Корпуса отечественных транзисторов: типы, характеристики и применение — Производство и поставка электростанций, Бензиновые и дизельные генераторы от 1 до 100 кВт. Мини ТЭЦ на базе двигателя Стирлинга.

Какие существуют типы корпусов отечественных транзисторов. Как различаются их характеристики и размеры. Для каких целей применяются разные виды корпусов транзисторов российского производства.

Содержание

Основные типы корпусов отечественных транзисторов

Транзисторы отечественного производства выпускаются в различных типах корпусов, каждый из которых имеет свои особенности и сферы применения:

Металлические корпуса (TO-3, КТ-8, КТ-9 и др.)
Пластиковые корпуса (TO-126, TO-220, SOT-23 и др.)
Керамические корпуса (TO-8, КТ-17 и др.)
Безвыводные корпуса для поверхностного монтажа

Выбор типа корпуса зависит от мощности транзистора, рабочей частоты, условий эксплуатации и других факторов. Рассмотрим подробнее наиболее распространенные виды корпусов отечественных транзисторов.

Металлические корпуса транзисторов: характеристики и применение

Металлические корпуса обеспечивают хороший отвод тепла и применяются для мощных транзисторов. Наиболее популярные типы:

TO-3

Корпус TO-3 имеет круглую форму диаметром 25 мм. Используется для мощных биполярных и полевых транзисторов с рассеиваемой мощностью до 150 Вт. Обеспечивает отличный теплоотвод при установке на радиатор.

КТ-8

Отечественный аналог TO-3. Применяется для силовых транзисторов с током коллектора до 15 А и напряжением до 1500 В. Диаметр основания 25 мм.

КТ-9

Уменьшенная версия КТ-8 диаметром 15 мм. Используется для транзисторов средней мощности до 10 Вт.

Металлические корпуса обеспечивают надежную герметизацию и хорошую теплоотдачу, но имеют большие габариты и массу. Они широко применяются в силовой электронике, источниках питания, усилителях мощности.

Особенности пластиковых корпусов отечественных транзисторов

Пластиковые корпуса более компактны и дешевы в производстве по сравнению с металлическими. Рассмотрим наиболее распространенные типы:

TO-126

Корпус TO-126 имеет прямоугольную форму размером 7,8×11,1 мм и толщиной 2,8 мм. Применяется для транзисторов средней мощности до 20 Вт. Имеет отверстие для крепления на радиатор.

TO-220

Один из самых популярных корпусов для силовых транзисторов. Размеры корпуса 10×15 мм, толщина 4,5 мм. Обеспечивает рассеиваемую мощность до 50 Вт при установке на радиатор.

SOT-23

Миниатюрный корпус для маломощных транзисторов. Размеры 2,9×1,3×1 мм. Применяется в портативной электронике, где важны малые габариты.

Пластиковые корпуса обеспечивают хорошее соотношение цены и характеристик. Они широко используются в бытовой электронике, автомобильной промышленности, телекоммуникационном оборудовании.

Керамические корпуса: преимущества и области применения

Керамические корпуса обладают высокой теплопроводностью и стойкостью к внешним воздействиям. Основные типы:

TO-8

Цилиндрический металлокерамический корпус диаметром 12,7 мм. Применяется для мощных СВЧ-транзисторов, работающих на частотах до нескольких ГГц.

КТ-17

Отечественный аналог TO-8. Используется для транзисторов с рассеиваемой мощностью до 30 Вт и рабочими частотами до 2 ГГц.

Керамические корпуса обеспечивают высокую надежность и стабильность параметров в широком диапазоне температур. Они применяются в военной и космической технике, измерительном оборудовании, системах связи.

Безвыводные корпуса для поверхностного монтажа

С развитием технологий поверхностного монтажа все большее распространение получают безвыводные корпуса транзисторов:

DFN (Dual Flat No-lead) — ультратонкие корпуса толщиной менее 1 мм
QFN (Quad Flat No-lead) — квадратные корпуса с контактными площадками по периметру
WLCSP (Wafer-Level Chip-Scale Package) — корпуса размером с кристалл

Безвыводные корпуса позволяют значительно уменьшить габариты электронных устройств. Они широко применяются в смартфонах, планшетах, носимой электронике и другой миниатюрной аппаратуре.

Маркировка отечественных транзисторов

Для идентификации транзисторов применяется буквенно-цифровая маркировка, нанесенная на корпус. Система маркировки отечественных транзисторов включает следующие элементы:

Буквенное обозначение типа прибора (КТ — кремниевый транзистор, ГТ — германиевый транзистор)
Цифровой код серии (3 цифры)
Буква, обозначающая разброс параметров (А, Б, В и т.д.)

Например, маркировка КТ315Б означает кремниевый транзистор серии 315, группа Б по разбросу параметров. Знание системы маркировки позволяет быстро определить основные характеристики транзистора.

Выбор корпуса транзистора для конкретного применения

При выборе корпуса транзистора для конкретного применения необходимо учитывать следующие факторы:

Рассеиваемая мощность
Рабочая частота
Условия эксплуатации (температура, влажность, вибрации)
Требования к габаритам и массе
Метод монтажа (в отверстия или поверхностный)
Стоимость

Для маломощных высокочастотных схем оптимальны миниатюрные пластиковые корпуса. В силовой электронике применяются металлические и мощные пластиковые корпуса с возможностью установки на радиатор. Для ответственных применений выбирают надежные керамические корпуса.

Современные тенденции в конструкции корпусов транзисторов

Развитие технологий производства транзисторов ведет к появлению новых типов корпусов. Основные тенденции:

Уменьшение размеров при сохранении мощности
Улучшение теплоотвода
Повышение рабочих частот
Переход на безвыводные корпуса
Применение новых материалов (композиты, керамопласты)

Отечественные производители следуют мировым трендам, осваивая выпуск транзисторов в современных корпусах. Это позволяет создавать конкурентоспособную электронную аппаратуру на базе отечественной элементной базы.

Транзисторы ТО-126: характеристики, принцип и режимы работы, сферы применения

Предыдущая статья Следующая статья

14.09.2022

Транзисторы в пластиковых корпусах ТО-126 выпускаются российскими и иностранными производителями. Данный тип корпуса может использоваться для содержания в нем различных полупроводниковых приборов, в том числе биполярных транзисторов средней мощности. На лицевой поверхности указывается марка изделия либо применяется кодово-цветовая маркировка транзисторов серии ТО-126.

Характеристики транзисторов ТО-126

Корпус ТО-126 транзисторов прямоугольный (7,8×11,1 мм), толщиной 2,8 мм. Чуть выше центра прямоугольника есть сквозное поперечное отверстие Ø3 мм для крепления изделия к теплоотводящей поверхности. Перпендикулярная ему лицевая сторона содержит маркировку. Противоположная — медную луженую подложку, электрически соединенную со средним выводом, являющимся электродом коллектора.

По обе стороны (если смотреть с лицевой стороны) расположены плоские выводы эмиттера — слева и базы — справа. Возможны другие варианты выводов и их соединение.

Электрические характеристики транзисторов ТО-126:

Структура переходов (полярность) р-п-р либо п-р-п.
Максимальное напряжение коллектор-база — предельное значение при котором не происходит электрического пробоя р-п-переходов.
Максимальный ток коллектора — наибольший ток, который не вызовет перегрева кристалла транзистора.
Габаритная мощность — максимально допустимое значение мощности, выделяемая на транзисторе при его длительной эксплуатации (в скобках может указываться параметр транзистора ТО-126 в случае креплении его на теплоотвод).
Статический коэффициент передачи тока h₂₁϶ — определяет отношение коллекторного тока к вызвавшему его току базы и характеризует усилительные свойства транзистора.

Граничная частота — максимальная скорость изменения напряжения при которой сохраняются усилительные свойства транзистора с заявленными характеристиками.

Применение транзисторов ТО-126: режимы и принцип работы

Усилительные свойства транзистора зависят от схемы включения и режима, вызванного питающими, также входными и выходными параметрами, обусловленные номиналами элементов обвязки. Существуют такие варианты одиночного включения с усилительными свойствами:

с общим эмиттером (ОЭ) — самая распространенная схема, усиливает как по напряжению, так и по току;
с общей базой (ОБ) — применяется, в основном, для высоких частот и усиливает только напряжение;
с общим коллектором (ОК) — высокое входное сопротивление, усиление только по току. Схема еще называется эмиттерным повторителем.

Существует множество вариантов совместного включения 2-х и более транзисторов различной мощности для получения необходимых результатов. Широкая сфера применения транзисторов ТО-126 обусловлена возможностью крепления их на теплоотвод со значительным увеличением нагрузочной способности. Изделия могут эксплуатироваться в предварительных и выходных каскадах, схемах стабилизации и регулирования питающих напряжений, также в качестве электронных ключей.

На сайте компании «ЗУМ-СМД» можно приобрести транзисторы ТО-126 оптом. Невысокая стоимость изделий сочетается с качеством известных зарубежных и отечественных производителей.

Возврат к списку

Обратная связь

АО «НИИЭТ»

Продукция

Новинки и текущие разработки

Интегральные микросхемы

Микросхемы в пластиковых корпусах

ВЧ/СВЧ транзисторы и модули

Макетно-отладочные устройства

Испытательное оборудование

Новости

Все новости

О предприятии

АО «НИИЭТ» – один из ведущих производителей электронных компонентов в России.

Научно-исследовательский институт электронной техники – это одна из старейших отечественных школ разработки, большие производственные мощности, квалифицированные кадры.

На нашем предприятии в 1965 году была создана первая отечественная микросхема с диэлектрической изоляцией компонентов. Благодаря огромному опыту – с одной стороны – и умению оперативно меняться в соответствии с потребностями страны – с другой – мы предлагаем своим потребителям качественные услуги разработки, сборки и испытаний современной электронной компонентной базы.

Сегодня НИИЭТ — это единственное в России предприятие, которое занимается серийным производством и поставками GaN-транзисторов на кремнии.

Направления деятельности

Разработка

Мы выполняем полный комплекс работ по проектированию цифровых и аналоговых микросхем, силовых, ВЧ-, СВЧ-транзисторов и блоков на их базе.

Сборка

Наш институт располагает современной производственной линией для сборки ИМС, силовых, ВЧ-, СВЧ-транзисторов во всех типах металлокерамических корпусов.

Испытания и измерения

Современное собственное оборудование и квалифицированные кадры позволяют нам проводить комплексные испытания изделий электронной техники с применением современных методик.

Наши партнёры

Партнёры

Госкорпорация «Росатом»

АО «Российские космические системы»

АО «Концерн Радиоэлектронные технологии»

ООО «НПФ Вектор»

АО «ВЗПП-Микрон»

Госкорпорация «Роскосмос»

АО «Концерн ВКО „Алмаз-Антей“»

ГК «Элемент»

ЗАО НТЦ «Модуль»

АО «Конструкторско-технологический центр «ЭЛЕКТРОНИКА»

Госкорпорация «Ростех»

АО «Концерн «Радиотехнические и Информационные Системы»

АО «НИИМА «ПРОГРЕСС»

АО «Воронежский Завод Полупроводниковых Приборов-Сборка»

АО «СКТБ ЭС»

Вузы-партнёры

ФГБОУ ВО ВГЛТУ им. Г.Ф. Морозова

ФГБОУ ВО «Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники»

ФГБОУ ВО «Воронежский государственный университет»

Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»

ФГБОУ ВО «Воронежский государственный технический университет»

Дилеры и дистрибьюторы

ООО «ЭНЭЛ»

ООО «Пятый элемент»

АО «ТЕСТПРИБОР»

АО «РТКТ»

ООО «Сигма-Проект»

Информационные партнеры

Научно-технический журнал «Электроника НТБ»

Журнал «Компоненты и технологии»

Единая отраслевая платформа по электронике, микроэлектронике и новым технологиям Industry Hunter

«РадиоЛоцман» — портал и журнал для разработчиков электроники

Журнал «Электронные компоненты»

Транзисторы — ВЧ, Мосфеты, Разное.

Похоже, в вашем браузере отключен JavaScript.
Для использования функций этого веб-сайта в вашем браузере должен быть включен JavaScript.

1-800-RFPARTS (1-800-737-2787) 1-760-744-0700 (США) ЗАКАЗЫ: [email protected] 435 S PACIFIC ST SAN MARCOS, CA 92078

Выберите подкатегорию.

Посмотреть, как: Список Сетка

Показать 5 10 15 20 25 Все на странице

Сортировать по Позиция Имя Цена

$0,75
4N25 6-контактные оптоизоляторы DIP Транзисторный выход
1,91 $
IRF510 Транзистор, 5,6 А, 100 В, 0,540 Ом, N-канальный мощный МОП-транзистор
53,91 долл. США
Разработан в первую очередь для широкополосных сильносигнальных выходных и драйверных каскадов в диапазоне 30–200 МГц, N-канальный режим улучшения MOSFET
- Гарантированная производительность при 150 МГц, 28 В пост. тока, выходная мощность = 45 Вт, усиление мощности = 17 дБ (мин), КПД = 60% (мин)
- Превосходная термическая стабильность, идеально подходит для эксплуатации в классе А
- Облегчает ручную регулировку усиления, ALC и методы модуляции
- 100% тестирование на несоответствие нагрузки при всех фазовых углах с КСВ 30:1
- Низкий Crss – 8 пФ при VDS = 28 В
- Металл с позолотой. Типичные данные для усилителей мощности в промышленном, коммерческом и любительском радиооборудовании
- Типовая производительность при 30 МГц, 28 В постоянного тока, выходная мощность = 30 Вт (PEP), коэффициент усиления по мощности = 20 дБ (тип.), КПД = 50 % (тип.), IMD(d3) (30 Вт PEP) –32 дБ (тип.)
Запчасти, которые у нас есть, относятся к ранней версии сразу после продажи Motorola компании M/A-COM. Все детали на складе производятся с использованием оригинального штампа Motorola.
Новый Старый склад * Больше не доступен для экспорта
Производитель: M/A-COM
Артикул: MRF171A-MA
129,91 долл. США
Для соответствия Quad (4) просто закажите две пары
Производитель: Toshiba, Япония
Новые старые запасы * больше не доступны для экспорта
Артикул: 2SC2782A-MP
$8,91 Как низко, как: $6,91
Мощные кремниевые силовые транзисторы NPN Эти устройства предназначены для линейных усилителей, регуляторов последовательного прохода и индуктивных переключателей.
Особенности • Второй ток пробоя при прямом смещении IS/b = 3,75 А пост. тока при VCE = 40 В пост. тока − 2N3771 = 2,5 А пост. тока при VCE = 60 В пост.0007
MFR: ON Semiconductors
&nbs2N3771G ON Semiconductor Транзистор NPN 40V 30Ap;Артикул: 2N3771G-ON
5,91 $
Предназначен для коммутации и усилителей общего назначения.
- Максимальное напряжение: 60 В.
- Максимальный ток: коллектор 15 А, база 7 А.
- Рассеиваемая мощность: 115 Вт.
- Пакет: сталь ТО-3.
Новый Старый склад * Больше не доступен для экспорта
Производитель: RCA
Артикул: 2N3055-RCA
1,91 $
- Напряжение коллектор-эмиттер VCEO Макс.: 15 В
- Коллектор-База Напряжение VCBO: 40 В
- Базовое напряжение эмиттера VEBO: 5 В
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 500 мВ
- Максимальный постоянный ток коллектора: 300 мА
- Рассеиваемая мощность: 350 мВт
Новый Старый склад * Больше не доступен для экспорта
Производитель: Fairchild
Артикул: PN3646
12,91 $
- Напряжение коллектор-эмиттер: 40 В
- Коллектор-База Напряжение: 60 В
- Напряжение эмиттер-база: 5 В
- Ток коллектора: 7 А
Новый старый склад * Больше не доступен для экспорта
Производитель: GE/RCA
Артикул: 2N5490
$9,95
Транзисторы 2N174, германиевый PNP, MFR: Delco
$1,91 Как низко, как: 1,62 доллара США
2N2222A — хороший недорогой NPN-транзистор общего назначения для усиления и коммутации малой и средней мощности.
Корпус: 22-03 TO-18
Малосигнальный биполярный транзистор
0,8 A I(C),
40 В V(BR)CEO
1-элементный
Кремний
Новый Старый склад * Больше не поставляется на экспорт
Производитель: Motorola
Артикул: 2N2222A-M
Для получения дополнительной информации см. техническое описание

Транзистор – изобретение, опередившее свое время

Многие изобретения делаются одновременно несколькими разными людьми, потому что время «подходящее», а это означает, что существует техническая и научная основа, а также спрос и коммерческий потенциал изобретения .

Транзистор, однако, является изобретением, которое было придумано задолго до того, как пришло время. Он был изобретен в 1947 году, и даже несколько лет спустя научная конференция сочла его настолько странным достижением, что его не включили в документацию. Сами изобретатели считали, что транзистор может найти применение в каких-то специальных приборах и, возможно, в военной радиоаппаратуре. Тем не менее, транзистор является основой всех современных технологий, включая телекоммуникации, передачу данных, авиацию и аудио- и видеозаписывающую аппаратуру.

Три человека, Уолтер Браттейн, Джон Бардин и Уильям Шокли, разделили Нобелевскую премию по физике за прорыв, достигнутый ими 23 декабря 1947 года. В определенном смысле четвертый человек был ответственен за открытие транзистора в то время. Марвин Келли, который тогда был главой Bell Laboratories, собрал трио вместе. Келли считал, что работа с такой неизвестной группой материалов, как полупроводники, требует сочетания разных специальностей: блестящего теоретика Браттейна, квалифицированного материаловеда Бардина и очень опытного экспериментатора Шокли, который также силен в теории. Цели проекта были очень общими.

Bell Laboratories в США была частью одной из ведущих телефонных компаний мира, AT&T. Компания поняла, что транзистор можно использовать для приложений, далеких от телекоммуникаций в самом строгом смысле этого слова, и решила, возможно, чтобы избежать обвинений в использовании монопольного положения на внутреннем рынке, предложить лицензии на разумных условиях всем компаниям, желающим применить их. . Взамен этим компаниям было предложено внести свои собственные патенты в общий патентный пул.

В компьютерах, а также в радио- и телеаппаратуре использовались электронные лампы, которые были относительно громоздкими и потребляли значительное количество энергии. Однако дизайнеры знали, как сделать их меньше, а фабрики умели делать их надежно и недорого. С другой стороны, новые транзисторы были хрупкими, не выдерживали высоких температур и требовали гораздо более сложных уравнений при проектировании. На телефонных станциях даже не использовались трубки. Это были чрезвычайно надежные чудеса машиностроения на основе реле и шатунов.

Незадолго до того, как Бриттен, Бардин и Шокли были удостоены Нобелевской премии, появилось первое серьезное применение транзистора. Это был небольшой портативный радиоприемник, который даже называли транзистором в честь компонента, который сделал его возможным. Texas Instruments, которая была первой компанией, представившей радио такого типа, в конечном итоге добилась известности в новой полупроводниковой промышленности. Второй компанией, которая станет гигантом в индустрии бытовой электроники, была японская. Эта компания, основанная после Второй мировой войны, преследовала международные амбиции и поэтому выбрала английское название Sony.

Уильям Шокли не присутствовал в тот день, когда транзистор впервые заработал. В своем гневе, по крайней мере, согласно легендам, он тогда сел и изобрел множество различных разновидностей транзисторов. Они были основаны на том, как были созданы три контакта транзистора. путем пайки, с использованием диффузии при нагревании и т. д. Все эти варианты основаны на методе, используемом для создания различных слоев, через которые ток контролируется сигналом на электрод в середине из трех.