Кт 814 технические характеристики: КТ814 транзистор: характеристики, цоколевка, аналоги, параметры

КТ814 транзистор: характеристики, цоколевка, аналоги, параметры

Транзистор КТ814 – кремниевый эпитаксиально-планарный низкочастотный, мощный биполярный транзистор с n-p-n структурой. Предназначен для использования в ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения. Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

Цоколевка транзистора КТ814

Существует 2 вида маркировки транзистора КТ814:
1. Не кодированная. На корпусе указывают полное название транзистора.
2. Кодированная четырехзначная маркировка. Первый знак для КТ814 цифра 4, второй знак – буква указывающая класс. Два последних символа означают месяц и год выпуска.
4А – КТ814А
4Б – КТ814Б
4В – КТ814В
4Г – КТ814Г

Характеристики транзистора КТ814

Транзистор Uкбо(и),В Uкэо(и), В Iкmax(и), А Pкmax(т), Вт h31э fгр., МГц
КТ814А 40 25 1,5 (3) 10 40 3
КТ814Б 50 40 1,5 (3) 10 40 3
КТ814В 70 60 1,5 (3) 10 40 3
КТ814Г 100 80 1,5 (3) 10 30 3

Uкбо(и) — Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-база
Uкэо(и) — Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-эмиттер
Iкmax(и) — Максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектора
Pкmax(т) — Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом)

h31э — Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
fгр — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером

Аналоги транзистора КТ814

КТ814Б: BD136
КТ814В: BD138
КТ814Г: BD140

КТ814 — биполярный кремниевый PNP транзистор — параметры, использование, цоколёвка. — Биполярные отечественные транзисторы — Транзисторы — Справочник Радиокомпонентов — РадиоДом

Основные технические параметры транзистора КТ814

ПриборПредельные параметрыПараметры при T = 25°CRТ п-к, °C/Вт
  при T = 25°C            
IК,
max
, ампер
IК и,
max
, ампер
UКЭ0 гр, вольтUКБ0 max, вольтUЭБ0 max, вольтPК max, ваттTК, °CTп max, °CTК max, °Ch21ЭUКБ, ВIЭ, АUКЭ нас, ВIКБ0, мАfгр, МГцКш, дБCК, пФCЭ, пФtвкл, мксtвыкл, мкс
КТ814 А1,5325 510251251004020,150,6
0,05
3 6075  10
КТ814 Б1,5340 510251251004020,150,60,053 6075  10
КТ814 В1,5360 510251251004020,150,60,053 6075  10
КТ814 Г1,5380 510251251003020,150,60,053 6075  
10
 

Обозначение на схеме КТ814

Цоколёвка транзистора КТ814

Внешний вид транзистора на примере КТ814Г

Транзистор КТ814 — DataSheet

Цоколевка транзистора КТ814Цоколевка транзистора КТ814

 

Параметры транзистора КТ814
ПараметрОбозначениеМаркировкаУсловияЗначениеЕд. изм.
АналогКТ814АTIP30
КТ814БBD166, MJE710
КТ814ВBD168, MJE711
КТ814Г
BD170, MJE712
Структура —p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектораPK max,P*K, τ max,P**K, и maxКТ814А1(10*)Вт
КТ814Б10*
КТ814В10*
КТ814Г10*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттеромfгр, f*h31б, f**h31э, f***maxКТ814А
≥3
МГц
КТ814Б≥3
КТ814В≥3
КТ814Г≥3
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттераUКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб.КТ814А0.1к40*В
КТ814Б0.1к50*
КТ814В0.1к70*
КТ814Г0.1к100*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб., КТ814А5В
КТ814Б5
КТ814В5
КТ814Г5
Максимально допустимый постоянный ток коллектораIK max, I*К , и maxКТ814А1.5(3*)А
КТ814Б1.5(3*)
КТ814В1.5(3*)
КТ814Г1.5(3*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттераIКБО, I*КЭR, I**КЭOКТ814А40 В≤0.05мА
КТ814Б40 В≤0.05
КТ814В40 В≤0.05
КТ814Г40 В≤0.05
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттеромh21э,  h*21ЭКТ814А2 В; 0.15 А≥40*
КТ814Б2 В; 0.15 А≥40*
КТ814В2 В; 0.15 А
≥40*
КТ814Г2 В; 0.15 А≥30*
Емкость коллекторного переходаcк,  с*12эКТ814А5 В≤60пФ
КТ814Б5 В≤60
КТ814В5 В≤60
КТ814Г5 В≤60
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р.КТ814А≤1.2Ом, дБ
КТ814Б≤1.2
КТ814В≤1.2
КТ814Г≤1.2
Коэффициент шума транзистораКш, r*b, P**выхКТ814АДб, Ом, Вт
КТ814Б
КТ814В
КТ814Г
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частотеτк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс)КТ814Апс
КТ814Б
КТ814В
КТ814Г

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Параметры транзистора КТ814. Datasheet. Цоколевка, подробные характеристики. Параметры транзистора КТ814. Datasheet. Цоколевка, подробные характеристики.

КТ814 — кремниевый биполярный  p-n-p транзистор низкочастотный средней мощности, в пластмассовом корпусе TO-126, либо в корпусе D-PAK для поверхностного монтажа (в наименовании суффикс 9, например, КТ814А9).

Назначение: КТ814 -транзистор широкого применения для использования в ключевых и линейных схемах.

Типы: КТ814А, КТ814Б, КТ814В, КТ814Г

Комплементарная пара: КТ815 (npn транзистор с такими же характеристиками)

Аналог: BD136, BD138, BD140

Цоколевка КТ814: Э-К-Б, смотри рисунок

Производители: Интеграл (Беларусь), Кремний-Маркетинг (Брянск)

Цена КТ814: вывести цену (прямой запрос в интернет-магазины)

Datasheet: (подробные характеристики с графиками зависимостей параметров)

 

Основные характеристики транзисторов КТ814:

ПараметрыРежим измерения параметраMin (минимальное значение параметра)Max (максимальное значение параметра)
Статический коэффициент передачи тока КТ814(А-Г)Uкб=2B, Iэ=0.15A40275
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер КТ814(А-Г)
Iк=0.5А, Iб=0.05A  0.6В

Предельные параметры транзисторов КТ814:

Постоянное напряжение коллектоp-эмиттеp
КТ814А
КТ814Б
КТ814В
КТ814Г
Rэб ≤ 100Ом 40В
50В
70В
100В
Напряжение эмиттер-база (обратное)  
Постоянный ток коллектора КТ814  1.5А
Импульсный ток коллектораtи ≤ 10 мс, Т/tи≥100 
Максимально допустимый постоянный ток базы  0.5А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектораТк ≤ 50 °С 10Вт
Температура перехода  -60 +150

Подробные параметры КТ814 и многих других отечественных транзисторов приведены в справочнике мощных транзисторов

аналоги отечественные, характеристики транзистора, микросхема, даташит, аналог

Аналоги (замены) транзистора КТ814:

↓ Type Mat Struct Pc Uce Ueb Ic Tj Ft Cc Hfe
2N5153 Si PNP12,0080,005,005,00200,00560,0070,00
2N5153-220M Si PNP10,0080,005,005,00200,00560,0070,00
2N5153S Si PNP10,0080,005,005,00200,00560,0070,00
2N5153SM Si PNP10,0080,005,005,00200,00560,0070,00
2N5153SMD Si PNP10,0080,005,0060,0070,00
2N5605 Si PNP25,0060,005,005,00200,0070,0070,00
2N5609 Si PNP25,0080,005,005,00200,0060,0070,00
2N5613 Si PNP50,0060,005,005,00200,0070,0070,00
2N5617 Si PNP50,0080,005,005,00200,0060,0070,00
2N5621 Si PNP100,0060,005,0010,00200,0040,0070,00
2N5625 Si PNP100,0080,005,0010,00200,0040,0070,00
2N6648 Si PNP70,0040,005,0015,00200,0020,001000,00
2N6649 Si PNP70,0060,005,0015,00200,0020,001000,00
2N6650 Si PNP70,0080,005,0015,00200,0020,001000,00
2N6666 Si PNP65,0040,005,0015,00150,0020,001000,00
2N6667 Si PNP65,0060,005,0015,00150,0020,001000,00
2N6668 Si PNP65,0080,005,0015,00150,0020,001000,00
2N7371 Si PNP100,00100,005,0012,00175,001000,00
2SA1045 Si PNP100,00100,005,0010,00175,0060,003500,00
2SA1046 Si PNP100,00100,005,0015,00150,0060,003500,00
2SA1129 Si PNP40,007,00150,0080,00
2SA1147 Si PNP150,00180,005,0015,00150,0060,00120,00
2SA1180 Si PNP80,00150,005,0015,00175,0060,00
2SA1180A Si PNP80,00200,005,0015,00150,0060,00
2SA1195 Si PNP10,0040,005,003,00150,0050,0035,0080,00
2SA1227A Si PNP120,0012,00175,0060,0012,00120,00
2SA1232 Si PNP100,0010,00175,0060,00200,00
2SA1258 Si PNP20,0060,005,003,00175,00200,006000,00
2SA1279 Si PNP25,0050,005,00175,0060,00150,00
2SA1292 Si PNP80,0060,005,0015,00175,00100,0070,00
2SA1292Q Si PNP80,0060,005,0015,00175,00100,0070,00
2SA1292R Si PNP80,0060,005,0015,00175,00100,00100,00
2SA1292S Si PNP80,0060,005,0015,00175,00100,00140,00
2SA1293 Si PNP30,0080,007,005,00150,0030,0070,00
2SA1293O Si PNP30,0080,007,005,00150,0030,0070,00
2SA1293Y Si PNP30,0080,007,005,00150,0030,00120,00
2SA1328 Si PNP40,0050,006,0012,00175,0070,0070,00
2SA1328O Si PNP40,0050,006,0012,00175,0070,0070,00
2SA1328Y Si PNP40,0050,006,0012,00175,0070,00120,00
2SA1329 Si PNP40,0080,006,0012,00150,0050,0070,00
2SA1329O Si PNP40,0080,006,0012,00150,0050,0070,00
2SA1329Y Si PNP40,0080,006,0012,00150,0050,00120,00
2SA1333 Si PNP150,0015,00150,0030,0090,00
2SA1355 Si PNP30,004,00150,0040,0070,00
2SA1359 Si PNP10,0040,005,003,00150,00100,0035,0070,00
2SA1359O Si PNP10,0040,005,003,00150,00100,0035,0070,00
2SA1359Y Si PNP10,0040,005,003,00150,00100,0035,00120,00
2SA1385 Si PNP10,005,00150,0060,00
2SA1385-Z Si PNP10,0060,007,005,00150,00140,00100,00
2SA1394 Si PNP25,005,00150,00120,00
2SA1444 Si PNP30,0015,00175,0060,00
2SA1469 Si PNP20,0060,005,005,00150,00100,0070,00
2SA1469Q Si PNP20,0060,005,005,00150,00100,0070,00
2SA1469R Si PNP20,0060,005,005,00150,00100,00100,00
2SA1469S Si PNP20,0060,005,005,00150,00100,00140,00
2SA1470 Si PNP25,0060,005,007,00150,00100,0070,00
2SA1470Q Si PNP25,0060,005,007,00150,00100,0070,00
2SA1470R Si PNP25,0060,005,007,00150,00100,00100,00
2SA1470S Si PNP25,0060,005,007,00150,00100,00140,00
2SA1471 Si PNP30,0060,005,0012,00150,00100,0070,00
2SA1471Q Si PNP30,0060,005,0012,00150,00100,0070,00
2SA1471R Si PNP30,0060,005,0012,00150,00100,00100,00
2SA1471S Si PNP30,0060,005,0012,00150,00100,00140,00
2SA1489 Si PNP60,006,00175,0020,00250,00
2SA1490 Si PNP80,008,00175,0020,0080,00
2SA1491 Si PNP100,0010,00175,0020,0060,00
2SA1500 Si PNP40,005,00150,00300,00
2SA1501 Si PNP40,005,00175,00250,00
2SA1513 Si PNP60,0015,00175,0070,00
2SA1553R Si PNP150,00230,006,0015,00175,0025,0025,0080,00
2SA1599 Si PNP25,0060,005,0010,00175,00150,00
2SA1600 Si PNP30,0060,005,0012,00175,0090,00
2SA1601 Si PNP45,0060,005,0015,00175,0090,00
2SA1643 Si PNP25,0050,005,005,00175,0075,0080,00
2SA1644 Si PNP30,00120,005,005,00170,00120,00
2SA1645 Si PNP35,00120,005,007,00175,0080,00
2SA1646 Si PNP40,00120,005,0010,00175,0090,00
2SA1679 Si PNP25,0040,007,005,0050,0070,00
2SA1714 Si PNP12,00100,008,003,00150,002000,00
2SA1718 Si PNP20,00100,007,005,002000,00
2SA1720 Si PNP25,00100,008,0010,00150,00100,004000,00
2SA1726 Si PNP50,006,00175,0020,00160,00
2SA1757 Si PNP25,0060,005,005,0080,00160,00
2SA1758 Si PNP30,0060,005,0012,0090,0060,00
2SA1788 Si PNP80,00120,005,008,0060,00
2SA1789 Si PNP80,0060,005,0012,0060,00
2SA1795 Si PNP10,0040,007,005,00150,0050,0070,00
2SA1796 Si PNP10,0040,007,007,00150,0050,0070,00
2SA1869 Si PNP10,0050,005,003,00150,00100,0035,0070,00
2SA1876 Si PNP10,0080,007,003,00150,0050,0070,00
2SA1877 Si PNP10,0080,007,003,00150,0050,0070,00
2SA1878 Si PNP25,0080,007,005,0050,0070,00
2SA1879 Si PNP25,0080,007,007,0050,0070,00
2SA1880 Si PNP25,0080,007,0010,0050,0070,00
2SA1988 Si PNP100,00200,005,007,0040,0070,00
2SA2004 Si PNP20,0060,005,008,00150,00100,00
2SA2022 Si PNP18,0050,006,007,00150,00290,0050,00150,00
2SA2023 Si PNP10,0060,005,005,00150,00100,00110,00
2SA2031 Si PNP140,00230,006,0015,0010,0060,00
2SA2037 Si PNP10,0050,006,007,00150,00290,0050,00150,00
2SA2039 Si PNP15,0050,006,005,00150,00360,0024,00200,00
2SA2039-TL-E Si PNP15,0050,006,005,00150,00360,0024,00200,00
2SA2040 Si PNP15,0050,006,008,00150,00290,0050,00200,00
2SA2057 Si PNP20,0060,006,003,00150,0090,00120,00
2SA2064 Si PNP25,0050,006,0010,00150,00200,00
2SA2067 Si PNP15,0060,006,003,00150,0090,00120,00
2SA2074 Si PNP15,0080,006,003,00150,00100,0080,00
2SA2075 Si PNP15,0080,006,003,00150,00100,0080,00
2SA2097 Si PNP20,0050,007,005,00150,00200,00

Биполярный транзистор KT814 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KT814

  • Тип материала: Si
  • Полярность: PNP
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора КТ814В обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную к базе.

Значения параметров КТ814 при Тперехода=25oС

Статический коэффициент передачи тока (h31Э) при постоянном напряжении коллектор-база (UКБ) 2 В, при постоянном токе эмиттера (IЭ) 0,15 А:

  • КТ814А, Б, В — 40
  • КТ814Г — 30

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (UКЭ нас)

  • КТ814А, Б, В, Г — 0,6 В

Обратный ток коллектоpа (IКБО)

  • КТ814А, Б, В, Г — 0,05 мА

Граничная частота коэффициента передачи тока (fгр)

  • КТ814А, Б, В, Г — 3 МГц

Емкость коллектоpного перехода (CК)

  • КТ814А, Б, В, Г — 60 пф

Емкость эмиттеpного перехода (CЭ)

  • КТ814А, Б, В, Г — 75 пф

Тепловое сопротивление переход-корпус (RТп-к)

  • КТ814А, Б, В, Г — 10° С/Вт

Характеристики популярных аналогов

Наименование производителя: 2N5153

  • Тип материала: Si
  • Полярность: PNP
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 560 MHz
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
  • Корпус транзистора: TO39

Наименование производителя: 2N5153-220M

  • Тип материала: Si
  • Полярность: PNP
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 560 MHz
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
  • Корпус транзистора: TO252

Наименование производителя: 2N5153S

  • Тип материала: Si
  • Полярность: PNP
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 560 MHz
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
  • Корпус транзистора: TO39

Наименование производителя: 2N5153SM

  • Тип материала: Si
  • Полярность: PNP
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 560 MHz
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
  • Корпус транзистора: TO252

Наименование производителя: 2N5153SMD

  • Тип материала: Si
  • Полярность: PNP
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
  • Корпус транзистора: TO-276AB

Автор: Редакция сайта

Транзисторы КТ814 и им подобные

Компания «Ярославский завод вторичных драгоценных металлов» скупает транзисторы КТ814 и им подобные, а так же, другие радиодетали по высоким ценам. 

КТ814 — кремниевый транзистор, p-n-p. Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ814 структуры p-n-p выпускаются в двух корпусах, привычном пластиковом КТ-27 (ТО-126) габариты и цоколевка. И в корпусе КТ-89 (DPAK) с маркировкой КТ814А9, Б9, В9, Г9. Предназначены для использования в ключевых и линейных схемах усилителей, источников питания радиоэлектронной аппаратуры отечественного производства.

Предельно допустимые параметры КТ 814А-Г

Граничная частота коэффициента передачи тока Fгр, МГц до 3
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер Uкэо, В
  • КТ814А — 25
  • КТ814Б — 40
  • КТ814В — 60
  • КТ814Г — 80
Коэффициент передачи тока h31э
  • КТ814А-В — 40-275
  • КТ814Г — 30-275
Максимальный постоянный ток коллектора Iкmax, А 1,5
Максимальный импульсный ток коллектора Iкmax(и), А 3
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора (с теплоотводом) Pкmax, Вт 1 (10)

Сходным отечественным транзистором является КТ816, выполненный в аналогичном корпусе и отличающийся в двое большим током коллектора. Комплементарной парой для транзистора КТ814 служит транзистор КТ815.

Возможные аналоги импортных транзисторов для замены КТ814,- BD136, BD138, BD140.

Содержание драгметаллов в КТ814

КТ814А-Г

Золото

КТ814А 3,30
КТ814Б 3,30
КТ814В 4,22
КТ814Г 3,38

 

 

kt814 технические данные и примечания к применению

IRF9634

Аннотация: MJE13001 KT538A KT8296 KT829 KT940A kt8290 MJE13001 KT8270A KT827
Текст: Дискретные полупроводники Транзисторы · биполярных транзисторах Часть KT6136A KT6137A 607-4 607-4 646 646 646 KT660A KT660 805 805 805 805 KT814A KT814 KT814 KT814B KT815A KT815 KT815 KT815B KT816A KT816 KT816B KT816 KT817A KT817 KT817B KT817 81261 81261 8164 8164 81701 81701 8176 8176 8176 70 Совместимость по штырькам к контакту (продолжение) C VCB VCE VEB Полярность max, max, max, max, WVVV IC max, мкс. 100.300


Оригинал
PDF KT6136A KT6137A KT660A KT660 KT814A KT814 KT814B KT815A KT815 IRF9634 MJE13001 KT538A KT8296 KT829 KT940A kt8290 MJE-13001 KT8270A KT827
KT805M

Аннотация: KT805BM KT872A KT837 KT837K KT805 KT818 KT837B KT837A KT610A
Текст: TIP2955 81261 81261 KT814A KT814 KT814B KT814 KT815A KT815 KT815B K815 K815 KT1515


Оригинал
PDF KSC1623 3102M KT805M kt805bm KT872A KT837 KT837K KT805 KT818 KT837B KT837A KT610A
2010 — IL311ANM

Аннотация: tda8362b ILa1519B1Q iff4n60 IN1307N tda8890 IL311AN IL91214AN MC74HC123AN IL258D
Текст: текст файла недоступен


