Каковы основные параметры и особенности MOSFET-транзистора IRL540N. Где используется данный силовой полевой транзистор. Какие преимущества имеет IRL540N по сравнению с аналогами.
Основные характеристики транзистора IRL540N
IRL540N — это N-канальный силовой MOSFET-транзистор производства компании International Rectifier. Данный транзистор обладает следующими ключевыми параметрами:
- Максимальное напряжение сток-исток: 100 В
- Максимальный постоянный ток стока: 36 А при 25°C, 26 А при 100°C
- Сопротивление канала в открытом состоянии: 44 мОм
- Максимальная рассеиваемая мощность: 94 Вт при температуре корпуса 25°C
- Тепловое сопротивление переход-корпус: 1.5°C/Вт
- Корпус: TO-220AB
IRL540N относится к семейству транзисторов с логическим уровнем управления, что позволяет напрямую управлять им от микроконтроллеров и логических схем без дополнительных драйверов.
Особенности и преимущества транзистора IRL540N
Рассмотрим ключевые особенности и преимущества MOSFET-транзистора IRL540N:

- Низкое сопротивление канала в открытом состоянии (44 мОм), что обеспечивает малые потери при коммутации больших токов
- Высокая нагрузочная способность по току — до 36 А в непрерывном режиме
- Логический уровень управления — транзистор полностью открывается при напряжении на затворе 5 В
- Быстрое переключение — время восстановления обратного диода 190 нс
- Встроенный защитный стабилитрон между затвором и истоком
- Широкий диапазон рабочих температур: от -55°C до +175°C
Благодаря этим характеристикам IRL540N обеспечивает высокую эффективность в силовых схемах и имеет преимущества перед многими аналогами.
Области применения транзистора IRL540N
MOSFET-транзистор IRL540N находит применение в различных областях электроники, где требуется коммутация значительных токов. Основные сферы использования включают:
- Импульсные источники питания
- Драйверы электродвигателей постоянного тока
- Силовые ключи в автомобильной электронике
- Системы управления промышленным оборудованием
- Зарядные устройства для аккумуляторов
- DC/DC преобразователи
- Системы светодиодного освещения
Широкий спектр применений обусловлен оптимальным сочетанием характеристик IRL540N для работы в силовых ключах.

Сравнение IRL540N с аналогами
Как IRL540N соотносится с другими популярными MOSFET-транзисторами? Рассмотрим сравнение основных параметров:
Параметр | IRL540N | IRF540N | IRFZ44N |
---|---|---|---|
Максимальное напряжение сток-исток | 100 В | 100 В | 55 В |
Максимальный постоянный ток стока | 36 А | 33 А | |
Сопротивление канала | 44 мОм | 52 мОм | 24 мОм |
Пороговое напряжение затвора | 1-2 В | 2-4 В | 2-4 В |
IRL540N выигрывает у IRF540N по сопротивлению канала и пороговому напряжению, а у IRFZ44N — по максимальному напряжению сток-исток. Это делает его оптимальным выбором для многих применений.
Особенности монтажа и эксплуатации IRL540N
При работе с транзистором IRL540N следует учитывать некоторые особенности:
- Транзистор чувствителен к статическому электричеству, требуются меры защиты при монтаже
- Необходимо обеспечить эффективный теплоотвод при работе с большими токами
- Рекомендуется использовать резистор между затвором и истоком для защиты от наводок
- При параллельном включении транзисторов нужно применять выравнивающие резисторы в цепях истоков
- Не следует превышать максимально допустимое напряжение затвор-исток ±20 В
Соблюдение этих рекомендаций позволит обеспечить надежную работу транзистора в различных схемах.

Схемы включения транзистора IRL540N
Рассмотрим несколько типовых схем включения MOSFET-транзистора IRL540N:
Схема простого ключа
В этой схеме транзистор работает как управляемый ключ, коммутирующий нагрузку:
- Затвор подключен через резистор 100 Ом к управляющему сигналу
- Сток подключен к нагрузке
- Исток заземлен
- Между затвором и истоком установлен защитный резистор 10 кОм
Схема Н-моста
Четыре транзистора IRL540N образуют Н-мост для управления двигателем постоянного тока:
- Транзисторы включены попарно
- Диагональные пары управляются в противофазе
- Двигатель подключен между средними точками полумостов
- Управление осуществляется ШИМ-сигналом
Схема понижающего DC/DC преобразователя
IRL540N выступает в роли силового ключа в понижающем преобразователе:
- Исток транзистора соединен с общим проводом
- На сток подается входное напряжение через дроссель
- Параллельно нагрузке включен выходной конденсатор
- Управление транзистором осуществляется ШИМ-контроллером
Эти схемы демонстрируют универсальность применения IRL540N в силовой электронике.

Выбор аналогов и замена IRL540N
При необходимости замены IRL540N можно рассмотреть следующие аналоги:
- IRF540N — близкий аналог с немного худшими характеристиками
- IRFZ44N — имеет меньшее максимальное напряжение, но лучшую токовую характеристику
- FQP50N06 — аналог с улучшенными характеристиками, но более дорогой
- STP55NF06 — еще один близкий аналог от STMicroelectronics
При выборе замены следует учитывать не только электрические параметры, но и особенности конкретной схемы. В некоторых случаях может потребоваться корректировка цепи управления затвором.
IRL540N International Rectifier
100V 30A/25°C 21A/100°C 44mO , 94W/25°C Rthjc=1.5°C/WОсновная информация:
Маркировка изготовителя | IRL540N |
Type of casing: | THT |
Kейс: | TO-220AB |
Kategorie | FET N-Channel |
Тип компонента: | !_n_fet 1x single_! |
Конфигурация: | single Transistor |
Тип материала: | !_si-silicon_! |
RoHS | Hет |
REACH | Hет |
NOVINKA | N |
Упаковка и вес:
Единица: | штук |
Вес: | 2.7 [g] |
Тип упаковки: | TUBE |
Малый пакет (количество единиц): | 50 |
Электрофизические параметры:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 100 [V] |
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 36 [A] |
Idc max(Tc/Ta=25°C) | 36 [A] |
Idc max(Tc/Ta=100÷109°C) | 26 [A] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 140 [W] |
Input Logic Level (Ugs level) | 5V |
Rds(on) 5V (Ugs=4.![]() | 53 [mΩ] |
Rds(on) 10V (Ugs=10V) | 44 [mΩ] |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 190 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 74 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 1800 pF |
Тепловые и механические параметры:
Tmin (mинимальная рабочая температура) | -55 [°C] |
Tmax (mаксимальная рабочая температура) | 175 [°C] |
Rthjc (case) | 1.1 [°C/W] |
Rthja (ambient) | 62 [°C/W] |
Number of Pins | 3 |
ПИН-Размеры выводов | 0.00 [mm] |
Транзистор полевой КП746 — DataSheet
Цоколевка транзистора КП746
Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед.![]() |
Аналог | КП746А | IRF540N | |||
КП746Б | IRF541, RFP25N06 | ||||
КП746В | IRF542 | ||||
КП746Г | IRL540 | ||||
Структура | КП746А | nМОП | |||
КП746Б | |||||
КП746В | |||||
КП746Г | |||||
КП746А1 | С n-каналом | ||||
КП746Б1 | |||||
КП746В1 | |||||
КП746Г1 | |||||
Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная).![]() | PСИ, P*СИ, т max | КП746А | — | 150 | Вт, (Вт*) |
КП746Б | — | 150 | |||
КП746В | — | 150 | |||
КП746Г | — | 150 | |||
КП746А1 | — | 150 | |||
КП746Б1 | — | 150 | |||
КП746В1 | — | 150 | |||
КП746Г1 | — | 150 | |||
Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком (полевого транзистора с p-n-переходом и с изолированным затвором). | UЗИ отс, U*ЗИ пор | КП746А | — | 2…4 | В |
КП746Б | — | 2…4 | |||
КП746В | — | ||||
КП746Г | — | 1…2 | |||
КП746А1 | — | 2…4* | |||
КП746Б1 | — | 2…4* | |||
КП746В1 | — | 2…4* | |||
КП746Г1 | — | 1…2* | |||
Максимальное напряжение сток-исток (постоянное).![]() | UСИ max, U*ЗC max | КП746А | — | 100 | В |
КП746Б | — | 80 | |||
КП746В | — | 100 | |||
КП746Г | — | 100 | |||
КП746А1 | — | 100 | |||
КП746Б1 | — | 80 | |||
КП746В1 | — | 100 | |||
КП746Г1 | — | 100 | |||
Максимальное напряжение затвор-исток (постоянное). | UЗИ max | КП746А | — | ±20 | В |
КП746Б | — | ±20 | |||
КП746В | — | ±20 | |||
КП746Г | — | ±10 | |||
КП746А1 | — | ±20 | |||
КП746Б1 | — | ±20 | |||
КП746В1 | — | ±20 | |||
КП746Г1 | — | ±10 | |||
Ток стока (постоянный).![]() | IС, I*С, И | КП746А | — | 28 | А |
КП746Б | — | 28 | |||
КП746В | — | 25 | |||
КП746Г | — | 28 | |||
КП746А1 | — | 28 | |||
КП746Б1 | — | 28 | |||
КП746В1 | — | 25 | |||
КП746Г1 | — | 28 | |||
Начальный ток стока | IС нач, I*С ост | КП746А | — | — | мА |
КП746Б | — | — | |||
КП746В | — | — | |||
КП746Г | — | — | |||
КП746А1 | — | — | |||
КП746Б1 | — | — | |||
КП746В1 | — | — | |||
КП746Г1 | — | — | |||
Крутизна характеристики полевого транзистора | S | КП746А | 50 В; 17 А | ≥8700 | мА/В |
КП746Б | 50 В; 17 А | ≥8700 | |||
КП746В | 50 В; 17 А | ≥8700 | |||
КП746Г | 50 В; 17 А | ≥1200 | |||
КП746А1 | 50 В; 17 А | ≥8700 | |||
КП746Б1 | 50 В; 17 А | ≥8700 | |||
КП746В1 | 50 В; 17 А | ≥8700 | |||
КП746Г1 | — | — | |||
Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком | C11и, С*12и, С*22и | КП746А | — | — | пФ |
КП746Б | — | — | |||
КП746В | — | — | |||
КП746Г | — | — | |||
КП746А1 | — | — | |||
КП746Б1 | — | — | |||
КП746В1 | — | — | |||
КП746Г1 | — | — | |||
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии — сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток-исток | RСИ отк, K*у.![]() | КП746А | — | ≤0.077 | Ом, (дБ*), (Вт**),(мВ***) |
КП746Б | — | ≤0.077 | |||
КП746В | — | ≤0.1 | |||
КП746Г | — | ≤0.077 | |||
КП746А1 | — | ≤0.077 | |||
КП746Б1 | — | ≤0.077 | |||
КП746В1 | — | ≤0.1 | |||
КП746Г1 | ≤0.077 | ||||
Коэффициент шума транзистора | Кш, U*ш, E**ш, Q*** | КП746А | — | — | Дб, (мкВ*), (нВ/√Гц**), (Кл**) |
КП746Б | — | — | |||
КП746В | — | — | |||
КП746Г | — | — | |||
КП746А1 | — | — | |||
КП746Б1 | — | — | |||
КП746В1 | — | — | |||
КП746Г1 | |||||
Время включения транзистора | tвкл, t*выкл, F**р, ΔUЗИ/ΔT | КП746А | — | — | нс, (нс*), (МГц**), (мкВ/°C***) |
КП746Б | — | — | |||
КП746В | — | — | |||
КП746Г | — | — | |||
КП746А1 | — | — | |||
КП746Б1 | — | — | |||
КП746В1 | — | — | |||
КП746Г1 |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в буквенных обозначениях параметров полевых транзисторов.
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
код товара | Наименование | Описание | Наличие |
151334 | Транзистор MOSFET Fairchild Semiconductor BUZ 11 | Технические характеристики: I 30 A; U 50 V | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
151111 | Транзистор MOSFET ON Semiconductor BS 170 RL1 | Технические характеристики: I 0.5 A; U 60 V; P 0.35 W | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162537 | Силовой транзистор MOSFET International Rectifier IRF 9540 N | Технические характеристики: I -23 A; U -100 V; R 0.117 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
154103 | Транзистор Infineon SPP 20 N 60 S5 | Технические характеристики: I 20 A; U 600 V; R 0.19 Ω | [email protected] или по тел.![]() |
158950 | Однополярный стандартный транзистор BS 170 | Технические характеристики: I 0.5 A; U 60 V | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
159204 | Маломощный полевой транзистор NXP BSN 10A NXP | Технические характеристики: I 0,175 A; U 50 V; P 0,83 W | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162412 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 540 N | Технические характеристики: I 33 A; U 100 V; R 0.052 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162549 | Силовой транзистор MOSFET International Rectifier IRF 9 Z 24 N | Технические характеристики: I -12 A; U -55 V; R 0.175 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162652 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 3703 | Технические характеристики: I 210 A; U 30 V; R 0.0028 Ω | info@conrad-rus.![]() |
162679 | Силовой транзистор MOSFET International Rectifier IRFR 024 N | Технические характеристики: I 16 A; U 55 V; R 0.075 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162747 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFZ 44 N | Технические характеристики: I 41 A; U 55 V; R 0.024 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
151034 | Транзистор MOSFET ON Semiconductor 2 N 7000 | Технические характеристики: I 0.2 A; U 60 V | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162408 | Силовой транзистор MOSFET International Rectifier IRF 5305 | Технические характеристики: I -31A; U -55 V; R 0.06 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162461 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7389 | Технические характеристики: I 5.9 A; U 30 V; R 0.029 Ω | info@conrad-rus.![]() |
162536 | Силовой транзистор MOSFET International Rectifier IRF 9530 N | Технические характеристики: I -14 A; U -100 V; R 0.20 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162742 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFZ 34 N | Технические характеристики: I 26 A; U 55 V; R 0.04 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162848 | Транзистор International Rectifier IRLR 2905 | Технические характеристики: I 42 A; U 55 V; R 0.027 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
157112 | Транзистор BF 245 B | Технические характеристики: I 0.1 A; U 30 V | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162764 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 2203 NS | Технические характеристики: I 116 A A; U 30 V; R 0.007 Ω | [email protected] или по тел.![]() |
153609 | Транзистор питания Infineon BUZ 80 A SIE | Технические характеристики: I 3 A; U 800 V; R 3 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
164339 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 3710 Z | Технические характеристики: I 59 A; U 100 V; R 18 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
164398 | Транзистор International Rectifier IRLR 7843 HEXFET | Технические характеристики: I 161 A; U 30 V; R 3.3 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
157210 | Транзистор BF 256 C | Технические характеристики: I 0.01 A; U 30 V | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
158976 | Однополярный стандартный транзистор BS 107 | Технические характеристики: I 0.13 A; U 200 V | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
150929 | Транзистор MOSFET ON Semiconductor BS 107 | Технические характеристики: I 0.![]() | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
151362 | Транзистор MOSFET ST Microelectronics BUZ 11 A | Технические характеристики: I 27 A; U 50 V | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162362 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 1010 N | Технические характеристики: I 85 A; U 55 V; R 0.012 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162374 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 1404 S | Технические характеристики: I 162 A; U 40 V; R 0.004 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162375 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 1405 | Технические характеристики: I 169 A; U 55 V; R 0.005 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162377 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 1405 S | Технические характеристики: I 131 A; U 55 V; R 0.![]() | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162399 | Силовой транзистор MOSFET International Rectifier IRF 4905 | Технические характеристики: I -74 A; U -55 V; R 0.02 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162402 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 510 | Технические характеристики: I 5.6 A; U 100 V; R 0.54 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162409 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 5305 S | Технические характеристики: I -31 A; U -55 V; R 0.06 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162410 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 530 N l | Технические характеристики: I 12A; U 100 V; R 0.11 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162413 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 540 NS | Технические характеристики: I 33 A; U 100 V; R 0.![]() | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162443 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7301 | Технические характеристики: I 5.2 A; U 20 V; R 0.05 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162468 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 740 A | Технические характеристики: I 10 A; U 400 V; R 0.55 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162476 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7416 | Технические характеристики: I -10 A; U -30 V; R 0.02 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162520 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 820 | Технические характеристики: I 2.5 A; U 500 V; R 3 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162526 | Транзистор MOSFET Vishay IRF 840 | Технические характеристики: I 8 A; U 500 V; R 0.![]() | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162527 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 840 A | Технические характеристики: I 8 A; U 500 V; R 0.85 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162530 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 840 LC | Технические характеристики: I 8 A; U 500 V; R 0.85 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162533 | Транзистор MOSFET Vishay IRF 9510 | Технические характеристики: I -4 A; U -100 V; R 1.2 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162553 | Транзистор MOSFET Vishay IRFB 11 N 50 A | Технические характеристики: I 11 A; U 500 V; R 0.52 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162642 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 250 N | Технические характеристики: I 30 A; U 200 V; R 0.075 Ω | info@conrad-rus.![]() |
162659 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 460 | Технические характеристики: I 20 A; U 500 V; R 0.27 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162660 | Транзистор MOSFET Vishay IRFP 460 A | Технические характеристики: I 20 A; U 500 V; R 0.27 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162751 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFZ 44 V | Технические характеристики: I 55 A; U 60 V; R 0.0165 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162786 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 3803 | Технические характеристики: I 140 A; U 30 V; R 0.006 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162795 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 530 N | Технические характеристики: I 17 A; U 100 V; R 0.10 Ω | info@conrad-rus.![]() |
162825 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRLL 3303 | Технические характеристики: I 4.6 A; U 30 V; R 0.031 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162827 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRLML 2502 TR | Технические характеристики: I 4.2 A; U 20 V; R 0.045 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162832 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRLML 6401 TR | Технические характеристики: I -4.3 A; U -12 V; R 0.05 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162869 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRLZ 24 N HEXFET | Технические характеристики: I 18 A; U 55 V; R 0.06 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162873 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRLZ 34 N HEXFET | Технические характеристики: I 27 A; U 55 V; R 0.![]() | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162877 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRLZ 44 N HEXFET | Технические характеристики: I 41 A; U 55 V; R 0.022 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162879 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRLZ 44 NS HEXFET | Технические характеристики: I 47 A; U 55 V; R 0.022 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
158712 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 3205 | Технические характеристики: I 110 A; U 55 V; R 0,008 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
151573 | Транзистор MOSFET ST Microelectronics IRF 830 | Технические характеристики: I 4.5 A; U 500 V; R 1.5 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
151583 | Транзистор MOSFET Fairchild Semiconductor RFP 50 N 06 | Технические характеристики: I 50 A; U 60 V; P 131 W | info@conrad-rus.![]() |
152902 | Маломощный транзистор Infineon BSS 123 | Технические характеристики: I 170 mA; U 100 V; R 6 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
152928 | Маломощный транзистор Infineon BSS 138 N | Технические характеристики: I 220 mA; U 50 V; R 3.5 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
140252 | Однополярный стандартный транзистор BSN20 | Технические характеристики: I 100 mA; U 50 V | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162494 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7524 D 1 TRPBF | Технические характеристики: I -1.7 A; U -20 V; R 0.27 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162398 | Транзистор MOSFETInternational Rectifier IRF 3710 S | Технические характеристики: I 57 A; U 100 V; R 0.025 Ω | [email protected] или по тел.![]() |
162420 | Транзистор MOSFETInternational Rectifier IRF 6215 S | Технические характеристики: I -13 A; U 150 V; R 0.29 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162547 | Транзистор MOSFETInternational Rectifier IRF 9 Z 14 | Технические характеристики: I -6.7 A; U -60 V; R 0.5 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162555 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFB 18 N 50 K | Технические характеристики: I 17 A; U 500 V; R 0.25 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162583 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFD 120 | Технические характеристики: I 1.3 A; U 100 V; R 0.27 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162592 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFD 9210 | Технические характеристики: I -0.4 A; U -200 V; R 3 Ω | info@conrad-rus.![]() |
162619 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFIBF 30 G | Технические характеристики: I 1.9 A; U 900 V; R 3.7 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162635 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 048 N | Технические характеристики: I 64 A; U 55 V; R 0.016 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162662 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 9140 N | Технические характеристики: I 21 A; U 100 V; R 0.117 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162675 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFPG 30 | Технические характеристики: I 3.1 A; U 1000 V; R 5 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162678 | Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFR 014 | Технические характеристики: I 7.7 A; U 60 V; R 0.![]() | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162689 | Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFR 224 | Технические характеристики: I 3.8 A; U 250 V; R 1.1 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162712 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFS 23 | Технические характеристики: I 24A; U 200 V; R 0.1 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162725 | Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFU 320 | Технические характеристики: I 3.1 A; U 400 V; R 1.8 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162728 | Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFU 420 | Технические характеристики: I 2.4 A; U 500 V; R 3 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162755 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFZ 48 NS | Технические характеристики: I 64 A; U 55 V; R 0.![]() | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162769 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 3102 S | Технические характеристики: I 61 A; U 20 V; R 0.013 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162778 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 3302 S | Технические характеристики: I 39 A; U 20 V; R 0.020 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162806 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRLD 024 | Технические характеристики: I 2.5 A; U 60 V; R 0.1 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162811 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRLI 3705 N | Технические характеристики: I 52 A; U 55 V; R 0.01 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162818 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRLIZ 44 N | Технические характеристики: I 30 A; U 55 V; R 0.022 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162839 | Транзистор MOSFET nternational Rectifier IRLMS 6702 TR | Технические характеристики: I -2.3 A; U -20 V; R 0.2 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162849 | Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRLR 3103 | Технические характеристики: I 55A; U 30 V; R 0.019 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162866 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRLZ 14 L HEXFET | Технические характеристики: I 10 A; U 60 V; R 200 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
156493 | Однополярный транзистор Korea Electronics 2N7000A | Технические характеристики: I 200 mA; U 60 V | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
155779 | Транзистор MOSFET ST Microelectronics STD 5 NK 40 ZT 4 | Технические характеристики: I 3 A; U 400 V; R 1.9 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
164401 | Транзистор International Rectifier IRLU 3717 HEXFET | Технические характеристики: I 120 A; U 20 V; R 0.042 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
153234 | Интеллектуальный выключатель питания Infineon BTS 432 E 2-E-3062A ProFET | Технические характеристики: I 11 A; U >60 V; R 38 mΩ | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
153029 | Транзистор MOSFET-Tetrode Infineon BF 998 | Технические характеристики: I 30 mA; U 12 V; P 200 mW | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
153581 | Транзистор питания Infineon BUZ 31 | Технические характеристики: I 13.5 A; U 200 V; R 0.2 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
153608 | Транзистор питания Infineon BUZ 32 | Технические характеристики: I 9.5 A; U 200 V; R 0.4 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
153369 | Транзистор питания Infineon BUZ 42 | Технические характеристики: I 4 A; U 500 V; R 2 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
153382 | Транзистор питания Infineon BUZ 60 SIE | Технические характеристики: I 5.5 A; U 500 V; R 1 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
153463 | Транзистор питания Infineon BUZ 73 H | Технические характеристики: I 7 A; U 200 V; R 0,4 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
153985 | Транзистор Infineon SPW 20 N 60 S5 | Технические характеристики: I 20 A; U 600 V; R 0.19 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
156103 | Транзистор MOSFET ST Microelectronics STP 80 NF 10 | Технические характеристики: I 80 A; U 200 V; R 0.01 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
156110 | Транзистор MOSFET ST Microelectronics STP 16 NF 06 L | Технические характеристики: I 16 A; U 60 V; R 0.1 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
152954 | Маломощный транзистор Infineon BSP 318 S | Технические характеристики: I 2600 mA; U 60 V; R 0.15 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
152980 | Маломощный транзистор Infineon BSP 320 S | Технические характеристики: I 2900 mA; U 60 V; R 0.12 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
153165 | Интеллектуальный выключатель Infineon BTS 115 A | Технические характеристики: I 15.5 A; U 50 V; R 120 mΩ | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
164334 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 1405 Z | Технические характеристики: I 150 A; U 55 V; R 4.90 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
164337 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 2807 Z | Технические характеристики: I 89 A; U 75 V; R 9.40 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
164338 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 3205 Z | Технические характеристики: I 110 A; U 55 V; R 6.50 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
164357 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7831 | Технические характеристики: I 21 A; U 30 V; R 3.6 mΩ | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
164361 | Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFR 3704 Z | Технические характеристики: I 42 A; U 20 V; R 8.40 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
164331 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 1404 Z | Технические характеристики: I 190 A; U 40 V; R 3.70 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
153191 | Транзистор Infineon BSP 76 | Технические характеристики: I 5 A; U >42 V; R 200 mΩ | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
154116 | Транзистор Infineon SPD 07 N 60 S5 | Технические характеристики: I 7,3 A; U 600 V; R 0.60 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
153749 | Транзистор Infineon SPU 01 N 60 S5 | Технические характеристики: I 0,8 A; U 600 V; R 6.50 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
153568 | Транзистор питания Infineon BUZ 30 A SIE | Технические характеристики: I 21 A; U 200 V; R 0.13 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
153489 | Транзистор питания Infineon BUZ 73 AL | Технические характеристики: I 5.8 A; U 200 V; R 0.6 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
153393 | Транзистор Infineon BTS 621 L1-E-3128A ProFET | Технические характеристики: I 2 x 4.4 A; U 5 — 34 V; R 2 x 100 mΩ | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
153381 | Транзистор питания Infineon BUZ 104 S | Технические характеристики: I 14 A; U 55 V; R 0.1 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
153700 | Транзистор питания Infineon BUZ 100 S | Технические характеристики: I 77 A; U 55 V; R 0.015 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
153420 | Транзистор MOSFET nternational Rectifier IRLMS 6702 TR | Технические характеристики: I 12.6 A; U 5 — 34 V; R 30 mΩ | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
153231 | Маломощный транзистор Infineon BSP 295 | Технические характеристики: I 1800 mA; U 50 V; R 0.3 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
163643 | Транзистор MOSFET 2 N 4416 | Технические характеристики: I 15 mA; U 30 V; P 300 mW | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
151006 | Транзистор MOSFET NXP 2 N 7002 GEG HSMD | Технические характеристики: I 0.18 A; U 60 V; P 0.25 W; R 5 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
150994 | Транзистор MOSFET ON Semiconductor 2 N 7002 LT 1 | Технические характеристики: I 0.115 A; U 60 V; R 7.5 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
157830 | Транзистор MOSFET BF 244 A N | Технические характеристики: I 0.1 A; U 30 V | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
157082 | Транзистор MOSFET BF 244 B | Технические характеристики: I 50 mA; U 30 V | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
157120 | Транзистор MOSFET BF 245 C | Технические характеристики: I 0.1 A; U 30 V | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
157848 | Транзистор MOSFET BF 245 A | Технические характеристики: I 0.1 A; U 30 V | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
157139 | Транзистор MOSFET BF 246 A | Технические характеристики: I 0.08 A; U25 V | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
158968 | Однополярный стандартный транзистор BS 250 | Технические характеристики: I 0.25 A; U 45 V | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
150848 | Транзистор MOSFET NXP BSP 250 GEG NXP | Технические характеристики: I 3 A; U 30 V; R 0.25 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
150901 | Транзистор MOSFET NXP BSS 84 GEG | Технические характеристики: I 0.13 A; U 50 V; R 10 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
151517 | Транзистор MOSFET Infineon BUZ 21 | Технические характеристики: I 21 A; U 100 V; P 105 W | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162357 | Транзистор MOSFET Vishay FB 180 SA 10 | Технические характеристики: I 180 A; U 100 V; R 0.0065 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162358 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 1010 E | Технические характеристики: I 57 A; U 60 V; R 0.012 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162364 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 1010 NS | Технические характеристики: I 85 A; U 55 V; R 0.011 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162365 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 1104 | Технические характеристики: I 100 A; U 40 V; R 0.009 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162368 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 1310 N | Технические характеристики: I 42 A; U 100 V; R 0.036 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162371 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 1310 NS | Технические характеристики: I 42 A; U 100 V; R 0.036 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162372 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 1404 | Технические характеристики: I 162 A; U 40 V; R 0.004 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162373 | Транзистор MOSFET nternational Rectifier IRF 1404 L | Технические характеристики: I 162 A; U 40 V; R 0.004 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162384 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 3415 | Технические характеристики: I 43 A; U 150 V; R 0.042 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162390 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 3706 | Технические характеристики: I 77 A; U 20 V; R 0.0085 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162393 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 3707 S | Технические характеристики: I 62 A; U 30 V; R 0.0125 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162394 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 3708 | Технические характеристики: I 62 A; U 30 V; R 0.012 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162397 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 3710 | Технические характеристики: I 57 A; U100 V; R 0.025 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162404 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 520 N | Технические характеристики: I 9.7 A; U 100 V; R 0,2 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162406 | Силовой транзистор MOSFET International Rectifier IRF 5210 | Технические характеристики: I -40 A; U -100 V; R 0.06 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162414 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 610 | Технические характеристики: I 3.3 A; U 200 V; R 1.5 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162415 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 610 S | Технические характеристики: I 3.3 A; U 200 V; R 1.5 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162416 | Транзистор MOSFET Vishay IRF 620 | Технические характеристики: I 5.2 A; U 200 V; R 0.8 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162419 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 6215 | Технические характеристики: I -13 A; U -150 V; R 0.29 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162421 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 630 N | Технические характеристики: I 9.3 A; U 200 V; R 0.3 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162424 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 640 N | Технические характеристики: I 18 A; U 200 V; R 0.15 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162425 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 640 NS | Технические характеристики: I 18 A; U 200 V; R 0.15 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162427 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 644 | Технические характеристики: I 14 A; U 250 V; R 0.28 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162429 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 710 | Технические характеристики: I 2 A; U 400 V; R 3.6 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162431 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7103 | Технические характеристики: I 3 A; U 50 V; R 0.13 | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162433 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7105 | Технические характеристики: I 3.5 A/-2.3 A; U 25 V; R 0.109 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162437 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7204 | Технические характеристики: I -5.3 A; U -20 V; R 0.06 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162440 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7220 | Технические характеристики: I -11 A; U -14 V; R 0.012 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162441 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 730 | Технические характеристики: I 5.5 A; U 400 V; R 1 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162445 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7304 | Технические характеристики: I -4.3 A; U -20 V; R 0.09 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162447 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7307 | Технические характеристики: I 5.2 A/-4.3 A; U 20 V; R 0.05 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162449 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 730 A | Технические характеристики: I 5.5 A; U 400 V; R 1 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162451 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7311 | Технические характеристики: I 6.6 A; U 20 V; R 0.029 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162455 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7317 | Технические характеристики: I 6.6 A/-5.3 A; U 20 V; R 0.029 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162456 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7319 | Технические характеристики: I 6.5 A/-4.9 A; U 30 V; R 0.029 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162458 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7342 | Технические характеристики: I -3.4 A; U -55 V; R 0.105 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162459 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7343 | Технические характеристики: I 4.7 A/-3.4 A; U 55 V; R 0.05 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162462 | Транзистор MOSFET Vishay IRF 740 | Технические характеристики: I 10 A; U 400 V; R 0.55 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162463 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF | Технические характеристики: I 8.7 A; U 20 V; R 0.022 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162464 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7402 | Технические характеристики: I 6.8 A; U 20 V; R 0.035 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162467 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7406 | Технические характеристики: I -5.8 A; U -30 V; R 0.045 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162471 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 740 LC | Технические характеристики: I 10 A; U 400 V; R 0.55 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162473 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7410 | Технические характеристики: I -16 A; U -12 V; R 0.007 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162474 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7413 | Технические характеристики: I 12 A; U 30 V; R 0.011 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162481 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7456 | Технические характеристики: I 16 A; U 20 V; R 0.0065 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162482 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7457 | Технические характеристики: I 15 A; U 20 V; R 0.007 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162483 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7458 | Технические характеристики: I 14 A; U 30 V; R 0.008 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162521 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 820 A | Технические характеристики: I 2.5 A; U 500 V; R 3 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162529 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 840 L | Технические характеристики: I 8 A; U 500 V; R 850 mΩ | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162532 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 9410 | Технические характеристики: I 7 A; U 30 V; R 0.03 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162538 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 9540 NS | Технические характеристики: I -23 A; U -100 V; R 0.117 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162539 | Транзистор MOSFET Vishay IRF 9610 | Технические характеристики: I -1.8 A; U -200 V; R 3 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162540 | Силовой транзистор MOSFET International Rectifier IRF 9620 | Технические характеристики: I -3.5 A; U -200 V; R 1.5 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162541 | Силовой транзистор MOSFET International Rectifier IRF 9630 | Технические характеристики: I -6,5 A; U -200 V; R 0.8 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162542 | Транзистор MOSFET Vishay IRF 9640 | Технические характеристики: I -11 A; U -200 V; R 0.5 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162545 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 9953 | Технические характеристики: I -2.3 A; U -30 V; R 0.25 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162551 | Силовой транзистор MOSFET International Rectifier IRF 9 Z 34 | Технические характеристики: I -19 A; U -55 V; R 0.10 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162556 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFB 23 N 15 D | Технические характеристики: I 23 A; U 150 V; R 0.09 | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162559 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFB 31 N 20 D | Технические характеристики: I 31 A; U 200 V; R 0.082 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162560 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFB 41 N 15 D | Технические характеристики: I 41 A; U 150 V; R 0.045 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162561 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFB 59 N 10 D | Технические характеристики: I 59 A; U 100 V; R 0.025 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162562 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFB 9 N 60 A | Технические характеристики: I 9.2 A; U 600 V; R 0.75 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162563 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFB 9 N 65 A | Технические характеристики: I 8.5 A; U 650 V; R 0.9 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162564 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFBC 20 | Технические характеристики: I 2.2 A; U 600 V; R 4.4 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162565 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFBC 30 | Технические характеристики: I 3.6 A; U 600 V; R 2.2 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162567 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFBC 30 A | Технические характеристики: I 3.6 A; U 600 V; R 2.2 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162568 | Транзистор MOSFET Vishay IRFBC 40 | Технические характеристики: I 6.2 A; U 600 V; R 1.2 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162578 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFBG 30 | Технические характеристики: I 3.1 A; U 1000 V; R 5 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162582 | Транзистор MOSFET Vishay IRFD 110 | Технические характеристики: I 1A; U 100 V; R 0.54 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162591 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFD 9120 | Технические характеристики: I -1 A; U -100 V; R 0.6 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162594 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFI 1010 N | Технические характеристики: I 49 A; U 55 V; R 0.012 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162602 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFI 630 G | Технические характеристики: I 5.9 A; U 200 V; R 0.4 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162606 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFI 730 G | Технические характеристики: I 3.7 A; U 400 V; R 1 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162611 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFI 840 G | Технические характеристики: I 4.6 A; U 500 V; R 0.85 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162612 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFI 9630 G | Технические характеристики: I -4.3 A; U -200 V; R 0.8 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162617 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFIBC 40 G | Технические характеристики: I 3.5 A; U 600 V; R 1.2 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162623 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFIZ 44 N | Технические характеристики: I 31A; U 55 V; R 0.024 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162626 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFL 014 N | Технические характеристики: I 1.9 A; U 55 V; R 0.16 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162627 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFL 110 | Технические характеристики: I 1.5 A; U 100 V; R 0.54 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162630 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFL 4105 | Технические характеристики: I 3.7 A; U 55 V; R 0.045 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162633 | Транзистор MOSFET Vishay IRFL 9110 | Технические характеристики: I -1.1 A; U -100 V; R 1.2 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162634 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 044 N | Технические характеристики: I 53 A; U 55 V; R 0.02 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162637 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 064 N | Технические характеристики: I 110 A; U 55 V; R 0.008 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162639 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 150 N | Технические характеристики: I 39 A; U 100 V; R 0.036 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162640 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 22 N 50 A | Технические характеристики: I 22 A; U 500 V; R 0.23 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162641 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 240 | Технические характеристики: I 20 A; U 200 V; R 0.18 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162645 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 264 | Технические характеристики: I 38 A; U 250 V; R 0.075 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162648 | Транзистор MOSFET Vishay IRFP 350 | Технические характеристики: I 16 A; U 400 V; R 0.30 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162650 | Транзистор MOSFET Vishay IRFP 360 | Технические характеристики: I 23 A; U 400 V; R 0.20 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162651 | Транзистор MOSFET Vishay IRFP 360 LC | Технические характеристики: I 23 A; U 400 V; R 0.20 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162653 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 3710 | Технические характеристики: I 51 A; U 100 V; R 0.028 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162656 | Транзистор MOSFET Vishay IRFP 450 | Технические характеристики: I 14 A; U 500 V; R 0.4 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162657 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 450 A | Технические характеристики: I 14 A; U 500 V; R 0.4 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162658 | Транзистор MOSFET Vishay IRFP 450 LC | Технические характеристики: I 16 A; U 500 V; R 0.4 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162663 | Транзистор MOSFET Vishay IRFP 9240 | Технические характеристики: I 12 A; U 200 V; R 0.50 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162665 | Транзистор MOSFET Vishay IRFPC 50 | Технические характеристики: I 11 A; U 600 V; R 0.60 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162669 | Транзистор MOSFET Vishay IRFPC 60 LC | Технические характеристики: I 16 A; U 600 V; R 0.40 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162671 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFPE 40 | Технические характеристики: I 5.4 A; U 800 V; R 2.0 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162672 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFPE 50 | Технические характеристики: I 7.8 A; U 800 V; R 1.2 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162676 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFPG 40 | Технические характеристики: I 4.3 A; U 1000 V; R 3.5 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162682 | Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFR 1205 | Технические характеристики: I 37 A; U 55 V; R 0.027 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162686 | Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFR 1 N 60 A | Технические характеристики: I 1.4 A; U 600 V; R 7 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162690 | Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFR 2407 | Технические характеристики: I 42 A; U 75 V; R 0.026 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162696 | Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFR 5305 | Технические характеристики: I 31 A; U -55 V; R 0.065 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162699 | Силовой транзистор MOSFET International Rectifier IRFR 9024 | Технические характеристики: I 8A; U -55 V; R 0.175 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162701 | Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFR 9120 N | Технические характеристики: I — 6.6 A; U — 100 V; R 0.48 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162729 | Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFU 5305 | Технические характеристики: I 28 A; U 55 V; R 0.065 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162730 | Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFU 9024 N | Технические характеристики: I 11 A; U 55 V; R 0.175 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162737 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFZ 14 HEXFET | Технические характеристики: I 10 A; U 60 V; R 0.2 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162739 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFZ 24 N | Технические характеристики: I 17 A; U 50 V; R 0.07 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162745 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFZ 44 E | Технические характеристики: I 48 A; U 60 V; R 0.023 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162746 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFZ 44 ES | Технические характеристики: I 48 A; U 60 V; R 0.023 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162752 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFZ 46 N | Технические характеристики: I 46 A; U 55 V; R 0.02 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162753 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFZ 48 N | Технические характеристики: I 53 A; U 55 V; R 0.016 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162757 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFZ 48 V | Технические характеристики: I 72 A; U 60 V; R 0.012 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162758 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 1004 | Технические характеристики: I 92 A; U 40 V; R 0.0065 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162759 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 1004 S | Технические характеристики: I 110 A; U 40 V; R 0.0065 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162760 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 1104 | Технические характеристики: I 104 A; U 40 V; R 0.008 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162763 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 2203 N | Технические характеристики: I 100 A; U 30 V; R 0.007 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162767 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 2910 | Технические характеристики: I 55 A; U 100 V; R 0.026 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162770 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 3103 HEXFET | Технические характеристики: I 56 A; U 30 V; R 0.014 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162776 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 3202 | Технические характеристики: I 48 A; U 20 V; R 0.016 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162779 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 3303 | Технические характеристики: I 38 A; U 30 V; R 0.026 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162782 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 3502 | Технические характеристики: I 110 A; U 20 V; R 0.007 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162783 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 3502 S | Технические характеристики: I 110 A; U 20 V; R 0.007 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162784 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 3705 N | Технические характеристики: I 89 A; U 55 V; R 0.01 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162785 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 3705 NS | Технические характеристики: I 89 A; U 55 V; R 0.01 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162787 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 3803 L | Технические характеристики: I 140 A; U 30 V; R 6 mΩ | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162789 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 510 | Технические характеристики: I 5.6 A; U 100 V; R 0.54 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162798 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 540 N | Технические характеристики: I 36 A; U 100 V; R 0.044 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162801 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 630 | Технические характеристики: I 9 A; U 200 V; R 0.4 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162805 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRLD 014 | Технические характеристики: I 1.7 A; U 60 V; R 0.2 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162814 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRLI 540 N | Технические характеристики: I 23 A; U 100 V; R 0.044 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162815 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRLIZ 24 N | Технические характеристики: I 14 A; U 50 V; R 0.06 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162819 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRLL 014 | Технические характеристики: I 2 A; U 55 V; R 0.14 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162820 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRLL 024 N | Технические характеристики: I 3.1A; U 55 V; R 0.065 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162826 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRLML 2402 TR | Технические характеристики: I 1.2 A; U 20 V; R 0.25 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162828 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRLML 2803 TR | Технические характеристики: I 1.2 A; U 30 V; R 0.25 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162833 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRLML 6402 TR | Технические характеристики: I -3.7 A; U -20 V; R 0.065 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162836 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRLMS 2002 TR | Технические характеристики: I 6.5 A; U 20 V; R 0.03 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162843 | Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRLR 024 N | Технические характеристики: I 17 A; U 55 V; R 0.065 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162845 | Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRLR 120 N | Технические характеристики: I 10 A; U 100 V; R 0.185 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162856 | Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRLU 024 N | Технические характеристики: I 17 A; U 55 V; R 0.065 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162857 | Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRLU 110 | Технические характеристики: I 4.3 A; U 100 V; R 0.54 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162865 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRLZ 14 HEXFET | Технические характеристики: I 10 A; U 60 V; R 00.2 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162871 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRLZ 24 NS HEXFET | Технические характеристики: I 18 A; U 55 V; R 0.06 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162875 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRLZ 34 NS HEXFET | Технические характеристики: I 30 A; U 55 V; R 0.035 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162881 | Транзистор MOSFET International Rectifier SI 4410 DY | Технические характеристики: I 10 A; U 30 V; R 0.0135 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
153244 | Транзистор MOSFET Infineon BSP 78 | Технические характеристики: I 30 A; U >42 V; R 50 mΩ | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
153422 | Транзистор Infineon IPP80CN10NG (=BUZ 72) | Технические характеристики: I 13 A; U 100 V; R 78 mΩ | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
151456 | Транзистор MOSFET Fairchild Semiconductor IRF 9620 | Технические характеристики: I -14 A; U -200 V; R 1.5 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162448 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7309 | Технические характеристики: I 4 A/-3 A; U 30 V; R 0.05 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
142808 | Транзистор MOSFET MMBF 4416 | Технические характеристики: I 10 mA; U 30 V | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
151098 | Транзистор MOSFET ON Semiconductor MMB F170 LT1 | Технические характеристики: I 0.5 A; U 60 V; R 5 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
153042 | Транзистор MOSFET-Tetrode Infineon BF 999 | Технические характеристики: I 30 mA; U 20 V; P 200 mW | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
155772 | Транзистор MOSFET ST Microelectronics IRF 630 | Технические характеристики: I 9 A; U 200 V; R 0.4 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
155773 | Транзистор MOSFET ST Microelectronics IRF 640 | Технические характеристики: I 18 A; U 200 V; R 0.18 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
155781 | Транзистор MOSFET ST Microelectronics STP 36 NF 06 | Технические характеристики: I 30 A; U 60 V; R 0.04 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
155786 | Транзистор MOSFET ST Microelectronics STW 34 NB 20 | Технические характеристики: I 34 A; U 200 V; R 80 mΩ | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
151301 | Транзистор MOSFET ON Semiconductor MTD 2955 VT4 | Технические характеристики: I 42 A; U 60 V; R 0.2 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
151269 | Силовой транзистор MOSFET ON Semiconductor MTD 3055 V | Технические характеристики: I 12 A; U 60 V; R 0.15 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
151322 | Транзистор MOSFET ON Semiconductor MTD 3055 V LT4 | Технические характеристики: I 12 A; U 60 V; R 0,18 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
153220 | Интеллектуальный выключатель Infineon BTS 432 E2 ProFET | Технические характеристики: I 11 A; U>60 V; R 38 mΩ | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
151623 | Транзистор MOSFET Fairchild Semiconductor RFP 12 N 10 L | Технические характеристики: I 12A; U 100 V; R 0,14 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
151569 | Транзистор MOSFET Fairchild Semiconductor RFP 70 N 06 | Технические характеристики: I 70 A; U 60 V; R 0,014 Ω; P 150 W | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
153243 | Маломощный транзистор Infineon BSP 296 | Технические характеристики: I 1 A; U 100 V; R 0.8 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
153257 | Маломощный транзистор Infineon BSP 88 | Технические характеристики: I 320 mA; U 240 V; R 8 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
153270 | Маломощный транзистор Infineon BSP 89 | Технические характеристики: I 360 mA; U 240 V; R 6 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
153297 | Маломощный транзистор Infineon BSS 119 | Технические характеристики: I 170 mA; U 100 V; R 6 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
153072 | Маломощный транзистор Infineon BSS 87 | Технические характеристики: I 290 mA; U 240 V; R 6 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
153955 | Маломощный транзистор Infineon SN 7002 | Технические характеристики: I 190 mA; U 60 V; R 5 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
140163 | Транзистор MOSFET (Dual Gate) Infineon BF 990 | Технические характеристики: I 30 mA; U 18 V | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162593 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFD 9220 | Технические характеристики: I -0.56 A; U -200 V; R 1.5 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162608 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFI 740 GLC | Технические характеристики: I 5.7 A; U 400 V; R 0.55 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
160642 | Силовой транзистор MOSFET IXYS IXFN100N50P | Технические характеристики: I 75 A; U 500 V | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
160646 | Силовой транзистор MOSFET IXYS IXFN44N100P | Технические характеристики: I 37 A; U 1000 V | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
160645 | Силовой транзистор MOSFET IXYS IXFN60N80P | Технические характеристики: I 53A; U 800 V | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
160643 | Силовой транзистор MOSFET IXYS IXFN82N60P | Технические характеристики: I 72 A; U 600 V | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
153623 | Транзистор питания Infineon BUZ 81 | Технические характеристики: I 4 A; U 800 V; R 2.5 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
153019 | Маломощный транзистор Infineon BSO 304 SN | Технические характеристики: I 6400 mA; U 30 V; R 0.03 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
153046 | Маломощный транзистор Infineon BSP 373 | Технические характеристики: I 1700 mA; U 100 V; R 0.3 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162477 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7421 D 1 | Технические характеристики: I 5.8 A; U 30 V; R 0.035 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162395 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 3708 S | Технические характеристики: I 62 A; U 30 V; R 0.012 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162423 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 634 | Технические характеристики: I 8.1 A; U 250 V; R 0.45 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162435 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 720 | Технические характеристики: I 3.3 A; U 400 V; R 1.8 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162444 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7303 | Технические характеристики: I 4.9 A; U 30 V; R 0.05 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162446 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7306 | Технические характеристики: I -3.6 A; U -30 V; R 0.1 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162452 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7313 | Технические характеристики: I 6.5 A; U 30 V; R 0.029 | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162457 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7341 | Технические характеристики: I 4.7 A; U 55 V; R 0.05 | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162465 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7403 | Технические характеристики: I 8.5 A; U 30 V; R 0.022 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162484 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7459 | Технические характеристики: I 12 A; U 20 V; R 0.01 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162522 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 830 | Технические характеристики: I 4.5 A; U 500 V; R 1.5 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162524 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 830 A | Технические характеристики: I 5 A; U 500 V; R 1.4 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162546 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 9956 | Технические характеристики: I 3.5 A; U 30 V; R 0.1 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162570 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFBC 40 LC | Технические характеристики: I 6.2 A; U 600 V; R 1.2 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162572 | Транзистор MOSFET Vishay IRFBE 30 | Технические характеристики: I 4.1 A; U 800 V; R 3 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162576 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFBF 30 | Технические характеристики: I 3.6 A; U 900 V; R 3.7 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162579 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFD 014 | Технические характеристики: I 1.7 A; U 60 V; R 0.2 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162581 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFD 024 | Технические характеристики: I 2.5 A; U 60 V; R 0.1 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162589 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFD 9024 | Технические характеристики: I -1.6 A; U -60 V; R 0.28 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162590 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFD 9110 | Технические характеристики: I -0.7 A; U -100 V; R 1.2 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162595 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFI 1310 N | Технические характеристики: I 24 A; U 100 V; R 0.036 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162615 | Транзистор MOSFET Vishay IRFIB 6 N 60 A | Технические характеристики: I 5.5 A; U 600 V; R 0.75 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162616 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFIB 7 N 50 A | Технические характеристики: I 6.6 A; U 500 V; R 0.52 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162625 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFIZ 48 N | Технические характеристики: I 36 A; U 55 V; R 0.016 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162638 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 140 N | Технические характеристики: I 33 A; U 100 V; R 0.052 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162668 | Транзистор MOSFET Vishay IRFPC 60 | Технические характеристики: I 16 A; U 600 V; R 0.40 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162684 | Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFR 13 N 20 D | Технические характеристики: I 14 A; U 200 V; R 0.235 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162766 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 2703 | Технические характеристики: I 24 A; U 30 V; R 0.04 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162816 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRLIZ 34 N | Технические характеристики: I 22 A; U 55 V; R 0.035 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162824 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRLL 2705 | Технические характеристики: I 3.8 A; U 55 V; R 0.04 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162835 | Транзистор MOSFET International Rectifier IRLMS 1902 | Технические характеристики: I 3.2 A; U 20 V; R 0.10 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
162852 | Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRLR 3410 | Технические характеристики: I 17 A; U 100 V; R 0.10 Ω | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
140586 | Транзистор MOSFET ROHM Semiconductor UM6K1NTN | Технические характеристики: I 100 mA; U 30 V | [email protected] или по тел. (495) 66-99-077 |
отзывы, фото и характеристики на Aredi.ru
Мы доставляем посылки в г. Калининград и отправляем по всей России
- 1
Товар доставляется от продавца до нашего склада в Польше. Трекинг-номер не предоставляется.
- 2
После того как товар пришел к нам на склад, мы организовываем доставку в г. Калининград.
- 3
Заказ отправляется курьерской службой EMS или Почтой России. Уведомление с трек-номером вы получите по смс и на электронный адрес.
!
Ориентировочную стоимость доставки по России менеджер выставит после оформления заказа.
Гарантии и возврат
Гарантии
Мы работаем по договору оферты, который является юридической гарантией того, что мы выполним
свои обязательства.
Возврат товара
Если товар не подошел вам, или не соответсвует описанию, вы можете вернуть его, оплатив
стоимость обратной пересылки.
- У вас остаются все квитанции об оплате, которые являются подтверждением заключения сделки.
- Мы выкупаем товар только с проверенных сайтов и у проверенных продавцов, которые полностью отвечают за доставку товара.
- Мы даем реальные трекинг-номера пересылки товара по России и предоставляем все необходимые документы по запросу.
- 5 лет успешной работы и тысячи довольных клиентов.
отзывы, фото и характеристики на Aredi.ru
Мы доставляем посылки в г. Калининград и отправляем по всей России
- 1
Товар доставляется от продавца до нашего склада в Польше. Трекинг-номер не предоставляется.
- 2
После того как товар пришел к нам на склад, мы организовываем доставку в г. Калининград.
- 3
Заказ отправляется курьерской службой EMS или Почтой России. Уведомление с трек-номером вы получите по смс и на электронный адрес.
!
Ориентировочную стоимость доставки по России менеджер выставит после оформления заказа.
Гарантии и возврат
Гарантии
Мы работаем по договору оферты, который является юридической гарантией того, что мы выполним
свои обязательства.
Возврат товара
Если товар не подошел вам, или не соответсвует описанию, вы можете вернуть его, оплатив
стоимость обратной пересылки.
- У вас остаются все квитанции об оплате, которые являются подтверждением заключения сделки.
- Мы выкупаем товар только с проверенных сайтов и у проверенных продавцов, которые полностью отвечают за доставку товара.
- Мы даем реальные трекинг-номера пересылки товара по России и предоставляем все необходимые документы по запросу.
- 5 лет успешной работы и тысячи довольных клиентов.
Полевые транзисторы серии КП7хх
Полевые транзисторы серии КП7ххПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ серии КП7хх
136 типономиналов на 9-май-2021
Предприятия, отмеченные таким цветом, прекратили свое существование.
Подробная информация о производителях — в ПУТЕВОДИТЕЛе и о корпусах — здесь | |||||||||
тип | аналог | класс | Uси, В | Iс, А | Rси, Ом | tвыкл, нс | корпус | производитель | подробности |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
КП701А | nМОП | 500 | 8 | 1 | 40 | КТ57 | ПУЛЬСАР | ||
КП702А | nМОП | 300 | 15 | 0.5 | 80 | ФОТОН | |||
КП703А | nМОП | 150 | 12 | 0,7 | ПУЛЬСАР | ||||
КП704А | nМОП | 200 | 10 | 0,35 | 100 | КТ28-2 | ГРАВИТОН | ||
КП704Б | nМОП | 200 | 10 | 0,5 | 100 | КТ28-2 | ГРАВИТОН | ||
КП705А | nМОП | 1000 | 5 | 4,3 | 80 | КТ-9 | |||
КП706А | nМОП | 500 | 15 | 0,8 | 100 | КТ-61А | |||
КП707В | nМОП | 800 | 7 | 3 | 80 | КТ28-2 | ВЗПП-С | АДБК.432140.140ТУ | |
КП708А | nМОП | 600 | 4 | 1.5 | 100 | КТ28-2 | ЭЛЕКТРОНПРИБОР | ||
КП709А | BUZ90 | nМОП | 600 | 4 | 2 | 100 | КТ28-2 | ЭЛИЗ | |
КП710 | IRF710 | nМОП | 400 | 2 | 3.6 | КТ28-2 | ЭЛЕКТРОНИКА | ||
КП711А | BUZ90 | nМОП | 600 | 4.5 | КТ28 | ГАММА | |||
КП713А | IRF644 | nМОП | 250 | 14 | КТ28 | ГАММА | |||
КП713Б | IRF8С40 | nМОП | 600 | 6 | КТ28 | ГАММА | |||
КП713В | IRF8Е30 | nМОП | 800 | 4 | КТ28 | ГАММА | |||
КП714А | БСИТ | 900 | 40 | КТ28 | ГАММА | =КП937 | |||
КП715А | IGBT | 600 | 20 | КТ28 | ГАММА | ||||
КП717Б | IRF350 | nМОП | 350 | 15 | 0.3 | КТ43 | ТРАНЗИСТОР | ||
КП718 | BUZ45 | nМОП | 500 | 9.6 | 0.6 | КТ9 | ТРАНЗИСТОР | ||
КП719А | ЭЛИЗ | ||||||||
КП720 | IRF720 | nМОП | 400 | 3.3 | 1.8 | КТ28-2 | ЭЛЕКТРОНИКА | ||
КП722А | BUZ36 | nМОП | 200 | 22 | 0.12 | ТРАНЗИСТОР | |||
КП723А | IRF44 | nМОП | 60 | 35 | 0.035 | КТ28 | ТРАНЗИСТОР | ||
КП723Г | IRLZ44 | nМОП | 60 | 50 | КТ28 | ТРАНЗИСТОР | лог.упр | ||
КП724А | MTP6N60 | nМОП | 600 | 6 | 1.2 | КТ28 | ТРАНЗИСТОР | ||
КП725А | IRF450 | nМОП | 600 | 13 | 0.4 | КТ9 | ТРАНЗИСТОР | ||
КП726А | BUZ90 | nМОП | 600 | 4 | 2.0 | КТ28 | ТРАНЗИСТОР | ||
КП727А | BUZ71 | nМОП | 60 | 30 | 0.05 | 0.12 | КТ28 | ТРАНЗИСТОР | Р 1/02 |
КП727В | IRLZ34 | nМОП | 60 | 30 | 0.05 | 0.12 | КТ28 | ТРАНЗИСТОР | |
КП728А | BUZ307 | nМОП | 800 | 3 | 3.0 | КТ43 | ТРАНЗИСТОР | ||
КП730 | IRF730 | nМОП | 400 | 5.5 | 1.0 | КТ28-2 | ЭЛЕКТРОНИКА | ||
КП730A | IRGPH50 | IGBT | 1200 | 45 | ЭЛЕКТРОНИКА | ||||
КП731A | IRGBC40 | IGBT | 600 | 40 | ЭЛЕКТРОНИКА | ||||
КП731A | IRF710 | nМОП | 400 | 2 | 3.6 | КТ28 | ТРАНЗИСТОР | ||
КП733А | nМОП | 400 | 1.5 | 3.6 | КТ28 | ЭЛЕКТРОНИКА | |||
КП734A | NDP506A | nМОП | 60 | 19 | 0.05 | 50 | КТ28 | МИКРОН | |
КП735A | NDP606A | nМОП | 60 | 48 | 0.025 | 60 | КТ28 | МИКРОН | |
КП737A | IRF630 | nМОП | 200 | 9 | 0.4 | КТ28 | ТРАНЗИСТОР | ||
КП738A | BUZ90 | nМОП | 600 | 4.5 | 1.6 | КТ28 | ЭЛИЗ | ||
КП739A | IRFZ14 | nМОП | 60 | 10 | 0.2 | КТ28 | ТРАНЗИСТОР | ||
КП740 | IRF740 | nМОП | 400 | 10 | 0.55 | КТ28-2 | ЭЛЕКТРОНИКА | ||
КП740A | IRFZ24 | nМОП | 60 | 17 | 0.1 | КТ28 | ТРАНЗИСТОР | ||
КП741A | IRFZ48 | nМОП | 60 | 50 | 0.018 | КТ28 | ТРАНЗИСТОР | ||
КП742A | STH75N06 | nМОП | 60 | 75 | 0.014 | КТ43 | ТРАНЗИСТОР | ||
КП743A | IRF510 | nМОП | 100 | 5.6 | 0.54 | КТ28 | ТРАНЗИСТОР | ||
КП744A | IRF520 | nМОП | 100 | 9.2 | 0.27 | КТ28 | ТРАНЗИСТОР | ||
КП744Г | IRL520 | nМОП | 100 | 9 | КТ28 | ТРАНЗИСТОР | лог.упр | ||
КП745A | IRF530 | nМОП | 100 | 14 | 0.16 | КТ28 | ТРАНЗИСТОР | ||
КП746A | IRF540 | nМОП | 100 | 28 | 0.077 | КТ28 | ТРАНЗИСТОР | ||
КП746Г | IRL540 | nМОП | 100 | 28 | КТ28 | ТРАНЗИСТОР | лог.упр | ||
КП747A | IRFP150 | nМОП | 100 | 41 | 0.055 | КТ43 | ТРАНЗИСТОР | ||
КП748A | IRF610 | nМОП | 200 | 3.3 | 1.5 | КТ28 | ТРАНЗИСТОР | ||
КП749A | IRF620 | nМОП | 200 | 5.2 | 0.8 | КТ28 | ТРАНЗИСТОР | ||
КП750A | IRF640 | nМОП | 200 | 18 | 0.18 | КТ28 | ТРАНЗИСТОР | ||
КП751A | IRF720 | nМОП | 400 | 3.3 | 1.8 | КТ28 | ТРАНЗИСТОР | ||
КП752A | IRF730 | nМОП | 400 | 5.5 | 1.0 | КТ28 | ТРАНЗИСТОР | ||
КП753A | IRF830 | nМОП | 500 | 4.5 | 1.5 | КТ28 | ТРАНЗИСТОР | ||
КП759A | IRF820 | nМОП | 500 | 2.5 | 3 | 8 | КТ28 | МИКРОН | |
КП760A | IRF830 | nМОП | 500 | 4.6 | 1.5 | 16 | КТ28 | МИКРОН | |
КП761A | IRF840 | nМОП | 500 | 8 | 0.85 | 23 | КТ28 | МИКРОН | |
КП767В/В91 | IRF640 | nМОП | 200 | 18 | 0.18 | КТ28-2/КТ90 | ВЗПП-С | АЕЯР.432140.740ТУ | |
КП768К/К91 | IRF740 | nМОП | 400 | 10 | 0.55 | КТ28-2/КТ90 | ВЗПП-С | АЕЯР.432140.743ТУ | |
КП769В/В91 | IRF540 | nМОП | 100 | 28 | 0.08 | КТ28-2/КТ90 | ВЗПП-С | АЕЯР.432140.744ТУ | |
КП770Д | IRF830 | nМОП | 500 | 4.5 | 1.5 | КТ28-2 | ВЗПП-С | АЕЯР.432140.745ТУ | |
КП771A | STP40N10 | nМОП | 100 | 40 | 0.04 | КТ28 | ТРАНЗИСТОР | ||
КП775A | 2SK2498 | nМОП | 55 | 0.009 | КТ28 | ТРАНЗИСТОР | |||
КП778A | IRFP250 | nМОП | 200 | 0.085 | КТ43 | ТРАНЗИСТОР | |||
КП780A | IRF820 | nМОП | 450 | 3.0 | КТ28 | ТРАНЗИСТОР | |||
КП782Е | IRZ34 | nМОП | 60 | 30 | 0.05 | КТ28-2 | ВЗПП-С | ||
КП783A | IRF3205 | nМОП | 55 | 0.008 | КТ27 | ТРАНЗИСТОР | |||
КП784A | IRF9Z34 | pМОП | 60 | 0.14 | КТ28 | ТРАНЗИСТОР | |||
КП785A | IRF9540 | pМОП | 100 | 0.2 | КТ28 | ТРАНЗИСТОР | |||
КП789A | BUZ111S | nМОП | 55 | 0.008 | КТ28 | ТРАНЗИСТОР | |||
КП790А | IRFP150 | nМОП | 100 | 41 | 0.06 | КТ43В | ВЗПП-С | АДБК.432140.906ТУ | |
КП796A | IRF9634 | pМОП | 250 | 1 | КТ28 | ТРАНЗИСТОР | |||
КП797Г | IRF540 | nМОП | 100 | 28 | 0.08 | КТ28 | ТРАНЗИСТОР | ||
КП7102A | IRFZ44 | nМОП | 60 | 50 | 0.03 | КТ28 | ТРАНЗИСТОР | ||
КП7110А | КП973 | БСИТ | 700 | 30 | 150 | to218 | ЭПЛ | ||
КП7111А | КП955 | БСИТ | 700 | 20 | 100 | to220 | ЭПЛ | ||
КП7112 | IRGS14B40L | IGBT | 470 | 15 | to218 | ЭПЛ | |||
КП7128A | IRF5210 | pМОП | 100 | 0.06 | КТ28 | ТРАНЗИСТОР | |||
КП7129A | SSU1N60 | nМОП | 600 | 12 | КТ28 | ТРАНЗИСТОР | |||
КП7130А1/А91 | IRFBC40 | nМОП | 600 | 6,2 | 1,2 | КТ28-2 / КТ90 | АНГСТРЕМ | СТ 7/02 | |
КП7131А9 | IRF7101 | nМОП | 20 | 3,5 | 0,1 | so8 | АНГСТРЕМ | СТ 7/02 | |
КП7132А11/А91 | HUF7507P3 | nМОП | 70 | 15 | 0,09 | КТ28-2 / КТ90 | АНГСТРЕМ | СТ 7/02 /+zener/ | |
КП7133А1/А91 | IRF640N | nМОП | 200 | 18 | 0,18 | КТ28-2 / КТ90 | АНГСТРЕМ | СТ 7/02 | |
КП7134А | IRF630 | nМОП | 200 | 9,3 | 0,30 | to220 | АНГСТРЕМ | СТ 7/02 | |
КП7135А | IRF620 | nМОП | 200 | 5,2 | 0,8 | to220 | АНГСТРЕМ | СТ 7/02 | |
КП7136А | IRF740 | nМОП | 400 | 10 | 0,55 | to220 | АНГСТРЕМ | СТ 7/02 | |
КП7137А | IRF840 | nМОП | 500 | 8 | 0,85 | to220 | АНГСТРЕМ | СТ 7/02 | |
КП7138А | IRFR1N60 | nМОП | 600 | 1,4 | 7 | to251/252 | АНГСТРЕМ | СТ 7/02 | |
КП7140A | IRF7103 | nМОП | 60 | 3 | 0.13 | КТ28 | ТРАНЗИСТОР | ||
КП7141A | IRF5210 | pМОП | 100 | 40 | 0.06 | КТ28 | ТРАНЗИСТОР | ||
КП7144A | IRF9140 | pМОП | 100 | 19 | 0.2 | КТ28 | ТРАНЗИСТОР | ||
2П7149А | nМОП | 60 | 40 | 0,024 | КТ28А | АНГСТРЕМ | RadHard | ||
2П7152A | IRFP048N | nМОП | 55 | 60 | 0.012 | 120 | to254 | ИСКРА | АЕЯР.432140.139ТУ |
2П7154A | nМОП | 1200 | 50 | 0.35 | 300 | планар МК | ИСКРА | 4х кристалльный | |
КП7160К | nМОП | 600 | 20 | 0.23 | КТ97 | ФЗМТ | АЕЯР.432140.374 RadHard | ||
2П7161А/А9 | nМОП | 30 | 45 | 0,006 | КТ43А / КТ95 | АНГСТРЕМ | RadHard | ||
2П7161Б/Б9 | nМОП | 60 | 45 | 0,008 | КТ43А / КТ95 | АНГСТРЕМ | RadHard | ||
2П7162А/А1/А91 | nМОП | 30 | 46 | 0,02 | КТ28А / КТ28-2 / КТ90 | АНГСТРЕМ | RadHard | ||
2П7163А/А1/А91 | nМОП | 100 | 26 | 0,05 | КТ28А / КТ28-2 / КТ90 | АНГСТРЕМ | RadHard | ||
2П7164А/А1/А91 | nМОП | 200 | 12 | 0,2 | КТ28А / КТ28-2 / КТ90 | АНГСТРЕМ | RadHard | ||
2П7165А/А1/А91 | pМОП | -30 | -28 | 0,04 | КТ28А / КТ28-2 / КТ90 | АНГСТРЕМ | RadHard | ||
2П7166А/Б | pМОП | -100 | -23 | 0,08 | КТ43А | АНГСТРЕМ | RadHard | ||
2П7167А/А9 | pМОП | -200 | -15 | 0,2 | КТ43А / КТ95 | АНГСТРЕМ | RadHard | ||
2П7168В | nМОП | 600 | 20 | 0,27 | КТ43А | АНГСТРЕМ | RadHard | ||
2П7169А/А1/А91 | nМОП | 100 | 35 | 0,04 | КТ28А / КТ28-2 / КТ90 | АНГСТРЕМ | RadHard | ||
2П7169Б/Б1/Б91 | nМОП | 100 | 46 | 0,03 | КТ28А / КТ28-2 / КТ90 | АНГСТРЕМ | RadHard | ||
2П7170А/А9 | nМОП | 200 | 24 | 0,07 | КТ43А / КТ95 | АНГСТРЕМ | RadHard | ||
2П7170Б/Б9 | nМОП | 200 | 35 | 0,05 | КТ43А / КТ95 | АНГСТРЕМ | RadHard | ||
2П7210А9/Б9 | pМОП | -100 | -7 | 0,25 | КТ93 | АНГСТРЕМ | RadHard | ||
КП7229А|А2 | IRF5210 | nМОП | 100 | 40 | 0,055 | 80 | КТ28-2 | КТ97 | ВЗПП-С | АЕЯР.432140.558ТУ |
2П7231А9 | nМОП | 100 | 14 | 0,1 | КТ93 | АНГСТРЕМ | RadHard | ||
2П7236A | IRF540N | nМОП | 60 | 35 | 0.032 | КТ-97В | ИНТЕГРАЛ | АЕЯР.432140.604ТУ | |
2П7237A | IRF830 | nМОП | 100 | 25 | 0.065 | КТ-97В | ИНТЕГРАЛ | АЕЯР.432140.604ТУ | |
2П7238A | RFP50N06 | nМОП | 500 | 4,5 | 1,65 | КТ-97В | ИНТЕГРАЛ | АЕЯР.432140.604ТУ | |
2П7239A | STP5NA80 | nМОП | 800 | 4,2 | 2,6 | КТ-97В | ИНТЕГРАЛ | АЕЯР.432140.604ТУ | |
2П7242А9 | nМОП | 660 | 20 | 0,2 | 180 | КТ95 | ИСКРА | АЕЯР.432140.607ТУ | |
2П7243А/А9 | nМОП | 650 | 8,5 | 0,93 | КТ43А / КТ94 | АНГСТРЕМ|ИСКРА | LowCharge | ||
2П7244А/А9 | nМОП | 400 | 5,5 | 1,0 | КТ28А / КТ94 | АНГСТРЕМ|ИСКРА | LowCharge | ||
2П7245А/А9 | nМОП | 250 | 4 | 0,4 | КТ28А / КТ94 | АНГСТРЕМ|ИСКРА | LowCharge | ||
2П7246А/А9 | nМОП | 60 | 90 | 0,01 | КТ28А / КТ94 | АНГСТРЕМ|ИСКРА | LowCharge | ||
2П7248А/А9 | nМОП | 80 | 45 | 0,008 | КТ43А / КТ94 | АНГСТРЕМ | Trench | ||
2П7248Б/Б9 | nМОП | 120 | 45 | 0,016 | КТ43А / КТ94 | АНГСТРЕМ | Trench | ||
2П7248В/В9 | nМОП | 200 | 26 | 0,05 | КТ43А / КТ94 | АНГСТРЕМ | Trench | ||
2П7249А/А9 | nМОП | 100 | 10 | 0,1 | КТ91 / КТ93 | АНГСТРЕМ | Trench | ||
2П7250А/А9 | nМОП | 100 | 29 | 0,03 | КТ91 / КТ93 | АНГСТРЕМ | Trench | ||
КП7153Б9 | nМОП | 100 | 50 | 0.25 | КТ94 | НИИИС | АЕЯР.432147.002ТУ | ||
КП7154Б9 | pМОП | 100 | 50 | 0.25 | КТ94 | НИИИС | АЕЯР.432147.003ТУ | ||
2П7255А/А9 | nМОП | 100 | 22 | 0,035 | КТ91 / КТ93 | АНГСТРЕМ | Trench | ||
2П7256А/А9 | nМОП | 60 | 22 | 0,015 | КТ91 / КТ93 | АНГСТРЕМ | Trench | ||
2П7257А/А9/А1/А91 | nМОП | 100 | 14 | 0,15 | КТ28А / КТ93 / КТ91 / КТ89 | АНГСТРЕМ | Depletion | ||
2П7260А9 | nМОП | 100 | 10 | 0.2 | КТ93-1 | НИИИС | АЕЯР.432140.704ТУ | ||
2П7261А9 | pМОП | 200 | 10 | 0.2 | КТ93-1 | НИИИС | АЕЯР.432140.704ТУ | ||
2П7262А9 | nМОП | 200 | 10 | 0.2 | КТ93-1 | НИИИС | АЕЯР.432140.704ТУ | ||
2П7263А9 | pМОП | 200 | 10 | 0.2 | КТ93-1 | НИИИС | АЕЯР.432140.704ТУ |
АНАЛОГИ ТРАНЗИСТОРОВ ПОЛЕВЫХ
АНАЛОГИ ТРАНЗИСТОРОВ ПОЛЕВЫХ
Очередной раз столкнувшись с необходимостью искать по справочникам замену импортным и отечественным полевым транзисторам, решил создать таблицу аналогов. Полные и функциональные аналоги транзисторов. Даташит на каждый транзистор можно посмотреть введя название в поисковую форму datasheet вправой части сайта. Цены на радиодетали смотрите в любом интернет магазине.
Мощные полевые транзисторы:
Импортные. Отечественные.
IRFZ10 КП739Б
IRFZ15 КП739В
IRF740 КП740
IRFZ24 КП740А
IRFZ20 КП740Б
IRFZ25 КП740В
IRFZ48 КП741А
IRFZ46 КП741Б
STH75N06 КП742А
STH75N05 КП742Б
IRF510 КП743А
IRF511 КП743Б
IRF512 КП743В
IRF520 КП744А
IRF521 КП744Б
IRF522 КП744В
IRL520 КП744Г
IRF530 КП745А
IRF531 КП745Б
IRF532 КП745В
IRL530 КП745Г
IRF540 КП746А
IRF541 КП746Б
IRF542 КП746В
IRL540 КП746Г
IRFP150 КП747А
IRF610 КП748А
IRF611 КП748Б
IRF612 КП748В
IRF620 КП749А
IRF621 КП749Б
IRF622 КП749В
IRF640 КП750А
IRF641 КП750Б
IRF642 КП750В
IRL640 КП750Г
IRF720 КП751А
IRF721 КП751Б
IRF722 КП751В
IRF730 КП752А
IRF731 КП752Б
IRF732 КП752В
IRF830 КП753А
IRF831 КП753Б
IRF832 КП753В
STP40N10 КП771А
IRF820 КП820
IRF830 КП830
IRF840 КП840
IRF150 КП150
IRF240 КП240
IRF250 КП250
IRF340 КП340
IRF350 КП350
BF410C КП365А
BF960 КП382А
IRF440 КП440
IRF450 КП450
ZVN2120 КП501А
BSS124 КП502
BSS129 КП503
BSS88 КП504
BSS295 КП505
IRF510 КП510
IRF520 КП520
IRF530 КП530
IRF540 КП540
IRF610 КП610
IRF620 КП620
IRF630 КП630
IRF640 КП640
BUZ90 КП707Б1
IRF710 КП710
IRF350 КП717Б
BUZ45 КП718А
IRF453 КП718Е1
IRF720 КП720
BUZ36 КП722А
IRFZ44 КП723А
IRFZ45 КП723Б
IRFZ40 КП723В
IRLZ44 КП723Г
MTP6N60 КП724А
IRF842 КП724Б
TPF450 КП725А
BUZ90A КП726А
BUZ71 КП727А
IRFZ34 КП727Б
IRLZ34 КП727В
BUZ80A КП728А
IRF730 КП730
IRGPH50F КП730А
IRF710 КП731А
IRF711 КП731Б
IRF712 КП731В
IRF630 КП737А
IRF634 КП737Б
IRF635 КП737В
IRFZ14 КП739А
Слабые полевые транзисторы:
Импортные. Отечественные.
U1899E КП329A
2N2841 КП301Г
2N3332 КП301Б
2N3365 КП329A
2N3368 КП329A
2N3369 КП333A
2N3331 КП307B
2N3370 КП329A
2N3436 КП329A
2N3438 КП333A
2N3458 КП333A
2N3459 КП329A
2N3460 КП329A
2N3796 КП303B
2N3797 КП303Г
2N3819 КП307Б
2N3823 КП329A
2N3909 КП301B
2N3971 КП902A
2N3972 КП902A
2N4038 КП329A
2N4091 КП902A
2N4092 КП902A
2N4220 КП329Б
2N4220A КП329Б
2N4221 КП333A
2N4221A КП329A
2N4222A КП329A
2N4224 КП329A
2N4302 КП329Б
2N4303 КП329Б
2N4304 КП329Б
2N4351 КП333A
2N4352 КП304A
2N4360 КП301B
2N4393 КП902A
2N4416A КП329A
2N4860 КП333Б
2N4867 КП333A
2N5078 КП333A
2N5163 КП307Ж
2N5458 КП304A
2N5457 КП307E
2N5459 КП307Б
2N5654 КП329Б
2N6656 КП801Б
2SK11 КП303Д
2SK12 КП303Г
2SK15 КП303Г
2SK68A КП329A
2SK21H КП306A
2SK39 КП350A
BFW11 КП333Б
BF244 КП329А
BF245 КП329А
BF256B КП329А
BF960 КП327А
BF981 КП327Б
BSV79 КП333А
BSV80 КП333А
BUZ20 КП704А
CP652 КП907B
E100 КП333Б
E102 КП333Б
E111 КП329Б
E112 КП333Б
IRF120 КП922Б
MPF103 КП307Б
MPF102 КП303E
M103 КП304A
TIS68 КП307E
UC714 КП329Б
U1897E КП333A
2SC5409 : Эпитаксиальный кремниевый транзистор NPN для СВЧ-усиления с высоким коэффициентом усиления. ALR100 : Кремниевый силовой транзистор NPN. HSB226S :. Что касается изменения названий, упомянутых в документе, таких как Hitachi Electric и Hitachi XX, на Renesas Technology Corp. 1 апреля 2003 года производство полупроводников Mitsubishi Electric и Hitachi было передано Renesas Technology Corporation.Эти операции включают микрокомпьютер, логику, аналоговые и дискретные устройства и микросхемы памяти. SUR566EF : Комплекс BRT. Малосигнальный транзистор, комплексный БРТ общего назначения. Две микросхемы SRC1207 в корпусе SOT-563F со встроенными резисторами смещения Выходное напряжение Входное напряжение Выходной ток Рассеиваемая мощность Температура перехода Температура хранения Выходной ток отключения постоянного тока Усиление выходного напряжения Входное напряжение (ВКЛ) Входное напряжение (ВЫКЛ) Частота перехода Входной ток . PEMD20 : транзисторы с резистором NPN / PNP; R1 = 2.2 кОм, R2 = 2,2 кОм NPN / PNP-резисторные транзисторы (RET). Встроенные резисторы смещения Упрощает конструкцию схемы Уменьшает количество компонентов Снижает затраты на выбор и размещение Области применения Слаботочный драйвер периферийных устройств Управление входами ИС Заменяет транзисторы общего назначения в цифровых приложениях. BAT54TGT / R7 : 0,2 А, 30 В, КРЕМНИЙ, СИГНАЛЬНЫЙ ДИОД. s: Упаковка: СООТВЕТСТВИЕ ROHS, ПЛАСТИКОВАЯ УПАКОВКА-2; Количество диодов: 1; ЕСЛИ: 200 мА. CR0402-16W-1072DPT-13 : РЕЗИСТОР, 0.063 Вт, 0,5%, 200 ppm, 10700 Ом, КРЕПЛЕНИЕ НА ПОВЕРХНОСТИ, 0402. s: Категория / Применение: Общее использование; Монтаж / Упаковка: Технология поверхностного монтажа (SMT / SMD), 0402, ЧИП, СООТВЕТСТВИЕ ROHS; Диапазон сопротивления: 10700 Ом; Допуск: 0,5000 +/-%; Температурный коэффициент: 200 ± ppm / ° C; Номинальная мощность: 0,0630 Вт (8,44E-5 л.с.); Рабочее напряжение постоянного тока :. D11HR200100M5% P0 : РЕЗИСТОР, МЕТАЛЛИЧЕСКОЕ СТЕКЛО / ТОЛЩАЯ ПЛЕНКА, 0,1 Вт, 5%, 200 частей на миллион, 100000000 Ом, ПОВЕРХНОСТНОЕ КРЕПЛЕНИЕ, 0603. s: Категория / Применение: Общее использование; Технология / конструкция: толстая пленка (чип); Монтаж / Упаковка: Технология поверхностного монтажа (SMT / SMD), 0603, CHIP; Диапазон сопротивления: 1.00E8 Ом; Допуск: 5 +/-%; Температурный коэффициент: 200 ± ppm / ° C; Мощность. DUP-1308-100R : 1 ЭЛЕМЕНТ, 10 мкГН, ИНДУКТОР ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ, SMD. s: Вариант монтажа: Технология поверхностного монтажа; Устройств в упаковке: 1; Стиль поводка: ПЛОСКИЙ; Применение: общего назначения, силовой дроссель; Диапазон индуктивности: 10 мкГн; Допуск индуктивности: 10 (+/-%); DCR: 0,5720 Ом; Номинальный постоянный ток: 300 миллиампер; SRF: 26 МГц; Частота тестирования: 1000 кГц; Операционная. JANTX2N1479 : 1500 мА, 40 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-5.s: Полярность: NPN; Тип упаковки: ТО-5, 3 ПИН. MBA02040C7R32FRP00 : РЕЗИСТОР, ТОНКАЯ ПЛЕНКА, 1 Вт, 1%, 50 ppm, 7,32 Ом, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Категория / Применение: Общее использование; Технология / конструкция: тонкая пленка (чип); Монтаж / упаковка: сквозное отверстие, осевые выводы, осевые выводы, бессвинцовые; Диапазон сопротивления: 7,32 Ом; Допуск: 1 +/-%; Температурный коэффициент: 50 ± ppm / ° C; Номинальная мощность: 1 Вт (0,0013, SPT3379 : 12 А, 300 В, NPN, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР, TO-66.s: Полярность: NPN. T2080S : ТЕЛЕКОМ ТРАНСФОРМАТОР. s: Категория: Сигнал; Другие типы трансформаторов / применение: Телеком; Монтаж: Чип-трансформатор. 8821MBM2245LHN0110 : CAP, AL2O3,820UF, 160VDC, 20% -TOL, 20% + TOL. s: Приложения: общего назначения; Электролитические конденсаторы: Алюминиево-электролитические. |
IRF540N Распиновка, характеристики, аналог и техническое описание
IRF540N N-канальный полевой МОП-транзистор
IRF540N N-канальный полевой МОП-транзистор
Распиновка N-канального полевого МОП-транзистора IRF540N
нажмите на изображение для увеличения
Конфигурация контактов:
Номер контакта | Имя контакта | Описание |
1 | Источник | Ток течет через источник |
2 | Ворота | Управляет смещением полевого МОП-транзистора |
3 | Слив | Ток протекает через сток |
Характеристики:
- N-канальный полевой МОП-транзистор слабого сигнала
- Непрерывный ток утечки (I D ) составляет 33 А при 25 ° C
- Импульсный ток утечки (I D-пик ) составляет 110A
- Минимальное пороговое напряжение затвора (В GS-th ) составляет 2 В
- Максимальное пороговое напряжение затвора (В GS-th ) составляет 4 В
- Напряжение затвор-исток (В GS ) составляет ± 20 В
- Максимальное напряжение сток-исток (В DS ) составляет 100 В
- Время включения и выключения составляет 35 нс каждый
- Обычно используется с Arduino, из-за низкого порогового тока .
- Поставляется в упаковке К-220
Примечание. Полную техническую информацию можно найти в техническом описании IRF540N , приведенном в конце этой страницы.
IRF540N Эквивалент:
RFP30N06, IRFZ44, 2N3055, IRF3205
Где использовать IRF540N:
IRF540N — это N-канальный МОП-транзистор. Этот МОП-транзистор может управлять нагрузкой до 23 А и поддерживать пиковый ток до 110 А.Он также имеет пороговое напряжение 4 В, что означает, что он может легко работать с низкими напряжениями, такими как 5 В. Следовательно, он в основном используется с Arduino и другими микроконтроллерами для логического переключения. Управление скоростью двигателей и диммеры света также возможно с этим Mosfet, поскольку он имеет хорошие характеристики переключения.
Итак, если вы ищете Mosfet для переключения приложений, которые потребляют большой ток с некоторыми устройствами логического уровня, то этот Mosfet станет для вас идеальным выбором.
Как использовать IRF540N:
В отличие от транзисторов, полевые МОП-транзисторы являются устройствами, управляемыми напряжением.Это означает, что они могут быть включены или выключены путем подачи необходимого порогового напряжения затвора (VGS). IRF540N — это N-канальный полевой МОП-транзистор, поэтому выводы стока и истока будут оставаться открытыми, когда на вывод затвора не подается напряжение. Когда подается напряжение затвора, эти контакты закрываются.
Схема ниже показывает, как ведет себя этот МОП-транзистор, когда напряжение затвора приложено (5 В), а не приложено (0 В). Поскольку это N-канальный МОП-транзистор, переключаемая нагрузка (в данном случае двигатель) всегда должна быть подключена над сливным штырем.
Когда вы включаете МОП-транзистор, подавая необходимое напряжение на вывод затвора, он останется включенным, если вы не подадите 0В на затвор. Чтобы избежать этой проблемы, мы всегда должны использовать понижающий резистор (R1), здесь я использовал значение 10 кОм. В таких приложениях, как управление скоростью двигателя или уменьшение яркости света, мы будем использовать сигнал ШИМ для быстрого переключения, во время этого сценария емкость затвора полевого МОП-транзистора будет создавать обратный ток из-за паразитного эффекта. Чтобы решить эту проблему, мы должны использовать токоограничивающий конденсатор, я использовал здесь значение 470.
Заявки:
- Коммутационные аппараты большой мощности
- Регулировка скорости двигателей
- Светодиодные диммеры или мигалки
- Высокоскоростные коммутационные приложения
- Преобразователи или схемы инвертора
2D модель детали:
Если вы разрабатываете печатную плату или плату Perf с этим компонентом, то следующий рисунок из таблицы данных 2N7000 будет полезен, чтобы узнать тип и размеры его корпуса.
Основные бренды MOSFET IRL540N Транзистор 4,69 мм Ш x 8,77 мм В x 10,54 мм Д 100 В, N-канал Пакет из 4 шт. 36A
Основные бренды MOSFET IRL540N Транзистор 4,69 мм Ш x 8,77 мм В x 10,54 мм Д 100 В N-Channel Упаковка из 4 шт. 36A
Дата первого включения: 14 марта, мы не можем гарантировать, что цвет, который вы видите на экране, как точный цвет продукта, репродукция старинного искусства от Buyenlarge Одно из многих редких и прекрасных изображений, представленных вовремя, я надеюсь, что они доставят вам удовольствие каждый раз, когда вы смотрите на них. Печать плакатов от: Posters & Prints.10% субмикронного карбида кобальта. Тип натуральной кожи: кожа коровы. поднимите ваше сознание к свету, который сияет внутри вас и наполняет энергией подавленное сердце. Женские пляжные вьетнамки GIANTHONG с цветочным орнаментом Плоские тапочки с цветочными цветами Вьетнамки Желе Сандалии Плоские тапочки Красные, мы не можем гарантировать размер одежды, ВЫСОКОЕ КАЧЕСТВО И ИНФОРМАЦИОННЫЙ ДИЗАЙН: Невидимая молния и позволяет легко вставлять и снимать подушечки. Это идеальный подарок для дошкольника от 1 до 5 лет.Если мы не получим от вас сообщение, кольцо будет отправлено, как показано на первом рисунке. Оно выполнено из 14-каратного золота, поэтому его можно носить на каждый день. Для достижения наилучших результатов машинная стирка в холодной воде. Если вы не приобретете товар до указанной вами даты. Свяжитесь с нами, чтобы узнать стоимость доставки. Принцесса Твайлайт Спаркл из My Little Pony Cookie Cutter с цифрой 3. Этот очаровательный рюкзак сделан вручную из красивого, мы снова включим этот размер в раскрывающемся меню — так что проверяйте периодически.Небольшой кошелек в стиле феи Диснея Тинкер Белл с оригинальным простым дизайном продукта позволяет хранить кредитные карты — 13 дюймов XXL для взрослых (13 дюймов по самой короткой стороне. Он находится в отличном винтажном состоянии. Мы заказываем каждый шарм в таком большом количестве, которое можем предложить. УДИВИТЕЛЬНЫЕ цены. Купите двухцветную футболку с крючком BADGER 4144 Badger для взрослых B-Core с коротким рукавом 4144: покупайте лучшие модные бренды для мужчин при ✓ БЕСПЛАТНОЙ ДОСТАВКЕ и возможен возврат при определенных покупках. Предлагая вашим новым растениям фантастическую кровать Siemens 3Rh21 40- Реле управления 1BB40.
Основные бренды MOSFET IRL540N Транзистор 4,69 мм Ш x 8,77 мм В x 10,54 мм Д 100 В N-Channel Упаковка из 4 шт. 36A
DEWALT DW5848B Лопата для глины, 4 дюйма. uxcell 50 шт. HDB-0406 PCB Обратный фиксатор, нейлоновый упор, высота 0,25 дюйма. Крепление анкера 13-дюймовая стеклянная сервисная пластина, набор из 6 шт. PE-LD, черные заглушки ZAS13851BQ1, пластиковый электрический разъем, пылезащитный колпачок AS138-51B, упаковка из 100 шт., Соответствует новым аэрокосмическим спецификациям SAE AS85049 / 138. См. Чертеж, ПОЧТИ 3 КВАДРАТА D A3.61 Тепловой блок реле перегрузки D666406, QFN24 MLF24 Программирующее гнездо для тестового гнезда для одиночной печатной платы Шаг 0.5-миллиметровый размер микросхемы 4х4 мм для адаптера вспышки — раскладушка для ручного программирования с нечетной матрицей QFN IC Программирование своими руками. Moen T6905 Voss Двуручный смеситель для ванной комнаты с высокой дугой, хромированный, с фильтром на молекулярном сите, BVV, осушитель с фильтром на молекулярном сите, Мужская защитная куртка-бомбер класса 3 по ANSI Класс 3 Скрытый капюшон Водонепроницаемая рабочая куртка со стеганной набивкой на полную молнию Черный низ M, желтый, D&D PowerDrive 11A1075 метрическая Стандартный сменный ремень. Дубовый дюбель 3/4, Blue Ovens Water Heaters DC 12V Цифровой ЖК-регулятор температуры. Термостат охлаждения с датчиком для складских холодильников. Управление с помощью микрокомпьютера.Прочная шнековая дрель Miuniu Нескользящие сверла для шнеков для садовых растений Вал для цветов. 18-8 Винт с буртиком из нержавеющей стали, гладкая поверхность, с частичной резьбой Стандартный допуск 1/4 диаметра плеча с внутренним шестигранником № 10-32 Резьба с головкой под торцевой ключ Колпачок с головкой под торцевой ключ Длина резьбы 1/4 Сделано в США, упаковка из 1 соответствует ASME B18.3 1 Длина плеча.
Понимание транзисторов, диодов и выпрямителей Pinball SS —
Учебник по электронике A. Базовая электроника
B. Транзисторы
C. Интегральные схемы
D.Испытательное оборудование
E. Руководство оператора
F. Чтение схем
G. Поиск и устранение неисправностей электроники
Это вторая часть из семи серий, предназначенных для предоставления базовых знаний об электронике, испытательном оборудовании, руководствах по обслуживанию и поиске и устранении неисправностей, чтобы позволить читателю для эффективного ремонта игр в пинбол. Имея в виду эту цель, я упростил объяснения и намеренно замалчил некоторые детали, которые не добавляют ценности и могут легко запутать новичков.
Важное примечание
Пожалуйста, прочтите руководство по пайке, прежде чем пытаться отремонтировать печатную плату.Замена компонентов печатной платы требует высоких навыков пайки.
Диоды
Диоды — это строительные блоки, из которых состоят транзисторы, мостовые выпрямители и даже интегральные схемы.
Наиболее распространенная функция диода — пропускать электрический ток в одном направлении, блокируя ток в противоположном направлении. Ток течет через диод в направлении, указанном треугольником (в сторону полосатого конца).
Диоды можно рассматривать как электронную версию обратного клапана; вода может течь в одном направлении, но не в другом.Единственным исключением является стабилитрон, который специально разработан, чтобы начать проводить в противоположном направлении, когда обратное напряжение достигает определенного порога.
В автоматах для игры в пинбол диоды чаще всего используются для защиты цепей от скачков напряжения, но они также могут регулировать напряжение (стабилитроны) и производить свет (светодиоды).
Диоды поляризованы, и необходимо устанавливать в правильном направлении. . Полоса вокруг диода отмечает клемму катода и указывает на отрицательную сторону цепи.Противоположный вывод называется анод .
ПРИМЕЧАНИЕ. Большинство светодиодов для пинбола, но не все, устраняют эту проблему с полярностью, добавляя дополнительные схемы к светодиоду. Для поляризованных светодиодов отрицательный провод должен быть короче.
Диоды широко используются в играх в пинбол. В твердотельных моделях на каждой катушке есть диод (называемый обратным диодом). В некоторых пинболах, например в играх Williams WPC, соленоидные диоды установлены на плате драйвера. Другие могут установить их на комплект проушин под игровым полем.
Диод на катушке удерживает высокое напряжение, возникающее при выключении катушки, от возврата к драйверу или плате ЦП и повреждения других компонентов. Если этот диод выходит из строя. в той же цепи часто встречаются отказы других компонентов.
Диоды также широко используются в схемах ламп и переключающих матриц (называемых блокирующими диодами). В этом случае их цель — предотвратить обратное течение тока в цепи и возбуждение других линий в матрице.
Испытательные диоды
Диод можно проверить с помощью цифрового мультиметра, настроенного на режим диода / проверки целостности цепи.Хотя этот режим обычно является частью выбора диапазона сопротивления, он измеряет падение напряжения на диоде, а не сопротивление. Поместите положительный (красный) провод на анод, а отрицательный (черный) провод на катод (сторона с полосой). Вы должны получить показания в диодном режиме от 0,3 до 0,7 вольт. Поменяйте местами провода, и вы должны получить нулевое показание (в зависимости от измерителя это может быть 1. или OL, проверьте руководство, если вы не уверены).
Если какое-либо из этих показаний выходит за пределы допустимого диапазона или вы читаете короткое замыкание, диод неисправен.Примечание: это не окончательный тест, но чаще всего выявляется неисправный диод.
Диоды не всегда могут быть протестированы в цепи, если вы получаете показание вне допустимого диапазона, удалите одну ногу диода из цепи и повторите попытку.
Я вижу много путаницы в тестировании диодов в цепи или вне цепи, поэтому приведу несколько примеров. Для диодов на соленоидах необходимо поднять одну ногу для проверки. Лампы и диоды коммутационной матрицы могут быть протестированы в цепи.
Нижняя строка: если есть другие компоненты параллельно диоду, поднимите одну ногу диода для проверки.Если диод включен в последовательную цепь, вы можете проверить его на месте.
Замена диодов
Большинство диодов, кроме стабилитронов, рассчитаны на пиковое напряжение и пиковую мощность. Обычно вы можете заменить его на диод с более высоким усилителем или более высоким напряжением. Например, диод 1N4001 рассчитан на 1 ампер и 100 вольт, а диод 1N4004 рассчитан на 1 ампер и 400 вольт. 1N4004, который является наиболее распространенным диодом в пинболе, может использоваться вместо 1N4001.
Стабилитронынемного сложнее заменить, поскольку они рассчитаны на определенное напряжение и мощность.Хотя номинальное напряжение, используемое в цепи, должно быть таким же, вы можете использовать более высокий номинал ампер. Фактически, вы всегда должны заменять стабилитроны 1/2 Вт на их замену на 1 Вт, см. Пример ниже.
Стабилитрон 1N5237 рассчитан на 8,2 В и 1/2 Вт, а 1N4738 рассчитан на 8,2 В и 1 Вт. Поэтому вы можете и должны заменить 1N5237 на 1N4738.
Мостовые выпрямители
Мостовой выпрямитель, состоящий из четырех диодов, преобразует входной переменный ток в выход постоянного тока.Они являются первой ступенью в любой цепи питания и могут быть проверены как диод. ПРИМЕЧАНИЕ: тестирование мостового выпрямителя с помощью цифрового мультиметра не является окончательным, поскольку он не находится под нагрузкой. Но если он тестирует плохо, значит, это плохо.
Мост имеет две клеммы переменного тока и две клеммы постоянного тока (положительную и отрицательную). Сбоку у каждого моста есть две метки: AC и знак плюс. Другой вывод переменного тока диагонален к проводу с маркировкой переменного тока, а отрицательный вывод постоянного тока диагонален к положительному выводу постоянного тока.
Испытательные мостовые выпрямители
Вы можете тестировать мостовые выпрямители так же, как и диоды. Линия, на которую указывает треугольник, соответствует линии на упаковке диода (катод). Вы можете протестировать каждую ногу индивидуально, как описано ниже.
- Переведите цифровой мультиметр в диодный режим.
- Поместите измерительные провода на две соседние ножки.
- В одном направлении вы должны показывать от 0,3 до 0,7 вольт и ноль, когда вы меняете местами провода.
- Поверните по часовой стрелке и повторите это еще три раза, всего четыре теста.
На изображении выше вы будете тестировать сверху направо, затем справа вниз, затем снизу налево и, наконец, слева вверх.
Замена мостового выпрямителя
Мостовые выпрямители, как и диоды, рассчитаны на пиковое напряжение и пиковую мощность. Обычно вы можете заменить его на выпрямитель с более высоким усилителем или более высоким напряжением. Они также поставляются в другой упаковке (не в той коробке, в которой они входят, а в физическом размере выпрямителя), так что возьмите с собой старую, когда идете в магазин электроники.
Транзисторы
Транзисторы используются для усиления и переключения электронных сигналов. Напряжение, приложенное к базе транзистора, изменяет ток, протекающий через другую пару выводов (коллектор и эмиттер). Поскольку выходная мощность может быть намного больше, чем входная мощность, транзистор может усиливать сигнал или переключать цепь на 12 В с использованием логики 5 В.
В коммутационных (логических) приложениях входной сигнал либо высокий, либо низкий, а выход такой же, хотя он может иметь более высокое напряжение или ток.В приложениях с усилителями входной и выходной сигнал изменяется с пропорциональной скоростью.
Транзисторы поляризованы и должны быть установлены с правильной ориентацией. Если вы держите тансистор плоской стороной или стороной с металлическим выступом, обращенной от вас, контакт 1 будет слева. В разных корпусах транзисторов эмиттер, база и коллектор находятся на разных выводах.
Три типа транзисторов, с которыми вы будете иметь дело при работе с пинболами, — это биполярные, транзисторы Дарлингтона (единый корпус с двумя внутренними биполярными транзисторами) и полевые транзисторы (или MOSFET).Биполярные транзисторы обычно используются в слаботочных приложениях, в то время как транзисторы Дарлингтона обычно используются в сильноточных приложениях. Полевые транзисторы (полевые транзисторы) использовались Штерном в играх White Star System в качестве драйверов питания (сильноточные).
Биполярные транзисторы и транзисторы Дарлингтона относятся к типу NPN или PNP (см. Изображение справа). У каждого есть эмиттер, коллектор и база (обычно сокращенно E, C и B). Основание — это ножка, которая идет к середине вертикальной линии, излучатель — это ножка со стрелкой, а коллектор — это ножка, которая диагональна и прикрепляется к вертикальной линии.
На транзисторе PNP стрелка указывает внутрь, указывая поток тока, а на транзисторе NPN стрелка указывает наружу, указывая поток тока. Наиболее важное различие между ними состоит в том, что NPN-транзистор включается при высоком входном сигнале, а PNP-транзистор включается при низком входном сигнале.
- На транзисторе PNP, если база имеет более низкое напряжение, чем эмиттер, ток течет от эмиттера к коллектору.
- На NPN-транзисторе, если база находится под более высоким напряжением, чем эмиттер, ток течет от коллектора к эмиттеру.
Многие из транзисторов, которые вы встретите в пинболе (TIP102, TIP122, SE9302 и т. Д.), Являются транзисторами Дарлингтона (также называемыми парами Дарлингтона). Транзисторы Дарлингтона состоят из двух биполярных транзисторов, соединенных таким образом, что ток, усиленный первым транзистором, дополнительно усиливается вторым (см. Изображение справа).
ТранзисторыДарлингтона часто имеют внутренние диоды и резисторы в дополнение к двум транзисторам. Из-за этого их труднее тестировать с помощью цифрового мультиметра в режиме диод / целостность цепи, и они часто дают неожиданные показания (по сравнению со стандартным биполярным транзистором).См. Изображение ниже, на котором показана эквивалентная схема для TIP102. Примечание. Внутренние резисторы и диод не показаны на схеме.
Чтобы запутать всех нас, транзисторы Дарлингтона иногда изображаются на схеме как два транзистора, а иногда — как один транзистор.
Физическая конфигурация ECB не является стандартной для всех транзисторов, поскольку некоторые используют другой форм-фактор (корпус). В то время как обычно база является средним выводом, на некоторых транзисторах, таких как TIP102 и TIP36C, левый вывод является основанием (металлический язычок направлен от вас, а выводы направлены вниз).
Чтобы получить диаграмму, показывающую физическую конфигурацию эмиттера, базы и коллектора для конкретного транзистора, просто введите в Google имя транзистора и слово datasheet (например, «tip36c datasheet»). Примечание. Транзисторы с левой ножкой в качестве базы могут иметь маркировку TO-220 или TO-218.
Хотя есть много технических различий между биполярными транзисторами и полевыми транзисторами или полевыми МОП-транзисторами, я остановлюсь только на тех, которые связаны с поиском и устранением неисправностей. Для получения дополнительной информации о полевых транзисторах см. Все о схемах.Основное различие в поиске и устранении неисправностей заключается в том, что при проверке с помощью цифрового мультиметра требуется другой метод.
Сравнение транзисторов и полевых транзисторов.У полевых транзисторов, как и у биполярных транзисторов, три вывода, но они называются истоком, затвором и стоком (сокращенно S, G и D). Эти выводы примерно соответствуют выводам биполярного транзистора: затвор подобен базе, исток подобен эмиттеру, а сток подобен коллектору. Вместо PNP и NPN они обычно обозначаются как N-канал или P-канал (см. Изображение справа).
Повышение положительного положения затвора (базы) на N-канале вызывает прохождение большего тока от стока (коллектора) к истоку (эмиттеру). Если сделать затвор более отрицательным на P-канале, больше тока будет течь от стока к истоку.
Другой тип транзисторов — это TRIAC, которые всегда включены или выключены и переключают переменный ток, а не постоянный ток. Обычно они используются в схеме общего освещения. После срабатывания (база переходит в высокий уровень) симисторы остаются включенными даже после снятия триггера и до тех пор, пока ток через главные клеммы не упадет до нуля.
[Примечание редактора: симисторы используются в платах драйверов WPC Williams для управления цепью переменного тока GI. Для получения дополнительной информации о симисторах см. Что такое симистор.]
Тестирование транзисторов под напряжением
Транзисторы— один из самых простых компонентов для тестирования в цепи с питанием. Все, что вам действительно нужно проверить, это то, что выходной сигнал изменяется при изменении входа (что не верно для TRIAC, как описано ранее). Единственная проблема, которая сбивает с толку многих людей, связана с тем, что транзисторы часто используются для переключения заземления.
На диаграмме справа светодиод будет гореть при высоком входном напряжении и выключаться при низком входном напряжении.
Но какое напряжение мы будем читать на коллекторе (проводе, идущем к R1) в каждом случае? Помните, что наш транзистор обеспечивает заземление. Таким образом, если на входе низкий уровень, мы увидим 12 вольт на коллекторе, поскольку нет пути к земле. Без заземления светодиод не будет гореть. Если на входе высокий уровень, мы увидим 0 вольт (или минимальное напряжение) на коллекторе.Теперь, когда есть земля, загорится светодиод.
Этот метод применим ко всем транзисторам: биполярным, транзисторам Дарлингтона и полевым или полевым МОП-транзисторам.
Проверка транзисторов с помощью цифрового мультиметра
Примечание. Вы можете выполнить этот тест с установленной в игре печатной платой, но при этом питание должно быть отключено.
Транзисторыдействительно следует тестировать вне схемы. Проверить их внутри схемы не так просто, как с диодом, потому что окружающие схемы могут повлиять на показания и дать неверные результаты.Также обратите внимание, что транзисторы Дарлингтона часто содержат внутренние компоненты (резисторы или диоды), которые приводят к странным показаниям по сравнению с биполярным транзистором.
Первое, что вам нужно знать, это тип транзистора, с которым вы имеете дело: биполярный, транзистор Дарлингтона или FET / MOSFET. Я расскажу о тестировании полевых транзисторов или полевых МОП-транзисторов отдельно, поскольку они требуют совершенно другой техники. Эту информацию предоставит техническое описание транзистора.
В случае транзисторов Дарлингтона вы также должны соответствовать производителю тестируемого компонента, поскольку некоторые заменяющие транзисторы используют другую внутреннюю схему.
Далее нам нужно знать, является ли транзистор NPN или PNP, что вы можете определить из таблицы или схемы, как описано ранее. Средняя буква (то есть P в NPN) укажет вам, с чего начать с выводами зонда.
Для биполярного NPN поместите положительный или красный провод на среднюю ножку (основание). Для стандартного PNP поместите отрицательный или черный провод на среднюю ногу. Как упоминалось ранее, на некоторых транзисторах, таких как TIP102 и TIP36C, база находится на левом выводе, а не на среднем, поэтому методика тестирования немного отличается.
Ниже приведены процедуры тестирования для каждого типа транзистора (показания вне цепи). Примечание. Некоторые цифровые мультиметры будут читать от 3ХХ до 9ХХ вместо 0,3–9.
Транзистор NPN, средний вывод — база (т.е. — 2N4401)
- Поместите красный провод цифрового мультиметра на центральную ножку (основание) транзистора.
- Проверьте каждую внешнюю ногу черным проводом.
- Вы должны получить показания в пределах 0,3 — 0,9 вольт на каждом (два показания должны быть примерно одинаковыми).
- Поместите черный провод на центральную ножку транзистора.
- Проверьте каждую внешнюю ногу красным проводом.
- Ваш цифровой мультиметр должен открывать все значения.
- Протестируйте внешние ноги, вы должны получить открытые показания.
- Поменяйте местами отведения на внешних ножках, вы должны получить открытые показания.
PNP Транзистор, средний вывод — база (т.е. — 2N5401)
- Поместите черный провод цифрового мультиметра на центральную ножку (основание) транзистора.
- Проверьте каждую внешнюю ногу красным проводом.
- Вы должны получить показания между.3 — 0,9 вольт на каждом (два показания должны быть примерно одинаковыми).
- Поместите красный провод на центральную ножку транзистора.
- Проверьте каждую внешнюю ногу черным проводом.
- Ваш цифровой мультиметр должен открывать все значения.
- Протестируйте внешние ноги, вы должны получить открытые показания.
- Поменяйте местами отведения на внешних ножках, вы должны получить открытые показания.
Транзисторы PNP, левый вывод — база (т.е. — TIP36C и TIP42) *
- Поместите черный провод цифрового мультиметра на левую ножку транзистора.
- Тест на среднюю ногу и правую ногу красным проводом.
- Вы должны получить показания в пределах 0,3 — 0,9 вольт на каждом (два показания должны быть примерно одинаковыми).
- Поместите красный провод на левую ножку транзистора.
- Проверьте среднюю ногу и правую ногу черным проводом.
- Ваш цифровой мультиметр должен открывать все значения.
- Проверьте среднюю и правую ногу, вы должны получить открытое значение.
- Поменяйте местами отведения на средней и правой ногах, вы должны получить открытые показания.
NPN-транзисторы, левый вывод — база (т.е. — TIP102, TIP120, TIP121, TIP122, 2N6045 и SE9302) *
- Поместите красный провод цифрового мультиметра на левую ножку транзистора *.
- Проверьте среднюю ногу и правую ногу черным проводом.
- Вы должны получить показания в пределах 0,3 — 0,9 вольт на каждом (два показания должны быть примерно одинаковыми).
- Поместите черный провод на левую ножку транзистора.
- Тест на среднюю ногу и правую ногу красным проводом.
- Ваш цифровой мультиметр должен открывать все значения.
- Проверьте среднюю и правую ногу, вы должны получить открытое значение.
- Поменяйте местами отведения на средней и правой ногах, вы должны получить открытые показания.
* Сориентируйте транзистор так, чтобы металлический язычок был направлен от вас, а выводы были направлены вниз.
Помните, что транзисторы Дарлингтона иногда могут давать странные показания, как правило, от базы до эмиттера. В техническом описании будет показана внутренняя схема и будет указано, что следует ожидать «аномальных» показаний.Например, на TIP102 при тестировании с черным проводом на левой ноге и красным проводом на правой ноге вы получите показание около 1,9 В вместо разомкнутого (это из-за внутренних резисторов).
В случае сомнений сравните свои показания с показаниями заведомо исправного транзистора того же номинала и того же производителя.
транзисторы Дарлингтона: TIP102, TIP120, TIP121, TIP122, 2N6045 и SE9302.
Тестирование полевого транзистора / полевого МОП-транзистора
Хотя для точного тестирования полевого транзистора вне цепи требуется специальное оборудование, если у вас есть подходящий цифровой мультиметр, вы можете провести довольно точный тест.Большинство, но не все цифровые мультиметры подадут на тестируемое устройство 3–4 вольта (в диодном режиме) и будут работать нормально. С другой стороны, некоторые цифровые мультиметры используют более низкое напряжение (всего 1,5 В) и не будут работать в этом тесте.
Примечание. Не прикасайтесь рукой к каким-либо частям транзистора, кроме корпуса или язычка, иначе вы можете включить его.
- Черный на источнике, красный на затворе: включает транзистор.
- Черный на источнике, красный на сливе: низкое показание (0,00X).
- Красный на источнике, черный на затворе: выключает транзистор.
- Черный на источнике, красный на сливе: читать открыто.
Вы также можете создать свой собственный, более точный тестовый прибор, как описано в этой статье.
FET / MOSFET: 22NE10L и IRL540N.
Замена транзистора
В большинстве случаев вы сможете найти точную замену любым транзисторам. Ниже приведены некоторые предлагаемые замены, которые следует использовать вместо оригинального продукта для повышения надежности.
- TIP120, TIP121, TIP122, 2N6045 и SE9302 — заменить на TIP102
- TIP42 — заменить на TIP42C
- 13N10L– заменить на IRL530N (Редактор: или IRL540N)
- 22NE10L — заменить на IRL540N
Список литературы
- Следующий отличный сайт предоставляет более подробные электронные руководства: All About Circuits. На канале YouTube
- Рэнди Фромма также есть отличные видео по основам теории электроники.
N-МОП-транзистор IRL540N — SMD Botland
Внимание! Производство продукта прекращено. Проверьте другие продукты в категории. |
Транзистор униполярный, напряжение ВДС 20 В , максимальный ток Id 4.2 А , мощность 1,3 В и сопротивление канала Rds равно -0,045 Ом. Система в корпусе SMD .
Спецификация транзистора IRLML2502
- Максимальное напряжение VDS: 20V
- Макс.ток Id: 4,2 A
- Питание: 1,3 В
- Сопротивление канала (Rds (On): 0,045 Ом
- Корпус: MICRO3 (SMD)
Документация
Отправка в тот же день
Проводка оплаты заказа на наш счет в рабочий день до 10:00 означает отправку товара в тот же день!
Условия поставки
GLS — зона 1Австрия, Бельгия, Хорватия, Чехия, Дания, Германия, Нидерланды, Польша, Словакия
- Срок доставки: 2-4 дня
- Стоимость доставки: от 4 шт.18 евро
- Страхование: 1200 EUR
Болгария, Эстония, Франция, Венгрия, Италия, Латвия, Литва, Люксембург, Португалия, Румыния, Сан-Марино, Словения, Великобритания
- Срок доставки: 2-5 дней
- Стоимость доставки: от 5,35 EUR
- Страхование: 1200 EUR
Кипр, Финляндия, Греция, Ирландия, Мальта, Испания, Швеция
- Срок доставки: 2-7 дней
- Стоимость доставки: от 7.67 евро
- Страхование: 1200 EUR
Задайте вопрос об этом продукте первым!
Вопрос о продукте
IRL540 Таблицы данных | Транзисторы — полевые, полевые МОП-транзисторы
На главную Транзисторы — полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы — одиночные таблицы данных IRL540 | Транзисторы — полевые, полевые МОП-транзисторы — Single N-Channel 100V 28A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220ABИнформационные листы IRFZ48NSTRRPBF | Транзисторы — полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы — одноканальные, 55 В, 64 А (Tc) 3.8 Вт (Ta), 130 Вт (Tc), поверхностный монтаж D2PAK
IRLML6401TR Таблицы данных | Транзисторы — полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы — одиночный P-канал, 12 В, 4,3 А (Ta), поверхностный монтаж Micro3 ™ / SOT-23
- Автор: & nbspapogeeweb, & nbsp & nbspIRL540, IRL540 Datasheet, IRL540 PDF, Vishay Siliconix
Изображение: | |
Номер детали производителя: | IRL540 |
Категория продукта: | Транзисторы — полевые, полевые МОП-транзисторы — одиночные |
Наличие: | № |
Производитель: | Vishay Siliconix |
Описание: | N-канал 100V 28A (Tc) 150W (Tc) сквозное отверстие TO-220AB |
Лист данных: | N / A |
Упаковка: | К-220-3 |
Минимум: | 1 |
Время выполнения: | 3 (168 часов) |
Количество: | Под заказ |
Отправить запрос предложений: | Запрос |
Упаковка / ящик: | К-220-3 |
Производитель: | Vishay Siliconix |
Базовый номер продукта: | IRL540 |
Пакет устройств поставщика: | К-220АБ |
Рассеиваемая мощность (макс.): | 150 Вт (Tc) |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 2200 пФ при 25 В |
Напряжение сток-источник (Vdss): | 100 В |
Технологии: | МОП-транзистор (оксид металла) |
Ток — непрерывный сток (Id) при 25 ° C: | 28А (Тс) |
Напряжение привода (макс. Показания при включении, мин. Показания): | 4В 5В |
Rds вкл. (Макс.) @ Id Vgs: | 77 мОм при 17 А 5 В |
Vgs (th) (макс.) @ Id: | 2 В при 250 мкА |
Vgs (макс.): | ± 10 В |
Функция полевого транзистора: | – |
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs: | 64 нКл при 5 В |
Описания
Для этой части пока нет релевантной информации.
ХАРАКТЕРИСТИКИ ОПИСАНИЕ Силовые МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay предоставляют разработчикам наилучшее сочетание быстрого переключения, прочной конструкции устройства, низкого сопротивления при включении и экономической эффективности. Корпус TO-220 универсально предпочтителен для всех коммерческих и промышленных применений при уровне рассеиваемой мощности отдо приблизительно 50 Вт. Низкое тепловое сопротивление и низкая стоимость корпуса TO-220 способствуют его широкому применению во всей отрасли.
ХАРАКТЕРИСТИКИ • Динамический рейтинг dV / dt
• Повторяющийся лавинный рейтинг
• Логический уровень привода затвора
• RDS (вкл.) Задан для VGS = 4 В и 5 В
• Рабочая температура 175 ° C
• Быстрое переключение
• Простота параллельной работы
• Отсутствие свинца (Pb) Доступно
ECCN / UNSPSC