IRFZ24N: Мощный N-канальный MOSFET транзистор для силовой электроники

Каковы основные характеристики транзистора IRFZ24N. Где применяется IRFZ24N в электронных схемах. Какие аналоги существуют для IRFZ24N. Как правильно использовать IRFZ24N в проектах.

Основные характеристики и параметры IRFZ24N

IRFZ24N представляет собой мощный N-канальный MOSFET транзистор, разработанный компанией International Rectifier с использованием технологии HEXFET пятого поколения. Данная технология позволяет достичь следующих ключевых параметров:

• Максимальное напряжение сток-исток: 55 В
• Максимальный постоянный ток стока: 17 А
• Сопротивление открытого канала: 0.07 Ом
• Максимальная рассеиваемая мощность: 45 Вт
• Корпус: TO-220AB

Благодаря низкому сопротивлению открытого канала и высокой скорости переключения, IRFZ24N отлично подходит для применения в импульсных источниках питания и силовой электронике.

Области применения IRFZ24N в электронных схемах

Где чаще всего используется транзистор IRFZ24N? Основные области применения включают:

• Импульсные источники питания
• DC-DC преобразователи
• Драйверы электродвигателей
• Системы управления нагрузкой
• Усилители мощности класса D

В импульсных источниках питания IRFZ24N часто используется в качестве ключевого элемента, обеспечивая эффективное переключение с минимальными потерями. В драйверах двигателей транзистор позволяет управлять высокими токами нагрузки.

Использование IRFZ24N в импульсных источниках питания

Как правильно применить IRFZ24N в схеме импульсного источника питания? Ключевые рекомендации:

1. Обеспечить надежный теплоотвод через радиатор
2. Использовать драйвер затвора для быстрого переключения
3. Минимизировать паразитные индуктивности в цепи стока
4. Защитить затвор от перенапряжений

При правильном применении IRFZ24N позволяет создавать эффективные и компактные импульсные преобразователи мощностью до нескольких сотен ватт.

Распиновка и цоколевка IRFZ24N

IRFZ24N выпускается в корпусе TO-220AB, имеющем следующую распиновку выводов:

• 1 — Затвор (G)
• 2 — Сток (D)
• 3 — Исток (S)

Металлическая подложка корпуса электрически соединена с выводом стока. Это позволяет эффективно отводить тепло, но требует использования изолирующей прокладки при монтаже на радиатор.

Особенности монтажа IRFZ24N

На что обратить внимание при монтаже IRFZ24N на печатную плату? Ключевые моменты:

• Обеспечить достаточную площадь медной фольги для отвода тепла
• Использовать теплопроводящую пасту между корпусом и радиатором
• Минимизировать длину выводов, особенно затвора
• При необходимости применить изолирующую прокладку

Правильный монтаж критически важен для обеспечения надежной работы транзистора в мощных схемах.

Аналоги и замены для IRFZ24N

Какие транзисторы могут служить заменой IRFZ24N? Наиболее близкие аналоги включают:

• STB140NF55 (STMicroelectronics)
• STP16NE06 (STMicroelectronics)
• IRFZ34N (International Rectifier)
• BUZ101S (Infineon)
• PHP3055E (NXP Semiconductors)

При выборе аналога следует обращать внимание на ключевые параметры — максимальное напряжение, ток, сопротивление открытого канала. Не все аналоги являются полностью взаимозаменяемыми.

Сравнение IRFZ24N и IRFZ34N

Чем отличается IRFZ24N от популярного аналога IRFZ34N? Основные различия:

Параметр	IRFZ24N	IRFZ34N
Макс. напряжение сток-исток	55 В	55 В
Макс. ток стока	17 А	29 А
Сопротивление открытого канала	0.07 Ом	0.04 Ом

IRFZ34N обладает меньшим сопротивлением канала и способен пропускать больший ток, что делает его более подходящим для высокомощных применений.

Рекомендации по применению IRFZ24N

Как добиться максимальной эффективности при использовании IRFZ24N? Основные рекомендации:

1. Не превышать максимально допустимых значений тока и напряжения
2. Обеспечить эффективный теплоотвод
3. Использовать быстрые драйверы затвора
4. Минимизировать паразитные индуктивности в силовых цепях
5. Защитить затвор от перенапряжений

При проектировании схем с IRFZ24N следует учитывать температурную зависимость параметров транзистора. С ростом температуры увеличивается сопротивление открытого канала, что приводит к дополнительным потерям.

Защита IRFZ24N от перенапряжений

Как защитить IRFZ24N от выхода из строя при перенапряжениях? Основные методы:

• Установка TVS-диода между стоком и истоком
• Использование снабберных RC-цепочек
• Применение защитных стабилитронов в цепи затвора
• Ограничение скорости нарастания напряжения dv/dt

Правильно спроектированная схема защиты позволяет значительно повысить надежность устройств на основе IRFZ24N.

Особенности производства и качество IRFZ24N

IRFZ24N производится рядом компаний, включая International Rectifier, Infineon, NXP Semiconductors. Какие факторы влияют на качество транзисторов?

• Технология производства кристалла
• Качество корпусирования
• Методы контроля и тестирования
• Стабильность технологического процесса

Транзисторы от ведущих производителей, таких как International Rectifier, обычно демонстрируют наиболее стабильные характеристики и высокую надежность. При выборе поставщика следует обращать внимание на репутацию бренда и отзывы разработчиков.

Выявление поддельных IRFZ24N

Как отличить оригинальный IRFZ24N от подделки? Основные признаки:

1. Качество маркировки на корпусе
2. Соответствие заявленным электрическим параметрам
3. Качество изготовления выводов и корпуса
4. Наличие документации от производителя

При малейших сомнениях в подлинности компонентов рекомендуется проводить входной контроль и тестирование ключевых параметров транзисторов.

Перспективы развития MOSFET технологии

Какие тенденции наблюдаются в развитии MOSFET транзисторов? Основные направления включают:

• Снижение сопротивления открытого канала
• Увеличение плотности тока
• Повышение рабочих частот
• Улучшение теплового сопротивления корпусов
• Интеграция защитных функций

Новые поколения MOSFET транзисторов позволяют создавать все более эффективные и компактные устройства силовой электроники. Однако IRFZ24N по-прежнему остается популярным выбором для многих применений благодаря оптимальному сочетанию характеристик и стоимости.

IRFZ24N характеристики транзистора, datasheet, цоколевка и аналоги

Главная » Транзисторы

По своим техническим характеристикам IRFZ24N является мощным n-канальным МОП (MOSFET) транзистором. Он изготавливается по технологии HEXFET® пятого поколения, разработанной компанией International Rectifier (IR). Этот способ производства позволяет добиться минимального сопротивления n-канала полевика, при большой скорости переключения и высокой надежности. Благодаря этим преимуществам хорошо подходит для использования в импульсных блоках питания, системах управления электрическим приводом.

Многие путают рассматриваемое устройство с транзистором IRFZ24. Имейте ввиду, что последний имеет близкие по своим значениям, но все же немного другие параметры.

Содержание

1. Цоколевка
2. Технические характеристики
3. Электрические
4. Аналоги
5. Производители

Цоколевка

Распиновка IRFZ24N у большинства производителей выполнена в стандартном пластиковом корпусе ТО-220AB, с максимальной рассеиваемой мощностью около 50 Вт. Благодаря низкому тепловому сопротивлению и невысокой стоимости эта упаковка завоевала широкое распространение. Расположение выводов показано на рисунке. Цифрой 1 обозначен затвор (G), под номером 2 – сток (D), 3 – исток (S). Радиатор имеет характерное отверстие для крепления устройства на печатную плату и физический контакт со стоком.

На российском рынке встречаются и более совершенные транзисторы данного типа. Таким устройством является IRFZ24N, также в корпусе ТО220AB, от компании Philips Semiconductor. Они отличаются от классических тем, что выпускаются с применением так называемой «траншейной» технологии  (Trench MOSFET) и имеют в сравнении с ними немного лучшие характеристики. Например, сопротивление открытого n-канала у них меньше, чем у обычного планарного полевого транзистора MOSFET. Кроме того предусмотрена защита от электростатических разрядов, при использовании в импульсных источниках питания до 2 кВ.

Технические характеристики

Рассмотрим максимально возможные характеристики MOSFET-транзистора IRFZ24N:

• напряжение сток-исток (V_DSSmax) до 55 В;
• сопротивление открытого N-канала (R_DS(ON)) до 0. 07 Ом;
• допустимый рабочий ток стока(I_{D max}): при температуре кристалла T_C = +25^ОС до 17 А; при T_C = +100^ОС до 12 А;
• пиковый (импульсный) ток стока (I_{DМ max}) — 68 А;
• рассеиваемая мощность при T_C = +25^ОС (P_D) — 45 Вт;
• предельно допустимое отпирающее напряжение между затвором и истоком (V_{GS max}) ±20 В;
• максимальная энергия единичного импульса (E_AS) – 71 мДж;
• пиковый неповторяющийся ток, допустимый в лавинных условиях (I_AR) – 10 А;
• неповторяющаяся энергия, которая может быть рассеяна в условиях лавинного пробоя (E_AR) – 4,5 мДж;
• наибольший возможный импульс на восстанавливающемся диоде dv/dt – 5.0 В/нс;
• диапазон температур, при которых может храниться изделие от — 55 до +175 °C;
• температура пайки (не более 10 секунд) – 300 (на расстоянии 1,6 миллиметра от упаковки).

