Поиск по сайту Новости FreePCB — свободная программа для разводки печатных плат | ГЛАВНАЯ » ТРАНЗИСТОРЫ » КТ312 Транзистор КТ312 — структуры n-p-n, эпитаксиально-планарный, кремниевый, универсальный. Применяется в генераторах, усилителях и различных переключающих устройствах. Имеет металлостеклянный корпус, выводы — гибкие. Тип указан на корпусе. Весит не более 1 г. КТ312 цоколевкаЦоколевка КТ312 показана на рисунке. Электрические параметры КТ312
Предельные эксплуатационные характеристики КТ312
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Схема с ОЭ
8 В
5°C/мВтТранзисторы ГТ322 Транзисторы ГТ322 — германиевые, маломощные,
высокочастотные усилительные, структуры p-n-p. Коэффициент передачи тока Граничная частота передачи тока. Коэффициент шума при частоте 1,6 МГц, напряжении база-коллектор 5в и токе 1мА — 4 дб. Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 5 в на частоте 10МГц:  У транзисторов ГТ322В — 2,5 пФ. Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. Максимальный ток коллектора(постоянный). — 10мА. Рассеиваемая мощность коллектора. 50 мВт. Обратный ток колектора. При напряжении коллектор-база 10 в — 4 мкА, при температуре окружающей
среды + 20 по Цельсию. Зарубежные аналоги транзисторов ГТ322.ГТ322А — GF514, GF515, GF516.ГТ322Б — 2N987, 2SA104,2SA256. ГТ322В — 2N990, 2N991, 2N993. Транзисторы КТ312 Транзисторы КТ312 — маломощные высокочастотные кремниевые n-p-n. Коэффициент передачи тока Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: Максимальный ток коллектора — 30мА. Рассеиваемая мощность коллектора — около 225 мВт. Обратный ток колектора при напряжении коллектор-база 30 в, при температуре окружающей
среды + 25 по Цельсию: Обратный ток эмиттера при напряжении эмиттер-база 4 в — 10 мкА. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 20мА, базы 2мА: Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 20мА, базы 2мА —
не выше 1,1в. Граничная частота передачи тока Зарубежные аналоги транзисторов КТ312. КТ312А — 2N702. На главную страницу Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто». |
Корпус металлостекляный, герметичный.
Маркировка буквенно — цифровая, сбоку корпуса.
На рисунке ниже — цоколевка и маркировка КТ312.
ИСПОЛЬЗУЕМЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ, Транзистор КТ-312Б
Транзистор КТ-312Б
Рисунок 28 — Транзистор КТ-312Б
Резистор Р1-71
Р1-71 (аналог CR) АБШК.434110.048 ТУ — постоянный непроволочный углеродистый резистор общего применения всеклиматического изолированного варианта исполнения. Предназначен для работы в цепях постоянного, переменного и импульсного токов. Резисторы предназначены для ручной и автоматизированной сборки аппаратуры. Соответствует международному габаритно-мощностному ряду.
Таблица 3 — Характеристики резисторов
Условное обозначение Номинальная мощность рассеяния, Вт Диапазон номинальных сопротивлений, Ом Предельное рабочее напряжение постоянного тока, В P1-71-0,125 0,125 1-4,7*106 200 P1-71-0,25М 0,25 1-4,7*106 200 P1-71-0,25 0,25 1-22*106 250 P1-71-0,5М 0,5 1-22*106 250 P1-71-0,5 0,5 1-22*106 350 P1-71-0,1М 1 1-22*106 350 P1-71-0,1 1 1-22*106 500 P1-71-0,2М 2 1-22*106 500 |
Таблица 4 — Габаритные размеры резисторов
Вид резистора | Габаритные размеры | |||
L | D | H | d | |
P1-71-0,125 | 3,3±0,2 | 1,8±0,2 | 29±2,0 | 0,5±0,06 |
P1-71-0,25М | ||||
P1-71-0,25 | 6,0±0,6 | 2,2±0,3 | 28±2,0 | 0,6±0,1 |
P1-71-0,5М | ||||
P1-71-0,5 | 9,0±0,5 | 3,2±0,5 | 26±2,0 | |
P1-71-0,1М | ||||
P1-71-0,1 | 11,5±1,0 | 4,5±0,5 | 35±2,0 | 0,8±0,1 |
Рисунок 29 — Резистор
Конденсатор
Габаритные размеры
Рисунок 30 — Габаритные размеры резисторов
Размеры
dЧl,мм | dmaxЧlmax,мм | Диаметр вывода w,мм |
12Ч30 | 12. | 0.8 |
12Ч39 | 12.5 Ч40 | 0.8 |
13.3 Ч39 | 14Ч40 | 0.8 |
14Ч30 | 14.5 Ч30.5 | 0.8 |
16Ч30 | 16.5 Ч30.5 | 0.8 |
16Ч39 | 16.5 Ч40 | 0.8 |
18Ч30 | 18.5 Ч30.5 | 1 |
18Ч39 | 18.5 Ч40 | 1 |
5 Ч30.5Таблица 5 — Габаритные размеры резисторов. Зависимость размеров от емкости
VR | CR 100Гц 20°С мкФ | Размеры корпуса dЧl мм |
450 | 10 | 12Ч30 |
15 | 12Ч39 | |
18 | 14Ч30 | |
20 | 13. | |
22 | 16Ч30 | |
33 | 16Ч39 | |
35 | 18Ч30 | |
47 | 18Ч39 |
3 Ч39В этой части предлагается проследить ход создания печатной платы на основе предоставленной электрической схемы. Будем создавать простейший усилительный каскад с общим коллектором. Работа будет состоять из нескольких этапов:
1. Создать библиотеку элементов с контактными площадками по их геометрическим размерам.
