Кд226 параметры цветовая маркировка: Диод КД226 — DataSheet

Содержание

Диод КД226 — DataSheet

Корпус диода КД226

 

Описание

Диоды кремниевые, диффузионные. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 35 кГц. Выпускаются
в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Маркируются цветным кольцом со стороны отрицательного вывода (катода): КД226А— оранжевым, КД226Б — красным, КД226В — зеленым, КД226Г —желтым, КД226Д — белым. Масса диода не более 0,5 г.

Пайка выводов диодов допускается не ближе 2 мм от корпуса при температуре не свыше +270 °С в течение 5 с.

Допускается последовательное (без шунтирования) соединение двух диодов одного типа; при этом суммарное обратное напряжение не
должно превышать 2Uобр,макс. При последовательном соединении большего числа диодов рекомендуется применять диоды одного типа и шунтировать каждый диод резистором с любым сопротивлением.

Допускается параллельное соединение диодов при условии, обеспечивающем исключение перегрузок любого параллельно подключенного
диода по максимально допустимому прямому току.

При работе диодов на емкостную нагрузку действующее значение тока через диод не должно превышать 1,57 I

пр,ср,макс.

 

Параметры диода КД226
Параметр Обозначение Маркировка Значение Ед. изм.
Аналог КД226А 1N3359, BY259
КД226Б UT3020
КД226В 1N487A
КД226Г SDA113E
КД226Е SDA113P
Максимальное постоянное обратное напряжение. Uo6p max, Uo6p и max КД226А 100 В
КД226Б 200
КД226В
400
КД226Г 600
КД226Д 800
КД226Е 600
Максимальный постоянный прямой ток. Iпp max, Iпp ср max, I*пp и max КД226А 1.7 А
КД226Б 1.7
КД226В 1.7
КД226Г 1.7
КД226Д 1.7
КД226Е 2
Максимальная рабочая частота диода fд max КД226А 50 кГц
КД226Б 50
КД226В
50
КД226Г 50
КД226Д 50
КД226Е 50
Постоянное прямое напряжение Uпр не более (при Iпр, мА) КД226А 1. 4 (1.7 А) В
КД226Б 1.4 (1.7 А)
КД226В 1.4 (1.7 А)
КД226Г 1.4 (1.7 А)
КД226Д 1.3 (1 А)
КД226Е 1.4 (1.7 А)
Постоянный обратный ток Iобр не более (при Uобр, В) КД226А 50 (100) мкА
КД226Б
50 (200)
КД226В 50 (400)
КД226Г 50 (600)
КД226Д 50 (800)
КД226Е 10 (600)
Время обратного восстановления — время переключения диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение от момента прохождения тока через нулевое значение до момента достижения обратным током заданного значения tвос, обр КД226А 0.25 мкс
КД226Б 0.25
КД226В 0.25
КД226Г 0.25
КД226Д 0.25
КД226Е 0.25
Общая емкость Сд (при Uобр, В) КД226А пФ
КД226Б
КД226В
КД226Г
КД226Д
КД226Е

Описание значений со звездочками(*) смотрите в буквенных обозначениях параметров диодов.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Маркировка диодов: типы, особенности, производители

Маркировка диодов – краткое графическое условное обозначение элемента. Элементная база в настоящее время настолько разнообразна, сокращения отличаются весьма ощутимо. Сложно идентифицировать диод: стабилитрон, туннельный, Ганна. Выпущены разновидности, напоминающие газоразрядную лампочку. Светодиоды горят, дополняя путаницу.

Диоды полупроводниковые

Быть может, раздел называется несколько тривиально, когда требуется просто типичные диоды отличить от морально устаревших электронных ламп, современнейших SMD модификаций. Рядовые полупроводниковые диоды – легко разрешимое горе радиолюбителя. Боковина цилиндрического корпуса с дисковым основанием, ножками содержит нанесенную краской легко различимую надпись.

Полупроводниковые резисторы. Отличите невооруженным глазом?

Цвет корпуса значения не играет, размер косвенно указывает рассеиваемую мощность. У мощных диодов зачастую в наличии резьба под гайку крепления радиатора. Итог расчета теплового режима показывает недостаток собственных возможностей корпуса, система охлаждения дополняется навесным элементом. Сегодня потребляемая мощность падает, снижая линейные размеры корпусов приборов. Указанное позволило использовать стекло. Новый материал корпуса дешевле, долговечнее, безопаснее.

  • Первое место занимает буква или цифра, кратко характеризующая материал элемента:
  1. Г (1) – соединения германия.
  2. К (2) – соединения кремния.
  3. А (3) – арсенид галлия.
  4. И (4) – соединения индия.
  • Вторая буква в нашем случае Д. Диод выпрямительный, либо импульсный.
  • Третье место облюбовала цифра, характеризующая применимость диода:
  1. Низкочастотные, током ниже 0,3 А.
  2. Низкочастотные, током 0,3 – 10 А.
  3. Не используется.
  4. Импульсные, время восстановления свыше 500 нс.
  5. Импульсные, время восстановления 150 – 500 нс.
  6. То же, время восстановления 30 – 150 нс.
  7. То же, время восстановления 5 – 30 нс.
  8. То же, время восстановления 1 – 5 нс.
  9. Импульсные, время жизни неосновных носителей ниже 1 нс.
  • Номер разработки составлен двумя цифрами, может отсутствовать вовсе. Номинал ниже 10 дополняется слева нулем. К примеру, 07.
  • Номер группы обозначается буквой, определяет различия свойств, параметров. Буква часто становится ключевой, указывает рабочее напряжение, прямой ток, прочее.

В дополнение к маркировке справочники приводят графики, по которым решаются задачи выбора рабочей точки радиоэлемента. Указываются сведения о технологии производства, материале корпуса, массе. Помогает информация проектировщику аппаратуры, любителям практического смысла не несет.

Импортные системы обозначения отличаются от отечественных, хорошо стандартизированы. Поэтому при помощи специальных таблиц нетрудно отыскать подходящие аналоги.

Цветовая маркировка

Каждый радиолюбитель знает сложность идентификации диодов, окруженных стеклянным корпусом. На одно лицо. Временами производитель удосуживается нанести четкие метки, разноцветные кольца. Согласно системе обозначений, вводится три признака:

  1. Метки областей катода, анода.
  2. Цвет корпуса, заменяемый цветной точкой.

Согласно положению вещей, с первого взгляда отличим типы диодов:

  1. Семейство Д9 маркируется одним-двумя цветными кольцами района анода.
  2. Диоды КД102 в районе анода обозначаются цветной точкой. Корпус прозрачный.
  3. КД103 имеют дополняющий точку цветной корпус, исключая 2Д103А, обозначаемый белой точкой области анода.
  4. Семейства КД226, 243 маркируются кольцом области катода. Прочих меток не предусмотрено.
  5. Два цветных кольца в районе катода можно увидеть у семейства КД247.
  6. Диоды КД410 обозначаются точкой в районе анода.

Присутствуют прочие различимые метки. Более подробную классификацию найдете, проштудировав издание Кашкарова А.П. По маркировке радиоэлементов. Новичков тревожит вопрос определения расположения катода и анода.

  1. Видите: одна боковина цилиндра снабжена темной полосой – найден катод. Цветная может являться частью обсуждаемой сегодня маркировки.
  2. Умея эксплуатировать мультиметр, анод легко отыскать. Электрод, куда приложим красный щуп, чтобы открыть вентиль (услышим звонок).
  3. Новый диод снабжен усиком анода более длинным, нежели катода.
  4. Сквозь стеклянный корпус светодиода посмотрим через увеличительное стекло: металлический анод напоминает наконечник копья, размерами меньше катода.
  5. Старые диоды содержали стрелочную маркировку. Острие – катод. Позволит определять направление включения визуально. Современным радиомонтажникам приходится тренировать сообразительность, остроту зрения, точность манипуляций.

Зарубежные изделия получили другую систему обозначений. Выбирая аналог, используйте специальные таблицы соответствия. Остальным импортная база мало отличается от отечественной. Маркировка проводится согласно стандартам JEDEC (США), европейской системе (PRO ELECTRON). Красочные таблицы расшифровки цветового кода массово представлены сетевыми источниками.

Цветовая маркировка

SMD диоды

В SMD исполнении корпус диода иногда настолько мал, маркировка отсутствует вовсе. Характеристики приборов мало зависят от габаритов. Последние сильно влияют на рассеиваемую мощность. Больший ток проходит по цепи, большие размеры должен иметь диод, отводящий возникающее (закон Джоуля-Ленца) тепло. Сообразно написанному маркировка SMD диода может быть:

  1. Полная.
  2. Сокращенная.
  3. Отсутствие маркировки.

SMD элементы в общем объеме электроники занимают примерно 80% объема. Поверхностный монтаж. Изобретенный способ электрического соединения максимально удобен автоматизированным линиям сборки. Маркировка диода SMD может не совпадать с наполнением корпуса. При большом объеме производства изготовители начинают хитрить, ставить внутрь вовсе не то, что нанесено условным обозначением. От большого количества несогласованных между собою стандартов возникает путаница использования выводов микросхем (для диодов – микросборки).

Корпус

Маркировка может включать 4 цифры, указывающие типоразмер корпуса. Прямо не соответствуют габаритам, поинтересуйтесь подробнее вопросом в ГОСТ Р1-12-0.062, ГОСТ Р1-12-0.125. Любителям, которым не по карману достать нормативные акты, проще использовать справочные таблицы. Держим в уме факт: корпусы SMD от фирмы к фирме способны мелочами отличаться, ведь каждый производитель подгадывает элементную базу под собственную продукцию. У Samsung от материнской платы стиральной машины одно расстояние, LG – другое. Габариты SMD корпусов потребуются разные, условия отвода тепла, прочие требования выполняются.

Посему, приобретая, согласно цифрам справочника элемент, производите дополнительные замеры, если это важно.К примеру, при починке бытовой техники. В противном случае закупленные диоды могут не встать по месту назначения. Любители с SMD не связываются ввиду кажущейся сложности монтажа, но для мастеров это обычное дело, поскольку микроэлектроника невозможна без столь удачной технологии.

Выбирая диод, стоит держать в уме факт: многие корпусы одинаковые, но маркируются по-разному. Некоторые обозначения лишены цифр. Удобно пользоваться поисковиками. Приведенная перекрестная таблица соответствия типоразмеров взята с сайта selixgroup.spb.ru.

Таблица соответствия типоразмеров

SMD диоды часто выпускаются в корпусе SOD123. Если по одному торцы имеется полоса какого-либо цвета, либо тиснение, то это катод (то место, куда нужно подать отрицательную полярность, чтобы открыть p-n-переход). Если только на корпусе имеются надписи, то это обозначение корпуса. Если строчек свыше одной – характеризующая оболочку покрупнее.

Тип элемента и производитель

Понятно, тип корпуса для конструктора вещь второстепенная. Через поверхность элемента рассеивается некоторое тепло. С этой точки зрения и нужно рассматривать диод. В остальном важны характеристики:

  • Рабочее и обратное напряжение.
  • Максимально допустимый ток через p-n-переход.
  • Мощность рассеяния и пр.

Эти параметры для полупроводниковых диодов указаны справочниками. Маркировка помогает найти нужное среди горы макулатуры. В случае SMD элемента ситуация намного сложнее. Нет единой системы обозначений. Одновременно легче – параметры от одного диода к другому меняются не слишком сильно. Разнятся по большому счету рассеиваемая мощность, рабочее напряжение. Каждый SMD элемент маркируется последовательностью из 8 букв и цифр, причём часть из знакомест может не использоваться вовсе. Так бывает в случае с ветеранами отрасли, гигантами электронной промышленности:

  1. Motorola (2).
  2. Texas Instruments.
  3. Ныне преобразованная и частично проданная Siemens (2).
  4. Maxim Integrated Product.

Упомянутые производители маркируются временами двойками литер MO, TI, SI, MX. Помимо этого пара букв адресует:

  • AD – Analog Devices;
  • HP – Hewlett-Packard;
  • NS – National Semiconductors;
  • PC, PS – Philips Components, Semiconductors, соответственно;
  • SE – Seiko Instruments.

Разумеется, внешний вид корпуса не всегда дает определить производителя, тогда в поисковик нужно немедленно набрать цифро-буквенную последовательность. Замечены другие примеры: диодная сборка NXP в корпусе SOD123W не несет никакой информации, помимо указанной строкой выше. Производитель приведенные сведения считает достаточными. Потому что SOD само по себе расшифровывается, как small outline diode. Прочее найдем на официальном сайте компании (nxp.com/documents/outline_drawing/SOD123W.pdf).

Пространство для печати ограничено, чем и объясняются подобные упрощения. Производитель старается минимально затруднить себя выполнением маркировки. Часто применяется лазерная или трафаретная печать. Это позволит уместить 8 знаков на площади всего 4 квадратных миллиметра (Кашкаров А.П. «Маркировка радиоэлементов»). Помимо указанных для диодов используют следующие типы корпусов:

  1. Цилиндрический стеклянный MELF (Mini MELF).
  2. SMA, SMB, SMC.
  3. MB-S.

В довершение одинаковый цифро-буквенный код порой соответствует разным элементам. В этом случае придется анализировать электрическую схему. В зависимости от назначения диода предполагаются рабочий ток, напряжение, некоторые другие параметры. Согласно каталогам рекомендуется попытаться определить производителя, поскольку параметры имеют разброс несущественный, затрудняя правильную идентификацию изделия.

Прочая информация

Помимо указанных, временами присутствуют иные сведения. Номер партии, дата выпуска. Такие меры предпринимаются, делая возможным отслеживания новых модификаций товара. Конструкторский отдел выпускает корректирующую документацию, снабженную номером, присутствует дата. И если сборочному цеху особенность нужно учесть, отрабатывая внесенные изменениями, мастерам следует читать маркировки.

Если собрать аппаратуру по новым чертежам (электрическим схемам), применяя старые детали, получится не то, что ожидалось. Проще говоря, изделие выйдет в отказ, отрадно, если окажется обратимый процесс. Ничего не сгорит. Но начальник цеха наверняка получит по шапке, товар придется переделать в части неучтенного фактора.

Кроме диодов

На основе p-n-переходов создан миллиард модификаций диодов. Сюда относятся варикапы, стабилитроны и даже тиристоры. Каждому семейству присущи особенности, с диодами много сходства. Видим три глобальных вида:

  • устаревшая сегодня элементная база сравнительно большого размера, явно различимая маркировка, сформированная стандартными буквами, цифрами;
  • стеклянные корпусы, снабженные цветовой символикой;
  • SMD элементы.

Аналоги подбираются исходя из условий, указанных выше: мощность рассеяния, предельные напряжение, пропускаемый ток.

Диод кд226а характеристики фото - JSFiddle

Editor layout

Classic Columns Bottom results Right results Tabs (columns) Tabs (rows)

Console

Console in the editor (beta)

Clear console on run

General

Line numbers

Wrap lines

Indent with tabs

Code hinting (autocomplete) (beta)

Indent size:

2 spaces3 spaces4 spaces

Key map:

DefaultSublime TextEMACS

Font size:

DefaultBigBiggerJabba

Behavior

Auto-run code

Only auto-run code that validates

Auto-save code (bumps the version)

Auto-close HTML tags

Auto-close brackets

Live code validation

Highlight matching tags

Boilerplates

Show boilerplates bar less often

Стеклянный диод. Маркировка диодов: типы, особенности, производители

Любая электронная схема вне зависимости от назначения имеет в своем составе большое количество элементов, которые регулируют и контролируют течение электрического тока по проводам. Именно регулирование напряжения играет важную роль в работе большинства модулей, потому что от этого параметра зависит стабильная и долгая работа цепи.

Для стабилизации входного напряжения на схемы был разработан специальный модуль, который является буквально важнейшей частью многих приборов. Импортные и отечественные стабилитроны используются в схемах с разными параметрами, поэтому имеется различная маркировка диодов на корпусе, что помогает определить и подобрать нужный вариант.

Немного подробнее о модуле и принципе его работы

Это полупроводниковый диод, который имеет свойство выдавать определенное значение напряжения вне зависимости от подаваемого на него тока. Это утверждение не является до конца верным абсолютно для всех вариантов, потому что разные модели имеют разные характеристики. Если подать очень сильный ток на не рассчитанный для этого модуль SMD (или любой другой тип), он попросту сгорит. Поэтому подключение выполняется после установки токоограничивающего резистора в качестве предохранителя, значение выходного тока которого равняется максимально возможному значению входного тока на стабилизатор.

Он очень похож на обыкновенный полупроводниковый диод, но имеет отличительную черту – его подключение выполняется наоборот. То есть минус от источника питания подается на анод стабилитрона, а плюс – на катод. Таким образом, создается эффект обратной ветви, который и обеспечивает его свойства.

Похожим модулем является стабистор – он подключается напрямую, без предохранителя. Используется в тех случаях, когда параметры входного электричества точно известны и не колеблются, а на выходе получается тоже точное значение.

Указание паспортных характеристик

Они же являются основными показателями отечественных и импортных стабилитронов, которыми необходимо руководствоваться при подборе стабилитрона под конкретную электронную цепь.

  1. UCT – указывает, какое номинальное значение модуль способен стабилизировать.
  2. ΔUCT – используется для указания диапазона возможного отклонения входящего тока в качестве безопасной амортизации.
  3. ICT – параметры тока, который может протекать при подаче номинального напряжения на модуль.
  4. ICT.МИН – показывает самое маленькое значение, которое способно протекать по стабилизатору. При этом протекающее напряжение по диоду будет находиться в диапазоне UCT ± ΔUCT.
  5. ICT.МАКС – модуль не способен выдерживать более высокое напряжение, чем это значение.

На фото ниже представлен классический вариант. Обратите внимание, что прямо на корпусе показано, где у него анод и катод. По кругу нарисована черная (реже встречается серая) полоска, которая располагается со стороны катода. Противоположная сторона – анод. Такой способ используется как для отечественных, так и для импортных диодов.


Дополнительная маркировка стеклянных моделей

Диоды в стеклянных корпусах имеют свои собственные обозначения, которые мы рассмотрим далее. Они настолько простые (в отличие от вариантов с пластиковыми корпусами), что практически сразу же запоминаются наизусть, нет необходимости каждый раз использовать справочник.

Цветовая маркировка используется для пластиковых диодов, например, для SOT-23. Твердый корпус модуля имеет два гибких вывода. На самом корпусе, рядом с вышеописанной полосочкой, дописываются таким же цветом несколько цифр, разделенных латинской буквой. Обычно запись имеет вид 1V3, 9V0 и так далее, разнообразие позволяет подобрать любые параметры по обозначению, как и в SMD.

Что же значит эта кодовая маркировка? Она показывает напряжение стабилизации, на которое рассчитан данный элемент. К примеру, 1V3 показывает нам, что это значение равно 1.3 В, второй же вариант – 9 вольт. Обычно чем больше сам корпус, тем большим стабилизирующим свойством он обладает. На фото ниже показан стабилитрон в стеклянном корпусе с маркировкой катода 5.1 В


Заключение

Правильный подбор параметров стабилитрона позволит получить стабильный ток, который из него подается на цепь. Обязательно подбирайте такие параметры предохранителя, используя соответствующий справочник, чтобы входное напряжение не испортило деталь, ему желательно находиться приблизительно в середине диапазона UCT ± ΔUCT.

Имея дома радиоэлектронную лабораторию, можно своими руками сделать самые различные приспособления для электрооборудования или сами приборы, что позволит значительно сэкономить на покупке техники. Важным элементом многих электрических схем приборов является стабилитрон.

Такой элемент (smd, смд) является необходимой частью многих электросхем. Благодаря обширной области применения, стабилитрон имеет различную маркировку. Маркировка, нанесенная на корпус такого диода, дает подробную, но зашифрованную, информацию о данном элементе. Наша сегодняшняя статья поможет вам разобраться в том, какая цветовая маркировка встречается на корпусе (стеклянном и нет) импортных стабилитронов.

Что представляет собой данный элемент электрических схем

Прежде чем приступить к рассмотрению вопроса о том, какая цветовая маркировка таких элементов существует, нужно разобраться, что это вообще такое.

Вольт-амперная характеристика стабилитрона

Стабилитрон представляет собой полупроводниковый диод, который предназначается для стабилизации в электросхеме постоянного напряжения на нагрузке. Наиболее часто такой диод используется для стабилизации напряжения в различных источниках питания. Данный диод (smd) имеет участок с обратной веткой вольт-амперной характеристики, которая наблюдается в области электрического пробоя.

Имея такую область, стабилитрон в ситуации изменения параметра тока, протекающего через диод от IСТ.МИН до IСТ.МАКС практически не наблюдается изменений показателя напряжения. Данный эффект применяется для стабилизации напряжения. В ситуации, когда к смд подключена параллельно нагрузка RH, тогда напряжение диода будет оставаться постоянным, причем в указанных пределах изменения тока, текущего через стабилитрон.

Обратите внимание! Стабилитрон (smd) способен стабилизировать напряжение выше 3,3 В.

Кроме смд существуют еще и стабистроны, которые включаются при прямом включении. Они применяются в ситуации, когда есть необходимость стабилизировать напряжение в определенном диапазоне. Обычный диод можно использовать тогда, когда нужно стабилизировать напряжение в диапазоне от 0,3 до 0,5 В. Область их прямого смещения наблюдается при падении напряжения до 0,7 – 2v. При этом оно практически не зависит от силы тока. Стабисторы в своей работе применяют прямую ветвь вольт-амперной характеристики.
Их также следует включать при прямом подключении. Хотя это будет не самое лучшее решение, поскольку стабилитрон в такой ситуации будет все же более эффективен.
Стабисторы, как и smd, производятся зачастую из кремния.
Стабилитроны маркируют по их основным характеристикам. Эта маркировка имеет следующий вид:

  • UСТ. Эта маркировка означает номинальное напряжение для стабилизации;
  • ΔUСТ. Означает отклонение показателя напряжения номинального напряжения стабилизации;
  • IСТ. Обозначает ток, который протекает через диод при номинальном напряжении стабилизации;
  • IСТ.МИН — минимальное значение тока, которые течет через стабилитрон. При этом значении такой smd диод будет иметь напряжение в диапазоне UСТ ± ΔUСТ;
  • IСТ.МАКС. Означает максимально допустимую величину тока, которая может течь через стабилитрон.

Такая маркировка важна при выборе элемента под определенную электросхему.

Обозначения работы элемента электросхемы

Схематическое обозначение стабилитрона

Поскольку стабилитрон представляет собой специальный диод, то его обозначение не отличается от них. Схематически smd обозначается следующим образом:

Стабилитрон, как и диод, имеет в своем составе катодную и анодную часть. Из-за этого имеется прямое и обратное включение данного элемента.

Включение стабилитрона

На первый взгляд, включение такой диод имеет неправильное, ведь он должен подключаться «наоборот». В ситуации подачи на смд обратного напряжения наблюдается явление «пробоя». В результате чего напряжение между его выводами остается неизменным. Поэтому он должен быть последовательно подключен к резистору с целью ограничения проходящего через него тока, что будет обеспечивать падение «лишнего» напряжения от выпрямителя.

Обратите внимание! Каждый диод, предназначенный для стабилизации напряжения, обладает своим напряжением «пробоя» (стабилизации), а также имеет свой рабочий ток.

Из-за того, что каждый стабилитрон обладает такими характеристиками, для него можно рассчитать номинал резистора, который будет подключаться с ним последовательно. У импортных стабилитронов их напряжение стабилизации представлено в виде маркировки, нанесенной на корпусе (стеклянном или нет). Обозначение такого диода smd всегда начинается с BZY… или BZX…, а их напряжение пробоя (стабилизации) имеет маркировку V. Например, обозначение 3V9 расшифровывается как 3.9 вольта.

Обратите внимание! Минимальное напряжение для стабилизации у таких элементов составляет 2 В.

Принцип функционирования стабилизационных диодов

Несмотря на то, что смд похож на диод, он по сути является иным элементом электросхемы. Конечно, он может выполнять функцию выпрямителя, но обычно используется для стабилизации напряжения. Данный элемент способен поддерживать в цепи постоянного тока постоянное напряжение. Этот его принцип работы применяется в питании различного радиотехнического оборудования.


Внешне смд очень похож на стандартный полупроводник. Схожесть сохраняется и в конструкционных особенностях. Но при обозначении такого радиотехнического элемента, в отличие от диода, на схеме ставится буква Г.
Если не вникать в математические расчеты и физические явления, то принцип функционирования smd будет достаточно понятным.

Обратите внимание! При включении такого smd диода нужно соблюдать обратную полярность. Это означает, что подключение проводится анодом к минусу.

Проходя через этот элемент, небольшое напряжение цепи провоцирует сильный ток. При увеличении обратного напряжения ток так же растет, только в этом случае его рост будет наблюдаться слабо. Доходя до отметки, она может быть любой. Все зависит от типа устройства. При достижении отметки происходит «пробой». После случившегося «пробоя» через smd начинает течь обратный ток большого значения. Именно в этот момент и начинается работа данного элемента до времени превышения его допустимого предела.

Как отличить стабилизационный диод от обычного полупроводника

Очень часто люди задаются вопросом, как можно отличить стабилитрон от стандартного полупроводника, ведь, как мы выяснили раньше, оба этих элемента имеют практически идентичное обозначение на электросхеме и могут выполнять схожие функции.
Самым простым способом отличить стабилизационный полупроводник от обычного является использование схемы приставки к мультиметру. С его помощью можно не только отличить оба элемента друг от друга, но и выявить напряжение стабилизации, которое характерно для данного смд (если оно, конечно, не превышает 35В).
Схема приставки мультиметра является DC-DC преобразователем, в которой между входом и выходом имеется гальваническая развязка. Эта схема имеет следующий вид:


Схема приставки мультиметра

В ней генератор с широтно-импульсной модуляцией выполняется на специальной микросхеме МС34063, а для создания гальванической развязки между измерительной частью схемы и источником питания контрольное напряжение следует снимать с первичной обмотки трансформатора. Для этой цели имеется выпрямитель на VD2. При этом величина для выходного напряжения или тока стабилизации устанавливается путем подбора резистора R3. На конденсаторе С4 происходит выделение напряжения примерно в 40В.
При этом проверяемый смд VDX и стабилизатор для тока А2 будут формировать параметрический стабилизатор. Мультиметр, который подключили к выводам Х1 и Х2, будет измерять на данном стабилитроне напряжение.
При подключении катода к «-«, а анода к «+» диода, а также к несимметричному смд мультиметра, последний покажет незначительное напряжение. Если подключать в обратной полярности (как на схеме), то в ситуации с обычным полупроводником прибор будет регистрировать напряжение около 40В.

Обратите внимание! Для симметричного смд напряжение пробоя будет появляться при наличии любой полярности подключения.

Здесь трансформатор Т1 будет намотан на торообразном ферритовом сердечнике с внешним диаметром в 23 мм. Такая обмотка 1 будет содержать 20 витков, а вторая обмотка — 35 витков провода ПЭВ 0,43. При этом важно при намотке укладывать виток к витку. Следует помнить, что первичная обмотка идет на одной части кольца, а вторая – на другой.
Проводя настройку прибора, подключите резистор вместо smd VDX. Этот резистор должен иметь номинал 10 кОм. А сопротивление R3 нужно подбирать для того, чтобы добиться напряжения в 40В на конденсаторе С4
Вот так можно выяснить, стабилитрон у вас или обычный диод.

Подробно о цветовой маркировке стабилизирующего диода


Любой диод (стабилитрон и т.д.) на своем корпусе содержит специальную маркировку, которая отражает то, какой материал использовался для изготовления каждого конкретного полупроводника. Такая маркировка может иметь следующий вид:

  • буква или цифра;
  • буква.

Кроме этого маркировка отражает электрические свойства и назначение прибора. Обычно за это отвечает цифра. Буква, в свою очередь, отражает соответствующую разновидность устройства. Кроме этого маркировка содержит дату изготовления и условное обозначение изделия.
Смд интегрального типа часто содержат полную маркировку. В такой ситуации на корпусе изделия имеется условный код, который обозначает тип микросхемы. Пример расшифровки нанесенной на корпус кодовой маркировки для микросхем приведен на рисунке:


Пример маркировки микросхем

Кроме этого имеется еще и цветовая маркировка. Она существует в нескольких вариантах, но наиболее часто используется японская маркировка (JIS-C-7012). Обозначения цветовой маркировки приведены в следующей таблице.

Цветовая маркировка стабилитрона

  • первая полоска обозначает тип устройства;
  • вторая – полупроводник;
  • третья – что это за прибор, а также, какая у него проводимость;
  • четвертая — номер разработки;
  • пятая — модификация устройства.

Нужно отметить, что четвертая и пятая полоски не очень важны для выбора изделия.

Заключение

Как видим, существует много разных маркировок и обозначений для стабилитрона, о которых нужно помнить при его выборе для домашней лаборатории и изготовления своими руками различных электротехнических приборов. Если хорошо владеть этим вопросом, то это залог правильного выбора.

Как выбрать датчик движения для туалета Как правильно выбрать для дома радиовыключатель света с пультом, как подключить

Маркировка диодов – краткое графическое условное обозначение элемента, на корпус которого нанесено. Элементная база в настоящее время настолько разнообразна, сокращения отличаются весьма существенно. Сложно идентифицировать диод: стабилитрон, туннельный, Ганна. Выпущены разновидности, напоминающие газоразрядную лампочку. Светодиоды горят, дополняя путаницу.

Диоды полупроводниковые

Быть может, раздел называется несколько тривиально, нужно было обычные диоды отличить от морально устаревших электронных ламп, современнейших SMD модификаций. Рядовые полупроводниковые диоды – самое простое горе радиолюбителя. Боковина цилиндрического корпуса с дисковым основанием, ножками содержит нанесенную краской легко различимую надпись.

Полупроводниковые резисторы. Отличите невооруженным глазом?

Цвет корпуса значения не играет, размер косвенно указывает рассеиваемую мощность. У мощных диодов зачастую в наличии резьба под гайку крепления радиатора. Итог расчета теплового режима показывает недостаток собственных возможностей корпуса, система охлаждения дополняется навесным элементом. Сегодня потребляемая мощность падает, снижая линейные размеры корпусов приборов. Указанное позволило использовать стекло. Новый материал корпуса дешевле, долговечнее, безопаснее.

  • Первое место занимает буква или цифра, кратко характеризующая материал элемента:
  1. Г (1) – соединения германия.
  2. К (2) – соединения кремния.
  3. А (3) – арсенид галлия.
  4. И (4) – соединения индия.
  • Вторая буква в нашем случае Д. Диод выпрямительный, либо импульсный.
  • Третье место облюбовала цифра, характеризующая применимость диода:
  1. Низкочастотные, током ниже 0,3 А.
  2. Низкочастотные, током 0,3 - 10 А.
  3. Не используется.
  4. Импульсные, время восстановления свыше 500 нс.
  5. Импульсные, время восстановления 150 - 500 нс.
  6. То же, время восстановления 30 - 150 нс.
  7. То же, время восстановления 5 - 30 нс.
  8. То же, время восстановления 1 - 5 нс.
  9. Импульсные, время жизни неосновных носителей ниже 1 нс.
  • Номер разработки составлен двумя цифрами, может отсутствовать вовсе. Номинал ниже 10 дополняется слева нулем. Например, 07.
  • Номер группы обозначается буквой, определяет различия свойств, параметров. Буква зачастую является ключевой, может указывать рабочее напряжение, прямой ток, многое другое.

В дополнение к маркировке справочники приводят графики, по которым можно решить задачи выбора рабочей точки радиоэлемента. Могут указываться сведения о технологии производства, материале корпуса, массе. Помогает информация проектировщику аппаратуры, любителям практического смысла не несет.

Импортные системы обозначения отличаются от отечественных, хорошо стандартизированы. Поэтому при помощи специальных таблиц достаточно просто отыскать подходящие аналоги.

Цветовая маркировка

Каждый радиолюбитель знает сложность идентификации диодов, окруженных стеклянным корпусом. На одно лицо. Временами производитель удосуживается нанести четкие метки, разноцветные кольца. Согласно системе обозначений, вводится три признака:

  1. Метки областей катода, анода.
  2. Цвет корпуса, заменяемый цветной точкой.

Согласно положению вещей, с первого взгляда отличим типы диодов:

  1. Семейство Д9 маркируется одним-двумя цветными кольцами района анода.
  2. Диоды КД102 в районе анода обозначаются цветной точкой. Корпус прозрачный.
  3. КД103 имеют дополняющий точку цветной корпус, исключая 2Д103А, обозначаемый белой точкой области анода.
  4. Семейства КД226, 243 маркируются кольцом области катода. Прочих меток не предусмотрено.
  5. Два цветных кольца в районе катода можно увидеть у семейства КД247.
  6. Диоды КД410 обозначаются точкой в районе анода.

Имеются другие явно различимые метки. Более подробную классификацию найдете, проштудировав издание Кашкарова А.П. По маркировке радиоэлементов. Новичков тревожит вопрос определения расположения катода и анода.

  1. Видите: одна боковина цилиндра снабжена темной полосой - найден катод. Цветная может являться частью обсуждаемой сегодня маркировки.
  2. Умея эксплуатировать мультиметр, анод легко отыскать. Электрод, куда приложим красный щуп, чтобы открыть вентиль (услышим звонок).
  3. Новый диод снабжен усиком анода более длинным, нежели катода.
  4. Сквозь стеклянный корпус светодиода посмотрим через увеличительное стекло: металлический анод напоминает наконечник копья, размерами меньше катода.
  5. Старые диоды содержали стрелочную маркировку. Острие - катод. Позволит определять направление включения визуально. Современным радиомонтажникам приходится тренировать сообразительность, остроту зрения, точность манипуляций.

Зарубежные изделия получили другую систему обозначений. Выбирая аналог, используйте специальные таблицы соответствия. Остальным импортная база мало отличается от отечественной. Маркировка проводится согласно стандартам JEDEC (США), европейской системе (PRO ELECTRON). Красочные таблицы расшифровки цветового кода широко представлены сетевыми источниками.


Цветовая маркировка

SMD диоды

В SMD исполнении корпус диода иногда настолько мал, маркировка отсутствует вовсе. Характеристики приборов мало зависят от габаритов. Последние сильно влияют на рассеиваемую мощность. Больший ток проходит по цепи, большие размеры должен иметь диод, отводящий возникающее (закон Джоуля-Ленца) тепло. Сообразно написанному маркировка SMD диода может быть:

  1. Полная.
  2. Сокращенная.
  3. Отсутствие маркировки.

SMD элементы в общем объеме электроники занимают примерно 80% объема. Поверхностный монтаж. Изобретенный способ электрического соединения максимально удобен автоматизированным линиям сборки. Маркировка диода SMD может не совпадать с наполнением корпуса. При большом объеме производства изготовители начинают хитрить, ставить внутрь вовсе не то, что нанесено условным обозначением. От большого количества несогласованных между собою стандартов возникает путаница использования выводов микросхем (для диодов - микросборки).

Корпус

Маркировка может включать 4 цифры, указывающие типоразмер корпуса. Прямо никак не соответствуют габаритам, поинтересуйтесь подробнее вопросом в ГОСТ Р1-12-0.062, ГОСТ Р1-12-0.125. Любителям, которым не по карману достать нормативные акты, проще использовать справочные таблицы. Держим в уме факт: корпусы SMD от фирмы к фирме могут мелочами отличаться. Поскольку каждый производитель подгадывает элементную базу под собственную продукцию. У Samsung от материнской платы стиральной машины одно расстояние, LG - другое. Габариты SMD корпусов потребуются разные, условия отвода тепла, прочие требования выполняются.

Посему, приобретая, согласно цифрам справочника элемент, производите дополнительные замеры, если это важно. Например, в случае ремонта бытовой техники. В противном случае закупленные диоды могут не встать по месту назначения. Любители с SMD не связываются ввиду кажущейся сложности монтажа, но для мастеров это обычное дело, поскольку микроэлектроника невозможна без столь удачной технологии.

Выбирая диод, стоит держать в уме факт: многие корпусы могут быть по сути одним и тем же, но маркироваться по-разному. Некоторые обозначения вовсе лишены цифр. Удобно пользоваться поисковиками. Приведенная перекрестная таблица соответствия типоразмеров взята с сайта selixgroup.spb.ru.

SMD диоды часто выпускаются в корпусе SOD123. Если по одному торцы имеется полоса какого-либо цвета, либо тиснение, то это катод (то место, куда нужно подать отрицательную полярность, чтобы открыть p-n-переход). Если только на корпусе имеются надписи, то это обозначение корпуса. Если строчек свыше одной – характеризующая оболочку покрупнее.

Тип элемента и производитель

Понятно, тип корпуса для конструктора вещь второстепенная. Через поверхность элемента будет рассеиваться некоторое тепло. С этой точки зрения и нужно рассматривать диод. В остальном важны характеристики:

  • Рабочее и обратное напряжение.
  • Максимально допустимый ток через p-n-переход.
  • Мощность рассеяния и пр.

Эти параметры для полупроводниковых диодов указаны справочниками. Маркировка помогает найти нужное среди горы макулатуры. В случае SMD элемента ситуация намного сложнее. Нет единой системы обозначений. И в то же время легче – параметры от одного диода к другому меняются не слишком сильно. Разнятся по большому счету рассеиваемая мощность, рабочее напряжение. Каждый SMD элемент маркируется последовательностью из 8 букв и цифр, причём часть из знакомест может не использоваться вовсе. Так бывает в случае с ветеранами отрасли, гигантами электронной промышленности:

  1. Motorola (2).
  2. Texas Instruments.
  3. Ныне преобразованная и частично проданная Siemens (2).
  4. Maxim Integrated Product.

Упомянутые производители маркируются временами двойками литер MO, TI, SI, MX. Помимо этого пара букв адресует:

  • AD – Analog Devices;
  • HP – Hewlett-Packard;
  • NS – National Semiconductors;
  • PC, PS – Philips Components, Semiconductors, соответственно;
  • SE – Seiko Instruments.

Разумеется, внешний вид корпуса не всегда дает определить производителя, тогда в поисковик нужно немедленно набрать цифро-буквенную последовательность. Замечены другие примеры: диодная сборка NXP в корпусе SOD123W не несет никакой информации, помимо указанной строкой выше. Производитель приведенные сведения считает достаточными. Потому что SOD само по себе расшифровывается, как small outline diode. Прочее найдем на официальном сайте компании (nxp.com/documents/outline_drawing/SOD123W.pdf).

Пространство для печати ограничено, чем и объясняются такие упрощения. Производитель старается минимально затруднить себя выполнением маркировки. Часто применяется лазерная или трафаретная печать. Это позволит уместить 8 знаков на площади всего 4 квадратных миллиметра (Кашкаров А.П. «Маркировка радиоэлементов»). Помимо указанных для диодов используют следующие типы корпусов:

  1. Цилиндрический стеклянный MELF (Mini MELF).
  2. SMA, SMB, SMC.
  3. MB-S.

В довершение один и тот же цифро-буквенный код порой соответствует разным элементам. В этом случае придется анализировать электрическую схему. В зависимости от назначения диода предполагаются рабочий ток, напряжение, некоторые другие параметры. Согласно каталогам рекомендуется попытаться определить производителя, поскольку параметры имеют разброс несущественный, затрудняя правильную идентификацию изделия.

Прочая информация

Помимо указанных временами присутствуют иные сведения. Номер партии, дата выпуска. Такие меры предпринимаются, делая возможным отслеживания новых модификаций товара. Конструкторский отдел выпускает корректирующую документацию, снабженную номером, присутствует дата. И если сборочному цеху особенность нужно учесть, отрабатывая внесенные изменениями, мастерам следует читать маркировки.

Если же собрать аппаратуру по новым чертежам (электрическим схемам), применяя старые детали, то получится не то, что ожидалось. Проще говоря, изделие выйдет в отказ, отрадно, если это будет обратимый процесс. Ничего не сгорит. Но даже в этом случае начальник цеха наверняка получит по шапке, товар придется переделать в части неучтенного фактора.

Кроме диодов

На основе p-n-переходов создан миллиард модификаций диодов. Сюда относятся варикапы, стабилитроны и даже тиристоры. Каждому семейству присущи особенности, с диодами много сходства. Видим три глобальных вида:

  • устаревшая сегодня элементная база сравнительно большого размера, явно различимая маркировка, сформированная стандартными буквами, цифрами;
  • стеклянные корпусы, снабженные цветовой символикой;
  • SMD элементы.

Аналоги подбираются исходя из условий, указанных выше: мощность рассеяния, предельные напряжение, пропускаемый ток.

Маркировка стабилитронов в стеклянном корпусе импортные. Стабилитрон. Принцип действия. Маркировка

Программа Color and Code имеет обширный сервис и позволяет решать комплекс задач разнообразного характера в одном приложении: находить номинал или вид радиокомпонентов по кодовой или цветовой маркировке, определять электрические параметры радиокомпонентов; выполнять радиотехнические расчеты; находить тип и выбирать нужные размеры радиокомпонентов; подбирать аналоги радиодеталей; изучать назначения ножек микросхем.

Описание программы Color and Code

В программе имеется возможность определять параметры большого спектра радиодеталей таких как – варикапов, транзисторов, конденсаторов, диодов, стабилитронов, резисторов, индуктивностей и чип-компонентов, как по кодовой цветовой, так и цветовой маркировке.

Цветовая маркировка резисторов


Кодовая и цветовая маркировка транзисторов

Можно определять тип транзистора по двум и четырем цветным точкам. Также есть функция определения по графическим символам, горизонтальное и вертикальное обозначение, смешанной и нестандартной.



Маркировка диодов, стабилитронов, варикапов

Диоды, стабилитроны, варикапы определяются по цветным кольцам от 1 до 3 колец.

Стабилитрон еще называют опорным диодом. Предназначены стабилитроны для стабилизации выходного напряжения при колебания входного или при изменении величины нагрузки (рис. 1 ).

Рис. 1 – Функциональная схема работы стабилитрона

Например, если на нагрузке нужно получить 5 В, а напряжение источника питания колеблется в пределах 9 В. Чтобы снизить и стабилизировать напряжение, подводимое от источника питания, до необходимых 5 В применяют стабилитроны. Конечно, можно применять и стабилизаторы напряжения, в данном случае подойдут или . Однако, применение их не всегда оправдано, поэтому в ряде случаев используют стабилитроны.

Внешне они похожи на диоды и имею вид, показанный на рис. 2 .


Рис. 2 – Внешний вид стабилитронов

Обозначение стабилитронов на схемах приведено на рис. 3 .


Принцип действия стабилитрона

Теперь давайте разберемся каким образом стабилитрон выполняет стабилизацию напряжение.

Основной характеристикой стабилитрона, впрочем, как и диода, является вольтамперная характеристика (ВАХ). Она показывается зависимость величины тока, протекающего через стабилитрон, от величины приложенного к нему напряжения (рис. 4 ).

ВАХ стабилитрона имеет две ветви.


Рис. 4 – ВАХ стабилитрона

Прямая ветвь стабилитрона практически не отличается от прямых ветвей обычных диодов и для последних она же будет рабочей.

Нормальный режим работы стабилитрона является когда он находится под обратным напряжением. Поэтому для него рабочей будет обратная ветвь. Она расположена практически параллельно оси обратных токов. На этой кривой характерными есть две точки: 1 и 2 (рис. 4 ), между ними находится рабочая область стабилитрона.

При некоторой величине обратного напряжения U ст наступает электрический пробой p n перехода стабилитрона и через наго протекает уже значительный ток. Однако при изменении в широких пределах тока от значения Imin до Imax падение напряжения на стабилитроне U ст практически не изменяется (рис. 4 ). Благодаря этому свойству и осуществляется стабилизация напряжения.

Если ток, протекающий через стабилитрон, превысит значение Imax , то произойдет перегрев полупроводниковой структуры, наступит тепловой пробой и стабилитрон выйдет из строя.

К источнику питания Uип стабилитрон подключается через токоограничивающий резистор Rогр , который служит для ограничения тока, протекающего через стабилитрон, а также совместно с ним образует делитель напряжения (рис. 5 ).


Рис. 5 – Схема включения стабилитрона

Обратите внимание, в отличие от диода стабилитрон подключается в обратном направлении, т. е. на катод подается «+» источника питания, а на анод «-».

Параллельно к выводам стабилитрона подключается нагрузка R н , на зажимах которой требуется поддерживать стабильное напряжение.

Процесс стабилизации напряжения заключается в следующем. При увеличении напряжения источника питания возрастает общий ток цепи I , а следовательно и ток Iст , протекающий через стабилитрон VD , а также увеличивается падение напряжения на токоограничивающем резисторе R огр . При этом напряжение на стабилитроне и соответственно на нагрузке остается почти неизменным.

При изменении сопротивления нагрузки, происходит перераспределение общего тока I между стабилитроном и нагрузкой, а величина напряжения на них практически не меняется.

Если напряжение на нагрузке больше напряжения стабилизации стабилитрона, то применяют несколько последовательно включенных стабилитронов. Например, если необходимо получить 10 В стабильного напряжения, то за неимением нужного стабилитрона, можно включить последовательно два стабилитрона по 5 В (рис. 6 ).


Рис. 6 – Последовательное соединение стабилитронов

Также стабилитроны успешно используются в системах автоматики в качестве датчиков, реагирующих на изменение напряжения. Например, если величина напряжения превысит определенное значение, то стабилитрон откроется и через катушку реле будет протекать ток. В результате реле сработает и даст команду другим устройствам либо просто просигнализирует о превышении некоторого уровня напряжения.

Помимо стабилизации постоянного напряжения, с помощью стабилитронов можно стабилизировать и переменное напряжения. Для этого используют последовательное встречное включение двух стабилитронов (рис. 7 ).


Рис. 7 – Схема включения стабилитрона на переменное напряжение

Только на выходе будет не идеальная синусоида, а со срезанными верхами, т. е. форма напряжения будут приближена к трапеции (рис. 8, 9 ).


Рис. 8 – Осциллограмма входного напряжения


Рис. 9 – Осциллограмма напряжения на стабилитроне

Применяются несколько способом маркировки стабилитронов. Стабилитроны в стеклянному корпусе, имеющие гибкие выводы, маркируются самым понятным способом. Как правило на корпус наносятся цифры, разделённые латинской буквой «V». Например, 4 V 7 обозначает, что напряжение стабилизации 4,7 В; 9 V 1 – 9,1 В и так далее (рис. 10 ).


Рис. 10 – Маркировка стабилитронов в стеклянных корпусах

Стабилитроны в пластиковом корпусе имеют маркировку в виде цифр и букв. Сами по себе эти цифры ни о чем не говорят, однако, с помощью даташита их можно легко расшифровать. Например обозначение 1N5349B означает, что напряжение стабилизации 12 В (рис. 11 ). Кроме напряжения такая маркировка учитывает и другие параметры стабилитрона.


Рис. 10 – Маркировка стабилитронов в пластиковых корпусах

Черное либо серое кольцо, нанесенное на корпус стабилитрона, обозначает его катод (рис. 12 ).


Рис. 12 –

Маркировка smd стабилитронов

В качестве маркировка smd стабилитронов применяются цветные кольца. Подобная маркировка применяется также для советские не smd стабилитронов. В импортных стабилитронах цветное кольцо наносится со стороны катода (рис. 13 ). Для расшифровки цветных колец используют даташити или онлайн расшифровщики.


Рис. 13 – SMD стабилитрон в стеклянном корпусе

Еще изготавливаются smd стабилитроны с тремя выводами (рис. 14 ). Один из них не задействован. Эти выводы можно определить с помощью мультиметра.


Рис. 14 – SMD стабилитрон с тремя выводами

При отсутствии справочника, даташита или нечеткой маркировки номинальное напряжение стабилитрона можно определить опытным путем. Сначала с помощью мультиметра нужно узнать соответствующие выводы и подключить стабилитрон через токоограничивающий резистор (см. рис. 5 ). Затем подать напряжение от регулируемого источника питания. Плавно изменяя подведенное напряжение нужно следить за изменение напряжения на стабилитроне. Если при изменении величины напряжения источника питания напряжение на стабилитроне не изменяется, то это и будет его напряжение стабилизации.

Выводы стабилитрона определяются точно также, как и . Мультиметр следует установить в режим прозвонки и коснуться щупами соответствующий выводов (рис. 15, 16 ).


Рис. 15 – Прямое напряжение


Рис. 16 – Обратное напряжение

Под действием протекающего тока через стабилитрон он нагревается. Выделившееся тепло рассеивается в окружающее пространство. Чем больше стабилитрон способен рассеять тепла не перегреваясь, тем выше его мощность рассеивания и тем больший ток можно пропустить через него. Как правило, чем больше габариты стабилитрона, тем большая у него мощность рассеяния (рис. 17 ).


Рис. 17 – Мощность рассеивания стабилитронов

Маркировка диодов – краткое графическое условное обозначение элемента, на корпус которого нанесено. Элементная база в настоящее время настолько разнообразна, сокращения отличаются весьма существенно. Сложно идентифицировать диод: стабилитрон, туннельный, Ганна. Выпущены разновидности, напоминающие газоразрядную лампочку. Светодиоды горят, дополняя путаницу.

Диоды полупроводниковые

Быть может, раздел называется несколько тривиально, нужно было обычные диоды отличить от морально устаревших электронных ламп, современнейших SMD модификаций. Рядовые полупроводниковые диоды – самое простое горе радиолюбителя. Боковина цилиндрического корпуса с дисковым основанием, ножками содержит нанесенную краской легко различимую надпись.

Полупроводниковые резисторы. Отличите невооруженным глазом?

Цвет корпуса значения не играет, размер косвенно указывает рассеиваемую мощность. У мощных диодов зачастую в наличии резьба под гайку крепления радиатора. Итог расчета теплового режима показывает недостаток собственных возможностей корпуса, система охлаждения дополняется навесным элементом. Сегодня потребляемая мощность падает, снижая линейные размеры корпусов приборов. Указанное позволило использовать стекло. Новый материал корпуса дешевле, долговечнее, безопаснее.

  • Первое место занимает буква или цифра, кратко характеризующая материал элемента:
  1. Г (1) – соединения германия.
  2. К (2) – соединения кремния.
  3. А (3) – арсенид галлия.
  4. И (4) – соединения индия.
  • Вторая буква в нашем случае Д. Диод выпрямительный, либо импульсный.
  • Третье место облюбовала цифра, характеризующая применимость диода:
  1. Низкочастотные, током ниже 0,3 А.
  2. Низкочастотные, током 0,3 - 10 А.
  3. Не используется.
  4. Импульсные, время восстановления свыше 500 нс.
  5. Импульсные, время восстановления 150 - 500 нс.
  6. То же, время восстановления 30 - 150 нс.
  7. То же, время восстановления 5 - 30 нс.
  8. То же, время восстановления 1 - 5 нс.
  9. Импульсные, время жизни неосновных носителей ниже 1 нс.
  • Номер разработки составлен двумя цифрами, может отсутствовать вовсе. Номинал ниже 10 дополняется слева нулем. Например, 07.
  • Номер группы обозначается буквой, определяет различия свойств, параметров. Буква зачастую является ключевой, может указывать рабочее напряжение, прямой ток, многое другое.

В дополнение к маркировке справочники приводят графики, по которым можно решить задачи выбора рабочей точки радиоэлемента. Могут указываться сведения о технологии производства, материале корпуса, массе. Помогает информация проектировщику аппаратуры, любителям практического смысла не несет.

Импортные системы обозначения отличаются от отечественных, хорошо стандартизированы. Поэтому при помощи специальных таблиц достаточно просто отыскать подходящие аналоги.

Цветовая маркировка

Каждый радиолюбитель знает сложность идентификации диодов, окруженных стеклянным корпусом. На одно лицо. Временами производитель удосуживается нанести четкие метки, разноцветные кольца. Согласно системе обозначений, вводится три признака:

  1. Метки областей катода, анода.
  2. Цвет корпуса, заменяемый цветной точкой.

Согласно положению вещей, с первого взгляда отличим типы диодов:

  1. Семейство Д9 маркируется одним-двумя цветными кольцами района анода.
  2. Диоды КД102 в районе анода обозначаются цветной точкой. Корпус прозрачный.
  3. КД103 имеют дополняющий точку цветной корпус, исключая 2Д103А, обозначаемый белой точкой области анода.
  4. Семейства КД226, 243 маркируются кольцом области катода. Прочих меток не предусмотрено.
  5. Два цветных кольца в районе катода можно увидеть у семейства КД247.
  6. Диоды КД410 обозначаются точкой в районе анода.

Имеются другие явно различимые метки. Более подробную классификацию найдете, проштудировав издание Кашкарова А.П. По маркировке радиоэлементов. Новичков тревожит вопрос определения расположения катода и анода.

  1. Видите: одна боковина цилиндра снабжена темной полосой - найден катод. Цветная может являться частью обсуждаемой сегодня маркировки.
  2. Умея эксплуатировать мультиметр, анод легко отыскать. Электрод, куда приложим красный щуп, чтобы открыть вентиль (услышим звонок).
  3. Новый диод снабжен усиком анода более длинным, нежели катода.
  4. Сквозь стеклянный корпус светодиода посмотрим через увеличительное стекло: металлический анод напоминает наконечник копья, размерами меньше катода.
  5. Старые диоды содержали стрелочную маркировку. Острие - катод. Позволит определять направление включения визуально. Современным радиомонтажникам приходится тренировать сообразительность, остроту зрения, точность манипуляций.

Зарубежные изделия получили другую систему обозначений. Выбирая аналог, используйте специальные таблицы соответствия. Остальным импортная база мало отличается от отечественной. Маркировка проводится согласно стандартам JEDEC (США), европейской системе (PRO ELECTRON). Красочные таблицы расшифровки цветового кода широко представлены сетевыми источниками.


Цветовая маркировка

SMD диоды

В SMD исполнении корпус диода иногда настолько мал, маркировка отсутствует вовсе. Характеристики приборов мало зависят от габаритов. Последние сильно влияют на рассеиваемую мощность. Больший ток проходит по цепи, большие размеры должен иметь диод, отводящий возникающее (закон Джоуля-Ленца) тепло. Сообразно написанному маркировка SMD диода может быть:

  1. Полная.
  2. Сокращенная.
  3. Отсутствие маркировки.

SMD элементы в общем объеме электроники занимают примерно 80% объема. Поверхностный монтаж. Изобретенный способ электрического соединения максимально удобен автоматизированным линиям сборки. Маркировка диода SMD может не совпадать с наполнением корпуса. При большом объеме производства изготовители начинают хитрить, ставить внутрь вовсе не то, что нанесено условным обозначением. От большого количества несогласованных между собою стандартов возникает путаница использования выводов микросхем (для диодов - микросборки).

Корпус

Маркировка может включать 4 цифры, указывающие типоразмер корпуса. Прямо никак не соответствуют габаритам, поинтересуйтесь подробнее вопросом в ГОСТ Р1-12-0.062, ГОСТ Р1-12-0.125. Любителям, которым не по карману достать нормативные акты, проще использовать справочные таблицы. Держим в уме факт: корпусы SMD от фирмы к фирме могут мелочами отличаться. Поскольку каждый производитель подгадывает элементную базу под собственную продукцию. У Samsung от материнской платы стиральной машины одно расстояние, LG - другое. Габариты SMD корпусов потребуются разные, условия отвода тепла, прочие требования выполняются.

Посему, приобретая, согласно цифрам справочника элемент, производите дополнительные замеры, если это важно. Например, в случае ремонта бытовой техники. В противном случае закупленные диоды могут не встать по месту назначения. Любители с SMD не связываются ввиду кажущейся сложности монтажа, но для мастеров это обычное дело, поскольку микроэлектроника невозможна без столь удачной технологии.

Выбирая диод, стоит держать в уме факт: многие корпусы могут быть по сути одним и тем же, но маркироваться по-разному. Некоторые обозначения вовсе лишены цифр. Удобно пользоваться поисковиками. Приведенная перекрестная таблица соответствия типоразмеров взята с сайта selixgroup.spb.ru.

SMD диоды часто выпускаются в корпусе SOD123. Если по одному торцы имеется полоса какого-либо цвета, либо тиснение, то это катод (то место, куда нужно подать отрицательную полярность, чтобы открыть p-n-переход). Если только на корпусе имеются надписи, то это обозначение корпуса. Если строчек свыше одной – характеризующая оболочку покрупнее.

Тип элемента и производитель

Понятно, тип корпуса для конструктора вещь второстепенная. Через поверхность элемента будет рассеиваться некоторое тепло. С этой точки зрения и нужно рассматривать диод. В остальном важны характеристики:

  • Рабочее и обратное напряжение.
  • Максимально допустимый ток через p-n-переход.
  • Мощность рассеяния и пр.

Эти параметры для полупроводниковых диодов указаны справочниками. Маркировка помогает найти нужное среди горы макулатуры. В случае SMD элемента ситуация намного сложнее. Нет единой системы обозначений. И в то же время легче – параметры от одного диода к другому меняются не слишком сильно. Разнятся по большому счету рассеиваемая мощность, рабочее напряжение. Каждый SMD элемент маркируется последовательностью из 8 букв и цифр, причём часть из знакомест может не использоваться вовсе. Так бывает в случае с ветеранами отрасли, гигантами электронной промышленности:

  1. Motorola (2).
  2. Texas Instruments.
  3. Ныне преобразованная и частично проданная Siemens (2).
  4. Maxim Integrated Product.

Упомянутые производители маркируются временами двойками литер MO, TI, SI, MX. Помимо этого пара букв адресует:

  • AD – Analog Devices;
  • HP – Hewlett-Packard;
  • NS – National Semiconductors;
  • PC, PS – Philips Components, Semiconductors, соответственно;
  • SE – Seiko Instruments.

Разумеется, внешний вид корпуса не всегда дает определить производителя, тогда в поисковик нужно немедленно набрать цифро-буквенную последовательность. Замечены другие примеры: диодная сборка NXP в корпусе SOD123W не несет никакой информации, помимо указанной строкой выше. Производитель приведенные сведения считает достаточными. Потому что SOD само по себе расшифровывается, как small outline diode. Прочее найдем на официальном сайте компании (nxp.com/documents/outline_drawing/SOD123W.pdf).

Пространство для печати ограничено, чем и объясняются такие упрощения. Производитель старается минимально затруднить себя выполнением маркировки. Часто применяется лазерная или трафаретная печать. Это позволит уместить 8 знаков на площади всего 4 квадратных миллиметра (Кашкаров А.П. «Маркировка радиоэлементов»). Помимо указанных для диодов используют следующие типы корпусов:

  1. Цилиндрический стеклянный MELF (Mini MELF).
  2. SMA, SMB, SMC.
  3. MB-S.

В довершение один и тот же цифро-буквенный код порой соответствует разным элементам. В этом случае придется анализировать электрическую схему. В зависимости от назначения диода предполагаются рабочий ток, напряжение, некоторые другие параметры. Согласно каталогам рекомендуется попытаться определить производителя, поскольку параметры имеют разброс несущественный, затрудняя правильную идентификацию изделия.

Прочая информация

Помимо указанных временами присутствуют иные сведения. Номер партии, дата выпуска. Такие меры предпринимаются, делая возможным отслеживания новых модификаций товара. Конструкторский отдел выпускает корректирующую документацию, снабженную номером, присутствует дата. И если сборочному цеху особенность нужно учесть, отрабатывая внесенные изменениями, мастерам следует читать маркировки.

Если же собрать аппаратуру по новым чертежам (электрическим схемам), применяя старые детали, то получится не то, что ожидалось. Проще говоря, изделие выйдет в отказ, отрадно, если это будет обратимый процесс. Ничего не сгорит. Но даже в этом случае начальник цеха наверняка получит по шапке, товар придется переделать в части неучтенного фактора.

Кроме диодов

На основе p-n-переходов создан миллиард модификаций диодов. Сюда относятся варикапы, стабилитроны и даже тиристоры. Каждому семейству присущи особенности, с диодами много сходства. Видим три глобальных вида:

  • устаревшая сегодня элементная база сравнительно большого размера, явно различимая маркировка, сформированная стандартными буквами, цифрами;
  • стеклянные корпусы, снабженные цветовой символикой;
  • SMD элементы.

Аналоги подбираются исходя из условий, указанных выше: мощность рассеяния, предельные напряжение, пропускаемый ток.

Любая электронная схема вне зависимости от назначения имеет в своем составе большое количество элементов, которые регулируют и контролируют течение электрического тока по проводам. Именно регулирование напряжения играет важную роль в работе большинства модулей, потому что от этого параметра зависит стабильная и долгая работа цепи.

Для стабилизации входного напряжения на схемы был разработан специальный модуль, который является буквально важнейшей частью многих приборов. Импортные и отечественные стабилитроны используются в схемах с разными параметрами, поэтому имеется различная маркировка диодов на корпусе, что помогает определить и подобрать нужный вариант.

Немного подробнее о модуле и принципе его работы

Это полупроводниковый диод, который имеет свойство выдавать определенное значение напряжения вне зависимости от подаваемого на него тока. Это утверждение не является до конца верным абсолютно для всех вариантов, потому что разные модели имеют разные характеристики. Если подать очень сильный ток на не рассчитанный для этого модуль SMD (или любой другой тип), он попросту сгорит. Поэтому подключение выполняется после установки токоограничивающего резистора в качестве предохранителя, значение выходного тока которого равняется максимально возможному значению входного тока на стабилизатор.

Он очень похож на обыкновенный полупроводниковый диод, но имеет отличительную черту – его подключение выполняется наоборот. То есть минус от источника питания подается на анод стабилитрона, а плюс – на катод. Таким образом, создается эффект обратной ветви, который и обеспечивает его свойства.

Похожим модулем является стабистор – он подключается напрямую, без предохранителя. Используется в тех случаях, когда параметры входного электричества точно известны и не колеблются, а на выходе получается тоже точное значение.

Указание паспортных характеристик

Они же являются основными показателями отечественных и импортных стабилитронов, которыми необходимо руководствоваться при подборе стабилитрона под конкретную электронную цепь.

  1. UCT – указывает, какое номинальное значение модуль способен стабилизировать.
  2. ΔUCT – используется для указания диапазона возможного отклонения входящего тока в качестве безопасной амортизации.
  3. ICT – параметры тока, который может протекать при подаче номинального напряжения на модуль.
  4. ICT.МИН – показывает самое маленькое значение, которое способно протекать по стабилизатору. При этом протекающее напряжение по диоду будет находиться в диапазоне UCT ± ΔUCT.
  5. ICT.МАКС – модуль не способен выдерживать более высокое напряжение, чем это значение.

На фото ниже представлен классический вариант. Обратите внимание, что прямо на корпусе показано, где у него анод и катод. По кругу нарисована черная (реже встречается серая) полоска, которая располагается со стороны катода. Противоположная сторона – анод. Такой способ используется как для отечественных, так и для импортных диодов.


Дополнительная маркировка стеклянных моделей

Диоды в стеклянных корпусах имеют свои собственные обозначения, которые мы рассмотрим далее. Они настолько простые (в отличие от вариантов с пластиковыми корпусами), что практически сразу же запоминаются наизусть, нет необходимости каждый раз использовать справочник.

Цветовая маркировка используется для пластиковых диодов, например, для SOT-23. Твердый корпус модуля имеет два гибких вывода. На самом корпусе, рядом с вышеописанной полосочкой, дописываются таким же цветом несколько цифр, разделенных латинской буквой. Обычно запись имеет вид 1V3, 9V0 и так далее, разнообразие позволяет подобрать любые параметры по обозначению, как и в SMD.

Что же значит эта кодовая маркировка? Она показывает напряжение стабилизации, на которое рассчитан данный элемент. К примеру, 1V3 показывает нам, что это значение равно 1.3 В, второй же вариант – 9 вольт. Обычно чем больше сам корпус, тем большим стабилизирующим свойством он обладает. На фото ниже показан стабилитрон в стеклянном корпусе с маркировкой катода 5.1 В


Заключение

Правильный подбор параметров стабилитрона позволит получить стабильный ток, который из него подается на цепь. Обязательно подбирайте такие параметры предохранителя, используя соответствующий справочник, чтобы входное напряжение не испортило деталь, ему желательно находиться приблизительно в середине диапазона UCT ± ΔUCT.

ТЭГИ 2

ТЭГИ 2

ТЕГИ  2

диоды цена

диод 1n4001

туннельный диод

диоды шотки

купить диоды

стабилитрон

диодный мост

диоды купить

диод 1n4148

высокочастотные диоды

купить диод

диоды маркировка

вакуумный диод

импульсный диод

диод купить

диоды импортные

диод ганна

импульсные диоды

диоды выпрямительные

диод маркировка

мощные диоды

диод д226

выпрямительные диоды

диод шотки

полупроводниковый диод ганна

выпрямительный диод

высоковольтные диоды

диод 1n4007

полупроводниковые диоды

полупроводниковый диод

диоды

диод

д132-80

терморегулятор на симисторе

параметры симисторов

lbjls

работа тиристора

управление симистором схема

регулятор напряжения симисторе

схемы на симисторах

справочник по симисторам

регулятор на симисторе

силовые модули

управление симисторами

симисторный регулятор

схема управления симистором

схемы управления симисторами

управление симистором

тиристор

схемы на тиристорах

блок управления тиристорами

схемы управления тиристорами

управление тиристорами

nbhbcnjh

справочник по тиристорам

схема управления тиристором

управление тиристором

тиристор

тиристор т161

тиристор тл

тиристор т-50

тиристор т142

тиристор т253

тиристор ку221

тиристор лавинный

тиристор т142-80

тиристор т143-500

тиристор вт151

тиристор силовой

тиристор проверка

тиристор оптронный

тиристор тб

тиристор ку112

тиристор т10-25

тиристор вт 151

тиристор вместо реле

управляемый тиристор

тиристор т50

тиристор т-25

тиристор ку101

тиристор bt151

тиристор фото

тиристор вместо диода

оптронный тиристор

тиристор ку202н цоколевка

т160 тиристор

тиристор т122

проверить тиристор

тиристор т143

тиристор справочник

тиристор википедия

купить тиристор

тиристор т122-25

силовой тиристор

тиристор ку 202

тиристор т-160

тиристор купить

тиристор характеристики

тиристор е122-25-3

триодный тиристор

тиристор т25

тиристор схема включения

запираемый тиристор

тиристор т160

тиристор схема

тиристор принцип работы

как проверить тиристор

тиристор ку202

тиристор ку202н

тиристоры

куплю силовые тиристоры

тиристоры параметры

тиристоры тб

оптронные тиристоры

тиристоры т160

тиристоры каталог

высоковольтные тиристоры

силовые тиристоры справочник

тиристоры реферат

высокочастотные тиристоры

купить тиристоры

тиристоры принцип работы

тиристоры ку202

тиристоры оптронные

зарубежные тиристоры

тиристоры характеристики

справочник тиристоры

импортные тиристоры

импортные тиристоры справочник

тиристоры купить

куплю тиристоры

тиристоры и симисторы

тиристоры импортные

мощные тиристоры

запираемые тиристоры

тиристоры силовые

силовые тиристоры

тиристоры справочник

тиристоры

тиристора

проверка тиристора тестером

схема проверки тиристора

параметры тиристора

включение тиристора

обозначение тиристора

устройство тиристора

схема тиристора

принцип действия тиристора

работа тиристора

схема включения тиристора

вах тиристора

проверка тиристора

принцип работы тиристора

тиристоров

схема для проверки тиристоров

аналоги тиристоров

схема проверки тиристоров

проверка мощных тиристоров

схемы включения тиристоров

обозначение тиристоров

прибор для проверки тиристоров

цоколевка тиристоров

характеристики тиристоров

применение тиристоров

параметры тиристоров

проверка тиристоров

справочник тиристоров

каталог тиристоров

маркировка тиристоров

симистор

управление на симистор

симистор z0607

симистор купить

симистор ку208

симистор тс106-10

симистор bt139

симистор вт 136

симистор ку208г

симистор схема включения

купить симистор

симистор тс

симистор вместо реле

симистор тс 160

симистор проверка

симистор это

проверить симистор

симистор принцип работы

как проверить симистор

симистор

т161

тиристор т161-160 цена

т161-200

т161-160 параметры

тиристор т161

т161-160

тиристор т161-160

диоды

диоды киев

диоды быстрые

продам диоды

диоды полупроводниковые

диоды большой мощности

диоды в авто

диоды параметры

диоды 1n4148

диоды на авто

где купить диоды

диоды кд

диоды д226

диоды автомобильные

тунельные диоды

ультрабыстрые диоды

автомобильные диоды

диоды отечественные

диоды в фары

диоды лавинные

авто диоды

точечные диоды

смд диоды

смесительные диоды

обращенные диоды

сварочные диоды

сверхяркие диоды

чип диоды

диоды каталог

led диоды

диоды для сварки

быстродействующие диоды

ограничительные диоды

полупроводниковые диоды реферат

диоды мощные

светоизлучающие диоды

ик диоды

диоды ганна

диоды в габариты

отечественные диоды

диоды для авто

быстрые диоды

детекторные диоды

свето диоды

туннельные диоды

кремниевые диоды

лавинные диоды

диоды высоковольтные

tvs диоды

мощные выпрямительные диоды

импортные диоды

куплю диоды

свч диоды

германиевые диоды

силовые диоды каталог

зарубежные диоды

куплю диоды силовые

куплю силовые диоды

диоды силовые

диоды в200

диоды в-200

силовые диоды справочник

справочник диоды

силовые диоды

диод

диод д214

диод fr307

4007 диод

диод д232

диод д242а

диод д310

диод д237

диод in4004

диод в-50

диод 1а

диод 2д212а

диод д305

диод д247

фото диод

диод 2д213а

диод кд

диод s4

диод ss14

диод вд 200

ограничительный диод

диод 1n4002

диод высоковольтный

диод д237б

диод кд521а

1n4007 диод

диод in5822

диод кд202р

диод д7ж

диод д311

светоизлучающий диод

д18 диод

д245 диод

диод полупроводниковый

диод в-25

диод в10

исправный диод

диод кд213

диод фото

n4007 диод

свч диод

диод д20

мощный диод

диод шотке

диод кд521

диод д223

диод схема

диод кд213а

диод вах

диод in5408

диод д231

диод катод

диод в50

диод кд105

диод в-200

диод д243

диод кд202

диод д245

лавинно пролетный диод

диод n4007

электровакуумный диод

диод 4148

диод 10а

диод анод катод

диод fr207

ламповый диод

pin диод

тунельный диод

идеальный диод

диод д226б

диод выпрямительный

защитный диод

диод кд226

диод д18

диод д220

диод 4007

высоковольтный диод

диод 1n4004

точечный диод

диод кд522

диод принцип работы

диод 1n5408

диод википедия

tvs диод

диод д9

диод вики

диод д242

кремниевый диод

лавинный диод

обращенный диод

диод гп

диод обозначение

диод это

германиевый диод

диод цена

диод зенера

диод в200

диод in4007

диод вл-10

купить диод

диод купить

диод силовой

диод дл161-200

диод д161-250

диод д161

тиристорный диод

диод дл

управляемый диод

диод справочник

силовой диод

симисторы

симисторы купить

симисторы каталог

симисторы силовые

симисторы мощные

силовые симисторы

симисторы bta

импортные симисторы

симисторы отечественные

симисторы импортные справочник

тиристоры и симисторы

мощные симисторы

симисторы импортные

симисторы справочник

симисторы

симистора

аналог симистора

схема подключения симистора

работа симистора

симистора

подключение симистора

включение симистора

вах симистора

принцип работы симистора

схема включения симистора

проверка симистора

д161

д161

диод д161-250

диод д161

диод д161-200

д161-200

д161-250

д161-320

диодов

маркировки диодов

разновидность диодов

марки диодов

производители диодов

справочник импортных диодов

параметры импортных диодов

маркировка лазерных диодов

разновидности диодов

характеристика диодов

диодов

последовательное соединение диодов

параллельное соединение диодов

таблица диодов

применение диодов

проверка диодов

корпуса диодов

аналоги диодов

обозначения диодов

цветовая маркировка диодов

классификация диодов

типы диодов

обозначение диодов

каталог диодов

характеристики диодов

параметры диодов

виды диодов

справочник диодов

маркировка диодов

справочник

диоды справочник скачать

справочник по силовым диодам

справочник по силовым тиристорам

импортные диоды справочник

диоды импортные справочник

диод справочник

справочник диоды

справочник по диодам

диоды справочник

диода

аналог диода 1n4148

подключение диода

аналог диода 1n4007

катод диода

анод диода

проверка диода

работа диода

вах полупроводникового диода

пробой диода

характеристики диода

вид диода

характеристика диода

эквивалентная схема диода

ток насыщения диода

обратный ток диода

принцип действия диода

параметры диода

маркировка диода

схема диода

устройство диода

дифференциальное сопротивление диода

сопротивление диода

полярность диода

диода

обозначение диода

принцип работы диода

вах диода

шоттки

шоттки диод

диод шоттки википедия

импортные диоды шоттки

мощные диоды шоттки

диоды шоттки справочник

диоды шоттки

диод шоттки

силовые

силовые симисторы

силовые диоды каталог

симисторы силовые

куплю диоды силовые

куплю силовые диоды

силовые модули

силовые диоды справочник

диоды силовые

силовые диоды

Smd

smd diode

диоды smd

диод smd

smd диод

smd диоды

характеристики

диод д242 характеристики

диод в200 характеристики

диод д226 характеристики

диод характеристики

диод д226б характеристики

диоды характеристики

Маркировка полупроводниковых элементов – Радиолюбительская азбука

Маркировка всех современных полупроводников состоит из названия, как правило, не имеющего ничего общего с их электрическими параметрами. Названия «раздаются» по порядку, по мере создания новых приборов: «01», «02», … — и так до бесконечности (обычно до 100…200). В названиях отечественных полупроводников зашифрован их тип и мощность:

В названиях импортных полупроводников не зашифровано ничего, кроме имени фирмы-изготовителя. Электрические параметры полупроводниковых элементов по названию можно узнать в специализированных справочниках; для большего удобства в этой книге, в разделе «справочный материал», даны характеристики некоторых наиболее популярных среди радиолюбителей элементов. Слово «некоторых» выделено из-за того, что на сегодняшний день одних только диодов существует более 100000 видов — в этой книге строчек раз в 10 меньше.

На корпуса некоторых отечественных полупроводников вместо число-буквенного названия наносятся цветные метки. Ниже дана расшифровка таких «названий.

Тип

Маркировка

КТ209

сзади серая точка +:

А

сверху красная точка

Б

сверху желтая точка

В

сверху зеленая точка

Г

сверху голубая точка

Д

сверху синяя точка

Е

сверху белая точка

Ж

сверху коричневая точка

И

сверху серебристая точка

К

сверху оранжевая точка

л

сверху желто-коричневая точка

м

сверху серая точка

КТ209АМ…ММ

спереди ромб, под ним буква А…М

КТ342

спереди синяя точка+:

AM

сверху красная точка

БМ

сверху желтая точка

ВМ

сверху зеленая точка

КТ363АМ

две розовые точка

КТ363БМ

розовая и желтая точка

КТ368АМ

две белые точка сверху

КТ368БМ

одна белая точка сверху

КТ3102

сзади зеленая точка +:

А

сверху красная точка

Б

сверху желтая точка

В

сверху зеленая точка

Г

сверху голубая точка

д

сверху синяя точка

Е

сверху белая точка

КТ3107

две точки; голубая +:

А

розовая

Тип

Маркировка

Б

желтая

В

синяя

Г

бсжеваи

Д

оранжевая

Е

“электрик”

Ж

салатовая

И

зеленая

К

красная

Л

серая

КТ3126А

спереди квадрат

Б

спереди и сверху зеленые точки

В

спереди квадрат + точка

Диоды

Тип

Маркировка

КД105

желтая полоса на или возле торца, +:

А

желтая точка

Б

ничего

В

зеленая точка

Г

красная точка

КД208А

зеленая точка возле анода, или желтый торец

КД209

красная полоса возле анода +:

А

ничего

Б

зеленая точка

В

красная точка

КД221

белый торец +:

А

ничего

Б

белая точка

КД226

цветное кольцо возле катода:

А

оранжевое

Тип

Маркировка

Б

красное

В

зеленое

Г

желтое

Д

белое

Е

голубое

КД247

два цветных кольца возле катода:

А

оранжевые

Б

красные

В

зеленые

Г

желтые

Д

белые

Е

фиолетовые (голубые)

Стабилитроны

Варикапы

У некоторых импортных силовых приборов их основные параметры (напряжение и ток) включены в название прибора, например, ΡΗΡ50Ν06Τ, 12CTQ 035, 36МВ40. Первое число — ток в амперах (соответственно, 50 А, 12 А и 36 А), а второе — максимально допустимое напряжение в десятках вольт (60 В, 35 В, 400 В). Это правило справедливо только тогда, когда между числами стоят буквы; исключение — транзисторы серии FS: у FS5KM-9 ток равен 5 А, а напряжение U = 9 · 50 = 450 В, у FS12KM5 ток равен 12 А, а напряжение — 250 В. Есть и другие исключения, но они встречаются гораздо реже.

Отечественные мощные диоды и тиристоры маркируются таким образом:

К сожалению, по такому принципу маркируются только «устаревшие» приборы, все современные диоды и тиристоры маркируются порядковым номером.

Тиристоры серий Т106-10 и ТС106-10 изготавливаются в наиболее «удобном» для монтажа корпусе ТО-220. Выводы у них расположены так же, как и у симисторов серии ВТ фирмы Philips (см. «справочный материал»).

Маркировка современных отечественных маломощных стабилитронов:

Источник: А. С. Колдунов, Радиолюбительская азбука. Том 2. Аналоговые устройства. — М.: СОЛОН-Пресс, 2004. 288 с. — (Серия «СОЛОН — РАДИОЛЮБИТЕЛЯМ» выпуск 24)

(PDF) Способ связывания двухкомпонентной молекулы IgV CD226 / DNAM-1 с ее лигандом CD155 / Necl-5

CD80 / 86, чем со стимулирующим рецептором CD28 (37). В этом исследовании авторы

обнаружили, что аффинность связывания между hCD226 и CD155 в шесть

раз больше, чем ранее сообщавшаяся аффинность между hCD226

и CD112 (8,97 мкМ) (38). Эти результаты соответствуют феномену

, согласно которому белок CD226-Fc более эффективно связывается с клетками, сверхэкспрессирующими

CD155, чем с CD112 (23).Однако аффинность связывания

hCD226 с CD155 не показала существенной разницы в

с аффинностью ингибитора TIGIT к CD155 (3,2 мкМ), как сообщалось в предыдущих исследованиях

(30). Это несоответствие аффинности

противоречит вышеупомянутой гипотезе «сначала ингибирующие рецепторы»

и указывает, что семейство CD226-TIGIT-CD96 может использовать другой механизм для координации активации и ингибирования NK-клеток.

Таким образом, мы сообщаем об уникальном расположении бок о бок

двух доменов IgV CD226.Он связывается с CD155 через домен

D1 с мотивом связывания, аналогичным мотиву связывания парного ингибирующего рецептора

TIGIT и его лигандов семейства нектин / Necl. Обнаружение того, что

домен D2 CD226 обеспечивает как поддерживающую архитектуру для

домена D1, так и прямое взаимодействие с CD155, указывают на

критических ролей уникальной структурной организации в связывании лиганда

ing. Все эти открытия расширяют наше понимание активации NK-клеток и будут способствовать будущей разработке биопрепаратов, нацеленных на

CD226, для иммунотерапии.

Материалы и методы

Экспрессия и очистка белков. Для экспрессии белков hCD226-ecto и mCD226-

, используемых для кристаллизации, кДНК, кодирующие остатки 19–250 из

hCD226 (GenBank: NM_001303618.1) и 21–243 из mCD226 (GenBank:

49.1_001039) были индивидуально клонированы в сайты NdeI и XhoI

вектора pET-21a (Invitrogen). Мутантные белки h / mCD226-ecto были сконструированы путем сайт-направленного мутагенеза

.Эти рекомбинантные белки были

, экспрессировавшимися в штамме E. coli BL21 (DE3) в виде телец включения и подвергнутых рефолдингу с помощью ранее описанного метода диализа

(38, 39). Первый Ig-подобный домен CD155

(hCD155-D1, остатки 1–143), слитый с С-концевой гексагистидиновой меткой, был li-

, гейтированным в сайты BamHI и XhoI вектора pFastbac-1 (Invitrogen) и

экспрессируется с помощью системы экспрессии бакуловируса Bac-to-Bac, как описано ранее

(40).После приготовления эти растворимые белки очищали

гель-фильтрацией на колонке Superdex 200 100/300 GL (GE Healthcare; для

hCD226-ecto), колонке Hiload 16/60 Superdex 200 PG (GE Healthcare; для

mCD226-ecto) или колонку Hiload 16/60 Superdex 75 PG (GE Healthcare;

для hCD155-D1) и концентрировали для скрининга кристаллов и экспериментов SPR.

Для получения комплекса mCD226-ecto и hCD155-D1 каждый из белков

смешивали in vitro в молярном соотношении 1: 1, а затем инкубировали

в течение ночи при 4 ° C.После очистки на колонке Superdex 200 100/300 GL

(GE Healthcare) фракции, содержащие комплекс, собирали и

концентрировали до ~ 10 мг / мл для скрининга кристаллов.

Для получения Fc-слитых белков, используемых в анализе проточной цитометрии,

фрагментов, кодирующих эктодомен hCD226 дикого типа или мутантного hCD226 (остатки

,

1-250) или домен D1 (остатки 1-129) или D2 hCD226 (остатки 1–18,

,

, 130–250) были клонированы в векторы экспрессии pCAGGS, которые содержат фрагмент

, кодирующий Fc-домен мышиного IgG (mFc) на С-конце.

Затем экспрессионные плазмиды трансфицировали в клетки НЕК 293Т (АТСС).

Культуру клеток собирали через 72 часа после трансфекции, а затем очищали с помощью колонки с протеином A

и эксклюзионной хроматографией на колонке Superdex

200 100/300 GL (GE Healthcare), уравновешенной PBS.

Кристаллизация, сбор данных и определение структуры. Экто-нативный белок hCD226-

и mCD226-экто-белок кристаллизовали методом диффузии в паровой капле сидя

.В частности, 1 мкл белкового раствора смешивали с

1 мкл резервуарного раствора, содержащего 0,1 М Трис при pH 7,5 и 0,8 М Na / K водорода

фосфата (для hCD226-ecto) или 0,1 М Na Hepes при pH 7,5, 10%. (мас. / об.) ПЭГ

8000 и 8% (об. / об.) этиленгликоля (для mCD226-ecto) при 4 ° C. Экто нативные кристаллы hCD226-

использовали для штриховки селенометионин-замещенных кристаллов

. Для комплекса mCD226 / CD155 кристаллы выращивали в 0,1 М Трис

при pH 8.0, 0,15 М сульфата аммония и 15% (мас. / Об.) PEG4000 при 18 ° C.

Для сбора данных все кристаллы на короткое время замачивали в своих индивидуальных резервуарных растворах

с добавлением 20% (об. / Об.) Глицерина и охлаждали при мгновенном охлаждении

в жидком азоте. Все наборы данных были собраны на шанхайском синхротроне

Radiation Facility BL17U при температуре 100 K, а затем

проиндексированы, интегрированы и масштабированы с помощью HKL2000 (41).

Кристаллическая структура hCD226 была решена с помощью одночастотной аномальной фазировки

.Сайты селенометионина были локализованы с помощью

SHELXD (42) и использовались для расчета фаз с помощью Phaser (43) из набора программ

CCP4 (44). На начальном этапе была улучшена плотность модификации

с DM (45), за которой последовало автоматическое построение модели с

ARP / wARP (46). Структура mCD226-ecto / hCD155-D1 была решена путем молекулярной замены

с использованием Phaser со структурами mCD226-ecto

и hCD155 (код PDB: 3EOW) в качестве поисковых моделей.Первоначальная доработка корпуса с фиксированным жестким диском

и ручное построение модели были выполнены с использованием

REFMAC5 (47) и COOT (48) соответственно. Дальнейшие раунды уточнения

были выполнены с использованием phenix.refine (49). Стереохимическое качество финальной модели

оценивали с помощью программы PROCHECK (50). Статистика сбора, обработки и уточнения данных

обобщена в Приложении SI

, Таблица S1. Все структурные фигуры были получены с использованием Pymol

(https: // pymol.org / 2 /).

Thermofluor Assay. Термофлюор-эксперименты проводили с помощью прибора iCycleriQ

Real Time PCR Detection System (Bio-Rad). Флуоресцентный краситель

SYPRO Orange (Invitrogen) использовали для мониторинга денатурации белков

. Двадцать микролитров реакции проводили в планшете для ПЦР, содержащем

10 мкМ каждого белка и 5 × растворов SYPRO Orange. Для каждого образца было выполнено три повтора

. Затем пластину нагревали от 20 ° C до 95 ° C с шагом

приращений 0.5 ° C / 30 с. Регистрировали сигналы флуоресценции и наносили

среднего значения производных как функцию температуры.

Анализ SPR. Анализ SPR выполняли с использованием машины BIAcore 3000 с сенсорным чипом

CM5 (GE Healthcare) при комнатной температуре (25 ° C). Все белки

, использованные в этих экспериментах, были заменены на буфер SPR, который

содержит 10 мМ Hepes · HCl при pH 7,5, 150 мМ NaCl и 0,005% (об. / Об.)

Tween-20, посредством гель-фильтрации.Белок hCD155-D1 дикого типа (hCD155-D1-

WT) или белок hCD155-D1-2M были индивидуально иммобилизованы на различных каналах

чипа CM5 до ~ 1000 единиц ответа, а затем последовательно

разведенных аналитов. протекли через чип. Кинетику связывания

анализировали с помощью программного обеспечения BIAevaluation Version 4.1 с использованием модели связывания Ленгмюра

1: 1.

Анализ проточной цитометрии. Для создания клеточных линий, стабильно экспрессирующих

CD155, полноразмерную кДНК CD155 человека клонировали в вектор pEGFP-

N1 и трансфицировали в клеточную линию CHO-K1.Свежая среда, содержащая

, содержащая 800 мкг / мл Генетицина (Thermo Fisher), добавлялась к клеткам через 48 ч.

после трансфекции, и среду обновляли каждые несколько дней до появления

очагов мегаскопических клеток. Клетки, стабильно экспрессирующие CD155, были

, затем идентифицированы и отсортированы с помощью проточной цитометрии.

Для окрашивания клеток предварительно приготовленные слитые с Fc белки hCD226-ecto-WT

и hCD226-D1 были серийно разведены (целевые концентрации

показаны в приложении SI, рис.S4), тогда как слитые с Fc белки hCD226-ecto-4M

и hCD226-D2 получали в концентрации 700 нМ. Затем нативные клетки CHO-K1

или клетки CHO-K1, стабильно экспрессирующие CD155-GFP, помещали в PBS и инкубировали с мышиным антителом, специфичным к

CD155 (sc-514623; Santa Cruz Biotechnology) или Fc-слитые белки в течение 0,5 ч

при 4 ° С. Затем клетки промывали и дополнительно инкубировали с APC-конъюгированным антителом

против вторичного IgG мыши (CAT: 405308; Biolegend) для дополнительных

0.5 ч при 4 ° C перед тем, как принести анализ методом проточной цитометрии. Клетки in-

, содержащие только вторичные антитела, использовали в качестве отрицательного контроля.

Аналитическая гель-фильтрация. Белки hCD226-ecto и mCD226-ecto были

индивидуально смешаны с белком hCD155-D1 в молярном соотношении 1: 2 и инкубированы

в течение 4 ч при 4 ° C. Белки hCD226-ecto, mCD226-ecto и hCD155-D1 и их смесь

доводили до того же объема. Затем образцы

загружали в калиброванную колонку Superdex 200 (GE Healthcare).Матографы chro-

были записаны и наложены друг на друга. Объединенные белки

и

анализировали на 15% SDS / PAGE геле и окрашивали кумасси синим.

Доступность данных. Координаты атомов hCD226-ecto, mCD226-ecto и комплекса mCD226-CD155

депонированы в базу данных Protein Data Bank

под кодами доступа 6ISA, 6ISB и 6ISC соответственно.

БЛАГОДАРНОСТИ. Мы благодарим доктора Цзинхуа Яня (Институт микробиологии,

CAS) и доктораЦзюнь Лю (Китайский центр по контролю и профилактике заболеваний) на номер

за их помощь в анализе данных, комментариях и обсуждениях. Мы благодарим Mi

Yang (Институт микробиологии, CAS) за конструирование плазмид экспрессии

и Jie Wang (Jiangxi Science and Technology Normal University)

за очистку белков. Мы благодарим Zheng Fan (Институт микробиологии, CAS),

Yuanyuan Chen и Ya Wang (Институт биофизики, CAS) за их помощь

с анализами SPR и экспериментами с термофлюором.Эта работа была поддержана

Национальным фондом естественных наук Китая (гранты 313

,

,

и 31700149) и Программой стратегических приоритетных исследований Китайской академии наук

(грант XDB2

00). H.W. был поддержан Национальной программой постдокторантуры для инновационных талантов Na-

(грант BX201600162).

Wang et al. PNAS

|

15 января 2019 г.

|

об. 116

|

нет.3

|

995

ИММУНОЛОГИЯ И

ВОСПАЛЕНИЕ

Frontiers | CD226: новая роль в иммунологических заболеваниях

Структура CD226

Открытие и наименование

CD226, а именно антиген активации 1 линии Т (TLisA1), антиген 1 тромбоцитов и Т-клеток (PTA-1) или DNAM-1, является членом суперсемейства иммуноглобулинов. Молекулярная мембрана содержит два V-подобных домена иммуноглобулина (Shibuya et al., 1996; Sherrington et al., 1997). Burns et al. впервые обнаружили, что CD226 экспрессируется на поверхности Т-клеток в 1985 году, документально подтвердив, что он связан с активацией CTL, поэтому он был назван TLisA1 (Burns et al., 1986). Более поздние исследования показали, что CD226 также экспрессируется в тромбоцитах и ​​участвует в агрегации активации тромбоцитов, поэтому он был назван PTA1 (Shibuya et al., 1996). В 1997 году Burns et al. подтвердили, что TLisA1 и DNAM-1 на самом деле являются одной и той же молекулой (Sherrington et al., 1997). В 2000 году на Седьмой Международной конференции группы сотрудничества антигенов дифференцировки человеческих лейкоцитов молекула была официально названа CD226 (Mason et al., 2001).

Ген и структура

CD226 представляет собой консервативную последовательность в генах человека и мыши, которые расположены в полосах 18q22.3 и 18E4 хромосомы соответственно (Jinlong et al., 2002). В 2002 году у мышей был успешно идентифицирован ген CD226, общая длина которого составляет 2487 п.н. Он содержит открытую рамку считывания размером 1002 п.о. и кодирует ведущую последовательность из 18 аминокислот и зрелый белок CD226 из 315 аминокислот (Xinhai et al., 2002). В 2006 году была идентифицирована промоторная последовательность гена CD226 человека (Jian et al., 2006). Ген имеет по крайней мере два промотора, которые расположены в области от -810 до -287 п.н. и от +33 до +213 п.н., которые выполняют различные тканеспецифичные роли и физически разделены негативным регуляторным элементом (Jian et al., 2006). . Ген CD226 человека содержит 7 экзонов и 6 интронов, из которых экзон 7 кодирует 41 аминокислоту в цитоплазматической области (Jinlong et al., 2002). Биоинформатический анализ показывает, что в этой области гена CD226 есть предполагаемые сайты связывания для факторов транскрипции AP-1, Sp1, PEA3 и Ets-1 (Jian et al., 2006). Полная длина кДНК CD226 человека составляет 2664 п.о., она содержит открытую рамку считывания и кодирует ведущую последовательность из 18 аминокислот и зрелый белок CD226 из 318 аминокислот. Внеклеточный домен содержит 230 аминокислот, включая 2 иммуноглобулиновых V-подобных домена и 8 N-связанных сайтов гликозилирования, и, таким образом, он чрезвычайно чувствителен к деградации своих гликановых остатков; дегликозилирование дает белок 35 кДа (Shibuya et al., 1996). Трансмембранный домен содержит 28 аминокислот.Внутриклеточный домен содержит 60 аминокислот. Внутриклеточный домен содержит 4 остатка тирозина и 1 остаток серина, которые могут собирать сигнальные белки после фосфорилирования. Эта реакция основана на взаимодействии между CD226 и его лигандом (Jun et al., 2012). Первый домен вне оболочки молекулы CD226 является ее структурной основой для распознавания лигандов, адгезии, образования иммунных синапсов и цитотоксического действия (Shengke et al., 2014; Рисунок 1).

Рисунок 1. CD226 состоит из трех доменов. Внеклеточный домен включает 2 V-подобных домена иммуноглобулина и 8 сайтов N-связанных гликопротеинов. Первый домен вне оболочки молекулы CD226 является ее структурной основой для распознавания лигандов, адгезии, образования иммунных синапсов и цитотоксического действия. Внутриклеточный домен содержит 4 остатка тирозина и 1 остаток серина. Когда CD226 связывается со своим лигандом, молекула CD226 направленно перемещается к липидным рафтам на клеточной мембране и рекрутирует внутриклеточные сигнальные молекулы, такие как PTK и PKC, которые фосфорилируют по четырем остаткам и активируют клетку.

Существует три типа однонуклеотидных мутаций в экзоне гена CD226, включая CD226 rs763361, rs34794968 и rs727088 (Bossini-Castillo et al., 2012). Было подтверждено, что эти три однонуклеотидных полиморфизма гена CD226 связаны с предрасположенностью к различным аутоиммунным заболеваниям (Bossini-Castillo et al., 2012). Несинонимичные мутации CD226 rs763361 / gly307ser связаны с предрасположенностью к аутоиммунным заболеваниям, таким как диабет 1 типа (T1D), ревматоидный артрит (RA), рассеянный склероз (MS), аутоиммунное заболевание щитовидной железы (AITD) и системный склероз (SSc; Todd). и другие., 2007; Qiu et al., 2008; Смит и др., 2008; Dieudé et al., 2011). Поскольку несинонимичная мутация, кодируемая этим аллелем, может кодировать цитоплазматический хвост (экзон 7) белка CD226, эта мутация может влиять на функцию Т-клеток или других клеток (Todd et al., 2007). Действительно, дисфункция Т-клеток и других клеток тесно связана с началом и развитием аутоиммунных заболеваний (Li et al., 2013; Maogen et al., 2014; Yaoyao et al., 2018). Другие гипотезы предполагают, что эта мутация может нарушать сайты связывания энхансеров и / или сайленсеров, тем самым изменяя сплайсинг РНК (Todd et al., 2007). Кроме того, замена rs763361 на серин также может препятствовать фосфорилированию 322 тирозиновых и 329 сериновых сайтов CD226, а также посттрансляционным модификациям нижестоящих сигнальных путей (Todd et al., 2007; Boquan and Zhuwei, 2010) . CD226 rs727088, однонуклеотидный полиморфизм, может влиять на экспрессию CD226 на уровне транскрипции, что, как было обнаружено, сильно коррелирует с восприимчивостью к опухоли (Löfgren et al., 2010). Однонуклеотидная мутация CD226 rs34794968 сама по себе не влияет на возникновение и развитие заболевания, но может играть синергетическую роль с двумя вышеупомянутыми мутациями (Bossini-Castillo et al., 2012).

Выражение и распространение

Паттерны экспрессии CD226 разнообразны (Ralston et al., 2004). В периферической крови CD226 экспрессируется на Т-клетках, NK-клетках, NK-Т-клетках, В-клетках, моноцитах / макрофагах, дендритных клетках (DC), клонах мегакариоцитов / тромбоцитов и гематопоэтических клетках-предшественниках (Burns et al., 1986; Scott et al., 1989; Kojima et al., 2003; Shibuya et al., 2003; Reymond et al., 2004; Dongchu et al., 2005). Эндотелиальные клетки также демонстрируют низкие количества этого белка в условиях покоя, но экспрессия значительно усиливается при их стимуляции (Lihua et al., 2003). CD226 также экспрессируется на зрелых тучных клетках и клетках-предшественниках CD34 + костного мозга, но не на предшественниках эритроцитарного клона (Dongchu et al., 2005; Bachelet et al., 2006). Было продемонстрировано, что CD226 + NK-клетки играют важную роль в распознавании нескольких типов опухолей человека, таких как миелома, меланома и карцинома яичников, а недавние исследования показали, что CD226 может быть одним из маркеров зрелых NK-клеток ( Мартине и др., 2015). Ранее мы сообщали, что количество CD226 + NK-клеток увеличивается при волчанке и преимущественно инфильтрируется в волчаночную почку.Кроме того, эти активированные NK-клетки опосредуют повреждение тканей, продуцируя цитотоксические гранулы, что в конечном итоге способствует волчаночному нефриту (Huang et al., 2011).

Лиганды CD226

В 2003 г. Bottino et al. подтвердили, что лиганд человеческого CD226 представляет собой CD155 (nacl-5, PVR) и CD112 (никотин-2), которые имеют аналогичную молекулярную массу, 70 кДа и 65/60 кДа. Они принадлежат к семейству никотиноподобных белков и семейству никотиновых белков (Bottino et al., 2003; Wang et al., 2009). В 2005 году Tahara-Hanaoka et al. (2005) продемонстрировали, что лигандами молекул CD226 мыши также являются CD155 и CD112. Молекулы CD155 и CD112 широко экспрессируются в различных тканевых клетках, таких как нервные клетки, эндотелиальные клетки, эпителиальные клетки, антигенпрезентирующие клетки, фибробласты, клетки, инфицированные патогенами, и множество опухолевых клеток (Bottino et al., 2003; Tahara-Hanaoka et al., 2004; Dardalhon et al., 2005; Bryceson et al., 2006; Pende et al., 2006; Gilfillan et al., 2008; Kraus et al., 2016). Солидный рак, а также гематологические злокачественные новообразования имеют высокие уровни CD155 и CD112, что делает их хорошими мишенями для атаки CTL посредством CD226-специфического связывания (Castriconi et al., 2004; Pende et al., 2005; Moretta et al., 2006). ; Карлстен и др., 2007; Эль-Щербины и др., 2007). Они также экспрессируются в иммунных клетках, таких как моноциты, DC и активированные Т-клетки (Pende et al., 2006), а также влияют на некоторые физиологические процессы.

Функция CD226

CD226 участвует в функции клеток CTL и NK клеток

В организме человека CD226 высоко экспрессируется на поверхности NK-клеток и CD8 + Т-клеток (Shibuya et al., 1996). У мышей 40-50% NK-клеток и все CTL-клетки конститутивно экспрессируют CD226 (Dardalhon et al., 2005).

CD226, как молекула адгезии, способствует миграции, активации, пролиферации, дифференцировке и функции CD8 + Т-клеток. Клеткам CTL необходимо мигрировать к месту воспаления или микросреде опухоли через молекулы адгезии для установления тесного контакта (Bryceson et al., 2006). Во вторичных лимфоидных органах молекулы адгезии опосредуют взаимодействие между клетками CTL и антигенпрезентирующими клетками и, наконец, активируют, пролиферируют и дифференцируют их.Взаимодействие CD226 / CD155 очень важно для пролиферации CD8 + Т-клеток и иммунного ответа антиген-специфичных CD8 + Т-клеток (Gilfillan et al., 2008). Костимулирующий сигнальный путь CD8 + Т-клеток, опосредованный CD226, был прерван в процессе хронической инфекции ВИЧ-1. Следовательно, экспрессия CD226 на поверхности CD8 + Т-клеток подавляется, что снижает эффект CTL (Cella et al., 2010).

Все больше и больше данных показывают, что CD226 участвует в биологической функции NK-клеток (Enqvist et al., 2015; Мартине и Смит, 2015; Мартине и др., 2015). Комбинация CD226 с CD155 и / или CD112 в сотрудничестве с NKp30 может побуждать NK-клетки растворять незрелые DC и способствовать пролиферации зрелых DC (Balsamo et al., 2009). Созревание DC способствует иммунному ответу за счет усиления адаптивной иммунной системы (Zheng et al., 2006; Ramalingam et al., 2012; Peng et al., 2020). Взаимодействие между CD226 и его лигандами участвует в перекрестном связывании NK- и Т-клеток. При реакции трансплантат против хозяина (GVHD; Lozano et al., 2013) и других аутоиммунных заболеваниях (Ardolino et al., 2011), NK-клетки могут распознавать и уничтожать стимулированные антигеном Т-клетки, которые были активированы / пролиферировали, а также могут способствовать дифференцировке хелперных Т-клеток.

CD226 вместе с CD96, TIGIT и CRTAM также участвует в регуляции функции NK-клеток (Ralston et al., 2004; Chan et al., 2014; Nabekura et al., 2014; Shu-Bin et al. , 2020). После стимуляции ЛПС доля IFN-γ + NK-клеток у мышей с дефицитом CD226 была значительно ниже, чем у мышей дикого типа (Chan et al., 2014). Считается, что CD96 ингибирует секрецию IFN-γ NK-клетками. Следовательно, молекулы CD96 и CD226 обращают обратную секрецию IFN-γ в NK-клетках (Chan et al., 2014). TIGIT, CD96 и CRTAM способны распознавать нектин и молекулы семейства Necl и регулировать функцию NK-клеток, что еще больше усложняет исследование CD226 в биологической функции NK-клеток (Chan et al., 2014). В последние годы сообщалось, что синергетический эффект CD226 и этих трех молекул уравновешивает активацию NK-клеток in vivo (Martinet and Smyth, 2015).

CD226 участвует в функции CD4 + Т-клеток

В 2005 г. Dardalhon et al. (2005) заявили, что CD226 был специфическим поверхностным маркером клеток Th2 у мышей. В 2006 году Shibuya et al. выявили, что свежевыделенные CD4 + Т-клетки у мышей также экспрессируют молекулы CD226 низкого уровня, что исходные Т-клетки экспрессируют молекулы CD226, и что наиболее поляризованные клетки Th2 и Th3 также экспрессируют молекулы CD226 (Shibuya et al., 2006). В 2012 году Lozano et al. продемонстрировали, что TIGIT может подавлять функции Т-клеток, конкурируя с CD226 (Lozano et al., 2012). В 2015 году Fuhrman et al. обнаружили, что CD226 экспрессируется в CD4 + Т-клетках памяти (Fuhrman et al., 2015). Эти аномальные клетки и относительные провоспалительные цитокины способствуют возникновению многих иммунологических заболеваний (Yang and Song Guo, 2016; Sujuan et al., 2018, 2019).

В 2013 году Sutavani et al. (2013) доказали, что поверхностным маркером регуляторных Т-клеток человека 1 типа (Tr1) является CD4 + CD49b + LAG-3 + CD226 +. Tr1 представляет собой разновидность хронически активированных CD4 + Т-клеток в присутствии IL-10 (Weishan et al., 2017; Fang et al., 2018), который выполняет функции низкой пролиферации, высокой секреции IL-10, низкой экспрессии IL-2 и IL-4 (Gagliani et al., 2013). CD226 высоко экспрессируется на поверхности регуляторных Т-клеток человека I типа и участвует в уничтожении миелоидных антигенпрезентирующих клеток (Magnani et al., 2011). Tr1 выполняет функцию подавления иммунного ответа и поддержания периферической иммунной толерантности. Имеет перспективу применения при лечении аутоиммунных заболеваний, опухолей, а также при отказе от аллогенной трансплантации тканей и органов.

Недавно было обнаружено, что молекулы CD226 и TIGIT, экспрессируемые на поверхности клеток CD4 + Foxp3 + Treg человека, связаны с их стабильностью и ингибированием. Подобно клеткам Tr1, CD4 + Foxp3 + Treg имеют решающее значение для поддержания гомеостаза и предотвращения аутоиммунных проблем (Ya et al., 2014; Anping et al., 2016). Чистота и ингибирующая функция подмножеств Treg CD226 + TIGIT- будут ослаблены после амплификации, а с увеличением IL-10 и эффекторных цитокинов предполагается, что экспрессия CD226 влияет на функцию Treg (Fuhrman et al., 2015). Foxp3, Helios были высоко экспрессированы в клетках CD226-TIGIT + Treg и с Treg-специфическим деметилированным участком. In vitro эксперименты по ингибированию показывают, что экспрессия TIGIT в Treg-клетках связана с его сильной ингибирующей активностью. С другой стороны, уровень экспрессии CD226 в активированных Treg-клетках повышается. Следовательно, в процессе поиска блокирования CD226 для ослабления активности традиционных эффекторных Т-клеток следует сосредоточить внимание на соответствующих дозах, чтобы избежать одновременного снижения функции Treg (Fuhrman et al., 2015). Однако у пациентов с РА мы недавно продемонстрировали, что, хотя и CD226, и TIGIT демонстрируют повышенные уровни экспрессии в клетках CD4 + Foxp3 +, они не связаны с активностью заболевания у пациентов с РА (Mengru et al., 2019). Таким образом, CD226 не кажется идеальным маркером для Treg-клеток человека.

CD226 участвует в функции других клеток

CD226 также экспрессируется в тромбоцитах. Поперечное сшивание CD226 и mAb может вызывать активацию тромбоцитов, позволяя тромбину индуцировать фосфорилирование тирозина CD226 и опосредовать адгезию тромбоцитов (Scott et al., 1989). Впоследствии было документально подтверждено, что CD226 опосредует адгезию тромбоцитов и мегакариоцитов к эндотелиальным клеткам сосудов (Kojima et al., 2003).

Тучные клетки человека и эозинофилы могут одновременно экспрессировать CD226 и CD112. Эти клетки играют важную роль в развитии аллергических заболеваний (Wenru et al., 2012, 2014, 2015). На поздних и хронических стадиях анафилактического воспаления тучные клетки и эозинофилы с тканевой инфильтрацией образуют регуляторную единицу. В присутствии эозинофилов дегрануляция, опосредованная FCεRI тучных клеток, усиливается.Этот эффект частично вызван взаимодействием CD226 / CD112, запускающих сигнальные пути Fyn, LAT и фосфолипазы Cγ2, участвующие в указанном выше прогрессе (Bachelet et al., 2006) (Рисунок 2).

Рисунок 2. В качестве молекулы адгезии связывание CD226 и CD155 может опосредовать взаимодействие между клетками CTL и профессиональными антигенпредставляющими клетками, что в конечном итоге позволяет им активировать, пролиферировать и дифференцироваться. CD226 также может индуцировать активацию тромбоцитов и опосредовать адгезию тромбоцитов за счет перекрестного связывания со своим mAb.Уничтожение опухолевых клеток NK-клетками в основном зависит от связывания CD226 с CD112 и CD155, экспрессируемыми на опухолевых клетках. В присутствии эозинофилов дегрануляция, опосредованная FCεRI тучных клеток, усиливается. Этот эффект частично вызван взаимодействием CD226 / CD112.

CD226 и клинические болезни

CD226 и аутоиммунные заболевания

Предыдущие исследования показали, что экспрессия CD226 отрицательно коррелирует с ингибирующей функцией Foxp3 + Treg.TIGIT, ко-ингибирующая молекула на Т-клетки, оказывает иммуносупрессивное действие, конкурируя с CD226 за тот же лиганд CD155 (Lozano et al., 2012). Костимуляторная ось TIGIT и CD226 играет важную роль в иммунорегуляторной функции Foxp3 + Treg и связана с несколькими аутоиммунными заболеваниями. Несколько линий доказательств подтверждают, что подавляющая способность CD226 + Tregs ингибируется (Ning et al., 2019), и что TIGIT + Tregs обладают высокой подавляющей способностью и в большей степени (Joller et al., 2014).Экспериментальный аутоиммунный энцефаломиелит (EAE) способствует нарушению самотолерантности и приводит к тому, что клетки Th27 проникают в центральную нервную систему, чтобы опосредовать воспаление и повреждение нейронов (Rostami and Ciric, 2013). Zhang et al. сообщили, что чувствительность к EAE у мышей, получавших анти-CD226 pAb, была заметно снижена за счет уравновешивания соотношения Th27 / Treg (Rong et al., 2016), а повышенная супрессивная способность Treg во время EAE связана с отсутствием CD226 и увеличением уровни экспрессии TIGIT (Ning et al., 2019). Язвенный колит (ЯК) - хроническое воспалительное заболевание, связанное с иммунитетом. Long et al. обнаружили, что отсутствие экспрессии CD226 на Foxp3 + Tregs играет положительную роль в восстановлении клинической ремиссии из активной стадии у пациентов с ЯК, а экспрессия TIGIT на CD226-Foxp3 + Tregs потенциально положительно влияет на подавление CD226-Foxp3 + Treg ( Ян и др., 2020).

В последние годы с развитием технологии секвенирования связь между геном и заболеванием становится более ясной.Изучение полиморфизма гена CD226 и предрасположенности к аутоиммунным заболеваниям вступило в новый этап.

CD226 rs763361 представляет собой 307 глицин, замененный серином. Эта мутация может быть связана с развитием ряда связанных с иммунитетом заболеваний, таких как СКВ, ССД, СД1 и РА (Du et al., 2011; Avouac et al., 2013; Mattana et al., 2014; Elhai et al., 2014; Elhai et al., 2011; Avouac et al., 2013; Mattana et al., 2014; Elhai et al. др., 2015). SSc - это хроническое аутоиммунное заболевание, поражающее соединительную ткань, характеризующееся фиброзом кожи и утолщением кожи. В модели мышей CD226 - / - характеристики фиброза были ослаблены по сравнению с мышами дикого типа.Возможно, экспрессия CD226 способствует развитию SSc (Avouac et al., 2013). В модели in vitro RA, CD226 и CD226L были экспрессированы в NK-клетках и фибробластоподобном синовите (FLS) пациентов с RA, соответственно, что позволяет предположить, что RA-FLS-клетки могут распознаваться и уничтожаться NK-клетками (Nielsen et al. ., 2014). Многие исследования показали, что аутоиммунные заболевания связаны с дисфункцией NK-клеток. Предполагается, что мутация 307 глицин-серина CD226 может вызывать дисфункцию NK-клеток (Fogel et al., 2013). Активация Т-клеток требует фактора обмена гуаниновых нуклеотидов VAV1 (Katzav et al., 1989). Включение CD226 запускало активацию VAV1 за счет фосфорилирования тирозина и взаимодействовало с передачей сигналов через рецептор Т-клеток (TCR), чтобы положительно регулировать продукцию цитокинов CD4 + Т-клетками. Более того, совместное участие TCR и rs763361 CD226, связанного с аутоиммунитетом, дополнительно усиливает активацию VAV1 и продукцию IL-17 (Gaud et al., 2018). Все вышеперечисленные результаты предполагают возможность нацеливания на CD226 при лечении аутоиммунных заболеваний.

CD226 и опухоли

CD226 экспрессируется на поверхности NK-клеток и CD8 + Т-клеток. Как важный рецептор, активирующий NK-клетки, CD226 широко участвует в различных иммунных ответах. Исследования показали, что CD226 играет важную роль в уничтожении опухолевых клеток NK-клетками (Verhoeven et al., 2008; Lakshmikanth et al., 2009). Образование стабильных конъюгатов с опухолевыми клетками важно для NK-клеток, чтобы оказывать эффект уничтожения опухолей, а CD226 обеспечивает длительное стабильное взаимодействие между NK и опухолевыми клетками (Kim et al., 2017). CD155 и CD112 - два важных лиганда CD226. Уровень CD112 в опухолевой ткани снижается. Он может сочетаться с CD226 на поверхности NK-клеток, тем самым активируя NK-клетки для уничтожения опухолевых клеток (Xiaojun et al., 2014). Точно так же снижение CD155 в ткани рака печени может снизить цитотоксический эффект, опосредованный NK-клетками (Jiuyu et al., 2014). Эксперимент in vivo продемонстрировал, что CD226 опосредует фосфорилирование FOXO1 и активирует NK-клетки посредством взаимодействия с опухолевыми клетками, экспрессирующими CD155 (Xiangnan et al., 2018). Иммунотерапия опухолей предлагает многообещающие результаты у пациентов с опухолью. Concepción et al. обнаружил важность соотношения CD226 / иммуноглобулиноподобных рецепторов NK-клеток, индуцированного лицензионными взаимодействиями, в качестве критических детерминант для иммунного надзора за солидным раком, и предоставил прогностические биомаркеры для выживаемости пациентов, которые также могут улучшить выбор доноров для иммунотерапии NK-клетками (Guillamón et al. др., 2018). Обычно считается, что Treg в опухолях препятствуют ответам Т-клеток на опухоли (Naturally, 2005).Среди текущих режимов иммунотерапии опухолей, нацеленных на Treg, самой большой проблемой является отсутствие высокоселективных препаратов для Treg. В основном это связано с тем, что высокоспецифичные маркеры еще не обнаружены в Tregs. Жюльен и др. указали, что высокое соотношение TIGIT / CD226 в Tregs регулирует их супрессивную функцию и стабильность при меланоме, и они предложили новые иммунотерапевтические методы для активации CD226 в Treg вместе с блокадой TIGIT для противодействия подавлению Treg у онкологических пациентов (Fourcade et al., 2018). В последние годы некоторые исследователи стали обращать внимание на экспрессию CD226 в опухолевых клетках. Эти исследования показали, что экспрессия CD226 на клетках гепатомы подавляется, и что экспрессия связана с выживаемостью и временем выживания пациентов (Baoxing et al., 2017). Кроме того, было обнаружено, что полиморфизм гена CD226 напрямую связан с риском опухоли (Shaoqing et al., 2013). Все вышеперечисленные результаты предполагают, что CD226 может оказывать противоопухолевое действие. Таким образом, роль и механизм CD226 при различных раковых заболеваниях требует углубленного изучения в будущем.

CD226 и вирусные инфекции

При большинстве заболеваний, инфицированных вирусом, NK-клетки могут уничтожать инфицированные вирусом и трансформированные клетки (Cooper et al., 2001; Smyth et al., 2005). Они распознают клетки-мишени с помощью кодируемого зародышевой линией репертуара активирующих и ингибирующих рецепторов (Bryceson et al., 2006). CD226 - важный активирующий рецептор. NK-клеткам необходим CD226 для распознавания инфицированных HCV клеток гепатомы (Stegmann et al., 2012) и инфицированных HCMV миелоидных DCs (Magri et al., 2011).Инфекция вируса иммунодефицита человека (ВИЧ) вызывает дисфункцию врожденной и адаптивной иммунной систем, нарушает функцию NK-клеток и CD8 + T-клеток, а также уровни поверхностной экспрессии некоторых рецепторов (Watzl et al., 2014; Zhuo et al., 2017) . Инь и др. (2018) демонстрируют, что экспрессия TIGIT специфически повышается на CD226 + NK-клетках у ВИЧ-инфицированных людей, а высокие уровни TIGIT могут ингибировать продукцию IFN-γ NK-клетками, в то время как блокада TIGIT может восстановить их функцию. Аналогичные результаты были получены на CD8 + Т-клетках у ВИЧ-инфицированных.ВИЧ-специфические CD8 + Т-клетки были почти исключительно TIGIT +, а ВИЧ-специфические клетки TIGIT hi отрицательно коррелировали с полифункциональностью и демонстрировали пониженную экспрессию CD226 (Tauriainen et al., 2017). Все это подчеркивает важную роль оси TIGIT / CD226 в вирусных инфекциях и предлагает новые возможности для разработки терапевтических стратегий, направленных на функциональное излечение.

Заключение

С момента своего открытия было продемонстрировано, что CD226 широко экспрессируется на различных иммунных клетках и играет важную функциональную роль в иммунной системе.Многие аспекты патофизиологического состояния CD226 еще не выяснены; однако текущие исследования функции и механизмов этой молекулы позволяют лучше понять клиническую значимость этой молекулы. Действительно, CD226, как костимулирующий фактор, играет важную роль в развитии различных заболеваний. Таким образом, изменение экспрессии и функции CD226 может быть осуществимой терапевтической стратегией для многих связанных с иммунитетом заболеваний и опухолей.

Заявление о доступности данных

Оригинальные материалы, представленные в исследовании, включены в статью / дополнительный материал, дальнейшие запросы можно направить соответствующему автору.

Авторские взносы

ZH и GQ разработали исследование и написали обзор. SZ задумал и разработал обзор. SZ и JM отредактировали и исправили обзор. Все авторы обсудили и одобрили окончательную версию.

Финансирование

Эта работа частично поддержана Национальным фондом естественных наук Китая (гранты №№ 81460411 и 81660450), Проектом Фонда естественных наук Гуанси (№№: 2017AD23009, 2017JJD10037 и 2015jjAA40450) и Проектом развития ключевых лабораторий из Гуанси (все до GQ).

Конфликт интересов

Авторы заявляют, что исследование проводилось при отсутствии каких-либо коммерческих или финансовых отношений, которые могут быть истолкованы как потенциальный конфликт интересов.

Список литературы

Anping, X., Ya, L., Weiqian, C., Julie, W., Youqiu, X., Feng, H., et al. (2016). TGF-β-индуцированные регуляторные Т-клетки напрямую подавляют В-клеточные ответы посредством нецитотоксического механизма. J. Immunol. 196, 3631–3641. DOI: 10.4049 / jimmunol.1501740

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Ардолино, М., Зингони, А., Цербони, К., Сесере, Ф., Сориани, А., Яннитто, М. Л. и др. (2011). Экспрессия лиганда DNAM-1 на стимулируемых Ag Т-лимфоцитах опосредуется ROS-зависимой активацией ответа на повреждение ДНК: актуальность для взаимодействия NK-T-клеток. Кровь 117, 4778–4786. DOI: 10.1182 / кровь-2010-08-300954

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Avouac, J., Elhai, M., Tomcik, M., Ruiz, B., Friese, M., Piedavent, M., et al. (2013). Критическая роль вспомогательной молекулы-1 рецептора адгезии ДНКХ (DNAM-1) в развитии фиброза кожи, вызванного воспалением, на мышиной модели системного склероза. Ann. Реум. Дис. 72, 1089–1098. DOI: 10.1136 / annrheumdis-2012-201759

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Бачелет, И., Муниц, А., Манкутад, Д., и Леви-Шаффер, Ф. (2006). Костимуляция тучных клеток с помощью CD226 / CD112 (DNAM-1 / нектин-2): новый интерфейс в аллергическом процессе. J. Biol. Chem. 281, 27190–27196. DOI: 10.1074 / jbc.M602359200

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Бальзамо, М., Замбелло, Р., Терамо, А., Педрацци, М., Спараторе, Б., Скордамалья, Ф. и др. (2009). Анализ взаимодействия NK-клетки / DC при лимфопролиферативном заболевании NK-типа гранулярных лимфоцитов (LDGL): роль DNAM-1 и NKp30. Exp. Гематол. 37, 1167–1175. DOI: 10.1016 / j.exphem.2009.06.010

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Баосин, Дж., Лудун, Т., Чже, Дж., Ян, Дж., Ю, Ф. и Яхуи, Л. (2017). MiR-892a способствует пролиферации и инвазии клеток гепатоцеллюлярной карциномы посредством нацеливания на CD226. J. Cell Biochem. 118, 1489–1496. DOI: 10.1002 / jcb.25808

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Бокван Дж. И Чжувэй Х. (2010). Новый интерфейс, состоящий из гомологичных членов суперсемейства иммуноглобулинов с множеством функций. Cell. Мол. Иммунол. 7, 11–19. DOI: 10.1038 / cmi.2009.108

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Bossini-Castillo, L., Simeon, C.P., Beretta, L., Broen, J.C., Vonk, M.C., Espinosa, G., et al. (2012). Многоцентровое исследование подтверждает ассоциацию гена CD226 с легочным фиброзом, связанным с системным склерозом. Артрит. Res. Ther. 12: R85. DOI: 10.1186 / ar3809

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Боттино, К., Кастрикони, Р., Пенде, Д., Ривера, П., Нанни, М., Карнемолла, Б. и др. (2003). Идентификация PVR (CD155) и нектина-2 (CD112) в качестве лигандов клеточной поверхности для активирующей молекулы DNAM-1 (CD226) человека. J. Exp. Med. 198, 557–567. DOI: 10.1084 / jem.20030788

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Брайсесон, Ю. Т., Марч, М. Э., Юнггрен, Х.-Г., и Лонг, Э. О. (2006). Активация, коактивация и костимуляция покоящихся естественных клеток-киллеров человека. Immunol. Ред. 214, 73–91.DOI: 10.1111 / j.1600-065X.2006.00457.x

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Бернс, Г. Ф., Триглиа, Т., Веркмайстер, Дж. А., Бегли, К. Г., и Бойд, А. В. (1986). TLiSA1, активирующий антиген, специфичный к линии Т человека, участвующий в дифференцировке цитотоксических Т-лимфоцитов и аномальных клеток-киллеров от их предшественников. J. Exp. Med. 161, 1063–1078. DOI: 10.1084 / jem.161.5.1063

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Карлстен, М., Бьоркстрём, Н. К., Норелл, Х., и Брайсесон, Ю. (2007). Вспомогательная молекула-1 ДНКХ опосредует распознавание свежевыделенной карциномы яичника покоящимися естественными клетками-киллерами. Cancer Res. 67, 1317–1325. DOI: 10.1158 / 0008-5472.CAN-06-2264

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Castriconi, R., Dondero, A., Corrias, M. V., Lanino, E., Pende, D., Moretta, L., et al. (2004). Опосредованное естественными клетками-киллерами убийство свежевыделенных клеток нейробластомы: критическая роль взаимодействия вспомогательной молекулы ДНКХ-1-рецептора полиовируса. Cancer Res. 64, 9180–9184. DOI: 10.1158 / 0008-5472.CAN-04-2682

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Селла, М., Прести, Р., Верми, В., Лавендер, К., Тернбулл, Э., Оксенбауэр-Джамбор, К., и др. (2010). Потеря DNAM-1 способствует истощению CD8 + Т-клеток при хронической ВИЧ-1-инфекции. Eur. J. Immunol. 40, 949–954. DOI: 10.1002 / eji.200940234

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Чан, К.J., Martinet, L., Gilfillan, S., Souza-Fonseca-Guimaraes, F., Chow, M. T., Town, L., et al. (2014). Рецепторы CD96 и CD226 противостоят друг другу в регуляции функций естественных клеток-киллеров. Nat. Иммунол. 15, 431–438. DOI: 10.1038 / ni.2850

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Купер М.А., Фенигер Т.А. и Калиджури М.А. (2001). Биология естественных подмножеств клеток-киллеров человека. Trends Immunol. 22, 633–640. DOI: 10.1016 / с 1471-4906 (01) 02060-9

CrossRef Полный текст | Google Scholar

Дардалхон В., Шубарт А.С., Редди Дж., Мейерс, Дж. Х., Монни, Л., Сабатос, К. А. и др. (2005). CD226 специфически экспрессируется на поверхности клеток Th2 и регулирует их рост и эффекторные функции. J. Immunol. 175, 1558–1565. DOI: 10.4049 / jimmunol.175.3.1558

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Dieudé, P., Guedg, M.E., Wipff, J., Revillod, L., Riemekasten, G., Matucci-Cerinic, M., et al. (2011). Ассоциация варианта CD226 Ser (307) с системным склерозом: свидетельство вклада путей костимуляции в патогенез системного склероза. Артрит. Реум. 63, 1097–1105. DOI: 10.1002 / art.30204

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Dongchu, M., Yinghui, S., Di, L., Haoyang, W., Bing, D., Xinghai, Z., et al. (2005). CD226 экспрессируется в мегакариоцитарном клоне гемопоэтических стволовых клеток / клеток-предшественников и участвует в его полиплоидизации. Eur. J. Haematol. 74, 228–240. DOI: 10.1111 / j.1600-0609.2004.00345.x

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Du, Y., Tian, ​​L., Shen, L.X., Wang, F., Yu, L.K., Song, Y., et al. (2011). Ассоциация однонуклеотидного полиморфизма CD226 с системной красной волчанкой у китайской ханьской популяции. Tissue Antig. 77, 65–67. DOI: 10.1111 / j.1399-0039.2010.01568.x

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Эльхай, М., Chiocchia, G., Marchiol, C., Lager, F., Renault, G., Colonna, M., et al. (2015). Нацеливание на вспомогательную молекулу-1 CD226 / DNAX (DNAM-1) в моделях индуцированного коллагеном артрита на мышах. J. Inflamm. 12: 9. DOI: 10.1186 / s12950-015-0056-5

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Эль-Щербины, Ю. М., Мид, Дж. Л., Холмс, Т. Д., МакГонагл, Д., Маки, С. Л., Морган, А. В. и др. (2007). Необходимость в DNAM-1, NKG2D и NKp46 для опосредованного естественными клетками-киллерами уничтожения миеломных клеток. Cancer Res. 67, 8444–8449. DOI: 10.1158 / 0008-5472.CAN-06-4230

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Энквист, М., Аск, Э. Х., Форслунд, Э., Карлстен, М., Абрахамсен, Г., Безиат, В. и др. (2015). Скоординированная экспрессия DNAM-1 и LFA-1 в образованных NK-клетках. J. Immunol. 194, 4518–4527. DOI: 10.4049 / jimmunol.1401972

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Фанг, Л., Сяо Сюэ, Ф., Шан Лин, З., Hong, Y.H., Ying, D.C., Yun, F.P., et al. (2018). Сигнальный путь Sonic hedgehog опосредует пролиферацию и миграцию фибробластоподобных синовиоцитов при ревматоидном артрите через сигнальный путь MAPK / ERK. Фронт. Иммунол. 9: 2847. DOI: 10.3389 / fimmu.2018.02847

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Фуркад, Дж., Чжаоцзюнь, С., Шовен, Ж.-М., Ка, М., Давар, Д., Пальяно, О., и др. (2018). Cd226 противостоит tigit, чтобы разрушить tregs при меланоме. JCI Insight. 3: e121157. DOI: 10.1172 / jci.insight.121157

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Fuhrman, C.A., Yeh, W.-I., Seay, H.R., Lakshmi, P. S., Chopra, G., Zhang, L., et al. (2015). Дивергентные фенотипы регуляторных Т-клеток человека, экспрессирующих рецепторы TIGIT и CD226. J. Immunol. 195, 145–155. DOI: 10.4049 / jimmunol.1402381

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Гаглиани, Н., Magnani, C.F., Huber, S., Gianolini, M.E., Pala, M., Licona-Limon, P., et al. (2013). Коэкспрессия CD49b и LAG-3 позволяет идентифицировать регуляторные Т-клетки 1 типа человека и мыши. Nat. Med. 19, 739–746. DOI: 10,1038 / нм. 3179

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Gaud, G., Roncagalli, R., Chaoui, K., Bernard, I., Familiades, J., Colacios, C., et al. (2018). Костимулирующая молекула CD226 передает сигналы через VAV1, чтобы усилить сигналы TCR и способствовать выработке IL-17 CD4 + Т-клетками. Sci. Сигнал. 11: eaar3083. DOI: 10.1126 / scisignal.aar3083

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Гилфиллан С., Чан, К. Дж., Селла, М., Хейнс, Н. М., Рапапорт, А. С., Болес, К. С. и др. (2008). DNAM-1 способствует активации цитотоксических лимфоцитов непрофессиональными антигенпрезентирующими клетками и опухолями. J. Exp. Med. 205, 2965–2973. DOI: 10.1084 / jem.20081752

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Гийамон, Ф.К., Мартинес-Санчес, В. М., и М. Р. Ровец, Г. Л. (2018). Образование NK-клеток в иммунном надзоре за опухолью: отношения рецепторов DNAM-1 / KIR как прогностические биомаркеры для исхода солидной опухоли. Cancer Immunol. Res. 6, 1537–1547. DOI: 10.1158 / 2326-6066

CrossRef Полный текст | Google Scholar

Хуанг, З., Фу, Б., Чжэн, С. Г., Ли, X., Сун, Р., Тиан, З. и др. (2011). Участие CD226 + NK-клеток в иммунопатогенезе системной красной волчанки. J. Immunol. 186, 3421–3431.DOI: 10.4049 / jimmunol.1000569

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Jian, J. L., Zhu, C. S., Xu, Z. W., Ouyang, W. M., Ma, D. C., Zhang, Y., et al. (2006). Идентификация и характеристика промотора гена CD226. J. Biol. Chem. 281, 28731–28736. DOI: 10.1074 / jbc.M601786200

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Цзиньлун, К., Юн, З., Демин, Л., Вейминг, О., и Бокван, Дж. (2002). Анализ промоторной последовательности и сайта SNP гена CD226 человека. Подбородок. J. Cell. Мол. Иммунол. 18, 203–207. DOI: 10.3321 / j.issn: 1007-8738.2002.03.002

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Jiuyu, G., Liang, F., Rongrong, L., Ying, W., Jinliang, X., Yibing, C., et al. (2014). UPR снижает экспрессию CD155 лиганда CD226 и чувствительность к цитотоксичности, опосредованной NK-клетками, в клетках гепатомы. Eur. J. Immunol. 44, 3758–3767. DOI: 10.1002 / eji.201444574

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Джоллер, Н., Lozano, E., Burkett, P.R., Patel, B., Xiao, S., Zhu, C., et al. (2014). Клетки Treg, экспрессирующие коингибиторную молекулу TIGIT, избирательно ингибируют провоспалительные реакции клеток Th2 и Th27. Иммунитет 40, 569–581. DOI: 10.1016 / j.immuni.2014.02.012

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Цзюнь, Л., Сяомин, К., Чжуцзюнь, К., Сян, X., Фэн, Г., Шуцзюнь, З., и др. (2012). Кристаллическая структура молекулы клеточной адгезии нектин-2 / CD112 и ее связывание с иммунным рецептором DNAM-1 / CD226. J. Immunol. 188, 5511–5520. DOI: 10.4049 / jimmunol.1200324

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Кацав, С., Мартин-Занка, Д., и Барбакид, М. (1989). Vav, новый человеческий онкоген, происходящий из локуса, повсеместно экспрессируемого в гемопоэтических клетках. EMBO J. 8, 2283–2290. DOI: 10.1002 / j.1460-2075.1989.tb08354.x

CrossRef Полный текст | Google Scholar

Ким, Дж. С., Шин, Б. Р., Ли, Х. К., Ли, Дж. Х., Ким, К.Х., Чой, Дж. Э. и др. (2017). Cd226 - / - естественные клетки-киллеры не могут установить стабильные контакты с раковыми клетками и демонстрируют нарушение контроля над метастазами опухолей in vivo. Онкоиммунология 6: e1338994. DOI: 10.1080 / 2162402x.2017.1338994

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Кодзима, Х., Канада, Х., Симидзу, С., Касама, Э., Сибуя, К., Накаучи, Х. и др. (2003). CD226 опосредует адгезию тромбоцитов и мегакариоцитарных клеток к эндотелиальным клеткам сосудов. J. Biol. Chem. 278, 36748–36753. DOI: 10.1074 / jbc.M300702200

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Краус А. К., Чен Дж., Эденхофер И., Воронов И., Гасперт А., Чиппа П. Э. и др. (2016). Роль костимуляции Т-клеток с помощью DNAM-1 в трансплантации почки. PLoS One 11: e0147951. DOI: 10.1371 / journal.pone.0147951

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Лакшмикант, Т., Берк, С., Али, Т. Х., Кимпфлер, С., Урсини, Ф., Руджери, Л. и др. (2009). NCR и DNAM-1 опосредуют распознавание NK-клеток и лизис линий клеток меланомы человека и мыши in vitro и in vivo. J. Clin. Вкладывать деньги. 119, 1251–1263. DOI: 10.1172 / JCI36022

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Ли, Н., Ван, Дж. К., Лян, Т. Х., Чжу, М. Х., Ван, Дж. Й., Фу, X. Л. и др. (2013). Патологическое открытие повышенной экспрессии интерлейкина-17 в синовиальной ткани пациентов с ревматоидным артритом. Внутр. J. Clin. Exp. Патол. 6, 1375–1379. DOI: 10.1159 / 000354821

CrossRef Полный текст | Google Scholar

Лихуа, К., Синь, X., Синьхай, З., Вэй, Дж., Цзиньлун, Дж., Чаоцзюнь, С., и др. (2003). Экспрессия, регуляция и функция адгезии новой молекулы CD, CD226, на эндотелиальных клетках человека. Life Sci. 73, 2373–2382. DOI: 10.1016 / s0024-3205 (03) 00606-4

CrossRef Полный текст | Google Scholar

Лёфгрен, С. Э., Дельгадо-Вега, А.M., Gallant, C.J., Sánchez, E., Frostegård, J., Truedsson, L., et al. (2010). Вариант 3’-нетранслируемой области связан с нарушением экспрессии CD226 в Т-клетках и естественных Т-клетках-киллерах и связан с восприимчивостью к системной красной волчанке. Артрит. Реум. 62, 3404–3414. DOI: 10.1002 / art.27677

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Лозано, Э., Домингес-Вильяр, М., Кучро, В., и Хафлер, Д. А. (2012). Ось TIGIT / CD226 регулирует функцию Т-клеток человека. J. Immunol. 188, 3869–3875. DOI: 10.4049 / jimmunol.1103627

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Лозано, Э., Джоллер, Н., Цао, Ю., Кучру, В. К., и Хафлер, Д. А. (2013). Взаимодействие CD226 / CD155 регулирует провоспалительный (Th2 / Th27) / противовоспалительный (Th3) баланс у людей. J. Immunol. 191, 3673–3680. DOI: 10.4049 / jimmunol.1300945

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Маньяни, К.Ф., Альбериго, Г., Баккетта, Р., Серафини, Г., Андреани, М., Ронкароло, М. Г. и др. (2011). Убийство миелоидных APC посредством HLA класса I, CD2 и CD226 определяет новый механизм подавления человеческими клетками Tr1. Eur. J. Immunol. 41, 1652–1662. DOI: 10.1002 / eji.201041120

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Magri, G., Muntasell, A., Romo, N., Sáez-Borderías, A., Pende, D., Geraghty, D. E., et al. (2011). NKp46 и DNAM-1 Рецепторы NK-клеток управляют ответом на миелоидные дендритные клетки, инфицированные цитомегаловирусом человека, преодолевая стратегии вирусного уклонения от иммунитета. Кровь 117, 846–856. DOI: 10.1182 / кровь-2010-08-301374

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Maogen, C., Xiaohong, L., Ya, L., Qiang, L., Yiling, D., Zhongmin, L., et al. (2014). Функция BAFF на Т-хелперные клетки при аутоиммунитете. Факт роста цитокинов. Ред. 25, 301–305. DOI: 10.1016 / j.cytogfr.2013.12.011

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Мартине, Л., Андраде, Л. Ф. Д., Гийерей, К., Ли, Дж. С., Лю, Дж., Соуза-Фонсека-Гимарайнш, Ф. и др. (2015). Экспрессия DNAM-1 отмечает альтернативную программу созревания NK-клеток. Cell Rep. 11, 85–97. DOI: 10.1016 / j.celrep.2015.03.006

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Мейсон Д., Андре П., Бенсуссан А., Бакли К., Сивин К., Кларк Э. и др. (2001). CD Antigens 2001. J. Leukoc. Биол. 211, 685–690. DOI: 10.1006 / cimm.2001.1831

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Маттана Т.К. К., Сантос, А. С., Фукуи, Р. Т., Майнарди-Ново, Д. Т. О., Коста, В. С., Сантос, Р. Ф. и др. (2014). CD226 rs763361 связан с предрасположенностью к диабету 1 типа и большей частотой аутоантитела GAD65 в бразильской когорте. Med. Воспаление. 2014: 694948. DOI: 10.1155 / 2014/694948

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Mengru, Y., Yan, L., Biyao, M., Youqiu, X., Congxiu, Y., Yutong, J., et al. (2019). Helios, но не CD226, TIGIT и Foxp3, является потенциальным маркером CD4 + Treg-клеток у пациентов с ревматоидным артритом. Cell. Physiol. Biochem. 52, 1178–1192. DOI: 10.33594 / 000000080

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Моретта, Л., Боттино, К., Пенде, Д., Кастрикони, Р., Мингари, М. К., и Моретта, А. (2006). Поверхностные рецепторы NK и их лиганды на опухолевых клетках. Семин. Иммунол. 18: 151. DOI: 10.1016 / j.smim.2006.03.002

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Набекура, Т., Каная, М., Сибуя, А., Фу, Г., Гаскойн, Н. Р. Дж., И Ланье, Л. Л. (2014). Костимулирующая молекула DNAM-1 необходима для оптимальной дифференциации естественных клеток-киллеров памяти во время цитомегаловирусной инфекции мышей. Иммунитет 40, 225–234. DOI: 10.1016 / j.immuni.2013.12.011

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Нильсен, Н., Паскаль, В., Фаст, А. Е. Р., Сундстрем, Ю., Галсгаард, Э. Д., Ахерн, Д., и др. (2014). Баланс между активацией NKG2D, DNAM-1, NKp44 и NKp46 и ингибирующими рецепторами CD94 / NKG2A определяет дегрануляцию естественных киллеров в отношении синовиальных фибробластов ревматоидного артрита. Иммунология 142, 581–593. DOI: 10.1111 / imm.12271

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Нин В., Шуанг Л., Цзинъи Дж., Лян Ф., Цяньли М., Сиань В. и др. (2019). CD226 ослабляет способность подавления Treg через CTLA-4 и TIGIT во время EAE. Immunol. Res. 67, 486–496. DOI: 10.1007 / s12026-019-09112-9

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Пенде, Д., Боттино, К., Кастрикони, Р., Кантони, К., Марченаро, С., Ривера, П. и др. (2005). PVR (CD155) и нектин-2 (CD112) в качестве лигандов активирующего рецептора человеческого DNAM-1 (CD226): участие в лизисе опухолевых клеток. Mol. Иммунол. 42, 463–469. DOI: 10.1016 / j.molimm.2004.07.028

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Pende, D., Castriconi, R., Romagnani, P., Spaggiari, G.M., Marcenaro, S., Dondero, A., et al. (2006). Экспрессия лигандов DNAM-1, нектина-2 (CD112) и рецептора полиовируса (CD155) на дендритных клетках: актуальность для взаимодействия естественных киллеров и дендритных клеток. Кровь 107, 2030–2036. DOI: 10.1182 / кровь-2005-07-2696

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Peng, Y.-Q., Qin, Z.-L., Fang, S.-B., Xu, Z.-B., Zhang, H.-Y., Chen, D., et al. (2020). Влияние миелоидных и плазмацитоидных дендритных клеток на ILC2 у пациентов с аллергическим ринитом. J. Allergy Clin. Иммунол. 145, 855–867. DOI: 10.1016 / j.jaci.2019.11.029

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Цю, З., Чжан, К., Цю, X., Чжоу, М., и Ли, В. (2008). Ассоциация CD226 Gly307Ser с множественными аутоиммунными заболеваниями: метаанализ. Хум. Иммунол. 74, 249–255. DOI: 10.1016 / j.humimm.2012.10.009

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Ральстон, К. Дж., Хирд, С. Л., Синьхай, З., Скотт, Дж. Л., Бокуан, Дж., Торн, Р. Ф. и др. (2004). Связанная с LFA-1 молекула PTA-1 (CD226) на Т-клетках образует динамический молекулярный комплекс с белком 4.1G и большими дисками человека. J. Biol. Chem. 279, 33816–33828. DOI: 10.1074 / jbc.M401040200

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Рамалингам, Р., Лармонье, К. Б., Терстон, Р. Д., Мидура-Кила, М. Т., Чжэн, С. Г., Гишан, Ф. К. и др. (2012). Специфическое для дендритных клеток нарушение рецептора II TGF-β приводит к изменению фенотипа регуляторных Т-клеток и спонтанному полиорганному аутоиммунитету. J. Immunol. 189, 3878–3893. DOI: 10.4049 / jimmunol.1201029

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Реймонд, Н., Энн-Мари, И., Девилард, Э., Фабр, С., Чабаннон, К., Ксерри, Л. и др. (2004). DNAM-1 и PVR регулируют миграцию моноцитов через эндотелиальные соединения. J. Exp. Med. 199, 1331–1341. DOI: 10.1084 / jem.20032206

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Rong, Z., Hanyu, Z., Yun, Z., Kun, C., Chunmei, Z., Chaojun, S., et al. (2016). Лигирование CD226 защищает от EAE, способствуя экспрессии IL-10 посредством регуляции дифференцировки CD4 + T-клеток. Oncotarget 7, 19251–19264. DOI: 10.18632 / oncotarget.7834

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Скотт, Дж. Л., Данн, С. М., Джин, Б., Хиллам, А. Дж., Уолтон, С., Берндт, М. С. и др. (1989). Характеристика нового мембранного гликопротеина, участвующего в активации тромбоцитов. J. Biol. Chem. 264, 13475–13482.

Google Scholar

Шаоцин, С., Бинь, З., Куи, З., и Лин, З. (2013). Связь между двумя генетическими вариантами гена CD226 и плоскоклеточным раком шейки матки: исследование случай-контроль. Ген 519, 159–163. DOI: 10.1016 / j.gene.2012.11.039

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Шэнке, Х., Куикуй, Г., Сяодун, З., Хаймин, В., Жуй, С., Чжиган, Т. (2014). Белок CD226 участвует в формировании иммунных синапсов и запускает активацию естественных киллеров (NK) через свой первый внеклеточный домен. J. Biol. Chem. 289, 6969–6977. DOI: 10.1074 / jbc.M113.498253

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Шеррингтон, П.Д., Скотт, Дж. Л., Джин, Б., Симмонс, Д., Дорахи, Д. Дж., Ллойд, Дж. И др. (1997). Антиген активации TLiSA1 (PTA1), участвующий в дифференцировке Т-клеток и активации тромбоцитов, является членом суперсемейства иммуноглобулинов, проявляющим отличительную регуляцию экспрессии. J. Biol. Chem. 272, 21735–21744. DOI: 10.1074 / jbc.272.35.21735

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Сибуя, А., Кэмпбелл, Д., Ханнум, К., Иссел, Х., Франц-Бэкон, К., МакКланахан, Т., и другие. (1996). DNAM-1, новая молекула адгезии, участвующая в цитолитической функции Т-лимфоцитов. Иммунитет 4, 573–581. DOI: 10.1016 / S1074-7613 (00) 70060-4

CrossRef Полный текст | Google Scholar

Сибуя, К., Ланье, Л. Л., Филлипс, Дж. Х. и Охс, Х. Д. (1999). Физическая и функциональная ассоциация LFA-1 с молекулой адгезии DNAM-1. Иммунитет 11, 615–623. DOI: 10.1016 / S1074-7613 (00) 80136-3

CrossRef Полный текст | Google Scholar

Сибуя, К., Шибата, К., Тахара-Ханаока, С., и Сибуя, А. (2006). Комментарий: «CD226 специфически экспрессируется на поверхности клеток Th2 и регулирует их размножение и эффекторные функции». J. Immunol. 176: 3885.

Google Scholar

Сибуя, К., Сиракава, Дж., Камеяма, Т., Син-Ичиро, Х., Тахара-Ханаока, С., Миямото, А. и др. (2003). CD226 (DNAM-1) участвует в костимулирующем сигнале антигена 1, ассоциированном с функцией лимфоцитов, для дифференцировки и пролиферации наивных Т-клеток. J. Exp. Med. 198, 1829–1839. DOI: 10.1084 / jem.20030958

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Шу-Бин, Ф., Хун-Ю, З., Конг, В., Би-Синь, Х., Сяо-Цин, Л., Сян-Ци, М., и др. (2020). Небольшие внеклеточные везикулы, происходящие из мезенхимальных стромальных клеток человека, предотвращают врожденное доминантное лимфоидными клетками аллергическое воспаление дыхательных путей группы 2 посредством доставки miR-146a-5p. J. Extracell. Вес. 9: 1723260. DOI: 10.1080 / 20013078.2020.1723260

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Смит, Д.Дж., Планьол, В., Уокер, Н. М., Купер, Дж. Д., Даунс, К., Янг, Дж. Х. М. и др. (2008). Общие и различные генетические варианты при диабете 1 типа и целиакии. N. Engl. J. Med. 359, 2767–2777. DOI: 10.1056 / NEJMoa0807917

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Смит, Дж., Кретни, Э., Келли, Дж., Вествуд, Дж., Стрит, С., Ягита, Х. и др. (2005). Активация цитотоксичности NK-клеток. Mol. Иммунол. 42, 501–510. DOI: 10.1016 / j.молимм.2004.07.034

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Стегманн, К.А., Бьёркстрём, Н.К., Цизек, С., Лунеманн, С., Ярошевич, Дж., Виганд, Дж. И др. (2012). Стимулированные интерфероном α естественные клетки-киллеры от пациентов с острой инфекцией вируса гепатита С (ВГС) распознают инфицированные ВГС и неинфицированные клетки гепатомы через вспомогательную молекулу-1 ДНКХ. J. Infect. Дис. 205, 1351–1362. DOI: 10.1093 / infdis / jis210

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Суцзюань, Ю., Chichu, X., Ye, C., Julie, W., Xiaoqing, C., Zhengqi, L., et al. (2019). Различная роль TNFα-TNFR1 и TNFα-TNFR2 в дифференцировке и функции CD4 + Foxp3 + индуцированных treg-клеток in vitro и на периферии in vivo при аутоиммунных заболеваниях. Cell Death Dis. 10:27. DOI: 10.1038 / s41419-018-1266-6

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Суджуан Ю., Джули В., Дэвид Д. Б. и Сон Го З. (2018). Роль сигнала рецептора 2 TNF-TNF в регуляторных Т-клетках и его терапевтическое значение. Фронт. Иммунол. 9: 784. DOI: 10.3389 / fimmu.2018.00784

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Сутавани Р. В., Брэдли Р. Г., Рэймидж Дж. М., Джексон А. М., Даррант Л. Г. и Спендлов И. (2013). Костимуляция CD55 индуцирует дифференцировку дискретной популяции Т-регуляторных клеток 1-го типа со стабильным фенотипом. J. Immunol. 191, 5895–5903. DOI: 10.4049 / jimmunol.1301458

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Тахара-Ханаока, С., Миямото А. и Хара А. (2005). Идентификация и характеристика мышиного DNAM-1 (CD226) и его лигандов семейства рецепторов полиовируса. Biochem. Биофиз. Res. Commun. 329, 996–1000. DOI: 10.1016 / j.bbrc.2005.02.067

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Тахара-Ханаока, С., Сибуя, К., Онода, Ю., Хуа, З., Сатоши, Ю., Акитомо, М., и др. (2004). Функциональная характеристика взаимодействия DNAM-1 (CD226) с его лигандами PVR (CD155) и нектином-2 (PRR-2 / CD112). Внутр. Иммунол. 16, 533–538. DOI: 10.1093 / intimm / dxh059

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Tauriainen, J., Scharf, L., Frederiksen, J., Naji, A., Ljunggren, H.-G., Sönnerborg, A., et al. (2017). Нарушение оси TIGIT / CD226 / PVR CD8 + Т-клеток, несмотря на раннее начало антиретровирусной терапии у ВИЧ-инфицированных лиц. Sci. Отчет 7: 40354. DOI: 10.1038 / srep40354

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Тодд, Дж.А., Уокер, Н. М., Купер, Дж. Д., Смит, Д. Дж., И Клейтон, Д. Г. (2007). Устойчивые ассоциации четырех новых областей хромосом из полногеномного анализа диабета 1 типа. Nat. Genet. 39, 857–864. DOI: 10,1038 / ng2068

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Верховен, Д. Х. Дж., Хоуг, А. С., Моиман, Э. К. К., Сантос, С. Дж., Дам, М. М., Гелдерблом, Х. и др. (2008). NK-клетки распознают и лизируют клетки саркомы Юинга через пути, зависимые от рецепторов NKG2D и DNAM-1. Mol. Иммунол. 45, 3917–3925. DOI: 10.1016 / j.molimm.2008.06.016

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Wang, L., Zhang, W., Wu, D.-A., Chen, C., Xu, Q.-Z., Zhao, B., et al. (2009). Молекулярное клонирование, характеристика и трехмерное моделирование нектина-2 / CD112 свиньи. Вет. Иммунол. Immunopathol. 132, 257–263. DOI: 10.1016 / j.vetimm.2009.05.008

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Weishan, H., Солоуки, С., Койласс, Н., Сон Го, З. (2017). Передача сигналов ITK через путь Ras / IRF4 регулирует развитие и функцию клеток Tr1. Nat. Commun. 8: 15871. DOI: 10.1038 / ncomms15871

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Венру, С., Хуйминь, Ф., Маоген, К., Джули, В., Дэвид, Б., Сяошунь, Х. и др. (2012). Индуцированные CD4 + позитивные к белку вилочного бокса Т-клетки подавляют функцию тучных клеток и вызывают контактную гиперчувствительность через TGF-β1. J. Allergy Clin. Иммунол. 130, 444–452. DOI: 10.1016 / j.jaci.2012.05.011

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Венру, С., Цянь, В., Лунхуэй, Х., Цзинвэнь, Х., Сяоцин, К., Гуйхуа, К., и др. (2014). Доксициклин оказывает множественное противоаллергическое действие, уменьшая мышечный аллергический конъюнктивит и системную анафилаксию. Biochem. Pharmacol. 91, 359–368. DOI: 10.1016 / j.bcp.2014.08.001

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Венру, С., Qian, W., Longhui, H., Jingwen, H., Xiaoqing, C., Guihua, C., et al. (2015). Культуральная среда из мезенхимальных стволовых клеток, стимулированных TNF-α, ослабляет аллергический конъюнктивит с помощью множества противоаллергических механизмов. J. Allergy Clin. Иммунол. 136, 423–432. DOI: 10.1016 / j.jaci.2014.12.1926

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Xiangnan, D., Almeida, P. D., Manieri, N., Nagata, D. T., and Wu, B. (2018). CD226 регулирует противоопухолевые ответы естественных клеток-киллеров посредством инактивации фактора транскрипции FOXO1, опосредованной фосфорилированием. Proc. Natl. Акад. Sci.U.S.A. 115, E11731 – E11740. DOI: 10.1073 / pnas.1814052115

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Xiaojun, H., Ping, Q., Yibing, C., Xingchun, Z., Yousheng, W., Fange, L., et al. (2014). Низкая экспрессия CD112 связана с плохой общей выживаемостью у пациентов с гепатоцеллюлярной карциномой. Хум. Патол. 45, 1944–1950. DOI: 10.1016 / j.humpath.2014.06.001

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Синьхай, З., Демин, Л., Вейминг, О. (2002). Клонирование гена и гетероморфизм мышиного CD226 (PTA1). Подбородок. J. Immunol. 6, 371–375.

Google Scholar

Ya, L., Qin, L., Ling, L., Maogen, C., Zanxian, X., Jilin, M., et al. (2014). Фенотипическая и функциональная характеристика вновь идентифицированных CD8 + Foxp3-CD103 + регуляторных Т-клеток. J. Mol. Cell Biol. 6, 81–92. DOI: 10.1093 / jmcb / mjt026

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Ян, Л., Chengbin, W., Changsheng, X., Xiaoxu, L., Chunhong, F., Xiaotao, Z., et al. (2020). Восстановление CD226-TIGIT + FoxP3 + и CD226-TIGIT-FoxP3 + регуляторных Т-клеток способствует клинической ремиссии из активной стадии у пациентов с язвенным колитом. Immunol. Lett. 218, 30–39. DOI: 10.1016 / j.imlet.2019.12.007

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Ян Л. и Сун Го З. (2016). Зал славы провоспалительных цитокинов: ген интерлейкина-6 и механизмы его регуляции транскрипции. Фронт. Иммунол. 7: 604. DOI: 10.3389 / fimmu.2016.00604

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Yaoyao, Z., Siqi, X., Youjun, X., Qian, Q., Maohua, S., Jingnan, W., et al. (2018). Длинная некодирующая РНК LERFS отрицательно регулирует ревматоидную синовиальную агрессию и пролиферацию. J. Clin. Вкладывать деньги. 128, 4510–4524. DOI: 10.1172 / JCI97965

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Инь, X., Tingting, L., Zhuo, W., Meichen, M., Jie, L., Zining, Z., et al. (2018). Экспрессия ингибирующего рецептора TIGIT повышается специфически на NK-клетках с помощью рецептора, активирующего CD226, у ВИЧ-инфицированных людей. Фронт. Иммунол. 9: 2341. DOI: 10.3389 / fimmu.2018.02341

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Чжэн, С. Г., Мэн, Л., Ван, Дж. Х., Ватанабе, М., Барр, М. Л., Крамер, Д. В. и др. (2006). Перенос регуляторных Т-клеток, генерированных ex vivo, изменяет отторжение трансплантата за счет индукции толерогенных CD4 + CD25 + клеток у реципиента. Внутр. Иммунол. 18, 279–289. DOI: 10.1093 / intimm / dxh468

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Zhuo, W., Tong, W., Meichen, M., Zining, Z., Yajing, F., Jing, L., et al. (2017). Повышенный уровень интерферон-гамма-индуцированного белка 10 и его рецептора CXCR3 нарушает функцию NK-клеток во время ВИЧ-инфекции. J. Leukoc. Биол. 102, 163–170. DOI: 10.1189 / jlb.5A1016-444R

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

PVR - Предшественник рецептора полиовируса - Homo sapiens (Human)

В этом подразделе раздела "Последовательность" описывается последовательность встречающейся в природе альтернативной изоформы (ов) белка.Изменения в аминокислотной последовательности могут быть связаны с альтернативным сплайсингом, использованием альтернативного промотора, альтернативной инициацией или рибосомным сдвигом рамки.

Подробнее ...

Альтернативная последовательность i VSP_002618
331 E → G в изоформе гамма. 1 Альтернативная последовательность i VSP_002617 340 - 384 Отсутствует в изоформе Beta.

Информация, подобранная вручную, основанная на утверждениях в научных статьях, для которых нет экспериментальной поддержки.

Дополнительно ...

Ручное утверждение, основанное на мнении в i

  • «Полное секвенирование и характеристика 21 243 полноразмерных кДНК человека».
    Ота Т., Судзуки Ю., Нисикава Т., Оцуки Т., Сугияма Т., Ирие Р., Вакамацу А., Хаяси К., Сато Х., Нагаи К., Кимура К., Макита Х., Секин М., Обаяси М., Ниси Т., Шибахара Т., Танака Т., Ishii S., Yamamoto J., Saito K., Kawai Y., Isono Y., Nakamura Y., Nagahari K., Murakami K., Yasuda T., Iwayanagi T., Wagatsuma M., Shiratori A., Sudo Х., Хосойри Т., Каку Ю., Кодаира Х., Кондо Х., Сугавара М., Такахаши М., Канда К., Йокои Т., Фуруя Т., Киккава Э., Омура Ю., Абе К. , Камихара К., Кацута Н., Сато К., Таникава М., Ямадзаки М., Ниномия К., Исибаши Т., Ямасита Х., Муракава К., Фудзимори К., Танай Х., Кимата М., Ватанабэ М., Хираока С., Чиба Ю., Исида С., Оно Ю., Такигучи С., Ватанабэ С., Йосида М., Хотута Т., Кусано Дж., Канехори К., Такахаши-Фуджи А., Хара Х., Танасе Т.-О., Номура Ю., Тогия С., Комай Ф., Хара Р., Такеучи К., Арита М., Имосе Н., Мусасино К., Юки Х., Осима А., Сасаки Н., Аотсука С., Йошикава Ю., Мацунава Х., Итихара Т., Шиохата Н. ., Сано С., Мория С., Момияма Х., Сато Н., Таками С., Терашима Ю., Судзуки О., Накагава С., Сено А., Мидзогути Х., Гото Ю., Симидзу Ф., Вакебе Х., Хисигаки Х., Ватанабэ Т., Сугияма А., Такемото М., Каваками Б., Ямазаки М., Ватанабе К., Кумагаи А., Итакура С., Фукузуми Ю., Фудзимори Ю., Комияма М., Таширо Х., Танигами А., Фудзивара Т., Оно Т., Ямада К., Фуджи Y., Ozaki K., Hirao M., Ohmori Y., Kawabata A., Hikiji T., Kobatake N., Inagaki H., Ikema Y., Okamoto S., Okitani R., Kawakami T., Noguchi S. , Ито Т., Шигета К., Сенба Т., Мацумура К., Накадзима Ю., Мидзуно Т., Моринага М., Сасаки М., Тогаши Т., Ояма М., Хата Х., Ватанабэ М., Комацу Т., Мидзусима-Сугано Дж., Сато Т., Шираи Ю., Такахаши Ю., Накагава К., Окумура К., Нагасе Т., Номура Н., Кикучи Х., Масухо Ю., Ямасита Р., Накай К., Яда Т., Накамура Ю., Охара О., Исогай Т., Сугано С.
    Нат . Genet. 36: 40-45 (2004) [PubMed] [Europe PMC] [Реферат]

    Цитируется для: ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОСТЬ НУКЛЕОТИДОВ [БОЛЬШОЙ МАСШТАБ МРНК] (ISOFORM BETA).

Добавить BLAST
45

% PDF-1.4 % 579 0 obj> эндобдж xref 579 207 0000000016 00000 н. 0000005487 00000 н. 0000005660 00000 п. 0000005686 00000 н. 0000005757 00000 н. 0000005814 00000 н. 0000006175 00000 н. 0000006357 00000 н. 0000006539 00000 н. 0000006721 00000 н. 0000006903 00000 н. 0000007085 00000 н. 0000007244 00000 н. 0000007384 00000 п. 0000007553 00000 н. 0000007709 00000 н. 0000007855 00000 п. 0000008003 00000 н. 0000008153 00000 н. 0000008330 00000 н. 0000008507 00000 н. 0000008663 00000 н. 0000008824 00000 н. 0000009037 00000 н. 0000009116 00000 п. 0000009194 00000 п. 0000009274 00000 н. 0000009353 00000 п. 0000009432 00000 н. 0000009510 00000 п. 0000009589 00000 н. 0000009667 00000 н. 0000009746 00000 н. 0000009826 00000 н. 0000009906 00000 н. 0000009986 00000 н. 0000010066 00000 п. 0000010146 00000 п. 0000010226 00000 п. 0000010304 00000 п. 0000010383 00000 п. 0000010461 00000 п. 0000010540 00000 п. 0000010620 00000 п. 0000010699 00000 п. 0000010777 00000 п. 0000010857 00000 п. 0000010936 00000 п. 0000011014 00000 п. 0000011094 00000 п. 0000011173 00000 п. 0000011251 00000 п. 0000011331 00000 п. 0000011410 00000 п. 0000011488 00000 п. 0000011568 00000 п. 0000011647 00000 п. 0000011725 00000 п. 0000011805 00000 п. 0000011884 00000 п. 0000011962 00000 п. 0000012042 00000 п. 0000012121 00000 п. 0000012199 00000 п. 0000012279 00000 п. 0000012358 00000 п. 0000012436 00000 п. 0000012516 00000 п. 0000012595 00000 п. 0000012673 00000 п. 0000012753 00000 п. 0000012832 00000 п. 0000012910 00000 п. 0000012990 00000 п. 0000013069 00000 п. 0000013147 00000 п. 0000013227 00000 н. 0000013306 00000 п. 0000013384 00000 п. 0000013464 00000 п. 0000013543 00000 п. 0000013621 00000 п. 0000013701 00000 п. 0000013780 00000 п. 0000013858 00000 п. 0000013938 00000 п. 0000014017 00000 п. 0000014095 00000 п. 0000014175 00000 п. 0000014254 00000 п. 0000014332 00000 п. 0000014412 00000 п. 0000014491 00000 п. 0000014569 00000 п. 0000014648 00000 п. 0000014727 00000 п. 0000014806 00000 п. 0000014884 00000 п. 0000014963 00000 п. 0000015042 00000 п. 0000015122 00000 п. 0000015200 00000 н. 0000015278 00000 п. 0000015356 00000 п. 0000015433 00000 п. 0000015511 00000 п. 0000015590 00000 п. 0000015667 00000 п. 0000015745 00000 п. 0000015822 00000 п. 0000015899 00000 п. 0000015977 00000 п. 0000016053 00000 п. 0000016131 00000 п. 0000016209 00000 п. 0000016554 00000 п. 0000017001 00000 п. 0000017165 00000 п. 0000017568 00000 п. 0000017763 00000 п. 0000018220 00000 н. 0000018393 00000 п. 0000018592 00000 п. 0000019175 00000 п. 0000019352 00000 п. 0000019809 00000 п. 0000020199 00000 п. 0000020400 00000 п. 0000020694 00000 п. 0000021110 00000 п. 0000021178 00000 п. 0000021376 00000 п. 0000021754 00000 п. 0000021856 00000 п. 0000024615 00000 п. 0000024846 00000 п. 0000025019 00000 п. 0000027628 00000 п. 0000027792 00000 п. 0000028164 00000 п. 0000028332 00000 п. 0000030710 00000 п. 0000032863 00000 н. 0000035152 00000 п. 0000037432 00000 п. 0000039581 00000 п. 0000041658 00000 п. 0000044668 00000 п. 0000048121 00000 п. 0000048498 00000 п. 0000048847 00000 н. 0000052627 00000 п. 0000053127 00000 п. 0000053235 00000 п. 0000053577 00000 п. 0000053780 00000 п. 0000054131 00000 п. 0000054329 00000 п. 0000057012 00000 п. 0000057320 00000 п. 0000057758 00000 п. 0000057981 00000 п. 0000058373 00000 п. 0000058568 00000 п. 0000058852 00000 п. 0000058910 00000 п. 0000059365 00000 п. 0000059608 00000 п. 0000061390 00000 н. 0000061648 00000 п. 0000062134 00000 п. 0000062258 00000 п. 0000073302 00000 п. 0000073340 00000 п. 0000073819 00000 п. 0000073933 00000 п. 0000120422 00000 н. 0000120460 00000 н. 0000120934 00000 н. 0000121046 00000 н. 0000175370 00000 н. 0000175408 00000 н. 0000175509 00000 н. 0000175565 00000 н. 0000176001 00000 н. 0000176097 00000 н. 0000176217 00000 н. 0000176372 00000 н. 0000176515 00000 н. 0000176614 00000 н. 0000176739 00000 н. 0000176856 00000 н. 0000176995 00000 н. 0000177100 00000 н. 0000177235 00000 н. 0000177449 ​​00000 н. 0000177661 00000 н. 0000177824 00000 н. 0000177934 00000 п. 0000178050 00000 н. 0000178261 00000 н. 0000178440 00000 н. 0000178615 00000 н. 0000178776 00000 н. 0000178911 00000 н. 0000179112 00000 н. 0000004436 00000 н. трейлер ] >> startxref 0 %% EOF 785 0 obj> поток xTmlSU ~] e + [: 6QBq2VE'hA: uN @ CkdAuq1G0 [qvcXk; 0`͏ D ϽÏzys0P ( 'mQNjU @ y Ջ i: k + 6Wixc] (> 4? Yu ~ \ PE: sni "} no-FM {& GE ܞ / Ca¾8 | - / = + Wo) & Οѳx4Ȩ1] LDW / b {×.pCtKm [_P5Uoyι} ų3 * ԆT Wy @ZpvQ pcEO \ + R_fkSpvn ْ NQkF $ I & JL & 9; k $ 1Ͱu6b9m VoIQi4yo: geC6 티 TXJ [G! * (C) dӧm- / KL-i.gRB8 & $ p) B & {MT t $;) # pejV | 0XY! BhDg. \ ︊I2 "Ժ mtf, * T = (h [a6ƄSdё" fC4f4IQ ]> Pos / `NtBϼRz% sVS |% TG & $ GVQiamL + (Стандартные цветовые коды конденсаторов Oe

| Напряжение на конденсаторе

) В предыдущих уроках мы видели, что такое емкость и заряд? В этом уроке мы узнаем как прочитать значение конденсатора ?. Для некоторых приложений необходимо знать допуски и значения напряжения конденсатора вместе с емкостью.Все эти параметры представлены на корпусе конденсатора.

Различные типы конденсаторов имеют разные способы представления значений емкости. Конденсаторы, такие как электролитические конденсаторы, неполяризованные конденсаторы, большие бумажные конденсаторы, заполненные маслом переменного тока, имеют емкость и напряжение, значения допусков указаны на корпусе с помощью цифр и букв. Значения некоторых конденсаторов представлены с помощью цветового кода. Давайте посмотрим, как считать значение емкости этими двумя методами.

Как прочитать значение конденсатора, написанное на конденсаторах ??

Давайте посмотрим, как читать значения конденсаторов с помощью цифр и букв.Наряду с емкостью другие значения, такие как допуск и напряжение, были написаны на самом конденсаторе, если там достаточно места. Но для небольших конденсаторов, таких как керамические конденсаторы, поскольку места недостаточно, значения конденсаторов представлены в сокращенном виде.

Считывание значений емкости конденсатора большой емкости (цилиндрические конденсаторы)

Для конденсаторов большой емкости обычно значение емкости записывается на стороне конденсатора.

  • На рисунке выше показан конденсатор емкостью 22 мкФ.Значение емкости выражается в фарадах (F или FD).
  • Вот единицы измерения, используемые для представления емкости конденсатора. Микрофарад (мкФ, мкФ, мФ (или) МП), Нанофарад (нФ), Пикофарад (пФ).
мкФ (или) MF (или) мФ Микрофарад 10 -6
nF

317

nF

18
9108
пФ (или) ммФ (или) мкФ Пикофарад 10 -12
  • 18 номинальное напряжение указывает максимальное значение напряжения конденсатор справится.Номинальное напряжение на конденсаторе обозначается как V, VDC и VDCW.
  • VAC означает, что конденсатор предназначен для цепи переменного тока.
  • Следует отметить, что конденсаторы постоянного тока не должны использоваться для переменного тока, если у вас нет надлежащих знаний для использования этого конденсатора. На некоторых конденсаторах напряжения представлены кодами, а не значениями.
  • Допуск Значение указывается с помощью символа% перед числом. Значение допуска представляет собой изменение значения емкости.
Считывание значений емкости малых конденсаторов (керамических конденсаторов)

Керамические конденсаторы имеют очень маленькую область для печати значения емкости.Таким образом, емкость этих конденсаторов представлена ​​сокращенными обозначениями. Давайте посмотрим, как рассчитать эти значения. Обычно емкость керамических, танталовых, пленочных конденсаторов выражается в пикофарадах.

Шаг 1: Если конденсатор имеет два числовых значения.

  • Если обозначение конденсатора состоит из 2 цифр и буквы (например, 22M), тогда значение емкости равно 22.
    Некоторые конденсаторы имеют буквы во второй позиции и числовое значение в первой позиции.
    Пример: 5R2 = 5,2PF.
  • Если вместо R присутствуют такие буквы, как p, n, u, то они представляют единицы емкости.
    Пример: 4n1 = 4,1 нФ, p45 = 0,45 пФ

Шаг 2: Некоторые из них имеют три числовых значения.

  • Конденсатор, показанный выше, имеет обозначение 104.
  • Емкость рассчитывается как 10x 104 = 105pf = 0,1 мкФ
  • Если третья цифра находится в диапазоне от 0 до 6, выполните описанную выше процедуру.
  • Если это 8, умножьте его на 0.01. например, 158 = 15 × 0,01 = 0,15 пФ
  • Если это 9, умножьте его на 0,1. Например, 159 = 15 × 0,1 = 1,5 пФ
Допуск

Значение допуска для этих конденсаторов представлено с использованием одиночного буква.Каждая буква имеет значение.

16
A ± 0,05 пФ
B ± 0,1 пФ
C

18
3 9018 7 9103 ± 0.5 пФ
E ± 0,5%
F ± 1%
G

310

7 H ± 3%
J ± 5%
K ± 10% 18 8 7 2
M ± 20%
N ± 30%
P
% S –20%, + 50%
W –0%, + 200%
X – + 40%
Z –20%, + 80%
Калькулятор значения емкости
  • Цветовая кодировка конденсаторов - устаревшая техника.Но некоторые из этих конденсаторов все еще используются. Итак, давайте посмотрим, как рассчитать значение емкости и номинального напряжения, если они представлены с использованием цветовой кодировки.
  • Обычно цветовые коды обозначаются точками или полосами. Для слюдяных конденсаторов цветовая кодировка показана точками, а для трубчатых конденсаторов - полосами. Количество точек или полос на конденсаторе может отличаться друг от друга.

В двух таблицах ниже показаны значения цветов, указанных на конденсаторах.

Емкость Таблица цветовых кодов
Полоса Цифра Цифра Множитель Допуск

10
7 9103 916 9103 916 916 9103 B D (T)> 10pf (T) <10pf
Черный A 0 x1 ± 20% ± 2.0pF
Коричневый 1 1 x10 ± 1% ± 0,1pF
Красный 2 016 .0pF
2 0 2 0 2 ± 0,25 пФ
Оранжевый 3 3 x1000 ± 3%
Желтый 4 4 9103 4
Зеленый 5 5 x100,000 ± 5% ± 0.5pF
Синий 6 6 x1,000,000
Фиолетовый 7 10 9108 916 10 10 10 10 10
8 8 x0.01 +80, -20%
Белый 9 9 x0.1 ± 10% ± 10%
Золото x0,1 ± 5%
Серебро 16
9103 9103 9103 9103 9103 9103 9103 9103 9103 9108
Напряжение конденсатора Цветовой код

0

0 9103 9103

0

0 9103 9103

0 9103

0 9103

0 35

Цвет Тип Тип K Тип L Тип M 9018 100 - 10 10
Коричневый 6 200 100 1.6 -
Красный 10 300 250 4 35
Оранжевый 15 10 10 400 10
Желтый 20 500 400 6,3 6
Зеленый 25 600 700 630 - 20
Фиолетовый 50 800 - - -
97
-
3 9108 9103 9108 - 910 83 -
25 25
Белый 3 1000 2.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *