Irl540N транзистор характеристики. Транзистор IRL540N: характеристики и применение MOSFET-транзистора

Каковы основные параметры и особенности MOSFET-транзистора IRL540N. Где используется данный силовой полевой транзистор. Какие преимущества имеет IRL540N по сравнению с аналогами.

Содержание

Основные характеристики транзистора IRL540N

IRL540N — это N-канальный силовой MOSFET-транзистор производства компании International Rectifier. Данный транзистор обладает следующими ключевыми параметрами:

  • Максимальное напряжение сток-исток: 100 В
  • Максимальный постоянный ток стока: 36 А при 25°C, 26 А при 100°C
  • Сопротивление канала в открытом состоянии: 44 мОм
  • Максимальная рассеиваемая мощность: 94 Вт при температуре корпуса 25°C
  • Тепловое сопротивление переход-корпус: 1.5°C/Вт
  • Корпус: TO-220AB

IRL540N относится к семейству транзисторов с логическим уровнем управления, что позволяет напрямую управлять им от микроконтроллеров и логических схем без дополнительных драйверов.

Особенности и преимущества транзистора IRL540N

Рассмотрим ключевые особенности и преимущества MOSFET-транзистора IRL540N:


  • Низкое сопротивление канала в открытом состоянии (44 мОм), что обеспечивает малые потери при коммутации больших токов
  • Высокая нагрузочная способность по току — до 36 А в непрерывном режиме
  • Логический уровень управления — транзистор полностью открывается при напряжении на затворе 5 В
  • Быстрое переключение — время восстановления обратного диода 190 нс
  • Встроенный защитный стабилитрон между затвором и истоком
  • Широкий диапазон рабочих температур: от -55°C до +175°C

Благодаря этим характеристикам IRL540N обеспечивает высокую эффективность в силовых схемах и имеет преимущества перед многими аналогами.

Области применения транзистора IRL540N

MOSFET-транзистор IRL540N находит применение в различных областях электроники, где требуется коммутация значительных токов. Основные сферы использования включают:

  • Импульсные источники питания
  • Драйверы электродвигателей постоянного тока
  • Силовые ключи в автомобильной электронике
  • Системы управления промышленным оборудованием
  • Зарядные устройства для аккумуляторов
  • DC/DC преобразователи
  • Системы светодиодного освещения

Широкий спектр применений обусловлен оптимальным сочетанием характеристик IRL540N для работы в силовых ключах.


Сравнение IRL540N с аналогами

Как IRL540N соотносится с другими популярными MOSFET-транзисторами? Рассмотрим сравнение основных параметров:

Параметр IRL540N IRF540N IRFZ44N
Максимальное напряжение сток-исток 100 В 100 В 55 В
Максимальный постоянный ток стока 36 А 33 А
41 А
Сопротивление канала 44 мОм 52 мОм 24 мОм
Пороговое напряжение затвора 1-2 В 2-4 В 2-4 В

IRL540N выигрывает у IRF540N по сопротивлению канала и пороговому напряжению, а у IRFZ44N — по максимальному напряжению сток-исток. Это делает его оптимальным выбором для многих применений.

Особенности монтажа и эксплуатации IRL540N

При работе с транзистором IRL540N следует учитывать некоторые особенности:

  • Транзистор чувствителен к статическому электричеству, требуются меры защиты при монтаже
  • Необходимо обеспечить эффективный теплоотвод при работе с большими токами
  • Рекомендуется использовать резистор между затвором и истоком для защиты от наводок
  • При параллельном включении транзисторов нужно применять выравнивающие резисторы в цепях истоков
  • Не следует превышать максимально допустимое напряжение затвор-исток ±20 В

Соблюдение этих рекомендаций позволит обеспечить надежную работу транзистора в различных схемах.


Схемы включения транзистора IRL540N

Рассмотрим несколько типовых схем включения MOSFET-транзистора IRL540N:

Схема простого ключа

В этой схеме транзистор работает как управляемый ключ, коммутирующий нагрузку:

  • Затвор подключен через резистор 100 Ом к управляющему сигналу
  • Сток подключен к нагрузке
  • Исток заземлен
  • Между затвором и истоком установлен защитный резистор 10 кОм

Схема Н-моста

Четыре транзистора IRL540N образуют Н-мост для управления двигателем постоянного тока:

  • Транзисторы включены попарно
  • Диагональные пары управляются в противофазе
  • Двигатель подключен между средними точками полумостов
  • Управление осуществляется ШИМ-сигналом

Схема понижающего DC/DC преобразователя

IRL540N выступает в роли силового ключа в понижающем преобразователе:

  • Исток транзистора соединен с общим проводом
  • На сток подается входное напряжение через дроссель
  • Параллельно нагрузке включен выходной конденсатор
  • Управление транзистором осуществляется ШИМ-контроллером

Эти схемы демонстрируют универсальность применения IRL540N в силовой электронике.


Выбор аналогов и замена IRL540N

При необходимости замены IRL540N можно рассмотреть следующие аналоги:

  • IRF540N — близкий аналог с немного худшими характеристиками
  • IRFZ44N — имеет меньшее максимальное напряжение, но лучшую токовую характеристику
  • FQP50N06 — аналог с улучшенными характеристиками, но более дорогой
  • STP55NF06 — еще один близкий аналог от STMicroelectronics

При выборе замены следует учитывать не только электрические параметры, но и особенности конкретной схемы. В некоторых случаях может потребоваться корректировка цепи управления затвором.


IRL540N International Rectifier

100V 30A/25°C 21A/100°C 44mO , 94W/25°C Rthjc=1.5°C/W

Основная информация:

Маркировка изготовителяIRL540N 
Type of casing:THT 
Kейс:TO-220AB 
KategorieFET N-Channel 
Тип компонента:!_n_fet 1x single_! 
Конфигурация:single Transistor 
Тип материала:!_si-silicon_! 
RoHSHет 
REACHHет 
NOVINKA

Упаковка и вес:

Единица:штук 
Вес:2.7 [g]
Тип упаковки:TUBE 
Малый пакет (количество единиц):50 

Электрофизические параметры:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 100 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)36 [A]
Idc max(Tc/Ta=25°C)36 [A]
Idc max(Tc/Ta=100÷109°C)26 [A]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)140  [W]
Input Logic Level (Ugs level)5V 
Rds(on) 5V (Ugs=4. 5÷5V)53 [mΩ]
Rds(on) 10V (Ugs=10V)44 [mΩ]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)190 [ns]
Qg (Total Gate Charge)74 [nC]
Cin/CL Load Capacitance1800 pF

Тепловые и механические параметры:

Tmin (mинимальная рабочая температура)-55 [°C]
Tmax (mаксимальная рабочая температура)175 [°C]
Rthjc (case)1.1 [°C/W]
Rthja (ambient)62 [°C/W]
Number of Pins
ПИН-Размеры выводов0.00 [mm]

Транзистор полевой КП746 — DataSheet

Цоколевка транзистора КП746

 

Параметры транзистора КП746
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КП746А IRF540N
КП746Б IRF541, RFP25N06
КП746В IRF542
КП746Г IRL540
Структура  КП746А nМОП
КП746Б
КП746В
КП746Г
КП746А1 С n-каналом
КП746Б1
КП746В1
КП746Г1
Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная). PСИ, P*СИ, т max КП746А 150 Вт, (Вт*)
КП746Б 150
КП746В 150
КП746Г 150
КП746А1 150
КП746Б1 150
КП746В1 150
КП746Г1 150
Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком (полевого транзистора с p-n-переходом и с изолированным затвором).  UЗИ отс, U*ЗИ пор КП746А 2…4 В
КП746Б 2…4
КП746В
2…4
КП746Г 1…2
КП746А1 2…4*
КП746Б1 2…4*
КП746В1 2…4*
КП746Г1 1…2*
Максимальное напряжение сток-исток (постоянное). Со звездочкой максимальное напряжение затвор-сток. UСИ max, U*ЗC max КП746А 100 В
КП746Б 80
КП746В
100
КП746Г 100
КП746А1 100
КП746Б1 80
КП746В1 100
КП746Г1 100
Максимальное напряжение затвор-исток (постоянное). UЗИ max КП746А ±20 В
КП746Б ±20
КП746В ±20
КП746Г ±10
КП746А1 ±20
КП746Б1 ±20
КП746В1 ±20
КП746Г1 ±10
Ток стока (постоянный). Со звездочкой ток стока (импульсный) IС, I*С, И КП746А 28 А
КП746Б 28
КП746В 25
КП746Г 28
КП746А1 28
КП746Б1 28
КП746В1 25
КП746Г1 28
Начальный ток стока IС нач, I*С ост КП746А мА
КП746Б
КП746В
КП746Г
КП746А1
КП746Б1
КП746В1
КП746Г1
Крутизна характеристики полевого транзистора S КП746А 50 В; 17 А ≥8700 мА/В
КП746Б 50 В; 17 А ≥8700
КП746В 50 В; 17 А ≥8700
КП746Г 50 В; 17 А ≥1200
КП746А1 50 В; 17 А ≥8700
КП746Б1 50 В; 17 А ≥8700
КП746В1 50 В; 17 А ≥8700
КП746Г1
Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком C11и, С*12и, С*22и КП746А пФ
КП746Б
КП746В
КП746Г
КП746А1
КП746Б1
КП746В1
КП746Г1
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии — сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора
при заданном напряжении сток-исток
RСИ отк, K*у. P, P**вых, ΔUЗИ КП746А ≤0.077 Ом, (дБ*), (Вт**),(мВ***)
КП746Б ≤0.077
КП746В ≤0.1
КП746Г ≤0.077
КП746А1 ≤0.077
КП746Б1 ≤0.077
КП746В1 ≤0.1
КП746Г1 ≤0.077
Коэффициент шума транзистора Кш, U*ш, E**ш,  Q*** КП746А Дб, (мкВ*), (нВ/√Гц**), (Кл**)
КП746Б
КП746В
КП746Г
КП746А1
КП746Б1
КП746В1
КП746Г1
 Время включения транзистора tвкл, t*выкл, F**р, ΔUЗИ/ΔT КП746А нс, (нс*), (МГц**), (мкВ/°C***)
КП746Б
КП746В
КП746Г
КП746А1
КП746Б1
КП746В1
КП746Г1

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в буквенных обозначениях параметров полевых транзисторов.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Транзисторы часть 1

код товара Наименование Описание Наличие
151334 Транзистор MOSFET Fairchild Semiconductor BUZ 11 Технические характеристики: I 30 A; U 50 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
151111 Транзистор MOSFET ON Semiconductor BS 170 RL1 Технические характеристики: I 0.5 A; U 60 V; P 0.35 W [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162537 Силовой транзистор MOSFET International Rectifier IRF 9540 N Технические характеристики: I -23 A; U -100 V; R 0.117 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
154103 Транзистор Infineon SPP 20 N 60 S5 Технические характеристики: I 20 A; U 600 V; R 0.19 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
158950 Однополярный стандартный транзистор BS 170 Технические характеристики: I 0.5 A; U 60 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
159204 Маломощный полевой транзистор NXP BSN 10A NXP Технические характеристики: I 0,175 A; U 50 V; P 0,83 W [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162412 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 540 N Технические характеристики: I 33 A; U 100 V; R 0.052 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162549 Силовой транзистор MOSFET International Rectifier IRF 9 Z 24 N Технические характеристики: I -12 A; U -55 V; R 0.175 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162652 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 3703 Технические характеристики: I 210 A; U 30 V; R 0.0028 Ω info@conrad-rus. ru или по тел. (495) 66-99-077
162679 Силовой транзистор MOSFET International Rectifier IRFR 024 N Технические характеристики: I 16 A; U 55 V; R 0.075 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162747 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFZ 44 N Технические характеристики: I 41 A; U 55 V; R 0.024 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
151034 Транзистор MOSFET ON Semiconductor 2 N 7000 Технические характеристики: I 0.2 A; U 60 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162408 Силовой транзистор MOSFET International Rectifier IRF 5305 Технические характеристики: I -31A; U -55 V; R 0.06 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162461 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7389 Технические характеристики: I 5.9 A; U 30 V; R 0.029 Ω info@conrad-rus. ru или по тел. (495) 66-99-077
162536 Силовой транзистор MOSFET International Rectifier IRF 9530 N Технические характеристики: I -14 A; U -100 V; R 0.20 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162742 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFZ 34 N Технические характеристики: I 26 A; U 55 V; R 0.04 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162848 Транзистор International Rectifier IRLR 2905 Технические характеристики: I 42 A; U 55 V; R 0.027 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
157112 Транзистор BF 245 B Технические характеристики: I 0.1 A; U 30 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162764 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 2203 NS Технические характеристики: I 116 A A; U 30 V; R 0.007 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153609 Транзистор питания Infineon BUZ 80 A SIE Технические характеристики: I 3 A; U 800 V; R 3 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
164339 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 3710 Z Технические характеристики: I 59 A; U 100 V; R 18 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
164398 Транзистор International Rectifier IRLR 7843 HEXFET Технические характеристики: I 161 A; U 30 V; R 3.3 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
157210 Транзистор BF 256 C Технические характеристики: I 0.01 A; U 30 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
158976 Однополярный стандартный транзистор BS 107 Технические характеристики: I 0.13 A; U 200 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
150929 Транзистор MOSFET ON Semiconductor BS 107 Технические характеристики: I 0. 25 A; U 200 V; P 0.35 W [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
151362 Транзистор MOSFET ST Microelectronics BUZ 11 A Технические характеристики: I 27 A; U 50 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162362 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 1010 N Технические характеристики: I 85 A; U 55 V; R 0.012 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162374 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 1404 S Технические характеристики: I 162 A; U 40 V; R 0.004 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162375 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 1405 Технические характеристики: I 169 A; U 55 V; R 0.005 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162377 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 1405 S Технические характеристики: I 131 A; U 55 V; R 0. 0053 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162399 Силовой транзистор MOSFET International Rectifier IRF 4905 Технические характеристики: I -74 A; U -55 V; R 0.02 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162402 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 510 Технические характеристики: I 5.6 A; U 100 V; R 0.54 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162409 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 5305 S Технические характеристики: I -31 A; U -55 V; R 0.06 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162410 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 530 N l Технические характеристики: I 12A; U 100 V; R 0.11 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162413 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 540 NS Технические характеристики: I 33 A; U 100 V; R 0. 052 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162443 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7301 Технические характеристики: I 5.2 A; U 20 V; R 0.05 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162468 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 740 A Технические характеристики: I 10 A; U 400 V; R 0.55 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162476 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7416 Технические характеристики: I -10 A; U -30 V; R 0.02 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162520 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 820 Технические характеристики: I 2.5 A; U 500 V; R 3 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162526 Транзистор MOSFET Vishay IRF 840 Технические характеристики: I 8 A; U 500 V; R 0. 85 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162527 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 840 A Технические характеристики: I 8 A; U 500 V; R 0.85 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162530 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 840 LC Технические характеристики: I 8 A; U 500 V; R 0.85 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162533 Транзистор MOSFET Vishay IRF 9510 Технические характеристики: I -4 A; U -100 V; R 1.2 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162553 Транзистор MOSFET Vishay IRFB 11 N 50 A Технические характеристики: I 11 A; U 500 V; R 0.52 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162642 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 250 N Технические характеристики: I 30 A; U 200 V; R 0.075 Ω info@conrad-rus. ru или по тел. (495) 66-99-077
162659 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 460 Технические характеристики: I 20 A; U 500 V; R 0.27 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162660 Транзистор MOSFET Vishay IRFP 460 A Технические характеристики: I 20 A; U 500 V; R 0.27 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162751 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFZ 44 V Технические характеристики: I 55 A; U 60 V; R 0.0165 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162786 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 3803 Технические характеристики: I 140 A; U 30 V; R 0.006 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162795 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 530 N Технические характеристики: I 17 A; U 100 V; R 0.10 Ω info@conrad-rus. ru или по тел. (495) 66-99-077
162825 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLL 3303 Технические характеристики: I 4.6 A; U 30 V; R 0.031 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162827 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLML 2502 TR Технические характеристики: I 4.2 A; U 20 V; R 0.045 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162832 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLML 6401 TR Технические характеристики: I -4.3 A; U -12 V; R 0.05 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162869 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLZ 24 N HEXFET Технические характеристики: I 18 A; U 55 V; R 0.06 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162873 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLZ 34 N HEXFET Технические характеристики: I 27 A; U 55 V; R 0. 035 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162877 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLZ 44 N HEXFET Технические характеристики: I 41 A; U 55 V; R 0.022 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162879 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLZ 44 NS HEXFET Технические характеристики: I 47 A; U 55 V; R 0.022 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
158712 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 3205 Технические характеристики: I 110 A; U 55 V; R 0,008 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
151573 Транзистор MOSFET ST Microelectronics IRF 830 Технические характеристики: I 4.5 A; U 500 V; R 1.5 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
151583 Транзистор MOSFET Fairchild Semiconductor RFP 50 N 06 Технические характеристики: I 50 A; U 60 V; P 131 W info@conrad-rus. ru или по тел. (495) 66-99-077
152902 Маломощный транзистор Infineon BSS 123 Технические характеристики: I 170 mA; U 100 V; R 6 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
152928 Маломощный транзистор Infineon BSS 138 N Технические характеристики: I 220 mA; U 50 V; R 3.5 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
140252 Однополярный стандартный транзистор BSN20 Технические характеристики: I 100 mA; U 50 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162494 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7524 D 1 TRPBF Технические характеристики: I -1.7 A; U -20 V; R 0.27 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162398 Транзистор MOSFETInternational Rectifier IRF 3710 S Технические характеристики: I 57 A; U 100 V; R 0.025 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162420 Транзистор MOSFETInternational Rectifier IRF 6215 S Технические характеристики: I -13 A; U 150 V; R 0.29 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162547 Транзистор MOSFETInternational Rectifier IRF 9 Z 14 Технические характеристики: I -6.7 A; U -60 V; R 0.5 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162555 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFB 18 N 50 K Технические характеристики: I 17 A; U 500 V; R 0.25 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162583 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFD 120 Технические характеристики: I 1.3 A; U 100 V; R 0.27 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162592 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFD 9210 Технические характеристики: I -0.4 A; U -200 V; R 3 Ω info@conrad-rus. ru или по тел. (495) 66-99-077
162619 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFIBF 30 G Технические характеристики: I 1.9 A; U 900 V; R 3.7 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162635 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 048 N Технические характеристики: I 64 A; U 55 V; R 0.016 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162662 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 9140 N Технические характеристики: I 21 A; U 100 V; R 0.117 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162675 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFPG 30 Технические характеристики: I 3.1 A; U 1000 V; R 5 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162678 Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFR 014 Технические характеристики: I 7.7 A; U 60 V; R 0. 2 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162689 Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFR 224 Технические характеристики: I 3.8 A; U 250 V; R 1.1  Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162712 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFS 23 Технические характеристики: I 24A; U 200 V; R 0.1 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162725 Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFU 320 Технические характеристики: I 3.1 A; U 400 V; R 1.8 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162728 Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFU 420 Технические характеристики: I 2.4 A; U 500 V; R 3 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162755 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFZ 48 NS Технические характеристики: I 64 A; U 55 V; R 0. 016 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162769 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 3102 S Технические характеристики: I 61 A; U 20 V; R 0.013 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162778 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 3302 S Технические характеристики: I 39 A; U 20 V; R 0.020 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162806 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLD 024 Технические характеристики: I 2.5 A; U 60 V; R 0.1 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162811 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLI 3705 N Технические характеристики: I 52 A; U 55 V; R 0.01 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162818 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLIZ 44 N Технические характеристики: I 30 A; U 55 V; R 0.022 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162839 Транзистор MOSFET nternational Rectifier IRLMS 6702 TR Технические характеристики: I -2.3 A; U -20 V; R 0.2 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162849 Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRLR 3103 Технические характеристики: I 55A; U 30 V; R 0.019 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162866 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLZ 14 L HEXFET Технические характеристики: I 10 A; U 60 V; R 200 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
156493 Однополярный транзистор Korea Electronics 2N7000A Технические характеристики: I 200 mA; U 60 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
155779 Транзистор MOSFET ST Microelectronics STD 5 NK 40 ZT 4 Технические характеристики: I 3 A; U 400 V; R 1.9 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
164401 Транзистор International Rectifier IRLU 3717 HEXFET Технические характеристики: I 120 A; U 20 V; R 0.042 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153234 Интеллектуальный выключатель питания Infineon BTS 432 E 2-E-3062A ProFET Технические характеристики: I 11 A; U >60 V; R 38 mΩ [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153029 Транзистор MOSFET-Tetrode Infineon BF 998 Технические характеристики: I 30 mA; U 12 V; P 200 mW [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153581 Транзистор питания Infineon BUZ 31 Технические характеристики: I 13.5 A; U 200 V; R 0.2 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153608 Транзистор питания Infineon BUZ 32 Технические характеристики: I 9.5 A; U 200 V; R 0.4 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153369 Транзистор питания Infineon BUZ 42 Технические характеристики: I 4 A; U 500 V; R 2 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153382 Транзистор питания Infineon BUZ 60 SIE Технические характеристики: I 5.5 A; U 500 V; R 1 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153463 Транзистор питания Infineon BUZ 73 H Технические характеристики: I 7 A; U 200 V; R 0,4 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153985 Транзистор Infineon SPW 20 N 60 S5 Технические характеристики: I 20 A; U 600 V; R 0.19 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
156103 Транзистор MOSFET ST Microelectronics STP 80 NF 10 Технические характеристики: I 80 A; U 200 V; R 0.01 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
156110 Транзистор MOSFET ST Microelectronics STP 16 NF 06 L Технические характеристики: I 16 A; U 60 V; R 0.1 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
152954 Маломощный транзистор Infineon BSP 318 S Технические характеристики: I 2600 mA; U 60 V; R 0.15 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
152980 Маломощный транзистор Infineon BSP 320 S Технические характеристики: I 2900 mA; U 60 V; R 0.12 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153165 Интеллектуальный выключатель Infineon BTS 115 A Технические характеристики: I 15.5 A; U 50 V; R 120 mΩ [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
164334 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 1405 Z Технические характеристики: I 150 A; U 55 V; R 4.90 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
164337 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 2807 Z Технические характеристики: I 89 A; U 75 V; R 9.40 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
164338 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 3205 Z Технические характеристики: I 110 A; U 55 V; R 6.50 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
164357 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7831 Технические характеристики: I 21 A; U 30 V; R 3.6 mΩ [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
164361 Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFR 3704 Z Технические характеристики: I 42 A; U 20 V; R 8.40 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
164331 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 1404 Z Технические характеристики: I 190 A; U 40 V; R 3.70 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153191 Транзистор Infineon BSP 76 Технические характеристики: I 5 A; U >42 V; R 200 mΩ [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
154116 Транзистор Infineon SPD 07 N 60 S5 Технические характеристики: I 7,3 A; U 600 V; R 0.60 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153749 Транзистор Infineon SPU 01 N 60 S5 Технические характеристики: I 0,8 A; U 600 V; R 6.50 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153568 Транзистор питания Infineon BUZ 30 A SIE Технические характеристики: I 21 A; U 200 V; R 0.13 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153489 Транзистор питания Infineon BUZ 73 AL Технические характеристики: I 5.8 A; U 200 V; R 0.6 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153393 Транзистор Infineon BTS 621 L1-E-3128A ProFET Технические характеристики: I 2 x 4.4 A; U 5 — 34 V; R 2 x 100 mΩ [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153381 Транзистор питания Infineon BUZ 104 S Технические характеристики: I 14 A; U 55 V; R 0.1 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153700 Транзистор питания Infineon BUZ 100 S Технические характеристики: I 77 A; U 55 V; R 0.015 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153420 Транзистор MOSFET nternational Rectifier IRLMS 6702 TR Технические характеристики: I 12.6 A; U 5 — 34 V; R 30 mΩ [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153231 Маломощный транзистор Infineon BSP 295 Технические характеристики: I 1800 mA; U 50 V; R 0.3 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
163643 Транзистор MOSFET 2 N 4416 Технические характеристики: I 15 mA; U 30 V; P 300 mW [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
151006 Транзистор MOSFET NXP 2 N 7002 GEG HSMD Технические характеристики: I 0.18 A; U 60 V; P 0.25 W; R 5 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
150994 Транзистор MOSFET ON Semiconductor 2 N 7002 LT 1 Технические характеристики: I 0.115 A; U 60 V; R 7.5 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
157830 Транзистор MOSFET BF 244 A N Технические характеристики: I 0.1 A; U 30 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
157082 Транзистор MOSFET BF 244 B Технические характеристики: I 50 mA; U 30 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
157120 Транзистор MOSFET BF 245 C Технические характеристики: I 0.1 A; U 30 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
157848 Транзистор MOSFET BF 245 A Технические характеристики: I 0.1 A; U 30 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
157139 Транзистор MOSFET BF 246 A Технические характеристики: I 0.08 A; U25 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
158968 Однополярный стандартный транзистор BS 250 Технические характеристики: I 0.25 A; U 45 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
150848 Транзистор MOSFET NXP BSP 250 GEG NXP Технические характеристики: I 3 A; U 30 V; R 0.25 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
150901 Транзистор MOSFET NXP BSS 84 GEG Технические характеристики: I 0.13 A; U 50 V; R 10 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
151517 Транзистор MOSFET Infineon BUZ 21 Технические характеристики: I 21 A; U 100 V; P 105 W [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162357 Транзистор MOSFET Vishay FB 180 SA 10 Технические характеристики: I 180 A; U 100 V; R 0.0065 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162358 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 1010 E Технические характеристики: I 57 A; U 60 V; R 0.012 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162364 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 1010 NS Технические характеристики: I 85 A; U 55 V; R 0.011 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162365 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 1104 Технические характеристики: I 100 A; U 40 V; R 0.009 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162368 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 1310 N Технические характеристики: I 42 A; U 100 V; R 0.036 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162371 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 1310 NS Технические характеристики: I 42 A; U 100 V; R 0.036 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162372 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 1404 Технические характеристики: I 162 A; U 40 V; R 0.004 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162373 Транзистор MOSFET nternational Rectifier IRF 1404 L Технические характеристики: I 162 A; U 40 V; R 0.004 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162384 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 3415 Технические характеристики: I 43 A; U 150 V; R 0.042 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162390 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 3706 Технические характеристики: I 77 A; U 20 V; R 0.0085 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162393 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 3707 S Технические характеристики: I 62 A; U 30 V; R 0.0125 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162394 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 3708 Технические характеристики: I 62 A; U 30 V; R 0.012 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162397 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 3710 Технические характеристики: I 57 A; U100 V; R 0.025 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162404 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 520 N Технические характеристики: I 9.7 A; U 100 V; R 0,2 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162406 Силовой транзистор MOSFET International Rectifier IRF 5210 Технические характеристики: I -40 A; U -100 V; R 0.06 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162414 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 610 Технические характеристики: I 3.3 A; U 200 V; R 1.5 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162415 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 610 S Технические характеристики: I 3.3 A; U 200 V; R 1.5 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162416 Транзистор MOSFET Vishay IRF 620 Технические характеристики: I 5.2 A; U 200 V; R 0.8 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162419 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 6215 Технические характеристики: I -13 A; U -150 V; R 0.29 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162421 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 630 N Технические характеристики: I 9.3 A; U 200 V; R 0.3 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162424 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 640 N Технические характеристики: I 18 A; U 200 V; R 0.15 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162425 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 640 NS Технические характеристики: I 18 A; U 200 V; R 0.15 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162427 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 644 Технические характеристики: I 14 A; U 250 V; R 0.28 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162429 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 710 Технические характеристики: I 2 A; U 400 V; R 3.6 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162431 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7103 Технические характеристики: I 3 A; U 50 V; R 0.13 [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162433 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7105 Технические характеристики: I 3.5 A/-2.3 A; U 25 V; R 0.109 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162437 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7204 Технические характеристики: I -5.3 A; U -20 V; R 0.06 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162440 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7220 Технические характеристики: I -11 A; U -14 V; R 0.012 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162441 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 730 Технические характеристики: I 5.5 A; U 400 V; R 1 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162445 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7304 Технические характеристики: I -4.3 A; U -20 V; R 0.09 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162447 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7307 Технические характеристики: I 5.2 A/-4.3 A; U 20 V; R 0.05 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162449 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 730 A Технические характеристики: I 5.5 A; U 400 V; R 1 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162451 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7311 Технические характеристики: I 6.6 A; U 20 V; R 0.029 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162455 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7317 Технические характеристики: I 6.6 A/-5.3 A; U 20 V; R 0.029 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162456 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7319 Технические характеристики: I 6.5 A/-4.9 A; U 30 V; R 0.029 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162458 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7342 Технические характеристики: I -3.4 A; U -55 V; R 0.105 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162459 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7343 Технические характеристики: I 4.7 A/-3.4 A; U 55 V; R 0.05 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162462 Транзистор MOSFET Vishay IRF 740 Технические характеристики: I 10 A; U 400 V; R 0.55 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162463 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF Технические характеристики: I 8.7 A; U 20 V; R 0.022 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162464 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7402 Технические характеристики: I 6.8 A; U 20 V; R 0.035 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162467 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7406 Технические характеристики: I -5.8 A; U -30 V; R 0.045 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162471 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 740 LC Технические характеристики: I 10 A; U 400 V; R 0.55 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162473 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7410 Технические характеристики: I -16 A; U -12 V; R 0.007 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162474 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7413 Технические характеристики: I 12 A; U 30 V; R 0.011 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162481 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7456 Технические характеристики: I 16 A; U 20 V; R 0.0065 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162482 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7457 Технические характеристики: I 15 A; U 20 V; R 0.007 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162483 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7458 Технические характеристики: I 14 A; U 30 V; R 0.008 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162521 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 820 A Технические характеристики: I 2.5 A; U 500 V; R 3 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162529 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 840 L Технические характеристики: I 8 A; U 500 V; R 850 mΩ [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162532 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 9410 Технические характеристики: I 7 A; U 30 V; R 0.03 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162538 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 9540 NS Технические характеристики: I -23 A; U -100 V; R 0.117 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162539 Транзистор MOSFET Vishay IRF 9610 Технические характеристики: I -1.8 A; U -200 V; R 3 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162540 Силовой транзистор MOSFET International Rectifier IRF 9620 Технические характеристики: I -3.5 A; U -200 V; R 1.5 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162541 Силовой транзистор MOSFET International Rectifier IRF 9630 Технические характеристики: I -6,5 A; U -200 V; R 0.8 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162542 Транзистор MOSFET Vishay IRF 9640 Технические характеристики: I -11 A; U -200 V; R 0.5 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162545 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 9953 Технические характеристики: I -2.3 A; U -30 V; R 0.25 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162551 Силовой транзистор MOSFET International Rectifier IRF 9 Z 34 Технические характеристики: I -19 A; U -55 V; R 0.10 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162556 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFB 23 N 15 D Технические характеристики: I 23 A; U 150 V; R 0.09 [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162559 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFB 31 N 20 D Технические характеристики: I 31 A; U 200 V; R 0.082 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162560 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFB 41 N 15 D Технические характеристики: I 41 A; U 150 V; R 0.045 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162561 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFB 59 N 10 D Технические характеристики: I 59 A; U 100 V; R 0.025 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162562 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFB 9 N 60 A Технические характеристики: I 9.2 A; U 600 V; R 0.75  Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162563 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFB 9 N 65 A Технические характеристики: I 8.5 A; U 650 V; R 0.9  Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162564 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFBC 20 Технические характеристики: I 2.2 A; U 600 V; R 4.4 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162565 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFBC 30 Технические характеристики: I 3.6 A; U 600 V; R 2.2  Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162567 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFBC 30 A Технические характеристики: I 3.6 A; U 600 V; R 2.2 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162568 Транзистор MOSFET Vishay IRFBC 40 Технические характеристики: I 6.2 A; U 600 V; R 1.2 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162578 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFBG 30 Технические характеристики: I 3.1 A; U 1000 V; R 5 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162582 Транзистор MOSFET Vishay IRFD 110 Технические характеристики: I 1A; U 100 V; R 0.54 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162591 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFD 9120 Технические характеристики: I -1 A; U -100 V; R 0.6 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162594 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFI 1010 N Технические характеристики: I 49 A; U 55 V; R 0.012 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162602 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFI 630 G Технические характеристики: I 5.9 A; U 200 V; R 0.4  Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162606 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFI 730 G Технические характеристики: I 3.7 A; U 400 V; R 1 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162611 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFI 840 G Технические характеристики: I 4.6 A; U 500 V; R 0.85 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162612 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFI 9630 G Технические характеристики: I -4.3 A; U -200 V; R 0.8 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162617 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFIBC 40 G Технические характеристики: I 3.5 A; U 600 V; R 1.2 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162623 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFIZ 44 N Технические характеристики: I 31A; U 55 V; R 0.024 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162626 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFL 014 N Технические характеристики: I 1.9 A; U 55 V; R 0.16 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162627 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFL 110 Технические характеристики: I 1.5 A; U 100 V; R 0.54 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162630 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFL 4105 Технические характеристики: I 3.7 A; U 55 V; R 0.045 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162633 Транзистор MOSFET Vishay IRFL 9110 Технические характеристики: I -1.1 A; U -100 V; R 1.2 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162634 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 044 N Технические характеристики: I 53 A; U 55 V; R 0.02 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162637 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 064 N Технические характеристики: I 110 A; U 55 V; R 0.008 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162639 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 150 N Технические характеристики: I 39 A; U 100 V; R 0.036 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162640 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 22 N 50 A Технические характеристики: I 22 A; U 500 V; R 0.23 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162641 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 240 Технические характеристики: I 20 A; U 200 V; R 0.18 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162645 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 264 Технические характеристики: I 38 A; U 250 V; R 0.075 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162648 Транзистор MOSFET Vishay IRFP 350 Технические характеристики: I 16 A; U 400 V; R 0.30 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162650 Транзистор MOSFET Vishay IRFP 360 Технические характеристики: I 23 A; U 400 V; R 0.20 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162651 Транзистор MOSFET Vishay IRFP 360 LC Технические характеристики: I 23 A; U 400 V; R 0.20 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162653 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 3710 Технические характеристики: I 51 A; U 100 V; R 0.028 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162656 Транзистор MOSFET Vishay IRFP 450 Технические характеристики: I 14 A; U 500 V; R 0.4 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162657 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 450 A Технические характеристики: I 14 A; U 500 V; R 0.4 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162658 Транзистор MOSFET Vishay IRFP 450 LC Технические характеристики: I 16 A; U 500 V; R 0.4 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162663 Транзистор MOSFET Vishay IRFP 9240 Технические характеристики: I 12 A; U 200 V; R 0.50 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162665 Транзистор MOSFET Vishay IRFPC 50 Технические характеристики: I 11 A; U 600 V; R 0.60 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162669 Транзистор MOSFET Vishay IRFPC 60 LC Технические характеристики: I 16 A; U 600 V; R 0.40 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162671 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFPE 40 Технические характеристики: I 5.4 A; U 800 V; R 2.0 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162672 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFPE 50 Технические характеристики: I 7.8 A; U 800 V; R 1.2 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162676 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFPG 40 Технические характеристики: I 4.3 A; U 1000 V; R 3.5 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162682 Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFR 1205 Технические характеристики: I 37 A; U 55 V; R 0.027 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162686 Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFR 1 N 60 A Технические характеристики: I 1.4 A; U 600 V; R 7 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162690 Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFR 2407 Технические характеристики: I 42 A; U 75 V; R 0.026 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162696 Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFR 5305 Технические характеристики: I 31 A; U -55 V; R 0.065 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162699 Силовой транзистор MOSFET International Rectifier IRFR 9024 Технические характеристики: I 8A; U -55 V; R 0.175 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162701 Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFR 9120 N Технические характеристики: I — 6.6 A; U — 100 V; R 0.48 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162729 Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFU 5305 Технические характеристики: I 28 A; U 55 V; R 0.065 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162730 Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFU 9024 N Технические характеристики: I 11 A; U 55 V; R 0.175 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162737 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFZ 14 HEXFET Технические характеристики: I 10 A; U 60 V; R 0.2 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162739 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFZ 24 N Технические характеристики: I 17 A; U 50 V; R 0.07 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162745 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFZ 44 E Технические характеристики: I 48 A; U 60 V; R 0.023 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162746 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFZ 44 ES Технические характеристики: I 48 A; U 60 V; R 0.023 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162752 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFZ 46 N Технические характеристики: I 46 A; U 55 V; R 0.02  Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162753 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFZ 48 N Технические характеристики: I 53 A; U 55 V; R 0.016 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162757 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFZ 48 V Технические характеристики: I 72 A; U 60 V; R 0.012 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162758 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 1004 Технические характеристики: I 92 A; U 40 V; R 0.0065 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162759 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 1004 S Технические характеристики: I 110 A; U 40 V; R 0.0065 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162760 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 1104 Технические характеристики: I 104 A; U 40 V; R 0.008 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162763 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 2203 N Технические характеристики: I 100 A; U 30 V; R 0.007 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162767 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 2910 Технические характеристики: I 55 A; U 100 V; R 0.026 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162770 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 3103 HEXFET Технические характеристики: I 56 A; U 30 V; R 0.014 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162776 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 3202 Технические характеристики: I 48 A; U 20 V; R 0.016 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162779 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 3303 Технические характеристики: I 38 A; U 30 V; R 0.026 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162782 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 3502 Технические характеристики: I 110 A; U 20 V; R 0.007 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162783 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 3502 S Технические характеристики: I 110 A; U 20 V; R 0.007 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162784 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 3705 N Технические характеристики: I 89 A; U 55 V; R 0.01 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162785 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 3705 NS Технические характеристики: I 89 A; U 55 V; R 0.01 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162787 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 3803 L Технические характеристики: I 140 A; U 30 V; R 6 mΩ [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162789 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 510 Технические характеристики: I 5.6 A; U 100 V; R 0.54 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162798 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 540 N Технические характеристики: I 36 A; U 100 V; R 0.044 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162801 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 630 Технические характеристики: I 9 A; U 200 V; R 0.4 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162805 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLD 014 Технические характеристики: I 1.7 A; U 60 V; R 0.2 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162814 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLI 540 N Технические характеристики: I 23 A; U 100 V; R 0.044 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162815 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLIZ 24 N Технические характеристики: I 14 A; U 50 V; R 0.06 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162819 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLL 014 Технические характеристики: I 2 A; U 55 V; R 0.14 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162820 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLL 024 N Технические характеристики: I 3.1A; U 55 V; R 0.065 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162826 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLML 2402 TR Технические характеристики: I 1.2 A; U 20 V; R 0.25 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162828 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLML 2803 TR Технические характеристики: I 1.2 A; U 30 V; R 0.25 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162833 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLML 6402 TR Технические характеристики: I -3.7 A; U -20 V; R 0.065 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162836 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLMS 2002 TR Технические характеристики: I 6.5 A; U 20 V; R 0.03 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162843 Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRLR 024 N Технические характеристики: I 17 A; U 55 V; R 0.065 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162845 Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRLR 120 N Технические характеристики: I 10 A; U 100 V; R 0.185 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162856 Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRLU 024 N Технические характеристики: I 17 A; U 55 V; R 0.065  Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162857 Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRLU 110 Технические характеристики: I 4.3 A; U 100 V; R 0.54 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162865 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLZ 14 HEXFET Технические характеристики: I 10 A; U 60 V; R 00.2 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162871 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLZ 24 NS HEXFET Технические характеристики: I 18 A; U 55 V; R 0.06 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162875 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLZ 34 NS HEXFET Технические характеристики: I 30 A; U 55 V; R 0.035 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162881 Транзистор MOSFET International Rectifier SI 4410 DY Технические характеристики: I 10 A; U 30 V; R 0.0135 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153244 Транзистор MOSFET Infineon BSP 78 Технические характеристики: I 30 A; U >42 V; R 50 mΩ [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153422 Транзистор Infineon IPP80CN10NG (=BUZ 72) Технические характеристики: I 13 A; U 100 V; R 78 mΩ [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
151456 Транзистор MOSFET Fairchild Semiconductor IRF 9620 Технические характеристики: I -14 A; U -200 V; R 1.5 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162448 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7309 Технические характеристики: I 4 A/-3 A; U 30 V; R 0.05 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
142808 Транзистор MOSFET MMBF 4416 Технические характеристики: I 10 mA; U 30 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
151098 Транзистор MOSFET ON Semiconductor MMB F170 LT1 Технические характеристики: I 0.5 A; U 60 V; R 5 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153042 Транзистор MOSFET-Tetrode Infineon BF 999 Технические характеристики: I 30 mA; U 20 V; P 200 mW [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
155772 Транзистор MOSFET ST Microelectronics IRF 630 Технические характеристики: I 9 A; U 200 V; R 0.4 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
155773 Транзистор MOSFET ST Microelectronics IRF 640 Технические характеристики: I 18 A; U 200 V; R 0.18 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
155781 Транзистор MOSFET ST Microelectronics STP 36 NF 06 Технические характеристики: I 30 A; U 60 V; R 0.04 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
155786 Транзистор MOSFET ST Microelectronics STW 34 NB 20 Технические характеристики: I 34 A; U 200 V; R 80 mΩ [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
151301 Транзистор MOSFET ON Semiconductor MTD 2955 VT4 Технические характеристики: I 42  A; U 60 V; R 0.2 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
151269 Силовой транзистор MOSFET ON Semiconductor MTD 3055 V Технические характеристики: I 12 A; U 60 V; R 0.15 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
151322 Транзистор MOSFET ON Semiconductor MTD 3055 V LT4 Технические характеристики: I 12 A; U 60 V; R 0,18 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153220 Интеллектуальный выключатель Infineon BTS 432 E2 ProFET Технические характеристики: I 11 A; U>60 V; R 38 mΩ [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
151623 Транзистор MOSFET Fairchild Semiconductor RFP 12 N 10 L Технические характеристики: I 12A; U 100 V; R 0,14 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
151569 Транзистор MOSFET Fairchild Semiconductor RFP 70 N 06 Технические характеристики: I 70 A; U 60 V; R 0,014 Ω; P 150 W [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153243 Маломощный транзистор Infineon BSP 296 Технические характеристики: I 1 A; U 100 V; R 0.8 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153257 Маломощный транзистор Infineon BSP 88 Технические характеристики: I 320 mA; U 240 V; R 8 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153270 Маломощный транзистор Infineon BSP 89 Технические характеристики: I 360 mA; U 240 V; R 6 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153297 Маломощный транзистор Infineon BSS 119 Технические характеристики: I 170 mA; U 100 V; R 6 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153072 Маломощный транзистор Infineon BSS 87 Технические характеристики: I 290 mA; U 240 V; R 6 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153955 Маломощный транзистор Infineon SN 7002 Технические характеристики: I 190 mA; U 60 V; R 5 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
140163 Транзистор MOSFET (Dual Gate) Infineon BF 990 Технические характеристики: I 30 mA; U 18 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162593 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFD 9220 Технические характеристики: I -0.56 A; U -200 V; R 1.5 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162608 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFI 740 GLC Технические характеристики: I 5.7 A; U 400 V; R 0.55 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
160642 Силовой транзистор MOSFET IXYS IXFN100N50P Технические характеристики: I 75 A; U 500 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
160646 Силовой транзистор MOSFET IXYS IXFN44N100P Технические характеристики: I 37 A; U 1000 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
160645 Силовой транзистор MOSFET IXYS IXFN60N80P Технические характеристики: I 53A; U 800 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
160643 Силовой транзистор MOSFET IXYS IXFN82N60P Технические характеристики: I 72 A; U 600 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153623 Транзистор питания Infineon BUZ 81 Технические характеристики: I 4 A; U 800 V; R 2.5 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153019 Маломощный транзистор Infineon BSO 304 SN Технические характеристики: I 6400 mA; U 30 V; R 0.03 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153046 Маломощный транзистор Infineon BSP 373 Технические характеристики: I 1700 mA; U 100 V; R 0.3 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162477 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7421 D 1 Технические характеристики: I 5.8 A; U 30 V; R 0.035 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162395 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 3708 S Технические характеристики: I 62 A; U 30 V; R 0.012 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162423 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 634 Технические характеристики: I 8.1 A; U 250 V; R 0.45 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162435 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 720 Технические характеристики: I 3.3 A; U 400 V; R 1.8 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162444 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7303 Технические характеристики: I 4.9 A; U 30 V; R 0.05 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162446 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7306 Технические характеристики: I -3.6 A; U -30 V; R 0.1 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162452 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7313 Технические характеристики: I 6.5 A; U 30 V; R 0.029 [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162457 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7341 Технические характеристики: I 4.7 A; U 55 V; R 0.05 [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162465 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7403 Технические характеристики: I 8.5 A; U 30 V; R 0.022 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162484 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7459 Технические характеристики: I 12 A; U 20 V; R 0.01 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162522 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 830 Технические характеристики: I 4.5 A; U 500 V; R 1.5 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162524 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 830 A Технические характеристики: I 5 A; U 500 V; R 1.4 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162546 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 9956 Технические характеристики: I 3.5 A; U 30 V; R 0.1 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162570 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFBC 40 LC Технические характеристики: I 6.2 A; U 600 V; R 1.2 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162572 Транзистор MOSFET Vishay IRFBE 30 Технические характеристики: I 4.1 A; U 800 V; R 3 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162576 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFBF 30 Технические характеристики: I 3.6 A; U 900 V; R 3.7  Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162579 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFD 014 Технические характеристики: I 1.7 A; U 60 V; R 0.2 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162581 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFD 024 Технические характеристики: I 2.5 A; U 60 V; R 0.1 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162589 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFD 9024 Технические характеристики: I -1.6 A; U -60 V; R 0.28 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162590 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFD 9110 Технические характеристики: I -0.7 A; U -100 V; R 1.2 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162595 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFI 1310 N Технические характеристики: I 24 A; U 100 V; R 0.036 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162615 Транзистор MOSFET Vishay IRFIB 6 N 60 A Технические характеристики: I 5.5 A; U 600 V; R 0.75 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162616 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFIB 7 N 50 A Технические характеристики: I 6.6 A; U 500 V; R 0.52 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162625 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFIZ 48 N Технические характеристики: I 36 A; U 55 V; R 0.016 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162638 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 140 N Технические характеристики: I 33 A; U 100 V; R 0.052 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162668 Транзистор MOSFET Vishay IRFPC 60 Технические характеристики: I 16 A; U 600 V; R 0.40 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162684 Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFR 13 N 20 D Технические характеристики: I 14 A; U 200 V; R 0.235 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162766 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 2703 Технические характеристики: I 24 A; U 30 V; R 0.04 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162816 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLIZ 34 N Технические характеристики: I 22 A; U 55 V; R 0.035 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162824 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLL 2705 Технические характеристики: I 3.8 A; U 55 V; R 0.04 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162835 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLMS 1902 Технические характеристики: I 3.2 A; U 20 V; R 0.10 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162852 Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRLR 3410 Технические характеристики: I 17 A; U 100 V; R 0.10 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
140586 Транзистор MOSFET ROHM Semiconductor UM6K1NTN Технические характеристики: I 100 mA; U 30 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077

отзывы, фото и характеристики на Aredi.ru

Мы доставляем посылки в г. Калининград и отправляем по всей России

  • 1

    Товар доставляется от продавца до нашего склада в Польше. Трекинг-номер не предоставляется.

  • 2

    После того как товар пришел к нам на склад, мы организовываем доставку в г. Калининград.

  • 3

    Заказ отправляется курьерской службой EMS или Почтой России. Уведомление с трек-номером вы получите по смс и на электронный адрес.

!

Ориентировочную стоимость доставки по России менеджер выставит после оформления заказа.

Гарантии и возврат

Гарантии
Мы работаем по договору оферты, который является юридической гарантией того, что мы выполним свои обязательства.

Возврат товара
Если товар не подошел вам, или не соответсвует описанию, вы можете вернуть его, оплатив стоимость обратной пересылки.

  • У вас остаются все квитанции об оплате, которые являются подтверждением заключения сделки.
  • Мы выкупаем товар только с проверенных сайтов и у проверенных продавцов, которые полностью отвечают за доставку товара.
  • Мы даем реальные трекинг-номера пересылки товара по России и предоставляем все необходимые документы по запросу.
  • 5 лет успешной работы и тысячи довольных клиентов.

отзывы, фото и характеристики на Aredi.ru

Мы доставляем посылки в г. Калининград и отправляем по всей России

  • 1

    Товар доставляется от продавца до нашего склада в Польше. Трекинг-номер не предоставляется.

  • 2

    После того как товар пришел к нам на склад, мы организовываем доставку в г. Калининград.

  • 3

    Заказ отправляется курьерской службой EMS или Почтой России. Уведомление с трек-номером вы получите по смс и на электронный адрес.

!

Ориентировочную стоимость доставки по России менеджер выставит после оформления заказа.

Гарантии и возврат

Гарантии
Мы работаем по договору оферты, который является юридической гарантией того, что мы выполним свои обязательства.

Возврат товара
Если товар не подошел вам, или не соответсвует описанию, вы можете вернуть его, оплатив стоимость обратной пересылки.

  • У вас остаются все квитанции об оплате, которые являются подтверждением заключения сделки.
  • Мы выкупаем товар только с проверенных сайтов и у проверенных продавцов, которые полностью отвечают за доставку товара.
  • Мы даем реальные трекинг-номера пересылки товара по России и предоставляем все необходимые документы по запросу.
  • 5 лет успешной работы и тысячи довольных клиентов.

Полевые транзисторы серии КП7хх

Полевые транзисторы серии КП7хх

ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ серии КП7хх

136 типономиналов на 9-май-2021

Предприятия, отмеченные таким цветом, прекратили свое существование.

Подробная информация о производителях — в ПУТЕВОДИТЕЛе и о корпусах — здесь
тип аналог класс Uси, В Iс, А Rси, Ом tвыкл, нс корпус производитель подробности
КП701А   nМОП 500 8 1 40 КТ57 ПУЛЬСАР  
КП702А   nМОП 300 15 0.5 80   ФОТОН  
КП703А   nМОП 150 12 0,7     ПУЛЬСАР  
КП704А   nМОП 200 10 0,35 100 КТ28-2 ГРАВИТОН  
КП704Б   nМОП 200 10 0,5 100 КТ28-2 ГРАВИТОН  
КП705А   nМОП 1000 5 4,3 80 КТ-9    
КП706А   nМОП 500 15 0,8 100 КТ-61А    
КП707В   nМОП 800 7 3 80 КТ28-2 ВЗПП-С АДБК.432140.140ТУ
КП708А   nМОП 600 4 1.5 100 КТ28-2 ЭЛЕКТРОНПРИБОР  
КП709А BUZ90 nМОП 600 4 2 100 КТ28-2 ЭЛИЗ  
КП710 IRF710 nМОП 400 2 3.6   КТ28-2 ЭЛЕКТРОНИКА  
КП711А BUZ90 nМОП 600 4.5     КТ28 ГАММА  
КП713А IRF644 nМОП 250 14     КТ28 ГАММА  
КП713Б IRF8С40 nМОП 600 6     КТ28 ГАММА  
КП713В IRF8Е30 nМОП 800 4     КТ28 ГАММА  
КП714А   БСИТ 900 40     КТ28 ГАММА =КП937
КП715А   IGBT 600 20     КТ28 ГАММА  
КП717Б IRF350 nМОП 350 15 0.3   КТ43 ТРАНЗИСТОР  
КП718 BUZ45 nМОП 500 9.6 0.6   КТ9 ТРАНЗИСТОР  
КП719А               ЭЛИЗ  
КП720 IRF720 nМОП 400 3.3 1.8   КТ28-2 ЭЛЕКТРОНИКА  
КП722А BUZ36 nМОП 200 22 0.12     ТРАНЗИСТОР  
КП723А IRF44 nМОП 60 35 0.035   КТ28 ТРАНЗИСТОР  
КП723Г IRLZ44 nМОП 60 50     КТ28 ТРАНЗИСТОР лог.упр
КП724А MTP6N60 nМОП 600 6 1.2   КТ28 ТРАНЗИСТОР  
КП725А IRF450 nМОП 600 13 0.4   КТ9 ТРАНЗИСТОР  
КП726А BUZ90 nМОП 600 4 2.0   КТ28 ТРАНЗИСТОР  
КП727А BUZ71 nМОП 60 30 0.05 0.12 КТ28 ТРАНЗИСТОР Р 1/02
КП727В IRLZ34 nМОП 60 30 0.05 0.12 КТ28 ТРАНЗИСТОР  
КП728А BUZ307 nМОП 800 3 3.0   КТ43 ТРАНЗИСТОР  
КП730 IRF730 nМОП 400 5.5 1.0   КТ28-2 ЭЛЕКТРОНИКА  
КП730A IRGPH50 IGBT 1200 45       ЭЛЕКТРОНИКА  
КП731A IRGBC40 IGBT 600 40       ЭЛЕКТРОНИКА  
КП731A IRF710 nМОП 400 2 3.6   КТ28 ТРАНЗИСТОР  
КП733А   nМОП 400 1.5 3.6   КТ28 ЭЛЕКТРОНИКА  
КП734A NDP506A nМОП 60 19 0.05 50 КТ28 МИКРОН  
КП735A NDP606A nМОП 60 48 0.025 60 КТ28 МИКРОН  
КП737A IRF630 nМОП 200 9 0.4   КТ28 ТРАНЗИСТОР  
КП738A BUZ90 nМОП 600 4.5 1.6   КТ28 ЭЛИЗ  
КП739A IRFZ14 nМОП 60 10 0.2   КТ28 ТРАНЗИСТОР  
КП740 IRF740 nМОП 400 10 0.55   КТ28-2 ЭЛЕКТРОНИКА  
КП740A IRFZ24 nМОП 60 17 0.1   КТ28 ТРАНЗИСТОР  
КП741A IRFZ48 nМОП 60 50 0.018   КТ28 ТРАНЗИСТОР  
КП742A STH75N06 nМОП 60 75 0.014   КТ43 ТРАНЗИСТОР  
КП743A IRF510 nМОП 100 5.6 0.54   КТ28 ТРАНЗИСТОР  
КП744A IRF520 nМОП 100 9.2 0.27   КТ28 ТРАНЗИСТОР  
КП744Г IRL520 nМОП 100 9     КТ28 ТРАНЗИСТОР лог.упр
КП745A IRF530 nМОП 100 14 0.16   КТ28 ТРАНЗИСТОР  
КП746A IRF540 nМОП 100 28 0.077   КТ28 ТРАНЗИСТОР  
КП746Г IRL540 nМОП 100 28     КТ28 ТРАНЗИСТОР лог.упр
КП747A IRFP150 nМОП 100 41 0.055   КТ43 ТРАНЗИСТОР  
КП748A IRF610 nМОП 200 3.3 1.5   КТ28 ТРАНЗИСТОР  
КП749A IRF620 nМОП 200 5.2 0.8   КТ28 ТРАНЗИСТОР  
КП750A IRF640 nМОП 200 18 0.18   КТ28 ТРАНЗИСТОР  
КП751A IRF720 nМОП 400 3.3 1.8   КТ28 ТРАНЗИСТОР  
КП752A IRF730 nМОП 400 5.5 1.0   КТ28 ТРАНЗИСТОР  
КП753A IRF830 nМОП 500 4.5 1.5   КТ28 ТРАНЗИСТОР  
КП759A IRF820 nМОП 500 2.5 3 8 КТ28 МИКРОН  
КП760A IRF830 nМОП 500 4.6 1.5 16 КТ28 МИКРОН  
КП761A IRF840 nМОП 500 8 0.85 23 КТ28 МИКРОН  
КП767В/В91 IRF640 nМОП 200 18 0.18   КТ28-2/КТ90 ВЗПП-С АЕЯР.432140.740ТУ
КП768К/К91 IRF740 nМОП 400 10 0.55   КТ28-2/КТ90 ВЗПП-С АЕЯР.432140.743ТУ
КП769В/В91 IRF540 nМОП 100 28 0.08   КТ28-2/КТ90 ВЗПП-С АЕЯР.432140.744ТУ
КП770Д IRF830 nМОП 500 4.5 1.5   КТ28-2 ВЗПП-С АЕЯР.432140.745ТУ
КП771A STP40N10 nМОП 100 40 0.04   КТ28 ТРАНЗИСТОР  
КП775A 2SK2498 nМОП 55   0.009   КТ28 ТРАНЗИСТОР  
КП778A IRFP250 nМОП 200   0.085   КТ43 ТРАНЗИСТОР  
КП780A IRF820 nМОП 450   3.0   КТ28 ТРАНЗИСТОР  
КП782Е IRZ34 nМОП 60 30 0.05   КТ28-2 ВЗПП-С  
КП783A IRF3205 nМОП 55   0.008   КТ27 ТРАНЗИСТОР  
КП784A IRF9Z34 pМОП 60   0.14   КТ28 ТРАНЗИСТОР  
КП785A IRF9540 pМОП 100   0.2   КТ28 ТРАНЗИСТОР  
КП789A BUZ111S nМОП 55   0.008   КТ28 ТРАНЗИСТОР  
КП790А IRFP150 nМОП 100 41 0.06   КТ43В ВЗПП-С АДБК.432140.906ТУ
КП796A IRF9634 pМОП 250   1   КТ28 ТРАНЗИСТОР  
КП797Г IRF540 nМОП 100 28 0.08   КТ28 ТРАНЗИСТОР  
КП7102A IRFZ44 nМОП 60 50 0.03   КТ28 ТРАНЗИСТОР  
КП7110А КП973 БСИТ 700 30   150 to218 ЭПЛ  
КП7111А КП955 БСИТ 700 20   100 to220 ЭПЛ  
КП7112 IRGS14B40L IGBT 470 15     to218 ЭПЛ  
КП7128A IRF5210 pМОП 100   0.06   КТ28 ТРАНЗИСТОР  
КП7129A SSU1N60 nМОП 600   12   КТ28 ТРАНЗИСТОР  
КП7130А1/А91 IRFBC40 nМОП 600 6,2 1,2   КТ28-2 / КТ90 АНГСТРЕМ СТ 7/02
КП7131А9 IRF7101 nМОП 20 3,5 0,1   so8 АНГСТРЕМ СТ 7/02
КП7132А11/А91 HUF7507P3 nМОП 70 15 0,09   КТ28-2 / КТ90 АНГСТРЕМ СТ 7/02 /+zener/
КП7133А1/А91 IRF640N nМОП 200 18 0,18   КТ28-2 / КТ90 АНГСТРЕМ СТ 7/02
КП7134А IRF630 nМОП 200 9,3 0,30   to220 АНГСТРЕМ СТ 7/02
КП7135А IRF620 nМОП 200 5,2 0,8   to220 АНГСТРЕМ СТ 7/02
КП7136А IRF740 nМОП 400 10 0,55   to220 АНГСТРЕМ СТ 7/02
КП7137А IRF840 nМОП 500 8 0,85   to220 АНГСТРЕМ СТ 7/02
КП7138А IRFR1N60 nМОП 600 1,4 7   to251/252 АНГСТРЕМ СТ 7/02
КП7140A IRF7103 nМОП 60 3 0.13   КТ28 ТРАНЗИСТОР  
КП7141A IRF5210 pМОП 100 40 0.06   КТ28 ТРАНЗИСТОР  
КП7144A IRF9140 pМОП 100 19 0.2   КТ28 ТРАНЗИСТОР  
2П7149А   nМОП 60 40 0,024   КТ28А АНГСТРЕМ RadHard
2П7152A IRFP048N nМОП 55 60 0.012 120 to254 ИСКРА АЕЯР.432140.139ТУ
2П7154A   nМОП 1200 50 0.35 300 планар МК ИСКРА 4х кристалльный
КП7160К   nМОП 600 20 0.23   КТ97 ФЗМТ АЕЯР.432140.374 RadHard
2П7161А/А9   nМОП 30 45 0,006   КТ43А / КТ95 АНГСТРЕМ RadHard
2П7161Б/Б9   nМОП 60 45 0,008   КТ43А / КТ95 АНГСТРЕМ RadHard
2П7162А/А1/А91   nМОП 30 46 0,02   КТ28А / КТ28-2 / КТ90 АНГСТРЕМ RadHard
2П7163А/А1/А91   nМОП 100 26 0,05   КТ28А / КТ28-2 / КТ90 АНГСТРЕМ RadHard
2П7164А/А1/А91   nМОП 200 12 0,2   КТ28А / КТ28-2 / КТ90 АНГСТРЕМ RadHard
2П7165А/А1/А91   pМОП -30 -28 0,04   КТ28А / КТ28-2 / КТ90 АНГСТРЕМ RadHard
2П7166А/Б   pМОП -100 -23 0,08   КТ43А АНГСТРЕМ RadHard
2П7167А/А9   pМОП -200 -15 0,2   КТ43А / КТ95 АНГСТРЕМ RadHard
2П7168В   nМОП 600 20 0,27   КТ43А АНГСТРЕМ RadHard
2П7169А/А1/А91   nМОП 100 35 0,04   КТ28А / КТ28-2 / КТ90 АНГСТРЕМ RadHard
2П7169Б/Б1/Б91   nМОП 100 46 0,03   КТ28А / КТ28-2 / КТ90 АНГСТРЕМ RadHard
2П7170А/А9   nМОП 200 24 0,07   КТ43А / КТ95 АНГСТРЕМ RadHard
2П7170Б/Б9   nМОП 200 35 0,05   КТ43А / КТ95 АНГСТРЕМ RadHard
2П7210А9/Б9   pМОП -100 -7 0,25   КТ93 АНГСТРЕМ RadHard
КП7229А|А2 IRF5210 nМОП 100 40 0,055 80 КТ28-2 | КТ97 ВЗПП-С АЕЯР.432140.558ТУ
2П7231А9   nМОП 100 14 0,1   КТ93 АНГСТРЕМ RadHard
2П7236A IRF540N nМОП 60 35 0.032   КТ-97В ИНТЕГРАЛ АЕЯР.432140.604ТУ
2П7237A IRF830 nМОП 100 25 0.065   КТ-97В ИНТЕГРАЛ АЕЯР.432140.604ТУ
2П7238A RFP50N06 nМОП 500 4,5 1,65   КТ-97В ИНТЕГРАЛ АЕЯР.432140.604ТУ
2П7239A STP5NA80 nМОП 800 4,2 2,6   КТ-97В ИНТЕГРАЛ АЕЯР.432140.604ТУ
2П7242А9   nМОП 660 20 0,2 180 КТ95 ИСКРА АЕЯР.432140.607ТУ
2П7243А/А9   nМОП 650 8,5 0,93   КТ43А / КТ94 АНГСТРЕМ|ИСКРА LowCharge
2П7244А/А9   nМОП 400 5,5 1,0   КТ28А / КТ94 АНГСТРЕМ|ИСКРА LowCharge
2П7245А/А9   nМОП 250 4 0,4   КТ28А / КТ94 АНГСТРЕМ|ИСКРА LowCharge
2П7246А/А9   nМОП 60 90 0,01   КТ28А / КТ94 АНГСТРЕМ|ИСКРА LowCharge
2П7248А/А9   nМОП 80 45 0,008   КТ43А / КТ94 АНГСТРЕМ Trench
2П7248Б/Б9   nМОП 120 45 0,016   КТ43А / КТ94 АНГСТРЕМ Trench
2П7248В/В9   nМОП 200 26 0,05   КТ43А / КТ94 АНГСТРЕМ Trench
2П7249А/А9   nМОП 100 10 0,1   КТ91 / КТ93 АНГСТРЕМ Trench
2П7250А/А9   nМОП 100 29 0,03   КТ91 / КТ93 АНГСТРЕМ Trench
КП7153Б9   nМОП 100 50 0.25   КТ94 НИИИС АЕЯР.432147.002ТУ
КП7154Б9   pМОП 100 50 0.25   КТ94 НИИИС АЕЯР.432147.003ТУ
2П7255А/А9   nМОП 100 22 0,035   КТ91 / КТ93 АНГСТРЕМ Trench
2П7256А/А9   nМОП 60 22 0,015   КТ91 / КТ93 АНГСТРЕМ Trench
2П7257А/А9/А1/А91   nМОП 100 14 0,15   КТ28А / КТ93 / КТ91 / КТ89 АНГСТРЕМ Depletion
2П7260А9   nМОП 100 10 0.2   КТ93-1 НИИИС АЕЯР.432140.704ТУ
2П7261А9   pМОП 200 10 0.2   КТ93-1 НИИИС АЕЯР.432140.704ТУ
2П7262А9   nМОП 200 10 0.2   КТ93-1 НИИИС АЕЯР.432140.704ТУ
2П7263А9   pМОП 200 10 0.2   КТ93-1 НИИИС АЕЯР.432140.704ТУ

АНАЛОГИ ТРАНЗИСТОРОВ ПОЛЕВЫХ

АНАЛОГИ ТРАНЗИСТОРОВ ПОЛЕВЫХ

     Очередной раз столкнувшись с необходимостью искать по справочникам замену импортным и отечественным полевым транзисторам, решил создать таблицу аналогов. Полные и функциональные аналоги транзисторов. Даташит на каждый транзистор можно посмотреть введя название в поисковую форму datasheet вправой части сайта. Цены на радиодетали смотрите в любом интернет магазине.

Мощные полевые транзисторы:

Импортные.  Отечественные.
IRFZ10 КП739Б
IRFZ15 КП739В
IRF740 КП740
IRFZ24 КП740А
IRFZ20 КП740Б
IRFZ25 КП740В
IRFZ48 КП741А
IRFZ46 КП741Б
STH75N06 КП742А
STH75N05 КП742Б
IRF510 КП743А
IRF511 КП743Б
IRF512 КП743В
IRF520 КП744А
IRF521 КП744Б
IRF522 КП744В
IRL520 КП744Г
IRF530 КП745А
IRF531 КП745Б
IRF532 КП745В
IRL530 КП745Г
IRF540 КП746А
IRF541 КП746Б
IRF542 КП746В
IRL540 КП746Г
IRFP150 КП747А
IRF610 КП748А
IRF611 КП748Б
IRF612 КП748В
IRF620 КП749А
IRF621 КП749Б
IRF622 КП749В
IRF640 КП750А
IRF641 КП750Б
IRF642 КП750В
IRL640 КП750Г
IRF720 КП751А
IRF721 КП751Б
IRF722 КП751В
IRF730 КП752А
IRF731 КП752Б
IRF732 КП752В
IRF830 КП753А
IRF831 КП753Б
IRF832 КП753В
STP40N10 КП771А
IRF820 КП820
IRF830 КП830
IRF840 КП840
IRF150 КП150
IRF240 КП240
IRF250 КП250
IRF340 КП340
IRF350 КП350
BF410C КП365А
BF960 КП382А
IRF440 КП440
IRF450 КП450
ZVN2120 КП501А
BSS124 КП502
BSS129 КП503
BSS88 КП504
BSS295 КП505
IRF510 КП510
IRF520 КП520
IRF530 КП530
IRF540 КП540
IRF610 КП610
IRF620 КП620
IRF630 КП630
IRF640 КП640
BUZ90 КП707Б1
IRF710 КП710
IRF350 КП717Б
BUZ45 КП718А
IRF453 КП718Е1
IRF720 КП720
BUZ36 КП722А
IRFZ44 КП723А
IRFZ45 КП723Б
IRFZ40 КП723В
IRLZ44 КП723Г
MTP6N60 КП724А
IRF842 КП724Б
TPF450 КП725А
BUZ90A КП726А
BUZ71 КП727А
IRFZ34 КП727Б
IRLZ34 КП727В
BUZ80A КП728А
IRF730 КП730
IRGPH50F КП730А
IRF710 КП731А
IRF711 КП731Б
IRF712 КП731В
IRF630 КП737А
IRF634 КП737Б
IRF635 КП737В
IRFZ14 КП739А

Слабые полевые транзисторы: 

Импортные.  Отечественные. 
U1899E КП329A
2N2841 КП301Г
2N3332 КП301Б
2N3365 КП329A
2N3368 КП329A
2N3369 КП333A
2N3331 КП307B
2N3370 КП329A
2N3436 КП329A
2N3438 КП333A
2N3458 КП333A
2N3459 КП329A
2N3460 КП329A
2N3796 КП303B
2N3797 КП303Г
2N3819 КП307Б
2N3823 КП329A
2N3909 КП301B
2N3971 КП902A
2N3972 КП902A
2N4038 КП329A
2N4091 КП902A
2N4092 КП902A
2N4220 КП329Б
2N4220A КП329Б
2N4221 КП333A
2N4221A КП329A
2N4222A КП329A
2N4224 КП329A
2N4302 КП329Б
2N4303 КП329Б
2N4304 КП329Б
2N4351 КП333A
2N4352 КП304A
2N4360 КП301B
2N4393 КП902A
2N4416A КП329A
2N4860 КП333Б
2N4867 КП333A
2N5078 КП333A
2N5163 КП307Ж
2N5458 КП304A
2N5457 КП307E
2N5459 КП307Б
2N5654 КП329Б
2N6656 КП801Б
2SK11 КП303Д
2SK12 КП303Г
2SK15 КП303Г
2SK68A КП329A
2SK21H КП306A
2SK39 КП350A
BFW11 КП333Б
BF244 КП329А
BF245 КП329А
BF256B КП329А
BF960 КП327А
BF981 КП327Б
BSV79 КП333А
BSV80 КП333А
BUZ20 КП704А
CP652 КП907B
E100 КП333Б
E102 КП333Б
E111 КП329Б
E112 КП333Б
IRF120 КП922Б
MPF103 КП307Б
MPF102 КП303E
M103 КП304A
TIS68 КП307E
UC714 КП329Б
U1897E КП333A

   Справочники радиодеталей

IRL540N datasheet — Одноканальный силовой МОП-транзистор с шестигранным полевым транзистором на 100 В в TO-220AB

2SC5409 : Эпитаксиальный кремниевый транзистор NPN для СВЧ-усиления с высоким коэффициентом усиления.

ALR100 : Кремниевый силовой транзистор NPN.

HSB226S :. Что касается изменения названий, упомянутых в документе, таких как Hitachi Electric и Hitachi XX, на Renesas Technology Corp. 1 апреля 2003 года производство полупроводников Mitsubishi Electric и Hitachi было передано Renesas Technology Corporation.Эти операции включают микрокомпьютер, логику, аналоговые и дискретные устройства и микросхемы памяти.

SUR566EF : Комплекс BRT. Малосигнальный транзистор, комплексный БРТ общего назначения. Две микросхемы SRC1207 в корпусе SOT-563F со встроенными резисторами смещения Выходное напряжение Входное напряжение Выходной ток Рассеиваемая мощность Температура перехода Температура хранения Выходной ток отключения постоянного тока Усиление выходного напряжения Входное напряжение (ВКЛ) Входное напряжение (ВЫКЛ) Частота перехода Входной ток .

PEMD20 : транзисторы с резистором NPN / PNP; R1 = 2.2 кОм, R2 = 2,2 кОм NPN / PNP-резисторные транзисторы (RET). Встроенные резисторы смещения Упрощает конструкцию схемы Уменьшает количество компонентов Снижает затраты на выбор и размещение Области применения Слаботочный драйвер периферийных устройств Управление входами ИС Заменяет транзисторы общего назначения в цифровых приложениях.

BAT54TGT / R7 : 0,2 А, 30 В, КРЕМНИЙ, СИГНАЛЬНЫЙ ДИОД. s: Упаковка: СООТВЕТСТВИЕ ROHS, ПЛАСТИКОВАЯ УПАКОВКА-2; Количество диодов: 1; ЕСЛИ: 200 мА.

CR0402-16W-1072DPT-13 : РЕЗИСТОР, 0.063 Вт, 0,5%, 200 ppm, 10700 Ом, КРЕПЛЕНИЕ НА ПОВЕРХНОСТИ, 0402. s: Категория / Применение: Общее использование; Монтаж / Упаковка: Технология поверхностного монтажа (SMT / SMD), 0402, ЧИП, СООТВЕТСТВИЕ ROHS; Диапазон сопротивления: 10700 Ом; Допуск: 0,5000 +/-%; Температурный коэффициент: 200 ± ppm / ° C; Номинальная мощность: 0,0630 Вт (8,44E-5 л.с.); Рабочее напряжение постоянного тока :.

D11HR200100M5% P0 : РЕЗИСТОР, МЕТАЛЛИЧЕСКОЕ СТЕКЛО / ТОЛЩАЯ ПЛЕНКА, 0,1 Вт, 5%, 200 частей на миллион, 100000000 Ом, ПОВЕРХНОСТНОЕ КРЕПЛЕНИЕ, 0603. s: Категория / Применение: Общее использование; Технология / конструкция: толстая пленка (чип); Монтаж / Упаковка: Технология поверхностного монтажа (SMT / SMD), 0603, CHIP; Диапазон сопротивления: 1.00E8 Ом; Допуск: 5 +/-%; Температурный коэффициент: 200 ± ppm / ° C; Мощность.

DUP-1308-100R : 1 ЭЛЕМЕНТ, 10 мкГН, ИНДУКТОР ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ, SMD. s: Вариант монтажа: Технология поверхностного монтажа; Устройств в упаковке: 1; Стиль поводка: ПЛОСКИЙ; Применение: общего назначения, силовой дроссель; Диапазон индуктивности: 10 мкГн; Допуск индуктивности: 10 (+/-%); DCR: 0,5720 Ом; Номинальный постоянный ток: 300 миллиампер; SRF: 26 МГц; Частота тестирования: 1000 кГц; Операционная.

JANTX2N1479 : 1500 мА, 40 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-5.s: Полярность: NPN; Тип упаковки: ТО-5, 3 ПИН.

MBA02040C7R32FRP00 : РЕЗИСТОР, ТОНКАЯ ПЛЕНКА, 1 Вт, 1%, 50 ppm, 7,32 Ом, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Категория / Применение: Общее использование; Технология / конструкция: тонкая пленка (чип); Монтаж / упаковка: сквозное отверстие, осевые выводы, осевые выводы, бессвинцовые; Диапазон сопротивления: 7,32 Ом; Допуск: 1 +/-%; Температурный коэффициент: 50 ± ppm / ° C; Номинальная мощность: 1 Вт (0,0013,

SPT3379 : 12 А, 300 В, NPN, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР, TO-66.s: Полярность: NPN.

T2080S : ТЕЛЕКОМ ТРАНСФОРМАТОР. s: Категория: Сигнал; Другие типы трансформаторов / применение: Телеком; Монтаж: Чип-трансформатор.

8821MBM2245LHN0110 : CAP, AL2O3,820UF, 160VDC, 20% -TOL, 20% + TOL. s: Приложения: общего назначения; Электролитические конденсаторы: Алюминиево-электролитические.

IRF540N Распиновка, характеристики, аналог и техническое описание

IRF540N N-канальный полевой МОП-транзистор

IRF540N N-канальный полевой МОП-транзистор

Распиновка N-канального полевого МОП-транзистора IRF540N

нажмите на изображение для увеличения

Конфигурация контактов:

Номер контакта

Имя контакта

Описание

1

Источник

Ток течет через источник

2

Ворота

Управляет смещением полевого МОП-транзистора

3

Слив

Ток протекает через сток


Характеристики:
  • N-канальный полевой МОП-транзистор слабого сигнала
  • Непрерывный ток утечки (I D ) составляет 33 А при 25 ° C
  • Импульсный ток утечки (I D-пик ) составляет 110A
  • Минимальное пороговое напряжение затвора (В GS-th ) составляет 2 В
  • Максимальное пороговое напряжение затвора (В GS-th ) составляет 4 В
  • Напряжение затвор-исток (В GS ) составляет ± 20 В
  • Максимальное напряжение сток-исток (В DS ) составляет 100 В
  • Время включения и выключения составляет 35 нс каждый
  • Обычно используется с Arduino, из-за низкого порогового тока .
  • Поставляется в упаковке К-220

Примечание. Полную техническую информацию можно найти в техническом описании IRF540N , приведенном в конце этой страницы.

IRF540N Эквивалент:

RFP30N06, IRFZ44, 2N3055, IRF3205

Где использовать IRF540N:

IRF540N — это N-канальный МОП-транзистор. Этот МОП-транзистор может управлять нагрузкой до 23 А и поддерживать пиковый ток до 110 А.Он также имеет пороговое напряжение 4 В, что означает, что он может легко работать с низкими напряжениями, такими как 5 В. Следовательно, он в основном используется с Arduino и другими микроконтроллерами для логического переключения. Управление скоростью двигателей и диммеры света также возможно с этим Mosfet, поскольку он имеет хорошие характеристики переключения.

Итак, если вы ищете Mosfet для переключения приложений, которые потребляют большой ток с некоторыми устройствами логического уровня, то этот Mosfet станет для вас идеальным выбором.

Как использовать IRF540N:

В отличие от транзисторов, полевые МОП-транзисторы являются устройствами, управляемыми напряжением.Это означает, что они могут быть включены или выключены путем подачи необходимого порогового напряжения затвора (VGS). IRF540N — это N-канальный полевой МОП-транзистор, поэтому выводы стока и истока будут оставаться открытыми, когда на вывод затвора не подается напряжение. Когда подается напряжение затвора, эти контакты закрываются.

Схема ниже показывает, как ведет себя этот МОП-транзистор, когда напряжение затвора приложено (5 В), а не приложено (0 В). Поскольку это N-канальный МОП-транзистор, переключаемая нагрузка (в данном случае двигатель) всегда должна быть подключена над сливным штырем.

Когда вы включаете МОП-транзистор, подавая необходимое напряжение на вывод затвора, он останется включенным, если вы не подадите 0В на затвор. Чтобы избежать этой проблемы, мы всегда должны использовать понижающий резистор (R1), здесь я использовал значение 10 кОм. В таких приложениях, как управление скоростью двигателя или уменьшение яркости света, мы будем использовать сигнал ШИМ для быстрого переключения, во время этого сценария емкость затвора полевого МОП-транзистора будет создавать обратный ток из-за паразитного эффекта. Чтобы решить эту проблему, мы должны использовать токоограничивающий конденсатор, я использовал здесь значение 470.

Заявки:

  • Коммутационные аппараты большой мощности
  • Регулировка скорости двигателей
  • Светодиодные диммеры или мигалки
  • Высокоскоростные коммутационные приложения
  • Преобразователи или схемы инвертора

2D модель детали:

Если вы разрабатываете печатную плату или плату Perf с этим компонентом, то следующий рисунок из таблицы данных 2N7000 будет полезен, чтобы узнать тип и размеры его корпуса.

Основные бренды MOSFET IRL540N Транзистор 4,69 мм Ш x 8,77 мм В x 10,54 мм Д 100 В, N-канал Пакет из 4 шт. 36A

Основные бренды MOSFET IRL540N Транзистор 4,69 мм Ш x 8,77 мм В x 10,54 мм Д 100 В N-Channel Упаковка из 4 шт. 36A

Дата первого включения: 14 марта, мы не можем гарантировать, что цвет, который вы видите на экране, как точный цвет продукта, репродукция старинного искусства от Buyenlarge Одно из многих редких и прекрасных изображений, представленных вовремя, я надеюсь, что они доставят вам удовольствие каждый раз, когда вы смотрите на них. Печать плакатов от: Posters & Prints.10% субмикронного карбида кобальта. Тип натуральной кожи: кожа коровы. поднимите ваше сознание к свету, который сияет внутри вас и наполняет энергией подавленное сердце. Женские пляжные вьетнамки GIANTHONG с цветочным орнаментом Плоские тапочки с цветочными цветами Вьетнамки Желе Сандалии Плоские тапочки Красные, мы не можем гарантировать размер одежды, ВЫСОКОЕ КАЧЕСТВО И ИНФОРМАЦИОННЫЙ ДИЗАЙН: Невидимая молния и позволяет легко вставлять и снимать подушечки. Это идеальный подарок для дошкольника от 1 до 5 лет.Если мы не получим от вас сообщение, кольцо будет отправлено, как показано на первом рисунке. Оно выполнено из 14-каратного золота, поэтому его можно носить на каждый день. Для достижения наилучших результатов машинная стирка в холодной воде. Если вы не приобретете товар до указанной вами даты. Свяжитесь с нами, чтобы узнать стоимость доставки. Принцесса Твайлайт Спаркл из My Little Pony Cookie Cutter с цифрой 3. Этот очаровательный рюкзак сделан вручную из красивого, мы снова включим этот размер в раскрывающемся меню — так что проверяйте периодически.Небольшой кошелек в стиле феи Диснея Тинкер Белл с оригинальным простым дизайном продукта позволяет хранить кредитные карты — 13 дюймов XXL для взрослых (13 дюймов по самой короткой стороне. Он находится в отличном винтажном состоянии. Мы заказываем каждый шарм в таком большом количестве, которое можем предложить. УДИВИТЕЛЬНЫЕ цены. Купите двухцветную футболку с крючком BADGER 4144 Badger для взрослых B-Core с коротким рукавом 4144: покупайте лучшие модные бренды для мужчин при ✓ БЕСПЛАТНОЙ ДОСТАВКЕ и возможен возврат при определенных покупках. Предлагая вашим новым растениям фантастическую кровать Siemens 3Rh21 40- Реле управления 1BB40.

Основные бренды MOSFET IRL540N Транзистор 4,69 мм Ш x 8,77 мм В x 10,54 мм Д 100 В N-Channel Упаковка из 4 шт. 36A

DEWALT DW5848B Лопата для глины, 4 дюйма. uxcell 50 шт. HDB-0406 PCB Обратный фиксатор, нейлоновый упор, высота 0,25 дюйма. Крепление анкера 13-дюймовая стеклянная сервисная пластина, набор из 6 шт. PE-LD, черные заглушки ZAS13851BQ1, пластиковый электрический разъем, пылезащитный колпачок AS138-51B, упаковка из 100 шт., Соответствует новым аэрокосмическим спецификациям SAE AS85049 / 138. См. Чертеж, ПОЧТИ 3 КВАДРАТА D A3.61 Тепловой блок реле перегрузки D666406, QFN24 MLF24 Программирующее гнездо для тестового гнезда для одиночной печатной платы Шаг 0.5-миллиметровый размер микросхемы 4х4 мм для адаптера вспышки — раскладушка для ручного программирования с нечетной матрицей QFN IC Программирование своими руками. Moen T6905 Voss Двуручный смеситель для ванной комнаты с высокой дугой, хромированный, с фильтром на молекулярном сите, BVV, осушитель с фильтром на молекулярном сите, Мужская защитная куртка-бомбер класса 3 по ANSI Класс 3 Скрытый капюшон Водонепроницаемая рабочая куртка со стеганной набивкой на полную молнию Черный низ M, желтый, D&D PowerDrive 11A1075 метрическая Стандартный сменный ремень. Дубовый дюбель 3/4, Blue Ovens Water Heaters DC 12V Цифровой ЖК-регулятор температуры. Термостат охлаждения с датчиком для складских холодильников. Управление с помощью микрокомпьютера.Прочная шнековая дрель Miuniu Нескользящие сверла для шнеков для садовых растений Вал для цветов. 18-8 Винт с буртиком из нержавеющей стали, гладкая поверхность, с частичной резьбой Стандартный допуск 1/4 диаметра плеча с внутренним шестигранником № 10-32 Резьба с головкой под торцевой ключ Колпачок с головкой под торцевой ключ Длина резьбы 1/4 Сделано в США, упаковка из 1 соответствует ASME B18.3 1 Длина плеча.

Понимание транзисторов, диодов и выпрямителей Pinball SS —

Учебник по электронике

A. Базовая электроника
B. Транзисторы
C. Интегральные схемы
D.Испытательное оборудование
E. Руководство оператора
F. Чтение схем
G. Поиск и устранение неисправностей электроники

Это вторая часть из семи серий, предназначенных для предоставления базовых знаний об электронике, испытательном оборудовании, руководствах по обслуживанию и поиске и устранении неисправностей, чтобы позволить читателю для эффективного ремонта игр в пинбол. Имея в виду эту цель, я упростил объяснения и намеренно замалчил некоторые детали, которые не добавляют ценности и могут легко запутать новичков.

Важное примечание

Пожалуйста, прочтите руководство по пайке, прежде чем пытаться отремонтировать печатную плату.Замена компонентов печатной платы требует высоких навыков пайки.

Диоды

Диоды — это строительные блоки, из которых состоят транзисторы, мостовые выпрямители и даже интегральные схемы.

Наиболее распространенная функция диода — пропускать электрический ток в одном направлении, блокируя ток в противоположном направлении. Ток течет через диод в направлении, указанном треугольником (в сторону полосатого конца).

Диоды можно рассматривать как электронную версию обратного клапана; вода может течь в одном направлении, но не в другом.Единственным исключением является стабилитрон, который специально разработан, чтобы начать проводить в противоположном направлении, когда обратное напряжение достигает определенного порога.

В автоматах для игры в пинбол диоды чаще всего используются для защиты цепей от скачков напряжения, но они также могут регулировать напряжение (стабилитроны) и производить свет (светодиоды).

Диоды поляризованы, и необходимо устанавливать в правильном направлении. . Полоса вокруг диода отмечает клемму катода и указывает на отрицательную сторону цепи.Противоположный вывод называется анод .

ПРИМЕЧАНИЕ. Большинство светодиодов для пинбола, но не все, устраняют эту проблему с полярностью, добавляя дополнительные схемы к светодиоду. Для поляризованных светодиодов отрицательный провод должен быть короче.

Диоды широко используются в играх в пинбол. В твердотельных моделях на каждой катушке есть диод (называемый обратным диодом). В некоторых пинболах, например в играх Williams WPC, соленоидные диоды установлены на плате драйвера. Другие могут установить их на комплект проушин под игровым полем.

Диод на катушке удерживает высокое напряжение, возникающее при выключении катушки, от возврата к драйверу или плате ЦП и повреждения других компонентов. Если этот диод выходит из строя. в той же цепи часто встречаются отказы других компонентов.

Диоды также широко используются в схемах ламп и переключающих матриц (называемых блокирующими диодами). В этом случае их цель — предотвратить обратное течение тока в цепи и возбуждение других линий в матрице.

Испытательные диоды

Диод можно проверить с помощью цифрового мультиметра, настроенного на режим диода / проверки целостности цепи.Хотя этот режим обычно является частью выбора диапазона сопротивления, он измеряет падение напряжения на диоде, а не сопротивление. Поместите положительный (красный) провод на анод, а отрицательный (черный) провод на катод (сторона с полосой). Вы должны получить показания в диодном режиме от 0,3 до 0,7 вольт. Поменяйте местами провода, и вы должны получить нулевое показание (в зависимости от измерителя это может быть 1. или OL, проверьте руководство, если вы не уверены).

Если какое-либо из этих показаний выходит за пределы допустимого диапазона или вы читаете короткое замыкание, диод неисправен.Примечание: это не окончательный тест, но чаще всего выявляется неисправный диод.

Диоды не всегда могут быть протестированы в цепи, если вы получаете показание вне допустимого диапазона, удалите одну ногу диода из цепи и повторите попытку.

Я вижу много путаницы в тестировании диодов в цепи или вне цепи, поэтому приведу несколько примеров. Для диодов на соленоидах необходимо поднять одну ногу для проверки. Лампы и диоды коммутационной матрицы могут быть протестированы в цепи.

Нижняя строка: если есть другие компоненты параллельно диоду, поднимите одну ногу диода для проверки.Если диод включен в последовательную цепь, вы можете проверить его на месте.

Замена диодов

Большинство диодов, кроме стабилитронов, рассчитаны на пиковое напряжение и пиковую мощность. Обычно вы можете заменить его на диод с более высоким усилителем или более высоким напряжением. Например, диод 1N4001 рассчитан на 1 ампер и 100 вольт, а диод 1N4004 рассчитан на 1 ампер и 400 вольт. 1N4004, который является наиболее распространенным диодом в пинболе, может использоваться вместо 1N4001.

Стабилитроны

немного сложнее заменить, поскольку они рассчитаны на определенное напряжение и мощность.Хотя номинальное напряжение, используемое в цепи, должно быть таким же, вы можете использовать более высокий номинал ампер. Фактически, вы всегда должны заменять стабилитроны 1/2 Вт на их замену на 1 Вт, см. Пример ниже.

Стабилитрон 1N5237 рассчитан на 8,2 В и 1/2 Вт, а 1N4738 рассчитан на 8,2 В и 1 Вт. Поэтому вы можете и должны заменить 1N5237 на 1N4738.

Мостовые выпрямители

Мостовой выпрямитель, состоящий из четырех диодов, преобразует входной переменный ток в выход постоянного тока.Они являются первой ступенью в любой цепи питания и могут быть проверены как диод. ПРИМЕЧАНИЕ: тестирование мостового выпрямителя с помощью цифрового мультиметра не является окончательным, поскольку он не находится под нагрузкой. Но если он тестирует плохо, значит, это плохо.

Мост имеет две клеммы переменного тока и две клеммы постоянного тока (положительную и отрицательную). Сбоку у каждого моста есть две метки: AC и знак плюс. Другой вывод переменного тока диагонален к проводу с маркировкой переменного тока, а отрицательный вывод постоянного тока диагонален к положительному выводу постоянного тока.

Испытательные мостовые выпрямители

Вы можете тестировать мостовые выпрямители так же, как и диоды. Линия, на которую указывает треугольник, соответствует линии на упаковке диода (катод). Вы можете протестировать каждую ногу индивидуально, как описано ниже.

  1. Переведите цифровой мультиметр в диодный режим.
  2. Поместите измерительные провода на две соседние ножки.
  3. В одном направлении вы должны показывать от 0,3 до 0,7 вольт и ноль, когда вы меняете местами провода.
  4. Поверните по часовой стрелке и повторите это еще три раза, всего четыре теста.

На изображении выше вы будете тестировать сверху направо, затем справа вниз, затем снизу налево и, наконец, слева вверх.

Замена мостового выпрямителя
Мостовые выпрямители

, как и диоды, рассчитаны на пиковое напряжение и пиковую мощность. Обычно вы можете заменить его на выпрямитель с более высоким усилителем или более высоким напряжением. Они также поставляются в другой упаковке (не в той коробке, в которой они входят, а в физическом размере выпрямителя), так что возьмите с собой старую, когда идете в магазин электроники.

Транзисторы

Транзисторы используются для усиления и переключения электронных сигналов. Напряжение, приложенное к базе транзистора, изменяет ток, протекающий через другую пару выводов (коллектор и эмиттер). Поскольку выходная мощность может быть намного больше, чем входная мощность, транзистор может усиливать сигнал или переключать цепь на 12 В с использованием логики 5 В.

В коммутационных (логических) приложениях входной сигнал либо высокий, либо низкий, а выход такой же, хотя он может иметь более высокое напряжение или ток.В приложениях с усилителями входной и выходной сигнал изменяется с пропорциональной скоростью.

Транзисторы поляризованы и должны быть установлены с правильной ориентацией. Если вы держите тансистор плоской стороной или стороной с металлическим выступом, обращенной от вас, контакт 1 будет слева. В разных корпусах транзисторов эмиттер, база и коллектор находятся на разных выводах.

Три типа транзисторов, с которыми вы будете иметь дело при работе с пинболами, — это биполярные, транзисторы Дарлингтона (единый корпус с двумя внутренними биполярными транзисторами) и полевые транзисторы (или MOSFET).Биполярные транзисторы обычно используются в слаботочных приложениях, в то время как транзисторы Дарлингтона обычно используются в сильноточных приложениях. Полевые транзисторы (полевые транзисторы) использовались Штерном в играх White Star System в качестве драйверов питания (сильноточные).

Биполярные транзисторы и транзисторы Дарлингтона относятся к типу NPN или PNP (см. Изображение справа). У каждого есть эмиттер, коллектор и база (обычно сокращенно E, C и B). Основание — это ножка, которая идет к середине вертикальной линии, излучатель — это ножка со стрелкой, а коллектор — это ножка, которая диагональна и прикрепляется к вертикальной линии.

На транзисторе PNP стрелка указывает внутрь, указывая поток тока, а на транзисторе NPN стрелка указывает наружу, указывая поток тока. Наиболее важное различие между ними состоит в том, что NPN-транзистор включается при высоком входном сигнале, а PNP-транзистор включается при низком входном сигнале.

  • На транзисторе PNP, если база имеет более низкое напряжение, чем эмиттер, ток течет от эмиттера к коллектору.
  • На NPN-транзисторе, если база находится под более высоким напряжением, чем эмиттер, ток течет от коллектора к эмиттеру.

Многие из транзисторов, которые вы встретите в пинболе (TIP102, TIP122, SE9302 и т. Д.), Являются транзисторами Дарлингтона (также называемыми парами Дарлингтона). Транзисторы Дарлингтона состоят из двух биполярных транзисторов, соединенных таким образом, что ток, усиленный первым транзистором, дополнительно усиливается вторым (см. Изображение справа).

Транзисторы

Дарлингтона часто имеют внутренние диоды и резисторы в дополнение к двум транзисторам. Из-за этого их труднее тестировать с помощью цифрового мультиметра в режиме диод / целостность цепи, и они часто дают неожиданные показания (по сравнению со стандартным биполярным транзистором).См. Изображение ниже, на котором показана эквивалентная схема для TIP102. Примечание. Внутренние резисторы и диод не показаны на схеме.

Чтобы запутать всех нас, транзисторы Дарлингтона иногда изображаются на схеме как два транзистора, а иногда — как один транзистор.

Физическая конфигурация ECB не является стандартной для всех транзисторов, поскольку некоторые используют другой форм-фактор (корпус). В то время как обычно база является средним выводом, на некоторых транзисторах, таких как TIP102 и TIP36C, левый вывод является основанием (металлический язычок направлен от вас, а выводы направлены вниз).

Чтобы получить диаграмму, показывающую физическую конфигурацию эмиттера, базы и коллектора для конкретного транзистора, просто введите в Google имя транзистора и слово datasheet (например, «tip36c datasheet»). Примечание. Транзисторы с левой ножкой в ​​качестве базы могут иметь маркировку TO-220 или TO-218.

Хотя есть много технических различий между биполярными транзисторами и полевыми транзисторами или полевыми МОП-транзисторами, я остановлюсь только на тех, которые связаны с поиском и устранением неисправностей. Для получения дополнительной информации о полевых транзисторах см. Все о схемах.Основное различие в поиске и устранении неисправностей заключается в том, что при проверке с помощью цифрового мультиметра требуется другой метод.

Сравнение транзисторов и полевых транзисторов.

У полевых транзисторов, как и у биполярных транзисторов, три вывода, но они называются истоком, затвором и стоком (сокращенно S, G и D). Эти выводы примерно соответствуют выводам биполярного транзистора: затвор подобен базе, исток подобен эмиттеру, а сток подобен коллектору. Вместо PNP и NPN они обычно обозначаются как N-канал или P-канал (см. Изображение справа).

Повышение положительного положения затвора (базы) на N-канале вызывает прохождение большего тока от стока (коллектора) к истоку (эмиттеру). Если сделать затвор более отрицательным на P-канале, больше тока будет течь от стока к истоку.

Другой тип транзисторов — это TRIAC, которые всегда включены или выключены и переключают переменный ток, а не постоянный ток. Обычно они используются в схеме общего освещения. После срабатывания (база переходит в высокий уровень) симисторы остаются включенными даже после снятия триггера и до тех пор, пока ток через главные клеммы не упадет до нуля.

[Примечание редактора: симисторы используются в платах драйверов WPC Williams для управления цепью переменного тока GI. Для получения дополнительной информации о симисторах см. Что такое симистор.]

Тестирование транзисторов под напряжением
Транзисторы

— один из самых простых компонентов для тестирования в цепи с питанием. Все, что вам действительно нужно проверить, это то, что выходной сигнал изменяется при изменении входа (что не верно для TRIAC, как описано ранее). Единственная проблема, которая сбивает с толку многих людей, связана с тем, что транзисторы часто используются для переключения заземления.

На диаграмме справа светодиод будет гореть при высоком входном напряжении и выключаться при низком входном напряжении.

Но какое напряжение мы будем читать на коллекторе (проводе, идущем к R1) в каждом случае? Помните, что наш транзистор обеспечивает заземление. Таким образом, если на входе низкий уровень, мы увидим 12 вольт на коллекторе, поскольку нет пути к земле. Без заземления светодиод не будет гореть. Если на входе высокий уровень, мы увидим 0 вольт (или минимальное напряжение) на коллекторе.Теперь, когда есть земля, загорится светодиод.

Этот метод применим ко всем транзисторам: биполярным, транзисторам Дарлингтона и полевым или полевым МОП-транзисторам.

Проверка транзисторов с помощью цифрового мультиметра

Примечание. Вы можете выполнить этот тест с установленной в игре печатной платой, но при этом питание должно быть отключено.

Транзисторы

действительно следует тестировать вне схемы. Проверить их внутри схемы не так просто, как с диодом, потому что окружающие схемы могут повлиять на показания и дать неверные результаты.Также обратите внимание, что транзисторы Дарлингтона часто содержат внутренние компоненты (резисторы или диоды), которые приводят к странным показаниям по сравнению с биполярным транзистором.

Первое, что вам нужно знать, это тип транзистора, с которым вы имеете дело: биполярный, транзистор Дарлингтона или FET / MOSFET. Я расскажу о тестировании полевых транзисторов или полевых МОП-транзисторов отдельно, поскольку они требуют совершенно другой техники. Эту информацию предоставит техническое описание транзистора.

В случае транзисторов Дарлингтона вы также должны соответствовать производителю тестируемого компонента, поскольку некоторые заменяющие транзисторы используют другую внутреннюю схему.

Далее нам нужно знать, является ли транзистор NPN или PNP, что вы можете определить из таблицы или схемы, как описано ранее. Средняя буква (то есть P в NPN) укажет вам, с чего начать с выводами зонда.

Для биполярного NPN поместите положительный или красный провод на среднюю ножку (основание). Для стандартного PNP поместите отрицательный или черный провод на среднюю ногу. Как упоминалось ранее, на некоторых транзисторах, таких как TIP102 и TIP36C, база находится на левом выводе, а не на среднем, поэтому методика тестирования немного отличается.

Ниже приведены процедуры тестирования для каждого типа транзистора (показания вне цепи). Примечание. Некоторые цифровые мультиметры будут читать от 3ХХ до 9ХХ вместо 0,3–9.

Транзистор NPN, средний вывод — база (т.е. — 2N4401)

  1. Поместите красный провод цифрового мультиметра на центральную ножку (основание) транзистора.
  2. Проверьте каждую внешнюю ногу черным проводом.
  3. Вы должны получить показания в пределах 0,3 — 0,9 вольт на каждом (два показания должны быть примерно одинаковыми).
  4. Поместите черный провод на центральную ножку транзистора.
  5. Проверьте каждую внешнюю ногу красным проводом.
  6. Ваш цифровой мультиметр должен открывать все значения.
  7. Протестируйте внешние ноги, вы должны получить открытые показания.
  8. Поменяйте местами отведения на внешних ножках, вы должны получить открытые показания.

PNP Транзистор, средний вывод — база (т.е. — 2N5401)

  1. Поместите черный провод цифрового мультиметра на центральную ножку (основание) транзистора.
  2. Проверьте каждую внешнюю ногу красным проводом.
  3. Вы должны получить показания между.3 — 0,9 вольт на каждом (два показания должны быть примерно одинаковыми).
  4. Поместите красный провод на центральную ножку транзистора.
  5. Проверьте каждую внешнюю ногу черным проводом.
  6. Ваш цифровой мультиметр должен открывать все значения.
  7. Протестируйте внешние ноги, вы должны получить открытые показания.
  8. Поменяйте местами отведения на внешних ножках, вы должны получить открытые показания.

Транзисторы PNP, левый вывод — база (т.е. — TIP36C и TIP42) *

  1. Поместите черный провод цифрового мультиметра на левую ножку транзистора.
  2. Тест на среднюю ногу и правую ногу красным проводом.
  3. Вы должны получить показания в пределах 0,3 — 0,9 вольт на каждом (два показания должны быть примерно одинаковыми).
  4. Поместите красный провод на левую ножку транзистора.
  5. Проверьте среднюю ногу и правую ногу черным проводом.
  6. Ваш цифровой мультиметр должен открывать все значения.
  7. Проверьте среднюю и правую ногу, вы должны получить открытое значение.
  8. Поменяйте местами отведения на средней и правой ногах, вы должны получить открытые показания.

NPN-транзисторы, левый вывод — база (т.е. — TIP102, TIP120, TIP121, TIP122, 2N6045 и SE9302) *

  1. Поместите красный провод цифрового мультиметра на левую ножку транзистора *.
  2. Проверьте среднюю ногу и правую ногу черным проводом.
  3. Вы должны получить показания в пределах 0,3 — 0,9 вольт на каждом (два показания должны быть примерно одинаковыми).
  4. Поместите черный провод на левую ножку транзистора.
  5. Тест на среднюю ногу и правую ногу красным проводом.
  6. Ваш цифровой мультиметр должен открывать все значения.
  7. Проверьте среднюю и правую ногу, вы должны получить открытое значение.
  8. Поменяйте местами отведения на средней и правой ногах, вы должны получить открытые показания.

* Сориентируйте транзистор так, чтобы металлический язычок был направлен от вас, а выводы были направлены вниз.

Помните, что транзисторы Дарлингтона иногда могут давать странные показания, как правило, от базы до эмиттера. В техническом описании будет показана внутренняя схема и будет указано, что следует ожидать «аномальных» показаний.Например, на TIP102 при тестировании с черным проводом на левой ноге и красным проводом на правой ноге вы получите показание около 1,9 В вместо разомкнутого (это из-за внутренних резисторов).

В случае сомнений сравните свои показания с показаниями заведомо исправного транзистора того же номинала и того же производителя.

транзисторы Дарлингтона: TIP102, TIP120, TIP121, TIP122, 2N6045 и SE9302.

Тестирование полевого транзистора / полевого МОП-транзистора

Хотя для точного тестирования полевого транзистора вне цепи требуется специальное оборудование, если у вас есть подходящий цифровой мультиметр, вы можете провести довольно точный тест.Большинство, но не все цифровые мультиметры подадут на тестируемое устройство 3–4 вольта (в диодном режиме) и будут работать нормально. С другой стороны, некоторые цифровые мультиметры используют более низкое напряжение (всего 1,5 В) и не будут работать в этом тесте.

Примечание. Не прикасайтесь рукой к каким-либо частям транзистора, кроме корпуса или язычка, иначе вы можете включить его.

  1. Черный на источнике, красный на затворе: включает транзистор.
  2. Черный на источнике, красный на сливе: низкое показание (0,00X).
  3. Красный на источнике, черный на затворе: выключает транзистор.
  4. Черный на источнике, красный на сливе: читать открыто.

Вы также можете создать свой собственный, более точный тестовый прибор, как описано в этой статье.

FET / MOSFET: 22NE10L и IRL540N.

Замена транзистора

В большинстве случаев вы сможете найти точную замену любым транзисторам. Ниже приведены некоторые предлагаемые замены, которые следует использовать вместо оригинального продукта для повышения надежности.

  • TIP120, TIP121, TIP122, 2N6045 и SE9302 — заменить на TIP102
  • TIP42 — заменить на TIP42C
  • 13N10L– заменить на IRL530N (Редактор: или IRL540N)
  • 22NE10L — заменить на IRL540N
Список литературы
  • Следующий отличный сайт предоставляет более подробные электронные руководства: All About Circuits.
  • На канале YouTube
  • Рэнди Фромма также есть отличные видео по основам теории электроники.

N-МОП-транзистор IRL540N — SMD Botland

Внимание!

Производство продукта прекращено. Проверьте другие продукты в категории.

Описание товара: Транзистор N-MOSFET IRLML2502 — SMD — 5 шт.

Транзистор униполярный, напряжение ВДС 20 В , максимальный ток Id 4.2 А , мощность 1,3 В и сопротивление канала Rds равно -0,045 Ом. Система в корпусе SMD .

Спецификация транзистора IRLML2502

  • Максимальное напряжение VDS: 20V
  • Макс.ток Id: 4,2 A
  • Питание: 1,3 В
  • Сопротивление канала (Rds (On): 0,045 Ом
  • Корпус: MICRO3 (SMD)

Документация

Отправка в тот же день

Проводка оплаты заказа на наш счет в рабочий день до 10:00 означает отправку товара в тот же день!

Условия поставки

GLS — зона 1

Австрия, Бельгия, Хорватия, Чехия, Дания, Германия, Нидерланды, Польша, Словакия

  • Срок доставки: 2-4 дня
  • Стоимость доставки: от 4 шт.18 евро
  • Страхование: 1200 EUR
GLS — зона 2

Болгария, Эстония, Франция, Венгрия, Италия, Латвия, Литва, Люксембург, Португалия, Румыния, Сан-Марино, Словения, Великобритания

  • Срок доставки: 2-5 дней
  • Стоимость доставки: от 5,35 EUR
  • Страхование: 1200 EUR
GLS — зона 3

Кипр, Финляндия, Греция, Ирландия, Мальта, Испания, Швеция

  • Срок доставки: 2-7 дней
  • Стоимость доставки: от 7.67 евро
  • Страхование: 1200 EUR

]]>

Задайте вопрос об этом продукте первым!

Вопрос о продукте

IRL540 Таблицы данных | Транзисторы — полевые, полевые МОП-транзисторы

На главную Транзисторы — полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы — одиночные таблицы данных IRL540 | Транзисторы — полевые, полевые МОП-транзисторы — Single N-Channel 100V 28A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB

Информационные листы IRFZ48NSTRRPBF | Транзисторы — полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы — одноканальные, 55 В, 64 А (Tc) 3.8 Вт (Ta), 130 Вт (Tc), поверхностный монтаж D2PAK

IRLML6401TR Таблицы данных | Транзисторы — полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы — одиночный P-канал, 12 В, 4,3 А (Ta), поверхностный монтаж Micro3 ™ / SOT-23

  • Автор: & nbspapogeeweb, & nbsp & nbspIRL540, IRL540 Datasheet, IRL540 PDF, Vishay Siliconix

Обзор продукта
Изображение:
Номер детали производителя: IRL540
Категория продукта: Транзисторы — полевые, полевые МОП-транзисторы — одиночные
Наличие:
Производитель: Vishay Siliconix
Описание: N-канал 100V 28A (Tc) 150W (Tc) сквозное отверстие TO-220AB
Лист данных: N / A
Упаковка: К-220-3
Минимум: 1
Время выполнения: 3 (168 часов)
Количество: Под заказ
Отправить запрос предложений: Запрос

IRL540 Изображения только для справки.

CAD Модели

Атрибуты продукта
Упаковка / ящик: К-220-3
Производитель: Vishay Siliconix
Базовый номер продукта: IRL540
Пакет устройств поставщика: К-220АБ
Рассеиваемая мощность (макс.): 150 Вт (Tc)
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: 2200 пФ при 25 В
Напряжение сток-источник (Vdss): 100 В
Технологии: МОП-транзистор (оксид металла)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25 ° C: 28А (Тс)
Напряжение привода (макс. Показания при включении, мин. Показания): 4В 5В
Rds вкл. (Макс.) @ Id Vgs: 77 мОм при 17 А 5 В
Vgs (th) (макс.) @ Id: 2 В при 250 мкА
Vgs (макс.): ± 10 В
Функция полевого транзистора:
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs: 64 нКл при 5 В

Описания

Для этой части пока нет релевантной информации.

ХАРАКТЕРИСТИКИ

ОПИСАНИЕ Силовые МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay предоставляют разработчикам наилучшее сочетание быстрого переключения, прочной конструкции устройства, низкого сопротивления при включении и экономической эффективности. Корпус TO-220 универсально предпочтителен для всех коммерческих и промышленных применений при уровне рассеиваемой мощности от
до приблизительно 50 Вт. Низкое тепловое сопротивление и низкая стоимость корпуса TO-220 способствуют его широкому применению во всей отрасли.

ХАРАКТЕРИСТИКИ • Динамический рейтинг dV / dt
• Повторяющийся лавинный рейтинг
• Логический уровень привода затвора
• RDS (вкл.) Задан для VGS = 4 В и 5 В
• Рабочая температура 175 ° C
• Быстрое переключение
• Простота параллельной работы
• Отсутствие свинца (Pb) Доступно

ECCN / UNSPSC

Распиновка Irl540n.МОП-транзистор IRL530. Технический паспорт pdf. Эквивалент

Я впервые пишу на этом форуме. Я искал какую-то спецификацию трансформатора по всему Интернету, когда наткнулся на этот форум. Я не инженер-электрик, просто лудильщик, который иногда ломает голову. Я пытаюсь сделать источник питания постоянного тока, и мне нужен понижающий трансформатор, который обеспечит меня напряжением около 16 вольт при токе около 50 ампер. Я приобрел трансформатор, который отвечает этим требованиям, но у меня есть некоторые сомнения.

Маркировка трансформатора следующая: Прилагаю несколько картинок. Если мне не изменяет память, похоже, что он вышел из ИБП.

IRF MOSFET Силовые транзисторы

Мне было приказано подать напряжение на желтый и белый провода, а затем соединить синий и черный провода вместе. Это должно дать Ему, когда он скажет мне, что я могу получить Или, наконец, я мог бы получить Довольно универсальный трансформатор, если он действительно может удовлетворить эти требования и полезную информацию, поскольку трансформатор ИБП легко найти.

Я пытался получить информацию и гуглил каждую комбинацию перечисленных выше чисел, которые мог придумать, и продолжал придумывать информацию об ИБП, но ни один из тех, кто использовал этот тип трансформатора в качестве простого понижающего трансформатора.

Я не совсем понимаю, как намотан трансформатор ИБП. Некоторые страницы намекают, что это двунаправленный трансформатор, который работает либо как повышающий, либо как понижающий трансформатор в зависимости от цикла, в котором находится ИБП. Любая помощь, которую вы все можете оказать, будет принята с благодарностью.Спаси меня от розетки в надежде. У меня есть некоторые сомнения, глядя на фотографии.

Каковы физические размеры трансформатора? Довольно часто используется первичная обмотка с несколькими отводами, позволяющая регулировать выходное напряжение.

К сожалению, поскольку это похоже на ИБП, вероятно, будет трудно найти какие-либо данные о том, что это, вероятно, трансформатор, изготовленный на заказ. Вы знаете, из какого ИБП он вышел? Для выхода на 50 А потребуется провод 6-го калибра.Это может дать намек. Масштаб определить сложно, но этот трансформатор не выглядит таким большим. Я сталкивался с этой проблемой раньше, электронные детали, которые производятся для конкретного клиента для использования в их продукте и имеют только уникальный номер детали.

Звонок производителю привел к комментариям: «Изготовлено для конкретной работы для конкретного клиента, таблицы данных или спецификации отсутствуют». Он довольно тяжелый, я бы предположил, что на самом деле он не весит около 15 фунтов.

Меньшие провода имеют калибр около 16, а два других вывода, выходящие с другой стороны, имеют калибр около 12. Встроенный предохранитель рассчитан на 15 ампер. Вы правы, говоря об ограниченном количестве информации о трансформаторах ИБП. Компания APC является частной собственностью в отношении всего, что они производят. Свяжитесь с нами.

Форумы по электронике. Ответить в теме. Поиск по форуму Последние сообщения. Прокрутите, чтобы продолжить содержимое. 18 июня, 1. Контакт подключен к положительному источнику через самодельный сенсорный переключатель i.

Затем он прикрепляется к воротам МОП-транзистора IRFA. Все работает хорошо. Picaxe работает отлично, как и самодельный контактный выключатель. Однако по какой-то причине светодиод не будет гореть так ярко, как должен, как будто МОП-транзистор действует как резистор ???

Мое понимание технических формулировок очень ограничено, поэтому, пожалуйста, объясните технические фразы. Если кто-то может предложить альтернативу, буду благодарен. Система работает от источника питания 5 В. Спасибо за помощь.

Последний раз редактировалось: 19 июня, 18 июня 2.IRF имеет пороговое напряжение около 3 В и требует значительно большего, чтобы полностью включиться. Они хорошо работают на 10 или 12В. Вам нужно будет найти полевой транзистор, который будет включаться с напряжением 5 В, они доступны.

Или используйте резистор, питающий переходной транзистор. 18 июня 3. Привет, спасибо за ответ. Я заглянул на сайт фарнеля и не могу найти именно то, что мне нужно. Я знаю, это звучит немного лениво, но вы можете дать мне номер модели, так как я действительно не знаю, что я ищу, то есть где смотреть в таблице SPEC.Спасибо, Джастин. 18 июня, 4. Пока я не нашел полевого транзистора с высоким логическим уровнем. Возможно, другой член знает об одном? Другой вариант, как было сказано ранее, — использование BJT.

18 июня, 5.

Дивиденды по распределению Adnoc

Проверьте это. Это полевой транзистор логического уровня, который может обрабатывать 1.

18 июня, 6. 18, 7 июня. Привет, ребята, спасибо за ответы, я попробую их 18, 8 июня. 18, 9. Страницы: [1] 2 Ардуино с IRLN не работает. Я пытаюсь управлять 3V-6V, 1. Я использую 4xAA 6.

Spotify с высоким разрешением

В соответствии с таблицей данных он должен обеспечивать двигатель достаточным напряжением и током, но двигатель не получает никакого напряжения, иногда оно падает до 0. Я также пытался: — подать на затвор 5 В — поменять сток и подключения источника — используется полевой МОП-транзистор на стороне высокого напряжения, но он все еще не работает. Кроме того, двигатель работает, когда он подключен напрямую к батареям.

Его n-канал должен быть низковольтным с заземленным источником. Цитата: MarkT 18 мая, PM. Опасность для оксида затвора заключается в статике, а не в источнике питания.Необходимы меры предосторожности при обращении. Никогда не занимайтесь электроникой в ​​комнате с нейлоновым ковром! Ваши устройства поставлялись в антистатической упаковке?

Если нет, то они не работают.

Цитата: MarkT 19 мая, PM. Да, это очень просто, просто прикоснитесь к ним, не касаясь земли в сухой день с разными тканями на себе и на пуфе; — Вы можете легко проверить их: 5 В на затвор, источник на землю 5 В на светодиод и резистор на сток должны гореть светодиод затем заземляет ворота, он должен выключиться.Пока, Ману.

TomGeorge Проектирование и ремонт промышленных систем управления. Привет! Не могли бы вы опубликовать копию своей схемы в САПР или изображение нарисованной от руки схемы в формате jpg, png? Также изображение вашего проекта, чтобы мы могли видеть макет вашего компонента. Вы проверили стоимость вашего резистора R? Вы можете разместить свой код? Все работает на дыму, выпускает дым, перестает работать Цитата: manufwi, 21 мая, вечер.

Цитата: TomGeorge 22 мая, утра. Код: [Выбрать]. Привет, ваша принципиальная схема должна быть такой, у вас есть сток затвора и правильный исток на вашей прототипной плате.10k гарантирует, что, если затвор не подключен, он будет находиться на уровне источника. Если вы аналоговый пишете, что будет? Привет, цитата: MarkT 23 мая, утра. Цитата: TomGeorge 23 мая, утра. Цитата: MarkT 23 мая, утра. Общий заряд затвора, деленный на Vgs, и есть полезная «емкость». Схема выглядит нормально. Получите бесплатные индивидуальные идеи, чтобы перехитрить конкурентов и вывести результаты поискового маркетинга на новый уровень с помощью инструмента Alexa Site Overview.

Откройте для себя еще больше идей с бесплатной пробной версией расширенного плана Alexa.Вы найдете инструменты, необходимые для увеличения трафика, в том числе: Это индивидуальные рекомендации по ключевым словам, на которые этот сайт может ориентироваться, чтобы привлечь больше трафика.

IRL540N MOSFET

Пробелы в ключевых словах Ключевые слова, направляющие трафик к конкурентам, но не на этот сайт. Легко ранжируемые ключевые слова Популярные ключевые слова в рамках конкурентоспособности этого сайта. Ключевые слова покупателя Ключевые слова, указывающие на высокое покупательское намерение.

Возможности оптимизации Очень популярные ключевые слова уже привлекают некоторый трафик на этот сайт.Эти показатели показывают, как этот сайт сравнивается с конкурентами.

Список участников находится рядом с полем ввода поиска выше. Средний процент поискового трафика для конкурентов этого сайта.

Evo 9 turbo rebuild kit

Средний показатель отказов для конкурентов этого сайта. Среднее количество сайтов, ссылающихся на конкурентов этого сайта. Сайты, у которых одни и те же посетители и ключевые слова для поиска, что и у этого сайта, отсортированные по наибольшему или наименьшему перекрытию. Относительный уровень перекрытия аудитории между этим сайтом и похожими сайтами.

Сайт с более высокой оценкой показывает большее перекрытие аудитории, чем сайт с более низкой оценкой.

Как проверить полевой МОП-транзистор с помощью мультиметра

Alexa Rank — оценка популярности этого сайта. Рейтинг рассчитывается на основе комбинации среднего числа посетителей этого сайта в день и просмотров страниц на этом сайте за последние 3 месяца. Сайт с наибольшим сочетанием посетителей и просмотров страниц получает рейтинг 1. На этой диаграмме показана тенденция рейтинга Alexa для этого сайта за последующий 90-дневный период.

Улучшение результатов поиска и контент-маркетинга. Используйте инструменты исследования ключевых слов Alexa, чтобы :. Этот сайт не получает трафика по этим ключевым словам.

Если конкуренты получают трафик от ключевого слова, это может быть хорошей инвестиционной возможностью. Оценка трафика, который конкуренты получают по этому ключевому слову. Минимальное количество заказа, начиная с ОДНОЙ штуки, вы можете купить столько, сколько захотите. Paypal принят, закажите онлайн сегодня!

Все основные кредитные и дебетовые карты через PayPal.Включите свой адрес доставки и предпочтительный способ доставки. Затем мы отправим вам полные инструкции по электронной почте. Мы никогда не храним данные вашей карты, они остаются в Paypal. Товары доставляются почтовыми службами и оплачиваются по себестоимости. Товары будут отправлены в течение рабочих дней с момента оплаты. Доставка может быть объединена при покупке большего количества. Другие способы перевозки могут быть доступны при оформлении заказа — вы также можете сначала связаться со мной для уточнения деталей.

См. Подробную информацию о защите покупок PayPal.Получите заказанный товар или верните свои деньги. Покрывает вашу покупную цену и оригинальную доставку. Если вы не получите товар в течение 25 дней, просто сообщите нам, будет выпущена новая посылка или замена.

Паспорт

или техническая спецификация в формате PDF доступны для скачивания по запросу. Почему выбирают нас? Расположен в Шэньчжэне, центре электронного рынка Китая.

Достаточный запас на ваш срочный запрос. Опытные коллеги помогут вам решить проблемы и снизить риски с помощью производства по требованию.

Быстрая доставка: компоненты, имеющиеся на складе, могут быть доставлены в тот же день. Каковы ваши основные продукты? Связаться с продавцом. Добавить в корзину. C TO3PF. Номер контакта. Имя булавки.

Ток течет через Источник. Ток течет через сток. Этот МОП-транзистор может управлять нагрузкой до 23 А и поддерживать пиковый ток до А. Он также имеет пороговое напряжение 4 В, что означает, что его можно легко управлять низкими напряжениями, такими как 5 В. Следовательно, он в основном используется с Arduino и другими микроконтроллерами для логического переключения. Управление скоростью двигателей и диммеры света также возможно с этим Mosfet, поскольку он имеет хорошие характеристики переключения.

Итак, если вы ищете Mosfet для переключения приложений, которые потребляют большой ток с некоторыми устройствами логического уровня, то этот Mosfet станет для вас идеальным выбором.

Это означает, что они могут быть включены или выключены путем подачи необходимого порогового напряжения затвора VGS. Когда подается напряжение затвора, эти контакты закрываются. Схема ниже показывает, как ведет себя этот МОП-транзистор, когда напряжение затвора прикладывается 5 В, а не 0 В.

Старое руководство для токарного станка

Поскольку это МОП-канал с N-каналом, нагрузка, которая должна быть переключена, в этом случае двигатель всегда должен быть подключен выше сливного штифта.Когда вы включаете МОП-транзистор, подавая необходимое напряжение на вывод затвора, он останется включенным, если вы не подадите 0В на затвор. Чтобы избежать этой проблемы, мы всегда должны использовать понижающий резистор R1, здесь я использовал значение 10 кОм. Чтобы решить эту проблему, мы должны использовать токоограничивающий конденсатор, я использовал здесь значение. Если вы разрабатываете печатную плату или плату Perf с этим компонентом, то следующее изображение из таблицы 2N будет полезно, чтобы узнать тип и размеры его корпуса.

Подпишитесь, чтобы получать последние новости о компонентах электроники и новости отрасли.Я новичок в электронике, поэтому есть некоторые части, которые я до сих пор не понимаю, но я буду стараться изо всех сил! Я не уверен в себе, потому что я очень новичок в электронном мире! Спецификации в технических паспортах зависят от производителя.

Одно и то же устройство в одной упаковке обычно имеет немного разные характеристики от разных производителей. Серия Littelfuse Nano2 F усиливает защиту от токов перегрузки и короткого замыкания. Гнезда Stewart Connector серии SS идеальны в 2.

Техническое описание компонентов. Информационный лист IRFN. Получите нашу еженедельную рассылку! Еще раз спасибо за вашу статью! Брис Франция. Ошибка или другой производитель? Что касается комментария Брайса. Я думаю, что суффикс N имеет большое значение. Littelfuse F Series Fuse.Страницы: [1] 2. Прочитано раз предыдущая тема — следующая тема. Уважаемый форум, я собираюсь купить кучу транзисторов для управления любыми соленоидами, двигателями, лампами и тому подобным, которые я хотел бы прикрепить к Arduino.

Обычно это меньше 24 вольт, но иногда несколько ампер.Есть ли какие-либо другие причины предпочесть одно другому для общего использования? Я хороший химик, но новичок в электронике: как насчет живучести в случае неправильной полярности, забвения обратного диода и подобных провалов? Привет Питер. Использование власти Дарлингтона должно прекратиться! Джентльмены могут предпочесть блондинок, а настоящие мужчины предпочитают рыжих! Цитата: dhenry 05 января, pm. Если вы управляете МОП-транзистором от вывода Ardino без последовательного резистора, то каждый раз, когда МОП-транзистор переключается, входная емкость МОП-транзистора должна заряжаться или разряжаться.

Это приводит к импульсу тока, амплитуда которого ограничена внутренним сопротивлением вывода Arduino. Это сопротивление составляет около 20 Ом, поэтому пиковый ток на входе или выходе Arduino может достигать мА или около того, что намного выше абсолютного максимального значения 40 мА.

I IRL540NPBF , L540N , IRL540N TO220

Если мы возьмем типичный силовой МОП-транзистор с общим зарядом затвора 20 нКл, длительность импульса составит около нс. Может ли импульс тока в нс, равный 5-кратному абсолютному максимальному продолжительному току, повредить Arduino?

Я подозреваю, что ответ в том, что никто не знает.Однако, поскольку Atmel не указывает номинальный импульсный ток для выходных контактов, мы должны принять во внимание, что это возможно. Даже если мы протестируем в течение года тысячу мегапикселей, управляющих МОП без последовательного резистора, и ни один из них не выйдет из строя, Atmel завтра может изменить свой производственный процесс таким образом, чтобы сделать микропроцессоры менее устойчивыми к импульсам избыточного тока.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

© M-Gen
.
USHTS: 85412
CNHTS: 85412
  • 1. Россия

    100

  • 2.Индия

    91

  • 3. Франция

    88

  • 4. Тайвань

    85

  • 5. Сингапур

    84

  • 6.Италия

    84

  • 7. Испания

    83

  • 8. Тунис

    82

  • 9. США

    82

  • 10.Гонконг

    81

  • 11. Венгрия

    81

  • 12. Китай

    81

  • 13. Соединенное Королевство

    80

  • 14.Колумбия

    78

  • 15. Южная Корея

    78

  • 16. Норвегия

    78

  • 17. Таиланд

    77

  • 18.Саудовская Аравия

    76

  • 19. Словакия

    73

  • 20. Швейцария

    66

  • 21. Турция

    65

  • 22.Германия

    47

  • IRL540 Популярность по регионам

    Вас также может заинтересовать

    Связанный параметр
    • Транзисторы — полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы — одиночные,
    • Транзисторы — полевые, полевые МОП-транзисторы — одиночные, полевые МОП-транзисторы N-CH 500V 71A SOT-227
    • Транзисторы — полевые, полевые МОП-транзисторы — одиночные, полевые МОП-транзисторы N-CH 250V 93A TO-247AC
    • Транзисторы — полевые, полевые МОП-транзисторы — одиночные, полевые МОП-транзисторы N-CH 60V 0.41А ТО39-3
    • Транзисторы — полевые, полевые МОП-транзисторы — одиночные, полевые МОП-транзисторы N-CH 60V 120A D2PAK
    • Транзисторы — полевые, полевые МОП-транзисторы — одиночные, полевые МОП-транзисторы N-CH 600V 62A SOT-227

    N-канал 100V 28A (Tc) 150W (Tc) сквозное отверстие TO-220AB

    • Атрибуты продукта
    • Описания
    • Характеристики
    • CAD Модели
    MXHTS: 85412999
    ТАРИК: 85412
    ECCN: EAR99

    Экологическая и экспортная классификации
    Статус RoHS: Не соответствует требованиям RoHS
    Уровень чувствительности к влаге (MSL): 1 (без ограничений)
    Статус REACH: ДОСТИГАЕМОСТЬ Без изменений
    ECCN: EAR99
    HTSUS: 8541.29,0095

    Дистрибьюторы
    IRL540 Vishay Siliconix N-канал 100V 28A (Tc) 150W (Tc) сквозное отверстие TO-220AB Под заказ

    НЕТ

    IRL540 Vishay / Siliconix МОП-транзистор N-Chan 100 В, 28 А Под заказ

    НЕТ

    IRL540 Vishay Siliconix Силовой полевой транзистор , 28A I (D) , 100V 0.077 Ом, 1 элемент, N-канал, Кремний, Металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор, TO-220AB, TO-220, 3 контакта Под заказ

    НЕТ

    Популярность по регионам
    Упаковка / ящик: К-220-3
    Производитель: Vishay Siliconix
    Базовый номер продукта: IRL540
    Пакет устройств поставщика: К-220АБ
    Рассеиваемая мощность (макс.): 150 Вт (Tc)
    Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: 2200 пФ при 25 В
    Напряжение сток-источник (Vdss): 100 В
    Технологии: МОП-транзистор (оксид металла)
    Ток — непрерывный сток (Id) при 25 ° C: 28А (Тс)
    Напряжение привода (макс. Показания при включении, мин. Показания): 4В 5В
    Rds вкл. (Макс.) @ Id Vgs: 77 мОм при 17 А 5 В
    Vgs (th) (макс.) @ Id: 2 В при 250 мкА
    Vgs (макс.): ± 10 В
    Функция полевого транзистора:
    Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs: 64 нКл при 5 В

    По этой части пока нет релевантной информации.

    ХАРАКТЕРИСТИКИ

    ОПИСАНИЕ Силовые МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay предоставляют разработчикам наилучшее сочетание быстрого переключения, прочной конструкции устройства, низкого сопротивления при включении и экономической эффективности. Корпус TO-220 универсально предпочтителен для всех коммерческих и промышленных применений при уровне рассеиваемой мощности от
    до приблизительно 50 Вт. Низкое тепловое сопротивление и низкая стоимость корпуса TO-220 способствуют его широкому применению во всей отрасли.

    ХАРАКТЕРИСТИКИ • Динамический рейтинг dV / dt
    • Повторяющийся лавинный рейтинг
    • Логический уровень привода затвора
    • RDS (вкл.) Задан для VGS = 4 В и 5 В
    • Рабочая температура 175 ° C
    • Быстрое переключение
    • Простота параллельной работы
    • Отсутствие свинца (Pb) Доступно

    По этой части пока нет релевантной информации.