Irf9540N характеристики. IRF9540N: мощный P-канальный MOSFET-транзистор с характеристиками -100В и -19А

Какие основные характеристики имеет транзистор IRF9540N. Каковы его области применения. Какие преимущества он предлагает разработчикам. На что следует обратить внимание при его использовании.

Основные характеристики IRF9540N

IRF9540N представляет собой мощный P-канальный MOSFET-транзистор, обладающий следующими ключевыми характеристиками:

  • Максимальное напряжение сток-исток: -100 В
  • Максимальный постоянный ток стока: -19 А
  • Максимальный импульсный ток стока: -76 А
  • Сопротивление канала в открытом состоянии: 0,117 Ом
  • Корпус: TO-220AB
  • Рабочая температура: до 175°C

Преимущества технологии HexFET

IRF9540N изготовлен по технологии HexFET, разработанной компанией International Rectifier. Эта технология обеспечивает ряд важных преимуществ:

  • Очень низкое сопротивление канала в открытом состоянии
  • Высокая скорость переключения
  • Повышенная надежность и устойчивость к перегрузкам
  • Полностью нормированный лавинный режим работы

Области применения IRF9540N

Благодаря своим характеристикам, IRF9540N находит применение в различных областях электроники:


  • Импульсные источники питания
  • Преобразователи напряжения
  • Драйверы электродвигателей
  • Системы управления аккумуляторными батареями
  • Автомобильная электроника
  • Промышленные системы управления

Особенности работы с P-канальными MOSFET

При использовании P-канальных MOSFET-транзисторов, таких как IRF9540N, следует учитывать некоторые особенности:

  • Для открытия транзистора требуется отрицательное напряжение затвор-исток
  • Напряжение на стоке должно быть отрицательным относительно истока
  • Ток протекает от истока к стоку (в противоположность N-канальным MOSFET)
  • Необходимо обеспечить правильную полярность подключения в схеме

Динамические характеристики IRF9540N

IRF9540N обладает отличными динамическими характеристиками, что делает его подходящим для высокочастотных применений:

  • Входная емкость: 1400 пФ
  • Выходная емкость: 350 пФ
  • Время включения: 39 нс
  • Время выключения: 68 нс
  • Общий заряд затвора: 61 нКл

Тепловые характеристики и рассеиваемая мощность

При работе с IRF9540N важно учитывать его тепловые характеристики:


  • Максимальная рассеиваемая мощность: 140 Вт (при температуре корпуса 25°C)
  • Тепловое сопротивление кристалл-корпус: 0,89°C/Вт
  • Тепловое сопротивление корпус-окружающая среда: 62°C/Вт

Для обеспечения надежной работы транзистора необходимо предусмотреть эффективный теплоотвод, особенно при работе с большими токами или в импульсном режиме.

Защитные функции IRF9540N

IRF9540N обладает встроенными защитными функциями, повышающими его надежность:

  • Встроенный защитный диод для защиты от обратного напряжения
  • Устойчивость к лавинному пробою
  • Защита затвора от статического электричества
  • Повышенная устойчивость к dv/dt

Сравнение IRF9540N с аналогами

IRF9540N имеет ряд преимуществ по сравнению с аналогичными транзисторами:

  • Более низкое сопротивление канала в открытом состоянии по сравнению с IRF9640 (0,117 Ом vs 0,5 Ом)
  • Больший максимальный ток по сравнению с IRF9530 (-19 А vs -14 А)
  • Лучшие динамические характеристики по сравнению с более старыми моделями

Особенности монтажа IRF9540N

При монтаже IRF9540N следует учитывать следующие рекомендации:


  • Использовать теплопроводящую пасту между корпусом транзистора и радиатором
  • Обеспечить надежное крепление к радиатору (рекомендуемый момент затяжки 0,55-0,78 Н·м)
  • Соблюдать меры предосторожности при пайке выводов (максимальная температура 300°C в течение 10 секунд)
  • Использовать антистатические меры предосторожности при работе с транзистором

Применение IRF9540N в импульсных источниках питания

IRF9540N часто используется в импульсных источниках питания благодаря своим характеристикам:

  • Низкие потери проводимости из-за малого сопротивления канала
  • Высокая скорость переключения, позволяющая работать на высоких частотах
  • Способность выдерживать большие токи в импульсном режиме
  • Хорошая теплопроводность корпуса TO-220AB

При проектировании импульсных источников питания с использованием IRF9540N следует обратить внимание на правильный выбор драйвера затвора и расчет цепей снаббера для минимизации потерь при переключении.

Особенности применения IRF9540N в автомобильной электронике

IRF9540N находит широкое применение в автомобильной электронике благодаря следующим факторам:


  • Высокая надежность и устойчивость к перегрузкам
  • Способность работать при высоких температурах (до 175°C)
  • Низкое сопротивление канала, уменьшающее тепловыделение
  • Совместимость с автомобильными стандартами по электромагнитной совместимости

При использовании IRF9540N в автомобильных приложениях необходимо учитывать возможные перенапряжения в бортовой сети и предусмотреть соответствующие защитные цепи.

Расчет цепи управления затвором IRF9540N

Для эффективного управления IRF9540N важно правильно рассчитать цепь управления затвором:

  • Выбрать драйвер затвора, способный обеспечить необходимый ток заряда/разряда емкости затвора
  • Рассчитать резистор затвора для ограничения скорости нарастания напряжения на затворе
  • Использовать диод для быстрого разряда емкости затвора при выключении
  • Обеспечить надежное удержание затвора в закрытом состоянии при выключенном транзисторе

Правильно спроектированная цепь управления затвором позволит минимизировать потери при переключении и обеспечить надежную работу IRF9540N в различных режимах.



Транзистор польовий IRF9540N, P-канальний, -100V -23A IR- radiodetali.com.ua

Бренд: IR

Код товару:

53399

Опис:

корпус: TO-220, 140W

Кількість (шт): 1 шт. 2 шт. 5 шт.
Ціна (грн.): 30.0000 грн. 21.4600 грн.
19.4400 грн.

Товар тимчасово відсутній! Але ми можемо його замовити спеціально для Вас.


Технічні характеристики:
Опір 0. 117 Ohm
Струм -23 A
Напруга -100 V
Тип P-канальный
Корпус TO-220

Поділитися

Код товару: 13062

Резистор 1Вт-S, 1 kOm (5%), d3,2 L9, (MOF1WS)

Код товару: 48943

Конденсатор 25 uF 450 VAC 50/60Hz 5% d45 h75

Код товару: 51238

Транзистор польовий IRF9540N, P-канальний, -100V -23A

Код товару: 67640

Транзистор польовий IRF9540NPBF, P-канальний, -100V -23A

Усі товари будуть видалені з кошика. Продовжити?

Замовлення буде видалено, і повернутися до його редагування буде неможливо. Продовжити?

Менеджер отримає Ваше замовлення на допрацювання. Продовжити?

Оформити замовлення та відправити менеджеру на допрацювання? Я прочитав та приймаю умови угоди користувача

Підтвердити замовлення?

Транзисторы в Сызрани: 638-товаров: бесплатная доставка [перейти]

Партнерская программаПомощь

Сызрань

Каталог

Каталог Товаров

Одежда и обувь

Одежда и обувь

Стройматериалы

Стройматериалы

Текстиль и кожа

Текстиль и кожа

Здоровье и красота

Здоровье и красота

Детские товары

Детские товары

Электротехника

Электротехника

Продукты и напитки

Продукты и напитки

Дом и сад

Дом и сад

Промышленность

Промышленность

Вода, газ и тепло

Вода, газ и тепло

Торговля и склад

Торговля и склад

Все категории

ВходИзбранное

ЭлектроникаПолупроводниковые элементы и приборыТранзисторыТранзисторы

X1300 транзистор

В МАГАЗИНЕще цены и похожие товары

APL3510B VM81Y

В МАГАЗИНЕще цены и похожие товары

AP8263 DIP-8 SOT23-6

В МАГАЗИНЕще цены и похожие товары

Транзистор S8050 NPN биполярный транзистор, выходные каскады усилителей НЧ портативной аудиоаппаратуры

В МАГАЗИНЕще цены и похожие товары

Транзистор 2N2222 NPN 40В 0.

В МАГАЗИНЕще цены и похожие товары

Транзистор: IGBT, 440В, 20А, 125Вт, D2PAK STMicroelectronics STGB10NB37LZT4

В МАГАЗИНЕще цены и похожие товары

APL3510BXI-TRG

В МАГАЗИНЕще цены и похожие товары

Транзистор S9013 25В 0,5А

В МАГАЗИНЕще цены и похожие товары

Транзистор: N-MOSFET, полевой, 50В, 14А, 48Вт, DPAK ONSEMI RFD14N05SM9A

В МАГАЗИНЕще цены и похожие товары

Транзистор S9014 50В 0,1А

В МАГАЗИНЕще цены и похожие товары

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 6А; Idm: 18А; 45Вт; TO220FP TOSHIBA TK6A80E

В МАГАЗИНЕще цены и похожие товары

Транзистор S9018

В МАГАЗИНЕще цены и похожие товары

Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 2,7А, 110Вт, TO220-3 STMicroelectronics STP5NK80Z

В МАГАЗИНЕще цены и похожие товары

Транзистор 2N5401 PNP 150В 0. 6А 0.6Вт

В МАГАЗИНЕще цены и похожие товары

Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 20А, 500Вт, TO247-3 IXYS IXFh30N80P

В МАГАЗИНЕще цены и похожие товары

Транзистор S9012 25В 0,5А

В МАГАЗИНЕще цены и похожие товары

Транзистор: NPN, биполярный, Дарлингтон, 30В, 0,5А, 1,3Вт, SOT89 NEXPERIA BCV29.115

В МАГАЗИНЕще цены и похожие товары

Транзистор 2SC945 NPN 50В 0.1А 0.25Вт

В МАГАЗИНЕще цены и похожие товары

Транзистор МОП n-канальный, полевой, 60В, 800мА, 200мВт, SOT23 DC 2N7002

В МАГАЗИНЕще цены и похожие товары

Транзистор 2N3904 NPN 40В 0.2А 0.35Вт

В МАГАЗИНЕще цены и похожие товары

Транзистор N-MOSFET, полевой, 200В, 11А, 130Вт, D2PAK VISHAY IRF640SPBF

В МАГАЗИНЕще цены и похожие товары

Транзистор S9015 50В 0,1А

В МАГАЗИНЕще цены и похожие товары

Транзистор: PNP, биполярный, 45В, 0,5А, 225мВт, SOT23 ONSEMI BC807-40LT1G

В МАГАЗИНЕще цены и похожие товары

Транзистор S8550 PNP 25В 0. 5А 150МГц

В МАГАЗИНЕще цены и похожие товары

Транзистор NPN, биполярный, 50В, 100мА, 250мВт, SOT23 NXP PDTC143ET.215

В МАГАЗИНЕще цены и похожие товары

Транзистор С1815 NPN 50В 0.15А

В МАГАЗИНЕще цены и похожие товары

Транзистор: NPN, биполярный, 45В, 0,5А, 300мВт, SOT23 ONSEMI BCX19LT1G

В МАГАЗИНЕще цены и похожие товары

Транзистор 2N3906 PNP 40В 0.2А

В МАГАЗИНЕще цены и похожие товары

2 страница из 3

Техническое описание

IRF9540N — Технические характеристики: Полярность: P-канал; MOSFET Operating

Детали, техническое описание, цитата по номеру детали: IRF9540N
Деталь IRF9540N
Категория Дискретные => Транзисторы => Металлооксидные полупроводниковые полевые транзисторы (МОП-транзисторы)
Наименование 19 A, 100 В, 0,2 Ом, P-КАНАЛ, Si, POWER, МОП-транзистор
Описание
Компания Вишай Интертехнолоджи
Техническое описание Загрузить IRF9540N Техническое описание
Крест. Аналогичные детали: SFP9540, SFP9540
Цитата

Где купить

 

Технические характеристики  
Полярность P-канал
MOSFET Режим работы Улучшение
В (BR) DSS 100 Вольт
RDS (ON) 0,20007
Номер UNITS In IC7797777
.

Связанные продукты с тем же паспортом
ИРФ9540-001ПБФ
IRF9540-002
IRF9540-002PBF
IRF9540-003
ИРФ9540-003ПБФ
IRF9540-004
IRF9540-004PBF
IRF9540-005
IRF9540-005PBF
IRF9540-006
ИРФ9540-006ПБФ
IRF9540-007
Номер детали того же производителя Vishay Intertechnology
IRF9540N-002 Технические характеристики: Полярность: P-канал; MOSFET Режим работы: Улучшение; V(BR)DSS: 100 вольт; RDS(вкл. ): 0,2000 Ом; Количество единиц в IC: 1
ИРФ9601СПБФ
IRF9610-001
IRF9620-001

135D685X0125C2 : Мокрые танталовые конденсаторы, осевые, танталовый корпус с герметичным уплотнением стекло-тантал, для работы от -55°C до +200°C

RH010 : Резисторы с проволочной обмоткой, военные, соответствует требованиям Mil-prf-18546, тип RE, в алюминиевом корпусе, монтаж на шасси

MAL215875333E3 : Алюминиевые конденсаторы Power Ultra Long Life Snap-in

CRCW121884R5FKEK : Чип-резистор 84,5 Ом, 1 Вт — для поверхностного монтажа; RES 84,5 Ом 1 Вт 1% 1218 SMD Технические характеристики: Сопротивление (Ом): 84,5 Ом; Мощность (Ватт): 1 Вт; Допуск: 1%; Упаковка: лента и катушка (TR); Состав: Толстая пленка; Температурный коэффициент: 100ppm/C; Статус без свинца: без свинца; Статус RoHS: Соответствует RoHS

PR03000202701JAC00 : 2,7 кОм, 3 Вт, сквозные резисторы; RES 2.7K OHM METAL FILM 3W 5% Характеристики: Сопротивление (Ом): 2. 7K; Мощность (Ватт): 3 Вт; Допуск: 5%; Упаковка: Cut Tape (CT); Состав: Металлическая пленка; Температурный коэффициент: 250ppm/C; Статус без свинца: без свинца; Статус RoHS: соответствует RoHS

NTHS1206N06N1501JE : ТЕРМИСТОР NTC 1,5 кОм 5% 1206 -; THERMISTOR NTC 1.5K OHM 5% 1206 Характеристики: Сопротивление в Омах при 25C: 1.5K; В25/50: — ; В25/85: — ; В25/100: — ; В0/50: — ; Рабочая Температура: — ; Допуск сопротивления: 5%; Допуск значения B: 3%; Статус без свинца: без свинца; Статус RoHS: Соответствует RoHS

B6M-45 : 0,5 А, 600 В, КРЕМНИЕВЫЙ, МОСТОВОЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД Технические характеристики: Тип диода: МОСТОВОЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД ; Применение диодов: выпрямитель; ЕСЛИ: 30000 мА; Комплектация: МИНАТУРА, ПЛАСТИК, КОРПУС MBM, 4 PIN ; Количество выводов: 4; Количество диодов: 4

LCD-020N002M-GNE-EU : ЖК-МАТРИЧНЫЙ МОДУЛЬ СИМВОЛА Технические характеристики: Тип дисплея: Матричный

MMSZ4691-V-GS18 : 5,6 В, 0,5 Вт, КРЕМНИЕВЫЙ, ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ ДИОД РЕГУЛЯТОРА НАПРЯЖЕНИЯ Технические характеристики: Тип диода: ДИОД РЕГУЛЯТОРА НАПРЯЖЕНИЯ

NTCALUG01A103F : ТЕРМИСТОР NTC 10K OHM 1% ШАРИНА

 

0-C     D-L     M-R     S-Z      

Начало таблицы данных, запасы дистрибьюторов

1 2

0007
3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 2-1 2-2 2-3

© 2004-2022 digchip. com

IRF9540N datasheet — -100V Single P-channel HexFET Power MOSFET in a ТО-220АБ

Детали, спецификация, цитата по номеру детали: IRF9540N
Деталь IRF9540N
Категория Дискретные => Транзисторы => FET (полевые транзисторы) => MOSFET => P-Channel
Описание -100 В Мощный полевой МОП-транзистор HexFET с P-каналом в корпусе TO-220AB
Компания International Rectifier Corp.
Технический паспорт Загрузить IRF9540N Техническое описание
Крест. Аналогичные детали: SFP9540, SFP9540
Цитата

Где купить

 

 

Функции, приложения

Усовершенствованная технология обработки Динамический рейтинг dv/dt Рабочая температура 175°C Быстрое переключение P-канал Полностью лавинный рейтинг

Описание В МОП-транзисторах

пятого поколения компании International Rectifier используются передовые технологии обработки для достижения чрезвычайно низкого сопротивления в открытом состоянии на единицу площади кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью переключения и прочной конструкцией устройства, которыми хорошо известны мощные полевые МОП-транзисторы HEXFET, дает разработчику чрезвычайно эффективное и надежное устройство для использования в самых разных приложениях. Корпус TO-220 повсеместно предпочтительнее для всех коммерческих и промышленных приложений при уровне рассеиваемой мощности примерно до 50 Вт. Низкое термическое сопротивление и низкая стоимость упаковки TO-220 способствуют его широкому распространению в отрасли.

= 100C IDM PD @TC = 25C ​​VGS EAS IAR EAR dv/dt TJ TSTG Непрерывный ток стока, VGS при -10 В Непрерывный ток стока, VGS при -10 В Импульсный ток стока Рассеиваемая мощность Линейный Коэффициент снижения мощности Напряжение затвор-исток Одиночный импульс Лавинная энергия Лавинный ток Повторяющаяся лавинная энергия Пиковое восстановление диода dv/dt Рабочая температура перехода и диапазон температур хранения Температура пайки, в течение 10 секунд Момент затяжки или винт M3

RJC RCS RJA Соединение между корпусом и раковиной, плоская, смазанная поверхность Соединение с окружающей средой
RDS(on) VGS(th) gfs IDSS IGSS Qg Qgs Qgd td(on) tr td(off) LD LS Ciss Coss Crss

Параметр Напряжение пробоя сток-исток Напряжение пробоя Темп. Коэффициент Статический Сопротивление сток-исток Пороговое напряжение затвора Прямая крутизна Ток утечки сток-исток Прямая утечка затвор-исток Обратная утечка Затвор-исток Суммарный заряд затвора Заряд затвор-исток Заряд затвор-сток («Миллер») Заряд Время задержки включения Время нарастания Время задержки выключения Время спада Индуктивность внутреннего стока Индуктивность внутреннего источника Входная емкость Выходная емкость Обратная передаточная емкость

Макс. Единицы измерения Условия V VGS = -250A V/C Эталонное значение -1 мA 0,117 VGS -4,0 В VDS = V GS, -250A S VDS -11A -25 VDS = -100 В, VGS A -250 VDS = -80 В, VGS 150C 100 VGS nA -100 VGS 15 нКл VDS -80 В 51 VGS = -10 В, см. рис. 6 и 13 VDD = 4,2, см. рис. 10 Между выводом, nH G от корпуса и центром контакта кристалла VGS 0 В пФ VDS = 1,0 МГц, см. рис. 5

Параметр Непрерывный ток источника (корпусной диод) Импульсный ток источника (корпусной диод) Диод Прямое напряжение Время обратного восстановления Обратное восстановление Время включения при прямом заряде

Условия D Символ MOSFET -23, показывающий диод с обратным p-n переходом AG -76. = -11A, VGS 1200 нКл di/dt = -100A/с Собственное время включения незначительно (при включении преобладает LS+LD)

 

Номер детали того же производителя International Rectifier Corp.
IRF9540NL -100 В Одиночный P-канальный силовой МОП-транзистор HexFET в корпусе TO-262
IRF9540NPBF -100 В Одноканальный P-канальный мощный полевой МОП-транзистор HexFET в корпусе TO-220AB
IRF9540NS – 100 В, одиночный P-канальный силовой МОП-транзистор HexFET в корпусе TO-262
IRF9540PBF -100 В Одноканальный P-канальный мощный полевой МОП-транзистор HexFET в корпусе TO-220AB
IRF9540S -100 В Одиночный P-канальный мощный полевой МОП-транзистор с шестигранным полевым транзистором в корпусе D2-Pak
IRF9610 -200 В Одиночный P-канальный силовой полевой МОП-транзистор HexFET в корпусе TO-220AB
IRF9610S -200 В Одиночный P-канальный силовой МОП-транзистор HexFET в корпусе D2-Pak
IRF9620 -200 В Одиночный P-канальный силовой МОП-транзистор HexFET в корпусе TO-220AB
IRF9620G HexFET(r) Силовой МОП-транзистор: -200 В, -3,0 А
IRF9620S -200 В Одиночный P-канальный силовой полевой МОП-транзистор HexFET в корпусе D2-Pak
IRF9630 -200 В Одиночный P-канальный силовой полевой МОП-транзистор HexFET в корпусе TO-220AB
ИРФ9630С
IRF9640
IRF9640S -200 В Одиночный P-канальный силовой МОП-транзистор HexFET в корпусе D2-Pak
IRF9910 Двухканальный силовой МОП-транзистор с шестигранным полевым транзистором N, 20 В в корпусе SO-8
IRF9952 Мощный полевой МОП-транзистор с двойным N- и P-каналом, 30 В, HexFET, в корпусе SO-8
IRF9953 -30 В Двухканальный силовой МОП-транзистор HexFET в корпусе SO-8
IRF9956 Двухканальный силовой МОП-транзистор с шестигранным полевым транзистором N, 30 В, в корпусе SO-8
IRF9Z14 -60 В Одиночный P-канальный силовой МОП-транзистор HexFET в корпусе TO-220AB
IRF9Z14S – 60 В, одиночный P-канальный силовой МОП-транзистор HexFET в корпусе D2-Pak
IRF9Z14S/L HexFET (r) Силовой МОП-транзистор: -60 В, -6,7 А

IRLI520N : HexFET (r) Мощный МОП-транзистор

IRLIZ34N: одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HexFET на 55 В в корпусе TO-220 Fullpak (ISO)

JANTX1N6772 : Выпрямитель на 16 А

ST700C20L3L : Тиристор управления фазой

IRFB23N20DPBF : МОП-транзистор SMPS

IRKE166-04 : Стандартные восстановительные диоды

IRUK3055CQ01TR : Набор микросхем управления питанием ДЛЯ 3-фазных преобразователей VRM 9. 0

IRF6613TR1PBF: полевой транзистор — один дискретный полупроводниковый продукт 23 А, 40 В, 2,8 Вт, поверхностный монтаж; MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET Спецификации: Тип монтажа: Поверхностный монтаж; Тип FET: N-канальный MOSFET, оксид металла; Напряжение стока к источнику (Vdss): 40 В; Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C: 23A; Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3,4 мОм @ 23 А, 10 В; Входная емкость (Ciss) при Vds: 5950 пФ при 15 В; Мощность — макс.: 2,8 Вт; Упаковка: Cu

B40A10L: 40 А, 100 В, SCR Технические характеристики: VDRM: 100 В; ВРРМ: 100 вольт; ИТ (RMS): 40 ампер; IGT: 60 мА; Количество выводов: 4

IRKL26/16APBF: 42,39 А, 1000 В, SCR, TO-240AA Технические характеристики: VDRM: 1000 В; ВРРМ: 1000 вольт; ИТ (СКЗ): 42,39 А; IGT: 150 мА; Стандарты и сертификаты: RoHS; Тип упаковки: ADD-A-PAK-5; Количество выводов: 5

70UR160AYPDPBF : 250 А, 1600 В, КРЕМНИЕВЫЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД, DO-205AB Технические характеристики: Конфигурация: Одинарный; Количество выводов: 1; Количество диодов: 1 ; ЕСЛИ: 250000 мА; ВРРМ: 1600 вольт; Соответствует RoHS: RoHS

Та же категория

1SMC5 : Подавители переходного напряжения Зенера пиковой мощности 1500 Вт. Подавители переходных напряжений Zener с пиковой мощностью 1500 Вт Серия SMC предназначена для защиты компонентов, чувствительных к напряжению, от высоковольтных и мощных переходных процессов. Они обладают отличной способностью фиксации, высокой устойчивостью к перенапряжениям, низким импедансом стабилитрона и малым временем отклика. Серия SMC поставляется в эксклюзивном экономичном корпусе ON Semiconductor.

CPh4303 : . с Параметр Напряжение сток-исток Напряжение затвор-исток Ток стока (постоянный) Ток стока (импульсный) Допустимая мощность рассеивания Температура канала Температура хранения Обозначение VDSS VGSS ID IDP PD Tch Tstg PW10s, рабочий цикл 1% Установлен на керамической плате ( 900 мм20,8 мм) Условия Параметр Напряжение пробоя сток-исток Напряжение с нулевым затвором Ток стока.

FDh544 : Высоковольтные диоды общего назначения.

FSYE913A0D : Радиационно-стойкие, устойчивые к Сегре P-канальные силовые МОП-транзисторы. Радиационно-стойкие, устойчивые к SEGR мощные P-канальные полевые МОП-транзисторы Подразделение Intersil Corporation по производству дискретных продуктов разработало серию радиационно-стойких полевых МОП-транзисторов, специально предназначенных для коммерческих и военных космических приложений. Комбинируется повышенная устойчивость Power MOSFET к эффектам одиночного события (SEE), в частности к разрыву затвора одиночного события (SEGR).

SIGC121T120R2CL : Чипы высокого напряжения. Для применения с медленным переключением привода; Низкое напряжение насыщения.

