Кт 819 – Транзистор КТ819. КТ819: Характеристики, применение и аналоги мощного биполярного транзистора

07.03.201731.07.2019 alexxlabРазное

Каковы основные параметры транзистора КТ819. Какие существуют разновидности этого транзистора. Где применяется КТ819 в электронных схемах. Какие есть отечественные и зарубежные аналоги КТ819.

Содержание

Общая характеристика транзистора КТ819

КТ819 представляет собой кремниевый биполярный n-p-n транзистор средней мощности. Это низкочастотный транзистор, выпускаемый в пластмассовом корпусе TO-220. КТ819 относится к транзисторам широкого применения и используется как в ключевых, так и в линейных схемах.

Существует несколько разновидностей этого транзистора:

КТ819А
КТ819Б
КТ819В
КТ819Г

Комплементарной парой для КТ819 является транзистор КТ818 p-n-p типа с аналогичными параметрами.

Основные параметры транзистора КТ819

Рассмотрим ключевые электрические характеристики КТ819:

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
- КТ819А — 40 В
- КТ819Б — 50 В
- КТ819В — 70 В
- КТ819Г — 100 В

Максимальный постоянный ток коллектора: 10 А
Максимальный импульсный ток коллектора: 15 А
Максимальная рассеиваемая мощность коллектора: 60 Вт
Статический коэффициент передачи тока:
- КТ819А, КТ819В — не менее 15
- КТ819Б — не менее 20
- КТ819Г — не менее 12
Граничная частота коэффициента передачи тока: 3-12 МГц

Особенности применения транзистора КТ819

КТ819 находит широкое применение в различных электронных устройствах и схемах:

Усилители низкой частоты
Операционные усилители
Дифференциальные усилители
Преобразователи напряжения
Импульсные схемы
Ключевые схемы

Благодаря своим характеристикам, КТ819 хорошо подходит для применения в выходных каскадах усилителей мощности звуковой частоты, а также в схемах стабилизаторов напряжения и тока.

Цоколевка и корпус транзистора КТ819

КТ819 выпускается в пластмассовом корпусе TO-220 с тремя выводами. Цоколевка транзистора следующая:

1 вывод — эмиттер (Э)
2 вывод — коллектор (К)
3 вывод — база (Б)

Масса транзистора КТ819 составляет не более 2,5 грамм. При монтаже следует соблюдать осторожность, чтобы не повредить корпус и выводы транзистора.

Температурные характеристики КТ819

Транзистор КТ819 способен работать в широком диапазоне температур:

Диапазон рабочих температур: от -40°C до +125°C
Максимальная температура перехода: +150°C

При повышении температуры корпуса выше 25°C необходимо снижать максимальную рассеиваемую мощность. Для эффективного теплоотвода рекомендуется использовать радиатор.

Аналоги транзистора КТ819

КТ819 имеет ряд отечественных и зарубежных аналогов с похожими характеристиками:

Отечественные аналоги: КТ818 (p-n-p версия)

Зарубежные аналоги:
- BD243C
- 2N3055
- TIP41
- MJE3055T

При замене КТ819 на аналог необходимо внимательно сравнивать их параметры, так как могут быть отличия в максимальных напряжениях, токах и коэффициентах усиления.

Производители транзистора КТ819

Основными производителями транзистора КТ819 являются:

ОАО «Интеграл» (Беларусь)
АО «Кремний-Маркетинг» (Россия, г. Брянск)

Эти предприятия обеспечивают стабильное производство КТ819 и его модификаций для нужд отечественной электронной промышленности.

Особенности монтажа и эксплуатации КТ819

При работе с транзистором КТ819 следует учитывать некоторые важные моменты:

Пайку выводов рекомендуется производить на расстоянии не менее 5 мм от корпуса
Допускается однократный изгиб выводов на расстоянии не менее 2,5 мм от корпуса под углом 90°
Радиус изгиба выводов должен быть не менее 0,8 мм

Не допускается изгиб выводов в плоскости их расположения
При монтаже следует исключить возможность передачи механических усилий на корпус транзистора

Соблюдение этих правил позволит избежать повреждения транзистора и обеспечит его надежную работу в составе электронного устройства.

Применение КТ819 в современной электронике

Несмотря на то, что КТ819 является достаточно старым транзистором, он до сих пор находит применение в различных областях электроники:

Бытовая техника
Промышленная автоматика
Источники питания
Усилители звука
Системы управления двигателями

Популярность КТ819 обусловлена его надежностью, доступностью и хорошо изученными характеристиками. Однако в новых разработках его часто заменяют на более современные транзисторы с улучшенными параметрами.

Заключение

Транзистор КТ819 представляет собой надежный и проверенный временем компонент для различных электронных устройств. Его основными преимуществами являются:

Высокая мощность (до 60 Вт)
Широкий диапазон рабочих напряжений (в зависимости от модификации)
Хорошая термостабильность
Доступность и низкая стоимость

Несмотря на появление более современных аналогов, КТ819 продолжает использоваться в различных электронных схемах, особенно в области ремонта и обслуживания старой техники. Знание характеристик и особенностей применения этого транзистора остается актуальным для многих инженеров и радиолюбителей.

Аналоги для кт819 — Аналоги

КТ819	2SD1761	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819	BD243C	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819А	2N6288	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819А	2N6289	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819А	BD291	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819А	BD663	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819А	BD705	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819А	TIP41	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819АМ	BDW21	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819АМ	BDW51	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819Б	2N5490	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819Б	2N6129	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819Б	BD293	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819Б	BD533	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819Б	BD949	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819Б	BDT91	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819Б	BDV91	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819Б	MJE3055	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819Б	TIP41	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819Б	TIP41A	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819БМ	2N6253	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819БМ	2N6371	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819БМ	2N6470	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819БМ	BD142	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819БМ	BD181	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819БМ	BDW21A	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819БМ	BDW51A	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819БМ	BDX13C	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819БМ	BDX91	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819БМ	BDX93	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819В	2N5492	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819В	2N5494	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819В	2N6099	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819В	2N6130	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819В	2N6290	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819В	2N6291	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819В	BD201	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819В	BD295	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819В	BD535	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819В	BD707	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819В	BD951	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819В	BDT93	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819В	BDV93	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819В	BDX71	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819В	TIP41B	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819ВМ	2N6471	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819ВМ	BD182	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819ВМ	BDW21B	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819ВМ	BDW51B	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819Г	2N5496	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819Г	2N6101	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819Г	2N6131	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819Г	2N6292	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819Г	2N6293	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819Г	BD203	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819Г	BD537	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819Г	BD709	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819Г	BD711	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819Г	BD712	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819Г	BD953	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819Г	BDT95	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819Г	BDV95	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819Г	BDX73	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819Г	BDX77	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819Г	TIP41C	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819ГМ	2N3055	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819ГМ	2N3055E	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819ГМ	2N6472	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819ГМ	2SD716	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819ГМ	2SD843	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819ГМ	BD183	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819ГМ	BDW21C	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819ГМ	BDW51C	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819ГМ	BDX10	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819ГМ	BDX10C	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819ГМ	BDX95	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819ГМ	BDY20	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819ГМ	BDY38	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819ГМ	BDY73	Отечественный и зарубежный аналоги
КТ819ГМ	КТ729А	Отечественный и зарубежный аналоги

radio-hobby.org

Параметры транзистора КТ819. Datasheet. Цоколевка, аналоги, производители.

КТ819 — кремниевый биполярный n-p-n транзистор низкочастотный средней мощности, в пластмассовом корпусе TO-220

Назначение: КТ819 -транзистор широкого применения для использования в ключевых и линейных схемах.

Типы: КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г

Комплементарная пара: КТ818 (транзистор p-n-p типа с аналогичными параметрами)

Аналог: BD905, BD907, BD909, BD911

Цоколевка КТ819: Э-К-Б, смотри рисунок

Производители: Интеграл (Беларусь), Кремний-Маркетинг (Брянск)

Цена КТ819: вывести цену (прямой запрос в интернет-магазины)

Datasheet: (подробные характеристики с графиками зависимостей параметров)

Основные параметры транзисторов КТ819:
Параметр	Режим измерения	Min (минимальное значение параметра)	Max (максимальное значение параметра)
Статический коэффициент передачи тока КТ819А,В КТ819Б КТ819Г	Uкб=5B, Iэ=5A	15 20 12
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер КТ819(А-Г)	Iк=5А, Iб=0.5A		2В
Предельные параметры транзисторов КТ819:
Постоянное напряжение коллектоp-эмиттеp КТ819А КТ819Б КТ819В КТ819Г	Rэб ≤ 1кОм		40В 50В 70В 100В
Напряжение эмиттер-база (обратное)			5В
Постоянный ток коллектора КТ819			10А
Импульсный ток коллектора	tи ≤ 10 мс, Т/tи≥100		15А
Максимально допустимый постоянный ток базы			3А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора	Тк ≤ 25 °С		60Вт
Температура перехода		-60	+150

Более подробные параметры КТ819, выходная характеристика, datasheet на аналоги приведены в справочнике мощных транзисторов

www.trzrus.ru

КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г, 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В

Все картинки в новостях кликабельные, то есть при нажатии они увеличиваются.

Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные n-p-n универсальные низкочастотные мощные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных схемах. Транзисторы КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами, транзисторы 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В — в металлостеклянном корпусе с жёсткими выводами.

Масса транзисторов КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г не более 2,5 гр., транзисторов 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В не более 20 гр.

Чертёж транзистора КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г, 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В

Электрические параметры.

Граничное напряжение при I_К=0,1 А, τ_и≤300 мкс, Q≥100
КТ819А, не более	25 В
КТ819Б, 2Т819В	40-60-80 В
КТ819В, 2Т819Б	60-80-100 В
КТ819Г, 2Т819А	80-100-110 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер не более при I_К=5 А, I_Б=0,5 А
2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В	1 В
КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г	2 В
при I_К=20 А, I_Б=4 А 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В	5 В
при I_К=15 А, I_Б=3 А КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г	4 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при I_К=5 А, I_Б=0,5 А, не более
2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В	1,5 В
КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г	3 В
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при U_КБ=5 В, I_К=5 А, не менее
при Т=24,85°С и Т=Т_{К макс}
2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В	20
КТ819А, КТ819В	15
КТ819Б	20
КТ819Г	12
при Т=-60,15°С 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В	9
при Т=-40,15°С
КТ819А, КТ819В	10
КТ819Б	15
КТ819Г	7
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при U_КБ=5 В, I_Э=0,5 А	3-5-12 МГц
Время выключения при I_К=5 А, I_Б=0,5 А, не более	2,5 мкс
Ёмкость коллекторного перехода при U_КБ=5 В	360-600-1000 пФ
Пробивное напряжение коллектор-база при Т=213-298 К, I_К=1 мА и при Т=124,85°С, I_К=5 мА, не менее
2Т819А	100 В
2Т819Б	80 В
2Т819В	60 В
Обратный ток коллектора при U_КБ=40 В, не более КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г
при Т=233-298 К	1 мА
при Т=99,85°С	10 мА
Пробивное напряжение эмиттер-база при I_Э=5 мА, не менее	5 В

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянное напряжение коллектор-база
2Т819А	25 В
2Т819Б	40 В
2Т819В	60 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при R_БЭ≤100 Ом, Т=Т_{мин-323 К}
КТ819А	40 В
КТ819Б	50 В
КТ819В	70 В
КТ819Г, 2Т819А	100 В
2Т819Б	80 В
2Т819В	60 В
Постоянное напряжение база-эмиттер	5 В
Постоянный ток коллектора
КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г	10 А
2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В	15 А
Импульсный ток коллектора при τ_и≤10 мс, Q≥100
КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г	15 А
2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В	20 А
Постоянный ток базы	3 А
Импульсный ток базы при τ_и≤10 мс, Q≥100	5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом при Т_к≤24,85°С
КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г	60 Вт
2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В	100 Вт
без теплоотвода при Т_к≤24,85°С
КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г	1,5 Вт
2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В	3 Вт
Температура перехода
КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г	124,85°С
2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В	149,85°С
Температура окружающей среды
КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г	От -40,15 до Т_к=99,85°С
2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В	От -60,15 до Т_к=124,85°С

Примечания: 1. Постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода при Т_к=298÷373 К снижается линейно на 0,015 Вт через 1 К КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г.

2. Пайку выводов разрешается производить на расстоянии не менее 5 мм от корпуса. При монтаже в схему транзисторов КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г допускается одноразовый изгиб выводов на расстоянии не менее 2,5 мм от корпуса под углом 90°, радиусом не менее 0,8 мм. При этом должны приниматься меры, исключающие возможность передачи усилий на корпус. Изгиб в плоскости выводов не допускается.

1-2. Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса. 3. Входная характеристика. 4. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера.

1. Зависимость напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер. 2. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора. 3. Зависимость времени выключения от тока коллектора. 4. Зависимость статического коэффициента передачи тока от температуры корпуса.

elektrouzel.ru