Эл диодов. Исследование параметров и характеристик диодов и стабилитронов: теория, методика, анализ результатов

Какова цель исследования параметров диодов и стабилитронов. Как проводятся измерения вольт-амперных характеристик. Какие основные параметры определяются в ходе эксперимента. Как анализируются полученные результаты.

Содержание

Теоретические основы работы диодов и стабилитронов

Диоды и стабилитроны являются важнейшими полупроводниковыми приборами, широко используемыми в электронике. Их работа основана на свойствах p-n перехода — области на границе полупроводников p- и n-типа.

В состоянии равновесия в p-n переходе формируется потенциальный барьер, препятствующий движению основных носителей заряда. При этом возникает тонкий обедненный слой, обладающий высоким сопротивлением.

Принцип работы диода

При подаче на диод прямого напряжения потенциальный барьер снижается, через p-n переход начинает протекать значительный ток. В обратном направлении ток практически отсутствует. Эта особенность позволяет использовать диоды для выпрямления переменного тока.

Особенности работы стабилитрона

Стабилитрон работает в области обратного пробоя p-n перехода. При достижении напряжения пробоя ток через прибор резко возрастает, а напряжение остается практически неизменным. Это свойство используется для стабилизации напряжения.

Методика проведения исследований диодов и стабилитронов

Основным методом исследования характеристик диодов и стабилитронов является снятие вольт-амперных характеристик (ВАХ). Для этого используется следующая методика:

Собирается измерительная схема с регулируемым источником питания, миллиамперметром и вольтметром.
На исследуемый прибор подается напряжение, плавно изменяющееся в заданном диапазоне.
Снимаются показания тока и напряжения в различных точках.
По полученным данным строится график ВАХ.

Измерения проводятся как для прямой, так и для обратной ветви ВАХ. Для стабилитронов особое внимание уделяется области пробоя.

Основные параметры, определяемые в ходе эксперимента

На основе снятых вольт-амперных характеристик определяются следующие важные параметры диодов и стабилитронов:

Прямое падение напряжения при заданном токе
Обратный ток при заданном напряжении
Дифференциальное сопротивление на различных участках ВАХ
Напряжение пробоя стабилитрона
Минимальный и максимальный токи стабилизации

Эти параметры позволяют оценить качество прибора и возможности его применения в различных схемах.

Анализ результатов исследования диодов и стабилитронов

При анализе полученных экспериментальных данных необходимо обратить внимание на следующие аспекты:

Соответствие параметров заявленным в документации значениям
Форма ВАХ и наличие характерных участков
Крутизна прямой ветви ВАХ диода
Стабильность напряжения в области пробоя стабилитрона
Влияние температуры на характеристики прибора

Тщательный анализ позволяет сделать выводы о качестве исследуемых полупроводниковых приборов и их пригодности для конкретных применений.

Практическое применение результатов исследований

Результаты экспериментального исследования диодов и стабилитронов используются для:

Выбора оптимальных приборов для конкретных схем
Расчета параметров электронных устройств
Оценки качества и отбраковки полупроводниковых приборов
Подбора аналогов при замене компонентов
Разработки новых схемотехнических решений

Таким образом, понимание характеристик диодов и стабилитронов критически важно для разработки эффективных электронных устройств.

Современные методы исследования полупроводниковых приборов

В настоящее время для исследования параметров диодов и стабилитронов применяются следующие передовые методы:

Автоматизированные системы измерения ВАХ
Импульсные методы для исключения саморазогрева
Исследование шумовых характеристик
Анализ переходных процессов
Температурные испытания в широком диапазоне

Эти методы позволяют получить более полную информацию о свойствах полупроводниковых приборов и повысить точность измерений.

Заключение

Экспериментальное исследование параметров и характеристик диодов и стабилитронов является важнейшим этапом разработки и применения электронных устройств. Полученные результаты позволяют оптимально использовать возможности полупроводниковых приборов и создавать надежные и эффективные схемы.

Исследование стойкости SiC-диодов Шоттки от КРЕМНИЙ ЭЛ

Брюхно Николай — [email protected]
Демидов Андрей — [email protected]
Дракин Александр — [email protected]
Зотин Виталий — [email protected]
Кульченков Евгений — [email protected]
Рыбалка Сергей — [email protected]
Громов Владимир — [email protected]

№ 2’2018

PDF версия

Проведено экспериментальное исследование влияния параметра dV/dt на пробой SiC-диодов Шоттки производства ЗАО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ» при подаче импульса обратного напряжения. Исследование проведено с помощью разработанного отечественного тестера, позволяющего генерировать импульсы с величиной dV/dt = 50–200 В/нс. Установлено, что серийно выпускаемые и вновь создававаемые SiC-диоды Шоттки ЗАО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ» работоспособны при dV/dt не менее 130 В/нс.

Развитие силовой электроники сопровождается внедрением новых технологий, способных повысить эффективность и надежность работы преобразовательных устройств. В ближайшие годы следует ожидать расширения применения и производства приборов на основе материалов с большой шириной запрещенной зоны, в первую очередь на основе карбида кремния политипа 4H (4H-SiC). Карбид кремния обладает уникальным для применения в приборах силовой электроники сочетанием свойств: высокой теплопроводностью, высокими пробивными характеристиками, а также значительной радиационной и термической стабильностью [1, 2]. Создание SiC-приборов позволило значительно улучшить характеристики корректоров коэффициента мощности, инверторов приводов, источников питания и других устройств.

Одними из важных компонентов, используемых в силовой электронике, являются SiC-диоды Шоттки. Такие диоды на основе 4Н-SiC уже несколько лет разрабатываются и серийно выпускаются на предприятии ЗАО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ» (г. Брянск). Актуальной проблемой на пути еще более широкого применения SiC-диодов Шоттки представляется ограничение по максимальной величине параметра dV/dt при подаче импульса обратного напряжения [3, 4, 5]. Стойкость SiC-диодов Шоттки к воздействию dV/dt — одно из требований, устанавливающих ограничение скорости переключения в режиме жесткой коммутации. Установлено, что диоды с низкой стойкостью к dV/dt более подвержены отказам при воздействии больших пусковых токов [4, 5].

В настоящий момент число работ, в которых обсуждается эффект dV/dt в SiC-диодах Шоттки, весьма ограничено и представлено в основном исследованиями диодов Infineon Technologies [3], Wolfspeed [4, 5] и ROHM [6]. Например, исследование SiC-диодов Infineon показало, что для диодов с пробивным напряжением 600 В величина dV/dt ≈ 90 В/нс, а с напряжением 1200 В dV/dt ≈ 120 В/нс [3]. Для диодов Wolfspeed установлено, что при подаче импульса обратного напряжения V = 800 В для диода C3D03060A dV/dt = 295 В/нс, а при V = 1000 В для диода C4D10120A параметр dV/dt = 490 В/нс [4, 5]. Фирма Rohm приводит данные о том, что ее диоды в течение всего срока службы выдерживают dV/dt более 50 В/нс [6]. Недавно было продемонстрировано, что SiC-диоды Шоттки Wolfspeed нового поколения могут устойчиво работать без отказов при значениях dV/dt до 400 В/нс, при этом увеличение dV/dt до 650–800 В/нс приводило в ряде случаев к отказам [7, 8].

Об аналогичных исследованиях SiC-диодов Шоттки, выпускаемых отечественными производителями, к настоящему моменту в литературе не сообщалось. Поэтому целью данной работы являлось исследование стойкости SiC-диодов Шоттки производства ЗАО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ» к скорости нарастания обратного напряжения при помощи разработанного тестера, способного генерировать импульсы с величиной dV/dt = 50–200 В/нс при амплитуде импульса обратного напряжения V = 300–900 В.

Тестер для исследования стойкости SiC-диодов Шоттки к скорости нарастания обратного напряжения

Оценка стойкости SiC-диодов Шоттки к параметру dV/dt требует формирования высоковольтных импульсов с высокой скоростью нарастания обратного напряжения. Для решения этой задачи был разработан измерительный тестер, показанный на рис. 1.

Рис. 1. Тестер для исследования стойкости SiC-диодов Шоттки к скорости нарастания обратного напряжения

На рис. 2 представлена схема измерительной части разработанного тестера, позволяющего исследовать стойкость SiC-диодов Шоттки к параметру dV/dt в диапазоне 50–200 В/нс при V = 300–900 В. Фронт импульса обратного напряжения формируется включением SiC-транзистора VT2. Малая длительность фронта импульса обеспечивается зарядом входной емкости транзистора VT2 током лавинного пробоя транзистора VT1. Регулирование параметра dV/dt осуществляется резистором R21.

Рис. 2. Схема измерительной части тестера для исследования стойкости SiC-диодов Шоттки к скорости нарастания обратного напряжения

Результаты исследования стойкости SiC-диодов Шоттки

Анализ осциллограмм напряжения и тока проводился при помощи осциллографа Hantek DSO5102P (полоса пропускания 100 МГц, частота обновления 1 Гвыб/с). Сопротивление токосъемного резистора

R = 1 Ом. Амплитуда импульса обратного напряжения пошагово повышалась от начального значения V = 300 В до 900 В. При испытании SiC-диодов Шоттки импульсы напряжения подавались как однократные, так и сериями по 100, 1000 и 10 000 импульсов. Для проведения исследования диоды производства ЗАО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ» подбирались с разным корпусным исполнением и отличающимися основными характеристиками. Для верификации полученных результатов предварительно была проведена оценка стойкости к dV/dt SiC-диодов Wolfspeed, что подтвердило основные выводы работы [4].

Результаты проведенного экспериментального исследования стойкости SiC-диодов Шоттки к скорости нарастания обратного напряжения показаны на рис. 3–6. В правом нижнем углу на представленных рисунках выведены данные о величинах dV и dt для каждого исследованного диода, что делает процесс определения параметра dV/dt проще и точнее. Результат определения величины

dV/dt указан в подписи к каждому рисунку.

Видно, что каждый из исследованных SiC-диодов Шоттки оказался работоспособным после воздействия сформированного тестером импульса. Зафиксированные отличия форм осциллограмм после завершения однократного импульса в основном обусловлены разным корпусным исполнением диодов ЗАО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ».

Рис. 3. Осциллограммы напряжения (канал 2) и тока (канал 1) для диода 5ДШ402А9 в корпусе КТ-47 при амплитуде импульса обратного напряжения V = 900 В (dV/dt = 148 В/нс)

Рис. 4. Осциллограммы напряжения (канал 2) и тока (канал 1) для диода в корпусе КТ-28-1 (при амплитуде импульса обратного напряжения V = 900 В (dV/dt = 184 В/нс)

Рис. 5. Осциллограммы напряжения (канал 2) и тока (канал 1) для нового разрабатываемого SiC-диода Шоттки с Vпробоя более 1700 В в корпусе КТ-28-1 при амплитуде импульса обратного напряжения V = 900 В (dV/dt = 136 В/нс)

Рис. 6. Осциллограммы напряжения (канал 2) и тока (канал 1) для диода КТ-28А-2. 02 (металлокерамический корпус) при амплитуде импульса обратного напряжения V = 900 В (dV/dt = 176 В/нс)

Результаты определения параметра dV/dt для исследованных SiC-диодов Шоттки приведены в таблице.

Таблица. Результаты исследования стойкости SiC-диодов Шоттки к скорости нарастания обратного напряжения
SiC-диоды Шоттки ЗАО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ»	Величина dV/dt при амплитуде импульса обратного напряжения V = 900 В, В/нс
5ДШ402А9 в корпусе КТ-47 на 1 А, 1200 В	148
Разрабатываемый диод в корпусе КТ-28-1 на 5 А, 1200 В	184
Разрабатываемый диод в корпусе КТ-28-1 на 5 А, 1700 В	136
Разрабатываемый диод в корпусе КТ-28А-2.02 на 10 А, 1200 В	176

Таким образом, стойкость SiC-диодов Шоттки ЗАО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ» к скорости нарастания обратного напряжения сравнима со стойкостью диодов фирм Infineon Technologies, ROHM и Wolfspeed.

В настоящее время ЗАО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ» проводит работы по улучшению охранной системы SiC-диодов, что даст стойкость к импульсам с dV/dt более 250 В/нс.

Заключение

Разработанный отечественный тестер для исследования стойкости SiC-диодов Шоттки к эффекту

dV/dt позволил провести исследование SiC-диодов Шоттки производства ЗАО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ», отличающихся корпусированием и основными параметрами. Выполненный анализ осциллограмм напряжения и тока с разной длительностью сигнала, частотой и количеством импульсов позволил определить, что серийно выпускаемые, а также разрабатываемые ЗАО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ» новые SiC-диоды Шоттки работоспособны при dV/dt не менее 130 В/нс.

Важно отметить, что фактические возможности исследованных диодов ЗАО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ» превышают измеренные значения dV/dt и для установления предельной величины параметра dV/dt разрабатывается тестер, позволяющий достичь более 500 В/нс. Также для исследования больших партий диодов в настоящее время завершается создание автоматического тестера с микропроцессорным управлением на базе контроллера STM32F407, обеспечивающего одновременный контроль стойкости к параметру

dV/dt до десяти диодов с программированием амплитуды обратного напряжения (в диапазоне 300–1500 В), скорости нарастания обратного напряжения, частоты импульсов (в диапазоне до 10 кГц) и их количества (1–100 000 импульсов).

____________________________________________________________________________________
Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки РФ, задание № 8.1729.2017/4.6.

Литература

Kimoto T., Cooper J. A. Growth, Characteriztion, Devices, and Applications. Fundamentals of Silicon Carbide Technology. New York, Wiley — IEEE Press, 2014.
Иванов П. А., Левинштейн М. Е., Мнацаканов Т. Т., Palmour J. W., Agarwal A. K. Мощные биполярные приборы на основе карбида кремния // Физика и техника полупроводников. Т. 39. № 8.
Holz M., Hultsch G., Scherg T., Rupp R. Reliability considerations for recent Infineon SiC diode releases // Microelectronics Reliability. 2007. No. 47.
Cree SiC Power White Paper: The Characterization of dV/dt Capabilities of Cree SiC Schottky diodes using an Avalanche Transistor Pulser. 2015.
Карташов Е., Лебедев А. Оценка стойкости диодов Wolfspeed SiC Шоттки к dV/dt с помощью генератора импульсов на основе лавинного транзистора // Силовая электроника. № 2’2016.
SiC Power Devices and Modules. Application Note // ROHM Semiconductor. Issue of August 2014.
Wang G., Van Brunt E., Barbieri T., Hull B. et al. On Developing a dV/dt Rating for Commercial 650V- and 1200V-Rated SiC Schottky Diodes. Proceedings of PCIM Europe, Nuremberg, Germany, 2017.
Van Brunt E., Wang G., Liu J. et al. Operation of 4H-SiC Schottky diodes at dV/dt values over 700 kV/ms // Proceedings of 28^th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD). Czech Republic, Prague, 2016.

Исследование параметров и характеристик диодов и стабилитронов

Лабораторная работа № 1

Цель работы: закрепить теоретические знания о диодах и стабилитронах; научиться рассчитывать и измерять токи, напряжения и сопротивления диодов и стабилитронов; экспериментально получить вольтамперные характеристики диода и стабилитрона; исследовать стабилизирующие свойства стабилитрона.

Используемое оборудование и средства: персональный компьютер, программа Electronics Workbench.

Методические указания: работа выполняется студентами за четыре часа аудиторных занятий.

1. Краткие теоретические сведения

1.1. P-n-переход в состоянии равновесия

Электронно-дырочный, или p-n-переход, – область пространства на стыке двух полупроводников p— и n-типа, в которой происходит переход от одного типа проводимости к другому, рисунок 1.

Такой переход создается в одном кристалле полупроводника с использованием сложных технологических операций. Возможны различные исполнения p-n-перехода, отличающиеся: резкостью и уровнем изменения концентраций доноров и акцепторов на границе перехода, размером и формой самого перехода, а также наличием каких-либо неоднородностей в переходе. Все эти факторы оказывают существенное влияние на свойства p-n-перехода и используются для придания реальным полупроводниковым приборам тех или иных характеристик.

В полупроводнике p-типа концентрация дырок намного превышает концентрацию электронов. В полупроводнике n-типа концентрация электронов намного превышает концентрацию дырок. Если между двумя такими полупроводниками установить контакт, то возникнет диффузионный ток I_диф – носители заряда, хаотично двигаясь, перетекают из той области, где их больше, в ту область, где их меньше. При такой диффузии электроны и дырки переносят с собой заряд. Как следствие, область на границе станет заряженной. Область в полупроводнике p-типа, которая примыкает к границе раздела, получит дополнительный отрицательный заряд, созданный оставшимися после рекомбинации свободных носителей отрицательными ионами акцепторной примеси, а пограничная область в полупроводнике n-типа получит положительный заряд, созданный положительными ионами донорной примеси. Таким образом, в тонком слое полупроводника у границы раздела р— и n-областей образуются две зоны пространственного заряда противоположного знака. Этот слой и представляет собой собственно р-n-переход, рисунок 1.

Рисунок 1 – p-n-переход в состоянии равновесия

Между зонами пространственного заряда противоположного знака возникает диффузионное электрическое поле Е_диф, созданное двумя слоями объемных зарядов. Этому полю соответствует разность потенциалов между p— и n-областями U_к, называемая контактной. За пределами области объемного заряда полупроводники p— и n-типа остаются электрически нейтральными. Разность потенциалов между p— и n-областями, или потенциальный барьер, составляет десятые доли вольта.

Величина контактной разности потенциалов на переходе определяется отношением концентраций носителей зарядов одного знака в p— и n— областях полупроводника. Ширина слоя объемных зарядов, так называемый запирающий слой, в p— и n-областях обратно пропорциональна концентрациям примесей в этих областях, т.е. в несимметричном переходе запирающий слой расширяется в область с меньшей концентрацией примеси. Удельное сопротивление полупроводника в области запирающего слоя существенно выше удельного сопротивления нейтральных областей.

В полупроводниках постоянно образуются и рекомбинируют тепловые электронно-дырочные пары, создавая неосновные носители (электроны в p-области и дырки в n-области). Диффузионное электрическое поле является тормозящим для основных носителей заряда и ускоряющим для неосновных. Электроны p-области и дырки n-области, совершая тепловое движение, попадают в пределы диффузионного электрического поля, увлекаются им и перебрасываются в противоположные области, образуя дрейфовый ток I_др в направлении, противоположном диффузионному току I_диф.

Так как через изолированный полупроводник ток проходить не должен, то между диффузионным и дрейфовым токами устанавливается динамическое равновесие.

Diodes Incorporated — аналоговые, дискретные, логические, смешанные сигналы

Преобразование логики и напряжения

Наиболее популярные функции
Основные логические семейства
Отдельные ворота, совместимые с автомобильной промышленностью

Учить больше

Самые компактные в отрасли выпрямители Шоттки на 4 и 5 А

Выпрямители Шоттки малого форм-фактора CSP обеспечивают высочайшую плотность тока и максимальное использование полезной площади платы

Учить больше

Analog Experts

Широкий портфель
Простые решения
Низкие токи покоя

Учить больше

USB Type-C

Признанный лидер в области комплексных решений
Широкий выбор для различных рынков
Коммутаторы и ReDrivers с
лучшая на рынке производительность

Учить больше

Дискретные устройства

Широкий ассортимент семейств высокопроизводительных продуктов
Термически эффективная технология упаковки

Учить больше

Устойчивое развитие

Наш шанхайский завод A/T был удостоен награды «Зеленая фабрика» Муниципальной комиссии по экономическим и информационным технологиям и Комиссии по развитию и реформам.

Учить больше

Продукция, соответствующая требованиям автомобильной промышленности

Соответствует стандарту AEC-Q и поддерживает PPAP
на объектах, соответствующих стандарту IATF16949

Учить больше

Малошумящий прецизионный операционный усилитель для высокоточного преобразования автомобильных сигналов

30 сентября 2022 г.

Сверхнизкий уровень покоя, входное напряжение 45 В, 300 мА, совместимый с автомобильным LDO

29 сентября 2022 г.

Квазирезонансный обратноходовой контроллер с оптимизированным управлением E-GAN обеспечивает высокоэффективное решение USB PD

28 сентября 2022 г.

ИСПРАВЛЕНИЕ И ЗАМЕНА Прецизионных операционных усилителей от Diodes Incorporated, совместимых с автомобильной промышленностью, с широким динамическим диапазоном и низким уровнем шума
11 октября 2022 г. | Плано, Техас
Маломощный 1,8 В, 2,5 Гбит/с, 4 канала передачи данных ReDriver от Diodes Incorporated с поддержкой протоколов MIPI D-PHY
27 сентября 2022 г. | Плано, Техас

Органические электролюминесцентные диоды с многослойным красителем — есть ли разница с полимерными светодиодами?

DOI: 10.1007/978-94-017-1952-0_12
Идентификатор корпуса: 94515623

  title={Электролюминесцентные диоды на многослойных органических красителях — есть ли разница с полимерными светодиодами?},
  автор={Тетсуо Цуцуи и Сёго Сайто},
  год = {1993}
}

T. Tsutsui, S. Saito
Опубликовано в 1993 г.
Физика, химия

Характеристики электролюминесцентных (ЭЛ) диодов на органических многослойных красителях, изготовленных путем вакуумного осаждения паров нескольких органических красителей, сравниваются с характеристиками полимерных ЭЛ-диодов, которые получают из π-сопряженных полимеров основной цепи. Обсуждаются сходство и различие многослойного светодиода на красителе и полимерного светодиода.

Просмотр через Publisher

Инжекция заряда, транспорт, рекомбинация и генерация нейтральных возбуждений в электролюминесцентных диодах с многослойным красителем

T. Tsutsui, C. Lin, S. Saito
Химия, машиностроение
1994

Резюме Излучательные характеристики многослойных электролюминесцентных диодов на красителях, а также многослойные составные красители обсуждены с точки зрения молекулярных структур красителей. структуры устройства. Используя те же…

Полимерные термореактивные органические светоизлучающие устройства

D. Roitman, H. Antoniadis, M. Hueschen, R. Moon, J. Sheats
Физика
1998

Мы сообщаем о систематическом исследовании новых однослойных и двухслойных термореактивных светоизлучающих устройств (СИД) на основе триаритаминов для дырочного транспортного слоя и флуоренов для излучающего и электронного…

Color Tunable Light-Emitting Диоды на основе полимер/неорганического гетероперехода

Haishu Tan, Lichun Chen, Guang-hua Gao
Материаловедение
1998

С использованием полимера p-типа поли(2,5-1-D Фенилениленвинилен) (PDDOPV) и неорганический материал n-типа ZnO:Zn, электролюминесцентное (ЭЛ) излучение двухслойного устройства на основе…

Электролюминесцентные диоды с использованием стеклообразующих жидких кристаллов на основе циклогексана и их аналоги

C. Lin, T. Tsutsui, S. Saito, S. Chen, J. Mastrangelo, Hongqin Shi
Химия, материаловедение
9 1996

Были изготовлены органические электролюминесцентные (ЭЛ) диоды с использованием пленок центрифугирования стеклообразующих жидкокристаллических (ЖК) материалов на основе циклогексана. Установлено, что ЖК-материалы на основе циклогексана…

Электролюминесценция с органическими соединениями

J. Salbeck
Химия, материаловедение
1996

Будут представлены некоторые фундаментальные аспекты основных принципов и приложений электролюминесценции на основе органических низкомолекулярных соединений и полимерных соединений. Основные рабочие…

Расширенная концепция молекулярного дизайна молекулярных материалов для электролюминесценции: пленки сублимированных красителей, молекулярно-легированные полимеры и полимеры с хромофорами

Т. Цуцуи, Э. Аминака, К. Лин, Д. -. Ким
Химия, физика
Философские труды Лондонского королевского общества. Серия А: Математические, физические и технические науки
1997

Показана применимость концепции молекулярного дизайна пленок красителей для случаев полимер-дисперсных систем красителей и важность применения многослойных структур для получения высоких Обсуждается эффективность ЭЛ.

Material Design of Polymers with Chromophores in Skeletons for Electroluminescent Devices

T. Tsutsui, Donguk Kim
Chemistry
1996

Abstract As the extension of molecular design concept of low molar mass dyes for vacuum-sublimed многослойные электролюминесцентные устройства, концепция дизайна материалов для электролюминесцентных полимеров с…

Светоизлучающие полимеры и их светодиодные устройства

T. Ohnishi, S. Doi, Y. Tsuchida, T. Noguchi
Материаловедение
1997

Высокосветящиеся полимеры были успешно получены путем сополимеризации различных арилен-виниленовых звеньев. The random copolymerization of the monomers having different energy gaps or conjugation…

Polymer light emitting diodes

M. Greczmiel, Peter Poesch, M. Schwoerer
Materials Science
1996

Monolayer light emitting diodes from poly (1,4-фениленвинилен) (PPV) обычно обладают относительно низкой квантовой эффективностью. Таким образом, внешний КПД светодиода ITO/PPV/Ca обычно составляет 0,01%. В…

Влияние примесных ионов и постоянных диполей на характеристики устройства тонкопленочных электролюминесцентных диодов из слоя поливинилкарбазола (ПВХ) с центрифугированием и вакуумно-сублимированного слоя трис-(8-гидроксихинолин)алюминия (Alq). Диоды с одинаковым устройством…

ПОКАЗАНЫ 1-10 ИЗ 39 ССЫЛОК

SORT BYRelevanceMost Influenced PapersRecency

Visible-Light Electroluminescent Diodes Utilizing Poly(3-alkylthiophene)

Y. Ohmori, M. Uchida, Keiro Muro Keiro Muro, Katsumi Yoshino Katsumi Yoshino
Chemistry, Materials Science
1991

Впервые продемонстрирован электролюминесцентный диод видимого света на основе поли(3-алкилтиофена). Интенсивность светового излучения увеличивается сверхлинейно с увеличением инжектируемого…

Blue Electroluminescent Diodes Utilizing Poly(alkylfluorene)

Y. Ohmori, M. Uchida, Keiro Muro Keiro Muro, Katsumi Yoshino Katsumi Yoshino
Materials Science
1991

Blue electroluminescent diodes utilizing poly(alkylfluorene) были продемонстрированы впервые. Электролюминесцентный диод типа Шоттки из поли(9,9-дигексилфлуорена) питается при напряжении ~10 В и…

Органический электролюминесцентный прибор с пленкой Ленгмюра-Блоджетт на цианиновом красителе в качестве эмиттера

M. Era, C. Adachi, T. Tsutsui, S. Saitō
Physics, Chemistry
1992

Organic Electroluminescent Diodes

C. Tang, S. Vanslyke
Physics, Materials Science
1987

Создано новое электролюминесцентное устройство с использованием органических материалов в качестве излучающих элементов. Диод имеет двухслойную структуру из тонких органических пленок, полученных методом осаждения из газовой фазы…

Влияние кристалличности транспортных слоев дырок на характеристики органических электролюминесцентных устройств

H. Masui, M. Takeuchi
Материаловедение
1991

Электролюминесцентное поведение органических элементов (EL) состоящий из светоизлучающего слоя 8-гидроксихинолинового алюминия и дырочного транспортного слоя фталоцианина меди…

Электролюминесцентное устройство с двойной гетероструктурой и бимолекулярным слоем цианинового красителя в качестве излучателя

M. Era, C. Adachi, T. Tsutsui, S. Saitō
Химия, Физика
1991

Электрические свойства первозданного поли (2,5-тихиленевинилен). , S. Tokito, T. Tsutsui, S. Saito

Материаловедение

1990

Изучены темновая проводимость и фотопроводимость. Установлено, что поглощенный пленкой кислород служит слабым акцептором электронов и влияет на проводимость полимера. Газообразный аммиак использовался для…