Что представляет собой транзистор FQPF13N50C. Какие у него основные характеристики. Для каких применений он подходит. Какие преимущества дает использование FQPF13N50C в схемах.
Обзор транзистора FQPF13N50C
FQPF13N50C — это мощный N-канальный MOSFET-транзистор, разработанный компанией ON Semiconductor (ранее Fairchild Semiconductor). Он относится к семейству улучшенных QFET транзисторов серии C.
Основные характеристики FQPF13N50C:
- Максимальное напряжение сток-исток: 500 В
- Максимальный постоянный ток стока: 13 А
- Сопротивление канала в открытом состоянии: 0.48 Ом (при VGS = 10 В)
- Корпус: TO-220F
Этот транзистор специально разработан для применения в высокоэффективных импульсных источниках питания, схемах коррекции коэффициента мощности, электронных балластах и других подобных устройствах.
Ключевые особенности FQPF13N50C
FQPF13N50C обладает рядом важных преимуществ:
- Низкое сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on))
- Малый заряд затвора (типовое значение 43 нКл)
- Низкая емкость обратной передачи Crss (типовое значение 20 пФ)
- Быстрое переключение
- 100% тестирование на лавинный пробой
- Улучшенная устойчивость к быстрому изменению напряжения dv/dt
Эти характеристики делают FQPF13N50C отличным выбором для высокочастотных и высокоэффективных применений.
Области применения FQPF13N50C
Благодаря своим характеристикам, FQPF13N50C хорошо подходит для следующих применений:
- Импульсные источники питания
- Схемы активной коррекции коэффициента мощности (PFC)
- Электронные балласты для ламп
- Инверторы
- Зарядные устройства для аккумуляторов
- Промышленные системы управления двигателями
Во всех этих применениях FQPF13N50C обеспечивает высокую эффективность и надежность работы.
Преимущества использования FQPF13N50C
Применение FQPF13N50C в схемах дает ряд важных преимуществ:- Повышение КПД: низкое RDS(on) снижает потери на проводимость.
- Улучшение тепловых характеристик: меньшие потери означают меньший нагрев.
- Увеличение рабочей частоты: быстрое переключение позволяет работать на высоких частотах.
- Упрощение схемы управления затвором: малый заряд затвора упрощает драйверы.
- Повышение надежности: устойчивость к лавинному пробою и dv/dt повышает надежность.
Все это в совокупности позволяет создавать более эффективные и компактные устройства.
Сравнение FQPF13N50C с аналогами
Как FQPF13N50C соотносится с другими MOSFET-транзисторами в своем классе? Давайте сравним его с некоторыми аналогами:
| Параметр | FQPF13N50C | SPA12N50C3 | IPA50R520CP |
|---|---|---|---|
| VDSS | 500 В | 500 В | 550 В |
| ID (25°C) | 13 А | 12 А | 11.2 А |
| RDS(on) max | 0.48 Ом | 0.54 Ом | 0.52 Ом |
Как видно, FQPF13N50C имеет преимущество в токе стока и сопротивлении открытого канала, что делает его более эффективным в большинстве применений.
Особенности конструкции FQPF13N50C
FQPF13N50C производится с использованием запатентованной планарной полосковой DMOS-технологии. Каковы ее особенности?
- Оптимизированная структура ячеек для минимизации RDS(on)
- Улучшенная конструкция затвора для быстрого переключения
- Специальная защита от лавинного пробоя
- Усиленная изоляция для повышения устойчивости к dv/dt
Эта технология позволяет достичь оптимального баланса между статическими и динамическими характеристиками транзистора.
Рекомендации по применению FQPF13N50C
При использовании FQPF13N50C в схемах следует учитывать несколько важных моментов:
- Обеспечьте адекватное охлаждение, особенно при работе с большими токами.
- Используйте быстрые драйверы затвора для полной реализации потенциала быстрого переключения.
- Учитывайте паразитные индуктивности при разработке печатной платы.
- Примените схемы защиты от перенапряжений для предотвращения пробоя.
- Оптимизируйте топологию для минимизации потерь на высоких частотах.
Правильное применение этих рекомендаций позволит максимально эффективно использовать возможности FQPF13N50C.
Влияние FQPF13N50C на эффективность источников питания
Рассмотрим, как применение FQPF13N50C может повлиять на эффективность импульсного источника питания:
- Снижение потерь на проводимость благодаря низкому RDS(on)
- Уменьшение потерь на переключение за счет быстрого переключения
- Снижение нагрева, что упрощает систему охлаждения
В результате, использование FQPF13N50C может повысить общую эффективность источника питания на 2-5% по сравнению с применением менее оптимизированных транзисторов.
Заключение
FQPF13N50C представляет собой высокоэффективный MOSFET-транзистор, оптимизированный для применения в современных импульсных источниках питания и подобных устройствах. Его ключевые преимущества — низкое сопротивление открытого канала, быстрое переключение и высокая надежность — делают его отличным выбором для разработчиков, стремящихся создать эффективные и компактные устройства.
При правильном применении FQPF13N50C позволяет значительно повысить эффективность преобразования энергии, что особенно важно в контексте современных требований к энергосбережению и миниатюризации электронных устройств.
FQPF13N50C — РАДИОМАГ РКС КОМПОНЕНТЫ
Продукція > Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 > FQPF13N50C
Код товару: 130072
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
в наявності: 0 шт
Технічний опис FQPF13N50C
Інші пропозиції FQPF13N50C за ціною від 85.97 грн до 211.01 грн
| FQPF13N50C |
Виробник: onsemi / Fairchild MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series |
на замовлення 533 шт термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| FQPF13N50C |
Виробник:
|
на замовлення 57000 шт термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| FQPF13N50C |
Виробник: ON Semiconductor
|
на замовлення 24000 шт термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| FQPF13N50C |
Виробник: FSC
|
на замовлення 2100 шт термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| FQPF13N50C |
Виробник: Fairchild Semiconductor Description: QFC 500V 480MOHM TO220F Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220F Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.  5A, 10VCurrent — Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V |
на замовлення 17000 шт термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
01 грнЗ цим товаром купують
| AP73T03GH Код товару: 186434 |
Транзистори > Польові N-канальні
| U1620G (TO-220) Код товару: 175457 |
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: TO-220
Vrr, V: 200 V
Iav, A: 8
Примітка: Конструкція: два діода в одному корпусі, загальний катод, струм 8 A
50 шт — склад Київ
11 шт — РАДІОМАГ-Київ
1 шт — РАДІОМАГ-Дніпро
|
5 грн| 270uF 400V EHP 30x45mm (EHP271M2GBB-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 154034 |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 270 µF
Номін.напруга: 400 V
Серія: EHP
Опис: з жорсткими виводами, 105С
Темп.діап.: -25…+105°C
Габарити: 30х45mm
Строк життя: 2000 годин
41 шт — склад Київ
9 шт — РАДІОМАГ-Київ
2 шт — РАДІОМАГ-Львів
3 шт — РАДІОМАГ-Харків
1 шт — РАДІОМАГ-Одеса
3 шт — РАДІОМАГ-Дніпро
|
| 1200uF 16V EFH 10x25mm (EFh222M16B-Hitano) Код товару: 123392 |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1200 µF
Номін.
напруга: 16 V
Серія: EFH
Опис: для баласту з довгим терміном служби, 105С
Темп.діап.: …+105°C
Габарити: 10х25mm
Строк життя: 7000 годин
522 шт — склад Київ
61 шт — РАДІОМАГ-Київ
13 шт — РАДІОМАГ-Львів
21 шт — РАДІОМАГ-Харків
45 шт — РАДІОМАГ-Одеса
74 шт — РАДІОМАГ-Дніпро
|
| 2200uF 6,3V EXR 10x21mm (low imp.) (EXR222M0JB-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 16337 |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 2200 µF
Номін.напруга: 6,3 V
Серія: EXR
Опис: низькоімпедансні
Темп.
діап.: -40…+105°C
Габарити: 10х21mm
Строк життя: 5000 годин
556 шт — склад Київ
67 шт — РАДІОМАГ-Київ
53 шт — РАДІОМАГ-Львів
13 шт — РАДІОМАГ-Харків
14 шт — РАДІОМАГ-Одеса
10 шт — РАДІОМАГ-Дніпро
|
FQPF13N50C техническое описание — FQPF13N50C — 500 В N-канальный улучшенный QFET серии C
Подробная информация, техническое описание, цитата по номеру детали: FQPF13N50C
| Часть | FQPF13N50C | 7
| Категория | |
| Описание | FQPF13N50C — 500 В N-канальный улучшенный QFET серии C |
| Компания | Fairchild Semiconductor |
| Спецификация | Загрузить FQPF13N50C Лист данных |
Крест. | Аналогичные детали: SPA12N50C3, IPA50R520CP, IPA50R500CE, R5011FNX, TK13A50DA |
| Цитата | Где купить |
| Функции, приложения |
Эти силовые полевые транзисторы с улучшенным N-канальным режимом производятся с использованием запатентованной компанией Fairchild планарной полосовой технологии DMOS. Эта передовая технология была специально разработана для минимизации сопротивления в открытом состоянии, обеспечения превосходных характеристик переключения и выдерживания импульсов высокой энергии в лавинном и коммутационном режимах. Эти устройства хорошо подходят для высокоэффективных импульсных источников питания, активной коррекции коэффициента мощности, электронных балластов для ламп на основе полумостовой топологии. Характеристики13 А, 500 В, RDS(on) = 0,48 при VGS 10 В Низкий заряд затвора (типичное значение 43 нКл) Низкий Crss (типовое значение 20 пФ) Быстрое переключение 100 % лавинное тестирование Улучшенная способность dv/dt Параметр Напряжение сток-исток — продолжительное (TC = 25C) Ток стока — продолжительное (TC = 100C) Ток стока — импульсный Напряжение затвор-исток Одноимпульсная лавинная энергия Лавинный ток Повторяющаяся лавинная энергия Пиковое восстановление диода dv/dt Рассеиваемая мощность (TC = 25C) — Снижение номинальных характеристик выше 25°C Диапазон рабочих температур и температур хранения Максимальная температура вывода для пайки, 1/8″ от корпуса в течение 5 секунд * Ток стока ограничен максимальной температурой перехода Обозначение RJC RJS RJA Параметр Тепловое сопротивление переход-корпус Тепловое сопротивление переход-корпус Тип. BVDSS / TJ IDSS IGSSF IGSSR Напряжение пробоя сток-исток Напряжение пробоя Температурный коэффициент Нулевое напряжение затвора Ток стока Ток утечки корпуса затвора, прямой Ток утечки корпуса затвора, обратный VGS = 250 A, относительно 25C VDS 500 В, VGS 0 В VDS = 125C VGS 30 В, VDS 0 В VGS -30 В, VDS V/C A nA VGS(th) RDS(on) gFS Пороговое напряжение затвора Статическое сопротивление сток-исток прямая крутизна VDS = VGS, 250 A VGS 6,5 A VDS 6,5 A Ciss Coss Crss Входная емкость Выходная емкость Емкость обратной передачи VDS 25 В, VGS = 1,0 МГц пФ td(on) tr td(off) tf Qg Qgs Qgd Время задержки включения Время нарастания включения Время задержки выключения Время спада выключения Суммарная зарядка затвора Заряд затвор-исток Заряд затвор-сток VDS 13 A, VGS 10 В IS ISM VSD trr Qrr Максимальный непрерывный прямой ток диода сток-исток Максимальный импульсный прямой ток диода сток-исток VGS 13 А Прямое напряжение диода сток-исток Время обратного восстановления Время обратного восстановления Зарядка обратного восстановления VGS 13 А, dIF = 100 А/с Примечания: 1. Рис. 3. Изменение сопротивления в открытом состоянии в зависимости от тока стока и напряжения затвора |
Тепловое сопротивление переход-окружающая среда 2,58 -62,5 Единицы C/W
Повторяющиеся характеристики: ширина импульса ограничена максимальной температурой перехода L = 6,0 мГн, IAS = 13 A, VDD 25, пусковая 25 C 3. ISD 13 A, di/dt 200 A/s, VDD BVDSS, пусковая 25 C 4. Импульсный тест : Ширина импульса 300 с, рабочий цикл 2% 5. Практически не зависит от рабочей температуры
| Номер детали того же производителя Fairchild Semiconductor |
| FQPF140N03L Логический N-канальный МОП-транзистор 30 В |
| FQPF14N15 150 В N-канальный QFET |
| FQPF14N30 300 В N-канальный QFET |
| FQPF15P12 120 В P-канальный QFET |
| FQPF16N15 150 В N-канальный QFET |
| FQPF16N25 250 В N-канальный QFET |
| FQPF16N25C 250 В N-канальный усовершенствованный Q-FET серии C |
| FQPF17N08 80 В N-канальный QFET |
| FQPF17N08L 80 В N-канальный QFET с логическим уровнем |
| FQPF17N40 400 В N-канальный QFET |
| FQPF17P06 60 В P-канальный QFET |
| FQPF17P10 100 В P-канальный QFET |
| FQPF18N20V2 FQPF18N20V2 — 200 В N-канальный усовершенствованный QFET серии V2 |
| FQPF18N50V2 FQPF18N50V2 — 500 В N-канальный усовершенствованный QFET серии V2 |
| FQPF19N10 100 В N-канальный QFET |
| FQPF19N10L 100 В N-канальный QFET с логическим уровнем |
| FQPF19N20 200 В N-канальный QFET |
| FQPF19N20C 200 В N-канальный усовершенствованный Q-FET серии C |
| FQPF19N20L 200 В N-канальный QFET с логическим уровнем |
| FQPF1N50 500 В N-канальный QFET |
| FQPF1N60 600 В N-канальный QFET |
1N749ATR: 4,3 В, 0,5 Вт стабилитрон 74ABT126CMTC : Четырехканальный буфер семейства CMOS/BiCMOS->ABT/BCT с выходами с 3 состояниями BZX79C12 : Стабилитроны серии половинной мощности FDB6644S : 30 В N-канальный Powertrench SyncFET QTLP680C-RY: Красно-желтая светодиодная лампа для поверхностного монтажа — сверхъяркий отражатель (двухцветный) FAN431AZXA : Программируемый шунтирующий регулятор NC7WZ17P6 : семейство CMOS/BiCMOS->AC/ACT Tinylogic Uhs Dual Buffer с триггерными входами Шмитта FDPF19N40 : POWER, FET, TO-220AB Технические характеристики: Тип упаковки: TO-220, СООТВЕТСТВУЕТ ROHS, TO-220F, 3 PIN |
| Та же категория |
1SMB40A : Стабилитрон 600 Вт. 2N4901 : IC(A) = 5, VCBO(V) = 40, VCEO(V) = 40, PD(W) = 87,5, Пакет = TO-3, HFE(Min/Max) = 20/80, IC/VCE(A/V) = 1,0/2,0, VCE(SAT)(V) = 1,5, ic/IB(A/мА) = 5,0/1A. 2N5551 : ic (мА) = 600 ;; VCBO(V) = 180 ;; ВСЕО(В) = 160, 84074012A : Инвертирование буферов и драйверов. ti SN54HC240, восьмеричные буферы и линейные драйверы с выходами с 3 состояниями. AD5160 : 256-позиционный цифровой потенциометр, совместимый с Spi. 256 позиций Сквозное сопротивление 100 кОм Компактный (3 мм) корпус Интерфейс, совместимый с SPI Предустановка при включении на среднюю шкалу Один источник питания 5,5 В Низкотемпературный коэффициент 45 ppm/C Низкое энергопотребление, IDD 8 A Широкий диапазон рабочих температур до +125C Оценочная плата в наличии ПРИМЕНЕНИЕ Замена механического потенциометра в новых конструкциях Регулировка преобразователя давления,. AD603ACHIPS : Малошумящий усилитель с регулируемым коэффициентом усиления 90 МГц. «Линейная в дБ» Контакт управления усилением Программируемые диапазоны усиления +31 дБ с полосой пропускания 90 МГц +51 дБ с полосой пропускания 9 МГц Любой промежуточный диапазон, например, +41 дБ с полосой пропускания 30 МГц Независимо от переменного усиления Спектральная плотность входного шума 1,3 нВ/Гц Типичная точность усиления 0,5 дБ Соответствует стандарту MIL-STD-883 и доступны версии DESC ПРИМЕНЕНИЕ Усилитель RF/IF AGC. X40239 : Интегрированное управление системой Icтройные мониторы напряжения, Por, 2 Кбит памяти EePROM и двойной DCP. M8S45TBJ : 9×14 мм, 5,0 или 3,3 В, Hcmos/ttl, тактовый генератор. Керамический корпус J-свинца Широкий диапазон рабочих температур Доступна версия RoHS (-R) MtronPTI оставляет за собой право вносить изменения в описанные здесь продукты и услуги без предварительного уведомления. Никакая ответственность не принимается в результате их использования или применения. TVM7J750 : Силовые резисторы в керамическом корпусе со стойками Соответствует RoHS. Экономичный товарный сорт для общего применения Конструкция из проволочной обмотки и оксида металла Широкий диапазон сопротивлений Огнеупорная неорганическая конструкция Материал S Корпус: Керамика Сердцевина: Стекловолокно или оксид металла Наполнитель: Цементная основа Электрические допуски: Стандарт 5% Температурный коэфф.: 22-10 350 ppm/C Диэлектрик выдерживаемое напряжение: 1000 В переменного тока. Кратковременно. 334MPR250K : +105c Металлизированные полипропиленовые эпоксидные конденсаторы с радиальными выводами. Диапазон рабочих температур Допустимое отклонение емкости WVDC VAC Коэффициент рассеяния Сопротивление изоляции при 20C в течение 1 минуты при 100 В постоянного тока +105C Металлизированные полипропиленовые эпоксидные конденсаторы с радиальными выводами 2000 часов, +85C при 125% номинального постоянного напряжения Изменение емкости 3% максимум <125% максимум 50% минимальных начальных пределов Изменение коэффициента рассеяния Изоляция. EF6809E : 8-битный микропроцессорный блок (MPU). EC078ESAT103E4 : Прецизионные датчики вращения, проводящая пластмасса, экономичная серия (эко). GP250AFH : АККУМУЛЯТОР, AF 1,2 В С МАРКИРОВКОЙ АККУМУЛЯТОР, AF 1,2 В С МАРКИРОВКОЙ. s: Код размера батареи: AF ; Емкость аккумулятора: 2,5 Ач; Напряжение батареи: 1,2 В; Технология батареи: никель-металлогидридная; Внешний диаметр: 17 мм; Внешняя высота: 50 мм; Внешняя ширина: — ; Внешняя глубина: — ; Вес: 37 г; Клеммы батареи: Паяльная бирка; Код батареи IEC: — ; Батарея Код NEDA: -. LQP03TN3N9B04D : Катушки постоянной индуктивности, катушки, дроссели 3,9 нГн 170 мА 0201 (0603 Метрические единицы) -; ИНДУКТОР. с: индуктивность: 3,9 нГн; Допуск: 0,1 нГн; Пакет/кейс: 0201 (метрическая 0603); Упаковка: лента и катушка (TR); Тип: — ; Ток: 170 мА; Тип монтажа: поверхностный монтаж; Q при частоте: 13 при 500 МГц; Частота — собственный резонанс: 6 ГГц; Сопротивление постоянному току (DCR): макс. EVA-JQKR15A14 : Омические ползунковые потенциометры, переменные резисторы сверху, тонкие, 100 мм виток; ГОРЕЛКА 10K OHM SLIDE 100MM THIN TYP. s: Сопротивление (Ом): 10K; Мощность (Ватт): 0,25 Вт, 1/4 Вт; Тип регулировки: верхняя, тонкая, 100 мм; Допуск: 20%; Тип крепления: Сквозное отверстие; Упаковка: навалом; Размер/Размер: Прямоугольный — 5.039″Д x 0,591″ Ш x 0,315″ В (128,00 мм x 15,00 мм x 8,00 мм). TNPW1210931KBETA : 931 кОм 0,333 Вт, 1/3 Вт Чип-резистор — поверхностный монтаж; RES 931K OHM 1/3W 0.1% 1210. s: Сопротивление (Ом): 931K ; Мощность (Ватт): 0,333 Вт, 1/3 Вт; Допуск: 0,1%; Упаковка: лента и катушка (TR); Состав: Тонкая пленка; Температурный коэффициент: 25ppm/C; Статус без содержания свинца: содержит свинец; Статус RoHS: не соответствует требованиям RoHS. BZT52C10-TP : Диод — Стабилитрон — Однодисковый полупроводниковый продукт 200 нА при 7 В 10 В 500 мВт для поверхностного монтажа; ДИОД стабилитрон 500МВт 10В СОД123. 122-13-964-41-001000 : Гнездо с позолоченной обмоткой для микросхем, транзисторных соединителей, межблочной обмотки; РОЗЕТКА IC OPEN 2 LVL .900 64POS. s: Контактное покрытие: Золото; : Открытая рамка ; Тип монтажа: проволочная обмотка; Шаг: 0,100 дюйма (2,54 мм); количество позиций или контактов (сетка): 64 (2 x 32); тип: DIP, 0,9 дюйма (22,86 мм) междурядье; Толщина контактного покрытия: 30 дюймов (0,76 м). ML9271 : ДРАЙВЕР ДИСПЛЕЯ VACUUM FLUOR, PQFP64. s: Тип устройства: ДРАЙВЕР ДИСПЛЕЯ VACUUM FLUOR ; Напряжение питания: 3,3 В, другое, 9,5 Ом; Рабочая температура: от -40 до 105 C (от -40 до 221 F); Тип упаковки: QFP, 14 X 14 мм, шаг 0,80 мм, пластик, QFP-64; Пины: 64. |
Серия 1SMB5.0AT3 Подавители переходных напряжений с пиковой мощностью 600 Вт Серия SMB предназначена для защиты компонентов, чувствительных к напряжению, от высоковольтных переходных процессов с высокой энергией. Они обладают отличной способностью фиксации, высокой устойчивостью к перенапряжениям, низким импедансом стабилитрона и малым временем отклика. Серия SMB поставляется в эксклюзивном корпусе ON Semiconductor.
Пожалуйста, посетите www.mtronpti.com для ознакомления с нашим полным предложением и подробными описаниями. Свяжитесь с нами для вашего.
300 мОм; Экранирование:.
s: Напряжение — стабилитрон (ном.) (Vz): 10 В; Мощность — макс.: 500 мВт; Импеданс (макс.) (Zzt): 20 Ом; Напряжение — прямое (Vf) (макс.) @ Если: 900 мВ при 10 мА; Ток — обратная утечка при Vr: 200 нА при 7 В; Допуск: 6%; Тип монтажа: поверхностный монтаж.
