Какие основные характеристики имеет стабилитрон КС510А. Для чего используется данный полупроводниковый прибор. Каковы особенности его работы и применения. Как правильно выбрать и использовать стабилитрон КС510А.
Основные характеристики стабилитрона КС510А
Стабилитрон КС510А относится к кремниевым стабилитронам средней мощности. Его основные характеристики:
- Напряжение стабилизации: 9-11 В при токе стабилизации 5 мА
- Максимальный ток стабилизации: 79 мА
- Минимальный ток стабилизации: 1 мА
- Дифференциальное сопротивление: 25 Ом при токе 5 мА
- Максимальная рассеиваемая мощность: 1 Вт
- Временная нестабильность напряжения стабилизации: ±1.5%
Данный стабилитрон имеет металлический корпус, что обеспечивает хороший теплоотвод. Диапазон рабочих температур составляет от -60°C до +125°C.
Принцип работы стабилитрона КС510А
Стабилитрон КС510А работает на основе эффекта электрического пробоя p-n перехода в обратном направлении. При достижении напряжения пробоя ток через прибор резко возрастает, а напряжение остается практически неизменным. Это свойство и используется для стабилизации напряжения.
В КС510А реализован лавинный механизм пробоя, так как напряжение стабилизации превышает 7 В. При лавинном пробое происходит лавинообразное размножение носителей заряда за счет ударной ионизации.
Области применения стабилитрона КС510А
Основные сферы использования данного стабилитрона:
- Стабилизация напряжения в источниках питания
- Ограничение напряжения для защиты цепей
- Формирование опорного напряжения в измерительных схемах
- Сдвиг уровня в логических схемах
- Генерация шума в генераторах шума
КС510А подходит для применения в аппаратуре, где требуется стабилизация напряжения около 10 В при токах до 80 мА.
Особенности включения стабилитрона КС510А в схему
При использовании КС510А необходимо учитывать следующие моменты:
- Включение производится в обратном направлении
- Необходимо обеспечить ток через стабилитрон не менее 1 мА
- Максимальный ток не должен превышать 79 мА
- Рассеиваемая мощность не должна быть больше 1 Вт
- Желательно использовать балластный резистор для ограничения тока
Правильное включение позволяет получить стабильное опорное напряжение 9-11 В.
Сравнение КС510А с аналогами
Стабилитрон КС510А имеет следующие преимущества по сравнению с аналогами:
- Высокая температурная стабильность
- Малый температурный коэффициент напряжения
- Низкий уровень шумов
- Широкий диапазон рабочих температур
- Высокая надежность
По сравнению с низковольтными стабилитронами КС510А обеспечивает более стабильное опорное напряжение.
Маркировка и внешний вид стабилитрона КС510А
Стабилитрон КС510А выпускается в металлическом корпусе TO-18. На корпусе нанесена маркировка:
- КС510А — наименование прибора
- Цветовой код для обозначения полярности
- Дата изготовления (год и неделя)
Внешне КС510А представляет собой небольшой цилиндрический корпус с двумя выводами. Диаметр корпуса около 5 мм, высота 3-4 мм.
Рекомендации по выбору стабилитрона КС510А
При выборе стабилитрона КС510А следует учитывать:
- Требуемое напряжение стабилизации (9-11 В)
- Необходимый ток стабилизации (до 79 мА)
- Допустимый разброс напряжения стабилизации
- Требования по температурной стабильности
- Максимальную рассеиваемую мощность
Важно правильно рассчитать режим работы стабилитрона, чтобы обеспечить его надежное функционирование.
Проверка работоспособности стабилитрона КС510А
Для проверки КС510А можно использовать следующую методику:- Измерить прямое напряжение при токе 1 мА (должно быть около 0.7 В)
- Измерить обратное напряжение при токе 5 мА (должно быть 9-11 В)
- Проверить стабильность напряжения при изменении тока от 1 до 70 мА
- Измерить дифференциальное сопротивление
Исправный стабилитрон должен обеспечивать стабильное напряжение во всем диапазоне рабочих токов.
Заключение о возможностях применения КС510А
Стабилитрон КС510А является надежным прибором для стабилизации напряжения около 10 В. Его основные достоинства:
- Высокая стабильность напряжения
- Малая температурная зависимость
- Низкий уровень шумов
- Широкий диапазон рабочих температур
- Высокая надежность
Это позволяет эффективно применять КС510А в источниках опорного напряжения, стабилизаторах, измерительных схемах и другой радиоэлектронной аппаратуре.
Стабилитрон КС510А
Количество драгоценных металлов в стабилитроне КС510А согласно документации производителя. Справочник массы и наименований ценных металлов в советских стабилитронах КС510А.
Стабилитрон КС510А количество содержания драгоценных металлов:
Золото: 0,00008 грамм.
Серебро: 0,00001 грамм.
Платина: 0 грамм.
Палладий: 0 грамм.
Согласно данным: Из справочника Связь-Инвест.
Справочник содержания ценных металлов из другого источника:
Стабилитроны КС510А теория
Полупроводниковый стабилитрон, или диод Зенера — полупроводниковый диод, работающий при обратном смещении в режиме пробоя. До наступления пробоя через стабилитрон протекают незначительные токи утечки, а его сопротивление весьма высоко. При наступлении пробоя ток через стабилитрон резко возрастает, а его дифференциальное сопротивление падает до величины, составляющей для различных приборов от долей Ома до сотен Ом. Поэтому в режиме пробоя напряжение на стабилитроне поддерживается с заданной точностью в широком диапазоне обратных токов.
Прежде всего, не следует забывать, что стабилитрон работает только в цепях постоянного тока. Напряжение на стабилитрон подают в обратной полярности, то есть на анод стабилитрона будет подан минус “-“. При таком включении стабилитрона через него протекает обратный ток (I обр) от выпрямителя. Напряжение с выхода выпрямителя может изменяться, будет изменяться и обратный ток, а напряжение на стабилитроне и на нагрузке останется неизменным, то есть стабильным. На следующем рисунке показана вольт-амперная характеристика стабилитрона.
Основное назначение стабилитронов — стабилизация напряжения. Серийные стабилитроны изготавливаются на напряжения от 1,8 В до 400 В. Интегральные стабилитроны со скрытой структурой на напряжение около 7 В являются самыми точными и стабильными твердотельными источниками опорного напряжения: лучшие их образцы приближаются по совокупности показателей к нормальному элементу Вестона. Особый тип стабилитронов, высоковольтные лавинные диоды («подавители переходных импульсных помех», «суппрессоры», «TVS-диоды») применяется для защиты электроаппаратуры от перенапряжений.
Стабилитроны КС510А Принцип действия
Советские и импортные стабилитроны
Полупроводниковый стабилитрон — это диод, предназначенный для работы в режиме пробоя на обратной ветви вольт-амперной характеристики. В диоде, к которому приложено обратное, или запирающее, напряжение, возможны три механизма пробоя: туннельный пробой, лавинный пробой и пробой вследствие тепловой неустойчивости — разрушительного саморазогрева токами утечки. Тепловой пробой наблюдается в выпрямительных диодах, особенно германиевых, а для кремниевых стабилитронов он не критичен. Стабилитроны проектируются и изготавливаются таким образом, что либо туннельный, либо лавинный пробой, либо оба эти явления вместе возникают задолго до того, как в кристалле диода возникнут предпосылки к тепловому пробою. Серийные стабилитроны изготавливаются из кремния, известны также перспективные разработки стабилитронов из карбида кремния и арсенида галлия.
Первую модель электрического пробоя предложил в 1933 году Кларенс Зенер, в то время работавший в Бристольском университете.
Его «Теория электического пробоя в твёрдых диэлектриках» была опубликована летом 1934 года. В 1954 году Кеннет Маккей из Bell Labs установил, что предложеный Зенером туннельный механизм действует только при напряжениях пробоя до примерно 5,5 В, а при бо́льших напряжениях преобладает лавинный механизм. Напряжение пробоя стабилитрона определяется концентрациями акцепторов и доноров и профилем легирования области p-n-перехода. Чем выше концентрации примесей и чем больше их градиент в переходе, тем больше напряжённость электрического поля в области пространственного заряда при равном обратном напряжении, и тем меньше обратное напряжение, при котором возникает пробой:
Туннельный, или зенеровский, пробой возникает в полупроводнике только тогда, когда напряжённость электрического поля в p-n-переходе достигает уровня в 106 В/см. Такие уровни напряжённости возможны только в высоколегированных диодах (структурах p+-n+-типа проводимости) с напряжением пробоя не более шестикратной ширины запрещённой зоны (6 EG ≈ 6,7 В), при этом в диапазоне от 4 EG до 6 EG (4,5…6,7 В) туннельный пробой сосуществует с лавинным, а при напряжении пробоя менее 4 EG (≈4,5 В) полностью вытесняет его.
С ростом температуры перехода ширина запрещённой зоны, а вместе с ней и напряжение пробоя, уменьшается: низковольтные стабилитроны с преобладанием туннельного пробоя имеют отрицательный температурный коэффициент напряжения (ТКН).
В диодах с меньшими уровнями легирования, или меньшими градиентами легирующих примесей, и, как следствие, бо́льшими напряжениями пробоя наблюдается лавинный механизм пробоя. Он возникает при концентрациях примесей, примерно соответствующих напряжению пробоя в 4 EG (≈4,5 В), а при напряжениях пробоя выше 4 EG (≈7,2 В) полностью вытесняет туннельный механизм. Напряжение, при котором возникает лавинный пробой, с ростом температуры возрастает, а наибольшая величина ТКН пробоя наблюдается в низколегированных, относительно высоковольтных, переходах.
Механизм пробоя конкретного образца можно определить грубо — по напряжению стабилизации, и точно — по знаку его температурного коэффициента. В «серой зоне» (см. рисунок), в которой конкурируют оба механизма пробоя, ТКН может быть определён только опытным путём.
Источники расходятся в точных оценках ширины этой зоны: С. М. Зи указывает «от 4 EG до 6 EG» (4,5…6,7 В), авторы словаря «Электроника» — «от 5 до 7 В»8, Линден Харрисон — «от 3 до 8 В»26, Ирвинг Готтлиб проводит верхнюю границу по уровню 10 В9. Низковольтные лавинные диоды (LVA) на напряжения от 4 до 10 В — исключение из правила: в них действует только лавинный механизм.
Оптимальная совокупность характеристик стабилитрона достигается в середине «серой зоны», при напряжении стабилизации около 6 В. Дело не столько в том, что благодаря взаимной компенсации ТКН туннельного и лавинного механизмов эти стабилитроны относительно термостабильны, а в том, что они имеют наименьший технологический разброс напряжения стабилизации и наименьшее, при прочих равных условиях, дифференциальное сопротивление. Наихудшая совокупность характеристик — высокий уровень шума, большой разброс напряжений стабилизации, высокое дифференциальное сопротивление — свойственна низковольтным стабилитронам на 3,3—4,7 В.
Область применения стабилитрона КС510А
Основная область применения стабилитрона — стабилизация постоянного напряжения источников питания. В простейшей схеме линейного параметрического стабилизатора стабилитрон выступает одновременно и источником опорного напряжения, и силовым регулирующим элементом. В более сложных схемах стабилитрону отводится только функция источника опорного напряжения, а регулирующим элементом служит внешний силовой транзистор.
Прецизионные термокомпенсированные стабилитроны и стабилитроны со скрытой структурой широко применяются в качестве дискретных и интегральных источников опорного напряжения (ИОН), в том числе в наиболее требовательных к стабильности напряжения схемах измерительных аналого-цифровых преобразователей. C середины 1970-х годов и по сей день (2012 год) стабилитроны со скрытой структурой являются наиболее точными и стабильными твердотельными ИОН. Точностные показатели лабораторных эталонов напряжения на специально отобранных интегральных стабилитронах приближаются к показателям нормального элемента Вестона.
Особые импульсные лавинные стабилитроны («подавители переходных импульсных помех», «суппрессоры», «TVS-диоды») применяются для защиты электроаппаратуры от перенапряжений, вызываемых разрядами молний и статического электричества, а также от выбросов напряжения на индуктивных нагрузках. Такие приборы номинальной мощностью 1 Вт выдерживают импульсы тока в десятки и сотни ампер намного лучше, чем «обычные» пятидесятиваттные силовые стабилитроны. Для защиты входов электроизмерительных приборов и затворов полевых транзисторов используются обычные маломощные стабилитроны. В современных «умных» МДП-транзисторах защитные стабилитроны выполняются на одном кристалле с силовым транзистором.
Маркировка стабилитронов КС510А
Маркировка стабилитронов
Есть информация о стабилитроне КС510А – высылайте ее нам, мы ее разместим на этом сайте посвященному утилизации, аффинажу и переработке драгоценных и ценных металлов.
Фото Стабилитрон КС510А:
Предназначение Стабилитрон КС510А.
Характеристики Стабилитрон КС510А:
Купить или продать а также цены на Стабилитрон КС510А (стоимость, купить, продать):
Отзыв о стабилитроне КС510А вы можете в комментариях ниже:
- Стабилитроны
Исследование явления электрического пробоя p-n переходов
Башгосуниверситет
Лаборатория
«Физические основы электроники»
Отчет по лабораторной работе №5
«Исследование
явления электрического пробоя p-n переходов»
Уфа-2011
Лабораторная работа № 5
Исследование явления электрического пробоя p-n переходов
Цель
работы: изучение вольтамперной характеристики
элктрического пробоя p-n перехода, определение
параметров пробоя.
Схемы для снятия ВАХ стабилитрона при прямом а) и обратном б) включении.
- б)
Технические данные стабилитронов:
КС510А
Стабилитроны кремневые, планарные, средней мощности. Прденазначены для стабилизации напряжения 8.2 .. 36 В. В диапазоне токов стабилизации 1 .. 86 мА
Электрические параметры:
Напряжение стабилизации при Icт=5мА 9..11В
Временная нестабильность напряжения стабилизации при Icт=5мА +-1.5%
Постоянное прямое напряжение при Iпр=50мА 1В
Дифференциальное сопротивление
При Iст=5мА 25 Ом
При Iст=1мА 200 Ом
Предельные экспоненциальные данные:
1)min ток стабилизации 1мА
2)max ток стабилизации 79мА
3)Постоянный прямой ток 50мА
4)Рассеиваемая
КС447А
Стабилитроны,
кремниевые, сплавные.
Предназначены
для стабилизации номинального напряжения
4.7В
Электрические параметры:
Напряжение
стабилизации при Icт.ном=30мА 4,23..5,
Временная нестабильность напряжения стабилизации +-1.5%
Дифференциальное сопротивление
При Iст= Icт.ном 18 Ом
Разброс напряжений стабилизации
При Iст= Icт.ном +-10%
Предельные экспоненциальные данные:
1)min ток стабилизации 3мА
2)max ток стабилизации 159мА
3)Постоянный прямой ток 50мА
4)Рассеиваемая
Результаты измерений
Таблица 1 Токи и напряжение при прямом включении стабилитрона КС447А
| U,B | 0,468 | 0,496 | 0,504 | 0,512 | 0,522 | 0,536 | 0,557 | 0,558 | 0,593 | |
| I,мА | 0,02 | 0,04 | 0,05 | 0,06 | 0,08 | 0,1 | 0,2 | 0,4 | 0,6 | |
| 0,603 | 0,613 | 0,628 | 0,65 | 0,662 | 0,671 | 0,68 | 0,7 | 0,724 | 0,736 | 0,74 |
| 0,8 | 1 | 2 | 4 | 6 | 8 | 10 | 20 | 40 | 60 | 70 |
Таблица 2 Токи и напряжения при прямом включении стабилитрона КС510А
| U,B | 0,555 | 0,58 | 0,586 | 0,592 | 0,602 | 0,61 | 0,63 | 0,648 | 0,656 | 0,665 |
| I,мА | 0,02 | 0,04 | 0,05 | 0,06 | 0,08 | 0,1 | 0,2 | 0,4 | 0,6 | 0,8 |
| 0,67 | 0,688 | 0,705 | 0,717 | 0,725 | 0,73 | 0,749 | 0,77 | 0,782 | 0,786 | |
| 1 | 2 | 4 | 6 | 8 | 10 | 20 | 40 | 60 | 70 |
Таблица 3 Токи и напряжения при обратном включении стабилитрона КС447А
| U,B | 0 | -2,51 | -2,76 | -2,86 | -2,91 | -3,03 | -3,1 | -3,32 | -3,6 | -3,75 |
| I,мА | 0 | -0,02 | -0,04 | -0,05 | -0,06 | -0,08 | -0,1 | -0,2 | -0,4 | -0,6 |
| -3,88 | -3,91 | -4,14 | -4,4 | -4,54 | -4,64 | -4,68 | -4,88 | -5,05 | -5,15 | -5,19 |
| -0,8 | -1 | -2 | -4 | -6 | -8 | -10 | -20 | -40 | -60 | -70 |
Таблица 4 Токи и напряжения при обратном включении стабилитрона КС510А
| U,B | 0 | -0,5 | -1 | -1,5 | -2 | -2,5 | -3 | -4 | -9 | -9,5 |
| I,мА | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | -0,002 | -0,004 |
| -9,6 | -9,8 | -9,9 | -9,93 | -10,03 | -10,07 | -10,18 | -10,33 | |||
| -0,006 | -0,45 | -10 | -20 | -40 | -50 | -60 | -70 |
Определим по графику напряжение стабилизации, оно равно напряжению пробоя при некотором токе стабилизации:
А)Для стабилитрона
КС510А.
Б)Для стабилитрона
КС447А.
Определим из графика дифференциальное сопротивление стабилитрона по формуле :
1)Для стабилитрона
КС510А
2)Для стабилитрона
КС447А
Определим коэффициент стабилизации по формуле :
1)Для стабилитрона
КС510А
2)Для стабилитрона
КС447А
Вывод: В данной лабораторной работе я исследовал явление электрического пробоя. Изучил ВАХ электрического пробоя, определил параметры пробоя.
Для этого я собрал схему снятия ВАХ стабилитрона при прямом и обратном включении. Снял характеристики стабилитронов КС510А и КС447А при прямом и обратном включении.
По этим данным(таб. №1, таб. №2, таб. №3, таб. №4) построил графики зависимости тока от напряжения.
Определил и рассчитал
по графикам напряжение стабилизации
стабилитронов, дифференциальное сопротивление
и коэффициент стабилизации.
Получил
следующие результаты:
Для диода КС510А: Для
диода КС447А:
Эти значения удовлетворяют электрическим параметрам стабилитронов.
Дифференциальные сопротивление не превышают:
Для КС510А 25 Ом
Для КС447А 18 Ом
И напряжение стабилизации также удовлетворяют допустимым значениям.
Для КС510А 9..11 В.
Для КС447А 4,23..5,17 В.
Uпроб.тун=3..5 В
Uпроб.лав >7 В
Из полученных данных следует, что в стабилитроне КС510А – лавинный пробой, а в стабилитроне КС447А – туннельный пробой.
По полученным результатам
и расчетам видно, что напряжение
туннельного пробоя ниже чем напряжение
лавинного.
Vivobook 15 x510 — Технические характеристики ｜ Ноутбуки для дома ｜ Asus Global
X510UF
Icicle Gold
Star Grey
Rouge
White
Операционная система
Windows 10 Home — Asus рекомендует Windows 10 Pro для бизнеса
Endless
Windows 10 Windows 10.
Pro — ASUS рекомендует Windows 10 Pro для бизнеса
Windows 10 Домашняя в режиме S — ASUS рекомендует Windows 10 Pro для бизнеса
Бесплатное обновление до Windows 11¹ (если доступно, см. ниже)
Процессор
Процессор Intel® Core™ i7-8550U 1,8 ГГц (кэш 8 МБ, до 4,0 ГГц, 4 ядра)
Процессор Intel® Core™ i5-8250U 1,6 ГГц (кэш 6 МБ, до 3,4 ГГц, 4 ядра)
Intel® Процессор Core™ i3-8130U 2,2 ГГц (кэш 4 МБ, до 3,4 ГГц, 2 ядра)
Процессор Intel® Core™ i3-7020U 2,3 ГГц (кэш 3 МБ, до 2,3 ГГц, 2 ядра)
Процессор AMD A12-9720P 2.7 ГГц (кэш 2 МБ, до 3,6 ГГц, 4 ядра)
Процессор AMD A10-9620P 2,5 ГГц (кэш 2 МБ, до 3,4 ГГц, 4 ядра) Процессор
AMD FX-9800P 2,7 ГГц (кэш 2 МБ, до 3,6 ГГц, 4 ядра)
Графический адаптер
Intel® HD Graphics 520
NVIDIA® GeForce® MX130
2 ГБ GDDR5AMD Radeon™ R7 GraphicsAMD Radeon™ R5 GraphicsAMD Radeon™ R7 Graphics
AMD Radeon™ 535
2 ГБ GDDR5AMD Radeon™ R5 Graphics 2GB
AMD Radeon™ 035 030 03 GDDR5
Дисплей
15,6-дюймовый, FHD (1920 x 1080), соотношение сторон 16:9, панель уровня IPS, светодиодная подсветка, частота обновления 60 Гц, 250 нит, цветовая гамма NTSC 45%, дисплей с антибликовым покрытием, без сенсорного экрана экран15,6-дюймовый, HD (1366 x 768) соотношение сторон 16:9, светодиодная подсветка, частота обновления 60 Гц, 200 нит, цветовая гамма 45% NTSC, антибликовый дисплей, сенсорный экран15,6-дюймовый, FHD (1920 x 1080) Соотношение сторон 16:9, светодиодная подсветка, частота обновления 60 Гц, яркость 200 нит, цветовая гамма NTSC 45%, дисплей с антибликовым покрытием, сенсорный экран15,6 дюйма, HD (1366 x 768), соотношение сторон 16:9 , Панель уровня IPS, светодиодная подсветка, частота обновления 60 Гц, 200 нит, цветовая гамма 45% NTSC, дисплей с антибликовым покрытием, сенсорный экран 15,6 дюйма, FHD (1920 x 1080), соотношение сторон 16:9, уровень IPS Панель, светодиодная подсветка, частота обновления 60 Гц, яркость 250 нит, цветовая гамма NTSC 45 %, дисплей с антибликовым покрытием, несенсорный экран, (отношение экрана к корпусу) 80 %
Память
8 ГБ DDR4 SO-DIMM8 ГБ DDR4 SO-DIMM x 24 ГБ DDR4 SO-DIMM6 ГБ DDR4 SO-DIMM4 ГБ DDR4 SO-DIMM
8 ГБ DDR4 SO-DIMM2 ГБ DDR4 SO-DIMM
4 ГБ DDR4 SO-DIMM8 ГБ DDR4 SO-DIMM
Общий объем системной памяти с возможностью расширения до: 16 ГБ 4 ГБ DDR4 SO-DIMM
Общий объем системной памяти с возможностью расширения до: 16 ГБ 4 ГБ DDR4 SO-DIMM
8 ГБ DDR4 SO-DIMM
Общий объем системной памяти с возможностью обновления до: 16 ГБ 8 ГБ DDR4 SO-DIMM x 2
Общий объем системной памяти с возможностью расширения до: 16 ГБ 2 ГБ DDR4 SO- DIMM
4 ГБ DDR4 SO-DIMM
Общий объем системной памяти с возможностью расширения до: 16 ГБ
Хранилище
1 ТБ SATA 5400 об/мин 2,5″ HDD512 ГБ M.
2 SATA SSD256 ГБ M.2 SATA SSD1 ТБ SATA 5400 об/мин 2,5″ HDD, 128 ГБ M.2 SATA SSD1 ТБ SATA 5400 об/мин 2,5″ HDD, 256 ГБ SPM M.5 SATA SSD 540 , 128 Гбайт M.2 SATA SSD500 Гбайт SATA 5400 об/мин 2,5-дюймовый жесткий диск, 256 Гбайт M.2 SATA SSD500 Гбайт SATA 5400 об/мин 2,5 дюйма Память Intel® Optane™ 16 Гбайт, 1 ТБ SATA 5400 об/мин 2,5-дюймовый жесткий диск128 Гбайт M.2 SATA SSD1 ТБ SATA 5400 об/мин 2,5-дюймовый жесткий диск M. 512 Гбайт M. 2 Твердотельный накопитель SATA512 ГБ M.2 NVMe™ PCIe® 3.0 SSD256 ГБ M.2 NVMe™ PCIe® 3.0 SSD
слота расширения (включая используемые)
2x слота DDR4 SO-DIMM
1x M.2 2280 PCIe 3.0×2
1x M.2 2280 SATA3
1x стандартный 2,5-дюймовый жесткий диск SATA
Порты ввода/вывода
1×1 USB Type 0 Gen 3-A9 0 3.2 Gen 1 Type-C
2x USB 2.0 Type-A
1x micro HDMI 1.4
1x порт VGA (D-Sub)
1x 3,5 мм комбинированный аудиоразъем
кард-ридер 2-в-1 SD/MMC
Клавиатура и сенсорная панель
Chiclet Клавиатура, ход клавиш 1,4 мм, сенсорная панель Клавиатура островного типа с подсветкой, ход клавиш 1,4 мм, сенсорная панель
Камера
VGA-камера
SonicMaster
Встроенный динамик
Встроенный микрофон
с поддержкой распознавания голоса Cortana и Alexa
с поддержкой Cortana
Сеть и связь
Wi-Fi 5(802.
11ac) 2 (двухдиапазонный) *2 + Bluetooth® 4.2
Аккумулятор
42 Втч, 3S1P, 3-элементный литий-ионный аккумулятор
Блок питания
ø4.0, адаптер переменного тока 65 Вт, выход: 19 В пост. тока, 3,42 А, 65 Вт, вход: 100–240 В AC 50/60 Гц универсальный
ø4.0, адаптер переменного тока 45 Вт, мощность: 19В пост. тока, 2,37 А, 45 Вт, вход: 100–240 В перем. тока, 50/60 Гц универсальный
Вес
1,70 кг (3,75 фунта)
Размеры (Ш x Г x В)
36,10 ~ 24,30 x 1,94 см ( 14,21 «x 9,57» x 0,76 «~ 0,76»)
встроенные приложения
Myasus
Myasus Особенности
Splendid
Tru2life
Функциональный ключ. Клиенты Microsoft 365. Требуется кредитная карта.
Office для дома и учебы 2016 в комплекте
Office для дома и учебы 2019 в комплекте
Соответствие нормативным требованиям
Energy star
Безопасность
Защита паролем пользователя при загрузке BIOS Безопасность
Входит в комплект поставки
Проводная оптическая мышь (USB)
Беспроводная оптическая мышь
Сумка для переноски
Рюкзак
* Входящие в комплект аксессуары различаются в зависимости от страны и региона.
Подробную информацию можно получить у местного дилера ASUS.
Отказ от ответственности
¹Обновление Windows 11 будет доставлено на соответствующие устройства в конце 2021 – 2022 годах. Сроки зависят от устройства. Для некоторых функций требуется специальное оборудование (см. aka.ms/windows11-spec)
Антенна Diamond® ~ Антенна базовой станции серии X510
Антенна Diamond® ~ Антенна базовой станции серии X510Главная Продукция Технические Информация Примеры фотографий Гарантия Дилеры Контакт
