Фоторезистор реферат: Access to this page has been denied. — Производство и поставка электростанций, Бензиновые и дизельные генераторы от 1 до 100 кВт. Мини ТЭЦ на базе двигателя Стирлинга.

Содержание

Фоторезисторы (Реферат)

Подробности: Категория: Физика; Опубликовано: 16 ноября 2010; Просмотров: 18269

Фоторезисторы – это фотоэлектрические полупроводниковые приборы с внутренним фотоэффектом. Физическая сущность внутреннего фотоэффекта состоит в том, что при освещении поверхности полупроводника (селен, сернистый висмут, сернистый кадмий, сернистый свинец и т.д.) часть световой энергии поглощается веществом и расходуется на освобождение электронов от связей с атомами; при этом количество свободных электронов в веществе сильно возрастает, что приводит к увеличению электропроводности полупроводника.

В зависимости от типа и назначения, фоторезисторы выполняют с естественным воздушным (неохлаждаемые) и с жидкостным охлаждением.

Неохлаждаемые фоторезисторы по конструкции разделяются на бескорпусные и корпусные.

Они имеют тонкий слой светочувствительного материала (2), нанесенного на изолирующую подложку (1) путем пульверизации исходного материала из суспензии (реже – путем испарения материала в вакууме или спекания в таблетки порошкообразной массы). В качестве электродов (4) обычно применяют пленки металлов, не подвергающихся коррозии (золото, платина, серебро), наносимые испарением в вакууме. Для защиты от влияния влаги, воздуха и других внешних воздействий, чувствительные элементы фоторезисторов покрывают слоем защитного лака (3) – герметика. При этом требуется, чтобы слой лака обладал достаточной прозрачностью в той области спектра, для работы в которой предназначен фоторезистор, был влагостойким и не изменял своих свойств в пределах всего диапазона рабочих температур.

Фоторезистор имеет одинаковую проводимость в обоих направлениях, включается последовательно с управляемым им устройством и источником энергии.

Фоторезистор может реагировать не только на появление светового потока. Но и на его исчезновение, т.е. является световым реле. При отсутствии освещения или при постоянном освещении фоторезистор представляет собой активное сопротивление, и ток, протекающий по нему, пропорционален приложенному напряжению, а в случае постоянной величины приложенного напряжения величина тока пропорциональна интенсивности действующего светового потока.

Неосвещенный фоторезистор характеризуется темновым током (I_т) и темновым сопротивлением. Темновой ток очень мал и обусловлен наличием в полупроводнике небольшого числа свободных электронов, освобожденных действием тепла окружающей среды.

Фоторезисторы обладают избирательным фотоэффектом. Например в видимой части спектра наиболее чувствительны приборы с сульфидом кадмия, а с сульфидом свинца – к инфракрасным лучам (это дает возможность использовать их для наблюдения и регистрации излучений слабо нагретых тел).

Если фоторезистор включен последовательно с источником энергии Е с резистором r_н (рис. 2), то изменения светового потока Ф сопровождаются изменением тока в цепи, т.е. фоторезистор может работать как вакуумный фотоэлемент для преобразования световой энергии в электрическую.

Литература

Зорохович А. Е., Калинин В. К. Электротехника с основами промышленной электроники. – М.: Высшая школа, 1975.
Ухин П. Н., Федосеева Е. О. Электровакуумные и полупроводниковые приборы. – М.: Искусство, 1968.

Реферат — Фоторезисторы

Р Е Ф Е Р А Т

по теме

ФОТОТИРИСТОРЫ

Минск

2008г.

Введение

В наши дни прогресс в различных областях науки и техники немыслим без приборов оптической электроники. Оптическая электроника уже давно играет ведущую роль в жизни человека. А с каждым годом ее внедрение во все сферы человеческой деятельности становится все интенсивнее. И этому есть свои причины. Устройства оптоэлектроники имеют ряд отличий от других устройств.

Можно выделить следующие их достоинства.

а) Высокая информационная емкость оптического канала, связанная с тем, что частота световых колебаний (около 1015 Гц) в 103-104 раз выше, чем в освоенном радиотехническом диапазоне. Малое значение длины волны световых колебаний обеспечивает высокую достижимую плотность записи информации в оптических запоминающих устройствах (до 108 бит/см2).

б) Острая направленность светового излучения, обусловленная тем, что угловая расходимость луча пропорциональна длине волны и может быть меньше одной минуты. Это позволяет концентрированно и с малыми потерями передавать электромагнитную энергию в заданную область пространства. В малогабаритных электронных устройствах лазерный луч может быть направлен на фоточувствительные площадки микронных размеров.

в) Возможность двойной – временной и пространственной модуляции светового луча. Минимальная элементарная площадка в плоскости, перпендикулярной направлению распространения. Это позволяет производить параллельную обработку информацию, что очень важно при создании высокопроизводительных комплексов.

г) Так как источник и приемник в оптоэлектронике не связаны друг с другом электрически, а связь между ними осуществляется только посредством светового луча (электрически нейтральных фотонов), они не влияют друг на друга. И поэтому в оптоэлектронном приборе поток информации передается лишь в одном направлении – от источника к приемнику. Каналы, по которым распространяется оптическое излучение, не воздействуют друг на друга и практически не чувствительны к электромагнитным помехам (отсюда и высокая помехозащищенность).

д) возможность непосредственного оперирования со зрительно воспринимаемыми образами: фотосчитывание, визуализация (например, на жидких кристаллах).

Любое оптоэлектронное устройство содержит фотоприемный блок.

Фотоприемник предназначен для преобразования светового излучения в электрические сигналы. В качестве фотоприемников могут быть использованы:

фоторезисторы,
фотодиоды,
фототранзисторы,
фототиристоры,
фотоумножители и другие элементы.

Рис. 1. Обозначения, конструкции и характеристики полупроводниковых фотоприемников

Фототиристор

В основе принципа действия фототиристора лежит явление генерации носителей заряда в полупроводнике, точнее» в р-п переходе II находящемся под воздействием светового потока. Для управления фототиристором в иго корпусе предусмотрено окно для пропускания светового потока. Существенным преимуществом фототиристоров перед тиристорами, управляемыми электрическим сигналом, является отсутствие гальванической связи между силовыми приборами и системой их управления.

Фототиристор — оптоэлектронный прибор, имеющий структуру, схожую со структурой обычного тиристора и отличается от последнего тем, что включается не напряжением, а светом, освещающим затвор. При освещении фототиристора в полупроводнике генерируются носители заряда обоих знаков (электроны и дырки), что приводит к увеличению тока через тиристор на величину фототока.

Фототиристор имеет четырехслойную р-n-р-n-структуру, которую, как и в обычном тиристоре, можно представить в виде комбинации двух транзисторов, имеющих положительную обратную связь по току. Переход фототиристора под действием светового управляющего сигнала из закрытого состояния в открытое осуществляется при достижении уровня тока срабатывания I

ср скачком после преодоления определенного потенциального барьера (см.

, концентрация электронов возрастает, вызывая лавинообразное умножение носителей заряда с последующим включением фототиристора. Максимум спектральной чувствительности лежит в диапазоне 0,9-1,1 мкм

Основное достоинство фототиристоров — способность переключать значительные токи и напряжения слабыми световыми сигналами — используется в устройствах «силовой» оптоэлектроники, таких, как системы управления исполнительными механизмами, выпрямителями и преобразователями.

Этот прибор применяется в управляемых светом выпрямителях и наиболее эффективен в управлении сильными токами при высоких напряжениях. Скорость отклика на свет — менее 1 мкс.

Фототиристоры обычно изготавливают из кремния, и спектральная характеристика у них такая же как и у других кремниевых светочуствительных элементов.

Как и фототранзисторы, фототиристоры часто применяются совместно с подобранными по характеристикам излучателями, в виде оптопар.

Тиристорные оптопары

В отличие от транзисторных тиристорные оптопары позволяют усиливать информационный сигнал не только по току, но и по мощности, поскольку приспособлены для работы при напряжениях на входе и выходе, отличающихся на порядки — как, например, в случае, иллюстрируемом на рис. 2 :

Рис. 2. Тиристорные оптопары в схеме управления двигателем

Представить параметры тиристорных оптопар малой и средней мощности можно на примере характеристик оптопары АОУ115Д (предельные электрические параметры при T_окр = +25°С):

Входной постоянный ток, мА	30
Входной импульсный ток (при длительности импульса 1 мс и скважности 10), мА	60
Входное обратное напряжение, В	2
Выходной постоянный ток, мА	100
Выходное постоянное прямое напряжение на фототиристоре в закрытом состоянии, В	400
Напряжение на изоляции, В	1500
Диапазон рабочей температуры окружающей среды, °С	-45. ..+55

Из приведенных данных видно, что коэффициент передачи по мощности составляет (400 В×0,1 А/2 В×0,03 А)×100% = 66667%, что существенно выше возможностей других видов оптопар. Кроме того, включенное состояние фототиристора сохраняется и при прекращении излучения входного диода. Следовательно, управляющий сигнал может подаваться только на момент отпирания фототиристора, что экономично, дополнительно повышает коэффициент передачи по мощности и может быть полезно при многоканальном управлении.

Пары оптоэлектронных элементов «источник — приемник» не в виде отдельной микросхемы, а как составная часть более сложного типового прибора используются, например, в преобразователях линейных и угловых перемещений.

ЛИТЕРАТУРА

Юшин А.М. Оптоэлектронные приборы и их зарубежные аналоги: Справочник.
Быстров Ю.А., Гапунов А.П., Персианов Г.М. Оптоэлектронные устройства в радиолюбительской практике: Справочное издание.
Интернет

Фоторезистор | 789 публикаций | 4590 цитат | Ведущие авторы

Патент•

Портативный пульсоксиметр

[…]

Stephan P. Athan ¹ , John E. Scharf ¹ •Учреждения (1) 1

Университет Южной Флориды

01.04.1994

Реферат: Диагностический прибор для определения показателей сердечно-сосудистой системы. В одном варианте осуществления прибор представляет собой портативный пульсоксиметр, содержащий преобразователь света в частоту (LFC) в качестве датчика. Также предусмотрен преобразователь света в частоту, содержащий фоторезистор и конденсатор, соединенный по схеме с инвертирующим триггером Шмитта и сконфигурированный таким образом, что инвертор генерирует периодический электрический сигнал, соответствующий количеству электромагнитного излучения, освещающего фоторезистор.

… читать дальшеЧитать меньше

207 цитирований

Журнальная статья•DOI•

Стабильный, высокочувствительный и широкополосный фотодетектор на основе многослойных пленок WS2 большой площади, выращенных методом импульсного лазерного осаждения

[…] ]

Jiandong Yao ¹, Zhaoqiang Zheng ¹, J. M. Shao ¹, Gang-Gang Yang ¹ • Институты (1)

Sun Yat-Sen University ¹

03 Semp 2015.

TL;DR: Импульсное лазерное осаждение P введено для получения многослойных пленок WS2, и подчеркивается, что пленка WS2, выращенная с помощью PLD, может стать новой парадигмой для стабильных, широкополосных и высокочувствительных фотодетекторов следующего поколения.

…читать дальшечитать меньше

Аннотация: Прогресс в области графена вызвал возрождение интереса исследователей к слоистым дихалькогенидам переходных металлов (ДПМ). Дисульфид вольфрама (WS2), типичный TMD с подходящей полупроводниковой шириной запрещенной зоны и сильным взаимодействием света с веществом, демонстрирует большой потенциал для высокочувствительного фотодетектирования. Однако фотодетектирование на основе WS2 в настоящее время неудовлетворительно из-за низкого оптического поглощения (2%-10%) и низкой подвижности носителей (0,01-0,91 см(2) V(-1) s(-1)) тонких слоев WS2, выращенных методом химического осаждения из паровой фазы (CVD). Здесь мы вводим импульсное лазерное осаждение (PLD) для приготовления многослойных пленок WS2. Получаются пленки WS2 большой площади величиной см(2). Сравнительные измерения фоторезистора на основе WS2 демонстрируют его стабильный широкополосный фотоотклик от 370 до 1064 нм, самый широкий диапазон, продемонстрированный в фотоприемниках WS2. Благодаря большому оптическому поглощению (40%-85%) и высокой подвижности носителей (31 см(2) В(-1) с(-1)), чувствительность устройства приближается к высокому значению 0,51 А Вт(-1). ) в окружающей среде. Такая производительность намного превосходит фотодетекторы на основе WS2, выращенные методом CVD (мкА Вт (-1)). В вакуумной среде чувствительность дополнительно увеличивается до 0,70 А Вт(-1) наряду с внешней квантовой эффективностью 137 % и фотодетектирующей способностью 2,7 × 10 (9) см Гц(1/2) Вт(-1). Эти результаты подчеркивают, что пленка WS2, выращенная с помощью PLD, может стать новой парадигмой для стабильных, широкополосных и высокочувствительных фотодетекторов следующего поколения.

…читать дальшеЧитать меньше

199 цитирований

Журнальная статья•DOI•

Высококачественные германиевые фотодиоды, интегрированные в кремниевые подложки с использованием оптимизированных градуированных буферов

[…]

S. B. Samavedam, Matthew T. Samavedam Карри, Т. А. Лангдо, Юджин А. Фицджеральд

29 октября 1998 г.-Applied Physics Letters

Аннотация: Интеграция германиевых фотодетекторов на кремниевых подложках выгодна для различных приложений оптоэлектроники на основе кремния. Мы изготовили интегрированные германиевые фотодиоды на градуированном оптимизированном релаксированном буфере SiGe на Si. Темновой ток Ge-меза-диодов Js=0,15 мА/см2 близок к теоретическому обратному току насыщения и является рекордно низким для Ge-диодов, интегрированных на кремниевых подложках. Измерения емкости показывают, что детекторы способны работать на высоких частотах (2,35 ГГц). Фотодиоды имеют внешний квантовый выход η=12,6% при λ=1,3 мкм лазерного возбуждения в фотодиодах. Улучшение качества Ge-материалов и производительности фотодиодов достигается за счет оптимизированного процесса релаксации буфера, который включает этап химико-механической полировки внутри дислоцированной эпитаксиальной структуры.

…читать дальшечитать меньше

168 цитирований

Журнальная статья•DOI•

Градиентная ширина запрещенной зоны для подавления темнового тока в длинноволновых инфракрасных сверхрешетчатых фотодиодах типа II со структурой W

[. ..]

Игорь Вургафтман, Эдвард Х. Эйфер, Чедвик Л. Канеди, Джозеф Дж. Тишлер, Джерри Р. Мейер, Джеффри Х. Уорнер, Эрик М. Джексон, Г. Хильдебрандт, Дж. Дж. Салливан — Показать меньше +5 еще

20 Сентябрь 2006 г. — Applied Physics Letters

Аннотация: Показано, что новая конструкция фотодиода со сверхрешеткой типа II со структурой W и градуированной шириной запрещенной зоны в области обеднения сильно подавляет темновые токи, обусловленные процессами туннелирования и генерации-рекомбинации. Приборы длинноволнового инфракрасного излучения (LWIR) отображают 19Квантовая эффективность %–29% и существенное снижение темновых токов. Среднее произведение динамического импеданса на площадь, равное 216 Ом см2, для 33 устройств с отсечкой 10,5 мкм при температуре 78 К, сравнимо с таковым для современных фотодиодов на основе HgCdTe. Удельное сопротивление боковой стенки ≈70 кОм см для необработанных меза также значительно выше, чем в предыдущих отчетах для пассивированных или непассивированных фотодиодов LWIR типа II, что, по-видимому, указывает на самопассивацию за счет плавной ширины запрещенной зоны.

…читать дальшечитать меньше

166 цитирований

Патент •

Цепь управления зеркалами заднего вида с жидкокристаллическим элементом

[…]

Бедини Ремо ¹ , Данило Де Росси ¹ • Институты (1)

0 Fiat 900s 1

24 февраля 1978 г.

Реферат: Неослепляющее зеркало заднего вида содержит жидкокристаллическую ячейку, проводящие слои которой возбуждаются управляющим напряжением в ответ на свет, превышающий пороговую интенсивность, падающий на фоторезистор в цепи управления. клетки. Источник низкого напряжения, например автомобильная 12-вольтовая батарея, питает делитель потенциала, который включает в себя фоторезистор, напряжение на котором подключено через логический инвертор, который управляет двумя логическими вентилями НЕ-И для стробирования противофазных прямоугольных выходных сигналов, полученных от генератора, управляемого от источника к соответствующим проводящим слоям ячейки, тем самым создавая прямоугольное напряжение на ячейке, которое в два раза превышает амплитуду выходного сигнала генератора, и уменьшая время, необходимое жидкокристаллической ячейке, чтобы отреагировать на изменение интенсивности света.

…читать дальшеЧитать меньше

130 цитирований

Патентов, переданных ISORG — Justia Patents Search

Патентов, переданных ISORG

Инфракрасный фотодетектор

Номер патента: 11329240

Реферат: Инфракрасный фотоприемник, включающий набор слоев на подложке, имеющий активную область из органических полупроводниковых материалов, способных преобразовывать инфракрасное излучение в электрический сигнал, и включающий, в указанный пакет, и /или на подложке один слой, по меньшей мере, частично фильтрующий видимый свет.

Тип: Грант

Подано: 4 декабря 2017 г.

Дата патента: 10 мая 2022 г.

Правопреемники: Комиссариат по атомной энергии и альтернативным источникам энергии, ISORG

Изобретатели: Александр Перейра, Седрик Дюкро, Уилфрид Шварц
Электронное устройство с повышенной устойчивостью к старению

Номер патента: 11283046

Реферат: Электронное устройство включает в себя подложку, первый кислородонепроницаемый и водонепроницаемый защитный слой, покрывающий подложку, по крайней мере один электронный компонент, расположенный на первом защитном слое и имеющий по крайней мере один область органического полупроводника, непроницаемый для кислорода и воды герметизирующий слой, непроницаемый для кислорода и воды герметизирующий слой, содержащий эпоксидный или акрилатный клей, полностью покрывающий область органического полупроводника, второй непроницаемый для кислорода и воды защитный слой, полностью покрывающий герметизацию слой и поддерживающий слой, покрывающий второй кислородонепроницаемый и водонепроницаемый защитный слой.

Тип: Грант

Подано: 11 мая 2018 г.

Дата патента: 22 марта 2022 г.

Правопреемник: ISORG

Изобретатели: Жером Жуамель, Эрик Фопен
Устройство обнаружения излучения, содержащее органические фотодиоды

Номер патента: 11189664

Реферат: Устройство для обнаружения электромагнитного излучения имеет, по крайней мере, один фотодетектор, включающий в себя органический диод и органический фотодиод, сформированные в одном наборе полупроводниковых слоев, при этом органический фотодиод принимает излучение. Фотодетектор дополнительно включает по меньшей мере один экран, непроницаемый для излучения и экранирующий часть пакета, соответствующую диоду.

Тип: Грант

Подано: 19 апреля 2018 г.

Дата патента: 30 ноября 2021 г.

Правопреемник: ISORG

Изобретатели: Адриен Байи, Эмелин Саракко, Бенджамин Бутинон, Франк Хинган
Система отображения, содержащая датчик изображения

Номер патента: 11133358

Реферат: Система отображения, включающая в себя экран дисплея, имеющий первый и второй субпиксели дисплея, где каждый первый субпиксель дисплея включает в себя первый светоизлучающий компонент, излучающий первое излучение и покрытый первый цветной фильтр и первые проводящие дорожки, и где каждый второй субпиксель дисплея включает в себя второй светоизлучающий компонент, испускающий второе излучение и покрытый вторым цветным фильтром и вторыми проводящими дорожками. Система отображения дополнительно включает в себя датчик изображения, обнаруживающий первое или второе излучение или третье излучение. Первые субпиксели дисплея включают в себя первые элементы, поглощающие первое излучение и второе излучение и покрывающие первые проводящие дорожки. Первые поглощающие элементы и/или первый цветной фильтр ограничивают первый проход вдоль направления наложения для первого, второго или третьего излучения.

Тип: Грант

Подано: 6 декабря 2019 г.

Дата патента: 28 сентября 2021 г.

Правопреемник: ISORG

Изобретатели: Агата Пушка, Квентин Чейбл, Бенджамин Бутинон
Система получения изображений

Номер патента: 11037012

Реферат: Система сбора изображений включает в себя источник излучения, датчик изображения, включающий в себя массив фотодетекторов, способных обнаруживать излучение, включая поверхность, и угловой фильтр, покрывающий датчик. , и способный блокировать лучи излучения, имеющие падение относительно направления, ортогонального к поверхности, превышающее пороговое значение, и уступать место по меньшей мере некоторым лучам излучения, имеющим падение относительно направления, ортогонального к поверхности, меньше чем порог.

Тип: Грант

Подано: 6 марта 2018 г.

Дата патента: 15 июня 2021 г.

Правопреемник: ISORG

Изобретатели: Уилфрид Шварц, Агата Пушка, Квентин Чейбл, Бенджамин Бутинон
Устройство оптоэлектронной матрицы с верхним прозрачным электродом

Номер патента: 10957743

Реферат: Матричное оптоэлектронное устройство включает в себя подложку, на которой нанесен матричный массив так называемых нижних электродов; активную структуру, предпочтительно непрерывную и органическую, расположенную над матричным массивом нижних электродов, при этом структура пригодна для обнаружения света; и по меньшей мере один так называемый верхний электрод, расположенный над активной структурой, при этом верхний электрод прозрачен для света, излучаемого или детектируемого активной структурой; и по меньшей мере один проводящий элемент, который опирается на подложку без взаимодействия с активной структурой и который соединен с верхним электродом по меньшей мере одним вертикальным соединением, при этом проводящий элемент имеет электрическую проводимость выше, чем у верхнего электрода. Устройство может также содержать слой из сцинтилляционного материала, при этом слой крепится к верхнему электроду, образуя рентгеновский формирователь изображения.

Тип: Грант

Подано: 19 декабря 2016 г.

Дата патента: 23 марта 2021 г.

Правопреемники: COMMISSARIAT A L’ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES, ISORG, TRIXELL

Изобретатели: Мохаммед Бенвади, Жан-Мари Верильак, Симон Шарло, Жером Жуамель, Пьер Рор
Фоторезистор с повышенной чувствительностью

Номер патента: 10944066

Abstract: Фоторезистор состоит из двух электродов, соединенных светочувствительным слоем фоторезистора, и, по крайней мере, одного дополнительного слоя, который находится в контакте со светочувствительным слоем, чтобы влиять на поведение фоторезистора в отношении сбора носителей между двумя электроды, чтобы улучшить чувствительность фоторезистора.

Тип: Грант

Подано: 2 января 2017 г.

Дата патента: 9 марта 2021 г.

Правопреемники: COMMISSARIAT A L’ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES, ISORG

Изобретатели: Анис Даами, Мохаммед Бенвадих
Система отображения и обнаружения

Номер патента: 10782809

Реферат: Система отображения и обнаружения, включающая датчик изображения, экран дисплея и антиотражающую систему, покрывающую экран дисплея и датчик изображения, такая антиотражающая система, включающая электрически управляемый прямолинейный поляризатор .

Тип: Грант

Подано: 8 августа 2018 г.

Дата патента: 22 сентября 2020 г.

Правопреемник: ISORG

Изобретатели: Уилфрид Шварц, Агата Пушка, Квентин Чейбл, Бенджамин Бутинон
Органическое оптоэлектронное устройство, массив таких устройств и способ изготовления таких массивов

Номер патента: 10586938

Реферат: Оптоэлектронное устройство включает стопку слоев, расположенных на электроизолирующей подложке, включающую по меньшей мере один катод из материала с работой выхода ?1; один электрон-собирающий слой, расположенный над катодом и выполненный из материала с работой выхода ?2 и поверхностным сопротивлением R; и один активный слой, содержащий по меньшей мере один органический полупроводник p-типа, энергетический уровень которого равен HO1, при этом работа выхода ?2 электрон-собирающего слоя и энергетический уровень HO1 активного слоя образуют потенциальный барьер, способный блокировать инжекция дырок с катода в активный слой; поверхностное сопротивление R слоя, собирающего электроны, выше или равно 108 Ом.

Тип: Грант

Подано: 21 декабря 2016 г.

Дата выдачи патента: 10 марта 2020 г.

Правопреемники: COMMISSARIAT A L’ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES, ISORG, TRIXELL

Изобретатели: Мохаммед Бенвади, Симон Шарло, Жан-Ив Лоран, Жан-Мари Верильак, Эмелин Берто, Пьер Рор
ФОТОРЕЗИСТОР С ПОВЫШЕННОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬЮ

Номер публикации: 20200052232

Реферат: Фоторезистор содержит два электрода, соединенных светочувствительным слоем фоторезистора, и по крайней мере один дополнительный слой, который находится в контакте со светочувствительным слоем, чтобы влиять на поведение фоторезистора относительно носителя. сбор между двумя электродами, чтобы улучшить чувствительность фоторезистора.

Тип: Приложение

Файл: 2 января 2017 г.

Дата публикации: 13 февраля 2020 г.

Соискатели: COMMISSARIAT A L’ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES, ISORG

Изобретатели: Анис ДААМИ, Мохаммед БЕНВАДИ
Способ изготовления пакета первого электрода/активного слоя/второго электрода

Номер патента: 10559771

Реферат: Способ изготовления пакета из первого электрода/активного слоя/второго электрода, который предназначен для электронного устройства, в частности органического фотодетектора или органического солнечного элемента, процесс включает следующие этапы: (а) нанесение первого слоя проводника на переднюю сторону подложки для формирования первого электрода; и (b) нанесение активного слоя в виде тонкого слоя органического полупроводника, причем этот слой включает прерывистые зоны; при этом этот процесс дополнительно включает следующие этапы: (d) нанесение слоя резиста на ту сторону пакета, которая противоположна подложке, которая является по меньшей мере частично прозрачной; (e) обнажение слоя резиста через обратную сторону подложки; (f) проявление слоя резиста; и (g) нанесение второго проводящего слоя для формирования проводящего второго электрода.

Тип: Грант

Подано: 16 июня 2016 г.

Дата патента: 11 февраля 2020 г.

Правопреемники: COMMISSARIAT A L’ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES, ISORG, TRIXELL

Изобретатели: Жан-Мари Верильак, Симон Шарло
Система отображения, содержащая датчик изображения

Номер патента: 10535721

Резюме: Система отображения, включающая в себя экран дисплея, имеющий первый и второй субпиксели дисплея, где каждый первый субпиксель дисплея включает в себя первый светоизлучающий компонент, испускающий первое излучение и покрытый первым цветным фильтром и первыми проводящими дорожками, и где каждый второй дисплей субпиксель включает в себя второй светоизлучающий компонент, испускающий второе излучение и покрытый вторым цветным фильтром и вторыми проводящими дорожками. Система отображения дополнительно включает в себя датчик изображения, обнаруживающий первое или второе излучение или третье излучение. Первые субпиксели дисплея включают в себя первые элементы, поглощающие первое излучение и второе излучение и покрывающие первые проводящие дорожки. Первые поглощающие элементы и/или первый цветной фильтр ограничивают первый проход вдоль направления наложения для первого, второго или третьего излучения.

Тип: Грант

Подано: 8 августа 2018 г.

Дата патента: 14 января 2020 г.

Правопреемник: ISORG

Изобретатели: Агата Пушка, Квентин Чейбл, Бенджамин Бутинон
Устройство для обнаружения электромагнитного излучения, состоящее из органических материалов

Номер патента: 10461129

Реферат: Устройство для обнаружения электромагнитного излучения включает не менее одного ряда фоторезисторов. Каждый из фоторезисторов включает активную часть, содержащую органические полупроводниковые материалы.

Тип: Грант

Подано: 18 августа 2015 г.

Дата патента: 29 октября 2019 г.

Правопреемник: ISORG

Изобретатели: Эмелин Берто, Оливье Дез, Жан-Ив Гомес
Система бесконтактного пользовательского интерфейса

Номер патента: 10203811

Реферат: Система пользовательского интерфейса, имеющая ряды фотонных датчиков для обнаружения исполнительного органа и линз, каждая линза по крайней мере частично закрывает, за исключением центральной части линзы, ряд фотонных датчиков.

Тип: Грант

Подано: 11 сентября 2013 г.

Дата выдачи патента: 12 февраля 2019 г.

Правопреемники: Комиссариат по атомной и вспомогательной энергии, ISORG

Изобретатели: Антуан Гра, Жером Вайан
Устройство для получения характерного изображения тела

Номер патента: 10178284

Реферат: Устройство для получения характеристического изображения тела, включающее: датчик изображения, включающий множество светочувствительных клеток; и слой материала, цвет которого варьируется в зависимости от характеристики физического параметра указанного тела, покрывающий поверхность датчика.

Тип: Грант

Подано: 22 января 2016 г.

Дата патента: 8 января 2019 г.

Правопреемники: Комиссариат по атомной энергии и альтернативным источникам энергии, ISORG

Изобретатель: Жан-Мари Верильак
Портативное устройство, содержащее экран дисплея и устройство пользовательского интерфейса

Номер патента: 10126933

Аннотация: Портативное устройство имеет экран дисплея на первой поверхности и устройство пользовательского интерфейса на второй поверхности, отличной от первой поверхности. Устройство включает в себя массив фотонных детекторов.

Тип: Грант

Подано: 14 октября 2013 г.

Дата патента: 13 ноября 2018 г.

Правопреемники: Комиссариат по атомной энергии и альтернативным источникам энергии, ISORG

Изобретатель: Жан-Ив Гомес
ИНФРАКРАСНЫЙ ФОТОДЕТЕКТОР

Номер публикации: 20180159058

Реферат: Инфракрасный фотоприемник, включающий набор слоев на подложке, имеющий активную область из органических полупроводниковых материалов, способных преобразовывать инфракрасное излучение в электрический сигнал, и включающий, в указанный пакет, и /или на подложке один слой, по меньшей мере, частично фильтрующий видимый свет.

Тип: Заявка

Подано: 4 декабря 2017 г.

Дата публикации: 7 июня 2018 г.

Заявители: Комиссариат по атомной энергии и альтернативным источникам энергии, ISORG

Изобретатели: Александр Перейра, Седрик Дюкро, Уилфрид Шварц
Система и способ обнаружения положения исполнительного элемента на экране дисплея

Номер патента: 9965070

Abstract: Изобретение относится к способу, включающему этапы: отображения первых последовательных изображений на экране; получение по меньшей мере одного второго изображения; поиск положения по меньшей мере одного исполнительного элемента относительно экрана на основе анализа второго изображения; и изменение по меньшей мере одного из следующих первых изображений, которые должны быть отображены, если условия определения положения исполнительного элемента во втором изображении выполняются лишь частично.

Тип: Грант

Подано: 14 января 2014 г.

Дата патента: 8 мая 2018 г.

Правопреемники: Комиссариат по атомной энергии и альтернативным источникам энергии, ISORG

Изобретатель: Жером Вайан
Устройство пользовательского интерфейса с прозрачными электродами

Номер патента: 9898140

Реферат: Изобретение относится к интерфейсному устройству, включающему массив пикселей и изолирующую прозрачную подложку, при этом пиксели соединены с подложкой соединительными элементами, контактная поверхность между связующими элементами и пиксели строго меньше, чем поверхность пикселей, обращенная к подложке.

Тип: Грант

Подано: 10 апреля 2013 г.

Дата патента: 20 февраля 2018 г.

Правопреемники: COMMISSARIAT À L’ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES, ISORG

Изобретатели: Джамаль Таллал, Мохаммед Бенвадих
Способ и устройство для подсчета предметов

Номер патента: 9817027

Реферат: В области подсчета объектов предусматривается использование светочувствительного узла, состоящего по меньшей мере из одного фотодиода или одного фоторезистора, и источника равномерного освещения для освещения узла, установление опорного тока, подаваемого светочувствительной сборкой, для освещаемой области этой сборки, соответствующей заданной части поверхности сборки, расположение счетных объектов относительно светочувствительной сборки, освещенность сборки источником , объекты, маскирующие часть поверхности сборки, измерение тока, подаваемого сборкой, и определение соотношения между измеренным током и эталонным током для определения пропорции между освещенной площадью поверхности светочувствительного элемента и площадью замаскированной поверхности.