Что такое IRF740. Каковы основные параметры IRF740. Где применяется IRF740. Какие есть аналоги IRF740. Как проверить работоспособность IRF740.
Что представляет собой транзистор IRF740
IRF740 — это N-канальный силовой MOSFET-транзистор, разработанный компанией International Rectifier (сейчас часть Infineon Technologies). Он относится к семейству высоковольтных полевых транзисторов и широко применяется в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения, драйверах электродвигателей и других силовых электронных устройствах.
Основные характеристики и параметры IRF740
Ключевые параметры IRF740:
- Максимальное напряжение сток-исток: 400 В
- Максимальный постоянный ток стока: 10 А
- Сопротивление канала в открытом состоянии: 0,55 Ом
- Максимальная рассеиваемая мощность: 125 Вт
- Пороговое напряжение затвор-исток: 2-4 В
- Входная емкость: 1400 пФ
- Время включения: 35 нс
- Время выключения: 70 нс
Каковы преимущества IRF740 по сравнению с биполярными транзисторами? Основные достоинства — высокое входное сопротивление, малая мощность управления, высокое быстродействие, низкое сопротивление канала в открытом состоянии. Это обеспечивает высокую эффективность в импульсных применениях.
Области применения транзистора IRF740
Где используется IRF740 в электронных схемах? Основные сферы применения:
- Импульсные источники питания
- DC/DC и AC/DC преобразователи
- Инверторы
- Драйверы электродвигателей
- Системы управления освещением
- Аудиоусилители класса D
- Зарядные устройства
Почему IRF740 популярен в импульсных схемах? Благодаря низкому сопротивлению канала и быстрому переключению он обеспечивает высокий КПД и низкие потери в ключевом режиме работы.
Цоколевка и корпус транзистора IRF740
В каком корпусе выпускается IRF740? Стандартным корпусом является TO-220AB. Это пластиковый корпус с тремя выводами и металлической пластиной для теплоотвода.
Какова цоколевка IRF740? Расположение выводов следующее:
- 1 вывод (левый) — затвор (G)
- 2 вывод (средний) — сток (D)
- 3 вывод (правый) — исток (S)
Металлическая пластина корпуса электрически соединена с выводом стока. Это нужно учитывать при монтаже транзистора на радиатор.
Аналоги и замены IRF740
Какие транзисторы можно использовать в качестве аналогов IRF740? Наиболее близкие по параметрам аналоги:
- IRFB18N50K — улучшенная версия от IR/Infineon
- STP10NK40Z — аналог от STMicroelectronics
- FQPF10N40C — аналог от Fairchild/ON Semiconductor
- 2SK2995 — аналог от Toshiba
- КП740А — отечественный аналог
На что обратить внимание при замене IRF740? Ключевые параметры: максимальное напряжение сток-исток, максимальный ток, сопротивление открытого канала, корпус. Прямая замена обычно возможна только на более современные транзисторы с улучшенными характеристиками.
Проверка работоспособности IRF740
Как проверить исправность транзистора IRF740 мультиметром? Основные этапы проверки:
- Проверка сопротивления между затвором и истоком — должно быть очень высоким
- Проверка сопротивления между стоком и истоком — должно быть высоким
- Проверка управляемости канала — при подаче напряжения на затвор сопротивление сток-исток должно резко падать
- Проверка обратного диода между стоком и истоком
Какие значения должны быть в исправном транзисторе? Сопротивление затвор-исток и сток-исток в закрытом состоянии — мегаомы. В открытом состоянии сопротивление сток-исток должно быть менее 1 Ом.
Особенности применения IRF740 в схемах
На что нужно обратить внимание при использовании IRF740 в электронных устройствах?
- Обеспечение эффективного охлаждения при больших токах
- Защита затвора от перенапряжений и статики
- Правильный выбор драйвера затвора для быстрого переключения
- Учет паразитных индуктивностей при разводке печатной платы
- Снабберные цепи для подавления выбросов напряжения
Как рассчитать тепловой режим IRF740? Необходимо учесть статические и динамические потери, тепловое сопротивление корпус-радиатор и радиатор-окружающая среда. При мощности рассеивания более 2-3 Вт требуется установка радиатора.
Современные альтернативы IRF740
Какие современные транзисторы могут заменить IRF740 с улучшенными характеристиками?
- IPP60R199CP — сверхнизкое сопротивление канала 0.199 Ом
- STF13NM60N — быстрое переключение, малый заряд затвора
- FCPF067N65F — высокая плотность тока, корпус TO-220F
- TK10A65W — карбид-кремниевый MOSFET на 650В
В чем преимущества новых поколений MOSFET? Они обеспечивают меньшие потери проводимости и переключения, более высокую плотность тока, улучшенную температурную стабильность. Это позволяет повысить эффективность и уменьшить габариты устройств.
Транзистор IRF740: характеристики, цоколевка, аналоги
Перейти к содержанию
Search for:
Главная » Транзистор
IRF740 — N-канальный мощный полевой MOSFET-транзистор с изолированным затвором.
Содержание
- Цоколевка, корпус
- Основные характеристики
- Модификации транзистора
- Аналоги
Цоколевка, корпус
Основные характеристики
- Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs): 20 В.
- Максимальное напряжение сток-исток (Vds): 400 В.
- Максимальное пороговое напряжение затвора | Vgs (th) |: 4 В.
- Максимальная мощность рассеивания (Pd): 125 Вт.
- Максимальный ток стока (Id): 10 A.
- Максимальная температура перехода (Tj): 150 °C.
- Общий заряд затвора (Qg): 63 нКл.
- Емкость сток-исток (Cd): 1450 пФ.
- Максимальное сопротивление сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0,55 Ом.
Модификации транзистора
Тип | Pd | Uds | Ugs | Ugs(th) | Tj | Cd | Id | Qg | Rds | Корпус |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF740 | 125 W | 400 V | 20 V | 4 V | 150 °C | 1450 pf | 10 A | 63 nC | 0. 55 Ohm | TO-220 |
HIRF740 | 74 W | 400 V | 30 V | 150 °C | 330 pf | 10 A | 0.55 Ohm | TO-220AB | ||
HIRF740F | 38 W | 400 V | 30 V | 150 °C | 330 pf | 10 A | 0.55 Ohm | TO-220FP | ||
IRF740A | 134 W | 400 V | 30 V | 4 V | 150 °C | 1180 pf | 10 A | 36 nC | 0.55 Ohm | TO-220 |
IRF740AL | 125 W | 400 V | 10 V | 4 V | 150 °C | 10 A | 36 nC | 0.55 Ohm | TO-262 | |
IRF740ALPBF | 125 W | 400 V | 30 V | 4 V | 150 °C | 170 pf | 10 A | 36 nC | 0.55 Ohm | TO-262 |
IRF740APBF | 125 W | 400 V | 30 V | 4 V | 150 °C | 170 pf | 10 A | 36 nC | 0. 55 Ohm | TO-220AB |
IRF740AS | 125 W | 400 V | 30 V | 4 V | 150 °C | 10 A | 36 nC | 0.55 Ohm | D2PAK | |
IRF740ASPBF | 125 W | 400 V | 30 V | 4 V | 150 °C | 170 pf | 10 A | 36 nC | 0.55 Ohm | TO-263 |
IRF740B | 134 W | 400 V | 30 V | 4 V | 150 °C | 150 pf | 10 A | 41 nC | 0.54 Ohm | TO-220AB |
IRF740FI | 40 W | 400 V | 20 V | 150 °C | 1450 pf | 5.5 A | 0.55 Ohm | ISOWATT220 | ||
IRF740LC | 125 W | 400 V | 30 V | 4 V | 150 °C | 190 pf | 10 A | 39 nC | 0.55 Ohm | TO-220AB |
IRF740LCPBF | 125 W | 400 V | 30 V | 4 V | 150 °C | 190 pf | 10 A | 39 nC | 0. 55 Ohm | TO-220AB |
IRF740PBF | 125 W | 400 V | 20 V | 4 V | 150 °C | 330 pf | 10 A | 63 nC | 0.55 Ohm | TO-220AB |
IRF740S | 125 W | 400 V | 20 V | 4 V | 150 °C | 10 A | 63 nC | 0.55 Ohm | D2PAK | |
IRF740SPBF | 125 W | 400 V | 20 V | 4 V | 150 °C | 330 pf | 10 A | 63 nC | 0.55 Ohm | TO-263 |
Аналоги
Маркировка | Vds | Vgs | Vgs(th) | Pd | Tj | Id | Cd | Qg | Rds | Корпус |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF740 | 400 | 20 | 4 | 125 | 150 | 10 | 1450 | 63 | 0.55 | TO-220 |
10N40 | 400 | 30 | 135 | 150 | 10. 5 | 250 | 0.5 | TO‑220, TO‑220F1 | ||
10N50 | 500 | 30 | 143 | 150 | 10 | 177 | 0.54 | TO‑220, TO‑220F1 | ||
2SK1378 | 400 | 30 | 125 | 150 | 10 | 170 | 0.55 | TO-220AB | ||
11N50 | 500 | 30 | 195 | 150 | 11 | 185 | 0.48 | TO‑220, TO‑220F, TO‑220F1, TO‑220F2, TO‑262 | ||
11N40 | 400 | 30 | 147 | 150 | 11.4 | 180 | 0.42 | TO‑220, TO‑220F | ||
12N50 | 500 | 30 | 195 | 150 | 12 | 198 | 0.42 | TO‑220, TO‑220F, TO‑220F1, TO‑220F2, TO‑263 | ||
13N50 | 500 | 30 | 168 | 150 | 13 | 245 | 0.42 | TO‑220, TO‑220F, TO‑220F1 | ||
18N50 | 500 | 30 | 277 | 150 | 18 | 330 | 0. 24 | TO‑3P, TO‑263, TO‑220, TO‑230, TO‑220F1, TO‑220F2 | ||
18N40 | 400 | 30 | 360 | 150 | 18 | 280 | 0.18 | TO‑247, TO‑220, TO‑220F1 | ||
AOT11S60 | 600 | 30 | 178 | 150 | 11 | 37.3 | 0.399 | TO‑220 | ||
AOT15S65L | 650 | 30 | 3.3 | 208 | 150 | 15 | 58 | 0.29 | TO-220 | |
CS20N60A8H | 600 | 30 | 4 | 250 | 150 | 20 | 252 | 61 | 0.45 | TO‑220AB |
CS20N60A8H | 600 | 30 | 250 | 150 | 20 | 252 | 0.45 | TO220AB | ||
FMP20N60S1 | 600 | 30 | 3.5 | 150 | 150 | 20 | 3120 | 48 | 0.19 | TO‑220 |
CS740 | 400 | 30 | 4 | 134 | 150 | 10 | 150 | 0. 55 | TO‑220 | |
FCP22N60N | 600 | 30 | 4 | 205 | 150 | 22 | 45 | 0.165 | TO-220 | |
FQPF13N50C | 500 | 30 | 4 | 195 | 150 | 13 | 56 | 0.48 | TO-220F | |
GPT13N50 | 500 | 30 | 193 | 150 | 13 | 180 | 0.49 | TO-220 | ||
FQP13N50C | 500 | 30 | 4 | 195 | 150 | 13 | 56 | 0.48 | TO-220 | |
IPA50R199CP | 500 | 20 | 3.5 | 139 | 150 | 17 | 80 | 34 | 0.199 | TO-220FP |
FTP10N40 | 400 | 30 | 125 | 150 | 10 | 119 | 0.5 | TO-220 | ||
FTP14N50C | 500 | 30 | 4 | 188 | 150 | 14 | 180 | 41 | 0.46 | TO-220 |
IPP60R190C6 | 600 | 20 | 3. 5 | 151 | 150 | 20.2 | 85 | 63 | 0.19 | TO-220 |
IPP50R140CP | 500 | 20 | 3.5 | 192 | 150 | 23 | 110 | 48 | 0.14 | TO-220 |
MMP65R190PTH | 650 | 30 | 4 | 154 | 150 | 20 | 1425 | 53 | 0.19 | TO‑220 |
KNP6140A | 400 | 30 | 4 | 140 | 150 | 10 | 150 | 28 | 0.5 | TO-220 |
IRFB11N50A | 500 | 10 | 4 | 170 | 150 | 11 | 52 | 0.52 | TO-220AB | |
SPP11N60C3 | 600 | 20 | 3.9 | 125 | 150 | 11 | 390 | 45 | 0.38 | TO-220 |
WFP740 | 400 | 30 | 4 | 134 | 150 | 10 | 150 | 60 | 0.55 | TO‑220 |
Отечественные аналоги для IRF740 — транзисторы серии КП776 и транзистор КП740.
Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.
характеристики, даташит и аналоги транзистора
IRF740 является n-канальным транзистором-полевиком MOSFET с высокой мощностью. Его основной производитель — фирма IR. Затвор прибора обособлен. Сегодня устройство выпускает и последователь IR, компания Vishay, под иным названием, которое прописано в даташит.
Нагрузку прибора можно корректировать в пределах до 400 В. Они потребляют до 10 А, а порог напряжения затвора в тот момент составляет 10 В. Максимальная рассеивающаяся мощность составляет 125 Ватт.
Для определения ваты (по научному Ватт, используют ваттметр).
Сопротивление, которое указано в инструкции производителя, невысокое, оно равно 0,55 Ом.
Так как задача данного транзистора — переключать силовые линии, прибор обладает довольно большим затворным напряжением, поэтому не всегда применяется с микроконтроллерным выходом. Последнее нужно делать с еще одной обвязкой.
Цоколевка IRF740
Классическим корпусом прибора является ТО-220AB. Он способен выдержать серьезное повышение температур и рассеянную мощность до 50 Вт. Распиновка встречается у большей части транзисторов-полевиков от данной фирмы. Левая нога является затвором, правая — истоком, а центральная — стоком.
Чтобы определить распиновку, нужно приглядеться к внешней стороне прибора с нанесенной на нее маркировкой. Во время монтажа на плату учитывайте, как корпус физически соединяется со стоковым выводом.
Характеристики IRF740
Изучая характеристики полевиков, нужно в первую очередь учесть его наибольшие возможные показатели. Далее, следуя поставленной задаче, нужно узнать об электрических параметрах. Затем — перейти на графики типичных выходных значений передачи, и других. Вся эта информация содержится в русскоязычной версии DataSheet irf740.
Максимумы
Рассмотрим наибольшие из возможных показатели MOSFET IRF740. Не считайте их основными, как будто только при них транзистор нормально работает. Превысив каждый из них даже на недолгое время, можно вывести прибор из строя.
Допустимые величины электрических параметров
Данный тип характеристик содержит сведения, проверенные изготовителем на конкретных условиях. Они отмечаются дополнительно, в одной из колонок специальной таблицы. К примеру, одно из допусловий позволяет понять, что транзистор, когда напряжение стока-истока составляет 400В, а на затворе его нет, проводится минимальный ток — 250 мкА.
Тепловые характеристики
Главный параметр, ограничивающий использование полевика — температура, необходимая для его нормальной работы, то есть, ее возрастание. Оно зависит от сопротивления прибора, когда сквозь него проходит электричество. Если оно небольшое, все равно присутствует небольшая рассеивающаяся мощность, что и вызывает нагрев.
Чтобы упростить расчеты, зависящие от нагревания IRF740, а в datasheet прописаны показатели его теплового сопротивления: от кристалла к корпусу и кристалл-внешняя среда.
Неверные вычисления тепловых характеристик для применения в проектах и неправильная пайка вызывают перегревание транзисторов. Как-то раз я читал радиолюбительский форум, и там один из участников говорил, что в сформированной им схеме пиратский металлоискатель слишком нагрет. Электронщик долго разбирался, и оказалось, что дело в некачественной пайке устройства на плату и снижение температуры.
Чем можно заменить IRF740
Прибор имеет несколько иностранных аналогов:
- D84EQ2 (National Semiconductor).
- STP11NK40Z (STM).
У них — внешне похожие корпуса и показатели. Поэтому, если включить один из этих приборов в проектную схему, ее не нужно менять. Еще одно аналогичное устройство, подходящее на замену, — это российский аналог транзистора, КП776. Он изготавливается в компании “Интеграл”, в Беларуси. Есть несколько допустимых электрических режимов использования этого устройства.
Как проверить устройство с помощью мультиметра
Основная часть полевиков проверяется с помощью стандартного мультиметра. Первым делом нужно проверить, как работает так называемый диод-паразит, соединяющий выводы истока и стока. Далее — проверьте как мофсет открывают и закрывают одновременным быстрым прикосновением щупов оборудования к контактам G и S.
Если такая подача положительного заряда на первый вывод открывает транзистора, а между первым и вторым возникает короткое замыкание, значит, устройство находится в рабочем состоянии. При проблемах с его открытием, он нерабочий.
Но чтобы провести полноценную проверку мофсета, не достаточно одного мультиметра. Чтобы его открыть, на затворе должно быть напряжение максимум 4-5 В, а мультиметр выдает всего лишь 0,3. Так что, для проверки нужен запас источников питания, к примеру, стандартная крона.
Если быстро коснуться с помощью “минусовой” клеммы этой кроны контакта И, или “плюсово” — G, открывается транзистора. При этих условиях ток движется в 2 направлениях, можно сказать об исправности транзистора. До проверки на степени закрытия и открытия, проверьте, исправен ли паразитный диод. Взгляните на схему.
Изготовители
Как уже было указано, на отечественном рынке самый популярный вариант транзистора — это продукция фирмы Vishay. Дело в том, что эта компания поглотила 17 лет назад один из офисов IR. Другим производителем является National Semiconductor.
Рабочие режимы IRF740
Uзи (напряжение) бывает или нулевым, или обратным. Второе помогает прикрыть транзистор, поэтому и применяется внутри усилителей группы А и иных схемах с плавным регулированием.
В так называемом режиме отсечки Uзи=Uотсечки. Тогда для всех приборов оно разное, хоть и прилагается в обратную сторону.
Типы подключений
По аналогии с биполярниками, у рассматриваемого устройства есть 3 варианта подключения:
- С одним истоком. Самая распространенная схема, усиливает ток и мощность.
- С одним затвором. Непопулярный вариант. Небольшое напряжение входа, усиление отсутствует.
- С одним стоком. Напряжение усиливается почти на 100%, сильное сопротивление входа, маленькое — выхода. По-другому схема называется токовым повторителем.
Достоинства и недостатки
Основной плюс всех ролевиков — высокий уровень входного сопротивления. Сопротивлением выхода называется соотношение силы тока с напряжением затвора-истока.
Суть работы прибора состоит в том, что им управляет электрическое поле, образующееся, когда прикладывается напряжение. Иными словами, полевиками управляет напряжение.
Полевики почти не тратят электричество, что уменьшает потери управления, изменение сигналов, перегруженность по току, исходящему от сигнального источника.
Средние показатели частоты полевиков намного превосходят биполярники. Это вызвано тем, что рассасывание заряда происходит быстрее. Ряд современных биполярников по основным характеристикам не уступают полевикам, за счет использования современных усовершенствованных технологий и сужения базы.
Транзисторы почти бесшумны. Дело в том, что в них практически нет инжекции заряда.
Обязательно читайте про заряд протона.
Устройство стабильно работает при температурных перепадах. Оно потребляет невысокую мощность состоянии проводника, что увеличивает КПД.
Основной минус — в том, что у таких транзисторов есть своего рода боязнь статики. То есть, если наэлектризовать руки и притронуться к прибору, он перестанет работать. Это называется результатом управления ключом посредством поля.
Поэтому для работы с транзисторами необходимы перчатки из диэлектрических материалов. Мало того, они должны заземляться с помощью специального браслета, с помощью паяльника с низким напряжением, у которого изолировано жало.
Транзисторные выводы нужно обмотать проволокой. Это приведёт к временному короткому замыканию при монтаже. Для современных приборов это почти безопасно, так как в них входят элементы для защиты, например, стабилитроны. Их задача — сработать при возрастании напряжения.
Бывают случаи, когда радиоэлектроники излишне опасаются, поэтому надевают на голову шапки, изготовленные из фольги. Инструкцию, конечно, нужно соблюдать, но это не говорит о том, что при минимальном отклонении от нее сразу сломается прибор.
Полевики с обособленным затвором
Эти устройства часто используются как полупроводниковые управляющиеся ключи. Как правило, они функционируют в режиме ключа. Есть 2 положения — включить и выключить 3 названия:
- МДП, что означает присутствие в устройстве диэлектрического материала, полупроводника и металла.
- МОП. В него входит окислительный элемент, полупроводник и металл.
- МОФСЕТ:metal-oxide-semiconductor.
Все перечисленное — только варианты одного и того же наименования. Окислительный, или диэлектрический элемент — это, по сути, изолятор затвора. Он находится между самим затвором и n-участком. Это пространство белого цвета, с точечками, состоящее из кремниевого диоксида.
Диэлектрик не допускает электрического контакта подложки и затворного электрода. Он функционирует не так, как p-n переход, по принципу расширения канального перекрытия и перехода. Устройство действует за счёт смены концентрации полупроводниковых переносчиков заряда под влиянием внешнего электрополя.
Есть 2 вида распространённых транзисторов МОП: с индукционным и встроенным каналами.
Со встроенным
Принцип действия такого прибора аналогичен полевому транзистору с управлением от p-n перехода при нулевом напряжении затвора. Ток при этом течёт через ключ.
Транзисторы с внутренним каналом
Возле истока и стока есть 2 области с большим количеством заряженных примесей, имеющих повышенную проводимость. Здесь подложкой является p-основание.
Кристалл соединяется с истоком, поэтому на большей части условных графиков он так и изображен. Когда напряжение на затворе повышается, в канале появляется поперечное электрополе, отталкивающее Электроны. Происходит закрытие канала, когда достигается порог Uзи.
Когда подается отрицательное напряжение затвора — истока, стоковая сила тока уменьшается. Транзистор закрывается. Это называется режимом обеднения. Если же подаётся напряжение со знаком «+», на затворе и истоке осуществляется обратное: за счет притягивания электронов возрастает сила тока. Это явление именуют режимом обогащения.
Все описанное подходит к транзисторам типа n, с внутренним каналом. В случае с p происходит замена электронов так называемыми дырками, и происходит изменение полярности напряжения на другой знак.
С индуктивным каналом
В таких транзисторах не протекает ток, если нет напряжения затвора. Если сказать точнее, ток очень небольшой, поскольку он является обратным от подложки — к высоко легированным элементам стока и истока.
Если напряжение есть, мы имеем дело с вариантом канала индукции, где под влиянием поля заряды со знаком «-» попадают на территорию затвора. Это означает появление электронного коридора между истоком и стоком. При появлении канала происходит открытие транзистора и протекание через него электричества.
Приведем пример практического применения высокого сопротивления выхода. Устройства с такими свойствами довольно популярны. Это согласующие приборы, которыми проводится подключение электроакустики — гитар с пьезозвукоснимающими приборами и электрических гитар с электромагнитными снимателями звука, к входам с маленькими сопротивлениями
От невысокого сопротивления может произойти просадка сигнала выхода. Его форма может меняться в разных пределах, согласно частоте сигнала. Это можно предотвратить введением каскада невысокого сопротивления входа. Таким способом удобно подключаются электрогитары к линейным входам компьютерных видеокарт. Это делает звук более ярким, а тембр — насыщенным.
Где купить IRF740
Приобрести этот транзистор можно где угодно. Лично я покупал на АлиЭкспресс по ссылке, но Вы можете поискать и в своем городе или с доставкой по России. Плюсом покупки на Али будет низкая цена, минусом что можно ждать очень долго. Поэтому если Вы не торопитесь, покупайте в Китае. Один человек с ютуба заказывал в Китае IRF740 и сделал видео обзор:
youtube.com/embed/CBHMVfpX9vk?feature=oembed» frameborder=»0″ allow=»accelerometer; autoplay; clipboard-write; encrypted-media; gyroscope; picture-in-picture» allowfullscreen=»»/>D-IRFR1205PBFCT-ND | IRFR1205TRPBF | Infineon Technologies IRFR1205TRPBF МОП-транзистор N-CH 55V 44A DPAK >>>detaylı bilgi | 0 | 50,0107 турецких лир КДВ Дахил | |
ЕЕ02554-4 | SN74LVC1G04DBVR
| Техасские инструменты SN74LVC1G04DBVR IC ИНВЕРТОР 1CH 1-INP SOT23-5 >>>detaylı bilgi | 45 | 16 7821 турецких лир КДВ Дахил | SN74LVC1G04DBVR установлен |
EE02554-3 | SN74LVC139APWR
| Техасские инструменты SN74LVC139APWR IC ДЕКОДЕР/ДЕМУЛЬФЕКТОР 1X2:4 16TSSOP >>>detaylı bilgi | 30 | 23,1593 турецких лир КДВ Дахил | SN74LVC139APWR адет |
EE02554-2 | SN74HC253DR
| Техасские инструменты SN74HC253DR МУЛЬТИПЛЕКС ИС 2 X 4:1 16SOIC >>>detaylı bilgi | 30 | КДВ Дахил | SN74HC253DR адет |
EE02554-1 | MCP3002T-I/SN
| Технология микрочипа MCP3002T-I/SN IC АЦП 10BIT SAR 8SOIC >>>detaylı bilgi | 0 | 167,8211 турецких лир КДВ Дахил | |
Д-СТР110КП-НД | XTR110KP
| Техасские инструменты XTR110KP IC V TO I CONVERTER/XMTR 16 DIP >>>detaylı bilgi | 0 | 649 8031 турецких лир КДВ Дахил | |
Д-296-43668-1-НД | XTR105UA/2K5
| Техасские инструменты XTR105UA/2K5 IC ТОКОВЫЙ ПЕРЕДАТЧИК 14SOIC >>>detaylı bilgi | 0 | 444 3902 турецких лир КДВ Дахил | |
D-XTR101AP-ND | XTR101AP
| Техасские инструменты XTR101AP IC ДВУХПРОВОДНОЙ ПЕРЕДАТЧИК 14 DIP >>>detaylı bilgi | 0 | 722,3018 турецких лир КДВ Дахил | |
D-XTR115UA-ND | XTR115UA/2K5
| Техасские инструменты XTR115UA/2K5 ИС ПЕРЕДАТЧИК ТОКА 8SOIC >>>detaylı bilgi | 0 | 385 5901 турецких лир КДВ Дахил | |
Д-296-46269-1-НД | XTR300AIRGWR
| Texas Instruments XTR300AIRGWR IC ANLG ВЫХОД ТОК/НАПРЯЖЕНИЕ DVR 20VQFN >>>detaylı bilgi | 0 | 270 7513 турецких лир КДВ Дахил | |
Ярд7388 | Ярд7388 | Э-Юда YD7388 IC AMP AB QUAD 25W 25-HZIP >>>detaylı bilgi | 0 | 95 2284 турецких лир КДВ Дахил | |
Д-269-5052-НД | Z8018010VSG
| Зилог Z8018010VSG IC МПУ Z180 10MHZ 68PLCC >>>detaylı bilgi | 0 | Fiyat bilgisi mevcut değil. Теклиф истейниз. | |
ЗТП7192С | ЗТП7192С | Технология Zilltek ZTP7192S IC REG BUCK РЕГУЛИРУЕМЫЙ 2A 8SOIC >>>detaylı bilgi | 0 | 8 7088 турецких лир КДВ Дахил | |
Д-1460-1394-1-НД | ТМС6200-ТА-Т
| Trinamic Motion Control GmbH TMC6200-TA-T IC ВОРОТ DRVR ПОЛУМОСТ 48TQFP >>>detaylı bilgi | 0 | 102,9302 турецких лир КДВ Дахил | |
Д-296-11602-1-НД | SN74LVC1G08DCKR
| Техасские инструменты SN74LVC1G08DCKR IC GATE AND 1CH 2-INP SC70-5 >>>detaylı bilgi | 0 | 18 4827 турецких лир КДВ Дахил | |
ЕЕС4 | БУКС98А | ИСК БУКС98А 450В 30А 250Вт НПН БДЖТ >>>detaylı bilgi | 0 | 260 5030 турецких лир КДВ Дахил | |
Д-336-1223-НД | C8051F120-GQ
| Силикон Лабс C8051F120-GQ IC MCU 8BIT 128KB FLASH 100TQFP >>>detaylı bilgi | 0 | 1. 093,5220 турецких лир КДВ Дахил | |
Д-ДС18030-050+-НД | ДС18030-050+
| Максим интегрированный DS18030-050+ IC DGTL ПОТ 50КОМ 256TAP 16DIP >>>detaylı bilgi | 0 | 266 8355 турецких лир КДВ Дахил | |
Д-505-АД8330АРКЗ-Р7КТ-НД | AD8330ARQZ-R7
| Analog Devices Inc. AD8330ARQZ-R7 IC ПЕРЕМЕННОЕ УСИЛЕНИЕ 1 CIRC 16QSOP >>>detaylı bilgi | 0 | 378 9399 турецких лир КДВ Дахил | |
Д-505-ЛТ1028КН8#ПБФ-НД | LT1028CN8#ПБФ
| Analog Devices Inc. LT1028CN8#PBF IC OPAMP GP 1 ЦЕПЬ 8DIP >>>detaylı bilgi | 0 | 421,2309 турецких лир КДВ Дахил | |
Д-IXTP16N50P-НД | IXTP16N50P
| IXYS IXTP16N50P MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB >>>detaylı bilgi | 0 | 158 0874 турецких лир КДВ Дахил | |
Д-620-1190-1-НД | ACS712ELCTR-20A-T
| Allegro Microsystems ACS712ELCTR-20A-T ДАТЧИК ТОКА ХОЛЛА 20A AC/DC >>>detaylı bilgi | 0 | 191 3160 турецких лир КДВ Дахил | |
EE02057-25 | 045106. 3MRL
| Литтельфьюз Инк. 045106.3MRL ПРЕДОХРАНИТЕЛЬ BRD MNT 6.3A 125VAC/DC SMD >>>detaylı bilgi | 6 | 49 0037 турецких лир КДВ Дахил | 045106.3МРЛ адет |
EE02057-24 | XL6019E1 | XL Полу XL6019E1 180 кГц 60 В 5 А DC/DC ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ TO-263-5L >>>detaylı bilgi | 10 | 70,4580 турецких лир КДВ Дахил | XL6019E1 адет |
EE02057-23 | XL6006E1 | XL Полу XL6006E1 180KHz 60V 5A Импульсный импульсный импульсный светодиодный драйвер постоянного тока >>>detaylı bilgi | 10 | 73 2371 турецких лир КДВ Дахил | XL6006E1 адет |
EE02057-22 | XL4001E1 | XL Полу XL4001E1 IC REG BUCK ADJ 2A 8SOIC >>>detaylı bilgi | 27 | 22 9378 турецких лир КДВ Дахил | XL4001E1 адет |
EE02057-20 | JCS8N60FC | Цзилинь Китайско-микроэлектроника JCS8N60FC MOSFET N-CH 600V 7A TO-220MF >>>detaylı bilgi | 10 | 59,7219 турецких лир КДВ Дахил | JCS8N60FC адет |
EE02057-19 | JCS10N60FC | Китайско-микроэлектроника Цзилинь JCS10N60FC MOSFET N-CH 600V 10A TO-220MF >>>detaylı bilgi | 10 | 73 8413 турецких лир КДВ Дахил | JCS10N60FC адет |
EE02057-18 | JCS4N60FC | Цзилинь Китайско-микроэлектроника JCS4N60FC MOSFET N-CH 600V 4A TO-220MF >>>detaylı bilgi | 1 | 37 4577 турецких лир КДВ Дахил | JCS4N60FC адет |
EE00012 | РЛ207-Б | Гудворк RL207-B ДИОД GEN PURP 1KV 2A DO15 >>>detaylı bilgi | 496 | 3,6697 турецких лир КДВ Дахил | RL207-B адет |