Что такое IGCT тиристор. Как устроен и работает IGCT. Какие бывают типы IGCT тиристоров. Где применяются IGCT в современной силовой электронике. Каковы преимущества IGCT перед другими ключевыми приборами.
Что такое IGCT тиристор и его основные особенности
IGCT (Integrated Gate-Commutated Thyristor) — это усовершенствованный тип силового полупроводникового прибора, объединяющий в себе функции тиристора и транзистора. Основные особенности IGCT:
- Полностью управляемый ключ с возможностью включения и выключения
- Интегрированный драйвер управления затвором
- Высокая скорость переключения (до нескольких кГц)
- Способность работать при высоких напряжениях и токах
- Низкие потери в открытом состоянии
IGCT был разработан совместно компаниями ABB и Mitsubishi в 1990-х годах как альтернатива GTO тиристорам. Благодаря интеграции схемы управления затвором непосредственно с полупроводниковым кристаллом, IGCT обеспечивает более быстрое и эффективное переключение по сравнению с GTO.
Принцип работы и конструкция IGCT тиристора
Принцип работы IGCT основан на управлении инжекцией носителей заряда в базовые области прибора с помощью интегрированного затвора. Как это происходит?
- При подаче положительного импульса на затвор происходит включение IGCT
- Для выключения на затвор подается мощный отрицательный импульс тока
- Ток затвора при выключении превышает анодный ток прибора
- Это обеспечивает быстрый вывод накопленного заряда и запирание IGCT
Конструктивно IGCT состоит из следующих основных элементов:
- Полупроводниковая структура на основе кремниевой пластины
- Интегрированная схема управления затвором
- Прижимные контакты для подключения силовых выводов
- Корпус с системой охлаждения
Такая конструкция обеспечивает минимальную индуктивность в цепи управления и позволяет достичь высоких скоростей переключения IGCT.
Основные типы и разновидности IGCT тиристоров
IGCT тиристоры выпускаются в нескольких основных модификациях, отличающихся своими характеристиками и областью применения:
Асимметричные IGCT (A-IGCT)
Особенности асимметричных IGCT:
- Способны блокировать напряжение только в прямом направлении
- Имеют низкое обратное напряжение (десятки вольт)
- Используются с параллельным обратным диодом
- Применяются в инверторах напряжения, импульсных источниках питания
Симметричные IGCT (S-IGCT)
Ключевые характеристики симметричных IGCT:
- Способны блокировать напряжение в обоих направлениях
- Прямое и обратное блокирующее напряжение примерно равны
- Используются в инверторах тока
- Имеют более высокие потери в открытом состоянии
Обратнопроводящие IGCT (RC-IGCT)
Особенности обратнопроводящих IGCT:
- Интегрированный антипараллельный диод в структуре прибора
- Оптимизированы для работы без снабберных цепей
- Применяются в преобразователях с жесткой коммутацией
Сравнение IGCT с другими силовыми ключевыми приборами
Как IGCT соотносится по своим характеристикам с другими силовыми полупроводниковыми приборами? Давайте сравним основные параметры:
| Параметр | IGCT | GTO | IGBT |
|---|---|---|---|
| Управляемость | Полная | Полная | Полная |
| Частота переключений | До 1 кГц | 200-500 Гц | До 20 кГц |
| Потери в открытом состоянии | Низкие | Низкие | Средние |
| Потери при переключении | Средние | Высокие | Низкие |
| Снабберные цепи | Не требуются | Требуются | Не требуются |
Как видим, IGCT занимает промежуточное положение между GTO и IGBT, сочетая преимущества обоих типов приборов.
Области применения IGCT тиристоров в современной силовой электронике
Благодаря своим уникальным характеристикам, IGCT нашли широкое применение в различных областях силовой электроники. Где используются эти приборы?
- Преобразователи для передачи электроэнергии на постоянном токе (HVDC)
- Статические компенсаторы реактивной мощности (STATCOM)
- Приводы среднего напряжения для промышленных электродвигателей
- Источники бесперебойного питания большой мощности
- Преобразователи для ветроэнергетических установок
- Тяговые преобразователи на электрическом транспорте
IGCT особенно эффективны в приложениях, требующих работы при высоких напряжениях и токах с умеренной частотой переключения.
Преимущества и недостатки использования IGCT
Как и любая технология, IGCT имеют свои сильные и слабые стороны. Рассмотрим основные преимущества и недостатки этих приборов:
Преимущества IGCT:
- Низкие потери в открытом состоянии
- Высокая устойчивость к dI/dt и dV/dt
- Возможность работы без снабберов
- Высокая надежность и стойкость к перегрузкам
- Простота параллельного соединения
Недостатки IGCT:
- Сложность конструкции и высокая стоимость
- Необходимость в мощных драйверах управления
- Ограниченная частота переключения
- Большие габариты по сравнению с IGBT
Несмотря на определенные недостатки, преимущества IGCT делают их незаменимыми в ряде ответственных применений силовой электроники.
Перспективы развития технологии IGCT
Технология IGCT продолжает активно развиваться. Каковы основные направления совершенствования этих приборов?
- Повышение рабочих напряжений и токов
- Увеличение частоты переключения
- Снижение потерь при переключении
- Уменьшение габаритов и веса
- Интеграция дополнительных функций защиты и диагностики
Ведущие производители, такие как ABB и Mitsubishi, продолжают инвестировать в разработку новых поколений IGCT. Ожидается, что в ближайшие годы эти приборы укрепят свои позиции в сегменте мощной преобразовательной техники.
FMCC GROUP Компоненты и технические решения для силовой электроники
Тиристоры IGCT
Все IGCT фирмы ABB Semiconductors — прижимные приборы. Они прижимаются с достаточно большим усилием к охладителям, которые обеспечивают тепловой и электрический контакт к выводам тиристора. Так как
IGCT
по форме и содержанию является родственником GTO, он интересен заказчикам, использующим GTO для перехода к новым системным разработкам или для совершенствования существующего оборудования (с минимальными изменениями) на использование современной технологии IGCT. Драйвер, управляющий включением-выключением, интегрирован с прибором, ему требуется внешний источник питания.
Асимметричные IGCT
| Обозначение | V DRM | V DC | V RRM | I TGQM | I TAVM | I TSM | V T | V T0 | r T | T VJM | R thJC | R thCH | Fm | V GIN | |
| T c = 85°C | 3 мс T VJM | 10 мс T VJM | I TGQM T VJM | T VJM | |||||||||||
| В | В | В | A | A | кA | кA | В | В | мОм | °C | K/кВт | K/кВт | кН | В | |
| 5SHY 35L4510 | 4500 | 2800 | 17 | 4000 | 1700 | 50 | 32 | 2. 7 | 1.40 | 0.33 | 125 | 8.5 | 3 | 40 | 28-40 |
| 5SHY 35L4511 | 4500 | 2800 | 17 | 3800 | 1400 | 43 | 28 | 3.4 | 1.70 | 0.46 | 125 | 8.5 | 3 | 40 | 28-40 |
| 5SHY 35L4512 | 4500 | 2800 | 17 | 4000 | 2100 | 50 | 35 | 2. 0 | 1.15 | 0.21 | 125 | 8.5 | 3 | 40 | 28-40 |
| 5SHY 55L4500 | 4500 | 2800 | 17 | 5500 | 1860 | 50 | 32 | 2.8 | 1.15 | 0.3 | 125 | 8.5 | 3 | 40 | 28-40 |
| 5SHY 42L6500 | 6500 | 4000 | 17 | 4200 | 1280 | 42 | 25 | 4. 20 | 1.65 | 0.6 | 125 | 8.5 | 3 | 40 | 28-40 |
С обратным запиранием IGCTs
— оптимизированы для инверторов тока
| Обозначение | V DRM | V DC | V AC | I TGQM | I TAVM | V T | V T0 | r T | Irr | di/dt max.  | T VJM | R thJC | R thCH | Fm | V GIN |
| T c = 85°C | I TGQM T VJM | T VJM | |||||||||||||
| В | В | В | A | A | В | В | мОм | A | A/мкс | °C | K/кВт | K/кВт | кН | В | |
| 5SHZ 04D6500 | 6500 | 6500 | 3900 | 400 | 170 | 7. 00 | 2.60 | 11.0 | TBD | 1000 | 125 | 44 | 10.0 | 8 | 20 |
С обратной проводимостью IGCTs
— со встроенным обратным диодом, для выключения без снабберов
| Обозначение | V DRM | V DC | I TGQM | I TAVM /I FAVM | I TAVM /I FAVM | V T /V F | V T0 /V FO | r T /r F | di/dt max.  | Irr | T VJM | R thJC | Fm | V GIN |
| T c = 85°C | 10VC T VJM | I TGQM T VJM | T VJM | |||||||||||
| В | В | A | A | kA | В | В | мОм | A/мкс | A | °C | K/кВт | кН | В | |
5SHX 08F4510 GCT | 4500 | 2800 | 630 | 250 130 | 5. 0 6.1 | 3.00 5.70 | 1.80 2.80 | 2.00 4.60 | 300 | 400 | 115 | 40 53 | 16 | 28-40 |
5SHX 14h5510 GCT | 4500 | 2800 | 1100 | 415 160 | 8.8 9.4 | 3. 00 6.65 | 1.65 3.15 | 1.20 3.20 | 425 | 460 | 115 | 25 42 | 20 | 28-40 |
5SHX 26L4510 GCT | 4500 | 2800 | 2200 | 1010 400 | 17.0 10.6 | 2.95 5.40 | 1. 80 2.70 | 0.53 1.24 | 650 | 700 | 125 | 13 26 | 44 | |
5SHX 06F6010 GCT | 5500 | 3300 | 520 | 215 115 | 4.3 5.0 | 3.50 6.30 | 2.30 3.30 | 2. 30 5.80 | 220 | 320 | 115 | 40 53 | 16 | |
5SHX 10H6010 GCT | 5500 | 3300 | 900 | 355 165 | 7.5 7.6 | 3.45 6.40 | 1.65 2.53 | 2.00 4.30 | 340 | 430 | 115 | 25 42 | 20 | |
5SHX 19L6010 GCT | 5500 | 3300 | 1800 | 840 340 | 18. 0 7.7 | 3.45 6.40 | 1.90 2.70 | 0.90 2.23 | 510 | 780 | 125 | 13 26 | 44 | 28-40 |
Встроенный тиристор с коммутацией затвора
В встроенный тиристор с коммутацией затвора (IGCT) это силовой полупроводник электронный устройство, используемое для переключения электрический ток в промышленном оборудовании. Это связано с тиристор выключения затвора (ГТО).
Он был разработан совместно Mitsubishi и ABB.[1] Как и тиристор GTO, IGCT представляет собой полностью управляемый выключатель питания, а это означает, что его можно включать и выключать с помощью клеммы управления ( Ворота ).
Электроника привода затвора интегрирована с тиристорным устройством.[2]
Содержание
- 1 Описание устройства
- 2 Обратное смещение
- 3 Приложения
- 4 Смотрите также
- 5 использованная литература
- 6 внешние ссылки
Описание устройства
Вид сверху типичного 91-миллиметрового тиристора с коммутируемым затвором на полупроводниковой пластине с катодными сегментами, расположенными в 10 концентрических кольцах, и контактом затвора, размещенным между кольцом 5 и кольцом 6 [3]
Типовая структура устройства и легирование тиристора с затворной коммутацией (GCT)[3]
IGCT — это особый тип тиристор. Он состоит из интеграции блока затвора с полупроводниковым тиристорным устройством (GCT). Тесная интеграция блока затвора с устройством вафли обеспечивает быструю коммутацию тока проводимости от катода к затвору. Вафельное устройство похоже на запорный тиристор (GTO). Их можно включать и выключать стробирующий сигнал, и выдерживают более высокие скорости нарастания напряжения (dv / dt), так что амортизатор требуется для большинства приложений.
Структура IGCT очень похожа на тиристор GTO. В IGCT ток выключения затвора больше анодного тока. Это приводит к полному устранению инжекции неосновных носителей заряда из нижнего PN перехода и сокращению времени отключения. Основные отличия заключаются в уменьшении размера ячейки и гораздо более прочном соединении затвора с гораздо более низкой индуктивностью в цепи управления затвором и соединении схемы управления. Очень высокие токи затвора и быстрое увеличение dI / dt тока затвора означают, что обычные провода нельзя использовать для подключения привода затвора к IGCT. Плата схемы управления интегрирована в корпус устройства. Схема возбуждения окружает устройство, и используется большой круглый проводник, прикрепленный к краю IGCT. Большая площадь контакта и короткое расстояние уменьшают как индуктивность, так и сопротивление соединения.
Гораздо меньшее время выключения IGCT по сравнению с GTO позволяет ему работать на более высоких частотах — до нескольких кГц в течение очень коротких периодов времени.
Однако из-за высокого коммутационные потери, типичная рабочая частота до 500 Гц.
Обратное смещение
IGCT доступны с возможностью обратной блокировки или без нее. Возможность обратной блокировки увеличивает прямое падение напряжения из-за необходимости иметь длинную низколегированную область P1.
IGCT, способные блокировать обратное напряжение, известны как симметричные IGCT, сокращенно S-IGCT. Обычно номинальное напряжение обратной блокировки и номинальное напряжение прямой блокировки одинаковы. Типичное применение симметричных IGCT — инверторы источника тока.
IGCT, неспособные блокировать обратное напряжение, известны как асимметричный IGCT, сокращенно A-IGCT. Обычно они имеют номинал обратного пробоя в десятки вольт. A-IGCT используются там, где либо параллельно применяется диод с обратной проводимостью (например, в инверторах источника напряжения), либо там, где обратное напряжение никогда не возникает (например, в импульсных источниках питания или тяговых прерывателях постоянного тока).
а б Неофитос, Лофитис (2014). «Новые и традиционные тиристоры с затворной коммутацией: моделирование и анализ». Цитировать журнал требует | журнал = (Помогите)
внешние ссылки
- «Технология IGCT — квантовый скачок», pdf
Управляемые реакторы, коммутируемые тиристорными ключами (Thyristor Switched)
Анонс: Реакторы с тиристорными ключами в сетях высокого, среднего и низкого напряжения. Чем отличаются низковольтные TCR и TSR — реакторы, регулируемые и переключаемые тиристорными ключами. TCR и TSR реакторы в трехфазных сетях.
Thyristor Controlled/Switched Reactor (тиристорно управляемый/переключаемый реактор) – общее название силовой индуктивной катушки (ГОСТ 18624), коммутируемой с сетью бесконтактными (или гибридными контактно-бесконтактными) полупроводниковыми ключами вентильного типа.
Наибольшее распространение реакторы с тиристорными ключами (англ. switch — выключатель, переключатель, коммутатор) Thyristor Controlled Reactor (TCR) и Thyristor Switched Reactor (TSR), а также их гибриды (TSC – TCR Configuration) с коммутируемыми тиристорами конденсаторами (Thyristor Switched Capacitor — TSC) получили в сетях среднего и высокого напряжения с разработкой систем регулирования баланса мощности STATic COMрensator (STATCOM), Static Synchronous Series Сompensator (SSSC), Unified Power-Flow Controller (UPFC) и др. (см. этот материал).
В сетях низкого напряжения реакторы, коммутируемые тиристорными ключами, активно применяют в ШИМ преобразователях, устройствах плавного пуска электродвигателей, а для систем компенсации реактивной мощности стали использовать сравнительно недавно и, главным образом, в целях нивелирования рисков перекомпенсации с ее негативами для сети и нагрузок (см. более детально здесь), а также стабилизации сетевого напряжения.
Чем отличаются низковольтные TCR и TSR — реакторы, регулируемые и переключаемые тиристорными ключами.
Формально (по терминологии действующего ГОСТ 18624) TCR и TSR – шунтирующие (п. 39 стандарта) компенсирующие (п. 45) реакторы параллельного включения, являющиеся регулируемыми, если переключающее устройство интегрировано в конструкцию самого реактора (п. 10). Т.е. при внешнем вентильном переключателе (отдельный модуль или встроенный/встраиваемый в интеллектуальный контроллер) это TSR, при интегрированном в конструкцию – TCR. Хотя по факту ключевым отличием между TCR и TSR являются тиристоры в ячейках переключателя, которые могут быть монополярными однооперационными полууправляемыми (в схему добавляются диоды), биполярными двухоперационными (встречно-параллельного подключения — Gate Turn-off Thyristor (GTO), коммутируемые через затвор Gate Commutated Thyristor (GCT), с формирующим импульсы управления драйвером Integrated Gate Commutated Thyristor (IGCT)), биполярными несимметричными (один из тиристоров в ячейке полууправляемый).
Рис. Однофазные тиристорные свитчи – (слева направо) монополярные полууправляемые, биполярные симметричные полностью управляемые, биполярные несимметричные с одним полууправляемым тиристором в ячейке.
Наряду с этим, полностью управляемые GTO тиристоры ячейки в паре со встречно-параллельным подключением закрываются при переходе тока через нулевое значение и открываются в момент равенства напряжений на нагрузке и в сети, что используется для нивелирования (соответственно) перенапряжений и бросков тока при отключении и включении ступеней установок компенсации реактивной мощности на бесконтактных тиристорных ключах (УКРМТ). Коммутируемые через затвор и особенно IGCT позволяют открывать и закрывать тиристоры по установленному углу управления и дискретно подавать напряжение на нагрузку по принципу фазового регулирования или широтно-импульсной модуляции и, в совокупности с реактором (или конденсаторами) по факту являются управляемыми тиристорными источниками реактивной мощности.
Т.е. если в тиристорной ячейке используются полностью управляемые биполярные тиристоры, то на ее базе может быть собран тиристорный модуль (свитч), позволяющий регулировать мощность индуктивной нагрузки, а значит и TCR, и TSR – коммутируемые тиристорами реакторы, и только тип тиристора определяет работу модуля, как обычного включателя/выключателя, или контроллера, управляющего выходной мощностью подключенной нагрузки-индуктивности.
Лучшие решения создаются на основе Integrated Gate Commutated Thyristor (IGCT) тиристоров, включение и отключение которых происходит за счет изменения угла управления α1 и α2 (α1 всегда равен α2) встречно-параллельно подключенными тиристорами VS1 и VS2 (см. рис. ниже).
Рис. Реакторы, коммутируемые тиристорными ключами – слева схема одной фазы регулируемой ячейки, справа вольтамперная характеристика в диапазоне α > π/2, где пунктирная линия показывает ток полностью открытого тиристорного ключа (вариант естественной коммутации с ключом типа включатель/выключатель, выключаемым при смене полярности напряжения на электродах), сплошная линия – ток на реакторе при регулируемой искусственной коммутации с помощью IGCT тиристоров.
При увеличении угла управления в диапазоне α > π/2 ток в реакторе уменьшается и снижается мощность нагрузки, время включения тиристоров в регулируемом ключе с искусственной коммутацией не более 0.001 секунды, в свитчах с естественной коммутацией – половина периода частоты сетевого тока или 0.
01 секунды (электромагнитные (электромеханические) контакторы имеют время включения порядка 0.04 и выключения 0.02 секунды).
TCR и TSR реакторы в трехфазных сетях.
TSR (или TCR) для сетей среднего и высокого напряжения построены на реакторах со стальным сердечником, низковольтные – с воздушным, что позволяет удерживать линейность вольтамперной характеристики, исключить риски перехода в режим насыщения с генерацией гармоник спектра (и амплитуд) 6-тиипульсного ШИМ преобразователя (см. Спектр гармонических искажений по току и напряжению импульсных ШИМ преобразователей здесь).
Рис. Вольтамперная характеристика ненасыщаемых низковольтных реакторов с ворздушным сердечником (сплошная 1) и со стальным сердечником (режим насыщения пунктирная линия 2)
В трехфазных сетях с нулевым проводом тиристорные ячейки работают аналогично однофазным («а» на рис. ниже), в сетях без нулевого провода нагрузки-реакторы подключаются «треугольником» («г» на рис. ниже) или «звездой», а ячейки по схеме «звезда» («б» на рис.
ниже) или «треугольник» («в» на рис. ниже).
Рис. Тиристорные ключи для коммутации реакторов в трехфазных сетях.
Для снижения нагрузки на тиристоры в TSR (или TCR) могут использоваться гибридные контактно-бесконтактные ключи-ячейки, в которых сначала импульсом управления включается соответствующий тиристор, а потом контактор, имеющий меньшее сопротивление, чем полупроводниковый ключ и шунтирующий полупроводник, что увеличивает перегрузочную способность гибридного ключа. Выключение происходит в обратном порядке – сначала контактор, потом тиристор и это нивелирует риски образования дуги при отключении контакта, повышает ресурс и частоту коммутаций.
Рис. Принципиальная схема гибридного контактно-бесконтактного тиристорного ключа.
Как внешние (вариант TSR), так и интегрированные в конструкцию реактора (TCR) тиристорные свитчи с искусственной коммутацией на базе управляемых тиристорных ячеек подключаются к интеллектуальному контроллеру, имеющему транзисторные выходы.
Причем у ряда брендовых производителей тиристорные модули выполнены в виде отдельных автономных блоков, которые просто адаптируются или напрямую интегрируются в контроллер (см. тиристорные модуля серии TSM от TDK Electronics, DCTL от LOVATO Electric, BEL-TS от BELUK, EXTHARM от Legrand, а также тиристорные свитчи CDP).
В чем разница между IGBT и IGCT?
IGBT и IGCT — это четырехслойные устройства, которые на первый взгляд не отличаются друг от друга. Но когда вы «заглянете под капот», вы обнаружите, что биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) и коммутируемый тиристор с интегрированным (иногда называемым «изолированным») затвором (IGCT) не так уж похожи. Биполярный транзистор составляет основу IGBT, а IGCT связан с тиристором с запирающим затвором (GTO). IGBT и IGCT были разработаны для использования в промышленности. IGBT могут переключаться на частоте 10+ килогерц (кГц), а IGCT ограничены максимальной частотой около 1 кГц.
Этот FAQ начинается с краткого обзора работы IGBT, подробно рассказывает о том, как работает IGCT, и заканчивается сравнением двух технологий.
IGBT были разработаны, чтобы объединить простые требования управления затвором мощных МОП-транзисторов с высокими токами и низким напряжением насыщения биполярных транзисторов. Они представляют собой комбинацию биполярного ключа питания, управляемого полевым МОП-транзистором с изолированным затвором, в одном устройстве (рис. 1) . IGBT предназначены для быстрой и маломощной емкостной коммутации, управления нагрузками высокого напряжения и сильного тока. Изолированный затвор представляет собой структуру MOSFET, а не отдельный MOSFET. Структура затвора MOSFET заменяет базу биполярного транзистора, а полученный IGBT имеет выводы эмиттера, затвора и коллектора.
Рис. 1. Схематическое обозначение IGBT (слева) отражает структуру IGBT, в которой изолированный затвор полевого МОП-транзистора сочетается с биполярным транзистором (справа). (Изображение: Infineon)Принцип работы IGBT прост:
- Положительное напряжение (U GE ) от затвора к эмиттеру включает затвор MOSFET.
- Это позволяет напряжению, подключенному к коллектору, управлять базовым током через биполярный транзистор и полевой МОП-транзистор;
- Биполярный транзистор включен, и ток нагрузки протекает через IGBT.
- Для выключения IGBT напряжение U GE ≤ 0 В используется для выключения MOSFET, прерывания тока базы, выключения биполярного транзистора, и IGBT перестает проводить ток.
БТИЗ проводят ток в одном направлении. Из-за емкостной природы затвора MOSFET ток затвора нужен только для зарядки емкости затвора, чтобы включить устройство. В то время как емкостная природа структуры затвора ограничивает количество энергии, необходимой для управления IGBT, биполярные характеристики устройства ограничивают его частоту переключения максимум до 30 кГц. Однако резонансные топологии, которые уменьшают коммутационные потери, могут позволить IGBT переключаться на несколько более высоких частотах.
В отличие от силового MOSFET, IGBT не имеет встроенного корпуса или обратного диода.
Однако диод необходим для защиты IGBT, обеспечивая свободный путь для предотвращения обратного тока. Некоторые IGBT доступны со встроенным диодом; в противном случае в цепь необходимо добавить диод.
Добавление вспомогательного эмиттера для уменьшения влияния паразитных индуктивностей в цепи затвора может улучшить характеристики переключения IGBT (рис. 2). Вспомогательный эмиттер не несет ток нагрузки; он снижает искажения, возникающие в результате индуктивной связи, очищает форму волны переключения и упрощает конструкцию электромагнитной совместимости.
Рисунок 2: Добавление четвертого вывода для вспомогательного эмиттера в стандартный корпус TO247 может улучшить характеристики переключения IGBT. (Изображение: Infineon) IGBT используются в импульсных источниках питания средней и высокой мощности, возобновляемых инверторах, приводах тяговых двигателей, индукционном нагреве и аналогичных устройствах мощностью до сотен киловатт. Большие БТИЗ обычно состоят из множества включенных параллельно устройств с запирающим напряжением до 6500 В, способных работать с сотнями ампер.
Хотя IGBT переключаются быстрее, чем IGCT, они переключаются на более низких частотах, чем силовые МОП-транзисторы. Для преобразователей мощности, которым требуются устройства от 300 В до 600 В, могут использоваться IGBT и MOSFET, в зависимости от конкретных потребностей приложения; ниже 600 В преобладают MOSFET, а выше 600 В преобладают IGBT. Как и IGBT, IGCT представляют собой полностью управляемые силовые ключи, используемые в самокоммутируемых силовых преобразователях.
Основы IGCT
IGCT является тиристорным эквивалентом IGBT. Поскольку они представляют собой разновидность тиристоров, IGCT поставляются в пресс-упаковках. Это контрастирует с IGBT, которые доступны для более широкого спектра приложений и предлагаются в более широком диапазоне стилей корпусов (рис. 3). IGCT представляет собой комбинацию GTO с интегрированной структурой затвора. Он обеспечивает высокую плотность мощности и низкие потери проводимости GTO с упрощенным приводом затвора.
Рис.
3. IGCT часто поставляются в пресс-упаковках (слева), тогда как IGBT поставляются в дискретных упаковках, модульных форматах (справа) и пресс-упаковках. (Изображение: службы MB Drive) IGCT объединяет структуру привода затвора с устройством в виде пластины с коммутируемым затвором тиристором (GCT). Как IGCT, так и GTO (от которого получен IGCT) управляются стробирующим сигналом, и оба могут выдерживать высокие скорости di/dt, а это означает, что для большинства приложений не требуется снаббер. В IGCT ток затвора, необходимый для выключения устройства, выше, чем ток анода. Высокий ток затвора в сочетании с высокими скоростями di/dt означает, что обычные межсоединения нельзя использовать для подключения IGCT к приводу затвора. Вместо этого печатная плата привода затвора и IGCT поставляются как единый блок. Привод затвора окружает устройство большим круглым проводником, соединяющимся с краем IGCT. Большая площадь контакта и очень короткое расстояние соединения уменьшают индуктивность и сопротивление соединения затвора, уменьшая di/dt и поддерживая эффективную передачу больших токов возбуждения.
Как и большинство тиристоров, IGCT изготавливается в виде одной пластины (рис. 4). Это контрастирует с IGBT, изготовленным в виде серии ячеек, где каждая ячейка сконструирована аналогично n-канальному вертикальному силовому МОП-транзистору, за исключением того, что слой коллектора p+ заменяет сток n+ и образует транзистор с вертикальным биполярным переходом PNP.
Рисунок 4: IGCT представляют собой полупроводниковые устройства в виде пластины с многочисленными интегрированными структурами. (Источник: Википедия )
Структура затвора и топология привода для IGCT обеспечивают гораздо меньшее время выключения, чем для GTO. В то время как GTO обычно ограничены работой на частоте 500 Гц, IGCT может работать на частоте до нескольких кГц в течение короткого периода времени с долгосрочной максимальной частотой переключения 500 Гц. Доступны IGCT с номинальным током отключения от 520 до 5000 А и типичным номинальным напряжением блокировки 4500, 5500 и 6500 В.
Они используются в промышленных и тяговых приводах, преобразователях частоты и разъединителях переменного тока. Несколько IGCT могут работать последовательно или параллельно для приложений с более высокой мощностью. В то время как схематическое обозначение IGBT происходит от обозначения MOSFET, схематическое обозначение IGCT происходит от обозначения тиристора (рис. 5).
IGCT доступны с тремя структурами:
- IGCT, способные блокировать обратное напряжение, называются симметричными IGCT или S-IGCT. Номинальные значения напряжения обратной и прямой блокировки обычно одинаковы.
- IGCT, не способные блокировать обратное напряжение, называются асимметричными IGCT или A-IGCT. Обычно они имеют номинал обратного пробоя в десятки вольт. A-IGCT используются там, где обратное напряжение никогда не возникнет, например, в импульсных источниках питания или тяговых приводах постоянного тока. Или в сочетании с параллельным диодом обратной проводимости, например, в инверторах источника напряжения.
- Асимметричные IGCT с диодом с обратной проводимостью в том же корпусе называются IGCT с обратной проводимостью или RC-IGCT.
Или в сочетании с параллельным диодом обратной проводимости, например, в инверторах источника напряжения.IGBT и IGCT
Из-за различий в принципах работы сравнение IGBT и IGCT с использованием паспортных данных затруднено. Кроме того, IGBT доступны в более широком спектре корпусов, что обеспечивает более широкий диапазон рабочих возможностей. Ограничивая сравнение пресс-пакетными устройствами, IGBT и IGCT можно сравнивать с использованием нескольких факторов, таких как необходимость или отсутствие потребности в снаббере, их напряжения во включенном состоянии, потери энергии при включении и выключении, затвор. требования к цепи и частоты коммутации (таблица 1).
Таблица 1: Сравнение рабочих характеристик пресс-пакета IGCT и IGBT. (Таблица: EPE’20 ECCE Europe)Резюме
БТИЗ и БТИЗ представляют собой полностью управляемые четырехуровневые силовые ключи, используемые в самокоммутируемых силовых преобразователях.
IGBT основаны на биполярных транзисторах, а IGCT основаны на тиристорах с запиранием затвора (GTO). В результате IGBT могут использоваться при более низких напряжениях и более низкой мощности по сравнению с IGCT, которые в основном используются в приложениях, требующих рабочего напряжения не менее 4200 В и токов более 500 А. IGCT являются более медленными переключающими устройствами, обычно ограниченными примерно 500 Гц, в то время как IGBT могут работать на десятках кГц.
Ссылки
Применение IGCT, ABB/Hitachi
Сравнение IGBT и IGCT, MB Drive Services
Показатели качества и текущие показатели для сравнения IGCT и IGBT в модульных многоуровневых преобразователях, EPE’20 ECCE Europe
IGBT: как работает биполярный транзистор с изолированным затвором?, Infineon
Технология IGCT — квантовый скачок для мощных преобразователей, ABB
Биполярный транзистор с изолированным затвором, Википедия
Встроенный тиристор с коммутацией затвора, Википедия
Поставщики беспроводных радиочастот и ресурсы
Веб-сайт RF Wireless World является домом для поставщиков и ресурсов RF и Wireless.
На сайте представлены статьи, учебные пособия, поставщики, терминология, исходный код (VHDL, Verilog, MATLAB, Labview), тесты и измерения,
калькуляторы, новости, книги, загрузки и многое другое.
Сайт RF Wireless World охватывает ресурсы по различным темам, таким как RF, беспроводная связь, vsat, спутник, радар, оптоволокно, микроволновая печь, wimax, wlan, zigbee, LTE, 5G NR, GSM, GPRS, GPS, WCDMA, UMTS, TDSCDMA, Bluetooth, Lightwave RF, z-wave, Интернет вещей (IoT), M2M, Ethernet и т. д. Эти ресурсы основаны на стандартах IEEE и 3GPP. Он также имеет академический раздел, который охватывает колледжи и университеты по инженерным дисциплинам и дисциплинам MBA.
Статьи о системах на основе IoT
Система обнаружения падений для пожилых людей на основе IoT : В статье рассматривается архитектура системы обнаружения падений, используемой для пожилых людей.
В нем упоминаются преимущества или преимущества системы обнаружения падения IoT.
Подробнее➤
См.
также другие статьи о системах на основе IoT:
• Система очистки туалетов AirCraft.
• Система измерения удара при столкновении
• Система отслеживания скоропортящихся продуктов и овощей
• Система помощи водителю
• Система умной розничной торговли
• Система мониторинга качества воды
• Система интеллектуальной сети
• Умная система освещения на основе Zigbee
• Умная система парковки на базе Zigbee
• Умная система парковки на базе LoRaWAN.
Радиочастотные беспроводные изделия
Этот раздел статей охватывает статьи о физическом уровне (PHY), уровне MAC, стеке протоколов и сетевой архитектуре на основе WLAN, WiMAX, zigbee, GSM, GPRS, TD-SCDMA, LTE, 5G NR, VSAT, Gigabit Ethernet на основе IEEE/3GPP и т. д. , стандарты. Он также охватывает статьи, связанные с испытаниями и измерениями, посвященные испытаниям на соответствие, используемым для испытаний устройств на соответствие RF/PHY. СМ. УКАЗАТЕЛЬ СТАТЕЙ >>.
Физический уровень 5G NR : Обработка физического уровня для канала 5G NR PDSCH и канала 5G NR PUSCH была рассмотрена поэтапно.
Это описание физического уровня 5G соответствует спецификациям физического уровня 3GPP.
Подробнее➤
Основные сведения о повторителях и типы повторителей : В нем объясняются функции различных типов повторителей, используемых в беспроводных технологиях. Подробнее➤
Основы и типы замираний : В этой статье рассматриваются мелкомасштабные замирания, крупномасштабные замирания, медленные замирания, быстрые замирания и т. д., используемые в беспроводной связи. Подробнее➤
Архитектура сотового телефона 5G : в этой статье рассматривается блок-схема сотового телефона 5G с внутренними модулями 5G. Архитектура сотового телефона. Подробнее➤
Основные сведения о помехах и типы помех: В этой статье рассматриваются помехи по соседнему каналу, помехи в Электромагнитные помехи, ICI, ISI, световые помехи, звуковые помехи и т. д. Подробнее➤
Раздел 5G NR
В этом разделе рассматриваются функции 5G NR (новое радио), нумерология, диапазоны, архитектура, развертывание, стек протоколов (PHY, MAC, RLC, PDCP, RRC) и т.
д.
5G NR Краткий справочный указатель >>
• Мини-слот 5G NR
• Часть полосы пропускания 5G NR
• БАЗОВЫЙ НАБОР 5G NR
• Форматы 5G NR DCI
• 5G NR UCI
• Форматы слотов 5G NR
• IE 5G NR RRC
• 5G NR SSB, SS, PBCH
• 5G NR PRACH
• 5G NR PDCCH
• 5G NR PUCCH
• Опорные сигналы 5G NR
• 5G NR m-Sequence
• Золотая последовательность 5G NR
• 5G NR Zadoff Chu Sequence
• Физический уровень 5G NR
• MAC-уровень 5G NR
• Уровень 5G NR RLC
• Уровень PDCP 5G NR
Руководства по беспроводным технологиям
В этом разделе рассматриваются учебные пособия по радиочастотам и беспроводным сетям. Он охватывает учебные пособия по таким темам, как сотовая связь, WLAN (11ac, 11ad), wimax, bluetooth, zigbee, zwave, LTE, DSP, GSM, GPRS, GPS, UMTS, CDMA, UWB, RFID, радар, VSAT, спутник, беспроводная сеть, волновод, антенна, фемтосота, тестирование и измерения, IoT и т. д. См. ИНДЕКС УЧЕБНЫХ ПОСОБИЙ >>
Учебное пособие по 5G — В этом учебном пособии по 5G также рассматриваются следующие подтемы, посвященные технологии 5G:
Учебник по основам 5G
Диапазоны частот
учебник по миллиметровым волнам
Рамка волны 5G мм
Зондирование канала миллиметровых волн 5G
4G против 5G
Испытательное оборудование 5G
Архитектура сети 5G
Сетевые интерфейсы 5G NR
звучание канала
Типы каналов
5G FDD против TDD
Нарезка сети 5G NR
Что такое 5G NR
Режимы развертывания 5G NR
Что такое 5G ТФ
В этом учебнике GSM рассматриваются основы GSM, сетевая архитектура, сетевые элементы, системные спецификации, приложения,
Типы пакетов GSM, структура кадров GSM или иерархия кадров, логические каналы, физические каналы,
Физический уровень GSM или обработка речи, вход в сеть мобильного телефона GSM или настройка вызова или процедура включения питания,
Вызов MO, вызов MT, модуляция VAMOS, AMR, MSK, GMSK, физический уровень, стек протоколов, основы мобильного телефона,
Планирование RF, нисходящая линия связи PS и восходящая линия связи PS.
➤Читать дальше.
LTE Tutorial , описывающий архитектуру системы LTE, включая основы LTE EUTRAN и LTE Evolved Packet Core (EPC). Он предоставляет ссылку на обзор системы LTE, радиоинтерфейс LTE, терминологию LTE, категории LTE UE, структуру кадра LTE, физический уровень LTE, Стек протоколов LTE, каналы LTE (логические, транспортные, физические), пропускная способность LTE, агрегация несущих LTE, Voice Over LTE, расширенный LTE, Поставщики LTE и LTE vs LTE advanced.➤Подробнее.
РЧ-технологии Материалы
На этой странице мира беспроводных радиочастот описывается пошаговое проектирование преобразователя частоты на примере повышающего преобразователя частоты 70 МГц в диапазон C.
для микрополосковой платы с использованием дискретных радиочастотных компонентов, а именно. Смесители, гетеродин, MMIC, синтезатор, опорный генератор OCXO,
амортизирующие прокладки. ➤Читать дальше.
➤ Проектирование и разработка радиочастотного приемопередатчика
➤Дизайн радиочастотного фильтра
➤Система VSAT
➤Типы и основы микрополосковых
➤Основы волновода
Секция испытаний и измерений
В этом разделе рассматриваются ресурсы по контролю и измерению, контрольно-измерительное оборудование для тестирования тестируемых устройств на основе
Стандарты WLAN, WiMAX, Zigbee, Bluetooth, GSM, UMTS, LTE.
ИНДЕКС испытаний и измерений >>
➤Система PXI для контрольно-измерительных приборов.
➤ Генерация и анализ сигналов
➤ Измерения физического уровня
➤ Тестирование устройства WiMAX на соответствие
➤ Тест на соответствие Zigbee
➤ Тест на соответствие LTE UE
➤ Тест на соответствие TD-SCDMA
Волоконно-оптические технологии
Волоконно-оптический компонент основы, включая детектор, оптический соединитель, изолятор, циркулятор, переключатели, усилитель,
фильтр, эквалайзер, мультиплексор, разъемы, демультиплексор и т. д. Эти компоненты используются в оптоволоконной связи.
ИНДЕКС оптических компонентов >>
➤Руководство по оптоволоконной связи
➤APS в SDH
➤Основы SONET
➤ Структура кадра SDH
➤ SONET против SDH
Поставщики беспроводных радиочастот, производители
Сайт RF Wireless World охватывает производителей и поставщиков различных радиочастотных компонентов, систем и подсистем для ярких приложений,
см. ИНДЕКС поставщиков >>.
Поставщики ВЧ-компонентов, включая ВЧ-изолятор, ВЧ-циркулятор, ВЧ-смеситель, ВЧ-усилитель, ВЧ-адаптер, ВЧ-разъем, ВЧ-модулятор, ВЧ-трансивер, PLL, VCO, синтезатор, антенну, осциллятор, делитель мощности, сумматор мощности, фильтр, аттенюатор, диплексер, дуплексер, чип-резистор, чип-конденсатор, чип-индуктор, ответвитель, ЭМС, программное обеспечение RF Design, диэлектрический материал, диод и т. д.
Поставщики радиочастотных компонентов >>
➤Базовая станция LTE
➤ РЧ-циркулятор
➤РЧ-изолятор
➤Кристаллический осциллятор
MATLAB, Labview, Embedded Исходные коды
Раздел исходного кода RF Wireless World охватывает коды, связанные с языками программирования MATLAB, VHDL, VERILOG и LABVIEW.
Эти коды полезны для новичков в этих языках.
СМОТРИТЕ ИНДЕКС ИСТОЧНИКОВ >>
➤ 3–8 код декодера VHDL
➤Скремблер-дескремблер Код MATLAB
➤32-битный код ALU Verilog
➤ T, D, JK, SR триггер коды labview
*Общая медицинская информация*
Сделайте эти пять простых вещей, чтобы помочь остановить коронавирус (COVID-19).
СДЕЛАЙТЕ ПЯТЬ
1. РУКИ: Мойте их часто
2. ЛОКОТЬ: Кашляйте в него
3. ЛИЦО: Не прикасайтесь к нему
4. НОГИ: Держитесь на расстоянии более 3 футов (1 м) друг от друга
5. ЧУВСТВУЙТЕ: Болен? Оставайтесь дома
Используйте технологию отслеживания контактов >> , следуйте рекомендациям по социальному дистанцированию >> и установить систему наблюдения за данными >> спасти сотни жизней. Использование концепции телемедицины стало очень популярным в таких стран, как США и Китай, чтобы остановить распространение COVID-19так как это заразное заболевание.
Радиочастотные калькуляторы и преобразователи
Раздел «Калькуляторы и преобразователи» охватывает ВЧ-калькуляторы, беспроводные калькуляторы, а также преобразователи единиц измерения.
Они охватывают беспроводные технологии, такие как GSM, UMTS, LTE, 5G NR и т. д.
СМ. КАЛЬКУЛЯТОРЫ Указатель >>.
➤Калькулятор пропускной способности 5G NR
➤ 5G NR ARFCN и преобразование частоты
➤ Калькулятор скорости передачи данных LoRa
➤ LTE EARFCN для преобразования частоты
➤ Калькулятор антенны Yagi
➤ Калькулятор времени выборки 5G NR
IoT-Интернет вещей Беспроводные технологии
В разделе, посвященном IoT, рассматриваются беспроводные технологии Интернета вещей, такие как WLAN, WiMAX, Zigbee, Z-wave, UMTS, LTE, GSM, GPRS, THREAD, EnOcean, LoRa, SIGFOX, WHDI, Ethernet,
6LoWPAN, RF4CE, Bluetooth, Bluetooth с низким энергопотреблением (BLE), NFC, RFID, INSTEON, X10, KNX, ANT+, Wavenis, Dash7, HomePlug и другие.
Он также охватывает датчики IoT, компоненты IoT и компании IoT.
См. главную страницу IoT>> и следующие ссылки.
➤РЕЗЬБА
➤EnOcean
➤ Учебник LoRa
➤ Учебник по SIGFOX
➤ WHDI
➤6LoWPAN
➤Зигби RF4CE
➤NFC
➤Лонворкс
➤CEBus
➤УПБ
СВЯЗАННЫЕ ПОСТЫ
Учебники по беспроводным радиочастотам
GSM ТД-СКДМА ваймакс LTE UMTS GPRS CDMA SCADA беспроводная сеть 802.11ac 802.11ad GPS Зигби z-волна Bluetooth СШП Интернет вещей Т&М спутник Антенна РАДАР RFID
Различные типы датчиков
Датчик приближения Датчик присутствия против датчика движения Датчик LVDT и RVDT Датчик положения, смещения и уровня датчик силы и датчик деформации Датчик температуры датчик давления Датчик влажности датчик МЭМС Сенсорный датчик Тактильный датчик Беспроводной датчик Датчик движения Датчик LoRaWAN Световой датчик Ультразвуковой датчик Датчик массового расхода воздуха Инфразвуковой датчик Датчик скорости Датчик дыма Инфракрасный датчик Датчик ЭДС Датчик уровня Активный датчик движения против пассивного датчика движения
Поделиться этой страницей
Перевести эту страницу
СТАТЬИ
Раздел T&M
ТЕРМИНОЛОГИИ
Учебники
Работа и карьера
ПОСТАВЩИКИ
Интернет вещей
Онлайн калькуляторы
исходные коды
ПРИЛОЖЕНИЕ.
ЗАМЕТКИ
Всемирный веб-сайт T&M
Глобальные тиристоры с интегрированной коммутацией затворов (IGCT)
Нью-Йорк, 23 февраля 2021 г. (GLOBE NEWSWIRE) — Reportlinker.com объявляет о выпуске отчета «Глобальная отрасль тиристоров с интегрированной коммутацией затворов (IGCT)» – https: //www.reportlinker.com/p05957020/?utm_source=GNW
6 миллионов в 2020 году, прогнозируется, что к 2027 году он достигнет пересмотренного размера в 16,9 миллионов долларов США, увеличившись в среднем на 5,5% за анализируемый период 2020–2027 годов. Прогнозируется, что асимметричный IGCT, один из сегментов, проанализированных в отчете, зафиксирует среднегодовой темп роста в 5,3% и достигнет 11,1 млн долларов США к концу периода анализа. После предварительного анализа последствий пандемии и вызванного ею экономического кризиса для бизнеса рост в сегменте IGCT с обратной блокировкой был скорректирован до пересмотренного среднегодового темпа роста в 6,1% на следующий 7-летний период.
Рынок США оценивается в 3,4 миллиона долларов США, в то время как Китай, по прогнозам, вырастет на 5,2% CAGR
Рынок тиристоров с интегрированным затвором (IGCT) в США оценивается в 3,4 миллиона долларов США в 2020 году.
Китай, Вторая по величине экономика в мире, по прогнозам, достигнет прогнозируемого размера рынка в 3 миллиона долларов США к 2027 году, уступая среднегодовому темпу роста в 5,2% за период анализа с 2020 по 2027 год. Среди других заслуживающих внимания географических рынков — Япония и Канада, каждый прогноз вырастут на 5,2% и 4,4% соответственно в период 2020-2027 гг. Прогнозируется, что в Европе рост в Германии составит примерно 4,6% CAGR.
Сегмент IGCT с обратной проводимостью до рекордного среднегодового темпа роста 5,6%
В глобальном сегменте IGCT с обратной проводимостью США, Канада, Япония, Китай и Европа будут обеспечивать среднегодовой темп роста в 5,6% для этого сегмента. Эти региональные рынки, на долю которых приходится совокупный размер рынка в 978,6 тысячи долларов США в 2020 году, достигнут прогнозируемого размера в 1,4 миллиона долларов США к концу периода анализа. Китай останется одним из самых быстрорастущих в этом кластере региональных рынков. Прогнозируется, что рынок Азиатско-Тихоокеанского региона, возглавляемый такими странами, как Австралия, Индия и Южная Корея, достигнет 1,9 доллара США.
Миллион к 2027 году. В этом 6-м выпуске нашего отчета мы привносим многолетний исследовательский опыт. В 180-страничном отчете представлен краткий анализ того, как пандемия повлияла на производство и закупки в 2020 и 2021 годах. Также рассматривается краткосрочное поэтапное восстановление по ключевым географическим регионам.
Конкуренты, выявленные на этом рынке, включают, в частности,
- ABB Group
- Infineon Technologies AG
- Mitsubishi Electric Corporation
- ON Semiconductor Corporation
- Tianjin Century Electronics Co., Ltd.
Полный отчет: https://www.reportlinker.com/p05957020/?utm_source=GNW
I. ВВЕДЕНИЕ, МЕТОДОЛОГИЯ И ОБЛАСТЬ ОТЧЕТА 900
II. ОБЗОР РЫНКА
1. ОБЗОР РЫНКА
Доля мирового рынка конкурентов
Конкурент на рынке тиристоров с коммутацией затворов (IGCT)
Доля Сценарий Мировой (в %): 2019 и 2025
Влияние Covid-19 и надвигающейся глобальной рецессии
2.
Фокус на отдельных игроках
3. РЫНОЧНЫЕ ТЕНДЕНЦИИ И ФАКТОРЫ
4. ПЕРСПЕКТИВА МИРОВОГО РЫНКА
и прогнозы в долларах США по регионам/странам:
2020-2027
Тиристоры с коммутацией затвора (IGCT) Рынок
Изменение доли по ключевым географическим регионам: 2012 г. VS 2020 г. VS
2027 г.
Анализ по регионам/странам
в долларах США: с 2012 по 2019 год
) Потенциальный рост
Рынки по всему миру в долларах США: с 2020 по 2027 год
Таблица 8: Исторический рынок IGCT с обратной блокировкой (сегмент)
Перспектива по регионам/странам в долларах США: с 2012 по 2019 год
Таблица 9: Структура продаж на рынке IGCT с обратной блокировкой (сегмент)
по регионам/странам в процентах: 2012 г. VS 2020 г. VS 2027 г.
Мудрый
Разбивка глобального исторического спроса в долларах США: с 2012 по 2019 год
Таблица 12: Обратнопроводящие IGCT (сегмент) -Использование) Потенциал спроса во всем мире в долларах США по
Регион/страна: 2020-2027
(Конечное использование) Поделиться Обзор разбивки на
Регион/страна: 2012 г.
VS 2020 г. VS 2027 г.
Таблица 16: Оборот (конечное использование) Прогнозы скрытого спроса во всем мире
в долларах США по регионам/странам: 2020-2027
Таблица 17: Оборот (конечное использование) Глобальный исторический Анализ в долларах США по
региону/стране: 2012-2019
Оценки и прогнозы продаж в
долл. США по регионам/странам на период с 2020 по 2027 год
Таблица 20: Анализ исторических продаж конвертера (конечное использование) в
долл. США по регионам/странам за период с 2012 по 2019 год
Таблица 21: Конвертер (конечное использование) 2012, 2020 и 2027
Таблица 22: Другие виды конечного использования (конечное использование) Глобальные возможности
Оценка в долларах США по регионам/странам: 2020-2027
Таблица 23: Другие виды конечного использования (конечное использование) Исторические данные Анализ продаж в
долл. США по регионам/странам: 2012-2019
Таблица 24: Прочие виды конечного использования (конечное использование) Доля в процентах
в глобальных продажах по регионам/странам: 2012 г.
VS 2020 г. VS 2027 г.
III. АНАЛИЗ РЫНКА
ГЕОГРАФИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ РЫНКА
США
Факты и цифры рынка
Интегрированные тиристоры с управляющим затвором (IGCT) Доля рынка
(в %) по компаниям: 2019 и 2025 США
8 Аналитика рынка 90 Оценки и прогнозы рынка тиристоров с коммутацией затвора
(IGCT) в долларах США по сегментам: 2020 г.
–2027
Таблица 26: Тиристоры с интегрированной коммутацией затвора (IGCT) Рынок
в США по сегментам: исторический обзор в долларах США за
2012-2019
IGCT) Доля рынка в разбивке по сегментам: 2012 г., 2020 г., 2027 г.
-коммутируемые тиристоры (IGCT) Historic
Структура спроса в США по конечному использованию в долларах США на
2012-2019
Таблица 30. Рынок тиристоров с интегрированным затвором (IGCT)
Доля в разбивке по конечному использованию в США: 2012 г. VS 2020 г.
VS 2027
КАНАДА
Таблица 31: Канадские тиристоры с интегрированным затвором (IGCT)
Рыночные оценки и прогнозы в долларах США по сегментам: 2020–2027
Таблица 32: Канадские тиристоры с интегрированным затвором (IGCT)
Исторический обзор рынка по Сегмент в долларах США: 2012-2019 гг.
Таблица 33. Тиристоры с интегрированной коммутацией затвора (IGCT) Рынок
в Канаде: Процентная доля продаж по сегментам для
в 2012, 2020 и 2027 гг. Анализ спроса в долларах США в разбивке по конечному использованию: с 2020 по
2027
Таблица 36. Анализ доли рынка тиристоров с интегрированной коммутацией затвора (IGCT)
в Канаде по конечному использованию: 2012 г., 2020 г. и 2027 г.
ЯПОНИЯ
Оценки и прогнозы в долларах США по сегментам на период 2020-2027 гг.
Таблица 39. Анализ доли рынка тиристоров с интегрированным затвором (IGCT)
в Японии по сегментам: 2012 г. по сравнению с 2020 г. по сравнению с 2027 г.
Конечное использование:
с 2020 по 2027 год
Сдвиг доли в Японии по конечному использованию: 2012 г., 2020 г., 2027 г.
КИТАЙ
Таблица 43: Китайские тиристоры с интегрированным затвором (IGCT)
Перспективы роста рынка в долларах США по сегментам за период
2020-2027
Китай в долларах США по сегментам: 2012-2019
Затвор-коммутируемый
Тиристоры (IGCT) в долларах США по конечному использованию: с 2020 по 2027 год
%) за 2019 год& 2025
Аналитика рынка
Таблица 49.
Сценарий рыночного спроса на тиристоры с интегрированной коммутацией затвора (IGCT)
в долларах США по регионам/странам: 2020-2027
Таблица 50. Тиристоры с интегрированной коммутацией затвора (IGCT) Рынок
в Европе : Исторический обзор рынка в долларах США по
регионам/странам за период 2012-2019 гг.
0002 Таблица 52. Европейский рынок тиристоров с интегрированным затвором (IGCT)
. Оценки и прогнозы рынка в долларах США по сегментам: 2020–2027
Таблица 53. Рынок тиристоров с интегрированным затвором (IGCT)
в Европе в долларах США по сегментам: Исторический обзор за период
2012–2019
Таблица 54: Европейские тиристоры с интегрированной затворной коммутацией (IGCT)
Доля рынка в разбивке по сегментам: 2012 г. VS 2020 г. VS 2027
Таблица 55: Европейские тиристоры с интегрированной затворной коммутацией (IGCT)
Адресные рыночные возможности в долларах США по конечному использованию: 2020–2027
Таблица 56.
Рынок
тиристоров с коммутацией затворов (IGCT) в Европе: обобщение исторического спроса в долларах США по конечному использованию
за период 2012–2012 гг. 2019
Таблица 57. Анализ доли европейского рынка тиристоров с интегрированной коммутацией затворов (IGCT)
по конечному использованию: 2012 г. по сравнению с 2020 г. по сравнению с 2027 г.
Франция
: Оценки и прогнозы в долларах США на
Период 2020–2027
Таблица 59. Французские тиристоры с интегрированной коммутацией затвора (IGCT)
Исторический рыночный сценарий в долларах США по сегментам: 2012–2019
Таблица 60. Французские тиристоры с интегрированной коммутацией затвора (IGCT)
Анализ доли рынка по сегментам: 2012 VS 2020 VS 2027
(ИГКТ)
Исторический обзор рынка в долларах США по конечному использованию: 2012–2019
Таблица 63: Французские тиристоры с интегрированным затвором (IGCT)
Анализ доли рынка: 17-летняя перспектива по конечному использованию для
2012, 2020 и 2027
ГЕРМАНИЯ
Таблица 64: Тиристоры с интегрированной коммутацией затвора (IGCT) Рынок
в Германии: недавний прошлый, текущий и будущий анализ в долларах США по сегментам
за период 2020-2027 гг.
Тиристоры (IGCT)
Исторический анализ рынка в долларах США по сегментам: 2012-2019
Таблица 66. Немецкие тиристоры с интегрированной коммутацией затвора (IGCT) IGCT) Рынок
в Германии: Годовые оценки продаж и прогнозы в долларах США по
Конечное использование на период 2020-2027
Использование: 2012-2019 гг.
. Таблица 71. Исторический анализ рынка тиристоров с интегрированной коммутацией затвора (IGCT) в Италии в долларах США по сегментам: 2012–2019 гг.
Таблица 72. Итальянские тиристоры с интегрированной коммутацией затвора (ИГКТ)
Рынок по сегментам: Процентная структура продаж за 2012,
, 2020 и 2027 годы
Обзор рынка тиристоров с коммутацией затворов (IGCT)
в Италии в долларах США по конечному использованию: 2012–2019
VS 2027
СОЕДИНЕННОЕ КОРОЛЕВСТВО
Таблица 76. Рынок тиристоров с интегрированной коммутацией затвора (IGCT) в Соединенном Королевстве: оценки и прогнозы годовых продаж в долларах США
по сегментам на период 2020–2027 гг.
Таблица 77. Рынок тиристоров с коммутацией затвора (IGCT) в Соединенном Королевстве: исторический анализ продаж в долларах США по сегментам
за период 2012–2019 гг.
0003
Таблица 79. Оценки и прогнозы спроса на тиристоры с коммутацией затвора
в Соединенном Королевстве в долларах США по конечному использованию:
2020–2027 гг. в долларах США по конечному использованию: 2012–2019
Таблица 81. Рынок тиристоров с коммутацией затворов (IGCT)
Изменение доли в Соединенном Королевстве по конечному использованию: 2012 г. по сравнению с 2020 г. по сравнению с
2027 г.
ОСТАЛЬНАЯ ЕВРОПА
Таблица 82: Тиристоры со встроенным затвором для остальной Европы
(IGCT) Рыночные оценки и прогнозы в долларах США по сегментам:
2020-2027
Таблица 83. Рынок тиристоров с коммутацией затворов (IGCT)
в остальной Европе в долларах США по сегментам: исторический обзор за период
, 2012–2019 гг. Возможности в долларах США по конечному использованию:
2020–2027
Таблица 86.
Рынок тиристоров с коммутацией затворов (IGCT)
в остальной Европе: обобщение исторического спроса в долларах США по
Конечное использование за период 2012–2019 гг.
Таблица 87. Остальная Европа Таблица 88. Рынок тиристоров с коммутацией затворов (IGCT)
в Азиатско-Тихоокеанском регионе по сегментам: оценки и Прогнозы в 9 долл. США0081 за период 2020–2027 гг.
Таблица 89. Исторический рыночный сценарий тиристоров с интегрированной затворной коммутацией
(IGCT) в Азиатско-Тихоокеанском регионе в долл. США по сегментам: 2012–2019 гг.
(IGCT) Анализ доли рынка по сегментам: 2012 г. VS 2020 г. VS 2027 г.
92: Азиатско-тихоокеанские интегрированные тиристоры с затвором
(IGCT) Исторический обзор рынка в долларах США по конечному использованию: 2012-2019
2012, 2020 и 2027 гг. Исторический обзор рынка тиристоров с коммутацией затворов
(IGCT) по сегментам в долларах США: 2012–2019 гг.
. IGCT) Количественный анализ спроса на рынке в долларах США по конечному использованию:
с 2020 по 2027 год
Использование на 2012-2019 гг.
