Элемент и на транзисторах: НОУ ИНТУИТ | Лекция | Реализация логических элементов

Содержание

НОУ ИНТУИТ | Лекция | Реализация логических элементов

Аннотация: Рассматривается различные технологии реализации логических элементов.

Логические элементы транзисторно-транзисторной логики

Схемы транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ) базируются на биполярных транзисторах npn-структуры. Базовым элементом (рис. 16.1) данной технологии является схема И-НЕ. Логическое умножение осуществляется за счет свойств многоэмиттерного транзистора VT1 [1]. При подаче хотя бы одного логического нуля на эмиттеры этого транзистора замыкается цепь: +5 В, сопротивление R1, переход база-эмиттер, земля на входе. При этом транзисторы VT2 и VT3 остаются закрытыми. Поэтому выходная цепь не замкнута, падения напряжения в ней нет, следовательно, в точке F на выходе схемы будет потенциал источника питания, т.е. логическая единица. Выполняется правило И-НЕ [2]: при подаче хотя бы одного нуля на выходе схемы получили логическую единицу.


Рис. 16.1. Базовый элемент И-НЕ на ТТЛ

При подаче логической единицы на все входы схемы замыкается цепь: +5 В, сопротивление R2, транзистор VT2, сопротивление R3 , земля. Следовательно, на базу выходного транзистора VT3 подается потенциал, достаточный для его открытия (соответствует падению напряжения на сопротивлении R3). Через открытый транзистор VT3 замыкается буферная цепь: +5 В, сопротивление R4, транзистор VT3, земля. Следовательно, на выходе F будет потенциал, соответствующий падению напряжения на открытом транзисторе VT3, т.е. 0.4 В. Таким образом, F=0.

На рис. 16.2 представлен логический элемент ИЛИ-НЕ. Логическое сложение осуществляется за счет монтажного соединения транзисторов VT3 и VT4. Замыкание буферной цепи (состояние F=0 ) в этом случае возможно при замыкании хотя бы одной из цепей, проходящих через сопротивления R2 и R3. Эти цепи замыкаются в том случае, если на входы подается хотя бы одна логическая единица. Таким образом, выполняется правило ИЛИ-НЕ [2]: при подаче хотя бы одной единицы на выходе схемы получим логический ноль.

При замене в схеме И-НЕ многоэмиттерного транзистора VT1 на одноэмиттерный получается инвертор (рис. 16.3).


Рис. 16.3. Логический элемент НЕ на ТТЛ

Буферная часть схем логических элементов ТТЛ-технологии может быть реализована по-разному. В частности, резистор в буферной части может быть вынесен за пределы интегральной схемы, при этом существенно уменьшаются потери и нагрев кристалла. Такие схемы называются схемами "с открытым коллектором ". Пример такой схемы приведен на рис. 16.4.


Рис. 16.4. Базовый элемент И-НЕ на ТТЛ с открытым коллектором

В схемах с активной нагрузкой (рис. 16.5) состояние буферной цепи определяется состоянием не одного, а двух транзисторов.


Рис. 16.5. Базовый элемент И-НЕ на ТТЛ с активной нагрузкой

Буферные схемы на три состояния (первые два – логический 0 и логическая 1 ) имеют помимо информационных, разрешающий вход Е (рис. 16.6). При Е=1 диод VD2 подключен на обратное напряжение, поэтому дополнительная цепь, включающая в себя диод VD2 и вход Е, разомкнута и не влияет на работу логического элемента. Таким образом, осуществляется "разрешение" работы элемента. При отсутствии такового разрешения Е=0. Диод VD2 оказывается подключенным на прямое напряжение, замыкается цепь + 5 В, сопротивление R2, открытый диод VD2, земля на входе E. Следовательно, на базу транзистора VT3 в буферной части схемы подается потенциал, соответствующий падению напряжения на открытом диоде, т.е. 0.2 В. При таких условиях данный транзистор закрыт, поэтому выход F оказывается отключенным от источника питания. Кроме того, независимо от состояния информационных входов A и B, замкнется входная цепь +5 В, сопротивление R1, переход база-эмиттер транзистора VT1, земля на входе E. Поэтому, как было описано выше, транзисторы VT2 и VT4 будут закрыты. Вследствие закрытия VT4 выход F будет отключен также и от земли. Таким образом, схема будет не в нулевом и не в единичном, а в "третьем" состоянии, которое называется состоянием
высокого сопротивления
, Z-состоянием, высокоимпедансным состоянием. Все перечисленные термины обозначают одно и то же: выход схемы отключен и от источника питания, и от земли.


Рис. 16.6. Базовый элемент И-НЕ на ТТЛ с выходом на три состояния

Логические элементы nМОП-технологии

Схемы nМОП-технологии базируются на полевых (МОП) транзисторах с индуцированным каналом n-типа. Базовым элементом (рис. П16.7) данной технологии является схема И-НЕ. Логическое умножение осуществляется за счет последовательного соединения каналов транзисторов VT1 и VT2. Канал между истоком и стоком в nМОП-транзисторе индуцируется в том случае, когда на затвор (вход схемы) подается положительный относительно подложки потенциал. Цепь от +5 В до земли замкнется только в одном случае, когда A=B=1, поскольку в этом случае оба транзистора открываются и образуется единый канал, замыкающий цепь.


Рис. 16.7. Логический элемент И-НЕ nМОП-технологии

Функция ИЛИ-НЕ осуществляется за счет параллельного соединения таких транзисторов (рис. 16.8): при подаче хотя бы на один вход единицы индуцируется канал в соответствующем транзисторе и замыкается цепь от +5 В до земли. Следовательно, на выходе будет потенциал, соответствующий падению напряжения в канале транзистора, т.е. 0,2 В, при этом F=0.


Рис. 16.8. Логический элемент ИЛИ-НЕ nМОП-технологии

Схема инвертора (рис. 16.9) строится на базе одного транзистора.


Рис. 16.9. Логический элемент НЕ nМОП-технологии

Глава 3. Построение схем на логических элементах

Основные логические функции и их реализация в

Электронных устройствах

Элемент ИЛИ.

 

Устройства ЧПУ, как любые цифровые устройства, включая ЭВМ, состоят из основных логических элементов и элементов памяти. К основным логическим элементам относятся физические элементы, реализующие логические функции «ИЛИ», «И», «НЕ», т. е. осуществляющие логические суммирование, умножение и отрицание. Элементы памяти также могут состоять из этих же логических элементов, соединенных в триггеры.

Узлы цифровых устройств реализуются в виде серийно выпускаемых стандартных логических элементов, образующих их элементную базу, которая состоит из серии функционально различных логических элементов. Эти элементы конструктивно оформлены в одинаковых корпусах, содержащих несколько логических элементов, которые устанавливают на блоках, панелях или платах (в зависимости от конструкции этих элементов) и соединяют между собой внешним монтажом. Основным свойством логических элементов определенной серии является возможность их последовательного включения, в связи с чем предусмотрен одинаковый уровень их входных и выходных сигналов. Из основных логических элементов можно построить любую сколь угодно сложную схему, реализующую любую логическую функцию. Например, можно построить логические схемы со многими входами и выходами, служащие для преобразования кодов из одной формы в другую.

Логические элементы (узлы) предназначены для, выполнения различных логических (функциональных) операций над дискретными сигналами при двоичном способе их представления.

Преимущественное распространение получили логические элементы потенциального типа. В них используются дискретные сигналы, нулевому значению которых соответствует уровень низкого потенциала, а единичному значению — уровень высокого потенциала (отрицательного или положительного). Связь потенциального логического элемента с предыдущим и последующими узлами в системе осуществляется непосредственно, без применения реактивных компонентов. Благодаря этому преимуществу именно потенциальные логические элементы нашли почти исключительное применение в интегральном исполнении в виде микросхем. С позиций использования логических микросхем потенциального типа и проводится далее рассмотрение логических элементов. Логические биполярные микросхемы чаще выполняют на транзисторах типа

n-p-n с напряжением питания Eti>0. Этим объясняется, что используемые здесь сигналы имеют положительную полярность. Уровню высокого положительного потенциала («1») на выходе соответствует закрытое состояние транзистора, а уровню низкого потенциала («0») — его открытое состояние. С этой точки зрения, в частности, и следует понимать действие сигнала на входе логического элемента, имеющего непосредственную связь с другими элементами в конкретной схеме. Для упрощения уровень низкого потенциала сигнала полагаем равным нулю, а процесс перехода транзистора из одного состояния в другое — достаточно быстрым.

Логические интегральные микросхемы являются элементами, на основе которых выполняются схемы цифровой техники, в частности, применяемые в устройствах систем ЧПУ.

Логический элемент ИЛИ. Логический элемент ИЛИ имеет несколько входов и один общий выход. Его условное обозначение показано на рис.3.1, а.

Логический элемент ИЛИ выполняет операцию логического сложения (дизъюнкции):

(3.1)

где F - функция; х1, х2, х3,..., хn— аргументы (переменные, двоичные сигналы на входах).

Здесь функция F=0, когда все ее аргументы равны нулю, и F=1 при одном, нескольких или всех аргументах, равных единице. Работу схемы двухвходового логического элемента ИЛИ иллюстрируют таблица истинности и временные диаграммы, приведенные на рис.3.1,б, в. Моделью двухвходового элемента ИЛИ может служить схема с двумя параллельно включенными ключами. Если оба ключа выключены (аргументы равны нулю), то напряжение на выходе равно нулю и F=0. При одном или двух включенных ключах напряжение на выходе равно Е и F=1.

           
 
   
 
     
 

 

Рис. 3.1. Условное обозначение логического элемента ИЛИ (а), его таблица истинности и временное диаграммы (б, в)

 

Наиболее просто элемент ИЛИ реализуется на диодах (рис.3.2). Значение F=1 на выходе создается передачей входного сигнала вследствие отпирания соответствующего диода. К диодам, для которых входной сигнал равен нулю, прикладывается обратное напряжение, и они находятся в закрытом состоянии.

Рис.3.2. Схема логического элемента ИЛИ на диодах

 

На практике возможны случаи, когда число входов используемого логического элемента ИЛИ превышает количество входных сигналов. Неиспользуемые входы заземляют. Тем самым исключается возможность прохождения помех через элемент ИЛИ от наводок по неиспользованным входам.

 

Элементы И, НЕ.

 

Логический элемент И. Логический элемент И также имеет несколько входов и один выход.

Его условное обозначение показано на рис.3.3, а.

Логический элемент И выполняет операцию логического умножения (конъюнкции):

(3.2)

 

           
   
 
     
 
 

 

 

Рис.3.3. Условное обозначение логического элемента И (а),

его таблица истинности и временные диаграммы (б, в)

 

Здесь функция F=0, если один из ее аргументов равен нулю, и F=1 при всех аргументах, равных единице.

Работу схемы двухвходового логического элемента И иллюстрируют таблица истинности и временные диаграммы, приведенные на рис.3.3,б,в. Элемент И является схемой совпадения: сигнал «1» на выходе появляется при совпадении сигналов «1» на всех входах. Моделью двухвходового элемента И может служить схема с двумя последовательно включенными ключами и источником питания. Простейшая схема элемента И на диодах приведена на рис.3.4. Отличие от схемы элемента ИЛИ (см. рис.3.2) заключается в изменении полярности включения диодов и наличии резистора R подключенного к шине «+» источника питания. Схема работает следующим образом. При всех входных сигналах, равных единице, на катодах диодов имеется положительный потенциал относительно общей точки и все диоды закрыты. На выходе схемы создается напряжение ER2/(R1+R2), определяющее F=1. При нулевом значении сигнала хотя бы на одном из входов соответствующий диод будет проводить ток и шунтировать резистор R2, выполняющий, как и резистор R в схеме рис.3.2, роль нагрузки. Напряжение на выходе при этом определяется падением напряжения на открытом диоде и близко к нулю (F=0). Увеличение числа входов с нулевым значением сигнала приводит только к увеличению числа проводящих диодов, а функция F остается равной нулю.

Рис.3.4. Схема логического элемента И на диодах

 

В случае применения логического элемента И, имеющего число входов, большее количества входных сигналов, неиспользуемые входы элемента соединяют с шиной «+» источника питания (подают сигнал логической «1»).

Диоды неиспользуемых входов будут находиться в закрытом состоянии. Это уменьшает вероятность прохождения помех на выход элемента И от наводок по неиспользованным входам. Поведение логического элемента будет зависеть от комбинации входных сигналов.

Логический элемент НЕ. Логический элемент НЕ имеет один вход и один выход. Его условное обозначение показано на рис.3.5,а.

Элемент НЕ выполняет операцию инверсии (отрицания), в связи с чем его часто называют логическим инвертором.

Сигналу х=0 на входе соответствует F=1 и, наоборот, при x=1 F=0.

Работу схемы логического элемента НЕ иллюстрируют таблица истинности и временные диаграммы, приведенные на рис. 3.5,б,в. Логический элемент НЕ представляет собой ключевую схему на транзисторе (рис.3.6). При х=0 (Uвх=0) транзистор закрыт, напряжение uкэк, т.е. F=1. При х=1 (Uвх=Uвхотп) транзистор открыт, напряжение F=0. Открытое состояние транзистора обеспечивается заданием тока базы, вводящего транзистор в режим насыщения.

Рис.3.5. Условное обозначение логического элемента НЕ (а), его

таблица истинности и временные диаграммы (б, в)

Рис.3.6. Схема логического элемента НЕ

 

Элементы ИЛИ-НЕ, И-НЕ.

 

Логический элемент ИЛИ-НЕ. Условное обозначение логического элемента ИЛИ-НЕ показано на рис.3.7,а. Он объединяет элементы ИЛИ и НЕ с очередностью проведения операций, показанной в таблице истинности рис.3.7,б. В связи с этим входным сигналам, равным единице, соответствует логический «0» на выходе, а при нулевых сигналах на всех входах F=1. Функциональная операция, выполняемая элементом ИЛИ-НЕ при n входах, определяется выражением

(3.3)

На рис.3.8,а приведена схема логического элемента ИЛИ-НЕ, представляющая собой последовательное соединение элемента ИЛИ на диодах и элемента НЕ. Логические схемы подобного сочетания определяют, в частности, класс элементов так называемой диодно-транзисторной логики (ДТЛ). Принцип действия элемента ясен из диаграмм рис.3.8,б, где показаны сигналы x1 и х2 на входах, сигнал у на выходе элемента ИЛИ и выходная функция F.

 

 

а) б)

Рис. 3.7. Условное обозначение логического элемента ИЛИ-НЕ (а),

его таблица истинности (б)

а) б)

Рис.3.8. Схема логического элемента ИЛИ-НЕ ДТЛ (а)

и его временные диаграммы (б)

 

 

Логический элемент И-НЕ. Условное обозначение логического элемента И-НЕ показано на рис. 3.9,а. Ему эквивалентна структурная схема, показанная на рис.3.9,б. Логической «1» на всех информационных входах соответствует логический «0» на выходе элемента. При логическом «0» на одном из входов создается логическая «1» на выходе. Для двухвходового элемента И-НЕ сказанное отражено в таблице истинности на рис.3.9,в. Логическая функция элемента И-НЕ при n входах отвечает выражению

(3.4)

На рис.3.10,а приведена схема логического элемента И-НЕ ДТЛ. Принцип действия элемента иллюстрируют временные диаграммы рис.3.10,б. При логических «1» на обоих входах диоды Д1, Д2 закрыты. В схеме образуется цепь + ЕИ — RG — Д¢— Д², которая обеспечивает протекание тока базы EH/R6 транзистора. Транзистор открыт и насыщен, F=0.

       
   
 

 

 

Рис. 3.9. Условное обозначение логического элемента И-НЕ (а),

его функциональный эквивалент (б) и таблица истинности (в)

 
 

 

 

Рис.3.10. Схема логического элемента И-НЕ ДТЛ (а) и его временные диаграммы (б)

 

При логическом «0» на одном из входов (например, x1) открывается диод этого входа (Д1). Образуется цепь, в которой ток резистора Rб (рис.3.10,а) протекает через открытый диод (Д1) и источник сигнала логического «0» (x1). При этом цепь Д' — Д" — эмиттерный переход транзистора — оказывается шунтированной цепью с проводящим диодом. Ток базы транзистора равен нулю, транзистор закрыт, F=1.

Поскольку напряжение на открытом диоде входной цепи, а также напряжение входа логического «0» реально больше нуля, точка у на рис.3.10,а имеет некоторый положительный потенциал относительно эмиттера транзистора. В отсутствие диодов Д', Д" это могло бы привести к отпиранию транзистора. При их введении напряжение между точкой у и эмиттером транзистора будет приложено к диодам, а напряжение Uбэ транзистора близко к нулю.

Наличие усилительного элемента, транзистора, в логических микросхемах ИЛИ-НЕ и И-НЕ классов ДТЛ и ТТЛ определяет такое их важное преимущество, как сохранение неизменного уровня напряжения, соответствующего логической «1», в процессе передачи сигнала при их последовательном соединении. В связи с этим указанные элементы, а также элемент НЕ являются базовыми в микросхемотехнике. В общем корпусе выпускаемых микросхем обычно содержится несколько элементов одного типа.

Функцию И-НЕ называют функцией Шеффера (штрихом Шеффера) и обозначают в виде у=x1|x2, а функцию ИЛИ-НЕ — функцией Пирса (стрелкой Пирса) и обозначают в виде . Базис И-НЕ называют базисом Шеффера, а базис ИЛИ-НЕ — базисом Пирса.

Логическое устройство, реализованное в базисе И-НЕ (ИЛИ-НЕ), имеет преимущества по сравнению с устройством, реализованным в базисе И, ИЛИ, НЕ:

уменьшение номенклатуры элементов до одного типа, что упрощает компоновку устройства и его ремонт;

наличие в каждом элементе инвертора (усилителя), который компенсирует затухание потенциалов при передаче их через коныонктор или дизъюнктор элемента. Благодаря этому не накапливается затухание сигнала при прохождении его через ряд последовательно включенных элементов, что могло бы вызвать снижение уровня U1 (лог. 1). Кроме того, инвертор увеличивает нагрузочную способность элемента: подключение допустимого числа других элементов к его выходу не вызывает заметного умень­шения на нем уровней потенциалов (что важно для U1), а наличие емкости на выходе не вызывает длительного переходного процесса при смене потенциалов.

 

Цифровые компараторы

 

Цифровой компаратор предназначен для сравнения двух двоичных чисел (компарировать — сравнивать). Он имеет две группы входов. На одну из них поступают разряды первого числа А, на другую группу — разряды второго числа В. Появление лог.1 на одном из трех выходов компаратора фиксирует результат сравнения. На одном выходе она устанавливается при равенстве чисел (А=В), на другом — при А>В, на третьем — при А<В.

Сравнение одноразрядных чисел на равенство может осуществлять элемент «Равнозначность», а на неравенство — элемент «Неравнозначность» (см. п.2.3.2). Для сравнения многоразрядных чисел они дополняются элементами других типов.

Цифровой компаратор можно использовать, например, в системах автоматического контроля и регулирования. При этом число А является параметром некоторого процесса, а число В — порогом (уставкой), которого (в соответствии с условиями задачи) этот параметр не должен превосходить или опускаться ниже его. На рис.4.12 приведена классификация цифровых компараторов. Наряду с цифровыми существуют и аналоговые компараторы.

Рис. 3.11. Классификация компараторов

 

Структура компаратора.

 

В табл.3.1 показана связь между сигналами на выходах и входах компаратора при сравнении одноразрядных чисел а и в, которые могут быть равны единице или нулю. На соответствующем выходе появляется лог.1, когда в должном соотношении находятся коды на входах. Так, если а=1, b=1 (числа одинаковы), то функция, характеризующая равенство чисел, Fa=b=1, а функции, характеризующие их неравенство, Fa>b=0 и Fa<b=0.

Таблица 3.1

Связь между входными и выходными сигналами компаратора

Входы Выходы
A B Fa>b Fa=b Fa<b

 

Аналогично заполняются другие строки таблицы. По правилам алгебры логики из табл.3.1 можно записать следующие логические функции, характеризующие соотношения одноразрядных чисел:

; ; .

Если значения а и b таковы, что правые части функций равны 1, то соотношения, указанные в индексах левых частей, выполняются. Если правые части функций равны 0, то соотношения между а и в противоположны указанным.

Схема одноразрядного компаратора, реализующая приведенные функции, изображена на рис.3.12.

На рис.3.13 приведены условное обозначение компараторов и способ наращивания их разрядности. Каждый из изображенных компараторов предназначен для сравнения двух 4-разрядных слов и имеет выходы А>В, А=В и А<В. Аналогичные входы служат для наращивания разрядности компараторов. Результат сравнения младших разрядов отражается на выходах компаратора К1: на одном из них появляется единица, на других присутствуют нули.

Рис.3.12. Схема одноразрядного компаратора

 

Компаратор К2 воспринимает этот результат как единую пару младших разрядов, с учетом которой формируется окончательный результат сравнения. Подобным образом можно осуществлять дальнейшее наращивание разрядности. Указанные потенциалы на входах компаратора К1 младших разрядов обеспечивают правильное функционирование многокаскадного компаратора на данных микросхемах.

Рис.3.13. Условное обозначение компараторов и способ

наращивания их разрядности



Читайте также:

 

Логические и запоминающие устройства. Физические основы ЭВМ. :: Электроника для всех

14.10.2011 18:27

    Общие сведения.

    Логические элементы — устройства, предназначенные для обработки информации в цифровой форме (последовательности сигналов высокого — «1» и низкого — «0» уровней в двоичной логике, последовательность "0", "1" и "2" в троичной логике, последовательности "0", "1", "2", "3", "4", "5", "6", "7", "8"и "9" в десятичной логике). Физически логические элементы могут быть выполнены механическими, электромеханическими (на электромагнитных реле), электронными (на диодах и транзисторах), пневматическими, гидравлическими, оптическими и др.

    С развитием электротехники от механических логических элементов перешли к электромеханическим логическим элементам (на электромагнитных реле), а затем к электронным логическим элементам на электронных лампах, позже - на транзисторах. После доказательства в 1946 г. теоремы Джона фон Неймана о экономичности показательных позиционных систем счисления стало известно о преимуществах двоичной и троичной систем счисления по сравнению с десятичной системой счисления. От десятичных логических элементов перешли к двоичным логическим элементам. Двоичность и троичность позволяет значительно сократить количество операций и элементов, выполняющих эту обработку, по сравнению с десятичными логическими элементами.

    Исследования показали, что в человеческой речи чаще всего встречаются повествовательные предложения, излагающие что-нибудь или описывающие какие-нибудь события. Эти предложения являются высказываниями. В Булевой алгебре высказывания рассматриваются не по содержанию и не по смыслу, а только в отношении того истинно оно или ложно. Принято обозначать: истинно — 1, а ложно — 0. Приведем примеры логических высказываний: «снег холодный». Данное предложение является высказыванием и при том истинным. «Снег теплый» — высказывание, но ложно. «Речка движется и не движется» не является высказыванием, так как из этого предложения нельзя понять истинно оно или ложно. «Который час?» — это не высказывание, а вопросительная фраза. Буль показал, что простейшее высказывание, связанное между собой союзами: «И», «ИЛИ», «НЕ» — составляют составное высказывание, истинность или ложность, которого можно вычислить.

    Логические элементы выполняют логическую функцию (операцию) с входными сигналами (операндами, данными).

Рис. 1

    На рисунке 1 показана реализация элементов булевой алгебры на базе транзисторов. Промышленность выпускает сотни типов электронно-логических элементов. В интегральном исполнении представляющих собой сочетание элементов «И», « ИЛИ», «НЕ».

    Логические элементы подразделяются и по типу использованных в них электронных элементов. Наибольшее применение в настоящее время находят следующие логические элементы:

- РТЛ (резисторно-транзисторная логика)

- ДТЛ (диодно-транзисторная логика)

- ТТЛ (транзисторно-транзисторная логика)

 

    На рисунке 2 преведена упрощённая схема двухвходового элемента И-НЕ ТТЛ .

Рис. 2

 

    Обычно входной каскад логических элементов ТТЛ представляет собой простейшие компараторы, которые могут быть выполнены различными способами (на многоэмиттерном транзисторе или на диодной сборке). В логических элементах ТТЛ входной каскад, кроме функций компараторов, выполняет и логические функции. Далее следует выходной усилитель с двухтактным (двухключевым) выходом.

 

    В логических элементах КМОП входные каскады также представляют собой простейшие компараторы. Усилителями являются КМОП-транзисторы. Логические функции выполняются комбинациями параллельно и последовательно включенных ключей, которые одновременно являются и выходными ключами.

 

    Транзисторы могут работать в инверсном режиме, но с меньшим коэффициентом усиления. Это свойство используются в ТТЛ многоэмиттерных транзисторах. При подаче на оба входа сигнала высокого уровня (1,1) первый транзистор оказывается включенным в инверсном режиме по схеме эмиттерного повторителя с высоким уровнем на базе, транзистор открывается и подключает базу второго транзистора к высокому уровню, ток идёт через первый транзистор в базу второго транзистора и открывает его. Второй транзистор «открыт», его сопротивление мало и на его коллекторе напряжение соответствует низкому уровню (0). Если хотя бы на одном из входов сигнал низкого уровня (0), то транзистор оказывается включенным по схеме с общим эмиттером, через базу первого транзистора на этот вход идёт ток, что открывает его и он закорачивает базу второго транзистора на землю, напряжение на базе второго транзистора мало и он «закрыт», выходное напряжение соответствует высокому уровню. Таким образом, таблица истинности соответствует функции 2И-НЕ.

 

    Исходя из сказанного ранее, можно сделать вывод, что цeлью пpoeктиpoвaния любого цифpoвoгo ycтpoйcтвa являeтcя пoлyчeниe eгo лoгичecкoй фyнкции и сooтвeтcтвyющeй eй cxeмнoй peaлизaции. Таким устройством является Триггер — один из базовых элементов цифровой техники. На их основе проектируются и строятся электронные компоненты, применяемые в ЭВМ.

Базовые элементы

Базовые элементы

3.Структура и принцип работы базовых электронных элементов

Все многообразие устройств ЭВМ базируется на ограниченном наборе типовых электронных элементов. Поэтому принцип действия даже сверхсложного компьютера легко понять, если предварительно разобраться в структуре и принципе работы базовых электронных элементов, к которым относятся инвертор (ключ), вентиль и триггер.

Инвертор. На рис. 3, а представлена схема электронного ключа на биполярном транзисторе, реализующая логическую функцию «НЕ» (отрицание), а на рис. 3, б - его условное обозначение. При подаче на вход схемы сигнала низкого уровня (логического «0») транзистор будет заперт, т.е. ток через него проходить не будет, и на выходе будет сигнал высокого уровня (напряжение источника питания Еп, логическая «1»). Если же на вход схемы подать сигнал высокого уровня (логическую «1»), то транзистор «откроется», начнет пропускать электрический ток. На его выходе за счет падения напряжения на сопротивлении нагрузки Rн установится напряжение низкого уровня (логический «0»).Таким образом, схема преобразует (инвертирует) сигналы одного уровня в другой, тем самым выполняя логическую функцию «НЕ».

Вентиль На рис. 4,а изображена схема вентиля на биполярных транзисторах, реализующего логическую функцию «И», а на рис. 4,б – его условное обозначение. Функция «И» - логическое умножение, ее результат С равен единице, когда оба аргумента, и А, и В, равны единице.

Если на входы Вх1 и Вх2 поданы сигналы низкого уровня (логические «0»), то оба транзистора закрыты, ток через них не проходит, выходное напряжение на Rн близко к 0. Пусть на один из входов подано напряжение высокого уровня (логическая «1»). Тогда соответствующий транзистор откроется, однако другой останется закрытым, и ток через транзисторы и сопротивление нагрузки Rн по-прежнему не будет проходить. Следовательно, при подаче напряжения высокого уровня лишь на один из транзисторов схема не переключается и на выходе остается напряжение низкого уровня. И лишь при одновременной подаче на входы сигналов высокого уровня (логических «1») на выходе мы также получим сигнал высокого уровня: открытые транзисторы практически не оказывают сопротивление току, все напряжение падает на сопротивлении нагрузки, потенциал вывода Вых становится высоким.

На рис. 5, а приведена схема вентиля на биполярных транзисторах, реализующего логическую функцию «ИЛИ», а на рис. 5, б дано его условное обозначение. Функция «ИЛИ» - логическое сложение, ее результат С равен единице, если хотя бы один из аргументов равен единице.

Здесь транзисторы включены параллельно друг другу. Если оба закрыты, то их общее сопротивление велико и на выходе будет сигнал низкого уровня (логический «0»).Достаточно подать сигнал высокого уровня (логическую «1») на один из транзисторов, как схема начнет пропускать ток и на сопротивлении нагрузки установится также сигнал высокого уровня (логическая «1»).

Показано ("Бинарная логика, законы алгебры логики"), что любая сколь угодно сложная логическая функция может быть разложена на комбинацию элементарных логических функций «НЕ», «И» и «ИЛИ», так что из инвертора и соответствующих вентилей можно построить электронную логическую схему, выполняющую любое запланированное действие. Там же показано, что вместо трёх вышеперечисленных логических функций, можно использовать всего лишь одну комбинированную логическую функцию «И-НЕ» или «ИЛИ-НЕ». Эти логические элементы получаются из «И» и «ИЛИ» путём переноса сопротивления нагрузки Rн из эмиттерной цепи в коллекторную (как в схеме инвертора).

Триггер.Триггером называется электронное устройство с двумя устойчивыми состояниями, одно из которых характеризуется высоким (логическая «1»), а второе низким (логический «0») уровнем выходного сигнала. Триггер состоит из двух вентилей. На рис. 6,а показан триггер, составленный из двух вентилей «ИЛИ-НЕ» (точно так же для этой цели используются и вентили «И-НЕ»), а на рис 6,б – его условное обозначение. (Анимацию можно запустить, если нажать правую клавишу мыши на рисунке и выбрать команду "Воспроизвести".)

Рассмотрим работу этой схемы. Пусть в начальный момент времени входы R, S и выход Q имеют низкий логический уровень. Для переключения триггера в состояние Q=1 необходимо на вход S подать «1».На входе соответствующего вентиля будут действовать входные логические сигналы: «0»(с выхода Q) и «1» (со входа S). На его выходе возникает инвертированная «1»,т. е. «0». Следовательно, через некоторое время Dt, в течение которого входной сигнал S=1 достигнет выхода вентиля, состояние выхода `Q изменится с «1» на «0». Теперь на входы второго вентиля будет действовать новая пара сигналов: «0» на вход R и «0» с выхода `Q. Следовательно, еще через Dt на выходе этого вентиля возникнет инвертированный сигнал «0», т. е. «1». Таким образом, через время 2Dt после подачи входного сигнала S=1 на выходе Q триггера логический «0» изменится на логическую «1». Следующее переключение триггера произойдет, если на вход R подать сигнал высокого уровня, и т. д. Триггер может работать бесперебойно лишь с периодом, не меньшим 4Dt.  В современных транзисторных вентилях Dt составляет единицы наносекунд (10-9 с), поэтому быстродействие электронных элементов вычислительных устройств очень большое, достигающее сотен миллионов переключений в секунду.

Регистр. Из триггеров (они бывают и других типов, отличных от рассмотренного) строятся многие элементы ЭВМ, например регистры. Они предназначены для приема, временного хранения и передачи информации в двоичном коде. Каждый триггер регистра используется для ввода, хранения и вывода одного разряда двоичного числа. Регистр, предназначенный для хранения информации, называют накопительным. Существуют также сдвигающие регистры, в которых двоичную информацию можно перемещать поразрядно влево и вправо, а также счетные регистры, предназначенные для преобразования десятичных чисел в двоичные и обратно. На основе базовых элементов строятся различные микросхемы ЭВМ, например, процессор, память, сумматор, дешифратор, мультиплексор и др.

Назад   На главную


7. Базовые элементы цифровых интегральных схем Диодно-транзисторная логика

Лекция 29. БАЗОВЫЕ ЛОГИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ

97 Лекция 9. БАЗОВЫЕ ЛОГИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ План. Элементы транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ).. Элементы КМОП-логики. 3. Основные параметры логических элементов. 4. Выводы.. Элементы транзисторно-транзисторной

Подробнее

Источник: И.П. Степаненко, «Основы микроэлектроники», Лаборатория базовых знаний, 2003

Источник: И.П. Степаненко, «Основы микроэлектроники», Лаборатория базовых знаний, 2003 Реализация элементарных логических функций. Основные логические элементы: НЕ, И, И-НЕ, ИЛИ, ИЛИ-НЕ Таблица истинности:

Подробнее

Кафедра приема, передачи и

Лекция 1 ОСНОВНЫЕ ПОЛОЖЕНИЯ ТЕОРИИ И ТЕХНИКИ ЦИФРОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ Логические функции Математический аппарат, описывающий действия дискретных и цифровых устройств, базируется на алгебре логики, или

Подробнее

10. 2. ЭЛЕКТРОННЫЕ КЛЮЧИ

10.2. ЭЛЕКТРОННЫЕ КЛЮЧИ Общие сведения. Электронный ключ это устройство, которое может находиться в одном из двух устойчивых состояний: замкнутом или разомкнутом. Переход из одного состояния в другое в

Подробнее

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ 2

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ 1 ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ 2 1. Передаточная функция. Переходная характеристика. Отклик дифференцирующей цепи на воздействие прямоугольного импульса. Влияние постоянной времени на длительность

Подробнее

1.1 Усилители мощности (выходные каскады)

Лекция 7 Тема: Специальные усилители 1.1 Усилители мощности (выходные каскады) Каскады усиления мощности обычно являются выходными (оконечными) каскадами, к которым подключается внешняя нагрузка, и предназначены

Подробнее

1. 1 Усилители мощности (выходные каскады)

Лекция 9 Тема 9 Выходные каскады 1.1 Усилители мощности (выходные каскады) Каскады усиления мощности обычно являются выходными (оконечными) каскадами, к которым подключается внешняя нагрузка, и предназначены

Подробнее

8. Интегральные логические элементы

8. Интегральные логические элементы Введение В логических элементах биполярные транзисторы могут использоваться в трёх режимах: режим отсечки оба p-n перехода транзистора закрыты, режим насыщения оба p-n

Подробнее

Экзаменационный билет 1

Теоретические вопросы к контролю знаний по дисциплине «Электроника» Вопросы в виде билетов (билеты 1-27 для ЗФО; билеты 1-30 для ОФО) Экзаменационный билет 1 1. Схемы ТЛЭС (транзисторной логики с эмиттерными

Подробнее

ОГЛАВЛЕНИЕ ПРЕДИСЛОВИЕ. ..3

ОГЛАВЛЕНИЕ ПРЕДИСЛОВИЕ...3 Глава 1 ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ...5 1.1. Электрический заряд и электрическое поле... 5 1.2. Электрический потенциал, напряжение, электрический ток... б 1.3. Взаимодействие

Подробнее

Цифровые устройства И ИЛИ НЕ F 1

Цифровые устройства Цифровые устройства это электронные функциональные узлы, которые обрабатывают цифровые сигналы. Цифровые сигналы представляются двумя дискретными уровнями напряжений: высоким и низким

Подробнее

Лекция 5. Элементная база ЭВМ

Лекция 5. Элементная база ЭВМ Информация? Из Лекции : Информация (от informatio - осведомление, разъяснение, изложение) - абстрактное понятие, имеющее множество значений, зависящих от контекста. В узком

Подробнее

Цифровые и импульсные устройства

Электроника и МПТ Цифровые и импульсные устройства Импульсные устройства устройства, предназначенные для генерирования, формирования, преобразования и неискаженной передачи импульсных сигналов (импульсов).

Подробнее

5.4. Биполярный транзистор

5.4. Биполярный транзистор Биполярный транзистор это полупроводниковый прибор с двумя p-nпереходами, имеющий три вывода. Управление протекающим через него током осуществляется с помощью управляющего тока.

Подробнее

ОГЛАВЛЕНИЕ ТЕМА 1 ТЕМА 2 ТЕМА 3 ТЕМА 4

427 ОГЛАВЛЕНИЕ Введение... 3 Перечень сокращений и условных обозначений... 5 ТЕМА 1 ОСНОВЫ ТЕОРИИ ИНФОРМАЦИИ И ПЕРЕДАЧИ СИГНАЛОВ... 6 1.1 Формы представления детерминированных сигналов... 8 1.2 Спектральный

Подробнее

Интегральные компараторы

Интегральные компараторы 1 Интегральные компараторы 1. Принцип действия и разновидности Компараторами называются специализированные ОУ с дифференциальным одом и логическим одом, предназначенные для сравнения

Подробнее

Аналоговые коммутаторы

Аналоговые коммутаторы Аналоговый коммутатор служит для переключения непрерывно изменяющихся электрических сигналов. Если коммутатор находится в состоянии "включено", его выходное напряжение должно по

Подробнее

Лекция 9 СТАБИЛИЗАТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ

84 Лекция 9 СТАБИЛИЗАТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ План 1. Введение 2. Параметрические стабилизаторы 3. Компенсационные стабилизаторы 4. Интегральные стабилизаторы напряжения 5. Выводы 1. Введение Для работы электронных

Подробнее

Цифровые устройства. Электроника и МПТ

Цифровые устройства Электроника и МПТ Цифровые устройства электронные схемы, которые служат для обработки и преобразования цифровых сигналов. Цифровой сигнал импульсы напряжения близкие по форме к прямоугольным.

Подробнее

Раздел 1. ЭЛЕКТРОТЕХНИКА 14

Оглавление Основные сокращения 3 Предисловие 9 Раздел 1. ЭЛЕКТРОТЕХНИКА 14 Глава!. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЦЕПИ ПОСТОЯННОГО ТОКА... 14 1.1. Основные понятия, элементы и законы цепей 14 1.1.1. Пассивные элементы

Подробнее

Инвертирующий усилитель на основе ОУ

СОДЕРЖАНИЕ ПРЕДИСЛОВИЕ... 3 Введение... 6 1. ЭЛЕМЕНТЫ ЭЛЕКТРОННЫХ СХЕМ.........:.. 41 1.1. Полупроводниковые диоды... И 1.1.1. Краткое описание полупроводниковых материалов... 11 1.1.2. Устройство и основные

Подробнее

Лекция 13 БАЗОВЫЕ ЛОГИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ

229 Лекция 3 БАЗОВЫЕ ЛОГИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ План. Аналоговые и цифровые сигналы. 2. Базовые логические элементы. 3. Логический инвертор. 4. Логический инвертор на иполярном транзисторе. 5. КМОП-инвертор.

