Транзисторы ТО-126: характеристики, принцип и режимы работы, сферы применения
Предыдущая статья Следующая статья
14.09.2022
Транзисторы в пластиковых корпусах ТО-126 выпускаются российскими и иностранными производителями. Данный тип корпуса может использоваться для содержания в нем различных полупроводниковых приборов, в том числе биполярных транзисторов средней мощности. На лицевой поверхности указывается марка изделия либо применяется кодово-цветовая маркировка транзисторов серии ТО-126.
Характеристики транзисторов ТО-126
Корпус ТО-126 транзисторов прямоугольный (7,8×11,1 мм), толщиной 2,8 мм. Чуть выше центра прямоугольника есть сквозное поперечное отверстие Ø3 мм для крепления изделия к теплоотводящей поверхности. Перпендикулярная ему лицевая сторона содержит маркировку. Противоположная — медную луженую подложку, электрически соединенную со средним выводом, являющимся электродом коллектора.
По обе стороны (если смотреть с лицевой стороны) расположены плоские выводы эмиттера — слева и базы — справа. Возможны другие варианты выводов и их соединение.
Электрические характеристики транзисторов ТО-126:
- Структура переходов (полярность) р-п-р либо п-р-п.
- Максимальное напряжение коллектор-база — предельное значение при котором не происходит электрического пробоя р-п-переходов.
- Максимальный ток коллектора — наибольший ток, который не вызовет перегрева кристалла транзистора.
- Габаритная мощность — максимально допустимое значение мощности, выделяемая на транзисторе при его длительной эксплуатации (в скобках может указываться параметр транзистора ТО-126 в случае креплении его на теплоотвод).
- Статический коэффициент передачи тока h₂₁϶ — определяет отношение коллекторного тока к вызвавшему его току базы и характеризует усилительные свойства транзистора.
- Граничная частота — максимальная скорость изменения напряжения при которой сохраняются усилительные свойства транзистора с заявленными характеристиками.
Применение транзисторов ТО-126: режимы и принцип работы
Усилительные свойства транзистора зависят от схемы включения и режима, вызванного питающими, также входными и выходными параметрами, обусловленные номиналами элементов обвязки. Существуют такие варианты одиночного включения с усилительными свойствами:
- с общим эмиттером (ОЭ) — самая распространенная схема, усиливает как по напряжению, так и по току;
- с общей базой (ОБ) — применяется, в основном, для высоких частот и усиливает только напряжение;
- с общим коллектором (ОК) — высокое входное сопротивление, усиление только по току. Схема еще называется эмиттерным повторителем.
Существует множество вариантов совместного включения 2-х и более транзисторов различной мощности для получения необходимых результатов. Широкая сфера применения транзисторов ТО-126 обусловлена возможностью крепления их на теплоотвод со значительным увеличением нагрузочной способности.
На сайте компании «ЗУМ-СМД» можно приобрести транзисторы ТО-126 оптом. Невысокая стоимость изделий сочетается с качеством известных зарубежных и отечественных производителей.
Возврат к списку
Обратная связь
Похожие статьи
АО «НИИЭТ»
Продукция
Новинки и текущие разработки
Интегральные микросхемы
Микросхемы в пластиковых корпусах
ВЧ/СВЧ транзисторы и модули
Макетно-отладочные устройства
Испытательное оборудование
Новости
Все новости
О предприятии
АО «НИИЭТ» – один из ведущих производителей электронных компонентов в России.
Научно-исследовательский институт электронной техники – это одна из старейших отечественных школ разработки, большие производственные мощности, квалифицированные кадры.
На нашем предприятии в 1965 году была создана первая отечественная микросхема с диэлектрической изоляцией компонентов. Благодаря огромному опыту – с одной стороны – и умению оперативно меняться в соответствии с потребностями страны – с другой – мы предлагаем своим потребителям качественные услуги разработки, сборки и испытаний современной электронной компонентной базы.
Сегодня НИИЭТ — это единственное в России предприятие, которое занимается серийным производством и поставками GaN-транзисторов на кремнии.
Направления деятельности
Разработка
Мы выполняем полный комплекс работ по проектированию цифровых и аналоговых микросхем, силовых, ВЧ-, СВЧ-транзисторов и блоков на их базе.
Сборка
Наш институт располагает современной производственной линией для сборки ИМС, силовых, ВЧ-, СВЧ-транзисторов во всех типах металлокерамических корпусов.
Испытания и измерения
Современное собственное оборудование и квалифицированные кадры позволяют нам проводить комплексные испытания изделий электронной техники с применением современных методик.
Наши партнёры
Партнёры
Госкорпорация «Росатом»
АО «Российские космические системы»
АО «Концерн Радиоэлектронные технологии»
ООО «НПФ Вектор»
АО «ВЗПП-Микрон»
Госкорпорация «Роскосмос»
АО «Концерн ВКО „Алмаз-Антей“»
ГК «Элемент»
ЗАО НТЦ «Модуль»
АО «Конструкторско-технологический центр «ЭЛЕКТРОНИКА»
Госкорпорация «Ростех»
АО «Концерн «Радиотехнические и Информационные Системы»
АО «НИИМА «ПРОГРЕСС»
АО «Воронежский Завод Полупроводниковых Приборов-Сборка»
АО «СКТБ ЭС»
Вузы-партнёры
ФГБОУ ВО ВГЛТУ им.
Г.Ф. Морозова
ФГБОУ ВО «Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники»
ФГБОУ ВО «Воронежский государственный университет»
Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»
ФГБОУ ВО «Воронежский государственный технический университет»
Дилеры и дистрибьюторы
ООО «ЭНЭЛ»
ООО «Пятый элемент»
АО «ТЕСТПРИБОР»
АО «РТКТ»
ООО «Сигма-Проект»
Информационные партнеры
Научно-технический журнал «Электроника НТБ»
Журнал «Компоненты и технологии»
Единая отраслевая платформа по электронике, микроэлектронике и новым технологиям Industry Hunter
«РадиоЛоцман» — портал и журнал для разработчиков электроники
Журнал «Электронные компоненты»
Транзисторы — ВЧ, Мосфеты, Разное.
Похоже, в вашем браузере отключен JavaScript.
Для использования функций этого веб-сайта в вашем браузере должен быть включен JavaScript.
1-800-RFPARTS (1-800-737-2787) 1-760-744-0700 (США) ЗАКАЗЫ: [email protected] 435 S PACIFIC ST SAN MARCOS, CA 92078
Выберите подкатегорию.
Посмотреть, как:
Показать 5 10 15 20 25 Все на странице
Сортировать по Позиция Имя Цена
$0,75
4N25 6-контактные оптоизоляторы DIP Транзисторный выход
1,91 $
IRF510 Транзистор, 5,6 А, 100 В, 0,540 Ом, N-канальный мощный МОП-транзистор
53,91 долл.
СШАРазработан в первую очередь для широкополосных сильносигнальных выходных и драйверных каскадов в диапазоне 30–200 МГц, N-канальный режим улучшения MOSFET
- Гарантированная производительность при 150 МГц, 28 В пост. тока, выходная мощность = 45 Вт, усиление мощности = 17 дБ (мин), КПД = 60% (мин)
- Превосходная термическая стабильность, идеально подходит для эксплуатации в классе А
- Облегчает ручную регулировку усиления, ALC и методы модуляции
- 100% тестирование на несоответствие нагрузки при всех фазовых углах с КСВ 30:1
- Низкий Crss – 8 пФ при VDS = 28 В
- Металл с позолотой. Типичные данные для усилителей мощности в промышленном, коммерческом и любительском радиооборудовании
- Типовая производительность при 30 МГц, 28 В постоянного тока, выходная мощность = 30 Вт (PEP), коэффициент усиления по мощности = 20 дБ (тип.), КПД = 50 % (тип.), IMD(d3) (30 Вт PEP) –32 дБ (тип.)
Запчасти, которые у нас есть, относятся к ранней версии сразу после продажи Motorola компании M/A-COM.
Все детали на складе производятся с использованием оригинального штампа Motorola.Новый Старый склад * Больше не доступен для экспорта
Производитель: M/A-COM
Артикул: MRF171A-MA129,91 долл. США
Для соответствия Quad (4) просто закажите две пары
Производитель: Toshiba, Япония
Новые старые запасы * больше не доступны для экспорта
Артикул: 2SC2782A-MP$8,91 Как низко, как: $6,91
Мощные кремниевые силовые транзисторы NPN Эти устройства предназначены для линейных усилителей, регуляторов последовательного прохода и индуктивных переключателей.
Особенности • Второй ток пробоя при прямом смещении IS/b = 3,75 А пост. тока при VCE = 40 В пост. тока − 2N3771 = 2,5 А пост. тока при VCE = 60 В пост.0007
MFR: ON Semiconductors
&nbs2N3771G ON Semiconductor Транзистор NPN 40V 30Ap;Артикул: 2N3771G-ON
5,91 $
Предназначен для коммутации и усилителей общего назначения.
- Максимальное напряжение: 60 В.
- Максимальный ток: коллектор 15 А, база 7 А.
- Рассеиваемая мощность: 115 Вт.
- Пакет: сталь ТО-3.
Новый Старый склад * Больше не доступен для экспорта
Производитель: RCA
Артикул: 2N3055-RCA1,91 $
- Напряжение коллектор-эмиттер VCEO Макс.: 15 В
- Коллектор-База Напряжение VCBO: 40 В
- Базовое напряжение эмиттера VEBO: 5 В
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 500 мВ
- Максимальный постоянный ток коллектора: 300 мА
- Рассеиваемая мощность: 350 мВт
Новый Старый склад * Больше не доступен для экспорта
Производитель: Fairchild
Артикул: PN364612,91 $
- Напряжение коллектор-эмиттер: 40 В
- Коллектор-База Напряжение: 60 В
- Напряжение эмиттер-база: 5 В
- Ток коллектора: 7 А
Новый старый склад * Больше не доступен для экспорта
Производитель: GE/RCA
Артикул: 2N5490$9,95
Транзисторы 2N174, германиевый PNP, MFR: Delco
$1,91 Как низко, как: 1,62 доллара США
2N2222A — хороший недорогой NPN-транзистор общего назначения для усиления и коммутации малой и средней мощности.
Корпус: 22-03 TO-18
Малосигнальный биполярный транзистор
0,8 A I(C),
40 В V(BR)CEO
1-элементный
Кремний
Новый Старый склад * Больше не поставляется на экспорт
Производитель: Motorola
Артикул: 2N2222A-MДля получения дополнительной информации см. техническое описание
Все детали на складе производятся с использованием оригинального штампа Motorola.
Транзистор – изобретение, опередившее свое время
Многие изобретения делаются одновременно несколькими разными людьми, потому что время «подходящее», а это означает, что существует техническая и научная основа, а также спрос и коммерческий потенциал изобретения .
Транзистор, однако, является изобретением, которое было придумано задолго до того, как пришло время. Он был изобретен в 1947 году, и даже несколько лет спустя научная конференция сочла его настолько странным достижением, что его не включили в документацию.
Сами изобретатели считали, что транзистор может найти применение в каких-то специальных приборах и, возможно, в военной радиоаппаратуре. Тем не менее, транзистор является основой всех современных технологий, включая телекоммуникации, передачу данных, авиацию и аудио- и видеозаписывающую аппаратуру.
Три человека, Уолтер Браттейн, Джон Бардин и Уильям Шокли, разделили Нобелевскую премию по физике за прорыв, достигнутый ими 23 декабря 1947 года. В определенном смысле четвертый человек был ответственен за открытие транзистора в то время. Марвин Келли, который тогда был главой Bell Laboratories, собрал трио вместе. Келли считал, что работа с такой неизвестной группой материалов, как полупроводники, требует сочетания разных специальностей: блестящего теоретика Браттейна, квалифицированного материаловеда Бардина и очень опытного экспериментатора Шокли, который также силен в теории. Цели проекта были очень общими.
Bell Laboratories в США была частью одной из ведущих телефонных компаний мира, AT&T.
Компания поняла, что транзистор можно использовать для приложений, далеких от телекоммуникаций в самом строгом смысле этого слова, и решила, возможно, чтобы избежать обвинений в использовании монопольного положения на внутреннем рынке, предложить лицензии на разумных условиях всем компаниям, желающим применить их. . Взамен этим компаниям было предложено внести свои собственные патенты в общий патентный пул.
В компьютерах, а также в радио- и телеаппаратуре использовались электронные лампы, которые были относительно громоздкими и потребляли значительное количество энергии. Однако дизайнеры знали, как сделать их меньше, а фабрики умели делать их надежно и недорого. С другой стороны, новые транзисторы были хрупкими, не выдерживали высоких температур и требовали гораздо более сложных уравнений при проектировании. На телефонных станциях даже не использовались трубки. Это были чрезвычайно надежные чудеса машиностроения на основе реле и шатунов.
Незадолго до того, как Бриттен, Бардин и Шокли были удостоены Нобелевской премии, появилось первое серьезное применение транзистора.
Это был небольшой портативный радиоприемник, который даже называли транзистором в честь компонента, который сделал его возможным. Texas Instruments, которая была первой компанией, представившей радио такого типа, в конечном итоге добилась известности в новой полупроводниковой промышленности. Второй компанией, которая станет гигантом в индустрии бытовой электроники, была японская. Эта компания, основанная после Второй мировой войны, преследовала международные амбиции и поэтому выбрала английское название Sony.
Уильям Шокли не присутствовал в тот день, когда транзистор впервые заработал. В своем гневе, по крайней мере, согласно легендам, он тогда сел и изобрел множество различных разновидностей транзисторов. Они были основаны на том, как были созданы три контакта транзистора. путем пайки, с использованием диффузии при нагревании и т. д. Все эти варианты основаны на методе, используемом для создания различных слоев, через которые ток контролируется сигналом на электрод в середине из трех.