Оригинал
PDF
2T931A

Аннотация: KT853 2T926A KT838A 2T803A 2T809A 2T904A 2T808A 2T603 2T921A
Текст:).198 KT814 (A, B, B, T


OCR Scan
PDF MOKP51KOB, KTC631 TI2023 II2033 TT213 TI216 fI217 II302 XI306 n306A 2T931A KT853 2T926A KT838A 2T803A 2T809A 2T904A 2T808A 2T603 2T921A
C520D

Аннотация: rft lautsprecher vqe23 1PP75 U706D Halbleiterinformation Radio Fernsehen Elektronik MAA725 Транзистор DDR U311D
Текст: Текст файла недоступен


OCR Scan
PDF
2T908A

Аннотация: 2T602 1HT251 KT604 2T907A KT920A 2t903 PO6 115.05 KT117 1T813
Текст: Текст файла недоступен


OCR Scan
PDF Т-0574D. 30Eiaa Coi03nojiH 2T908A 2T602 1HT251 KT604 2T907A KT920A 2t903 PO6 115,05 KT117 1T813
t110 94v 0

Аннотация: PTC SY 16P 2N2955T Philips, диод PH 37m 35K0 trimble R8, модель 2 2sc497 2SA749 2n6259 ssi 2N4948 NJS
Текст: Текст файла недоступен


OCR Scan
PDF Барселона-28, S-171 СН-5400 t110 94v 0 PTC SY 16P 2N2955T Филипп диодный PH 37м 35K0 Trimble R8 модель 2 2sc497 2SA749 2n6259 фунтов на квадратный дюйм 2N4948 NJS
KT805AM

Резюме: KT805 KT610A KT837B BD140 NPN KT872A KT837K KT315B КТ315 KT818
Текст: KT660A KT660Á 2T672A-2 KT805AM KT805ÁM KT805BM KT805ÈM ÊÒ8126À ÊÒ8126Á KT814A KT814Á KT814B KT814Ã KT815A KT815Á KT815B KT815Ã KT816A KT816Á KT816B KT816Ã ÊÒ8164À ÊÒ8164Á KT817A KT817Á


Оригинал
PDF KT3126A KT3126Á KT3127A KT3128A KT3128A1 KT3128 KT3129A9 KT3129 KT3129B9 KT805AM KT805 KT610A KT837B BD140 NPN KT872A KT837K KT315B КТ315 KT818
2010 — 2N5161

Резюме: KT814a B0136 35N15 NS02 KT814B B0826
Текст: 2SB511 2SA779K 2N5161 2SA886 2SA886 2SA963 2SA624 2N3762 MJE710 KT814A MPSU52 MPSU52 MPSU52 2SB968 2SB524, B0826 B0136-10 B0370A16 NS0203 2N3661 NB322K NB322M MM3726 MM3726 MM3726 KT814B ~~ ~ г ~: ~: г


Оригинал
PDF 2SA1486 TRSP6006 2SA1413Z TRSP7006 TRSP8006 2SBl141 2SA1438 2SA1562 MH0821 2N5161 KT814a B0136 35N15 NS02 KT814B B0826
KC156A

Аннотация: ky202e K174XA2 KT809A KT805A KT610B KT808a KP350A KT904 KC133A
Текст: Текст файла недоступен


OCR Scan
PDF XapfaKOB-57, KC156A ky202e K174XA2 KT809A KT805A KT610B KT808a KP350A KT904 KC133A

814, kt814,,

814, кт814,,


814 (, п-н-п)


Т = 25С R , C /
Т = 25С
I , макс. , I , макс. , U 0 , U 0 макс , U 0 макс , P макс , Т , С Т макс , С Т макс , С ч 21 U , I , U , I 0 , ф , , С , С , т , т ,
814 1,5 3 25 5 10 25 125 100 40 2 0,15 0,6 0,05 3 60 75 10
814 1,5 3 40 5 10 25 125 100 40 2 0,15 0,6 0,05 3 60 75 10
814 1,5 3 60 5 10 25 125 100 40 2 0,15 0,6 0,05 3 60 75 10
814 1,5 3 80 5 10 25 125 100 30 2 0,15 0,6 0,05 3 60 75 10


WWW.5v.ru

,

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *