Транзистор IRF640: характеристики, цоколевка, аналоги
Главная » Транзистор
IRF640 — мощный МОП-транзистор (MOSFET) c n-каналом. Основное конструктивное исполнение ТО-220.
Содержание
- Цоколевка, корпус
- Применение
- Основные характеристики
- Модификации
- Аналоги
Цоколевка, корпус
Применение
Используется в управлениях электродвигателями и реле. Кроме этого его можно найти в схемах, требующих большой скорости переключения. Благодаря небольшой мощности, требуемой для переключения, управлять IRF640 можно сигналами от микросхемы.
Основные характеристики
- Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V.
- Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V.
- Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V.
- Максимальная мощность рассеивания (Pd): 125 W.
- Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 18 A.
- Максимальная температура канала (Tj): 150 °C.
- Общий заряд затвора (Qg): 55 nC.
- Выходная емкость (Cd): 2100 pf.
- Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.18 Ohm.
Модификации
Тип | Pd | Uds | Ugs | Ugs(th) | Tj | Cd | Id | Qg | Rds | Корпус |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF640 | 125 W | 200 V | 20 V | 4 V | 150 °C | 2100 pf | 18 A | 55 nC | 0.18 Ohm | TO220 |
IRF640A | 139 W | 200 V | 150 °C | 1160 pf | 18 A | 0.18 Ohm | TO220 | |||
IRF640FI | 40 W | 200 V | 20 V | 150 °C | 2100 pf | 10 A | 0.18 Ohm | ISOWATT220 | ||
IRF640FP | 40 W | 200 V | 20 V | 4 V | 150 °C | 200 pf | 18 A | 55 nC | 0. 18 Ohm | TO-220FP |
IRF640H | 125 W | 200 V | 20 V | 4 V | 150 °C | 430 pf | 18 A | 70 nC | 0.18 Ohm | TO-263 |
IRF640L | 130 W | 200 V | 10 V | 4 V | 150 °C | 18 A | 70 nC | 0.18 Ohm | TO262 | |
IRF640LPBF | 130 W | 200 V | 20 V | 4 V | 150 °C | 430 pf | 18 A | 70 nC | 0.18 Ohm | TO-262 |
IRF640N | 150 W | 200 V | 20 V | 18 A | 44.7 nC | 0.15 Ohm | TO220AB | |||
IRF640NL | 150 W | 200 V | 20 V | 4 V | 175 °C | 18 A | 44.7 nC | 0.15 Ohm | TO262 | |
IRF640NLPBF | 150 W | 200 V | 20 V | 4 V | 175 °C | 185 pf | 18 A | 67 nC | 0. 15 Ohm | TO-262 |
IRF640NPBF | 150 W | 200 V | 20 V | 4 V | 175 °C | 185 pf | 18 A | 67 nC | 0.15 Ohm | TO-220AB |
IRF640NS | 150 W | 200 V | 20 V | 4 V | 175 °C | 18 A | 44.7 nC | 0.15 Ohm | D2PAK | |
IRF640NSPBF | 150 W | 200 V | 20 V | 4 V | 175 °C | 185 pf | 18 A | 67 nC | 0.15 Ohm | TO-263 |
IRF640PBF | 125 W | 200 V | 20 V | 4 V | 150 °C | 430 pf | 18 A | 70 nC | 0.18 Ohm | TO-220AB |
IRF640S | 125 W | 200 V | 20 V | 4 V | 150 °C | 18 A | 70 nC | 0.18 Ohm | D2PAK | |
IRF640SPBF | 130 W | 200 V | 20 V | 4 V | 150 °C | 430 pf | 18 A | 70 nC | 0. 18 Ohm | TO-263 |
Аналоги
Тип | Pd | Uds | Ugs | Ugs(th) | Id | Tj | Qg | Tr | Cd | Rds | Корпус |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF640 | 125 W | 200 V | 20 V | 4 V | 18 A | 150 °C | 55 nC | 2100 pf | 0,18 Ohm | TO220 | |
IRF640A | 139 W | 200 V | 18 A | 150 °C | 1160 pf | 0,18 Ohm | TO220 | ||||
IRF640N | 150 W | 200 V | 20 V | 18 A | 44,7 nC | 0,15 Ohm | TO220AB | ||||
IRFP640 | 125 W | 200 V | 20 V | 4 V | 18 A | 150 °C | 51 ns | 430 pf | 0,18 Ohm | TO220 | |
18N40 | 360 W | 400 V | 30 V | 18 A | 150 °C | 22 ns | 280 pf | 0,18 Ohm | TO‑247 TO‑220 TO‑220F1 | ||
AOT29S50 | 357 W | 500 V | 30 V | 29 A | 150 °C | 39 ns | 88 pf | 0,15 Ohm | TO‑220 | ||
AOT42S60L | 417 W | 600 V | 30 V | 3,8 V | 39 A | 150 °C | 53 ns | 135 pf | 0,099 Ohm | TO220 | |
BUZ30A | 125 W | 200 V | 20 V | 4 V | 21 A | 150 °C | 70 ns | 280 pf | 0,13 Ohm | TO‑220 | |
FQP19N20C | 139 W | 200 V | 30 V | 4 V | 19 A | 150 °C | 40,5 nC | 0,17 Ohm | TO220 | ||
IPP220N25NFD | 300 W | 250 V | 20 V | 4 V | 61 A | 175 °C | 10 ns | 398 pf | 0,022 Ohm | TO‑220 | |
IPP320N20N3 | 136 W | 200 V | 20 V | 4 V | 34 A | 175 °C | 22 nC | 9 ns | 135 pf | 0,032 Ohm | TO‑220 |
IPP410N30N | 300 W | 300 V | 20 V | 4 V | 44 A | 175 °C | 9 ns | 374 pf | 0,041 Ohm | TO‑220 | |
IPP50R140CP | 192 W | 500 V | 20 V | 3,5 V | 23 A | 150 °C | 48 nC | 14 ns | 110 pf | 0,14 Ohm | TO220 |
IPP600N25N3G | 136 W | 250 V | 20 V | 4 V | 25 A | 175 °C | 22 nC | 10 ns | 112 pf | 0,06 Ohm | TO220 |
IPP60R165CP | 192 W | 600 V | 20 V | 3,5 V | 21 A | 150 °C | 39 nC | 5 ns | 100 pf | 0,165 Ohm | TO220 |
IRF650A | 156 W | 200 V | 28 A | 150 °C | 2300 pf | 0,085 Ohm | TO220 | ||||
IRFB4620 | 144 W | 200 V | 20 V | 25 A | 25 nC | 0,0725 Ohm | TO220AB | ||||
IRFB5620 | 144 W | 200 V | 20 V | 25 A | 25 nC | 0,0725 Ohm | TO220AB | ||||
NCE65T130 | 260 W | 650 V | 30 V | 4 V | 28 A | 150 °C | 37,5 nC | 12 ns | 120 pf | 0,13 Ohm | TO220 |
STP30NF20 | 125 W | 200 V | 20 V | 4 V | 30 A | 150 °C | 38 nC | 15,7 ns | 320 pf | 0,075 Ohm | TO220 |
UF640 | 139 W | 200 V | 20 V | 18 A | 150 °C | 58 ns | 240 pf | 0,14 Ohm | TO‑263 TO‑220 SOT‑223 TO‑252 TO‑220F | ||
2SK2136 | 75 W | 200 V | 30 V | 20 A | 150 °C | 30 nC | 85 ns | 540 pf | 0,18 Ohm | TO220 | |
FQP19N20C | 139 W | 200 V | 30 V | 4 V | 19 A | 150 °C | 40,5 nC | 0,17 Ohm | TO220 | ||
FQA19N20C | 180 W | 200 V | 30 V | 4 V | 21,8 A | 150 °C | 53 nC | 150 ns | 195 pf | 0,17 Ohm | TO3P |
BUZ31 | 95 W | 200 V | 20 V | 4 V | 14,5 A | 150 °C | 50 ns | 195 pf | 0. 2 | PG-TO-220-3 |
В качестве отечественной замены могут подойти транзисторы КП750А, КП640.
Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.
характеристики, datasheet, аналоги и цоколевка
Как пишут производители в официальных технических характеристиках на IRF640 (datаsheet) – это мощный МОП-транзистор (MOSFET) c n-каналом. Он применяется в управление электродвигателями и реле. Кроме этого его можно найти в схемах, требующих большой скорости переключения. Благодаря небольшой мощности, требуемой для переключения, управлять IRF640 можно сигналами от микросхемы.
Цоколевка
Изготавливают IRF640 в пластиковом корпусе ТО-220АВ, имеющем жёсткие выводы. Если расположить транзистор маркировкой к себе и ножками вниз, то цоколевка выводов будет располагаться в следующем порядке: слева затвор, потом сток и последним будет исток. Внешний вид, распиновка и габариты приведены на рисунке.
Технические характеристики
Рассмотрение параметром транзистора начнём с максимально допустимых характеристик. Они показывают предельные возможности IRF640. Их превышение недопустимо, так как в этом случае транзистор выйдет из строя.
Вот предельные (абсолютные) характеристики современного IRF640:
- напряжение сток-исток VDS = 200 В;
- напряжение затвор-исток: VGS = 20 В;
- ток стока (напряжение затвор-исток 10 В):
- при Тс= +25°С ID = 18 А;
- при Тс= +100°С ID = 11 А;
- кратковременный ток стока: 72 А.
- мощность PD = 125 Вт;
- максимальная т-ра кремния +300°С;
- рабочая т-ра: от -55°С до +150°С.
Производители делят характеристики IRF640 на три части: статические, динамические и канала сток-исток. Все они приведены в следующей таблице. Измерение параметров происходило при температуре +25°С.
Электрические характеристики транзистора IRF640 (при Т = +25 | ||||||
Параметры | Режимы измерения | Обозн. | min | typ | max | Ед. изм |
Статические характеристики | ||||||
Напряжение пробоя сток-исток | ID = 250 мкА, VGS = 0 В | VDSS | 200 | В | ||
Пороговое напряжение включения затвор-исток | ID = 250 мкА, VGS = VDS | VGS(th) | 2 | 3 | 4 | В |
Ток стока при нулевом напряжении затвора | VDS = 200 В, VGS = 0 В, Tj = 25°C | IDSS | 25 | мкА | ||
VDS = 200 В, VGS = 0 В, Tj = 125°C | 250 | мкА | ||||
Ток утечки затвор-исток | VGS = 20 В, VDS = 0 В | IGSS | 100 | нА | ||
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии | ID = 10 A, VGS = 10 В | RDS(on) | 0,15 | 0,18 | Ом | |
Динамические характеристики | ||||||
Крутизна | ID = 9 A | gfs | 7 | 11 | S | |
Входная ёмкость | VDS =25 В, VGS =0 В, f=1,0 МГц | 1200 | 1560 | пФ | ||
Выходная ёмкость | 200 | 260 | пФ | |||
Ёмкость затвор — сток | 60 | 80 | пФ | |||
Время задержки включения | VDD =100 В, ID =18 A, RG =25 Ом | td(on) | 20 | 50 | нс | |
Время нарастания | tr | 145 | 300 | нс | ||
Время задержки включения | td(off) | 145 | 300 | нс | ||
Время закрытия транзистора | tf | 110 | 230 | нс | ||
Характеристики канала исток-сток | ||||||
Максимальный непрерывный длительный ток исток-сток | Т = 25°C | IS | 18 | А | ||
Максимально допустимый импульсный ток через канал | Т = 25°C | ISM | 72 | А | ||
Прямое падение напряжения на диоде | Т = 25°C, IF = 18 A | VSD | 2 | В | ||
Время обратного восстановления | VR = 25 В, IF = 18 A, di/dt=100A/мкс, Т=25°C | Trr | 130 | нс | ||
Заряд восстановления | Qrr | 0,8 | мкКл |
Кроме этого существуют также термические характеристики. Их следует учитывать при расчёте схем, в которых используются мощные транзисторы с большим риском перегрева. Они показывают с какой скоростью тепло отводится от транзистора чтобы он не перегрелся и не вышел из строя.
Тепловые характеристики IRF640 | |||
Параметры | Обозн. | max | Ед. изм |
Тепловое сопротивление кристалл-корпус | Rthj-case | 1 | °С/Вт |
Тепловое сопротивление корпус-радиатор | Rthj-sink | 0,5 | °С/Вт |
Тепловое сопротивление кристалл-окружающая среда | Rthj-amb | 62,5 | °С/Вт |
Максимальная температура свинца для пайки | 300 | °С |
Аналоги
IRF640 можно заменить на такие зарубежные аналоги: 2SK2136, BUZ31, FQP19N20C. Существуют и отечественные транзисторы, похожие по параметрам, это: КП750А, КП640.
Производители
Среди крупных производителей отметим такие компании:
- Dc Components;
- Fairchild Semiconductor;
- Inchange Semiconductor Company Limited;
- NXP Semiconductors;
- First Components International;
- STMicroelectronics;
- Comset Semiconductor.
В Российских магазинах можно купить продукцию следующих фирм:
- Vishay Siliconix;
- International Rectifier;
- Weitron Technology.
Скачать datasheet на IRF640 можно кликнув на названия производителя.
IRF640 N-канальный силовой МОП-транзистор 200 В, 18 А, 125 Вт
SKU: 25637
15,00 EGP
IRF640 N-канальный мощный MOSFET 200V, 18A, 125W
- N-канальный мощный мощный MOSFET
- Проток непрерывного дренажа (ID): 18A
- DRAIN 200В
- Сопротивление стока-источника (RDS) 0,15 Ом
- Доступен в корпусе То-220
В наличии
IRF640 Количество N-Channel Power MOSFET 200В, 18А, 125Вт
Артикул: 25637 Категория: Транзисторы
- Описание
- Reviews (0)
IRF640 N-Channel Power MOSFET 200V ,18A ,125W
Specifications:
Attribute | Value |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Ток стока | 18 А |
Максимальное напряжение источника стока | 200 В |
Package Type | TO-220AB |
Mounting Type | Through Hole |
Pin Count | 3 |
Maximum Drain Source Resistance | 150 m? |
Режим канала | Улучшение |
Максимальный пороговый напряжение | 4V |
Минимальный полос. 0044 | 150 Вт |
Конфигурация транзистора | Одиночный |
Максимальное напряжение источника затвора | -20 В, +20 В |
Максимум. на чип | 1 |
Типичная зарядка затвора при Vgs | 67 нКл при 10 В |
Материал транзистора | Si | 5 Серии
Height | 8. 77mm |
Minimum Operating Temperature | -55 ?C |
Package Includes:
- 1x IRF640 MOSFET
Datasheet:
- IRF640 Лист данных
Сопутствующие товары:
- Транзисторы
IRF640 — Vishay | МОП-транзистор
Технические характеристики изделия
Посмотреть похожие товарыИнформация о продукте
Part Number
IRF640
Manufacturer
Vishay
Description
20 V, Single, N-Channel Enhancement Mode MOSFET
General
Types of MOSFET
Режим расширения N-канала
Полярность транзистора
N-канал
Количество каналов
Одноместный
Непрерывный ток стока
от 11 до 18 А
Сопротивление источника стока
0,18 мОм
Напряжение пробоя источника стока
200 В
Напряжение источника затвора
20 В
Пороговое напряжение источника затвора
от 2 до 4 В
Плата за ворота
70 нКл
Рассеиваемая мощность
125 Вт
Рабочий диапазон температур
от -55 до 150°С
Соответствует RoHS
Да
Тип упаковки
Сквозное отверстие
Пакет
ТО-220АБ
Технические документы
Технический паспорт
Последние МОП-транзисторы
Посмотреть больше продуктов- 42 МОП-транзистора от TT Electronics
- 24 МОП-транзистора от Qorvo
- 135 МОП-транзисторов от Micro Commercial Components
- 40 МОП-транзисторов от Yangzhou Yangjie Electronic Technology
- N-канальные MOSFET
- Одноканальные MOSFETS
- MOSFET MOSFETS
- N-канала MOSFETS
- .