Коэффициент передачи транзистора: Статические и дифференциальные параметры транзисторов

Коэффициент передачи тока транзистора

В цепи базы включается управляющий источник тока, с помощью которого через вывод в базу вводятся электроны. Покажем, что при изменении тока базы будет изменяться ток коллектора фактически сопротивление коллекторного перехода. При введении в базу электронов в ней появляется электрическое поле, которое понижает оба потенциальных барьера. В активном режиме понижение высоты коллекторного барьера не приводит к заметным изменениям его высоты, так как коллекторное напряжение весьма велико по сравнению с этим изменением. Понижение эмиттерного барьера вызывает инжекцию дырок из эмиттерного перехода в количестве равном числу введённых в базу электронов. В результате база остаётся электрически нейтральной.

Поиск данных по Вашему запросу:

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.

Содержание:

• 17.5. Коэффициент передачи тока эмиттера биполярного транзистора в схеме с об
• Статические и дифференциальные параметры транзисторов
• Коэффициент передачи тока базы биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
• 17.5. Коэффициент передачи тока эмиттера биполярного транзистора в схеме с об
• Коэффициент усиления транзистора
• Биполярный транзистор
• Электроника: Методические указания к выполнению лабораторных и практических работ
• Транзисторная сборка КТ9156БС
• 17.
  5. Коэффициент передачи тока эмиттера биполярного транзистора в схеме с об

ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: КАК измерять КОЭФФИЦИЕНТ передачи ТОКА транзистора

17.5. Коэффициент передачи тока эмиттера биполярного транзистора в схеме с об

Войдите , пожалуйста. Хабр Geektimes Тостер Мой круг Фрилансим. Войти Регистрация. Биполярные транзисторы. For dummies Электроника для начинающих Предисловие Поскольку тема транзисторов весьма и весьма обширна, то посвященных им статей будет две: отдельно о биполярных и отдельно о полевых транзисторах. Транзистор, как и диод, основан на явлении p-n перехода. Желающие могут освежить в памяти физику протекающих в нем процессов здесь или здесь. Необходимые пояснения даны, переходим к сути.

Определение и история Транзистор — электронный полупроводниковый прибор, в котором ток в цепи двух электродов управляется третьим электродом.

И это была, без преувеличения, революция в электронике. Очень быстро транзисторы заменили вакуумные лампы в различных электронных устройствах.

В связи с этим возросла надежность таких устройств и намного уменьшились их размеры. Только очень маленьких. Если отвлечься от физики процессов, то современный транзистор тоже можно представить как сопротивление, зависящее от подаваемого на него сигнала. В чем же отличие между полевыми и биполярными транзисторами? Ответ заложен в самих их названиях.

А в полевом он же униполярный — или электроны, или дырки. Также эти типы транзисторов разнятся по областям применения. Биполярные используются в основном в аналоговой технике, а полевые — в цифровой. И, напоследок: основная область применения любых транзисторов — усиление слабого сигнала за счет дополнительного источника питания.

Биполярный транзистор. Принцип работы. Основные характеристики Биполярный транзистор состоит из трех областей: эмиттера, базы и коллектора, на каждую из которых подается напряжение.

В зависимости от типа проводимости этих областей, выделяют n-p-n и p-n-p транзисторы. Обычно область коллектора шире, чем эмиттера.

Базу изготавливают из слаболегированного полупроводника из-за чего она имеет большое сопротивление и делают очень тонкой. Поскольку площадь контакта эмиттер-база получается значительно меньше площади контакта база-коллектор, то поменять эмиттер и коллектор местами с помощью смены полярности подключения нельзя. Таким образом, транзистор относится к несимметричным устройствам. Прежде, чем рассматривать физику работы транзистора, обрисуем общую задачу.

Она заключаются в следующем: между эмиттером и коллектором течет сильный ток ток коллектора , а между эмиттером и базой — слабый управляющий ток ток базы. Ток коллектора будет меняться в зависимости от изменения тока базы. Рассмотрим p-n переходы транзистора. Их два: эмиттер-база ЭБ и база-коллектор БК. В активном режиме работы транзистора первый из них подключается с прямым, а второй — с обратным смещениями.

Что же при этом происходит на p-n переходах? Для большей определенности будем рассматривать n-p-n транзистор. Там они частично рекомбинируют с дырками, но б о льшая их часть из-за малой толщины базы и ее слабой легированности успевает добежать до перехода база-коллектор. Который, как мы помним, включен с обратным смещением. А поскольку в базе электроны — неосновные носители заряда, то электирическое поле перехода помогает им преодолеть его. Таким образом, ток коллетора получается лишь немного меньше тока эмиттера.

А теперь следите за руками. Если увеличить ток базы, то переход ЭБ откроется сильнее, и между эмиттером и коллектором сможет проскочить больше электронов.

А поскольку ток коллектора изначально больше тока базы, то это изменение будет весьма и весьма заметно. Таким образом, произойдет усиление слабого сигнала, поступившего на базу. Еще раз: сильное изменение тока коллектора является пропорциональным отражением слабого изменения тока базы. Помню, моей одногрупнице принцип работы биполярного транзистора объясняли на примере водопроводного крана. Вода в нем — ток коллектора, а управляющий ток базы — то, насколько мы поворачиваем ручку.

Достаточно небольшого усилия управляющего воздействия , чтобы поток воды из крана увеличился. Помимо рассмотренных процессов, на p-n переходах транзистора может происходить еще ряд явлений. Например, при сильном увеличении напряжения на переходе база-коллектор может начаться лавинное размножение заряда из-за ударной ионизации.

А вкупе с туннельным эффектом это даст сначала электрический, а затем с возрастанием тока и тепловой пробой. Однако, тепловой пробой в транзисторе может наступить и без электрического то есть без повышения коллекторного напряжения до пробивного. Для этого будет достаточно одного чрезмерного тока через коллектор. Еще одно явления связано с тем, что при изменении напряжений на коллекторном и эмиттерном переходах меняется их толщина.

При этом область базы исчезает, и транзистор перестает нормально работать. Коллекторный ток транзистора в нормальном активном режиме работы транзистора больше тока базы в определенное число раз.

Это число называется коэффициентом усиления по току и является одним из основных параметров транзистора. Обозначается оно h Если транзистор включается без нагрузки на коллектор, то при постоянном напряжении коллектор-эмиттер отношение тока коллектора к току базы даст статический коэффициент усиления по току.

Он может равняться десяткам или сотням единиц, но стоит учитывать тот факт, что в реальных схемах этот коэффициент меньше из-за того, что при включении нагрузки ток коллектора закономерно уменьшается. Вторым немаловажным параметром является входное сопротивление транзистора. Согласно закону Ома, оно представляет собой отношение напряжения между базой и эмиттером к управляющему току базы. Чем оно больше, тем меньше ток базы и тем выше коэффициент усиления. Третий параметр биполярного транзистора — коэффициент усиления по напряжению.

Он равен отношению амплитудных или действующих значений выходного эмиттер-коллектор и входного база-эмиттер переменных напряжений. Поскольку первая величина обычно очень большая единицы и десятки вольт , а вторая — очень маленькая десятые доли вольт , то этот коэффициент может достигать десятков тысяч единиц.

Стоит отметить, что каждый управляющий сигнал базы имеет свой коэффициент усиления по напряжению. Также транзисторы имеют частотную характеристику , которая характеризует способность транзистора усиливать сигнал, частота которого приближается к граничной частоте усиления.

Дело в том, что с увеличением частоты входного сигнала коэффициент усиления снижается. Это происходит из-за того, что время протекания основных физических процессов время перемещения носителей от эмиттера к коллектору, заряд и разряд барьерных емкостных переходов становится соизмеримым с периодом изменения входного сигнала.

Частота, на которой это происходит, и называется граничной. Также параметрами биполярного транзистора являются: обратный ток коллектор-эмиттер время включения обратный ток колектора максимально допустимый ток Условные обозначения n-p-n и p-n-p транзисторов отличаются только направлением стрелочки, обозначающей эмиттер.

Она показывает то, как течет ток в данном транзисторе. Режимы работы биполярного транзистора Рассмотренный выше вариант представляет собой нормальный активный режим работы транзистора. Инверсный активный режим. Здесь открыт переход БК, а ЭБ наоборот закрыт. Усилительные свойства в этом режиме, естественно, хуже некуда, поэтому транзисторы в этом режиме используются очень редко. Режим насыщения.

Оба перехода открыты. Из-за возникающей избыточности носителей заряда сопротивление базы и p-n переходов уменьшается. Поэтому цепь, содержащую транзистор в режиме насыщения можно считать короткозамкнутой, а сам этот радиоэлемент представлять в виде эквипотенциальной точки. Режим отсечки. Оба перехода транзистора закрыты, то есть ток основных носителей заряда между эмиттером и коллектором прекращается.

Потоки неосновных носителей заряда создают только малые и неуправляемые тепловые токи переходов. Из-за бедности базы и переходов носителями зарядов, их сопротивление сильно возрастает. Поэтому часто считают, что транзистор, работающий в режиме отсечки, представляет собой разрыв цепи. Барьерный режим В этом режиме база напрямую или через малое сопротивление замкнута с коллектором. Также в коллекторную или эмиттерную цепь включают резистор, который задает ток через транзистор.

Таким образом получается эквивалент схемы диода с последовательно включенным сопротивлением. Этот режим очень полезный, так как позволяет схеме работать практически на любой частоте, в большом диапазоне температур и нетребователен к параметрам транзисторов.

Схемы включения биполярных транзисторов Поскольку контактов у транзистора три, то в общем случае питание на него нужно подавать от двух источников, у которых вместе получается четыре вывода. Поэтому на один из контактов транзистора приходится подавать напряжение одинакового знака от обоих источников. И в зависимости от того, что это за контакт, различают три схемы включения биполярных транзисторов: с общим эмиттером ОЭ , общим коллектором ОК и общей базой ОБ.

У каждой из них есть как достоинства, так и недостатки. Выбор между ними делается в зависимости от того, какие параметры для нас важны, а какими можно поступиться. Схема включения с общим эмиттером Эта схема дает наибольшее усиление по напряжению и току а отсюда и по мощности — до десятков тысяч единиц , в связи с чем является наиболее распространенной.

Здесь переход эмиттер-база включается прямо, а переход база-коллектор — обратно. А поскольку и на базу, и на коллектор подается напряжение одного знака, то схему можно запитать от одного источника. В этой схеме фаза выходного переменного напряжения меняется относительно фазы входного переменного напряжения на градусов.

Статические и дифференциальные параметры транзисторов

Сравнив статистику посещения сайта за два месяца ноябрь и декабрь года , в MediaTek выяснили, что число посетителей ресурса из России увеличилось в 10 раз, а из Украины? Таким образом, доля русскоговорящих разработчиков с аккаунтами на labs. Амбициозная цель компании MediaTek — сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники. Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик — порог входа очень низкий. Компания Компэл, приглашает вас принять участие в семинаре и тренинге? Светодиод — это диод который излучает свет.

а коллектор и эмиттер n-типа, то это транзистор n-p-n-типа (рисунок 1). коэффициент передачи тока эмиттера; КО – тепловой ток обратно.

Коэффициент передачи тока базы биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером

Результаты олимпиады по ТОЭ. Файлы для книги Бладыко Ю. Практикум» Электронная лаборатория Electronics Workbench. Узнай свой калькулятор Операции с комплексными числами. Сборник задач по электротехнике и электронике Книга поможет сдать экзамен на отлично. Транзистор применяют для усиления сигнала. Для оценки усилительных свойств используют коэффициенты передачи h 21Э и h 21Б. Чем они отличаются друг от друга и как связаны между собой?

17.

5. Коэффициент передачи тока эмиттера биполярного транзистора в схеме с об

Для удобства в таблице отсутствуют некоторые параметры. Развёрнутый список параметров каждого транзистора показан на странице с его описанием. Не стоит, также, забывать, что транзисторы 1Т3ххх являются аналогами транзисторов ГТ3ххх, а отличаются тем, что имеют более жёсткую приёмку, однако параметры для обоих типов транзисторов аналогичны. Обозначения: U кб и максимально допустимое напряжение коллектор-база в скобках указано значение для импульсного напряжения U кэ и максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер в скобках указано значение для импульсного напряжения I к max и максимально допустимый постоянный ток коллектора в скобках указан максимальный импульсный ток P к max т максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода в скобках значение максимальной рассеиваемой мощности при наличии теплоотвода h 21э статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером I ко обратный ток коллектора f гр граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером К ш коэффициент шума Выбор по параметрам: N-P-N К ш не более: Дб I ко не более: мкА P-N-P f гр не менее: МГц Наимен.

Транзисторы подразделяются на биполярные и полевые. Каждый из этих типов имеет свой принцип работы и конструктивное исполнение, однако, общим для них является наличие полупроводниковых p-n структур.

Коэффициент усиления транзистора

Однако их нельзя измерить, а можно только рассчитать теоретически. Поэтому для расчетов вводят коэффициент передачи тока эмиттера статический. Этот коэффициент можно измерить, а его значение равно. С учетом Для схемы с ОБ дифференциальный коэффициент усиления тока. Зависимость тока коллектора от тока эмиттера в активном режиме практически линейна, поэтому можно считать, что дифференциальный и статический коэффициенты усиления тока приблизительно равны.

Биполярный транзистор

Существует три основные схемы включения транзисторов. При этом один из электродов транзистора является общей точкой входа и выхода каскада. Надо помнить, что под входом выходом понимают точки, между которыми действует входное выходное переменное напряжение. Схема с общим эмиттером ОЭ. Такая схема изображена на рисунке 1.

Работа по теме: ОЭЭ Лекция Глава: Коэффициент передачи тока эмиттера биполярного транзистора в схеме с об. ВУЗ: МГУ.

Электроника: Методические указания к выполнению лабораторных и практических работ

Применяется в электронных устройствах для усиления или генерации электрических колебаний, а также в качестве коммутирующего элемента например, в схемах ТТЛ. К каждому из слоёв подключены проводящие невыпрямляющие контакты [1]. С точки зрения типов проводимостей эмиттерный и коллекторный слои не различимы, но при изготовлении они существенно различаются степенью легирования для улучшения электрических параметров прибора. Коллекторный слой легируется слабо, что повышает допустимое коллекторное напряжение.

Транзисторная сборка КТ9156БС

ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Расчет эмиттерного повторителя. Определение параметров транзистора.

Выше мы уже упоминали о наличии у транзисторов так называемых малосигнальных параметров. Теперь поговорим об этом подробнее. Такие параметры характеризуют работу транзистора в режиме усиления малых переменных токов и напряжений. Многие из них имеют четкую физическую интерпретацию и непосредственно присутствуют в физических эквивалентных схемах.

Для изготовления транзисторов применяют те же полупроводниковые материалы, что и для диодов. В биполярных транзисторах с помощью трехслойной полупроводниковой структуры из полупроводников различной электропроводности создаются два p—n-перехода с чередующими типами электропроводности p—n—p или n—p—n.

17.5. Коэффициент передачи тока эмиттера биполярного транзистора в схеме с об

Войдите , пожалуйста. Хабр Geektimes Тостер Мой круг Фрилансим. Войти Регистрация. Биполярные транзисторы. For dummies Электроника для начинающих Предисловие Поскольку тема транзисторов весьма и весьма обширна, то посвященных им статей будет две: отдельно о биполярных и отдельно о полевых транзисторах.

На нашем сайте собрано более бесплатных онлайн калькуляторов по математике, геометрии и физике. Не можете решить контрольную?! Мы поможем! Более 20 авторов выполнят вашу работу от руб!

Частотные свойства биполярных транзисторов

Зависимость значения коэффициента передачи тока транзистора от частоты для
каскадов с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Онлайн калькулятор зависимости коэффициента передачи тока от частоты

Частотные свойства транзистора – это набор характеристик, которые определяют диапазон частот входных сигналов, в пределах которого прибор тем или иным образом выполняет присущие ему функции по усилению или преобразованию этих сигналов.
Для биполярных транзисторов для определения частотных характеристик принято использовать (среди прочих) частотную зависимость коэффициентов передачи входного тока в схемах ОБ и ОЭ.
Обозначаются эти коэффициенты, как правило: h31б (можно встретить α – альфа) и h31э (или β – бета).

Параметр коэффициента передачи транзистора h31б (включённого по схеме с ОБ), как правило, в перечне справочных характеристик не приводится, но его всегда можно рассчитать, исходя из следующего соотношения: α = β/(1 + β).
Значение этого параметра всегда будет меньше 1, т. к. мы помним, что схема ОБ обладает усилением по напряжению, но не усиливает ток. Но дело в данном случае не в этом, а в том, что если мы поочерёдно подставим в эту формулу два значения β (т. е. h31э), например 100 и 50 (разница в 50%), то легко убедимся, что изменение α (т. е. h31б) составляет всего 1%.
А с учётом того, что для каскада с ОБ, как мы помним: K_u ≈ R_к x α/R_э, то и зависимость его усиления по напряжению от β транзистора будет значительно снижена. А потому и частотные свойства по отношению к ОЭ у него окажутся более предпочтительными, так как β транзистора существенно зависит от частоты, а Ku каскада ОЭ – от β. Поясним сказанное рисунком.

Рис.1 Зависимость коэффициентов передачи тока транзисторов от частоты

Здесь β₀ (h31э) и α₀ (h31б) – это коэффициенты передачи тока транзисторов в схемах ОЭ и ОБ по постоянному току.
f_h31э и f_h31б – это предельные частоты коэффициентов передачи тока (для схем ОЭ и ОБ). Они представляют собой частоты, на которой коэффициенты передачи снижаются в 1,41 раза (на 3 дБ) от максимального значения.
f_т – это граничная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора, при которой модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером становится равным единице.

Величину коэффициента передачи тока транзисторов в зависимости от рабочей частоты для схемы ОЭ можно определить по следующей формуле:
, где:
h_21э0 – это статический коэффициент передачи тока транзистора для схемы ОЭ (является паспортной характеристикой),
F – это рабочая частота, на которой определяется β,
f_h31э – это предельная частота коэффициента передачи тока для схемы ОЭ.

f_h31э связана с граничной частотой f_т (которая также является паспортной характеристикой) простым соотношением: f_h31э ≈ f_Т/ β₀.

Теперь, после того как мы собрали все данные, можно рассчитать величину коэффициента передачи тока транзистора β на реальной частоте.
А далее, подставив полученное значение в формулу α = β/(1 + β), также получить и значение коэффициента передачи и для схемы ОБ.
Сдобрим пройденный материал онлайн калькулятором.

РАСЧЁТ ЗАВИСИМОСТИ КОЭФФИЦИЕНТОВ ПЕРЕДАЧИ ТОКА ТРАНЗИСТОРА ОТ ЧАСТОТЫ

h21э0 транзистора
Граничная частота усиления транзистора fт (МГц)
Рабочая частота F (МГц)
β транзистора на рабочей частоте
α транзистора на рабочей частоте

 

Testing Transistor DC Gain (hFE) in My Lab — Biophysics Lab биполярного переходного транзистора (BJT).

Концепция hFE занимает центральное место в использовании транзисторов, поскольку она является мерой усиления небольшого тока. В гибридной модели транзисторов есть несколько гибридных параметров, включая hFE. Модель с гибридными параметрами потеряла популярность, поэтому β или бета теперь являются наиболее распространенным символом усиления постоянного тока. Я буду продолжать использовать hFE в этой статье, так как таблицы данных также продолжают использовать это имя.

Рис. 1: Кривые типичного усиления тока транзистора (hFE). Производственные разбросы производителя от +100% до -50% «типичных» значений считаются приемлемыми. «Искусство электроники», Горовиц и Хилл, 3-е издание, 2016 г., стр. 74.

С другой стороны, значение параметра hFE немного раздражительно. Многие статьи с практическими рекомендациями и схемы DIY описывают, как измерить hFE, основываясь на простом понятии, что hFE = I _C / I _B . Тем не менее, таблицы данных транзисторов предлагают диапазон значений hFE при различных условиях тока коллектора (IC). В условиях тестирования производителя также используется импульсный тест (<= 300 мкс), когда транзистор активен примерно 2% времени (рабочий цикл). Непрерывный ток имеет тенденцию вызывать повышение температуры внутри испытательного устройства. Таким образом, IC и IB являются динамическими объектами, которые могут неточно коррелировать со статическим тестированием. При этом значение hFE для любого отдельного устройства — даже с одинаковым номером детали и производителем — будет разным. В совокупности попытка использовать конкретное значение hFE для конкретного устройства является конфликтным событием, и его можно избежать.

• Почему я измеряю hFE
• PEAK Atlas DCA Pro — анализатор полупроводников
• Гнездо hFE на некоторых цифровых мультиметрах
• Мультиметр Fluke
  • Тест 1. Два резистора на макетной плате с расчетом hFE на основе результатов цифрового мультиметра
  • Тест 2: Источник постоянного тока с прямым считыванием hFE на цифровом мультиметре
• Измерение hFE с помощью осциллографа и генератора сигналов произвольной формы (AWG)
• Сводка тестирования hFE
• Ссылки

Почему я измеряю hFE

Многие инженеры говорят мне, что за 20 с лишним лет проектирования им никогда не требовалось знать значение hFE устройства. Во многих конструкциях расчетное значение hFE равно 100, а затем создается цепь смещения вокруг транзистора для работы с широким спектром устройств, каждое из которых имеет разные значения hFE, например, от 50 до 250, и при разных температурах.

Схема, зависящая от определенного значения бета, является неисправной.

Пол Горовиц, Уинфилд Хилл «Искусство электроники»

В роли экспериментатора я хочу знать hFE своего устройства. Я обнаружил, что каждая часть транзистора, которая находится у меня в «коробке для мусора», и даже новые детали, которые я заказываю из различных источников, таких как Digi-Key, Newark, eBay и Amazon, могут быть проверены на усиление по постоянному току перед использованием, даже если мое измеренное значение не настоящий hFE. Пока процедура тестирования воспроизводима, ее можно использовать для проверки коэффициента усиления транзистора, оценки неизвестных транзисторов и подбора парных устройств для использования в таких приложениях, как, например, двухтактные усилители, температурная компенсация или токовые зеркала. Плохое обращение с транзисторами также может повлиять на hFE устройства. Фактически, во время моих тестов в этой статье я обнаружил удивительную проблему в отношении одного тестируемого устройства. См. «Рисунок 20: Рисунок 20: Результаты генератора функций осциллографа/AWG ” Теперь посмотрим, что я имею в виду.

Ниже приведен список тестов hFE для двух транзисторных устройств из моей корзины: NPN 2N3904 и PNP 2N3906…

PEAK Atlas DCA Pro — анализатор полупроводников

Этот прибор с интерфейсом ПК стоит около 150 долларов США. мой лучший ресурс для измерения hFE и многих других параметров транзисторов. Немного дорогой, но он делает большую работу. Тестирование устройств включает в себя слабосигнальные устройства, силовые транзисторы, полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы, диоды и многое другое. Значение hFE скорректировано с учетом утечки коллектор-эмиттер (полезно для германиевых транзисторов).

На рисунках 2 и 3 ниже кривые hFE показывают, как на них влияет базовый ток IB и VCE. В частности, кривая hFE базового тока 10 мкА для 2N3906 может указывать на дополнительные проблемы, как показано далее в этой статье. Здесь hFE значительно ниже по сравнению с более высокими базовыми токами.

Рис. 2: Результаты 2N3904 DCA Pro (щелкните изображение, чтобы увеличить его) .

Рисунок 3: Результаты 2N3906 DCA Pro (щелкните изображение, чтобы увеличить его) .

Гнездо hFE на некоторых цифровых мультиметрах

Этот разъем обеспечивает значение усиления по постоянному току, полезное для сортировки и тестирования кремниевых устройств с малым сигналом. Гнездо не будет точным для германиевых транзисторов, поскольку они обычно связаны с утечкой коллектор-эмиттер. Он также не будет полезен для силовых транзисторов, которым требуется больший тестовый ток базы (I _B ). Некоторые измерители с функцией hFE описывают условия тестирования, в то время как другие не предлагают поддержку своего устройства в условиях тестирования.

Мой мультиметр BK 2704C документирует условия тестирования разъема hFE:

Диапазон: 0 ~ 1000
Базовый ток: прибл. 10 мкА пост. (VCE = 3,0 В пост. тока)

Устройство 2N3906, которое я использую для этой статьи (изображение B&K внизу справа) с базовым током 10 мкА, предсказывает гораздо более низкий hFE по сравнению с более высокими базовыми токами, как показано в результатах 2N3906 с использованием DCA Pro выше. (Рисунок 3). В то время как hFE для 2N3904 (изображение B&K ниже слева) согласуется с результатами DCA Pro для 2N3904 выше, поскольку условия испытаний 10 мкА сгруппированы с другими кривыми I _B . Но для сортировки и сравнения устройств ограничение условий тестирования 10 мкА может быть вполне приемлемым.

Рис. 4. Мультиметр B&K 2704C, измерение коэффициента усиления по постоянному току hFE для левого 2N3904 и правого 2N3906 .

Мультиметр Fluke

Мои измерители Fluke не имеют разъема hFE. Большинство других высококачественных цифровых мультиметров также не имеют разъема hFE. Некоторые люди говорят, что это связано с тем, что показания мультиметра не слишком близки к официальным показаниям hFE, другие говорят, что схема и разъем для измерения hFE делают недействительными соображения безопасности. Большое обсуждение можно найти здесь:

Тема: Почему бета-тест транзисторов hFE проводится только на дешевых цифровых мультиметрах?

Функция проверки диодов на моих измерителях Fluke измеряет прямое падение напряжения полупроводника в условиях постоянного тока, подходящих для определения PNP и NPN, а также того, какой вывод связан с эмиттером, базой и коллектором. Но не предлагает способ измерения коэффициента усиления постоянного тока.

Ниже приведены некоторые макетные схемы, которые я использую для измерения hFE с помощью цифрового мультиметра…

Тест 1. Два резистора на макетной плате с hFE Расчет с помощью цифрового мультиметра Результаты

Коэффициент усиления по постоянному току можно рассчитать путем измерения падения напряжения на базовом резисторе и соответствующего падения напряжения на коллекторном резисторе. Схема устройства PNP показана на диаграмме LTSpice ниже — Рисунок 5: «Моделирование простого измерения hFE цифрового мультиметра с двумя резисторами». Поменяйте полярность V1 для проверки устройств NPN. Математические расчеты делают этот метод тестирования немного утомительным для сортировки множества транзисторов, но он является хорошей заменой отсутствующему сокету Fluke hFE.

На рисунке справа показана симуляция LtSpice простого макета схемы для PNP-транзистора 2N3906. Эта схема будет работать с любым маломощным кремниевым устройством PNP. Чтобы использовать устройства NPN, поменяйте полярность V1. Файл моделирования можно загрузить по ссылке в конце этой статьи.

Рис. 5: Моделирование простого измерения hFE на цифровом мультиметре с двумя резисторами .

Моделирование LTSpice простой макетной схемы hFE. Щелкните изображение, чтобы увеличить его.

Ниже показана макетная плата с PNP 2N3906 (такая же, как схема и моделирование LTSpice выше). Для сравнения я показываю расчеты hFE для тех же двухтранзисторных компонентов, протестированных выше с помощью мультиметра BK и DCA Pro.

Устройство: 2N3906 PNP Настройка источника питания: VCC = 9,001V, 0,872 MA Измерения: VCE = 8,232V RB = 0,9969 м (1 м) RC = 1,0064K (1K) 9008 м. В Vrc = 0,7646 В Расчеты: Ib = 8,34 В/1M = 8,338 мкА IC = 0,765V/1K = 765 UA HFE = 765/8,34 = 92

Устройство: 2N3904 NPN Установка источника питания: VCC = 9,001 В, 1,368 мА Измерения: VCE = 7,647V, 1,368 мА : VCE = 7,647В, 1,368 мА : VCE = 7,647В, 1,368 мА : VCE = 7,647В. M (1M) Rc = 1,0064k (1k) Vrb = 8,327 В Vrc = 1,3508 В Расчеты: Ib = 8,33 В/1M = 8,33 мкА Ic = 1,351 В/1 кО = 1,351 В/1 кО = 13 /8,33 = 162

Рис. 6: Макет простого измерения hFE цифрового мультиметра с двумя резисторами устройства ПНП.

Тест 2: источник постоянного тока с цифровым мультиметром с прямым считыванием hFE

Используя еще несколько деталей, я смог улучшить тестирование макета для использования с цифровым мультиметром Fluke. Эта версия от Circuits Today включает поддержку устройств PNP и NPN и обеспечивает постоянный ток I _B 10 мкА и прямое считывание hFE (мА x 100). Я заметил одну проблему: если я поставлю транзистор не того типа в гнездо (например, по ошибке заменю NPN на PNP), тестируемый транзистор сильно нагреется.

Схема KiCad Eeschema. См. справочный раздел ниже для загрузки файла.

Рис. 7. Схема KiCad Eeschema источника постоянного тока с прямым считыванием hFE с цифрового мультиметра.

Перед построением этой схемы я использовал LTSpice для моделирования.

Рис. 8: Моделирование LTSpice источника постоянного тока с прямым считыванием hFE цифрового мультиметра , показанным курсором 2 Vert Reading.

Симуляция, показанная выше, имеет потенциометры с имитацией рычагов стеклоочистителя. Библиотека потенциометра была предоставлена ​​Гельмутом Сенневальдом — основателем группы пользователей LTSpice. На графике показано, как рычаг стеклоочистителя меняется с 0,05% до 9.5% с ожидаемой калибровкой для 10 мкА в положении 29% для тока, проходящего через эмиттер Q1. Файл моделирования с библиотекой потенциометров можно скачать по ссылке в конце этой статьи.

Окончательная макетная схема с тестируемым устройством 2N3906…

Рис. 9: Макет источника постоянного тока с прямым считыванием данных hFE на цифровом мультиметре .

На макетной плате рядом с каждым потенциометром показаны перемычки. Их можно размыкать один за другим, замыкая контакты амперметра цифрового мультиметра для калибровки 10 мкА базы PNP и NPN относительно тока эмиттера.

Рисунок 10: Результаты 2N3906 при использовании макетной платы постоянного тока.

Рис. 11: Результаты 2N3904 при использовании макетной платы постоянного тока. Примечание. Потребляемый ток для NPN 2N3904 намного выше, чем у 2N3906, что соответствует большему hFE.

Измерение hFE с помощью осциллографа и генератора сигналов произвольной формы (AWG)

Этот метод позволяет подавать на тестируемый транзистор более высокий ток, чем любой из методов тестирования 1 и 2. С помощью ступенчатого сигнала, подаваемого на базу транзистора, и переменного напряжения при подаче на коллектор транзистора температура тестируемого устройства не повышается настолько, чтобы повлиять на стабильность показаний.

Моделирование тестовой схемы NPN-транзистора в LTSpice…

Рис. 12: LTSpice имитация осциллографа / генератора сигналов произвольной формы NPN-транзистора hFE тестовой схемы. Щелкните изображение, чтобы развернуть.

Здесь находятся текстовые файлы кусочно-линейных (PWL), которые управляют напряжением для ступенчатых и треугольных сигналов. См. справочный раздел в конце этой статьи, чтобы загрузить файлы для полной симуляции.

pwl_triangle.txt

 0 0
+4,17 м 10
+4,17 м 0 

pwl_stair. txt

 0 с 0,7
8,33 м 0,7
8,34 м 1,4
16,66 м 1,4
16,67 м 2,1
24,99 м 2,1
25.00м 2.8
33,32 м 2,8
33,33 м 3,5
41,65 м 3,5
41,66 м 4,2
49,98 м 4,2
49,99 м 4,9
58,31 м 4,9
58,32 м 5,6
66,64 м 5,6
66,65 м 0,7 

Шаги для построения моделирования (см. текст и файл asc в справочном разделе этой записи блога):

• Примените треугольную волну с частотой 120 Гц, 10 VP-P и смещением постоянного тока 5 В к транзистор под пробным коллектором. Смоделируйте генератор сигналов произвольной формы с помощью кусочно-линейной функции LTSpice (PWL), используя точки данных в текстовом файле. См. прикрепленный файл: pwl_triangle.txt.
• Создайте ступенчатую волну с частотой 15 Гц, 5 VP-P и смещением постоянного тока 0,7 В (начните волну с амплитудой выше V _BE , чтобы включить тестируемый транзистор). Снова с PWL и текстовым файлом точек данных. См. прикрепленный файл: pwl_stair.txt.
• Детали для моделирования простой макетной платы.
• Определите 1-секундный анализ переходных процессов, чтобы запустить моделирование LTSpice.
• Имитация осциллографа с использованием пассивных щупов с общим заземлением (без использования дифференциальных щупов).
• Постройте ось X как V _CE , используя Ch3.
• Постройте первую ось Y как Ic, используя математическую функцию: (Ch2-Ch3)/100.
• Постройте вторую ось Y как I _B , используя математическую функцию: (Ch4-Ch5)/100000.

Расчет смоделированного транзистора 2N3904 NPN hFE как I _C /I _B при выбранном V _CE . Подробности см. в разделе « Рисунок 12: Моделирование LTSpice осциллографа/генератора сигналов произвольной формы NPN-транзистора hFE тестовой схемы » выше. Например: В В _CE 5 В и 4-я кривая I _B (представляющая I _B = 27,7 мкА).

Смоделируйте схему тестирования транзистора PNP в LTSpice…

Схема PNP аналогична схеме тестирования транзистора NPN. Только полярность лестничной и треугольной волновых функций была изменена на противоположную. Лестничная волна теперь изменяется от -700 мВ до -5 В. Треугольная волна теперь изменяется от 0 В до -5 В. Щелкните изображение, чтобы развернуть его.

Вот текстовые файлы кусочно-линейных (PWL), которые управляют напряжением для ступенчатых и треугольных сигналов. См. справочный раздел в конце этой статьи, чтобы загрузить полную симуляцию.

pwl_triangle_minus.txt

 0 0
+4,17 м -10
+4,17 м 0 

pwl_stair_minus.txt

 0 с -0,7
8,33 м -0,7
8,34 м -1,4
16,66 м -1,4
16,67 м -2,1
24,99 м -2,1
25. 00м -2.8
33,32 м -2,8
33,33 м -3,5
41,65 м -3,5
41,66 м -4,2
49,98 м -4,2
49,99 м -4,958,31 м -4,9
58,32 м -5,6
66,64 м -5,6
66,65 м -0,7 

Рассчитать имитацию 2N3906 PNP-транзистора hFE как I _C /I _B при выбранном V _CE . См. « Рисунок 13: Моделирование LTSpice осциллографа/генератора сигналов произвольной формы PNP-транзистора hFE тестовой схемы » выше для получения подробной информации о схеме. Например: At V _CE 5 В и 4-я кривая I _B (представляющая I _B = -28,0 мкА).

Финальная макетная плата с 2N3904 Тестируемый NPN-транзистор…

Я использовал двухканальный генератор сигналов произвольной формы для создания сигналов базы и коллектора транзистора:

Рисунок 14. Настройка генератора сигналов произвольной формы для тестируемых NPN-транзисторов. Нажмите на изображение, чтобы увеличить.

• Канал 1 использует сигнал произвольной формы StairUp (лестница с 8 уровнями) с частотой 15 Гц, высоким уровнем 5 В, низким уровнем 0,7 В и фазой 0.
• Канал 2 использует сигнал произвольной формы AbsSine с частотой 120 Гц, высоким уровнем 5 В, низким уровнем 0 В и фазой 0. Примечание: понижающий трансформатор переменного тока со схемой двухполупериодного выпрямителя будет давать такую ​​же форму волны для трансформаторов с только один канал AWB.
• Используйте опцию выравнивания фазы на Rigol DG4062 AWB, чтобы канал 2 производил ровно один цикл для каждого уровня лестницы канала 1. См. пример с курсорами на рис. 16 ниже.

Соберите простую макетную плату транзистора NPN 2N3904 с двумя резисторами и четырьмя подключенными каналами осциллографа. См. рис. 12 выше для схемы и рис. 15 ниже для макета.

• Подключите резистор 100 кОм между базой транзистора 2N3904 и каналом AWG 1. Подключите щупы осциллографа Ch4 (зеленый) и Ch5 (красный) к этому резистору для измерения тока базы I _Б .
• Подключите резистор 100 Ом между коллектором транзистора 2N3904 и каналом 2 AWG. Подключите щупы осциллографа Ch2 (желтый) и Ch4 (синий) к этому резистору для измерения тока коллектора I _C и V _CE .
• Соедините эмиттер транзистора с землей. Привяжите AWG и прицел к земле.

Рис. 15. Тестируемый транзистор NPN 2N3904. Нажмите на изображение, чтобы увеличить.

Настройка осциллографа, см. рис. 16 и 17 ниже…

• Канал 1 = 2 В/дел, полоса пропускания 20 МГц -> Подключить к резистору «+» на стороне Rc на рис. 12
• Канал 2 = 2 В/дел, полоса пропускания 20 МГц -> Ограничение резистора «-» стороны Rc на рис. 12 -> Представляет тестируемый транзистор Vce
• Канал 3 = 1 В/дел, полоса пропускания 20 МГц -> Ограничение к резистору «+» на стороне Rb на рис. 12
• Канал 4 = 100 мВ/дел, полоса пропускания 20 МГц -> Привязка к «-» стороне резистора Rb на рис. 12
• Математика 1 = 2 мА/дел, (Ch2 -Ch3)/100, Альтернативные единицы A -> Представляет тестируемый транзистор Ic
• Math 2 = 5,4 мкА/дел, (Ch4-Ch5)/100000, Альтернативные единицы A -> Представляет тестируемый транзистор Ib
• По горизонтали = 10 мВ/дел, 12,5 Мвыб/с, 1,25 Мвыб.
• Запуск = фронт, канал 1, связь по постоянному току, уровень 2,64 В, передний фронт Настройте график XY с транзистором V _CE (канал 1) для X и транзистором IC (математика 1) для Y
• Настройте связанный курсор осциллограммы для измерения 2) для расчета hFE

Рис. 16: Прицел Tektronix MSO64B с изображением 2N3904 кривых устройства XY в виде графика, 4 зондированных канала и 2 математических сигнала со всеми сигналами в фазе. Нажмите на изображение, чтобы увеличить его. Нажмите на изображение, чтобы увеличить.

Рассчитать 2N3904 NPN-транзистор hFE как I _C /I _B при выбранном V _CE . Например: At V _CE 6 В и 4-я кривая I _B (представляющая I _B = 18,95 мкА).

Значение hFE 165, измеренное с помощью осциллографа, совпадает с показанным в . Рис. 2: Результаты 2N3904 DCA Pro .

Окончательная макетная схема с тестируемым NPN-транзистором 2N3906…

Повторно используйте для схемы ту же схему, что и на рис. 13 выше. Измените сигналы генератора функций AWG на отрицательные. Я также переключил сигнал коллектора с AbsSine на Triangle. Отрицательная кривая AbsSine не дает такого четкого результата, как кривая Triangle. Возможно, я мог бы сначала инвертировать волну AbsSine из меню утилиты Rigol, но не стал. См. Рисунок 18 ниже для настроек.

Рисунок 18: Настройка генератора сигналов произвольной формы для тестируемых транзисторов PNP. Нажмите на изображение, чтобы увеличить.

Макет…

Рис. 19. Тестируемый транзистор PNP 2N3906. Нажмите на изображение, чтобы увеличить.

Результаты осциллографа…

Рис. 20: Результаты осциллографа/генератора функций AWG. На левом изображении показано то же устройство 2N3906, которое успешно использовалось во всех других тестах, описанных выше. Не знаю, в чем причина странных сигналов. Среднее изображение – второй 2Н3906 отлично работает в этой тестовой конфигурации без проблем, показанных на левой фотографии. Правое изображение — то же тестируемое устройство, что и на среднем изображении, но с треугольным сигналом, приложенным к коллектору. Щелкните изображение , чтобы увеличить его.

К сожалению, мое первое PNP-устройство 2N3906 отказало во время этого теста — см. рис. 20 (слева). DCA Pro hFE и кривые выглядят так же. Но в этом тесте осциллографа / AWG устройство отключается, когда V _CE больше примерно 7 В. Были протестированы несколько других транзисторов PNP, включая другие транзисторы 2N39.06 устройств. Эти другие устройства протестированы просто отлично. У одного пользователя на Electronics Stack Exchange был следующий комментарий, который мне кажется правильным:

Похоже, что соединение CE замкнуло и действует как SCR с отрицательным добавочным сопротивлением. Может быть хорошо для генератора на туннельном диоде в ВЧ, если смещено на -7В. 😉 Это отказ от дуги пробоя, скажем, 40 К/мм может быть 40 В/мкм, поэтому 7 В составляет около 175 нм зазора, который перекрывает E-Field. Этот PNP должен быть хорош до -40 В и действовать как стабилитрон около -50 В. В 70-х мне понадобился стабилитрон HV для uA ref. Поэтому я выбираю напряжение пробоя транзистора, чтобы старый телевизор работал.

Tony Stewart EE75

Показания курсоров A и B на рисунке 20 справа: I _C [Math 1: (Ch2-Ch3)/100] = 7,913 мА и I _B [(Ch4 – Ch5)/100,000] = 44,0 мкА при выбранном V _CE 6 В.

К сожалению, я не очень точно установил курсоры A и B для VCE 6 В, поэтому значение hFE не так точно, как Это могло бы быть. Но эффективность этого метода испытаний по-прежнему актуальна.

См. ниже сравнение с hFE с использованием полупроводникового анализатора PEAK DCA Pro для моего нового PNP 2N39.06, который я называю устройством 2.

Рисунок 21: 2N3906 PNP-транзистор 2 тестируется с помощью DCA Pro. На левом изображении показаны основные тесты устройства. На правом изображении показаны hFE и Vce. Чтение

hFE для PNP 2N3906 Dev2 с использованием разъема BK 2704C hFE. Низкое значение V _CE и низкое значение I _B являются причиной постоянно более низких показаний мультиметровых разъемов hFE. Тем не менее, тестирование очень простое, быстрое и сопоставимое от одного транзистора к другому для целей сортировки и сопоставления. Но некоторые тестируемые устройства не могут быть обнаружены с помощью этого простого теста.

Рис. 22. Транзистор 2N3906 тестируется с использованием гнезда hFE на мультиметре BK 2704C.

Сводка по тестированию hFE

Каждый представленный здесь метод тестирования полезен при определенных условиях. Для большинства целей тестирования настройки диода цифрового мультиметра будет достаточно.

Но использование осциллографа и генератора сигналов произвольной формы позволяет проводить очень важные исследования транзисторов, включая hFE.

Ссылки

hFE LTSpice Simulations
Two Resistors on a Breadboard		Zip File
Constant Current Breadboard		Zip File
Oscilloscope / Arbitrary Waveform Generator Breadboard		Zip File

KiCad
Источник постоянного тока с цифровым мультиметром, схема прямого считывания hFE		Zip File

Bibliography
Semiconductor Device Measurements by John Mulvey, Tektronix, 1st Ed, 1969		Web Link
How come transistor beta hFE test is only на дешевых мультиметрах?		Веб-ссылка
Тестер транзисторов hFE постоянного тока		Веб-ссылка
Semiconductor Curve Tracer With the Analog Discovery 2, Instructables, brmarcum, 2016		Web Link
Using an Arbitrary Waveform Generator & Digital Storage Oscilloscope to Create a Transistor Curve Tracer, Circuit Specialists, George Leger, 2014		Web Link

Нравится:

Нравится Загрузка. ..

Влияние условий эксплуатации на радиационное повреждение коэффициента усиления транзистора

Лицензионное соглашение ASTM

ВАЖНО – ВНИМАТЕЛЬНО ПРОЧИТАЙТЕ ЭТИ УСЛОВИЯ ПЕРЕД ЗАГРУЗКОЙ ЭТОГО ДОКУМЕНТА. Загружая документ ASTM, вы заключаете договор и признаете, что у вас есть читать настоящего Лицензионного соглашения, что вы понимаете его и соглашаетесь соблюдать его условия. Если вы не согласны с условиями настоящего Лицензионного соглашения, немедленно покиньте эту страницу. без скачивание документ ASTM.

Пожалуйста, , нажмите здесь , чтобы просмотреть лицензионное соглашение для образовательных учреждений.

Собственность. Этот документ защищен авторским правом ASTM International (ASTM), 100 Барр Харбор Драйв, Западный Коншохокен, Пенсильвания, 19428-2959, США. Все права защищены. Вы (Лицензиат) не имеете прав собственности или других прав на Документ ASTM. Это не продажа; все права, право собственности и интересы в документе ASTM (как в электронном файле и печатная копия) принадлежат ASTM. Вы не можете удалять или скрывать уведомление об авторских правах или другие уведомления, содержащиеся в ASTM. Документ.

Ограниченная лицензия. ASTM предоставляет вам ограниченную лицензию без права передачи следующим образом: Право на загрузку электронного файла настоящего документа ASTM для временного хранения на одном компьютер для просмотра и/или печати одной копии документа ASTM для отдельных использовать. Ни электронный файл, ни одиночная распечатка не могут быть воспроизведены каким-либо образом. Кроме того, электронный файл не может распространяться где-либо еще по компьютерным сетям или в противном случае. То есть электронный файл нельзя отправить по электронной почте, скачать на диск, скопировать на другой жесткий диск. диск или иным образом общий доступ. Одна печатная копия может быть распространена только среди других сотрудники для их внутреннего использования в вашей организации; его нельзя копировать. Этот документ ASTM не может быть продан или перепродан, сдан в аренду, сдан в аренду, одолжен или сублицензия. Абонент будет нести ответственность за весь контроль доступа и безопасность меры, необходимые для того, чтобы IP-адреса Абонента не использовались для получать доступ к журналам, кроме авторизованных Пользователей.

ASTM International предоставляет подписчикам и авторизованным Пользователи у Абонента Авторизованы Сайт , онлайн-доступ к журналу ASTM, для которого Подписчик поддерживает текущую подписка к печатной или онлайн-версии. Этот грант распространяется только на Подписчика и таких Уполномоченных Пользователи индивидуально и не могут быть переданы или распространены на других. Для перепечатки А. журнальную статью, пожалуйста, свяжитесь со службой поддержки клиентов ASTM, 100 Barr Harbour Dr., PO Box C700, West Коншохокен, Пенсильвания 19428, тел.: 610-832-9555; факс: 610-832-9585; Эл. адрес: [email protected]

Проверка: ASTM имеет право проверять соблюдение настоящей Лицензии. Соглашение за свой счет и в любое время в течение обычного рабочего дня. Для этого ASTM привлечет независимого консультанта при условии соблюдения соглашения о конфиденциальности для рассмотрения использование вами документов ASTM. Вы соглашаетесь разрешить доступ к вашей информации и компьютерным системам для этой цели. Проверка будет проводиться с уведомлением не менее чем за 15 дней в обычное время. в рабочее время и таким образом, чтобы необоснованно не мешать вашей деятельности. Если проверка выявляет нелицензионное использование документов ASTM, вы должны возместить ASTM расходы понесенные при проверке и возмещении ASTM за любое нелицензионное использование. Вызывая эту процедуру, ASTM не отказывается от каких-либо прав на обеспечение соблюдения настоящего Соглашения или на защиту своей интеллектуальной собственности. собственности иными способами, разрешенными законом.

Пароли. Вы должны немедленно уведомить ASTM о любом известном или предполагаемом несанкционированное использование вашего пароля или любое известное или предполагаемое нарушение безопасности, в том числе потеря, кража или несанкционированное раскрытие вашего пароля или любой несанкционированный доступ или использование документа ASTM. Вы несете единоличную ответственность за сохранение конфиденциальности ваших пароль и для обеспечения санкционированного доступа и использования документа ASTM.

Определения. Для целей настоящей Лицензии авторизованным сайтом является локализованный сайт (одно географическое местоположение), находящееся под единым управлением в одном месте. Для Подписчик с местонахождением более чем в одном городе, каждый город считается отдельным сайтом. Для Подписчика, имеющего несколько местоположений в одном городе, каждое место считается другой сайт. (Если вам нужен онлайн-доступ к нескольким сайтам, свяжитесь с Кэти Hooper, ASTM International, по адресу [email protected] или по телефону: 610-832-9.634). Авторизованный Пользователь означает только сотрудники, преподаватели, сотрудники и студенты, официально связанные с Подписчиком в Авторизованный сайт, а также лица, имеющие законный доступ к фондам и объектам библиотеки. на Авторизованном сайте, используя IP-адрес в диапазоне, указанном в подписке. Авторизованными пользователями могут быть лица, удаленные от физического местонахождения Абонента, доступ которых администрируемых с Авторизованного объекта, но не лица, находящиеся на удаленных объектах или в кампусах с отдельными администрации. Например, сотрудник Абонента может считаться Авторизованный пользователь при доступе к сети Абонента из дома или во время поездки в другую город; однако сотрудники филиала или объекта в другом городе не считаются Авторизованные пользователи. Подписчик — физическое или юридическое лицо, подписавшееся на журнал ASTM и согласился с условиями этой ограниченной лицензии.

Прекращение. Настоящее Соглашение действует до момента расторжения. Вы можете расторгнуть настоящее Соглашение в любое время путем уничтожение всех копий (печатных, цифровых или на любом носителе) документа ASTM (журнала).

Применимое право, место проведения, юрисдикция. Настоящее Соглашение должно толковаться и толковаться в соответствии с законодательством Содружество Пенсильвании. Лицензиат соглашается подчиняться юрисдикции и месту проведения в штате и федеральные суды Пенсильвании для разрешения любых споров, которые могут возникнуть в связи с настоящим Соглашением. Ты также соглашаетесь отказаться от любых претензий на неприкосновенность, которыми вы можете обладать.

Интеграция. Настоящее Соглашение представляет собой полное соглашение между вами и ASTM в отношении его предмета. Это заменяет все предыдущие или одновременные устные или письменные сообщения, предложения, заявлений и гарантий и имеет преимущественную силу над любыми противоречащими или дополнительными условиями любого цитата, заказ, подтверждение или другое сообщение между сторонами, относящееся к его предмету вопрос в течение срока действия настоящего Соглашения. Никакие изменения настоящего Соглашения не будут иметь обязательной силы, если они не оформлены в письменной форме и не подписаны уполномоченным представителем каждой из сторон.

Отказ от гарантии. Если не указано иное в настоящем Соглашении, все явные или подразумеваемые условия, заявления и гарантии, включая любые подразумеваемые гарантии товарного состояния, пригодности для определенной цели или ненарушение прав, за исключением случаев, когда эти отказы считаются юридически недействительным.

Ограничение ответственности. В той мере, в какой это не запрещено законом, ASTM ни при каких обстоятельствах не будет нести ответственность за любые потери, повреждения, утерю данных или за особый, косвенный, косвенный или штрафной ущерб, независимо от того, теория ответственности, возникающая в связи с использованием или загрузкой ASTM Документ. Ни при каких обстоятельствах ответственность ASTM не будет превышать сумму, уплаченную вами по настоящей Лицензии.