Irl540N транзистор характеристики. Транзистор IRL540N: характеристики и применение MOSFET-транзистора

Каковы основные параметры и особенности MOSFET-транзистора IRL540N. Где используется данный силовой полевой транзистор. Какие преимущества имеет IRL540N по сравнению с аналогами.

Содержание

Основные характеристики транзистора IRL540N

IRL540N — это N-канальный силовой MOSFET-транзистор производства компании International Rectifier. Данный транзистор обладает следующими ключевыми параметрами:

  • Максимальное напряжение сток-исток: 100 В
  • Максимальный постоянный ток стока: 36 А при 25°C, 26 А при 100°C
  • Сопротивление канала в открытом состоянии: 44 мОм
  • Максимальная рассеиваемая мощность: 94 Вт при температуре корпуса 25°C
  • Тепловое сопротивление переход-корпус: 1.5°C/Вт
  • Корпус: TO-220AB

IRL540N относится к семейству транзисторов с логическим уровнем управления, что позволяет напрямую управлять им от микроконтроллеров и логических схем без дополнительных драйверов.

Особенности и преимущества транзистора IRL540N

Рассмотрим ключевые особенности и преимущества MOSFET-транзистора IRL540N:


  • Низкое сопротивление канала в открытом состоянии (44 мОм), что обеспечивает малые потери при коммутации больших токов
  • Высокая нагрузочная способность по току — до 36 А в непрерывном режиме
  • Логический уровень управления — транзистор полностью открывается при напряжении на затворе 5 В
  • Быстрое переключение — время восстановления обратного диода 190 нс
  • Встроенный защитный стабилитрон между затвором и истоком
  • Широкий диапазон рабочих температур: от -55°C до +175°C

Благодаря этим характеристикам IRL540N обеспечивает высокую эффективность в силовых схемах и имеет преимущества перед многими аналогами.

Области применения транзистора IRL540N

MOSFET-транзистор IRL540N находит применение в различных областях электроники, где требуется коммутация значительных токов. Основные сферы использования включают:

  • Импульсные источники питания
  • Драйверы электродвигателей постоянного тока
  • Силовые ключи в автомобильной электронике
  • Системы управления промышленным оборудованием
  • Зарядные устройства для аккумуляторов
  • DC/DC преобразователи
  • Системы светодиодного освещения

Широкий спектр применений обусловлен оптимальным сочетанием характеристик IRL540N для работы в силовых ключах.


Сравнение IRL540N с аналогами

Как IRL540N соотносится с другими популярными MOSFET-транзисторами? Рассмотрим сравнение основных параметров:

ПараметрIRL540NIRF540NIRFZ44N
Максимальное напряжение сток-исток100 В100 В55 В
Максимальный постоянный ток стока36 А33 А
41 А
Сопротивление канала44 мОм52 мОм24 мОм
Пороговое напряжение затвора1-2 В2-4 В2-4 В

IRL540N выигрывает у IRF540N по сопротивлению канала и пороговому напряжению, а у IRFZ44N — по максимальному напряжению сток-исток. Это делает его оптимальным выбором для многих применений.

Особенности монтажа и эксплуатации IRL540N

При работе с транзистором IRL540N следует учитывать некоторые особенности:

  • Транзистор чувствителен к статическому электричеству, требуются меры защиты при монтаже
  • Необходимо обеспечить эффективный теплоотвод при работе с большими токами
  • Рекомендуется использовать резистор между затвором и истоком для защиты от наводок
  • При параллельном включении транзисторов нужно применять выравнивающие резисторы в цепях истоков
  • Не следует превышать максимально допустимое напряжение затвор-исток ±20 В

Соблюдение этих рекомендаций позволит обеспечить надежную работу транзистора в различных схемах.


Схемы включения транзистора IRL540N

Рассмотрим несколько типовых схем включения MOSFET-транзистора IRL540N:

Схема простого ключа

В этой схеме транзистор работает как управляемый ключ, коммутирующий нагрузку:

  • Затвор подключен через резистор 100 Ом к управляющему сигналу
  • Сток подключен к нагрузке
  • Исток заземлен
  • Между затвором и истоком установлен защитный резистор 10 кОм

Схема Н-моста

Четыре транзистора IRL540N образуют Н-мост для управления двигателем постоянного тока:

  • Транзисторы включены попарно
  • Диагональные пары управляются в противофазе
  • Двигатель подключен между средними точками полумостов
  • Управление осуществляется ШИМ-сигналом

Схема понижающего DC/DC преобразователя

IRL540N выступает в роли силового ключа в понижающем преобразователе:

  • Исток транзистора соединен с общим проводом
  • На сток подается входное напряжение через дроссель
  • Параллельно нагрузке включен выходной конденсатор
  • Управление транзистором осуществляется ШИМ-контроллером

Эти схемы демонстрируют универсальность применения IRL540N в силовой электронике.


Выбор аналогов и замена IRL540N

При необходимости замены IRL540N можно рассмотреть следующие аналоги:

  • IRF540N — близкий аналог с немного худшими характеристиками
  • IRFZ44N — имеет меньшее максимальное напряжение, но лучшую токовую характеристику
  • FQP50N06 — аналог с улучшенными характеристиками, но более дорогой
  • STP55NF06 — еще один близкий аналог от STMicroelectronics

При выборе замены следует учитывать не только электрические параметры, но и особенности конкретной схемы. В некоторых случаях может потребоваться корректировка цепи управления затвором.


IRL540N International Rectifier

100V 30A/25°C 21A/100°C 44mO , 94W/25°C Rthjc=1.5°C/W

Основная информация:

Маркировка изготовителяIRL540N 
Type of casing:THT 
Kейс:TO-220AB 
KategorieFET N-Channel 
Тип компонента:!_n_fet 1x single_! 
Конфигурация:single Transistor 
Тип материала:!_si-silicon_! 
RoHSHет 
REACHHет 
NOVINKA

Упаковка и вес:

Единица:штук 
Вес:2.7 [g]
Тип упаковки:TUBE 
Малый пакет (количество единиц):50 

Электрофизические параметры:

Udc (URRM, UCEO, Umax)100 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)36 [A]
Idc max(Tc/Ta=25°C)36 [A]
Idc max(Tc/Ta=100÷109°C)26 [A]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)140  [W]
Input Logic Level (Ugs level)5V 
Rds(on) 5V (Ugs=4. 5÷5V)53 [mΩ]
Rds(on) 10V (Ugs=10V)44 [mΩ]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)190 [ns]
Qg (Total Gate Charge)74 [nC]
Cin/CL Load Capacitance1800 pF

Тепловые и механические параметры:

Tmin (mинимальная рабочая температура)-55 [°C]
Tmax (mаксимальная рабочая температура)175 [°C]
Rthjc (case)1.1 [°C/W]
Rthja (ambient)62 [°C/W]
Number of Pins
ПИН-Размеры выводов0.00 [mm]

Транзистор полевой КП746 — DataSheet

Цоколевка транзистора КП746

 

Параметры транзистора КП746
ПараметрОбозначениеМаркировкаУсловияЗначениеЕд. изм.
АналогКП746АIRF540N
КП746БIRF541, RFP25N06
КП746ВIRF542
КП746ГIRL540
Структура КП746АnМОП
КП746Б
КП746В
КП746Г
КП746А1С n-каналом
КП746Б1
КП746В1
КП746Г1
Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная).PСИ, P*СИ, т maxКП746А150Вт, (Вт*)
КП746Б150
КП746В150
КП746Г150
КП746А1150
КП746Б1150
КП746В1150
КП746Г1150
Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком (полевого транзистора с p-n-переходом и с изолированным затвором). UЗИ отс, U*ЗИ порКП746А2…4В
КП746Б2…4
КП746В
2…4
КП746Г1…2
КП746А12…4*
КП746Б12…4*
КП746В12…4*
КП746Г11…2*
Максимальное напряжение сток-исток (постоянное). Со звездочкой максимальное напряжение затвор-сток.UСИ max, U*ЗC maxКП746А100В
КП746Б80
КП746В
100
КП746Г100
КП746А1100
КП746Б180
КП746В1100
КП746Г1100
Максимальное напряжение затвор-исток (постоянное).UЗИ maxКП746А±20В
КП746Б±20
КП746В±20
КП746Г±10
КП746А1±20
КП746Б1±20
КП746В1±20
КП746Г1±10
Ток стока (постоянный). Со звездочкой ток стока (импульсный)IС, I*С, ИКП746А28А
КП746Б28
КП746В25
КП746Г28
КП746А128
КП746Б128
КП746В125
КП746Г128
Начальный ток стокаIС нач, I*С остКП746АмА
КП746Б
КП746В
КП746Г
КП746А1
КП746Б1
КП746В1
КП746Г1
Крутизна характеристики полевого транзистораSКП746А50 В; 17 А≥8700мА/В
КП746Б50 В; 17 А≥8700
КП746В50 В; 17 А≥8700
КП746Г50 В; 17 А≥1200
КП746А150 В; 17 А≥8700
КП746Б150 В; 17 А≥8700
КП746В150 В; 17 А≥8700
КП746Г1
Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истокомC11и, С*12и, С*22иКП746АпФ
КП746Б
КП746В
КП746Г
КП746А1
КП746Б1
КП746В1
КП746Г1
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии — сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора
при заданном напряжении сток-исток
RСИ отк, K*у. P, P**вых, ΔUЗИКП746А≤0.077Ом, (дБ*), (Вт**),(мВ***)
КП746Б≤0.077
КП746В≤0.1
КП746Г≤0.077
КП746А1≤0.077
КП746Б1≤0.077
КП746В1≤0.1
КП746Г1≤0.077
Коэффициент шума транзистораКш, U*ш, E**ш,  Q***КП746АДб, (мкВ*), (нВ/√Гц**), (Кл**)
КП746Б
КП746В
КП746Г
КП746А1
КП746Б1
КП746В1
КП746Г1
 Время включения транзистораtвкл, t*выкл, F**р, ΔUЗИ/ΔTКП746Анс, (нс*), (МГц**), (мкВ/°C***)
КП746Б
КП746В
КП746Г
КП746А1
КП746Б1
КП746В1
КП746Г1

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в буквенных обозначениях параметров полевых транзисторов.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Транзисторы часть 1

код товараНаименованиеОписаниеНаличие
151334Транзистор MOSFET Fairchild Semiconductor BUZ 11Технические характеристики: I 30 A; U 50 V[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
151111Транзистор MOSFET ON Semiconductor BS 170 RL1Технические характеристики: I 0.5 A; U 60 V; P 0.35 W[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162537Силовой транзистор MOSFET International Rectifier IRF 9540 NТехнические характеристики: I -23 A; U -100 V; R 0.117 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
154103Транзистор Infineon SPP 20 N 60 S5Технические характеристики: I 20 A; U 600 V; R 0.19 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
158950Однополярный стандартный транзистор BS 170Технические характеристики: I 0.5 A; U 60 V[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
159204Маломощный полевой транзистор NXP BSN 10A NXPТехнические характеристики: I 0,175 A; U 50 V; P 0,83 W[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162412Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 540 NТехнические характеристики: I 33 A; U 100 V; R 0.052 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162549Силовой транзистор MOSFET International Rectifier IRF 9 Z 24 NТехнические характеристики: I -12 A; U -55 V; R 0.175 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162652Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 3703Технические характеристики: I 210 A; U 30 V; R 0.0028 Ωinfo@conrad-rus. ru или по тел. (495) 66-99-077
162679Силовой транзистор MOSFET International Rectifier IRFR 024 NТехнические характеристики: I 16 A; U 55 V; R 0.075 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162747Транзистор MOSFET International Rectifier IRFZ 44 NТехнические характеристики: I 41 A; U 55 V; R 0.024 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
151034Транзистор MOSFET ON Semiconductor 2 N 7000Технические характеристики: I 0.2 A; U 60 V[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162408Силовой транзистор MOSFET International Rectifier IRF 5305Технические характеристики: I -31A; U -55 V; R 0.06 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162461Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7389Технические характеристики: I 5.9 A; U 30 V; R 0.029 Ωinfo@conrad-rus. ru или по тел. (495) 66-99-077
162536Силовой транзистор MOSFET International Rectifier IRF 9530 NТехнические характеристики: I -14 A; U -100 V; R 0.20 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162742Транзистор MOSFET International Rectifier IRFZ 34 NТехнические характеристики: I 26 A; U 55 V; R 0.04 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162848Транзистор International Rectifier IRLR 2905Технические характеристики: I 42 A; U 55 V; R 0.027 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
157112Транзистор BF 245 BТехнические характеристики: I 0.1 A; U 30 V[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162764Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 2203 NSТехнические характеристики: I 116 A A; U 30 V; R 0.007 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153609Транзистор питания Infineon BUZ 80 A SIEТехнические характеристики: I 3 A; U 800 V; R 3 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
164339Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 3710 ZТехнические характеристики: I 59 A; U 100 V; R 18 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
164398Транзистор International Rectifier IRLR 7843 HEXFETТехнические характеристики: I 161 A; U 30 V; R 3.3 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
157210Транзистор BF 256 CТехнические характеристики: I 0.01 A; U 30 V[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
158976Однополярный стандартный транзистор BS 107Технические характеристики: I 0.13 A; U 200 V[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
150929Транзистор MOSFET ON Semiconductor BS 107Технические характеристики: I 0. 25 A; U 200 V; P 0.35 W[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
151362Транзистор MOSFET ST Microelectronics BUZ 11 AТехнические характеристики: I 27 A; U 50 V[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162362Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 1010 NТехнические характеристики: I 85 A; U 55 V; R 0.012 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162374Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 1404 SТехнические характеристики: I 162 A; U 40 V; R 0.004 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162375Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 1405Технические характеристики: I 169 A; U 55 V; R 0.005 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162377Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 1405 SТехнические характеристики: I 131 A; U 55 V; R 0. 0053 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162399Силовой транзистор MOSFET International Rectifier IRF 4905Технические характеристики: I -74 A; U -55 V; R 0.02 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162402Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 510Технические характеристики: I 5.6 A; U 100 V; R 0.54 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162409Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 5305 SТехнические характеристики: I -31 A; U -55 V; R 0.06 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162410Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 530 N lТехнические характеристики: I 12A; U 100 V; R 0.11 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162413Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 540 NSТехнические характеристики: I 33 A; U 100 V; R 0. 052 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162443Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7301Технические характеристики: I 5.2 A; U 20 V; R 0.05 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162468Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 740 AТехнические характеристики: I 10 A; U 400 V; R 0.55 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162476Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7416Технические характеристики: I -10 A; U -30 V; R 0.02 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162520Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 820Технические характеристики: I 2.5 A; U 500 V; R 3 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162526Транзистор MOSFET Vishay IRF 840Технические характеристики: I 8 A; U 500 V; R 0. 85 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162527Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 840 AТехнические характеристики: I 8 A; U 500 V; R 0.85 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162530Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 840 LCТехнические характеристики: I 8 A; U 500 V; R 0.85 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162533Транзистор MOSFET Vishay IRF 9510Технические характеристики: I -4 A; U -100 V; R 1.2 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162553Транзистор MOSFET Vishay IRFB 11 N 50 AТехнические характеристики: I 11 A; U 500 V; R 0.52 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162642Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 250 NТехнические характеристики: I 30 A; U 200 V; R 0.075 Ωinfo@conrad-rus. ru или по тел. (495) 66-99-077
162659Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 460Технические характеристики: I 20 A; U 500 V; R 0.27 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162660Транзистор MOSFET Vishay IRFP 460 AТехнические характеристики: I 20 A; U 500 V; R 0.27 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162751Транзистор MOSFET International Rectifier IRFZ 44 VТехнические характеристики: I 55 A; U 60 V; R 0.0165 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162786Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 3803Технические характеристики: I 140 A; U 30 V; R 0.006 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162795Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 530 NТехнические характеристики: I 17 A; U 100 V; R 0.10 Ωinfo@conrad-rus. ru или по тел. (495) 66-99-077
162825Транзистор MOSFET International Rectifier IRLL 3303Технические характеристики: I 4.6 A; U 30 V; R 0.031 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162827Транзистор MOSFET International Rectifier IRLML 2502 TRТехнические характеристики: I 4.2 A; U 20 V; R 0.045 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162832Транзистор MOSFET International Rectifier IRLML 6401 TRТехнические характеристики: I -4.3 A; U -12 V; R 0.05 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162869Транзистор MOSFET International Rectifier IRLZ 24 N HEXFETТехнические характеристики: I 18 A; U 55 V; R 0.06 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162873Транзистор MOSFET International Rectifier IRLZ 34 N HEXFETТехнические характеристики: I 27 A; U 55 V; R 0. 035 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162877Транзистор MOSFET International Rectifier IRLZ 44 N HEXFETТехнические характеристики: I 41 A; U 55 V; R 0.022 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162879Транзистор MOSFET International Rectifier IRLZ 44 NS HEXFETТехнические характеристики: I 47 A; U 55 V; R 0.022 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
158712Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 3205Технические характеристики: I 110 A; U 55 V; R 0,008 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
151573Транзистор MOSFET ST Microelectronics IRF 830Технические характеристики: I 4.5 A; U 500 V; R 1.5 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
151583Транзистор MOSFET Fairchild Semiconductor RFP 50 N 06Технические характеристики: I 50 A; U 60 V; P 131 Winfo@conrad-rus. ru или по тел. (495) 66-99-077
152902Маломощный транзистор Infineon BSS 123Технические характеристики: I 170 mA; U 100 V; R 6 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
152928Маломощный транзистор Infineon BSS 138 NТехнические характеристики: I 220 mA; U 50 V; R 3.5 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
140252Однополярный стандартный транзистор BSN20Технические характеристики: I 100 mA; U 50 V[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162494Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7524 D 1 TRPBFТехнические характеристики: I -1.7 A; U -20 V; R 0.27 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162398Транзистор MOSFETInternational Rectifier IRF 3710 SТехнические характеристики: I 57 A; U 100 V; R 0.025 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162420Транзистор MOSFETInternational Rectifier IRF 6215 SТехнические характеристики: I -13 A; U 150 V; R 0.29 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162547Транзистор MOSFETInternational Rectifier IRF 9 Z 14Технические характеристики: I -6.7 A; U -60 V; R 0.5 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162555Транзистор MOSFET International Rectifier IRFB 18 N 50 KТехнические характеристики: I 17 A; U 500 V; R 0.25 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162583Транзистор MOSFET International Rectifier IRFD 120Технические характеристики: I 1.3 A; U 100 V; R 0.27 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162592Транзистор MOSFET International Rectifier IRFD 9210Технические характеристики: I -0.4 A; U -200 V; R 3 Ωinfo@conrad-rus. ru или по тел. (495) 66-99-077
162619Транзистор MOSFET International Rectifier IRFIBF 30 GТехнические характеристики: I 1.9 A; U 900 V; R 3.7 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162635Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 048 NТехнические характеристики: I 64 A; U 55 V; R 0.016 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162662Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 9140 NТехнические характеристики: I 21 A; U 100 V; R 0.117 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162675Транзистор MOSFET International Rectifier IRFPG 30Технические характеристики: I 3.1 A; U 1000 V; R 5 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162678Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFR 014Технические характеристики: I 7.7 A; U 60 V; R 0. 2 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162689Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFR 224Технические характеристики: I 3.8 A; U 250 V; R 1.1  Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162712Транзистор MOSFET International Rectifier IRFS 23Технические характеристики: I 24A; U 200 V; R 0.1 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162725Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFU 320Технические характеристики: I 3.1 A; U 400 V; R 1.8 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162728Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFU 420Технические характеристики: I 2.4 A; U 500 V; R 3 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162755Транзистор MOSFET International Rectifier IRFZ 48 NSТехнические характеристики: I 64 A; U 55 V; R 0. 016 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162769Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 3102 SТехнические характеристики: I 61 A; U 20 V; R 0.013 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162778Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 3302 SТехнические характеристики: I 39 A; U 20 V; R 0.020 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162806Транзистор MOSFET International Rectifier IRLD 024Технические характеристики: I 2.5 A; U 60 V; R 0.1 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162811Транзистор MOSFET International Rectifier IRLI 3705 NТехнические характеристики: I 52 A; U 55 V; R 0.01 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162818Транзистор MOSFET International Rectifier IRLIZ 44 NТехнические характеристики: I 30 A; U 55 V; R 0.022 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162839Транзистор MOSFET nternational Rectifier IRLMS 6702 TRТехнические характеристики: I -2.3 A; U -20 V; R 0.2 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162849Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRLR 3103Технические характеристики: I 55A; U 30 V; R 0.019 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162866Транзистор MOSFET International Rectifier IRLZ 14 L HEXFETТехнические характеристики: I 10 A; U 60 V; R 200 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
156493Однополярный транзистор Korea Electronics 2N7000AТехнические характеристики: I 200 mA; U 60 V[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
155779Транзистор MOSFET ST Microelectronics STD 5 NK 40 ZT 4Технические характеристики: I 3 A; U 400 V; R 1.9 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
164401Транзистор International Rectifier IRLU 3717 HEXFETТехнические характеристики: I 120 A; U 20 V; R 0.042 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153234Интеллектуальный выключатель питания Infineon BTS 432 E 2-E-3062A ProFETТехнические характеристики: I 11 A; U >60 V; R 38 mΩ[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153029Транзистор MOSFET-Tetrode Infineon BF 998Технические характеристики: I 30 mA; U 12 V; P 200 mW[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153581Транзистор питания Infineon BUZ 31Технические характеристики: I 13.5 A; U 200 V; R 0.2 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153608Транзистор питания Infineon BUZ 32Технические характеристики: I 9.5 A; U 200 V; R 0.4 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153369Транзистор питания Infineon BUZ 42Технические характеристики: I 4 A; U 500 V; R 2 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153382Транзистор питания Infineon BUZ 60 SIEТехнические характеристики: I 5.5 A; U 500 V; R 1 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153463Транзистор питания Infineon BUZ 73 HТехнические характеристики: I 7 A; U 200 V; R 0,4 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153985Транзистор Infineon SPW 20 N 60 S5Технические характеристики: I 20 A; U 600 V; R 0.19 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
156103Транзистор MOSFET ST Microelectronics STP 80 NF 10Технические характеристики: I 80 A; U 200 V; R 0.01 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
156110Транзистор MOSFET ST Microelectronics STP 16 NF 06 LТехнические характеристики: I 16 A; U 60 V; R 0.1 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
152954Маломощный транзистор Infineon BSP 318 SТехнические характеристики: I 2600 mA; U 60 V; R 0.15 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
152980Маломощный транзистор Infineon BSP 320 SТехнические характеристики: I 2900 mA; U 60 V; R 0.12 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153165Интеллектуальный выключатель Infineon BTS 115 AТехнические характеристики: I 15.5 A; U 50 V; R 120 mΩ[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
164334Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 1405 ZТехнические характеристики: I 150 A; U 55 V; R 4.90 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
164337Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 2807 ZТехнические характеристики: I 89 A; U 75 V; R 9.40 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
164338Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 3205 ZТехнические характеристики: I 110 A; U 55 V; R 6.50 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
164357Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7831Технические характеристики: I 21 A; U 30 V; R 3.6 mΩ[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
164361Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFR 3704 ZТехнические характеристики: I 42 A; U 20 V; R 8.40 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
164331Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 1404 ZТехнические характеристики: I 190 A; U 40 V; R 3.70 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153191Транзистор Infineon BSP 76Технические характеристики: I 5 A; U >42 V; R 200 mΩ[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
154116Транзистор Infineon SPD 07 N 60 S5Технические характеристики: I 7,3 A; U 600 V; R 0.60 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153749Транзистор Infineon SPU 01 N 60 S5Технические характеристики: I 0,8 A; U 600 V; R 6.50 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153568Транзистор питания Infineon BUZ 30 A SIEТехнические характеристики: I 21 A; U 200 V; R 0.13 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153489Транзистор питания Infineon BUZ 73 ALТехнические характеристики: I 5.8 A; U 200 V; R 0.6 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153393Транзистор Infineon BTS 621 L1-E-3128A ProFETТехнические характеристики: I 2 x 4.4 A; U 5 — 34 V; R 2 x 100 mΩ[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153381Транзистор питания Infineon BUZ 104 SТехнические характеристики: I 14 A; U 55 V; R 0.1 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153700Транзистор питания Infineon BUZ 100 SТехнические характеристики: I 77 A; U 55 V; R 0.015 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153420Транзистор MOSFET nternational Rectifier IRLMS 6702 TRТехнические характеристики: I 12.6 A; U 5 — 34 V; R 30 mΩ[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153231Маломощный транзистор Infineon BSP 295Технические характеристики: I 1800 mA; U 50 V; R 0.3 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
163643Транзистор MOSFET 2 N 4416Технические характеристики: I 15 mA; U 30 V; P 300 mW[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
151006Транзистор MOSFET NXP 2 N 7002 GEG HSMDТехнические характеристики: I 0.18 A; U 60 V; P 0.25 W; R 5 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
150994Транзистор MOSFET ON Semiconductor 2 N 7002 LT 1Технические характеристики: I 0.115 A; U 60 V; R 7.5 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
157830Транзистор MOSFET BF 244 A NТехнические характеристики: I 0.1 A; U 30 V[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
157082Транзистор MOSFET BF 244 BТехнические характеристики: I 50 mA; U 30 V[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
157120Транзистор MOSFET BF 245 CТехнические характеристики: I 0.1 A; U 30 V[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
157848Транзистор MOSFET BF 245 AТехнические характеристики: I 0.1 A; U 30 V[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
157139Транзистор MOSFET BF 246 AТехнические характеристики: I 0.08 A; U25 V[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
158968Однополярный стандартный транзистор BS 250Технические характеристики: I 0.25 A; U 45 V[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
150848Транзистор MOSFET NXP BSP 250 GEG NXPТехнические характеристики: I 3 A; U 30 V; R 0.25 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
150901Транзистор MOSFET NXP BSS 84 GEGТехнические характеристики: I 0.13 A; U 50 V; R 10 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
151517Транзистор MOSFET Infineon BUZ 21Технические характеристики: I 21 A; U 100 V; P 105 W[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162357Транзистор MOSFET Vishay FB 180 SA 10Технические характеристики: I 180 A; U 100 V; R 0.0065 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162358Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 1010 EТехнические характеристики: I 57 A; U 60 V; R 0.012 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162364Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 1010 NSТехнические характеристики: I 85 A; U 55 V; R 0.011 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162365Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 1104Технические характеристики: I 100 A; U 40 V; R 0.009 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162368Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 1310 NТехнические характеристики: I 42 A; U 100 V; R 0.036 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162371Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 1310 NSТехнические характеристики: I 42 A; U 100 V; R 0.036 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162372Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 1404Технические характеристики: I 162 A; U 40 V; R 0.004 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162373Транзистор MOSFET nternational Rectifier IRF 1404 LТехнические характеристики: I 162 A; U 40 V; R 0.004 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162384Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 3415Технические характеристики: I 43 A; U 150 V; R 0.042 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162390Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 3706Технические характеристики: I 77 A; U 20 V; R 0.0085 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162393Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 3707 SТехнические характеристики: I 62 A; U 30 V; R 0.0125 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162394Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 3708Технические характеристики: I 62 A; U 30 V; R 0.012 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162397Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 3710Технические характеристики: I 57 A; U100 V; R 0.025 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162404Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 520 NТехнические характеристики: I 9.7 A; U 100 V; R 0,2 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162406Силовой транзистор MOSFET International Rectifier IRF 5210Технические характеристики: I -40 A; U -100 V; R 0.06 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162414Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 610Технические характеристики: I 3.3 A; U 200 V; R 1.5 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162415Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 610 SТехнические характеристики: I 3.3 A; U 200 V; R 1.5 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162416Транзистор MOSFET Vishay IRF 620Технические характеристики: I 5.2 A; U 200 V; R 0.8 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162419Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 6215Технические характеристики: I -13 A; U -150 V; R 0.29 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162421Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 630 NТехнические характеристики: I 9.3 A; U 200 V; R 0.3 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162424Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 640 NТехнические характеристики: I 18 A; U 200 V; R 0.15 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162425Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 640 NSТехнические характеристики: I 18 A; U 200 V; R 0.15 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162427Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 644Технические характеристики: I 14 A; U 250 V; R 0.28 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162429Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 710Технические характеристики: I 2 A; U 400 V; R 3.6 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162431Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7103Технические характеристики: I 3 A; U 50 V; R 0.13[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162433Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7105Технические характеристики: I 3.5 A/-2.3 A; U 25 V; R 0.109 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162437Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7204Технические характеристики: I -5.3 A; U -20 V; R 0.06 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162440Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7220Технические характеристики: I -11 A; U -14 V; R 0.012 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162441Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 730Технические характеристики: I 5.5 A; U 400 V; R 1 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162445Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7304Технические характеристики: I -4.3 A; U -20 V; R 0.09 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162447Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7307Технические характеристики: I 5.2 A/-4.3 A; U 20 V; R 0.05 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162449Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 730 AТехнические характеристики: I 5.5 A; U 400 V; R 1 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162451Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7311Технические характеристики: I 6.6 A; U 20 V; R 0.029 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162455Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7317Технические характеристики: I 6.6 A/-5.3 A; U 20 V; R 0.029 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162456Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7319Технические характеристики: I 6.5 A/-4.9 A; U 30 V; R 0.029 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162458Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7342Технические характеристики: I -3.4 A; U -55 V; R 0.105 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162459Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7343Технические характеристики: I 4.7 A/-3.4 A; U 55 V; R 0.05 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162462Транзистор MOSFET Vishay IRF 740Технические характеристики: I 10 A; U 400 V; R 0.55 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162463Транзистор MOSFET International Rectifier IRFТехнические характеристики: I 8.7 A; U 20 V; R 0.022 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162464Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7402Технические характеристики: I 6.8 A; U 20 V; R 0.035 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162467Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7406Технические характеристики: I -5.8 A; U -30 V; R 0.045 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162471Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 740 LCТехнические характеристики: I 10 A; U 400 V; R 0.55 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162473Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7410Технические характеристики: I -16 A; U -12 V; R 0.007 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162474Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7413Технические характеристики: I 12 A; U 30 V; R 0.011 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162481Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7456Технические характеристики: I 16 A; U 20 V; R 0.0065 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162482Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7457Технические характеристики: I 15 A; U 20 V; R 0.007 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162483Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7458Технические характеристики: I 14 A; U 30 V; R 0.008 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162521Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 820 AТехнические характеристики: I 2.5 A; U 500 V; R 3 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162529Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 840 LТехнические характеристики: I 8 A; U 500 V; R 850 mΩ[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162532Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 9410Технические характеристики: I 7 A; U 30 V; R 0.03 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162538Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 9540 NSТехнические характеристики: I -23 A; U -100 V; R 0.117 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162539Транзистор MOSFET Vishay IRF 9610Технические характеристики: I -1.8 A; U -200 V; R 3 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162540Силовой транзистор MOSFET International Rectifier IRF 9620Технические характеристики: I -3.5 A; U -200 V; R 1.5 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162541Силовой транзистор MOSFET International Rectifier IRF 9630Технические характеристики: I -6,5 A; U -200 V; R 0.8 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162542Транзистор MOSFET Vishay IRF 9640Технические характеристики: I -11 A; U -200 V; R 0.5 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162545Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 9953Технические характеристики: I -2.3 A; U -30 V; R 0.25 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162551Силовой транзистор MOSFET International Rectifier IRF 9 Z 34Технические характеристики: I -19 A; U -55 V; R 0.10 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162556Транзистор MOSFET International Rectifier IRFB 23 N 15 DТехнические характеристики: I 23 A; U 150 V; R 0.09[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162559Транзистор MOSFET International Rectifier IRFB 31 N 20 DТехнические характеристики: I 31 A; U 200 V; R 0.082 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162560Транзистор MOSFET International Rectifier IRFB 41 N 15 DТехнические характеристики: I 41 A; U 150 V; R 0.045 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162561Транзистор MOSFET International Rectifier IRFB 59 N 10 DТехнические характеристики: I 59 A; U 100 V; R 0.025 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162562Транзистор MOSFET International Rectifier IRFB 9 N 60 AТехнические характеристики: I 9.2 A; U 600 V; R 0.75  Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162563Транзистор MOSFET International Rectifier IRFB 9 N 65 AТехнические характеристики: I 8.5 A; U 650 V; R 0.9  Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162564Транзистор MOSFET International Rectifier IRFBC 20Технические характеристики: I 2.2 A; U 600 V; R 4.4 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162565Транзистор MOSFET International Rectifier IRFBC 30Технические характеристики: I 3.6 A; U 600 V; R 2.2  Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162567Транзистор MOSFET International Rectifier IRFBC 30 AТехнические характеристики: I 3.6 A; U 600 V; R 2.2 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162568Транзистор MOSFET Vishay IRFBC 40Технические характеристики: I 6.2 A; U 600 V; R 1.2 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162578Транзистор MOSFET International Rectifier IRFBG 30Технические характеристики: I 3.1 A; U 1000 V; R 5 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162582Транзистор MOSFET Vishay IRFD 110Технические характеристики: I 1A; U 100 V; R 0.54 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162591Транзистор MOSFET International Rectifier IRFD 9120Технические характеристики: I -1 A; U -100 V; R 0.6 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162594Транзистор MOSFET International Rectifier IRFI 1010 NТехнические характеристики: I 49 A; U 55 V; R 0.012 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162602Транзистор MOSFET International Rectifier IRFI 630 GТехнические характеристики: I 5.9 A; U 200 V; R 0.4  Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162606Транзистор MOSFET International Rectifier IRFI 730 GТехнические характеристики: I 3.7 A; U 400 V; R 1 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162611Транзистор MOSFET International Rectifier IRFI 840 GТехнические характеристики: I 4.6 A; U 500 V; R 0.85 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162612Транзистор MOSFET International Rectifier IRFI 9630 GТехнические характеристики: I -4.3 A; U -200 V; R 0.8 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162617Транзистор MOSFET International Rectifier IRFIBC 40 GТехнические характеристики: I 3.5 A; U 600 V; R 1.2 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162623Транзистор MOSFET International Rectifier IRFIZ 44 NТехнические характеристики: I 31A; U 55 V; R 0.024 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162626Транзистор MOSFET International Rectifier IRFL 014 NТехнические характеристики: I 1.9 A; U 55 V; R 0.16 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162627Транзистор MOSFET International Rectifier IRFL 110Технические характеристики: I 1.5 A; U 100 V; R 0.54 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162630Транзистор MOSFET International Rectifier IRFL 4105Технические характеристики: I 3.7 A; U 55 V; R 0.045 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162633Транзистор MOSFET Vishay IRFL 9110Технические характеристики: I -1.1 A; U -100 V; R 1.2 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162634Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 044 NТехнические характеристики: I 53 A; U 55 V; R 0.02 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162637Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 064 NТехнические характеристики: I 110 A; U 55 V; R 0.008 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162639Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 150 NТехнические характеристики: I 39 A; U 100 V; R 0.036 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162640Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 22 N 50 AТехнические характеристики: I 22 A; U 500 V; R 0.23 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162641Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 240Технические характеристики: I 20 A; U 200 V; R 0.18 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162645Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 264Технические характеристики: I 38 A; U 250 V; R 0.075 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162648Транзистор MOSFET Vishay IRFP 350Технические характеристики: I 16 A; U 400 V; R 0.30 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162650Транзистор MOSFET Vishay IRFP 360Технические характеристики: I 23 A; U 400 V; R 0.20 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162651Транзистор MOSFET Vishay IRFP 360 LCТехнические характеристики: I 23 A; U 400 V; R 0.20 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162653Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 3710Технические характеристики: I 51 A; U 100 V; R 0.028 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162656Транзистор MOSFET Vishay IRFP 450Технические характеристики: I 14 A; U 500 V; R 0.4 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162657Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 450 AТехнические характеристики: I 14 A; U 500 V; R 0.4 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162658Транзистор MOSFET Vishay IRFP 450 LCТехнические характеристики: I 16 A; U 500 V; R 0.4 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162663Транзистор MOSFET Vishay IRFP 9240Технические характеристики: I 12 A; U 200 V; R 0.50 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162665Транзистор MOSFET Vishay IRFPC 50Технические характеристики: I 11 A; U 600 V; R 0.60 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162669Транзистор MOSFET Vishay IRFPC 60 LCТехнические характеристики: I 16 A; U 600 V; R 0.40 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162671Транзистор MOSFET International Rectifier IRFPE 40Технические характеристики: I 5.4 A; U 800 V; R 2.0 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162672Транзистор MOSFET International Rectifier IRFPE 50Технические характеристики: I 7.8 A; U 800 V; R 1.2 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162676Транзистор MOSFET International Rectifier IRFPG 40Технические характеристики: I 4.3 A; U 1000 V; R 3.5 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162682Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFR 1205Технические характеристики: I 37 A; U 55 V; R 0.027 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162686Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFR 1 N 60 AТехнические характеристики: I 1.4 A; U 600 V; R 7 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162690Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFR 2407Технические характеристики: I 42 A; U 75 V; R 0.026 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162696Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFR 5305Технические характеристики: I 31 A; U -55 V; R 0.065 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162699Силовой транзистор MOSFET International Rectifier IRFR 9024Технические характеристики: I 8A; U -55 V; R 0.175 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162701Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFR 9120 NТехнические характеристики: I — 6.6 A; U — 100 V; R 0.48 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162729Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFU 5305Технические характеристики: I 28 A; U 55 V; R 0.065 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162730Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFU 9024 NТехнические характеристики: I 11 A; U 55 V; R 0.175 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162737Транзистор MOSFET International Rectifier IRFZ 14 HEXFETТехнические характеристики: I 10 A; U 60 V; R 0.2 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162739Транзистор MOSFET International Rectifier IRFZ 24 NТехнические характеристики: I 17 A; U 50 V; R 0.07 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162745Транзистор MOSFET International Rectifier IRFZ 44 EТехнические характеристики: I 48 A; U 60 V; R 0.023 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162746Транзистор MOSFET International Rectifier IRFZ 44 ESТехнические характеристики: I 48 A; U 60 V; R 0.023 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162752Транзистор MOSFET International Rectifier IRFZ 46 NТехнические характеристики: I 46 A; U 55 V; R 0.02  Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162753Транзистор MOSFET International Rectifier IRFZ 48 NТехнические характеристики: I 53 A; U 55 V; R 0.016 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162757Транзистор MOSFET International Rectifier IRFZ 48 VТехнические характеристики: I 72 A; U 60 V; R 0.012 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162758Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 1004Технические характеристики: I 92 A; U 40 V; R 0.0065 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162759Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 1004 SТехнические характеристики: I 110 A; U 40 V; R 0.0065 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162760Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 1104Технические характеристики: I 104 A; U 40 V; R 0.008 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162763Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 2203 NТехнические характеристики: I 100 A; U 30 V; R 0.007 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162767Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 2910Технические характеристики: I 55 A; U 100 V; R 0.026 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162770Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 3103 HEXFETТехнические характеристики: I 56 A; U 30 V; R 0.014 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162776Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 3202Технические характеристики: I 48 A; U 20 V; R 0.016 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162779Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 3303Технические характеристики: I 38 A; U 30 V; R 0.026 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162782Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 3502Технические характеристики: I 110 A; U 20 V; R 0.007 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162783Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 3502 SТехнические характеристики: I 110 A; U 20 V; R 0.007 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162784Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 3705 NТехнические характеристики: I 89 A; U 55 V; R 0.01 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162785Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 3705 NSТехнические характеристики: I 89 A; U 55 V; R 0.01 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162787Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 3803 LТехнические характеристики: I 140 A; U 30 V; R 6 mΩ[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162789Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 510Технические характеристики: I 5.6 A; U 100 V; R 0.54 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162798Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 540 NТехнические характеристики: I 36 A; U 100 V; R 0.044 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162801Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 630Технические характеристики: I 9 A; U 200 V; R 0.4 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162805Транзистор MOSFET International Rectifier IRLD 014Технические характеристики: I 1.7 A; U 60 V; R 0.2 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162814Транзистор MOSFET International Rectifier IRLI 540 NТехнические характеристики: I 23 A; U 100 V; R 0.044 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162815Транзистор MOSFET International Rectifier IRLIZ 24 NТехнические характеристики: I 14 A; U 50 V; R 0.06 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162819Транзистор MOSFET International Rectifier IRLL 014Технические характеристики: I 2 A; U 55 V; R 0.14 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162820Транзистор MOSFET International Rectifier IRLL 024 NТехнические характеристики: I 3.1A; U 55 V; R 0.065 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162826Транзистор MOSFET International Rectifier IRLML 2402 TRТехнические характеристики: I 1.2 A; U 20 V; R 0.25 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162828Транзистор MOSFET International Rectifier IRLML 2803 TRТехнические характеристики: I 1.2 A; U 30 V; R 0.25 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162833Транзистор MOSFET International Rectifier IRLML 6402 TRТехнические характеристики: I -3.7 A; U -20 V; R 0.065 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162836Транзистор MOSFET International Rectifier IRLMS 2002 TRТехнические характеристики: I 6.5 A; U 20 V; R 0.03 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162843Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRLR 024 NТехнические характеристики: I 17 A; U 55 V; R 0.065 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162845Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRLR 120 NТехнические характеристики: I 10 A; U 100 V; R 0.185 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162856Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRLU 024 NТехнические характеристики: I 17 A; U 55 V; R 0.065  Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162857Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRLU 110Технические характеристики: I 4.3 A; U 100 V; R 0.54 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162865Транзистор MOSFET International Rectifier IRLZ 14 HEXFETТехнические характеристики: I 10 A; U 60 V; R 00.2 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162871Транзистор MOSFET International Rectifier IRLZ 24 NS HEXFETТехнические характеристики: I 18 A; U 55 V; R 0.06 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162875Транзистор MOSFET International Rectifier IRLZ 34 NS HEXFETТехнические характеристики: I 30 A; U 55 V; R 0.035 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162881Транзистор MOSFET International Rectifier SI 4410 DYТехнические характеристики: I 10 A; U 30 V; R 0.0135 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153244Транзистор MOSFET Infineon BSP 78Технические характеристики: I 30 A; U >42 V; R 50 mΩ[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153422Транзистор Infineon IPP80CN10NG (=BUZ 72)Технические характеристики: I 13 A; U 100 V; R 78 mΩ[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
151456Транзистор MOSFET Fairchild Semiconductor IRF 9620Технические характеристики: I -14 A; U -200 V; R 1.5 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162448Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7309Технические характеристики: I 4 A/-3 A; U 30 V; R 0.05 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
142808Транзистор MOSFET MMBF 4416Технические характеристики: I 10 mA; U 30 V[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
151098Транзистор MOSFET ON Semiconductor MMB F170 LT1Технические характеристики: I 0.5 A; U 60 V; R 5 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153042Транзистор MOSFET-Tetrode Infineon BF 999Технические характеристики: I 30 mA; U 20 V; P 200 mW[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
155772Транзистор MOSFET ST Microelectronics IRF 630Технические характеристики: I 9 A; U 200 V; R 0.4 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
155773Транзистор MOSFET ST Microelectronics IRF 640Технические характеристики: I 18 A; U 200 V; R 0.18 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
155781Транзистор MOSFET ST Microelectronics STP 36 NF 06Технические характеристики: I 30 A; U 60 V; R 0.04 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
155786Транзистор MOSFET ST Microelectronics STW 34 NB 20Технические характеристики: I 34 A; U 200 V; R 80 mΩ[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
151301Транзистор MOSFET ON Semiconductor MTD 2955 VT4Технические характеристики: I 42  A; U 60 V; R 0.2 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
151269Силовой транзистор MOSFET ON Semiconductor MTD 3055 VТехнические характеристики: I 12 A; U 60 V; R 0.15 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
151322Транзистор MOSFET ON Semiconductor MTD 3055 V LT4Технические характеристики: I 12 A; U 60 V; R 0,18 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153220Интеллектуальный выключатель Infineon BTS 432 E2 ProFETТехнические характеристики: I 11 A; U>60 V; R 38 mΩ[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
151623Транзистор MOSFET Fairchild Semiconductor RFP 12 N 10 LТехнические характеристики: I 12A; U 100 V; R 0,14 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
151569Транзистор MOSFET Fairchild Semiconductor RFP 70 N 06Технические характеристики: I 70 A; U 60 V; R 0,014 Ω; P 150 W[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153243Маломощный транзистор Infineon BSP 296Технические характеристики: I 1 A; U 100 V; R 0.8 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153257Маломощный транзистор Infineon BSP 88Технические характеристики: I 320 mA; U 240 V; R 8 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153270Маломощный транзистор Infineon BSP 89Технические характеристики: I 360 mA; U 240 V; R 6 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153297Маломощный транзистор Infineon BSS 119Технические характеристики: I 170 mA; U 100 V; R 6 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153072Маломощный транзистор Infineon BSS 87Технические характеристики: I 290 mA; U 240 V; R 6 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153955Маломощный транзистор Infineon SN 7002Технические характеристики: I 190 mA; U 60 V; R 5 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
140163Транзистор MOSFET (Dual Gate) Infineon BF 990Технические характеристики: I 30 mA; U 18 V[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162593Транзистор MOSFET International Rectifier IRFD 9220Технические характеристики: I -0.56 A; U -200 V; R 1.5 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162608Транзистор MOSFET International Rectifier IRFI 740 GLCТехнические характеристики: I 5.7 A; U 400 V; R 0.55 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
160642Силовой транзистор MOSFET IXYS IXFN100N50PТехнические характеристики: I 75 A; U 500 V[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
160646Силовой транзистор MOSFET IXYS IXFN44N100PТехнические характеристики: I 37 A; U 1000 V[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
160645Силовой транзистор MOSFET IXYS IXFN60N80PТехнические характеристики: I 53A; U 800 V[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
160643Силовой транзистор MOSFET IXYS IXFN82N60PТехнические характеристики: I 72 A; U 600 V[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153623Транзистор питания Infineon BUZ 81Технические характеристики: I 4 A; U 800 V; R 2.5 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153019Маломощный транзистор Infineon BSO 304 SNТехнические характеристики: I 6400 mA; U 30 V; R 0.03 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153046Маломощный транзистор Infineon BSP 373Технические характеристики: I 1700 mA; U 100 V; R 0.3 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162477Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7421 D 1Технические характеристики: I 5.8 A; U 30 V; R 0.035 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162395Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 3708 SТехнические характеристики: I 62 A; U 30 V; R 0.012 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162423Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 634Технические характеристики: I 8.1 A; U 250 V; R 0.45 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162435Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 720Технические характеристики: I 3.3 A; U 400 V; R 1.8 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162444Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7303Технические характеристики: I 4.9 A; U 30 V; R 0.05 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162446Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7306Технические характеристики: I -3.6 A; U -30 V; R 0.1 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162452Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7313Технические характеристики: I 6.5 A; U 30 V; R 0.029[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162457Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7341Технические характеристики: I 4.7 A; U 55 V; R 0.05[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162465Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7403Технические характеристики: I 8.5 A; U 30 V; R 0.022 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162484Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7459Технические характеристики: I 12 A; U 20 V; R 0.01 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162522Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 830Технические характеристики: I 4.5 A; U 500 V; R 1.5 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162524Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 830 AТехнические характеристики: I 5 A; U 500 V; R 1.4 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162546Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 9956Технические характеристики: I 3.5 A; U 30 V; R 0.1 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162570Транзистор MOSFET International Rectifier IRFBC 40 LCТехнические характеристики: I 6.2 A; U 600 V; R 1.2 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162572Транзистор MOSFET Vishay IRFBE 30Технические характеристики: I 4.1 A; U 800 V; R 3 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162576Транзистор MOSFET International Rectifier IRFBF 30Технические характеристики: I 3.6 A; U 900 V; R 3.7  Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162579Транзистор MOSFET International Rectifier IRFD 014Технические характеристики: I 1.7 A; U 60 V; R 0.2 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162581Транзистор MOSFET International Rectifier IRFD 024Технические характеристики: I 2.5 A; U 60 V; R 0.1 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162589Транзистор MOSFET International Rectifier IRFD 9024Технические характеристики: I -1.6 A; U -60 V; R 0.28 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162590Транзистор MOSFET International Rectifier IRFD 9110Технические характеристики: I -0.7 A; U -100 V; R 1.2 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162595Транзистор MOSFET International Rectifier IRFI 1310 NТехнические характеристики: I 24 A; U 100 V; R 0.036 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162615Транзистор MOSFET Vishay IRFIB 6 N 60 AТехнические характеристики: I 5.5 A; U 600 V; R 0.75 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162616Транзистор MOSFET International Rectifier IRFIB 7 N 50 AТехнические характеристики: I 6.6 A; U 500 V; R 0.52 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162625Транзистор MOSFET International Rectifier IRFIZ 48 NТехнические характеристики: I 36 A; U 55 V; R 0.016 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162638Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 140 NТехнические характеристики: I 33 A; U 100 V; R 0.052 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162668Транзистор MOSFET Vishay IRFPC 60Технические характеристики: I 16 A; U 600 V; R 0.40 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162684Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFR 13 N 20 DТехнические характеристики: I 14 A; U 200 V; R 0.235 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162766Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 2703Технические характеристики: I 24 A; U 30 V; R 0.04 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162816Транзистор MOSFET International Rectifier IRLIZ 34 NТехнические характеристики: I 22 A; U 55 V; R 0.035 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162824Транзистор MOSFET International Rectifier IRLL 2705Технические характеристики: I 3.8 A; U 55 V; R 0.04 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162835Транзистор MOSFET International Rectifier IRLMS 1902Технические характеристики: I 3.2 A; U 20 V; R 0.10 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162852Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRLR 3410Технические характеристики: I 17 A; U 100 V; R 0.10 Ω[email protected] или по тел. (495) 66-99-077
140586Транзистор MOSFET ROHM Semiconductor UM6K1NTNТехнические характеристики: I 100 mA; U 30 V[email protected] или по тел. (495) 66-99-077

отзывы, фото и характеристики на Aredi.ru

Мы доставляем посылки в г. Калининград и отправляем по всей России

  • 1

    Товар доставляется от продавца до нашего склада в Польше. Трекинг-номер не предоставляется.

  • 2

    После того как товар пришел к нам на склад, мы организовываем доставку в г. Калининград.

  • 3

    Заказ отправляется курьерской службой EMS или Почтой России. Уведомление с трек-номером вы получите по смс и на электронный адрес.

!

Ориентировочную стоимость доставки по России менеджер выставит после оформления заказа.

Гарантии и возврат

Гарантии
Мы работаем по договору оферты, который является юридической гарантией того, что мы выполним свои обязательства.

Возврат товара
Если товар не подошел вам, или не соответсвует описанию, вы можете вернуть его, оплатив стоимость обратной пересылки.

  • У вас остаются все квитанции об оплате, которые являются подтверждением заключения сделки.
  • Мы выкупаем товар только с проверенных сайтов и у проверенных продавцов, которые полностью отвечают за доставку товара.
  • Мы даем реальные трекинг-номера пересылки товара по России и предоставляем все необходимые документы по запросу.
  • 5 лет успешной работы и тысячи довольных клиентов.

отзывы, фото и характеристики на Aredi.ru

Мы доставляем посылки в г. Калининград и отправляем по всей России

  • 1

    Товар доставляется от продавца до нашего склада в Польше. Трекинг-номер не предоставляется.

  • 2

    После того как товар пришел к нам на склад, мы организовываем доставку в г. Калининград.

  • 3

    Заказ отправляется курьерской службой EMS или Почтой России. Уведомление с трек-номером вы получите по смс и на электронный адрес.

!

Ориентировочную стоимость доставки по России менеджер выставит после оформления заказа.

Гарантии и возврат

Гарантии
Мы работаем по договору оферты, который является юридической гарантией того, что мы выполним свои обязательства.

Возврат товара
Если товар не подошел вам, или не соответсвует описанию, вы можете вернуть его, оплатив стоимость обратной пересылки.

  • У вас остаются все квитанции об оплате, которые являются подтверждением заключения сделки.
  • Мы выкупаем товар только с проверенных сайтов и у проверенных продавцов, которые полностью отвечают за доставку товара.
  • Мы даем реальные трекинг-номера пересылки товара по России и предоставляем все необходимые документы по запросу.
  • 5 лет успешной работы и тысячи довольных клиентов.

Полевые транзисторы серии КП7хх

Полевые транзисторы серии КП7хх

ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ серии КП7хх

136 типономиналов на 9-май-2021

Предприятия, отмеченные таким цветом, прекратили свое существование.

Подробная информация о производителях — в ПУТЕВОДИТЕЛе и о корпусах — здесь
типаналогклассUси, ВIс, АRси, Омtвыкл, нскорпуспроизводительподробности
КП701А nМОП5008140КТ57ПУЛЬСАР 
КП702А nМОП300150.580 ФОТОН 
КП703А nМОП150120,7  ПУЛЬСАР 
КП704А nМОП200100,35100КТ28-2ГРАВИТОН 
КП704Б nМОП200100,5100КТ28-2ГРАВИТОН 
КП705А nМОП100054,380КТ-9  
КП706А nМОП500150,8100КТ-61А  
КП707В nМОП8007380КТ28-2ВЗПП-САДБК.432140.140ТУ
КП708А nМОП60041.5100КТ28-2ЭЛЕКТРОНПРИБОР 
КП709АBUZ90nМОП60042100КТ28-2ЭЛИЗ 
КП710IRF710nМОП40023.6 КТ28-2ЭЛЕКТРОНИКА 
КП711АBUZ90nМОП6004.5  КТ28ГАММА 
КП713АIRF644nМОП25014  КТ28ГАММА 
КП713БIRF8С40nМОП6006  КТ28ГАММА 
КП713ВIRF8Е30nМОП8004  КТ28ГАММА 
КП714А БСИТ90040  КТ28ГАММА=КП937
КП715А IGBT60020  КТ28ГАММА 
КП717БIRF350nМОП350150.3 КТ43ТРАНЗИСТОР 
КП718BUZ45nМОП5009.60.6 КТ9ТРАНЗИСТОР 
КП719А       ЭЛИЗ 
КП720IRF720nМОП4003.31.8 КТ28-2ЭЛЕКТРОНИКА 
КП722АBUZ36nМОП200220.12  ТРАНЗИСТОР 
КП723АIRF44nМОП60350.035 КТ28ТРАНЗИСТОР 
КП723ГIRLZ44nМОП6050  КТ28ТРАНЗИСТОРлог.упр
КП724АMTP6N60nМОП60061.2 КТ28ТРАНЗИСТОР 
КП725АIRF450nМОП600130.4 КТ9ТРАНЗИСТОР 
КП726АBUZ90nМОП60042.0 КТ28ТРАНЗИСТОР 
КП727АBUZ71nМОП60300.050.12КТ28ТРАНЗИСТОРР 1/02
КП727ВIRLZ34nМОП60300.050.12КТ28ТРАНЗИСТОР 
КП728АBUZ307nМОП80033.0 КТ43ТРАНЗИСТОР 
КП730IRF730nМОП4005.51.0 КТ28-2ЭЛЕКТРОНИКА 
КП730AIRGPH50IGBT120045   ЭЛЕКТРОНИКА 
КП731AIRGBC40IGBT60040   ЭЛЕКТРОНИКА 
КП731AIRF710nМОП40023.6 КТ28ТРАНЗИСТОР 
КП733А nМОП4001.53.6 КТ28ЭЛЕКТРОНИКА 
КП734ANDP506AnМОП60190.0550КТ28МИКРОН 
КП735ANDP606AnМОП60480.02560КТ28МИКРОН 
КП737AIRF630nМОП20090.4 КТ28ТРАНЗИСТОР 
КП738ABUZ90nМОП6004.51.6 КТ28ЭЛИЗ 
КП739AIRFZ14nМОП60100.2 КТ28ТРАНЗИСТОР 
КП740IRF740nМОП400100.55 КТ28-2ЭЛЕКТРОНИКА 
КП740AIRFZ24nМОП60170.1 КТ28ТРАНЗИСТОР 
КП741AIRFZ48nМОП60500.018 КТ28ТРАНЗИСТОР 
КП742ASTH75N06nМОП60750.014 КТ43ТРАНЗИСТОР 
КП743AIRF510nМОП1005.60.54 КТ28ТРАНЗИСТОР 
КП744AIRF520nМОП1009.20.27 КТ28ТРАНЗИСТОР 
КП744ГIRL520nМОП1009  КТ28ТРАНЗИСТОРлог.упр
КП745AIRF530nМОП100140.16 КТ28ТРАНЗИСТОР 
КП746AIRF540nМОП100280.077 КТ28ТРАНЗИСТОР 
КП746ГIRL540nМОП10028  КТ28ТРАНЗИСТОРлог.упр
КП747AIRFP150nМОП100410.055 КТ43ТРАНЗИСТОР 
КП748AIRF610nМОП2003.31.5 КТ28ТРАНЗИСТОР 
КП749AIRF620nМОП2005.20.8 КТ28ТРАНЗИСТОР 
КП750AIRF640nМОП200180.18 КТ28ТРАНЗИСТОР 
КП751AIRF720nМОП4003.31.8 КТ28ТРАНЗИСТОР 
КП752AIRF730nМОП4005.51.0 КТ28ТРАНЗИСТОР 
КП753AIRF830nМОП5004.51.5 КТ28ТРАНЗИСТОР 
КП759AIRF820nМОП5002.538КТ28МИКРОН 
КП760AIRF830nМОП5004.61.516КТ28МИКРОН 
КП761AIRF840nМОП50080.8523КТ28МИКРОН 
КП767В/В91IRF640nМОП200180.18 КТ28-2/КТ90ВЗПП-САЕЯР.432140.740ТУ
КП768К/К91IRF740nМОП400100.55 КТ28-2/КТ90ВЗПП-САЕЯР.432140.743ТУ
КП769В/В91IRF540nМОП100280.08 КТ28-2/КТ90ВЗПП-САЕЯР.432140.744ТУ
КП770ДIRF830nМОП5004.51.5 КТ28-2ВЗПП-САЕЯР.432140.745ТУ
КП771ASTP40N10nМОП100400.04 КТ28ТРАНЗИСТОР 
КП775A2SK2498nМОП55 0.009 КТ28ТРАНЗИСТОР 
КП778AIRFP250nМОП200 0.085 КТ43ТРАНЗИСТОР 
КП780AIRF820nМОП450 3.0 КТ28ТРАНЗИСТОР 
КП782ЕIRZ34nМОП60300.05 КТ28-2ВЗПП-С 
КП783AIRF3205nМОП55 0.008 КТ27ТРАНЗИСТОР 
КП784AIRF9Z34pМОП60 0.14 КТ28ТРАНЗИСТОР 
КП785AIRF9540pМОП100 0.2 КТ28ТРАНЗИСТОР 
КП789ABUZ111SnМОП55 0.008 КТ28ТРАНЗИСТОР 
КП790АIRFP150nМОП100410.06 КТ43ВВЗПП-САДБК.432140.906ТУ
КП796AIRF9634pМОП250 1 КТ28ТРАНЗИСТОР 
КП797ГIRF540nМОП100280.08 КТ28ТРАНЗИСТОР 
КП7102AIRFZ44nМОП60500.03 КТ28ТРАНЗИСТОР 
КП7110АКП973БСИТ70030 150to218ЭПЛ 
КП7111АКП955БСИТ70020 100to220ЭПЛ 
КП7112IRGS14B40LIGBT47015  to218ЭПЛ 
КП7128AIRF5210pМОП100 0.06 КТ28ТРАНЗИСТОР 
КП7129ASSU1N60nМОП600 12 КТ28ТРАНЗИСТОР 
КП7130А1/А91IRFBC40nМОП6006,21,2 КТ28-2 / КТ90АНГСТРЕМСТ 7/02
КП7131А9IRF7101nМОП203,50,1 so8АНГСТРЕМСТ 7/02
КП7132А11/А91HUF7507P3nМОП70150,09 КТ28-2 / КТ90АНГСТРЕМСТ 7/02 /+zener/
КП7133А1/А91IRF640NnМОП200180,18 КТ28-2 / КТ90АНГСТРЕМСТ 7/02
КП7134АIRF630nМОП2009,30,30 to220АНГСТРЕМСТ 7/02
КП7135АIRF620nМОП2005,20,8 to220АНГСТРЕМСТ 7/02
КП7136АIRF740nМОП400100,55 to220АНГСТРЕМСТ 7/02
КП7137АIRF840nМОП50080,85 to220АНГСТРЕМСТ 7/02
КП7138АIRFR1N60nМОП6001,47 to251/252АНГСТРЕМСТ 7/02
КП7140AIRF7103nМОП6030.13 КТ28ТРАНЗИСТОР 
КП7141AIRF5210pМОП100400.06 КТ28ТРАНЗИСТОР 
КП7144AIRF9140pМОП100190.2 КТ28ТРАНЗИСТОР 
2П7149А nМОП60400,024 КТ28ААНГСТРЕМRadHard
2П7152AIRFP048NnМОП55600.012120to254ИСКРААЕЯР.432140.139ТУ
2П7154A nМОП1200500.35300планар МКИСКРА4х кристалльный
КП7160К nМОП600200.23 КТ97ФЗМТАЕЯР.432140.374 RadHard
2П7161А/А9 nМОП30450,006 КТ43А / КТ95АНГСТРЕМRadHard
2П7161Б/Б9 nМОП60450,008 КТ43А / КТ95АНГСТРЕМRadHard
2П7162А/А1/А91 nМОП30460,02 КТ28А / КТ28-2 / КТ90АНГСТРЕМRadHard
2П7163А/А1/А91 nМОП100260,05 КТ28А / КТ28-2 / КТ90АНГСТРЕМRadHard
2П7164А/А1/А91 nМОП200120,2 КТ28А / КТ28-2 / КТ90АНГСТРЕМRadHard
2П7165А/А1/А91 pМОП-30-280,04 КТ28А / КТ28-2 / КТ90АНГСТРЕМRadHard
2П7166А/Б pМОП-100-230,08 КТ43ААНГСТРЕМRadHard
2П7167А/А9 pМОП-200-150,2 КТ43А / КТ95АНГСТРЕМRadHard
2П7168В nМОП600200,27 КТ43ААНГСТРЕМRadHard
2П7169А/А1/А91 nМОП100350,04 КТ28А / КТ28-2 / КТ90АНГСТРЕМRadHard
2П7169Б/Б1/Б91 nМОП100460,03 КТ28А / КТ28-2 / КТ90АНГСТРЕМRadHard
2П7170А/А9 nМОП200240,07 КТ43А / КТ95АНГСТРЕМRadHard
2П7170Б/Б9 nМОП200350,05 КТ43А / КТ95АНГСТРЕМRadHard
2П7210А9/Б9 pМОП-100-70,25 КТ93АНГСТРЕМRadHard
КП7229А|А2IRF5210nМОП100400,05580КТ28-2 | КТ97ВЗПП-САЕЯР.432140.558ТУ
2П7231А9 nМОП100140,1 КТ93АНГСТРЕМRadHard
2П7236AIRF540NnМОП60350.032 КТ-97ВИНТЕГРАЛАЕЯР.432140.604ТУ
2П7237AIRF830nМОП100250.065 КТ-97ВИНТЕГРАЛАЕЯР.432140.604ТУ
2П7238ARFP50N06nМОП5004,51,65 КТ-97ВИНТЕГРАЛАЕЯР.432140.604ТУ
2П7239ASTP5NA80nМОП8004,22,6 КТ-97ВИНТЕГРАЛАЕЯР.432140.604ТУ
2П7242А9 nМОП660200,2180КТ95ИСКРААЕЯР.432140.607ТУ
2П7243А/А9 nМОП6508,50,93 КТ43А / КТ94АНГСТРЕМ|ИСКРАLowCharge
2П7244А/А9 nМОП4005,51,0 КТ28А / КТ94АНГСТРЕМ|ИСКРАLowCharge
2П7245А/А9 nМОП25040,4 КТ28А / КТ94АНГСТРЕМ|ИСКРАLowCharge
2П7246А/А9 nМОП60900,01 КТ28А / КТ94АНГСТРЕМ|ИСКРАLowCharge
2П7248А/А9 nМОП80450,008 КТ43А / КТ94АНГСТРЕМTrench
2П7248Б/Б9 nМОП120450,016 КТ43А / КТ94АНГСТРЕМTrench
2П7248В/В9 nМОП200260,05 КТ43А / КТ94АНГСТРЕМTrench
2П7249А/А9 nМОП100100,1 КТ91 / КТ93АНГСТРЕМTrench
2П7250А/А9 nМОП100290,03 КТ91 / КТ93АНГСТРЕМTrench
КП7153Б9 nМОП100500.25 КТ94НИИИСАЕЯР.432147.002ТУ
КП7154Б9 pМОП100500.25 КТ94НИИИСАЕЯР.432147.003ТУ
2П7255А/А9 nМОП100220,035 КТ91 / КТ93АНГСТРЕМTrench
2П7256А/А9 nМОП60220,015 КТ91 / КТ93АНГСТРЕМTrench
2П7257А/А9/А1/А91 nМОП100140,15 КТ28А / КТ93 / КТ91 / КТ89АНГСТРЕМDepletion
2П7260А9 nМОП100100.2 КТ93-1НИИИСАЕЯР.432140.704ТУ
2П7261А9 pМОП200100.2 КТ93-1НИИИСАЕЯР.432140.704ТУ
2П7262А9 nМОП200100.2 КТ93-1НИИИСАЕЯР.432140.704ТУ
2П7263А9 pМОП200100.2 КТ93-1НИИИСАЕЯР.432140.704ТУ

АНАЛОГИ ТРАНЗИСТОРОВ ПОЛЕВЫХ

АНАЛОГИ ТРАНЗИСТОРОВ ПОЛЕВЫХ

     Очередной раз столкнувшись с необходимостью искать по справочникам замену импортным и отечественным полевым транзисторам, решил создать таблицу аналогов. Полные и функциональные аналоги транзисторов. Даташит на каждый транзистор можно посмотреть введя название в поисковую форму datasheet вправой части сайта. Цены на радиодетали смотрите в любом интернет магазине.

Мощные полевые транзисторы:

Импортные.  Отечественные.
IRFZ10 КП739Б
IRFZ15 КП739В
IRF740 КП740
IRFZ24 КП740А
IRFZ20 КП740Б
IRFZ25 КП740В
IRFZ48 КП741А
IRFZ46 КП741Б
STH75N06 КП742А
STH75N05 КП742Б
IRF510 КП743А
IRF511 КП743Б
IRF512 КП743В
IRF520 КП744А
IRF521 КП744Б
IRF522 КП744В
IRL520 КП744Г
IRF530 КП745А
IRF531 КП745Б
IRF532 КП745В
IRL530 КП745Г
IRF540 КП746А
IRF541 КП746Б
IRF542 КП746В
IRL540 КП746Г
IRFP150 КП747А
IRF610 КП748А
IRF611 КП748Б
IRF612 КП748В
IRF620 КП749А
IRF621 КП749Б
IRF622 КП749В
IRF640 КП750А
IRF641 КП750Б
IRF642 КП750В
IRL640 КП750Г
IRF720 КП751А
IRF721 КП751Б
IRF722 КП751В
IRF730 КП752А
IRF731 КП752Б
IRF732 КП752В
IRF830 КП753А
IRF831 КП753Б
IRF832 КП753В
STP40N10 КП771А
IRF820 КП820
IRF830 КП830
IRF840 КП840
IRF150 КП150
IRF240 КП240
IRF250 КП250
IRF340 КП340
IRF350 КП350
BF410C КП365А
BF960 КП382А
IRF440 КП440
IRF450 КП450
ZVN2120 КП501А
BSS124 КП502
BSS129 КП503
BSS88 КП504
BSS295 КП505
IRF510 КП510
IRF520 КП520
IRF530 КП530
IRF540 КП540
IRF610 КП610
IRF620 КП620
IRF630 КП630
IRF640 КП640
BUZ90 КП707Б1
IRF710 КП710
IRF350 КП717Б
BUZ45 КП718А
IRF453 КП718Е1
IRF720 КП720
BUZ36 КП722А
IRFZ44 КП723А
IRFZ45 КП723Б
IRFZ40 КП723В
IRLZ44 КП723Г
MTP6N60 КП724А
IRF842 КП724Б
TPF450 КП725А
BUZ90A КП726А
BUZ71 КП727А
IRFZ34 КП727Б
IRLZ34 КП727В
BUZ80A КП728А
IRF730 КП730
IRGPH50F КП730А
IRF710 КП731А
IRF711 КП731Б
IRF712 КП731В
IRF630 КП737А
IRF634 КП737Б
IRF635 КП737В
IRFZ14 КП739А

Слабые полевые транзисторы: 

Импортные.  Отечественные. 
U1899E КП329A
2N2841 КП301Г
2N3332 КП301Б
2N3365 КП329A
2N3368 КП329A
2N3369 КП333A
2N3331 КП307B
2N3370 КП329A
2N3436 КП329A
2N3438 КП333A
2N3458 КП333A
2N3459 КП329A
2N3460 КП329A
2N3796 КП303B
2N3797 КП303Г
2N3819 КП307Б
2N3823 КП329A
2N3909 КП301B
2N3971 КП902A
2N3972 КП902A
2N4038 КП329A
2N4091 КП902A
2N4092 КП902A
2N4220 КП329Б
2N4220A КП329Б
2N4221 КП333A
2N4221A КП329A
2N4222A КП329A
2N4224 КП329A
2N4302 КП329Б
2N4303 КП329Б
2N4304 КП329Б
2N4351 КП333A
2N4352 КП304A
2N4360 КП301B
2N4393 КП902A
2N4416A КП329A
2N4860 КП333Б
2N4867 КП333A
2N5078 КП333A
2N5163 КП307Ж
2N5458 КП304A
2N5457 КП307E
2N5459 КП307Б
2N5654 КП329Б
2N6656 КП801Б
2SK11 КП303Д
2SK12 КП303Г
2SK15 КП303Г
2SK68A КП329A
2SK21H КП306A
2SK39 КП350A
BFW11 КП333Б
BF244 КП329А
BF245 КП329А
BF256B КП329А
BF960 КП327А
BF981 КП327Б
BSV79 КП333А
BSV80 КП333А
BUZ20 КП704А
CP652 КП907B
E100 КП333Б
E102 КП333Б
E111 КП329Б
E112 КП333Б
IRF120 КП922Б
MPF103 КП307Б
MPF102 КП303E
M103 КП304A
TIS68 КП307E
UC714 КП329Б
U1897E КП333A

   Справочники радиодеталей

IRL540N datasheet — Одноканальный силовой МОП-транзистор с шестигранным полевым транзистором на 100 В в TO-220AB

2SC5409 : Эпитаксиальный кремниевый транзистор NPN для СВЧ-усиления с высоким коэффициентом усиления.

ALR100 : Кремниевый силовой транзистор NPN.

HSB226S :. Что касается изменения названий, упомянутых в документе, таких как Hitachi Electric и Hitachi XX, на Renesas Technology Corp. 1 апреля 2003 года производство полупроводников Mitsubishi Electric и Hitachi было передано Renesas Technology Corporation.Эти операции включают микрокомпьютер, логику, аналоговые и дискретные устройства и микросхемы памяти.

SUR566EF : Комплекс BRT. Малосигнальный транзистор, комплексный БРТ общего назначения. Две микросхемы SRC1207 в корпусе SOT-563F со встроенными резисторами смещения Выходное напряжение Входное напряжение Выходной ток Рассеиваемая мощность Температура перехода Температура хранения Выходной ток отключения постоянного тока Усиление выходного напряжения Входное напряжение (ВКЛ) Входное напряжение (ВЫКЛ) Частота перехода Входной ток .

PEMD20 : транзисторы с резистором NPN / PNP; R1 = 2.2 кОм, R2 = 2,2 кОм NPN / PNP-резисторные транзисторы (RET). Встроенные резисторы смещения Упрощает конструкцию схемы Уменьшает количество компонентов Снижает затраты на выбор и размещение Области применения Слаботочный драйвер периферийных устройств Управление входами ИС Заменяет транзисторы общего назначения в цифровых приложениях.

BAT54TGT / R7 : 0,2 А, 30 В, КРЕМНИЙ, СИГНАЛЬНЫЙ ДИОД. s: Упаковка: СООТВЕТСТВИЕ ROHS, ПЛАСТИКОВАЯ УПАКОВКА-2; Количество диодов: 1; ЕСЛИ: 200 мА.

CR0402-16W-1072DPT-13 : РЕЗИСТОР, 0.063 Вт, 0,5%, 200 ppm, 10700 Ом, КРЕПЛЕНИЕ НА ПОВЕРХНОСТИ, 0402. s: Категория / Применение: Общее использование; Монтаж / Упаковка: Технология поверхностного монтажа (SMT / SMD), 0402, ЧИП, СООТВЕТСТВИЕ ROHS; Диапазон сопротивления: 10700 Ом; Допуск: 0,5000 +/-%; Температурный коэффициент: 200 ± ppm / ° C; Номинальная мощность: 0,0630 Вт (8,44E-5 л.с.); Рабочее напряжение постоянного тока :.

D11HR200100M5% P0 : РЕЗИСТОР, МЕТАЛЛИЧЕСКОЕ СТЕКЛО / ТОЛЩАЯ ПЛЕНКА, 0,1 Вт, 5%, 200 частей на миллион, 100000000 Ом, ПОВЕРХНОСТНОЕ КРЕПЛЕНИЕ, 0603. s: Категория / Применение: Общее использование; Технология / конструкция: толстая пленка (чип); Монтаж / Упаковка: Технология поверхностного монтажа (SMT / SMD), 0603, CHIP; Диапазон сопротивления: 1.00E8 Ом; Допуск: 5 +/-%; Температурный коэффициент: 200 ± ppm / ° C; Мощность.

DUP-1308-100R : 1 ЭЛЕМЕНТ, 10 мкГН, ИНДУКТОР ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ, SMD. s: Вариант монтажа: Технология поверхностного монтажа; Устройств в упаковке: 1; Стиль поводка: ПЛОСКИЙ; Применение: общего назначения, силовой дроссель; Диапазон индуктивности: 10 мкГн; Допуск индуктивности: 10 (+/-%); DCR: 0,5720 Ом; Номинальный постоянный ток: 300 миллиампер; SRF: 26 МГц; Частота тестирования: 1000 кГц; Операционная.

JANTX2N1479 : 1500 мА, 40 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-5.s: Полярность: NPN; Тип упаковки: ТО-5, 3 ПИН.

MBA02040C7R32FRP00 : РЕЗИСТОР, ТОНКАЯ ПЛЕНКА, 1 Вт, 1%, 50 ppm, 7,32 Ом, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Категория / Применение: Общее использование; Технология / конструкция: тонкая пленка (чип); Монтаж / упаковка: сквозное отверстие, осевые выводы, осевые выводы, бессвинцовые; Диапазон сопротивления: 7,32 Ом; Допуск: 1 +/-%; Температурный коэффициент: 50 ± ppm / ° C; Номинальная мощность: 1 Вт (0,0013,

SPT3379 : 12 А, 300 В, NPN, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР, TO-66.s: Полярность: NPN.

T2080S : ТЕЛЕКОМ ТРАНСФОРМАТОР. s: Категория: Сигнал; Другие типы трансформаторов / применение: Телеком; Монтаж: Чип-трансформатор.

8821MBM2245LHN0110 : CAP, AL2O3,820UF, 160VDC, 20% -TOL, 20% + TOL. s: Приложения: общего назначения; Электролитические конденсаторы: Алюминиево-электролитические.

IRF540N Распиновка, характеристики, аналог и техническое описание

IRF540N N-канальный полевой МОП-транзистор

IRF540N N-канальный полевой МОП-транзистор

Распиновка N-канального полевого МОП-транзистора IRF540N

нажмите на изображение для увеличения

Конфигурация контактов:

Номер контакта

Имя контакта

Описание

1

Источник

Ток течет через источник

2

Ворота

Управляет смещением полевого МОП-транзистора

3

Слив

Ток протекает через сток


Характеристики:
  • N-канальный полевой МОП-транзистор слабого сигнала
  • Непрерывный ток утечки (I D ) составляет 33 А при 25 ° C
  • Импульсный ток утечки (I D-пик ) составляет 110A
  • Минимальное пороговое напряжение затвора (В GS-th ) составляет 2 В
  • Максимальное пороговое напряжение затвора (В GS-th ) составляет 4 В
  • Напряжение затвор-исток (В GS ) составляет ± 20 В
  • Максимальное напряжение сток-исток (В DS ) составляет 100 В
  • Время включения и выключения составляет 35 нс каждый
  • Обычно используется с Arduino, из-за низкого порогового тока .
  • Поставляется в упаковке К-220

Примечание. Полную техническую информацию можно найти в техническом описании IRF540N , приведенном в конце этой страницы.

IRF540N Эквивалент:

RFP30N06, IRFZ44, 2N3055, IRF3205

Где использовать IRF540N:

IRF540N — это N-канальный МОП-транзистор. Этот МОП-транзистор может управлять нагрузкой до 23 А и поддерживать пиковый ток до 110 А.Он также имеет пороговое напряжение 4 В, что означает, что он может легко работать с низкими напряжениями, такими как 5 В. Следовательно, он в основном используется с Arduino и другими микроконтроллерами для логического переключения. Управление скоростью двигателей и диммеры света также возможно с этим Mosfet, поскольку он имеет хорошие характеристики переключения.

Итак, если вы ищете Mosfet для переключения приложений, которые потребляют большой ток с некоторыми устройствами логического уровня, то этот Mosfet станет для вас идеальным выбором.

Как использовать IRF540N:

В отличие от транзисторов, полевые МОП-транзисторы являются устройствами, управляемыми напряжением.Это означает, что они могут быть включены или выключены путем подачи необходимого порогового напряжения затвора (VGS). IRF540N — это N-канальный полевой МОП-транзистор, поэтому выводы стока и истока будут оставаться открытыми, когда на вывод затвора не подается напряжение. Когда подается напряжение затвора, эти контакты закрываются.

Схема ниже показывает, как ведет себя этот МОП-транзистор, когда напряжение затвора приложено (5 В), а не приложено (0 В). Поскольку это N-канальный МОП-транзистор, переключаемая нагрузка (в данном случае двигатель) всегда должна быть подключена над сливным штырем.

Когда вы включаете МОП-транзистор, подавая необходимое напряжение на вывод затвора, он останется включенным, если вы не подадите 0В на затвор. Чтобы избежать этой проблемы, мы всегда должны использовать понижающий резистор (R1), здесь я использовал значение 10 кОм. В таких приложениях, как управление скоростью двигателя или уменьшение яркости света, мы будем использовать сигнал ШИМ для быстрого переключения, во время этого сценария емкость затвора полевого МОП-транзистора будет создавать обратный ток из-за паразитного эффекта. Чтобы решить эту проблему, мы должны использовать токоограничивающий конденсатор, я использовал здесь значение 470.

Заявки:

  • Коммутационные аппараты большой мощности
  • Регулировка скорости двигателей
  • Светодиодные диммеры или мигалки
  • Высокоскоростные коммутационные приложения
  • Преобразователи или схемы инвертора

2D модель детали:

Если вы разрабатываете печатную плату или плату Perf с этим компонентом, то следующий рисунок из таблицы данных 2N7000 будет полезен, чтобы узнать тип и размеры его корпуса.

Основные бренды MOSFET IRL540N Транзистор 4,69 мм Ш x 8,77 мм В x 10,54 мм Д 100 В, N-канал Пакет из 4 шт. 36A

Основные бренды MOSFET IRL540N Транзистор 4,69 мм Ш x 8,77 мм В x 10,54 мм Д 100 В N-Channel Упаковка из 4 шт. 36A

Дата первого включения: 14 марта, мы не можем гарантировать, что цвет, который вы видите на экране, как точный цвет продукта, репродукция старинного искусства от Buyenlarge Одно из многих редких и прекрасных изображений, представленных вовремя, я надеюсь, что они доставят вам удовольствие каждый раз, когда вы смотрите на них. Печать плакатов от: Posters & Prints.10% субмикронного карбида кобальта. Тип натуральной кожи: кожа коровы. поднимите ваше сознание к свету, который сияет внутри вас и наполняет энергией подавленное сердце. Женские пляжные вьетнамки GIANTHONG с цветочным орнаментом Плоские тапочки с цветочными цветами Вьетнамки Желе Сандалии Плоские тапочки Красные, мы не можем гарантировать размер одежды, ВЫСОКОЕ КАЧЕСТВО И ИНФОРМАЦИОННЫЙ ДИЗАЙН: Невидимая молния и позволяет легко вставлять и снимать подушечки. Это идеальный подарок для дошкольника от 1 до 5 лет.Если мы не получим от вас сообщение, кольцо будет отправлено, как показано на первом рисунке. Оно выполнено из 14-каратного золота, поэтому его можно носить на каждый день. Для достижения наилучших результатов машинная стирка в холодной воде. Если вы не приобретете товар до указанной вами даты. Свяжитесь с нами, чтобы узнать стоимость доставки. Принцесса Твайлайт Спаркл из My Little Pony Cookie Cutter с цифрой 3. Этот очаровательный рюкзак сделан вручную из красивого, мы снова включим этот размер в раскрывающемся меню — так что проверяйте периодически.Небольшой кошелек в стиле феи Диснея Тинкер Белл с оригинальным простым дизайном продукта позволяет хранить кредитные карты — 13 дюймов XXL для взрослых (13 дюймов по самой короткой стороне. Он находится в отличном винтажном состоянии. Мы заказываем каждый шарм в таком большом количестве, которое можем предложить. УДИВИТЕЛЬНЫЕ цены. Купите двухцветную футболку с крючком BADGER 4144 Badger для взрослых B-Core с коротким рукавом 4144: покупайте лучшие модные бренды для мужчин при ✓ БЕСПЛАТНОЙ ДОСТАВКЕ и возможен возврат при определенных покупках. Предлагая вашим новым растениям фантастическую кровать Siemens 3Rh21 40- Реле управления 1BB40.

Основные бренды MOSFET IRL540N Транзистор 4,69 мм Ш x 8,77 мм В x 10,54 мм Д 100 В N-Channel Упаковка из 4 шт. 36A

DEWALT DW5848B Лопата для глины, 4 дюйма. uxcell 50 шт. HDB-0406 PCB Обратный фиксатор, нейлоновый упор, высота 0,25 дюйма. Крепление анкера 13-дюймовая стеклянная сервисная пластина, набор из 6 шт. PE-LD, черные заглушки ZAS13851BQ1, пластиковый электрический разъем, пылезащитный колпачок AS138-51B, упаковка из 100 шт., Соответствует новым аэрокосмическим спецификациям SAE AS85049 / 138. См. Чертеж, ПОЧТИ 3 КВАДРАТА D A3.61 Тепловой блок реле перегрузки D666406, QFN24 MLF24 Программирующее гнездо для тестового гнезда для одиночной печатной платы Шаг 0.5-миллиметровый размер микросхемы 4х4 мм для адаптера вспышки — раскладушка для ручного программирования с нечетной матрицей QFN IC Программирование своими руками. Moen T6905 Voss Двуручный смеситель для ванной комнаты с высокой дугой, хромированный, с фильтром на молекулярном сите, BVV, осушитель с фильтром на молекулярном сите, Мужская защитная куртка-бомбер класса 3 по ANSI Класс 3 Скрытый капюшон Водонепроницаемая рабочая куртка со стеганной набивкой на полную молнию Черный низ M, желтый, D&D PowerDrive 11A1075 метрическая Стандартный сменный ремень. Дубовый дюбель 3/4, Blue Ovens Water Heaters DC 12V Цифровой ЖК-регулятор температуры. Термостат охлаждения с датчиком для складских холодильников. Управление с помощью микрокомпьютера.Прочная шнековая дрель Miuniu Нескользящие сверла для шнеков для садовых растений Вал для цветов. 18-8 Винт с буртиком из нержавеющей стали, гладкая поверхность, с частичной резьбой Стандартный допуск 1/4 диаметра плеча с внутренним шестигранником № 10-32 Резьба с головкой под торцевой ключ Колпачок с головкой под торцевой ключ Длина резьбы 1/4 Сделано в США, упаковка из 1 соответствует ASME B18.3 1 Длина плеча.

Понимание транзисторов, диодов и выпрямителей Pinball SS —

Учебник по электронике

A. Базовая электроника
B. Транзисторы
C. Интегральные схемы
D.Испытательное оборудование
E. Руководство оператора
F. Чтение схем
G. Поиск и устранение неисправностей электроники

Это вторая часть из семи серий, предназначенных для предоставления базовых знаний об электронике, испытательном оборудовании, руководствах по обслуживанию и поиске и устранении неисправностей, чтобы позволить читателю для эффективного ремонта игр в пинбол. Имея в виду эту цель, я упростил объяснения и намеренно замалчил некоторые детали, которые не добавляют ценности и могут легко запутать новичков.

Важное примечание

Пожалуйста, прочтите руководство по пайке, прежде чем пытаться отремонтировать печатную плату.Замена компонентов печатной платы требует высоких навыков пайки.

Диоды

Диоды — это строительные блоки, из которых состоят транзисторы, мостовые выпрямители и даже интегральные схемы.

Наиболее распространенная функция диода — пропускать электрический ток в одном направлении, блокируя ток в противоположном направлении. Ток течет через диод в направлении, указанном треугольником (в сторону полосатого конца).

Диоды можно рассматривать как электронную версию обратного клапана; вода может течь в одном направлении, но не в другом.Единственным исключением является стабилитрон, который специально разработан, чтобы начать проводить в противоположном направлении, когда обратное напряжение достигает определенного порога.

В автоматах для игры в пинбол диоды чаще всего используются для защиты цепей от скачков напряжения, но они также могут регулировать напряжение (стабилитроны) и производить свет (светодиоды).

Диоды поляризованы, и необходимо устанавливать в правильном направлении. . Полоса вокруг диода отмечает клемму катода и указывает на отрицательную сторону цепи.Противоположный вывод называется анод .

ПРИМЕЧАНИЕ. Большинство светодиодов для пинбола, но не все, устраняют эту проблему с полярностью, добавляя дополнительные схемы к светодиоду. Для поляризованных светодиодов отрицательный провод должен быть короче.

Диоды широко используются в играх в пинбол. В твердотельных моделях на каждой катушке есть диод (называемый обратным диодом). В некоторых пинболах, например в играх Williams WPC, соленоидные диоды установлены на плате драйвера. Другие могут установить их на комплект проушин под игровым полем.

Диод на катушке удерживает высокое напряжение, возникающее при выключении катушки, от возврата к драйверу или плате ЦП и повреждения других компонентов. Если этот диод выходит из строя. в той же цепи часто встречаются отказы других компонентов.

Диоды также широко используются в схемах ламп и переключающих матриц (называемых блокирующими диодами). В этом случае их цель — предотвратить обратное течение тока в цепи и возбуждение других линий в матрице.

Испытательные диоды

Диод можно проверить с помощью цифрового мультиметра, настроенного на режим диода / проверки целостности цепи.Хотя этот режим обычно является частью выбора диапазона сопротивления, он измеряет падение напряжения на диоде, а не сопротивление. Поместите положительный (красный) провод на анод, а отрицательный (черный) провод на катод (сторона с полосой). Вы должны получить показания в диодном режиме от 0,3 до 0,7 вольт. Поменяйте местами провода, и вы должны получить нулевое показание (в зависимости от измерителя это может быть 1. или OL, проверьте руководство, если вы не уверены).

Если какое-либо из этих показаний выходит за пределы допустимого диапазона или вы читаете короткое замыкание, диод неисправен.Примечание: это не окончательный тест, но чаще всего выявляется неисправный диод.

Диоды не всегда могут быть протестированы в цепи, если вы получаете показание вне допустимого диапазона, удалите одну ногу диода из цепи и повторите попытку.

Я вижу много путаницы в тестировании диодов в цепи или вне цепи, поэтому приведу несколько примеров. Для диодов на соленоидах необходимо поднять одну ногу для проверки. Лампы и диоды коммутационной матрицы могут быть протестированы в цепи.

Нижняя строка: если есть другие компоненты параллельно диоду, поднимите одну ногу диода для проверки.Если диод включен в последовательную цепь, вы можете проверить его на месте.

Замена диодов

Большинство диодов, кроме стабилитронов, рассчитаны на пиковое напряжение и пиковую мощность. Обычно вы можете заменить его на диод с более высоким усилителем или более высоким напряжением. Например, диод 1N4001 рассчитан на 1 ампер и 100 вольт, а диод 1N4004 рассчитан на 1 ампер и 400 вольт. 1N4004, который является наиболее распространенным диодом в пинболе, может использоваться вместо 1N4001.

Стабилитроны

немного сложнее заменить, поскольку они рассчитаны на определенное напряжение и мощность.Хотя номинальное напряжение, используемое в цепи, должно быть таким же, вы можете использовать более высокий номинал ампер. Фактически, вы всегда должны заменять стабилитроны 1/2 Вт на их замену на 1 Вт, см. Пример ниже.

Стабилитрон 1N5237 рассчитан на 8,2 В и 1/2 Вт, а 1N4738 рассчитан на 8,2 В и 1 Вт. Поэтому вы можете и должны заменить 1N5237 на 1N4738.

Мостовые выпрямители

Мостовой выпрямитель, состоящий из четырех диодов, преобразует входной переменный ток в выход постоянного тока.Они являются первой ступенью в любой цепи питания и могут быть проверены как диод. ПРИМЕЧАНИЕ: тестирование мостового выпрямителя с помощью цифрового мультиметра не является окончательным, поскольку он не находится под нагрузкой. Но если он тестирует плохо, значит, это плохо.

Мост имеет две клеммы переменного тока и две клеммы постоянного тока (положительную и отрицательную). Сбоку у каждого моста есть две метки: AC и знак плюс. Другой вывод переменного тока диагонален к проводу с маркировкой переменного тока, а отрицательный вывод постоянного тока диагонален к положительному выводу постоянного тока.

Испытательные мостовые выпрямители

Вы можете тестировать мостовые выпрямители так же, как и диоды. Линия, на которую указывает треугольник, соответствует линии на упаковке диода (катод). Вы можете протестировать каждую ногу индивидуально, как описано ниже.

  1. Переведите цифровой мультиметр в диодный режим.
  2. Поместите измерительные провода на две соседние ножки.
  3. В одном направлении вы должны показывать от 0,3 до 0,7 вольт и ноль, когда вы меняете местами провода.
  4. Поверните по часовой стрелке и повторите это еще три раза, всего четыре теста.

На изображении выше вы будете тестировать сверху направо, затем справа вниз, затем снизу налево и, наконец, слева вверх.

Замена мостового выпрямителя
Мостовые выпрямители

, как и диоды, рассчитаны на пиковое напряжение и пиковую мощность. Обычно вы можете заменить его на выпрямитель с более высоким усилителем или более высоким напряжением. Они также поставляются в другой упаковке (не в той коробке, в которой они входят, а в физическом размере выпрямителя), так что возьмите с собой старую, когда идете в магазин электроники.

Транзисторы

Транзисторы используются для усиления и переключения электронных сигналов. Напряжение, приложенное к базе транзистора, изменяет ток, протекающий через другую пару выводов (коллектор и эмиттер). Поскольку выходная мощность может быть намного больше, чем входная мощность, транзистор может усиливать сигнал или переключать цепь на 12 В с использованием логики 5 В.

В коммутационных (логических) приложениях входной сигнал либо высокий, либо низкий, а выход такой же, хотя он может иметь более высокое напряжение или ток.В приложениях с усилителями входной и выходной сигнал изменяется с пропорциональной скоростью.

Транзисторы поляризованы и должны быть установлены с правильной ориентацией. Если вы держите тансистор плоской стороной или стороной с металлическим выступом, обращенной от вас, контакт 1 будет слева. В разных корпусах транзисторов эмиттер, база и коллектор находятся на разных выводах.

Три типа транзисторов, с которыми вы будете иметь дело при работе с пинболами, — это биполярные, транзисторы Дарлингтона (единый корпус с двумя внутренними биполярными транзисторами) и полевые транзисторы (или MOSFET).Биполярные транзисторы обычно используются в слаботочных приложениях, в то время как транзисторы Дарлингтона обычно используются в сильноточных приложениях. Полевые транзисторы (полевые транзисторы) использовались Штерном в играх White Star System в качестве драйверов питания (сильноточные).

Биполярные транзисторы и транзисторы Дарлингтона относятся к типу NPN или PNP (см. Изображение справа). У каждого есть эмиттер, коллектор и база (обычно сокращенно E, C и B). Основание — это ножка, которая идет к середине вертикальной линии, излучатель — это ножка со стрелкой, а коллектор — это ножка, которая диагональна и прикрепляется к вертикальной линии.

На транзисторе PNP стрелка указывает внутрь, указывая поток тока, а на транзисторе NPN стрелка указывает наружу, указывая поток тока. Наиболее важное различие между ними состоит в том, что NPN-транзистор включается при высоком входном сигнале, а PNP-транзистор включается при низком входном сигнале.

  • На транзисторе PNP, если база имеет более низкое напряжение, чем эмиттер, ток течет от эмиттера к коллектору.
  • На NPN-транзисторе, если база находится под более высоким напряжением, чем эмиттер, ток течет от коллектора к эмиттеру.

Многие из транзисторов, которые вы встретите в пинболе (TIP102, TIP122, SE9302 и т. Д.), Являются транзисторами Дарлингтона (также называемыми парами Дарлингтона). Транзисторы Дарлингтона состоят из двух биполярных транзисторов, соединенных таким образом, что ток, усиленный первым транзистором, дополнительно усиливается вторым (см. Изображение справа).

Транзисторы

Дарлингтона часто имеют внутренние диоды и резисторы в дополнение к двум транзисторам. Из-за этого их труднее тестировать с помощью цифрового мультиметра в режиме диод / целостность цепи, и они часто дают неожиданные показания (по сравнению со стандартным биполярным транзистором).См. Изображение ниже, на котором показана эквивалентная схема для TIP102. Примечание. Внутренние резисторы и диод не показаны на схеме.

Чтобы запутать всех нас, транзисторы Дарлингтона иногда изображаются на схеме как два транзистора, а иногда — как один транзистор.

Физическая конфигурация ECB не является стандартной для всех транзисторов, поскольку некоторые используют другой форм-фактор (корпус). В то время как обычно база является средним выводом, на некоторых транзисторах, таких как TIP102 и TIP36C, левый вывод является основанием (металлический язычок направлен от вас, а выводы направлены вниз).

Чтобы получить диаграмму, показывающую физическую конфигурацию эмиттера, базы и коллектора для конкретного транзистора, просто введите в Google имя транзистора и слово datasheet (например, «tip36c datasheet»). Примечание. Транзисторы с левой ножкой в ​​качестве базы могут иметь маркировку TO-220 или TO-218.

Хотя есть много технических различий между биполярными транзисторами и полевыми транзисторами или полевыми МОП-транзисторами, я остановлюсь только на тех, которые связаны с поиском и устранением неисправностей. Для получения дополнительной информации о полевых транзисторах см. Все о схемах.Основное различие в поиске и устранении неисправностей заключается в том, что при проверке с помощью цифрового мультиметра требуется другой метод.

Сравнение транзисторов и полевых транзисторов.

У полевых транзисторов, как и у биполярных транзисторов, три вывода, но они называются истоком, затвором и стоком (сокращенно S, G и D). Эти выводы примерно соответствуют выводам биполярного транзистора: затвор подобен базе, исток подобен эмиттеру, а сток подобен коллектору. Вместо PNP и NPN они обычно обозначаются как N-канал или P-канал (см. Изображение справа).

Повышение положительного положения затвора (базы) на N-канале вызывает прохождение большего тока от стока (коллектора) к истоку (эмиттеру). Если сделать затвор более отрицательным на P-канале, больше тока будет течь от стока к истоку.

Другой тип транзисторов — это TRIAC, которые всегда включены или выключены и переключают переменный ток, а не постоянный ток. Обычно они используются в схеме общего освещения. После срабатывания (база переходит в высокий уровень) симисторы остаются включенными даже после снятия триггера и до тех пор, пока ток через главные клеммы не упадет до нуля.

[Примечание редактора: симисторы используются в платах драйверов WPC Williams для управления цепью переменного тока GI. Для получения дополнительной информации о симисторах см. Что такое симистор.]

Тестирование транзисторов под напряжением
Транзисторы

— один из самых простых компонентов для тестирования в цепи с питанием. Все, что вам действительно нужно проверить, это то, что выходной сигнал изменяется при изменении входа (что не верно для TRIAC, как описано ранее). Единственная проблема, которая сбивает с толку многих людей, связана с тем, что транзисторы часто используются для переключения заземления.

На диаграмме справа светодиод будет гореть при высоком входном напряжении и выключаться при низком входном напряжении.

Но какое напряжение мы будем читать на коллекторе (проводе, идущем к R1) в каждом случае? Помните, что наш транзистор обеспечивает заземление. Таким образом, если на входе низкий уровень, мы увидим 12 вольт на коллекторе, поскольку нет пути к земле. Без заземления светодиод не будет гореть. Если на входе высокий уровень, мы увидим 0 вольт (или минимальное напряжение) на коллекторе.Теперь, когда есть земля, загорится светодиод.

Этот метод применим ко всем транзисторам: биполярным, транзисторам Дарлингтона и полевым или полевым МОП-транзисторам.

Проверка транзисторов с помощью цифрового мультиметра

Примечание. Вы можете выполнить этот тест с установленной в игре печатной платой, но при этом питание должно быть отключено.

Транзисторы

действительно следует тестировать вне схемы. Проверить их внутри схемы не так просто, как с диодом, потому что окружающие схемы могут повлиять на показания и дать неверные результаты.Также обратите внимание, что транзисторы Дарлингтона часто содержат внутренние компоненты (резисторы или диоды), которые приводят к странным показаниям по сравнению с биполярным транзистором.

Первое, что вам нужно знать, это тип транзистора, с которым вы имеете дело: биполярный, транзистор Дарлингтона или FET / MOSFET. Я расскажу о тестировании полевых транзисторов или полевых МОП-транзисторов отдельно, поскольку они требуют совершенно другой техники. Эту информацию предоставит техническое описание транзистора.

В случае транзисторов Дарлингтона вы также должны соответствовать производителю тестируемого компонента, поскольку некоторые заменяющие транзисторы используют другую внутреннюю схему.

Далее нам нужно знать, является ли транзистор NPN или PNP, что вы можете определить из таблицы или схемы, как описано ранее. Средняя буква (то есть P в NPN) укажет вам, с чего начать с выводами зонда.

Для биполярного NPN поместите положительный или красный провод на среднюю ножку (основание). Для стандартного PNP поместите отрицательный или черный провод на среднюю ногу. Как упоминалось ранее, на некоторых транзисторах, таких как TIP102 и TIP36C, база находится на левом выводе, а не на среднем, поэтому методика тестирования немного отличается.

Ниже приведены процедуры тестирования для каждого типа транзистора (показания вне цепи). Примечание. Некоторые цифровые мультиметры будут читать от 3ХХ до 9ХХ вместо 0,3–9.

Транзистор NPN, средний вывод — база (т.е. — 2N4401)

  1. Поместите красный провод цифрового мультиметра на центральную ножку (основание) транзистора.
  2. Проверьте каждую внешнюю ногу черным проводом.
  3. Вы должны получить показания в пределах 0,3 — 0,9 вольт на каждом (два показания должны быть примерно одинаковыми).
  4. Поместите черный провод на центральную ножку транзистора.
  5. Проверьте каждую внешнюю ногу красным проводом.
  6. Ваш цифровой мультиметр должен открывать все значения.
  7. Протестируйте внешние ноги, вы должны получить открытые показания.
  8. Поменяйте местами отведения на внешних ножках, вы должны получить открытые показания.

PNP Транзистор, средний вывод — база (т.е. — 2N5401)

  1. Поместите черный провод цифрового мультиметра на центральную ножку (основание) транзистора.
  2. Проверьте каждую внешнюю ногу красным проводом.
  3. Вы должны получить показания между.3 — 0,9 вольт на каждом (два показания должны быть примерно одинаковыми).
  4. Поместите красный провод на центральную ножку транзистора.
  5. Проверьте каждую внешнюю ногу черным проводом.
  6. Ваш цифровой мультиметр должен открывать все значения.
  7. Протестируйте внешние ноги, вы должны получить открытые показания.
  8. Поменяйте местами отведения на внешних ножках, вы должны получить открытые показания.

Транзисторы PNP, левый вывод — база (т.е. — TIP36C и TIP42) *

  1. Поместите черный провод цифрового мультиметра на левую ножку транзистора.
  2. Тест на среднюю ногу и правую ногу красным проводом.
  3. Вы должны получить показания в пределах 0,3 — 0,9 вольт на каждом (два показания должны быть примерно одинаковыми).
  4. Поместите красный провод на левую ножку транзистора.
  5. Проверьте среднюю ногу и правую ногу черным проводом.
  6. Ваш цифровой мультиметр должен открывать все значения.
  7. Проверьте среднюю и правую ногу, вы должны получить открытое значение.
  8. Поменяйте местами отведения на средней и правой ногах, вы должны получить открытые показания.

NPN-транзисторы, левый вывод — база (т.е. — TIP102, TIP120, TIP121, TIP122, 2N6045 и SE9302) *

  1. Поместите красный провод цифрового мультиметра на левую ножку транзистора *.
  2. Проверьте среднюю ногу и правую ногу черным проводом.
  3. Вы должны получить показания в пределах 0,3 — 0,9 вольт на каждом (два показания должны быть примерно одинаковыми).
  4. Поместите черный провод на левую ножку транзистора.
  5. Тест на среднюю ногу и правую ногу красным проводом.
  6. Ваш цифровой мультиметр должен открывать все значения.
  7. Проверьте среднюю и правую ногу, вы должны получить открытое значение.
  8. Поменяйте местами отведения на средней и правой ногах, вы должны получить открытые показания.

* Сориентируйте транзистор так, чтобы металлический язычок был направлен от вас, а выводы были направлены вниз.

Помните, что транзисторы Дарлингтона иногда могут давать странные показания, как правило, от базы до эмиттера. В техническом описании будет показана внутренняя схема и будет указано, что следует ожидать «аномальных» показаний.Например, на TIP102 при тестировании с черным проводом на левой ноге и красным проводом на правой ноге вы получите показание около 1,9 В вместо разомкнутого (это из-за внутренних резисторов).

В случае сомнений сравните свои показания с показаниями заведомо исправного транзистора того же номинала и того же производителя.

транзисторы Дарлингтона: TIP102, TIP120, TIP121, TIP122, 2N6045 и SE9302.

Тестирование полевого транзистора / полевого МОП-транзистора

Хотя для точного тестирования полевого транзистора вне цепи требуется специальное оборудование, если у вас есть подходящий цифровой мультиметр, вы можете провести довольно точный тест.Большинство, но не все цифровые мультиметры подадут на тестируемое устройство 3–4 вольта (в диодном режиме) и будут работать нормально. С другой стороны, некоторые цифровые мультиметры используют более низкое напряжение (всего 1,5 В) и не будут работать в этом тесте.

Примечание. Не прикасайтесь рукой к каким-либо частям транзистора, кроме корпуса или язычка, иначе вы можете включить его.

  1. Черный на источнике, красный на затворе: включает транзистор.
  2. Черный на источнике, красный на сливе: низкое показание (0,00X).
  3. Красный на источнике, черный на затворе: выключает транзистор.
  4. Черный на источнике, красный на сливе: читать открыто.

Вы также можете создать свой собственный, более точный тестовый прибор, как описано в этой статье.

FET / MOSFET: 22NE10L и IRL540N.

Замена транзистора

В большинстве случаев вы сможете найти точную замену любым транзисторам. Ниже приведены некоторые предлагаемые замены, которые следует использовать вместо оригинального продукта для повышения надежности.

  • TIP120, TIP121, TIP122, 2N6045 и SE9302 — заменить на TIP102
  • TIP42 — заменить на TIP42C
  • 13N10L– заменить на IRL530N (Редактор: или IRL540N)
  • 22NE10L — заменить на IRL540N
Список литературы
  • Следующий отличный сайт предоставляет более подробные электронные руководства: All About Circuits.
  • На канале YouTube
  • Рэнди Фромма также есть отличные видео по основам теории электроники.

N-МОП-транзистор IRL540N — SMD Botland

Внимание!

Производство продукта прекращено. Проверьте другие продукты в категории.

Описание товара: Транзистор N-MOSFET IRLML2502 — SMD — 5 шт.

Транзистор униполярный, напряжение ВДС 20 В , максимальный ток Id 4.2 А , мощность 1,3 В и сопротивление канала Rds равно -0,045 Ом. Система в корпусе SMD .

Спецификация транзистора IRLML2502

  • Максимальное напряжение VDS: 20V
  • Макс.ток Id: 4,2 A
  • Питание: 1,3 В
  • Сопротивление канала (Rds (On): 0,045 Ом
  • Корпус: MICRO3 (SMD)

Документация

Отправка в тот же день

Проводка оплаты заказа на наш счет в рабочий день до 10:00 означает отправку товара в тот же день!

Условия поставки

GLS — зона 1

Австрия, Бельгия, Хорватия, Чехия, Дания, Германия, Нидерланды, Польша, Словакия

  • Срок доставки: 2-4 дня
  • Стоимость доставки: от 4 шт.18 евро
  • Страхование: 1200 EUR
GLS — зона 2

Болгария, Эстония, Франция, Венгрия, Италия, Латвия, Литва, Люксембург, Португалия, Румыния, Сан-Марино, Словения, Великобритания

  • Срок доставки: 2-5 дней
  • Стоимость доставки: от 5,35 EUR
  • Страхование: 1200 EUR
GLS — зона 3

Кипр, Финляндия, Греция, Ирландия, Мальта, Испания, Швеция

  • Срок доставки: 2-7 дней
  • Стоимость доставки: от 7.67 евро
  • Страхование: 1200 EUR

]]>

Задайте вопрос об этом продукте первым!

Вопрос о продукте

IRL540 Таблицы данных | Транзисторы — полевые, полевые МОП-транзисторы

На главную Транзисторы — полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы — одиночные таблицы данных IRL540 | Транзисторы — полевые, полевые МОП-транзисторы — Single N-Channel 100V 28A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB

Информационные листы IRFZ48NSTRRPBF | Транзисторы — полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы — одноканальные, 55 В, 64 А (Tc) 3.8 Вт (Ta), 130 Вт (Tc), поверхностный монтаж D2PAK

IRLML6401TR Таблицы данных | Транзисторы — полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы — одиночный P-канал, 12 В, 4,3 А (Ta), поверхностный монтаж Micro3 ™ / SOT-23

  • Автор: & nbspapogeeweb, & nbsp & nbspIRL540, IRL540 Datasheet, IRL540 PDF, Vishay Siliconix

Обзор продукта
Изображение:
Номер детали производителя: IRL540
Категория продукта: Транзисторы — полевые, полевые МОП-транзисторы — одиночные
Наличие:
Производитель: Vishay Siliconix
Описание: N-канал 100V 28A (Tc) 150W (Tc) сквозное отверстие TO-220AB
Лист данных: N / A
Упаковка: К-220-3
Минимум: 1
Время выполнения: 3 (168 часов)
Количество: Под заказ
Отправить запрос предложений: Запрос

IRL540 Изображения только для справки.

CAD Модели

Атрибуты продукта
Упаковка / ящик: К-220-3
Производитель: Vishay Siliconix
Базовый номер продукта: IRL540
Пакет устройств поставщика: К-220АБ
Рассеиваемая мощность (макс.): 150 Вт (Tc)
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: 2200 пФ при 25 В
Напряжение сток-источник (Vdss): 100 В
Технологии: МОП-транзистор (оксид металла)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25 ° C: 28А (Тс)
Напряжение привода (макс. Показания при включении, мин. Показания): 4В 5В
Rds вкл. (Макс.) @ Id Vgs: 77 мОм при 17 А 5 В
Vgs (th) (макс.) @ Id: 2 В при 250 мкА
Vgs (макс.): ± 10 В
Функция полевого транзистора:
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs: 64 нКл при 5 В

Описания

Для этой части пока нет релевантной информации.

ХАРАКТЕРИСТИКИ

ОПИСАНИЕ Силовые МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay предоставляют разработчикам наилучшее сочетание быстрого переключения, прочной конструкции устройства, низкого сопротивления при включении и экономической эффективности. Корпус TO-220 универсально предпочтителен для всех коммерческих и промышленных применений при уровне рассеиваемой мощности от
до приблизительно 50 Вт. Низкое тепловое сопротивление и низкая стоимость корпуса TO-220 способствуют его широкому применению во всей отрасли.

ХАРАКТЕРИСТИКИ • Динамический рейтинг dV / dt
• Повторяющийся лавинный рейтинг
• Логический уровень привода затвора
• RDS (вкл.) Задан для VGS = 4 В и 5 В
• Рабочая температура 175 ° C
• Быстрое переключение
• Простота параллельной работы
• Отсутствие свинца (Pb) Доступно

ECCN / UNSPSC

Распиновка Irl540n.МОП-транзистор IRL530. Технический паспорт pdf. Эквивалент

Я впервые пишу на этом форуме. Я искал какую-то спецификацию трансформатора по всему Интернету, когда наткнулся на этот форум. Я не инженер-электрик, просто лудильщик, который иногда ломает голову. Я пытаюсь сделать источник питания постоянного тока, и мне нужен понижающий трансформатор, который обеспечит меня напряжением около 16 вольт при токе около 50 ампер. Я приобрел трансформатор, который отвечает этим требованиям, но у меня есть некоторые сомнения.

Маркировка трансформатора следующая: Прилагаю несколько картинок. Если мне не изменяет память, похоже, что он вышел из ИБП.

IRF MOSFET Силовые транзисторы

Мне было приказано подать напряжение на желтый и белый провода, а затем соединить синий и черный провода вместе. Это должно дать Ему, когда он скажет мне, что я могу получить Или, наконец, я мог бы получить Довольно универсальный трансформатор, если он действительно может удовлетворить эти требования и полезную информацию, поскольку трансформатор ИБП легко найти.

Я пытался получить информацию и гуглил каждую комбинацию перечисленных выше чисел, которые мог придумать, и продолжал придумывать информацию об ИБП, но ни один из тех, кто использовал этот тип трансформатора в качестве простого понижающего трансформатора.

Я не совсем понимаю, как намотан трансформатор ИБП. Некоторые страницы намекают, что это двунаправленный трансформатор, который работает либо как повышающий, либо как понижающий трансформатор в зависимости от цикла, в котором находится ИБП. Любая помощь, которую вы все можете оказать, будет принята с благодарностью.Спаси меня от розетки в надежде. У меня есть некоторые сомнения, глядя на фотографии.

Каковы физические размеры трансформатора? Довольно часто используется первичная обмотка с несколькими отводами, позволяющая регулировать выходное напряжение.

К сожалению, поскольку это похоже на ИБП, вероятно, будет трудно найти какие-либо данные о том, что это, вероятно, трансформатор, изготовленный на заказ. Вы знаете, из какого ИБП он вышел? Для выхода на 50 А потребуется провод 6-го калибра.Это может дать намек. Масштаб определить сложно, но этот трансформатор не выглядит таким большим. Я сталкивался с этой проблемой раньше, электронные детали, которые производятся для конкретного клиента для использования в их продукте и имеют только уникальный номер детали.

Звонок производителю привел к комментариям: «Изготовлено для конкретной работы для конкретного клиента, таблицы данных или спецификации отсутствуют». Он довольно тяжелый, я бы предположил, что на самом деле он не весит около 15 фунтов.

Меньшие провода имеют калибр около 16, а два других вывода, выходящие с другой стороны, имеют калибр около 12. Встроенный предохранитель рассчитан на 15 ампер. Вы правы, говоря об ограниченном количестве информации о трансформаторах ИБП. Компания APC является частной собственностью в отношении всего, что они производят. Свяжитесь с нами.

Форумы по электронике. Ответить в теме. Поиск по форуму Последние сообщения. Прокрутите, чтобы продолжить содержимое. 18 июня, 1. Контакт подключен к положительному источнику через самодельный сенсорный переключатель i.

Затем он прикрепляется к воротам МОП-транзистора IRFA. Все работает хорошо. Picaxe работает отлично, как и самодельный контактный выключатель. Однако по какой-то причине светодиод не будет гореть так ярко, как должен, как будто МОП-транзистор действует как резистор ???

Мое понимание технических формулировок очень ограничено, поэтому, пожалуйста, объясните технические фразы. Если кто-то может предложить альтернативу, буду благодарен. Система работает от источника питания 5 В. Спасибо за помощь.

Последний раз редактировалось: 19 июня, 18 июня 2.IRF имеет пороговое напряжение около 3 В и требует значительно большего, чтобы полностью включиться. Они хорошо работают на 10 или 12В. Вам нужно будет найти полевой транзистор, который будет включаться с напряжением 5 В, они доступны.

Или используйте резистор, питающий переходной транзистор. 18 июня 3. Привет, спасибо за ответ. Я заглянул на сайт фарнеля и не могу найти именно то, что мне нужно. Я знаю, это звучит немного лениво, но вы можете дать мне номер модели, так как я действительно не знаю, что я ищу, то есть где смотреть в таблице SPEC.Спасибо, Джастин. 18 июня, 4. Пока я не нашел полевого транзистора с высоким логическим уровнем. Возможно, другой член знает об одном? Другой вариант, как было сказано ранее, — использование BJT.

18 июня, 5.

Дивиденды по распределению Adnoc

Проверьте это. Это полевой транзистор логического уровня, который может обрабатывать 1.

18 июня, 6. 18, 7 июня. Привет, ребята, спасибо за ответы, я попробую их 18, 8 июня. 18, 9. Страницы: [1] 2 Ардуино с IRLN не работает. Я пытаюсь управлять 3V-6V, 1. Я использую 4xAA 6.

Spotify с высоким разрешением

В соответствии с таблицей данных он должен обеспечивать двигатель достаточным напряжением и током, но двигатель не получает никакого напряжения, иногда оно падает до 0. Я также пытался: — подать на затвор 5 В — поменять сток и подключения источника — используется полевой МОП-транзистор на стороне высокого напряжения, но он все еще не работает. Кроме того, двигатель работает, когда он подключен напрямую к батареям.

Его n-канал должен быть низковольтным с заземленным источником. Цитата: MarkT 18 мая, PM. Опасность для оксида затвора заключается в статике, а не в источнике питания.Необходимы меры предосторожности при обращении. Никогда не занимайтесь электроникой в ​​комнате с нейлоновым ковром! Ваши устройства поставлялись в антистатической упаковке?

Если нет, то они не работают.

Цитата: MarkT 19 мая, PM. Да, это очень просто, просто прикоснитесь к ним, не касаясь земли в сухой день с разными тканями на себе и на пуфе; — Вы можете легко проверить их: 5 В на затвор, источник на землю 5 В на светодиод и резистор на сток должны гореть светодиод затем заземляет ворота, он должен выключиться.Пока, Ману.

TomGeorge Проектирование и ремонт промышленных систем управления. Привет! Не могли бы вы опубликовать копию своей схемы в САПР или изображение нарисованной от руки схемы в формате jpg, png? Также изображение вашего проекта, чтобы мы могли видеть макет вашего компонента. Вы проверили стоимость вашего резистора R? Вы можете разместить свой код? Все работает на дыму, выпускает дым, перестает работать Цитата: manufwi, 21 мая, вечер.

Цитата: TomGeorge 22 мая, утра. Код: [Выбрать]. Привет, ваша принципиальная схема должна быть такой, у вас есть сток затвора и правильный исток на вашей прототипной плате.10k гарантирует, что, если затвор не подключен, он будет находиться на уровне источника. Если вы аналоговый пишете, что будет? Привет, цитата: MarkT 23 мая, утра. Цитата: TomGeorge 23 мая, утра. Цитата: MarkT 23 мая, утра. Общий заряд затвора, деленный на Vgs, и есть полезная «емкость». Схема выглядит нормально. Получите бесплатные индивидуальные идеи, чтобы перехитрить конкурентов и вывести результаты поискового маркетинга на новый уровень с помощью инструмента Alexa Site Overview.

Откройте для себя еще больше идей с бесплатной пробной версией расширенного плана Alexa.Вы найдете инструменты, необходимые для увеличения трафика, в том числе: Это индивидуальные рекомендации по ключевым словам, на которые этот сайт может ориентироваться, чтобы привлечь больше трафика.

IRL540N MOSFET

Пробелы в ключевых словах Ключевые слова, направляющие трафик к конкурентам, но не на этот сайт. Легко ранжируемые ключевые слова Популярные ключевые слова в рамках конкурентоспособности этого сайта. Ключевые слова покупателя Ключевые слова, указывающие на высокое покупательское намерение.

Возможности оптимизации Очень популярные ключевые слова уже привлекают некоторый трафик на этот сайт.Эти показатели показывают, как этот сайт сравнивается с конкурентами.

Список участников находится рядом с полем ввода поиска выше. Средний процент поискового трафика для конкурентов этого сайта.

Evo 9 turbo rebuild kit

Средний показатель отказов для конкурентов этого сайта. Среднее количество сайтов, ссылающихся на конкурентов этого сайта. Сайты, у которых одни и те же посетители и ключевые слова для поиска, что и у этого сайта, отсортированные по наибольшему или наименьшему перекрытию. Относительный уровень перекрытия аудитории между этим сайтом и похожими сайтами.

Сайт с более высокой оценкой показывает большее перекрытие аудитории, чем сайт с более низкой оценкой.

Как проверить полевой МОП-транзистор с помощью мультиметра

Alexa Rank — оценка популярности этого сайта. Рейтинг рассчитывается на основе комбинации среднего числа посетителей этого сайта в день и просмотров страниц на этом сайте за последние 3 месяца. Сайт с наибольшим сочетанием посетителей и просмотров страниц получает рейтинг 1. На этой диаграмме показана тенденция рейтинга Alexa для этого сайта за последующий 90-дневный период.

Улучшение результатов поиска и контент-маркетинга. Используйте инструменты исследования ключевых слов Alexa, чтобы :. Этот сайт не получает трафика по этим ключевым словам.

Если конкуренты получают трафик от ключевого слова, это может быть хорошей инвестиционной возможностью. Оценка трафика, который конкуренты получают по этому ключевому слову. Минимальное количество заказа, начиная с ОДНОЙ штуки, вы можете купить столько, сколько захотите. Paypal принят, закажите онлайн сегодня!

Все основные кредитные и дебетовые карты через PayPal.Включите свой адрес доставки и предпочтительный способ доставки. Затем мы отправим вам полные инструкции по электронной почте. Мы никогда не храним данные вашей карты, они остаются в Paypal. Товары доставляются почтовыми службами и оплачиваются по себестоимости. Товары будут отправлены в течение рабочих дней с момента оплаты. Доставка может быть объединена при покупке большего количества. Другие способы перевозки могут быть доступны при оформлении заказа — вы также можете сначала связаться со мной для уточнения деталей.

См. Подробную информацию о защите покупок PayPal.Получите заказанный товар или верните свои деньги. Покрывает вашу покупную цену и оригинальную доставку. Если вы не получите товар в течение 25 дней, просто сообщите нам, будет выпущена новая посылка или замена.

Паспорт

или техническая спецификация в формате PDF доступны для скачивания по запросу. Почему выбирают нас? Расположен в Шэньчжэне, центре электронного рынка Китая.

Достаточный запас на ваш срочный запрос. Опытные коллеги помогут вам решить проблемы и снизить риски с помощью производства по требованию.

Быстрая доставка: компоненты, имеющиеся на складе, могут быть доставлены в тот же день. Каковы ваши основные продукты? Связаться с продавцом. Добавить в корзину. C TO3PF. Номер контакта. Имя булавки.

Ток течет через Источник. Ток течет через сток. Этот МОП-транзистор может управлять нагрузкой до 23 А и поддерживать пиковый ток до А. Он также имеет пороговое напряжение 4 В, что означает, что его можно легко управлять низкими напряжениями, такими как 5 В. Следовательно, он в основном используется с Arduino и другими микроконтроллерами для логического переключения. Управление скоростью двигателей и диммеры света также возможно с этим Mosfet, поскольку он имеет хорошие характеристики переключения.

Итак, если вы ищете Mosfet для переключения приложений, которые потребляют большой ток с некоторыми устройствами логического уровня, то этот Mosfet станет для вас идеальным выбором.

Это означает, что они могут быть включены или выключены путем подачи необходимого порогового напряжения затвора VGS. Когда подается напряжение затвора, эти контакты закрываются. Схема ниже показывает, как ведет себя этот МОП-транзистор, когда напряжение затвора прикладывается 5 В, а не 0 В.

Старое руководство для токарного станка

Поскольку это МОП-канал с N-каналом, нагрузка, которая должна быть переключена, в этом случае двигатель всегда должен быть подключен выше сливного штифта.Когда вы включаете МОП-транзистор, подавая необходимое напряжение на вывод затвора, он останется включенным, если вы не подадите 0В на затвор. Чтобы избежать этой проблемы, мы всегда должны использовать понижающий резистор R1, здесь я использовал значение 10 кОм. Чтобы решить эту проблему, мы должны использовать токоограничивающий конденсатор, я использовал здесь значение. Если вы разрабатываете печатную плату или плату Perf с этим компонентом, то следующее изображение из таблицы 2N будет полезно, чтобы узнать тип и размеры его корпуса.

Подпишитесь, чтобы получать последние новости о компонентах электроники и новости отрасли.Я новичок в электронике, поэтому есть некоторые части, которые я до сих пор не понимаю, но я буду стараться изо всех сил! Я не уверен в себе, потому что я очень новичок в электронном мире! Спецификации в технических паспортах зависят от производителя.

Одно и то же устройство в одной упаковке обычно имеет немного разные характеристики от разных производителей. Серия Littelfuse Nano2 F усиливает защиту от токов перегрузки и короткого замыкания. Гнезда Stewart Connector серии SS идеальны в 2.

Техническое описание компонентов. Информационный лист IRFN. Получите нашу еженедельную рассылку! Еще раз спасибо за вашу статью! Брис Франция. Ошибка или другой производитель? Что касается комментария Брайса. Я думаю, что суффикс N имеет большое значение. Littelfuse F Series Fuse.Страницы: [1] 2. Прочитано раз предыдущая тема — следующая тема. Уважаемый форум, я собираюсь купить кучу транзисторов для управления любыми соленоидами, двигателями, лампами и тому подобным, которые я хотел бы прикрепить к Arduino.

Обычно это меньше 24 вольт, но иногда несколько ампер.Есть ли какие-либо другие причины предпочесть одно другому для общего использования? Я хороший химик, но новичок в электронике: как насчет живучести в случае неправильной полярности, забвения обратного диода и подобных провалов? Привет Питер. Использование власти Дарлингтона должно прекратиться! Джентльмены могут предпочесть блондинок, а настоящие мужчины предпочитают рыжих! Цитата: dhenry 05 января, pm. Если вы управляете МОП-транзистором от вывода Ardino без последовательного резистора, то каждый раз, когда МОП-транзистор переключается, входная емкость МОП-транзистора должна заряжаться или разряжаться.

Это приводит к импульсу тока, амплитуда которого ограничена внутренним сопротивлением вывода Arduino. Это сопротивление составляет около 20 Ом, поэтому пиковый ток на входе или выходе Arduino может достигать мА или около того, что намного выше абсолютного максимального значения 40 мА.

I IRL540NPBF , L540N , IRL540N TO220

Если мы возьмем типичный силовой МОП-транзистор с общим зарядом затвора 20 нКл, длительность импульса составит около нс. Может ли импульс тока в нс, равный 5-кратному абсолютному максимальному продолжительному току, повредить Arduino?

Я подозреваю, что ответ в том, что никто не знает.Однако, поскольку Atmel не указывает номинальный импульсный ток для выходных контактов, мы должны принять во внимание, что это возможно. Даже если мы протестируем в течение года тысячу мегапикселей, управляющих МОП без последовательного резистора, и ни один из них не выйдет из строя, Atmel завтра может изменить свой производственный процесс таким образом, чтобы сделать микропроцессоры менее устойчивыми к импульсам избыточного тока.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

USHTS: 85412
CNHTS: 85412
  • 1. Россия

    100

  • 2.Индия

    91

  • 3. Франция

    88

  • 4. Тайвань

    85

  • 5. Сингапур

    84

  • 6.Италия

    84

  • 7. Испания

    83

  • 8. Тунис

    82

  • 9. США

    82

  • 10.Гонконг

    81

  • 11. Венгрия

    81

  • 12. Китай

    81

  • 13. Соединенное Королевство

    80

  • 14.Колумбия

    78

  • 15. Южная Корея

    78

  • 16. Норвегия

    78

  • 17. Таиланд

    77

  • 18.Саудовская Аравия

    76

  • 19. Словакия

    73

  • 20. Швейцария

    66

  • 21. Турция

    65

  • 22.Германия

    47

  • IRL540 Популярность по регионам

    Вас также может заинтересовать

    Связанный параметр
    • Транзисторы — полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы — одиночные,
    • Транзисторы — полевые, полевые МОП-транзисторы — одиночные, полевые МОП-транзисторы N-CH 500V 71A SOT-227
    • Транзисторы — полевые, полевые МОП-транзисторы — одиночные, полевые МОП-транзисторы N-CH 250V 93A TO-247AC
    • Транзисторы — полевые, полевые МОП-транзисторы — одиночные, полевые МОП-транзисторы N-CH 60V 0.41А ТО39-3
    • Транзисторы — полевые, полевые МОП-транзисторы — одиночные, полевые МОП-транзисторы N-CH 60V 120A D2PAK
    • Транзисторы — полевые, полевые МОП-транзисторы — одиночные, полевые МОП-транзисторы N-CH 600V 62A SOT-227

    N-канал 100V 28A (Tc) 150W (Tc) сквозное отверстие TO-220AB

    • Атрибуты продукта
    • Описания
    • Характеристики
    • CAD Модели
    MXHTS: 85412999
    ТАРИК: 85412
    ECCN: EAR99

    Экологическая и экспортная классификации
    Статус RoHS: Не соответствует требованиям RoHS
    Уровень чувствительности к влаге (MSL): 1 (без ограничений)
    Статус REACH: ДОСТИГАЕМОСТЬ Без изменений
    ECCN: EAR99
    HTSUS: 8541.29,0095

    Дистрибьюторы
    IRL540 Vishay Siliconix N-канал 100V 28A (Tc) 150W (Tc) сквозное отверстие TO-220AB Под заказ

    НЕТ

    IRL540 Vishay / Siliconix МОП-транзистор N-Chan 100 В, 28 А Под заказ

    НЕТ

    IRL540 Vishay Siliconix Силовой полевой транзистор , 28A I (D) , 100V 0.077 Ом, 1 элемент, N-канал, Кремний, Металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор, TO-220AB, TO-220, 3 контакта Под заказ

    НЕТ

    Популярность по регионам
      Упаковка / ящик: К-220-3
      Производитель: Vishay Siliconix
      Базовый номер продукта: IRL540
      Пакет устройств поставщика: К-220АБ
      Рассеиваемая мощность (макс.): 150 Вт (Tc)
      Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: 2200 пФ при 25 В
      Напряжение сток-источник (Vdss): 100 В
      Технологии: МОП-транзистор (оксид металла)
      Ток — непрерывный сток (Id) при 25 ° C: 28А (Тс)
      Напряжение привода (макс. Показания при включении, мин. Показания): 4В 5В
      Rds вкл. (Макс.) @ Id Vgs: 77 мОм при 17 А 5 В
      Vgs (th) (макс.) @ Id: 2 В при 250 мкА
      Vgs (макс.): ± 10 В
      Функция полевого транзистора:
      Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs: 64 нКл при 5 В

      По этой части пока нет релевантной информации.

      ХАРАКТЕРИСТИКИ

      ОПИСАНИЕ Силовые МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay предоставляют разработчикам наилучшее сочетание быстрого переключения, прочной конструкции устройства, низкого сопротивления при включении и экономической эффективности. Корпус TO-220 универсально предпочтителен для всех коммерческих и промышленных применений при уровне рассеиваемой мощности от
      до приблизительно 50 Вт. Низкое тепловое сопротивление и низкая стоимость корпуса TO-220 способствуют его широкому применению во всей отрасли.

      ХАРАКТЕРИСТИКИ • Динамический рейтинг dV / dt
      • Повторяющийся лавинный рейтинг
      • Логический уровень привода затвора
      • RDS (вкл.) Задан для VGS = 4 В и 5 В
      • Рабочая температура 175 ° C
      • Быстрое переключение
      • Простота параллельной работы
      • Отсутствие свинца (Pb) Доступно

      По этой части пока нет релевантной информации.