Какие основные параметры имеет транзистор К3569. Где он может применяться. Каковы его ключевые особенности и преимущества. На что обратить внимание при использовании К3569.
Основные характеристики и параметры транзистора К3569
К3569 представляет собой мощный N-канальный MOSFET-транзистор с следующими ключевыми параметрами:
- Максимальное напряжение сток-исток: 600 В
- Максимальный постоянный ток стока: 10 А
- Максимальный импульсный ток стока: 40 А
- Максимальная рассеиваемая мощность: 45 Вт
- Сопротивление открытого канала: 75 мОм
- Диапазон рабочих температур: от -40°C до +175°C
Данные характеристики делают К3569 подходящим для применения в мощных высоковольтных схемах с большими токами нагрузки.
Области применения транзистора К3569
Благодаря своим характеристикам, К3569 может эффективно использоваться в следующих приложениях:
- Импульсные источники питания
- Схемы управления электродвигателями
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
- Зарядные устройства для аккумуляторов
- Усилители мощности звуковой частоты
- Высоковольтные преобразователи напряжения
Высокая скорость переключения и низкая выходная емкость делают этот транзистор особенно подходящим для высокочастотных импульсных схем.
Ключевые особенности и преимущества К3569
К3569 обладает рядом важных преимуществ:
- Низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)) — всего 75 мОм
- Высокое пробивное напряжение сток-исток — 600 В
- Большой импульсный ток — до 40 А
- Широкий температурный диапазон — от -40°C до +175°C
- Малое время включения/выключения — 50/180 нс
- Низкая выходная емкость — 180 пФ
Эти характеристики обеспечивают высокую эффективность и надежность в мощных импульсных схемах.
Особенности применения транзистора К3569
При использовании К3569 следует учитывать несколько важных моментов:
- Не превышать максимально допустимое напряжение сток-исток 600 В
- Обеспечить эффективный теплоотвод при больших токах нагрузки
- Использовать драйвер затвора для быстрого переключения
- Защитить затвор от перенапряжений выше ±30 В
- Учитывать паразитные индуктивности в цепи стока при коммутации больших токов
Правильное применение этих рекомендаций позволит максимально реализовать возможности транзистора.
Сравнение К3569 с аналогами
К3569 имеет несколько близких аналогов с похожими характеристиками:
- K2543 — немного уступает по току стока (8А против 10А у К3569)
- FDP15N65 — имеет более высокое сопротивление RDS(on) — 99 мОм
- HMS17N65 — обладает меньшей максимальной мощностью рассеивания — 35 Вт
- NTP150N65S3HF — близкий аналог, но дороже К3569
В целом, К3569 обладает оптимальным сочетанием параметров в своем классе транзисторов.
Рекомендации по монтажу и применению К3569
Для надежной работы К3569 важно соблюдать следующие правила:
- Использовать качественный теплоотвод с термопастой
- Применять снабберные цепи для защиты от перенапряжений
- Обеспечить защиту затвора от статического электричества при монтаже
- Использовать драйвер затвора с напряжением 10-15 В для полного открытия канала
- Минимизировать паразитные индуктивности в силовых цепях
Соблюдение этих рекомендаций обеспечит долговременную и надежную работу транзистора в составе устройства.
Типовые схемы включения К3569
К3569 может использоваться в различных схемах силовой электроники:
- Мостовой инвертор для управления трехфазным двигателем
- Повышающий DC-DC преобразователь с ШИМ-контроллером
- Синхронный выпрямитель в импульсном блоке питания
- Ключ в схеме активного корректора коэффициента мощности
- Выходной каскад усилителя класса D
Во всех этих применениях К3569 обеспечивает высокую эффективность и надежность работы.
Мостовой инвертор на К3569
Рассмотрим типовую схему трехфазного мостового инвертора для управления двигателем:
- 6 транзисторов К3569 образуют 3 полумоста
- Управление осуществляется через драйверы затворов
- Между стоком и истоком каждого транзистора включены снабберные RC-цепочки
- В цепи затвора установлены защитные стабилитроны на 15В
- Силовые шины питания зашунтированы конденсаторами большой емкости
Такая схема позволяет эффективно управлять трехфазным двигателем мощностью до нескольких киловатт.
Повышающий DC-DC преобразователь
К3569 отлично подходит для построения повышающего импульсного преобразователя:
- Транзистор работает как ключевой элемент
- Управление осуществляется ШИМ-контроллером через драйвер затвора
- Дроссель, диод и выходной конденсатор формируют силовую часть
- RC-снаббер защищает транзистор от перенапряжений
- Обратная связь по выходному напряжению обеспечивает стабилизацию
Такой преобразователь может обеспечить повышение входного напряжения в несколько раз при высоком КПД.
отзывы, фото и характеристики на Aredi.ru
На нашем сайте отображены товары, которые автоматически импортируются с сайта allegro.pl и переводятся на русский язык.
Так как мы не являемся продавцами товара, который отображен на нашем сайте, мы не можем обладать всей информацией о том или ином товаре. Дополнительную информацию о товарах можно узнать несколькими способами:
1. Подробно ознакомиться с описанием. Обычно вся необходимая информация находится в официальном описании на странице лота.
2. Если интересующей вас информации в описании не оказалось, можно задать вопрос напрямую продавцу. Он ответит вам в течение одного рабочего дня.
3. Если вы обладаете богатым опытом серфинга в интернете, возможно, вы сможете найти информацию о данном товаре на различных форумах и других интернет-ресурсах, воспользовавшись глобальными службами интернет-поиска.
4. Если вы не владеете языком или не желаете уточнить информацию по какой-либо другой причине, пожалуйста, обращайтесь к нам — мы с радостью вам поможем.
Для того, чтобы мы задали вопрос продавцу, оформите заказ и в комментариях к товару пропишите интересующие вопросы. В течении дня мы сделаем запрос продавцу, комментарии появятся в личном кабинете.
Точный вес товара становится известным, только когда товар поступает на склад. Узнать примерный вес товара можно характеристиках товара, но не все продавцы его пишут.
Избежать некачественного товара можно путем тщательного отбора продавцов, т.е. старайтесь не гнаться за дешевыми товарами, которые продаются у продавцов с низким рейтингом. Доверяйте только проверенным интернет-магазинам. Если вы покупаете товар и сомневаетесь в надёжности продавца, то лучше заказать дополнительные фотографии.
1.Ищите по ключевым словам, уточняйте по каталогу слева
Допустим, вы хотите найти фару для AUDI, но поисковик выдает много результатов, тогда нужно будет в поисковую строку ввести точную марку автомобиля, потом в списке категорий, который находится слева, выберите новую категорию (Автозапчасти — Запчасти для легковых авто – Освещение- Фары передние фары).
После, из предъявленного списка нужно выбрать нужный лот.
2. Сократите запрос
Например, вам понадобилось найти переднее правое крыло на KIA Sportage 2015 года, не пишите в поисковой строке полное наименование, а напишите крыло KIA Sportage 15 . Поисковая система скажет «спасибо» за короткий четкий вопрос, который можно редактировать с учетом выданных поисковиком результатов.
3. Используйте аналогичные сочетания слов и синонимы
Система сможет не понять какое-либо сочетание слов и перевести его неправильно. Например, у запроса «стол для компьютера» более 700 лотов, тогда как у запроса «компьютерный стол» всего 10.
4. Не допускайте ошибок в названиях, используйтевсегдаоригинальное наименованиепродукта
Если вы, например, ищете стекло на ваш смартфон, нужно забивать «стекло на xiaomi redmi 4 pro», а не «стекло на сяоми редми 4 про».
5. Сокращения и аббревиатуры пишите по-английски
Если приводить пример, то словосочетание «ступица бмв е65» выдаст отсутствие результатов из-за того, что в e65 буква е русская.
Система этого не понимает. Чтобы автоматика распознала ваш запрос, нужно ввести то же самое, но на английском — «ступица BMW e65».
6. Мало результатов? Ищите не только в названии объявления, но и в описании!
Не все продавцы пишут в названии объявления нужные параметры для поиска, поэтому воспользуйтесь функцией поиска в описании объявления! Например, вы ищите турбину и знаете ее номер «711006-9004S», вставьте в поисковую строку номер, выберете галочкой “искать в описании” — система выдаст намного больше результатов!
7. Смело ищите на польском, если знаете название нужной вещи на этом языке
Вы также можете попробовать использовать Яндекс или Google переводчики для этих целей. Помните, что если возникли неразрешимые проблемы с поиском, вы всегда можете обратиться к нам за помощью.
MOSFET — проверка и прозвонка » PRO-диод
24.10.2013 | Рубрика: Статьи
Проверка и определение цоколевки MOSFET
Как показывает опыт, новички, сталкивающиеся с проверкой элементной базы подручными средствами, без каких-либо проблем справляются с проверкой диодов и биполярных транзисторов, но затрудняются при необходимости проверить столь распространенные сейчас MOSFET-транзисторы (разновидность полевых транзисторов).
Я надеюсь, что данный материал поможет освоить этот нехитрый способ проверки полевых транзисторов.
Очень кратко о полевых транзисторах
На данный момент понаделано очень много всяких полевых транзисторов. На рисунке показаны графические обозначения некоторых разновидностей полевых транзисторов.
Типы MOSFET
G-затвор, S-исток, D-сток. Сравнивая полевой транзистор с биполярным, можно сказать, что затвор соответствует базе, исток – эмиттеру, сток полевого транзистора – коллектору биполярного транзистора.
Наиболее распространены n-канальные MOSFET – они используются в цепях питания материнских млат, видеокарт и т.п. У MOSFET имеется встроенный диод:
MOSFET n-канальный (слева) и p-канальный (справа).
Транзисторы лучше рисовать с диодом — чтобы потом было проще в схеме ориентироваться. Этот диод является паразитным и от него не удается избавиться на этапе изготовления транзистора. Вообще при изготовлении MOSFET возникает паразитный биполярный транзистор, а диод – один из его переходов.
Правда нужно признать, что по схемотехнике этот диод все равно частенько приходится ставить, поэтому производители транзисторов этот диод шунтируют диодом с лучшими показателями как по быстродействию, так и по падению напряжения. В низковольтные MOSFET обычно встраивают диоды Шоттки. А вообще в идеале этого диода не должно было бы быть.
Типовое включение полевого (MOSFET) транзистора:
MOSFET типовое включение
Напряжение на затворе!
У подавляющего большинства полевых транзисторов нельзя на затвор (G) подавать напряжение больше 20В относительно истока (S), а некоторые образцы могут убиться при напряжении выше пяти вольт!
Проверка полевых транзисторов (MOSFET)
И вот, иногда наступает момент, когда необходимо полевой транзистор проверить, прозвонить или определить его цоколевку. Сразу оговоримся, что проверить таким образом можно «logic-level» полевые транзисторы, которые можно встретить в цепях питания на материнских платах и видеокартах.
«logic-level» в данном случае означает, что речь идет о приборах, которые управляются, т.е. способны полностью открывать переход D-S, при приложении к затвору относительно небольшого, до 5 вольт, напряжения. На самом деле очень многие MOSFET способны открыться, пусть даже и не полностью, напряжением на затворе до 5В.
В качестве примера возьмем N-канальный MOSFET IRF1010N для его проверки (прозвонки). Известно, что у него такая цоколевка: 1 – затвор (G), 2 – сток (D), 3 – исток (S). Выводы считаются как показано на рисунке ниже.
Распиновка корпуса TO-220
1. Мультиметр выставляем в режим проверки диодов, этот режим очень часто совмещен с прозвонкой. У цифрового мультиметра красный щуп «+», а черный «–», проверить это можно другим мультиметром.
На любом уважающем себя мультиметре есть такая штуковина
Прозвонка диодов, да и вообще полупроводниковых переходов на мультиметре.
2. Щуп «+» на вывод 3, щуп «–» на вывод 2. Получаем на дисплее мультиметра значения 400…700 – это падение напряжения на внутреннем диоде.
3. Щуп «+» на вывод 2, щуп «–» на вывод 3. Получаем на дисплее мультиметра бесконечность. У мультиметров обычно обозначается как 1 в самом старшем разряде. У мультиметров подороже, с индикацией не 1999 а 4000 будет показано значение примерно 2,800 (2,8 вольта).
4. Теперь удерживая щуп «–» на выводе 3 коснуться щупом «+» вывода 1, потом вывода 2. Видим, что теперь щупы стоят так же, как и в п.3, но теперь мультиметр показывает 0…800мВ – у MOSFET открыт канал D-S. Если продолжать удерживать щупы достаточно долго, то станет заметно, что падение напряжения D-S увеличивается, что означает, что канал постепенно закрывается.
5. Удерживая щуп «+» на выводе 2, щупом «–» коснуться вывода 1, затем вернуть его на вывод 3. Как видим, канал опять закрылся и мультиметр показывает бесконечность.
Поясним, что же происходит. С прозвонкой внутреннего диода все понятно. Непонятно почему канал остается либо закрытым, либо открытым? На самом деле все просто. Дело в том, что у мощных MOSFET емкость между затвором и истоком достаточно большая, например у взятого мной транзистора IRF1010N измеренная емкость S-G составляла 3700пФ (3,7нФ).
При этом сопротивление S-G составляет сотни ГОм (гигаом) и более. Не забыли – полевые транзисторы управляются электрическим полем, а не током в отличие от биболярных. Поэтому в п.4 касаясь “+” затвора (G) мы его заряжаем относительно истока (S) как обычный конденсатор и управляющее напряжение на затворе может держаться еще достаточно долго.
Помой транзистор!
Если хвататься за выводы транзистора руками, особенно жирными и влажными, емкость транзистора будет разряжаться значительно быстрее, т.к. сопротивление будет определяться не диэлектриком у затвора транзистора, а поверхностным сопротивлением. Не смытый флюс также сильно снижает сопротивление. Поэтому рекомендую помыть транзистор, перед проверкой, например, в спирто-бензиновой смеси.
P.S. Спирто-бензиновая смесь при испарении может генерировать статическое электричество, которое, как известно, негативно действует на полевые транзисторы.
Небольшие пояснения о мультиметрах
1.
У цифровых мультиметров режим проверки диодов проводится измерением падения напряжения на щупах, при этом по щупам прибор пропускает стабильный ток 1мА. Именно поэтому в данном режиме прибор показывает не сопротивление, а падение напряжения. Для германиевых диодов оно равно 0,3…0,4В, для кремниевых 0,6…0,8В. Но что бы там не измерялось напряжение на щупах прибора редко превышает 3В – это ограничение накладывается схемотехникой мультиметров.
2. В п.4 при измерении падения напряжения открытого канала величина, отображаемая мультиметром может сильно меняться от различных факторов: напряжения на щупах, температуры, тока стабилизации, характеристик самого полевого транзистора.
Тренировка =)
Теперь можно потренироваться в определении цоколевки мощного транзистора. Перед нами транзистор IRF5210 и его цоколевка мне неизвестна.
1. Начну с поиска диода. Попробую все варианты подключения к мультиметру. После каждого измерения корочу ножки транзистора фольгой чтобы обеспечить разряд емкостей транзистора.
Возможные варианты показаны в таблице:
Т.е. диод находится между выводами 2 и 3, соответственно затвор (G) находится на выводе 1.
2. Осталось определить, где находятся сток (D) и исток (S) и полярность (n-канал или p-канал) полевого транзистора.
2.1. Если это n-канальный транзистор, то сток (D) – 3 вывод, исток (S) – 2 вывод. Проверяем. Прикладываем «–» щуп мультиметра к выводу 2, «+» к выводу 3 – канал закрыт, так и должно быть – мы же его еще не пытались открыть. Теперь не отнимая щупа «–» от вывода 2 щупом «+» касаемся вывода 1, затем «+» опять прикладываем к выводу 3. Канал не открылся – значит, наше предположение о том, что IRF5210 n-канальный транзистор оказалось неверным.
2.2. Если это p-канальный транзистор, то сток (D) – 2 вывод, исток (S) – 3. Проверяем. Прикладываем «+» щуп мультиметра к выводу 3, «–» к выводу 2 – канал закрыт, так и должно быть – мы же его еще не пытались открыть. Теперь не отнимая щупа «+» от вывода 3 щупом «–» касаемся вывода 1, затем «–» опять прикладываем к выводу 2.
Канал открылся – значит, что IRF5210 p-канальный транзистор, вывод 1 – затвор, вывод 2 – сток, вывод 3 – исток.
На самом деле все не так сложно. Буквально пол часа тренировки – и вы сможете без каких-либо проблем проверять MOSFETы и определять их цоколевку!
Метки:: MOSFET, Цоколевка
K3569 MOSFET Распиновка, эквивалент, особенности, характеристики, области применения и другая информация
Объявления
Объявления
Особенности/технические характеристики:
- Тип транзистора: Канал N
- Максимальное напряжение от стока к источнику: 600 В
- Максимальное напряжение между затвором и источником должно быть: ± 30 В
- Максимальный постоянный ток утечки: 10A
- Максимальный импульсный ток стока: 40 А
- Макс. рассеиваемая мощность: 45 Вт
- Макс.
сопротивление сток-исток во включенном состоянии (RDS вкл.): 75 мОм - Максимальная температура хранения и рабочая температура должна быть: от -40 до +175 градусов Цельсия
Тип упаковки TO: 9001
сопротивление сток-исток во включенном состоянии (RDS вкл.): 75 мОмK2543, FDP15N65, HMS17N65, NTP150N65S3HF, SM6F26NSF
. Транзистор обладает многими хорошими характеристиками, такими как низкий RDS(ON), улучшенный режим, низкий ток утечки и т. д. Кроме того, он также имеет хорошие абсолютные максимальные характеристики, такие как напряжение сток-исток 600 В, максимальный ток стока 10 А, максимальный импульсный ток стока. 40 А, максимальное сопротивление RDS(ON) 0,75 Ом, выходная емкость 180 пФ и максимальная рассеиваемая мощность стока 45 Вт. Электрические характеристики транзистора: ток утечки затвора ±10 мкА, ±30 В, В (BR) GSS / напряжение пробоя затвор-исток, 100 мкА IDSS / ток отсечки стока, пороговое напряжение затвора / Vth от 2,0 В до 4,0 В , 1500 пФ Ciss/входная емкость, 15pF Csss/обратная передаточная емкость и 180 Coss/выходная емкость.
Время переключения транзистора тоже вполне приемлемое, время включения 50 нс. Время включения — это время, которое требуется транзистору, чтобы изменить свое состояние с выключенного на включенное, а время выключения составляет 180 наносекунд, время выключения — это время, необходимое транзистору, чтобы изменить свое состояние с включенного на выключенное. Глядя на время нарастания и время спада транзистора, время нарастания транзистора составляет 22 нс, а время спада — 36 нс. Время нарастания MOSFET — это время между получением сигнала и включением выхода, а время спада — это время, которое MOSFET имеет место между выключением выхода, когда он получает сигнал на отключение выхода.
Где мы можем его использовать и как использовать:
Глядя на характеристики транзистора, мы можем сказать, что он может использоваться в приложениях импульсного регулятора, из-за его высокого напряжения стока к источнику, он также может использоваться в различных цепях высокого напряжения.
Кроме того, благодаря способности быстрого переключения и низкой емкости он идеально подходит для использования в высокочастотных схемах переключения.
Приложения:
Power Supplies
Целью UPS
Приложения двигателя
Схема загадки батареи
Приложения для амплификации аудио. Рекомендации / абсолютные максимальные значения:
0003
- Не используйте транзистор до его абсолютных максимальных значений и всегда оставайтесь на 20% ниже этих значений.
- Максимальное напряжение сток-исток составляет 600 В, поэтому не подключайте нагрузку более 480 В.
- Максимальный непрерывный ток стока составляет 10 А, поэтому не подключайте нагрузку более 8 А.
- Всегда храните или эксплуатируйте полевой МОП-транзистор при температуре выше -55°C и ниже +150°C.
Техническое описание:
Чтобы загрузить техническое описание, просто скопируйте и вставьте ссылку ниже в браузере.
https://z3d9b7u8.stackpathcdn.com/pdf-down/2/S/K/2SK3569-INCHANGE.pdf
