Irf640: IRF640PBF, Транзистор, N-канал 200В 18А [TO-220AB], Vishay

Транзистор IRF640: характеристики, цоколевка, аналоги

Главная » Транзистор

IRF640 — мощный МОП-транзистор (MOSFET) c n-каналом. Основное конструктивное исполнение ТО-220.

Содержание

  1. Цоколевка, корпус
  2. Применение
  3. Основные характеристики
  4. Модификации
  5. Аналоги

Цоколевка, корпус

Применение

Используется в управлениях электродвигателями и реле. Кроме этого его можно найти в схемах, требующих большой скорости переключения. Благодаря небольшой мощности, требуемой для переключения, управлять IRF640 можно сигналами от микросхемы.

Основные характеристики

  • Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V.
  • Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V.
  • Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V.
  • Максимальная мощность рассеивания (Pd): 125 W.
  • Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 18 A.
  • Максимальная температура канала (Tj): 150 °C.
  • Общий заряд затвора (Qg): 55 nC.
  • Выходная емкость (Cd): 2100 pf.
  • Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.18 Ohm.

Модификации

ТипPdUdsUgsUgs(th)TjCdIdQgRdsКорпус
IRF640 125 W 200 V 20 V 4 V 150 °C 2100 pf 18 A 55 nC 0.18 Ohm TO220
IRF640A 139 W 200 V 150 °C 1160 pf 18 A 0.18 Ohm TO220
IRF640FI 40 W 200 V 20 V 150 °C 2100 pf 10 A 0.18 Ohm ISOWATT220
IRF640FP 40 W 200 V 20 V 4 V 150 °C 200 pf 18 A 55 nC 0. 18 Ohm TO-220FP
IRF640H 125 W 200 V 20 V 4 V 150 °C 430 pf 18 A 70 nC 0.18 Ohm TO-263
IRF640L 130 W 200 V 10 V 4 V 150 °C 18 A 70 nC 0.18 Ohm TO262
IRF640LPBF 130 W 200 V 20 V 4 V 150 °C 430 pf 18 A 70 nC 0.18 Ohm TO-262
IRF640N 150 W 200 V 20 V 18 A 44.7 nC 0.15 Ohm TO220AB
IRF640NL 150 W 200 V 20 V 4 V 175 °C 18 A 44.7 nC 0.15 Ohm TO262
IRF640NLPBF 150 W 200 V 20 V 4 V 175 °C 185 pf 18 A 67 nC 0. 15 Ohm TO-262
IRF640NPBF 150 W 200 V 20 V 4 V 175 °C 185 pf 18 A 67 nC 0.15 Ohm TO-220AB
IRF640NS 150 W 200 V 20 V 4 V 175 °C 18 A 44.7 nC 0.15 Ohm D2PAK
IRF640NSPBF 150 W 200 V 20 V 4 V 175 °C 185 pf 18 A 67 nC 0.15 Ohm TO-263
IRF640PBF 125 W 200 V 20 V 4 V 150 °C 430 pf 18 A 70 nC 0.18 Ohm TO-220AB
IRF640S 125 W 200 V 20 V 4 V 150 °C 18 A 70 nC 0.18 Ohm D2PAK
IRF640SPBF 130 W 200 V 20 V 4 V 150 °C 430 pf 18 A 70 nC 0. 18 Ohm TO-263

Аналоги

ТипPdUdsUgsUgs(th)IdTjQgTrCdRdsКорпус
IRF640125 W200 V20 V4 V18 A150 °C55 nC2100 pf0,18 OhmTO220
IRF640A139 W200 V18 A150 °C1160 pf0,18 OhmTO220
IRF640N150 W200 V20 V18 A44,7 nC0,15 OhmTO220AB
IRFP640125 W200 V20 V4 V18 A150 °C51 ns430 pf0,18 OhmTO220
18N40360 W400 V30 V18 A150 °C22 ns280 pf0,18 OhmTO‑247 TO‑220 TO‑220F1
AOT29S50357 W500 V30 V29 A150 °C39 ns88 pf0,15 OhmTO‑220
AOT42S60L417 W600 V30 V3,8 V39 A150 °C53 ns135 pf0,099 OhmTO220
BUZ30A125 W200 V20 V4 V21 A150 °C70 ns280 pf0,13 OhmTO‑220
FQP19N20C139 W200 V30 V4 V19 A150 °C40,5 nC0,17 OhmTO220
IPP220N25NFD300 W250 V20 V4 V61 A175 °C10 ns398 pf0,022 OhmTO‑220
IPP320N20N3136 W200 V20 V4 V34 A175 °C22 nC9 ns135 pf0,032 OhmTO‑220
IPP410N30N300 W300 V20 V4 V44 A175 °C9 ns374 pf0,041 OhmTO‑220
IPP50R140CP192 W500 V20 V3,5 V23 A150 °C48 nC14 ns110 pf0,14 OhmTO220
IPP600N25N3G136 W250 V20 V4 V25 A175 °C22 nC10 ns112 pf0,06 OhmTO220
IPP60R165CP192 W600 V20 V3,5 V21 A150 °C39 nC5 ns100 pf0,165 OhmTO220
IRF650A156 W200 V28 A150 °C2300 pf0,085 OhmTO220
IRFB4620144 W200 V20 V25 A25 nC0,0725 OhmTO220AB
IRFB5620144 W200 V20 V25 A25 nC0,0725 OhmTO220AB
NCE65T130260 W650 V30 V4 V28 A150 °C37,5 nC12 ns120 pf0,13 OhmTO220
STP30NF20125 W200 V20 V4 V30 A150 °C38 nC15,7 ns320 pf0,075 OhmTO220
UF640139 W200 V20 V18 A150 °C58 ns240 pf0,14 OhmTO‑263 TO‑220 SOT‑223 TO‑252 TO‑220F
2SK213675 W200 V30 V20 A150 °C30 nC85 ns540 pf0,18 OhmTO220
FQP19N20C
139 W200 V30 V4 V19 A150 °C40,5 nC0,17 OhmTO220
FQA19N20C180 W200 V30 V4 V21,8 A150 °C53 nC150 ns195 pf0,17 OhmTO3P
BUZ3195 W200 V20 V4 V14,5 A150 °C50 ns195 pf0. 2PG-TO-220-3

В качестве отечественной замены могут подойти транзисторы КП750А, КП640.

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.

характеристики, datasheet, аналоги и цоколевка

Как пишут производители в официальных технических характеристиках на IRF640 (datаsheet) – это мощный МОП-транзистор (MOSFET) c n-каналом. Он применяется в управление электродвигателями и реле. Кроме этого его можно найти в схемах, требующих большой скорости переключения. Благодаря небольшой мощности, требуемой для переключения, управлять IRF640 можно сигналами от микросхемы.

Цоколевка

Изготавливают IRF640 в пластиковом корпусе ТО-220АВ, имеющем жёсткие выводы. Если расположить транзистор маркировкой к себе и ножками вниз, то цоколевка выводов будет располагаться в следующем порядке: слева затвор, потом сток и последним будет исток. Внешний вид, распиновка и габариты приведены на рисунке.

Технические характеристики

Рассмотрение параметром транзистора начнём с максимально допустимых характеристик. Они показывают предельные возможности IRF640. Их превышение недопустимо, так как в этом случае транзистор выйдет из строя.

Вот предельные (абсолютные) характеристики современного IRF640:

  • напряжение сток-исток VDS = 200 В;
  • напряжение затвор-исток: VGS = 20 В;
  • ток стока (напряжение затвор-исток 10 В):
  • при Тс= +25°С ID = 18 А;
  • при Тс= +100°С ID = 11 А;
  • кратковременный ток стока: 72 А.
  • мощность PD = 125 Вт;
  • максимальная т-ра кремния +300°С;
  • рабочая т-ра: от -55°С до +150°С.

Производители делят характеристики IRF640 на три части: статические, динамические и канала сток-исток. Все они приведены в следующей таблице. Измерение параметров происходило при температуре +25°С.

Электрические характеристики транзистора IRF640 (при Т = +25
оC)
ПараметрыРежимы измеренияОбозн. mintypmaxЕд. изм
Статические характеристики
Напряжение пробоя сток-истокID = 250 мкА, VGS = 0 ВVDSS200В
Пороговое напряжение включения затвор-истокID = 250 мкА, VGS = VDSVGS(th)234В
Ток стока при нулевом напряжении затвора VDS = 200 В, VGS = 0 В,

Tj = 25°C

IDSS25мкА
VDS = 200 В, VGS = 0 В,

Tj = 125°C

250мкА
Ток утечки затвор-истокVGS = 20 В, VDS = 0 ВIGSS100нА
Сопротивление сток-исток в открытом состоянииID = 10 A, VGS = 10 ВRDS(on)0,150,18Ом
Динамические характеристики
КрутизнаID = 9 Agfs711S
Входная ёмкостьVDS =25 В, VGS =0 В, f=1,0 МГц12001560пФ
Выходная ёмкость200260пФ
Ёмкость затвор — сток6080пФ
Время задержки включенияVDD =100 В, ID =18 A,

RG =25 Ом

td(on)  2050нс
Время нарастанияt145300нс
Время задержки включенияtd(off)145300нс
Время закрытия транзистораt110230нс
Характеристики канала исток-сток
Максимальный непрерывный длительный ток исток-стокТ = 25°CI18А
Максимально допустимый импульсный ток через канал Т = 25°CISM72А
Прямое падение напряжения на диодеТ = 25°C, IF  = 18 AVSD 2В
Время обратного восстановленияVR  = 25 В, IF  = 18 A, di/dt=100A/мкс, Т=25°CTrr130нс
Заряд восстановленияQrr0,8мкКл

Кроме этого существуют также термические характеристики. Их следует учитывать при расчёте схем, в которых используются мощные транзисторы с большим риском перегрева. Они показывают с какой скоростью тепло отводится от транзистора чтобы он не перегрелся и не вышел из строя.

Тепловые характеристики IRF640
ПараметрыОбозн.maxЕд. изм
Тепловое сопротивление кристалл-корпусRthj-case1°С/Вт
Тепловое сопротивление корпус-радиаторRthj-sink0,5°С/Вт
Тепловое сопротивление кристалл-окружающая средаRthj-amb62,5°С/Вт
Максимальная температура свинца для пайки300°С

Аналоги

IRF640 можно заменить на такие зарубежные аналоги: 2SK2136, BUZ31, FQP19N20C. Существуют и отечественные транзисторы, похожие по параметрам, это: КП750А, КП640.

Производители

Среди крупных производителей отметим такие компании:

  • Dc Components;
  • Fairchild Semiconductor;
  • Inchange Semiconductor Company Limited;
  • NXP Semiconductors;
  • First Components International;
  • STMicroelectronics;
  • Comset Semiconductor.

В Российских магазинах можно купить продукцию следующих фирм:

  • Vishay Siliconix;
  • International Rectifier;
  • Weitron Technology.

Скачать datasheet на IRF640 можно кликнув на названия производителя.

IRF640 N-канальный силовой МОП-транзистор 200 В, 18 А, 125 Вт

SKU: 25637

15,00 EGP

IRF640 N-канальный мощный MOSFET 200V, 18A, 125W

  • N-канальный мощный мощный MOSFET
  • Проток непрерывного дренажа (ID): 18A
  • DRAIN 200В
  • Сопротивление стока-источника (RDS) 0,15 Ом
  • Доступен в корпусе То-220

В наличии

IRF640 Количество N-Channel Power MOSFET 200В, 18А, 125Вт

Артикул: 25637 Категория: Транзисторы

  • Описание
  • Reviews (0)

IRF640 N-Channel Power MOSFET 200V ,18A ,125W

Specifications:

5 Серии0053 HEXFET
Attribute Value
Channel Type N
Maximum Continuous Ток стока 18 А
Максимальное напряжение источника стока 200 В
Package Type TO-220AB
Mounting Type Through Hole
Pin Count 3
Maximum Drain Source Resistance 150 m?
Режим канала Улучшение
Максимальный пороговый напряжение 4V
Минимальный полос. 0044 150 Вт
Конфигурация транзистора Одиночный
Максимальное напряжение источника затвора -20 В, +20 В
Максимум. на чип 1
Типичная зарядка затвора при Vgs 67 нКл при 10 В
Материал транзистора Si
Height 8. 77mm
Minimum Operating Temperature -55 ?C

Package Includes:

  • 1x IRF640 MOSFET

Datasheet:

  • IRF640 Лист данных

Сопутствующие товары:

  • Транзисторы

 

IRF640 — Vishay | МОП-транзистор

IRF640 от Vishay представляет собой полевой МОП-транзистор с постоянным током стока от 11 до 18 А, сопротивлением сток-исток 0,18 мОм, напряжением пробоя сток-исток 200 В, напряжением затвор-исток 20 В, пороговым напряжением затвор-исток от 2 до 4 В. Метки: сквозное отверстие. Более подробную информацию о IRF640 можно увидеть ниже.

Технические характеристики изделия

Посмотреть похожие товары

Информация о продукте

  • Part Number

    IRF640

  • Manufacturer

    Vishay

  • Description

    20 V, Single, N-Channel Enhancement Mode MOSFET

General

  • Types of MOSFET

    Режим расширения N-канала

  • Полярность транзистора

    N-канал

  • Количество каналов

    Одноместный

  • Непрерывный ток стока

    от 11 до 18 А

  • Сопротивление источника стока

    0,18 мОм

  • Напряжение пробоя источника стока

    200 В

  • Напряжение источника затвора

    20 В

  • Пороговое напряжение источника затвора

    от 2 до 4 В

  • Плата за ворота

    70 нКл

  • Рассеиваемая мощность

    125 Вт

  • Рабочий диапазон температур

    от -55 до 150°С

  • Соответствует RoHS

    Да

  • Тип упаковки

    Сквозное отверстие

  • Пакет

    ТО-220АБ

Технические документы

  • Технический паспорт

Последние МОП-транзисторы
Посмотреть больше продуктов

  • 42 МОП-транзистора от TT Electronics
  • 556 MOSFET от Microchip Technology
  • 24 МОП-транзистора от Qorvo
  • 135 МОП-транзисторов от Micro Commercial Components
  • 40 МОП-транзисторов от Yangzhou Yangjie Electronic Technology
  • N-канальные MOSFET
  • Одноканальные MOSFETS
  • MOSFET MOSFETS
  • N-канала MOSFETS
  • .

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *