Какие основные параметры имеет диод КД226. Как расшифровывается его маркировка. Для чего применяется КД226 в электронных схемах. Какие существуют аналоги этого кремниевого диода.
Общая характеристика диода КД226
Диод КД226 представляет собой кремниевый выпрямительный диод средней мощности. Он выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Основные параметры диода КД226:
- Максимальное обратное напряжение: от 100 В до 800 В (в зависимости от модификации)
- Максимальный прямой ток: 1,7 А
- Максимальная рабочая частота: 50 кГц
- Прямое напряжение: не более 1,4 В при токе 1,7 А
- Обратный ток: не более 50 мкА
- Время обратного восстановления: 0,25 мкс
КД226 широко применяется в источниках питания, выпрямителях, импульсных схемах и других электронных устройствах, где требуется выпрямление переменного тока частотой до 50 кГц.
Расшифровка маркировки диода КД226
Маркировка диода КД226 расшифровывается следующим образом:
- КД — кремниевый диод
- 2 — диод средней мощности
- 26 — порядковый номер разработки
Буква в конце (А, Б, В, Г, Д) обозначает группу по напряжению:
- КД226А — 100 В
- КД226Б — 200 В
- КД226В — 400 В
- КД226Г — 600 В
- КД226Д — 800 В
На корпусе диода цветным кольцом отмечается сторона катода: оранжевым для КД226А, красным для КД226Б, зеленым для КД226В, желтым для КД226Г и белым для КД226Д.
Область применения диода КД226
Диод КД226 находит широкое применение в различных электронных устройствах благодаря своим характеристикам:
- Выпрямители переменного тока частотой до 50 кГц
- Источники питания радиоэлектронной аппаратуры
- Импульсные схемы
- Устройства защиты от перенапряжений
- Преобразователи напряжения
- Зарядные устройства
Особенности монтажа и эксплуатации КД226
При работе с диодом КД226 следует учитывать некоторые особенности:
- Пайку выводов допускается производить на расстоянии не менее 2 мм от корпуса
- Температура пайки не должна превышать 270°C, а время пайки — не более 5 секунд
- Допускается последовательное соединение двух диодов одного типа без шунтирования
- При параллельном соединении нужно исключить перегрузку диодов по току
- При работе на емкостную нагрузку ток через диод не должен превышать 1,57 от максимального среднего прямого тока
Соблюдение этих правил обеспечит надежную работу диода в электронных схемах.
Аналоги диода КД226
- КД213А — отечественный аналог с близкими параметрами
- 1N5400-1N5408 — серия импортных диодов с похожими характеристиками
- 1N3359 — зарубежный аналог для КД226А
- BY255 — европейский диод, близкий по параметрам к КД226Б
- 1N4004-1N4007 — популярная серия диодов, частично перекрывающая параметры КД226
При замене КД226 аналогами следует внимательно сравнивать основные параметры: максимальное обратное напряжение, прямой ток, быстродействие.
Преимущества и недостатки диода КД226
Диод КД226 обладает рядом достоинств, но имеет и некоторые ограничения:
Преимущества:
- Высокое обратное напряжение (до 800 В)
- Средний прямой ток до 1,7 А
- Быстрое восстановление (0,25 мкс)
- Широкий выбор модификаций по напряжению
- Доступность и низкая стоимость
Недостатки:
- Ограниченная рабочая частота (до 50 кГц)
- Относительно большое прямое падение напряжения
- Чувствительность к перегреву при монтаже
Несмотря на некоторые ограничения, КД226 остается популярным выбором для многих применений благодаря хорошему сочетанию параметров и доступности.
Измерение параметров и проверка исправности КД226
Для проверки работоспособности диода КД226 можно использовать следующие методы:
- Проверка мультиметром:
- В режиме «прозвонки» диод должен пропускать ток в прямом направлении и не пропускать в обратном
- Измерение прямого падения напряжения должно давать результат около 0,7-0,8 В
- Обратный ток утечки должен быть минимальным
- Проверка осциллографом:
- Позволяет оценить время обратного восстановления диода
- Дает возможность наблюдать форму выпрямленного сигнала
- Измерение вольт-амперной характеристики:
- Помогает определить соответствие параметров диода паспортным данным
- Позволяет выявить отклонения характеристик
Эти методы помогают убедиться в исправности диода и соответствии его характеристик заявленным параметрам.
Заключение
Диод КД226 является надежным и проверенным временем компонентом для различных электронных устройств. Его основные преимущества:
- Широкий диапазон рабочих напряжений
- Хорошая нагрузочная способность
- Приемлемое быстродействие
- Доступность и невысокая стоимость
Несмотря на появление более современных аналогов, КД226 продолжает успешно применяться во многих схемах, особенно там, где не требуется работа на высоких частотах. При правильном применении этот диод обеспечивает надежную работу в составе различной радиоэлектронной аппаратуры.
Диод КД226 — DataSheet
Корпус диода КД226Описание
Диоды кремниевые, диффузионные. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 35 кГц. Выпускаются
в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Маркируются цветным кольцом со стороны отрицательного вывода (катода): КД226А— оранжевым, КД226Б — красным, КД226В — зеленым, КД226Г —желтым, КД226Д — белым. Масса диода не более 0,5 г.
Пайка выводов диодов допускается не ближе 2 мм от корпуса при температуре не свыше +270 °С в течение 5 с.
Допускается последовательное (без шунтирования) соединение двух диодов одного типа; при этом суммарное обратное напряжение не
должно превышать 2Uобр,макс. При последовательном соединении большего числа диодов рекомендуется применять диоды одного типа и шунтировать каждый диод резистором с любым сопротивлением.
Допускается параллельное соединение диодов при условии, обеспечивающем исключение перегрузок любого параллельно подключенного
При работе диодов на емкостную нагрузку действующее значение тока через диод не должно превышать 1,57 Iпр,ср,макс.
| Параметр | Обозначение | Маркировка | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | КД226А | 1N3359, BY259 | ||
| КД226Б | UT3020 | |||
| КД226В | 1N487A | |||
| КД226Г | SDA113E | |||
| КД226Е | SDA113P | |||
| Максимальное постоянное обратное напряжение. | Uo6p max, Uo6p и max | КД226А | 100 | В |
| КД226Б | 200 | |||
| КД226В | 400 | |||
| КД226Г | 600 | |||
| КД226Д | 800 | |||
| КД226Е | 600 | |||
Максимальный постоянный прямой ток. | Iпp max, Iпp ср max, I*пp и max | КД226А | 1.7 | А |
| КД226Б | 1.7 | |||
| КД226В | 1.7 | |||
| КД226Г | 1.7 | |||
| КД226Д | 1.7 | |||
| КД226Е | 2 | |||
| Максимальная рабочая частота диода | fд max | КД226А | 50 | кГц |
| КД226Б | 50 | |||
| КД226В | 50 | |||
| КД226Г | 50 | |||
| КД226Д | 50 | |||
| КД226Е | 50 | |||
| Постоянное прямое напряжение | Uпр не более (при Iпр, мА) | КД226А | 1. 4 (1.7 А) | В |
| КД226Б | 1.4 (1.7 А) | |||
| КД226В | 1.4 (1.7 А) | |||
| КД226Г | 1.4 (1.7 А) | |||
| КД226Д | 1.3 (1 А) | |||
| КД226Е | 1.4 (1.7 А) | |||
| Постоянный обратный ток | Iобр не более (при Uобр, В) | КД226А | 50 (100) | мкА |
| КД226Б | 50 (200) | |||
| КД226В | 50 (400) | |||
| КД226Г | 50 (600) | |||
| КД226Д | 50 (800) | |||
| КД226Е | 10 (600) | |||
| Время обратного восстановления — время переключения диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение от момента прохождения тока через нулевое значение до момента достижения обратным током заданного значения | tвос, обр | КД226А | 0.25 | мкс |
| КД226Б | 0.25 | |||
| КД226В | 0.25 | |||
| КД226Г | 0.25 | |||
| КД226Д | 0.25 | |||
| КД226Е | 0.25 | |||
| Общая емкость | Сд (при Uобр, В) | КД226А | — | пФ |
| КД226Б | — | |||
| КД226В | — | |||
| КД226Г | — | |||
| КД226Д | — | |||
| КД226Е | — |
Описание значений со звездочками(*) смотрите в буквенных обозначениях параметров диодов.
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
Маркировка диодов: типы, особенности, производители
Маркировка диодов – краткое графическое условное обозначение элемента. Элементная база в настоящее время настолько разнообразна, сокращения отличаются весьма ощутимо. Сложно идентифицировать диод: стабилитрон, туннельный, Ганна. Выпущены разновидности, напоминающие газоразрядную лампочку. Светодиоды горят, дополняя путаницу.
Диоды полупроводниковые
Быть может, раздел называется несколько тривиально, когда требуется просто типичные диоды отличить от морально устаревших электронных ламп, современнейших SMD модификаций. Рядовые полупроводниковые диоды – легко разрешимое горе радиолюбителя. Боковина цилиндрического корпуса с дисковым основанием, ножками содержит нанесенную краской легко различимую надпись.
Полупроводниковые резисторы. Отличите невооруженным глазом?
Цвет корпуса значения не играет, размер косвенно указывает рассеиваемую мощность. У мощных диодов зачастую в наличии резьба под гайку крепления радиатора. Итог расчета теплового режима показывает недостаток собственных возможностей корпуса, система охлаждения дополняется навесным элементом. Сегодня потребляемая мощность падает, снижая линейные размеры корпусов приборов. Указанное позволило использовать стекло. Новый материал корпуса дешевле, долговечнее, безопаснее.
- Первое место занимает буква или цифра, кратко характеризующая материал элемента:
- Г (1) – соединения германия.
- К (2) – соединения кремния.
- А (3) – арсенид галлия.
- И (4) – соединения индия.
- Вторая буква в нашем случае Д. Диод выпрямительный, либо импульсный.
- Третье место облюбовала цифра, характеризующая применимость диода:
- Низкочастотные, током ниже 0,3 А.
- Низкочастотные, током 0,3 – 10 А.
- Не используется.
- Импульсные, время восстановления свыше 500 нс.
- Импульсные, время восстановления 150 – 500 нс.
- То же, время восстановления 30 – 150 нс.
- То же, время восстановления 5 – 30 нс.
- То же, время восстановления 1 – 5 нс.
- Импульсные, время жизни неосновных носителей ниже 1 нс.
- Номер разработки составлен двумя цифрами, может отсутствовать вовсе. Номинал ниже 10 дополняется слева нулем. К примеру, 07.
- Номер группы обозначается буквой, определяет различия свойств, параметров. Буква часто становится ключевой, указывает рабочее напряжение, прямой ток, прочее.
В дополнение к маркировке справочники приводят графики, по которым решаются задачи выбора рабочей точки радиоэлемента. Указываются сведения о технологии производства, материале корпуса, массе. Помогает информация проектировщику аппаратуры, любителям практического смысла не несет.
Импортные системы обозначения отличаются от отечественных, хорошо стандартизированы. Поэтому при помощи специальных таблиц нетрудно отыскать подходящие аналоги.
Цветовая маркировка
Каждый радиолюбитель знает сложность идентификации диодов, окруженных стеклянным корпусом. На одно лицо. Временами производитель удосуживается нанести четкие метки, разноцветные кольца. Согласно системе обозначений, вводится три признака:
- Метки областей катода, анода.
- Цвет корпуса, заменяемый цветной точкой.
Согласно положению вещей, с первого взгляда отличим типы диодов:
- Семейство Д9 маркируется одним-двумя цветными кольцами района анода.
- Диоды КД102 в районе анода обозначаются цветной точкой. Корпус прозрачный.
- КД103 имеют дополняющий точку цветной корпус, исключая 2Д103А, обозначаемый белой точкой области анода.
- Семейства КД226, 243 маркируются кольцом области катода. Прочих меток не предусмотрено.
- Два цветных кольца в районе катода можно увидеть у семейства КД247.
- Диоды КД410 обозначаются точкой в районе анода.
Присутствуют прочие различимые метки. Более подробную классификацию найдете, проштудировав издание Кашкарова А.П. По маркировке радиоэлементов. Новичков тревожит вопрос определения расположения катода и анода.
- Видите: одна боковина цилиндра снабжена темной полосой – найден катод. Цветная может являться частью обсуждаемой сегодня маркировки.
- Умея эксплуатировать мультиметр, анод легко отыскать. Электрод, куда приложим красный щуп, чтобы открыть вентиль (услышим звонок).
- Новый диод снабжен усиком анода более длинным, нежели катода.
- Сквозь стеклянный корпус светодиода посмотрим через увеличительное стекло: металлический анод напоминает наконечник копья, размерами меньше катода.
- Старые диоды содержали стрелочную маркировку. Острие – катод. Позволит определять направление включения визуально. Современным радиомонтажникам приходится тренировать сообразительность, остроту зрения, точность манипуляций.
Зарубежные изделия получили другую систему обозначений. Выбирая аналог, используйте специальные таблицы соответствия. Остальным импортная база мало отличается от отечественной. Маркировка проводится согласно стандартам JEDEC (США), европейской системе (PRO ELECTRON). Красочные таблицы расшифровки цветового кода массово представлены сетевыми источниками.
Цветовая маркировка
SMD диоды
В SMD исполнении корпус диода иногда настолько мал, маркировка отсутствует вовсе. Характеристики приборов мало зависят от габаритов. Последние сильно влияют на рассеиваемую мощность. Больший ток проходит по цепи, большие размеры должен иметь диод, отводящий возникающее (закон Джоуля-Ленца) тепло. Сообразно написанному маркировка SMD диода может быть:
- Полная.
- Сокращенная.
- Отсутствие маркировки.
SMD элементы в общем объеме электроники занимают примерно 80% объема. Поверхностный монтаж. Изобретенный способ электрического соединения максимально удобен автоматизированным линиям сборки. Маркировка диода SMD может не совпадать с наполнением корпуса. При большом объеме производства изготовители начинают хитрить, ставить внутрь вовсе не то, что нанесено условным обозначением. От большого количества несогласованных между собою стандартов возникает путаница использования выводов микросхем (для диодов – микросборки).
Корпус
Маркировка может включать 4 цифры, указывающие типоразмер корпуса. Прямо не соответствуют габаритам, поинтересуйтесь подробнее вопросом в ГОСТ Р1-12-0.062, ГОСТ Р1-12-0.125. Любителям, которым не по карману достать нормативные акты, проще использовать справочные таблицы. Держим в уме факт: корпусы SMD от фирмы к фирме способны мелочами отличаться, ведь каждый производитель подгадывает элементную базу под собственную продукцию. У Samsung от материнской платы стиральной машины одно расстояние, LG – другое. Габариты SMD корпусов потребуются разные, условия отвода тепла, прочие требования выполняются.
Посему, приобретая, согласно цифрам справочника элемент, производите дополнительные замеры, если это важно.К примеру, при починке бытовой техники. В противном случае закупленные диоды могут не встать по месту назначения. Любители с SMD не связываются ввиду кажущейся сложности монтажа, но для мастеров это обычное дело, поскольку микроэлектроника невозможна без столь удачной технологии.
Выбирая диод, стоит держать в уме факт: многие корпусы одинаковые, но маркируются по-разному. Некоторые обозначения лишены цифр. Удобно пользоваться поисковиками. Приведенная перекрестная таблица соответствия типоразмеров взята с сайта selixgroup.spb.ru.
Таблица соответствия типоразмеров
SMD диоды часто выпускаются в корпусе SOD123. Если по одному торцы имеется полоса какого-либо цвета, либо тиснение, то это катод (то место, куда нужно подать отрицательную полярность, чтобы открыть p-n-переход). Если только на корпусе имеются надписи, то это обозначение корпуса. Если строчек свыше одной – характеризующая оболочку покрупнее.
Тип элемента и производитель
Понятно, тип корпуса для конструктора вещь второстепенная. Через поверхность элемента рассеивается некоторое тепло. С этой точки зрения и нужно рассматривать диод. В остальном важны характеристики:
- Рабочее и обратное напряжение.
- Максимально допустимый ток через p-n-переход.
- Мощность рассеяния и пр.
Эти параметры для полупроводниковых диодов указаны справочниками. Маркировка помогает найти нужное среди горы макулатуры. В случае SMD элемента ситуация намного сложнее. Нет единой системы обозначений. Одновременно легче – параметры от одного диода к другому меняются не слишком сильно. Разнятся по большому счету рассеиваемая мощность, рабочее напряжение. Каждый SMD элемент маркируется последовательностью из 8 букв и цифр, причём часть из знакомест может не использоваться вовсе. Так бывает в случае с ветеранами отрасли, гигантами электронной промышленности:
- Motorola (2).
- Texas Instruments.
- Ныне преобразованная и частично проданная Siemens (2).
- Maxim Integrated Product.
Упомянутые производители маркируются временами двойками литер MO, TI, SI, MX. Помимо этого пара букв адресует:
- AD – Analog Devices;
- HP – Hewlett-Packard;
- NS – National Semiconductors;
- PC, PS – Philips Components, Semiconductors, соответственно;
- SE – Seiko Instruments.
Разумеется, внешний вид корпуса не всегда дает определить производителя, тогда в поисковик нужно немедленно набрать цифро-буквенную последовательность. Замечены другие примеры: диодная сборка NXP в корпусе SOD123W не несет никакой информации, помимо указанной строкой выше. Производитель приведенные сведения считает достаточными. Потому что SOD само по себе расшифровывается, как small outline diode. Прочее найдем на официальном сайте компании (nxp.com/documents/outline_drawing/SOD123W.pdf).
Пространство для печати ограничено, чем и объясняются подобные упрощения. Производитель старается минимально затруднить себя выполнением маркировки. Часто применяется лазерная или трафаретная печать. Это позволит уместить 8 знаков на площади всего 4 квадратных миллиметра (Кашкаров А.П. «Маркировка радиоэлементов»). Помимо указанных для диодов используют следующие типы корпусов:
- Цилиндрический стеклянный MELF (Mini MELF).
- SMA, SMB, SMC.
- MB-S.
В довершение одинаковый цифро-буквенный код порой соответствует разным элементам. В этом случае придется анализировать электрическую схему. В зависимости от назначения диода предполагаются рабочий ток, напряжение, некоторые другие параметры. Согласно каталогам рекомендуется попытаться определить производителя, поскольку параметры имеют разброс несущественный, затрудняя правильную идентификацию изделия.
Прочая информация
Помимо указанных, временами присутствуют иные сведения. Номер партии, дата выпуска. Такие меры предпринимаются, делая возможным отслеживания новых модификаций товара. Конструкторский отдел выпускает корректирующую документацию, снабженную номером, присутствует дата. И если сборочному цеху особенность нужно учесть, отрабатывая внесенные изменениями, мастерам следует читать маркировки.
Если собрать аппаратуру по новым чертежам (электрическим схемам), применяя старые детали, получится не то, что ожидалось. Проще говоря, изделие выйдет в отказ, отрадно, если окажется обратимый процесс. Ничего не сгорит. Но начальник цеха наверняка получит по шапке, товар придется переделать в части неучтенного фактора.
Кроме диодов
На основе p-n-переходов создан миллиард модификаций диодов. Сюда относятся варикапы, стабилитроны и даже тиристоры. Каждому семейству присущи особенности, с диодами много сходства. Видим три глобальных вида:
- устаревшая сегодня элементная база сравнительно большого размера, явно различимая маркировка, сформированная стандартными буквами, цифрами;
- стеклянные корпусы, снабженные цветовой символикой;
- SMD элементы.
Аналоги подбираются исходя из условий, указанных выше: мощность рассеяния, предельные напряжение, пропускаемый ток.
Диод кд226а характеристики фото — JSFiddle
Editor layout
Classic Columns Bottom results Right results Tabs (columns) Tabs (rows)
Console
Console in the editor (beta)
Clear console on run
General
Line numbers
Wrap lines
Indent with tabs
Code hinting (autocomplete) (beta)
Indent size:2 spaces3 spaces4 spaces
Key map:DefaultSublime TextEMACS
Font size:DefaultBigBiggerJabba
Behavior
Auto-run code
Only auto-run code that validates
Auto-save code (bumps the version)
Auto-close HTML tags
Auto-close brackets
Live code validation
Highlight matching tags
Boilerplates
Show boilerplates bar less often
Стеклянный диод. Маркировка диодов: типы, особенности, производители
Любая электронная схема вне зависимости от назначения имеет в своем составе большое количество элементов, которые регулируют и контролируют течение электрического тока по проводам. Именно регулирование напряжения играет важную роль в работе большинства модулей, потому что от этого параметра зависит стабильная и долгая работа цепи.
Для стабилизации входного напряжения на схемы был разработан специальный модуль, который является буквально важнейшей частью многих приборов. Импортные и отечественные стабилитроны используются в схемах с разными параметрами, поэтому имеется различная маркировка диодов на корпусе, что помогает определить и подобрать нужный вариант.
Немного подробнее о модуле и принципе его работы
Это полупроводниковый диод, который имеет свойство выдавать определенное значение напряжения вне зависимости от подаваемого на него тока. Это утверждение не является до конца верным абсолютно для всех вариантов, потому что разные модели имеют разные характеристики. Если подать очень сильный ток на не рассчитанный для этого модуль SMD (или любой другой тип), он попросту сгорит. Поэтому подключение выполняется после установки токоограничивающего резистора в качестве предохранителя, значение выходного тока которого равняется максимально возможному значению входного тока на стабилизатор.