Подробнее

Задания для индивидуальной работы

Министерство науки и образования РФ САМАРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ АЭРОКОСМИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ АКАДЕМИКА С.П. КОРОЛЕВА Кафедра "Радиотехнические устройства" Задания для индивидуальной работы Методические

Подробнее

RU (11) (51) МПК H03K 17/00 ( )

РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (51) МПК H03K 17/00 (2006.01) 168 443 (13) U1 R U 1 6 8 4 4 3 U 1 ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21)(22)

Подробнее

А.А. Жигальский МИКРОЭЛЕКТРОНИКА

4 А.А. Жигальский МИКРОЭЛЕКТРОНИКА Методические указания по выполнению лабораторных работ по курсу микроэлектроника для студентов специальности 210104 «Микроэлектроника и твердотельная электроника» 5 ТОМСК

Подробнее

Рисунок 1 Частотная характеристика УПТ

Лекция 8 Тема 8 Специальные усилители Усилители постоянного тока Усилителями постоянного тока (УПТ) или усилителями медленно изменяющихся сигналов называются усилители, которые способны усиливать электрические

Подробнее

Схемы преобразователей частоты

Лекция номер 10 Схемы преобразователей Никитин Н.П. Классификация схем По типу гетеродина: с отдельным и с совмещённым гетеродином По типу прибора, на котором выполняется смеситель: транзисторные и диодные

Подробнее

Глава 5. УСИЛИТЕЛИ ПЕРЕМЕННОГО НАПРЯЖЕНИЯ

Глава 5. УСИЛИТЕЛИ ПЕРЕМЕННОГО НАПРЯЖЕНИЯ 5.1. ПРИНЦИП УСИЛЕНИЯ ПЕРЕМЕННОГО НАПРЯЖЕНИЯ Назначение и классификация усилителей. Усилители переменного напряжения являются наиболее распространенным типом электронных

Подробнее

Лекция 4 МОП-ТРАНЗИСТОРЫ

29 Лекция 4 МОП-ТРАНЗИСТОРЫ План 1. Классификация полевых транзисторов 2. МОП-транзисторы 4. Конструкция и характеристики мощных МОП-транзисторов 4. Биполярные транзисторы с изолированным затвором 5. Выводы

Подробнее

Содержание. Предисловие... 8

Предисловие... 8 Глава 1. Элементы электронной техники... 9 1.1. Нелинейное сопротивление... 9 1.1.1. Общее описание... 9 1.1.2. Режим большого сигнала... 11 1.1.2.1. Графическое определение рабочей точки

Подробнее

Порядок выполнения задания

Лабораторная работа 7 Измерение и исследование ВАХ и параметров полевых транзисторов 1. Цель лабораторной работы Целью лабораторной работы является закрепление теоретических знаний о физических принципах

Подробнее Транзистор

- англо-эстонский словарь - Glosbe

en Радиаторы и охлаждающие ребра из алюминия для поддержания рабочей температуры транзисторов и / или интегральных схем в изделиях товарной позиции 8521

EurLex-2 et Ühenduse nimel sõlmitakse lisalepingu täiendav protokoll, mis käsitleb Euroopa Majandusühenduse ja Šveitsi Konföderatsiooni vahelise lepingu kehtivust Liechtensteini Vürstiriigis

en Индуктивно связанные и атмосферные источники плазмы для использования в связи с производством радиочастотных модулей, генераторов тонких пленок и солнечных панелей, а также интегрированных радиочастотных модулей для производства солнечных батарей. электронная схема, RF-антенны и блоки питания

tmClass et Mis on mulistmist romantiliste nädalalõpukangelastega?

ru Закон Мура был лишь последней частью этого, когда мы сжимали транзисторы на интегральной схеме, но у нас были электромеханические калькуляторы, релейные компьютеры, которые взломали немецкий код загадки, электронные лампы в 1950-х предсказывали выборы Эйзенхауэра, дискретные транзисторы, использованные в первых космических полетах, а затем закон Мура.

ted2019 et Maksakahjustusega patsiendid

en Силовые компоненты, диоды, IGBT, выпрямители, MOSFET, TRIACS, тиристоры и транзисторы

tmClass et микросхемы Ilma publikuta ongi 9000, интегральные схемы 9000 парем , полупроводники и полупроводниковые элементы

tmClass и См. võmm seal korteris ütles, et peaksid tegema seda, mida alati

и Примечание 1: состояние управления транзистора, номинальная рабочая частота которого включает частоты, перечисленные в более чем одном диапазоне частот, как определено в 3A001.б.3.а. согласно 3A001.b.3.e., определяется наименьшим пороговым значением пиковой выходной мощности в режиме насыщения.

EurLex-2 et Ta situb ja peeretab nagu kõik teisedki

en ex 8504 40 90 | 30 | Статический преобразователь, содержащий выключатель питания с биполярными транзисторами с изолированным затвором (IGBT), заключенный в корпус, для использования в производстве микроволновых печей субпозиции 8516 50 00 (1) | 0% | 1.1.2006 - 31.12.2008 |

EurLex-2 и др PEAB vajalikuks, и др ЭЛ võtaks arvesse linnatranspordi erivajadusi sellistes poliitikavaldkondades, кус тал на õigusloomealane pädevus (нт eelarvepoliitika, keskkonnapoliitika, sotsiaal- JA tööturupoliitika, konkurentsipoliitika, tööstuspoliitika, piirkondlik JA ühtekuuluvuspoliitika, transpordi- JA liiklusohutuspoliitika, energiapoliitika

en - не более трех электрических выходов, каждый из которых содержит два переключателя питания (будь то MOSFET (полевой транзистор с металлическим оксидом и полупроводником) или IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)) и внутренних приводов, и

eurlex-diff-2017 et võttes arvesse nõukogu #.децембри #. aasta määrust (Euratom) nr # toiduainete ja loomasööda radioaktiivse saastatuse lubatud piirmäärade kehtestamise kohta tuuma-või kiirgusavarii korral, [#] muudetud määaticavarii korral, [#] muudetud määaticrusega (блок питания с блоком Euratom #2000, с преобразователем мощности , с преобразователем мощности , en биполярные транзисторы (IGBT), содержащиеся в корпусе, для использования в производстве микроволновых печей субпозиции 8516 50 00 (1)

EurLex-2 et .

en Конструкция и эксплуатация транзисторов PNP и NPN;

EurLex-2 et Eelnevalt Nukumajakeses

en ex 8541 | Диоды, транзисторы и аналогичные полупроводниковые устройства, кроме пластин, еще не разрезанных на микросхемы | Производство: - из материалов любой товарной позиции, кроме продукции, и - в которой стоимость всех используемых материалов не превышает 40% от отпускной цены продукта | Производство, при котором стоимость всех использованных материалов не превышает 25% от отпускной цены продукта |

EurLex-2 et Meie sõjavägi on näru... meie majandus kokku kukkunud

ru Стабилизаторы серии и шунтирующие транзисторы

tmClass et Püha jumalaema

en Нитрид галлия (GaN) высокочастотный усилитель, состоящий из одного или нескольких дискретных транзисторов, одного или нескольких дискретных конденсаторов с IPD (интегрированными пассивными устройствами) или без него на металлическом фланце в корпусе

Eurlex2019 et Kohtuasi T - # / # P: Esimese Astme Kohtu #. septembri #. Aasta määrus- Ван Neyghem по сравнению с komisjon (Apellatsioonkaebus- Avalik teenistus- Хаги rahuldamata jätmine esimeses kohtuastmes- Töölevõtmine- Avatud konkurss- Suulisele eksamile mittelubamine- Ilmselgelt põhjendamatu apellatsioonkaebus

8541 ан Диоды, транзисторы и аналогичные полупроводниковые приборы; фоточувствительные полупроводниковые приборы, включая фотоэлектрические ячейки, собранные в модули или несобранные в панели; светодиоды; смонтированные пьезоэлектрические кристаллы:

EurLex-2 et artikli # lõikes # lisatakse esimesele lausele järgmine tekst

en Панели для рентгеновских аппаратов (x плоскопанельные датчики / рентгеновские датчики), состоящий из стеклянной пластины с матрицей тонкопленочных транзисторов, покрытой пленкой аморфного кремния, покрытой сцинтилляционным слоем иодида цезия и металлизированным защитным слоем, с активным поверхность 409,6 мм2 × 409,6 мм2 и размер пикселя 200 мкм2 × 200 мкм2

EurLex-2 et Ku i ACN на #% või rohkem, siis на ACN kindlaks määratud #%

en Diodes; транзисторы; тиристоры, диаки и симисторы

eurlex-diff-2018-06-20 et Nende toimingute hulka kuuluvad uurimused, analüüsid ja tulevikuuuringud, mis on seotud teaduslike ja tehnoloogiliste uuringutega ja Innovations4000 seotuda полупроводниковые приборы, за исключением пластин, еще не разрезанных на микросхемы

EurLex-2 et Aga ma olen teiega aus, ainult kõige tugevamad sõdurid saavad sellega hakkama

en ex 8541 | Диоды, транзисторы и аналогичные полупроводниковые устройства, кроме пластин, еще не разрезанных на микросхемы | Производство: - из материалов любой товарной позиции, кроме продукции, и - в которой стоимость всех используемых материалов не превышает 40% от отпускной цены продукта | Производство, при котором стоимость всех использованных материалов не превышает 25% от отпускной цены продукта |

EurLex-2 et См. На странице üks mu varajastest leiutistest

en Дискретные микроволновые транзисторы, которые относятся к одному из следующих:

EurLex-2 et Mingeid teisi tundemärke, nagu tätoveering,
и

Транзисторная микросхема IGBT и диодная микросхема на одной или нескольких выводных каркасах,

EurLex-2 et Jään siiski nendega

en Устройства памяти и компоненты, а именно, память для мобильных телефонов и мобильных приложений, телеприставки, персональные цифровые помощники, MP3-плееры, DVD-плееры, телевизоры высокой четкости, игры, цифровые камеры, видеокамеры, маршрутизаторы, карты памяти, твердотельные накопители, схемы с памятью NAND, схемы с памятью NAND и транзисторные массивы

tmClass et üheastmeline tüübikinnitus

en Электронные транзисторы

tmClass и arvestades, et võttes vastu ja rakendades vabadusel, turvalisusel ja õigusel rajaneva ala välispoliitil ise mõõtme ühtset Strateegiat suurendab EL oma usaldusväärsust ja mõju maailmas; arvestades, et Strateegia eesmärke on võimalik saavutada ainult tihedas koostöös kolmandate riikide, sealhulgas selliste liitlastega nagu Ameerika Ühendriigid, ja rahvusvahelisteorganisats Circioonidega
9000

9000.1 et Mac, jää meie sõbraga siia ja kindlusta uks

en 1: «Элемент схемы»: отдельная активная или пассивная функциональная часть электронной схемы, такая как один диод, один транзистор, один резистор, один конденсатор, и т. д.

EurLex-2 et Parlamendiliikmete põhimäärus

ru Усилители на волокне, легированном эрбием (EDFA), оптические приемники, передатчики, транспондеры и трансиверы, полевые транзисторы (FET), монолитные микроволновые интегральные схемы

(MMIC)
Leping puudub

Знайте значение кодов транзисторов и ИС - блог Mohan's electronics

Транзисторы и IC закодированы так, чтобы идентифицировать его полупроводник, использование, тип, изготовитель и т. Д.Используя коды, легко выбрать подходящий компонент для схемы. Посмотрите значение этих кодов.


Все в одной колонке - Следуйте за мной @ http://www.engineersgarage.com/experts/d.mohankumar

Транзистор

Это полупроводниковый прибор, необходимый почти для всех электронных схем. Полупроводник транзистора может быть из кремния или германия . Большинство транзисторов кремниевого типа и могут выдерживать высокие температуры и ток.Информация для транзистора отображается в виде кода с тиснением или , напечатанного на лицевой стороне . Кодирование транзисторов следует двум системам, а именно европейской системе кодирования и американской системе кодирования . В европейской системе кодирования перед номером детали используются два алфавита. Первый алфавит представляет собой используемый полупроводник , а второй алфавит представляет его использование . Это алфавиты в кодах.

Первое письмо

A - Германий

B - Кремний

C - Арсенид галлия

D - Антимид индия

Второе письмо

C - Усилитель звуковой частоты

D - Усилитель мощности звуковой частоты

F - Радиочастотный усилитель малой мощности

P - Радиочастотный усилитель высокой мощности

Таким образом, код транзистора BC 547 может быть расширен до

B-Кремний, C- Усилитель звуковой частоты - 547- Кремний Звуковая частота 547

BD 139 - B-Silicon, D- Усилитель мощности звуковой частоты 139

AD 140 - A- Германий, D- Усилитель мощности звуковой частоты 140

Согласно американской системе кодирования , код начинается с 2N , за которым следует число, которое указывает время разработки . Более высокое число указывает на недавний дизайн.
Пример транзистора 2N 2222,
2N3055, 2N3904

Код ИС

Интегральные схемы делятся на две группы. Это TTL (транзисторная транзисторная логика), и CMOS (дополнительный металлооксидный полупроводник). Наиболее распространенная серия TTL - это 7400 серия , а самая распространенная серия CMOS - 4000 серия .

ИС

идентифицируются с помощью строки , состоящей из букв и цифр, кода производителя, подсемейства и типа упаковки.

Код производителя

DM - National Semiconductor

NS - National Semiconductor

SN - Техасские инструменты

M - Motorola

TI - Texas Instruments

NE - Электроника New Era

Код подсемейства

ALS - Advanced Low power Schottky

C - КМОП серии TTL

F - Быстро

H - высокая скорость

HC - Высокоскоростной CMOS

L - малой мощности

LS - Шоттки малой мощности

Типы CMOS имеют суффикс

A - Серия A

B - Буферизованная серия B

UB - Без буферизации серии B

Например, код IC SN 74 HC 04 может быть расширен до

SN - Texas Instrument, 74-TL Series, HC- High speed CMOS, 04 - номер детали

Нравится:

Нравится Загрузка...

Связанные

Transistor Electronico. Que Es, Funcionamiento, Tipos, Circuitos.

Los transistores son лос elementos que han фасилити-эль-система электрических цепей редукции таманьо. En la siguiente imagen podemos ver varios tipos de transistores Diferentes.

Funcionamiento y Funciones Del Transistor

En la image de más abajo vemos a la izquierda un transistor real y a la derecha el símbolo usado en los circuitos electrónicos.Fíjate que siempre tienen 3 Patillas y se llaman emisor, base y colector.

Es muy importante saber identiftificar bien las 3 Patillas a la hora de conectarlo. En el caso de la figura, la 1 sería el emisor, la 2 el colector y la 3 la base.

En los catálogos puedes encontrar esta información, y si no tienes Acceso al catálogo del transistor, sabiendo el tipo que viene marcado sobre el propio transistor, lo puedes buscar por internet.

Por cada Patilla podemos tener una corriente, a las que llamaremos:

Ib o IB = la corriente o Интенсидад на базе
Ic o IC = Corriente o Intensidad por el colector
То есть IE = Corriente или Intensidad por el emisor

El funcionamiento del transistor es muy sencillo: Si no hay corriente de base Ib, no hay corriente entre el colector y el emisor (Ic-e).Cuando le llega una corriente muy pequeña por la base Ib, tenemos una corriente entre el colector y el emisor (IC-e) que será mayor que la ib.

Podemos considerar la Ib como una corriente de entrada y la Ic-e como una de salida, entonces, cuando le llega una corriente muy pequeña de entrada por la base, obtenemos una corriente mucho mayor de salida (entre colector y эмисор).

Según este funcionamiento se puede utilizar para 2 cosas básicamente, es decir, tiene dos funciones:

- Función 1 .Deja pasar o corta señales eléctricas a partir de una PEQUEÑA señal de mando. Es decir, funciona Como Interruptor. Si no le llega corriente a la base Ib = 0A; es como si hubiera un прерыватель abierto entre el colector y el emisor, no pasa corriente entre эллос (fíjate en la imagen de más abajo). Si le llega corriente a la base, Entonces es como si hubiera un interruptor cerrado entre el colector y el Emisor, ya que circa corriente entre ellos.

Эта форма используется для цифрового электронного компонента
.Por ejemplo, Si la señal de entrada es 1 (corriente por la base) la señal de salida es 1 (corriente entre el colector y el emisor). Si la Ib es 0 la de salida también será 0. Por ejemplo, uniendo 2 transistores en serie, obtendremos una puerta lógica AND, y 2 en paralelo una puerta OR. Podemos configurar todas las puertas lógicas que se estudian en Electrónica digital. De hecho un circuito integrationdo esta compuesto por transistores.

- Función 2 .Funciona como un elemento Amplificador de señales. Le llega una señal pequeña, Интенсидад де базис (Ib) que se convierte en una más grande entre el colector y el emisor (Ic-e), que podríamos llamar de salida. Esta función es con la que trabajará como un component de electrónica analógica, varios valores, отличительные черты, томар де энтрада и салида.

En el siguiente enlace puedes ver mediante un sencillo circuito las dos functions del transistor: Транзисторный прерыватель y Amplificador .

Aunque estas dos funciones son las más Habituales, el Transistor también puede cumplir funciones en algunos casos de ampificador, oscilador, conmutador o rectificador de una corriente eléctrica.

Veamos работает на транзисторе.

Зона трабахо-де-ун Transistor

Un transistor puede tener 3 estados o zonas de trabajo posibles dentro de un circuito :

- En corte: No hay corriente por la base, o es demasiado pequeña y no pasa la corriente entre el colector y el emisor (Ic-e = cero).

- En activa: deja pasar mas o menos corriente entre el colector y el emisor (Ic-e = переменная corriente), зависит от Корриенте-де-ла-Бас.

- En saturación: Entre el colector y el emisor pasa la máxima corriente posible. Aunque aumentemos la Ib no aumenta la Ic-e. Se comporta como un interruptor серрадо (Ic-e = corriente máxima).

Para comprender estos 3 estados lo vamos hacer mediante un símil hidráulico que es más fácil de entender.

Примерное представление транзистора в агуа-комо-ла-фигура. Hablaremos de agua para entender el funcionamiento, pero solo tienes que cambiar el agua por corriente eléctrica, y la llave de agua por el transistor y ya estaría entendido (luego lo haremos). Empecemos.

En la figura vemos la llave de agua en 3 estados Diferentes. Para que la llave suba y pueda pasar agua desde la tubería E hacia la tubería C, es necesario que entre algo de agua por la pequeña tubería B y empuje la llave hacia arriba (que el cuadrado de líneas suba y permissiona el paso de agua) .En el símil tenemos:

B = base

E = Emisor

C = Colector

Примечание: Puede parecerte raro que llamemos al emisor al "emisor" siendo este el que recibe el agua (no el que la emite), no te preocupes luego te aclaramos el por qué.

- Funcionamiento en corte: si no hay presión de agua en B (no pasa agua por su tubería), la válvula esta cerrada, no se abre la válvula y no se productions un paso de fluido entre el Colector y el Эмисор.La válvula está en reposo y no hace nada. Incluso podríamos tener un poquito de presión y que no fuera suficiente para empezar abrir la válvula.

- Funcionamiento en activa: si llega (metemos) algo de presión de agua por la base B, se abrirá la válvula en función de la presión que llegue, comenzando a pasar agua entre C y E. La salida de agua (cantidad de agua) dependerá de la presión que metamos por B. Así hasta que se abra la válvula del todo, entonces....

- Funcionamiento en saturación: si llega suficiente presión por B se abrirá totalmente la válvula y pasará la máxima cantidad de agua entre C y E. P или mucho que metamos más presión de agua por B la cantidad de agua que pasa entre C y E será siempre la misma, la máxima posible que allowa la tubería . Si metiéramos demasiada presión por B podríamos incluso estropear la válvula.

¿Энтендидо? Он выполняет функции транзистора, как это было сделано, чтобы использовать его в качестве источника энергии для электрического и электронного транзистора.

- Транзистор в корте: cuando no le llega nada de corriente a la base, no hay paso de corriente entre el colector y el emisor (en corte). En esta situación, entre el colector y emisor es como si hubiera un interruptor абиерто. Ib = 0A, Ic-e = 0A. OJO el transistor seguirá en corte hasta llegar a la minima Ib a la que se activa, un poco por encima normalmente de 0A. Podemos llamarla Ib mínima. Por ejemplo, podemos tener un transistor que hasta que no llega a una Ib de 0,3 miliamperios no se activa, por lo que con 0,2A seguirá en corte.

- Transistor en activa : Entre esa mínima Ib y la Ib máxima Партир де ла куаль я но паса маас корриенте энтре эль сборщик и эль эмисор, el transistor trabaja en activa. En esta franja detensidades de base, la corriente de salida Ic-e depende de la corriente de entrada o de Ibase. Para калькулярный cuanto aumenta en esta zona de trabajo la Ic-e conpecto a la Ib de entrada tenemos la siguiente fórmula:

Ic-e = β x Ib; donde β es lo que se llama la " Ganancia дель Транзистор ".Imagina un Transistor que tiene una ganancia de 10; quiere decir que la Ic será 10 veces mayor que la Ic. Si β fuera de 100, la Ic será 100 veces mayor que la Ib.

- Transistor en Saturación: A partir de cierta Corriente de base máxima, aunque aumentemos la Ibase ya no aumenta la Ic-e. Es la Ib máxima para que pueda aumentar la corriente de salida entre colector y emisor ic-e. Ic-e = Имаксима.

Cada transistor tiene su propia Ibmáxima y Ib minima y por supuesto su propia ic-e máxima.Intensidades que deberemos comprobar para el transistor que estemos utilizando y nunca sobrepasarlas, ya que nos cargaríamos el транзистор.

Усиление транзистора

Корректирующий элемент транзистора 3, база, объединение и эмиссор. Ла del colector Ic, la del emisor Ie y la de base Ib se relacionan según la siguiente forma:

Ie = Ib + Ic

Pero como la Ib es tan pequeña se puede decir sin mucho error que Ic = Ie = Ic-e, por lo que la fórmula anterior quedaría:

Ic = β x Ib

- En corte y Saturación y como interruptor el transistor trabajara для использования в цифровом электронном компоненте.0 или 1

- En activa y como ampificador, trabajara trabajara trabajara для использования como un Component de Electrónica Analógica. Varios valores .

Tensiones en los Transistores

Las 2 Tensiones más importantes son la tensión entre la base y el emisor Vb-e y la tensión entre el colector y el emisor Vc-e.


El esquema de la derecha nos puede ser útil para Estudiar Desde el punto de vista teórico lastensens en el transistor, pero nunca conectar en la vida real un transistor de esa forma porque se quemaría al estar en cortocircuito, рецептор sin ningún.

Al conectar el transistor tenemos 2 fuentes de tenión, una que alimentará la base para generar la Ib y otra que alimentará al рецептор o Receptores de salida, que generará la tensidad que pasará por el рецептор y que será la misma que pasará por el colector hacia el emisor, es децир Ic = Ie = Ic-e

- En corte: Cuando la V1 es cero, entonces Ib = 0 y Vb-e = V1 = 0V. En este caso Ic-e = 0A y la Vc-e será igual a la V2.Normalmente los transistores tienen una mínima tensión en la que siguen en corte un poco Por encima de 0V, esta será la que nos de la Ib mínima para activarse. En el ejemplo del cuadro de abajo hemos supuesto que por debajo de 0,7V está en corte. OJO en el esquema real la Vbe y la Vce y Sus Intensidades dependerá da las resistencias RB y RC. Хабра уна VRb и una VRc тамбиен.

- En saturación:
en este casotendremos que V1 será la máxima para. Consuguir la Ib máxima a partir de la cual la Ic-e será máxima.Vb-e será la Максима; y la entre c-e, al ser como un interruptor cerrado será Vc-e = 0V. Esta situación se Produce en el ejemplo de abajo por encima de 2V de Vbe.

- En activa : tendenos una Vb-e entre 0V (un poco mayor, recuerda Ib mínima necesitamos) y la tensión para Consuguir la Ib que nos de la Ic-e máxima. Ahora entre el colector y el emisor no es ni un interruptor cerrado ni abierto, es como si hubiera una pequeña resistencia, que irá disminuyendo de valor según aumente la ib dejando pasar más corriente entre colector y Emisor.Cuando la Ib sea la máxima, entonces esa resistencia será de valor 0. Latensión entre Vc-e dependerá de la carga conectada antes del colector, de la V2 y de Ib.

Veamos un resumen para un caso concreto de un transistor, que necesita una Corriente y una tensión minima de 0,1mA y 0,7V.



Transistores NPN y PNP

Los transistores están formados por la unión de tres cristales semiconductores, dos del tipo P uno del tipo N ( transistores PNP ), o bien dos pélécé de Pédédé транзистор НПН ).Puedes saber más sobre estas uniones aquí: Unión PN.

Según lo visto podemos tener 2 tipos de transistores different: PNP or NPN.

Una regla fácil para acordarse cual es cada uno según el símbolo es:

NP N = N o P incha ==> la flecha no pincha el транзистор.
P NP = P incha ==> полупроводниковый транзистор.

Поляризация транзистора

Поляризация применительно к последним напряжениям (с поляризацией + или -) и к компонентам для Последние исправлены круговой схемой транзистора и исправны.Нет возможности формировать полупроводники (2 диода) и лось Полупроводники и диоды зависят от поляризаций деян пасар o no la corriente.

Normalmente solo se utiliza una fuente detensión para alimentar tanto al рецептор través del colector-emisor, como para alimentar a la base para активар эл транзистор.

La forma más sencilla de polarizar un transistor es fijarse en la flecha дель транзистор. En el NPN la tensidad o corriente debe pasar del colector en sentido del emisor , y l и corriente a la base tiene que llegar (entrar) en su dirección .

Recordamos que el sentido de la corriente o I, es por communio del polo positivo al negativa, del + al -. Pues bien coloquemos la fuente de tensión o pila en sentido tal que las corrientes generadas tengan el sentido adecuado a la circación que dijimos antes:

Si te fijas para poner solo una fuente de tensión (pila) hemos utilizado el colector como punto común para el paso de las corrientes Ib e Ic. Por ese motivo se llama " De Colector Común ".Podríamos utilizar el emisor común y la parte de la base se pondría por abajo. Ha esta manera de formar los Схема выбирает имя « Конфигурация транзистора ». Нормальная поляризация и конфигурация в соответствии с реализацией una sola fuente de tensión .

Luego veremos más formas de construir circuitos con los transistores.

¡¡¡Importante !!! En los transistores NPN se debe conectar al polo positivo el colector y la base, y en los PNP el colector y la base al polo negativo.

Puedeurgir una duda. ¿Por qué se llama el emisor, emisor si el que emite la corriente es el colector, y el colector en lugar de recoger la corriente es el que la emite o de donde sale?

La respuesta es sencilla. El sentido de la corriente civilcional de + a - Нет, эс-эль-реальный движущийся электроники. Los electronices se mueven desde el negativo, que le sobran electronices, al positivo, que le faltan электроники, conlo que realmente el emisor es el que emite pero el movimiento de los electronices.

El tema de la polarización es bastante más complejo de lo explicado. Si quieres saber más mira el siguiente video que viene muy bien explicado:

Construcción de Детекторы с транзистором

Проверяют цепи детекторов и подписывают соединение: Схемы с Transistores. Aqui solo veremos algunos.

Fíjate en el siguiente circuito:

Hemos abierto el circuito por la zona de la base.Si ahora entre esos dos puntos A y B, colocamos cualquier tipo de sensor, tenemos:

Si colocamos una LDR, тендеры и датчик детектора луз, ya que la LDR y su resistenciaterminará cuando llega la mínima tensidad para activar транзистор y que se encienda el СВЕТОДИОД. OJO deberíamos poner una resistencia En serie con el LED para protegerlo, como ya debes saber.

Lo mismo ocurre con una NTC or PTC pero con la temperatura.

¿Qué hará su ponemos un конденсадор? Pues que se cargará y descargará, y durante el tiempo de carga el led постоянная подсветка и светодиодная подсветка (активируйте транзистор) и загрузите его.En resumen, será un LED intermitente que el tiempo de la intermitencia dependerá del valor de la Rb у де ля конденсата конденсатора.

Incluso si ponemos 2 trozos de cable dentro de un pozo, cuando el agua llegue a los trozos de cable, Pericirá el paso de la corriente hacia la base y nos avisará de que el pozo de agua llegó al nivel deseado.

En lugar de un LED podemos colocar un тембр и датчик será en lugar de lumínico, sonoro.

Veamos otro caso:

En este caso la corriente al llegar al punto A, no irá a la base, ya que encuentra un camino más fácil hacia el punto B, por lo que solo se activará Эти транзисторы подключены к отдельным кабелям.Se лама alarma por desconexión.

En esa parte de abajo podemos poner sensores como los anteriores y la alarma se activará justo al contrario que antes, es decir, si era por nivel de oscuridad, abajo será por nivel de luz, por aumento de temperatura, abajo por bajada de temperatura и т. д. Te dejamos que lo pienses un poquito. Fíjate en el siguiente Detector de oscuridad. Se activa cuando no hay o hay poca луз. La R1 hace que el transistor trabaje de forma más estable, pero el funcionamiento es el mismo que si no estuviera.

En este último caso, incluso podríamos sustituir la resistencia de 2,2Kohmios por un Potenciómetro, así el nivel de oscuridad lo podemos cambiar girando y cambiando la resistencia del Potenciómetro.

¡¡¡OJO !!! Nunca poner un Potenciómetro Como Resistencia de Base exclusivamente , ya que podríamos ponerlo a valor 0 ohmios y se quemaría el транзистор, ya que la base quedaría en cortocircuito y sobre pasaría la Усиление транзистора на базе.Conectándo R1 este Проблема ya no existirá.

Hay muchos más circuitos que se pueden hacer con el transistor, luego veremos algunos más ya sabes que aqui tienes más: Схемы с Transistores

Различия между транзисторами PNP и NPN

Установлены 2 типа, основные различия в них PNP la corriente de salida (entre el emisor y коллектор) вход в продажу через коллектор. Fíjate que la flecha en el símbolo «пинча а-ля базис».Una regla para acordarse es que el PNP pincha (la p del Principio).

En el NPN la corriente entra por el colector y sale por el emisor, al revés. Si te fijas en la flecha la flecha "нет пинча а ля базы". Según la regla NPN = нет pincha (la N del NPN). Против Esta Regla te acordarás muy fácilmente si el símbolo es de un PNP или NPN. Recuerda pincha PNP, без pincha NPN.

Otra cosa muy importante a tener en cuenta, es la dirección de las Корректируют напряжение и напряжение транзистора, морского NPN или PNP.Fíjate en la siguiente imagen. En este caso hemos puesto el emisor abajo y el colector arriba, no pasa nada es lo mismo, pero en algunos esquemas te los encontrarás de esta forma y es bueno verlos así también.

Si te fijas, es fácil averiguarlas por intuición con la flecha del símbolo. Si es PNP lógicamente la I del emisor (IE) tenrá la dirección del emisor, por que entra por él. Por donde entran las corrientes estará el positivo de las напряжения.Si la corriente del emisor entra por el emisor (PNP), la tensión emisor colector тендера el positivo por donde entre, es decir en el emisor, y se llamará Tensión emisor-colector (Ve-c). Si la corriente entra por el сборщик, o lo que es lo mismo sale por el emisor se llamara Tensión коллектор-эмиссор (Vc-e) у корриенте салдра пор эль эмисор. No te líes que es muy fácil, solo tienes que fijarte un poco, y no hace falta aprenderlas de мемория.

Формулы транзистора

Si te fijas en un PNP la corriente que entra es la del emisor, y salen la del colector + la corriente de la base, pero al ser la de base tan pequeña comparada con las otras dos, se puede aproximar diciendo que IE = IC.En realidad las Интенсивные серии транзисторов:

IE = IC + IB; для 2 типов транзисторов. Fíjate en la flecha del símbolo y las deducirás.

Si nos dan 2 tensidades y queremos calcular la tercera solo tendremos que despejar.

¿Cómo serían lastensidades en corte? Pues todas cero.

Важное значение на транзисторе ganancia, que nos da la relación que hay entre la corriente de salida IC y la necesaria para activarlo IB (corriente de entrada).Se представляют собой символ бета β.

β = IC / IB

La ganancia es realmente lo que se ampifica la corriente en el транзистор. Por ejemplo una ganancia de 100 Meaninga que la corriente que metamos por la base se ampifica, en el colector, 100 veces, es decir será 100 veces mayor la de colector que la de la base. Como la de colector es muy parecida a la del emisor, podemos aproximar diciendo que la corriente del emisor también es 100 veces mayor que la de la base.

En un transistor que tenga una ganancia de 10, si metemos 1 amperio Пор-ла-база, пор-эль-коллектор обтендремос 10 ампер. Como ves, el транзистор тамбен и усилитель. Pero OJO Imagina Que El Transistor que tienes solo permite como máximo 5 amperios de salida, ¿qué pasaría si metemos 1 amperio en la base? ¡¡¡Se quemaría !! por que no soportaría esa corriente de 10A en el colector.

También es muy importante que sepas que la corriente del colector de зависимых рецепторов que tengamos conectado a la salida, entre el colector y el emisor. Корриент-сборщик эмиссора о ла-ке паса-пор-лос-дос, сер-ла-ке «чупе» рецептор, соединенный с элосом, мэр нунки . Si en el caso anterior el рецептор fuera un lámpara que solo consumiera 3 amperios no pasaría nada, ya que Entre El Emisor и El Colector Solo Circular Los 3 Amperios Que Demanda ла лампара. Fíjate en el siguiente circuito:

La lámpara "chupa" 3 amperios, pues la corriente máxima que pasará entre emisor y colector, o lo que es lo mismo la corriente que круговой по эл. кольцевой де солида сера 3A, nunca más de 3 Amperios, que es la que requirea la lámpara.

En ese circuito para que la lámpara luzca necesitamos meter una pequeña corriente por la base para activar el транзистор. Си нет сена corriente de base la lámpara no lucirá, por que el transistor actúa como un прерыватель abierto entre el colector y el emisor.

De todas formas hay que fijarse muy bien en las corrientes máximas que aguanta el transistor que estemos usando para no quemarlo.

Otro dato importante es la потенция максима очередь puede disipar el транзистор.Según la fórmula de la Potencia: P = V x I, en el transistor sería:

P = Vc-e x Ic tensión colector-emisor por Интенсивный коллектор.

Tenemos que saber la Potencia total que tiene el рецептор о лос рецепторы, которые мы понимаем в цепи салида для элегантного транзистора que sea capaz de disipar esa misma потенция o superior, de lo contrario se quemaría.

En el caso del circuito anterior P = 3A x 6V = 18w, параллельный транзистор para el circuito deberá ser de esa misma Potencia, mejor un poco мэр.

Por último hablemos de las tenses. Todos los transistores cumplen que Vcb + Vbe = Vce, es decir las tenses de la base son iguales a la tensión де салида.

Базовая схема транзистора, обеспечивающая непрерывность:

La сопротивление базовой серии ла де 20 кОм (кило омиос) и ла сопротивление 1 кОм серии рецепторов соли. Muchas veces se usa la misma pila Para todo el circuito, como verás más adelante.

Ejercicios con Transistores

Los ejercicios con transistores, como ves por las fórmulas, suelen ser muy sencillos, pero alguno hay que se сложная un poco.

¿Hacemos un ejercicio delicado? Венга.

Тип транзистора npn y β = 100, подключенный к сигналу манера: la base se conecta al terminal positivo de una pila de 5 V a través de una resistencia de 100 kohmios; el colector se conecta al terminal Positivo de otra pila de 10 V a través de una resistencia de 100 ohmios el Emisor se conecta a los terminales negativos de ambas pilas.En estas condiciones calcule la corriente de colector. tensión base-emisor 0,7А. Aquí tienes la solución:

¿No lo entiendes? Te lo explico:

Si aíslas el circuito de entrada (el de la base) tenemos una pila 5V с сопротивлением 100 Ом и напряжением базы. Si I = V / R. Intensidad es igual a la tensión partido por la resistencia (лей де ом).

IB = (Vpila - Vb-e) / Rb = (5-0,7) / 100,000 = 4,3 x 10 elevado a Menos 5 o lo que es lo mismo 0,000043A.

Latensión de la Vb-e es contrario a la de la pila (recuerda los signos) y por eso se restan.

Aplicando la fórmula de la ganancia β = IC / IB si despejamos la IC sería IC = β x IB = 0,0043A ya está resuelto.

En este circuito por el рецептор de salida, cuando se activa el транзистор, циркулярный 0,0043А. Pero fíjate para activar el transistor solo hace falta una corriente de base de 0,000043A, mucho menor.

Si no te enteras no te vendría mal repasar las leyes de Kirchhoff.

¿Quieres más ejercicios? Vete al siguiente enlace: Ejercicios Transistores Resueltos.

¿Por qué la base siempre lleva una Resistencia?

En todos los circuitos que veas con transistores verás que hay una Rb (Resistencia de base) colocada en serie con la base. Su misión es Proteger la base para que no le llegue nunca una corriente muy grande a la базовый элемент транзистора. La Rb al estar en serie con la base limit la corriente que le llega a la base, de tal forma que no sea más grande que la que puede soportar la base.Recuerda I = V / R (лей de ohm), si no hubiera Rb la I sería infinito. Мэр Куанто Sea la Rb Menor será la IB.

¿Цепь Hacemos unos с транзистором?

Схемы с Transistores

Aqui veremos un par de circuitos más con transistores, pero te recordamos que tienes los detectores en el siguiente enlace: Circuitos con Transistores.

Empecemos por uno básico. Se trata de un circuito que cuando ponemos los dedos entre 2 chapas se active un motor de c.c. (корриенте континуа). Aquí lo tenemos:

Según esta en el esquema no hay corriente de base y el transistor será un прерыватель abierto entre el emisor y colector, lo que hace que el motor no gire.

Si ponemos lo dedos uniendo las dos chapas de la izquierda, a la base le llegará una pequeña corriente a través de la Rb de 2,2Kohmios. Esto активен транзистор, который работает с прерывателем Entre Emisor y Colector, Разрешение Paso de Corriente en el circuito de Salida, Con lo que el motor gira.

¿Fácil NO? Подключите схему для начинающих с транзистором. Вамос а пор отро.

Ahora vamos a construir una alarma por rotura de un cable. Cuando el кабель se rompe un zumbador (тембр) суена. Aquí tienes el circuito:

Fíjate que cuando el cable no esta roto la corriente de la pila se cierra por la Rb de 10Kohmios y vuelve a la pila por el cable que no le ofrece ninguna resistencia. El transistor esta en corte, no hay Ib, y Por el circuito de salida no pasa corriente, lo que impla que la alarma нет суены.

Cuando el cable se rompe la corriente entra por la Rb y pasa a la Основание для круглого кабеля без пуэда. ¿Qué pasará ?. Pues que сено Corriente en la base, el transistor se activa y la alarma suena.

Por último te dejamos dos videos que te explican el transistor por si algo no te ha quedado clo y si quieres aprender electrónica de forma fácil para todos, te recomendamos el siguiente libro que contiene los Conceptos básicos de Electrónica explicados de forma sencilla y amena, ahora en oferta por solo 4 €.

Транзистор с прерывателем

Функционал и экспликация Transistores

На странице, где находится транзистор, нажмите на Me Gusta, Gracias

Si quieres puedes subscribirte a nuestro boletin de noticias.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *