Что такое FQPF9N50C. Каковы основные характеристики FQPF9N50C. Где применяется FQPF9N50C. Какие преимущества у FQPF9N50C по сравнению с аналогами. Как правильно использовать FQPF9N50C в схемах.
Общая характеристика и назначение транзистора FQPF9N50C
FQPF9N50C — это мощный N-канальный MOSFET транзистор, разработанный компанией Fairchild Semiconductor с использованием передовой планарной DMOS технологии. Данный транзистор обладает следующими ключевыми характеристиками:
- Максимальное напряжение сток-исток: 500 В
- Максимальный постоянный ток стока: 9 А (при температуре корпуса 25°C)
- Сопротивление канала в открытом состоянии: 0.8 Ом (при напряжении затвор-исток 10 В)
- Низкий заряд затвора: 28 нКл (типовое значение)
- Низкая выходная емкость: 24 пФ (типовое значение)
- Быстрое переключение
Благодаря этим характеристикам, FQPF9N50C отлично подходит для применения в следующих областях:
- Высокоэффективные импульсные источники питания
- Схемы активной коррекции коэффициента мощности
- Электронные балласты для ламп на основе полумостовой топологии
- Другие применения, требующие высоковольтных быстродействующих ключей
Технические характеристики и параметры FQPF9N50C
Рассмотрим более подробно основные электрические параметры транзистора FQPF9N50C:
- Максимальное напряжение сток-исток (VDSS): 500 В
- Максимальный постоянный ток стока (ID): 9 А при 25°C, 5.4 А при 100°C
- Максимальный импульсный ток стока (IDM): 36 А
- Сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on)): 0.8 Ом при VGS = 10 В
- Входная емкость (Ciss): 1800 пФ
- Выходная емкость (Coss): 145 пФ
- Время включения (ton): 35 нс
- Время выключения (toff): 45 нс
Такие параметры обеспечивают эффективную работу транзистора на высоких частотах переключения при минимальных потерях.
Преимущества FQPF9N50C по сравнению с аналогами
FQPF9N50C имеет ряд существенных преимуществ по сравнению с аналогичными транзисторами:
- Низкое сопротивление канала в открытом состоянии, что уменьшает статические потери
- Малый заряд затвора, обеспечивающий быстрое переключение
- Низкая выходная емкость, снижающая динамические потери
- Улучшенная характеристика dv/dt, повышающая надежность
- 100% лавинное тестирование на заводе-изготовителе
Эти преимущества позволяют создавать более эффективные и надежные устройства на основе FQPF9N50C по сравнению с использованием альтернативных транзисторов.
Применение FQPF9N50C в импульсных источниках питания
Одной из основных областей применения FQPF9N50C являются импульсные источники питания. Рассмотрим, как можно эффективно использовать данный транзистор в этих схемах:
- В качестве силового ключа в топологиях с жестким переключением (например, обратноходовые и прямоходовые преобразователи)
- В резонансных и квазирезонансных преобразователях для минимизации потерь на переключение
- В активных схемах коррекции коэффициента мощности
- В синхронных выпрямителях на вторичной стороне для повышения КПД
При проектировании схем с FQPF9N50C следует учитывать его быстродействие и принимать меры по снижению паразитных индуктивностей в цепях затвора и истока.
Рекомендации по применению FQPF9N50C
Для достижения оптимальных результатов при использовании FQPF9N50C рекомендуется следовать таким правилам:
- Использовать короткие и широкие проводники для подключения затвора и истока
- Применять снабберные цепи для ограничения dv/dt и di/dt
- Обеспечивать эффективный теплоотвод от корпуса транзистора
- Выбирать оптимальное напряжение управления затвором (обычно 10-12 В)
- Использовать быстродействующие драйверы затвора с малым выходным сопротивлением
Соблюдение этих рекомендаций позволит максимально раскрыть потенциал FQPF9N50C и создать эффективные устройства с его применением.
Сравнение FQPF9N50C с аналогичными транзисторами
Для оценки преимуществ FQPF9N50C проведем его сравнение с некоторыми аналогичными транзисторами:
| Параметр | FQPF9N50C | IRFP450 | STF12N50M2 |
|---|---|---|---|
| Напряжение сток-исток, В | 500 | 500 | 500 |
| Ток стока, А | 9 | 14 | 11 |
| RDS(on), Ом | 0.8 | 0.4 | 0.45 |
| Заряд затвора, нКл | 28 | 65 | 42 |
Особенности монтажа и эксплуатации FQPF9N50C
При работе с FQPF9N50C необходимо учитывать следующие особенности:
- Транзистор чувствителен к статическому электричеству, требуется соблюдение мер ESD-защиты
- Максимальная температура перехода составляет 150°C, необходимо обеспечить эффективный теплоотвод
- Рекомендуется использовать теплопроводящую пасту между корпусом и радиатором
- При пайке выводов температура не должна превышать 300°C в течение 10 секунд
- Хранение рекомендуется осуществлять в сухой атмосфере при температуре 10-40°C
Соблюдение этих правил позволит обеспечить надежную работу FQPF9N50C в течение длительного срока.
SAMSUNG LE40M87. Ремонт, схема, сервис
Техническое описание и состав телевизора SAMSUNG LE40M87, тип панели и применяемые модули. Состав модулей.
Общие рекомендации по ремонту TV LCD LCD
Ремонт телевизоров, как и других устройств, целесообразно начинать с внешнего осмотра. Видимые повреждения элементов иногда могут обозначить направления поиска дефекта ещё до начала проведения необходимых измерений. В некоторых случаях неисправные элементы видно невооружённым глазом, например, обугленные резисторы или вздувшиеся металлокерамические конденсаторы, либо электролитические в фильтрах выпрямителей. Образовавшиеся кольцевые трещины в пайках выводов трансформаторов или греющихся элементов схемы так же являются частыми источниками многих неисправностей с самыми различными внешними проявлениями.
Неисправности модуля питания BN44-00165A — IP-231135A могут выражаться по разному, например, SAMSUNG LE40M87 не включается совсем и контрольные лампочки на его передней панели не загораются и не моргают, отсутствуют все признаки работоспособности.
При отсутствии вспухших конденсаторов фильтра вторичных выпрямителей, диагностику блока питания следует начинать с проверки предохранителя и, при его обрыве, необходимо в первую очередь проверить все силовые полупроводниковые элементы первичной цепи — диоды и транзисторы 13N50CF, FQPF9N50C на вероятность лавинного или теплового пробоя.
Если у SAMSUNG LE40M87 нет изображения, но есть звук, есть вероятность неисправности ламп подсветки или преобразователя их питания.
Диагностика и ремонт материнской платы BN41-00813B — MP1.0 обычно начинается с проверки работоспособности стабилизаторов и преобразователей питания чипов модуля. В некоторых случаях требуется обновление программного обеспечения (ПО).
Если нет возможности замены платы MB (SSB), необходимо проверить исправность её элементов — M308A0SGP, 24C256, NTP-3000. Неисправные компоненты следует заменить.
Прежде чем менять тюнер BN40-00096A, если отсутствует возможность настройки на телевизионные каналы, следует убедиться в наличии питающих напряжений, которые необходимо измерить на соответствующих выводах тюнера и проверить ПО на корректность. Импульсы обмена данными тюнера с процессором можно проконтролировать осциллографом
Владельцам и пользователям телевизора SAMSUNG LE40M87 необходимо помнить, что самостоятельный ремонт без специальных знаний, навыков и квалификации, может быть чреват негативными последствиями, которые могут привести к полной неремонтопригодности устройства!
Скачать: Сервис-мануал и схема Samsung LLE37M87BDX, LE40M87BDX, LE46M87BDX, LE52M87BDX Chassis GTU37SEN, GTU40SEN, GTU46SEN, GTU52SEN. Схема блока питания BN44-00165A Power supply. |
Дополнительно по ремонту MainBoard
Внешний вид MainBoard BN41-00813B показан на рисунке ниже:
BN41-00813B может применяться в телевизорах:
SAMSUNG LE37M87BD (Panel T370HW02 V.2), SAMSUNG LE46M87BD (Panel LTA460HT-Lh3), SAMSUNG LE40M87 LE40M87BD (Panel LTA400HT-Lh2).
Дополнительно по PSU
Модуль питания BN44-00165A выполнен с применением схемы коррекции коэффициента мощности (PFC — Power Factor Correction) в целях устранения кратных гармоник переменного тока, вносимых устройством в электросеть. Узел PFC представляет собой обратноходовый повышающий преобразователь (Step-Up Converter) на основе шим-регулятора ICE1PCS02, который равномерно в пределах периода 50гц распределяет высокочастотные импульсы зарядного тока электролитического конденсатора фильтра выпрямителя сетевого напряжения. Ток его заряда в данном случае будет уже определяться не его реактивным сопротивлением (обычно 10-30 ом для частоты сети), а элементами преобразователя.
В результате изменение амплитуды импульсов (огибающая) потребляемого тока преобразователя повторит форму и фазу входного синусоидального напряжения. На исправность узла PFC указывает наличие повышенного напряжения (около +380V) в рабочем режиме на конденсаторе сетевого фильтра.
Внешний вид блока питания
Основные особенности устройства SAMSUNG LE40M87:
Установлена матрица (LCD-панель) LTA400HT-Lh2.
В управлении матрицей используется Тайминг-Контроллер (T-CON) 13N50CF.
Формирование необходимых питающих напряжений для всех узлов телевизора SAMSUNG LE40M87 осуществляет модуль питания BN44-00165A, либо его аналоги c использованием микросхем DM0365R (Standby), FAN7382, ICE2BS01, ICE1PCS02 (PFC) и силовых ключей типа 13N50CF, FQPF9N50C.
MainBoard — основная плата (материнская плата) представляет собой модуль BN41-00813B, с применением микросхем MST3560M-LF-170, SiI9125CTU, SVP-WX68, HYB25D256163CE, 24C256WP, NTP-3000 и других.
Тюнер BN40-00096A обеспечивает приём телевизионных программ и настройку на каналы.
Дополнительная техническая информация о панели:
Brand : SAMSUNG
Model : LTA400HT-Lh2
Type : a-Si TFT-LCD, Panel
Diagonal size : 40 inch
Resolution : 1920×1080, FHD
Display Mode : S-PVA, Normally Black, Transmissive
Active Area : 885.6×498.15 mm
Surface : Antiglare (Haze 2.4%), Hard coating (3H)
Brightness : 600 cd/m²
Contrast Ratio : 2000:1
Display Colors : 1.07B
(10-bit), CIE1931 92%
Response Time : 10/6 (Tr/Td)
Frequency : 60Hz
Lamp Type : 20 pcs CCFL
Embedded (Balance board)
Signal Interface : LVDS (2 ch, 8-bit), 51 pins
Voltage : 12.0V
Внимание мастерам!
Информация на этом сайте накапливается из записей ремонтников и участников форумов.
Будьте внимательны! Возможны опечатки или ошибки!
Пожалуйста, сообщайте нам о любых ляпах или несоответствиях в записях по почте info@tel-spb.
ru, присылайте прошивки и наработки из своего опыта, опубликуем в помощь коллегам.
Ближайшие в таблице модели:
SAMSUNG LE40N87BDX LE40N87BD
Chassis(Version) GTU40HEN
Panel: V400h2-L01
Inverter (backlight): I400h2-20A-A001D (1400h2-20A)
Power Supply (PSU): BN44-00167A
PWM Power: ICE1PCS02 (PFC), ICE3B0365J, FSDM0565
MOSFET Power: FQA13N50CF (PFC)
MainBoard: BN41-00813E BN94-01312R
Тuner: BN40-00096A DN0S403Mh361B(S)
IC Main: MST3560M-LF-170, SiI9125CTU, SVP-WX68, HYB25D256163CE, 24C256WP, NTP-3000
Control: Remote: BN59-00603A, IR BN41-00873A
SAMSUNG LE40M71B
Chassis(Version) GMS40HE
Panel: LTA400WH-Lh2
T-CON: 400WHC8LV1.3; ALTERA EP1S30F780C8N
Inverter (backlight): integrated into PSU
PWM Inverter: FAN7382
MOSFET Inverter: 2SK3568
Power Supply (PSU): BN44-00140A IP-280135A
PWM Power: ICE1PCS02, ICE2BS01, DM0565R
MOSFET Power: 06N80C3, 20N60C3
MainBoard: BN94-00964B BN41-00733C
Тuner: BN40-00078A TSLW3001PD32S(H)
IC Main: S29AL008D70TF102, 3F866BXZZQZ8B, 24C32, EM6A9160TS-5G, TEA6422
Control: Remote: BN59-00530A, IR: BN41-00716A
FQPF9N60C Электронный дистрибьютор | | Ariat-Tech.
comElectronics Components Distributor
My Request:
Главная Продукты Интегральные схемы (ИС) Специализированные ИС FQPF9N60C
| FQPF9N60C | |
|---|---|
| Тип продуктов | FQPF9N60C |
| производитель | FSC |
| Описание | FQPF9N60C FSC |
| Кол-во в наличии | 32365 pcs new original in stock. Запросить акции и предложения |
| Листки | FQPF9N60C.pdf |
| FQPF9N60C Price |
Запросить цену и время выполнения заказа or Email us: Info@ariat-tech.  com
|
Получить цитату
| Техническая информация FQPF9N60C | |||
|---|---|---|---|
| Номер изготовителя | FQPF9N60C | категория | Интегральные схемы (ИС) |
| производитель | FSC | Описание | FQPF9N60C FSC |
| Пакет / чехол | Кол-во в наличии | 32365 pcs | |
| TO220F | Condtion | New Original Stock | |
| Гарантия | 100% Perfect Functions | Время выполнения заказа | 2-3days after payment. |
| Оплата | PayPal / Telegraphic Transfer / Western Union | Доставка по | DHL / Fedex / UPS |
| порт | HongKong | Электронная почта по электронной почте | Info@ariat-tech. com |
| Скачать | FQPF9N60C PDF — EN.pdf | ||
FQPF9N60C являются новыми и оригинальными в наличии, найдите запас компонентов электроники FQPF9N60C, таблицу, инвентарь и цену на сайте Ariat-Tech.com, закажите FQPF9N60C с гарантией и доверием от Ariat Technology Limitd. Доставка через DHL / FedEx / UPS. Оплата банковским переводом или PayPal в порядке.
Напишите нам: [email protected] или RFQ FQPF9N60C Online.
| *Part No. | Manufacturer | Target Price(USD) | *Request Qty | Action |
|---|---|---|---|---|
|
Add Item | ||||
Компания
Имя контактного лица
Телефон
Эл. почта
факс
Адрес доставки
Сообщение
Представлено
| FQPF9N60C сток | FQPF9N60C Цена | FQPF9N60C Электроника | |||
| FQPF9N60C Компоненты | FQPF9N60C Инвентарь | FQPF9N60C Digikey | |||
| Поставщик FQPF9N60C | Заказать FQPF9N60C онлайн | Запрос FQPF9N60C | |||
| FQPF9N60C Image | FQPF9N60C фото | FQPF9N60C PDF | |||
| FQPF9N60C Datasheet | Скачать таблицу FQPF9N60C | Производитель | |||
| Связанные части для FQPF9N60C |
|---|
Новости
Больше
Учреждение: Недавно проданный р.
..
До недавнего времени люди привыкли помещать старые телефоны (наряду со своими зар…
Процесс Samsung 4NM стабилизировал у…
По данным It Foreign Media Reports от Zhiding.com, инсайдеры промышленности недавно заявили, что Sam…
Слабый спрос на рынке ПК, компле…
Недавно Nikkei сообщил, что общий доход в 19 цепочках поставок, связанных с Тайваном, К…
Германия планирует увеличить су…
Согласно Financial Times, правительство Германии подталкивает Intel к расширению своего пл…
Apple ускоряет передачу цепочки по…
По данным Bloomberg, в предыдущем финансовом году Apple собрала более 7 миллиардов доллар…
новые продукты
Больше
Фотоэлектрический датчик серии …
Фотоэлектрический датчик серии PD30 Миниатюрные фотоэл…
Комплект оценки XC112 / XR112 для импу.
..
Комплект оценки XC112 / XR112 для импульсного когерентного …
Сервоприводы и двигатели серии M…
Сервоприводы и двигатели серии MINAS A6 Семейство Panasonic MINA…
Ультрафиолетовый светодиодный …
Ультрафиолетовый светодиодный драйвер Ультрафиолето…
Промышленный и расширенный тест…
Промышленный и расширенный тест DDR SDRAM Устройства Insignis …
IC Chips & IGBT Module — Горячий запасной номер детали
| FQPF7P06 MOS | FQPF7P20 | FQPF7P20 MOS | FQPF85N06 | FQPF8N60 |
| FQPF8N60C | FQPF8N60C MOS | FQPF8N60CF | FQPF8N60CFT | FQPF8N60CT |
| FQPF8N60CYDTU | FQPF8N60CYTU | FQPF8N65C | FQPF8N80 | FQPF8N80C |
| FQPF8N80C MOS | FQPF8N80CYDTU | FQPF8N80CYDTU | FQPF8N90C | FQPF8P10 |
| FQPF90N08 | FQPF90N10V2 | FQPF90N10V2 MOS | FQPF9N08 | FQPF9N08L |
| FQPF9N15 | FQPF9N25 | FQPF9N25C | FQPF9N25C MOS | FQPF9N25CRDTU |
| FQPF9N25CRDTU MOS | FQPF9N25CT | FQPF9N25CYDTU | FQPF9N25CYDTU MOS | FQPF9N30 |
| FQPF9N50 | FQPF9N50C | FQPF9N50CF | FQPF9N50CT | FQPF9N50CYDTU |
| FQPF9N50T | FQPF9N50YDTU | FQPF9N65C | FQPF9N90 | FQPF9N90C |
| FQPF9N90CT | FQPF9N90CT MOS | FQPF9P25 | FQPF9P25YDTU | FQPF9Z24 |
Профиль КомпанииНаша квалификацияНаши преимуществаполитика конфиденциальности
Гарантия качестваПлатежный путьСпособ доставкиВопросы и ответы
Запросы / ЗаказСписок продуктовСвязаться с нами
Эл.
адрес: [email protected]HK TEL: +00 852-30501966ДОБАВЛЯТЬ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Коулун, Гонконг.
язык:
EnglishDeutschFrançaisрусскийespañolPortuguês日本語ΕλλάδαItalia한국의العربيةTürk dilipolskiSuomiहिंदीIndonesiaTiếng ViệtภาษาไทยNederlandGaeilgePilipinoČeštinaMelayuTaiwanفارسیMagyarországHrvatskaSlovenskáSlovenijaKongeriketעִבְרִיתDanskromânescSvenskaБългарски езикEesti VabariikíslenskaAfrikaansIsiXhosaisiZululietuviųMaoriEuskeraBosnaҚазақшаCatalàCambodiaአማርኛRepublika e ShqipërisëCorsaКыргыз тилиAyitiБеларусьmalaɡasʲМонголулсAzərbaycanLatviešuپښتوCрпскиМакедонскиKurdîChicheŵaТоҷикӣবাংলা ভাষারGalegoSesothoO’zbekनेपालीພາສາລາວHausaSamoaსაქართველოမြန်မာKiswahiliУкраїнаLëtzebuergeschසිංහලاردوગુજરાતીಕನ್ನಡkannaḍa
Дистрибьютор электронных компонентов — Поставщик микросхем и модулей IGBT — www.ariat-tech.com
Уведомление об авторских правах © 1996-2023 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.
Все права защищены.
fqpf9n50c%20equivalent Технический паспорт и указания по применению
| Каталог Технический паспорт | MFG и тип | ПДФ | Теги документов |
|---|---|---|---|
2003 — Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | FQPF9N50C | |
2003 — fqpf9n50c Реферат: FQP9N50C FQP9N50C от Fairchild FQP 07 | Оригинал | ФКП9Н50К/ФКПФ9Н50К fqpf9n50c FQP9N50C FQP9N50C от Fairchild ФКП 07 | |
2003 — FQP9N50C Аннотация: FQPF9N50C | Оригинал | ФКП9Н50К/ФКПФ9Н50К FQP9N50C FQPF9N50C | |
2003 — Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | ФКП9Н50К/ФКПФ9Н50К | |
2003 — 9N50C Реферат: 9N50C MOSFET FQPF9N50C FQPF9N50CT высокомощный диод 500v 220F3 | Оригинал | ФКП9Н50К/ФКПФ9Н50К FQPF9N50C О-220Ф-3 FQPF9N50CT FQPF9N50CYDTU 9Н50С МОП-транзистор 9N50C диод большой мощности 500v 220F3 | |
2004 — ФКПФ*9n25c Реферат: диод СМ 88А FQPF9N25C FQP9N50C | Оригинал | FQP9N50C FQPF9N50C FQP9N25C FQPF9N25C FQPF9N25C ФКПФ*9n25c диод СМ 88А | |
2003 — Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | КСМ9Н50С/КСМФ9Н50С О-220 О-220Ф 54ТИП 00×45В | |
2007 — FQPF8N60C эквивалент Резюме: FQPF9N50C, эквивалентная схема ЖК-инвертора, эквивалентная FAN7530, эквивалентная FAN7601, 200 Вт, инвертор постоянного тока в переменный Принципиальная схема, эквивалентная FAN7529, эквивалентная FAN7601, эквивалентная FDD6685, эквивалентная FQPF10N60C | Оригинал | ||
2003 — 600 В IGBT понижающий преобразователь постоянного тока в постоянный Аннотация: диод 8a 600 В FAN4803 24 В выходной источник питания 300 кГц 600 В IC драйвер MOSFET 600 В 20 ампер MOSFET FQPF9N50C эквивалент FQPF10N60C эквивалентная принципиальная схема источника питания smps на основе MOSFET FQP9N50C FDS4935 эквивалент | Оригинал | ФС6С1220РТ ФСАТ66 ФДК796Н/ФДК3616Н ФДЗ299П FXL34 Power247TM, 600V igbt преобразователь постоянного тока в постоянный диод 8а 600в Выходной блок питания FAN4803 24 В IC драйвера MOSFET 300 кГц 600 В Мосфет 600В 20А FQPF9Эквивалент N50C Эквивалент FQPF10N60C принципиальная схема источника питания smps на основе mosfet FQP9N50C Эквивалент FDS4935 | |
фкпф5н60к Резюме: FAN7711 FQPF18N50 МОП-транзистор Fairchild FQT1N80 FQP9N50C FQPF*5n50c fjp13009 FJP5027 FQD7P20 | Оригинал | FAN7532/FAN7711 ФАН7544 FCPF7N60 О-220Ф ФЦПФ11Н60 ФЦПФ20Н60 fqpf5n60c FAN7711 FQPF18N50 МОП-транзистор Fairchild FQT1N80 FQP9N50C ФКПФ*5n50c fjp13009 ФДЖП5027 FQD7P20 | |
МК0628Р Резюме: mc0628 MC0628R замена FAIRCHILD SEMICONDUCTOR Fairchild cross KA3846 FDD8896 «замена» FQPF3N60C FQP50N06 эквивалент FDS8884 | Оригинал | ST42091 F50188E NB5F009 74ABT646CMSA 74ABT646CMSAX 74ABT646CMTC 74ABT646CSC 74AC251SJ 74AC299SJX 74AC74CW MC0628R mc0628 Замена MC0628R ФЭЙРЧАЙЛД ПОЛУПРОВОДНИК Крест Фэирчайлда КА3846 ФДД8896 «запасная замена» FQPF3N60C Эквивалент FQP50N06 ФДС8884 | |
2009 — ТРАНСФОРМАТОР ERL35 Аннотация: принципиальная схема блока питания atx 500 Вт ТРАНСФОРМАТОР ERL35 принципиальная схема блока питания 450 Вт принципиальная схема блока питания atx 450 Вт принципиальная схема блока питания atx 450 Вт схема ERL-35 блок питания atx 450 Вт схема ERL35 схема atx 500 Вт | Оригинал | Ан-8027
FAN480X
FAN4800A
FAN4800C
FAN4801
ВЕНТИЛЯТОР4802
FAN4802L
FAN480X. FAN480X
ТРАНСФОРМАТОР ERL35
принципиальная схема atx блок питания 500w
Принципиальная схема ТРАНСФОРМАТОРА ERL35
Схема блока питания atx мощностью 450 Вт.
схема атх 450w
схема блока питания atx 450w
ЭРЛ-35
блок питания atx 450w схема
ЭРЛ35
схема атх 500вт | |
2005 — ИРФ1830Г Реферат: Транзистор IRF1830 IRF1830G APM2054N эквивалент apm2054n AP85L02h AP70N03S 2SK3683 ap70l02h 2SK2696 | Оригинал | АО4405 АО4407 АО4408 АО4409 АО4410 АО4411 АО4413 АО4415 АО4422 АО4700 IRF1830G IRF1830 транзистор IRF1830G Эквивалент APM2054N apm2054n AP85L02h АП70Н03С 2SK3683 ap70l02h 2SK2696 | |
2003 — ФЛМП СуперСОТ-6 Реферат: Комплементарные МОП-транзисторы buz11 FQD7P20 FDG6316 IRF650 FQP65N06 IRFS630 FDG329N FDP2532 fqpf6n80 | Оригинал | СК70-6 СК75-6 СуперСОТТМ-3/СОТ-23 Power247TM, ФЛМП СуперСОТ-6 Дополнительные МОП-транзисторы buz11 FQD7P20 ФДГ6316 IRF650 FQP65N06 ИРФС630 ФДГ329Н ФДП2532 fqpf6n80 | |
ФКПф10Н60К Резюме: FQPF*10n20c FQPF10N20C FQP17P06 fqpf6n80 Эквивалент FQP630 FQU17P06 FQPF*5n50c IRF650 FQA90N08 | Оригинал | ФДЗ201Н ФДЗ209Н ФДЗ2553Н ФДЗ2553НЗ ФДЗ2551Н ФДЗ7064Н SFF9140 FQAF47P06 SSF10N60B SSF7N60B FQPf10N60C ФКПФ*10n20c FQPF10N20C FQP17P06 fqpf6n80 Эквивалент FQP630 FQU17P06 ФКПФ*5n50c IRF650 FQA90N08 | |
FQPF*7N65C ПРИМЕНЕНИЕ Аннотация: модель специй bc548 модель специй bf494 модель специй bf199 LM3171 модель специй BC517 модель специй bc547 модель специй BF494 модель специй MOC3043-M модель специй SPICE BC237 | Оригинал | UF4003. UF4004.
UF4005.
UF4006.
UF4007.
USB10H.
USB1T1102
USB1T11A.
вКА75420М
W005G
ПРИМЕНЕНИЕ FQPF*7N65C
модель специй bc548
модель специй bf494
специи модель bf199
LM3171
Модель специй BC517
модель специй bc547
BF494 специи
Модель специй MOC3043-M
SPICE модель BC237 | |
КФ6Н60 Аннотация: 2SK3850 эквивалент KF9N25 KF7N50 MDF10N65b транзистор PANASONIC ZENER Kf10n60 KIA278R12PI эквивалент kid65003ap эквивалент kia578r05 | Оригинал | USFB053 USFB13 USFB13A USFB13L USFB14 УСФЗ10В USFZ11V УСФЗ12В УСФЗ13В УСФЗ15В КФ6Н60 эквивалент 2SK3850 KF9N25 KF7N50 Транзистор МДФ10Н65б ПАНАСОНИК ЗЕНЕР Крf10n60 Эквивалент KIA278R12PI эквивалент kid65003ap киа578р05 | |
2004 — термистор KSD201 Реферат: Каталог силовых МОП-транзисторов IRF Дополнительные МОП-транзисторы buz11 BZX85C6V8 SPICE MODEL Diode 1N4001 50V 1.0A DO-41 Выпрямительный диод K*D1691 сделать SMPS инвертор сварочный аппарат транзистор KSP44 1N5402 Spice модель tip122 tip127 MOSFET аудио усилитель | Оригинал | ||
irfb4115 Реферат: Диод аналог BTY79 скн 21-04 маркировка КОД W04 сот-23 bbc 598 479 ДИОД mw 137 600g TFK 401 S 673 Vishay Telefunken tfk транзистор INFINEON транзистор маркировка W31 JYs маркировка транзистор | Оригинал | элемент-14
Ф155-6А
Ф155-10А
Ф165-15А
Ф175-25А
irfb4115
Эквивалент BTY79
диод скн 21-04
маркировка КОД W04 сот-23
bbc 598 479 ДИОД
м. в. 137 600 г
ТФК 401 С 673
транзистор Vishay Telefunken tfk
Маркировка транзистора INFINEON W31
JYs маркировка транзистора | |
термистор KSD201 Резюме: конфигурация контактов NPN транзистора BC548 конфигурация контактов транзистора BC547 smd упаковка FQPF*7N65C ПРИМЕНЕНИЕ BC547 sot упаковка sot-23 конфигурация контактов pnp smd транзистора BC557 DIODE 1N4148 LL-34 конфигурация контактов NPN транзистора BC547 BC557 sot-23 BC547 smd | Оригинал | ТС-16949 ИСО-14001, термистор KSD201 конфигурация выводов NPN-транзистор BC548 конфигурация выводов транзистора BC547 smd упаковка ПРИМЕНЕНИЕ FQPF*7N65C BC547 сот пакет сот-23 Конфигурация выводов pnp smd транзистор BC557 ДИОД 1N4148 ЛЛ-34 конфигурация выводов NPN-транзистор BC547 BC557 сот-23 BC547 смд | |
2003 — MC0628R Abstract: 40373 эквивалент 74hc14n 4046 указания по применению philips HCF4060BE HCF4017BE SN74121 указания по применению MC74HC373DW mc0628 HCF4053BE | Оригинал | SCYB017A T74ALVC32374 74CBTLV16211 SN74CBTD16211 SN74SSTV16859 SN74CBTLV16211GRDR СН74АЛВК16245АГДРДР -SN74SSTV16859GKER MC0628R 40373 эквивалент 74hc14n 4046 заметки по применению Philips HCF4060BE HCF4017BE Примечание по применению SN74121 MC74HC373DW mc0628 HCF4053BE | |
2011 — Эквивалент FSQ510 Реферат: BTA12 6008 bta16 6008 Интерфейс ZIGBEE с AVR ATmega16 Прецизионный симисторный термостат с тиристором t 558 f eupec gw 5819диод транзистор а564 транзистор а564 БСМ25ГП120 б2 | Оригинал | ГП-20) Эквивалент FSQ510 БТА12 6008 бта16 6008 Интерфейс ZIGBEE с AVR ATmega16 Прецизионный симисторный управляющий термостат тиристор т 558 ф еупек гв 5819 диод транзистор а564 Транзистор А564 БСМ25ГП120 б2 | |
FQPF9N50C техническое описание — FQPF9N50C — 500 В N-канальный усовершенствованный QFET серии C
Подробная информация, техническое описание, цитата по номеру детали: FQPF9N50C
| Деталь | FQPF9N50C |
| Категория | |
| Описание | FQPF9N50C — 500 В N-канальный улучшенный QFET серии C |
| Компания | Fairchild Semiconductor |
| Техническое описание | Загрузить FQPF9N50C Техническое описание |
Крест. | Аналоги: IPA50R800CE, IPA50R950CE, NDF08N50ZH, TK10A50D |
| Цитата | Где купить |
| Особенности, применение |
Эти силовые полевые транзисторы с улучшенным N-каналом производятся с использованием запатентованной Fairchild планарной технологии DMOS. Эта передовая технология была специально разработана для минимизации сопротивления в открытом состоянии, обеспечения превосходных характеристик переключения и выдерживания импульсов высокой энергии в лавинном и коммутационном режимах. Эти устройства хорошо подходят для высокоэффективных импульсных источников питания, активной коррекции коэффициента мощности, электронных балластов для ламп на основе полумостовой топологии. ОсобенностиA, 500 В, RDS(on) = 0,8 при VGS 10 В Низкий заряд затвора (типовое значение 28 нКл) Низкий Crss (типовое значение 24 пФ) Быстрое переключение 100 % лавинное тестирование Улучшенная характеристика dv/dt Параметр Напряжение сток-исток — продолжительное (TC = 25C) Ток стока — продолжительное (TC = 100C) Ток стока — импульсный Напряжение затвор-исток Одноимпульсная лавинная энергия Лавинный ток Повторяющаяся лавинная энергия Пиковое восстановление диода dv/dt Рассеиваемая мощность (TC = 25C) — Снижение номинальных характеристик выше 25°C Диапазон рабочих температур и температур хранения Максимальная температура вывода для пайки, 1/8″ от корпуса в течение 5 секунд * Ток стока ограничен максимальной температурой перехода Обозначение RJC RCS RJA Параметр Тепловое сопротивление переход-корпус Тепловое сопротивление переход-корпус Тип. BVDSS / TJ IDSS IGSSF IGSSR Напряжение пробоя сток-исток Напряжение пробоя Температурный коэффициент Нулевое напряжение затвора Ток стока Ток утечки корпуса затвора, прямой Ток утечки корпуса затвора, обратный VGS = 250 A, относительно 25C VDS 500 В, VGS 0 В VDS = 125C VGS 30 В, VDS 0 В VGS -30 В, VDS V/C A nA VGS(th) RDS(on) gFS Пороговое напряжение затвора Статическое сопротивление сток-исток прямая крутизна VDS = VGS, 250 A VGS 4,5 A VDS 4,5 A Ciss Coss Crss Входная емкость Выходная емкость Емкость обратной передачи VDS 25 В, VGS = 1,0 МГц пФ td(on) tr td(off) tf Qg Qgs Qgd Время задержки включения Время нарастания включения Время задержки выключения Время спада выключения Общий заряд затвора Заряд затвор-исток Заряд затвор-сток VDS 9 A, VGS 10 В IS ISM VSD trr Qrr Максимальный непрерывный прямой ток диода сток-исток Максимальный импульсный прямой ток диода сток-исток VGS 9A Диод сток-исток Прямое напряжение Время обратного восстановления Время обратного восстановления Заряд VGS 9 А, dIF = 100 А/с Примечания: 1. Рисунок 3. Изменение сопротивления в открытом состоянии в зависимости от тока стока и напряжения на затворе |
Тепловое сопротивление переход-окружающая среда 2,86 -62,5 Единицы C/W
Повторяющиеся характеристики: ширина импульса ограничена максимальной температурой перехода = 8 мГн, IAS = 9A, VDD 25, пусковая 25C 3. ISD 9A, di/dt 200A/с, VDD BVDSS, пусковая 25C 4. Импульсный тест: Длительность импульса 300 с, рабочий цикл 2% 5. Практически не зависит от рабочей температуры
| Некоторые номера деталей того же производителя Fairchild Semiconductor |
| FQPF9N90C 900 В N-канальный усовершенствованный Q-FET серии C |
| FQPF9P25 250 В P-канальный QFET |
| FQS4410 Мощный МОП-транзистор |
| FQS4900 Двойной N-канальный 60 В и P-канальный QFET 300 В |
| FQS4901 400 В Двойной N-канальный QFET |
| FQS4903 500 В Двойной N-канальный QFET |
| FQT13N06 60 В N-канальный QFET |
| FQT13N06L 60 В N-канальный QFET с логическим уровнем |
| FQT2P25 250 В P-канальный QFET |
| FQT3P20 200 В P-канальный QFET |
| FQT4N20 200 В N-канальный QFET |
| FQT4N20L 200 В N-канальный QFET с логическим уровнем |
| FQT4N25 250 В N-канальный QFET |
| FQT5P10 100 В P-канальный QFET |
| FQT7N10 100 В N-канальный QFET |
| FQT7N10L 100 В N-канальный QFET с логическим уровнем |
| FQT7P06 60 В P-канальный QFET |
| FQU10N20 200 В N-канальный QFET |
| FQU10N20C 200 В N-канальный усовершенствованный Q-FET серии C |
| FQU10N20L 200 В N-канальный QFET с логическим уровнем |
| FQU11P06 60 В P-канальный QFET |
2W04G : Мостовой выпрямитель 2A FAN1587AMC33X : Регулируемый/фиксированный линейный регулятор LDO 3A с малым падением напряжения FAN2509S285X : LDO 50 мА CMOS LDO регуляторы FEP16ATTHRUFEP16JTSERIES: 16-амперные сверхбыстрые стеклянные пассивированные выпрямители IRFP240B: 200 В N-канальный B-FET / Заменитель IRFP240 и IRFP240A MMBT200 : Усилитель PNP Усилитель общего назначения MMBTA64 : Транзистор Дарлингтона PNP SPT9101SIS : SPT9101 — Усилитель выборки и хранения 125 MPS NM24C17UM8 : 16-битный последовательный EEPROM 2-проводной интерфейс шины 74LCX273WMX : Низковольтный тройной логический элемент NOR с 3 входами и допустимыми входами 5 В FAN5307S15X : Высокоэффективный понижающий преобразователь постоянного тока FJV4101RMTF : Переключение транзисторов (со смещением резистора) PNP/50В/100мА 4. |
7K 4.7K Технические характеристики: Производитель: Fairchild Semiconductor; Категория продукта: Переключение транзисторов (со смещением резистора); RoHS: Подробная информация ; Конфигурация: Одноместный; Полярность транзистора: PNP; Типичный входной резистор: 4,7 кОм; Типичное отношение резисторов: 1; Тип монтажа: СМД/СМТ; Пакет/кейс: СОТ-2
FIN1048 3,3 В LVDS 4-битный проточный высокоскоростной дифференциальный приемник Этот счетверенный приемник предназначен для высокоскоростного соединения с использованием технологии низковольтной дифференциальной сигнализации (LVDS). Приемник преобразует уровни LVDS с типичным дифференциальным входным порогом 100 мВ в уровни сигнала LVTTL. LVDS обеспечивает низкий уровень электромагнитных помех при сверхнизком рассеивании мощности.
Схема периодического прерывания сконфигурирована для генерации сигналов прерывания с шестью выбираемыми прерываниями в диапазоне от 0,5 секунды.
s: Конфигурация: полумост; Напряжение питания: 10 В ~ 20 В; Ток-пик: 200 мА; Время задержки: 250 нс; Упаковка/кейс: 8-SOIC (0,154″, 3,9)0мм Ширина) ; Упаковка: Cut Tape (CT); Количество выходов: 2 ; Вход.