При этом надо знать, что реальные рабочие значения у устройства должны быть меньше предельно допустимых примерно на 20-30%.

Электрические

Электрические параметры IRFZ24N приведены в таблице ниже. Других значения при которых производились измерения, приведены в отдельном столбе. Температура перехода (T_J) равна +25^ОС, если не указано другого.

Аналоги

Полным аналогом irfz24n считается транзистор STB140NF55 (STMicroelectronics) . Правда у них корпус ТО220, но расположение выводов (распиновка) совпадает с оригиналом. В большинстве случаев, при его использовании, не потребуется вносить дополнительных изменений в схему. А вот еще возможные варианты замены для рассматриваемого устройства с похожими параметрами: 2SK1114, BUZ10, BUZ101, BUZ101S, BUZ104, BUZ104S, HUF75307P3, HUF75309P3, IRFZ24A, MTP15N06V, MTP20N06V, RFP14N05, RFP14N06, RFP15N06, SFP16N06, STP140NF55, STP16NE06, STP20N06, STPNE06, STP20NF06, 2SK2311, IRFIZ24A, 2SK2311, IRFWZ24A, STB16NF06LT.

Производители

Выпуском этого изделия занимаются такие зарубежные фирмы: Inchange Semiconductor, International Rectifier, TRANSYS Electronics, Philips Semiconductors, ARTSCHIP Electronics, Kersemi Electronic, NXP Semiconductors.

В России продаются транзисторы, изготовленные следующими компаниями: International Rectifier, Philips Semiconductors. Нажав на название можно скачать datasheet на irfz24n от интересующего производителя.

MOSFET

Транзистор IRFZ24N: характеристики, datasheet и аналоги

В данном тексте подробно рассмотрены характеристики МОП (MOSFET) транзистора IRFZ24N. Встречается в стабилизаторах, преобразователях, вторичных источниках питания, блоках управления и узлах радиоэлектроники. Его производство выполняется по технологии HEXFET, руководствуясь разработками International Rectifier.

Распиновка

Производятся в корпусе TO220 модификации AB с медным никелированным основанием. Возможно подключение с общими затвором, стоком или истоком.

Цоколевка IRFZ24N приведена ниже. Расшифровка обозначений на рисунке следующая:

• G – Gate, затвор, база.
• D – Drain, сток, коллектор.
• S – Source, исток, эмиттер.

Коллектор физически соединён с радиатором. В результате в расстоянии до корпуса создаётся термическое сопротивление 0,5-1,0 К/Вт. Без последнего элемента – увеличивается до 1-5 К/Вт. Данные актуальны для нормальных условий без учёта изоляционной прокладки. Особое отверстие обеспечивает взаимодействие с печатными платами.

Существуют другие модели транзистора IRFZ24N. Например, серия с применением технологии Trench гарантирует меньшее сопротивление открытого канала, при использование в импульсных источников питания.

Характеристики

Превышение допустимых показателей чревато повреждением и некорректным функционированием устройства в котором работает данный транзистор. Для IRFZ24N максимальные характеристики равны:

• Напряжение пробоя – 55 В;
• Максимальный ток коллектора – 17 А;
• Сопротивление открытого канала – 0,07 Ω;
• Диапазон температур: от -55 до +175 °C.

Электрические характеристики

Название	Режимы	Значение
Напряжение затвора, В	VGD = VGS, ID = 10 A	2,0 – 4,0
Ток утечки сток-исток, мкА	VGS = 0 В, VDS = 55 В	До 25
	VGS = 0 В, VDS = 44 В, TJ = 150 °C	До 250
Ток утечки, нА	VGS = 20 В	До 100
Заряд затвора, нКл	ID = 10 A, VDG = 44 В, VGS = 10 В	20
Заряд затвор-исток, нКл		5,3
Заряд затвор-сток, нКл		7,6
Задержка включения, нс	ID = 10 A, VDD = 28 В, RG = 24 Ом RD = 2,6 Ом	4,9
Нарастание, нс		34
Задержка выключения, нс		19
Спад, нс		27
Индуктивность стока, нГн	—	4,5
Индуктивность истока, нГн	—	7,5
Входная емкость, пФ	VGS = 0 В, VDS = 25 В, f = 1,0 мГц	370
Выходная емкость, пФ		140
Обратная переходная емкость, пФ		65
Ток истока постоянный, А	—	17
Ток истока импульсный, А	—	68
Напряжение на диоде, В	TJ = 25 °C, IS = 10 A, VGS = 0 В	1,3
Обратное восстановление, нс	TJ = 25 °C, IS = 10 A, di = 100 A	83
Обратное восстановление заряда, нКл		180

Аналоги

Два транзистора можно назвать полными аналогами IRFZ24N:

• STB140NF55T4;
• STB140NF55-1.

Функциональные аналоги имеют похожие свойства. К таковым относятся:

• 2SK2232, BUK452-60A;
• BUK452-60B, BUK7575-55;
• BUZ71, PHP3055E;
• RFP3055, RFP3055;
• BUK7675-55, MTB15N06V.

Производители и DataSheet

Ниже приведены все известные производители IRFZ24N и их datasheet:

• International Rectifier;
• Kersemi Electronic Co;
• NXP Semiconductors;
• Artschip Electronics Co.

На российском рынке популярны изделия компании Philips (NXP Semiconductors).

IRFZ24N Распиновка, эквивалент, применение и другая важная информация

IRFZ24N — это N-канальный транзистор в корпусе TO-220, в этом посте описывается распиновка IRFZ24N, эквивалент, области применения и другая важная информация о том, как и где использовать этот полевой МОП-транзистор.

Объявления

Объявления

 

Характеристики/технические характеристики

• Тип упаковки:  TO-220
14
• Тип транзистора: Канал N
• Максимальное напряжение от стока к источнику: 55 В
• Максимальное напряжение между затвором и источником должно быть: ± 20 В
• Максимальный постоянный ток утечки: 17A
• Максимальный импульсный ток стока: 68 А
• Максимальная рассеиваемая мощность: 45 Вт
• Сопротивление сток-исток во включенном состоянии (RDS вкл. ): 0,07 Ом
• Максимальная температура хранения и рабочая температура должна быть: от -55 до +150 градусов Цельсия

 

Replacement and Equivalent

IRFZ24, IRFZ34, IRFZ34A, IRFZ34E, IRFZ34N, IRLIZ24G, IRLIZ24N, IRLR024, IRLZ24, IRLIZ34G, BUZ101S, BUZ101SL, BUZ103S, BUZ103SL, BUZ104S, BUZ104SL, BUZ10S2, BUZ71S2, IRFIZ24E , IRFIZ24G, IRFIZ24N, IRFSZ24A, IRFIZ34E, IRFIZ34G, IRFIZ34N, IRFP153(R),  STP80N05-09, MTP75N05HD, 2SK2232, 2SK2782, 2SK2311, BUK453-60A, BUK453-60B, BUK455-60B, BUK473-60A, BUK475-60B, БУК543-60А, БУК543-60А, БУК545-60А, БУК553-60А, БУК554-60Х, БУК555-60А, БУК555-60Б, БУК574-60Х, БУК7570-55, БУК9570-55, MTP15N06E, MTP15N06V, MTP15N06VL, NDP4060, NDP5060, PHX15N06E, RFP15N05, RFP17N06L, STP16NE06, STP20N06.

 

Полевой МОП-транзистор IRFZ24N Объяснение / Описание

IRFZ24N — это N-канальный МОП-транзистор, изготовленный в корпусе TO-220. Транзистор предназначен для использования в широком спектре приложений общего назначения. МОП-транзистор отличается высокой скоростью, низким сопротивлением и обеспечивает защиту от неожиданных всплесков переходного напряжения до 2 кВ. Транзистор может управлять максимальной нагрузкой 17 А при напряжении нагрузки до 55 В, а также способен управлять нагрузкой 68 А в одиночном импульсе. Все вышеперечисленные особенности делают этот полевой МОП-транзистор идеальным для использования в таких приложениях, как высокоскоростное переключение, источники питания и т. д.

Помимо этого, это устройство также можно использовать в качестве отдельного усилителя, а также в каскадах усилителя звука высокой мощности.

 

 

Где мы можем его использовать и как использовать

МОП-транзистор IRFZ24N предназначен для использования в высокоскоростных коммутационных устройствах, поэтому его можно использовать в любых коммутационных приложениях, где высокая скорость имеет решающее значение, например, в цепи ИБП. . Помимо этого, его также можно использовать в самых разных импульсных источниках питания, схемах контроллеров двигателей, схемах преобразователей и т. д. Его также можно использовать в местах, где существует риск непредвиденных скачков напряжения.

Помимо этого, его можно использовать в любом приложении общего назначения, подпадающем под его рейтинги. Кроме того, его также можно использовать для создания мощных аудиоусилителей.

Применение

Непрерывные источники питания

Преобразователи напряжения

Поставки электроэнергии

СПАСОВЫЕ ОБРАЗОВЫ0014

Чтобы обеспечить долгосрочную и стабильную работу с IRFZ24N, всегда используйте номинал на 20% ниже максимального. Максимальный непрерывный ток стока транзистора составляет 17 А, поэтому не подключайте нагрузку более 13,6 А, максимальное напряжение сток-исток составляет 55 В, поэтому не подключайте нагрузку более 44 В. Используйте подходящий радиатор с транзистором и всегда храните или используйте этот транзистор при температуре выше -55 градусов по Цельсию и ниже +150 градусов по Цельсию.

 

Техническое описание

Чтобы загрузить техническое описание, просто скопируйте и вставьте ссылку ниже в адресную строку браузера.

https://cdn.datasheetspdf.com/pdf-down/I/R/F/IRFZ24N_InternationalRectifier.pdf

Fehler 404

Fehler 404 изображение/svg+xml

Auswahl von Land und Sprache beeinflusst Deine Geschäftsbedingungen, Produktpreise und Sonderangebote

Sprache

Верунг

Preise

нетто

брутто

нетто

брутто

Nutze diesuchmaschine, um Themen zu finden, die Dich interessieren:

Каталог Ви кауфт человек Хильфе

или zurück zu: Дом

Abonnieren Sie jetzt

В том же информационном бюллетене вы найдете самые интересные и интересные сведения о новых продуктах, продуктах и ​​услугах на веб-сайте TME.
Hier können Sie sich auch von der Liste abmelden.

* Pflichtfeld

AnmeldenAuf Mitteilungsblatt verzichten

Ich habe mich mit der Ordnung des TME-Bulletins bekannt gemacht und erteile meine Zustimmung, damit das elektronische Informationsbulletin des TME-Dienstes meine E-Mail-Adresse geschickt wird. Ordnung des TME-Bulletins

*

1. Transfer Multisort Elektronik sp. о.о. mit Sitz в Лодзи, Адрес: ул. Ustronna 41, 93-350 Łódź teilt hiermit mit, dass sie der Administrator Ihrer personenbezogenen Daten sein wird.
2. Ein Datenschutzbeauftragter wird beim Administrator der personenbezogenen Daten ernannt und kann per E-Mail unter [email protected] kontaktiert werden.
3. Ihre Daten werden verarbeitet auf Grundlage von Art. 6 Абс. 1 лит. a) der Verordnung des Europäischen Parlaments und des Rates (EU) 2016/679vom 27. April 2016 zum Schutz natürlicher Personen bei der Verarbeitung personenbezogener Daten und zum freien Datenverkehr und zum Aufhebung der Richtlinie 95/46/EG (nachstehend «DSGVO» genannt), um an die angegebene E-Mail-Addresse den elektronischen Newsletter von TME цу сенден.
4. Die Angabe der Daten ist freiwillig, jedoch für den Versand des Newsletters erforderlich.
5. Ihre personenbezogenen Daten werden gespeichert, bis Ihre Einwilligung für die Verarbeitung Ihre personenbezogenen Daten widerufen.
6. Sie haben das Recht auf Zugang, Berichtigung, Löschung oder Einschränkung der Verarbeitung Ihrer Daten;
Soweit Ihre personenbezogenen Daten aufgrund einer Einwilligung verarbeitet werden, haben Sie das Recht, die Einwilligung zu widerufen. Der Widerruf der Einwilligung berührt nicht die Rechtmäßigkeit der Verarbeitung auf der Grundlage der Einwilligung vor dem Widerruf.
7. Soweit Ihre Daten zum Zwecke des Vertragsabschlusses und der Vertragsabwicklung oder aufgrund Ihrer Einwilligung verarbeitet werden, haben Sie auch das Recht, Ihre personenbezogenen Daten zu übertragen, d. час von der verantwortlichen Stelle in structurierter, allgemein üblicher und maschinenlesbarer Form zu erhalten. Sie können diese Daten einen anderen Datenadministrator übersenden.
8. Sie haben auch das Recht, eine Beschwerde bei der für Datenschutz zuständigen Aufsichtsbehörde einzureichen.

больше Венигер

TME-Newsletter abonnieren

Ангбот — Рабат — Нойхайтен. Sei auf dem Laufenden mit dem Angebot von TME

AGB zum Информационный бюллетень Auf Mitteilungsblatt verzichten

Daten werden verarbeitet

Die Operation wurde erfolgreich durchgeführt.

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuche noch einmal.

Логин

Пароль

Логин и пароль заранее.