Irf740 параметры: Транзистор IRF740: характеристики, цоколевка, аналоги

Транзистор IRF740: характеристики, цоколевка, аналоги

Перейти к содержанию

Search for:

Главная » Транзистор

IRF740 — N-канальный мощный полевой MOSFET-транзистор с изолированным затвором.

Содержание

1. Цоколевка, корпус
2. Основные характеристики
3. Модификации транзистора
4. Аналоги

Цоколевка, корпус

Основные характеристики

• Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs): 20 В.
• Максимальное напряжение сток-исток (Vds): 400 В.
• Максимальное пороговое напряжение затвора | Vgs (th) |: 4 В.
• Максимальная мощность рассеивания (Pd): 125 Вт.
• Максимальный ток стока (Id): 10 A.
• Максимальная температура перехода (Tj): 150 °C.
• Общий заряд затвора (Qg): 63 нКл.
• Емкость сток-исток (Cd): 1450 пФ.
• Максимальное сопротивление сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0,55 Ом.

Модификации транзистора

Тип	Pd	Uds	Ugs	Ugs(th)	Tj	Cd	Id	Qg	Rds	Корпус
IRF740	125 W	400 V	20 V	4 V	150 °C	1450 pf	10 A	63 nC	0. 55 Ohm	TO-220
HIRF740	74 W	400 V	30 V		150 °C	330 pf	10 A		0.55 Ohm	TO-220AB
HIRF740F	38 W	400 V	30 V		150 °C	330 pf	10 A		0.55 Ohm	TO-220FP
IRF740A	134 W	400 V	30 V	4 V	150 °C	1180 pf	10 A	36 nC	0.55 Ohm	TO-220
IRF740AL	125 W	400 V	10 V	4 V	150 °C		10 A	36 nC	0.55 Ohm	TO-262
IRF740ALPBF	125 W	400 V	30 V	4 V	150 °C	170 pf	10 A	36 nC	0.55 Ohm	TO-262
IRF740APBF	125 W	400 V	30 V	4 V	150 °C	170 pf	10 A	36 nC	0. 55 Ohm	TO-220AB
IRF740AS	125 W	400 V	30 V	4 V	150 °C		10 A	36 nC	0.55 Ohm	D2PAK
IRF740ASPBF	125 W	400 V	30 V	4 V	150 °C	170 pf	10 A	36 nC	0.55 Ohm	TO-263
IRF740B	134 W	400 V	30 V	4 V	150 °C	150 pf	10 A	41 nC	0.54 Ohm	TO-220AB
IRF740FI	40 W	400 V	20 V		150 °C	1450 pf	5.5 A		0.55 Ohm	ISOWATT220
IRF740LC	125 W	400 V	30 V	4 V	150 °C	190 pf	10 A	39 nC	0.55 Ohm	TO-220AB
IRF740LCPBF	125 W	400 V	30 V	4 V	150 °C	190 pf	10 A	39 nC	0. 55 Ohm	TO-220AB
IRF740PBF	125 W	400 V	20 V	4 V	150 °C	330 pf	10 A	63 nC	0.55 Ohm	TO-220AB
IRF740S	125 W	400 V	20 V	4 V	150 °C		10 A	63 nC	0.55 Ohm	D2PAK
IRF740SPBF	125 W	400 V	20 V	4 V	150 °C	330 pf	10 A	63 nC	0.55 Ohm	TO-263

Аналоги

Маркировка	Vds	Vgs	Vgs(th)	Pd	Tj	Id	Cd	Qg	Rds	Корпус
IRF740	400	20	4	125	150	10	1450	63	0.55	TO-220
10N40	400	30		135	150	10. 5	250		0.5	TO‑220, TO‑220F1
10N50	500	30		143	150	10	177		0.54	TO‑220, TO‑220F1
2SK1378	400	30		125	150	10	170		0.55	TO-220AB
11N50	500	30		195	150	11	185		0.48	TO‑220, TO‑220F, TO‑220F1, TO‑220F2, TO‑262
11N40	400	30		147	150	11.4	180		0.42	TO‑220, TO‑220F
12N50	500	30		195	150	12	198		0.42	TO‑220, TO‑220F, TO‑220F1, TO‑220F2, TO‑263
13N50	500	30		168	150	13	245		0.42	TO‑220, TO‑220F, TO‑220F1
18N50	500	30		277	150	18	330		0. 24	TO‑3P, TO‑263, TO‑220, TO‑230, TO‑220F1, TO‑220F2
18N40	400	30		360	150	18	280		0.18	TO‑247, TO‑220, TO‑220F1
AOT11S60	600	30		178	150	11	37.3		0.399	TO‑220
AOT15S65L	650	30	3.3	208	150	15	58		0.29	TO-220
CS20N60A8H	600	30	4	250	150	20	252	61	0.45	TO‑220AB
CS20N60A8H	600	30		250	150	20	252		0.45	TO220AB
FMP20N60S1	600	30	3.5	150	150	20	3120	48	0.19	TO‑220
CS740	400	30	4	134	150	10	150		0. 55	TO‑220
FCP22N60N	600	30	4	205	150	22		45	0.165	TO-220
FQPF13N50C	500	30	4	195	150	13		56	0.48	TO-220F
GPT13N50	500	30		193	150	13	180		0.49	TO-220
FQP13N50C	500	30	4	195	150	13		56	0.48	TO-220
IPA50R199CP	500	20	3.5	139	150	17	80	34	0.199	TO-220FP
FTP10N40	400	30		125	150	10	119		0.5	TO-220
FTP14N50C	500	30	4	188	150	14	180	41	0.46	TO-220
IPP60R190C6	600	20	3. 5	151	150	20.2	85	63	0.19	TO-220
IPP50R140CP	500	20	3.5	192	150	23	110	48	0.14	TO-220
MMP65R190PTH	650	30	4	154	150	20	1425	53	0.19	TO‑220
KNP6140A	400	30	4	140	150	10	150	28	0.5	TO-220
IRFB11N50A	500	10	4	170	150	11		52	0.52	TO-220AB
SPP11N60C3	600	20	3.9	125	150	11	390	45	0.38	TO-220
WFP740	400	30	4	134	150	10	150	60	0.55	TO‑220

Отечественные аналоги для IRF740 — транзисторы серии КП776 и транзистор КП740.

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.

характеристики, даташит и аналоги транзистора

IRF740 является n-канальным транзистором-полевиком MOSFET с высокой мощностью. Его основной производитель — фирма IR. Затвор прибора обособлен. Сегодня устройство выпускает и последователь IR, компания Vishay, под иным названием, которое прописано в даташит.
Нагрузку прибора можно корректировать в пределах до 400 В. Они потребляют до 10 А, а порог напряжения затвора в тот момент составляет 10 В. Максимальная рассеивающаяся мощность составляет 125 Ватт.

Для определения ваты (по научному Ватт, используют ваттметр).

Сопротивление, которое указано в инструкции производителя, невысокое, оно равно 0,55 Ом.

Так как задача данного транзистора — переключать силовые линии, прибор обладает довольно большим затворным напряжением, поэтому не всегда применяется с микроконтроллерным выходом. Последнее нужно делать с еще одной обвязкой.

Цоколевка IRF740

Классическим корпусом прибора является ТО-220AB. Он способен выдержать серьезное повышение температур и рассеянную мощность до 50 Вт. Распиновка встречается у большей части транзисторов-полевиков от данной фирмы. Левая нога является затвором, правая — истоком, а центральная — стоком.

Чтобы определить распиновку, нужно приглядеться к внешней стороне прибора с нанесенной на нее маркировкой. Во время монтажа на плату учитывайте, как корпус физически соединяется со стоковым выводом.

Характеристики IRF740

Изучая характеристики полевиков, нужно в первую очередь учесть его наибольшие возможные показатели. Далее, следуя поставленной задаче, нужно узнать об электрических параметрах. Затем — перейти на графики типичных выходных значений передачи, и других. Вся эта информация содержится в русскоязычной версии DataSheet irf740.

Максимумы

Рассмотрим наибольшие из возможных показатели MOSFET IRF740. Не считайте их основными, как будто только при них транзистор нормально работает. Превысив каждый из них даже на недолгое время, можно вывести прибор из строя.

Допустимые величины электрических параметров

Данный тип характеристик содержит сведения, проверенные изготовителем на конкретных условиях. Они отмечаются дополнительно, в одной из колонок специальной таблицы. К примеру, одно из допусловий позволяет понять, что транзистор, когда напряжение стока-истока составляет 400В, а на затворе его нет, проводится минимальный ток — 250 мкА.

Тепловые характеристики

Главный параметр, ограничивающий использование полевика — температура, необходимая для его нормальной работы, то есть, ее возрастание. Оно зависит от сопротивления прибора, когда сквозь него проходит электричество. Если оно небольшое, все равно присутствует небольшая рассеивающаяся мощность, что и вызывает нагрев.

Чтобы упростить расчеты, зависящие от нагревания IRF740, а в datasheet прописаны показатели его теплового сопротивления: от кристалла к корпусу и кристалл-внешняя среда.

Неверные вычисления тепловых характеристик для применения в проектах и неправильная пайка вызывают перегревание транзисторов. Как-то раз я читал радиолюбительский форум, и там один из участников говорил, что в сформированной им схеме пиратский металлоискатель слишком нагрет. Электронщик долго разбирался, и оказалось, что дело в некачественной пайке устройства на плату и снижение температуры.

Чем можно заменить IRF740

Прибор имеет несколько иностранных аналогов:

1. D84EQ2 (National Semiconductor).
2. STP11NK40Z (STM).

У них — внешне похожие корпуса и показатели. Поэтому, если включить один из этих приборов в проектную схему, ее не нужно менять. Еще одно аналогичное устройство, подходящее на замену, — это российский аналог транзистора, КП776. Он изготавливается в компании “Интеграл”, в Беларуси. Есть несколько допустимых электрических режимов использования этого устройства.

Как проверить устройство с помощью мультиметра

Основная часть полевиков проверяется с помощью стандартного мультиметра. Первым делом нужно проверить, как работает так называемый диод-паразит, соединяющий выводы истока и стока. Далее — проверьте как мофсет открывают и закрывают одновременным быстрым прикосновением щупов оборудования к контактам G и S.

Если такая подача положительного заряда на первый вывод открывает транзистора, а между первым и вторым возникает короткое замыкание, значит, устройство находится в рабочем состоянии. При проблемах с его открытием, он нерабочий.

Но чтобы провести полноценную проверку мофсета, не достаточно одного мультиметра. Чтобы его открыть, на затворе должно быть напряжение максимум 4-5 В, а мультиметр выдает всего лишь 0,3. Так что, для проверки нужен запас источников питания, к примеру, стандартная крона.

Если быстро коснуться с помощью “минусовой” клеммы этой кроны контакта И, или “плюсово” — G, открывается транзистора. При этих условиях ток движется в 2 направлениях, можно сказать об исправности транзистора. До проверки на степени закрытия и открытия, проверьте, исправен ли паразитный диод. Взгляните на схему.

Изготовители

Как уже было указано, на отечественном рынке самый популярный вариант транзистора — это продукция фирмы Vishay. Дело в том, что эта компания поглотила 17 лет назад один из офисов IR. Другим производителем является National Semiconductor.

Рабочие режимы IRF740

Uзи (напряжение) бывает или нулевым, или обратным. Второе помогает прикрыть транзистор, поэтому и применяется внутри усилителей группы А и иных схемах с плавным регулированием.

В так называемом режиме отсечки Uзи=Uотсечки. Тогда для всех приборов оно разное, хоть и прилагается в обратную сторону.

Типы подключений

По аналогии с биполярниками, у рассматриваемого устройства есть 3 варианта подключения:

1. С одним истоком. Самая распространенная схема, усиливает ток и мощность.
2. С одним затвором. Непопулярный вариант. Небольшое напряжение входа, усиление отсутствует.
3. С одним стоком. Напряжение усиливается почти на 100%, сильное сопротивление входа, маленькое — выхода. По-другому схема называется токовым повторителем.

Достоинства и недостатки

Основной плюс всех ролевиков — высокий уровень входного сопротивления. Сопротивлением выхода называется соотношение силы тока с напряжением затвора-истока.

Суть работы прибора состоит в том, что им управляет электрическое поле, образующееся, когда прикладывается напряжение. Иными словами, полевиками управляет напряжение.

Полевики почти не тратят электричество, что уменьшает потери управления, изменение сигналов, перегруженность по току, исходящему от сигнального источника.

Средние показатели частоты полевиков намного превосходят биполярники. Это вызвано тем, что рассасывание заряда происходит быстрее. Ряд современных биполярников по основным характеристикам не уступают полевикам, за счет использования современных усовершенствованных технологий и сужения базы.

Транзисторы почти бесшумны. Дело в том, что в них практически нет инжекции заряда.

Обязательно читайте про заряд протона.

Устройство стабильно работает при температурных перепадах. Оно потребляет невысокую мощность состоянии проводника, что увеличивает КПД.

Основной минус — в том, что у таких транзисторов есть своего рода боязнь статики. То есть, если наэлектризовать руки и притронуться к прибору, он перестанет работать. Это называется результатом управления ключом посредством поля.

Поэтому для работы с транзисторами необходимы перчатки из диэлектрических материалов. Мало того, они должны заземляться с помощью специального браслета, с помощью паяльника с низким напряжением, у которого изолировано жало.

Транзисторные выводы нужно обмотать проволокой. Это приведёт к временному короткому замыканию при монтаже. Для современных приборов это почти безопасно, так как в них входят элементы для защиты, например, стабилитроны. Их задача — сработать при возрастании напряжения.

Бывают случаи, когда радиоэлектроники излишне опасаются, поэтому надевают на голову шапки, изготовленные из фольги. Инструкцию, конечно, нужно соблюдать, но это не говорит о том, что при минимальном отклонении от нее сразу сломается прибор.

Полевики с обособленным затвором

Эти устройства часто используются как полупроводниковые управляющиеся ключи. Как правило, они функционируют в режиме ключа. Есть 2 положения — включить и выключить 3 названия:

1. МДП, что означает присутствие в устройстве диэлектрического материала, полупроводника и металла.
2. МОП. В него входит окислительный элемент, полупроводник и металл.
3. МОФСЕТ:metal-oxide-semiconductor.

Все перечисленное — только варианты одного и того же наименования. Окислительный, или диэлектрический элемент — это, по сути, изолятор затвора. Он находится между самим затвором и n-участком. Это пространство белого цвета, с точечками, состоящее из кремниевого диоксида.

Диэлектрик не допускает электрического контакта подложки и затворного электрода. Он функционирует не так, как p-n переход, по принципу расширения канального перекрытия и перехода. Устройство действует за счёт смены концентрации полупроводниковых переносчиков заряда под влиянием внешнего электрополя.

Есть 2 вида распространённых транзисторов МОП: с индукционным и встроенным каналами.

Со встроенным

Принцип действия такого прибора аналогичен полевому транзистору с управлением от p-n перехода при нулевом напряжении затвора. Ток при этом течёт через ключ.

Транзисторы с внутренним каналом

Возле истока и стока есть 2 области с большим количеством заряженных примесей, имеющих повышенную проводимость. Здесь подложкой является p-основание.

Кристалл соединяется с истоком, поэтому на большей части условных графиков он так и изображен. Когда напряжение на затворе повышается, в канале появляется поперечное электрополе, отталкивающее Электроны. Происходит закрытие канала, когда достигается порог Uзи.

Когда подается отрицательное напряжение затвора — истока, стоковая сила тока уменьшается. Транзистор закрывается. Это называется режимом обеднения. Если же подаётся напряжение со знаком «+», на затворе и истоке осуществляется обратное: за счет притягивания электронов возрастает сила тока. Это явление именуют режимом обогащения.

Все описанное подходит к транзисторам типа n, с внутренним каналом. В случае с p происходит замена электронов так называемыми дырками, и происходит изменение полярности напряжения на другой знак.

С индуктивным каналом

В таких транзисторах не протекает ток, если нет напряжения затвора. Если сказать точнее, ток очень небольшой, поскольку он является обратным от подложки — к высоко легированным элементам стока и истока.

Если напряжение есть, мы имеем дело с вариантом канала индукции, где под влиянием поля заряды со знаком «-» попадают на территорию затвора. Это означает появление электронного коридора между истоком и стоком. При появлении канала происходит открытие транзистора и протекание через него электричества.

Приведем пример практического применения высокого сопротивления выхода. Устройства с такими свойствами довольно популярны. Это согласующие приборы, которыми проводится подключение электроакустики — гитар с пьезозвукоснимающими приборами и электрических гитар с электромагнитными снимателями звука, к входам с маленькими сопротивлениями

От невысокого сопротивления может произойти просадка сигнала выхода. Его форма может меняться в разных пределах, согласно частоте сигнала. Это можно предотвратить введением каскада невысокого сопротивления входа. Таким способом удобно подключаются электрогитары к линейным входам компьютерных видеокарт. Это делает звук более ярким, а тембр — насыщенным.

Где купить IRF740

Приобрести этот транзистор можно где угодно. Лично я покупал на АлиЭкспресс по ссылке, но Вы можете поискать и в своем городе или с доставкой по России. Плюсом покупки на Али будет низкая цена, минусом что можно ждать очень долго. Поэтому если Вы не торопитесь, покупайте в Китае. Один человек с ютуба заказывал в Китае IRF740 и сделал видео обзор:

Entegreci – Türkiye’nin En Kaliteli Elektronik Komponent Satış Sitesi

D-IRFR1205PBFCT-ND	IRFR1205TRPBF	Infineon Technologies IRFR1205TRPBF МОП-транзистор N-CH 55V 44A DPAK >>>detaylı bilgi	0 адет стокта 2-4 Хафта теслим	50,0107 турецких лир КДВ Дахил
ЕЕ02554-4	SN74LVC1G04DBVR СН74ЛВК1Г04	Техасские инструменты SN74LVC1G04DBVR IC ИНВЕРТОР 1CH 1-INP SOT23-5 >>>detaylı bilgi	45 адет стокта	16 7821 турецких лир КДВ Дахил	SN74LVC1G04DBVR установлен
EE02554-3	SN74LVC139APWR СН74ЛВК139А	Техасские инструменты SN74LVC139APWR IC ДЕКОДЕР/ДЕМУЛЬФЕКТОР 1X2:4 16TSSOP >>>detaylı bilgi	30 адет стокта	23,1593 турецких лир КДВ Дахил	SN74LVC139APWR адет
EE02554-2	SN74HC253DR СН54ХК253, СН74ХК253	Техасские инструменты SN74HC253DR МУЛЬТИПЛЕКС ИС 2 X 4:1 16SOIC >>>detaylı bilgi	30 адет стокта	20 1385 турецких лир КДВ Дахил	SN74HC253DR адет
EE02554-1	MCP3002T-I/SN МСР3002	Технология микрочипа MCP3002T-I/SN IC АЦП 10BIT SAR 8SOIC >>>detaylı bilgi	0 адет стокта 2-4 Хафта теслим	167,8211 турецких лир КДВ Дахил
Д-СТР110КП-НД	XTR110KP XTR110	Техасские инструменты XTR110KP IC V TO I CONVERTER/XMTR 16 DIP >>>detaylı bilgi	0 адет стокта 2-4 Хафта теслим	649 8031 ​​турецких лир КДВ Дахил
Д-296-43668-1-НД	XTR105UA/2K5 XTR105	Техасские инструменты XTR105UA/2K5 IC ТОКОВЫЙ ПЕРЕДАТЧИК 14SOIC >>>detaylı bilgi	0 адет стокта 2-4 Хафта теслим	444 3902 турецких лир КДВ Дахил
D-XTR101AP-ND	XTR101AP XTR101	Техасские инструменты XTR101AP IC ДВУХПРОВОДНОЙ ПЕРЕДАТЧИК 14 DIP >>>detaylı bilgi	0 адет стокта 2-4 Хафта теслим	722,3018 турецких лир КДВ Дахил
D-XTR115UA-ND	XTR115UA/2K5 XTR115, XTR116	Техасские инструменты XTR115UA/2K5 ИС ПЕРЕДАТЧИК ТОКА 8SOIC >>>detaylı bilgi	0 адет стокта 2-4 Хафта теслим	385 5901 турецких лир КДВ Дахил
Д-296-46269-1-НД	XTR300AIRGWR XTR300	Texas Instruments XTR300AIRGWR IC ANLG ВЫХОД ТОК/НАПРЯЖЕНИЕ DVR 20VQFN >>>detaylı bilgi	0 адет стокта 2-4 Хафта теслим	270 7513 турецких лир КДВ Дахил
Ярд7388	Ярд7388	Э-Юда YD7388 IC AMP AB QUAD 25W 25-HZIP >>>detaylı bilgi	0 адет стокта 2-4 Хафта теслим	95 2284 турецких лир КДВ Дахил
Д-269-5052-НД	Z8018010VSG Спецификация микропроцессорного блока Z80180	Зилог Z8018010VSG IC МПУ Z180 10MHZ 68PLCC >>>detaylı bilgi	0 адет стокта	Fiyat bilgisi mevcut değil. Теклиф истейниз.
ЗТП7192С	ЗТП7192С	Технология Zilltek ZTP7192S IC REG BUCK РЕГУЛИРУЕМЫЙ 2A 8SOIC >>>detaylı bilgi	0 адет стокта 2-4 Хафта теслим	8 7088 турецких лир КДВ Дахил
Д-1460-1394-1-НД	ТМС6200-ТА-Т TMC6200 Лист данных	Trinamic Motion Control GmbH TMC6200-TA-T IC ВОРОТ DRVR ПОЛУМОСТ 48TQFP >>>detaylı bilgi	0 адет стокта 2-4 Хафта теслим	102,9302 турецких лир КДВ Дахил
Д-296-11602-1-НД	SN74LVC1G08DCKR SN74LVC1G08 Лист данных	Техасские инструменты SN74LVC1G08DCKR IC GATE AND 1CH 2-INP SC70-5 >>>detaylı bilgi	0 адет стокта 2-4 Хафта теслим	18 4827 турецких лир КДВ Дахил
ЕЕС4	БУКС98А	ИСК БУКС98А 450В 30А 250Вт НПН БДЖТ >>>detaylı bilgi	0 адет стокта 2-4 Хафта теслим	260 5030 турецких лир КДВ Дахил
Д-336-1223-НД	C8051F120-GQ C8051F12x Лист данных	Силикон Лабс C8051F120-GQ IC MCU 8BIT 128KB FLASH 100TQFP >>>detaylı bilgi	0 адет стокта 2-4 Хафта теслим	1. 093,5220 турецких лир КДВ Дахил
Д-ДС18030-050+-НД	ДС18030-050+ ДС1803	Максим интегрированный DS18030-050+ IC DGTL ПОТ 50КОМ 256TAP 16DIP >>>detaylı bilgi	0 адет стокта 2-4 Хафта теслим	266 8355 турецких лир КДВ Дахил
Д-505-АД8330АРКЗ-Р7КТ-НД	AD8330ARQZ-R7 АД8330	Analog Devices Inc. AD8330ARQZ-R7 IC ПЕРЕМЕННОЕ УСИЛЕНИЕ 1 CIRC 16QSOP >>>detaylı bilgi	0 адет стокта 2-4 Хафта теслим	378 9399 турецких лир КДВ Дахил
Д-505-ЛТ1028КН8#ПБФ-НД	LT1028CN8#ПБФ LT1028, LT1128 Лист данных	Analog Devices Inc. LT1028CN8#PBF IC OPAMP GP 1 ЦЕПЬ 8DIP >>>detaylı bilgi	0 адет стокта 2-4 Хафта теслим	421,2309 турецких лир КДВ Дахил
Д-IXTP16N50P-НД	IXTP16N50P IXT(A,P,Q) 16N50P	IXYS IXTP16N50P MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB >>>detaylı bilgi	0 адет стокта 2-4 Хафта теслим	158 0874 турецких лир КДВ Дахил
Д-620-1190-1-НД	ACS712ELCTR-20A-T ACS712	Allegro Microsystems ACS712ELCTR-20A-T ДАТЧИК ТОКА ХОЛЛА 20A AC/DC >>>detaylı bilgi	0 адет стокта 2-4 Хафта теслим	191 3160 турецких лир КДВ Дахил
EE02057-25	045106. 3MRL 451, Предохранитель серии 453 NANO2®	Литтельфьюз Инк. 045106.3MRL ПРЕДОХРАНИТЕЛЬ BRD MNT 6.3A 125VAC/DC SMD >>>detaylı bilgi	6 адет стокта	49 0037 турецких лир КДВ Дахил	045106.3МРЛ адет
EE02057-24	XL6019E1	XL Полу XL6019E1 180 кГц 60 В 5 А DC/DC ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ TO-263-5L >>>detaylı bilgi	10 адет стокта	70,4580 турецких лир КДВ Дахил	XL6019E1 адет
EE02057-23	XL6006E1	XL Полу XL6006E1 180KHz 60V 5A Импульсный импульсный импульсный светодиодный драйвер постоянного тока >>>detaylı bilgi	10 адет стокта	73 2371 турецких лир КДВ Дахил	XL6006E1 адет
EE02057-22	XL4001E1	XL Полу XL4001E1 IC REG BUCK ADJ 2A 8SOIC >>>detaylı bilgi	27 адет стокта	22 9378 турецких лир КДВ Дахил	XL4001E1 адет
EE02057-20	JCS8N60FC	Цзилинь Китайско-микроэлектроника JCS8N60FC MOSFET N-CH 600V 7A TO-220MF >>>detaylı bilgi	10 адет стокта	59,7219 турецких лир КДВ Дахил	JCS8N60FC адет
EE02057-19	JCS10N60FC	Китайско-микроэлектроника Цзилинь JCS10N60FC MOSFET N-CH 600V 10A TO-220MF >>>detaylı bilgi	10 адет стокта	73 8413 турецких лир КДВ Дахил	JCS10N60FC адет
EE02057-18	JCS4N60FC	Цзилинь Китайско-микроэлектроника JCS4N60FC MOSFET N-CH 600V 4A TO-220MF >>>detaylı bilgi	1 адет стокта	37 4577 турецких лир КДВ Дахил	JCS4N60FC адет
EE00012	РЛ207-Б	Гудворк RL207-B ДИОД GEN PURP 1KV 2A DO15 >>>detaylı bilgi	496 адет стокта	3,6697 турецких лир КДВ Дахил	RL207-B адет

irf740%20spice%20Техническое описание модели и примечания по применению

org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»>

Каталог Техническое описание	MFG и тип	ПДФ	Ярлыки для документов
1996 — IRF740 Аннотация: IRF740FI Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	IRF740 IRF740FI 100°С О-220 ISOWATT220 IRF740 IRF740FI
2006 — irf740 Реферат: мощность MOSFET IRF740 irf740 MOSFET irf740 приложение IRF740 400V 10A Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	IRF740 О-220 О-220 IRF740 IRF740@ силовой МОП-транзистор IRF740 МОП-транзистор irf740 приложение irf740 ИРФ740 400В 10А
ирф740 Реферат: MOSFET irf740 power MOSFET IRF740 IRF740 ir irf741 F7403 Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	ИРФ740/741/742/743 IRF740 IRF741 IRF742 IRF743 МОП-транзистор irf740 силовой МОП-транзистор IRF740 IRF740 ИК F7403
мосфет 1RF740 Аннотация: 1rf740 IRF740 IRF741 irf740 MOSFET IRF742 мощность MOSFET IRF740 IRF743 Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	ИРФ740, ИРФ741, ИРФ742, IRF743 IRF743 IRF74 75БВДСС мосфет 1RF740 1рф740 IRF740 IRF741 МОП-транзистор irf740 IRF742 силовой МОП-транзистор IRF740
IRF740 Аннотация: IRF740FI Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	IRF740 IRF740FI IRF740 IRF740FI О-220 ISOWATT220 IRF740/FI ISOWATT22Q
1998 — IRF740 Реферат: irf740n power MOSFET IRF740 irf740 MOSFET MOSFET IRF740 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	IRF740 О-220 О-220 IRF740 irf740n силовой МОП-транзистор IRF740 МОП-транзистор irf740 МОП-транзистор IRF740
irf740 специи модель Аннотация: IRF740 Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	SS452 IRF740 IRF74Ã IRF742 IRF743 Т0-220АБ IRF741 С-299 модель специй irf740 IRF740
Ф741 Аннотация: rf74 power MOSFET IRF740 irf740 mosfet IRF741 IRF740 ir TA17424 схема драйвера затвора IRF741 транзистор IRF743 IRF740 Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	ИРФ740, ИРФ741, ИРФ742, IRF743 ТБ334 F741 рф74 силовой МОП-транзистор IRF740 МОП-транзистор irf740 IRF741 IRF740 ИК ТА17424 схема драйвера затвора IRF741 Транзистор IRF743 IRF740
Цепь управления затвором силового полевого МОП-транзистора IRF740 Реферат: irf740 irf741 irf740 mosfet IRF740D IRF743 irf740 ПОДСТАВКА ДЛЯ IRF740 ir Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	ИРФ740, ИРФ741, ИРФ742, IRF743 ТА17424. схема управления затвором для силового MOSFET IRF740 irf740 irf741 МОП-транзистор irf740 IRF740D IRF743 irf740 ПОДСТАВКА ДЛЯ IRF740 ИК
1994 — IRF740 Резюме: Транзистор IRF740FI, эквивалентный irf740 irf740 DATA SHEET Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	IRF740 IRF740FI 100°С О-220 ISOWATT220 IRF740 IRF740FI транзисторный аналог irf740 irf740 СПЕЦИФИКАЦИЯ
IRF740 Аннотация: диод lt 341 IRFP340 LT 741 S IRF740 400V 10A power MOSFET IRF740 irf741 irf742 irf740 MOSFET IRFP341 Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	ИРФ740/741/742/743 ИРФП340/341/342/343 40/IRFP34Û ИРФ741-ИРФП341 ИРФ742/ИРФП342 ИРФ743/ИРФП343 IRF740 диод лт 341 IRFP340 ЛТ 741 С ИРФ740 400В 10А силовой МОП-транзистор IRF740 irf741 irf742 МОП-транзистор irf740 IRFP341
1998 — IRF740 Реферат: МОП-транзистор irf740 irf740n мощность MOSFET IRF740 эквивалент транзистора irf740 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	IRF740 О-220 IRF740 МОП-транзистор irf740 irf740n силовой МОП-транзистор IRF740 транзисторный аналог irf740
2002 — IRF740 Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	О-220 IRF740 IRF740
Недоступно Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	ИРФ740, SiHF740 2002/95/ЕС О-220АБ 2011/65/ЕС 2002/95/ЕС. 2002/95/ЕС 2011/65/ЕС. 12 марта 2012 г.
Недоступно Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	ИРФ740/741/742/743 ИРФП340/341/342/343 F740/IRFP340 IRF741 /IRFP341 F742/IRFP342 F743/IRFP343 IRF740 IRFP340 IRF741
2003 — irf740 Аннотация: МОП-транзистор irf740 53A2 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	IRF740 О-220 irf740 МОП-транзистор irf740 53А2
2006 — IRF7405 Резюме: irf740 irf740 MOSFET power MOSFET IRF740 IRF740 применение TO-220 DATASHEET IRF740 эквивалент транзистора irf740 JESD97 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	IRF740 О-220 IRF7405 irf740 МОП-транзистор irf740 силовой МОП-транзистор IRF740 Приложение IRF740 ТО-220 ТЕХНИЧЕСКОЕ ОПИСАНИЕ IRF740 транзисторный аналог irf740 JESD97
2006 — Недоступно Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	IRF740 О-220
1999 — МОП-транзистор irf740 Реферат: силовой MOSFET IRF740 транзистор IRF740 TA17424 IRF740 TB334 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	IRF740 О-220АБ МОП-транзистор irf740 силовой МОП-транзистор IRF740 транзистор IRF740 ТА17424 IRF740 ТБ334
2001 — силовой МОП-транзистор IRF740 Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	IRF740 ТА17424 IRF740 силовой МОП-транзистор IRF740
1997 — IRF470 Аннотация: IR2110 эквивалентная силовая схема драйвера MOSFET IRF740 IR2110 драйвер затвора для MOSFET IRF740 эквивалентная схема драйвера для MOSFET IR2110 IR2112 эквивалентная схема управления затвором для силового MOSFET IRF740 irf740 mosfet IRF740LC Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	Ан-944А: Ан-937Б: IRF470 эквивалент IR2110 схема драйвера силового МОП-транзистора IRF740 Драйвер затвора IR2110 для MOSFET эквивалент irf740 схема драйвера для MOSFET IR2110 эквивалент IR2112 схема управления затвором для силового MOSFET IRF740 МОП-транзистор irf740 IRF740LC
2011 — Недоступно Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	ИРФ740, SiHF740 2002/95/ЕС О-220АБ 11 марта 2011 г.
743 ЛЕМ Реферат: IRF340 Fairchild 741 741 LEM 8N40 Fairchild 742 IRF341 IRF342 IRF343 AM/усилитель LEM 741 Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	ИРФ340-343/ИРФ740-743 МТМ8Н35/8Н40 О-204АА О-220АБ IRF340 IRF341 IRF342 IRF343 МТМ8Н35 МТМ8Н40 743 ЛЕМ IRF340 Фэйрчайлд 741 741 ЛЕМ 8Н40 Фэйрчайлд 742 IRF341 IRF342 IRF343 AM/усилитель LEM 741
ВН64ГА Реферат: 1rf820 irf150 IRF340 IRF742 диод 343 18a IRF740 IRF823 SILICONIX IRF740 IRF440 Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	О-220 О-237 О-202 IRF450 IRF840 IRF440 VN5001D/IRF830 VNP002A* IRF820 VN5001A/IRF430 VN64GA 1рф820 irf150 IRF340 IRF742 диод 343 18а IRF740 IRF823 СИЛИКОНИКС IRF740