Fqpf13N50C datasheet. FQPF13N50C: высокоэффективный N-канальный MOSFET для импульсных источников питания

Где купить

Эти силовые полевые транзисторы с улучшенным N-канальным режимом производятся с использованием запатентованной компанией Fairchild планарной полосовой технологии DMOS. Эта передовая технология была специально разработана для минимизации сопротивления в открытом состоянии, обеспечения превосходных характеристик переключения и выдерживания импульсов высокой энергии в лавинном и коммутационном режимах. Эти устройства хорошо подходят для высокоэффективных импульсных источников питания, активной коррекции коэффициента мощности, электронных балластов для ламп на основе полумостовой топологии.

13 А, 500 В, RDS(on) = 0,48 при VGS 10 В Низкий заряд затвора (типичное значение 43 нКл) Низкий Crss (типовое значение 20 пФ) Быстрое переключение 100 % лавинное тестирование Улучшенная способность dv/dt

Параметр Напряжение сток-исток — продолжительное (TC = 25C) Ток стока — продолжительное (TC = 100C) Ток стока — импульсный

Напряжение затвор-исток Одноимпульсная лавинная энергия Лавинный ток Повторяющаяся лавинная энергия Пиковое восстановление диода dv/dt Рассеиваемая мощность (TC = 25C)

— Снижение номинальных характеристик выше 25°C Диапазон рабочих температур и температур хранения Максимальная температура вывода для пайки, 1/8″ от корпуса в течение 5 секунд

Обозначение RJC RJS RJA Параметр Тепловое сопротивление переход-корпус Тепловое сопротивление переход-корпус Тип. Тепловое сопротивление переход-окружающая среда 2,58 -62,5 Единицы C/W

BVDSS / TJ IDSS IGSSF IGSSR Напряжение пробоя сток-исток Напряжение пробоя Температурный коэффициент Нулевое напряжение затвора Ток стока Ток утечки корпуса затвора, прямой Ток утечки корпуса затвора, обратный VGS = 250 A, относительно 25C VDS 500 В, VGS 0 В VDS = 125C VGS 30 В, VDS 0 В VGS -30 В, VDS V/C A nA

VGS(th) RDS(on) gFS Пороговое напряжение затвора Статическое сопротивление сток-исток прямая крутизна VDS = VGS, 250 A VGS 6,5 A VDS 6,5 A

Ciss Coss Crss Входная емкость Выходная емкость Емкость обратной передачи VDS 25 В, VGS = 1,0 МГц пФ

td(on) tr td(off) tf Qg Qgs Qgd Время задержки включения Время нарастания включения Время задержки выключения Время спада выключения Суммарная зарядка затвора Заряд затвор-исток Заряд затвор-сток VDS 13 A, VGS 10 В

IS ISM VSD trr Qrr Максимальный непрерывный прямой ток диода сток-исток Максимальный импульсный прямой ток диода сток-исток VGS 13 А Прямое напряжение диода сток-исток Время обратного восстановления Время обратного восстановления Зарядка обратного восстановления VGS 13 А, dIF = 100 А/с

Примечания: 1. Повторяющиеся характеристики: ширина импульса ограничена максимальной температурой перехода L = 6,0 мГн, IAS = 13 A, VDD 25, пусковая 25 C 3. ISD 13 A, di/dt 200 A/s, VDD BVDSS, пусковая 25 C 4. Импульсный тест : Ширина импульса 300 с, рабочий цикл 2% 5. Практически не зависит от рабочей температуры

Рис. 3. Изменение сопротивления в открытом состоянии в зависимости от тока стока и напряжения затвора
Рис. 4. Изменение прямого напряжения корпусного диода в зависимости от тока источника и температуры

1N749ATR: 4,3 В, 0,5 Вт стабилитрон

74ABT126CMTC : Четырехканальный буфер семейства CMOS/BiCMOS->ABT/BCT с выходами с 3 состояниями

BZX79C12 : Стабилитроны серии половинной мощности

FDB6644S : 30 В N-канальный Powertrench SyncFET

QTLP680C-RY: Красно-желтая светодиодная лампа для поверхностного монтажа — сверхъяркий отражатель (двухцветный)

FAN431AZXA : Программируемый шунтирующий регулятор

NC7WZ17P6 : семейство CMOS/BiCMOS->AC/ACT Tinylogic Uhs Dual Buffer с триггерными входами Шмитта

FDPF19N40 : POWER, FET, TO-220AB Технические характеристики: Тип упаковки: TO-220, СООТВЕТСТВУЕТ ROHS, TO-220F, 3 PIN

1SMB40A : Стабилитрон 600 Вт. Серия 1SMB5.0AT3 Подавители переходных напряжений с пиковой мощностью 600 Вт Серия SMB предназначена для защиты компонентов, чувствительных к напряжению, от высоковольтных переходных процессов с высокой энергией. Они обладают отличной способностью фиксации, высокой устойчивостью к перенапряжениям, низким импедансом стабилитрона и малым временем отклика. Серия SMB поставляется в эксклюзивном корпусе ON Semiconductor.

2N4901 : IC(A) = 5, VCBO(V) = 40, VCEO(V) = 40, PD(W) = 87,5, Пакет = TO-3, HFE(Min/Max) = 20/80, IC/VCE(A/V) = 1,0/2,0, VCE(SAT)(V) = 1,5, ic/IB(A/мА) = 5,0/1A.

2N5551 : ic (мА) = 600 ;; VCBO(V) = 180 ;; ВСЕО(В) = 160,

84074012A : Инвертирование буферов и драйверов. ti SN54HC240, восьмеричные буферы и линейные драйверы с выходами с 3 состояниями.

AD5160 : 256-позиционный цифровой потенциометр, совместимый с Spi. 256 позиций Сквозное сопротивление 100 кОм Компактный (3 мм) корпус Интерфейс, совместимый с SPI Предустановка при включении на среднюю шкалу Один источник питания 5,5 В Низкотемпературный коэффициент 45 ppm/C Низкое энергопотребление, IDD 8 A Широкий диапазон рабочих температур до +125C Оценочная плата в наличии ПРИМЕНЕНИЕ Замена механического потенциометра в новых конструкциях Регулировка преобразователя давления,.

AD603ACHIPS : Малошумящий усилитель с регулируемым коэффициентом усиления 90 МГц. «Линейная в дБ» Контакт управления усилением Программируемые диапазоны усиления +31 дБ с полосой пропускания 90 МГц +51 дБ с полосой пропускания 9 МГц Любой промежуточный диапазон, например, +41 дБ с полосой пропускания 30 МГц Независимо от переменного усиления Спектральная плотность входного шума 1,3 нВ/Гц Типичная точность усиления 0,5 дБ Соответствует стандарту MIL-STD-883 и доступны версии DESC ПРИМЕНЕНИЕ Усилитель RF/IF AGC.

X40239 : Интегрированное управление системой Icтройные мониторы напряжения, Por, 2 Кбит памяти EePROM и двойной DCP.

M8S45TBJ : 9×14 мм, 5,0 или 3,3 В, Hcmos/ttl, тактовый генератор. Керамический корпус J-свинца Широкий диапазон рабочих температур Доступна версия RoHS (-R) MtronPTI оставляет за собой право вносить изменения в описанные здесь продукты и услуги без предварительного уведомления. Никакая ответственность не принимается в результате их использования или применения. Пожалуйста, посетите www.mtronpti.com для ознакомления с нашим полным предложением и подробными описаниями. Свяжитесь с нами для вашего.

TVM7J750 : Силовые резисторы в керамическом корпусе со стойками Соответствует RoHS. Экономичный товарный сорт для общего применения Конструкция из проволочной обмотки и оксида металла Широкий диапазон сопротивлений Огнеупорная неорганическая конструкция Материал S Корпус: Керамика Сердцевина: Стекловолокно или оксид металла Наполнитель: Цементная основа Электрические допуски: Стандарт 5% Температурный коэфф.: 22-10 350 ppm/C Диэлектрик выдерживаемое напряжение: 1000 В переменного тока. Кратковременно.

334MPR250K : +105c Металлизированные полипропиленовые эпоксидные конденсаторы с радиальными выводами. Диапазон рабочих температур Допустимое отклонение емкости WVDC VAC Коэффициент рассеяния Сопротивление изоляции при 20C в течение 1 минуты при 100 В постоянного тока +105C Металлизированные полипропиленовые эпоксидные конденсаторы с радиальными выводами 2000 часов, +85C при 125% номинального постоянного напряжения Изменение емкости 3% максимум <125% максимум 50% минимальных начальных пределов Изменение коэффициента рассеяния Изоляция.

EF6809E : 8-битный микропроцессорный блок (MPU).

EC078ESAT103E4 : Прецизионные датчики вращения, проводящая пластмасса, экономичная серия (эко).

GP250AFH : АККУМУЛЯТОР, AF 1,2 В С МАРКИРОВКОЙ АККУМУЛЯТОР, AF 1,2 В С МАРКИРОВКОЙ. s: Код размера батареи: AF ; Емкость аккумулятора: 2,5 Ач; Напряжение батареи: 1,2 В; Технология батареи: никель-металлогидридная; Внешний диаметр: 17 мм; Внешняя высота: 50 мм; Внешняя ширина: — ; Внешняя глубина: — ; Вес: 37 г; Клеммы батареи: Паяльная бирка; Код батареи IEC: — ; Батарея Код NEDA: -.

LQP03TN3N9B04D : Катушки постоянной индуктивности, катушки, дроссели 3,9 нГн 170 мА 0201 (0603 Метрические единицы) -; ИНДУКТОР. с: индуктивность: 3,9 нГн; Допуск: 0,1 нГн; Пакет/кейс: 0201 (метрическая 0603); Упаковка: лента и катушка (TR); Тип: — ; Ток: 170 мА; Тип монтажа: поверхностный монтаж; Q при частоте: 13 при 500 МГц; Частота — собственный резонанс: 6 ГГц; Сопротивление постоянному току (DCR): макс. 300 мОм; Экранирование:.

EVA-JQKR15A14 : Омические ползунковые потенциометры, переменные резисторы сверху, тонкие, 100 мм виток; ГОРЕЛКА 10K OHM SLIDE 100MM THIN TYP. s: Сопротивление (Ом): 10K; Мощность (Ватт): 0,25 Вт, 1/4 Вт; Тип регулировки: верхняя, тонкая, 100 мм; Допуск: 20%; Тип крепления: Сквозное отверстие; Упаковка: навалом; Размер/Размер: Прямоугольный — 5.039″Д x 0,591″ Ш x 0,315″ В (128,00 мм x 15,00 мм x 8,00 мм).

TNPW1210931KBETA : 931 кОм 0,333 Вт, 1/3 Вт Чип-резистор — поверхностный монтаж; RES 931K OHM 1/3W 0.1% 1210. s: Сопротивление (Ом): 931K ; Мощность (Ватт): 0,333 Вт, 1/3 Вт; Допуск: 0,1%; Упаковка: лента и катушка (TR); Состав: Тонкая пленка; Температурный коэффициент: 25ppm/C; Статус без содержания свинца: содержит свинец; Статус RoHS: не соответствует требованиям RoHS.

BZT52C10-TP : Диод — Стабилитрон — Однодисковый полупроводниковый продукт 200 нА при 7 В 10 В 500 мВт для поверхностного монтажа; ДИОД стабилитрон 500МВт 10В СОД123. s: Напряжение — стабилитрон (ном.) (Vz): 10 В; Мощность — макс.: 500 мВт; Импеданс (макс.) (Zzt): 20 Ом; Напряжение — прямое (Vf) (макс.) @ Если: 900 мВ при 10 мА; Ток — обратная утечка при Vr: 200 нА при 7 В; Допуск: 6%; Тип монтажа: поверхностный монтаж.

122-13-964-41-001000 : Гнездо с позолоченной обмоткой для микросхем, транзисторных соединителей, межблочной обмотки; РОЗЕТКА IC OPEN 2 LVL .900 64POS. s: Контактное покрытие: Золото; : Открытая рамка ; Тип монтажа: проволочная обмотка; Шаг: 0,100 дюйма (2,54 мм); количество позиций или контактов (сетка): 64 (2 x 32); тип: DIP, 0,9 дюйма (22,86 мм) междурядье; Толщина контактного покрытия: 30 дюймов (0,76 м).

ML9271 : ДРАЙВЕР ДИСПЛЕЯ VACUUM FLUOR, PQFP64. s: Тип устройства: ДРАЙВЕР ДИСПЛЕЯ VACUUM FLUOR ; Напряжение питания: 3,3 В, другое, 9,5 Ом; Рабочая температура: от -40 до 105 C (от -40 до 221 F); Тип упаковки: QFP, 14 X 14 мм, шаг 0,80 мм, пластик, QFP-64; Пины: 64.

Una ficha técnica, hoja técnica u hoja de datos (datasheet на английском языке), también ficha de characterísticas u hoja de characterísticas, es un documento que резюме el funcionamiento y otras characteristicas de un componente (por ejemplo, un componente electronico) o subsistema por ejemplo, una fuente de alimentación) con el suficiente detalle para ser utilizado por un ingeniero de diseño y diseñar el componente en un sistema.

Похожие записи

21.11.2024 0

Особенности питания кормящей мамы: что можно и нельзя есть при грудном вскармливании

19.11.2024 0

Новорожденный какает слизью: причины появления слизи в кале грудничка

19.11.2024 0

Гемангиома у новорожденных: причины, виды, лечение и профилактика