Irfz44N даташит: IRFZ44N — Мощный MOSFET транзистор — DataSheet

Содержание

IRFZ44N — Мощный MOSFET транзистор — DataSheet

Параметр  Мин. Тип. Макс. Ед. изм. Условия
 V(BR)DSS  Напряжение пробоя сток-исток  55  —  В VGS = 0 В, ID = 250 мкA
 ∆V(BR)DSS/∆TJ Температурный коэффициент напряжения пробоя  — 0.058 В/°C До 25°C, ID = 1 мA
RDS(on) Статическое сопротивление сток-исток в открытом состоянии  — 17.5 мОм VGS = 10 В, ID = 25 A (4)
 VGS(th) Пороговое напряжение на  затворе  2.0  — 4.0 В VDS = VGS, ID = 250 мкA
 gfs Крутизна характеристики 19  —  — S VDS = 25 В, ID = 25 A (4)
 IDSS
Ток утечки сток-исток
 —  —  25 мкА VDS = 55 В, VGS = 0 В
 — 250 VDS = 44 В, VGS = 0 В, TJ = 150°C
  IGSS Ток утечки в прямом направлении  —  100 нА VGS = 20 В
 Ток утечки в обратном направлении  — -100 VGS = -20 В
Qg Суммарный заряд затвора 63 нКл ID = 25 A, VDS = 44 В, VGS = 10 В
Qgs Заряд между затвором и истоком 14
Qgd Заряд между затвором и стоком 23
 td(on) Время задержки включения  — 12 нс VDD = 28 В,  ID = 25, AR
G
= 12 Ом,  VGS = 10 В (4)
tr Время нарастания 60  —
 td(off) Время задержки выключения  — 44  —
 tf  Время спада 45
LD Внутренняя индуктивность стока 4.5 нГн Внутренняя индуктивность
LS Внутренняя индуктивность истока 7.5
Ciss Входная емкость 1470 пФ VGS = 0 В, VDS = 25 В, ƒ = 1.0 MГц
Coss Выходная емкость 360
Crss Обратная переходная емкость 88
EAS Энергия единичного лавинного импульса (2) 530 (5) 150 (6) мДж IAS = 25 A, L = 0.47 мГн
irfz44n транзистор характеристики, аналоги, DataSheet на русском

Характеристики полевого МОП-транзистора irfz44n указанные производителем в datasheet, говорят что он является мощным устройством на кремниевой основе с индуцированным n-каналом (нормально закрытым) изолированным затвором. Характеризуется такими предельными значениями: напряжение между контактами сток-исток до 55 В, током стока до 49 А, очень маленьким проходным сопротивлением 17.5 мОм и мощностью рассеивания до 94 Вт. Рабочая температура может достигать 175 °C. Разработан специально для низковольтных, высокоскоростных коммутационных систем источников питания, преобразователей и органы управления двигателями.

Назначение контактов

Перед применением полевка обычно уточняют его структуру, графическое обозначение и назначение контактов. Основой такого транзистора является появляющийся в полупроводнике, с двумя выводами (сток и исток), канал с электронной проводимостью (n-типа). Ширина этого канала зависит от величины подаваемого на затвор (третий вывод) отпирающего напряжения.

Графическое обозначение

Рассмотрим графическое обозначение. Канал типа-n рисуется пунктирной чертой, между примыкающими к нему линиями истока и стока. Стрелка, направленная на пунктирную черту, указывает на электронную проводимость прибора. Выводы канала обозначаются буквами: С-сток (D-drain), И-исток (S-source). Затвор, регулирующий сопротивление канала, обозначается буквой З (G-gate). В обозначении есть так называемый “паразитный” диод, он подключен к истоку анодом. Все графическое обозначение помещено в круг, символизирующий корпус прибора.

Распиновка

Наиболее широкое распространение rfz44n получил в пластиковом корпусе ТО220 с крепежным отверстием под винт, разработанном специально для дискретных мощных полевых транзисторов компанией International Rectifier. Цоколевка irfz44n, если смотреть на лицевую сторону, следующая: слева затвор (G), справа исток (S). Средний вывод является стоком (D), электрически соединенным с встроенным в корпус радиатором. Под маркой International Rectifier существуют экземпляры в корпусах D2PAK и ТО-262 (irfz44ns, irfz44nl), назначение выводов аналогично ТО-220.

irfz44n цоколевка

Основные характеристики

Весь перечень параметров MOSFET-транзисторов не указывается даже в даташит, так как он может понадобится только профессиональным разработчикам. Но даже опытным разработчикам обычно достаточно знать некоторые основные величины, чтобы начать использовать устройство в своих электронных схемах. IRFZ44N характеризуется следующими основными параметрами (при темперном режиме до +25 градусов):

  • Максимальное напряжение стока-истока (V DSS) — 55 В;
  • Максимальный ток стока (I D) — 49 A;
  • Сопротивление проводящего канала сток-исток (R DSon) — 5 мОм;
  • Рассеиваемая мощность (P D) — 94 Вт

В некоторых технических описаниях название МОП (или mosfet) транзистора с изолированным затвором, может начинаться с сокращения МДП. МДМ это первые буквы слов металл, диэлектрик и полупроводник. При этом эти транзисторы подразделяют на устройства с индуцированным и встроенным каналом. У таких полупроводниковых приборов затвор отделен от кремниевой подложки тончайшим слоем диэлектрика (примерно 0,1 микрометра).

Максимальные значения

Обычно, предельные допустимые значения, указываются в самом начале даташит. В них производитель пишет информацию о предельных значениях эксплуатации радиокомпонентов, при которых возможна их работа. Испытания прибора проводятся при окружающей температуре до 25 градусов, если изготовитель не указал иного. Изучив только эти параметры, уже можно принимать решение об использовании в своих схемах. Например, о возможности применении в различных температурных режимах. Так, у рассматриваемого MOSFET при увеличении температуры окружающей среды ток до 100 °C может падать с 49 А до 35 А.

Максимальные параметры irfz44n

Тепловые параметры

Не является тайной то, что параметры работа силового МОП-транзистора сильно зависят от того, насколько качественно отводится от него тепло. Чтобы упростить расчеты связанные с отводом тепла, вводятся параметры теплового сопротивления. Их значения показывают возможности радиокомпонентов ограничивать распространения тепла. Чем больше тепловое сопротивление, тем быстрее увеличится температура полупроводникового прибора. Таким образом, чем больше разность между предельно допустимой температурой кристалла и внешней средой, тем дольше время его нагрева, при этом пропускаемый ток выше. У рассматриваемого экземпляра следующие тепловые сопротивления.

Температурные характеристики IRFZ44N

Электрические параметры

Понятно что, питание и пропускаемые токи между контактами не должны превышать максимальных значений, заявленных изготовителем. Вместе с этим существуют и другие факторы, которые могут вызвать резкое повышение температуры, способствующие разрушению полупроводника. Поэтому, производители советуют выбирать устройства с запасом 20-30% по возможным уровням подаваемого напряжения, а в даташит приводят  номинальные электрические характеристики. У  IRFZ44N электрические характеристики, при Tj= 25°C (если не указано иное) представлены ниже.

Параметры электрические irfz44n

Маркировка

Префикс IRF напоминает о происхождение рассматриваемого экземляра на заводах известной американского компании International Rectifier (IR). В 2007 году IR продала технологию производства МОП-транзисторов компании Vishay Intertechnology, а уже в 2015 году другая компания (Infineon Technologies) поглотила IR. В настоящее время многие независимые производители продолжают выпускать свою продукцию с префиксом IRF, поэтому на рынке современных радиокомпонентов можно встретить и других производителей, выпускающих продукцию с такими же символами в обозначении. Например Vishay, которая больше не выпускает транзисторы irfz44n, однако у нее есть другие похожие устройства, например: IRFZ44, IRFZ44R, IRFZ44S, IRFZ44SL.

В некоторых техописаниях, в конце маркировки, указываются символы “PbF”, например IRFZ44NPbF. PbF (plumbum free) – это безсвинцовая технология изготовления MOSFET-транзисторов, набирающая популярность в разных странах, из за запрета на использование в электронике веществ опасных для здоровье и окружающей природной среды.

В даташит оригинального устройства указывается наличие фирменной HEXFET-технологии изготовления от International Rectifier Corporation, которая позволяет значительно снизить сопротивление электронных компонентов и соответственно уменьшить нагрев во время их работы. Так же отпадает необходимость применения охлаждающего радиатора. Технология стала популярной в 1978 году, но её до сих пор применяют при изгодовлении силовых MOSFET-транзисторов. Упрощенно HEXFET-структура International Rectifier, представлена на рисунке.

Структура МОП-транзисторов от IRer

IRFZ44N фирмы IR изготовленный с  HEXFET-структурой, имеет самое низкое сопротивление между стоком и истоком 17.5 миллиом. Обозначение “Power MOSFET” в техописании указывает на принадлежность устройства к мощным полупроводниковым приборам.

Аналоги

Полных аналогов для irfz44n не существует, однако есть очень похожие по своим техническим характеристикам и описанию МОП-транзисторы. К ним относятся IRFZ44E, IRFZ45, IRFZ46N, IRFZ40, BUZ102, STP45NF06, IRLZ44Z, HUF75329P3, IRF3205. Отечественным аналогами является КП723 и КП812А1, хотя рабочая температура у них немного меньше (до 150°C).

Схема включения

Теперь поговорим о схеме включения Irfz44N, как писалось выше он является полевым транзистором-МОП с затвором отделенным от полупроводника тончайшим слоем SiO2. Внутри кремниевой структуры присутствуют два перехода p–n. При отсутствии отпирающего напряжения проводящий ток отсутствует и транзистор находится в закрытом состоянии. Если подать на устройство положительное отпирающее VGS, т.е. на затвор плюс, а на исток минус, то под влиянием электрического поля появится индуцированный канал n-проводимости. При подаче питания на нагрузку, по индуцированному каналу потечёт стоковый ток ID.

схема подключения MOSFET с индуцированным n-каналом

Чем выше напряжение подается на затвор, тем больше электронов притягивается в область сток-исток и тем шире она становится для протекания тока. Однако, этот процесс может длится до переключения между областями графика линейной и отсечки. Затем, в области насыщения стоковый ток перестает расти. Область насыщения (рабочий режим) применяется в схемах усиления, а отсечки в ключевых. В даташит процесс перехода а рабочий режим, для разных значений V

GS, отображают на графиках типовых выходных характеристик (Typical оutput сharacteristics). Для mosfet области насыщения можно определить по линии проходящих почти горизонтально относительно оси напряжения стока-истока.

Зависимость тока стока от напряжения стока irfz44n

Варианты применения

Полевой транзистор irfz44n очень популярен у радиолюбителей в различенных электронных схемах усиления на одном транзисторе, сенсорных переключателях, контроллеров скорости вращения двигателей, проектах с ардуино и др. Его часто можно увидеть в высокочастотных импульсных блоках питания, генераторах, стабилизаторах, инверторах и схемах подключения мощной нагрузки. Предлагаем Вам посмотреть видео на тему создания интересных идей на основе этого замечательного полупроводникового прибора.

Производители

В интернете встречается полный перевод DataSheet irfz44n на русском языке, но лучше использовать описание на английском от производителя.  Ниже представлено тех описание следующих производителей радиоэлектронных компонентов:

Транзистор IRFZ44N: параметры, цоколевка, аналог, datasheet

IRFZ44N – это N-канальный полевой транзистор, изготовленный по технологии MOSFET (КМОП). Это мощный транзистор обладает хорошими техническими характеристиками. Транзистор IRFZ44N идеально подходит для управления мощной нагрузкой, поскольку из-за малого сопротивления n-канала мощность рассеивания достигает 110 Вт. Безусловно, в этом случае необходимо использовать хороший теплоотвод (радиатор).

Параметры транзистора IRFZ44N

  • Напряжение сток-исток Uси (max): 60В
  • Ток сток-исток при 25 С  Iси (max): 50А
  • Напряжение затвор-исток Uзи  (max): ±20В
  • Сопротивление канала в открытом состоянии Rси: 28 мОм
  • Рассеиваемая мощность Pси  (max): 110Вт
  • Крутизна характеристики : 15S
  • Пороговое напряжение на затворе: 4В
  • Корпус: TO-220AB, TO-220FP, TO-263

Тестер транзисторов / ESR-метр / генератор

Многофункциональный прибор для проверки транзисторов, диодов, тиристоров...

Габаритные и установочные размеры транзистора IRFZ44N

Цоколевка транзистора IRFZ44N

Аналог  IRFZ44N

  • HUF75329P3
  • 2SK1879 (ближайший аналог)
  • BUZ102 (ближайший аналог)
  • IRFZ40 (ближайший аналог)
  • STP45NF06 (ближайший аналог)

Datasheet IRFZ44N (68,0 KiB, скачано: 5 483)

характеристики datasheet на русском, аналоги, параметры, схема, распиновка и схема включения, аналог

Аналоги транзистора IRFZ44N

Маркировка Pol Struct Pd Uds Ugs Ugs(th) Id Tj Qg Tr Cd Rds Caps
2SK1542 N MOSFET 125 60 20 45 150 20 1500 0.02 TO220AB
2SK3270-01 N MOSFET 135 60 30 80 150 0.0065 TO220AB
2SK3435 N MOSFET 84 60 20 80 150 60 1200 520 0.014 TO220AB
AM90N06-15P N MOSFET 300 60 20 1 90 175 49 10 290 0.0105 TO220AB
AM90N06-16P N MOSFET 300 60 20 1 90 175 21 17 184 0.0165 TO220AB
AM90N08-08P N MOSFET 300 80 20 1 90 175 58 45 449 0.011 TO220AB
AM90N10-14P N MOSFET 300 100 20 1 90 175 60 49 392 0.016 TO220AB
AM90N10-23P N MOSFET 300 100 20 1 110 175 30 9 0.023 TO220AB
AUIRF1010EZ N MOSFET 140 60 20 84 58 0.0085 TO220AB
AUIRF1018E N MOSFET 110 60 20 4 79 175 46 0.0084 TO220AB
AUIRFB3607 N MOSFET 140 75 80 56 0.009 TO220AB
AUIRFZ48N N MOSFET 94 55 20 4 64 175 42 0.014 TO220AB
AUIRFZ48Z N MOSFET 91 55 20 4 61 175 43 0.011 TO220AB
AUIRL3705Z N MOSFET 130 55 16 3 86 175 40 0.008 TO220AB
BUK7506-55A N MOSFET 300 55 20 4 75 175 0.0063 TO220AB
BUK7507-55B N MOSFET 203 55 20 4 75 175 53 0.0071 TO220AB
BUK7509-55A N MOSFET 211 55 20 4 75 175 62 0.009 TO220AB
BUK7509-75A N MOSFET 230 75 20 4 75 175 0.009 TO220AB
BUK7511-55A N MOSFET 166 55 20 4 75 175 0.011 TO220AB
BUK7511-55B N MOSFET 157 55 20 4 75 175 37 0.011 TO220AB
BUK7513-75B N MOSFET 157 75 75 40 0.013 TO220AB
BUK7514-55A N MOSFET 166 55 20 4 73 175 0.014 TO220AB
BUK7515-100A N MOSFET 300 100 20 4 75 175 0.015 TO220AB
BUK7516-55A N MOSFET 138 55 20 4 65.7 175 0.016 TO220AB
BUK7520-100A N MOSFET 200 100 20 4 63 175 0.02 TO220AB
BUK7520-55A N MOSFET 118 55 20 4 54 175 0.02 TO220AB
BUK7523-75A N MOSFET 138 75 20 4 53 175 0.023 TO220AB
BUK9506-55B N MOSFET 258 55 15 2 75 175 60 0.0054 TO220AB
BUK9508-55B N MOSFET 203 55 15 2 75 175 45 0.007 TO220AB
BUK9509-75A N MOSFET 230 75 10 2 75 175 0.0085 TO220AB
BUK9511-55A N MOSFET 166 55 10 2 75 175 0.01 TO220AB
BUK9512-55B N MOSFET 157 55 15 2 75 175 31 0.01 TO220AB
BUK9514-55A N MOSFET 149 55 10 2 73 175 0.013 TO220AB
BUK9515-100A N MOSFET 230 100 10 2 75 175 0.0144 TO220AB
BUK9516-55A N MOSFET 138 55 10 2 66 175 0.015 TO220AB
BUK9516-75B N MOSFET 157 75 15 2 67 175 35 0.014 TO220AB
BUK9518-55A N MOSFET 136 55 15 2 61 175 0.016 TO220AB
BUK9520-100A N MOSFET 200 100 10 2 63 175 0.019 TO220AB
BUK9520-100B N MOSFET 203 100 15 2 63 175 53.4 0.0185 TO220AB
BUK9520-55A N MOSFET 118 55 10 2 54 175 0.018 TO220AB
BUK9523-75A N MOSFET 138 75 10 2 53 175 0.022 TO220AB
BUK9524-55A N MOSFET 105 55 10 2 46 175 0.0217 TO220AB
CS3205_A8 N MOSFET 230 60 20 120 175 82 750 0.008 TO220AB
CS3205_B8 N MOSFET 230 55 20 110 175 51 903 0.0085 TO220AB
CS3710_B8 N MOSFET 200 100 20 57 175 30 620 0.023 TO220AB
CS4145 N MOSFET 200 60 20 84 175 75 375 0.01 TO220AB
CS75N75_B8H N MOSFET 230 75 20 100 175 57 720 0.0115 TO220AB
CSZ44V-1 N MOSFET 150 60 20 55 175 27 280 0.01 TO220AB
FDP10AN06A0 N MOSFET 135 60 20 4 75 175 128 340 0.0105 TO220AB
FDP13AN06A0 N MOSFET 115 60 20 4 62 175 96 260 0.0135 TO220AB
FDP14AN06LA0 N MOSFET 125 60 20 3 67 175 169 270 0.0116 TO220AB
FDP20AN06A0 N MOSFET 90 60 20 4 45 175 98 185 0.02 TO220AB
FDP5500 N MOSFET 375 55 20 4 80 175 34 1310 0.007 TO220AB
HUF76432P3 N MOSFET 130 60 16 3 56 175 53 0.021 TO220AB
HUF76437P3 N MOSFET 155 60 16 64 175 0.017 TO220AB
HY110N06T N MOSFET 125 55 20 3 110 175 12.июн 385 0.0055 TO220AB
HY75N075T N MOSFET 83.3 75 20 4 75 175 19.фев 650 0.009 TO220AB
HY80N075T N MOSFET 125 75 20 4 80 175 18.фев 420 0.008 TO220AB
HY80N07T N MOSFET 96.7 65 20 4 80 175 22.июн 660 0.0072 TO220AB
IRF1010EZ N MOSFET 140 60 20 4 84 175 58 0.0085 TO220AB
IRF1018E N MOSFET 110 60 20 79 46 0.0084 TO220AB
IRF4410A N MOSFET 230 100 20 4 97 175 52 430 0.009 TO220AB
IRFB3607 N MOSFET 140 75 20 80 56 0.009 TO220AB
IRFB3607G N MOSFET 140 75 20 80 56 0.009 TO220AB
IRFB3607GPBF N MOSFET 140 75 20 4 80 175 56 110 280 0.009 TO220AB
IRFB3607PBF N MOSFET 140 75 20 4 80 175 56 110 280 0.009 TO220AB
IRFB4510PBF N MOSFET 140 100 20 4 62 175 58 32 220 0.0135 TO220AB
IRFB7545 N MOSFET 125 60 20 03.июл 95 175 72 370 0.0059 TO220AB
IRFB7546 N MOSFET 99 60 20 03.июл 75 175 51 280 0.0073 TO220AB
IRFB7740 N MOSFET 143 75 20 03.июл 87 175 60 370 0.0073 TO220AB
IRFB7746 N MOSFET 99 75 20 03.июл 59 175 36 255 0.0106 TO220AB
IRFB7787 N MOSFET 125 75 20 03.июл 76 175 48 330 0.0084 TO220AB
IRFZ44E N MOSFET 110 60 10 4 48 150 40 0.023 TO220AB
IRFZ44N N MOSFET 83 55 10 4 41 150 62 0.024 TO220AB
IRFZ44V N MOSFET 115 60 20 55 44.7 0.0165 TO220AB
IRFZ44VZ N MOSFET 92 60 20 4 57 175 43 0.012 TO220AB
IRFZ46N N MOSFET 88 55 10 46 150 48 0.02 TO220AB
IRFZ48N N MOSFET 94 55 10 53 150 54 0.016 TO220AB
IRFZ48Z N MOSFET 91 55 20 4 61 175 43 0.011 TO220AB
IRL3705Z N MOSFET 130 55 16 3 86 175 40 0.008 TO220AB
IRL3705ZPBF N MOSFET 130 55 16 3 75 175 240 420 0.008 TO220AB
IRLZ44N N MOSFET 83 55 41 150 32 0.022 TO220AB
IRLZ44NPBF N MOSFET 110 55 16 2 47 175 84 400 0.022 TO220AB
KF50N06P N MOSFET 96 60 20 50 150 100 405 0.0142 TO220AB
KF60N06P N MOSFET 113 60 20 60 150 75 490 0.0115 TO220AB
KF70N06P N MOSFET 125 60 20 70 150 110 543 0.01 TO220AB
KF80N08P N MOSFET 230 75 20 80 175 228 840 0.0085 TO220AB
KMB050N60P N MOSFET 120 60 20 50 175 100 460 0.018 TO220AB
KMB050N60PA N MOSFET 120 60 25 50 175 100 70 0.016 TO220AB
KMB060N60PA N MOSFET 150 60 25 60 175 220 360 0.0115 TO220AB
KMB080N75PA N MOSFET 300 75 25 80 175 25 730 0.01 TO220AB
KU034N08P N MOSFET 192 75 20 170 150 250 1150 0.003 TO220AB
KU045N10P N MOSFET 192 100 20 150 150 240 1000 0.0039 TO220AB
MTE010N10E3 N MOSFET 150 100 20 70 175 48 12 250 0.0096 TO220AB
MTN1308E3 N MOSFET 230 75 30 80 175 42 200 340 0.0105 TO220AB
MTN2510E3 N MOSFET 155 100 30 50 175 67 236 0.017 TO220AB
MTN2510LE3 N MOSFET 155 100 20 50 175 45 200 224 0.022 TO220AB
MTN3205E3 N MOSFET 200 55 20 128 175 116 580 0.0039 TO220AB
MTN50N06E3 N MOSFET 120 60 20 50 175 58 364 0.019 TO220AB
PHP110NQ06LT N MOSFET 200 55 15 2 75 175 123 520 0.007 TO220AB
PHP110NQ08LT N MOSFET 230 75 20 2 75 175 185 905 0.0085 TO220AB
PHP110NQ08T N MOSFET 230 75 20 4 75 175 107 840 0.009 TO220AB
PHP112N06T N MOSFET 200 55 20 4 75 175 94 720 0.008 TO220AB
PHP119NQ06T N MOSFET 200 55 20 4 75 175 52 554 0.0071 TO220AB
PHP160NQ08T N MOSFET 300 75 20 4 75 175 56 845 0.0056 TO220AB
PHP52N06T N MOSFET 120 60 20 4 52 175 74 290 0.022 TO220AB
PHP54N06T N MOSFET 118 55 20 4 54 175 74 290 0.02 TO220AB
PHP73N06T N MOSFET 166 60 20 4 73 175 79 421 0.014 TO220AB
PHP75NQ08T N MOSFET 157 75 20 4 75 175 36 320 0.013 TO220AB
PHP79NQ08LT N MOSFET 157 75 15 2 73 175 30 0.016 TO220AB
PSMN012-80PS N MOSFET 148 80 20 4 74 175 43 0.011 TO220AB
PSMN013-100PS N MOSFET 170 100 20 4 68 175 59 0.0139 TO220AB
PSMN015-60PS N MOSFET 86 60 20 4 50 175 20.сен 0.0148 TO220AB
PSMN016-100PS N MOSFET 148 100 20 4 96 175 49 0.016 TO220AB
PSMN017-80PS N MOSFET 103 80 20 4 50 175 26 0.017 TO220AB
PSMN7R6-60PS N MOSFET 149 60 20 4 92 175 38.7 0.0078 TO220AB
PSMN8R7-80PS N MOSFET 170 80 20 4 90 175 52 0.0087 TO220AB
RFP50N06LE N MOSFET 142 60 50 150 0.022 TO220AB
RJK1008DPN N MOSFET 125 100 80 0.0085 TO220AB
RJK1021DPN N MOSFET 100 100 70 0.016 TO220AB
RJK1536DPN N MOSFET 125 150 50 0.024 TO220AB
SQP120N06-06 N MOSFET 175 60 20 03.май 119 175 14 708 0.006 TO220AB
SQP120N10-09 N MOSFET 375 100 20 03.май 120 175 24 635 0.0095 TO220AB
SQP60N06-15 N MOSFET 107 60 20 03.май 56 175 12 314 0.015 TO220AB
STK5006P N MOSFET 120 60 20 50 150 105 445 0.022 TO220AB
STK7006P N MOSFET 147 60 20 70 175 43 200 722 0.016 TO220AB

IRFZ44N MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики

Наименование прибора: IRFZ44N

  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: N
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83 W
  • Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V
  • Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V
  • Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V
  • Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 41 A
  • Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
  • Общий заряд затвора (Qg): 62 nC
  • Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.024 Ohm
  • Тип корпуса: TO220AB

Автор: Редакция сайта

Мощный полевой транзистор IRFZ44N


Задумал я сделать умную разрядку для аккумуляторов типа АА с использованием платы Arduino. Поэтому у меня возникла необходимость разорвать цепь разряда при достижении определенного напряжения на аккумуляторе. После чтения книг и статей я определил, что для выполнения этой задачи существует два варианта решения задачи: первая - разорвать разрядную цепь с помощью реле с управлением от 5 вольт; вторая – с помощью мощного полевого транзистора типа MOSFET.

Схема обозначения:


Я выбрал полевой n-канальный транзистор с индуцированным каналом (MOSFET) IRFZ44N.
Документация на IRFZ44N - IRFZ44N_ru.PDF

Для его открытия (снижение напряжения между выводами «исток» «сток» сильно уменьшится) на вывод «затвор» нужно подать напряжение, которое называется «пороговым напряжением на затворе».
Для транзистора IRFZ44N «пороговое напряжение на затворе» нормируется от 2 вольт до 4 вольт.



Из документации (смотрите фото сверху) мы можем определить, какое сопротивление будет у транзистора между истоком и стоком при напряжении на затворе относительно истока 4,5 Вольта и напряжении, поданном на исток и сток (разрядная цепь). Из диаграммы мы видим, что при Uзс = 4,5 В, Uис = 1,5 В ток через транзистор Iис = 7 А. Теперь рассчитываем сопротивление между выводами «исток – сток», используя закон Ома: Rис = 1,5/7 = 0,214 Ом. Из документации мы знаем, что сопротивление полностью открытого транзистора Rds(on) = 0,0175 Ом. Я собираюсь разряжать аккумулятор током не более 0,5 Ампер. Определяем, какая мощность будет выделяться на транзисторе при токе 0,5 A: P = 0,5*0,5*0,214 = 0,0535 Вт. Думаю, что транзистор несильно нагреется.
Мощный полевой транзистор IRFZ44N
Получил купленные на Aliexpress 10 транзисторов IRFZ44N, решил все проверить и cфотографировать. Проверял Lcr-t4 - метром.

Мощный полевой транзистор IRFZ44N
Vt на фотографиях соответствует пороговому напряжению на затворе.

Стоимость: ~8