Транзистор IFR630: характеристики, datasheet и цоколевка
Согласно своим техническим характеристикам, транзистор IRF630 хорошо подходит для использования в импульсных блоках питания, преобразователях тока в постоянный или переменный, стабилизаторах, системах управления двигателями и других устройствах. Это мощный, n-канальный, полевой транзистор. Они завоевали популярность благодаря сочетанию таких качеств: быстрое переключение, надёжность, низкое сопротивления в открытом состоянии и экономическая эффективность.
Распиновка
Цоколевка транзистора IRF630 выполнена в корпусе ТО-220. Маркировка наносится сверху. Если смотреть на устройство, то слева направо будут расположены: затвор, сток, исток, как это показано на рисунке.
Предельно допустимые параметры это то, на что стоит в первую очередь обратить внимание при выборе транзистора для замены. Их превышение, так же, как и длительная эксплуатация на максимальных рабочих режимах может привести к поломке изделия.
Приведём их ниже.
Характеристики IRF630
- напряжение C-И VDS = 200 В;
- напряжение З-И VGS = 20 В;
- ток через сток (напряжение З-И 10 В): при Тс= +25°С – ID = 9,0 А; при Тс= +100°С — ID = 5,7 А;
- пиковый ток стока IDM = 36 А;
- к-т линейного снижения мощности 0,59 Вт/°С;
- Предельная рассеиваемая мощность (TC = +25°С) PD = 74 Вт;
- Максимальная температура +300°С;
- Рабочая температура (диапазон) -55°С … +150°С.
Электрические характеристики производители делят на три раздела:
- статические;
- динамические;
- канала исток-сток.
Измерения производились при температуре +25°С, если не указано иное значение. Остальные параметры, при которых производилось тестирование, указаны в отдельной колонке.
| Электрические характеристики транзистора IRF630 (при Т = +25 | ||||||
| Статические: | ||||||
| Наименование | Режимы измерения | Обозн. | MIN | TYP | MAX | Ед. изм |
| Напряжение пробоя С-И | VGS= 0 В,ID= 250 мА | VDS | 200 | В | ||
| Температурный к-т изменения напряжения С-И | относительно 25°C, ID = 1 мА | 0,24 | В/°С | |||
| Пороговое напряжение З-И | VDS= VGS, ID =250 мА | VGS(th) | 2 | 4 | В | |
| Ток утечки затвора | VGS= ± 20 В | IGSS | ±100 | нА | ||
| Ток стока при нулевом напряжении затвора | VDS=200 В, VGS= 0 V | IDSS | 25 | мкА | ||
| VDS=160 В, VGS=0 В, TJ= 125 °C | 250 | мкА | ||||
| Сопротивление С-И при открытом транзисторе | VGS= 10 В, ID= 5,4 A | RDS(on) | 0,4 | Ом | ||
| Крутизна передаточной характеристики | VDS= 50 В, ID= 5,4 A | gfs | 3,8 | |||
| Динамические: | ||||||
| Наименование | Обозн. | MIN | TYP | MAX | Ед. изм | |
| Входная емкость | VGS= 0 В, VDS= 25 В, f = 1,0 МГц | Ciss | 800 | пФ | ||
| Выходная емкость | Coss | 240 | пФ | |||
| Емкость З-И | Crss | 76 | пФ | |||
| Заряд на затворе открывающий транзистор | VGS= 10 В, ID= 5.9 A, VDS= 160 В | Qg | 43 | нКл | ||
| Заряд З-И | VGS= 10 В, ID= 5.9 A, VDS= 160 В | Qgs | 7 | нКл | ||
| Заряд З-С | VGS= 10 В, ID= 5.9 A, VDS= 160 В | Qgd | 23 | нКл | ||
| Время открытия транзистора | VDD=100 В, ID=5,9A, Rg=12Ом, RD=16Ом | td(on) | 9,4 | нс | ||
| Время нарастания импульса открытия | tr | 28 | нс | |||
| Время закрытия транзистора | td(off) | 39 | нс | |||
| Время спада импульса | tf | 20 | нс | |||
| Индуктивность стока | LD | 4,5 | нГн | |||
| Индуктивность истока | LS | 7,5 | нГн | |||
| Характеристики канала исток-сток: | ||||||
| Наименование | Режимы измерения | Обозн. | MIN | TYP | MAX | Ед. изм |
| Непрерывный длительный ток через истоковый диод | IS | 9 | А | |||
| Максимальный импульсный ток через диод | ISM | 36 | А | |||
| Падение напряжения на диоде | TJ= 25 °C, IS= 9,0 A, VGS= 0 В | VSD | 2 | В | ||
| Время обратного восстановления | TJ= 25 °C, IF= 5,9 A, dI/dt = 100 A/мкС | trr | 170 | 340 | ||
| Заряд восстановления | Qrr | 1,1 | 2,2 | |||
Аналоги
Перечислим полевые транзисторы, которые совпадают с IRF630 как по характеристикам, так и по типу корпуса:
- 2SK2134;
- BUZ32;
- BUZ73;
- FQP10N20;
- FQP630;
- FQP7N20.
Можно также попробовать заменить на следующие устройства, близкие по многим характеристикам, но все же имеющими небольшие отличия:
- FQP7N20;
- FQP630.
Наиболее близкие отечественные аналоги: КП630 и КП737А.
Производители и Datsheet
Среди крупных производителей IFR630 (datasheet можно скачать кликнув название компании) можно выделить: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR, VISHAY, STMicroelectronics, Philips Semiconductors, Advanced Power Electronics, Nell Semiconductor, International Rectifier. Есть также и другие производители. В отечественны магазинах чаще всего встречается продукция компаний: STMicroelectronics, VISHAY и International Rectifier.
Применение irf630
Их основные характеристики: U си. Транзисторы IRF предназначены для работы в импульсных схемах развёртки мониторов компьютеров, импульсные блоки питания , но при выведении их в режим, близкий к линейному, дают хорошие показатели и в связной аппаратуре. Во всяком случае, устанавливая их вместо КП, я получал гораздо лучшие результаты как по АЧХ, линейности и усилению, так и по надёжности работы.
Поиск данных по Вашему запросу:
Применение irf630
Схемы, справочники, даташиты:
Прайс-листы, цены:
Обсуждения, статьи, мануалы:
Дождитесь окончания поиска во всех базах.
По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.
Содержание:
- Управление полевыми транзисторами в импульсных преобразователях
- IRF630 F630 К-220 встроенный/полевой транзистор 10 шт.
- Наследие IR: мощные МОП-транзисторы HEXFET
- Primary Menu
- 062-Как подключить к микроконтроллеру нагрузку?
- Транзистор IRF630 характеристики и параметры документация на русском
- Datasheet IRF630 — Multicomp Даташит Полевой транзистор 200 В 11 А
- 10 шт. IRF630N TO220 IRF630 К-220 IRF630NPBF новое и оригинальное IC Бесплатная доставка
/лотПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Электронные ключи на полевых транзисторах. …
Управление полевыми транзисторами в импульсных преобразователях
Кроме транзисторов и сборок Дарлингтона есть еще один хороший способ рулить мощной постоянной нагрузкой — полевые МОП транзисторы.
Полевой транзистор работает подобно обычному транзистору — слабым сигналом на затворе управляем мощным потоком через канал. Но, в отличии от биполярных транзисторов, тут управление идет не током, а напряжением.
Если на пальцах, то в нем есть полупроводниковый канал который служит как бы одной обкладкой конденсатора и вторая обкладка — металлический электрод, расположенный через тонкий слой оксида кремния, который является диэлектриком. Когда на затвор подают напряжение, то этот конденсатор заряжается, а электрическое поле затвора подтягивает к каналу заряды, в результате чего в канале возникают подвижные заряды, способные образовать электрический ток и сопротивление сток — исток резко падает.
Чем выше напряжение, тем больше зарядов и ниже сопротивление, в итоге, сопротивление может снизиться до мизерных значений — сотые доли ома, а если поднимать напряжение дальше, то произойдет пробой слоя оксида и транзистору хана.
Достоинство такого транзистора, по сравнению с биполярным очевидно — на затвор надо подавать напряжение, но так как там диэлектрик, то ток будет нулевым, а значит требуемая мощность на управление этим транзистором будет мизерной , по факту он потребляет только в момент переключения, когда идет заряд и разряд конденсатора.
Недостаток же вытекает из его емкостного свойства — наличие емкости на затворе требует большого зарядного тока при открытии. В теории, равного бесконечности на бесконечно малом промежутки времени.
А если ток ограничить резистором, то конденсатор будет заряжаться медленно — от постоянной времени RC цепи никуда не денешься. Принцип у них один и тот же, разница лишь в полярности носителей тока в канале. Соответственно в разном направлении управляющего напряжения и включения в цепь. Очень часто транзисторы делают в виде комплиментарных пар. То есть есть две модели с совершенно одиннаковыми характеристиками, но одна из них N, а другая P канальные.
Маркировка у них, как правило, отличается на одну цифру. Нагрузка включается в цепь стока. Вообще, в теории, полевому транзистору совершенно без разницы что считать у него истоком, а что стоком — разницы между ними нет. Но на практике есть, дело в том, что для улучшения характеристик исток и сток делают разной величины и конструкции плюс ко всему, в мощных полевиках часто есть обратный диод его еще называют паразитным, так как он образуется сам собой в силу особенности техпроцесса производства.
Обладая не сильно габаритным корпусом TO этот транзистор может лихо протащить через себя до 9А. Сопротивление в открытом состоянии у него всего 0. Впрочем, это довольно старый транзистор, сейчас уже есть вещи и покруче, например IRF , способный протащить те же 9А, но при этом он умещается в корпус SO8 — размером с тетрадную клеточку.
Одной из проблем состыковки MOSFET транзистора и микроконтроллера или цифровой схемы является то, что для полноценного открытия до полного насыщения этому транзистору надо вкатить на затвор довольно больше напряжение. Обычно это около 10 вольт, а МК может выдать максимум 5. Тут вариантов три: На более мелких транзисторах сорудить цепочку, подающую питалово с высоковольтной цепи на затвор, чтобы прокачать его высоким напряжением.
Типичные примеры драйверов это, например, IR Надо только не забывать, что есть драйверы верхнего и нижнего плеча или совмещенные, полумостовые. Выбор драйвера зависит от схемы включения нагрузки и комутирующего транзистора.
Если обратишь внимание, то увидишь что с драйвером и в верхнем и нижнем плече используются N канальные транзисторы.
Просто у них лучше характеристики чем у P канальных. Но тут возникает другая проблема. Для того, чтобы открыть N канальный транзистор в верхнем плече надо ему на затвор подать напряжение выше напряжения стока, а это, по сути дела, выше напряжения питания. Для этого в драйвере верхнего плеча используется накачка напряжения. Чем собственно и отличается драйвер нижнего плеча от драйвера верхнего плеча. Применить транзистор с малым отпирающим напряжением.
Например из серии IRLA или им подобные. У них открывающие напряжения привязаны к логическим уровням. У них правда есть один недостаток — их порой сложно достать. Если обычные мощные полевики уже не являются проблемой, то управляемые логическим уровнем бывают далеко не всегда. Но вообще, правильней все же ставить драйвер, ведь кроме основных функций формирования управляющих сигналов он в качестве дополнительной фенечки обеспечивает и токовую защиту, защиту от пробоя, перенапряжения, оптимизирует скорость открытия на максимум, в общем, жрет свой ток не напрасно.
Выбор транзистора тоже не очень сложен, особенно если не заморачиваться на предельные режимы. В первую очередь тебя должно волновать значение тока стока — I Drain или I D выбираешь транзистор по максимальному току для твоей нагрузки, лучше с запасом процентов так на Следующий важный для тебя параметр это V GS — напряжение насыщения Исток-Затвор или, проще говоря, управляющее напряжение. Иногда его пишут, но чаще приходится выглядывать из графиков.
И прикидыываешь какой у тебя будет режим. Вот, например, надо тебе запитать двигатель на 12 вольт, с током 8А. На драйвер пожмотился и имеешь только 5 вольтовый управляющий сигнал. Первое что пришло на ум после этой статьи — IRF По току подходит с запасом 9А против требуемых 8. Но глянем на выходную характеристику:. Видишь, на 5 вольтах на затворе и токе в 8А падение напряжения на транзисторе составит около 4. А теперь посчитаем потери мощности — твой движок жрет 5А.
При 8 амперах и 0. Больно дофига, не кажется? Вот и мне тоже кажется что слишком.
Посмотрим тогда на IRL При 8 амперах и 5 вольтах на Gate напряжение на транзисторе составит около 3 вольт. Что даст нам 0. Если собираешься загнать на этот ключ ШИМ, то надо поинтересоваться временем открытия и закрытия транзистора, выбрать наибольшее и относительно времени посчитать предельную частоту на которую он способен.
Зовется эта величина Switch Delay или t on , t off , в общем, как то так. Также не лишней будет посмотреть на емкость затвора C iss исходя из нее, а также ограничительного резистора в затворной цепи, можно рассчитать постоянную времени заряда затворной RC цепи и прикинуть быстродействие.
Пробить затвор статическим зарядом более чем реально. Так что как купил, сразу же в фольгу и не доставай пока не будешь запаивать. Предварительно заземлись за батарею и надень шапочку из фольги :. А в процессе проектирования схемы запомни еще одно простое правило — ни в коем случае нельзя оставлять висеть затвор полевика просто так — иначе он нажрет помех из воздуха и сам откроется.
Вот вроде бы все, в следующий раз накатаю про мостовые схемы для управления движков. Да, я сейчас в Кургане и буду тут дней десять. Если кто есть с Кургана можно забухать! А то скучновато тута…. Исток на массу, сток — катушка замка — плюс. Параллельно катушке замка — диод 1N Подается импульс — замок открывается, а вот когда импульс выключается, происходит постепенное падение напряжения на катушке. Замок медленно закрывается, что не есть хорошо.
Как увеличить скорость выключения индуктивной нагрузки? Например поставить 1. Будет ли такое решение оптимальным или есть другие варианты? Тут только каким то образом помешать току течь, в частности через тот самый обратный диод.
Туда можно воткнуть подобие стабилитрона, на напряжение ниже напряжения пробоя транзистора. И это должно помочь. Но они были без упаковки и фактор статического электричества я не учитывал… Можно ли проверить, рабочие они или нет? Подключи по простейшей схеме да замеряй мультиметром сопротивление.
N канальные более живучие, так что может быть с ними все ок будет.
Хотя я когда натырил до дома донес только половину :. А я вот буквально недавно прикупил с помощью корефана из Питера ирф энд ирл -ок в со8 корпусе : каждого с десяток : 30 вольт на 4 — 6 А тока … Буду делать из них мини- Н-бридж ;.
В принципе всё работает , главное соблюсти соотношение сопротивления , примерно по отношению запирающего сопротивления к ограничевающему… я так думаю. Да, его надо ставить максимально близко к затвору. Просто я в самый последний момент добавил ограничительное сопротивление :. Опять же, на этот диод целиком и полностью полагаться нельзя, так как через него мощность из индуктивности рассеивается на шину питания, и что она там натворит — ещё неизвестно.
Так что, если есть индуктивность, то её надо отдельным диодом шунтировать. При наличии мощных коммутируемых нагрузок, тем более индуктивных, в электронных схемах, шины питания должны быть зашунтированы конденсаторами достаточной емкости, это аксиома….
Любой выброс в цепи питания — лишний. Особенно, если вспомнить, какую паразитную индуктивность имеют конденсаторы достаточной емкости.
От одного поставленного диода никому хуже не станет. А еще есть интеллектуальные ключи от той же IR. Сам не использовал, но люди из соседней конторы говорят что неубиваемые ключи. Насчёт статики по-моему опасения слишком преувеличены. Современные Мосфеты её не боятся. В разумных пределах, конечно. И встроенный внутри диод достаточно мощный. Дублировать его может понадобится с целью уменьшения нагрева корпуса или если не удовлетворяют временные характеристики этого диода а они действительно стрёмные….
IRF630 F630 К-220 встроенный/полевой транзистор 10 шт./лот
Если от этого блока питания не питается остальная схема БП используется только для этого транзистора , и он имеет гальваническую развязку от схемы разделительный трансформатор , то можно. Драйвер выбирается исходя из схемы применения. В некоторых нужно открывать транзистор чем быстрее тем лучше, а в некоторых при этом возникают высокие напряжения, которые могут пробить транзистор — и в обоих случаях схемы будут отличаться.
В чиповых драйверах еще дополнительные функции, типа дэдтайма для мостовых схем и пр. Обычно подают 5в. С какого нибуть контроллера можно. В ней и драйвер, и его питание имеют общий минус на истоке силового n-канального транзистора..
LMT IRF MJET LMHVT CV 2SD D TIP Применение продукта: Вода, электричество, газ и тепловые счетчики.
Наследие IR: мощные МОП-транзисторы HEXFET
Abordaj Участник с дек Украина Сообщений: Лучше конечно «линейный» вариант БП — габаритно,тяжело,но за то сердито и шума по приёму меньше и всяких проблем ,как у ИБП. Vlad Участник с июн Москва Сообщений: И хватит 1. Гибриды пылят, а ламповая техника линейна. К тому же, эти лампы найти пока можно Не замечал, чтобы гибриды особо пылили, но вылетать транзисторы в катоде лампы при настройке любят. При расстроенном контуре и сильной связи с антенной через катод течёт относительно большой ток, а если слабая связь с антенной и резонанс на катоде большое напряжение. Это при анодных напряжениях более В.
Сменив не один десяток транзисторов, гибрид перестал использовать.
Primary Menu
В следующих статьях будут устройства, которые должны управлять внешней нагрузкой. Под внешней нагрузкой я понимаю все, что прицеплено к ножкам микроконтроллера — светодиоды, лампочки, реле, двигатели, исполнительные устройства … ну Вы поняли. И как бы не была заезжена данная тема, но, чтобы избежать повторений в следующих статьях, я все-же рискну быть не оригинальным — Вы уж меня простите :. Сразу договоримся, что речь идет о цифровом сигнале микроконтроллер все-таки цифровое устройство и не будем отходить от общей логики: 1 -включено, 0 -выключено. Нагрузкой постоянного тока являются: светодиоды, лампы, реле, двигатели постоянного тока, сервоприводы, различные исполнительные устройства и т.
На практике часто возникает необходимость управлять при помощи цифровой схемы например, микроконтроллера каким-то мощным электрическим прибором.
062-Как подключить к микроконтроллеру нагрузку?
Кроме транзисторов и сборок Дарлингтона есть еще один хороший способ рулить мощной постоянной нагрузкой — полевые МОП транзисторы.
Полевой транзистор работает подобно обычному транзистору — слабым сигналом на затворе управляем мощным потоком через канал. Но, в отличии от биполярных транзисторов, тут управление идет не током, а напряжением. Если на пальцах, то в нем есть полупроводниковый канал который служит как бы одной обкладкой конденсатора и вторая обкладка — металлический электрод, расположенный через тонкий слой оксида кремния, который является диэлектриком. Когда на затвор подают напряжение, то этот конденсатор заряжается, а электрическое поле затвора подтягивает к каналу заряды, в результате чего в канале возникают подвижные заряды, способные образовать электрический ток и сопротивление сток — исток резко падает. Чем выше напряжение, тем больше зарядов и ниже сопротивление, в итоге, сопротивление может снизиться до мизерных значений — сотые доли ома, а если поднимать напряжение дальше, то произойдет пробой слоя оксида и транзистору хана.
Транзистор IRF630 характеристики и параметры документация на русском
Объем бизнеса : auto IC, digital to аналоговая схема, single chip microcomputer, фотоэлектрическая муфта, хранение, трехклеммный регулятор напряжения, SCR, полевой эффект, Шоттки, реле, резисторы конденсаторов, Световая трубка, разъемы, и другие односторонние вспомогательные услуги! Добро пожаловать в наш магазинВы можете напрямую оплатить заказ! У нас много товаров в магазине , и, что более важно, вы получите высокое качество, самую низкую цену и быструю доставку Ниже 7 долл.
Входной ток : 4 A макс. Выходная мощность : Естественное охлаждение 20 Вт, плюс теплоотвод 25 Вт макс.
Собирал на днях схему Atmega8 + IRF (управлялся ШИМом). С этим проблем не возникло, кроме одного — при токе через полевик.
Datasheet IRF630 — Multicomp Даташит Полевой транзистор 200 В 11 А
Применение irf630
Выберите регион , чтобы увидеть способы получения товара. Вход с паролем и Регистрация. Мой регион: Россия.
10 шт. IRF630N TO220 IRF630 К-220 IRF630NPBF новое и оригинальное IC Бесплатная доставка
ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Как проверить полевой транзистор с помощью тестера.
Сравнив статистику посещения сайта за два месяца ноябрь и декабрь года , в MediaTek выяснили, что число посетителей ресурса из России увеличилось в 10 раз, а из Украины? Таким образом, доля русскоговорящих разработчиков с аккаунтами на labs.
Амбициозная цель компании MediaTek — сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники. Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик — порог входа очень низкий. Компания Компэл, приглашает вас принять участие в семинаре и тренинге?
Технический портал радиолюбителей России. Фотогалерея Обзоры Правила Расширенный поиск.
Оценивая масштабы использования МОП-технологий в современной электронной технике, сейчас трудно представить, сколь драматична была история их становления, ведь даже через 30 лет после выхода в конце х годов первых теоретических работ физика Джулиуса Лилинфельда полевой транзистор можно было наблюдать только как лабораторный курьез. Именно так, в порядке лабораторного курьеза, появился первый МОП-транзистор с металлическим затвором исследователя из Bell Labs доктора Джона Аталла.
Однако если на разработку практически пригодных маломощных МОП-транзисторов понадобится лишь несколько лет, то до появления первых мощных МОП-транзисторов пройдет еще 16 лет. Так случилось, что именно эти две легендарные компании предопределили развитие мощных МОП-транзисторов в последующие десятилетия и именно они сейчас тесно связаны с другой не менее известной компанией Vishay. В году было завершено полное присоединение Siliconix к Vishay, начатое еще в году, а в году Vishay приобрела производственную линию силовых полупроводников International Rectifier, в которую вошли и популярные HEXFET-транзисторы. Такое решение позволило существенно снизить сопротивление открытого канала RDS on и сделало возможным коммутацию больших токов. С точки зрения классификации полевых транзисторов HEXFET относятся к полевым транзисторам с индуцированным каналом, то есть работают в режиме обогащения канала неосновными носителями, что приводит к инверсии его проводимости.
Новое и оригинальное Изображение только для справки, обычно отправляется как последний год Все Товары в наличии Купите несколько моделей, пожалуйста, используйте корзину для покупок.
Теги: Дешевые LMT 5. Переключить навигацию.
IRF 630 PBF | VISHAY IR Transistor MOSFET N-Ch.
Изображение служит только для иллюстрации, см. технические характеристики в описании продукта.
Транзистор MOSFET N-Ch. 9A/200V TO220
| Ord.number: | 40819 |
|---|---|
| In stock | 34 pcs |
| MOQ: | 4 pcs |
| Допустимое количество заказа: | 1 ПК (4, 5, 6 … ПК) |
| Упаковочный блок: | 50 ПК (в трубе) |
| Категория: | FET — Полевый эффект Транзисторы |
| Продукт. | в складе |
| Производитель (бренд): | Vishay IR |
Цена не имеет.0032
516″ data-amount=»0.68″>Показать стоимость доставки
Узнать цену
Нужны лучшие цены?
Как зарегистрированный клиент вы получите скидку до 20% на большинство товаров в наличии.
Цены указаны без учёта. НДС. Цены на товары, которых нет на нашем складе, могут отличаться от указанных. Мы гарантируем цены только для количества на складе.
Заказ: ПК 28160 €
У вас уже есть 0 ПК в вашей корзине
У вас уже есть 0 ПК. предложение было создано для этого продукта
Изображение только для иллюстрации, пожалуйста, смотрите технические характеристики в описании продукта.
| Ord.number: | 40819 |
|---|---|
| In stock | 34 pcs |
| MOQ: | 4 pcs |
| Allowed ordering количество: | 1 шт. (4, 5, 6 … шт.) |
| Упаковочная единица: | 50 шт. (в трубке) |
| Категория: | FET — полевые транзисторы |
| Product info: | In stock |
| Manufacturer (Brand): | VISHAY IR |
Price excl.VAT
| 4 pcs+ | 0 , 7040 € | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| 8 шт.+ | 0,6800 € | ||||
| 50 ПК+ | 0 5890 € | ||||
| 150 PCS+ | 0,5646409 | ||||
| 150 PCS+ | 0,5646464640409 | 150 PCS+ | 0,564646464640409 | 150 PCS+ | 0,5646464646464640970011 |
| 600 pcs+ | 0,5160 € | ||||
| Manufacturers Standard Package | |||||
516″ data-amount=»0.704″>Show shipping charges
Get Quote
Need better prices?
Как зарегистрированный клиент вы получите скидку до 20% на большинство товаров в наличии.
Цены указаны без учёта. НДС. Цены на товары, которых нет на нашем складе, могут отличаться от указанных. Мы гарантируем цены только для количества на складе.
Заказ: ПК 28160 €
У вас уже есть 0 ПК в вашей тележек
У вас уже есть 0 ПК в своем предложении по цене
. Предложение было создано для этого продукта
| Производитель (бренд) | Vishay IR | |
|---|---|---|
| Серия | — | |
| полярность | ||
| 9009 | 0011 | MOSFET N |
| Vdss (Drain to Source Voltage) | 200 V | |
| Id @ Tc=25°C (Continuous Drain Current) | 9A | |
| Drive Voltage | n/a | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm / 5A / 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | n/a | |
| Qg (Total Gate Charge, Max @ Vgs) | n/a | |
| Vgs (Max) | -20 V | |
| Pd (Power Dissipation, Max) | 75 W | |
| Рабочая температура | N/A | |
| Case | TO220 | |
| Mounting | ||
| Mounting | ||
| Mounting | ||
| Mounting | ||
| Mounting | ||
| Mounting0031 THT | ||
| Note | — | |
| MSL | — | |
| RoHS | Yes | |
No documents to download
IRF630 MOSFET Pinout, Datasheet, Specs & Equivalents
18 августа 2021 — 0 комментариев
IRF630 — мощный полевой МОП-транзистор третьего поколения, специально разработанный для приложений, требующих высокоскоростного переключения.
Этот компонент представляет собой отличное сочетание низкого сопротивления в открытом состоянии, экономичности и прочной конструкции.
IRF630 рассчитан на выдерживание нагрузки напряжением до 200 В и силой тока 9 А. Он может управлять током до 36 А в импульсном режиме в течение 300 мкс с рабочим циклом 2%. Этот силовой МОП-транзистор специально разработан для минимизации входной емкости и изменения затвора и доступен в корпусе TO-220.
Конфигурация выводов IRF630
Пин № | Имя контакта | Описание контакта |
1 | Ворота | Управление смещением MOSFET |
2 | Слив | Втекание тока через сток |
3 | Источник | Утечка тока через источник |
Особенности
- Чрезвычайно высокая способность dv/dt
- Быстрое переключение
- Низкая собственная емкость
- Простота параллельного подключения
- Заряд ворот сведен к минимуму
- Требование к простому приводу
IRF630 Эквивалентные МОП-транзисторы
IRF630 можно заменить на IRFS630, IRFS631, IRF630PBF, IRF640, IRF640PBF, IRF644, IRFB17N50L.
Приложения
Приложение IRF630 указано ниже;
- Приложение для получения солнечной энергии
- Драйверы двигателей
- Зарядное устройство
- Телекоммуникационные приложения
- Высокоскоростные коммутационные приложения
- Управление питанием
- Портативные устройства
Технические характеристики
- Тип транзистора: N-канальный
- Максимальное приложенное напряжение от стока к истоку (VDS): 200 В
- Максимальный ток стока (длительный) ID: 9 A
- Максимальный ток стока (импульсный): 36 А
- Максимальная рассеиваемая мощность: 74 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии между стоком и истоком: 0,40 Ом
- напряжение затвор-исток: ±20 В
- QD заряда затвора: 43 нКл
- Динамическая надежность dv/dt: 5,8 В/нс
- Диапазон температур рабочего перехода и хранения: от -55 до 150 ˚C
- Пакет: ТО-220
Примечание.
Дополнительные технические характеристики можно найти в техническом описании IRF630 , прикрепленном внизу этой страницы.
МОП-транзистор IRF630 Работа с моделированием
МОП-транзистор можно включить, подав соответствующее напряжение затвора между затвором и выводом истока. Если напряжение затвора не подается должным образом, полевой МОП-транзистор останется в выключенном состоянии. Например, мы берем IRF630 в качестве MOSFET и используем этот MOSFET в качестве переключающее устройство для включения и выключения светодиода. Моделирование сделано в proteus.
Условие-1: когда приложенное напряжение затвора превышает 4 В, загорается светодиод. Здесь мы подаем 5 В между затвором и истоком.
Условие-2: Когда приложенное напряжение затвора меньше 4 В, светодиод остается выключенным. В этом примере приложенное напряжение затвора составляет 3 В, а светодиод на рисунке ниже выглядит выключенным.