2. Разместить элементы на плате.
3. Обозначить электрические связи между элементами.
4. Нанести проводники при помощи автотрассировщика.
5. Модификацировать проводники до требующегося вида.
6. Нанесение маркировки, буквенно-цифрового позиционного обозначения и других знаков.
Схема:
Рисунок 31 — Пример электрической схемы
Включаем программу Sprint-Layout 5.0.После того как появиться рабочее поле, выставляем в правой части экрана в окне Свойства размеры платы.
В нем так же можно прописать название платы, например, Усилитель с общим коллектором. В данном примере размер 160 мм. на 100 мм. нас устраивает и можно его оставить без изменения ( при самостоятельной работе размер платы, возможно, придется корректировать).
Изучив схему платы, выясним, что нам требуется изобразить транзистор, емкости и резисторы. Выставим удобный для нас размер сетки рабочего поля. Для этого перейдем в левую часть экрана и нажмем на изображение сетки .Затем Добавить шаг сетки. В появившемся окне введем требуемую величину (в примере лучше всего использовать шаг величиной в 0.25 мм.).Затем выберем активным слой К1(слой компонентов) для начала их изображения .
Упражнение №1
Создание резистора
Теперь можно приступать к изображению элементов. Начнем с резисторов. В примере будет использоваться изображение резисторов серии Р1-71.Эти резисторы для различных значений сопротивлений имеют одинаковые размеры, поэтому вместо трех резисторов различной формы нам нужно буде изобразить всего лишь один.
Для того чтобы отличать резисторы по внешнему виду, возле изображения резистора нанесем значение сопротивления (для каждого резистора свое). Нам понадобятся резисторы с тремя значения сопротивления 1, 10 и 50 кОм.
Приступаем к рисованию. Слой К1 активен. Требуется изобразить резистор имеющий размеры:
Длина — 3.5 мм.
Ширина -2 мм.
Расстояние от торца резистора до центра контактного отверстия 5мм.
Диаметр внутреннего кольца контактного отверстия 0.6 мм, внешнего — 1.25 мм.
В итоге мы должны получить следующее изображение.
Рисунок 32 — Требуемый результат
Кликаем с левой стороны рабочего поля на значок . Переводим курсор на рабочее поле и кликаем левой кнопкой мыши. Получаем первую точку контура нашей будущей детали. Затем тянем курсор на расстояние равное длине резистора(3.5 мм; если выбран шаг сетки равный 0.25 мм., то, тогда нужно протянуть курсор 14 маленьких клеток).Кликаем левой кнопкой мыши еще раз — получаем одну из сторон резистора.
Далее изображаем “первую ширину”.Тянем курсор мышки на величину ширины (2мм ; если выбран шаг сетки равный 0.25 мм., то, тогда нужно протянуть курсор 8 маленьких клеток) и кликаем левой кнопкой мыши. Теперь мы имеем изображение:
Рисунок 33 — Первый шаг
Следуя рекомендациям, дорисовываем изображение резистора до состояния прямоугольника.
Рисунок 34 — Второй шаг
Теперь займемся отверстиями. Активный слой M2. В левой части экрана нажимаем на изображение.В данном пример нам требуется круглый контакт. В случае, если понадобиться контакт другой формы нажимаем на маленький перевернутый треугольник возле слова Контакт и в выпадающем меню выбираем нужный тип контакта. Выбрав круглый контакт, перетаскиваем курсор мышки на рабочее поле и на расстоянии 5 мм(25 маленьких клеток) от торца резистора ставим его, щелкнув левой кнопкой мыши. Тут же можно выбрать размер внутреннего и внешнего диаметра (смотри размеры резистора) в окошке в левой части экрана. После того как размеры одного отверстия заданы можно либо:
копировать его, выбрав левой кнопкой мыши, а затем кликнув правой кнопкой и в выпадающем меню выбрать Копировать.
Затем перетащить курсор в нужное место(с другой стороны резистора на расстоянии 5 мм. от его второй стенки) и кликнув на рабочее поле правой кнопкой мышки , выбрав команду Вставить установить отверстие.
Просто нарисовать с другой стороны резистора еще отверстие и снова установить его параметры.
Должно получиться следующее:
Рисунок 35 — Корпус резистора с отверстиями
Теперь рисуем ножки резистора. Для этого опять ставим активным слой К1.Длина ножек 30мм, но мы будем изображать их так ,как, если бы они были согнуты на расстоянии 10мм от торца и вставлены в отверстия. Снова выбираем значок и рисуем две линии от левой и правой стороны резистора, так чтобы получилось изображение, как на первом рисунке. Резистор готов. Теперь нам нужно сохранить изображение как макрос. Для этого выбираем значок в левой части экрана и выделяем весь наш элемент. Для этого нажимаем на левую клавишу мыши, и не отпуская тянем ее по диагонали, пока не покроем все изображение вместе с контактными площадками, затем отпускаем кнопку и изображение станет фиолетового цвета.
Затем переходим в меню Файл на верхней панели и выбираем опцию Сохранить как макрос. Появится меню:
Рисунок 36 — Вид окна Сохранить как макрос
В строке имя файла пишем имя(можно использовать R 1kOm ,R 10kOm, R 50kOm) и жмем Сохранить. Обратите внимание на то, что:
— выделять и сохранить в макрос нужно отдельно каждый резистор.
— сохранять лучше всего в папку Users=>COM (если сохраняемый объект имеет обычные контактные площадки) и в папку Users=>SMD (если smd-площадки).Если папка не появляется сразу можно поискать ее в строке Папка. Если все сделано правильно, то перейдя в правую часть экрана, в окне Библиотека можно будет увидеть:
Рисунок 37
Для того чтобы в последствии воспользоваться сохраненным макросом его нужно выбрать в меню Библиотека, и в окне расположенному ниже выделить его изображение, нажав по нему левой кнопкой мыши и не отпуская перетянуть на рабочее поле. Если буквы при перетаскивании отобразятся зеркально, то для исправления этой ситуации нужно отщелкнуть кнопку ниже меню Библиотека.
Также так как мы устанавливаем компоненты на первый слой платы(верхний),то следует отщелкнуть кнопку , расположенную рядом.
Упражнение №2
Создание конденсаторов
Далее нам требуется создать конденсаторы. Будем создавать конденсаторы емкостью 10 и 20 мкФ KAL0680-9.В данном случае размер будет зависеть от величины емкости.
Конденсатор на 10мкФ:
— Ширина — 12мм.
— Длина — 30мм.
— Расстояние от торца конденсатора до центра контактного отверстия 4.5мм.
— Диаметр внутреннего кольца контактного отверстия 0.85 мм, внешнего — 1.4 мм.
Конденсатор на 20мкФ:
— Ширина — 16мм.
— Длина — 30мм.
— Расстояние от торца конденсатора до центра контактного отверстия 4.5мм.
— Диаметр внутреннего кольца контактного отверстия 0.85 мм, внешнего — 1.4 мм.
Конденсаторы рисуются точно так же как и резисторы. Не забываем сам элемент рисовать в слое K1,а контактные площадки в слое M2. После их изображения каждый из конденсаторов отдельно сохранить в виде макросов, как в примере с резисторами.
В итоге мы должны получить два конденсатора следующего вида:
Рисунок 38 — Конденсатор с отверстиями 1
Рисунок 39 — Конденсатор с отверстиями 2
Упражнение №3
Создание транзистора
Изобразим теперь транзистор КТ312-Б.Активный слой К1.Транзитор имеет следующие основные размеры:
Рисунок 40 — Транзистор КТ312-Б
Рисунок 41
В итоге мы должны получить следующее изображение:
Внутренний диаметр кольца контактной площадки 0.45мм, внешний — 0.8мм. Для изображения круга переходим в левую часть экрана и нажимаем на изображение . Затем переводим курсор мыши на рабочее поле и выбираем точку установки центра круга. Кликаем левой клавишей и тянем курсор — получаем окружности. Устанавливаем её диаметр(7.3 мм).Затем внутри первой окружности создаем вторую(5.5мм). Далее для удобства установки контактных площадок, можно создать внутри первых двух окружностей третью с диаметром 2.5мм (как показано на рисунке.), и на ней отмечать контактные площадки.
После создания транзистора сохранить его как макрос.
Упражнение №4
Создание платы
Когда все элементы схемы созданы, можно приступить к созданию самой схемы.
Рисунок 42 — Пример схемы
Для этого расположим наши элементы на рабочем поле, для чего потребуется перейти в Библиотеку, найти там созданные макросы и перетащить их на рабочее поле. Затем следует расположить их в соответствии с расположением элементов на электронной схеме. Например, так:
Рисунок 43 — Расположение элементов на рабочем поле
Следующим шагом будет расстановка связей. Расстановка связей помогает определить какой элемент с каким связан, и потом при помощи автотрассировщика можно будет соединить элементы автоматически. Это не всегда удобно использовать, но для некоторых соединений вполне может подойти. Для установки связей в левой части экрана выберем .Затем выбираем отверстие и кликаем по нему левой кнопкой мыши. Тянем получившуюся линию до следующего отверстия, которое должно быть соединено с предыдущим, и кликаем левой кнопкой мыши по нему.
Получаем связь. Чтобы её отменить, нужно повторить соединение отверстий. Предпочтительно расставлять связи (будущие проводники)последовательно т.е от одного отверстия к другому, избегая перекрестий и пересечений. Проведем следующие связи:
Рисунок 44 -Расположение элементов на рабочем поле со связями
Теперь добавляем проводники. Для этого выбираем в левой части экрана кнопку .Выбираем ширину проводника(1мм) и интервал между проводниками, и не выключая, окно трассировщика, кликаем по связям левой кнопкой мыши. Получаем:
Рисунок 45 — Проводники проведенные автотрассировщиком
Соединения, которые трассировщик провел не верно, нужно корректировать вручную. Для этого выбираем (находясь в слое M2) в левой части экрана кнопку и вручную корректируем и проводим оставшиеся проводники. Центральная часть схемы при этом станет выглядеть так:
Рисунок 46 — Центральная часть схемы
После того как проводники проведены нам остается только нанести маркировку и остальные обозначения.
Для этого нам нужно перейти в слой M1,выбрать в левой части экрана кнопку и затем подписать каждую деталь в соответствии с требуемой маркировкой. Транзистор подписывается VT, резисторы R1-3,конденсаторы С1-2.Буквы и цифры будут написаны зеркально т. к. маркировка делается на обратной стороне платы.
Рисунок 47 — Меню ввода текста
В итоге получим следующее:
Рисунок 48 — Рисунок платы с маркировкой
Схема должна быть заземлена. Землю можно изобразить при помощи полигона. Он может быть любой формы. Не забываем переключиться в слой М2. Например, можно сделать так:
Рисунок 49 — Рисунок платы с полигоном-“землей”
Обязательно подсоединив один из нижних выходов к полигону.
Включив можно посмотреть, как плата будет выглядеть после окончания работы.
Рисунок 50 — Фотовид готовой платы
Упражнение № 5
Самостоятельное создание макета печатной платы на основании электрической схемы
В задании по предоставленной электрической схеме нужно изготовить макет платы.
Во всех вариантах используются транзисторы КТ-312В.Размеры конденсаторов и резисторов подбираются в соответствии с таблицами в начале практической части.
Транзистор КТ-312В
Рисунок 51 — Изображение транзистора КТ-312В
Варианты:
Вариант 1
Резисторы: 1, 3, 5Ком (использовать резисторы моделей P1-71-0,125)
Транзисторы: 2 штуки
Конденсаторы:2*20мкф
Рисунок 52
Вариант 2
Резисторы:1, 2*2, 5, 10, 50Ком (использовать резисторы моделей P1-71-0,25М)
Транзисторы: 2 штуки
Конденсаторы:1*10мкф
Рисунок 53
Вариант 3
Резисторы:2*100, 1, 3 Ком (использовать резисторы моделей P1-71-0,25)
Транзисторы: 2 штуки
Конденсаторы: нет
Рисунок 54
Вариант 4
Резисторы:1*3, 2*2 Ком (использовать резисторы моделей P1-71-0,5)
Транзисторы: 3 штуки
Конденсаторы:1*22мкф
Рисунок 55
Вариант 5
Резисторы :2*10, 1*1Ком (использовать резисторы моделей P1-71-0,5М)
Транзисторы: 2 штуки
Конденсаторы:1*47мкф
Рисунок 56
Вариант 6
Резисторы :1, 3, 10, 100Ком (использовать резисторы моделей P1-71-0,1)
Транзисторы: 3 штуки
Конденсаторы:1*35мкф
Рисунок 57
Вариант 7
Резисторы :1, 10, 2, 12Ком (использовать резисторы моделей P1-71-0,1М)
Транзисторы: 3 штуки
Конденсаторы:1*10мкф
Рисунок 58
Вариант 8
Резисторы :100* 2, 10*2, 1*2 Ком (использовать резисторы моделей P1-71-0,1)
Транзисторы: 2 штуки
Конденсаторы:1*20,1*47мкф
Рисунок 59
Вариант 9
Резисторы :100, 10, 1*3 Ком (использовать резисторы моделей P1-71-0,5М)
Транзисторы: 3 штуки
Конденсаторы: 1*35мкф
Рисунок 60
Комплекты для ремонта шлангов, фитинги; Обжимной инструмент; Полноцветная этикетка/таблица описания 312-CK-26
Категории магазиновМеню
Поиск
Счет
Посмотреть корзинуПросмотр корзины
| Принадлежности для уборки | Поставки для ресторанов | Еда и комната отдыха | Офисные принадлежности | Офисная мебель | Технологические продукты | Промышленная безопасность | Медикаменты |
увеличение
Цена $93,68 /Набор
78,07 $ /Набор (Скидка 17%)
Доставить один раз
Автодоставка Каждый Неделя2 Недели3 НеделиМесяц3 Месяца3 Месяца4 Месяца5 Месяца6 Месяца
Купите 10 или более всего за $76,90 /Комплект
Комплекты для ремонта шлангов, фитинги; Обжимной инструмент; Полноцветная этикетка/таблица описания, 1 шт.
- Артикул продукта: 312-CK-26
- Удобный прочный пластиковый кейс с полноцветной этикеткой и таблицей описания сплайсеры, ниппели и наконечники
- Этот товар не подлежит бесплатной доставке.
Описание продукта
Комплекты для ремонта шлангов Western EnterprisesТехнические характеристики изделия
- Внутренний диаметр шланга [Номинальное имя]: 1/4 дюйма
- Включает: фитинги; Обжимной инструмент; Кейс включает полноцветную этикетку и таблицу описания .
- Размер 1: Размер B
- Резьба — TPI или шаг: 9/16 дюйма — 18
- Вес: 3,63 фунта
- Для жителей Калифорнии: ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ. Этот продукт может подвергнуть вас воздействию свинца, химического вещества, которое, как известно в штате Калифорния, вызывает рак и врожденные дефекты или другие нарушения репродуктивной функции.
Для получения дополнительной информации посетите веб-сайт www.P65Warnings.ca.gov .
Для получения дополнительной информации посетите веб-сайт www.P65Warnings.ca.govЧат поддержки клиентов
транзистор%20kt%20312%20b техническое описание и примечания по применению
Лучшие результаты (6)
| Часть | Модель ECAD | Производитель | Описание | Загрузить спецификацию | Купить Часть |
|---|---|---|---|---|---|
| SCT3030AR | РОМ Полупроводник | 650 В, 70 А, 4-контактный THD, траншейная структура, карбид кремния (SiC) MOSFET | |||
| SCT3060AR | РОМ Полупроводник | 650 В, 39 А, 4-контактный THD, траншейная структура, карбид кремния (SiC) MOSFET | |||
| SCT3105KL | РОМ Полупроводник | 1200 В, 24 А, THD, траншейная структура, карбидокремниевый (SiC) МОП-транзистор | |||
| SCT3022KL | РОМ Полупроводник | 1200 В, 95 А, THD, траншейная структура, карбидокремниевый (SiC) МОП-транзистор | |||
| SCT3040KR | РОМ Полупроводник | 1200 В, 55 А, 4-контактный THD, траншейная структура, карбид кремния (SiC) MOSFET | |||
| SCT3080KL | РОМ Полупроводник | 1200 В, 31 А, THD, траншейная структура, карбидокремниевый (SiC) МОП-транзистор |
org/Product»>
org/Product»>транзистор%20kt%20312%20b Листы данных Context Search
| Каталог данных | MFG и тип | ПДФ | Теги документов |
|---|---|---|---|
хб*9Д5Н20П Реферат: khb9d0n90n 6v стабилитрон khb * 2D0N60P транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9D0N90N схема ktd998 транзистор | Оригинал | 2N2904E до н.э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E хб*9Д5Н20П хб9д0н90н 6В стабилитрон хб*2Д0Н60П транзистор КХБ7Д0Н65Ф Транзистор BC557 киа*278R33PI Схема КХБ9Д0Н90Н транзистор ктд998 | |
КИА78*ПИ Реферат: Транзистор KIA78*p TRANSISTOR 2N3904 хб*9D5N20P хб9д0н90н KID65004AF TRANSISTOR mosfet хб*2D0N60P KIA7812API | Оригинал | 2N2904E до н.э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E КИА78*пи транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2N3904 хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004AF ТРАНЗИСТОР MOSFET хб*2Д0Н60П KIA7812API | |
2SC4793 2sa1837 Резюме: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn to-220 транзистор 2SC5359 2SC5171 транзистор эквивалентный 2sc5198 эквивалентный NPN транзистор | Оригинал | 2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2СК5200, 2СА1943, 2СК5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn к-220 транзистор 2SC5359 эквивалент транзистора 2SC5171 эквивалент 2sc5198 НПН-транзистор | |
транзистор Реферат: транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор BC327 NPN транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 транзистор PNP | OCR-сканирование | 2Н3904 2Н3906 2Н4124 2Н4126 2N7000 2Н7002 до н.э.327 до н.э.328 до н.э.337 до н.э.338 транзистор транзистор ИТТ BC548 п-н-п транзистор транзистор п-н-п BC337 п-н-п транзистор BC327 NPN-транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2н3904 ТРАНЗИСТОР ПНП | |
КХ520Г2 Реферат: Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47к 22к ПНП НПН ФБПТ-523 транзистор npn переключающий транзистор 60в Ч521Г2-30ПТ Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904T1PT | Оригинал | А1100) QFN200 ЧДТА143ЕТ1ПТ ФБПТ-523 100 мА ЧДТА143ЗТ1ПТ ЧДТА144ТТ1ПТ CH520G2 Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47k 22k PNP NPN ФБПТ-523 транзистор npn-переключающий транзистор 60 В Ч521Г2-30ПТ Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904Т1ПТ | |
транзистор 45 f 122 Реферат: Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 634 транзистор tlp 122 ТРАНЗИСТОР транзистор ac 127 транзистор 502 транзистор f 421 | OCR-сканирование | TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор переменного тока 51 Моск 3021 СИМИСТОР 136 634 транзистор тлп 122 ТРАНЗИСТОР транзистор переменного тока 127 транзистор 502 транзистор ф 421 | |
СТХ12С Реферат: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F | Оригинал | 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 фн651 SLA4037 sla1004 СТВ-34Д SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F | |
Варистор RU Реферат: Транзистор СЭ110Н 2SC5487 СЭ090Н 2SA2003 высоковольтный транзистор 2SC5586 СЭ090 РБВ-406 | Оригинал | 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор RU SE110N транзистор 2SC5487 SE090N 2SA2003 высоковольтный транзистор 2SC5586 SE090 РБВ-406 | |
К2Н4401 Резюме: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751 | Оригинал | РД91ЭБ Q2N4401 Д1Н3940 Q2N2907A Д1Н1190 Q2SC1815 Q2N3055 Д1Н750 Q2N1132 D02CZ10 Д1Н751 | |
фн651 Реферат: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343 | Оригинал | 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 фн651 СТВ-34Д 2SC5586 ХВР-1х7 STR20012 sap17n 2сд2619 РБВ-4156Б SLA4037 2ск1343 | |
2SC5471 Реферат: 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 2Sc5720 транзистор 2SC5766 низкочастотный малошумящий транзистор PNP | Оригинал | 2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 А1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 транзистор 2са1015 транзистор 2sc1815 Транзистор 2SA970 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP | |
МОП-транзистор FTR 03-E Реферат: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона V/65e9 транзистор 2SC337 MOSFET FTR 03 транзистор DTC143EF | OCR-сканирование | 2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Мосфет FTR 03-E мт 1389 фе 2СД122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона Транзистор V/65e9 2SC337 мосфет фтр 03 транзистор DTC143EF | |
фгт313 Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A диод SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096 диод ry2a | Оригинал | 2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 фгт313 транзистор фгт313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 фгт412 РБВ-3006 ФМН-1106С SLA5096 диод ry2a | |
транзистор 91 330 Реферат: ТРАНЗИСТОР tlp 122 R358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120 | OCR-сканирование | 4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6Н136 6Н137 6Н138 6Н139 CNY17-L CNY17-M транзистор 91 330 ТРАНЗИСТОР тлп 122 Р358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор ф 421 IC 4N25 симистор 40 РИА 120 | |
1999 — Системы горизонтального отклонения телевизора Реферат: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА an363 TV горизонтальные системы отклонения 25 транзистор горизонтальной секции tv Горизонтальное отклонение Коммутационные транзисторы TV горизонтальные системы отклонения MOSFET горизонтальная секция в ЭЛТ-телевизоре ЭЛТ-телевизор электронная пушка ТВ трансформатор обратного хода | Оригинал | 16 кГц
32 кГц,
64 кГц,
100 кГц. Системы горизонтального отклонения телевизора
РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА
Ан363
Системы горизонтального отклонения телевизора 25
транзистор горизонтальной секции телевизор
Переключающие транзисторы с горизонтальным отклонением
Мосфет системы горизонтального отклонения телевизора
горизонтальная секция в ЭЛТ-телевизоре
ЭЛТ ТВ электронная пушка
Обратный трансформатор для телевизора | |
транзистор Реферат: силовой транзистор npn to-220, транзистор PNP PNP POWER TRANSISTOR TO220, демпферный диод, транзистор Дарлингтона, силовой транзистор 2SD2206A, npn, транзистор Дарлингтона TO220 | Оригинал | 2СД1160 2СД1140 2СД1224 2СД1508 2SD1631 2SD1784 2СД2481 2SB907 2СД1222 2СД1412А транзистор силовой транзистор npn к-220 транзистор PNP СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР PNP TO220 демпферный диод Транзистор Дарлингтона силовой транзистор 2СД2206А нпн дарлингтон транзистор ТО220 | |
1999 — транзистор Реферат: POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип Низкочастотный силовой транзистор n-канальный массив полевых транзисторов high hfe транзистор ТРАНЗИСТОР P 3 транзистор mp40 список | Оригинал | X13769XJ2V0CD00 О-126) МП-25 О-220) МП-40 МП-45 МП-45Ф О-220 МП-80 МП-10 транзистор МОЩНЫЙ МОП-транзистор FET 2sj 2sk транзистор 2ск тип 2СК Силовой низкочастотный транзистор n-канальный полевой массив высокочастотный транзистор ТРАНЗИСТОР Р 3 транзистор мп40 список | |
транзистор 835 Реферат: Усилитель на транзисторе BC548 ТРАНЗИСТОР регулятор АУДИО Усилитель на транзисторе BC548 транзистор 81 110 w 85 транзистор 81 110 w 63 транзистор транзистор 438 транзистор 649ТРАНЗИСТОР РУКОВОДСТВО | OCR-сканирование | БК327;
БК327А;
до н. э.328
БК337;
БК337А;
до н.э.338
до н.э.546;
до н.э.547;
до н.э.548
до н.э.556;
транзистор 835
Усилитель на транзисторе BC548
ТРАНЗИСТОРНЫЙ регулятор
Усилитель ЗВУКА на транзисторе BC548
транзистор 81 110 Вт 85
транзистор 81 110 Вт 63
транзистор
транзистор 438
транзистор 649
ТРАНЗИСТОР РУКОВОДСТВО | |
2002 — SE012 Реферат: sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 санкен SE140N STA474 UX-F5B | Оригинал | 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 Санкен SE140N СТА474 UX-F5B | |
2SC5586 Реферат: транзистор 2SC5586 диод RU 3AM 2SA2003 диод для микроволновой печи 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A RG-2A Diode Dual MOSFET 606 2sc5287 | Оригинал | 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод для микроволновой печи 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A Диод РГ-2А Двойной МОП-транзистор 606 2sc5287 | |
PWM инверторный сварочный аппарат Резюме: KD224510 250A транзистор Дарлингтона Kd224515 демпфирующий конденсатор powerex инвертор сварочный контур KD221K75 kd2245 kd224510 примечание по применению транзистор | OCR-сканирование | ||
варикап диоды Аннотация: БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР gsm-модуль с микроконтроллером P-канальный MOSFET Hitachi SAW Фильтр с двойным затвором MOSFET в усилителе УКВ Транзисторы mosfet p-канала Mosfet-транзистор Hitachi VHF FET LNA Низкочастотный силовой транзистор | OCR-сканирование | PF0032 PF0040 PF0042 ПФ0045А PF0065 ПФ0065А HWCA602 HWCB602 ХВКА606 HWCB606 варикапные диоды БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР gsm модуль с микроконтроллером p-канальный мосфет Хитачи ПАВ Фильтр МОП-транзистор с двойным затвором в усилителе УКВ Транзисторы mosfet p канал МОП-транзистор хитачи УКВ Фет лна Силовой низкочастотный транзистор | |
Техническое описание силового транзисторадля телевизора Реферат: силовой транзистор 2SD2599 эквивалент 2SC5411 транзистор 2sd2499 2Sc5858 эквивалент транзистор 2SC5387 2SC5570 компоненты в горизонтальном выходе | Оригинал | 2SC5280 2SC5339 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5411 2SC5421 2SC5422 2SC5445 2SC5446 Технический паспорт силового транзистора телевизора силовой транзистор Эквивалент 2SD2599 транзистор 2sd2499 эквивалент 2Sc5858 транзистор 2SC5570 компоненты в горизонтальном выводе | |
2009 — 2sc3052ef Реферат: 2n2222a SOT23 ТРАНЗИСТОР SMD МАРКИРОВКА КОД s2a 1N4148 SMD LL-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2n2222 sot23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 полупроводниковый перекрестный справочник toshiba smd код маркировки транзистора | Оригинал | 24 ГГц BF517 Б132-Х8248-Г5-С-7600 2sc3052ef 2н2222а СОТ23 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА s2a 1Н4148 СМД ЛЛ-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2н2222 сот23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 смд 1N4148 СОД323 полупроводниковая перекрестная ссылка toshiba smd маркировка код транзистора | |
2007 — ДДА114ТХ Резюме: DCX114EH DDC114TH | Оригинал | DCS/PCN-1077 ОТ-563 150 МВт 22кОм 47кОм DDA114TH DCX114EH DDC114TH | |
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>Предыдущий 1 2 3 … 23 24 25 Далее
Фармакологическая характеристика КТ-90 с использованием клонированных мю-, дельта- и каппа-опиоидных рецепторов
. 1996 г., 3 октября; 312(3):349-55.
doi: 10.1016/0014-2999(96)00469-4.
С Кацумата 1 , Y Ienaga, M Minami, T Nakagawa, K Kanematsu, M Satoh
Принадлежности
принадлежность
- 1 Кафедра фармакологии, Факультет фармацевтических наук, Киотский университет, Япония.
