Irf9530 datasheet. IRF9530: Мощный P-канальный MOSFET-транзистор для эффективной коммутации

Какие ключевые характеристики делают IRF9530 популярным выбором для силовой электроники. Как его параметры влияют на производительность в различных приложениях. Почему IRF9530 считается надежным и экономичным решением для промышленных и коммерческих устройств.

Основные характеристики и преимущества IRF9530

IRF9530 представляет собой мощный P-канальный MOSFET-транзистор, разработанный компанией Vishay для применения в силовой электронике. Этот компонент обладает рядом важных особенностей:

• P-канальная структура
• Напряжение сток-исток 100 В
• Максимальный ток стока 12 А
• Корпус TO-220AB
• Рабочая температура до 175°C
• Низкое сопротивление канала в открытом состоянии
• Быстрое переключение
• Возможность параллельного соединения

Благодаря этим характеристикам IRF9530 обеспечивает эффективную коммутацию в различных силовых схемах. Низкое сопротивление канала (всего 0,3 Ом при напряжении затвор-исток -10 В) позволяет минимизировать потери мощности. Высокая рабочая температура и возможность параллельного соединения делают этот транзистор подходящим для применений с большими токами и тепловыделением.

Области применения IRF9530

IRF9530 находит широкое применение в различных областях электроники:

• Импульсные источники питания
• Управление двигателями
• Инверторы
• Промышленная автоматика
• Автомобильная электроника
• Зарядные устройства

Универсальный корпус TO-220AB обеспечивает простоту монтажа и хороший теплоотвод, что важно для силовых применений. Возможность работы при высоких температурах делает IRF9530 надежным выбором для промышленного оборудования.

Электрические характеристики IRF9530

Рассмотрим основные электрические параметры IRF9530:

• Максимальное напряжение сток-исток: -100 В
• Максимальный постоянный ток стока: -12 А (при 25°C)
• Максимальный импульсный ток стока: -48 А
• Сопротивление канала в открытом состоянии: 0,3 Ом (типовое значение)
• Пороговое напряжение затвор-исток: от -2 до -4 В
• Входная емкость: 860 пФ (типовое значение)
• Время задержки включения: 12 нс (типовое значение)
• Время нарастания: 52 нс (типовое значение)

Эти параметры определяют производительность IRF9530 в конкретных схемах. Низкое сопротивление канала и малые времена переключения обеспечивают высокую эффективность работы транзистора.

Особенности конструкции IRF9530

IRF9530 имеет вертикальную структуру, характерную для силовых MOSFET-транзисторов. Какие преимущества дает такая конструкция?

• Уменьшение сопротивления канала
• Увеличение плотности тока
• Улучшение теплоотвода
• Повышение надежности

Вертикальное расположение истока и стока позволяет сделать канал короче, что снижает его сопротивление. Кроме того, такая структура обеспечивает более равномерное распределение тока по площади кристалла. Это повышает надежность транзистора и его способность работать с большими токами.

Корпус TO-220AB

IRF9530 выпускается в корпусе TO-220AB. Этот тип корпуса имеет ряд преимуществ для силовых применений:

• Хороший теплоотвод
• Простота монтажа
• Механическая прочность
• Стандартизированные размеры

Металлическая подложка корпуса TO-220AB обеспечивает эффективный отвод тепла от кристалла транзистора. Это позволяет IRF9530 работать при больших токах и мощностях. Стандартные размеры корпуса упрощают проектирование печатных плат и монтаж компонента.

Тепловые характеристики IRF9530

Эффективный теплоотвод критически важен для надежной работы силовых транзисторов. Какими тепловыми параметрами обладает IRF9530?

• Максимальная температура перехода: 175°C
• Тепловое сопротивление переход-корпус: 1,7°C/Вт (максимальное значение)
• Тепловое сопротивление корпус-окружающая среда: 62°C/Вт (максимальное значение)

Высокая допустимая температура перехода (175°C) позволяет IRF9530 работать в жестких условиях. Низкое тепловое сопротивление переход-корпус (1,7°C/Вт) обеспечивает эффективный отвод тепла от кристалла. При необходимости дополнительного охлаждения можно использовать радиатор, крепящийся к металлической подложке корпуса TO-220AB.

Динамические характеристики IRF9530

Для применений с высокочастотным переключением важны динамические параметры транзистора. Рассмотрим основные динамические характеристики IRF9530:

• Общий заряд затвора: 38 нКл (максимальное значение)
• Входная емкость: 860 пФ (типовое значение)
• Выходная емкость: 340 пФ (типовое значение)
• Время задержки включения: 12 нс (типовое значение)
• Время нарастания: 52 нс (типовое значение)
• Время задержки выключения: 31 нс (типовое значение)
• Время спада: 39 нс (типовое значение)

Эти параметры определяют скорость переключения IRF9530 и связанные с ним потери. Малые значения времен переключения позволяют использовать транзистор в высокочастотных схемах с минимальными коммутационными потерями.

Сравнение IRF9530 с аналогами

Как IRF9530 соотносится с другими P-канальными MOSFET-транзисторами в своем классе? Рассмотрим сравнение с некоторыми аналогами:

Параметр	IRF9530	IRF5210	FQP47P06
Напряжение сток-исток	-100 В	-100 В	-60 В
Максимальный постоянный ток стока	-12 А	-40 А	-47 А
Сопротивление канала в открытом состоянии	0,3 Ом	0,06 Ом	0,02 Ом
Корпус	TO-220AB	TO-220AB	TO-220

IRF9530 обеспечивает хороший баланс между напряжением, током и сопротивлением канала. Хотя некоторые аналоги имеют лучшие отдельные параметры, IRF9530 остается популярным выбором благодаря своей универсальности и надежности.

Рекомендации по применению IRF9530

При использовании IRF9530 в схемах следует учитывать ряд факторов для обеспечения оптимальной производительности и надежности:

• Обеспечение адекватного теплоотвода
• Защита от перенапряжений
• Оптимизация цепи управления затвором
• Учет паразитных индуктивностей

Правильный теплоотвод критически важен для работы IRF9530 при больших токах. При необходимости следует использовать радиатор, обеспечив хороший тепловой контакт с корпусом транзистора. Защита от перенапряжений может быть реализована с помощью супрессоров или схем активного ограничения.

Оптимизация цепи управления затвором

Для быстрого и эффективного переключения IRF9530 важно оптимизировать цепь управления затвором. Рекомендуется:

• Использовать драйвер затвора с достаточной нагрузочной способностью
• Минимизировать длину проводников к затвору
• Применять раздельные резисторы для включения и выключения
• Учитывать эффект Миллера при расчете цепи управления

Правильно спроектированная цепь управления затвором позволяет реализовать быстрое переключение IRF9530 с минимальными потерями и электромагнитными помехами.

IRF9530 Power MOSFET Datasheet PDF Download

Catalog

Features

Description

Product Summary

Ordering Information

Absolute Maximum Ratings

Номинальные значения термостойкости

Технические характеристики

Типичные характеристики

IRF9530 DataSheet

IRF9530 FAQ

9005

Особенности

• .

• Повторяющийся лавинообразный
• P-канал
• Рабочая температура 175°C
• Быстрое переключение
• Простота параллельного соединения

 

Описание

Мощность третьего поколения МОП-транзистор от Vishay предоставляет разработчику лучшую комбинацию быстрого переключения, прочной конструкции устройства , низкого сопротивления во включенном состоянии и экономичности .

 

Корпус TO-220AB универсально предпочтителен для всех коммерческих и промышленных приложений при уровнях рассеиваемой мощности примерно до 50 Вт. Низкое тепловое сопротивление и низкая стоимость пакета из TO-220AB способствует его широкому принятию по всей отрасли .

 

Обзор продукта

В ДС  (В)	-100
R ДС(вкл.) (Ом)	В GS  = -10 В	0,30
Q г  макс. (нКл)	38
Q gs  (нКл)	6,8
Q gd  (нК)	21
Конфигурация	Одноместный

 

Упаковка	ТО-220АБ
Без свинца (Pb)	ИРФ9530ПбФ
Без свинца (Pb) и без галогенов	IRF9530PbF-BE3

 

Абсолютные максимальные значения

(T _C  = 25 °C, если не указано иное)

ПАРАМЕТР			СИМВОЛ	ПРЕДЕЛ	ЕДИНИЦА
Напряжение сток-исток			В ДС	-100	В
Напряжение затвор-исток			В ГС	± 20
Непрерывный ток стока	В GS при 10 В	T C  = 25 °C	И Д	— 12	А
		T C  = 100 °C		-8,2
Импульсный ток стока a			я ДМ	-48
Линейный коэффициент снижения				0,59	Вт/°C
Энергия лавины одиночного импульса b			ЕАС	400	мДж
Повторяющийся лавинный ток a			I АР	-12	А
Повторяющаяся энергия лавины a			УХО	8,8	мДж
Максимальная рассеиваемая мощность	T C  = 25 °C		П Д	88	Вт
Пиковое восстановление диода dV/dt c			дВ/дт	— 5,5	В/нс
Диапазон температур рабочего спая и хранения			т дж , т стг	от -55 до +175	°С
Рекомендации по пайке (пиковая температура) д	На 10 с			300
Момент затяжки	Винт 6-32 или M3			10	фунт-сила·дюйм
				1. 1	Н·м

Примечания

а. Повторяющийся рейтинг; ширина импульса ограничена максимальной температурой перехода (см. рис.11)

b.V _DD = -25 В, пусковая T _J  = 25 °C, L = 4,2 мГн, R _g  = 25 L, I _AS  = -12 А (см. рис. 12)

c.I _{SD ≤} -12 А, dI/dt ≤ 140 А/мкс, В _DD ≤ В _DS , T _{J °C ≤ 970005}

d,6 мм из футляра

 

Классы термостойкости

ПАРАМЕТР	СИМВОЛ	ТИП.	МАКС.	ЕДИНИЦА
Максимальный переход-окружающая среда	Р thJA	—	62	°С/Вт
Шкаф-раковина, плоская поверхность, смазанная маслом	Р ТКС	0,50	—
Максимальное расстояние присоединения к корпусу (слив)	Р ТС	—	1,7

 

Технические характеристики

(T _J  = 25 °C, если не указано иное)

ПАРАМЕТР	СИМВОЛ	УСЛОВИЯ ИСПЫТАНИЙ		МИН.	ТИП.	МАКС.	ЕДИНИЦА
Статическая
Напряжение пробоя сток-исток	В ДС	В GS  = 0 В, I D  = -250 мкА		-100	—	—	В
В ДС температурный коэффициент	ΔV ДС /Т Дж	Ссылка на 25 °C, I D  = -1 мА		—	-0,10	—	В/°C
Пороговое напряжение затвор-исток	В ГС(й)	В DS  = В GS , I D  = -250 мкА		-2,0	—	-4,0	В
Утечка затвор-исток	I ГСС	В GS  = ± 20 В		—	—	± 100	нА
Нулевой ток стока напряжения затвора	I ДСС	В DS  = -100 В, В GS  = 0 В		—	—	-100	мкА
		В DS  = -80 В, В GS  = 0 В, T Дж  = 150 °C		—	—	-500
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии	Р ДС(на)	В GS  = -10 В	I D  = -7,2 А б	—	—	0,30	л
Прямая крутизна	г фс	В ДС  = -50 В, I Д  = -7,2 А б		3,7	—	—	С
Динамический
Входная емкость	С исс	В GS  = 0 В, В DS  = -25 В, f = 1,0 МГц, см. рис. 5		—	860	—	пФ
Выходная емкость	С осс			—	340	—
Обратная передаточная емкость	С рсс			—	93	—
Общая стоимость ворот	Q г	В GS  = -10 В	I D  = -12 А, В DS  = -80 В, см. рис. 6 и 13 б	—	—	38	нК
Плата за ворота-источник	Q GS			—	—	6,8
Зарядка ворот-дренаж	Q гд			—	—	21
Время задержки включения	т д(он)	В DD  = -50 В, I D  = -12 А, R г  = 12 л,R D  = 3,9 л, см. рис. 10 б		—	12	—	нс
Время нарастания	т р			—	52	—
Время задержки выключения	т д(выкл)			—	31	—
Время падения	т ж			—	39	—
Входное сопротивление затвора	Л Г	Между выводом на расстоянии 6 мм (0,25 дюйма) от упаковки и центром контакта матрицы		—	4,5	—	нГн
Индуктивность внутреннего стока	л с			—	7,5	—
Индуктивность внутреннего источника	Р г	f = 1 МГц, открытый сток		0,4	—	3,3	л
Характеристики диода корпуса сток-исток
Непрерывный ток диода исток-сток	И С	символ MOSFET, показывающий цифру интегральный диод с обратным p-n переходом		—	—	-12	А
Импульсный диод прямого тока a	I СМ			—	—	-48
Напряжение бортового диода	В SD	T J  = 25 °C, I S  = -12 А, В GS  = 0 В b		—	—	-6,3	В
Время обратного восстановления основного диода	т рр	T J  = 25 °C, I F  = -12 A, dI/dt = 100 A/мкс b		—	120	240	нс
Заряд обратного восстановления корпусного диода	Q рр			—	0,46	0,92	мкКл
Время включения вперед	т на	Собственное время включения незначительно (преобладает время включения L S и L D )

Примечания

а. Повторяющийся рейтинг ; ширина импульса ограничена максимальной температурой перехода (см. рис.11)

b.Длительность импульса ≤ 300 мкс; рабочий цикл ≤ 2 %

 

Типовые характеристики

(25 °C, если не указано иное)

700979797979797979797979797979009.9000

70097009700970097009.9000

7009700970097007.9000.

0090099007

0090099007

0090099007

009007

0090099007

009007

0090090090099009.LAIL. техническое описание IRF9530 по приведенной ниже ссылке:

IRF9530 техническое описание

 

IRF9530 Часто задаваемые вопросы

Что такое МОП-транзистор с каналом P?

P-Channel MOSFET — это  классификация металлооксидных полупроводниковых устройств . Он состоит из n-подложки посередине с легкой концентрацией легирования. Это три терминальных устройства. Он обладает униполярными характеристиками, поскольку его работа зависит от большинства носителей заряда.

 

Что такое N-канальный МОП-транзистор?

N-Channel MOSFET — это тип полевого транзистора на основе оксида металла и полупроводника, который относится к категории полевых транзисторов (FET) . Работа MOSFET-транзистора основана на конденсаторе. Этот тип транзистора также известен как полевой транзистор с изолированным затвором (IGFET).

 

Для чего используются силовые МОП-транзисторы?

Металлооксид-полупроводниковый полевой транзистор (МОП-транзистор), используемый для коммутации больших токов . Силовые полевые МОП-транзисторы имеют вертикальную структуру с выводами истока и стока на противоположных сторонах микросхемы. Вертикальная ориентация устраняет скопление людей у ​​ворот и обеспечивает большую ширину канала.