD)
Подробности
Характеристики Применение различных диодов
Подробности
Глава III: Транзисторы
В главе 3 показаны различные типы транзисторов и обсуждаются их работа и характеристики.
Включает:
- Типы транзисторов
- Биполярные транзисторы (BJT)
- Резистор смещения Встроенные транзисторы (БРТ)
- Соединение полевых транзисторов (JFET)
- Металлооксидно-полупроводниковые полевые транзисторы (МОП-транзисторы)
- Различия между BJT и MOSFET
- Структура и работа МОП-транзистора
- Улучшение производительности полевого МОП-транзистора: решающие факторы RDS(ON)
- Улучшение производительности MOSFET: приближение к низкому RDS(ON)
- Улучшение характеристик полевых МОП-транзисторов: МОП-транзисторы с суперпереходом (SJ-MOS)
- Обзор характеристик MOSFET по структуре
- Характеристики полевых МОП-транзисторов: ток стока и рассеиваемая мощность
- Производительность полевых МОП-транзисторов: лавинная способность
- Производительность МОП-транзисторов: характеристика емкости
- Характеристики полевых МОП-транзисторов: зона безопасной работы (или зона безопасной работы)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
- Работа биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
- Улучшение характеристик IGBT: эволюция вертикальной конструкции
- Что такое RC-IGBT и IEGT?
- Применение БТИЗ
- Сравнение передовых характеристик IGBT и MOSFET
- Сравнение транзисторов по структуре
- Листы данных MOSFET: максимальные номиналы
- Листы данных MOSFET: электрические характеристики
- Спецификации МОП-транзисторов: емкость и характеристики переключения
- Листы данных MOSFET: Body Diode
Для тех, кто хочет посмотреть видео сразу
Для тех, кто хочет скачать PDF и прочитать его позже
Для тех, кто хочет видеть одну страницу за раз на веб-странице
Биполярные транзисторы (BJT)
Подробности
Резистор смещения Встроенные транзисторы (БРТ)
Подробности
Полевые транзисторы JFET
Подробности
Металлооксидно-полупроводниковые полевые транзисторы (МОП-транзисторы)
Подробности
Различия между BJT и MOSFET
Подробности
Структура и работа МОП-транзистора
Подробности
Улучшение характеристик MOSFET: Факторы принятия решения R DS(ON)
Подробности
Улучшение производительности MOSFET: подход к низкому R ДС(ВКЛ)
Подробности
Улучшение характеристик полевых МОП-транзисторов: МОП-транзисторы с суперпереходом (SJ-MOS)
Подробности
Обзор характеристик MOSFET по структуре
Подробности
Характеристики полевых МОП-транзисторов: ток стока и рассеиваемая мощность
Подробности
Производительность МОП-транзисторов: лавинная способность
Подробности
Производительность МОП-транзисторов: характеристика емкости
Подробности
Характеристики полевых МОП-транзисторов: зона безопасной работы (или зона безопасной работы)
Подробности
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Подробности
Работа биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Подробности
Улучшение характеристик БТИЗ: эволюция вертикальной конструкции
Подробности
Что такое RC-IGBT и IEGT?
Подробности
Сравнение передовых характеристик IGBT и MOSFET
Подробности
Сравнение транзисторов по структуре
Подробности
Спецификации МОП-транзисторов: максимальные номиналы
Подробности
Спецификации МОП-транзисторов: электрические характеристики
Подробности
Спецификации МОП-транзисторов: емкость и характеристики переключения
Подробности
Листы данных MOSFET: корпусной диод
Подробности
Глава IV: ИС локального источника питания
В главе 4 обсуждаются различные типы ИС источников питания, условия источников питания в оборудовании и причины, по которым требуются источники питания в точке нагрузки (POL). Также описывается работа линейных и импульсных регуляторов.
Включает:
- ИС управления питанием
- Пример структуры линии электропередач в системе
- Зачем нужны микросхемы питания POL?
- Типы локальных источников питания Ics
- Работа линейных регуляторов
- Работа импульсных регуляторов
- Функции LDO
- ИС переключателя нагрузки
- Функции переключателя нагрузки IC
Для тех, кто хочет посмотреть видео сразу
Для тех, кто хочет скачать PDF и прочитать его позже
Для тех, кто хочет видеть одну страницу за раз на веб-странице
Пример структуры линии электропередач в системе
Подробности
Зачем нужны микросхемы питания POL?
Подробности
Типы ИС локальных источников питания
Подробности
Эксплуатация линейных регуляторов
Подробности
Эксплуатация импульсных регуляторов
Подробности
Функции переключателя нагрузки IC
Подробности
Глава V: Оптические полупроводники (изоляторы/твердотельные реле)
В главе 5 обсуждаются различные типы изоляторов/твердотельных реле, включая фотопары, а также их работа и характеристики.
Включает:
- Типы оптических полупроводников
- Принципиальная схема светоизлучающих светодиодов
- Диапазон длин волн светодиодов
- Что такое оптопара?
- Зачем нужны оптопары?
- Типы оптронов
- Типы оптронов (корпуса)
- Типы оптронов (внутренняя структура)
- Стандарты безопасности оптронов
- Характеристики оптронов (коэффициент передачи тока: CTR)
- Основные характеристики оптронов (ток триггерного светодиода)
- Данные об изменении старения оптронов
- Как использовать оптрон
- Как использовать оптопару «Входной ток»
- Как использовать оптопару «Выходной ток»
- Как использовать оптопару «резистор на стороне выхода»
- Как использовать проверку оптрона
Для тех, кто хочет посмотреть видео сразу
Для тех, кто хочет скачать PDF и прочитать его позже
Для тех, кто хочет видеть одну страницу за раз на веб-странице
Типы оптических полупроводников
Подробности
Основные светоизлучающие светодиоды
Подробности
Диапазон длин волн светодиодов
Подробности
Что такое оптопара?
Подробности
Зачем нужны оптопары?
Подробности
Типы фотопар
Подробности
Типы оптопар (комплекты)
Подробности
Типы оптронов (внутренняя структура)
Подробности
Стандарты безопасности оптронов
Подробности
Характеристики оптронов (коэффициент передачи тока: CTR)
Подробности
Основные характеристики оптронов (ток триггерного светодиода)
Подробности
Данные об изменении старения оптронов
Подробности
Как пользоваться оптроном
Подробности
Как использовать оптопару «Входной ток»
Подробности
Как использовать оптопару «Выходной ток»
Подробности
Как использовать оптопару «Выходной резистор»
Подробности
Как использовать проверку оптрона
Подробности
Откроется новое окно
Дискретные и силовые устройства | Наши решения
Дискретные устройства представляют собой одиночные полупроводники, такие как диоды или транзисторы. Мощные транзисторы представляют собой важный класс дискретных устройств и используются в ряде приложений для регулирования напряжения, снижения энергопотребления и уменьшения тепловыделения. Например, они являются важными компонентами схем, предназначенных для увеличения срока службы батарей в портативной электронике. Появляющиеся широкополосные силовые устройства (например, GaN и SiC) предлагают как маломощные, так и высокомощные приложения на более высоких частотах, предназначенные для бытовой электроники, а также более мощные приложения в электросетях, энергетике, транспорте и автомобилестроении. Примеры ключевых силовых устройств на основе кремния или широкозонных материалов включают силовые диоды, тиристоры, силовые полевые транзисторы на основе оксидов металлов и полупроводников (MOSFET) и биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT). Эти специальные устройства требуют недорогого производства из надежного, высокопроизводительного и экономичного оборудования.
Наши решения
Семейства продуктов DV-Prime и Da Vinci
Влажная очистка/зачистка/протравка
Эти продукты обеспечивают гибкость процесса, необходимую при высокой производительности, позволяющей выполнять несколько этапов очистки пластин на протяжении всего производства.
Аналоговые и смешанные сигналы, дискретные и силовые устройства, межсоединения, оптоэлектроника и фотоника, упаковка, построение схем, датчики и преобразователи, транзистор
Семейство продуктов Flex
Атомно-слоевое травление (ALE) Реактивно-ионное травление (RIE)
Наши системы травления диэлектриков предлагают ориентированные на приложения возможности для создания широкого спектра сложных структур в современных устройствах.
Расширенная память, аналоговые и смешанные сигналы, дискретные и силовые устройства, межсоединение, оптоэлектроника и фотоника, упаковка, создание шаблонов, транзистор
Семейство продуктов Kiyo
Реактивное ионное травление (RIE)
Эти лидирующие на рынке продукты для травления проводников обеспечивают высокую точность и контроль при высокой производительности, необходимые для критически важных функций устройства.
Расширенная память, аналоговые и смешанные сигналы, дискретные и силовые устройства, межсоединение, формирование шаблонов, датчики и преобразователи, транзистор
Семейство продуктов Metryx
Массовая метрология
Наши масс-метрологические системы обеспечивают возможность измерения субмиллиграммов для расширенного мониторинга процессов и управления трехмерными структурами устройств.
Расширенная память, аналоговые и смешанные сигналы, дискретные и силовые устройства, межсоединение, упаковка, формирование шаблонов, датчики и преобразователи, транзистор
Чистые продукты Reliant
Reliant Systems Влажная очистка/зачистка/травление
Наши отремонтированные и недавно построенные продукты Reliant предлагают надежные, проверенные в производстве решения по низкой стоимости владения для ряда операций по очистке лицевой и тыльной сторон/фаски.
Аналоговые и смешанные сигналы, дискретные и силовые устройства, межсоединения, оптоэлектроника и фотоника, упаковка, формирование схем, датчики и преобразователи, транзистор
Reliant Deposition Products
Химическое осаждение из паровой фазы (CVD) Плазменное химическое осаждение из паровой фазы высокой плотности (HDP-CVD) Химическое осаждение из паровой фазы с плазменным усилением (PECVD) Reliant Systems
Восстановленные и новые продукты Reliant предлагают надежные, проверенные в производстве решения с низкой стоимостью владения для диэлектрических пленок.
Усовершенствованная память, аналоговые и смешанные сигналы, дискретные и силовые устройства, межсоединение, оптоэлектроника и фотоника, упаковка, формирование шаблонов, датчики и преобразователи, транзистор
Продукты Reliant Etch
Глубокое реактивное ионное травление (DRIE) Реактивное ионное травление (RIE) Reliant Systems
Восстановленные и новые продукты Reliant предлагают надежные, проверенные в производстве решения с низкой стоимостью владения для проводников, диэлектриков и травления металлов.
Усовершенствованная память, аналоговые и смешанные сигналы, дискретные и силовые устройства, межсоединение, оптоэлектроника и фотоника, упаковка, формирование шаблонов, датчики и преобразователи, транзистор
Семейство продуктов Sense.i
Атомно-слоевое травление (ALE) Глубокое реактивное ионное травление (DRIE)
Наша новейшая платформа etch предлагает непревзойденный системный интеллект в компактной архитектуре высокой плотности для обеспечения производительности процесса при максимальной производительности.
Усовершенствованная память, аналоговые и смешанные сигналы, дискретные и силовые устройства, межсоединение, оптоэлектроника и фотоника, упаковка, формирование шаблонов, датчики и преобразователи, транзистор
Семейство продуктов серии SP
Влажная очистка/зачистка/протравка
Это проверенное семейство продуктов обеспечивает надежные и экономичные решения для влажной очистки/мокрого травления, которые бережно удаляют нежелательные материалы с пластины.
Аналоговые и смешанные сигналы, дискретные и силовые устройства, оптоэлектроника и фотоника, упаковка, датчики и преобразователи
Семейство продуктов SPEED
Плазменное осаждение из паровой фазы высокой плотности (HDP-CVD)
Эти изделия для напыления диэлектриков обеспечивают полное заполнение пробелов в пространствах с большим соотношением сторон с лучшей в отрасли производительностью и надежностью.
Расширенная память, дискретные и силовые устройства, межсоединение, оптоэлектроника и фотоника, датчики и преобразователи, транзистор
Семейство продуктов VECTOR
Плазменное химическое осаждение из паровой фазы (PECVD)
Наше семейство продуктов PECVD обеспечивает точное осаждение диэлектрической пленки с высокой производительностью для широкого спектра устройств.