Каковы основные характеристики транзистора IRFP150N. Где применяется этот силовой МОП-транзистор. Какие особенности нужно учитывать при его использовании. На что обратить внимание при выборе IRFP150N.
Основные характеристики транзистора IRFP150N
IRFP150N — это силовой N-канальный полевой МОП-транзистор (MOSFET), обладающий следующими ключевыми параметрами:
- Максимальное напряжение сток-исток: 100 В
- Максимальный постоянный ток стока: 41 А
- Максимальная рассеиваемая мощность: 230 Вт
- Сопротивление канала в открытом состоянии: 0,055 Ом
- Корпус: TO-247
Эти характеристики делают IRFP150N мощным и эффективным транзистором для применения в силовой электронике. Каковы преимущества использования этого транзистора в схемах? Низкое сопротивление канала обеспечивает малые потери при коммутации больших токов. Высокая допустимая мощность рассеивания позволяет работать с большими нагрузками.
Области применения транзистора IRFP150N
Благодаря своим характеристикам, IRFP150N находит широкое применение в различных областях силовой электроники:
- Импульсные источники питания
- Инверторы и преобразователи напряжения
- Драйверы электродвигателей
- Зарядные устройства
- Системы управления аккумуляторными батареями
- Усилители мощности звуковой частоты
Где еще может использоваться этот транзистор? IRFP150N подходит для любых приложений, требующих коммутации больших токов на частотах до нескольких сотен кГц. Его часто применяют в промышленном оборудовании, автомобильной электронике, системах альтернативной энергетики.
Особенности подключения и использования IRFP150N
При работе с IRFP150N необходимо учитывать некоторые важные моменты:
- Обязательно использование радиатора для отвода тепла при работе с большими токами.
- Необходимо обеспечить надежное управляющее напряжение на затворе 10-15 В для полного открытия канала.
- Желательно применение снабберных цепей для защиты от перенапряжений при коммутации индуктивной нагрузки.
- Следует соблюдать меры защиты от статического электричества при монтаже.
Какие еще нюансы нужно учесть? Важно не превышать предельно допустимые значения тока, напряжения и мощности, указанные в документации. При параллельном включении транзисторов рекомендуется применять выравнивающие резисторы в истоках.
Сравнение IRFP150N с аналогами
IRFP150N имеет ряд близких аналогов с похожими характеристиками:
- IRFP250N — более высокое напряжение 200 В, меньший ток 30 А
- IRFP260N — напряжение 200 В, ток 50 А
- IRFP4227 — напряжение 200 В, ток 65 А
Чем IRFP150N отличается от этих транзисторов? Он оптимизирован для работы на 100 В и обеспечивает лучшее соотношение сопротивления канала и допустимого тока в этом диапазоне напряжений. При выборе конкретной модели нужно исходить из требований схемы по напряжению, току и частоте работы.
Рекомендации по выбору и покупке IRFP150N
При приобретении транзисторов IRFP150N следует обратить внимание на несколько моментов:
- Покупать только у проверенных поставщиков электронных компонентов.
- Проверять маркировку и внешний вид на соответствие оригинальным изделиям.
- По возможности запрашивать у продавца даташит или техническую документацию.
- Учитывать рабочий диапазон температур в зависимости от условий эксплуатации.
На что еще стоит обратить внимание? Важно правильно рассчитать необходимое количество транзисторов с запасом. Для ответственных применений рекомендуется покупать транзисторы с небольшим запасом по характеристикам.
Особенности монтажа IRFP150N на печатную плату
При монтаже IRFP150N на печатную плату необходимо соблюдать следующие правила:
- Использовать качественный припой и флюс для надежной пайки
- Обеспечить хороший тепловой контакт с радиатором
- Правильно ориентировать транзистор согласно цоколевке
- Не допускать перегрева при пайке (не более 10 секунд при 300°C)
Какие еще нюансы важны при монтаже? Рекомендуется использовать теплопроводящую пасту между корпусом и радиатором. Выводы транзистора не следует изгибать близко к корпусу во избежание повреждений. При групповом монтаже нужно обеспечить достаточные зазоры между соседними транзисторами для охлаждения.
Схемы включения и типовые применения IRFP150N
Рассмотрим несколько типовых схем с использованием IRFP150N:
- Ключевой каскад в импульсном блоке питания
- Н-мост для управления коллекторным двигателем
- Преобразователь напряжения в солнечном инверторе
- Выходной каскад усилителя класса D
Какие особенности есть в этих схемах? В импульсных источниках питания важно обеспечить быстрое переключение и минимизировать потери на высоких частотах. В мостовых схемах управления двигателями критично согласованное управление верхними и нижними транзисторами для предотвращения сквозных токов. В инверторах требуется защита от перенапряжений при коммутации.
Краткие, основные характеристики зарубежных транзисторов
- Home: Справочник радиолюбителя: Транзисторы, краткие характеристики — стр.11
Справочник радиолюбителя
| Тип прибора | Описание | Тип прибора | Описание | |
| DTC114TS | Si-N 50B 0,1A R=10kOm | IRF9620 | P-FET 200В 3,5A 40Вт | |
| DTC114YS | Si-N 50В 0,1 A R= 10к0м/47к0м | IRF9630 | P-FET 200В 6,5A 75Вт | |
| DTC124EK | Si-N 50В 0,1 А 0,2Вт R=22kOm/22kOm | IRF9640 | P-FET 200В 11A 125Вт | |
| DTC124ES | Si-N 50В 0,1 A R=22kOm/22kOm | IRFBC30 | N-FET 600В 3,9A 100Вт | |
| DTC143EK | Si-N 50В 0,1 А 0,2Вт R=4,7kOm/4,7kOm | IRFBC40 | N-FET 600В6,2А125Вт | |
| DTC143ES | Si-N 50В 0,1 A R=4,7k0. m/4,7k0m | IRFBE30 | N-FET 800B 4,1 А 125Вт | |
| DTC143TS | Si-N 50В 0,1 A R=4,7kOm | IRFD120 | N-FET 100B 1,3A 1,3Вт | |
| DTC143XS | Si-N 50В 0,1 А 0,3Вт R=4,7kOm/1kOm | IRFD9120 | P-FET 100B 1A 1,3Вт | |
| DTC144EK | Si-N 50В 0,1 А 0,2Вт R=47kOm/47kOm | IRFD9220 | P-FET 200В 0,6A 1Вт | |
| DTC144ES | Si-N 50В 0,1 A R=47kOm/47kOm | IRFF120 | N-FET 100B 6A 20Bт | |
| DTC144EU | Si-N 50В 0.1А 0,2Вт R-47kOm/47kOm | IRFP054 | N-FET 60В 70A 230Вт | |
| DTC144TS | Si-N 50В 0,1 А 0,3Вт R=47kOm | IRFP064 | N-FET 60В 70A 300Вт | |
| DTC144WS | Si-N 50В 0,1 А 0,2Вт R=47kOm/22kOm | IRFP140 | N-FET 100B31A 180Вт | |
| ESM6045DV | N-DARL+D 450В 84А 250Вт | IRFP150 | N-FET 100В 40A 180Вт | |
| FT5754M | DARL, матрица | IRFP240 | N-FET 200В 20A 150Вт | |
| FT5764M | DARL, матрица | IRFP250 | N-FET 200В ЗЗА 180Вт | |
| GD243 | GE-P65B ЗА 10Вт | IRFP340 | N-FET 400В 11A 150Вт | |
| GT20D101 | N-IGBT 250В 20А 180Вт | IRFP350 | N-EET400B 18A 250Вт | |
| GT20D201 | P-IGBT 250В 20А 250Вт | IRFP360 | N-FET 400В 28A 410Вт | |
| H6N80 | N-FET 80бВ 4,2А 170Вт | IRFP450 | N-FET 500В 14A 180Вт | |
| HPA100R | Si-N+D 1500В 10А 150Вт 0,2 | IRFP460 | N-FET 500В 25A 410Вт | |
| HPA150R | Si-N+. D 1500В 15А 180Вт 0,2 | IRFP9140 | P-FET 100В 19A 150Вт | |
| IPP041N12N3 | МОП, N-kанал, 120А, 120В, Rds 0.0035Ом, Vgs3В, 300Вт | IRFP9240 | P-FET 200В 12A 150Вт | |
| IRG4BC40W | IGBT, N-канал, 600В, 40А, 60-150кГц | IRFPC40 | N-FET 600B6.8A 150Вт | |
| IRF120 | N-FET 100В 9,2А 60Вт | N-FET 600В 13A 250Вт | ||
| IRF140 | N-FET 100В 28А 150Вт | IRFPE40 | N-FET 800В 5,4A 150Вт | |
| IRF230 | N-FET 200В 9А 75Вт | IRFPE50 | N-FET 900В 7,8А 190Вт | |
| IRF240 | N-FET 200В 18А 125Вт | IRFPF40 | N-FET 900В 4,7А 150Вт | |
| IRF250 | N-FET 200В ЗОА 150Вт | IRFPF50 | N-FET 900В 6,7А 190Вт | |
| IRF330 | N-FET 400В 5,5А 75Вт | IRFR9024 | P-FET 60В 9,6А 50Вт 0,28Вт | |
| IRF340 | N-FET 400В 10А 125Вт | IRFZ20 | N-FET 50B 15А 40 Вт | |
| IRF350 | N-FET 400В 13А 150Вт | IRFZ44 | N-FET 60B 46А 250Вт | |
| IRF440 | N-FET 500В 8А 125Вт | IRFZ48 | N-FET 60В 50А 250Вт | |
| IRF450 | N-FET 500В 13А 150Вт | ITT9013G | Si-N 30B 0,5А 100МГц | |
| IRF520 | N-FET 100В 10A 70 Вт | J111 | N-FET 40В 50мА 0,4Вт | |
| IRF530 | N-FET 100В 16А 90Вт | J300 | N-FET 25В 6мА 0,35Вт | |
| IRF540 | N-FET100B 28А 150Вт | J309 | N-FET 25В ЗОмА Up | |
| IRF630 | N-FET 200В 9А 75Вт | J310 | N-FET 25В 60mA Up | |
| IRF640 | N-FET 200В 18А 125Вт | KSA708 | Si-N 80В 0,7А 0,8Вт 50МГц | |
| IRF644 | N-FET 250В 14А 125Вт | KSA733 | Si-P60B 0,15А 0,25Вт 50МГц | |
| IRF730 | N-FET 400В 5,5А 100Вт | KSC2316 | Si-N 120В 0,8А 0,9Вт 120МГц | |
| IRF740 | N-FET 400В 10А 125Вт | KSC2328A | Si-N30B 2А1 Вт 120МГц | |
| IRF740F | N-FET 400В 5,5А 40Вт | KSC2330 | Si-N 300В 0,1 А 50МГц | |
| IRF820 | N-FET 500В ЗА 75Вт | KSC2331 | Si-N80B 0,7А 1 Вт 30МГц | |
| IRF830 | N-FET 500В 4,5А 100Вт | КТА1273 | Si-P30B 2А 1 Вт 120МГц | |
| IRF830F | N-FET 500В ЗА 35Вт | КТС3198 | Si-N 60В 0,15А0,4Вт 130МГц | |
| IRF840 | N-FET 500В 4,5А 40Вт | КТС9012 | Si-Р ЗОВ 0. 5А 0,625Вт | |
| IRF840F | N-FET 500В 4,5А 40Вт | КТС9013 | Si-N ЗОВ 0,5А 0,625Вт | |
| IRF9140 | P-FET 100В 19А 125Вт | КТС9014 | Si-N 50В 0.15А0,625Вт | |
| IRF9240 | P-FET 200В 11А 125Вт | КТС9015 | Si-P 50B 0.15А 0,625Вт | |
| IRF9530 | P-FET 100В 12А88Вт | КТС9018 | Si-N 30B 20мА 0,2Вт 500МГц | |
| IRF9540 | P-FET 100В 19А 150Вт | KTD1351 | Si-N 60В ЗА 30Вт 3МГц | |
| IRF9610 | P-FET 200В 1,75А 20Вт | M54661P | 4x транз., матрица+диод 1,5A |
В следующую таблицу вошли полупроводниковые приборы:
MAT02FH; MGF1302; MJ10001; MJ10005; MJ1001; MJ10012; MJ10016; MJ11015; MJ11016; MJ11032; MJ11033; MJ15003; MJ15004; MJ15015; MJ15016; MJ15022; MJ15023; MJ15024; MJ15025; MJ16018; MJ2501; MJ2955; MJ3001; MJ4032; MJ4035; MJ413; MJ4502; MJ802; MJE13004; MJE13005; MJE13005; MJE13007; MJE13009; MJE15030; MJE15031; MJE18004; MJE18006; MJE18008; MJE210; MJE243; MJE253; MJE270; MJE271; MJE2955T; MJE3055T; MJE340; MJE350; MJE5850; MJE800; MJE8502; MJF18004; MJF18008; MJF18204; MJW16018; MJW16206; MJW16212; MPF102; MPS3640; MPSA06; MPSA10; MPSA12; MPSA14; MPSA18; MPSA42; MPSA44; MPSA56; MPSA70; MPSA92; MPSh20; MRF237; MRF455; MRF475; ON4359; P6N60; РН2222А; РН2369; PN2222A; PN2907; PN2907A; PN3563; PN3638; R1004; RFP40N10; S175; S2000AF; S2000N; S2055N; S2530A; SGSF313; SGSF313XI; SGSF344; SGSF445; SGSF464; SGSIF344; SGSIF444; SLA4061; SLA4390; SS8050; SS8550; SSM2210P; SSM2220P; STA301A; STA341M; STA401A; STA402A; STA403A.
IRFP150 N-FET 100V 40A 180W window.curr = { sign: ‘лв’, rate: 1.000000 };
Назад | Начало » Електронни компоненти » Транзистори » IRFP150 N-FET 100V 40A 180W
Налични: 2 бр.Време за доставка: 1-3 работни дни За поръчки: 0882579840 Направи запитване ›Добави в избрани продукти
Рейтинг: 012345 0.0/5 на базата на 1 оценка
Детайлно описание
В момента няма техническа информация за този продукт.
Технически характеристики
В момента няма техническа информация за този продукт.
Документи за сваляне
В момента няма файлове за сваляне за този продукт.
Подобни продукти
6.26 лв ТРАНЗИСТОР
4.75 лв Време за доставка: 1-3 работни дниТРАНЗИСТОР
1.62 лв Време за доставка: 1-3 работни дниSI-N 600V 8A 45W ТРАНЗИСТОР
3.11 лв Време за доставка: 1-3 работни дниТРАНЗИСТОР
8.56 лв Време за доставка: 1-3 работни дниТРАНЗИСТОР
0.
18 лв
SI-N 50V 0.1A 0.3W 250MHz ТРАНЗИСТОР
0.76 лв Време за доставка: 1-3 работни дниТРАНЗИСТОР
14.60 лв SI-N-DARL+D 250V 15/30A 150W ТРАНЗИСТОР
2.89 лв Време за доставка: 1-3 работни дниSI-N-DARL+D 140/120V 16A 150W ТРАНЗИСТОР
0.38 лв SI-N 300V 0.1A 1.8W ТРАНЗИСТОР
1.80 лв N-FET 60V +-25A 25W
0.
32 лв
Време за доставка: 1-3 работни дниSI-N 60V 0.1A 0.5W 100MHz ТРАНЗИСТОР
2.27 лв Време за доставка: 1-3 работни дниSI-N+D 1500V 7A 50W 31.5KHz ТРАНЗИСТОР
1.91 лв Време за доставка: 1-3 работни дниSI-N+D 1500V 8A 70W ТРАНЗИСТОР
3.02 лв Време за доставка: 1-3 работни дниТРАНЗИСТОР
Распиновка транзистораIRFP150, эквивалент, особенности, применение и другая информация подробности об этом транзисторе.
Реклама
Реклама
Характеристики/технические характеристики:
- Тип упаковки: ТО-247
- Тип транзистора: Канал N
- Максимальное напряжение от стока к источнику: 100 В
- Максимальное напряжение между затвором и источником должно быть: ± 20 В
- Максимальный постоянный ток утечки: 41A
- Максимальный импульсный ток стока: 160 А
- Максимальная рассеиваемая мощность: 230 Вт
- Максимальное сопротивление сток-исток во включенном состоянии (RDS вкл.
): 0,055 Ом - Максимальная температура хранения и рабочая температура должна быть: от -55 до +150 по Цельсию
): 0,055 Ом Замена и аналог:
IRFP151, IRFP152, IRFP153, BUZ345, IRFP140, IRFP4227, IRFP4229, IRFP4321, IRFP150N , 2N6764, 2N6763, MTW45N10E, RFG40N10, SSH60N08, SSH60N10, STh55N10, STW50N10
Описание транзистора IRFP150:
IRFP150 — это N-канальный силовой полевой МОП-транзистор со многими хорошими характеристиками. Транзистор выпускается в корпусах ТО-247 и других; это надежный и прочный транзистор, пригодный для использования в коммерческих схемах. Он также имеет хорошие характеристики, благодаря которым его можно использовать в самых разных приложениях, некоторые особенности транзистора:
Простые требования к приводу:
Транзистор имеет простые требования к приводу, благодаря чему его можно использовать непосредственно на выходе ИС и микроконтроллеров, а также на выходе многих электронных платформ, таких как arduino и raspberry pi.