Он очень похож на обыкновенный полупроводниковый диод, но имеет отличительную черту – его подключение выполняется наоборот. То есть минус от источника питания подается на анод стабилитрона, а плюс – на катод. Таким образом, создается эффект обратной ветви, который и обеспечивает его свойства.
Похожим модулем является стабистор – он подключается напрямую, без предохранителя. Используется в тех случаях, когда параметры входного электричества точно известны и не колеблются, а на выходе получается тоже точное значение.
Указание паспортных характеристик
Они же являются основными показателями отечественных и импортных стабилитронов, которыми необходимо руководствоваться при подборе стабилитрона под конкретную электронную цепь.
- UCT – указывает, какое номинальное значение модуль способен стабилизировать.
- ΔUCT – используется для указания диапазона возможного отклонения входящего тока в качестве безопасной амортизации.
- ICT – параметры тока, который может протекать при подаче номинального напряжения на модуль.
- ICT.МИН – показывает самое маленькое значение, которое способно протекать по стабилизатору. При этом протекающее напряжение по диоду будет находиться в диапазоне UCT ± ΔUCT.
- ICT.МАКС – модуль не способен выдерживать более высокое напряжение, чем это значение.
На фото ниже представлен классический вариант. Обратите внимание, что прямо на корпусе показано, где у него анод и катод. По кругу нарисована черная (реже встречается серая) полоска, которая располагается со стороны катода. Противоположная сторона – анод. Такой способ используется как для отечественных, так и для импортных диодов.
Дополнительная маркировка стеклянных моделей
Диоды в стеклянных корпусах имеют свои собственные обозначения, которые мы рассмотрим далее. Они настолько простые (в отличие от вариантов с пластиковыми корпусами), что практически сразу же запоминаются наизусть, нет необходимости каждый раз использовать справочник.
Цветовая маркировка используется для пластиковых диодов, например, для SOT-23. Твердый корпус модуля имеет два гибких вывода. На самом корпусе, рядом с вышеописанной полосочкой, дописываются таким же цветом несколько цифр, разделенных латинской буквой. Обычно запись имеет вид 1V3, 9V0 и так далее, разнообразие позволяет подобрать любые параметры по обозначению, как и в SMD.
Что же значит эта кодовая маркировка? Она показывает напряжение стабилизации, на которое рассчитан данный элемент. К примеру, 1V3 показывает нам, что это значение равно 1.3 В, второй же вариант – 9 вольт. Обычно чем больше сам корпус, тем большим стабилизирующим свойством он обладает. На фото ниже показан стабилитрон в стеклянном корпусе с маркировкой катода 5.1 В
Заключение
Правильный подбор параметров стабилитрона позволит получить стабильный ток, который из него подается на цепь. Обязательно подбирайте такие параметры предохранителя, используя соответствующий справочник, чтобы входное напряжение не испортило деталь, ему желательно находиться приблизительно в середине диапазона UCT ± ΔUCT.
Имея дома радиоэлектронную лабораторию, можно своими руками сделать самые различные приспособления для электрооборудования или сами приборы, что позволит значительно сэкономить на покупке техники. Важным элементом многих электрических схем приборов является стабилитрон.
Такой элемент (smd, смд) является необходимой частью многих электросхем. Благодаря обширной области применения, стабилитрон имеет различную маркировку. Маркировка, нанесенная на корпус такого диода, дает подробную, но зашифрованную, информацию о данном элементе. Наша сегодняшняя статья поможет вам разобраться в том, какая цветовая маркировка встречается на корпусе (стеклянном и нет) импортных стабилитронов.
Что представляет собой данный элемент электрических схем
Прежде чем приступить к рассмотрению вопроса о том, какая цветовая маркировка таких элементов существует, нужно разобраться, что это вообще такое.
Вольт-амперная характеристика стабилитрона
Стабилитрон представляет собой полупроводниковый диод, который предназначается для стабилизации в электросхеме постоянного напряжения на нагрузке. Наиболее часто такой диод используется для стабилизации напряжения в различных источниках питания. Данный диод (smd) имеет участок с обратной веткой вольт-амперной характеристики, которая наблюдается в области электрического пробоя.
Имея такую область, стабилитрон в ситуации изменения параметра тока, протекающего через диод от IСТ.МИН до IСТ.МАКС практически не наблюдается изменений показателя напряжения. Данный эффект применяется для стабилизации напряжения. В ситуации, когда к смд подключена параллельно нагрузка RH, тогда напряжение диода будет оставаться постоянным, причем в указанных пределах изменения тока, текущего через стабилитрон.
Обратите внимание! Стабилитрон (smd) способен стабилизировать напряжение выше 3,3 В.
Кроме смд существуют еще и стабистроны, которые включаются при прямом включении. Они применяются в ситуации, когда есть необходимость стабилизировать напряжение в определенном диапазоне. Обычный диод можно использовать тогда, когда нужно стабилизировать напряжение в диапазоне от 0,3 до 0,5 В. Область их прямого смещения наблюдается при падении напряжения до 0,7 – 2v. При этом оно практически не зависит от силы тока. Стабисторы в своей работе применяют прямую ветвь вольт-амперной характеристики.
Их также следует включать при прямом подключении. Хотя это будет не самое лучшее решение, поскольку стабилитрон в такой ситуации будет все же более эффективен.
Стабисторы, как и smd, производятся зачастую из кремния.
Стабилитроны маркируют по их основным характеристикам. Эта маркировка имеет следующий вид:
- UСТ. Эта маркировка означает номинальное напряжение для стабилизации;
- ΔUСТ. Означает отклонение показателя напряжения номинального напряжения стабилизации;
- IСТ. Обозначает ток, который протекает через диод при номинальном напряжении стабилизации;
- IСТ.МИН — минимальное значение тока, которые течет через стабилитрон. При этом значении такой smd диод будет иметь напряжение в диапазоне UСТ ± ΔUСТ;
- IСТ.МАКС. Означает максимально допустимую величину тока, которая может течь через стабилитрон.
Такая маркировка важна при выборе элемента под определенную электросхему.
Обозначения работы элемента электросхемы
Схематическое обозначение стабилитрона
Поскольку стабилитрон представляет собой специальный диод, то его обозначение не отличается от них. Схематически smd обозначается следующим образом:
Стабилитрон, как и диод, имеет в своем составе катодную и анодную часть. Из-за этого имеется прямое и обратное включение данного элемента.
Включение стабилитрона
На первый взгляд, включение такой диод имеет неправильное, ведь он должен подключаться «наоборот». В ситуации подачи на смд обратного напряжения наблюдается явление «пробоя». В результате чего напряжение между его выводами остается неизменным. Поэтому он должен быть последовательно подключен к резистору с целью ограничения проходящего через него тока, что будет обеспечивать падение «лишнего» напряжения от выпрямителя.
Обратите внимание! Каждый диод, предназначенный для стабилизации напряжения, обладает своим напряжением «пробоя» (стабилизации), а также имеет свой рабочий ток.
Из-за того, что каждый стабилитрон обладает такими характеристиками, для него можно рассчитать номинал резистора, который будет подключаться с ним последовательно. У импортных стабилитронов их напряжение стабилизации представлено в виде маркировки, нанесенной на корпусе (стеклянном или нет). Обозначение такого диода smd всегда начинается с BZY… или BZX…, а их напряжение пробоя (стабилизации) имеет маркировку V. Например, обозначение 3V9 расшифровывается как 3.9 вольта.
Обратите внимание! Минимальное напряжение для стабилизации у таких элементов составляет 2 В.
Принцип функционирования стабилизационных диодов
Несмотря на то, что смд похож на диод, он по сути является иным элементом электросхемы. Конечно, он может выполнять функцию выпрямителя, но обычно используется для стабилизации напряжения. Данный элемент способен поддерживать в цепи постоянного тока постоянное напряжение. Этот его принцип работы применяется в питании различного радиотехнического оборудования.
Внешне смд очень похож на стандартный полупроводник. Схожесть сохраняется и в конструкционных особенностях. Но при обозначении такого радиотехнического элемента, в отличие от диода, на схеме ставится буква Г.
Если не вникать в математические расчеты и физические явления, то принцип функционирования smd будет достаточно понятным.
Обратите внимание! При включении такого smd диода нужно соблюдать обратную полярность. Это означает, что подключение проводится анодом к минусу.
Проходя через этот элемент, небольшое напряжение цепи провоцирует сильный ток. При увеличении обратного напряжения ток так же растет, только в этом случае его рост будет наблюдаться слабо. Доходя до отметки, она может быть любой. Все зависит от типа устройства. При достижении отметки происходит «пробой». После случившегося «пробоя» через smd начинает течь обратный ток большого значения. Именно в этот момент и начинается работа данного элемента до времени превышения его допустимого предела.
Как отличить стабилизационный диод от обычного полупроводника
Очень часто люди задаются вопросом, как можно отличить стабилитрон от стандартного полупроводника, ведь, как мы выяснили раньше, оба этих элемента имеют практически идентичное обозначение на электросхеме и могут выполнять схожие функции.
Самым простым способом отличить стабилизационный полупроводник от обычного является использование схемы приставки к мультиметру. С его помощью можно не только отличить оба элемента друг от друга, но и выявить напряжение стабилизации, которое характерно для данного смд (если оно, конечно, не превышает 35В).
Схема приставки мультиметра является DC-DC преобразователем, в которой между входом и выходом имеется гальваническая развязка. Эта схема имеет следующий вид:
Схема приставки мультиметра
В ней генератор с широтно-импульсной модуляцией выполняется на специальной микросхеме МС34063, а для создания гальванической развязки между измерительной частью схемы и источником питания контрольное напряжение следует снимать с первичной обмотки трансформатора. Для этой цели имеется выпрямитель на VD2. При этом величина для выходного напряжения или тока стабилизации устанавливается путем подбора резистора R3. На конденсаторе С4 происходит выделение напряжения примерно в 40В.
При этом проверяемый смд VDX и стабилизатор для тока А2 будут формировать параметрический стабилизатор. Мультиметр, который подключили к выводам Х1 и Х2, будет измерять на данном стабилитроне напряжение.
При подключении катода к «-«, а анода к «+» диода, а также к несимметричному смд мультиметра, последний покажет незначительное напряжение. Если подключать в обратной полярности (как на схеме), то в ситуации с обычным полупроводником прибор будет регистрировать напряжение около 40В.
Обратите внимание! Для симметричного смд напряжение пробоя будет появляться при наличии любой полярности подключения.
Здесь трансформатор Т1 будет намотан на торообразном ферритовом сердечнике с внешним диаметром в 23 мм. Такая обмотка 1 будет содержать 20 витков, а вторая обмотка — 35 витков провода ПЭВ 0,43. При этом важно при намотке укладывать виток к витку. Следует помнить, что первичная обмотка идет на одной части кольца, а вторая – на другой.
Проводя настройку прибора, подключите резистор вместо smd VDX. Этот резистор должен иметь номинал 10 кОм. А сопротивление R3 нужно подбирать для того, чтобы добиться напряжения в 40В на конденсаторе С4
Вот так можно выяснить, стабилитрон у вас или обычный диод.
Подробно о цветовой маркировке стабилизирующего диода
Любой диод (стабилитрон и т.д.) на своем корпусе содержит специальную маркировку, которая отражает то, какой материал использовался для изготовления каждого конкретного полупроводника. Такая маркировка может иметь следующий вид:
- буква или цифра;
- буква.
Кроме этого маркировка отражает электрические свойства и назначение прибора. Обычно за это отвечает цифра. Буква, в свою очередь, отражает соответствующую разновидность устройства. Кроме этого маркировка содержит дату изготовления и условное обозначение изделия.
Смд интегрального типа часто содержат полную маркировку. В такой ситуации на корпусе изделия имеется условный код, который обозначает тип микросхемы. Пример расшифровки нанесенной на корпус кодовой маркировки для микросхем приведен на рисунке:
Пример маркировки микросхем
Кроме этого имеется еще и цветовая маркировка. Она существует в нескольких вариантах, но наиболее часто используется японская маркировка (JIS-C-7012). Обозначения цветовой маркировки приведены в следующей таблице.
Цветовая маркировка стабилитрона
- первая полоска обозначает тип устройства;
- вторая – полупроводник;
- третья – что это за прибор, а также, какая у него проводимость;
- четвертая — номер разработки;
- пятая — модификация устройства.
Нужно отметить, что четвертая и пятая полоски не очень важны для выбора изделия.
Заключение
Как видим, существует много разных маркировок и обозначений для стабилитрона, о которых нужно помнить при его выборе для домашней лаборатории и изготовления своими руками различных электротехнических приборов. Если хорошо владеть этим вопросом, то это залог правильного выбора.
Как выбрать датчик движения для туалета Как правильно выбрать для дома радиовыключатель света с пультом, как подключитьМаркировка диодов – краткое графическое условное обозначение элемента, на корпус которого нанесено. Элементная база в настоящее время настолько разнообразна, сокращения отличаются весьма существенно. Сложно идентифицировать диод: стабилитрон, туннельный, Ганна. Выпущены разновидности, напоминающие газоразрядную лампочку. Светодиоды горят, дополняя путаницу.
Диоды полупроводниковые
Быть может, раздел называется несколько тривиально, нужно было обычные диоды отличить от морально устаревших электронных ламп, современнейших SMD модификаций. Рядовые полупроводниковые диоды – самое простое горе радиолюбителя. Боковина цилиндрического корпуса с дисковым основанием, ножками содержит нанесенную краской легко различимую надпись.
Полупроводниковые резисторы. Отличите невооруженным глазом?
Цвет корпуса значения не играет, размер косвенно указывает рассеиваемую мощность. У мощных диодов зачастую в наличии резьба под гайку крепления радиатора. Итог расчета теплового режима показывает недостаток собственных возможностей корпуса, система охлаждения дополняется навесным элементом. Сегодня потребляемая мощность падает, снижая линейные размеры корпусов приборов. Указанное позволило использовать стекло. Новый материал корпуса дешевле, долговечнее, безопаснее.
- Первое место занимает буква или цифра, кратко характеризующая материал элемента:
- Г (1) – соединения германия.
- К (2) – соединения кремния.
- А (3) – арсенид галлия.
- И (4) – соединения индия.
- Вторая буква в нашем случае Д. Диод выпрямительный, либо импульсный.
- Третье место облюбовала цифра, характеризующая применимость диода:
- Низкочастотные, током ниже 0,3 А.
- Низкочастотные, током 0,3 — 10 А.
- Не используется.
- Импульсные, время восстановления свыше 500 нс.
- Импульсные, время восстановления 150 — 500 нс.
- То же, время восстановления 30 — 150 нс.
- То же, время восстановления 5 — 30 нс.
- То же, время восстановления 1 — 5 нс.
- Импульсные, время жизни неосновных носителей ниже 1 нс.
- Номер разработки составлен двумя цифрами, может отсутствовать вовсе. Номинал ниже 10 дополняется слева нулем. Например, 07.
- Номер группы обозначается буквой, определяет различия свойств, параметров. Буква зачастую является ключевой, может указывать рабочее напряжение, прямой ток, многое другое.
В дополнение к маркировке справочники приводят графики, по которым можно решить задачи выбора рабочей точки радиоэлемента. Могут указываться сведения о технологии производства, материале корпуса, массе. Помогает информация проектировщику аппаратуры, любителям практического смысла не несет.
Импортные системы обозначения отличаются от отечественных, хорошо стандартизированы. Поэтому при помощи специальных таблиц достаточно просто отыскать подходящие аналоги.
Цветовая маркировка
Каждый радиолюбитель знает сложность идентификации диодов, окруженных стеклянным корпусом. На одно лицо. Временами производитель удосуживается нанести четкие метки, разноцветные кольца. Согласно системе обозначений, вводится три признака:
- Метки областей катода, анода.
- Цвет корпуса, заменяемый цветной точкой.
Согласно положению вещей, с первого взгляда отличим типы диодов:
- Семейство Д9 маркируется одним-двумя цветными кольцами района анода.
- Диоды КД102 в районе анода обозначаются цветной точкой. Корпус прозрачный.
- КД103 имеют дополняющий точку цветной корпус, исключая 2Д103А, обозначаемый белой точкой области анода.
- Семейства КД226, 243 маркируются кольцом области катода. Прочих меток не предусмотрено.
- Два цветных кольца в районе катода можно увидеть у семейства КД247.
- Диоды КД410 обозначаются точкой в районе анода.
Имеются другие явно различимые метки. Более подробную классификацию найдете, проштудировав издание Кашкарова А.П. По маркировке радиоэлементов. Новичков тревожит вопрос определения расположения катода и анода.
- Видите: одна боковина цилиндра снабжена темной полосой — найден катод. Цветная может являться частью обсуждаемой сегодня маркировки.
- Умея эксплуатировать мультиметр, анод легко отыскать. Электрод, куда приложим красный щуп, чтобы открыть вентиль (услышим звонок).
- Новый диод снабжен усиком анода более длинным, нежели катода.
- Сквозь стеклянный корпус светодиода посмотрим через увеличительное стекло: металлический анод напоминает наконечник копья, размерами меньше катода.
- Старые диоды содержали стрелочную маркировку. Острие — катод. Позволит определять направление включения визуально. Современным радиомонтажникам приходится тренировать сообразительность, остроту зрения, точность манипуляций.
Зарубежные изделия получили другую систему обозначений. Выбирая аналог, используйте специальные таблицы соответствия. Остальным импортная база мало отличается от отечественной. Маркировка проводится согласно стандартам JEDEC (США), европейской системе (PRO ELECTRON). Красочные таблицы расшифровки цветового кода широко представлены сетевыми источниками.
Цветовая маркировка
SMD диоды
В SMD исполнении корпус диода иногда настолько мал, маркировка отсутствует вовсе. Характеристики приборов мало зависят от габаритов. Последние сильно влияют на рассеиваемую мощность. Больший ток проходит по цепи, большие размеры должен иметь диод, отводящий возникающее (закон Джоуля-Ленца) тепло. Сообразно написанному маркировка SMD диода может быть:
- Полная.
- Сокращенная.
- Отсутствие маркировки.
SMD элементы в общем объеме электроники занимают примерно 80% объема. Поверхностный монтаж. Изобретенный способ электрического соединения максимально удобен автоматизированным линиям сборки. Маркировка диода SMD может не совпадать с наполнением корпуса. При большом объеме производства изготовители начинают хитрить, ставить внутрь вовсе не то, что нанесено условным обозначением. От большого количества несогласованных между собою стандартов возникает путаница использования выводов микросхем (для диодов — микросборки).
Корпус
Маркировка может включать 4 цифры, указывающие типоразмер корпуса. Прямо никак не соответствуют габаритам, поинтересуйтесь подробнее вопросом в ГОСТ Р1-12-0.062, ГОСТ Р1-12-0.125. Любителям, которым не по карману достать нормативные акты, проще использовать справочные таблицы. Держим в уме факт: корпусы SMD от фирмы к фирме могут мелочами отличаться. Поскольку каждый производитель подгадывает элементную базу под собственную продукцию. У Samsung от материнской платы стиральной машины одно расстояние, LG — другое. Габариты SMD корпусов потребуются разные, условия отвода тепла, прочие требования выполняются.
Посему, приобретая, согласно цифрам справочника элемент, производите дополнительные замеры, если это важно. Например, в случае ремонта бытовой техники. В противном случае закупленные диоды могут не встать по месту назначения. Любители с SMD не связываются ввиду кажущейся сложности монтажа, но для мастеров это обычное дело, поскольку микроэлектроника невозможна без столь удачной технологии.
Выбирая диод, стоит держать в уме факт: многие корпусы могут быть по сути одним и тем же, но маркироваться по-разному. Некоторые обозначения вовсе лишены цифр. Удобно пользоваться поисковиками. Приведенная перекрестная таблица соответствия типоразмеров взята с сайта selixgroup.spb.ru.
SMD диоды часто выпускаются в корпусе SOD123. Если по одному торцы имеется полоса какого-либо цвета, либо тиснение, то это катод (то место, куда нужно подать отрицательную полярность, чтобы открыть p-n-переход). Если только на корпусе имеются надписи, то это обозначение корпуса. Если строчек свыше одной – характеризующая оболочку покрупнее.
Тип элемента и производитель
Понятно, тип корпуса для конструктора вещь второстепенная. Через поверхность элемента будет рассеиваться некоторое тепло. С этой точки зрения и нужно рассматривать диод. В остальном важны характеристики:
- Рабочее и обратное напряжение.
- Максимально допустимый ток через p-n-переход.
- Мощность рассеяния и пр.
Эти параметры для полупроводниковых диодов указаны справочниками. Маркировка помогает найти нужное среди горы макулатуры. В случае SMD элемента ситуация намного сложнее. Нет единой системы обозначений. И в то же время легче – параметры от одного диода к другому меняются не слишком сильно. Разнятся по большому счету рассеиваемая мощность, рабочее напряжение. Каждый SMD элемент маркируется последовательностью из 8 букв и цифр, причём часть из знакомест может не использоваться вовсе. Так бывает в случае с ветеранами отрасли, гигантами электронной промышленности:
- Motorola (2).
- Texas Instruments.
- Ныне преобразованная и частично проданная Siemens (2).
- Maxim Integrated Product.
Упомянутые производители маркируются временами двойками литер MO, TI, SI, MX. Помимо этого пара букв адресует:
- AD – Analog Devices;
- HP – Hewlett-Packard;
- NS – National Semiconductors;
- PC, PS – Philips Components, Semiconductors, соответственно;
- SE – Seiko Instruments.