T2322B : Симистор 2,5 А 200 В, упаковка: TO-225, контакты = 3. Разработан в первую очередь для переключения питания переменного тока. Чувствительность затвора этих симисторов позволяет использовать экономичные схемы управления на транзисторах или интегральных схемах, а также расширяет возможности их использования в маломощных приложениях управления фазой и переключения нагрузки. Очень высокая чувствительность затвора Низкое напряжение в открытом состоянии при высоких уровнях тока Микросхема, пассивированная стеклом, для стабильности.

NTMFS4925N : Силовой МОП-транзистор 30 В, N-канальный, 48 А, SO8FL Силовой МОП-транзистор 30 В, N-канальный, 48 А, корпус SO8FL.

BFU760F : Широкополосный кремниевый германиевый радиочастотный транзистор NPN NPN кремнийгерманиевый микроволновый транзистор для высокоскоростных малошумящих приложений в пластиковом 4-контактном корпусе SOT343F с двумя эмиттерами.

CD5CC010CO3 : КОНДЕНСАТОР СЛЮДЯНОЙ, 300 В, 0,000001 мкФ, ДЛЯ КРЕПЛЕНИЯ СКВОЗНЫМ ОТВЕРСТИЕМ. s: конфигурация/форм-фактор: конденсатор с выводами; Приложения: общего назначения; Электростатические конденсаторы: слюда; Диапазон емкости: 1,00E-6 мкФ; Допустимое отклонение емкости: 100 (+/- %); WVDC: 300 вольт; Способ крепления: сквозное отверстие; Рабочая температура: от -55 до 125 C (от -67 до 257 F).

DA2S101 : КРЕМНИЙ, УКВ-ДИАПАЗОН, МИКСЕР-ДИОД. s: Тип диода: МИКСЕРНЫЙ ДИОД ; Применение диодов: смеситель; Соответствует RoHS: RoHS.

ETC9-1 : ВЧ ТРАНСФОРМАТОР 20–220 МГц. s: Категория: Сигнал ; Другие типы трансформаторов/применения: RF; Монтаж: Чип-трансформатор; Рабочая температура: от -40 до 85 C (от -40 до 185 F).

KM-0.25A251K : 1 ЭЛЕМЕНТ, 250 мкГн, ИНДУКТОР ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ, SMD. s: Вариант монтажа: технология поверхностного монтажа; Устройства в упаковке: 1 ; Стиль ведения: WRAPAROUND; Применение: общего назначения, силовой дроссель; Диапазон индуктивности: 250 мкГн; Номинальный постоянный ток: 500 мА; Рабочая температура: от -55 до 125 C (от -67 до 257 F).

SL6360L : 3 ФАЗЫ, 3 А, КРЕМНИЕВЫЙ, МОСТОВОЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД. s: Тип диода: МОСТОВОЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД ; Применение диодов: выпрямитель; ЕСЛИ: 50000 мА; Количество выводов: 5; Количество диодов: 6.

STX0560-AP : СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР. Возможность работы при высоком напряжении Очень высокая скорость переключения Области применения Компактные люминесцентные лампы (КЛЛ) SMPS для зарядного устройства аккумуляторов TO-92 Это устройство изготовлено с использованием высоковольтной мультиэпитаксиальной планарной технологии для обеспечения высоких скоростей переключения и возможности работы при высоком напряжении. Он использует ячеистую структуру эмиттера с планарной краевой заделкой для повышения скорости переключения.

1658821-1 : ТРАНСФОРМАТОР ДАННЫХ ДЛЯ 10/100/1000 BASE-T; АВТОМИКС; ПРИЛОЖЕНИЕ(Я) ETHERNET. s: Категория: Сигнал ; Другие типы трансформаторов/применения: Импульсные трансформаторы, DATACOM TRANSFORMER; Монтаж: Чип-трансформатор; Стандарты: RoHS.

3549H-1AA-104B : РЕЗИСТОР, ПОТЕНЦИОМЕТР, ГИБРИД, 10 ОБОРОТОВ, 2 Вт, 100000 Ом. s: Тип потенциометра: стандартный потенциометр; Конус сопротивления: линейный; Монтаж/упаковка: панельный монтаж (втулка), СООТВЕТСТВУЕТ ROHS; Диапазон сопротивления: 100000 Ом; Допуск: 10 +/- %; Рабочая температура: от -40 до 125 C (от -40 до 257 F); Стандарты и сертификаты: RoHS.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *