Кд503. КД503А: характеристики и применение кремниевого эпитаксиально-планарного диода

Каковы основные параметры и характеристики диода КД503А. Где применяется данный тип диодов. Как проводится экспериментальное исследование КД503А. Какие преимущества имеет КД503А по сравнению с германиевыми диодами.

Содержание

Основные параметры и характеристики диода КД503А

КД503А — это кремниевый эпитаксиально-планарный диод, обладающий рядом важных характеристик:

Постоянное прямое напряжение: 0,72-1,0 В при прямом токе 10 мА
Импульсное прямое напряжение: не более 1,75 В при импульсном прямом токе 50 мА
Постоянный обратный ток: не более 10 мкА при обратном напряжении 30 В и температуре 273-343 К
Общая емкость диода: 1,45-5 пФ при нулевом обратном напряжении
Максимальное постоянное обратное напряжение: 30 В
Максимальный постоянный прямой ток: 20 мА при 233-298 К, 15 мА при 343 К
Максимальный импульсный прямой ток: 200 мА при 233-258 К, 150 мА при 343 К (длительность импульса до 10 мкс)
Диапазон рабочих температур: 233-343 К

Эти параметры позволяют использовать КД503А в различных электронных схемах, где требуется надежное выпрямление тока при относительно небольших значениях напряжения и тока.

Области применения диода КД503А

Благодаря своим характеристикам, диод КД503А находит широкое применение в различных областях электроники:

Выпрямительные схемы для преобразования переменного тока в постоянный
Импульсные источники питания
Схемы защиты от перенапряжений
Детекторы радиосигналов
Ограничители амплитуды сигнала
Логические схемы
Схемы коммутации малых токов

Особенно эффективно применение КД503А в высокочастотных схемах благодаря малой емкости перехода и быстрому восстановлению обратного сопротивления.

Экспериментальное исследование характеристик КД503А

Для изучения свойств диода КД503А проводится ряд экспериментов:

Снятие вольт-амперной характеристики (ВАХ) в прямом и обратном направлении

Измерение прямого и обратного сопротивления диода
Определение емкости перехода при различных обратных напряжениях
Исследование температурных зависимостей параметров
Анализ быстродействия диода при импульсных сигналах

При проведении экспериментов важно соблюдать меры предосторожности, чтобы не превысить предельно допустимые значения тока и напряжения для диода КД503А.

Методика снятия вольт-амперной характеристики КД503А

Для снятия ВАХ диода КД503А используется следующая методика:

Собирается схема с регулируемым источником напряжения, амперметром и вольтметром
Для прямой ветви ВАХ напряжение плавно увеличивается от 0 до 1 В, фиксируются значения тока
Для обратной ветви напряжение изменяется от 0 до 30 В, измеряется обратный ток
По полученным данным строится график зависимости тока от напряжения
Анализируется форма ВАХ, определяются ключевые параметры диода

Преимущества КД503А по сравнению с германиевыми диодами

Кремниевый диод КД503А имеет ряд преимуществ перед германиевыми аналогами:

Меньший обратный ток утечки
Более высокое допустимое обратное напряжение
Лучшая температурная стабильность параметров
Более высокая рабочая температура
Меньшее прямое сопротивление при больших токах
Более резкий переход от закрытого состояния к открытому

Эти преимущества делают КД503А более предпочтительным выбором для многих современных электронных устройств, особенно работающих в сложных условиях эксплуатации.

Особенности технологии изготовления КД503А

КД503А изготавливается по эпитаксиально-планарной технологии, которая обеспечивает ряд преимуществ:

Высокая однородность параметров диодов в партии
Малая емкость p-n перехода

Хорошая устойчивость к радиации
Возможность создания сложных структур на одном кристалле
Высокая надежность и долговечность

Эпитаксиально-планарная технология позволяет получать диоды с оптимальным соотношением между прямым падением напряжения и обратным током утечки.

Сравнение КД503А с аналогичными диодами других производителей

КД503А имеет ряд отечественных и зарубежных аналогов. Рассмотрим его характеристики в сравнении с некоторыми из них:

Параметр	КД503А	1N4148	BAV19
Максимальное обратное напряжение	30 В	100 В	100 В
Максимальный прямой ток	20 мА	150 мА	215 мА
Прямое напряжение при 10 мА	0,72-1,0 В	<1 В	<1 В
Обратный ток при максимальном напряжении	<10 мкА	<25 нА	<25 нА

Как видно из сравнения, КД503А имеет более низкие предельные значения напряжения и тока, но при этом обеспечивает стабильные характеристики в своем рабочем диапазоне.

Диод КД503 | Радиодетали в приборах

Диоды и стабилитроны

09.06.2019

Arazbor

Диод КД503
Справочник содержания драгоценных металлов в радиодеталях основан на справочных данных различных организаций, занимающихся переработкой лома радиодеталей, паспортах устройств, формулярах и других открытых источников. Стоит отметить, что реальное содержание может отличатся на 20-30% в меньшую сторону.

Диоды могут содержать золото, серебро, платину и МПГ (Металлы платиновой группы, Платиновая группа, Платиновые металлы, Платиноиды, ЭПГ)

Содержание драгоценных металлов в диоде (стабилитроне):

КД503

Золото: 3.0E-5
Серебро: 0
Платина: 0
МПГ: 0
По данным: перечня Роскосмоса

Принцип действия диода

Диод — это полупроводниковый прибор, с односторонней проводимостью электрического тока: он хорошо пропускает через себя ток в одном направлении и очень плохо — в другом. Это основное свойство диода используется, в частности, для преобразования переменного тока в постоянный ток.

Типы диодов

Выпрямительные диоды. Выпрямительные диоды — самые распространенные полупроводниковые диоды, применяемые в выпрямителях — устройствах, преобразующих переменный ток промышленной частоты в постоянный. В выпрямительных диодах используются переходы с большой площадью для пропускания больших токов.
Стабилитроны. Предназначены для использования в схемах, обеспечивающих стабилизацию напряжений.
Варикапы. Зависимость емкости n-p -перехода от обратного напряжения используется в полупроводниковых диодах, называемых варикапами. Для варикапов характерна малая инерционность процесса изменения емкости.
Высокочастотные диоды.
Переключающие диоды. В ряде электронных схем полупроводниковый диод должен работать в режиме переключения, т.е. в одни периоды времени он оказывается смещенным в прямом направлении, а в другие — в обратном.
Диоды Шотки. В диодах этого типа используется контакт Шотки (контакт металл — полупроводник). Инжекция неосновных носителей в базу отсутствует, так как прямой ток образуется электронами, движущимися из кремния в металл. Накопление заряда в базе диода не происходит, и поэтому время переключения диода может быть существенно уменьшено (до значений порядка 100 пс).
Фотодиод (ФД) представляет собой диод с открытым p-n-переходом. Световой поток, падающий на открытый p-n-переход приводит к появлению в одной из областей дополнительных не основных носителей зарядов, в результате чего увеличивается обратный ток.
Светоизлучающие диоды (СИД) преобразуют электрическую энергию в световое излучение за счет рекомбинации электронов и дырок. В обычных диодах рекомбинация (объединение) электронов и дырок происходит с выделением тепла, т. е. без светового излучения.

Понравилось это:

Нравится Загрузка…

Tags: варикап, Диод, светодиод, стабилитрон

3. Методика и схема эксперимента

В работе исследуются кремниевый эпитаксиально-планарный диод типа КД503 и германиевый микросплавный диод ГД508.

Электрические параметры исследуемых диодов:

Таблица 3.1.

Параметр	КД503А	ГД508Б
Постоянное прямое напряжение при прямом токе 10мА, не более	0,72-1,0В	0,4-0,65В
Импульсное прямое напряжение, не более	1,75В при Iпри = 50мА	1,5В при Iпри = 50мА
Постоянный обратный ток, не более	10мкА при U обр=30В и T=273-343К	60мкА при Uобр=8В и T=298К
Общая емкость диода	1,45-5пФ, Uобр = 0	0,75пФ,Uобр =0,5В
Предельные эксплуатационные параметры
Постоянное (импульсное) обратное напряжение	30В	8(10)В
Постоянный или средний прямой ток	20мА при 233-298К 15 мА при 343К	10 мА
Импульсный прямой ток(без превышения среднего прямого тока) при tu<=10мкс	200мА при 233-258К 150мА при 34ЗК	30мА
Температура окружающей среды	233-243К	233-328К

Прямой ток диода при увеличении напряжения неограниченно возрастает, что может привести к тепловому пробою р-п перехода. Поэтому прямую ветвь ВАХ снимают в режиме заданного тока. Обратную ветвь диода снимают в режиме заданного напряжения. При экспериментальном исследовании диодов необходимо учитывать, что при прямом смещении сопротивление диода составляет единицы 0м, а при обратном — сотни килоОм. Поэтому схему подключения амперметра и вольтметра в каждом случае должна быть такой, чтобы обеспечить минимальную методическую погрешность, обусловленную собственным потреблением приборов. При измерении малых обратных токов использовать косвенный метод, измеряя падение напряжения на большом (сотни килоОм) резисторе, включенном последовательно с диодом. Исследуемые кремниевый и германиевый диоды, а также токоограничивающие резисторы расположены на лабораторном планшете. Схема эксперимента приведена на рис. 12.

Рис. 12. Схема эксперимента.

4.1. С помощью вольтметра определить полярности и диапазоны регулировки выходных напряжений источника питания.

4. 2. Собрать схему эксперимента (рис. 12). Снять зависимость обратного тока диодов от напряжения для диодов VD1 и VD2. Данные занести в таблицу 4.1.

Таблица 4.1.

Uобр,В		0,1	0,2	0,5	1	2	3	4	5	6	7	8	9	10
Iобр,мкА	VD1
Iобр,мкА	VD2

4. 3. Построить обратную ветвь ВАХ диодов VD1 и VD2 .Определить параметры эквивалентной схемы для VD1 и VD2 в обратном включении.

4.4. Задавая прямой ток диодов, снять зависимость прямых напряжений для VD1 и VD2. Для удобства регулировки тока использовать разные значения Rогр, начиная с максимального. Данные занести в таблицу 4.2.

Таблица 4.2.

Iпр,мА		0,05	0,1	0,2	0,5	1	2	3	4	5	6	7	8	9	10
Uпр,В	VD1
Uпр,В	VD2

4. 5. Построить в линейном масштабе прямую ветвь ВАХ диодов VD1 и VD2. Определить параметры эквивалентной схемы E_ПР и r_ПР для VD1 и VD2.

4.6. Построить в полулогарифмическом масштабе прямую ветвь ВАХ диодов VD1 и VD2. Нанести на график идеализированную прямую (см.рис. 9) и определить тепловые токи диодов I₀₁ и I₀₂.

4.7. Рассчитать значения дифференциального сопротивления r_ДИФ и сопротивления постоянному току Rд в соответствии с формулами (11) и (12). Воспользоваться значениями тепловых токов в соответствии с п.4.6. Данные расчета занести в таблицу 4.3.

Таблица 4.3

Iпр,мА		0,05	0,1	0,2	0,5	1	2	3	4	5	6	7	8	9	10
r_ДИФ, Ом	VD1
r_ДИФ, Ом	VD2
Rд, Ом	VD1
Rд, Ом	VD2

4. 8. Графо-аналитически определить (по результатам п.4.5) значения rдиф и Rд, для диодов VD1 и VD2. Результаты занести в таблицу, аналогичную таблице 4.3.

4.9. По результатам п. 4.7 и 4.8 построить зависимости rдиф и Rд диодов VD1 и VD2 от прямого тока и прямого напряжения.

Полная структура распределения Z1. Сообщение № KD503

Заявление о конфиденциальности сообщества SAP

Сообщество SAP обновляет свое Заявление о конфиденциальности, чтобы отразить свое постоянное обязательство обеспечивать прозрачность того, как SAP использует ваши личные данные. Прочтите новое Заявление о конфиденциальности здесь.

Заявление о конфиденциальности сообщества SAP

Поиск вопросов и ответов

Шубхам Кияват

22 июня 2012 г., 01:39ВЕЧЕРА

1610 просмотров

Уважаемые,

Я столкнулся с проблемой при расчете в CJ88.

Есть много предыдущих сообщений, которые я просмотрел, но я не получил особой помощи, поэтому публикую снова.

Messgar Ошибка:

Полная структура распределения Z1

Номер сообщения. KD503

Диагностика

Во время расчета система распределяет дебеты отправителя по группам (присвоениям), которые рассчитываются с использованием одного и того же вида расчетных затрат. Назначение расчета выполняется в структуре распределения, которая хранится в правиле расчета для отправителя (в параметрах расчета).
Вид затрат 92120030 не может быть присвоен присвоению расчетных затрат в структуре перерасчета Z1 и, следовательно, не может быть присвоен расчетному виду затрат.

Процедура

Ниже приведены возможные решения:

Если проводка по виду затрат 92120030 была выполнена отправителю из-за неправильного ввода, можно отменить проводку и не нужно обновлять структуру распределения. Вам нужно только отменить неправильно назначенную проводку, прежде чем повторять расчет. Исключение: для инвестиционного показателя с расчетом по отдельным позициям необходимо расширить структуру распределения даже после сторнирования.

Если проводка была сделана правильно, то можно сделать следующее:

a) Отправителю можно присвоить другую структуру перерасчета: в ведении основных данных для отправителя выберите «Правило расчета -> Перейти к -> Параметры расчета», а затем введите другую структуру перерасчета.

При необходимости также проверьте, правильно ли введена структура распределения в профиле расчета. Структура перерасчета устанавливается по умолчанию в профиле расчета при создании основных данных отправителя или при ведении правила расчета.

Вы можете обновить структуру распределения Z1

———————————————— ————————————————— —

Мой случай:

Мы выполняем расчет заказов на обслуживание (IW32) для сетевой деятельности с использованием внутреннего вида затрат (92120030) — Категория: 21 — Внутренний расчет

Это работает нормально.

Теперь правило расчета сетевой активности находится в WBS, затем WBS рассчитывается в МВЗ.

При выполнении расчета на WBS в CJ88 мы получаем эту ошибку.

Где именно проблема?

Спасибо

Шубхам

Полная структура распределения Z2 Номер сообщения. KD503

Здравствуйте, эксперты,

Я консультант FI и очень плохо знаком с CO, в процессе расчета заказа (KO88) я сталкиваюсь с ошибкой ниже.

пожалуйста, помогите мне выйти из этого

Полная структура распределения Z2 Номер сообщения. КД503

Диагностика

Вид затрат 620424 не может быть присвоен присвоению расчетных затрат в структуре перерасчета Z2 и, следовательно, не может быть присвоен расчетному виду затрат.

Процедура

Ниже приведены возможные решения:

Если проводка по виду затрат 620424 была выполнена отправителю из-за неправильного ввода, можно отменить проводку и не нужно обновлять структуру распределения. Вам нужно только отменить неправильно назначенную проводку, прежде чем повторять расчет. Исключение: для инвестиционного показателя с расчетом по отдельным позициям необходимо расширить структуру распределения даже после сторнирования.

Если проводка была сделана правильно, вы можете сделать следующее:

a) Отправителю можно присвоить другую структуру распределения: В ведении основных данных для отправителя выберите «Правило расчета -> Перейти к -> Параметры расчета», а затем введите другую структуру распределения.

При необходимости также проверьте, правильно ли введена структура распределения в профиле расчета. Структура перерасчета устанавливается по умолчанию в профиле расчета при создании основных данных отправителя или при ведении правила расчета.