Irf630 характеристики на русском. IRF630: мощный N-канальный MOSFET транзистор для высоковольтных применений

Каковы основные характеристики IRF630. Где применяется этот транзистор. Какие у него преимущества и недостатки. Как правильно использовать IRF630 в схемах.

Общее описание и ключевые особенности IRF630

IRF630 — это мощный N-канальный MOSFET транзистор, разработанный компанией International Rectifier (ныне входящей в состав Infineon Technologies). Он относится к семейству HEXFET транзисторов и обладает следующими ключевыми характеристиками:

• Максимальное напряжение сток-исток: 200 В
• Максимальный постоянный ток стока: 9 А
• Сопротивление канала в открытом состоянии: 0.4 Ом
• Корпус: TO-220AB
• Технология: HEXFET

IRF630 относится к высоковольтным MOSFET транзисторам и предназначен для использования в силовой электронике, импульсных источниках питания, инверторах, системах управления двигателями и других приложениях, требующих коммутации больших токов при высоком напряжении.

Основные параметры и характеристики IRF630

Рассмотрим более подробно ключевые параметры и характеристики транзистора IRF630:

• Максимальное напряжение сток-исток V_DSS: 200 В
• Максимальное напряжение затвор-исток V_GS: ±20 В
• Максимальный постоянный ток стока I_D: 9 А (при 25°C)
• Максимальный импульсный ток стока I_DM: 36 А
• Сопротивление канала в открытом состоянии R_DS(on): 0.4 Ом (типовое значение)
• Пороговое напряжение V_GS(th): 2-4 В
• Входная емкость C_iss: 800 пФ (типовое значение)
• Время включения t_on: 37 нс (типовое значение)
• Время выключения t_off: 59 нс (типовое значение)
• Максимальная рассеиваемая мощность P_D: 75 Вт
• Диапазон рабочих температур: -55°C до +175°C

Эти параметры делают IRF630 подходящим выбором для многих силовых применений, требующих коммутации токов порядка нескольких ампер при напряжениях до 200 В.

Применение IRF630 в электронных схемах

Благодаря своим характеристикам, IRF630 находит широкое применение в различных областях электроники:

• Импульсные источники питания (ИИП)
• Инверторы и преобразователи напряжения
• Системы управления электродвигателями
• Схемы коммутации индуктивных нагрузок
• Аудиоусилители класса D
• Драйверы светодиодов высокой мощности
• Системы автоматики и промышленного управления

В этих применениях IRF630 используется как ключевой элемент, обеспечивающий эффективное переключение токов при высоких напряжениях. Его низкое сопротивление канала в открытом состоянии позволяет минимизировать потери на проводимость, а быстрые времена переключения способствуют повышению КПД в импульсных схемах.

Преимущества и недостатки IRF630

Как и любой электронный компонент, IRF630 имеет свои сильные и слабые стороны. Рассмотрим основные преимущества и недостатки этого транзистора:

Преимущества IRF630:

• Высокое рабочее напряжение (200 В)
• Низкое сопротивление канала в открытом состоянии
• Высокая скорость переключения
• Хорошая теплоотдача благодаря корпусу TO-220AB
• Широкая доступность и умеренная цена
• Проверенная временем надежность

Недостатки IRF630:

• Относительно высокая входная емкость
• Требует достаточно высокого напряжения на затворе для полного открытия
• Не подходит для низковольтных применений из-за высокого порогового напряжения
• Уступает современным MOSFET по некоторым параметрам

Несмотря на наличие определенных недостатков, IRF630 остается популярным выбором для многих разработчиков благодаря своей надежности и хорошему соотношению цена/качество.

Особенности использования IRF630 в схемах

При работе с IRF630 следует учитывать некоторые особенности его применения:

1. Для полного открытия транзистора рекомендуется подавать на затвор напряжение не менее 10 В. Это обеспечит минимальное сопротивление канала.
2. Из-за высокой входной емкости может потребоваться использование драйвера затвора для быстрого переключения, особенно на высоких частотах.
3. При работе с индуктивными нагрузками необходимо обеспечить защиту транзистора от перенапряжений, например, с помощью защитного диода.
4. Рекомендуется использовать радиатор для отвода тепла при работе с большими токами или в импульсном режиме с высокой скважностью.
5. Следует соблюдать меры предосторожности при работе с высокими напряжениями, характерными для применений IRF630.

Правильное применение этих рекомендаций позволит максимально эффективно использовать возможности IRF630 и обеспечить надежную работу устройства.

Сравнение IRF630 с аналогами

Для оценки характеристик IRF630 полезно сравнить его с некоторыми аналогичными транзисторами:

• IRF640: имеет более высокий максимальный ток (18 А), но и более высокое сопротивление канала (0.18 Ом)
• IRF540N: рассчитан на меньшее напряжение (100 В), но имеет значительно меньшее сопротивление канала (0.044 Ом)
• IRFP250N: обеспечивает больший ток (30 А) при том же напряжении, но в более крупном корпусе TO-247

Выбор между IRF630 и его аналогами зависит от конкретных требований проекта, таких как рабочее напряжение, ток нагрузки, допустимые потери мощности и стоимость.

Рекомендации по выбору и замене IRF630

При выборе IRF630 или поиске его замены следует учитывать следующие факторы:

1. Максимальное рабочее напряжение схемы
2. Требуемый ток нагрузки
3. Допустимые потери мощности
4. Частота переключения
5. Тип корпуса и возможности теплоотвода
6. Стоимость и доступность компонента

При необходимости замены IRF630 стоит рассмотреть транзисторы с аналогичными или лучшими характеристиками, обращая внимание на совместимость по напряжению, току и корпусу.

Заключение

IRF630 — это надежный и проверенный временем MOSFET транзистор, который по-прежнему находит применение во многих областях силовой электроники. Несмотря на появление более современных аналогов, его характеристики остаются актуальными для многих приложений. Правильное использование IRF630 с учетом его особенностей позволяет создавать эффективные и надежные электронные устройства.

Транзистор IFR630: характеристики, datasheet и цоколевка

Согласно своим техническим характеристикам, транзистор IRF630 хорошо подходит для использования в импульсных блоках питания, преобразователях тока в постоянный или переменный, стабилизаторах, системах управления двигателями и других устройствах. Это мощный, n-канальный, полевой транзистор. Они завоевали популярность благодаря сочетанию таких качеств: быстрое переключение, надёжность, низкое сопротивления в открытом состоянии и экономическая эффективность.

Распиновка

Цоколевка транзистора IRF630 выполнена в корпусе ТО-220. Маркировка наносится сверху. Если смотреть на устройство, то слева направо будут расположены: затвор, сток, исток, как это показано на рисунке.

Предельно допустимые параметры это то, на что стоит в первую очередь обратить внимание при выборе транзистора для замены. Их превышение, так же, как и длительная эксплуатация на максимальных рабочих режимах может привести к поломке изделия. Приведём их ниже.

Характеристики IRF630

• напряжение C-И V_DS = 200 В;
• напряжение З-И V_GS = 20 В;
• ток через сток (напряжение З-И 10 В): при Т_с= +25°С – I_D = 9,0 А; при Т_с
  = +100°С — I_D = 5,7 А;
• пиковый ток стока I_DM = 36 А;
• к-т линейного снижения мощности 0,59 Вт/°С;
• Предельная рассеиваемая мощность (T_C = +25°С) P_D = 74 Вт;
• Максимальная температура +300°С;
• Рабочая температура (диапазон) -55°С … +150°С.

Электрические характеристики производители делят на три раздела:

• статические;
• динамические;
• канала исток-сток.

Измерения производились при температуре +25°С, если не указано иное значение. Остальные параметры, при которых производилось тестирование, указаны в отдельной колонке.

Электрические характеристики транзистора IRF630 (при Т = +25 оC)
Статические:
Наименование	Режимы измерения	Обозн.	MIN	TYP	MAX	Ед. изм
Напряжение пробоя С-И	VGS= 0 В,ID= 250 мА	VDS	200			В
Температурный к-т изменения напряжения С-И	относительно 25°C, ID = 1 мА			0,24		В/°С
Пороговое напряжение З-И	VDS= VGS, ID=250 мА	VGS(th)	2		4	В
Ток утечки затвора	VGS= ± 20 В	IGSS			±100	нА
Ток стока при нулевом напряжении затвора	VDS=200 В, VGS= 0 V	IDSS			25	мкА
	VDS=160 В, VGS=0 В, TJ= 125 °C				250	мкА
Сопротивление С-И при открытом транзисторе	VGS= 10 В, ID= 5,4 A	RDS(on)			0,4	Ом
Крутизна передаточной характеристики	VDS= 50 В, ID= 5,4 A	gfs	3,8
Динамические:
Наименование	Режимы измерения	Обозн.	MIN	TYP	MAX	Ед. изм
Входная емкость	VGS= 0 В, VDS= 25 В, f = 1,0 МГц	Ciss		800		пФ
Выходная емкость		Coss		240		пФ
Емкость З-И		Crss		76		пФ
Заряд на затворе открывающий транзистор	VGS= 10 В, ID= 5.9 A, VDS= 160 В	Qg			43	нКл
Заряд З-И	VGS= 10 В, ID= 5.9 A, VDS= 160 В	Qgs			7	нКл
Заряд З-С	VGS= 10 В, I D= 5.9 A, VDS= 160 В	Qgd			23	нКл
Время открытия транзистора	VDD=100 В, ID=5,9A, Rg=12Ом, RD=16Ом	td(on)	9,4			нс
Время нарастания импульса открытия		tr	28			нс
Время закрытия транзистора		td(off)	39			нс
Время спада импульса		tf	20			нс
Индуктивность стока		LD		4,5		нГн
Индуктивность истока		LS		7,5		нГн
Характеристики канала исток-сток:
Наименование	Режимы измерения	Обозн.	MIN	TYP	MAX	Ед. изм
Непрерывный длительный ток через истоковый диод		IS			9	А
Максимальный импульсный ток через диод		ISM			36	А
Падение напряжения на диоде	TJ= 25 °C, IS= 9,0 A, VGS= 0 В	VSD			2	В
Время обратного восстановления	TJ= 25 °C, IF= 5,9 A, dI/dt = 100 A/мкС	trr		170	340
Заряд восстановления		Qrr		1,1	2,2

Аналоги

Перечислим полевые транзисторы, которые совпадают с IRF630 как по характеристикам, так и по типу корпуса:

• 2SK2134;
• BUZ32;
• BUZ73;
• FQP10N20;
• FQP630;
• FQP7N20.

Можно также попробовать заменить на следующие устройства, близкие по многим характеристикам, но все же имеющими небольшие отличия:

• FQP7N20;
• FQP630.

Наиболее близкие отечественные аналоги: КП630 и КП737А.

Производители и Datsheet

Среди крупных производителей IFR630 (datasheet можно скачать кликнув название компании) можно выделить: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR, VISHAY, STMicroelectronics, Philips Semiconductors, Advanced Power Electronics, Nell Semiconductor, International Rectifier. Есть также и другие производители. В отечественны магазинах чаще всего встречается продукция компаний: STMicroelectronics, VISHAY и International Rectifier.

Применение irf630

Их основные характеристики: U си. Транзисторы IRF предназначены для работы в импульсных схемах развёртки мониторов компьютеров, импульсные блоки питания , но при выведении их в режим, близкий к линейному, дают хорошие показатели и в связной аппаратуре. Во всяком случае, устанавливая их вместо КП, я получал гораздо лучшие результаты как по АЧХ, линейности и усилению, так и по надёжности работы. Усилитель испытывался при напряжении питания В, но наиболее надёжно и эффективно он работал при напряжении питания 40 В, от стабилизированного источника. Правда надёжность работы транзисторов падала. Учитывая входную ёмкость IRF и тот факт, что эти транзисторы управляются не током, а напряжением, в отличие от биполярных, в данном усилителе не удалось устранить некоторый завал частотной характеристики выше 18 МГц P ВЫХ.

Поиск данных по Вашему запросу:

Применение irf630

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.

Содержание:

• Управление полевыми транзисторами в импульсных преобразователях
• IRF630 F630 К-220 встроенный/полевой транзистор 10 шт. /лот
• Наследие IR: мощные МОП-транзисторы HEXFET
• Primary Menu
• 062-Как подключить к микроконтроллеру нагрузку?
• Транзистор IRF630 характеристики и параметры документация на русском
• Datasheet IRF630 — Multicomp Даташит Полевой транзистор 200 В 11 А
• 10 шт. IRF630N TO220 IRF630 К-220 IRF630NPBF новое и оригинальное IC Бесплатная доставка

ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Электронные ключи на полевых транзисторах. …

Управление полевыми транзисторами в импульсных преобразователях

Кроме транзисторов и сборок Дарлингтона есть еще один хороший способ рулить мощной постоянной нагрузкой — полевые МОП транзисторы. Полевой транзистор работает подобно обычному транзистору — слабым сигналом на затворе управляем мощным потоком через канал. Но, в отличии от биполярных транзисторов, тут управление идет не током, а напряжением.

Если на пальцах, то в нем есть полупроводниковый канал который служит как бы одной обкладкой конденсатора и вторая обкладка — металлический электрод, расположенный через тонкий слой оксида кремния, который является диэлектриком. Когда на затвор подают напряжение, то этот конденсатор заряжается, а электрическое поле затвора подтягивает к каналу заряды, в результате чего в канале возникают подвижные заряды, способные образовать электрический ток и сопротивление сток — исток резко падает.

Чем выше напряжение, тем больше зарядов и ниже сопротивление, в итоге, сопротивление может снизиться до мизерных значений — сотые доли ома, а если поднимать напряжение дальше, то произойдет пробой слоя оксида и транзистору хана.

Достоинство такого транзистора, по сравнению с биполярным очевидно — на затвор надо подавать напряжение, но так как там диэлектрик, то ток будет нулевым, а значит требуемая мощность на управление этим транзистором будет мизерной , по факту он потребляет только в момент переключения, когда идет заряд и разряд конденсатора. Недостаток же вытекает из его емкостного свойства — наличие емкости на затворе требует большого зарядного тока при открытии. В теории, равного бесконечности на бесконечно малом промежутки времени.

А если ток ограничить резистором, то конденсатор будет заряжаться медленно — от постоянной времени RC цепи никуда не денешься. Принцип у них один и тот же, разница лишь в полярности носителей тока в канале. Соответственно в разном направлении управляющего напряжения и включения в цепь. Очень часто транзисторы делают в виде комплиментарных пар. То есть есть две модели с совершенно одиннаковыми характеристиками, но одна из них N, а другая P канальные.

Маркировка у них, как правило, отличается на одну цифру. Нагрузка включается в цепь стока. Вообще, в теории, полевому транзистору совершенно без разницы что считать у него истоком, а что стоком — разницы между ними нет. Но на практике есть, дело в том, что для улучшения характеристик исток и сток делают разной величины и конструкции плюс ко всему, в мощных полевиках часто есть обратный диод его еще называют паразитным, так как он образуется сам собой в силу особенности техпроцесса производства.

Обладая не сильно габаритным корпусом TO этот транзистор может лихо протащить через себя до 9А. Сопротивление в открытом состоянии у него всего 0. Впрочем, это довольно старый транзистор, сейчас уже есть вещи и покруче, например IRF , способный протащить те же 9А, но при этом он умещается в корпус SO8 — размером с тетрадную клеточку.

Одной из проблем состыковки MOSFET транзистора и микроконтроллера или цифровой схемы является то, что для полноценного открытия до полного насыщения этому транзистору надо вкатить на затвор довольно больше напряжение. Обычно это около 10 вольт, а МК может выдать максимум 5. Тут вариантов три: На более мелких транзисторах сорудить цепочку, подающую питалово с высоковольтной цепи на затвор, чтобы прокачать его высоким напряжением.

Типичные примеры драйверов это, например, IR Надо только не забывать, что есть драйверы верхнего и нижнего плеча или совмещенные, полумостовые. Выбор драйвера зависит от схемы включения нагрузки и комутирующего транзистора. Если обратишь внимание, то увидишь что с драйвером и в верхнем и нижнем плече используются N канальные транзисторы.

Просто у них лучше характеристики чем у P канальных. Но тут возникает другая проблема. Для того, чтобы открыть N канальный транзистор в верхнем плече надо ему на затвор подать напряжение выше напряжения стока, а это, по сути дела, выше напряжения питания. Для этого в драйвере верхнего плеча используется накачка напряжения. Чем собственно и отличается драйвер нижнего плеча от драйвера верхнего плеча. Применить транзистор с малым отпирающим напряжением.

Например из серии IRLA или им подобные. У них открывающие напряжения привязаны к логическим уровням. У них правда есть один недостаток — их порой сложно достать. Если обычные мощные полевики уже не являются проблемой, то управляемые логическим уровнем бывают далеко не всегда. Но вообще, правильней все же ставить драйвер, ведь кроме основных функций формирования управляющих сигналов он в качестве дополнительной фенечки обеспечивает и токовую защиту, защиту от пробоя, перенапряжения, оптимизирует скорость открытия на максимум, в общем, жрет свой ток не напрасно.

Выбор транзистора тоже не очень сложен, особенно если не заморачиваться на предельные режимы. В первую очередь тебя должно волновать значение тока стока — I Drain или I D выбираешь транзистор по максимальному току для твоей нагрузки, лучше с запасом процентов так на Следующий важный для тебя параметр это V GS — напряжение насыщения Исток-Затвор или, проще говоря, управляющее напряжение. Иногда его пишут, но чаще приходится выглядывать из графиков.

И прикидыываешь какой у тебя будет режим. Вот, например, надо тебе запитать двигатель на 12 вольт, с током 8А. На драйвер пожмотился и имеешь только 5 вольтовый управляющий сигнал. Первое что пришло на ум после этой статьи — IRF По току подходит с запасом 9А против требуемых 8. Но глянем на выходную характеристику:. Видишь, на 5 вольтах на затворе и токе в 8А падение напряжения на транзисторе составит около 4. А теперь посчитаем потери мощности — твой движок жрет 5А.

При 8 амперах и 0. Больно дофига, не кажется? Вот и мне тоже кажется что слишком. Посмотрим тогда на IRL При 8 амперах и 5 вольтах на Gate напряжение на транзисторе составит около 3 вольт. Что даст нам 0. Если собираешься загнать на этот ключ ШИМ, то надо поинтересоваться временем открытия и закрытия транзистора, выбрать наибольшее и относительно времени посчитать предельную частоту на которую он способен.

Зовется эта величина Switch Delay или t on , t off , в общем, как то так. Также не лишней будет посмотреть на емкость затвора C iss исходя из нее, а также ограничительного резистора в затворной цепи, можно рассчитать постоянную времени заряда затворной RC цепи и прикинуть быстродействие.

Пробить затвор статическим зарядом более чем реально. Так что как купил, сразу же в фольгу и не доставай пока не будешь запаивать. Предварительно заземлись за батарею и надень шапочку из фольги :. А в процессе проектирования схемы запомни еще одно простое правило — ни в коем случае нельзя оставлять висеть затвор полевика просто так — иначе он нажрет помех из воздуха и сам откроется.

Вот вроде бы все, в следующий раз накатаю про мостовые схемы для управления движков. Да, я сейчас в Кургане и буду тут дней десять. Если кто есть с Кургана можно забухать! А то скучновато тута…. Исток на массу, сток — катушка замка — плюс. Параллельно катушке замка — диод 1N Подается импульс — замок открывается, а вот когда импульс выключается, происходит постепенное падение напряжения на катушке. Замок медленно закрывается, что не есть хорошо.

Как увеличить скорость выключения индуктивной нагрузки? Например поставить 1. Будет ли такое решение оптимальным или есть другие варианты? Тут только каким то образом помешать току течь, в частности через тот самый обратный диод.

Туда можно воткнуть подобие стабилитрона, на напряжение ниже напряжения пробоя транзистора. И это должно помочь. Но они были без упаковки и фактор статического электричества я не учитывал… Можно ли проверить, рабочие они или нет? Подключи по простейшей схеме да замеряй мультиметром сопротивление.

N канальные более живучие, так что может быть с ними все ок будет. Хотя я когда натырил до дома донес только половину :. А я вот буквально недавно прикупил с помощью корефана из Питера ирф энд ирл -ок в со8 корпусе : каждого с десяток : 30 вольт на 4 — 6 А тока … Буду делать из них мини- Н-бридж ;.

В принципе всё работает , главное соблюсти соотношение сопротивления , примерно по отношению запирающего сопротивления к ограничевающему… я так думаю. Да, его надо ставить максимально близко к затвору. Просто я в самый последний момент добавил ограничительное сопротивление :. Опять же, на этот диод целиком и полностью полагаться нельзя, так как через него мощность из индуктивности рассеивается на шину питания, и что она там натворит — ещё неизвестно.

Так что, если есть индуктивность, то её надо отдельным диодом шунтировать. При наличии мощных коммутируемых нагрузок, тем более индуктивных, в электронных схемах, шины питания должны быть зашунтированы конденсаторами достаточной емкости, это аксиома….

Любой выброс в цепи питания — лишний. Особенно, если вспомнить, какую паразитную индуктивность имеют конденсаторы достаточной емкости.

От одного поставленного диода никому хуже не станет. А еще есть интеллектуальные ключи от той же IR. Сам не использовал, но люди из соседней конторы говорят что неубиваемые ключи. Насчёт статики по-моему опасения слишком преувеличены. Современные Мосфеты её не боятся. В разумных пределах, конечно. И встроенный внутри диод достаточно мощный. Дублировать его может понадобится с целью уменьшения нагрева корпуса или если не удовлетворяют временные характеристики этого диода а они действительно стрёмные….

IRF630 F630 К-220 встроенный/полевой транзистор 10 шт./лот

Если от этого блока питания не питается остальная схема БП используется только для этого транзистора , и он имеет гальваническую развязку от схемы разделительный трансформатор , то можно. Драйвер выбирается исходя из схемы применения. В некоторых нужно открывать транзистор чем быстрее тем лучше, а в некоторых при этом возникают высокие напряжения, которые могут пробить транзистор — и в обоих случаях схемы будут отличаться. В чиповых драйверах еще дополнительные функции, типа дэдтайма для мостовых схем и пр. Обычно подают 5в. С какого нибуть контроллера можно. В ней и драйвер, и его питание имеют общий минус на истоке силового n-канального транзистора..

LMT IRF MJET LMHVT CV 2SD D TIP Применение продукта: Вода, электричество, газ и тепловые счетчики.

Наследие IR: мощные МОП-транзисторы HEXFET

Abordaj Участник с дек Украина Сообщений: Лучше конечно «линейный» вариант БП — габаритно,тяжело,но за то сердито и шума по приёму меньше и всяких проблем ,как у ИБП. Vlad Участник с июн Москва Сообщений: И хватит 1. Гибриды пылят, а ламповая техника линейна. К тому же, эти лампы найти пока можно Не замечал, чтобы гибриды особо пылили, но вылетать транзисторы в катоде лампы при настройке любят. При расстроенном контуре и сильной связи с антенной через катод течёт относительно большой ток, а если слабая связь с антенной и резонанс на катоде большое напряжение. Это при анодных напряжениях более В. Сменив не один десяток транзисторов, гибрид перестал использовать.

Primary Menu

В следующих статьях будут устройства, которые должны управлять внешней нагрузкой. Под внешней нагрузкой я понимаю все, что прицеплено к ножкам микроконтроллера — светодиоды, лампочки, реле, двигатели, исполнительные устройства … ну Вы поняли. И как бы не была заезжена данная тема, но, чтобы избежать повторений в следующих статьях, я все-же рискну быть не оригинальным — Вы уж меня простите :. Сразу договоримся, что речь идет о цифровом сигнале микроконтроллер все-таки цифровое устройство и не будем отходить от общей логики: 1 -включено, 0 -выключено. Нагрузкой постоянного тока являются: светодиоды, лампы, реле, двигатели постоянного тока, сервоприводы, различные исполнительные устройства и т.

На практике часто возникает необходимость управлять при помощи цифровой схемы например, микроконтроллера каким-то мощным электрическим прибором.

062-Как подключить к микроконтроллеру нагрузку?

Кроме транзисторов и сборок Дарлингтона есть еще один хороший способ рулить мощной постоянной нагрузкой — полевые МОП транзисторы. Полевой транзистор работает подобно обычному транзистору — слабым сигналом на затворе управляем мощным потоком через канал. Но, в отличии от биполярных транзисторов, тут управление идет не током, а напряжением. Если на пальцах, то в нем есть полупроводниковый канал который служит как бы одной обкладкой конденсатора и вторая обкладка — металлический электрод, расположенный через тонкий слой оксида кремния, который является диэлектриком. Когда на затвор подают напряжение, то этот конденсатор заряжается, а электрическое поле затвора подтягивает к каналу заряды, в результате чего в канале возникают подвижные заряды, способные образовать электрический ток и сопротивление сток — исток резко падает. Чем выше напряжение, тем больше зарядов и ниже сопротивление, в итоге, сопротивление может снизиться до мизерных значений — сотые доли ома, а если поднимать напряжение дальше, то произойдет пробой слоя оксида и транзистору хана.

Транзистор IRF630 характеристики и параметры документация на русском

Объем бизнеса : auto IC, digital to аналоговая схема, single chip microcomputer, фотоэлектрическая муфта, хранение, трехклеммный регулятор напряжения, SCR, полевой эффект, Шоттки, реле, резисторы конденсаторов, Световая трубка, разъемы, и другие односторонние вспомогательные услуги! Добро пожаловать в наш магазинВы можете напрямую оплатить заказ! У нас много товаров в магазине , и, что более важно, вы получите высокое качество, самую низкую цену и быструю доставку Ниже 7 долл. Входной ток : 4 A макс. Выходная мощность : Естественное охлаждение 20 Вт, плюс теплоотвод 25 Вт макс.

Собирал на днях схему Atmega8 + IRF (управлялся ШИМом). С этим проблем не возникло, кроме одного — при токе через полевик.

Datasheet IRF630 — Multicomp Даташит Полевой транзистор 200 В 11 А

Применение irf630

Выберите регион , чтобы увидеть способы получения товара. Вход с паролем и Регистрация. Мой регион: Россия.

10 шт. IRF630N TO220 IRF630 К-220 IRF630NPBF новое и оригинальное IC Бесплатная доставка

ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Как проверить полевой транзистор с помощью тестера.

Сравнив статистику посещения сайта за два месяца ноябрь и декабрь года , в MediaTek выяснили, что число посетителей ресурса из России увеличилось в 10 раз, а из Украины? Таким образом, доля русскоговорящих разработчиков с аккаунтами на labs. Амбициозная цель компании MediaTek — сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники. Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик — порог входа очень низкий. Компания Компэл, приглашает вас принять участие в семинаре и тренинге?

Технический портал радиолюбителей России. Фотогалерея Обзоры Правила Расширенный поиск.

Оценивая масштабы использования МОП-технологий в современной электронной технике, сейчас трудно представить, сколь драматична была история их становления, ведь даже через 30 лет после выхода в конце х годов первых теоретических работ физика Джулиуса Лилинфельда полевой транзистор можно было наблюдать только как лабораторный курьез. Именно так, в порядке лабораторного курьеза, появился первый МОП-транзистор с металлическим затвором исследователя из Bell Labs доктора Джона Аталла. Однако если на разработку практически пригодных маломощных МОП-транзисторов понадобится лишь несколько лет, то до появления первых мощных МОП-транзисторов пройдет еще 16 лет. Так случилось, что именно эти две легендарные компании предопределили развитие мощных МОП-транзисторов в последующие десятилетия и именно они сейчас тесно связаны с другой не менее известной компанией Vishay. В году было завершено полное присоединение Siliconix к Vishay, начатое еще в году, а в году Vishay приобрела производственную линию силовых полупроводников International Rectifier, в которую вошли и популярные HEXFET-транзисторы. Такое решение позволило существенно снизить сопротивление открытого канала RDS on и сделало возможным коммутацию больших токов. С точки зрения классификации полевых транзисторов HEXFET относятся к полевым транзисторам с индуцированным каналом, то есть работают в режиме обогащения канала неосновными носителями, что приводит к инверсии его проводимости.

Новое и оригинальное Изображение только для справки, обычно отправляется как последний год Все Товары в наличии Купите несколько моделей, пожалуйста, используйте корзину для покупок. Теги: Дешевые LMT 5. Переключить навигацию.

IRF 630 PBF | VISHAY IR Transistor MOSFET N-Ch.

Изображение служит только для иллюстрации, см. технические характеристики в описании продукта.

Транзистор MOSFET N-Ch. 9A/200V TO220

Ord.number:	40819
In stock	34 pcs

MOQ:	4 pcs
Допустимое количество заказа:	1 ПК (4, 5, 6 … ПК)
Упаковочный блок:	50 ПК (в трубе)
Категория:	FET — Полевый эффект Транзисторы
Продукт.	в складе
Производитель (бренд):	Vishay IR

Цена не имеет.0032 0,7040 € 516″ data-amount=»0.68″> 8 pcs+ 0,6800 € 50 pcs+ 0,5890 € 150 pcs+ 0,5640 € 600 pcs+ 0,5160 € Стандартная упаковка производителя

Показать стоимость доставки

Узнать цену

Нужны лучшие цены?

Как зарегистрированный клиент вы получите скидку до 20% на большинство товаров в наличии.

Цены указаны без учёта. НДС. Цены на товары, которых нет на нашем складе, могут отличаться от указанных. Мы гарантируем цены только для количества на складе.

Заказ: ПК 28160 €

У вас уже есть 0 ПК в вашей корзине

У вас уже есть 0 ПК. предложение было создано для этого продукта

Изображение только для иллюстрации, пожалуйста, смотрите технические характеристики в описании продукта.

Ord.number:	40819
In stock	34 pcs

MOQ:	4 pcs
Allowed ordering количество:	1 шт. (4, 5, 6 … шт.)
Упаковочная единица:	50 шт. (в трубке)
Категория:	FET — полевые транзисторы
Product info:	In stock
Manufacturer (Brand):	VISHAY IR

Price excl.VAT

516″ data-amount=»0.704″>

4 pcs+	0 , 7040 €
8 шт.+	0,6800 €
50 ПК+	0 5890 €
150 PCS+	0,5646409
150 PCS+	0,5646464640409	150 PCS+	0,564646464640409	150 PCS+	0,5646464646464640970011
600 pcs+	0,5160 €
Manufacturers Standard Package

Show shipping charges

Get Quote

Need better prices?

Как зарегистрированный клиент вы получите скидку до 20% на большинство товаров в наличии.

Цены указаны без учёта. НДС. Цены на товары, которых нет на нашем складе, могут отличаться от указанных. Мы гарантируем цены только для количества на складе.

Заказ: ПК 28160 €

У вас уже есть 0 ПК в вашей тележек

У вас уже есть 0 ПК в своем предложении по цене

. Предложение было создано для этого продукта

9009 9009

Производитель (бренд)	Vishay IR
Серия	—
полярность
		0011	MOSFET N
Vdss (Drain to Source Voltage)	200 V
Id @ Tc=25°C (Continuous Drain Current)	9A
Drive Voltage	n/a
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400 mOhm / 5A / 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	n/a
Qg (Total Gate Charge, Max @ Vgs)	n/a
Vgs (Max)	-20 V
Pd (Power Dissipation, Max)	75 W
Рабочая температура	N/A
Case	TO220
Mounting
Mounting
Mounting
Mounting
Mounting
Mounting0031 THT
Note	—
MSL	—
RoHS	Yes

No documents to download

IRF630 MOSFET Pinout, Datasheet, Specs & Equivalents

18 августа 2021 — 0 комментариев

IRF630 МОП-транзистор
Распиновка IRF630

IRF630 — мощный полевой МОП-транзистор третьего поколения, специально разработанный для приложений, требующих высокоскоростного переключения. Этот компонент представляет собой отличное сочетание низкого сопротивления в открытом состоянии, экономичности и прочной конструкции.

IRF630 рассчитан на выдерживание нагрузки напряжением до 200 В и силой тока 9 А. Он может управлять током до 36 А в импульсном режиме в течение 300 мкс с рабочим циклом 2%. Этот силовой МОП-транзистор специально разработан для минимизации входной емкости и изменения затвора и доступен в корпусе TO-220.

 

Конфигурация выводов IRF630

Пин №	Имя контакта	Описание контакта
1	Ворота	Управление смещением MOSFET
2	Слив	Втекание тока через сток
3	Источник	Утечка тока через источник

 

Особенности

• Чрезвычайно высокая способность dv/dt
• Быстрое переключение
• Низкая собственная емкость
• Простота параллельного подключения
• Заряд ворот сведен к минимуму
• Требование к простому приводу

 

IRF630 Эквивалентные МОП-транзисторы

IRF630 можно заменить на IRFS630, IRFS631, IRF630PBF, IRF640, IRF640PBF, IRF644, IRFB17N50L.

 

Приложения

Приложение IRF630 указано ниже;

• Приложение для получения солнечной энергии
• Драйверы двигателей
• Зарядное устройство
• Телекоммуникационные приложения
• Высокоскоростные коммутационные приложения
• Управление питанием
• Портативные устройства

 

Технические характеристики

• Тип транзистора: N-канальный
• Максимальное приложенное напряжение от стока к истоку (VDS): 200 В
• Максимальный ток стока (длительный) ID: 9 A
• Максимальный ток стока (импульсный): 36 А
• Максимальная рассеиваемая мощность: 74 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии между стоком и истоком: 0,40 Ом
• напряжение затвор-исток: ±20 В
• QD заряда затвора: 43 нКл
• Динамическая надежность dv/dt: 5,8 В/нс
• Диапазон температур рабочего перехода и хранения: от -55 до 150 ˚C
• Пакет: ТО-220

 

Примечание. Дополнительные технические характеристики можно найти в техническом описании IRF630 , прикрепленном внизу этой страницы.

 

МОП-транзистор IRF630 Работа с моделированием

МОП-транзистор можно включить, подав соответствующее напряжение затвора между затвором и выводом истока. Если напряжение затвора не подается должным образом, полевой МОП-транзистор останется в выключенном состоянии. Например, мы берем IRF630 в качестве MOSFET и используем этот MOSFET в качестве переключающее устройство для включения и выключения светодиода. Моделирование сделано в proteus.

Условие-1: когда приложенное напряжение затвора превышает 4 В, загорается светодиод. Здесь мы подаем 5 В между затвором и истоком.

Условие-2: Когда приложенное напряжение затвора меньше 4 В, светодиод остается выключенным. В этом примере приложенное напряжение затвора составляет 3 В, а светодиод на рисунке ниже выглядит выключенным.