- PMID: 8894618
- DOI: 10.1016/0014-2999(96)00469-4
S Кацумата и др. Евр Дж Фармакол. .
. 1996 г., 3 октября; 312(3):349-55.
doi: 10.1016/0014-2999(96)00469-4.
Авторы
С Кацумата 1 , Иэнага Ю., Минами М., Накагава Т., Канемацу К., Сато М.
принадлежность
- 1 Кафедра фармакологии, Факультет фармацевтических наук, Киотский университет, Япония.
- PMID: 8894618
- DOI: 10.1016/0014-2999(96)00469-4
Абстрактный
Мы проанализировали фармакологические характеристики (-)-3-ацетил-6-бета-ацетилтио-N-циклопропилметилнорморфина (КТ-90) с использованием клеток яичника китайского хомячка (СНО), экспрессирующих клонированные крысиные мю-, дельта- и каппа-опиоидные рецепторы. . KT-90 заменил специфическое связывание следующих радиоактивно меченых лигандов, селективных к мю-, дельта- и каппа-опиоидным рецепторам: [3H][D-Ala2,MePhe4,Gly(ol)5]энкефалин (DAMGO), [3H] [D-Pen2,D-Pen5]энкефалин (ДПДФЭ), [3H] (+)-(5 альфа, 7 альфа, 8 бета)-N-метил-N-[7-(1-пирролидинил) 1-оксаспиро- (4,5)дец-8-ил]бензолацетамид (U69,593), со значениями Ki 3,3 +/- 0,7, 22,8 +/- 1,5 и 1,9 +/- 0,3 нМ соответственно.
10 мкМ) индуцированное накопление циклического AMP в зависимости от концентрации со значениями IC50 2337 +/- 750, 17,3 +/- 4,6 и 2,0 +/- 0,1 нМ соответственно. Максимальные ингибирующие эффекты КТ-90 в клетках, экспрессирующих мю-, дельта- и каппа-опиоидные рецепторы, были значительно ниже, чем у типоселективных агонистов ДАМГО, ДПДФЭ и U69.593 соответственно. Эти результаты показали, что КТ-90 действует как частичный агонист мю-, дельта- и каппа-опиоидных рецепторов. KT-90 (10 и 100 нМ) при добавлении морфина вызывал сдвиг кривой зависимости концентрации морфина вправо, чтобы ингибировать накопление циклического АМФ в клетках СНО, экспрессирующих мю-, но не дельта- или каппа-, опиоидные рецепторы. . Этот вывод согласуется с выводами о том, что более низкие дозы КТ-90 противодействуют морфиновой анальгезии in vivo.
Похожие статьи
Фармакологические свойства TRK-820 в отношении клонированных мю-, дельта- и каппа-опиоидных рецепторов и ноцицептинового рецептора.
Секи Т., Авамура С., Кимура С., Идэ С., Сакано К., Минами М., Нагасэ Х., Сато М. Секи Т. и др. Евр Дж Фармакол. 1999 г., 2 июля; 376 (1–2): 159–67. doi: 10.1016/s0014-2999(99)00369-6. Евр Дж Фармакол. 1999. PMID: 10440101
Стереоселективное взаимодействие кетамина с рекомбинантными мю-, каппа- и дельта-опиоидными рецепторами, экспрессированными в клетках яичников китайского хомячка.
Хирота К., Окава Х., Аппаду Б.Л., Гранди Д.К., Деви Л.А., Ламберт Д.Г. Хирота К. и др. Анестезиология. 1999 г., январь; 90 (1): 174–82. doi: 10.1097/00000542-1990-00023. Анестезиология. 1999. PMID: 9915326
Некоторые фармакологические свойства вновь синтезированного 3-ацетокси-6-бета-ацетилтио-10-оксо-N-циклопропилметил-дигидронорморфина (КТ-95).
Хосоки Р., Ниидзава С., Койке К., Сагара Т., Канемацу К., Такаянаги И. Хосоки Р. и др. Arch Int Pharmacodyn Ther. 1996 март-апрель; 331(2):136-52. Arch Int Pharmacodyn Ther. 1996. PMID: 8937625
Фармакологические свойства вновь синтезированных производных (-)-6 бета-ацетилтионорморфина и их взаимодействие с опиоидными рецепторами.
Такаянаги И., Койке К., Судзуки Т. Такаянаги I и др. Генерал Фармакол. 1990;21(5):605-11. doi: 10.1016/0306-3623(90)91004-б. Генерал Фармакол. 1990. PMID: 2177430 Обзор.
Обзор молекулярной визуализации опиоидных рецепторов.
Камминг П., Мартон Дж., Лилиус Т.О., Ольберг Д.Э., Ромингер А. Камминг П. и др. Молекулы. 2019 19 ноября; 24 (22): 4190.