Разумеется, внешний вид корпуса не всегда дает определить производителя, тогда в поисковик нужно немедленно набрать цифро-буквенную последовательность. Замечены другие примеры: диодная сборка NXP в корпусе SOD123W не несет никакой информации, помимо указанной строкой выше. Производитель приведенные сведения считает достаточными. Потому что SOD само по себе расшифровывается, как small outline diode. Прочее найдем на официальном сайте компании (nxp.com/documents/outline_drawing/SOD123W.pdf).
Пространство для печати ограничено, чем и объясняются такие упрощения. Производитель старается минимально затруднить себя выполнением маркировки. Часто применяется лазерная или трафаретная печать. Это позволит уместить 8 знаков на площади всего 4 квадратных миллиметра (Кашкаров А.П. «Маркировка радиоэлементов»). Помимо указанных для диодов используют следующие типы корпусов:
- Цилиндрический стеклянный MELF (Mini MELF).
- SMA, SMB, SMC.
- MB-S.
В довершение один и тот же цифро-буквенный код порой соответствует разным элементам. В этом случае придется анализировать электрическую схему. В зависимости от назначения диода предполагаются рабочий ток, напряжение, некоторые другие параметры. Согласно каталогам рекомендуется попытаться определить производителя, поскольку параметры имеют разброс несущественный, затрудняя правильную идентификацию изделия.
Прочая информация
Помимо указанных временами присутствуют иные сведения. Номер партии, дата выпуска. Такие меры предпринимаются, делая возможным отслеживания новых модификаций товара. Конструкторский отдел выпускает корректирующую документацию, снабженную номером, присутствует дата. И если сборочному цеху особенность нужно учесть, отрабатывая внесенные изменениями, мастерам следует читать маркировки.
Если же собрать аппаратуру по новым чертежам (электрическим схемам), применяя старые детали, то получится не то, что ожидалось. Проще говоря, изделие выйдет в отказ, отрадно, если это будет обратимый процесс. Ничего не сгорит. Но даже в этом случае начальник цеха наверняка получит по шапке, товар придется переделать в части неучтенного фактора.
Кроме диодов
На основе p-n-переходов создан миллиард модификаций диодов. Сюда относятся варикапы, стабилитроны и даже тиристоры. Каждому семейству присущи особенности, с диодами много сходства. Видим три глобальных вида:
- устаревшая сегодня элементная база сравнительно большого размера, явно различимая маркировка, сформированная стандартными буквами, цифрами;
- стеклянные корпусы, снабженные цветовой символикой;
- SMD элементы.
Аналоги подбираются исходя из условий, указанных выше: мощность рассеяния, предельные напряжение, пропускаемый ток.
Маркировка стабилитронов в стеклянном корпусе импортные. Стабилитрон. Принцип действия. Маркировка
Программа Color and Code имеет обширный сервис и позволяет решать комплекс задач разнообразного характера в одном приложении: находить номинал или вид радиокомпонентов по кодовой или цветовой маркировке, определять электрические параметры радиокомпонентов; выполнять радиотехнические расчеты; находить тип и выбирать нужные размеры радиокомпонентов; подбирать аналоги радиодеталей; изучать назначения ножек микросхем.
Описание программы Color and Code
В программе имеется возможность определять параметры большого спектра радиодеталей таких как – варикапов, транзисторов, конденсаторов, диодов, стабилитронов, резисторов, индуктивностей и чип-компонентов, как по кодовой цветовой, так и цветовой маркировке.
Цветовая маркировка резисторов
Кодовая и цветовая маркировка транзисторов
Можно определять тип транзистора по двум и четырем цветным точкам. Также есть функция определения по графическим символам, горизонтальное и вертикальное обозначение, смешанной и нестандартной.
Маркировка диодов, стабилитронов, варикапов
Диоды, стабилитроны, варикапы определяются по цветным кольцам от 1 до 3 колец.
Стабилитрон еще называют опорным диодом. Предназначены стабилитроны для стабилизации выходного напряжения при колебания входного или при изменении величины нагрузки (рис. 1 ).
Рис. 1 – Функциональная схема работы стабилитрона
Например, если на нагрузке нужно получить 5 В, а напряжение источника питания колеблется в пределах 9 В. Чтобы снизить и стабилизировать напряжение, подводимое от источника питания, до необходимых 5 В применяют стабилитроны. Конечно, можно применять и стабилизаторы напряжения, в данном случае подойдут или . Однако, применение их не всегда оправдано, поэтому в ряде случаев используют стабилитроны.
Внешне они похожи на диоды и имею вид, показанный на рис. 2 .
Рис. 2 – Внешний вид стабилитронов
Обозначение стабилитронов на схемах приведено на рис. 3 .
Теперь давайте разберемся каким образом стабилитрон выполняет стабилизацию напряжение.
Основной характеристикой стабилитрона, впрочем, как и диода, является вольтамперная характеристика (ВАХ). Она показывается зависимость величины тока, протекающего через стабилитрон, от величины приложенного к нему напряжения (рис. 4 ).
ВАХ стабилитрона имеет две ветви.
Рис. 4 – ВАХ стабилитрона
Прямая ветвь стабилитрона практически не отличается от прямых ветвей обычных диодов и для последних она же будет рабочей.
Нормальный режим работы стабилитрона является когда он находится под обратным напряжением. Поэтому для него рабочей будет обратная ветвь. Она расположена практически параллельно оси обратных токов. На этой кривой характерными есть две точки: 1 и 2 (рис. 4 ), между ними находится рабочая область стабилитрона.
При некоторой величине обратного напряжения U ст наступает электрический пробой p — n перехода стабилитрона и через наго протекает уже значительный ток. Однако при изменении в широких пределах тока от значения Imin до Imax падение напряжения на стабилитроне U ст практически не изменяется (рис. 4 ). Благодаря этому свойству и осуществляется стабилизация напряжения.
Если ток, протекающий через стабилитрон, превысит значение Imax , то произойдет перегрев полупроводниковой структуры, наступит тепловой пробой и стабилитрон выйдет из строя.
К источнику питания Uип стабилитрон подключается через токоограничивающий резистор Rогр , который служит для ограничения тока, протекающего через стабилитрон, а также совместно с ним образует делитель напряжения (рис. 5 ).
Рис. 5 – Схема включения стабилитрона
Обратите внимание, в отличие от диода стабилитрон подключается в обратном направлении, т. е. на катод подается «+» источника питания, а на анод «-».
Параллельно к выводам стабилитрона подключается нагрузка R н , на зажимах которой требуется поддерживать стабильное напряжение.
Процесс стабилизации напряжения заключается в следующем. При увеличении напряжения источника питания возрастает общий ток цепи I , а следовательно и ток Iст , протекающий через стабилитрон VD , а также увеличивается падение напряжения на токоограничивающем резисторе R огр . При этом напряжение на стабилитроне и соответственно на нагрузке остается почти неизменным.
При изменении сопротивления нагрузки, происходит перераспределение общего тока I между стабилитроном и нагрузкой, а величина напряжения на них практически не меняется.
Если напряжение на нагрузке больше напряжения стабилизации стабилитрона, то применяют несколько последовательно включенных стабилитронов. Например, если необходимо получить 10 В стабильного напряжения, то за неимением нужного стабилитрона, можно включить последовательно два стабилитрона по 5 В (рис. 6 ).
Рис. 6 – Последовательное соединение стабилитронов
Также стабилитроны успешно используются в системах автоматики в качестве датчиков, реагирующих на изменение напряжения. Например, если величина напряжения превысит определенное значение, то стабилитрон откроется и через катушку реле будет протекать ток. В результате реле сработает и даст команду другим устройствам либо просто просигнализирует о превышении некоторого уровня напряжения.
Помимо стабилизации постоянного напряжения, с помощью стабилитронов можно стабилизировать и переменное напряжения. Для этого используют последовательное встречное включение двух стабилитронов (рис. 7 ).
Рис. 7 – Схема включения стабилитрона на переменное напряжение
Только на выходе будет не идеальная синусоида, а со срезанными верхами, т. е. форма напряжения будут приближена к трапеции (рис. 8, 9 ).
Рис. 8 – Осциллограмма входного напряжения
Рис. 9 – Осциллограмма напряжения на стабилитроне
Применяются несколько способом маркировки стабилитронов. Стабилитроны в стеклянному корпусе, имеющие гибкие выводы, маркируются самым понятным способом. Как правило на корпус наносятся цифры, разделённые латинской буквой «V». Например, 4 V 7 обозначает, что напряжение стабилизации 4,7 В; 9 V 1 – 9,1 В и так далее (рис. 10 ).
Рис. 10 – Маркировка стабилитронов в стеклянных корпусах
Стабилитроны в пластиковом корпусе имеют маркировку в виде цифр и букв. Сами по себе эти цифры ни о чем не говорят, однако, с помощью даташита их можно легко расшифровать. Например обозначение 1N5349B означает, что напряжение стабилизации 12 В (рис. 11 ). Кроме напряжения такая маркировка учитывает и другие параметры стабилитрона.
Рис. 10 – Маркировка стабилитронов в пластиковых корпусах
Черное либо серое кольцо, нанесенное на корпус стабилитрона, обозначает его катод (рис. 12 ).
Рис. 12 –
Маркировка smd стабилитронов
В качестве маркировка smd стабилитронов применяются цветные кольца. Подобная маркировка применяется также для советские не smd стабилитронов. В импортных стабилитронах цветное кольцо наносится со стороны катода (рис. 13 ). Для расшифровки цветных колец используют даташити или онлайн расшифровщики.
Рис. 13 – SMD стабилитрон в стеклянном корпусе
Еще изготавливаются smd стабилитроны с тремя выводами (рис. 14 ). Один из них не задействован. Эти выводы можно определить с помощью мультиметра.
Рис. 14 – SMD стабилитрон с тремя выводами
При отсутствии справочника, даташита или нечеткой маркировки номинальное напряжение стабилитрона можно определить опытным путем. Сначала с помощью мультиметра нужно узнать соответствующие выводы и подключить стабилитрон через токоограничивающий резистор (см. рис. 5 ). Затем подать напряжение от регулируемого источника питания. Плавно изменяя подведенное напряжение нужно следить за изменение напряжения на стабилитроне. Если при изменении величины напряжения источника питания напряжение на стабилитроне не изменяется, то это и будет его напряжение стабилизации.
Выводы стабилитрона определяются точно также, как и . Мультиметр следует установить в режим прозвонки и коснуться щупами соответствующий выводов (рис. 15, 16 ).
Рис. 15 – Прямое напряжение
Рис. 16 – Обратное напряжение
Под действием протекающего тока через стабилитрон он нагревается. Выделившееся тепло рассеивается в окружающее пространство. Чем больше стабилитрон способен рассеять тепла не перегреваясь, тем выше его мощность рассеивания и тем больший ток можно пропустить через него. Как правило, чем больше габариты стабилитрона, тем большая у него мощность рассеяния (рис. 17 ).
Рис. 17 – Мощность рассеивания стабилитронов
Маркировка диодов – краткое графическое условное обозначение элемента, на корпус которого нанесено. Элементная база в настоящее время настолько разнообразна, сокращения отличаются весьма существенно. Сложно идентифицировать диод: стабилитрон, туннельный, Ганна. Выпущены разновидности, напоминающие газоразрядную лампочку. Светодиоды горят, дополняя путаницу.
Диоды полупроводниковые
Быть может, раздел называется несколько тривиально, нужно было обычные диоды отличить от морально устаревших электронных ламп, современнейших SMD модификаций. Рядовые полупроводниковые диоды – самое простое горе радиолюбителя. Боковина цилиндрического корпуса с дисковым основанием, ножками содержит нанесенную краской легко различимую надпись.
Полупроводниковые резисторы. Отличите невооруженным глазом?
Цвет корпуса значения не играет, размер косвенно указывает рассеиваемую мощность. У мощных диодов зачастую в наличии резьба под гайку крепления радиатора. Итог расчета теплового режима показывает недостаток собственных возможностей корпуса, система охлаждения дополняется навесным элементом. Сегодня потребляемая мощность падает, снижая линейные размеры корпусов приборов. Указанное позволило использовать стекло. Новый материал корпуса дешевле, долговечнее, безопаснее.
- Первое место занимает буква или цифра, кратко характеризующая материал элемента:
- Г (1) – соединения германия.
- К (2) – соединения кремния.
- А (3) – арсенид галлия.
- И (4) – соединения индия.
- Вторая буква в нашем случае Д. Диод выпрямительный, либо импульсный.
- Третье место облюбовала цифра, характеризующая применимость диода:
- Низкочастотные, током ниже 0,3 А.
- Низкочастотные, током 0,3 — 10 А.
- Не используется.
- Импульсные, время восстановления свыше 500 нс.
- Импульсные, время восстановления 150 — 500 нс.
- То же, время восстановления 30 — 150 нс.
- То же, время восстановления 5 — 30 нс.
- То же, время восстановления 1 — 5 нс.
- Импульсные, время жизни неосновных носителей ниже 1 нс.
- Номер разработки составлен двумя цифрами, может отсутствовать вовсе. Номинал ниже 10 дополняется слева нулем. Например, 07.
- Номер группы обозначается буквой, определяет различия свойств, параметров. Буква зачастую является ключевой, может указывать рабочее напряжение, прямой ток, многое другое.
В дополнение к маркировке справочники приводят графики, по которым можно решить задачи выбора рабочей точки радиоэлемента. Могут указываться сведения о технологии производства, материале корпуса, массе. Помогает информация проектировщику аппаратуры, любителям практического смысла не несет.
Импортные системы обозначения отличаются от отечественных, хорошо стандартизированы. Поэтому при помощи специальных таблиц достаточно просто отыскать подходящие аналоги.
Цветовая маркировка
Каждый радиолюбитель знает сложность идентификации диодов, окруженных стеклянным корпусом. На одно лицо. Временами производитель удосуживается нанести четкие метки, разноцветные кольца. Согласно системе обозначений, вводится три признака:
- Метки областей катода, анода.
- Цвет корпуса, заменяемый цветной точкой.
Согласно положению вещей, с первого взгляда отличим типы диодов:
- Семейство Д9 маркируется одним-двумя цветными кольцами района анода.
- Диоды КД102 в районе анода обозначаются цветной точкой. Корпус прозрачный.
- КД103 имеют дополняющий точку цветной корпус, исключая 2Д103А, обозначаемый белой точкой области анода.
- Семейства КД226, 243 маркируются кольцом области катода. Прочих меток не предусмотрено.
- Два цветных кольца в районе катода можно увидеть у семейства КД247.
- Диоды КД410 обозначаются точкой в районе анода.
Имеются другие явно различимые метки. Более подробную классификацию найдете, проштудировав издание Кашкарова А.П. По маркировке радиоэлементов. Новичков тревожит вопрос определения расположения катода и анода.
- Видите: одна боковина цилиндра снабжена темной полосой — найден катод. Цветная может являться частью обсуждаемой сегодня маркировки.
- Умея эксплуатировать мультиметр, анод легко отыскать. Электрод, куда приложим красный щуп, чтобы открыть вентиль (услышим звонок).
- Новый диод снабжен усиком анода более длинным, нежели катода.
- Сквозь стеклянный корпус светодиода посмотрим через увеличительное стекло: металлический анод напоминает наконечник копья, размерами меньше катода.
- Старые диоды содержали стрелочную маркировку. Острие — катод. Позволит определять направление включения визуально. Современным радиомонтажникам приходится тренировать сообразительность, остроту зрения, точность манипуляций.
Зарубежные изделия получили другую систему обозначений. Выбирая аналог, используйте специальные таблицы соответствия. Остальным импортная база мало отличается от отечественной. Маркировка проводится согласно стандартам JEDEC (США), европейской системе (PRO ELECTRON). Красочные таблицы расшифровки цветового кода широко представлены сетевыми источниками.
Цветовая маркировка
SMD диоды
В SMD исполнении корпус диода иногда настолько мал, маркировка отсутствует вовсе. Характеристики приборов мало зависят от габаритов. Последние сильно влияют на рассеиваемую мощность. Больший ток проходит по цепи, большие размеры должен иметь диод, отводящий возникающее (закон Джоуля-Ленца) тепло. Сообразно написанному маркировка SMD диода может быть:
- Полная.
- Сокращенная.
- Отсутствие маркировки.
SMD элементы в общем объеме электроники занимают примерно 80% объема. Поверхностный монтаж. Изобретенный способ электрического соединения максимально удобен автоматизированным линиям сборки. Маркировка диода SMD может не совпадать с наполнением корпуса. При большом объеме производства изготовители начинают хитрить, ставить внутрь вовсе не то, что нанесено условным обозначением. От большого количества несогласованных между собою стандартов возникает путаница использования выводов микросхем (для диодов — микросборки).
Корпус
Маркировка может включать 4 цифры, указывающие типоразмер корпуса. Прямо никак не соответствуют габаритам, поинтересуйтесь подробнее вопросом в ГОСТ Р1-12-0.062, ГОСТ Р1-12-0.125. Любителям, которым не по карману достать нормативные акты, проще использовать справочные таблицы. Держим в уме факт: корпусы SMD от фирмы к фирме могут мелочами отличаться. Поскольку каждый производитель подгадывает элементную базу под собственную продукцию. У Samsung от материнской платы стиральной машины одно расстояние, LG — другое. Габариты SMD корпусов потребуются разные, условия отвода тепла, прочие требования выполняются.
Посему, приобретая, согласно цифрам справочника элемент, производите дополнительные замеры, если это важно. Например, в случае ремонта бытовой техники. В противном случае закупленные диоды могут не встать по месту назначения. Любители с SMD не связываются ввиду кажущейся сложности монтажа, но для мастеров это обычное дело, поскольку микроэлектроника невозможна без столь удачной технологии.
Выбирая диод, стоит держать в уме факт: многие корпусы могут быть по сути одним и тем же, но маркироваться по-разному. Некоторые обозначения вовсе лишены цифр. Удобно пользоваться поисковиками. Приведенная перекрестная таблица соответствия типоразмеров взята с сайта selixgroup.spb.ru.
SMD диоды часто выпускаются в корпусе SOD123. Если по одному торцы имеется полоса какого-либо цвета, либо тиснение, то это катод (то место, куда нужно подать отрицательную полярность, чтобы открыть p-n-переход). Если только на корпусе имеются надписи, то это обозначение корпуса. Если строчек свыше одной – характеризующая оболочку покрупнее.
Тип элемента и производитель
Понятно, тип корпуса для конструктора вещь второстепенная. Через поверхность элемента будет рассеиваться некоторое тепло. С этой точки зрения и нужно рассматривать диод. В остальном важны характеристики:
- Рабочее и обратное напряжение.
- Максимально допустимый ток через p-n-переход.
- Мощность рассеяния и пр.
Эти параметры для полупроводниковых диодов указаны справочниками. Маркировка помогает найти нужное среди горы макулатуры. В случае SMD элемента ситуация намного сложнее. Нет единой системы обозначений. И в то же время легче – параметры от одного диода к другому меняются не слишком сильно. Разнятся по большому счету рассеиваемая мощность, рабочее напряжение. Каждый SMD элемент маркируется последовательностью из 8 букв и цифр, причём часть из знакомест может не использоваться вовсе. Так бывает в случае с ветеранами отрасли, гигантами электронной промышленности:
- Motorola (2).
- Texas Instruments.
- Ныне преобразованная и частично проданная Siemens (2).
- Maxim Integrated Product.
Упомянутые производители маркируются временами двойками литер MO, TI, SI, MX. Помимо этого пара букв адресует:
- AD – Analog Devices;
- HP – Hewlett-Packard;
- NS – National Semiconductors;
- PC, PS – Philips Components, Semiconductors, соответственно;
- SE – Seiko Instruments.
Разумеется, внешний вид корпуса не всегда дает определить производителя, тогда в поисковик нужно немедленно набрать цифро-буквенную последовательность. Замечены другие примеры: диодная сборка NXP в корпусе SOD123W не несет никакой информации, помимо указанной строкой выше. Производитель приведенные сведения считает достаточными. Потому что SOD само по себе расшифровывается, как small outline diode. Прочее найдем на официальном сайте компании (nxp.com/documents/outline_drawing/SOD123W.pdf).
Пространство для печати ограничено, чем и объясняются такие упрощения. Производитель старается минимально затруднить себя выполнением маркировки. Часто применяется лазерная или трафаретная печать. Это позволит уместить 8 знаков на площади всего 4 квадратных миллиметра (Кашкаров А.П. «Маркировка радиоэлементов»). Помимо указанных для диодов используют следующие типы корпусов:
- Цилиндрический стеклянный MELF (Mini MELF).
- SMA, SMB, SMC.
- MB-S.
В довершение один и тот же цифро-буквенный код порой соответствует разным элементам. В этом случае придется анализировать электрическую схему. В зависимости от назначения диода предполагаются рабочий ток, напряжение, некоторые другие параметры. Согласно каталогам рекомендуется попытаться определить производителя, поскольку параметры имеют разброс несущественный, затрудняя правильную идентификацию изделия.
Прочая информация
Помимо указанных временами присутствуют иные сведения. Номер партии, дата выпуска. Такие меры предпринимаются, делая возможным отслеживания новых модификаций товара. Конструкторский отдел выпускает корректирующую документацию, снабженную номером, присутствует дата. И если сборочному цеху особенность нужно учесть, отрабатывая внесенные изменениями, мастерам следует читать маркировки.
Если же собрать аппаратуру по новым чертежам (электрическим схемам), применяя старые детали, то получится не то, что ожидалось. Проще говоря, изделие выйдет в отказ, отрадно, если это будет обратимый процесс. Ничего не сгорит. Но даже в этом случае начальник цеха наверняка получит по шапке, товар придется переделать в части неучтенного фактора.
Кроме диодов
На основе p-n-переходов создан миллиард модификаций диодов. Сюда относятся варикапы, стабилитроны и даже тиристоры. Каждому семейству присущи особенности, с диодами много сходства. Видим три глобальных вида:
- устаревшая сегодня элементная база сравнительно большого размера, явно различимая маркировка, сформированная стандартными буквами, цифрами;
- стеклянные корпусы, снабженные цветовой символикой;
- SMD элементы.
Аналоги подбираются исходя из условий, указанных выше: мощность рассеяния, предельные напряжение, пропускаемый ток.
Любая электронная схема вне зависимости от назначения имеет в своем составе большое количество элементов, которые регулируют и контролируют течение электрического тока по проводам. Именно регулирование напряжения играет важную роль в работе большинства модулей, потому что от этого параметра зависит стабильная и долгая работа цепи.
Для стабилизации входного напряжения на схемы был разработан специальный модуль, который является буквально важнейшей частью многих приборов. Импортные и отечественные стабилитроны используются в схемах с разными параметрами, поэтому имеется различная маркировка диодов на корпусе, что помогает определить и подобрать нужный вариант.
Немного подробнее о модуле и принципе его работы
Это полупроводниковый диод, который имеет свойство выдавать определенное значение напряжения вне зависимости от подаваемого на него тока. Это утверждение не является до конца верным абсолютно для всех вариантов, потому что разные модели имеют разные характеристики. Если подать очень сильный ток на не рассчитанный для этого модуль SMD (или любой другой тип), он попросту сгорит. Поэтому подключение выполняется после установки токоограничивающего резистора в качестве предохранителя, значение выходного тока которого равняется максимально возможному значению входного тока на стабилизатор.
Он очень похож на обыкновенный полупроводниковый диод, но имеет отличительную черту – его подключение выполняется наоборот. То есть минус от источника питания подается на анод стабилитрона, а плюс – на катод. Таким образом, создается эффект обратной ветви, который и обеспечивает его свойства.
Похожим модулем является стабистор – он подключается напрямую, без предохранителя. Используется в тех случаях, когда параметры входного электричества точно известны и не колеблются, а на выходе получается тоже точное значение.
Указание паспортных характеристик
Они же являются основными показателями отечественных и импортных стабилитронов, которыми необходимо руководствоваться при подборе стабилитрона под конкретную электронную цепь.
- UCT – указывает, какое номинальное значение модуль способен стабилизировать.
- ΔUCT – используется для указания диапазона возможного отклонения входящего тока в качестве безопасной амортизации.
- ICT – параметры тока, который может протекать при подаче номинального напряжения на модуль.
- ICT.МИН – показывает самое маленькое значение, которое способно протекать по стабилизатору. При этом протекающее напряжение по диоду будет находиться в диапазоне UCT ± ΔUCT.
- ICT.МАКС – модуль не способен выдерживать более высокое напряжение, чем это значение.
На фото ниже представлен классический вариант. Обратите внимание, что прямо на корпусе показано, где у него анод и катод. По кругу нарисована черная (реже встречается серая) полоска, которая располагается со стороны катода. Противоположная сторона – анод. Такой способ используется как для отечественных, так и для импортных диодов.
Дополнительная маркировка стеклянных моделей
Диоды в стеклянных корпусах имеют свои собственные обозначения, которые мы рассмотрим далее. Они настолько простые (в отличие от вариантов с пластиковыми корпусами), что практически сразу же запоминаются наизусть, нет необходимости каждый раз использовать справочник.
Цветовая маркировка используется для пластиковых диодов, например, для SOT-23. Твердый корпус модуля имеет два гибких вывода. На самом корпусе, рядом с вышеописанной полосочкой, дописываются таким же цветом несколько цифр, разделенных латинской буквой. Обычно запись имеет вид 1V3, 9V0 и так далее, разнообразие позволяет подобрать любые параметры по обозначению, как и в SMD.
Что же значит эта кодовая маркировка? Она показывает напряжение стабилизации, на которое рассчитан данный элемент. К примеру, 1V3 показывает нам, что это значение равно 1.3 В, второй же вариант – 9 вольт. Обычно чем больше сам корпус, тем большим стабилизирующим свойством он обладает. На фото ниже показан стабилитрон в стеклянном корпусе с маркировкой катода 5.1 В
Заключение
Правильный подбор параметров стабилитрона позволит получить стабильный ток, который из него подается на цепь. Обязательно подбирайте такие параметры предохранителя, используя соответствующий справочник, чтобы входное напряжение не испортило деталь, ему желательно находиться приблизительно в середине диапазона UCT ± ΔUCT.
ТЭГИ 2
ТЭГИ 2
ТЕГИ 2
диоды цена
диод 1n4001
туннельный диод
диоды шотки
купить диоды
стабилитрон
диодный мост
диоды купить
диод 1n4148
высокочастотные диоды
купить диод
диоды маркировка
вакуумный диод
импульсный диод
диод купить
диоды импортные
диод ганна
импульсные диоды
диоды выпрямительные
диод маркировка
мощные диоды
диод д226
выпрямительные диоды
диод шотки
полупроводниковый диод ганна
выпрямительный диод
высоковольтные диоды
диод 1n4007
полупроводниковые диоды
полупроводниковый диод
диоды
диод
д132-80
терморегулятор на симисторе
параметры симисторов
lbjls
работа тиристора
управление симистором схема
регулятор напряжения симисторе
схемы на симисторах
справочник по симисторам
регулятор на симисторе
силовые модули
управление симисторами
симисторный регулятор
схема управления симистором
схемы управления симисторами
управление симистором
тиристор
схемы на тиристорах
блок управления тиристорами
схемы управления тиристорами
управление тиристорами
nbhbcnjh
справочник по тиристорам
схема управления тиристором
управление тиристором
тиристор
тиристор т161
тиристор тл
тиристор т-50
тиристор т142
тиристор т253
тиристор ку221
тиристор лавинный
тиристор т142-80
тиристор т143-500
тиристор вт151
тиристор силовой
тиристор проверка
тиристор оптронный
тиристор тб
тиристор ку112
тиристор т10-25
тиристор вт 151
тиристор вместо реле
управляемый тиристор
тиристор т50
тиристор т-25
тиристор ку101
тиристор bt151
тиристор фото
тиристор вместо диода
оптронный тиристор
тиристор ку202н цоколевка
т160 тиристор
тиристор т122
проверить тиристор
тиристор т143
тиристор справочник
тиристор википедия
купить тиристор
тиристор т122-25
силовой тиристор
тиристор ку 202
тиристор т-160
тиристор купить
тиристор характеристики
тиристор е122-25-3
триодный тиристор
тиристор т25
тиристор схема включения
запираемый тиристор
тиристор т160
тиристор схема
тиристор принцип работы
как проверить тиристор
тиристор ку202
тиристор ку202н
тиристоры
куплю силовые тиристоры
тиристоры параметры
тиристоры тб
оптронные тиристоры
тиристоры т160
тиристоры каталог
высоковольтные тиристоры
силовые тиристоры справочник
тиристоры реферат
высокочастотные тиристоры
купить тиристоры
тиристоры принцип работы
тиристоры ку202
тиристоры оптронные
зарубежные тиристоры
тиристоры характеристики
справочник тиристоры
импортные тиристоры
импортные тиристоры справочник
тиристоры купить
куплю тиристоры
тиристоры и симисторы
тиристоры импортные
мощные тиристоры
запираемые тиристоры
тиристоры силовые
силовые тиристоры
тиристоры справочник
тиристоры
тиристора
проверка тиристора тестером
схема проверки тиристора
параметры тиристора
включение тиристора
обозначение тиристора
устройство тиристора
схема тиристора
принцип действия тиристора
работа тиристора
схема включения тиристора
вах тиристора
проверка тиристора
принцип работы тиристора
тиристоров
схема для проверки тиристоров
аналоги тиристоров
схема проверки тиристоров
проверка мощных тиристоров
схемы включения тиристоров
обозначение тиристоров
прибор для проверки тиристоров
цоколевка тиристоров
характеристики тиристоров
применение тиристоров
параметры тиристоров
проверка тиристоров
справочник тиристоров
каталог тиристоров
маркировка тиристоров
симистор
управление на симистор
симистор z0607
симистор купить
симистор ку208
симистор тс106-10
симистор bt139
симистор вт 136
симистор ку208г
симистор схема включения
купить симистор
симистор тс
симистор вместо реле
симистор тс 160
симистор проверка
симистор это
проверить симистор
симистор принцип работы
как проверить симистор
симистор
т161
тиристор т161-160 цена
т161-200
т161-160 параметры
тиристор т161
т161-160
тиристор т161-160
диоды
диоды киев
диоды быстрые
продам диоды
диоды полупроводниковые
диоды большой мощности
диоды в авто
диоды параметры
диоды 1n4148
диоды на авто
где купить диоды
диоды кд
диоды д226
диоды автомобильные
тунельные диоды
ультрабыстрые диоды
автомобильные диоды
диоды отечественные
диоды в фары
диоды лавинные
авто диоды
точечные диоды
смд диоды
смесительные диоды
обращенные диоды
сварочные диоды
сверхяркие диоды
чип диоды
диоды каталог
led диоды
диоды для сварки
быстродействующие диоды
ограничительные диоды
полупроводниковые диоды реферат
диоды мощные
светоизлучающие диоды
ик диоды
диоды ганна
диоды в габариты
отечественные диоды
диоды для авто
быстрые диоды
детекторные диоды
свето диоды
туннельные диоды
кремниевые диоды
лавинные диоды
диоды высоковольтные
tvs диоды
мощные выпрямительные диоды
импортные диоды
куплю диоды
свч диоды
германиевые диоды
силовые диоды каталог
зарубежные диоды
куплю диоды силовые
куплю силовые диоды
диоды силовые
диоды в200
диоды в-200
силовые диоды справочник
справочник диоды
силовые диоды
диод
диод д214
диод fr307
4007 диод
диод д232
диод д242а
диод д310
диод д237
диод in4004
диод в-50
диод 1а
диод 2д212а
диод д305
диод д247
фото диод
диод 2д213а
диод кд
диод s4
диод ss14
диод вд 200
ограничительный диод
диод 1n4002
диод высоковольтный
диод д237б
диод кд521а
1n4007 диод
диод in5822
диод кд202р
диод д7ж
диод д311
светоизлучающий диод
д18 диод
д245 диод
диод полупроводниковый
диод в-25
диод в10
исправный диод
диод кд213
диод фото
n4007 диод
свч диод
диод д20
мощный диод
диод шотке
диод кд521
диод д223
диод схема
диод кд213а
диод вах
диод in5408
диод д231
диод катод
диод в50
диод кд105
диод в-200
диод д243
диод кд202
диод д245
лавинно пролетный диод
диод n4007
электровакуумный диод
диод 4148
диод 10а
диод анод катод
диод fr207
ламповый диод
pin диод
тунельный диод
идеальный диод
диод д226б
диод выпрямительный
защитный диод
диод кд226
диод д18
диод д220
диод 4007
высоковольтный диод
диод 1n4004
точечный диод
диод кд522
диод принцип работы
диод 1n5408
диод википедия
tvs диод
диод д9
диод вики
диод д242
кремниевый диод
лавинный диод
обращенный диод
диод гп
диод обозначение
диод это
германиевый диод
диод цена
диод зенера
диод в200
диод in4007
диод вл-10
купить диод
диод купить
диод силовой
диод дл161-200
диод д161-250
диод д161
тиристорный диод
диод дл
управляемый диод
диод справочник
силовой диод
симисторы
симисторы купить
симисторы каталог
симисторы силовые
симисторы мощные
силовые симисторы
симисторы bta
импортные симисторы
симисторы отечественные
симисторы импортные справочник
тиристоры и симисторы
мощные симисторы
симисторы импортные
симисторы справочник
симисторы
симистора
аналог симистора
схема подключения симистора
работа симистора
симистора
подключение симистора
включение симистора
вах симистора
принцип работы симистора
схема включения симистора
проверка симистора
д161
д161
диод д161-250
диод д161
диод д161-200
д161-200
д161-250
д161-320
диодов
маркировки диодов
разновидность диодов
марки диодов
производители диодов
справочник импортных диодов
параметры импортных диодов
маркировка лазерных диодов
разновидности диодов
характеристика диодов
диодов
последовательное соединение диодов
параллельное соединение диодов
таблица диодов
применение диодов
проверка диодов
корпуса диодов
аналоги диодов
обозначения диодов
цветовая маркировка диодов
классификация диодов
типы диодов
обозначение диодов
каталог диодов
характеристики диодов
параметры диодов
виды диодов
справочник диодов
маркировка диодов
справочник
диоды справочник скачать
справочник по силовым диодам
справочник по силовым тиристорам
импортные диоды справочник
диоды импортные справочник
диод справочник
справочник диоды
справочник по диодам
диоды справочник
диода
аналог диода 1n4148
подключение диода
аналог диода 1n4007
катод диода
анод диода
проверка диода
работа диода
вах полупроводникового диода
пробой диода
характеристики диода
вид диода
характеристика диода
эквивалентная схема диода
ток насыщения диода
обратный ток диода
принцип действия диода
параметры диода
маркировка диода
схема диода
устройство диода
дифференциальное сопротивление диода
сопротивление диода
полярность диода
диода
обозначение диода
принцип работы диода
вах диода
шоттки
шоттки диод
диод шоттки википедия
импортные диоды шоттки
мощные диоды шоттки
диоды шоттки справочник
диоды шоттки
диод шоттки
силовые
силовые симисторы
силовые диоды каталог
симисторы силовые
куплю диоды силовые
куплю силовые диоды
силовые модули
силовые диоды справочник
диоды силовые
силовые диоды
Smd
smd diode
диоды smd
диод smd
smd диод
smd диоды
характеристики
диод д242 характеристики
диод в200 характеристики
диод д226 характеристики
диод характеристики
диод д226б характеристики
диоды характеристики
Маркировка полупроводниковых элементов – Радиолюбительская азбука
Маркировка всех современных полупроводников состоит из названия, как правило, не имеющего ничего общего с их электрическими параметрами. Названия «раздаются» по порядку, по мере создания новых приборов: «01», «02», … — и так до бесконечности (обычно до 100…200). В названиях отечественных полупроводников зашифрован их тип и мощность:
В названиях импортных полупроводников не зашифровано ничего, кроме имени фирмы-изготовителя. Электрические параметры полупроводниковых элементов по названию можно узнать в специализированных справочниках; для большего удобства в этой книге, в разделе «справочный материал», даны характеристики некоторых наиболее популярных среди радиолюбителей элементов. Слово «некоторых» выделено из-за того, что на сегодняшний день одних только диодов существует более 100000 видов — в этой книге строчек раз в 10 меньше.
На корпуса некоторых отечественных полупроводников вместо число-буквенного названия наносятся цветные метки. Ниже дана расшифровка таких «названий.
Тип | Маркировка |
КТ209 | сзади серая точка +: |
А | сверху красная точка |
Б | сверху желтая точка |
В | сверху зеленая точка |
Г | сверху голубая точка |
Д | сверху синяя точка |
Е | сверху белая точка |
Ж | сверху коричневая точка |
И | сверху серебристая точка |
К | сверху оранжевая точка |
л | сверху желто-коричневая точка |
м | сверху серая точка |
КТ209АМ…ММ | спереди ромб, под ним буква А…М |
КТ342 | спереди синяя точка+: |
AM | сверху красная точка |
БМ | сверху желтая точка |
ВМ | сверху зеленая точка |
КТ363АМ | две розовые точка |
КТ363БМ | розовая и желтая точка |
КТ368АМ | две белые точка сверху |
КТ368БМ | одна белая точка сверху |
КТ3102 | сзади зеленая точка +: |
А | сверху красная точка |
Б | сверху желтая точка |
В | сверху зеленая точка |
Г | сверху голубая точка |
д | сверху синяя точка |
Е | сверху белая точка |
КТ3107 | две точки; голубая +: |
А | розовая |
Тип | Маркировка |
Б | желтая |
В | синяя |
Г | бсжеваи |
Д | оранжевая |
Е | “электрик” |
Ж | салатовая |
И | зеленая |
К | красная |
Л | серая |
КТ3126А | спереди квадрат |
Б | спереди и сверху зеленые точки |
В | спереди квадрат + точка |
Диоды
Тип | Маркировка |
КД105 | желтая полоса на или возле торца, +: |
А | желтая точка |
Б | ничего |
В | зеленая точка |
Г | красная точка |
КД208А | зеленая точка возле анода, или желтый торец |
КД209 | красная полоса возле анода +: |
А | ничего |
Б | зеленая точка |
В | красная точка |
КД221 | белый торец +: |
А | ничего |
Б | белая точка |
КД226 | цветное кольцо возле катода: |
А | оранжевое |
Тип | Маркировка |
Б | красное |
В | зеленое |
Г | желтое |
Д | белое |
Е | голубое |
КД247 | два цветных кольца возле катода: |
А | оранжевые |
Б | красные |
В | зеленые |
Г | желтые |
Д | белые |
Е | фиолетовые (голубые) |
Стабилитроны
Варикапы
У некоторых импортных силовых приборов их основные параметры (напряжение и ток) включены в название прибора, например, ΡΗΡ50Ν06Τ, 12CTQ 035, 36МВ40. Первое число — ток в амперах (соответственно, 50 А, 12 А и 36 А), а второе — максимально допустимое напряжение в десятках вольт (60 В, 35 В, 400 В). Это правило справедливо только тогда, когда между числами стоят буквы; исключение — транзисторы серии FS: у FS5KM-9 ток равен 5 А, а напряжение U = 9 · 50 = 450 В, у FS12KM5 ток равен 12 А, а напряжение — 250 В. Есть и другие исключения, но они встречаются гораздо реже.
Отечественные мощные диоды и тиристоры маркируются таким образом:
К сожалению, по такому принципу маркируются только «устаревшие» приборы, все современные диоды и тиристоры маркируются порядковым номером.
Тиристоры серий Т106-10 и ТС106-10 изготавливаются в наиболее «удобном» для монтажа корпусе ТО-220. Выводы у них расположены так же, как и у симисторов серии ВТ фирмы Philips (см. «справочный материал»).
Маркировка современных отечественных маломощных стабилитронов:
Источник: А. С. Колдунов, Радиолюбительская азбука. Том 2. Аналоговые устройства. — М.: СОЛОН-Пресс, 2004. 288 с. — (Серия «СОЛОН — РАДИОЛЮБИТЕЛЯМ» выпуск 24)
(PDF) Способ связывания двухкомпонентной молекулы IgV CD226 / DNAM-1 с ее лигандом CD155 / Necl-5
CD80 / 86, чем со стимулирующим рецептором CD28 (37). В этом исследовании авторы
обнаружили, что аффинность связывания между hCD226 и CD155 в шесть
раз больше, чем ранее сообщавшаяся аффинность между hCD226
и CD112 (8,97 мкМ) (38). Эти результаты соответствуют феномену
, согласно которому белок CD226-Fc более эффективно связывается с клетками, сверхэкспрессирующими
CD155, чем с CD112 (23).Однако аффинность связывания
hCD226 с CD155 не показала существенной разницы в
с аффинностью ингибитора TIGIT к CD155 (3,2 мкМ), как сообщалось в предыдущих исследованиях
(30). Это несоответствие аффинности
противоречит вышеупомянутой гипотезе «сначала ингибирующие рецепторы»
и указывает, что семейство CD226-TIGIT-CD96 может использовать другой механизм для координации активации и ингибирования NK-клеток.
Таким образом, мы сообщаем об уникальном расположении бок о бок
двух доменов IgV CD226.Он связывается с CD155 через домен
D1 с мотивом связывания, аналогичным мотиву связывания парного ингибирующего рецептора
TIGIT и его лигандов семейства нектин / Necl. Обнаружение того, что
домен D2 CD226 обеспечивает как поддерживающую архитектуру для
домена D1, так и прямое взаимодействие с CD155, указывают на
критических ролей уникальной структурной организации в связывании лиганда
ing. Все эти открытия расширяют наше понимание активации NK-клеток и будут способствовать будущей разработке биопрепаратов, нацеленных на
CD226, для иммунотерапии.
Материалы и методы
Экспрессия и очистка белков. Для экспрессии белков hCD226-ecto и mCD226-
, используемых для кристаллизации, кДНК, кодирующие остатки 19–250 из
hCD226 (GenBank: NM_001303618.1) и 21–243 из mCD226 (GenBank:
49.1_001039) были индивидуально клонированы в сайты NdeI и XhoIвектора pET-21a (Invitrogen). Мутантные белки h / mCD226-ecto были сконструированы путем сайт-направленного мутагенеза
.Эти рекомбинантные белки были
, экспрессировавшимися в штамме E. coli BL21 (DE3) в виде телец включения и подвергнутых рефолдингу с помощью ранее описанного метода диализа
(38, 39). Первый Ig-подобный домен CD155
(hCD155-D1, остатки 1–143), слитый с С-концевой гексагистидиновой меткой, был li-
, гейтированным в сайты BamHI и XhoI вектора pFastbac-1 (Invitrogen) и
экспрессируется с помощью системы экспрессии бакуловируса Bac-to-Bac, как описано ранее
(40).После приготовления эти растворимые белки очищали
гель-фильтрацией на колонке Superdex 200 100/300 GL (GE Healthcare; для
hCD226-ecto), колонке Hiload 16/60 Superdex 200 PG (GE Healthcare; для
mCD226-ecto) или колонку Hiload 16/60 Superdex 75 PG (GE Healthcare;
для hCD155-D1) и концентрировали для скрининга кристаллов и экспериментов SPR.
Для получения комплекса mCD226-ecto и hCD155-D1 каждый из белков
смешивали in vitro в молярном соотношении 1: 1, а затем инкубировали
в течение ночи при 4 ° C.После очистки на колонке Superdex 200 100/300 GL
(GE Healthcare) фракции, содержащие комплекс, собирали и
концентрировали до ~ 10 мг / мл для скрининга кристаллов.
Для получения Fc-слитых белков, используемых в анализе проточной цитометрии,
фрагментов, кодирующих эктодомен hCD226 дикого типа или мутантного hCD226 (остатки
,1-250) или домен D1 (остатки 1-129) или D2 hCD226 (остатки 1–18,
,, 130–250) были клонированы в векторы экспрессии pCAGGS, которые содержат фрагмент
, кодирующий Fc-домен мышиного IgG (mFc) на С-конце.
Затем экспрессионные плазмиды трансфицировали в клетки НЕК 293Т (АТСС).
Культуру клеток собирали через 72 часа после трансфекции, а затем очищали с помощью колонки с протеином A
и эксклюзионной хроматографией на колонке Superdex
200 100/300 GL (GE Healthcare), уравновешенной PBS.
Кристаллизация, сбор данных и определение структуры. Экто-нативный белок hCD226-
и mCD226-экто-белок кристаллизовали методом диффузии в паровой капле сидя
.В частности, 1 мкл белкового раствора смешивали с
1 мкл резервуарного раствора, содержащего 0,1 М Трис при pH 7,5 и 0,8 М Na / K водорода
фосфата (для hCD226-ecto) или 0,1 М Na Hepes при pH 7,5, 10%. (мас. / об.) ПЭГ
8000 и 8% (об. / об.) этиленгликоля (для mCD226-ecto) при 4 ° C. Экто нативные кристаллы hCD226-
использовали для штриховки селенометионин-замещенных кристаллов
. Для комплекса mCD226 / CD155 кристаллы выращивали в 0,1 М Трис
при pH 8.0, 0,15 М сульфата аммония и 15% (мас. / Об.) PEG4000 при 18 ° C.
Для сбора данных все кристаллы на короткое время замачивали в своих индивидуальных резервуарных растворах
с добавлением 20% (об. / Об.) Глицерина и охлаждали при мгновенном охлаждении
в жидком азоте. Все наборы данных были собраны на шанхайском синхротроне
Radiation Facility BL17U при температуре 100 K, а затем
проиндексированы, интегрированы и масштабированы с помощью HKL2000 (41).
Кристаллическая структура hCD226 была решена с помощью одночастотной аномальной фазировки
.Сайты селенометионина были локализованы с помощью
SHELXD (42) и использовались для расчета фаз с помощью Phaser (43) из набора программ
CCP4 (44). На начальном этапе была улучшена плотность модификации
с DM (45), за которой последовало автоматическое построение модели с
ARP / wARP (46). Структура mCD226-ecto / hCD155-D1 была решена путем молекулярной замены
с использованием Phaser со структурами mCD226-ecto
и hCD155 (код PDB: 3EOW) в качестве поисковых моделей.Первоначальная доработка корпуса с фиксированным жестким диском
и ручное построение модели были выполнены с использованием
REFMAC5 (47) и COOT (48) соответственно. Дальнейшие раунды уточнения
были выполнены с использованием phenix.refine (49). Стереохимическое качество финальной модели
оценивали с помощью программы PROCHECK (50). Статистика сбора, обработки и уточнения данных
обобщена в Приложении SI
, Таблица S1. Все структурные фигуры были получены с использованием Pymol
(https: // pymol.org / 2 /).
Thermofluor Assay. Термофлюор-эксперименты проводили с помощью прибора iCycleriQ
Real Time PCR Detection System (Bio-Rad). Флуоресцентный краситель
SYPRO Orange (Invitrogen) использовали для мониторинга денатурации белков
. Двадцать микролитров реакции проводили в планшете для ПЦР, содержащем
10 мкМ каждого белка и 5 × растворов SYPRO Orange. Для каждого образца было выполнено три повтора
. Затем пластину нагревали от 20 ° C до 95 ° C с шагом
приращений 0.5 ° C / 30 с. Регистрировали сигналы флуоресценции и наносили
среднего значения производных как функцию температуры.
Анализ SPR. Анализ SPR выполняли с использованием машины BIAcore 3000 с сенсорным чипом
CM5 (GE Healthcare) при комнатной температуре (25 ° C). Все белки
, использованные в этих экспериментах, были заменены на буфер SPR, который
содержит 10 мМ Hepes · HCl при pH 7,5, 150 мМ NaCl и 0,005% (об. / Об.)
Tween-20, посредством гель-фильтрации.Белок hCD155-D1 дикого типа (hCD155-D1-
WT) или белок hCD155-D1-2M были индивидуально иммобилизованы на различных каналах
чипа CM5 до ~ 1000 единиц ответа, а затем последовательно
разведенных аналитов. протекли через чип. Кинетику связывания
анализировали с помощью программного обеспечения BIAevaluation Version 4.1 с использованием модели связывания Ленгмюра
1: 1.
Анализ проточной цитометрии. Для создания клеточных линий, стабильно экспрессирующих
CD155, полноразмерную кДНК CD155 человека клонировали в вектор pEGFP-
N1 и трансфицировали в клеточную линию CHO-K1.Свежая среда, содержащая
, содержащая 800 мкг / мл Генетицина (Thermo Fisher), добавлялась к клеткам через 48 ч.
после трансфекции, и среду обновляли каждые несколько дней до появления
–очагов мегаскопических клеток. Клетки, стабильно экспрессирующие CD155, были
, затем идентифицированы и отсортированы с помощью проточной цитометрии.
Для окрашивания клеток предварительно приготовленные слитые с Fc белки hCD226-ecto-WT
и hCD226-D1 были серийно разведены (целевые концентрации
показаны в приложении SI, рис.S4), тогда как слитые с Fc белки hCD226-ecto-4M
и hCD226-D2 получали в концентрации 700 нМ. Затем нативные клетки CHO-K1
или клетки CHO-K1, стабильно экспрессирующие CD155-GFP, помещали в PBS и инкубировали с мышиным антителом, специфичным к
CD155 (sc-514623; Santa Cruz Biotechnology) или Fc-слитые белки в течение 0,5 ч
при 4 ° С. Затем клетки промывали и дополнительно инкубировали с APC-конъюгированным антителом
против вторичного IgG мыши (CAT: 405308; Biolegend) для дополнительных
0.5 ч при 4 ° C перед тем, как принести анализ методом проточной цитометрии. Клетки in-
, содержащие только вторичные антитела, использовали в качестве отрицательного контроля.
Аналитическая гель-фильтрация. Белки hCD226-ecto и mCD226-ecto были
индивидуально смешаны с белком hCD155-D1 в молярном соотношении 1: 2 и инкубированы
в течение 4 ч при 4 ° C. Белки hCD226-ecto, mCD226-ecto и hCD155-D1 и их смесь
доводили до того же объема. Затем образцы
загружали в калиброванную колонку Superdex 200 (GE Healthcare).Матографы chro-
были записаны и наложены друг на друга. Объединенные белки
ианализировали на 15% SDS / PAGE геле и окрашивали кумасси синим.
Доступность данных. Координаты атомов hCD226-ecto, mCD226-ecto и комплекса mCD226-CD155
депонированы в базу данных Protein Data Bank
под кодами доступа 6ISA, 6ISB и 6ISC соответственно.
БЛАГОДАРНОСТИ. Мы благодарим доктора Цзинхуа Яня (Институт микробиологии,
CAS) и доктораЦзюнь Лю (Китайский центр по контролю и профилактике заболеваний) на номер
за их помощь в анализе данных, комментариях и обсуждениях. Мы благодарим Mi
Yang (Институт микробиологии, CAS) за конструирование плазмид экспрессии
и Jie Wang (Jiangxi Science and Technology Normal University)
за очистку белков. Мы благодарим Zheng Fan (Институт микробиологии, CAS),
Yuanyuan Chen и Ya Wang (Институт биофизики, CAS) за их помощь
с анализами SPR и экспериментами с термофлюором.Эта работа была поддержана
Национальным фондом естественных наук Китая (гранты 313
,
,и 31700149) и Программой стратегических приоритетных исследований Китайской академии наук
(грант XDB2
00). H.W. был поддержан Национальной программой постдокторантуры для инновационных талантов Na-
(грант BX201600162).
Wang et al. PNAS
|
15 января 2019 г.
|
об. 116
|
нет.3
|
995
ИММУНОЛОГИЯ И
ВОСПАЛЕНИЕ
Frontiers | CD226: новая роль в иммунологических заболеваниях
Структура CD226
Открытие и наименование
CD226, а именно антиген активации 1 линии Т (TLisA1), антиген 1 тромбоцитов и Т-клеток (PTA-1) или DNAM-1, является членом суперсемейства иммуноглобулинов. Молекулярная мембрана содержит два V-подобных домена иммуноглобулина (Shibuya et al., 1996; Sherrington et al., 1997). Burns et al. впервые обнаружили, что CD226 экспрессируется на поверхности Т-клеток в 1985 году, документально подтвердив, что он связан с активацией CTL, поэтому он был назван TLisA1 (Burns et al., 1986). Более поздние исследования показали, что CD226 также экспрессируется в тромбоцитах и участвует в агрегации активации тромбоцитов, поэтому он был назван PTA1 (Shibuya et al., 1996). В 1997 году Burns et al. подтвердили, что TLisA1 и DNAM-1 на самом деле являются одной и той же молекулой (Sherrington et al., 1997). В 2000 году на Седьмой Международной конференции группы сотрудничества антигенов дифференцировки человеческих лейкоцитов молекула была официально названа CD226 (Mason et al., 2001).
Ген и структура
CD226 представляет собой консервативную последовательность в генах человека и мыши, которые расположены в полосах 18q22.3 и 18E4 хромосомы соответственно (Jinlong et al., 2002). В 2002 году у мышей был успешно идентифицирован ген CD226, общая длина которого составляет 2487 п.н. Он содержит открытую рамку считывания размером 1002 п.о. и кодирует ведущую последовательность из 18 аминокислот и зрелый белок CD226 из 315 аминокислот (Xinhai et al., 2002). В 2006 году была идентифицирована промоторная последовательность гена CD226 человека (Jian et al., 2006). Ген имеет по крайней мере два промотора, которые расположены в области от -810 до -287 п.н. и от +33 до +213 п.н., которые выполняют различные тканеспецифичные роли и физически разделены негативным регуляторным элементом (Jian et al., 2006). . Ген CD226 человека содержит 7 экзонов и 6 интронов, из которых экзон 7 кодирует 41 аминокислоту в цитоплазматической области (Jinlong et al., 2002). Биоинформатический анализ показывает, что в этой области гена CD226 есть предполагаемые сайты связывания для факторов транскрипции AP-1, Sp1, PEA3 и Ets-1 (Jian et al., 2006). Полная длина кДНК CD226 человека составляет 2664 п.о., она содержит открытую рамку считывания и кодирует ведущую последовательность из 18 аминокислот и зрелый белок CD226 из 318 аминокислот. Внеклеточный домен содержит 230 аминокислот, включая 2 иммуноглобулиновых V-подобных домена и 8 N-связанных сайтов гликозилирования, и, таким образом, он чрезвычайно чувствителен к деградации своих гликановых остатков; дегликозилирование дает белок 35 кДа (Shibuya et al., 1996). Трансмембранный домен содержит 28 аминокислот.Внутриклеточный домен содержит 60 аминокислот. Внутриклеточный домен содержит 4 остатка тирозина и 1 остаток серина, которые могут собирать сигнальные белки после фосфорилирования. Эта реакция основана на взаимодействии между CD226 и его лигандом (Jun et al., 2012). Первый домен вне оболочки молекулы CD226 является ее структурной основой для распознавания лигандов, адгезии, образования иммунных синапсов и цитотоксического действия (Shengke et al., 2014; Рисунок 1).
Рисунок 1. CD226 состоит из трех доменов. Внеклеточный домен включает 2 V-подобных домена иммуноглобулина и 8 сайтов N-связанных гликопротеинов. Первый домен вне оболочки молекулы CD226 является ее структурной основой для распознавания лигандов, адгезии, образования иммунных синапсов и цитотоксического действия. Внутриклеточный домен содержит 4 остатка тирозина и 1 остаток серина. Когда CD226 связывается со своим лигандом, молекула CD226 направленно перемещается к липидным рафтам на клеточной мембране и рекрутирует внутриклеточные сигнальные молекулы, такие как PTK и PKC, которые фосфорилируют по четырем остаткам и активируют клетку.
Существует три типа однонуклеотидных мутаций в экзоне гена CD226, включая CD226 rs763361, rs34794968 и rs727088 (Bossini-Castillo et al., 2012). Было подтверждено, что эти три однонуклеотидных полиморфизма гена CD226 связаны с предрасположенностью к различным аутоиммунным заболеваниям (Bossini-Castillo et al., 2012). Несинонимичные мутации CD226 rs763361 / gly307ser связаны с предрасположенностью к аутоиммунным заболеваниям, таким как диабет 1 типа (T1D), ревматоидный артрит (RA), рассеянный склероз (MS), аутоиммунное заболевание щитовидной железы (AITD) и системный склероз (SSc; Todd). и другие., 2007; Qiu et al., 2008; Смит и др., 2008; Dieudé et al., 2011). Поскольку несинонимичная мутация, кодируемая этим аллелем, может кодировать цитоплазматический хвост (экзон 7) белка CD226, эта мутация может влиять на функцию Т-клеток или других клеток (Todd et al., 2007). Действительно, дисфункция Т-клеток и других клеток тесно связана с началом и развитием аутоиммунных заболеваний (Li et al., 2013; Maogen et al., 2014; Yaoyao et al., 2018). Другие гипотезы предполагают, что эта мутация может нарушать сайты связывания энхансеров и / или сайленсеров, тем самым изменяя сплайсинг РНК (Todd et al., 2007). Кроме того, замена rs763361 на серин также может препятствовать фосфорилированию 322 тирозиновых и 329 сериновых сайтов CD226, а также посттрансляционным модификациям нижестоящих сигнальных путей (Todd et al., 2007; Boquan and Zhuwei, 2010) . CD226 rs727088, однонуклеотидный полиморфизм, может влиять на экспрессию CD226 на уровне транскрипции, что, как было обнаружено, сильно коррелирует с восприимчивостью к опухоли (Löfgren et al., 2010). Однонуклеотидная мутация CD226 rs34794968 сама по себе не влияет на возникновение и развитие заболевания, но может играть синергетическую роль с двумя вышеупомянутыми мутациями (Bossini-Castillo et al., 2012).
Выражение и распространение
Паттерны экспрессии CD226 разнообразны (Ralston et al., 2004). В периферической крови CD226 экспрессируется на Т-клетках, NK-клетках, NK-Т-клетках, В-клетках, моноцитах / макрофагах, дендритных клетках (DC), клонах мегакариоцитов / тромбоцитов и гематопоэтических клетках-предшественниках (Burns et al., 1986; Scott et al., 1989; Kojima et al., 2003; Shibuya et al., 2003; Reymond et al., 2004; Dongchu et al., 2005). Эндотелиальные клетки также демонстрируют низкие количества этого белка в условиях покоя, но экспрессия значительно усиливается при их стимуляции (Lihua et al., 2003). CD226 также экспрессируется на зрелых тучных клетках и клетках-предшественниках CD34 + костного мозга, но не на предшественниках эритроцитарного клона (Dongchu et al., 2005; Bachelet et al., 2006). Было продемонстрировано, что CD226 + NK-клетки играют важную роль в распознавании нескольких типов опухолей человека, таких как миелома, меланома и карцинома яичников, а недавние исследования показали, что CD226 может быть одним из маркеров зрелых NK-клеток ( Мартине и др., 2015). Ранее мы сообщали, что количество CD226 + NK-клеток увеличивается при волчанке и преимущественно инфильтрируется в волчаночную почку.Кроме того, эти активированные NK-клетки опосредуют повреждение тканей, продуцируя цитотоксические гранулы, что в конечном итоге способствует волчаночному нефриту (Huang et al., 2011).
Лиганды CD226
В 2003 г. Bottino et al. подтвердили, что лиганд человеческого CD226 представляет собой CD155 (nacl-5, PVR) и CD112 (никотин-2), которые имеют аналогичную молекулярную массу, 70 кДа и 65/60 кДа. Они принадлежат к семейству никотиноподобных белков и семейству никотиновых белков (Bottino et al., 2003; Wang et al., 2009). В 2005 году Tahara-Hanaoka et al. (2005) продемонстрировали, что лигандами молекул CD226 мыши также являются CD155 и CD112. Молекулы CD155 и CD112 широко экспрессируются в различных тканевых клетках, таких как нервные клетки, эндотелиальные клетки, эпителиальные клетки, антигенпрезентирующие клетки, фибробласты, клетки, инфицированные патогенами, и множество опухолевых клеток (Bottino et al., 2003; Tahara-Hanaoka et al., 2004; Dardalhon et al., 2005; Bryceson et al., 2006; Pende et al., 2006; Gilfillan et al., 2008; Kraus et al., 2016). Солидный рак, а также гематологические злокачественные новообразования имеют высокие уровни CD155 и CD112, что делает их хорошими мишенями для атаки CTL посредством CD226-специфического связывания (Castriconi et al., 2004; Pende et al., 2005; Moretta et al., 2006). ; Карлстен и др., 2007; Эль-Щербины и др., 2007). Они также экспрессируются в иммунных клетках, таких как моноциты, DC и активированные Т-клетки (Pende et al., 2006), а также влияют на некоторые физиологические процессы.
Функция CD226
CD226 участвует в функции клеток CTL и NK клеток
В организме человека CD226 высоко экспрессируется на поверхности NK-клеток и CD8 + Т-клеток (Shibuya et al., 1996). У мышей 40-50% NK-клеток и все CTL-клетки конститутивно экспрессируют CD226 (Dardalhon et al., 2005).
CD226, как молекула адгезии, способствует миграции, активации, пролиферации, дифференцировке и функции CD8 + Т-клеток. Клеткам CTL необходимо мигрировать к месту воспаления или микросреде опухоли через молекулы адгезии для установления тесного контакта (Bryceson et al., 2006). Во вторичных лимфоидных органах молекулы адгезии опосредуют взаимодействие между клетками CTL и антигенпрезентирующими клетками и, наконец, активируют, пролиферируют и дифференцируют их.Взаимодействие CD226 / CD155 очень важно для пролиферации CD8 + Т-клеток и иммунного ответа антиген-специфичных CD8 + Т-клеток (Gilfillan et al., 2008). Костимулирующий сигнальный путь CD8 + Т-клеток, опосредованный CD226, был прерван в процессе хронической инфекции ВИЧ-1. Следовательно, экспрессия CD226 на поверхности CD8 + Т-клеток подавляется, что снижает эффект CTL (Cella et al., 2010).
Все больше и больше данных показывают, что CD226 участвует в биологической функции NK-клеток (Enqvist et al., 2015; Мартине и Смит, 2015; Мартине и др., 2015). Комбинация CD226 с CD155 и / или CD112 в сотрудничестве с NKp30 может побуждать NK-клетки растворять незрелые DC и способствовать пролиферации зрелых DC (Balsamo et al., 2009). Созревание DC способствует иммунному ответу за счет усиления адаптивной иммунной системы (Zheng et al., 2006; Ramalingam et al., 2012; Peng et al., 2020). Взаимодействие между CD226 и его лигандами участвует в перекрестном связывании NK- и Т-клеток. При реакции трансплантат против хозяина (GVHD; Lozano et al., 2013) и других аутоиммунных заболеваниях (Ardolino et al., 2011), NK-клетки могут распознавать и уничтожать стимулированные антигеном Т-клетки, которые были активированы / пролиферировали, а также могут способствовать дифференцировке хелперных Т-клеток.
CD226 вместе с CD96, TIGIT и CRTAM также участвует в регуляции функции NK-клеток (Ralston et al., 2004; Chan et al., 2014; Nabekura et al., 2014; Shu-Bin et al. , 2020). После стимуляции ЛПС доля IFN-γ + NK-клеток у мышей с дефицитом CD226 была значительно ниже, чем у мышей дикого типа (Chan et al., 2014). Считается, что CD96 ингибирует секрецию IFN-γ NK-клетками. Следовательно, молекулы CD96 и CD226 обращают обратную секрецию IFN-γ в NK-клетках (Chan et al., 2014). TIGIT, CD96 и CRTAM способны распознавать нектин и молекулы семейства Necl и регулировать функцию NK-клеток, что еще больше усложняет исследование CD226 в биологической функции NK-клеток (Chan et al., 2014). В последние годы сообщалось, что синергетический эффект CD226 и этих трех молекул уравновешивает активацию NK-клеток in vivo (Martinet and Smyth, 2015).
CD226 участвует в функции CD4 + Т-клеток
В 2005 г. Dardalhon et al. (2005) заявили, что CD226 был специфическим поверхностным маркером клеток Th2 у мышей. В 2006 году Shibuya et al. выявили, что свежевыделенные CD4 + Т-клетки у мышей также экспрессируют молекулы CD226 низкого уровня, что исходные Т-клетки экспрессируют молекулы CD226, и что наиболее поляризованные клетки Th2 и Th3 также экспрессируют молекулы CD226 (Shibuya et al., 2006). В 2012 году Lozano et al. продемонстрировали, что TIGIT может подавлять функции Т-клеток, конкурируя с CD226 (Lozano et al., 2012). В 2015 году Fuhrman et al. обнаружили, что CD226 экспрессируется в CD4 + Т-клетках памяти (Fuhrman et al., 2015). Эти аномальные клетки и относительные провоспалительные цитокины способствуют возникновению многих иммунологических заболеваний (Yang and Song Guo, 2016; Sujuan et al., 2018, 2019).
В 2013 году Sutavani et al. (2013) доказали, что поверхностным маркером регуляторных Т-клеток человека 1 типа (Tr1) является CD4 + CD49b + LAG-3 + CD226 +. Tr1 представляет собой разновидность хронически активированных CD4 + Т-клеток в присутствии IL-10 (Weishan et al., 2017; Fang et al., 2018), который выполняет функции низкой пролиферации, высокой секреции IL-10, низкой экспрессии IL-2 и IL-4 (Gagliani et al., 2013). CD226 высоко экспрессируется на поверхности регуляторных Т-клеток человека I типа и участвует в уничтожении миелоидных антигенпрезентирующих клеток (Magnani et al., 2011). Tr1 выполняет функцию подавления иммунного ответа и поддержания периферической иммунной толерантности. Имеет перспективу применения при лечении аутоиммунных заболеваний, опухолей, а также при отказе от аллогенной трансплантации тканей и органов.
Недавно было обнаружено, что молекулы CD226 и TIGIT, экспрессируемые на поверхности клеток CD4 + Foxp3 + Treg человека, связаны с их стабильностью и ингибированием. Подобно клеткам Tr1, CD4 + Foxp3 + Treg имеют решающее значение для поддержания гомеостаза и предотвращения аутоиммунных проблем (Ya et al., 2014; Anping et al., 2016). Чистота и ингибирующая функция подмножеств Treg CD226 + TIGIT- будут ослаблены после амплификации, а с увеличением IL-10 и эффекторных цитокинов предполагается, что экспрессия CD226 влияет на функцию Treg (Fuhrman et al., 2015). Foxp3, Helios были высоко экспрессированы в клетках CD226-TIGIT + Treg и с Treg-специфическим деметилированным участком. In vitro эксперименты по ингибированию показывают, что экспрессия TIGIT в Treg-клетках связана с его сильной ингибирующей активностью. С другой стороны, уровень экспрессии CD226 в активированных Treg-клетках повышается. Следовательно, в процессе поиска блокирования CD226 для ослабления активности традиционных эффекторных Т-клеток следует сосредоточить внимание на соответствующих дозах, чтобы избежать одновременного снижения функции Treg (Fuhrman et al., 2015). Однако у пациентов с РА мы недавно продемонстрировали, что, хотя и CD226, и TIGIT демонстрируют повышенные уровни экспрессии в клетках CD4 + Foxp3 +, они не связаны с активностью заболевания у пациентов с РА (Mengru et al., 2019). Таким образом, CD226 не кажется идеальным маркером для Treg-клеток человека.
CD226 участвует в функции других клеток
CD226 также экспрессируется в тромбоцитах. Поперечное сшивание CD226 и mAb может вызывать активацию тромбоцитов, позволяя тромбину индуцировать фосфорилирование тирозина CD226 и опосредовать адгезию тромбоцитов (Scott et al., 1989). Впоследствии было документально подтверждено, что CD226 опосредует адгезию тромбоцитов и мегакариоцитов к эндотелиальным клеткам сосудов (Kojima et al., 2003).
Тучные клетки человека и эозинофилы могут одновременно экспрессировать CD226 и CD112. Эти клетки играют важную роль в развитии аллергических заболеваний (Wenru et al., 2012, 2014, 2015). На поздних и хронических стадиях анафилактического воспаления тучные клетки и эозинофилы с тканевой инфильтрацией образуют регуляторную единицу. В присутствии эозинофилов дегрануляция, опосредованная FCεRI тучных клеток, усиливается.Этот эффект частично вызван взаимодействием CD226 / CD112, запускающих сигнальные пути Fyn, LAT и фосфолипазы Cγ2, участвующие в указанном выше прогрессе (Bachelet et al., 2006) (Рисунок 2).
Рисунок 2. В качестве молекулы адгезии связывание CD226 и CD155 может опосредовать взаимодействие между клетками CTL и профессиональными антигенпредставляющими клетками, что в конечном итоге позволяет им активировать, пролиферировать и дифференцироваться. CD226 также может индуцировать активацию тромбоцитов и опосредовать адгезию тромбоцитов за счет перекрестного связывания со своим mAb.Уничтожение опухолевых клеток NK-клетками в основном зависит от связывания CD226 с CD112 и CD155, экспрессируемыми на опухолевых клетках. В присутствии эозинофилов дегрануляция, опосредованная FCεRI тучных клеток, усиливается. Этот эффект частично вызван взаимодействием CD226 / CD112.
CD226 и клинические болезни
CD226 и аутоиммунные заболевания
Предыдущие исследования показали, что экспрессия CD226 отрицательно коррелирует с ингибирующей функцией Foxp3 + Treg.TIGIT, ко-ингибирующая молекула на Т-клетки, оказывает иммуносупрессивное действие, конкурируя с CD226 за тот же лиганд CD155 (Lozano et al., 2012). Костимуляторная ось TIGIT и CD226 играет важную роль в иммунорегуляторной функции Foxp3 + Treg и связана с несколькими аутоиммунными заболеваниями. Несколько линий доказательств подтверждают, что подавляющая способность CD226 + Tregs ингибируется (Ning et al., 2019), и что TIGIT + Tregs обладают высокой подавляющей способностью и в большей степени (Joller et al., 2014).Экспериментальный аутоиммунный энцефаломиелит (EAE) способствует нарушению самотолерантности и приводит к тому, что клетки Th27 проникают в центральную нервную систему, чтобы опосредовать воспаление и повреждение нейронов (Rostami and Ciric, 2013). Zhang et al. сообщили, что чувствительность к EAE у мышей, получавших анти-CD226 pAb, была заметно снижена за счет уравновешивания соотношения Th27 / Treg (Rong et al., 2016), а повышенная супрессивная способность Treg во время EAE связана с отсутствием CD226 и увеличением уровни экспрессии TIGIT (Ning et al., 2019). Язвенный колит (ЯК) — хроническое воспалительное заболевание, связанное с иммунитетом. Long et al. обнаружили, что отсутствие экспрессии CD226 на Foxp3 + Tregs играет положительную роль в восстановлении клинической ремиссии из активной стадии у пациентов с ЯК, а экспрессия TIGIT на CD226-Foxp3 + Tregs потенциально положительно влияет на подавление CD226-Foxp3 + Treg ( Ян и др., 2020).
В последние годы с развитием технологии секвенирования связь между геном и заболеванием становится более ясной.Изучение полиморфизма гена CD226 и предрасположенности к аутоиммунным заболеваниям вступило в новый этап.
CD226 rs763361 представляет собой 307 глицин, замененный серином. Эта мутация может быть связана с развитием ряда связанных с иммунитетом заболеваний, таких как СКВ, ССД, СД1 и РА (Du et al., 2011; Avouac et al., 2013; Mattana et al., 2014; Elhai et al., 2014; Elhai et al., 2011; Avouac et al., 2013; Mattana et al., 2014; Elhai et al. др., 2015). SSc — это хроническое аутоиммунное заболевание, поражающее соединительную ткань, характеризующееся фиброзом кожи и утолщением кожи. В модели мышей CD226 — / — характеристики фиброза были ослаблены по сравнению с мышами дикого типа.Возможно, экспрессия CD226 способствует развитию SSc (Avouac et al., 2013). В модели in vitro RA, CD226 и CD226L были экспрессированы в NK-клетках и фибробластоподобном синовите (FLS) пациентов с RA, соответственно, что позволяет предположить, что RA-FLS-клетки могут распознаваться и уничтожаться NK-клетками (Nielsen et al. ., 2014). Многие исследования показали, что аутоиммунные заболевания связаны с дисфункцией NK-клеток. Предполагается, что мутация 307 глицин-серина CD226 может вызывать дисфункцию NK-клеток (Fogel et al., 2013). Активация Т-клеток требует фактора обмена гуаниновых нуклеотидов VAV1 (Katzav et al., 1989). Включение CD226 запускало активацию VAV1 за счет фосфорилирования тирозина и взаимодействовало с передачей сигналов через рецептор Т-клеток (TCR), чтобы положительно регулировать продукцию цитокинов CD4 + Т-клетками. Более того, совместное участие TCR и rs763361 CD226, связанного с аутоиммунитетом, дополнительно усиливает активацию VAV1 и продукцию IL-17 (Gaud et al., 2018). Все вышеперечисленные результаты предполагают возможность нацеливания на CD226 при лечении аутоиммунных заболеваний.
CD226 и опухоли
CD226 экспрессируется на поверхности NK-клеток и CD8 + Т-клеток. Как важный рецептор, активирующий NK-клетки, CD226 широко участвует в различных иммунных ответах. Исследования показали, что CD226 играет важную роль в уничтожении опухолевых клеток NK-клетками (Verhoeven et al., 2008; Lakshmikanth et al., 2009). Образование стабильных конъюгатов с опухолевыми клетками важно для NK-клеток, чтобы оказывать эффект уничтожения опухолей, а CD226 обеспечивает длительное стабильное взаимодействие между NK и опухолевыми клетками (Kim et al., 2017). CD155 и CD112 — два важных лиганда CD226. Уровень CD112 в опухолевой ткани снижается. Он может сочетаться с CD226 на поверхности NK-клеток, тем самым активируя NK-клетки для уничтожения опухолевых клеток (Xiaojun et al., 2014). Точно так же снижение CD155 в ткани рака печени может снизить цитотоксический эффект, опосредованный NK-клетками (Jiuyu et al., 2014). Эксперимент in vivo продемонстрировал, что CD226 опосредует фосфорилирование FOXO1 и активирует NK-клетки посредством взаимодействия с опухолевыми клетками, экспрессирующими CD155 (Xiangnan et al., 2018). Иммунотерапия опухолей предлагает многообещающие результаты у пациентов с опухолью. Concepción et al. обнаружил важность соотношения CD226 / иммуноглобулиноподобных рецепторов NK-клеток, индуцированного лицензионными взаимодействиями, в качестве критических детерминант для иммунного надзора за солидным раком, и предоставил прогностические биомаркеры для выживаемости пациентов, которые также могут улучшить выбор доноров для иммунотерапии NK-клетками (Guillamón et al. др., 2018). Обычно считается, что Treg в опухолях препятствуют ответам Т-клеток на опухоли (Naturally, 2005).Среди текущих режимов иммунотерапии опухолей, нацеленных на Treg, самой большой проблемой является отсутствие высокоселективных препаратов для Treg. В основном это связано с тем, что высокоспецифичные маркеры еще не обнаружены в Tregs. Жюльен и др. указали, что высокое соотношение TIGIT / CD226 в Tregs регулирует их супрессивную функцию и стабильность при меланоме, и они предложили новые иммунотерапевтические методы для активации CD226 в Treg вместе с блокадой TIGIT для противодействия подавлению Treg у онкологических пациентов (Fourcade et al., 2018). В последние годы некоторые исследователи стали обращать внимание на экспрессию CD226 в опухолевых клетках. Эти исследования показали, что экспрессия CD226 на клетках гепатомы подавляется, и что экспрессия связана с выживаемостью и временем выживания пациентов (Baoxing et al., 2017). Кроме того, было обнаружено, что полиморфизм гена CD226 напрямую связан с риском опухоли (Shaoqing et al., 2013). Все вышеперечисленные результаты предполагают, что CD226 может оказывать противоопухолевое действие. Таким образом, роль и механизм CD226 при различных раковых заболеваниях требует углубленного изучения в будущем.
CD226 и вирусные инфекции
При большинстве заболеваний, инфицированных вирусом, NK-клетки могут уничтожать инфицированные вирусом и трансформированные клетки (Cooper et al., 2001; Smyth et al., 2005). Они распознают клетки-мишени с помощью кодируемого зародышевой линией репертуара активирующих и ингибирующих рецепторов (Bryceson et al., 2006). CD226 — важный активирующий рецептор. NK-клеткам необходим CD226 для распознавания инфицированных HCV клеток гепатомы (Stegmann et al., 2012) и инфицированных HCMV миелоидных DCs (Magri et al., 2011).Инфекция вируса иммунодефицита человека (ВИЧ) вызывает дисфункцию врожденной и адаптивной иммунной систем, нарушает функцию NK-клеток и CD8 + T-клеток, а также уровни поверхностной экспрессии некоторых рецепторов (Watzl et al., 2014; Zhuo et al., 2017) . Инь и др. (2018) демонстрируют, что экспрессия TIGIT специфически повышается на CD226 + NK-клетках у ВИЧ-инфицированных людей, а высокие уровни TIGIT могут ингибировать продукцию IFN-γ NK-клетками, в то время как блокада TIGIT может восстановить их функцию. Аналогичные результаты были получены на CD8 + Т-клетках у ВИЧ-инфицированных.ВИЧ-специфические CD8 + Т-клетки были почти исключительно TIGIT +, а ВИЧ-специфические клетки TIGIT hi отрицательно коррелировали с полифункциональностью и демонстрировали пониженную экспрессию CD226 (Tauriainen et al., 2017). Все это подчеркивает важную роль оси TIGIT / CD226 в вирусных инфекциях и предлагает новые возможности для разработки терапевтических стратегий, направленных на функциональное излечение.
Заключение
С момента своего открытия было продемонстрировано, что CD226 широко экспрессируется на различных иммунных клетках и играет важную функциональную роль в иммунной системе.Многие аспекты патофизиологического состояния CD226 еще не выяснены; однако текущие исследования функции и механизмов этой молекулы позволяют лучше понять клиническую значимость этой молекулы. Действительно, CD226, как костимулирующий фактор, играет важную роль в развитии различных заболеваний. Таким образом, изменение экспрессии и функции CD226 может быть осуществимой терапевтической стратегией для многих связанных с иммунитетом заболеваний и опухолей.
Заявление о доступности данныхОригинальные материалы, представленные в исследовании, включены в статью / дополнительный материал, дальнейшие запросы можно направить соответствующему автору.
Авторские взносы
ZH и GQ разработали исследование и написали обзор. SZ задумал и разработал обзор. SZ и JM отредактировали и исправили обзор. Все авторы обсудили и одобрили окончательную версию.
Финансирование
Эта работа частично поддержана Национальным фондом естественных наук Китая (гранты №№ 81460411 и 81660450), Проектом Фонда естественных наук Гуанси (№№: 2017AD23009, 2017JJD10037 и 2015jjAA40450) и Проектом развития ключевых лабораторий из Гуанси (все до GQ).
Конфликт интересов
Авторы заявляют, что исследование проводилось при отсутствии каких-либо коммерческих или финансовых отношений, которые могут быть истолкованы как потенциальный конфликт интересов.
Список литературы
Anping, X., Ya, L., Weiqian, C., Julie, W., Youqiu, X., Feng, H., et al. (2016). TGF-β-индуцированные регуляторные Т-клетки напрямую подавляют В-клеточные ответы посредством нецитотоксического механизма. J. Immunol. 196, 3631–3641. DOI: 10.4049 / jimmunol.1501740
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Ардолино, М., Зингони, А., Цербони, К., Сесере, Ф., Сориани, А., Яннитто, М. Л. и др. (2011). Экспрессия лиганда DNAM-1 на стимулируемых Ag Т-лимфоцитах опосредуется ROS-зависимой активацией ответа на повреждение ДНК: актуальность для взаимодействия NK-T-клеток. Кровь 117, 4778–4786. DOI: 10.1182 / кровь-2010-08-300954
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Avouac, J., Elhai, M., Tomcik, M., Ruiz, B., Friese, M., Piedavent, M., et al. (2013). Критическая роль вспомогательной молекулы-1 рецептора адгезии ДНКХ (DNAM-1) в развитии фиброза кожи, вызванного воспалением, на мышиной модели системного склероза. Ann. Реум. Дис. 72, 1089–1098. DOI: 10.1136 / annrheumdis-2012-201759
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Бачелет, И., Муниц, А., Манкутад, Д., и Леви-Шаффер, Ф. (2006). Костимуляция тучных клеток с помощью CD226 / CD112 (DNAM-1 / нектин-2): новый интерфейс в аллергическом процессе. J. Biol. Chem. 281, 27190–27196. DOI: 10.1074 / jbc.M602359200
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Бальзамо, М., Замбелло, Р., Терамо, А., Педрацци, М., Спараторе, Б., Скордамалья, Ф. и др. (2009). Анализ взаимодействия NK-клетки / DC при лимфопролиферативном заболевании NK-типа гранулярных лимфоцитов (LDGL): роль DNAM-1 и NKp30. Exp. Гематол. 37, 1167–1175. DOI: 10.1016 / j.exphem.2009.06.010
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Баосин, Дж., Лудун, Т., Чже, Дж., Ян, Дж., Ю, Ф. и Яхуи, Л. (2017). MiR-892a способствует пролиферации и инвазии клеток гепатоцеллюлярной карциномы посредством нацеливания на CD226. J. Cell Biochem. 118, 1489–1496. DOI: 10.1002 / jcb.25808
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Бокван Дж. И Чжувэй Х. (2010). Новый интерфейс, состоящий из гомологичных членов суперсемейства иммуноглобулинов с множеством функций. Cell. Мол. Иммунол. 7, 11–19. DOI: 10.1038 / cmi.2009.108
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Bossini-Castillo, L., Simeon, C.P., Beretta, L., Broen, J.C., Vonk, M.C., Espinosa, G., et al. (2012). Многоцентровое исследование подтверждает ассоциацию гена CD226 с легочным фиброзом, связанным с системным склерозом. Артрит. Res. Ther. 12: R85. DOI: 10.1186 / ar3809
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Боттино, К., Кастрикони, Р., Пенде, Д., Ривера, П., Нанни, М., Карнемолла, Б. и др. (2003). Идентификация PVR (CD155) и нектина-2 (CD112) в качестве лигандов клеточной поверхности для активирующей молекулы DNAM-1 (CD226) человека. J. Exp. Med. 198, 557–567. DOI: 10.1084 / jem.20030788
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Брайсесон, Ю. Т., Марч, М. Э., Юнггрен, Х.-Г., и Лонг, Э. О. (2006). Активация, коактивация и костимуляция покоящихся естественных клеток-киллеров человека. Immunol. Ред. 214, 73–91.DOI: 10.1111 / j.1600-065X.2006.00457.x
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Бернс, Г. Ф., Триглиа, Т., Веркмайстер, Дж. А., Бегли, К. Г., и Бойд, А. В. (1986). TLiSA1, активирующий антиген, специфичный к линии Т человека, участвующий в дифференцировке цитотоксических Т-лимфоцитов и аномальных клеток-киллеров от их предшественников. J. Exp. Med. 161, 1063–1078. DOI: 10.1084 / jem.161.5.1063
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Карлстен, М., Бьоркстрём, Н. К., Норелл, Х., и Брайсесон, Ю. (2007). Вспомогательная молекула-1 ДНКХ опосредует распознавание свежевыделенной карциномы яичника покоящимися естественными клетками-киллерами. Cancer Res. 67, 1317–1325. DOI: 10.1158 / 0008-5472.CAN-06-2264
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Castriconi, R., Dondero, A., Corrias, M. V., Lanino, E., Pende, D., Moretta, L., et al. (2004). Опосредованное естественными клетками-киллерами убийство свежевыделенных клеток нейробластомы: критическая роль взаимодействия вспомогательной молекулы ДНКХ-1-рецептора полиовируса. Cancer Res. 64, 9180–9184. DOI: 10.1158 / 0008-5472.CAN-04-2682
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Селла, М., Прести, Р., Верми, В., Лавендер, К., Тернбулл, Э., Оксенбауэр-Джамбор, К., и др. (2010). Потеря DNAM-1 способствует истощению CD8 + Т-клеток при хронической ВИЧ-1-инфекции. Eur. J. Immunol. 40, 949–954. DOI: 10.1002 / eji.200940234
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Чан, К.J., Martinet, L., Gilfillan, S., Souza-Fonseca-Guimaraes, F., Chow, M. T., Town, L., et al. (2014). Рецепторы CD96 и CD226 противостоят друг другу в регуляции функций естественных клеток-киллеров. Nat. Иммунол. 15, 431–438. DOI: 10.1038 / ni.2850
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Купер М.А., Фенигер Т.А. и Калиджури М.А. (2001). Биология естественных подмножеств клеток-киллеров человека. Trends Immunol. 22, 633–640. DOI: 10.1016 / с 1471-4906 (01) 02060-9
CrossRef Полный текст | Google Scholar
Дардалхон В., Шубарт А.С., Редди Дж., Мейерс, Дж. Х., Монни, Л., Сабатос, К. А. и др. (2005). CD226 специфически экспрессируется на поверхности клеток Th2 и регулирует их рост и эффекторные функции. J. Immunol. 175, 1558–1565. DOI: 10.4049 / jimmunol.175.3.1558
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Dieudé, P., Guedg, M.E., Wipff, J., Revillod, L., Riemekasten, G., Matucci-Cerinic, M., et al. (2011). Ассоциация варианта CD226 Ser (307) с системным склерозом: свидетельство вклада путей костимуляции в патогенез системного склероза. Артрит. Реум. 63, 1097–1105. DOI: 10.1002 / art.30204
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Dongchu, M., Yinghui, S., Di, L., Haoyang, W., Bing, D., Xinghai, Z., et al. (2005). CD226 экспрессируется в мегакариоцитарном клоне гемопоэтических стволовых клеток / клеток-предшественников и участвует в его полиплоидизации. Eur. J. Haematol. 74, 228–240. DOI: 10.1111 / j.1600-0609.2004.00345.x
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Du, Y., Tian, L., Shen, L.X., Wang, F., Yu, L.K., Song, Y., et al. (2011). Ассоциация однонуклеотидного полиморфизма CD226 с системной красной волчанкой у китайской ханьской популяции. Tissue Antig. 77, 65–67. DOI: 10.1111 / j.1399-0039.2010.01568.x
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Эльхай, М., Chiocchia, G., Marchiol, C., Lager, F., Renault, G., Colonna, M., et al. (2015). Нацеливание на вспомогательную молекулу-1 CD226 / DNAX (DNAM-1) в моделях индуцированного коллагеном артрита на мышах. J. Inflamm. 12: 9. DOI: 10.1186 / s12950-015-0056-5
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Эль-Щербины, Ю. М., Мид, Дж. Л., Холмс, Т. Д., МакГонагл, Д., Маки, С. Л., Морган, А. В. и др. (2007). Необходимость в DNAM-1, NKG2D и NKp46 для опосредованного естественными клетками-киллерами уничтожения миеломных клеток. Cancer Res. 67, 8444–8449. DOI: 10.1158 / 0008-5472.CAN-06-4230
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Энквист, М., Аск, Э. Х., Форслунд, Э., Карлстен, М., Абрахамсен, Г., Безиат, В. и др. (2015). Скоординированная экспрессия DNAM-1 и LFA-1 в образованных NK-клетках. J. Immunol. 194, 4518–4527. DOI: 10.4049 / jimmunol.1401972
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Фанг, Л., Сяо Сюэ, Ф., Шан Лин, З., Hong, Y.H., Ying, D.C., Yun, F.P., et al. (2018). Сигнальный путь Sonic hedgehog опосредует пролиферацию и миграцию фибробластоподобных синовиоцитов при ревматоидном артрите через сигнальный путь MAPK / ERK. Фронт. Иммунол. 9: 2847. DOI: 10.3389 / fimmu.2018.02847
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Фуркад, Дж., Чжаоцзюнь, С., Шовен, Ж.-М., Ка, М., Давар, Д., Пальяно, О., и др. (2018). Cd226 противостоит tigit, чтобы разрушить tregs при меланоме. JCI Insight. 3: e121157. DOI: 10.1172 / jci.insight.121157
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Fuhrman, C.A., Yeh, W.-I., Seay, H.R., Lakshmi, P. S., Chopra, G., Zhang, L., et al. (2015). Дивергентные фенотипы регуляторных Т-клеток человека, экспрессирующих рецепторы TIGIT и CD226. J. Immunol. 195, 145–155. DOI: 10.4049 / jimmunol.1402381
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Гаглиани, Н., Magnani, C.F., Huber, S., Gianolini, M.E., Pala, M., Licona-Limon, P., et al. (2013). Коэкспрессия CD49b и LAG-3 позволяет идентифицировать регуляторные Т-клетки 1 типа человека и мыши. Nat. Med. 19, 739–746. DOI: 10,1038 / нм. 3179
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Gaud, G., Roncagalli, R., Chaoui, K., Bernard, I., Familiades, J., Colacios, C., et al. (2018). Костимулирующая молекула CD226 передает сигналы через VAV1, чтобы усилить сигналы TCR и способствовать выработке IL-17 CD4 + Т-клетками. Sci. Сигнал. 11: eaar3083. DOI: 10.1126 / scisignal.aar3083
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Гилфиллан С., Чан, К. Дж., Селла, М., Хейнс, Н. М., Рапапорт, А. С., Болес, К. С. и др. (2008). DNAM-1 способствует активации цитотоксических лимфоцитов непрофессиональными антигенпрезентирующими клетками и опухолями. J. Exp. Med. 205, 2965–2973. DOI: 10.1084 / jem.20081752
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Гийамон, Ф.К., Мартинес-Санчес, В. М., и М. Р. Ровец, Г. Л. (2018). Образование NK-клеток в иммунном надзоре за опухолью: отношения рецепторов DNAM-1 / KIR как прогностические биомаркеры для исхода солидной опухоли. Cancer Immunol. Res. 6, 1537–1547. DOI: 10.1158 / 2326-6066
CrossRef Полный текст | Google Scholar
Хуанг, З., Фу, Б., Чжэн, С. Г., Ли, X., Сун, Р., Тиан, З. и др. (2011). Участие CD226 + NK-клеток в иммунопатогенезе системной красной волчанки. J. Immunol. 186, 3421–3431.DOI: 10.4049 / jimmunol.1000569
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Jian, J. L., Zhu, C. S., Xu, Z. W., Ouyang, W. M., Ma, D. C., Zhang, Y., et al. (2006). Идентификация и характеристика промотора гена CD226. J. Biol. Chem. 281, 28731–28736. DOI: 10.1074 / jbc.M601786200
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Цзиньлун, К., Юн, З., Демин, Л., Вейминг, О., и Бокван, Дж. (2002). Анализ промоторной последовательности и сайта SNP гена CD226 человека. Подбородок. J. Cell. Мол. Иммунол. 18, 203–207. DOI: 10.3321 / j.issn: 1007-8738.2002.03.002
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Jiuyu, G., Liang, F., Rongrong, L., Ying, W., Jinliang, X., Yibing, C., et al. (2014). UPR снижает экспрессию CD155 лиганда CD226 и чувствительность к цитотоксичности, опосредованной NK-клетками, в клетках гепатомы. Eur. J. Immunol. 44, 3758–3767. DOI: 10.1002 / eji.201444574
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Джоллер, Н., Lozano, E., Burkett, P.R., Patel, B., Xiao, S., Zhu, C., et al. (2014). Клетки Treg, экспрессирующие коингибиторную молекулу TIGIT, избирательно ингибируют провоспалительные реакции клеток Th2 и Th27. Иммунитет 40, 569–581. DOI: 10.1016 / j.immuni.2014.02.012
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Цзюнь, Л., Сяомин, К., Чжуцзюнь, К., Сян, X., Фэн, Г., Шуцзюнь, З., и др. (2012). Кристаллическая структура молекулы клеточной адгезии нектин-2 / CD112 и ее связывание с иммунным рецептором DNAM-1 / CD226. J. Immunol. 188, 5511–5520. DOI: 10.4049 / jimmunol.1200324
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Кацав, С., Мартин-Занка, Д., и Барбакид, М. (1989). Vav, новый человеческий онкоген, происходящий из локуса, повсеместно экспрессируемого в гемопоэтических клетках. EMBO J. 8, 2283–2290. DOI: 10.1002 / j.1460-2075.1989.tb08354.x
CrossRef Полный текст | Google Scholar
Ким, Дж. С., Шин, Б. Р., Ли, Х. К., Ли, Дж. Х., Ким, К.Х., Чой, Дж. Э. и др. (2017). Cd226 — / — естественные клетки-киллеры не могут установить стабильные контакты с раковыми клетками и демонстрируют нарушение контроля над метастазами опухолей in vivo. Онкоиммунология 6: e1338994. DOI: 10.1080 / 2162402x.2017.1338994
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Кодзима, Х., Канада, Х., Симидзу, С., Касама, Э., Сибуя, К., Накаучи, Х. и др. (2003). CD226 опосредует адгезию тромбоцитов и мегакариоцитарных клеток к эндотелиальным клеткам сосудов. J. Biol. Chem. 278, 36748–36753. DOI: 10.1074 / jbc.M300702200
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Краус А. К., Чен Дж., Эденхофер И., Воронов И., Гасперт А., Чиппа П. Э. и др. (2016). Роль костимуляции Т-клеток с помощью DNAM-1 в трансплантации почки. PLoS One 11: e0147951. DOI: 10.1371 / journal.pone.0147951
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Лакшмикант, Т., Берк, С., Али, Т. Х., Кимпфлер, С., Урсини, Ф., Руджери, Л. и др. (2009). NCR и DNAM-1 опосредуют распознавание NK-клеток и лизис линий клеток меланомы человека и мыши in vitro и in vivo. J. Clin. Вкладывать деньги. 119, 1251–1263. DOI: 10.1172 / JCI36022
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Ли, Н., Ван, Дж. К., Лян, Т. Х., Чжу, М. Х., Ван, Дж. Й., Фу, X. Л. и др. (2013). Патологическое открытие повышенной экспрессии интерлейкина-17 в синовиальной ткани пациентов с ревматоидным артритом. Внутр. J. Clin. Exp. Патол. 6, 1375–1379. DOI: 10.1159 / 000354821
CrossRef Полный текст | Google Scholar
Лихуа, К., Синь, X., Синьхай, З., Вэй, Дж., Цзиньлун, Дж., Чаоцзюнь, С., и др. (2003). Экспрессия, регуляция и функция адгезии новой молекулы CD, CD226, на эндотелиальных клетках человека. Life Sci. 73, 2373–2382. DOI: 10.1016 / s0024-3205 (03) 00606-4
CrossRef Полный текст | Google Scholar
Лёфгрен, С. Э., Дельгадо-Вега, А.M., Gallant, C.J., Sánchez, E., Frostegård, J., Truedsson, L., et al. (2010). Вариант 3’-нетранслируемой области связан с нарушением экспрессии CD226 в Т-клетках и естественных Т-клетках-киллерах и связан с восприимчивостью к системной красной волчанке. Артрит. Реум. 62, 3404–3414. DOI: 10.1002 / art.27677
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Лозано, Э., Домингес-Вильяр, М., Кучро, В., и Хафлер, Д. А. (2012). Ось TIGIT / CD226 регулирует функцию Т-клеток человека. J. Immunol. 188, 3869–3875. DOI: 10.4049 / jimmunol.1103627
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Лозано, Э., Джоллер, Н., Цао, Ю., Кучру, В. К., и Хафлер, Д. А. (2013). Взаимодействие CD226 / CD155 регулирует провоспалительный (Th2 / Th27) / противовоспалительный (Th3) баланс у людей. J. Immunol. 191, 3673–3680. DOI: 10.4049 / jimmunol.1300945
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Маньяни, К.Ф., Альбериго, Г., Баккетта, Р., Серафини, Г., Андреани, М., Ронкароло, М. Г. и др. (2011). Убийство миелоидных APC посредством HLA класса I, CD2 и CD226 определяет новый механизм подавления человеческими клетками Tr1. Eur. J. Immunol. 41, 1652–1662. DOI: 10.1002 / eji.201041120
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Magri, G., Muntasell, A., Romo, N., Sáez-Borderías, A., Pende, D., Geraghty, D. E., et al. (2011). NKp46 и DNAM-1 Рецепторы NK-клеток управляют ответом на миелоидные дендритные клетки, инфицированные цитомегаловирусом человека, преодолевая стратегии вирусного уклонения от иммунитета. Кровь 117, 846–856. DOI: 10.1182 / кровь-2010-08-301374
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Maogen, C., Xiaohong, L., Ya, L., Qiang, L., Yiling, D., Zhongmin, L., et al. (2014). Функция BAFF на Т-хелперные клетки при аутоиммунитете. Факт роста цитокинов. Ред. 25, 301–305. DOI: 10.1016 / j.cytogfr.2013.12.011
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Мартине, Л., Андраде, Л. Ф. Д., Гийерей, К., Ли, Дж. С., Лю, Дж., Соуза-Фонсека-Гимарайнш, Ф. и др. (2015). Экспрессия DNAM-1 отмечает альтернативную программу созревания NK-клеток. Cell Rep. 11, 85–97. DOI: 10.1016 / j.celrep.2015.03.006
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Мейсон Д., Андре П., Бенсуссан А., Бакли К., Сивин К., Кларк Э. и др. (2001). CD Antigens 2001. J. Leukoc. Биол. 211, 685–690. DOI: 10.1006 / cimm.2001.1831
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Маттана Т.К. К., Сантос, А. С., Фукуи, Р. Т., Майнарди-Ново, Д. Т. О., Коста, В. С., Сантос, Р. Ф. и др. (2014). CD226 rs763361 связан с предрасположенностью к диабету 1 типа и большей частотой аутоантитела GAD65 в бразильской когорте. Med. Воспаление. 2014: 694948. DOI: 10.1155 / 2014/694948
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Mengru, Y., Yan, L., Biyao, M., Youqiu, X., Congxiu, Y., Yutong, J., et al. (2019). Helios, но не CD226, TIGIT и Foxp3, является потенциальным маркером CD4 + Treg-клеток у пациентов с ревматоидным артритом. Cell. Physiol. Biochem. 52, 1178–1192. DOI: 10.33594 / 000000080
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Моретта, Л., Боттино, К., Пенде, Д., Кастрикони, Р., Мингари, М. К., и Моретта, А. (2006). Поверхностные рецепторы NK и их лиганды на опухолевых клетках. Семин. Иммунол. 18: 151. DOI: 10.1016 / j.smim.2006.03.002
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Набекура, Т., Каная, М., Сибуя, А., Фу, Г., Гаскойн, Н. Р. Дж., И Ланье, Л. Л. (2014). Костимулирующая молекула DNAM-1 необходима для оптимальной дифференциации естественных клеток-киллеров памяти во время цитомегаловирусной инфекции мышей. Иммунитет 40, 225–234. DOI: 10.1016 / j.immuni.2013.12.011
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Нильсен, Н., Паскаль, В., Фаст, А. Е. Р., Сундстрем, Ю., Галсгаард, Э. Д., Ахерн, Д., и др. (2014). Баланс между активацией NKG2D, DNAM-1, NKp44 и NKp46 и ингибирующими рецепторами CD94 / NKG2A определяет дегрануляцию естественных киллеров в отношении синовиальных фибробластов ревматоидного артрита. Иммунология 142, 581–593. DOI: 10.1111 / imm.12271
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Нин В., Шуанг Л., Цзинъи Дж., Лян Ф., Цяньли М., Сиань В. и др. (2019). CD226 ослабляет способность подавления Treg через CTLA-4 и TIGIT во время EAE. Immunol. Res. 67, 486–496. DOI: 10.1007 / s12026-019-09112-9
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Пенде, Д., Боттино, К., Кастрикони, Р., Кантони, К., Марченаро, С., Ривера, П. и др. (2005). PVR (CD155) и нектин-2 (CD112) в качестве лигандов активирующего рецептора человеческого DNAM-1 (CD226): участие в лизисе опухолевых клеток. Mol. Иммунол. 42, 463–469. DOI: 10.1016 / j.molimm.2004.07.028
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Pende, D., Castriconi, R., Romagnani, P., Spaggiari, G.M., Marcenaro, S., Dondero, A., et al. (2006). Экспрессия лигандов DNAM-1, нектина-2 (CD112) и рецептора полиовируса (CD155) на дендритных клетках: актуальность для взаимодействия естественных киллеров и дендритных клеток. Кровь 107, 2030–2036. DOI: 10.1182 / кровь-2005-07-2696
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Peng, Y.-Q., Qin, Z.-L., Fang, S.-B., Xu, Z.-B., Zhang, H.-Y., Chen, D., et al. (2020). Влияние миелоидных и плазмацитоидных дендритных клеток на ILC2 у пациентов с аллергическим ринитом. J. Allergy Clin. Иммунол. 145, 855–867. DOI: 10.1016 / j.jaci.2019.11.029
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Цю, З., Чжан, К., Цю, X., Чжоу, М., и Ли, В. (2008). Ассоциация CD226 Gly307Ser с множественными аутоиммунными заболеваниями: метаанализ. Хум. Иммунол. 74, 249–255. DOI: 10.1016 / j.humimm.2012.10.009
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Ральстон, К. Дж., Хирд, С. Л., Синьхай, З., Скотт, Дж. Л., Бокуан, Дж., Торн, Р. Ф. и др. (2004). Связанная с LFA-1 молекула PTA-1 (CD226) на Т-клетках образует динамический молекулярный комплекс с белком 4.1G и большими дисками человека. J. Biol. Chem. 279, 33816–33828. DOI: 10.1074 / jbc.M401040200
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Рамалингам, Р., Лармонье, К. Б., Терстон, Р. Д., Мидура-Кила, М. Т., Чжэн, С. Г., Гишан, Ф. К. и др. (2012). Специфическое для дендритных клеток нарушение рецептора II TGF-β приводит к изменению фенотипа регуляторных Т-клеток и спонтанному полиорганному аутоиммунитету. J. Immunol. 189, 3878–3893. DOI: 10.4049 / jimmunol.1201029
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Реймонд, Н., Энн-Мари, И., Девилард, Э., Фабр, С., Чабаннон, К., Ксерри, Л. и др. (2004). DNAM-1 и PVR регулируют миграцию моноцитов через эндотелиальные соединения. J. Exp. Med. 199, 1331–1341. DOI: 10.1084 / jem.20032206
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Rong, Z., Hanyu, Z., Yun, Z., Kun, C., Chunmei, Z., Chaojun, S., et al. (2016). Лигирование CD226 защищает от EAE, способствуя экспрессии IL-10 посредством регуляции дифференцировки CD4 + T-клеток. Oncotarget 7, 19251–19264. DOI: 10.18632 / oncotarget.7834
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Скотт, Дж. Л., Данн, С. М., Джин, Б., Хиллам, А. Дж., Уолтон, С., Берндт, М. С. и др. (1989). Характеристика нового мембранного гликопротеина, участвующего в активации тромбоцитов. J. Biol. Chem. 264, 13475–13482.
Google Scholar
Шаоцин, С., Бинь, З., Куи, З., и Лин, З. (2013). Связь между двумя генетическими вариантами гена CD226 и плоскоклеточным раком шейки матки: исследование случай-контроль. Ген 519, 159–163. DOI: 10.1016 / j.gene.2012.11.039
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Шэнке, Х., Куикуй, Г., Сяодун, З., Хаймин, В., Жуй, С., Чжиган, Т. (2014). Белок CD226 участвует в формировании иммунных синапсов и запускает активацию естественных киллеров (NK) через свой первый внеклеточный домен. J. Biol. Chem. 289, 6969–6977. DOI: 10.1074 / jbc.M113.498253
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Шеррингтон, П.Д., Скотт, Дж. Л., Джин, Б., Симмонс, Д., Дорахи, Д. Дж., Ллойд, Дж. И др. (1997). Антиген активации TLiSA1 (PTA1), участвующий в дифференцировке Т-клеток и активации тромбоцитов, является членом суперсемейства иммуноглобулинов, проявляющим отличительную регуляцию экспрессии. J. Biol. Chem. 272, 21735–21744. DOI: 10.1074 / jbc.272.35.21735
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Сибуя, А., Кэмпбелл, Д., Ханнум, К., Иссел, Х., Франц-Бэкон, К., МакКланахан, Т., и другие. (1996). DNAM-1, новая молекула адгезии, участвующая в цитолитической функции Т-лимфоцитов. Иммунитет 4, 573–581. DOI: 10.1016 / S1074-7613 (00) 70060-4
CrossRef Полный текст | Google Scholar
Сибуя, К., Ланье, Л. Л., Филлипс, Дж. Х. и Охс, Х. Д. (1999). Физическая и функциональная ассоциация LFA-1 с молекулой адгезии DNAM-1. Иммунитет 11, 615–623. DOI: 10.1016 / S1074-7613 (00) 80136-3
CrossRef Полный текст | Google Scholar
Сибуя, К., Шибата, К., Тахара-Ханаока, С., и Сибуя, А. (2006). Комментарий: «CD226 специфически экспрессируется на поверхности клеток Th2 и регулирует их размножение и эффекторные функции». J. Immunol. 176: 3885.
Google Scholar
Сибуя, К., Сиракава, Дж., Камеяма, Т., Син-Ичиро, Х., Тахара-Ханаока, С., Миямото, А. и др. (2003). CD226 (DNAM-1) участвует в костимулирующем сигнале антигена 1, ассоциированном с функцией лимфоцитов, для дифференцировки и пролиферации наивных Т-клеток. J. Exp. Med. 198, 1829–1839. DOI: 10.1084 / jem.20030958
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Шу-Бин, Ф., Хун-Ю, З., Конг, В., Би-Синь, Х., Сяо-Цин, Л., Сян-Ци, М., и др. (2020). Небольшие внеклеточные везикулы, происходящие из мезенхимальных стромальных клеток человека, предотвращают врожденное доминантное лимфоидными клетками аллергическое воспаление дыхательных путей группы 2 посредством доставки miR-146a-5p. J. Extracell. Вес. 9: 1723260. DOI: 10.1080 / 20013078.2020.1723260
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Смит, Д.Дж., Планьол, В., Уокер, Н. М., Купер, Дж. Д., Даунс, К., Янг, Дж. Х. М. и др. (2008). Общие и различные генетические варианты при диабете 1 типа и целиакии. N. Engl. J. Med. 359, 2767–2777. DOI: 10.1056 / NEJMoa0807917
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Смит, Дж., Кретни, Э., Келли, Дж., Вествуд, Дж., Стрит, С., Ягита, Х. и др. (2005). Активация цитотоксичности NK-клеток. Mol. Иммунол. 42, 501–510. DOI: 10.1016 / j.молимм.2004.07.034
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Стегманн, К.А., Бьёркстрём, Н.К., Цизек, С., Лунеманн, С., Ярошевич, Дж., Виганд, Дж. И др. (2012). Стимулированные интерфероном α естественные клетки-киллеры от пациентов с острой инфекцией вируса гепатита С (ВГС) распознают инфицированные ВГС и неинфицированные клетки гепатомы через вспомогательную молекулу-1 ДНКХ. J. Infect. Дис. 205, 1351–1362. DOI: 10.1093 / infdis / jis210
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Суцзюань, Ю., Chichu, X., Ye, C., Julie, W., Xiaoqing, C., Zhengqi, L., et al. (2019). Различная роль TNFα-TNFR1 и TNFα-TNFR2 в дифференцировке и функции CD4 + Foxp3 + индуцированных treg-клеток in vitro и на периферии in vivo при аутоиммунных заболеваниях. Cell Death Dis. 10:27. DOI: 10.1038 / s41419-018-1266-6
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Суджуан Ю., Джули В., Дэвид Д. Б. и Сон Го З. (2018). Роль сигнала рецептора 2 TNF-TNF в регуляторных Т-клетках и его терапевтическое значение. Фронт. Иммунол. 9: 784. DOI: 10.3389 / fimmu.2018.00784
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Сутавани Р. В., Брэдли Р. Г., Рэймидж Дж. М., Джексон А. М., Даррант Л. Г. и Спендлов И. (2013). Костимуляция CD55 индуцирует дифференцировку дискретной популяции Т-регуляторных клеток 1-го типа со стабильным фенотипом. J. Immunol. 191, 5895–5903. DOI: 10.4049 / jimmunol.1301458
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Тахара-Ханаока, С., Миямото А. и Хара А. (2005). Идентификация и характеристика мышиного DNAM-1 (CD226) и его лигандов семейства рецепторов полиовируса. Biochem. Биофиз. Res. Commun. 329, 996–1000. DOI: 10.1016 / j.bbrc.2005.02.067
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Тахара-Ханаока, С., Сибуя, К., Онода, Ю., Хуа, З., Сатоши, Ю., Акитомо, М., и др. (2004). Функциональная характеристика взаимодействия DNAM-1 (CD226) с его лигандами PVR (CD155) и нектином-2 (PRR-2 / CD112). Внутр. Иммунол. 16, 533–538. DOI: 10.1093 / intimm / dxh059
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Tauriainen, J., Scharf, L., Frederiksen, J., Naji, A., Ljunggren, H.-G., Sönnerborg, A., et al. (2017). Нарушение оси TIGIT / CD226 / PVR CD8 + Т-клеток, несмотря на раннее начало антиретровирусной терапии у ВИЧ-инфицированных лиц. Sci. Отчет 7: 40354. DOI: 10.1038 / srep40354
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Тодд, Дж.А., Уокер, Н. М., Купер, Дж. Д., Смит, Д. Дж., И Клейтон, Д. Г. (2007). Устойчивые ассоциации четырех новых областей хромосом из полногеномного анализа диабета 1 типа. Nat. Genet. 39, 857–864. DOI: 10,1038 / ng2068
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Верховен, Д. Х. Дж., Хоуг, А. С., Моиман, Э. К. К., Сантос, С. Дж., Дам, М. М., Гелдерблом, Х. и др. (2008). NK-клетки распознают и лизируют клетки саркомы Юинга через пути, зависимые от рецепторов NKG2D и DNAM-1. Mol. Иммунол. 45, 3917–3925. DOI: 10.1016 / j.molimm.2008.06.016
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Wang, L., Zhang, W., Wu, D.-A., Chen, C., Xu, Q.-Z., Zhao, B., et al. (2009). Молекулярное клонирование, характеристика и трехмерное моделирование нектина-2 / CD112 свиньи. Вет. Иммунол. Immunopathol. 132, 257–263. DOI: 10.1016 / j.vetimm.2009.05.008
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Weishan, H., Солоуки, С., Койласс, Н., Сон Го, З. (2017). Передача сигналов ITK через путь Ras / IRF4 регулирует развитие и функцию клеток Tr1. Nat. Commun. 8: 15871. DOI: 10.1038 / ncomms15871
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Венру, С., Хуйминь, Ф., Маоген, К., Джули, В., Дэвид, Б., Сяошунь, Х. и др. (2012). Индуцированные CD4 + позитивные к белку вилочного бокса Т-клетки подавляют функцию тучных клеток и вызывают контактную гиперчувствительность через TGF-β1. J. Allergy Clin. Иммунол. 130, 444–452. DOI: 10.1016 / j.jaci.2012.05.011
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Венру, С., Цянь, В., Лунхуэй, Х., Цзинвэнь, Х., Сяоцин, К., Гуйхуа, К., и др. (2014). Доксициклин оказывает множественное противоаллергическое действие, уменьшая мышечный аллергический конъюнктивит и системную анафилаксию. Biochem. Pharmacol. 91, 359–368. DOI: 10.1016 / j.bcp.2014.08.001
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Венру, С., Qian, W., Longhui, H., Jingwen, H., Xiaoqing, C., Guihua, C., et al. (2015). Культуральная среда из мезенхимальных стволовых клеток, стимулированных TNF-α, ослабляет аллергический конъюнктивит с помощью множества противоаллергических механизмов. J. Allergy Clin. Иммунол. 136, 423–432. DOI: 10.1016 / j.jaci.2014.12.1926
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Xiangnan, D., Almeida, P. D., Manieri, N., Nagata, D. T., and Wu, B. (2018). CD226 регулирует противоопухолевые ответы естественных клеток-киллеров посредством инактивации фактора транскрипции FOXO1, опосредованной фосфорилированием. Proc. Natl. Акад. Sci.U.S.A. 115, E11731 – E11740. DOI: 10.1073 / pnas.1814052115
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Xiaojun, H., Ping, Q., Yibing, C., Xingchun, Z., Yousheng, W., Fange, L., et al. (2014). Низкая экспрессия CD112 связана с плохой общей выживаемостью у пациентов с гепатоцеллюлярной карциномой. Хум. Патол. 45, 1944–1950. DOI: 10.1016 / j.humpath.2014.06.001
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Синьхай, З., Демин, Л., Вейминг, О. (2002). Клонирование гена и гетероморфизм мышиного CD226 (PTA1). Подбородок. J. Immunol. 6, 371–375.
Google Scholar
Ya, L., Qin, L., Ling, L., Maogen, C., Zanxian, X., Jilin, M., et al. (2014). Фенотипическая и функциональная характеристика вновь идентифицированных CD8 + Foxp3-CD103 + регуляторных Т-клеток. J. Mol. Cell Biol. 6, 81–92. DOI: 10.1093 / jmcb / mjt026
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Ян, Л., Chengbin, W., Changsheng, X., Xiaoxu, L., Chunhong, F., Xiaotao, Z., et al. (2020). Восстановление CD226-TIGIT + FoxP3 + и CD226-TIGIT-FoxP3 + регуляторных Т-клеток способствует клинической ремиссии из активной стадии у пациентов с язвенным колитом. Immunol. Lett. 218, 30–39. DOI: 10.1016 / j.imlet.2019.12.007
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Ян Л. и Сун Го З. (2016). Зал славы провоспалительных цитокинов: ген интерлейкина-6 и механизмы его регуляции транскрипции. Фронт. Иммунол. 7: 604. DOI: 10.3389 / fimmu.2016.00604
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Yaoyao, Z., Siqi, X., Youjun, X., Qian, Q., Maohua, S., Jingnan, W., et al. (2018). Длинная некодирующая РНК LERFS отрицательно регулирует ревматоидную синовиальную агрессию и пролиферацию. J. Clin. Вкладывать деньги. 128, 4510–4524. DOI: 10.1172 / JCI97965
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Инь, X., Tingting, L., Zhuo, W., Meichen, M., Jie, L., Zining, Z., et al. (2018). Экспрессия ингибирующего рецептора TIGIT повышается специфически на NK-клетках с помощью рецептора, активирующего CD226, у ВИЧ-инфицированных людей. Фронт. Иммунол. 9: 2341. DOI: 10.3389 / fimmu.2018.02341
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Чжэн, С. Г., Мэн, Л., Ван, Дж. Х., Ватанабе, М., Барр, М. Л., Крамер, Д. В. и др. (2006). Перенос регуляторных Т-клеток, генерированных ex vivo, изменяет отторжение трансплантата за счет индукции толерогенных CD4 + CD25 + клеток у реципиента. Внутр. Иммунол. 18, 279–289. DOI: 10.1093 / intimm / dxh468
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
Zhuo, W., Tong, W., Meichen, M., Zining, Z., Yajing, F., Jing, L., et al. (2017). Повышенный уровень интерферон-гамма-индуцированного белка 10 и его рецептора CXCR3 нарушает функцию NK-клеток во время ВИЧ-инфекции. J. Leukoc. Биол. 102, 163–170. DOI: 10.1189 / jlb.5A1016-444R
PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar
В этом подразделе раздела «Последовательность» описывается последовательность встречающейся в природе альтернативной изоформы (ов) белка.Изменения в аминокислотной последовательности могут быть связаны с альтернативным сплайсингом, использованием альтернативного промотора, альтернативной инициацией или рибосомным сдвигом рамки. Альтернативная последовательность i VSP_002618 | 331 | E → G в изоформе гамма. | 1 | Альтернативная последовательность i VSP_002617 | 340 — 384 | Отсутствует в изоформе Beta. Информация, подобранная вручную, основанная на утверждениях в научных статьях, для которых нет экспериментальной поддержки. Ручное утверждение, основанное на мнении в i
| 45 |
% PDF-1.4 % 579 0 obj> эндобдж xref 579 207 0000000016 00000 н. 0000005487 00000 н. 0000005660 00000 п. 0000005686 00000 н. 0000005757 00000 н. 0000005814 00000 н. 0000006175 00000 н. 0000006357 00000 н. 0000006539 00000 н. 0000006721 00000 н. 0000006903 00000 н. 0000007085 00000 н. 0000007244 00000 н. 0000007384 00000 п. 0000007553 00000 н. 0000007709 00000 н. 0000007855 00000 п. 0000008003 00000 н. 0000008153 00000 н. 0000008330 00000 н. 0000008507 00000 н. 0000008663 00000 н. 0000008824 00000 н. 0000009037 00000 н. 0000009116 00000 п. 0000009194 00000 п. 0000009274 00000 н. 0000009353 00000 п. 0000009432 00000 н. 0000009510 00000 п. 0000009589 00000 н. 0000009667 00000 н. 0000009746 00000 н. 0000009826 00000 н. 0000009906 00000 н. 0000009986 00000 н. 0000010066 00000 п. 0000010146 00000 п. 0000010226 00000 п. 0000010304 00000 п. 0000010383 00000 п. 0000010461 00000 п. 0000010540 00000 п. 0000010620 00000 п. 0000010699 00000 п. 0000010777 00000 п. 0000010857 00000 п. 0000010936 00000 п. 0000011014 00000 п. 0000011094 00000 п. 0000011173 00000 п. 0000011251 00000 п. 0000011331 00000 п. 0000011410 00000 п. 0000011488 00000 п. 0000011568 00000 п. 0000011647 00000 п. 0000011725 00000 п. 0000011805 00000 п. 0000011884 00000 п. 0000011962 00000 п. 0000012042 00000 п. 0000012121 00000 п. 0000012199 00000 п. 0000012279 00000 п. 0000012358 00000 п. 0000012436 00000 п. 0000012516 00000 п. 0000012595 00000 п. 0000012673 00000 п. 0000012753 00000 п. 0000012832 00000 п. 0000012910 00000 п. 0000012990 00000 п. 0000013069 00000 п. 0000013147 00000 п. 0000013227 00000 н. 0000013306 00000 п. 0000013384 00000 п. 0000013464 00000 п. 0000013543 00000 п. 0000013621 00000 п. 0000013701 00000 п. 0000013780 00000 п. 0000013858 00000 п. 0000013938 00000 п. 0000014017 00000 п. 0000014095 00000 п. 0000014175 00000 п. 0000014254 00000 п. 0000014332 00000 п. 0000014412 00000 п. 0000014491 00000 п. 0000014569 00000 п. 0000014648 00000 п. 0000014727 00000 п. 0000014806 00000 п. 0000014884 00000 п. 0000014963 00000 п. 0000015042 00000 п. 0000015122 00000 п. 0000015200 00000 н. 0000015278 00000 п. 0000015356 00000 п. 0000015433 00000 п. 0000015511 00000 п. 0000015590 00000 п. 0000015667 00000 п. 0000015745 00000 п. 0000015822 00000 п. 0000015899 00000 п. 0000015977 00000 п. 0000016053 00000 п. 0000016131 00000 п. 0000016209 00000 п. 0000016554 00000 п. 0000017001 00000 п. 0000017165 00000 п. 0000017568 00000 п. 0000017763 00000 п. 0000018220 00000 н. 0000018393 00000 п. 0000018592 00000 п. 0000019175 00000 п. 0000019352 00000 п. 0000019809 00000 п. 0000020199 00000 п. 0000020400 00000 п. 0000020694 00000 п. 0000021110 00000 п. 0000021178 00000 п. 0000021376 00000 п. 0000021754 00000 п. 0000021856 00000 п. 0000024615 00000 п. 0000024846 00000 п. 0000025019 00000 п. 0000027628 00000 п. 0000027792 00000 п. 0000028164 00000 п. 0000028332 00000 п. 0000030710 00000 п. 0000032863 00000 н. 0000035152 00000 п. 0000037432 00000 п. 0000039581 00000 п. 0000041658 00000 п. 0000044668 00000 п. 0000048121 00000 п. 0000048498 00000 п. 0000048847 00000 н. 0000052627 00000 п. 0000053127 00000 п. 0000053235 00000 п. 0000053577 00000 п. 0000053780 00000 п. 0000054131 00000 п. 0000054329 00000 п. 0000057012 00000 п. 0000057320 00000 п. 0000057758 00000 п. 0000057981 00000 п. 0000058373 00000 п. 0000058568 00000 п. 0000058852 00000 п. 0000058910 00000 п. 0000059365 00000 п. 0000059608 00000 п. 0000061390 00000 н. 0000061648 00000 п. 0000062134 00000 п. 0000062258 00000 п. 0000073302 00000 п. 0000073340 00000 п. 0000073819 00000 п. 0000073933 00000 п. 0000120422 00000 н. 0000120460 00000 н. 0000120934 00000 н. 0000121046 00000 н. 0000175370 00000 н. 0000175408 00000 н. 0000175509 00000 н. 0000175565 00000 н. 0000176001 00000 н. 0000176097 00000 н. 0000176217 00000 н. 0000176372 00000 н. 0000176515 00000 н. 0000176614 00000 н. 0000176739 00000 н. 0000176856 00000 н. 0000176995 00000 н. 0000177100 00000 н. 0000177235 00000 н. 0000177449 00000 н. 0000177661 00000 н. 0000177824 00000 н. 0000177934 00000 п. 0000178050 00000 н. 0000178261 00000 н. 0000178440 00000 н. 0000178615 00000 н. 0000178776 00000 н. 0000178911 00000 н. 0000179112 00000 н. 0000004436 00000 н. трейлер ] >> startxref 0 %% EOF 785 0 obj> поток xTmlSU ~] e + [: 6QBq2VE’hA: uN @ CkdAuq1G0 [qvcXk; 0`͏ D ϽÏzys0P ( ‘mQNjU @ y Ջ i: k + 6Wixc] (> 4? Yu ~ \ PE: sni «} no-FM {& GE ܞ / Ca¾8 | — / = + Wo) & Οѳx4Ȩ1] LDW / b {×.pCtKm [_P5Uoyι} ų3 * ԆT Wy @ZpvQ pcEO \ + R_fkSpvn ْ NQkF $ I & JL & 9; k $ 1Ͱu6b9m VoIQi4yo: geC6 티 TXJ [G! * (C) dӧm- / KL-i.gRB8 & $ p) B & {MT t $;) # pejV | 0XY! BhDg. \ ︊I2 «Ժ mtf, * T = (h [a6ƄSdё» fC4f4IQ ]> Pos / `NtBϼRz% sVS |% TG & $ GVQiamL + (Стандартные цветовые коды конденсаторов Oe
| Напряжение на конденсаторе
) В предыдущих уроках мы видели, что такое емкость и заряд? В этом уроке мы узнаем как прочитать значение конденсатора ?. Для некоторых приложений необходимо знать допуски и значения напряжения конденсатора вместе с емкостью.Все эти параметры представлены на корпусе конденсатора.
Различные типы конденсаторов имеют разные способы представления значений емкости. Конденсаторы, такие как электролитические конденсаторы, неполяризованные конденсаторы, большие бумажные конденсаторы, заполненные маслом переменного тока, имеют емкость и напряжение, значения допусков указаны на корпусе с помощью цифр и букв. Значения некоторых конденсаторов представлены с помощью цветового кода. Давайте посмотрим, как считать значение емкости этими двумя методами.
Как прочитать значение конденсатора, написанное на конденсаторах ??
Давайте посмотрим, как читать значения конденсаторов с помощью цифр и букв.Наряду с емкостью другие значения, такие как допуск и напряжение, были написаны на самом конденсаторе, если там достаточно места. Но для небольших конденсаторов, таких как керамические конденсаторы, поскольку места недостаточно, значения конденсаторов представлены в сокращенном виде.
Считывание значений емкости конденсатора большой емкости (цилиндрические конденсаторы)
Для конденсаторов большой емкости обычно значение емкости записывается на стороне конденсатора.
- На рисунке выше показан конденсатор емкостью 22 мкФ.Значение емкости выражается в фарадах (F или FD).
- Вот единицы измерения, используемые для представления емкости конденсатора. Микрофарад (мкФ, мкФ, мФ (или) МП), Нанофарад (нФ), Пикофарад (пФ).
| мкФ (или) MF (или) мФ | Микрофарад | 10 -6 | |
| nF 317 nF18 | 9108 | | |
| пФ (или) ммФ (или) мкФ | Пикофарад | 10 -12 |
- 18 номинальное напряжение указывает максимальное значение напряжения конденсатор справится.Номинальное напряжение на конденсаторе обозначается как V, VDC и VDCW.
- VAC означает, что конденсатор предназначен для цепи переменного тока.
- Следует отметить, что конденсаторы постоянного тока не должны использоваться для переменного тока, если у вас нет надлежащих знаний для использования этого конденсатора. На некоторых конденсаторах напряжения представлены кодами, а не значениями.
- Допуск Значение указывается с помощью символа% перед числом. Значение допуска представляет собой изменение значения емкости.
Считывание значений емкости малых конденсаторов (керамических конденсаторов)
Керамические конденсаторы имеют очень маленькую область для печати значения емкости.Таким образом, емкость этих конденсаторов представлена сокращенными обозначениями. Давайте посмотрим, как рассчитать эти значения. Обычно емкость керамических, танталовых, пленочных конденсаторов выражается в пикофарадах.
Шаг 1: Если конденсатор имеет два числовых значения.
- Если обозначение конденсатора состоит из 2 цифр и буквы (например, 22M), тогда значение емкости равно 22.
Некоторые конденсаторы имеют буквы во второй позиции и числовое значение в первой позиции.
Пример: 5R2 = 5,2PF. - Если вместо R присутствуют такие буквы, как p, n, u, то они представляют единицы емкости.
Пример: 4n1 = 4,1 нФ, p45 = 0,45 пФ
Шаг 2: Некоторые из них имеют три числовых значения.
- Конденсатор, показанный выше, имеет обозначение 104.
- Емкость рассчитывается как 10x 104 = 105pf = 0,1 мкФ
- Если третья цифра находится в диапазоне от 0 до 6, выполните описанную выше процедуру.
- Если это 8, умножьте его на 0.01. например, 158 = 15 × 0,01 = 0,15 пФ
- Если это 9, умножьте его на 0,1. Например, 159 = 15 × 0,1 = 1,5 пФ
Допуск
Значение допуска для этих конденсаторов представлено с использованием одиночного буква.Каждая буква имеет значение.
| A | ± 0,05 пФ | ||||
| B | ± 0,1 пФ | ||||
C18| 3 9018 | 7 9103 | ± 0.5 пФ | | ||
| E | ± 0,5% | ||||
| F | ± 1% | ||||
| G 310 7 | H | ± 3% | | ||
| J | ± 5% | ||||
| K | ± 10% | 18 | 8 | 7 | 2 |
| M | ± 20% | ||||
| N | ± 30% | ||||
| P | |||||
| % | S | –20%, + 50% | |||
| W | –0%, + 200% | ||||
| X | – + 40% | ||||
| Z | –20%, + 80% |
Калькулятор значения емкости
- Цветовая кодировка конденсаторов — устаревшая техника.Но некоторые из этих конденсаторов все еще используются. Итак, давайте посмотрим, как рассчитать значение емкости и номинального напряжения, если они представлены с использованием цветовой кодировки.
- Обычно цветовые коды обозначаются точками или полосами. Для слюдяных конденсаторов цветовая кодировка показана точками, а для трубчатых конденсаторов — полосами. Количество точек или полос на конденсаторе может отличаться друг от друга.
В двух таблицах ниже показаны значения цветов, указанных на конденсаторах.
