Каковы основные характеристики транзистора IRF5305. Какие преимущества он имеет перед аналогами. Где используется IRF5305 в электронных схемах. Как правильно подключать и применять этот MOSFET.
Общие сведения о транзисторе IRF5305
IRF5305 — это мощный P-канальный MOSFET-транзистор, разработанный компанией International Rectifier (ныне часть Infineon Technologies). Он относится к семейству HEXFET Power MOSFETs и обладает следующими ключевыми характеристиками:
- Максимальное напряжение сток-исток: 55 В
- Максимальный постоянный ток стока: 31 А
- Сопротивление открытого канала: 0.06 Ом (типовое значение)
- Максимальная рассеиваемая мощность: 110 Вт
- Корпус: TO-220AB
Благодаря этим параметрам IRF5305 широко применяется в автомобильной электронике, промышленных системах управления двигателями, источниках питания и других приложениях, требующих коммутации больших токов.
Преимущества IRF5305 перед аналогами
IRF5305 обладает рядом преимуществ по сравнению с другими MOSFET-транзисторами:
- Низкое сопротивление открытого канала (0.06 Ом), что обеспечивает минимальные потери при коммутации больших токов
- Высокая нагрузочная способность по току — до 31 А постоянного тока
- Хорошие динамические характеристики и малое время переключения
- Встроенный быстрый обратный диод
- Повышенная устойчивость к лавинному пробою
- Расширенный безопасный рабочий диапазон (SOA)
Эти особенности делают IRF5305 оптимальным выбором для применений, где требуется эффективная коммутация больших токов при низких потерях.
Области применения IRF5305
Благодаря своим характеристикам, IRF5305 находит широкое применение в различных электронных устройствах и системах:
- Автомобильные системы: управление двигателями, системы зажигания, электроприводы
- Промышленные приводы и системы управления двигателями
- Импульсные источники питания
- DC/DC-преобразователи
- Системы управления аккумуляторными батареями
- Контроллеры заряда солнечных батарей
- Системы распределения питания
Во всех этих применениях IRF5305 обеспечивает эффективную коммутацию больших токов с минимальными потерями.
Правила подключения и применения IRF5305
При использовании IRF5305 в электронных схемах необходимо соблюдать следующие основные правила:
- Правильно рассчитать цепь управления затвором с учетом паразитных емкостей транзистора
- Обеспечить надежный теплоотвод, особенно при работе с большими токами
- Использовать снабберные цепи для защиты от перенапряжений при коммутации индуктивной нагрузки
- Учитывать влияние паразитных индуктивностей при разработке печатной платы
- Не превышать максимально допустимые значения напряжений и токов, указанные в документации
Соблюдение этих рекомендаций позволит максимально эффективно использовать возможности IRF5305 и обеспечить надежную работу устройства.
Основные электрические параметры IRF5305
Рассмотрим подробнее ключевые электрические характеристики транзистора IRF5305:
- Максимальное напряжение сток-исток VDSS: -55 В
- Максимальный постоянный ток стока ID: -31 А (при температуре корпуса 25°C)
- Максимальный импульсный ток стока IDM: -110 А
- Сопротивление открытого канала RDS(on): 0.06 Ом (типовое значение при VGS = -10 В, ID = -16 А)
- Пороговое напряжение затвор-исток VGS(th): от -2 до -4 В
- Входная емкость Ciss: 1410 пФ (типовое значение)
- Время включения ton: 60 нс (типовое значение)
- Время выключения toff: 50 нс (типовое значение)
Эти параметры определяют возможности применения IRF5305 в различных схемах и должны учитываться при проектировании.
Тепловые характеристики и корпус IRF5305
IRF5305 выпускается в корпусе TO-220AB, который обладает следующими тепловыми характеристиками:
- Максимальная температура перехода TJ: 175°C
- Тепловое сопротивление переход-корпус RθJC: 1.4°C/Вт
- Тепловое сопротивление переход-окружающая среда RθJA: 62°C/Вт
Корпус TO-220AB обеспечивает хороший теплоотвод и позволяет эффективно использовать IRF5305 в приложениях с высокой мощностью. При необходимости можно использовать дополнительный радиатор для улучшения теплоотвода.
Особенности применения IRF5305 в автомобильной электронике
IRF5305 широко используется в автомобильной электронике благодаря следующим особенностям:
- Высокая надежность и устойчивость к экстремальным условиям эксплуатации
- Низкое сопротивление канала, что важно для минимизации потерь в бортовой сети автомобиля
- Хорошие динамические характеристики, позволяющие эффективно управлять различными электромеханическими системами
- Возможность работы при повышенных температурах, характерных для подкапотного пространства
Эти качества делают IRF5305 отличным выбором для применения в системах управления двигателем, электроприводах и других автомобильных электронных устройствах.
Сравнение IRF5305 с аналогичными транзисторами
Сравним характеристики IRF5305 с некоторыми аналогичными P-канальными MOSFET-транзисторами:
| Параметр | IRF5305 | IRF4905 | FQP47P06 |
|---|---|---|---|
| VDSS, В | -55 | -55 | -60 |
| ID, А | -31 | -74 | -47 |
| RDS(on), мОм | 60 | 20 | 35 |
| Qg, нКл | 67 | 120 | 91 |
Как видно из сравнения, IRF5305 обладает сбалансированными характеристиками, что делает его универсальным выбором для многих применений.
Импортные полевые транзисторы производства IR и STM BF247 — IRF5305
Объявление снято с публикации 2 ноября 2022
Импортные полевые транзисторы производства IR и STM BF247 — IRF5305 2.35 грн
№1088134 Создано: 29 декабря 2019
Состояние: Новый
BF247A n 25v 0.05a 0.4w 450mhz to92 18 шт. цена 2.35 Грн.
BF964 n 20v 0.03a 0.2w to50 1db 2 затвора (корпус КТ3109А) 2 шт. цена 17.46 Грн.
BF998R n 12v 2ma 2.5v so4 (sot143r) 88 шт. цена 3.69 Грн.
BS107 n 200v 0.13a 1w to92 26ohm 13…27ns 11 шт. цена 9.33 Грн.
BS108 n 240v 0.23a 0.83w to92 8ohm 3 шт. цена 8.77 Грн.
BS170 n 60v 0.3a FAIR 0.63w to92 5ohm 13…29ns 36 шт.
цена 3.51 Грн.BS250 p 45v 0.25a 0.83w 3.5 to92 (BSN250P) 5 шт. цена 14.05 Грн.
BSN254A n 250v 0.31a 1w 5ohm to92 NXP 10 шт. цена 8.74 Грн.
BSN304 n to92 FET 50 шт. цена 8.97 Грн.
BSS84 p 50v 0.2a 0.225w 3.5ohm sot23 комплементарный к BSS138 LogicLevel обозначение SP 39 шт. цена 3.36 Грн.
BSS92 p 240v 0.15(0.6)a 1w 20ohm 33ns to92 (КП508) комплементарный к bss129 9 шт. цена 2 Грн.
BSS129 n 230v 0.15a 20ohm to92 комплементарный к bss92 2000 шт. цена 2 Грн.
BSS138 n 50v 0.2a 0.225w 3.5ohm sot23 комплементарный к BSS84 LogicLevel обозначение J1 24 шт. цена 1.5 Грн.
BUZ11 n 50v 30a 75w to220 0.04ohm 1 шт. цена 85.46 Грн.
BUZ11A n 50v 26a 75w to220 0.055ohm (BUZ10) 3 шт. цена 20.06 Грн.
BUZ71 n 70v 13a 40w to220 0.12ohm 2 шт. цена 20.02 Грн.
BUZ90 n 600v 4.5a 75w to220 1.6ohm (КП805А ONS4521) 1 шт. цена 21.19 Грн.
BUZ90A n 600v 4a 75w to220 2ohm (КП709Б) 1 шт. цена 21.9 Грн.
BUZ90AF n 600v 4a 35w to220f 2ohm 1 шт. цена 22.02 Грн.
BUZ91A n 600v 8a 150w to220 0.9ohm 2 шт. цена 26.04 Грн.
BUZ91AF n 600v 8a 50w to220f 0.9ohm 2 шт. цена 41.86 Грн.
IRF510 n 100v 5.6a 43w to220 0.5ohm комплементарный к IRF9510 17 шт. цена 14.72 Грн.
IRF520 n 100v 9.2a 60w to220 IR 0.27ohm комплементарный к IRF9520N 84 шт. цена 14.97 Грн.
IRF530N n 100v 17a 88w to220 0.11ohm комплементарный к IRF9530N (КП745А) 34 шт. цена 13.81 Грн.
IRF610 n 200v 3.3a 36w to220 1.5ohm комплементарный к IRF9610 4 шт. цена 16.33 Грн.
IRF610L n 200v 3.3a 36w to220 обрезанный 1.5ohm комплементарный к IRF9610L 20 шт. цена 8.67 Грн.
IRF620 n 200v 5.5a 50w to220 0.8ohm комплементарный к IRF9620 6 шт. цена 15.44 Грн.
IRF630N n 200v 9a 74w to220 0.4ohm комплементарный к IRF9630 (КП737А) 90 шт. цена 15.
54 Грн.IRF630FP n 200v 9a 34w to220f 0.4ohm STM 56 шт. цена 9.29 Грн.
IRF640N n 200v 16a 125w to220 STM 0.18ohm (КП750А) комплементарный к IRF9640 10 шт. цена 12.29 Грн.
IRF710 n 400v 2a 36w to220 IR 3.6ohm 29 шт. цена 9.95 Грн.
IRF720 n 400v 3.3a 50w to220 IR 1.8ohm 43 шт. цена 19.53 Грн.
IRF730 n 400v 5.5a 74w to220 1ohm 15 шт. цена 16.72 Грн.
IRF740 n 400v 10a 125w to220 IR 0.48ohm 24 шт. цена 15.02 Грн.
IRF840 n 500v 8.5a 125w to220 0.85ohm 27 шт. цена 16.75 Грн.
IRF1010N n 55v 85a 180w to220 IR 0.011ohm (есть ещё IRF1010E 60v 84a 200w) 11 шт. цена 24.31 Грн.
IRF1310N n 100v 42a 160w 0.036ohm to220 IR 6 шт. цена 40.36 Грн.
IRF1404 n 40v 162a 200w to220 0.004ohm 36 шт. цена 44.59 Грн.
IRF1405 n 55v 169a 330w to220 0.0053ohm 6 шт. цена 51.42 Грн.
IRF2807 n 75v 82a 230w 0.013ohm to220 IR 4 шт. цена 22.75 Грн.
IRF3205 n 55v 98a 200w 0.008ohm to220 IR 2 шт. цена 21.
25 Грн.IRF3710 n 100v 57a IR 200w to220 10 шт. цена 28.35 Грн.
IRF3808 n 75v 140a 330w 0.007ohm to220 IR 8 шт. цена 45.15 Грн.
IRF4905 p 55v 74a 0.02ohm to220 IR 33 шт. цена 39.63 Грн.
IRF5210 p 100v 40a 200w 0.06ohm to220 IR 12 шт. цена 41.55 Грн.
IRF5305 p 55v 31a 110w 0.06ohm to220 IR 6 шт. цена 19.11 Грн.
Торг возможен на все изделия.
—
Также продаются электронные компоненты, радиодетали, радиокомпоненты и сопутствующие материалы.
С полным перечнем всего ассортимента можно ознакомиться в магазине
«Радиодетали у Бороды» — известном в г. Одессе торговом бренде.
—
Прайс-лист можно скачать по запросу на e-mail или по ссылке:
https://drive.google.com/open?id=1bfr6QLyFentycmDq5u1WIYO6hD3q494f
—
С вопросами и заказами прошу обращаться непосредственно на мой e-mail:
[email protected] или на Viber: +38067 939 79 52 или по телефону: +38067 954 79 16
№1088134 Создано: 29 декабря 2019
Irf840 характеристики транзистора на русском, datasheet, аналоги
IRFS840B Datasheet (PDF)
1.
1. irfs840b.pdf Size:911K _upd
November 2001
IRF840B/IRFS840B
500V N-Channel MOSFET
General Description Features
These N-Channel enhancement mode power field effect • 8.0A, 500V, RDS(on) = 0.8Ω @VGS = 10 V
transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 41 nC)
planar, DMOS technology.
• Low Crss ( typical 35 pF)
This advanced technology has been especially tailored to
3.1. auirfs8403 auirfsl8403.pdf Size:277K _international_rectifier
AUIRFS8403
AUTOMOTIVE GRADE
AUIRFSL8403
HEXFET Power MOSFET
Features
l Advanced Process Technology
D
VDSS 40V
l New Ultra Low On-Resistance
l 175°C Operating Temperature
RDS(on) typ. 2.6mΩ
l Fast Switching
l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
G
max. 3.3mΩ
l Lead-Free, RoHS Compliant
Automotive Qualified *
S
ID (Silicon Limited) 123A
Description
Specifically desi
3.2. auirfs8408-7p.
pdf Size:275K _international_rectifier
AUIRFS8408-7P
AUTOMOTIVE GRADE
Features
HEXFET Power MOSFET
l Advanced Process Technology
40V
VDSS
l New Ultra Low On-Resistance
0.70m
RDS(on) typ. Ω
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
max. 1.0m
Ω
l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
397A
ID (Silicon Limited)
l Lead-Free, RoHS Compliant
240A
ID (Package Limited)
l Automotive Qualified *
Description
3.3. auirfb8407 auirfs8407 auirfsl8407.pdf Size:340K _international_rectifier
AUIRFB8407
AUTOMOTIVE GRADE
AUIRFS8407
AUIRFSL8407
Features
HEXFET Power MOSFET
l Advanced Process Technology
l New Ultra Low On-Resistance
VDSS 40V
D
l 175°C Operating Temperature
RDS(on) typ. 1.4m
l Fast Switching Ω
l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
(SMD version) max. 1.8m
Ω
l Lead-Free, RoHS Compliant
G
250A
ID (Silicon Limited)
Automotive Qualified *
S
3.
4. auirfs8405 auirfsl8405.pdf Size:351K _international_rectifier
AUIRFS8405
AUTOMOTIVE GRADE
AUIRFSL8405
Features
HEXFET Power MOSFET
l Advanced Process Technology
D
l New Ultra Low On-Resistance VDSS 40V
l 175°C Operating Temperature
RDS(on) typ.1.9mΩ
l Fast Switching
max. 2.3mΩ
l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
l Lead-Free, RoHS Compliant G
ID (Silicon Limited) 193A
l Automotive Qualified *
ID (Package Limited) 120A
S
De
3.5. auirfs8409-7p.pdf Size:277K _international_rectifier
AUIRFS8409-7P
AUTOMOTIVE GRADE
Features
HEXFET Power MOSFET
l Advanced Process Technology
40V
VDSS
l New Ultra Low On-Resistance
0.55m
RDS(on) typ. Ω
l 175°C Operating Temperature
max. 0.75m
Ω
l Fast Switching
l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
522A
ID (Silicon Limited)
l Lead-Free, RoHS Compliant
240A
ID (Package Limited)
l Automotive Qualified *
Description
3.
6. auirfs8408 auirfsl8408.pdf Size:291K _international_rectifier
AUIRFS8408
AUTOMOTIVE GRADE
AUIRFSL8408
Features
HEXFET Power MOSFET
l Advanced Process Technology
VDSS 40V
l New Ultra Low On-Resistance
l 175°C Operating Temperature
RDS(on) typ. 1.3m
Ω
l Fast Switching
max. 1.6m
Ω
l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
ID (Silicon Limited) 317A
l Lead-Free, RoHS Compliant
l Automotive Qualified *
ID (Package Limited) 195A
Descri
3.7. auirfs8407-7p.pdf Size:220K _international_rectifier
AUTOMOTIVE GRADE
AUIRFS8407-7P
Features
HEXFET Power MOSFET
Advanced Process Technology
D
New Ultra Low On-Resistance
VDSS 40V
175°C Operating Temperature
RDS(on) typ.1.0mΩ
Fast Switching
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
max. 1.3mΩ
Lead-Free, RoHS Compliant
G
ID (Silicon Limited) 306A
Automotive Qualified *
Description
ID (Package L
3.
8. auirfb8409 auirfs8409 auirfsl8409.pdf Size:398K _international_rectifier
AUIRFB8409
AUTOMOTIVE GRADE AUIRFS8409
AUIRFSL8409
Features
HEXFET Power MOSFET
l Advanced Process Technology
D
l New Ultra Low On-Resistance VDSS 40V
l 175°C Operating Temperature
RDS(on) (SMD) typ. 0.97mΩ
l Fast Switching
max. 1.2mΩ
l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
G
l Lead-Free, RoHS Compliant ID (Silicon Limited) 409A
l Automotive Qualified *
ID (Package Li
3.9. irfs840a.pdf Size:511K _samsung
Advanced Power MOSFET
FEATURES
BVDSS = 500 V
Avalanche Rugged Technology
RDS(on) = 0.85
?
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
ID = 4.6 A
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 500V
Lower RDS(ON) : 0.638 ? (Typ.)
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings
Symbol Characteristic Value Uni
2SK2209-01R MOSFET — описание производителя.
Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. СправочникТранзистор irf740
Наименование прибора: 2SK2209-01R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80
W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500
V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30
V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15
A
Максимальная температура канала (Tj): 150
°C
Время нарастания (tr): 70
ns
Выходная емкость (Cd): 260
pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.48
Ohm
Тип корпуса: TO3PF
2SK2209-01R
Datasheet (PDF)
1.1. 2sk2209-01r.pdf Size:159K _update
4.1. 2sk2201.pdf Size:422K _toshiba
2SK2201
2
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L -?-MOSV)
2SK2201
Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive
Unit: mm
Applications
4 V gate drive
Low drain-source ON resistance : R = 0.
28 ? (typ.)
DS (ON)
High forward transfer admittance : |Y | = 3.5 S (typ.)
fs
Low leakage current : IDSS = 100 µA (max) (V = 100 V)
DS
Enhancemen
4.2. 2sk2200.pdf Size:412K _toshiba
2SK2200
2
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L -?-MOSV)
2SK2200
Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive
Unit: mm
Applications
4 V gate drive
Low drain-source ON resistance : R = 0.28 ? (typ.)
DS (ON)
High forward transfer admittance : |Y | = 3.5 S (typ.)
fs
Low leakage current : IDSS = 100 µA (max) (V = 100 V)
DS
Enhancemen
4.3. 2sk2202.pdf Size:81K _renesas
2SK2202
Silicon N Channel MOS FET
REJ03G1002-0300
(Previous: ADE-208-139)
Rev.3.00
Sep 07, 2005
Application
High speed power switching
Features
Low on-resistance
High speed switching
Low drive current
4 V gate drive device can be driven from 5 V source
Suitable for switching regulator, DC-DC converter
Outline
RENESAS Package code: PRSS0003AD-A
(Package name
4.
4. rej03g1002 2sk2202ds.pdf Size:95K _renesas
To our customers,
Old Company Name in Catalogs and Other Documents
On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology
Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both
companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid
Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.
Re
4.5. 2sk2207.pdf Size:35K _no
2SK2207
External dimensions
1 …… FM20
Absolute Maximum Ratings Electrical Characteristics
(Ta = 25ºC) (Ta = 25ºC)
Ratings
Symbol Ratings Unit Symbol Unit Conditions
min typ max
V 900 V V 900 V I = 100µA, V = 0V
DSS (BR) DSS D GS
V ±30 V I ±100 nA V = ±30V
GSS GSS GS
I ±3I 100 µA V = 900V, V = 0V
D A DSS DS GS
I ±12 A V 2.0 3.0 4.0 V V = 10V, I = 1mA
D (pulse) TH DS
Другие MOSFET… IRF830AS
, IRF830FI
, IRF830S
, IRF831
, IRF831FI
, IRF832
, IRF833
, IRF840
, J113
, IRF840A
, IRF840AS
, IRF840FI
, IRF840S
, IRF841
, IRF841FI
, IRF842
, IRF843
.
2SK2209-01R Datasheet (PDF)
Транзистор irf540
1.1. 2sk2209-01r.pdf Size:159K _update
4.1. 2sk2201.pdf Size:422K _toshiba
2SK2201
2
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L -?-MOSV)
2SK2201
Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive
Unit: mm
Applications
4 V gate drive
Low drain-source ON resistance : R = 0.28 ? (typ.)
DS (ON)
High forward transfer admittance : |Y | = 3.5 S (typ.)
fs
Low leakage current : IDSS = 100 µA (max) (V = 100 V)
DS
Enhancemen
4.2. 2sk2200.pdf Size:412K _toshiba
2SK2200
2
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L -?-MOSV)
2SK2200
Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive
Unit: mm
Applications
4 V gate drive
Low drain-source ON resistance : R = 0.28 ? (typ.)
DS (ON)
High forward transfer admittance : |Y | = 3.5 S (typ.)
fs
Low leakage current : IDSS = 100 µA (max) (V = 100 V)
DS
Enhancemen
4.
3. 2sk2202.pdf Size:81K _renesas
2SK2202
Silicon N Channel MOS FET
REJ03G1002-0300
(Previous: ADE-208-139)
Rev.3.00
Sep 07, 2005
Application
High speed power switching
Features
Low on-resistance
High speed switching
Low drive current
4 V gate drive device can be driven from 5 V source
Suitable for switching regulator, DC-DC converter
Outline
RENESAS Package code: PRSS0003AD-A
(Package name
4.4. rej03g1002 2sk2202ds.pdf Size:95K _renesas
To our customers,
Old Company Name in Catalogs and Other Documents
On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology
Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both
companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid
Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.
Re
4.5. 2sk2207.pdf Size:35K _no
2SK2207
External dimensions
1 …… FM20
Absolute Maximum Ratings Electrical Characteristics
(Ta = 25ºC) (Ta = 25ºC)
Ratings
Symbol Ratings Unit Symbol Unit Conditions
min typ max
V 900 V V 900 V I = 100µA, V = 0V
DSS (BR) DSS D GS
V ±30 V I ±100 nA V = ±30V
GSS GSS GS
I ±3I 100 µA V = 900V, V = 0V
D A DSS DS GS
I ±12 A V 2.
0 3.0 4.0 V V = 10V, I = 1mA
D (pulse) TH DS
IRF840A MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Irfp460 mosfet. datasheet pdf. equivalent
Наименование прибора: IRF840A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125
W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500
V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30
V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4
V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8
A
Максимальная температура канала (Tj): 150
°C
Общий заряд затвора (Qg): 38
nC
Выходная емкость (Cd): 1018
pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.85
Ohm
Тип корпуса: TO220
IRF840A
Datasheet (PDF)
1.1. irf840apbf.pdf Size:185K _upd-mosfet
PD- 94829
SMPS MOSFET
IRF840APbF
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS Rds(on) max ID
l Switch Mode Power Supply ( SMPS )
l Uninterruptable Power Supply 500V 0.
85Ω 8.0A
l High speed power switching
l Lead-Free
Benefits
l Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
l Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
l Fully Characterized Capacitance and
S
D
A
1.2. irf840alpbf irf840aspbf.pdf Size:199K _upd-mosfet
IRF840AS, SiHF840AS, IRF840AL, SiHF840AL
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
• Halogen-free According to IEC 61249-2-21
VDS (V) 500
Definition
RDS(on) ()VGS = 10 V 0.85
• Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive
Requirement
Qg (Max.) (nC) 38
• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt
Qgs (nC) 9.0
Ruggedness
Qgd (nC) 18
• Fully Characterized Capa
1.3. irf840a.pdf Size:99K _st
IRF840/FI
IRF841/FI
N — CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOS TRANSISTORS
TYPE VDSS RDS(on) ID
IRF840 500 V 1.4. irf840as.pdf Size:129K _international_rectifier
PD- 91901B
IRF840AS
SMPS MOSFET
IRF840AL
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS RDS(on) max ID
Switch Mode Power Supply (SMPS)
Uninterruptible Power Supply 500V 0.
85? 8.0A
High Speed Power Switching
Benefits
Low Gate Charge Qg Results in Simple
Drive Requirement
Improved Gate, Avalanche and Dynamic
dv/dt Ruggedness
Fully Characterized Capacitance and
D2Pak TO-262
Avalanche
1.5. irf840a.pdf Size:199K _international_rectifier
PD- 94829
SMPS MOSFET
IRF840APbF
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS Rds(on) max ID
l Switch Mode Power Supply ( SMPS )
l Uninterruptable Power Supply 500V 0.85? 8.0A
l High speed power switching
l Lead-Free
Benefits
l Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
l Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
l Fully Characterized Capacitance and
S
D
Avalanc
1.6. irf840aspbf irf840alpbf.pdf Size:673K _international_rectifier
PD- 95143
IRF840ASPbF
SMPS MOSFET
IRF840ALPbF
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS RDS(on) max ID
Switch Mode Power Supply (SMPS)
Uninterruptible Power Supply 500V 0.
85? 8.0A
High Speed Power Switching
Lead-Free
Benefits
Low Gate Charge Qg Results in Simple
Drive Requirement
Improved Gate, Avalanche and Dynamic
dv/dt Ruggedness
Fully Characterized Capacitance and
D2Pak T
1.7. irf840a.pdf Size:941K _samsung
Advanced Power MOSFET
FEATURES
BVDSS = 500 V
Avalanche Rugged Technology
RDS(on) = 0.85
?
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
ID = 8 A
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 500V
Lower RDS(ON) : 0.638 ? (Typ.)
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings
Symbol Characteristic Value Units
1.8. irf840a sihf840a.pdf Size:206K _vishay
IRF840A, SiHF840A
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive
VDS (V) 500
Requirement Available
RDS(on) (?)VGS = 10 V 0.
85
Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt
RoHS*
Qg (Max.) (nC) 38
COMPLIANT
Ruggedness
Qgs (nC) 9.0
Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage
Qgd (nC) 18
and Current
Configuration Single
1.9. irf840a.pdf Size:193K _inchange_semiconductor
isc N-Channel Mosfet Transistor IRF840A
·FEATURES
·Drain Source Voltage-
: V = 500V(Min)
DSS
·Static Drain-Source On-Resistance
: R = 0.85Ω(Max)
DS(on)
·Fast Switching Speed
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·DESCRITION
·Switch mode power supply
·Uninterruptable power supply
·High speed power switching
·ABSOLUTE MAXIMUM
Другие MOSFET… IRF830FI
, IRF830S
, IRF831
, IRF831FI
, IRF832
, IRF833
, IRF840
, 2SK2209-01R
, SPA11N60C3
, IRF840AS
, IRF840FI
, IRF840S
, IRF841
, IRF841FI
, IRF842
, IRF843
, IRF9130
.
IRF840AS Datasheet (PDF)
1.1. irf840alpbf irf840aspbf.pdf Size:199K _upd-mosfet
IRF840AS, SiHF840AS, IRF840AL, SiHF840AL
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
• Halogen-free According to IEC 61249-2-21
VDS (V) 500
Definition
RDS(on) ()VGS = 10 V 0.85
• Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive
Requirement
Qg (Max.) (nC) 38
• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt
Qgs (nC) 9.0
Ruggedness
Qgd (nC) 18
• Fully Characterized Capa
1.2. irf840as.pdf Size:129K _international_rectifier
PD- 91901B
IRF840AS
SMPS MOSFET
IRF840AL
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS RDS(on) max ID
Switch Mode Power Supply (SMPS)
Uninterruptible Power Supply 500V 0.85? 8.0A
High Speed Power Switching
Benefits
Low Gate Charge Qg Results in Simple
Drive Requirement
Improved Gate, Avalanche and Dynamic
dv/dt Ruggedness
Fully Characterized Capacitance and
D2Pak TO-262
Avalanche
1.
3. irf840aspbf irf840alpbf.pdf Size:673K _international_rectifier
PD- 95143
IRF840ASPbF
SMPS MOSFET
IRF840ALPbF
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS RDS(on) max ID
Switch Mode Power Supply (SMPS)
Uninterruptible Power Supply 500V 0.85? 8.0A
High Speed Power Switching
Lead-Free
Benefits
Low Gate Charge Qg Results in Simple
Drive Requirement
Improved Gate, Avalanche and Dynamic
dv/dt Ruggedness
Fully Characterized Capacitance and
D2Pak T
IRF840APBF Datasheet (PDF)
1.1. irf840apbf.pdf Size:185K _upd-mosfet
PD- 94829
SMPS MOSFET
IRF840APbF
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS Rds(on) max ID
l Switch Mode Power Supply ( SMPS )
l Uninterruptable Power Supply 500V 0.85Ω 8.0A
l High speed power switching
l Lead-Free
Benefits
l Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
l Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
l Fully Characterized Capacitance and
S
D
A
3.
1. irf840alpbf irf840aspbf.pdf Size:199K _upd-mosfet
IRF840AS, SiHF840AS, IRF840AL, SiHF840AL
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
• Halogen-free According to IEC 61249-2-21
VDS (V) 500
Definition
RDS(on) ()VGS = 10 V 0.85
• Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive
Requirement
Qg (Max.) (nC) 38
• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt
Qgs (nC) 9.0
Ruggedness
Qgd (nC) 18
• Fully Characterized Capa
3.2. irf840a.pdf Size:99K _st
IRF840/FI
IRF841/FI
N — CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOS TRANSISTORS
TYPE VDSS RDS(on) ID
IRF840 500 V
3.3. irf840as.pdf Size:129K _international_rectifier
PD- 91901B
IRF840AS
SMPS MOSFET
IRF840AL
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS RDS(on) max ID
Switch Mode Power Supply (SMPS)
Uninterruptible Power Supply 500V 0.85? 8.0A
High Speed Power Switching
Benefits
Low Gate Charge Qg Results in Simple
Drive Requirement
Improved Gate, Avalanche and Dynamic
dv/dt Ruggedness
Fully Characterized Capacitance and
D2Pak TO-262
Avalanche
3.
4. irf840a.pdf Size:199K _international_rectifier
PD- 94829
SMPS MOSFET
IRF840APbF
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS Rds(on) max ID
l Switch Mode Power Supply ( SMPS )
l Uninterruptable Power Supply 500V 0.85? 8.0A
l High speed power switching
l Lead-Free
Benefits
l Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
l Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
l Fully Characterized Capacitance and
S
D
Avalanc
3.5. irf840aspbf irf840alpbf.pdf Size:673K _international_rectifier
PD- 95143
IRF840ASPbF
SMPS MOSFET
IRF840ALPbF
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS RDS(on) max ID
Switch Mode Power Supply (SMPS)
Uninterruptible Power Supply 500V 0.85? 8.0A
High Speed Power Switching
Lead-Free
Benefits
Low Gate Charge Qg Results in Simple
Drive Requirement
Improved Gate, Avalanche and Dynamic
dv/dt Ruggedness
Fully Characterized Capacitance and
D2Pak T
3.
6. irf840a.pdf Size:941K _samsung
Advanced Power MOSFET
FEATURES
BVDSS = 500 V
Avalanche Rugged Technology
RDS(on) = 0.85
?
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
ID = 8 A
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 500V
Lower RDS(ON) : 0.638 ? (Typ.)
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings
Symbol Characteristic Value Units
3.7. irf840a sihf840a.pdf Size:206K _vishay
IRF840A, SiHF840A
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive
VDS (V) 500
Requirement Available
RDS(on) (?)VGS = 10 V 0.85
Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt
RoHS*
Qg (Max.) (nC) 38
COMPLIANT
Ruggedness
Qgs (nC) 9.0
Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage
Qgd (nC) 18
and Current
Configuration Single
3.
8. irf840a.pdf Size:193K _inchange_semiconductor
isc N-Channel Mosfet Transistor IRF840A
·FEATURES
·Drain Source Voltage-
: V = 500V(Min)
DSS
·Static Drain-Source On-Resistance
: R = 0.85Ω(Max)
DS(on)
·Fast Switching Speed
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·DESCRITION
·Switch mode power supply
·Uninterruptable power supply
·High speed power switching
·ABSOLUTE MAXIMUM
Оцените статью:
Продам IRF530, IRF5303, IRF5305 с IRF530, IRF5303, IRF5305 Даташит PDF этих деталей.
Position: Home > DataSheet > Index I > IRF Series > IRF530, IRF5303, IRF5305
Внимательный совет
Хотите опубликовать объявление о покупке? Если вы еще не являетесь участником, сначала выберите конкретный/связанный номер детали, а затем заполните количество и свои контактные данные в « Форма запроса коммерческого предложения » слева, а затем нажмите « Отправить запрос цен 9».
0008 «. После этого можно будет опубликовать информацию о покупке, и надежные поставщики в ближайшее время сделают предложение через нашу онлайн-систему сообщений или по другим каналам.
Как купить? Как долго вы получите ответ. Поставщики IRF530
Другие поставщики IRF530
Загрузить PDF/техническое описание
Техническое описание: IRF530
Размер файла: 399378 КБ
Производитель: STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics Downloads]
0003IRF5303 Поставщики
Подробнее поставщики IRF5303
PDF/Dataheet Download
Datahasther: IRF034
Размер файла: 147521 KB
Производитель: IRF [Международный выпрямление]
Загрузка: КЛЮЧЕСКАЯ СКАЧАНИЯ. Подробнее Поставщики IRF5305
PDF/DataSheet Download
Спецификация: IRF5305
Размер файла: 127310 КБ
Производитель: IRF [International Rectifier]
Download : Click here to Download
IRF530 Parameters
| Technical/Catalog Information | IRF530 |
| Vendor | STMicroelectronics |
| Category | Discrete Semiconductor Products |
| Mounting Тип | Сквозное отверстие |
| Полярность полевого транзистора | N-канальный |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100V |
| Current — Continuous Drain (Id) @ 25° C | 14A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 7A, 10V |
| Input Capacitance (Ciss ) @ Vds | 458pF @ 25V |
| Power — Max | 60W |
| Packaging | Tube |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 21nC @ 10V |
| Package / Case | TO-220-3 (Straight Leads) |
| FET Feature | Standard |
| Lead Free Status | Contains Lead |
| RoHS Status | RoHS Non-Compliant |
| Other Names | IRF530 IRF530 497 2780 5 ND 49727805ND 497-2780-5 |
IRF530 General Description
This advanced TMOS power FET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes.
В этой новой энергоэффективной конструкции также используется диод сток-исток с быстрым временем восстановления. Разработанные для низковольтных, высокоскоростных коммутационных приложений в источниках питания, преобразователях, устройствах управления двигателями с ШИМ, эти устройства особенно хорошо подходят для мостовых схем, где скорость диодов и коммутационная безопасная рабочая зона имеют решающее значение, и обеспечивают дополнительный запас безопасности против непредвиденных переходных процессов напряжения.
IRF530 Максимальные рейтинги
IRF530 Особенности
• Энергия Avalanche Указано
• Sourcetodrain Diode Время восстановления, сравнимое с дискретным восстановлением Diode
• DIOD DS(on) Специфицировано при повышенной температуре
