Irfz44N даташит: IRFZ44N — Мощный MOSFET транзистор — DataSheet

Характеристики полевого МОП-транзистора irfz44n указанные производителем в datasheet, говорят что он является мощным устройством на кремниевой основе с индуцированным n-каналом (нормально закрытым) изолированным затвором

Назначение контактов

Перед применением полевка обычно уточняют его структуру, графическое обозначение и назначение контактов. Основой такого транзистора является появляющийся в полупроводнике, с двумя выводами (сток и исток), канал с электронной проводимостью (n-типа). Ширина этого канала зависит от величины подаваемого на затвор (третий вывод) отпирающего напряжения.

Графическое обозначение

Рассмотрим графическое обозначение. Канал типа-n рисуется пунктирной чертой, между примыкающими к нему линиями истока и стока. Стрелка, направленная на пунктирную черту, указывает на электронную проводимость прибора. Выводы канала обозначаются буквами: С-сток (D-drain), И-исток (S-source). Затвор, регулирующий сопротивление канала, обозначается буквой З (G-gate). В обозначении есть так называемый “паразитный” диод, он подключен к истоку анодом. Все графическое обозначение помещено в круг, символизирующий корпус прибора.

Распиновка

Наиболее широкое распространение rfz44n получил в пластиковом корпусе ТО220 с крепежным отверстием под винт, разработанном специально для дискретных мощных полевых транзисторов компанией International Rectifier. Цоколевка irfz44n, если смотреть на лицевую сторону, следующая: слева затвор (G), справа исток (S). Средний вывод является стоком (D), электрически соединенным с встроенным в корпус радиатором. Под маркой International Rectifier существуют экземпляры в корпусах D²PAK и ТО-262 (irfz44ns, irfz44nl), назначение выводов аналогично ТО-220.

Основные характеристики

Весь перечень параметров MOSFET-транзисторов не указывается даже в даташит, так как он может понадобится только профессиональным разработчикам. Но даже опытным разработчикам обычно достаточно знать некоторые основные величины, чтобы начать использовать устройство в своих электронных схемах. IRFZ44N характеризуется следующими основными параметрами (при темперном режиме до +25 градусов):

• Максимальное напряжение стока-истока (V _DSS) — 55 В;
• Максимальный ток стока (I _D) — 49 A;
• Сопротивление проводящего канала сток-исток (R _DSon) — 5 мОм;
• Рассеиваемая мощность (P _D) — 94 Вт

В некоторых технических описаниях название МОП (или mosfet) транзистора с изолированным затвором, может начинаться с сокращения МДП. МДМ это первые буквы слов металл, диэлектрик и полупроводник. При этом эти транзисторы подразделяют на устройства с индуцированным и встроенным каналом. У таких полупроводниковых приборов затвор отделен от кремниевой подложки тончайшим слоем диэлектрика (примерно 0,1 микрометра).

Максимальные значения

Обычно, предельные допустимые значения, указываются в самом начале даташит. В них производитель пишет информацию о предельных значениях эксплуатации радиокомпонентов, при которых возможна их работа. Испытания прибора проводятся при окружающей температуре до 25 градусов, если изготовитель не указал иного. Изучив только эти параметры, уже можно принимать решение об использовании в своих схемах. Например, о возможности применении в различных температурных режимах. Так, у рассматриваемого MOSFET при увеличении температуры окружающей среды ток до 100 °C может падать с 49 А до 35 А.

Тепловые параметры

Не является тайной то, что параметры работа силового МОП-транзистора сильно зависят от того, насколько качественно отводится от него тепло. Чтобы упростить расчеты связанные с отводом тепла, вводятся параметры теплового сопротивления. Их значения показывают возможности радиокомпонентов ограничивать распространения тепла. Чем больше тепловое сопротивление, тем быстрее увеличится температура полупроводникового прибора. Таким образом, чем больше разность между предельно допустимой температурой кристалла и внешней средой, тем дольше время его нагрева, при этом пропускаемый ток выше. У рассматриваемого экземпляра следующие тепловые сопротивления.

Электрические параметры

Понятно что, питание и пропускаемые токи между контактами не должны превышать максимальных значений, заявленных изготовителем. Вместе с этим существуют и другие факторы, которые могут вызвать резкое повышение температуры, способствующие разрушению полупроводника. Поэтому, производители советуют выбирать устройства с запасом 20-30% по возможным уровням подаваемого напряжения, а в даташит приводят  номинальные электрические характеристики. У  IRFZ44N электрические характеристики, при T

Маркировка

Префикс IRF напоминает о происхождение рассматриваемого экземляра на заводах известной американского компании International Rectifier (IR). В 2007 году IR продала технологию производства МОП-транзисторов компании Vishay Intertechnology, а уже в 2015 году другая компания (Infineon Technologies) поглотила IR. В настоящее время многие независимые производители продолжают выпускать свою продукцию с префиксом IRF, поэтому на рынке современных радиокомпонентов можно встретить и других производителей, выпускающих продукцию с такими же символами в обозначении. Например Vishay, которая больше не выпускает транзисторы irfz44n, однако у нее есть другие похожие устройства, например: IRFZ44, IRFZ44R, IRFZ44S, IRFZ44SL.

В некоторых техописаниях, в конце маркировки, указываются символы “PbF”, например IRFZ44NPbF. PbF (plumbum free) – это безсвинцовая технология изготовления MOSFET-транзисторов, набирающая популярность в разных странах, из за запрета на использование в электронике веществ опасных для здоровье и окружающей природной среды.

В даташит оригинального устройства указывается наличие фирменной HEXFET-технологии изготовления от International Rectifier Corporation, которая позволяет значительно снизить сопротивление электронных компонентов и соответственно уменьшить нагрев во время их работы. Так же отпадает необходимость применения охлаждающего радиатора. Технология стала популярной в 1978 году, но её до сих пор применяют при изгодовлении силовых MOSFET-транзисторов. Упрощенно HEXFET-структура International Rectifier, представлена на рисунке.

IRFZ44N фирмы IR изготовленный с  HEXFET-структурой, имеет самое низкое сопротивление между стоком и истоком 17.5 миллиом. Обозначение “Power MOSFET” в техописании указывает на принадлежность устройства к мощным полупроводниковым приборам.

Аналоги

Полных аналогов для irfz44n не существует, однако есть очень похожие по своим техническим характеристикам и описанию МОП-транзисторы. К ним относятся IRFZ44E, IRFZ45, IRFZ46N, IRFZ40, BUZ102, STP45NF06, IRLZ44Z, HUF75329P3, IRF3205. Отечественным аналогами является КП723 и КП812А1, хотя рабочая температура у них немного меньше (до 150°C).

Схема включения

Теперь поговорим о схеме включения Irfz44N, как писалось выше он является полевым транзистором-МОП с затвором отделенным от полупроводника тончайшим слоем SiO₂. Внутри кремниевой структуры присутствуют два перехода p–n. При отсутствии отпирающего напряжения проводящий ток отсутствует и транзистор находится в закрытом состоянии. Если подать на устройство положительное отпирающее V_GS, т.е. на затвор плюс, а на исток минус, то под влиянием электрического поля появится индуцированный канал n-проводимости. При подаче питания на нагрузку, по индуцированному каналу потечёт стоковый ток I_D.

Чем выше напряжение подается на затвор, тем больше электронов притягивается в область сток-исток и тем шире она становится для протекания тока. Однако, этот процесс может длится до переключения между областями графика линейной и отсечки. Затем, в области насыщения стоковый ток перестает расти. Область насыщения (рабочий режим) применяется в схемах усиления, а отсечки в ключевых. В даташит процесс перехода а рабочий режим, для разных значений V_GS, отображают на графиках типовых выходных характеристик (Typical оutput сharacteristics). Для mosfet области насыщения можно определить по линии проходящих почти горизонтально относительно оси напряжения стока-истока.

Варианты применения

Полевой транзистор irfz44n очень популярен у радиолюбителей в различенных электронных схемах усиления на одном транзисторе, сенсорных переключателях, контроллеров скорости вращения двигателей, проектах с ардуино и др. Его часто можно увидеть в высокочастотных импульсных блоках питания, генераторах, стабилизаторах, инверторах и схемах подключения мощной нагрузки. Предлагаем Вам посмотреть видео на тему создания интересных идей на основе этого замечательного полупроводникового прибора.

Производители

В интернете встречается полный перевод DataSheet irfz44n на русском языке, но лучше использовать описание на английском от производителя.  Ниже представлено тех описание следующих производителей радиоэлектронных компонентов:

Транзистор IRFZ44N: параметры, цоколевка, аналог, datasheet

IRFZ44N – это N-канальный полевой транзистор, изготовленный по технологии MOSFET (КМОП). Это мощный транзистор обладает хорошими техническими характеристиками. Транзистор IRFZ44N идеально подходит для управления мощной нагрузкой, поскольку из-за малого сопротивления n-канала мощность рассеивания достигает 110 Вт. Безусловно, в этом случае необходимо использовать хороший теплоотвод (радиатор).

Параметры транзистора IRFZ44N

• Напряжение сток-исток Uси (max): 60В
• Ток сток-исток при 25 С  Iси (max): 50А
• Напряжение затвор-исток Uзи  (max): ±20В
• Сопротивление канала в открытом состоянии Rси: 28 мОм
• Рассеиваемая мощность Pси  (max): 110Вт
• Крутизна характеристики : 15S
• Пороговое напряжение на затворе: 4В
• Корпус: TO-220AB, TO-220FP, TO-263

Тестер транзисторов / ESR-метр / генератор

Многофункциональный прибор для проверки транзисторов, диодов, тиристоров…

Габаритные и установочные размеры транзистора IRFZ44N

Цоколевка транзистора IRFZ44N

Аналог  IRFZ44N

• HUF75329P3
• 2SK1879 (ближайший аналог)
• BUZ102 (ближайший аналог)
• IRFZ40 (ближайший аналог)
• STP45NF06 (ближайший аналог)

Datasheet IRFZ44N (68,0 KiB, скачано: 5 483)

характеристики datasheet на русском, аналоги, параметры, схема, распиновка и схема включения, аналог

Аналоги транзистора IRFZ44N

Маркировка	Pol	Struct	Pd	Uds	Ugs	Ugs(th)	Id	Tj	Qg	Tr	Cd	Rds	Caps
2SK1542	N	MOSFET	125	60	20		45	150		20	1500	0.02	TO220AB
2SK3270-01	N	MOSFET	135	60	30		80	150				0.0065	TO220AB
2SK3435	N	MOSFET	84	60	20		80	150	60	1200	520	0.014	TO220AB
AM90N06-15P	N	MOSFET	300	60	20	1	90	175	49	10	290	0.0105	TO220AB
AM90N06-16P	N	MOSFET	300	60	20	1	90	175	21	17	184	0.0165	TO220AB
AM90N08-08P	N	MOSFET	300	80	20	1	90	175	58	45	449	0.011	TO220AB
AM90N10-14P	N	MOSFET	300	100	20	1	90	175	60	49	392	0.016	TO220AB
AM90N10-23P	N	MOSFET	300	100	20	1	110	175	30	9		0.023	TO220AB
AUIRF1010EZ	N	MOSFET	140	60	20		84		58			0.0085	TO220AB
AUIRF1018E	N	MOSFET	110	60	20	4	79	175	46			0.0084	TO220AB
AUIRFB3607	N	MOSFET	140	75			80		56			0.009	TO220AB
AUIRFZ48N	N	MOSFET	94	55	20	4	64	175	42			0.014	TO220AB
AUIRFZ48Z	N	MOSFET	91	55	20	4	61	175	43			0.011	TO220AB
AUIRL3705Z	N	MOSFET	130	55	16	3	86	175	40			0.008	TO220AB
BUK7506-55A	N	MOSFET	300	55	20	4	75	175				0.0063	TO220AB
BUK7507-55B	N	MOSFET	203	55	20	4	75	175	53			0.0071	TO220AB
BUK7509-55A	N	MOSFET	211	55	20	4	75	175	62			0.009	TO220AB
BUK7509-75A	N	MOSFET	230	75	20	4	75	175				0.009	TO220AB
BUK7511-55A	N	MOSFET	166	55	20	4	75	175				0.011	TO220AB
BUK7511-55B	N	MOSFET	157	55	20	4	75	175	37			0.011	TO220AB
BUK7513-75B	N	MOSFET	157	75			75		40			0.013	TO220AB
BUK7514-55A	N	MOSFET	166	55	20	4	73	175				0.014	TO220AB
BUK7515-100A	N	MOSFET	300	100	20	4	75	175				0.015	TO220AB
BUK7516-55A	N	MOSFET	138	55	20	4	65.7	175				0.016	TO220AB
BUK7520-100A	N	MOSFET	200	100	20	4	63	175				0.02	TO220AB
BUK7520-55A	N	MOSFET	118	55	20	4	54	175				0.02	TO220AB
BUK7523-75A	N	MOSFET	138	75	20	4	53	175				0.023	TO220AB
BUK9506-55B	N	MOSFET	258	55	15	2	75	175	60			0.0054	TO220AB
BUK9508-55B	N	MOSFET	203	55	15	2	75	175	45			0.007	TO220AB
BUK9509-75A	N	MOSFET	230	75	10	2	75	175				0.0085	TO220AB
BUK9511-55A	N	MOSFET	166	55	10	2	75	175				0.01	TO220AB
BUK9512-55B	N	MOSFET	157	55	15	2	75	175	31			0.01	TO220AB
BUK9514-55A	N	MOSFET	149	55	10	2	73	175				0.013	TO220AB
BUK9515-100A	N	MOSFET	230	100	10	2	75	175				0.0144	TO220AB
BUK9516-55A	N	MOSFET	138	55	10	2	66	175				0.015	TO220AB
BUK9516-75B	N	MOSFET	157	75	15	2	67	175	35			0.014	TO220AB
BUK9518-55A	N	MOSFET	136	55	15	2	61	175				0.016	TO220AB
BUK9520-100A	N	MOSFET	200	100	10	2	63	175				0.019	TO220AB
BUK9520-100B	N	MOSFET	203	100	15	2	63	175	53.4			0.0185	TO220AB
BUK9520-55A	N	MOSFET	118	55	10	2	54	175				0.018	TO220AB
BUK9523-75A	N	MOSFET	138	75	10	2	53	175				0.022	TO220AB
BUK9524-55A	N	MOSFET	105	55	10	2	46	175				0.0217	TO220AB
CS3205_A8	N	MOSFET	230	60	20		120	175		82	750	0.008	TO220AB
CS3205_B8	N	MOSFET	230	55	20		110	175		51	903	0.0085	TO220AB
CS3710_B8	N	MOSFET	200	100	20		57	175		30	620	0.023	TO220AB
CS4145	N	MOSFET	200	60	20		84	175		75	375	0.01	TO220AB
CS75N75_B8H	N	MOSFET	230	75	20		100	175		57	720	0.0115	TO220AB
CSZ44V-1	N	MOSFET	150	60	20		55	175		27	280	0.01	TO220AB
FDP10AN06A0	N	MOSFET	135	60	20	4	75	175		128	340	0.0105	TO220AB
FDP13AN06A0	N	MOSFET	115	60	20	4	62	175		96	260	0.0135	TO220AB
FDP14AN06LA0	N	MOSFET	125	60	20	3	67	175		169	270	0.0116	TO220AB
FDP20AN06A0	N	MOSFET	90	60	20	4	45	175		98	185	0.02	TO220AB
FDP5500	N	MOSFET	375	55	20	4	80	175		34	1310	0.007	TO220AB
HUF76432P3	N	MOSFET	130	60	16	3	56	175	53			0.021	TO220AB
HUF76437P3	N	MOSFET	155	60	16		64	175				0.017	TO220AB
HY110N06T	N	MOSFET	125	55	20	3	110	175		12.июн	385	0.0055	TO220AB
HY75N075T	N	MOSFET	83.3	75	20	4	75	175		19.фев	650	0.009	TO220AB
HY80N075T	N	MOSFET	125	75	20	4	80	175		18.фев	420	0.008	TO220AB
HY80N07T	N	MOSFET	96.7	65	20	4	80	175		22.июн	660	0.0072	TO220AB
IRF1010EZ	N	MOSFET	140	60	20	4	84	175	58			0.0085	TO220AB
IRF1018E	N	MOSFET	110	60	20		79		46			0.0084	TO220AB
IRF4410A	N	MOSFET	230	100	20	4	97	175		52	430	0.009	TO220AB
IRFB3607	N	MOSFET	140	75	20		80		56			0.009	TO220AB
IRFB3607G	N	MOSFET	140	75	20		80		56			0.009	TO220AB
IRFB3607GPBF	N	MOSFET	140	75	20	4	80	175	56	110	280	0.009	TO220AB
IRFB3607PBF	N	MOSFET	140	75	20	4	80	175	56	110	280	0.009	TO220AB
IRFB4510PBF	N	MOSFET	140	100	20	4	62	175	58	32	220	0.0135	TO220AB
IRFB7545	N	MOSFET	125	60	20	03.июл	95	175		72	370	0.0059	TO220AB
IRFB7546	N	MOSFET	99	60	20	03.июл	75	175		51	280	0.0073	TO220AB
IRFB7740	N	MOSFET	143	75	20	03.июл	87	175		60	370	0.0073	TO220AB
IRFB7746	N	MOSFET	99	75	20	03.июл	59	175		36	255	0.0106	TO220AB
IRFB7787	N	MOSFET	125	75	20	03.июл	76	175		48	330	0.0084	TO220AB
IRFZ44E	N	MOSFET	110	60	10	4	48	150	40			0.023	TO220AB
IRFZ44N	N	MOSFET	83	55	10	4	41	150	62			0.024	TO220AB
IRFZ44V	N	MOSFET	115	60	20		55		44.7			0.0165	TO220AB
IRFZ44VZ	N	MOSFET	92	60	20	4	57	175	43			0.012	TO220AB
IRFZ46N	N	MOSFET	88	55	10		46	150	48			0.02	TO220AB
IRFZ48N	N	MOSFET	94	55	10		53	150	54			0.016	TO220AB
IRFZ48Z	N	MOSFET	91	55	20	4	61	175	43			0.011	TO220AB
IRL3705Z	N	MOSFET	130	55	16	3	86	175	40			0.008	TO220AB
IRL3705ZPBF	N	MOSFET	130	55	16	3	75	175		240	420	0.008	TO220AB
IRLZ44N	N	MOSFET	83	55			41	150	32			0.022	TO220AB
IRLZ44NPBF	N	MOSFET	110	55	16	2	47	175		84	400	0.022	TO220AB
KF50N06P	N	MOSFET	96	60	20		50	150		100	405	0.0142	TO220AB
KF60N06P	N	MOSFET	113	60	20		60	150		75	490	0.0115	TO220AB
KF70N06P	N	MOSFET	125	60	20		70	150		110	543	0.01	TO220AB
KF80N08P	N	MOSFET	230	75	20		80	175		228	840	0.0085	TO220AB
KMB050N60P	N	MOSFET	120	60	20		50	175		100	460	0.018	TO220AB
KMB050N60PA	N	MOSFET	120	60	25		50	175		100	70	0.016	TO220AB
KMB060N60PA	N	MOSFET	150	60	25		60	175		220	360	0.0115	TO220AB
KMB080N75PA	N	MOSFET	300	75	25		80	175		25	730	0.01	TO220AB
KU034N08P	N	MOSFET	192	75	20		170	150		250	1150	0.003	TO220AB
KU045N10P	N	MOSFET	192	100	20		150	150		240	1000	0.0039	TO220AB
MTE010N10E3	N	MOSFET	150	100	20		70	175	48	12	250	0.0096	TO220AB
MTN1308E3	N	MOSFET	230	75	30		80	175	42	200	340	0.0105	TO220AB
MTN2510E3	N	MOSFET	155	100	30		50	175		67	236	0.017	TO220AB
MTN2510LE3	N	MOSFET	155	100	20		50	175	45	200	224	0.022	TO220AB
MTN3205E3	N	MOSFET	200	55	20		128	175		116	580	0.0039	TO220AB
MTN50N06E3	N	MOSFET	120	60	20		50	175		58	364	0.019	TO220AB
PHP110NQ06LT	N	MOSFET	200	55	15	2	75	175		123	520	0.007	TO220AB
PHP110NQ08LT	N	MOSFET	230	75	20	2	75	175		185	905	0.0085	TO220AB
PHP110NQ08T	N	MOSFET	230	75	20	4	75	175		107	840	0.009	TO220AB
PHP112N06T	N	MOSFET	200	55	20	4	75	175		94	720	0.008	TO220AB
PHP119NQ06T	N	MOSFET	200	55	20	4	75	175		52	554	0.0071	TO220AB
PHP160NQ08T	N	MOSFET	300	75	20	4	75	175		56	845	0.0056	TO220AB
PHP52N06T	N	MOSFET	120	60	20	4	52	175		74	290	0.022	TO220AB
PHP54N06T	N	MOSFET	118	55	20	4	54	175		74	290	0.02	TO220AB
PHP73N06T	N	MOSFET	166	60	20	4	73	175		79	421	0.014	TO220AB
PHP75NQ08T	N	MOSFET	157	75	20	4	75	175		36	320	0.013	TO220AB
PHP79NQ08LT	N	MOSFET	157	75	15	2	73	175	30			0.016	TO220AB
PSMN012-80PS	N	MOSFET	148	80	20	4	74	175	43			0.011	TO220AB
PSMN013-100PS	N	MOSFET	170	100	20	4	68	175	59			0.0139	TO220AB
PSMN015-60PS	N	MOSFET	86	60	20	4	50	175	20.сен			0.0148	TO220AB
PSMN016-100PS	N	MOSFET	148	100	20	4	96	175	49			0.016	TO220AB
PSMN017-80PS	N	MOSFET	103	80	20	4	50	175	26			0.017	TO220AB
PSMN7R6-60PS	N	MOSFET	149	60	20	4	92	175	38.7			0.0078	TO220AB
PSMN8R7-80PS	N	MOSFET	170	80	20	4	90	175	52			0.0087	TO220AB
RFP50N06LE	N	MOSFET	142	60			50	150				0.022	TO220AB
RJK1008DPN	N	MOSFET	125	100			80					0.0085	TO220AB
RJK1021DPN	N	MOSFET	100	100			70					0.016	TO220AB
RJK1536DPN	N	MOSFET	125	150			50					0.024	TO220AB
SQP120N06-06	N	MOSFET	175	60	20	03.май	119	175		14	708	0.006	TO220AB
SQP120N10-09	N	MOSFET	375	100	20	03.май	120	175		24	635	0.0095	TO220AB
SQP60N06-15	N	MOSFET	107	60	20	03.май	56	175		12	314	0.015	TO220AB
STK5006P	N	MOSFET	120	60	20		50	150		105	445	0.022	TO220AB
STK7006P	N	MOSFET	147	60	20		70	175	43	200	722	0.016	TO220AB

IRFZ44N MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики

Наименование прибора: IRFZ44N

• Тип транзистора: MOSFET
• Полярность: N
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83 W
• Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V
• Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V
• Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V
• Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 41 A
• Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
• Общий заряд затвора (Qg): 62 nC
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.024 Ohm
• Тип корпуса: TO220AB

Автор: Редакция сайта

Мощный полевой транзистор IRFZ44N

Задумал я сделать умную разрядку для аккумуляторов типа АА с использованием платы Arduino. Поэтому у меня возникла необходимость разорвать цепь разряда при достижении определенного напряжения на аккумуляторе. После чтения книг и статей я определил, что для выполнения этой задачи существует два варианта решения задачи: первая — разорвать разрядную цепь с помощью реле с управлением от 5 вольт; вторая – с помощью мощного полевого транзистора типа MOSFET.

Схема обозначения:

Я выбрал полевой n-канальный транзистор с индуцированным каналом (MOSFET) IRFZ44N.
Документация на IRFZ44N — IRFZ44N_ru.PDF

Для его открытия (снижение напряжения между выводами «исток» «сток» сильно уменьшится) на вывод «затвор» нужно подать напряжение, которое называется «пороговым напряжением на затворе».
Для транзистора IRFZ44N «пороговое напряжение на затворе» нормируется от 2 вольт до 4 вольт.



Из документации (смотрите фото сверху) мы можем определить, какое сопротивление будет у транзистора между истоком и стоком при напряжении на затворе относительно истока 4,5 Вольта и напряжении, поданном на исток и сток (разрядная цепь). Из диаграммы мы видим, что при Uзс = 4,5 В, Uис = 1,5 В ток через транзистор Iис = 7 А. Теперь рассчитываем сопротивление между выводами «исток – сток», используя закон Ома: Rис = 1,5/7 = 0,214 Ом. Из документации мы знаем, что сопротивление полностью открытого транзистора Rds(on) = 0,0175 Ом. Я собираюсь разряжать аккумулятор током не более 0,5 Ампер. Определяем, какая мощность будет выделяться на транзисторе при токе 0,5 A: P = 0,5*0,5*0,214 = 0,0535 Вт. Думаю, что транзистор несильно нагреется.

Получил купленные на Aliexpress 10 транзисторов IRFZ44N, решил все проверить и cфотографировать. Проверял Lcr-t4 — метром.


Vt на фотографиях соответствует пороговому напряжению на затворе.

Стоимость: ~8

Подробнее на Aliexpress

IRFZ44N Лист данных | Международный выпрямитель

IRFZ44N

Электрические характеристики @ ТДж = 25 ° C (если не указано иное)

V (BR) DSS

∆V (BR) DSS / ∆TJ

RDS (включено)

VGS (th)

гфс

Параметр

Напряжение пробоя между стоком и источником

Напряжение пробоя Темп. Коэффициент

Сопротивление статического стока к источнику

Пороговое напряжение затвора

Прямая Transconductance

IDSS Ток утечки от источника к источнику

IGSS

Qg

Qgs

Qgd

тд (вкл)

т.р.

тд (выкл)

тф

Прямая утечка от источника к источнику

Обратная утечка от источника к источнику

Total Gate Charge

Заряд от шлюза к источнику

Заслонка («Миллер») Charge

Время задержки включения

Время подъема

Время задержки выключения

Время падения

LD Внутренняя индуктивность стока

LS Внутренняя индуктивность источника

Емкостная емкость Ciss

Выходная емкость Coss

Емкость обратной передачи Crss

EAS Одиночная Импульсная Лавинная Энергия,

мин.Typ. Максимум. Единицы

55 ––– ––– V

––– 0,058 ––– В / ° C

––– ––– 17,5 мОм

2,0 ––– 4,0 В

19 ––– ––– S

––– ––– 25 мкА

––– ––– 250

––– ––– 100

нА

––– ––– -100

––– ––– 63

––– ––– 14 нКл

––– ––– 23

––– 12 –––

––– 60 –––

нс

––– 44 –––

––– 45 –––

––– 4.5 –––

––– 7,5 –––

нг

––– 1470 –––

––– 360 –––

––– 88 –––

––– 530… 150 †

пф

мДж

Условия

VGS = 0 В, ID = 250 мкА

Ссылка на 25 ° C, ID = 1 мА

VGS = 10 В, ID = 25A „

VDS = VGS, ID = 250 мкА

VDS = 25 В, ID = 25A „

VDS = 55 В, VGS = 0 В

VDS = 44 В, VGS = 0 В, TJ = 150 ° C

VGS = 20 В

VGS = -20 В

ID = 25A

VDS = 44 В

VGS = 10 В, см. Рис.6 и 13

VDD = 28 В

ID = 25A

RG = 12Ω

VGS = 10 В, см. Рис. 10 „

Между свинцом,

6 мм (0,25 дюйма)

из пакета

G

и центр контактной головки

VGS = 0 В

VDS = 25 В

ƒ = 1,0 МГц, см. Рис. 5

IAS = 25A, L = 0,47 мГн

D

S

Рейтинги и характеристики истощения ресурсов

Параметр

IS постоянный источник тока

(Диод для тела)

ISM Импульсный источник тока

(Диод для тела)

VSD Диод Прямое Напряжение

trr Обратное время восстановления

Qrr Reverse Recovery Charge

Время включения вперед

тонны

Примечания:

Повторяющийся рейтинг; длительность импульса ограничена

Макс.

температура перехода. (См. Рис. 11)

, Старт TJ = 25 ° C, L = 0,48 мГн

RG = 25 Ом, IAS = 25 А. (См. Рис. 12)

мин. Typ. Максимум. Единицы

Условия

МОП-транзистор символ

––– ––– 49

A показывает

встроенный обратный

––– ––– 160

p-n переходной диод.

G

D

S

––– ––– 1,3 В TJ = 25 ° C, IS = 25 А, VGS = 0 В „

––– 63 95 нс TJ = 25 ° C, IF = 25A

––– 170 260 нКл / дт = 100A / мкс „

Время собственного включения незначительно (при включении преобладают LS + LD)

ƒ ISD ≤ 25А, ди / дт ≤ 230А / мкс, VDD ≤ V (BR) DSS,

ТДж ≤ 175 ° C

„Ширина импульса ≤ 400 мкс; рабочий цикл ≤ 2%.

… Это типичное значение при разрушении устройства и представляет

работа за пределами номинальных пределов.

† Это расчетное значение, ограниченное TJ = 175 ° C.

2 www.irf.com

,

irfz44n (1/8 страниц) PHILIPS | Режим улучшения N-канала Транзистор TrenchMOS

Philips Semiconductors

Техническая характеристика изделия

Режим улучшения N-канала

IRFZ44N

TrenchMOS

ТМ транзистор

ОБЩЕЕ ОПИСАНИЕ

-R

000200000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000 С часто задаваемыми, нумерацией

режим

СИМВОЛ

ПАРАМЕТР

МАКС.

БЛОК

полевого питания стандартного уровня

транзистор в пластиковой оболочке с использованием

В

DS

Напряжение источника питания

55

В

″ технология траншеи.Устройство

I

D

Ток утечки (DC)

49

A

характеризуется очень низким сопротивлением во включенном состоянии

P

tot

Общая мощность рассеивания

110

W

имеет встроенные стабилитроны, обеспечивающие

T

j

Температура перехода

175

9C

Защита от электростатического разряда до 2 кВ. Это

R

DS (ON)

Открытое состояние «сток-источник»

22

м

Ω

предназначено для использования в переключаемом режиме

сопротивление

В

GS = 10 В

источники питания и общего назначения

коммутационных приложений.

пиннинга — TO220AB

PIN-КОНФИГУРАЦИЯ

SYMBOL

PIN

ОПИСАНИЕ

1

ворота

2

сливных

3

источник

вкладки

сливных

предельных значения

Предельных значений в соответствии с системой абсолютного максимума (IEC 134)

СИМВОЛ

ПАРАМЕТР

УСЛОВИЯ

МИН.

Макс.

БЛОК

В

DS

Напряжение источника питания

—

—

55

В

В

DGR

Напряжение дренажного вентиля

R0002

R0002

R0002 -55

В

± В

GS

Напряжение затвор-источник

—

—

20

В

I

D

ток стока (DC)

м

Т 1000 25 ˚C

—

49

A

I

D

Ток утечки (DC)

T

мб = 100 ˚C

—

35

A

Ток утечки (пиковое значение импульса)

T

mb = 25 ˚C

—

160

A

P

tot

Общая мощность рассеяния

T

C mb = 25

—

1 10

W

T

stg, Tj

Температура хранения и рабочая температура

—

— 55

175

˚C

ОГРАНИЧИВАЕМОЕ ЗНАЧЕНИЕ

CONSTER

Макс.

БЛОК

В

C

Конденсатор электростатического разряда

Модель человеческого тела

—

2

кВ

напряжение

, все контакты

(100 пФ, 1 000 кОм 2 000 000

СИМВОЛ

ПАРАМЕТР

УСЛОВИЯ

ТИП.

Макс.

ЕДИНИЦА

R

-й j-mb

Тепловое сопротивление перехода к

—

—

1.4

K / W

монтажное основание

R

th ja

Тепловое сопротивление перехода

в атмосферном воздухе

60

—

K / W

s

12 3

tab

февраль 1999

1

Rev 1.000

.

IRFZ44N MOSFET Распиновка, характеристики, эквиваленты и таблица данных

IRFZ44N представляет собой N-канальный МОП-транзистор с высоким током утечки 49A и низким значением Rds 17,5 мОм. Он также имеет низкое пороговое напряжение 4 В, при котором MOSFET начнет проводить. Следовательно это обычно используется с микроконтроллерами, чтобы управлять с 5V. Тем не менее, схема драйвера необходима, если MOSFET должен быть полностью включен.

Конфигурация контактов

Контактный номер	ПИН-код	Описание
1	Источник	Ток течет через источник
2	Ворота	Контролирует смещение полевого МОП-транзистора
3	Слив	Ток течет через слив

Особенности

• Малосигнальный N-канальный МОП-транзистор
• Непрерывный ток утечки (ID) составляет 49А при 25 ° C
• Импульсный ток утечки (ID-пик) составляет 160А
Минимальное пороговое напряжение затвора
• (VGS-й) составляет 2В
• Максимальное пороговое напряжение затвора (VGS-й) составляет 4В
• Напряжение затвор-источник (VGS) составляет ± 20 В (макс.)
• Максимальное напряжение источника стока (VDS) составляет 55 В
• Время нарастания и спада составляет около 60 нс и 45 нс соответственно.
• Обычно используется с Arduino из-за низкого порогового тока.
• Доступен в упаковке To-220

Примечание. Подробную техническую информацию можно найти в техническом описании IRFZ44N , приведенном в конце этой страницы.

Альтернативы для IRFZ44N

IRF2807, IRFB3207, IRFB4710

Где использовать IRFZ44N MOSFET

IRFZ44N известен своим высоким током утечки и быстрой скоростью переключения .Кроме того, он также имеет низкое значение Rds, что поможет повысить эффективность коммутации цепей. МОП-транзистор начнет включаться при небольшом напряжении затвора 4 В, но ток стока будет максимальным только при подаче напряжения затвора 10 В. Если mosfet должен управляться непосредственно с микроконтроллера, такого как Arduino, тогда попробуйте версию логического уровня IRLZ44N mosfet.

Разница между IRLZ44N и IRFZ44N Mosfet

МОП-транзисторы IRLZ44N и IRFZ44N часто путают друг с другом и неправильно используют.IRLZ44N — это Mosfet логического уровня с очень низким пороговым напряжением затвора 5 В, что означает, что МОП-транзистор может быть полностью включен с помощью всего 5 В на его выводе затвора, что исключает необходимость в цепи управления.

IRFZ44N, с другой стороны, требует схемы драйвера затвора, если MOSFET должен быть полностью включен с помощью микроконтроллера, такого как Arduino. Тем не менее, он включается частично с прямым напряжением 5 В от вывода ввода / вывода, но выходной ток стока будет ограничен.

Как использовать IRFZ44N MOSFET

В отличие от транзисторов МОП-транзисторы являются устройствами, контролируемыми напряжением.Это означает, что они могут быть включены или выключены путем подачи требуемого порогового напряжения затвора (VGS). IRFZ44N — это N-канальный MOSFET, поэтому выводы Drain и Source останутся открытыми, когда на вывод затвора не будет подано напряжение. При подаче напряжения на затвор эти контакты закрываются.

Если требуется переключение с помощью Arduino, тогда простая схема возбуждения, использующая транзистор, будет работать для обеспечения требуемого напряжения затвора, чтобы MOSFET полностью открылся. Для других применений коммутации и усиления требуется специальный драйвер MOFET Driver IC .

IRFZ44N с 5-вольтовым затвором (Arduino)

Если вывод затвора MOSFET напрямую подключен к выводу ввода / вывода микроконтроллера, такого как Arduino, PIC и т. Д. Тогда он не откроется полностью, и максимальный ток стока будет зависеть от напряжения, подаваемого на вывод затвора. На приведенном ниже графике показано, какой ток стока допустим для порогового напряжения затвора от 4 до 10 В.

Как видите, MOSFET открывается полностью только тогда, когда напряжение на затворе составляет около 10 В.Если оно где-то около 5 В, то ток стока ограничивается 20 А и так далее.

Приложения

• Коммутационные устройства большой мощности
• Контроль скорости двигателей
• Светодиодные диммеры или мигалки
• Высокоскоростные коммутационные приложения
• Преобразователи или инверторные схемы

2D модель компонента

Если вы проектируете печатную плату или перфорированную плату с этим компонентом, то следующая информация из таблицы данных будет полезна, чтобы узнать ее тип и размеры упаковки.

,

IRFZ44N Лист данных — Vdss = 55 В, Power MOSFET

Номер детали: IRFZ44N

Описание: HEXFET Power MOSFET (Vdss = 55 В, Rds (on) = 17,5 мОм, Id = 49A)

Производство

Упаковка: TO-220AB

: International Rectifier

Image

Особенности

1. Усовершенствованная технология процесса
2. Сверхнизкое сопротивление
3. Динамический номинал dv / dt
4. 175 ° C Рабочая температура
5. Быстрое переключение
6. Полностью лавинообразный рейтинг

Описание

Усовершенствованный МОП-транзистор HEXFET
от International Rectifier использует передовые технологии обработки для достижения чрезвычайно низкого сопротивления на единицу площади кремния.Это преимущество в сочетании с высокой скоростью переключения и прочной конструкцией устройства, которой хорошо известны мощные полевые МОП-транзисторы HEXFET, предоставляет разработчику чрезвычайно эффективное и надежное устройство для использования в широком спектре приложений. Комплект TO-220 является универсальным для всех промышленно-промышленных применений при уровнях рассеиваемой мощности примерно до 50 Вт. Низкое тепловое сопротивление и низкая стоимость упаковки TO-220 способствуют его широкому распространению в отрасли.

IRFZ44N Лист данных

Статьи по теме в Интернете

.