Высокая скорость переключения:
Высокая скорость переключения делает его надежным для использования в приложениях, где высокая скорость переключения является обязательным требованием.
Низкое сопротивление RDS(on):
Общее сопротивление RDS(on) также очень низкое. RDS(on) — это сопротивление между стоком и истоком транзистора во включенном состоянии.
Выше перечислены некоторые характеристики транзистора, другие характеристики включают низкую входную емкость, очень хорошую стабильность при высоких напряжениях, надежность при высоких температурах и т. д. составляет 41 А, максимальное напряжение сток-исток — до 100 В, максимальная рассеиваемая мощность — 230 Вт, а максимальное сопротивление сток-исток в стадии включения или RDS (вкл.) — 0,055 Ом.
Основными приложениями или приложениями, для которых этот транзистор создан, являются управление двигателем, инверторы, прерыватели и импульсные источники питания.
Но он также может быть использован в различных других приложениях.
Где мы можем его использовать и как использовать:
Как уже упоминалось выше, основное применение транзистора — управление двигателем, коммутационные источники питания, инверторы и прерыватели, но его также можно использовать в других приложениях, таких как постоянный ток. в преобразователь постоянного тока, усилители звука и многое другое.
Применение:
Импульсные источники питания
Источники бесперебойного питания
Цепи зарядного устройства
Цепи BMS 9 0003
Солнечные зарядные устройства
Солнечные источники питания
Преобразователи постоянного тока в постоянный
Приложения для драйверов двигателей
Применение усилителя звука высокой мощности
Руководство по безопасной эксплуатации / Абсолютные максимальные рейтинги:
Чтобы получить долгосрочную производительность от IRFP150, не используйте его до абсолютного максимума и всегда используйте 20% ниже его максимального рейтинга.
Максимальный непрерывный ток стока составляет 41 А, поэтому не подключайте нагрузку более 32,8. Максимальное напряжение сток-исток составляет 100 В, поэтому не подключайте нагрузку более 80 В. Используйте подходящий радиатор с транзистором и всегда храните или эксплуатируйте МОП-транзистор при температуре выше -55°C и ниже +150°C.
Лист данных:
Чтобы загрузить техническое описание, просто скопируйте и вставьте ссылку ниже в адресную строку браузера.
https://cdn.datasheetspdf.com/pdf-down/I/R/F/IRFP150_Vishay.pdf
irfp150%20equivalent техпаспорт и примечания по применению
ирфп150
Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование
1998 — IRFP150
Реферат: TA17431 IRFP151 IRFP153 IRFP152 TB334 12V 40A Реле двигателя 170uH
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
1994 — IRFP150
Реферат: IRFP150FI irfp.
150
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
Недоступно
Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование
Недоступно
Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование
Недоступно
Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование
2009 — IRFP150
Аннотация: замечания по применению irfp150 IRFP150P
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
IRFP150
заметки по применению irfp150
ИРФП150ПIRFP150
Аннотация: IRFP RE 40
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование
IRFP150
Аннотация: C4023 GC527 IRFP150FI c2814 TC08 Tc03s
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование
2001 — сил 5102
Аннотация: IRFP150 TB334
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
IRFP150
Аннотация: ИК 740p 740p 441D irfp150 ИК
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование
Недоступно
Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование
2008 — IRFP150
Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
IRFP1501999 — 4311 МОП-транзистор
Реферат: Транзистор TL 4311 TL 4311 IRFP150 TB334 T2T-2
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
2000 — сил 5102
Реферат: 150N IRFP150 TB334 PO40A
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
2002 — IRFP150
Аннотация: 150N TB334
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
2001 — irfp150
Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
Недоступно
Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование
ЦЭ 151
Реферат: транзистор irfp IRFP152 IRFP150 IRFP 150fi IRFP P CHANNEL IRFP150FI IRFP151 IRFP транзисторы
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование
транзистор irfp 150
Реферат: IRFP 150 транзистор irfp IRFP P CHANNEL IRFP IRFP150 3421A транзистор irfp IRFP-150
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование
2011 — заметки по применению irfp150
Аннотация: IRFP150P
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
заметки по применению irfp150
ИРФП150Пирфп150
Реферат: мосфет ir 250p
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование
ПД-441Б
Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование
ИРФП РЭ 40
Реферат: IRFP P CHANNEL IRFP150 SGS Транзистор
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование
2012 — Недоступно
Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
Похожие записи
