Кт 973 параметры: Транзистор КТ973: характеристики, аналоги, цоколевка

alexxlabРазное

Содержание

Технические характеристики Отпариватель Kitfort КТ-973 серый

Характеристики Отпариватель Kitfort КТ-973 серый

Заводские данные

Гарантия

12 мес.

Страна-производитель

Китай

Общие параметры

Тип

отпариватель

Вид

ручной

Модель

Kitfort КТ-973

Основной цвет

серый

Дополнительный цвет

золотистый

Основные характеристики

Объем бака для воды

0.23 л

Регулятор мощности

есть

Готовность

30 сек

Количество режимов отпаривания

2

Питание и производительность

Мощность

1630 Вт

Напряжение питания

220-240 В / 50-60 Гц

Модель потребления

от сети

Поток пара

20 г/мин

Функции и особенности

Насадки

ворсовая насадка, насадка для тканей

Съемный бак

есть

Индикатор включения

есть

Автовыключение без воды

нет

Защита от перегрева

нет

Защитная варежка

нет

Вертикальная стойка

нет

Вешалка для одежды

нет

Гладильная доска

нет

Расширенные функции

вертикальное отпаривание

Дополнительная информация

Длина сетевого шнура

1. 9 м

Комплектация

документация, комплект насадок

Габариты и вес

Ширина

110 мм

Высота

260 мм

Глубина

150 мм

Вес

0.9 кг

Как проверить мультиметром транзистор

Полупроводниковые элементы используются практически во всех электронных схемах. Те, кто называют их наиболее важными и самыми распространенными радиодеталями абсолютно правы. Но любые компоненты не вечны, перегрузка по напряжению и току, нарушение температурного режима и другие факторы могут вывести их из строя. Расскажем (не перегружая теорией), как проверить работоспособность различных типов транзисторов (npn, pnp, полярных и составных) пользуясь тестером или мультиметром.

С чего начать?

Прежде, чем проверить мультиметром любой элемент на исправность, будь то транзистор, тиристор, конденсатор или резистор, необходимо определить его тип и характеристики. Сделать это можно по маркировке. Узнав ее, не составит труда найти техническое описание (даташит) на тематических сайтах. С его помощью мы узнаем тип, цоколевку, основные характеристики и другую полезную информацию, включая аналоги для замены.

Например, в телевизоре перестала работать развертка. Подозрение вызывает строчный транзистор с маркировкой D2499 (кстати, довольно распространенный случай). Найдя в интернете спецификацию (ее фрагмент показан на рисунке 2), мы получаем всю необходимую для тестирования информацию.

Рисунок 2. Фрагмент спецификации на 2SD2499

Большая вероятность, что найденный даташит будет на английском, ничего страшного, технический текст легко воспринимается даже без знания языка.

Определив тип и цоколевку, выпаиваем деталь и приступаем к проверке. Ниже приведены инструкции, с помощью которых мы будем тестировать наиболее распространенные полупроводниковые элементы.

Проверка биполярного транзистора мультиметром

Это наиболее распространенный компонент, например серии КТ315, КТ361 и т.д.

С тестированием данного типа проблем не возникнет, достаточно представить pn переход в как диод. Тогда структуры pnp и npn будут иметь вид двух встречно или обратно подключенных диодов со средней точкой (см. рис.3).

Рисунок 3. «Диодные аналоги» переходов pnp и npn

Присоединяем к мультиметру щупы, черный к «СОМ» (это будет минус), а красный к гнезду «VΩmA» (плюс). Включаем тестирующее устройство, переводим его в режим прозвонки или измерения сопротивления (достаточно установить предел 2кОм), и приступаем к тестированию. Начнем с pnp проводимости:

  1. Присоединяем черный щуп к выводу «Б», а красный (от гнезда «VΩmA») к ножке «Э». Смотрим на показания мультиметра, он должен отобразить величину сопротивления перехода. Нормальным считается диапазон от 0,6 кОм до 1,3 кОм.
  2. Таким же образом проводим измерения между выводами «Б» и «К». Показания должны быть в том же диапазоне.

Если при первом и/или втором измерении мультиметр отобразит минимальное сопротивление, значит в переходе(ах) пробой и деталь требует замены.

  1. Меняем полярность (красный и черный щуп) местами и повторяем измерения. Если электронный компонент исправный, отобразится сопротивление, стремящееся к минимальному значению. При показании «1» (измеряемая величина превышает возможности устройства), можно констатировать внутренний обрыв в цепи, следовательно, потребуется замена радиоэлемента.

Тестирование устройства обратной проводимости производится по такому же принципу, с небольшим изменением:

  1. Красный щуп подключаем к ножке «Б» и проверяем сопротивление черным щупом (прикасаясь к выводам «К» и «Э», поочередно), оно должно быть минимальным.
  2. Меняем полярность и повторяем измерения, мультиметр покажет сопротивление в диапазоне 0,6-1,3 кОм.

Отклонения от этих значений говорят о неисправности компонента.

Проверка работоспособности полевого транзистора

Этот тип полупроводниковых элементов также называют mosfet и моп компонентами. На рисунке 4 показано графическое обозначение n- и p-канальных полевиков в принципиальных схемах.

Рис 4. Полевые транзисторы (N- и P-канальный)

Для проверки этих устройств подключаем щупы к мультиметру, таким же образом, как и при тестировании биполярных полупроводников, и устанавливаем тип тестирования «прозвонка». Далее действуем по следующему алгоритму (для n-канального элемента):

  1. Касаемся черным проводом ножки «с», а красным – вывода «и». Отобразится сопротивление на встроенном диоде, запоминаем показание.
  2. Теперь необходимо «открыть» переход (получится только частично), для этого щуп с красным проводом соединяем с выводом «з».
  3. Повторяем измерение, проведенное в п. 1, показание изменится в меньшую сторону, что говорит о частичном «открытии» полевика.
  4. Теперь необходимо «закрыть» компонент, с этой целью соединяем отрицательный щуп (провод черного цвета) с ножкой «з».
  5. Повторяем действия п. 1, отобразится исходное значение, следовательно, произошло «закрытие», что говорит об исправности компонента.

Для тестирования элементов p-канального типа последовательность действий остается той же, за исключением полярности щупов, ее нужно поменять на противоположную.

Заметим, что биполярные элементы, у которых изолированный затвор (IGBT), тестируются также, как описано выше. На рисунке 5 показан компонент SC12850, относящийся к этому классу.

Рис 5. IGBT транзистор SC12850

Для тестирования необходимо выполнить те же действия, что и для полевого полупроводникового элемента, с учетом, что сток и исток последнего будут соответствовать коллектору и эмиттеру.

В некоторых случаях потенциала на щупах мультиметра может быть недостаточно (например, чтобы «открыть» мощный силовой транзистор), в такой ситуации понадобится дополнительное питание (хватит 12 вольт). Подключать его нужно через сопротивление 1500-2000 Ом.

Проверка составного транзистора

Такой полупроводниковый элемент еще называют «транзистор Дарлингтона», по сути это два элемента, собранные в одном корпусе. Для примера, на рисунке 6 показан фрагмент спецификации к КТ827А, где отображена эквивалентная схема его устройства.

Рис 6. Эквивалентная схема транзистора КТ827А

Проверить такой элемент мультиметром не получится, потребуется сделать простейший пробник, его схема показана на рисунке 7.

Рис. 7. Схема для проверки составного транзистора

Обозначение:

  • Т – тестируемый элемент, в нашем случае КТ827А.
  • Л – лампочка.
  • R – резистор, его номинал рассчитываем по формуле h31Э*U/I, то есть, умножаем величину входящего напряжения на минимальное значение коэффициента усиления (для КТ827A — 750), полученный результат делим на ток нагрузки. Допустим, мы используем лампочку от габаритных огней автомобиля мощностью 5 Вт, ток нагрузки составит 0,42 А (5/12). Следовательно, нам понадобится резистор на 21 кОм (750*12/0,42).

Тестирование производится следующим образом:

  1. Подключаем к базе плюс от источника, в результате должна засветиться лампочка.
  2. Подаем минус – лампочка гаснет.

Такой результат говорит о работоспособности радиодетали, при других результатах потребуется замена.

Как проверить однопереходной транзистор

В качестве примера приведем КТ117, фрагмент из его спецификации показан на рисунке 8.

Рис 8. КТ117, графическое изображение и эквивалентная схема

Проверка элемента осуществляется следующим образом:

Переводим мультиметр в режим прозвонки и проверяем сопротивление между ножками «Б1» и «Б2», если оно незначительное, можно констатировать пробой.

Как проверить транзистор мультиметром, не выпаивая их схемы?

Этот вопрос довольно актуальный, особенно в тех случаях, если необходимо тестировать целостность smd элементов. К сожалению, только биполярные транзисторы можно проверить мультиметром не выпаивая из платы. Но даже в этом случае нельзя быть уверенным в результате, поскольку не редки случаи, когда p-n переход элемента зашунтирован низкоомным сопротивлением.

Проверку транзисторов приходится делать достаточно часто. Даже если у Вас в руках заведомо новый, не паяный ни разу транзистор, то перед установкой в схему лучше все-таки его проверить. Нередки случаи, когда купленные на радиорынке транзисторы, оказывались негодными, и даже не один единственный экземпляр, а целая партия штук на 50 — 100. Чаще всего это происходит с мощными транзисторами отечественного производства, реже с импортными.

Иногда в описаниях конструкции приводятся некоторые требования к транзисторам, например, рекомендуемый коэффициент передачи. Для этих целей существуют различные испытатели транзисторов, достаточно сложной конструкции и измеряющие почти все параметры, которые приводятся в справочниках. Но чаще приходится проверять транзисторы по принципу «годен, не годен». Именно о таких методах проверки и пойдет речь в данной статье.

Часто в домашней лаборатории под рукой оказываются транзисторы, бывшие в употреблении, добытые когда-то из каких-то старых плат. В этом случае необходим стопроцентный «входной контроль»: намного проще сразу определить негодный транзистор, чем потом искать его в неработающей конструкции.

Хотя многие авторы современных книг и статей настоятельно не рекомендуют использовать детали неизвестного происхождения, достаточно часто эту рекомендацию приходится нарушать. Ведь не всегда же есть возможность пойти в магазин и купить нужную деталь. В связи с подобными обстоятельствами и приходится проверять каждый транзистор, резистор, конденсатор или диод. Далее речь пойдет в основном о проверке транзисторов.

Проверку транзисторов в любительских условиях обычно проводят цифровым мультиметром или старым аналоговым авометром.

Проверка транзисторов мультиметром

Большинству современных радиолюбителей знаком универсальный прибор под названием мультиметр.

С его помощью возможно измерение постоянных и переменных напряжений и токов, а также сопротивления проводников постоянному току. Один из пределов измерения сопротивлений предназначен для «прозвонки» полупроводников. Как правило, около переключателя в этом положении нарисован символ диода и звучащего динамика.

Перед тем, как производить проверку транзисторов или диодов, следует убедиться в исправности самого прибора. Прежде всего, посмотреть на индикатор заряда батареи, если требуется, то батарею сразу заменить. При включении мультиметра в режим «прозвонки» полупроводников на экране индикатора должна появиться единица в старшем разряде.

Затем проверить исправность щупов прибора, для чего соединить их вместе: на индикаторе высветятся нули, и раздастся звуковой сигнал. Это не напрасное предупреждение, поскольку обрыв проводов в китайских щупах явление довольно распространенное, и об этом забывать не следует.

У радиолюбителей и профессиональных инженеров – электронщиков старшего поколения такой жест (проверка щупов) выполняется машинально, ведь при пользовании стрелочным тестером при каждом переключении в режим измерения сопротивлений приходилось устанавливать стрелку на нулевое деление шкалы.

После того, как указанные проверки произведены, можно приступить к проверке полупроводников, — диодов и транзисторов. Следует обратить внимание на полярность напряжения на щупах. Отрицательный полюс находится на гнезде с надписью «COM» (общий), на гнезде с надписью VΩmA положительный. Чтобы в процессе измерения об этом не забывать, в это гнездо следует вставить щуп красного цвета.

Рисунок 1. Мультиметр

Это замечание не настолько праздное, как может показаться на первый взгляд. Дело в том, что у стрелочных авометров (АмперВольтОмметр) в режиме измерения сопротивлений положительный полюс измерительного напряжения находится на гнезде с маркировкой «минус» или «общий», ну с точностью до наоборот, по сравнению с цифровым мультиметром. Хотя в настоящее время больше используются цифровые мультиметры, стрелочные тестеры применяются до сих пор и в ряде случаев позволяют получить более достоверные результаты. Об этом будет рассказано чуть ниже.

Рисунок 2. Стрелочный авометр

Что показывает мультиметр в режиме «прозвонки»

Проверка диодов

Наиболее простым полупроводниковым элементом является диод, который содержит всего один P-N переход. Основным свойством диода является односторонняя проводимость. Поэтому если положительный полюс мультиметра (красный щуп) подключить к аноду диода, то на индикаторе появятся цифры, показывающие прямое напряжение на P-N переходе в милливольтах.

Для кремниевых диодов это будет порядка 650 — 800 мВ, а для германиевых порядка 180 — 300, как показано на рисунках 4 и 5. Таким образом, по показаниям прибора можно определить полупроводниковый материал, из которого сделан диод. Следует заметить, что эти цифры зависят не только от конкретного диода или транзистора, но еще от температуры, при увеличении которой на 1 градус прямое напряжение падает приблизительно на 2 милливольта. Этот параметр называется температурным коэффициентом напряжения.

Если после этой проверки щупы мультиметра подключить в обратной полярности, то на индикаторе прибора покажется единица в старшем разряде. Такие результаты будут в том случае, если диод оказался исправный. Вот собственно и вся методика проверки полупроводников: в прямом направлении сопротивление незначительно, а в обратном практически бесконечно.

Если же диод «пробит» (анод и катод замкнуты накоротко), то скорей всего раздастся звуковой сигнал, причем в обоих направлениях. В случае, если диод «в обрыве», как ни меняй полярность подключения щупов, на индикаторе, так и будет светиться единица.

Проверка транзисторов

В отличие от диодов транзисторы имеют два P-N перехода, и имеют структуры P-N-P и N-P-N, причем последние встречаются гораздо чаще. В плане проверки с помощью мультиметра транзистор можно рассматривать, как два диода включенных встречно — последовательно, как показано на рисунке 6. Поэтому проверка транзисторов сводится к «прозвонке» переходов база – коллектор и база – эмиттер в прямом и обратном направлении.

Следовательно, все что было сказано чуть выше о проверке диода, полностью справедливо и для исследования переходов транзистора. Даже показания мультиметра будут такие же, как и для диода.

На рисунке 7 показана полярность включения прибора в прямом направлении для «прозвонки» перехода база — эмиттер транзисторов структуры N-P-N: плюсовой щуп мультиметра подключен к выводу базы. Для измерения перехода база – коллектор минусовой вывод прибора следует подключить к выводу коллектора. В данном случае цифра на табло получена при прозвонке перехода база – эмиттер транзистора КТ3102А.

Если транзистор окажется структуры P-N-P, то к базе транзистора следует подключить минусовой (черный) щуп прибора.

Попутно с этим следует «прозвонить» участок коллектор – эмиттер. У исправного транзистора его сопротивление практически бесконечно, что символизирует единица в старшем разряде индикатора.

Иногда бывает, что переход коллектор – эмиттер пробит, о чем свидетельствует звуковой сигнал мультиметра, хотя переходы база – эмиттер и база — коллектор «звонятся» как будто нормально!

Проверка транзисторов авометром

Производится также, как и цифровым мультиметром, при этом не следует забывать, что полярность в режиме омметра обратная по сравнению с режимом измерения постоянного напряжения. Чтобы это не забывать в процессе измерений следует красный щуп прибора включать в гнездо со знаком «-», как было показано на рисунке 2.

Авометры, в отличие от цифровых мультиметров, не имеют режима «прозвонки» полупроводников, поэтому в этом плане их показания заметно различаются в зависимости от конкретной модели. Тут уже приходится ориентироваться на собственный опыт, накопленный в процессе работы с прибором. На рисунке 8 показаны результаты измерений с помощью тестера ТЛ4-М.

На рисунке показано, что измерения проводятся на пределе *1Ω. В этом случае лучше ориентироваться на показания не по шкале для измерения сопротивлений, а по верхней равномерной шкале. Видно, что стрелка находится в районе цифры 4. Если измерения производить на пределе *1000Ω, то стрелка окажется между цифрами 8 и 9.

По сравнению с цифровым мультиметром авометр позволяет более точно определить сопротивление участка база – эмиттер, если этот участок зашунтирован низкоомным резистором (R2_32), как показано на рисунке 9. Это фрагмент схемы выходного каскада усилителя фирмы ALTO.

Все попытки измерить сопротивление участка база – эмиттер с помощью мультиметра приводят к звучанию динамика (короткое замыкание), поскольку сопротивление 22Ω воспринимается мультиметром как КЗ. Аналоговый же тестер на пределе измерений *1Ω показывает некоторую разницу при измерении перехода база – эмиттер в обратном направлении.

Еще один приятный нюанс при пользовании стрелочным тестером можно обнаружить, если проводить измерения на пределе *1000Ω. При подключении щупов, естественно с соблюдением полярности (для транзистора структуры N-P-N плюсовой вывод прибора на коллекторе, минус на эмиттере), стрелка прибора с места не двинется, оставаясь на отметке шкалы бесконечность.

Если теперь послюнить указательный палец, как будто для проверки нагрева утюга, и замкнуть этим пальцем выводы базы и коллектора, то стрелка прибора сдвинется с места, указывая на уменьшение сопротивления участка эмиттер — коллектор (транзистор чуть приоткроется). В ряде случаев этот прием позволяет проверить транзистор без выпаивания его из схемы.

Наиболее эффективен указанный метод при проверке составных транзисторов, например КТ 972, КТ973 и т.п. Не следует только забывать, что составные транзисторы часто имеют защитные диоды, включенные параллельно переходу коллектор – эмиттер, причем в обратной полярности. Если транзистор структуры N-P-N, то к его коллектору подключен катод защитного диода. К таким транзисторам можно подключать индуктивную нагрузку, например, обмотки реле. Внутреннее устройство составного транзистора показано на рисунке 10.

Но более достоверные результаты об исправности транзистора можно получить с использованием специального пробника для проверки транзисторов, про который смотрите здесь: Пробник для проверки транзисторов.

Проверка транзистора цифровым мультиметром

Занимаясь ремонтом и конструированием электроники, частенько приходится проверять транзистор на исправность.

Рассмотрим методику проверки биполярных транзисторов обычным цифровым мультиметром, который есть практически у каждого начинающего радиолюбителя.

Несмотря на то, что методика проверки биполярного транзистора достаточно проста, начинающие радиолюбители порой могут столкнуться с некоторыми трудностями.

Об особенностях тестирования биполярных транзисторов будет рассказано чуть позднее, а пока рассмотрим самую простую технологию проверки обычным цифровым мультиметром.

Для начала нужно понять, что биполярный транзистор можно условно представить в виде двух диодов, так как он состоит из двух p-n переходов. А диод, как известно, это ничто иное, как обычный p-n переход.

Вот условная схема биполярного транзистора, которая поможет понять принцип проверки. На рисунке p-n переходы транзистора изображены в виде полупроводниковых диодов.

Устройство биполярного транзистора p-n-p структуры с помощью диодов изображается следующим образом.

Как известно, биполярные транзисторы бывают двух типов проводимости: n-p-n и p-n-p. Этот факт нужно учитывать при проверке. Поэтому покажем условный эквивалент транзистора структуры n-p-n составленный из диодов. Этот рисунок нам понадобиться при последующей проверке.

Транзистор со структурой n-p-n в виде двух диодов.

Суть метода сводиться к проверке целостности этих самых p-n переходов, которые условно изображены на рисунке в виде диодов. А, как известно, диод пропускает ток только в одном направлении. Если подключить плюс ( + ) к выводу анода диода, а минус (-) к катоду, то p-n переход откроется, и диод начнёт пропускать ток. Если проделать всё наоборот, подключить плюс ( + ) к катоду диода, а минус (-) к аноду, то p-n переход будет закрыт и диод не будет пропускать ток.

Если вдруг при проверке выясниться, что p-n переход пропускает ток в обоих направлениях, то значит он «пробит». Если же p-n переход не пропускает ток ни в одном из направлений, то значит переход в «обрыве». Естественно, что при пробое или обрыве хотя бы одного из p-n переходов транзистор работать не будет.

Обращаем внимание, что условная схема из диодов необходима лишь для более наглядного представления о методике проверки транзистора. В реальности транзистор имеет более изощрённое устройство.

Функционал практически любого мультиметра поддерживает проверку диода. На панели мультиметра режим проверки диода изображается в виде условного изображения, который выглядит вот так.

Думаю, уже понятно, что проверять транзистор мы будем как раз с помощью этой функции.

Небольшое пояснение. У цифрового мультиметра есть несколько гнёзд для подключения измерительных щупов. Три, а то и больше. При проверке транзистора необходимо минусовой щуп (чёрный) подключить к гнезду COM (от англ. слова common – «общий»), а плюсовой щуп ( красный ) в гнездо с обозначением буквы омега Ω, буквы V и, возможно, других букв. Всё зависит от функционала прибора.

Почему я так подробно рассказываю о том, как подключать измерительные щупы к мультиметру? Да потому, что щупы можно элементарно перепутать и подключить чёрный щуп, который условно считается «минусовым» к гнезду, к которому нужно подключить красный, «плюсовой» щуп. В итоге это вызовет неразбериху, и, как следствие, ошибки. Будьте внимательней!

Теперь, когда сухая теория изложена, перейдём к практике.

Какой мультиметр будем использовать?

В качестве мультиметра использовался многофункциональный мультитестер Victor VC9805+, хотя для измерений подойдёт любой цифровой тестер, вроде всем знакомых DT-83x или MAS-83x. Такие мультиметры можно купить не только на радиорынках, магазинах радиодеталей, но и в магазинах автозапчастей. Подходящий мультиметр можно купить в интернете, например, на Алиэкспресс.

Вначале проведём проверку кремниевого биполярного транзистора отечественного производства КТ503. Он имеет структуру n-p-n. Вот его цоколёвка.

Для тех, кто не знает, что означает это непонятное слово цоколёвка, поясняю. Цоколёвка — это расположение функциональных выводов на корпусе радиоэлемента. Для транзистора функциональными выводами соответственно будут коллектор (К или англ.- С), эмиттер (Э или англ.- Е), база (Б или англ.- В).

Сначала подключаем красный ( + ) щуп к базе транзистора КТ503, а чёрный (-) щуп к выводу коллектора. Так мы проверяем работу p-n перехода в прямом включении (т. е. когда переход проводит ток). На дисплее появляется величина пробивного напряжения. В данном случае оно равно 687 милливольтам (687 мВ).

Далее не отсоединяя красного щупа от вывода базы, подключаем чёрный («минусовой») щуп к выводу эмиттера транзистора.

Как видим, p-n переход между базой и эмиттером тоже проводит ток. На дисплее опять показывается величина пробивного напряжения равная 691 мВ. Таким образом, мы проверили переходы Б-К и Б-Э при прямом включении.

Чтобы удостовериться в исправности p-n переходов транзистора КТ503 проверим их и в, так называемом, обратном включении. В этом режиме p-n переход ток не проводит, и на дисплее не должно отображаться ничего, кроме «1». Если на дисплее единица «1», то это означает, что сопротивление перехода велико, и он не пропускает ток.

Чтобы проверить p-n переходы Б-К и Б-Э в обратном включении, поменяем полярность подключения щупов к выводам транзистора КТ503. Минусовой («чёрный») щуп подключаем к базе, а плюсовой («красный») сначала подключаем к выводу коллектора…

…А затем, не отключая минусового щупа от вывода базы, к эмиттеру.

Как видим из фотографий, в обоих случаях на дисплее отобразилась единичка «1», что, как уже говорилось, указывает на то, что p-n переход не пропускает ток. Так мы проверили переходы Б-К и Б-Э в обратном включении.

Если вы внимательно следили за изложением, то заметили, что мы провели проверку транзистора согласно ранее изложенной методике. Как видим, транзистор КТ503 оказался исправен.

Пробой P-N перхода транзистора.

В случае если какой либо из переходов (Б-К или Б-Э) пробиты, то при их проверке на дисплее мультиметра обнаружиться, что они в обоих направлениях, как в прямом включении, так и в обратном, показывают не пробивное напряжение p-n перехода, а сопротивление. Это сопротивление либо равно нулю «0» (будет пищать буззер), либо будет очень мало.

Обрыв P-N перехода транзистора.

При обрыве, p-n переход не пропускает ток ни в прямом, ни в обратном направлении – на дисплее в обоих случаях будет «1». При таком дефекте p-n переход как бы превращается в изолятор.

Проверка биполярных транзисторов структуры p-n-p проводится аналогично. Но при этом необходимо сменить полярность подключения измерительных щупов к выводам транзистора. Вспомним рисунок условного изображения транзистора p-n-p в виде двух диодов. Если забыли, то гляньте ещё раз и вы увидите, что катоды диодов соединены вместе.

В качестве образца для наших экспериментов возьмём отечественный кремниевый транзистор КТ3107 структуры p-n-p. Вот его цоколёвка.

В картинках проверка транзистора будет выглядеть так. Проверяем переход Б-К при прямом включении.

Как видим, переход исправен. Мультиметр показал пробивное напряжение перехода – 722 мВ.

То же самое проделываем и для перехода Б-Э.

Как видим, он также исправен. На дисплее – 724 мВ.

Теперь проверим исправность переходов в обратном направлении – на наличие «пробоя» перехода.

Переход Б-К при обратном включении…

Переход Б-Э при обратном включении.

В обоих случаях на дисплее прибора – единичка «1». Транзистор исправен.

Подведём итог и распишем краткий алгоритм проверки транзистора цифровым мультиметром:

Определение цоколёвки транзистора и его структуры;

Проверка переходов Б-К и Б-Э в прямом включении с помощью функции проверки диода;

Проверка переходов Б-К и Б-Э в обратном включении (на наличие «пробоя») с помощью функции проверки диода;

При проверке необходимо помнить о том, что кроме обычных биполярных транзисторов существуют различные модификации этих полупроводниковых компонентов. К таковым можно отнести составные транзисторы (транзисторы Дарлингтона), «цифровые» транзисторы, строчные транзисторы (так называемые «строчники») и т.д.

Все они имеют свои особенности, как, например, встроенные защитные диоды и резисторы. Наличие этих элементов в структуре транзистора порой усложняют их проверку с помощью данной методики. Поэтому прежде чем проверить неизвестный вам транзистор желательно ознакомиться с документацией на него (даташитом). О том, как найти даташит на конкретный электронный компонент или микросхему, я рассказывал здесь.

Симметричный мультивибратор на транзисторе работа. Схема простого мультивибратора для мощной нагрузки (КТ972, КТ973). Мультивибратор в своем исполнении

Мультивибратор — прибор для создания несинусоидальных колебаний. На выходе получается сигнал любой другой формы, кроме синусоидальной волны. Частота сигнала в мультивибраторе определяется сопротивлением и емкостью, а не индуктивностью и емкостью. Мультивибратор состоит из двух каскадов усилителя, выход каждого каскада подается на вход другого каскада.

Принцип действия мультивибратора

Мультивибратор может создавать волну почти любой формы, в зависимости от двух факторов: сопротивления и емкости каждого из двух каскадов усилителя и от того, откуда в цепи снимается выход.

Например, если сопротивление и емкость двух каскадов равны, один каскад проводит 50% времени и другой каскад проводит 50% времени. Для обсуждения мультивибраторов в этом разделе предполагается, что сопротивление и емкость обоих каскадов равны. Когда эти условия существуют, выходной сигнал является прямоугольной волной.

Бистабильные мультивибраторы (или «флип-флоп») имеют два устойчивых состояния. В устойчивом состоянии один из двух каскадов усилителя находится в состоянии проводимости, а другой каскад не проводит. Для того, чтобы перейти от одного устойчивого состояния к другому, бистабильный мультивибратор должен получить внешний сигнал.

Этот внешний сигнал называется внешним импульсом триггера. Он инициирует переход мультивибратора из одного состояния в другое. Другой триггерный импульс необходим, чтобы перевести цепь обратно в ее исходное состояние. Эти триггерные импульсы называются «запуск» и «перезапуск».

Помимо бистабильного мультивибратора, существуют также моностабильный мультивибратор, который имеет только одно устойчивое состояние и астабильный мультивибратор, который не имеет устойчивого состояния.

Этот урок будет посвящен, довольно важной и востребованной теме, о мультивибраторах и их применении. Если бы я попытался только перечислить, где и как используются автоколебательные симметричные и несимметричные мультивибраторы, для этого потребовалось бы приличное кол — во страниц книги. Нет, пожалуй, такой отрасли радиотехники, электроники, автоматики, импульсной или вычислительной техники, где бы такие генераторы не применялись. В этом уроке будут даны теоретические сведения об этих устройствах, а в конце, я приведу несколько примеров практического использования их применительно к вашему творчеству.

Автоколебательный мультивибратор

Мультивибраторами называют электронные устройства, генерирующие электрические колебания, близкие по форме к прямоугольной. Спектр колебаний, генерируемых мультивибратором, содержит множество гармоник — тоже электрических колебаний, но кратных колебаниям основной частоты, что и отражено в его названии: «мульти — много», «вибро — колеблю».

Рассмотрим схему, показанную на (рис. 1,а). Узнаете? Да, это схема двухкаскадного транзисторного усилителя 3Ч с выходом на головные телефоны. Что произойдет, если выход такого усилителя соединить с его входом, как на схеме показано штриховой линией? Между ними возникает положительная обратная связь и усилитель самовозбудится станет генератором колебаний звуковой частоты, и в телефонах мы услышим звук низкого тона.С таким явлением в приемниках и усилителях ведут решительную борьбу, а вот для автоматически действующих приборов оно оказывается полезным.

Теперь посмотрите на (рис. 1,б). На нем вы видите схему того же усилителя, охваченного положительной обратной связью , как на (рис. 1, а), только начертание ее несколько изменено. Именно так обычно чертят схемы автоколебательных, т. е. самовозбуждающихся мультивибраторов. Опыт — самый лучший, пожалуй, метод познания сущности действия того или иного электронного устройства. В этом вы убеждались не раз. Вот и сейчас, чтобы лучше разобраться в работе этого универсального прибора — автомата, предлагаю провести опыт с ним. Принципиальную схему автоколебательного мультивибратора со всеми данными его резисторов и конденсаторов вы видите на (рис. 2, а). Смонтируйте его на макетной плате. Транзисторы должны быть низкочастотными (МП39 — МП42), так как у высокочастотных транзисторов очень маленькое пробивное напряжение эмиттерного перехода. Электролитические конденсаторы С1 и С2 — типа К50 — 6, К50 — 3 или их импортные аналоги на номинальное напряжение 10 — 12 В. Сопротивления резисторов могут отличаться от указанных на схеме до 50%. Важно лишь, чтобы возможно одинаковыми были номиналы нагрузочных резисторов Rl, R4 и базовых резисторов R2, R3. Для питания используйте батарею «Крона» или БП. В коллекторную цепь любого из транзисторов включите миллиамперметр (РА) на ток 10 — 15 мА, а к участку эмиттер — коллектор того же транзистора подключите высокоомный вольтметр постоянного тока (PU) на — напряжение до 10 В. Проверив монтаж и особенно внимательно полярность включения электролитических конденсаторов, подключите к мультивибратору источник питания. Что показывают измерительные приборы? Миллиамперметр — резко увеличивающийся до 8 — 10 мА, а затем также резко уменьшающийся почти до нуля ток коллекторной цепи транзистора. Вольтметр же, наоборот, то уменьшающееся почти до нуля, то увеличивающееся до напряжения источника питания коллекторное напряжение. О чем говорят эти измерения? О том, что транзистор этого плеча мультивибратора работает в режиме переключения. Наибольший коллекторный ток и одновременно наименьшее напряжение на коллекторе соответствуют открытому состоянию, а наименьший ток и наибольшее коллекторное напряжение — закрытому состоянию транзистора. Точно так работает и транзистор второго плеча мультивибратора, но, как говорят, со сдвигом фазы на 180° : когда один из транзисторов открыт, второй закрыт. В этом нетрудно убедиться, включив в коллекторную цепь транзистора второго плеча мультивибратора такой же миллиамперметр; стрелки измерительных приборов будут попеременно отклоняться от нулевых отметок шкал. Теперь, воспользовавшись часами с секундной стрелкой, сосчитайте, сколько раз в минуту транзисторы переходят из открытого состояния в закрытое. Примерно раз 15 — 20. Таково число электрических колебаний, генерируемых мультивибратором в минуту. Следовательно, период одного колебания равен 3 — 4 с. Продолжая следить за стрелкой миллиамперметра, попытайтесь изобразить эти колебания графически. По горизонтальной оси ординат откладывайте в некотором масштабе отрезки времени нахождения транзистора в открытом и закрытом состояниях, а по вертикальной — соответствующий этим состояниям коллекторный ток. У вас получится примерно такой же график, как тот, что изображен на рис. 2, б.

Значит, можно считать, что мультивибратор генерирует электрические колебания прямоугольной формы. В сигнале мультивибратора, независимо от того, с какого выхода он снимается, можно выделить импульсы тока и паузы между ними. Интервал времени с момента появления одного импульса тока (или напряжения) до момента появления следующего импульса той же полярности принято называть периодом следования импульсов Т, а время между импульсами длительностью паузы Тn — Мультивибраторы, генерирующие импульсы, длительность Тn которых равна паузам между ними, называют симметричными. Следовательно, собранный вами опытный мультивибратор — симметричный. Замените конденсаторы С1 и С2 другими конденсаторами емкостью по 10 — 15 мкФ. Мультивибратор остался симметричным, но частота генерируемых им колебаний увеличилась в 3 — 4 раза — до 60 — 80 в 1 мин или, что то же самое, примерно до частоты 1 Гц. Стрелки измерительных приборов еле успевают следовать за изменениями токов и напряжений в цепях транзисторов. А если конденсаторы С1 и С2 заменить бумажными емкостью по 0,01 — 0,05 мкФ? Как теперь будут вести себя стрелки измерительных приборов? Отклонившись от нулевых отметок шкал, они стоят на месте. Может быть, сорвана генерация? Нет! Просто частота колебаний мультивибратора увеличилась до нескольких сотен герц. Это колебания диапазона звуковой частоты, фиксировать которые приборы постоянного тока уже не могут. Обнаружить их можно с помощью частотомера или головных телефонов, подключенных через конденсатор емкостью 0,01 — 0,05 мкФ к любому из выходов мультивибратора или включив их непосредственно в коллекторную цепь любого из транзисторов вместо нагрузочного резистора. В телефонах услышите звук низкого тона. Каков принцип работы мультивибратора? Вернемся к схеме на рис. 2, а. В момент включения питания транзисторы обоих плеч мультивибратора открываются, так как на их базы через соответствующие им резисторы R2 и R3 подаются отрицательные напряжения смещения. Одновременно начинают заряжаться конденсаторы связи: С1 — через эмиттерный переход транзистора V2 и резистор R1; С2 — через эмиттерный переход транзистора V1 и резистор R4. Эти цепи зарядки конденсаторов, являясь делителями напряжения источника питания, создают на базах транзисторов (относительно эмиттеров) все возрастающие по значению отрицательные напряжения, стремящиеся все больше открыть транзисторы. Открывание транзистора вызывает снижение отрицательного напряжения на его коллекторе, что вызывает снижение отрицательного напряжения на базе другого транзистора, закрывая его. Такой процесс протекает сразу в обоих транзисторах, однако закрывается только один из них, на базе которого более высокое положительное напряжение, например, из — за разницы коэффициентов передачи токов h31э номиналов резисторов и конденсаторов. Второй транзистор остается открытым. Но эти состояния транзисторов неустойчивы, ибо электрические процессы в их цепях продолжаются. Допустим, что через некоторое время после включения питания закрытым оказался транзистор V2, а открытым — транзистор V1. С этого момента конденсатор С1 начинает разряжаться через открытый транзистор V1, сопротивление участка эмиттер — коллектор которого в это время мало, и резистор R2. По мере разрядки конденсатора С1 положительное напряжение на базе закрытого транзистора V2 уменьшается. Как только конденсатор полностью разрядится и напряжение на базе транзистора V2 станет близким нулю, в коллекторной цепи этого, теперь уже открывающегося транзистора появляется ток, который воздействует через конденсатор С2 на базу транзистора V1 и понижает отрицательное напряжение на ней. В результате ток, текущий через транзистор V1, начинает уменьшаться, а через транзистор V2, наоборот, увеличиваться. Это приводит к тому, что транзистор V1 закрывается, а транзистор V2 открывается. Теперь начнет разряжаться конденсатор С2, но через открытый транзистор V2 и резистор R3, что в конечном итоге приводит к открыванию первого и закрыванию второго транзисторов и т.д. Транзисторы все время взаимодействуют, в результате чего мультивибратор генерирует электрические колебания. Частота колебаний мультивибратора зависит как от емкости конденсаторов связи, что вами уже проверено, так и от сопротивления базовых резисторов, в чем вы можете убедиться сейчас же. Попробуйте, например, базовые резисторы R2 и R3 заменить резисторами больших сопротивлений. Частота колебаний мультивибратора уменьшится. И наоборот, если их сопротивления будут меньше, частота колебаний увеличится. Еще один опыт: отключите верхние (по схеме) выводы резисторов R2 и R3 от минусового проводника источника питания, соедините их вместе, а между ними и минусовым проводником включите реостатом переменный резистор сопротивлением 30 — 50 кОм. Поворачивая ось переменного резистора, вы в довольно широких пределах сможете изменять частоту колебаний мультивибраторов. Примерную частоту колебаний симметричного мультивибратора можно подсчитать по такой упрощенной формуле: F = 700/(RC), где f — частота в герцах, R — сопротивления базовых резисторов в килоомах, С — емкости конденсаторов связи в микрофарадах. Пользуясь этой упрощенной формулой, подсчитайте, колебания каких частот генерировал ваш мультивибратор. Вернемся к исходным данным резисторов и конденсаторов опытного мультивибратора (по схеме на рис. 2, а). Конденсатор С2 замените конденсатором емкостью 2 — 3 мкФ, в коллекторную цепь транзистора V2 включите миллиамперметр, следя за его стрелкой, изобразите графически колебания тока, генерируемые мультивибратором. Теперь ток в коллекторной цепи транзистора V2 будет появляться более короткими, чем раньше, импульсами (рис. 2, в). Длительность импульсов Тh будет примерно во столько же раз меньше пауз между импульсами Тh, во сколько уменьшилась емкость конденсатора С2 по сравнению с его прежней емкостью. А теперь тот же (или такой) миллиамперметр включите в коллекторную цепь транзистора V1. Что показывает измерительный прибор? Тоже импульсы тока, но их длительность значительно больше пауз между ними (рис. 2, г). Что же произошло? Уменьшив емкость конденсатора С2, вы нарушили симметрию плеч мультивибратора — он стал несимметричным . Поэтому и колебания, генерируемые им, стали несимметричными : в коллекторной цепи транзистора V1 ток появляется относительно длинными импульсами, в коллекторной цепи транзистора V2 — короткими. С Выхода 1 такого мультивибратора можно снимать короткие, а с Выхода 2 — длинные импульсы напряжения. Временно поменяйте местами конденсаторы С1 и С2. Теперь короткие импульсы напряжения будут на Выходе 1, а длинные — на Выходе 2. Сосчитайте (по часам с секундной стрелкой), сколько электрических импульсов в минуту генерирует такой вариант мультивибратора. Около 80. Увеличьте емкость конденсатора С1, подключив параллельно ему второй электролитический конденсатор емкостью 20 — 30 мкФ. Частота следования импульсов уменьшится. А если, наоборот, емкость этого конденсатора уменьшать? Частота следования импульсов должна увеличиваться. Есть, однако, иной способ регулирования частоты следования импульсов — изменением сопротивления резистора R2: с уменьшением сопротивления этого резистора (но не менее чем до 3 — 5 кОм, иначе транзистор V2 будет все время открыт и автоколебательный процесс нарушится) частота следования импульса должна возрастать, а с увеличением его сопротивления, наоборот, уменьшаться. Проверьте опытным путем — так ли это? Подберите резистор такого номинала, чтобы число импульсов в 1 мин составляло точно 60. Стрелка миллиамперметра будет колебаться с частотой 1 Гц. Мультивибратор в этом случае станет как бы электронным механизмом часов, отсчитывающих секунды.

Ждущий мультивибратор

Такой мультивибратор генерирует импульсы тока (или напряжения) при подаче на его вход запускающих сигналов от другого источника, например от автоколебательного мультивибратора. Чтобы автоколебательный мультивибратор, опыты с которым вы уже проводили в этом уроке (по схеме на рис. 2,а), превратить в мультивибратор ждущий, надо сделать следующее: конденсатор С2 удалить, а вместо него между коллектором транзистора V2 и базой транзистора V1 включить резистор (на рис. 3 — R3) сопротивлением 10 — 15 кОм; между базой транзистора V1 и заземленным проводником включить последовательно соединенные элемент 332 (G1 или другой источник постоянного напряжения) и резистор сопротивлением 4,7 — 5,1 кОм (R5), но так, чтобы с базой соединялся (через R5) положительный полюс элемента; к базовой цепи транзистора V1 поключить конденсатор (на рис. 3 — С2) емкостью 1 — 5 тыс. пФ, второй вывод которого будет выполнять роль контакта входного управляющего сигнала. Исходное состояние транзистора V1 такого мультивибратора — закрытое, транзистора V2 — открытое. Проверьте — так ли это? Напряжение на коллекторе закрытого транзистора должно быть близким к напряжению источника питания, а на коллекторе открытого транзистора — не превышать 0,2 — 0,3 В. Затем в коллекторную цепь транзистора V1 включите миллиамперметр на ток 10 — 15 мА и, наблюдая за его стрелкой, включите между контактом Uвх и заземленным проводником, буквально на мгновение, один — два элемента 332, соединенные последовательно (на схеме GB1) или батарею 3336Л. Только не перепутайте:, отрицательный полюс этого внешнего электрического сигнала должен подключаться к контакту Uвх. При этом стрелка миллиамперметра должна тут же отклониться до значения наибольшего тока коллекторной цепи транзистора, застыть на некоторое время, а затем вернуться в исходное положение, чтобы ожидать следующего сигнала. Повторите этот опыт несколько раз. Миллиамперметр при каждом сигнале будет показывать мгновенно возрастающий до 8 — 10 мА и спустя некоторое время, так же мгновенно убывающий почти до нуля коллекторный ток транзистора V1. Это одиночные импульсы тока, генерируемые мультивибратором. А если батарею GB1 подольше держать подключенной к зажиму Uвх. Произойдет то же, что и в предыдущих опытах, — на выходе мультивибратора появится только один импульс Попробуйте!

И еще один эксперимент: коснитесь вывода базы транзистора V1 каким — либо металлическим предметом, взятым в руку. Возможно, и в этом случае ждущий мультивибратор сработает — от электростатического заряда вашего тела. Повторите такие же опыты, но включив миллиамперметр в коллекторную цепь транзистора V2. При подаче управляющего сигнала коллекторный ток этого транзистора должен резко уменьшиться почти до нуля, а затем так же резко увеличиться до значения тока открытого транзистора. Это тоже импульс тока, но отрицательной полярности. Каков же принцип действия ждущего мультивибратора? В таком мультивибраторе связь между коллектором транзистора V2 и базой транзистора V1 не емкостная, как в автоколебательном, а резистивная — через резистор R3. На базу транзистора V2 через резистор R2 подается открывающее его отрицательное напряжение смещения. Транзистор же V1 надежно закрыт положительным напряжением элемента G1 на его базе. Такое состояние транзисторов весьма устойчиво. В таком состоянии они могут находиться сколько угодно времени. Но вот на базе транзистора V1 появился импульс напряжения отрицательной полярности. С этого момента транзисторы переходят в режим неустойчивого состояния. Под действием входного сигнала транзистор V1 открывается, а изменяющееся при этом напряжение на его коллекторе через конденсатор С1 закрывает транзистор V2. В таком состоянии транзисторы находятся до тех пор, пока не разрядится конденсатор С1 (через резистор R2 и открытый транзистор V1, сопротивление которого в это время мало). Как только конденсатор разрядится, транзистор V2 тут же откроется, а транзистор V1 закроется. С этого момента мультивибратор вновь оказывается в исходном, устойчивом ждущем режиме. Таким образом, ждущий мультивибратор имеет одно устойчивое и одно неустойчивое состояние . Во время неустойчивого состояния он генерирует один прямоугольный импульс тока (напряжения), длительность которого зависит от емкости конденсатора С1. Чем больше емкость этого конденсатора, тем больше длительность импульса. Так, например, при емкости конденсатора 50 мкФ мультивибратор генерирует импульс тока длительностью около 1,5 с, а с конденсатором емкостью 150 мкФ — раза в три больше. Через дополнительные конденсаторы — положительные импульсы напряжения можно снимать с выхода 1, а отрицательные с выхода 2. Только ли импульсом отрицательного напряжения, поданным на базу транзистора V1, можно вывести мультивибратор из ждущего режима? Нет, не только. Это можно сделать и подачей импульса напряжения положительной полярности, но на базу транзистора V2. Итак, вам остается экспериментально проверить, как влияет емкость конденсатора С1 на длительность импульсов и возможность управления ждущим мультивибратором импульсами положительного напряжения. Как практически можно использовать ждущий мультивибратор? По — разному. Например, для преобразования синусоидального напряжения в импульсы напряжения (или тока) прямоугольной формы такой же частоты, или включения на какое — то время другого прибора путем подачи на вход ждущего мультивибратора кратковременного электрического сигнала. А как еще? Подумайте!

Мультивибратор в генераторах и электронных переключателях

Электронный звонок. Мультивибратор можно применить для квартирного звонка, заменив им обычный электрический. Собрать же его можно по схеме, показанной на (рис. 4). Транзисторы V1 и V2 работают в симметричном мультивибраторе, генерирующем колебания частотой около 1000 Гц, а транзистор V3 — в усилителе мощности этих колебаний. Усиленные колебания преобразуются динамической головкой В1 в звуковые колебания. Если для звонка использовать абонентский громкоговоритель, включив первичную обмотку его переходного трансформатора в коллекторную цепь транзистора V3, в его футляре разместится вся электроника звонка, смонтированная на плате. Там же разместится и батарея питания.

Электронный звонок можно установить в коридоре и соединив его двумя проводами с кнопкой S1. При нажатии кнопки — в динамической головке появится звук. Так как питание на прибор подается только во время вызывных сигналов, двух батарей 3336Л соединенных последовательно или «Крона», хватит на несколько месяцев работы звонка. Желательный тон звука устанавливайте заменой конденсаторов С1 и С2 конденсаторами других емкостей. Мультивибратор, собранный по такой же схеме, может быть использован для изучения и тренировки в приеме на слух телеграфной азбуки — азбуки Морзе. В этом случае надо только кнопку заменить телеграфным ключом.

Электронный переключатель. Этот прибор, схема которого показана на (рис. 5), можно использовать для коммутации двух елочных гирлянд, питающихся от сети переменного тока. Сам же электронный переключатель можно питать от двух батарей 3336Л, соеди — ненных последовательно, или от выпрямителя, который бы давал на выходе постоянное напряжение 9 — 12 В.

Схема переключателя очень схожа со схемой электронного звонка. Но емкости конденсаторов С1 и С2 переключателя во много раз больше емкостей аналогичных конденсаторов звонка. Мультивибратор переключателя, в котором работают транзисторы V1 и V2, генерирует колебания частотой около 0,4 Гц, а нагрузкой его усилителя мощности (транзистор V3) является обмотка электромагнитного реле К1. Реле имеет одну пару контактных пластин, работающих на переключение. Подойдет, например, реле РЭС — 10 (паспорт РС4.524.302) или другое электромагнитное реле, надежно срабатывающее от напряжения 6 — 8 В при токе 20 — 50 мА. При включении питания транзисторы V1 и V2 мультивибратора попеременно открываются и закрываются, генерируя сигналы прямоугольной формы. Когда транзистор V2 открыт, отрицательное питающее напряжение через резистор R4 и этот транзистор подается на базу транзистора V3, вводя его в насыщение. При этом сопротивление участка эмиттер — коллектор транзистора V3 уменьшается до нескольких ом и почти все напряжение источника питания прикладывается к обмотке реле К1 — реле срабатывает и своими контактами подключает к сети одну из гирлянд. Когда транзистор V2 закрыт, цепь питания базы транзистора V3 разорвана, и он также закрыт, через обмотку реле ток не течет. В это время реле отпускает якорь и его контакты, переключаясь, подключают к сети вторую елочную гирлянду. Если вы захочете изменить время переключения гирлянд, то заменяйте конденсаторы С1 и С2 конденсаторами других емкостей. Данные резисторов R2 и R3 оставьте прежними, иначе нарушится режим работы транзисторов по постоянному току. Усилитель мощности, аналогичный усилителю на транзисторе V3, можно включить и в эмиттерную цепь транзистора V1 мультивибратора. В этом случае электромагнитные реле (в том числе — самодельные) могут иметь не переключающие группы контактов, а нормально разомкнутые или нормально замкнутые. Контакты реле одного из плеч мультивибратора будут периодически замыкать и размыкать цепь питания одной гирлянды, а контакты реле другого плеча мультивибратора — цепь питания второй гирлянды. Электронный переключатель можно смонтировать на плате из гетинакса или другого изоляционного материала и вместе с батареей питания поместить в коробку из фанеры. Во время работы переключатель потребляет ток не больше 30 мА, так что энергии двух батарей 3336Л или «Крона» вполне хватит на все новогодние праздники. Аналогичный переключатель можно использовать и для других целей. Например, для иллюминации масок, аттракционов. Представьте себе выпиленную из фанеры и разрисованную фигурку героя сказки «Кот в сапогах». Позади прозрачных глаз находятся лампочки от карманного фонаря, коммутируемые электронным переключателем, а на самой фигурке — кнопка. Стоит нажать кнопку, как кот тут же начнет подмигивать тебе. А разве нельзя использовать переключатель для электрификации некоторых моделей, например модели маяка? В этом случае в коллекторную цепь транзистора усилителя мощности можно вместо электромагнитного реле включить малогабаритную лампочку накаливания, рассчитанную на небольшой ток накала, которая станет имитировать вспышки маяка. Если такой переключатель дополнить тумблером, с помощью которого в коллекторную цепь выходного транзистора можно будет включать поочередно две такие лампочки, то он может стать указателем поворотов вашего велосипеда.

Метроном — это своеобразные часы, позволяющие по звуковым сигналам отсчитывать равные промежутки времени с точностью до долей секунды. Такие приборы используют, например, для выработки чувства такта при обучении музыкальной грамоте, во время первых тренировок по передаче сигналов телеграфной азбукой. Схему одного из таких приборов вы видите на (рис. 6).

Это тоже мультивибратор, но несимметричный. В таком мультивибраторе использованы транзисторы разной структуры: Vl — n — p — n (МП35 — МП38), V2 — p — n — p (МП39 — МП42). Это позволило уменьшить общее число деталей мультивибратора. Принцип же его работы остается таким же — генерация возникает за счет положительной обратной связи между выходом и входом двухкаскадного усилителя 3Ч; связь осуществляется электролитическим конденсатором С1. Нагрузкой мультивибратора служит малогабаритная динамическая головка В1 со звуковой катушкой сопротивлением 4 — 10 Ом, например 0.1ГД — 6, 1ГД — 8 (или телефонный капсюль), создающая при кратковременных импульсах тока звуки, похожие на щелчки. Частоту следования импульсов можно регулировать переменным резистором R1 примерно от 20 до 300 импульсов в минуту. Резистор R2 ограничивает ток базы первого транзистора, когда движок резистора R1 находится в крайнем нижнем (по схеме) положении, соответствующем наибольшей частоте генерируемых колебаний. Метроном можно питать от одной батареи 3336Л или трех элементов 332, соединенных последовательно. Ток, потребляемый им от батареи, не превышает 10 мА. Переменный резистор R1 должен иметь шкалу, отградуированную по механическому метроному. Пользуясь ею, простым поворотом ручки резистора можно установить нужную частоту звуковых сигналов метронома.

Практическая работа

В качестве практической работы, советую собрать схемки мультивибраторов представленные на рисунках урока, которые помогут осмыслить принцип работы мультивибратора. Далее предлагаю собрать очень интересный и полезный в бытовом хозяйстве «Имитатор электронного соловья «, на основе мультивибраторов, который можно использовать в качестве дверного звонка. Схема очень простая, надежная, работает сразу при отсутствии ошибок в монтаже и использовании исправных радиоэлементов. У меня в качестве дверного звонка используется уже 18 лет., по сей день. Нетрудно догадаться, что собрал я его — когда как и вы, был начинающим радиолюбителем.

Простые схемы самодельных светодиодных мигалок на основе транзисторных мультивибраторов. На рисунке 1 показана схема мультивибратора, переключающего два светодиода. Светодиоды мигают поочередно, то есть, когда горит HL1, светодиод НL2 не горит, а наоборот.

Можно вмонтировать схему в ёлочную игрушку. Когда включено питание игрушка будет мигать. Если светодиоды будут разного цвета, то игрушка будет одновременно с миганием и менять цвет свечения.

Частоту мигания можно изменять подбором сопротивлений резисторов R2 и R3, кстати, если эти резисторы будут не одинаковых сопротивлений можно добиться того, что один светодиод будет светиться дольше другого.

Но, двух светодиодов для даже самой маленькой настольной ёлочки как-то маловато. На рисунке 2 показана схема, переключающая две гирлянды по три светодиода. Светодиодов стало больше, больше и напряжение, необходимое для их питания. Поэтому теперь источник не 5-вольтовый, а 9-вольтовый (или 12-вольтовый).

Рис.1. Схема самой простой мигалки на светодиодах и транзисторах.

Рис.2. Схема простой мигалки на шести светодиодах и двух транзисторах.

Рис. 3. Схема светодиодной мигалкис мощными выходами для нагрузки.

В качестве источника питания можно использовать блок питания от старой телеигровой приставки вроде «Денди» или купить в магазине недорогой «сетевой адаптер» с выходным напряжением 9V или 12V.

И все же, даже шести светодиодов для домашней ёлки недостаточно. Хорошо бы увеличить число светодиодов втрое. Да и светодиоды использовать не простые, а сверх яркие. Но, если в каждой гирлянде будет уже по девять последовательно включенных светодиодов, да еще и сверх ярких, то суммарное напряжение, необходимое для их свечения будет уже 2,3Vх9=20,7V.

Плюс, еще несколько вольт необходимых для функционирования мультивибратора. При том в продаже обычно «сетевые адаптеры» из числа недорогих, не более чем на 12V.

Выйти из положения можно, если разделить светодиоды на три группы по три штуки. И группы включить параллельно. Но это приведет к возрастанию тока через транзисторы и нарушит работу мультивибратора. Впрочем, можно сделать дополнительные усилительные каскады на еще двух транзисторах (рис. 3).

Две гирлянды — хорошо, но они просто мигают поочередно. Вот если бы хотя бы три! Для такого случая существует так называемая схема «трехфазного мультивибратора». Она показана рисунке 4.

Рис.4. Схема мультивибратора на трех транзисторах.

Если в коллекторных цепях транзисторов включить светодиодные гирлянды (рис.5), получится своеобразный эффект бегущего огня. Скорость воспроизведе ния светового эффекта можно регулировать заменяя конденсаторы С1, С2 и С3 конденсаторами других емкостей. А так же заменяя резисторы R2, R4, R6 резисторами другого сопротивления. При увеличении емкости или сопротивления скорость переключения светодиодов снижается.

Рис. 5. Схема мультивибратора для получения эффекта бегущего огня.

А на рисунке 6 — умощненный вариант на 27 светодиодов. В «мигалках» по схемам на рисунках 3 и 6 можно использовать практически любые светодиоды, но все же желательно сверх яркие или супер яркие.

Рис. 6. Схема умощненного варианта мигалки на 27 светодиодах.

Монтаж можно выполнить на макетных печатных платах, которые продаются в магазинах радиодеталей. Либо вообще без плат, спаяв детали между собой.

  • Припаяйте резисторы и откусите выступающие остатки электродов.

  • Электролитические конденсаторы должны размещаться на плате определенным образом. В правильном размещении вам поможет монтажная схема и рисунок на плате. Электролитические конденсаторы имеют на корпусе маркировку отрицательного электрода, а положительный электрод имеет чуть большую длину. Расположение отрицательного электрода на плате находится в заштрихованной части обозначения конденсатора.

  • Установите конденсаторы на плату и припаяйте их.
  • Размещение транзисторов на плате строго по ключу.
  • Светодиоды также имеют полярность электродов. Смотрите фото. Устанавливаем и припаиваем их. Старайтесь не перегревать эту деталь при пайке. Плюс светодиода LED2 находится ближе к резистору R4 (смотрите видео).



    Светодиодыы установлены на плату мультивибратора
  • Припаяйте согласно полярности проводники питания и подайте напряжение от батарей. При напряжении питания 3 Вольта светодиоды включились вместе. После секундного разочарования, было подано напряжение от трех батарей и светодиоды начали попеременного мигать. Частота мультивибратора зависит от напряжения питания. Так как схема должна была устанавливаться в игрушку с питанием от 3 Вольт пришлось заменить резисторы R1 и R2 на резисторы номиналом 120 кОм, четкое попеременное мигание было достигнуто. Смотрите видео.


    • Мигалка на светодиодах — симметричный мультивибратор

    Применение схемы симметричного мультивибратора весьма широко. Элементы схем мультивибратора найдутся в вычислительной технике, радиоизмерительной и медицинской аппаратуре.

    Набор деталей для сборки мигалки на светодиодах можно приобрести по следующей ссылке http://ali.pub/2bk9qh . Если хотите серьезно попрактиковаться в пайке простых конструкций Мастер рекомендует приобрести комплект из 9 наборов, что здорово сэкономит ваши расходы на пересылку. Вот ссылка для покупки http://ali.pub/2bkb42 . Мастер собрал все наборы и они заработали. Успехов и роста навыков в пайке.

    Ждущие мультивибраторы после поступления короткого запускающего импульса формируют один выходной импульс. Они относятся к классу моностабильных устройств и имеют одно длительно устойчивое и одно квазиустойчивое состояния равновесия. Схема простейшего ждущего мультивибратора на биполярных транзисторах, имеющего одну резистивную и одну емкостную коллекторно-базовые связи, приведена на рис. 8. Благодаря связи базы VT 2 с источником напряжения питания +Е через R б2 в цепи базы течет отпирающий ток, достаточный для насыщения этого транзистора. При этом выходное напряжение, снимаемое с коллектора VT 2 близко к нулю. Транзистор VT 1 заперт отрицательным напряжением, полученным в результате деления напряжения источника смещения —Е см делителем R б1 R с. Таким образом, после включения источников питания состояние схемы определено. В этом состоянии конденсатор С 1 заряжен до напряжения источника +Е (плюс на левой, минус на правой обкладке).

    Рис. 8. Ждущий мультивибратор на транзисторах

    В данном состоянии ждущий мультивибратор может находиться сколь угодно долго – до прихода запускающего импульса. Положительный запускающий импульс (рис. 9) отпирает транзистор VT 1 , что приводит к увеличению коллекторного тока и уменьшению коллекторного потенциала этого транзистора. Отрицательное приращение потенциала через конденсатор С 1 передается на базу VT 2 , выводит этот транзистор из насыщения и вызывает его переход в активный режим. Коллекторный ток транзистора уменьшается, напряжение на коллекторе получает положительное приращение, которое с коллектора VT 2 через резистор R c передается на базу VT 1 , вызывая его дальнейшее отпирание. Для уменьшения времени отпирания VT 1 параллельно R c включают ускоряющий конденсатор С уск. Процесс переключения транзисторов происходит лавинообразно и заканчивается переходом мультивибратора во второе квазиустойчивое состояние равновесия. В этом состоянии происходит разряд конденсатора С 1 через резистор R б2 и насыщенный транзистор VT 1 на источник питания +Е. Положительно заряженная обкладка С 1 через насыщенный транзистор VT 1 подключена к общему проводу, а отрицательно заряженная – к базе VT 2 . Благодаря этому, транзистор VT 2 удерживается в запертом состоянии. После разряда С 1 потенциал базы VT 2 становится неотрицательным. Это приводит к лавинообразному переключению транзисторов (VT 2 отпирается, а VT 1 запирается). Формирование выходного импульса заканчивается. Таким образом, длительность выходного импульса определяется процессом разрядки конденсатора С 1

    .

    Амплитуда выходного импульса

    .

    По окончании формирования выходного импульса начинается этап восстановления, в течении которого происходит заряд конденсатора С 1 от источника +Е через резистор R к1 и эмиттерный переход насыщенного транзистора VT 2 . Время восстановления

    .

    Минимальный период повторения, с которым могут следовать запускающие импульсы, равен

    .


    Рис. 9. Временные диаграммы напряжений в схеме ждущего мультивибратора

    Операционные усилители

    Операционными усилителями (ОУ) называют высококачественные усилители постоянного тока (УПТ), предназначенные для выполнения различных операций над аналоговыми сигналами при работе в схеме с отрицательной обратной связью.

    Усилители постоянного тока позволяют усиливать медленно изменяющиеся сигналы, так как имеют нулевую нижнюю граничную частоту полосы усиления (f н =0). Соответственно в таких усилителях отсутствуют реактивные компоненты (конденсаторы, трансформаторы), которые не пропускают постоянную составляющую сигнала.

    На рис. 10,а приведено условное обозначение ОУ. Показанный усилитель имеет один выходной вывод (изображен справа) и два входных (показаны с левой стороны). Знак Δ или > характеризует усиление. Вход, напряжение на котором сдвинуто по фазе на 180 0 относительно выходного напряжения, называется инвертирующим и обозначается знаком инверсии ○, а вход, напряжение на котором совпадает по фазе с выходным, – неинвертирующим . ОУ усиливает дифференциальное (разностное) напряжение между входами. Операционный усилитель содержит также выводы для подачи напряжения питания и может содержать выводы частотной коррекции (FC), выводы балансировки (NC). Для облегчения понимания назначения выводов и повышения информативности в условном обозначении допускается введение одного или двух дополнительных полей с обеих сторон от основного поля, в которых указываются метки, характеризующие функции вывода (рис. 10,б). В настоящее время операционные усилители выпускаются в виде интегральных микросхем. Это позволяет рассматривать их как отдельные компоненты с определенными параметрами.

    Параметры и характеристики ОУ можно условно разделить на входные, выходные и характеристики передачи.

    Входные параметры.


    Рис. 10. Условное обозначение операционного усилителя: а – без дополнительного поля; б – с дополнительным полем; NC – выводы балансировки; FC – выводы частотной коррекции; U – выводы напряжения питания; 0V – общий вывод

    Характеристики передачи.

      Коэффициент усиления по напряжению К U (10 3 – 10 6)

    ,

    где U вх1 , U вх2 – напряжения на входах ОУ.

      Коэффициент передачи синфазного сигнала К U сф

    .

      Коэффициент ослабления синфазного сигнала К ос сф

    .

      Частота единичного усиления f 1 – это частота, на которой коэффициент усиления по напряжению равен единице (единицы – десятки МГц).

      Скорость нарастания выходного напряжения V U вых – это максимально возможная скорость изменения выходного сигнала.

    Выходные параметры.

      Максимальное выходное напряжение ОУ U вых max . Как правило данное напряжение на 2-3 В ниже напряжения источника питания.

      Выходное сопротивление R вых (десятки – сотни Ом).

    Основные схемы включения операционного усилителя.

    Операционные усилители обычно используют с глубокой отрицательной обратной связью, так как они имеют значительный коэффициент усиления по напряжению. При этом от элементов цепи обратной связи зависят результирующие параметры усилителя.

    В зависимости от того, к какому входу ОУ подключается источник входного сигнала, различают две основные схемы включения (рис. 11). При подаче входного напряжения на неинвертирующий вход (рис. 11,а) коэффициент усиления по напряжению определяется выражением

    . (1)

    Такое включение ОУ используют тогда, когда требуется повышенное входное сопротивление. Если на схеме рис. 11, а убрать сопротивление R 1 и закоротить сопротивление R 2 , то получится повторитель напряжения (К u =1), который используют для согласования высокого сопротивления источника сигнала и низкого сопротивления приемника.

    Рис. 11. Схемы усилителей на ОУ: а – неинвертирующий усилитель; б – инвертирующий усилитель

    При подаче входного напряжения на инвертирующий вход (рис. 11, б) коэффициент усиления равен

    . (2)

    Как видно из выражения (2) при таком включении входное напряжение инвертируется.

    В рассмотренных схемах к одному из входов подключено сопротивление R э. Оно не влияет на коэффициент усиления и вводится, когда это необходимо для уменьшения изменений выходного напряжения, вызванных временными или температурными колебаниями входных токов. Сопротивление R э выбирают таким, чтобы эквивалентные сопротивления, подключенные ко входам ОУ, были одинаковы. Для схем рис. 10
    .

    Модифицировав схему рис. 11, б, можно получить суммирующее устройство (рис. 12, а), в котором

    . (3)

    При одновременной подаче напряжения на оба входа ОУ получается вычитающее устройство (рис. 12, б), для которого

    . (4)

    Данное выражение справедливо при выполнении условия
    .

    Рис. 12. Схемы включения ОУ: а – сумматор напряжений; б – вычитающее устройство

    Транзисторы — Радиодетали

    Наименование
    2Т 307 Г желт
    2Т 316 Б
    2Т 316 Б (желт.)
    2Т 316 Д
    2Т 326 Б (желт.)
    2Т 360 А
    2Т 363 Б
    2Т 385 АМ-2
    2Т 3851
    2Т 602А
    2Т 602Б
    2Т 603А
    2Т 603Б
    2Т 603Г
    2Т 608 Б
    2Т 625 АМ-2
    2Т 630 А
    2Т 630 Б
    2Т 635 А
    2Т 708 А желт.
    2Т 709 А
    2Т 803 А
    2Т 808 А
    2Т 825 Б
    2Т 825А
    2Т 827А
    2Т 834 В
    2Т 841А
    2Т 847А
    2Т 866А      б/у
    2Т 867А
    2Т 922В
    2Т 945А
    2Т 950Б
    ГТ 108 А
    ГТ 108 Б
    ГТ 108 В
    ГТ 108 Г
    ГТ 109 А
    ГТ 109 Б
    ГТ 109 И
    ГТ 115 А
    ГТ 115 Б
    ГТ 115 В
    ГТ 115 Г
    ГТ 115 Д
    ГТ 124 В
    ГТ 308 А
    ГТ 308 Б
    ГТ 308 В
    ГТ 308 Г
    ГТ 309 А
    ГТ 309 Б
    ГТ 309 В
    ГТ 309 Д
    ГТ 309 Е
    ГТ 310 А
    ГТ 310 Б
    ГТ 310 В
    ГТ 310 Д
    ГТ 310 Ж
    ГТ 311 А
    ГТ 311 Б
    ГТ 311 Д
    ГТ 311 Е
    ГТ 311 Ж
    ГТ 311 И
    ГТ 313 А
    ГТ 313 Б
    ГТ 313 В
    ГТ 313 И
    ГТ 314 Б
    ГТ 320 А
    ГТ 320 Б
    ГТ 320 В
    ГТ 321 А
    ГТ 321 Б
    ГТ 321 В
    ГТ 321 Г
    ГТ 321 Д
    ГТ 322 А  НИКЕЛЬ
    ГТ 322 Б  НИКЕЛЬ
    ГТ 322 В
    ГТ 328 А        ЖЁЛ.
    ГТ 328 Б желт
    ГТ 328 В желт
    ГТ 329 А мет
    ГТ 329 А1 (пластм)
    ГТ 329 Б мет
    ГТ 329 Б1 пласт
    ГТ 329 В мет
    ГТ 329 В1 пласт
    ГТ 338 А
    ГТ 338 Б
    ГТ 341 А
    ГТ 341 Б
    ГТ 341 В
    ГТ 346 А желт
    ГТ 346 А мет
    ГТ 346 Б желт
    ГТ 383А
    ГТ 387 А2
    ГТ 402 А
    ГТ 402 Б
    ГТ 402 В
    ГТ 402 Г
    ГТ 402 Д
    ГТ 402 Е
    ГТ 402 Ж
    ГТ 402 И
    ГТ 403 А
    ГТ 403 Б
    ГТ 403 В
    ГТ 403 Г
    ГТ 403 Д
    ГТ 403 Е
    ГТ 403 Ж
    ГТ 403 И
    ГТ 404 А
    ГТ 404 Б
    ГТ 404 В
    ГТ 404 Г
    ГТ 404 Д
    ГТ 404 Е
    ГТ 404 Ж
    ГТ 404 И
    ГТ 612А-4
    ГТ 701
    ГТ 701А
    ГТ 703 А
    ГТ 703 Б
    ГТ 703 В
    ГТ 703 Г
    ГТ 703 Д
    ГТ 705А
    ГТ 705А
    ГТ 705В
    ГТ 705Д
    ГТ 806 А
    ГТ 806 Б
    ГТ 806 В
    ГТ 806 Г
    ГТ 806 Д
    ГТ 813 Б
    ГТ 813 В
    ГТ 901 А
    ГТ 905 А (керамика)
    ГТ 905 А (МЕТАЛ.)
    ГТ 906 А
    ГТ 906 АМ(керамика)
    ГТС 609 А
    ЗП 910 Б-2 =КП 910 Б-2 смотри где КП
    ЗП 915 А-2 =КП 915 А-2 смотри где КП
    КП 103 А
    КП 103 А жёл.
    КП 103 Б мет
    КП 103 В  мет
    КП 103 Г    ЖЁЛ.
    КП 103 Д жел
    КП 103 Е     ЖЁЛ.
    КП 103 Е (пластм.)
    КП 103 Ж    ЖЁЛ.
    КП 103 Ж    пластм
    КП 103 И   пластм
    КП 103 И желт
    КП 103 К    пластм
    КП 103 К желт
    КП 103 Л     ЖЁЛ.
    КП 103 М    ЖЁЛ.
    КП 103 М1 (пл).
    КП 104
    КП 301 А
    КП 301 Б
    КП 301 В
    КП 301 Г
    КП 302 А
    КП 302 АМ
    КП 302 Б
    КП 302 БМ
    КП 302 В
    КП 302 ВМ
    КП 302 ГМ
    КП 303 А (мет)
    КП 303 А (металл. желт.)
    КП 303 Б желт
    КП 303 В  жел
    КП 303 Г
    КП 303 Д      ЖЁЛ.
    КП 303 Е  желт
    КП 303 Е мет
    КП 303 Ж  жел
    КП 303 И желт
    КП 303 И мет
    КП 304 А
    КП 305 А
    КП 305 Б
    КП 305 В
    КП 305 Г
    КП 305 Д
    КП 305 Е
    КП 305 Ж
    КП 305 И
    КП 306  А
    КП 306  Б
    КП 306  В
    КП 306  В    ЖЁЛ.
    КП 307 А мет
    КП 307 Б желт
    КП 307 Г желт
    КП 307 Е пласт
    КП 307 Ж желт
    КП 312 А
    КП 312 Б
    КП 313 А
    КП 313 Б
    КП 326 Б
    КП 327А
    КП 349 Б
    КП 350 А
    КП 350 Б желт
    КП 350 В
    КП 364 И пласт
    КП 501 А
    КП 501 Б
    КП 502 А
    КП 504 А = 2N 7000
    КП 505 А
    КП 606 А
    КП 668 А
    КП 707 А   (мет)
    КП 707 В1
    КП 707 В2
    КП 707 Г1
    КП 723 А
    КП 738 А
    КП 742 А
    КП 809 А1
    КП 810 А
    КП 901 А (метал.)
    КП 901 Б
    КП 901 В
    КП 902 А          ЖЁЛ.
    КП 902 Б
    КП 902 В
    КП 903 А
    КП 903 Б
    КП 903 В          ЖЁЛ.
    КП 904 А
    КП 905 А
    КП 905 Б
    КП 905 В    ЖЁЛ.
    КП 907 А,
    КП 907 Б      ЖЁЛ.
    КП 907 В
    КП 921 А
    КП 922 А
    КП 931 Б
    КП 948 А
    КП 953 А
    КП 954 А
    КП 958 А
    КП 959 А
    КТ 103 Г
    КТ 103 И
    КТ 104 А      ЖЕЛ
    КТ 104 Б      ЖЕЛ
    КТ 104 В      ЖЕЛ
    КТ 104 Г
    КТ 117 А          ЖЁЛ.
    КТ 117 А (никель.)
    КТ 117 Б(желт.)
    КТ 117 Б(никель.)
    КТ 117 Б1(пласт)
    КТ 117 В
    КТ 117 Г
    КТ 117 Е
    КТ 118 А        ЖЁЛ.
    КТ 118 Б        ЖЁЛ.
    КТ 118 В        ЖЁЛ.
    КТ 201 А        ЖЁЛ.
    КТ 201 А    пл
    КТ 201 А ник бел
    КТ 201 Б желтые
    КТ 201 Б мет (2Т 201 Б)
    КТ 201 Б пл
    КТ 201 В        ЖЁЛ.
    КТ 201 Д       никель
    КТ 203 А      ЖЁЛ.
    КТ 203 А (мет) никель
    КТ 203 А пл
    КТ 203 Б  желт.
    КТ 203 Б  пл
    КТ 203 б (мет)
    КТ 203 В   (пластм)
    КТ 203 В желтые
    КТ 203 В никель
    КТ 203 Г ( 2Т 203 Г )
    КТ 203 Д
    КТ 204 А
    КТ 208 А желтые
    КТ 208 А никель
    КТ 208 Б желтые
    КТ 208 В желтые
    КТ 208 В никель
    КТ 208 Г желтые
    КТ 208 Е желтые
    КТ 208 Е никель
    КТ 208 Ж желтые
    КТ 208 И
    КТ 208 К ( 2Т 208 К) желтые
    КТ 208 Л желтые
    КТ 208 М желтые
    КТ 209 А
    КТ 209 Б
    КТ 209 В
    КТ 209 Г
    КТ 209 Д
    КТ 209 Е
    КТ 209 Ж
    КТ 209 И
    КТ 209 К
    КТ 209 Л
    КТ 209 М
    КТ 301 А никель
    КТ 301 Б
    КТ 301 Г желтые
    КТ 301 Г никель
    КТ 301 Д       ЖЁЛ.
    КТ 301 Д никель
    КТ 301 Е желтые
    КТ 301 Ж       ЖЁЛ.
    КТ 302 ВМ
    КТ 306 А  (желт)
    КТ 306 А никель
    КТ 306 Б желтые
    КТ 306 Б(пл)
    КТ 306 БМ
    КТ 306 В
    КТ 306 ГМ(пл)
    КТ 306 Д
    КТ 306 Н
    КТ 3101А-2
    КТ 3102 А    мет
    КТ 3102 А ж
    КТ 3102 АМ(пл)
    КТ 3102 Б     ЖЁЛ.
    КТ 3102 БМ пласт
    КТ 3102 В     ЖЁЛ.
    КТ 3102 ВМ пласт
    КТ 3102 Г(желт)
    КТ 3102 Г(пл)
    КТ 3102 ГМ
    КТ 3102 Д     жел
    КТ 3102 ДМ
    КТ 3102 Е   жел
    КТ 3102 Е   металл  б.
    КТ 3102 ЕМ   пл
    КТ 3102 Ж   пл
    КТ 3102 ЖМ
    КТ 3102 КМ
    КТ 3103А
    КТ 3107 А
    КТ 3107 Б
    КТ 3107 В
    КТ 3107 Г
    КТ 3107 Д
    КТ 3107 Е     пл
    КТ 3107 Ж
    КТ 3107 И
    КТ 3107 К
    КТ 3107 Л
    КТ 3108 В
    КТ 3109 А
    КТ 3109 Б
    КТ 3109 В1
    КТ 3115 А 2
    КТ 3117 А (мет) Желт
    КТ 3117 А (мет) никель
    КТ 3117 А1 (пл)
    КТ 3117 Б(желт)
    КТ 3117 Б(никель) =2N2222
    КТ 312 А желтые
    КТ 312 А никель
    КТ 312 Б желтые
    КТ 312 Б никель
    КТ 312 В       бел. мет.никель.
    КТ 312 В       ЖЁЛ.
    КТ 312 Е желтые
    КТ 3120 А
    КТ 3120 АМ
    КТ 3123 АМ
    КТ 3126 А
    КТ 3126 А желт
    КТ 3126 Б
    КТ 3126 Г
    КТ 3127 А (желт)
    КТ 3127 А (мет)
    КТ 3128 А(желт)
    КТ 3128 А(пл)
    КТ 313 А   ЖЁЛ
    КТ 313 Б        ЖЁЛ.
    КТ 3132  А-2
    КТ 3133 А
    КТ 3142 А
    КТ 3142 АМ
    КТ 315 А
    КТ 315 Б
    КТ 315 В
    КТ 315 Г
    КТ 315 Д
    КТ 315 Е
    КТ 315 Ж
    КТ 315 И
    КТ 3157 А
    КТ 316 А никель
    КТ 316 А пласт
    КТ 316 Б желтый
    КТ 316 Б никель
    КТ 316 Б пласт
    КТ 316 В желт
    КТ 316 Г  желт
    КТ 316 Г  никель
    КТ 316 Г  пл
    КТ 316 Д  желт
    КТ 316 Д  никель
    КТ 316 Д  пл
    КТ 3167 В
    КТ 318 В желт
    КТ 321 Б
    КТ 321 В
    КТ 321 Г
    КТ 321 Д
    КТ 325 А (МЕТАЛ.)
    КТ 325 АМ
    КТ 325 Б (желт)
    КТ 325 Б (пл)
    КТ 325 В (желт)
    КТ 325 В (ПЛАСТМ.)
    КТ 325 ВМ
    КТ 326  А (металл.)
    КТ 326  АМ, (пл)
    КТ 326 Б желт
    КТ 326 Б никель
    КТ 326 БМ
    КТ 337 В (BC337B?)
    КТ 339 А
    КТ 339 АМ
    КТ 339 Г
    КТ 342 А (ПЛ.)
    КТ 342 А, (мет)
    КТ 342 АМ
    КТ 342 Б желт
    КТ 342 Б пласт
    КТ 342 В (желт)
    КТ 342 В (пл)
    КТ 343 А(желт)
    КТ 343 Б(желт)
    КТ 343 Б(никель)
    КТ 343 В
    КТ 345 Б
    КТ 346 А
    КТ 347 А желт
    КТ 347 Б желт
    КТ 347 В желт
    КТ 349 А  ЖЕЛТ
    КТ 349 А  никель
    КТ 349 Б  жел
    КТ 349 Б  пл
    КТ 349 В  жел
    КТ 349 В  пл
    КТ 350 А желт
    КТ 350 А пласт
    КТ 351 А
    КТ 351 Б
    КТ 352 А пласт
    КТ 352 Б пласт
    КТ 355 А ( 2Т 355А)
    КТ 358 Б      бел
    КТ 358 Б      желт
    КТ 358 В
    КТ 360 А
    КТ 361 А
    КТ 361 А1
    КТ 361 А2
    КТ 361 Б
    КТ 361 В.
    КТ 361 Г
    КТ 361 Д
    КТ 361 Е
    КТ 361 Ж
    КТ 361 И
    КТ 363 А
    КТ 363 АМ (пластм)
    КТ 363 Б
    КТ 363 БМ (пластм)
    КТ 368 А желт
    КТ 368 А никель
    КТ 368 АМ
    КТ 368 Б
    КТ 368 БМ
    КТ 371 А  (2Т)
    КТ 371 А (мет)
    КТ 371 АМ
    КТ 372 А
    КТ 372 В
    КТ 382 А
    КТ 382 Б
    КТ 385 АМ-2
    КТ 389
    КТ 391  А-2
    КТ 399 А
    КТ 501 А  жел
    КТ 501 Б  жел
    КТ 501 В
    КТ 501 Г
    КТ 501 Д  жел
    КТ 501 Е  жеп
    КТ 501 Ж  жел
    КТ 501 И  жел
    КТ 501 К  жел
    КТ 501 Л  жел
    КТ 501 М        ЖЁЛ.
    КТ 502 А
    КТ 502 Б
    КТ 502 В
    КТ 502 Г
    КТ 502 Д
    КТ 502 Е
    КТ 503 А
    КТ 503 Б
    КТ 503 В
    КТ 503 Г
    КТ 503 Д
    КТ 503 Е
    КТ 504 А
    КТ 504 Б
    КТ 505 А
    КТ 506 А желт
    КТ 506 А никель
    КТ 506 Б
    КТ 521А
    КТ 529 А
    КТ 601 А желт
    КТ 601 АМ
    КТ 601 Б
    КТ 602 А желт
    КТ 602 А мет
    КТ 602 АМ
    КТ 602 Б
    КТ 602 Б        ЖЁЛ.
    КТ 602 БМ
    КТ 603 А       ЖЁЛ.
    КТ 603 А       мет
    КТ 603 Б       ЖЁЛ.
    КТ 603 В          ЖЁЛ.
    КТ 603 Г
    КТ 603 Д          ЖЁЛ.
    КТ 603 Е          ЖЁЛ.
    КТ 603 И
    КТ 604 А        ЖЁЛ.
    КТ 604 А никель
    КТ 604 АМ
    КТ 604 Б       ЖЁЛ.
    КТ 604 Б      никель
    КТ 604 БМ
    КТ 605 А         ЖЁЛ.
    КТ 605 АМ
    КТ 605 Б мет желт
    КТ 605 БМ
    КТ 606 А (желт)
    КТ 606 А никель
    КТ 606 Б
    КТ 606 Б никель
    КТ 607 А
    КТ 608 А ( 2Т 608 А )
    КТ 608 Б желт
    КТ 608 Б мет.
    КТ 610 А
    КТ 610 Б   ЖЁЛ.
    КТ 611 А        ЖЁЛ.
    КТ 611 АМ
    КТ 611 Б желт
    КТ 611 БМ
    КТ 611 В ж. больш. корп.
    КТ 611 ВМ
    КТ 625 АМ-2
    КТ 626 А
    КТ 626 Б
    КТ 626 В
    КТ 626 Г
    КТ 626 Д
    КТ 629 А
    КТ 629 АМ
    КТ 630 А желтые
    КТ 630 А никель
    КТ 630 Б       ЖЁЛ.
    КТ 630 В
    КТ 630 Г
    КТ 630 Д
    КТ 630 Е           ЖЁЛ.
    КТ 632 Б желтые
    КТ 632 Б никель
    КТ 633 А
    КТ 634 Б-2    желт
    КТ 635 А
    КТ 638 Б
    КТ 639 А
    КТ 639 Б
    КТ 639 В
    КТ 639 Д
    КТ 639 Ж
    КТ 640
    КТ 644 А
    КТ 644 Б
    КТ 644 Г
    КТ 645 А
    КТ 645 Б
    КТ 646  А
    КТ 646  Б
    КТ 646  В
    КТ 653 А
    КТ 659 А
    КТ 660 А
    КТ 660 Б
    КТ 661 А        ЖЁЛ.
    КТ 668 А
    КТ 680
    КТ 681
    КТ 683 А
    КТ 683 Б
    КТ 698 Б   пластм
    КТ 698 Д   пластм
    КТ 704 А (2Т)
    КТ 704 Б
    КТ 801 А
    КТ 801 Б
    КТ 802 А
    КТ 803 А
    КТ 805 А
    КТ 805 АМ
    КТ 805 Б
    КТ 805 БМ
    КТ 805 ВМ
    КТ 805 ИМ
    КТ 807 А
    КТ 807 Б
    КТ 808 А есть 2Т 808 А
    КТ 808 АМ
    КТ 808 БМ
    КТ 808 ВМ
    КТ 809 А
    КТ 8101 А
    КТ 8102 А
    КТ 8106 А
    КТ 8107 В2 (мет)
    КТ 8108 А
    КТ 8110 Б
    КТ 8114 А
    КТ 8114 Б
    КТ 8115 А
    КТ 8115 В
    КТ 8116 А
    КТ 812 А
    КТ 812 АМ
    КТ 812 Б
    КТ 812 В
    КТ 8127 А1
    КТ 8130 А
    КТ 8131 А
    КТ 8131 Б
    КТ 814 А
    КТ 814 Б
    КТ 814 В
    КТ 814 Г
    КТ 8143
    КТ 815 А
    КТ 815 Б
    КТ 815 В
    КТ 815 Г
    КТ 8156 А
    КТ 8156 Б
    КТ 816 А
    КТ 816 Б
    КТ 816 В
    КТ 816 Г
    КТ 817 А
    КТ 817 Б
    КТ 817 В
    КТ 817 Г
    КТ 818 А
    КТ 818 АМ
    КТ 818 Б
    КТ 818 БМ    (2Т 818 Б)
    КТ 818 В
    КТ 818 ВМ
    КТ 818 Г
    КТ 818 ГМ
    КТ 819 А
    КТ 819 АМ
    КТ 819 Б
    КТ 819 БМ
    КТ 819 В
    КТ 819 ВМ
    КТ 819 Г
    КТ 819 ГМ =  (2N 3055)
    КТ 8225 А
    КТ 8231 А1  ( 0110 )
    КТ 8232 А1
    КТ 825 А на заказ смотри (2Т825А есть)
    КТ 825 Б
    КТ 825 В     (2Т825В)
    КТ 825 Г
    КТ 825 Г с радиатором    б/у
    КТ 825 ГМ
    КТ 825 Д
    КТ 825 Е
    КТ 826 А
    КТ 826 Б
    КТ 826 В
    КТ 827 А
    КТ 827 А (90-92 г )
    КТ 827 А с радиатором   б/у
    КТ 827 АМ= КТ 8106 А
    КТ 827 Б
    КТ 827 В смотри 2Т827В
    КТ 828 А
    КТ 828 Б
    КТ 829 А
    КТ 829 АТ
    КТ 829 Б
    КТ 829 В
    КТ 829 Г
    КТ 829 К
    КТ 830 А
    КТ 830 Б
    КТ 830 В
    КТ 830 Г
    КТ 831 (ж)
    КТ 831 Г
    КТ 834 А
    КТ 834 Б
    КТ 834 В
    КТ 835 А
    КТ 835 Б
    КТ 836 А
    КТ 837 А =П306(м)пласт
    КТ 837 Б
    КТ 837 В
    КТ 837 Г
    КТ 837 Д
    КТ 837 Е
    КТ 837 И
    КТ 837 К
    КТ 837 Л
    КТ 837 М
    КТ 837 Н
    КТ 837 С
    КТ 837 Т
    КТ 837 У
    КТ 837 Ф
    КТ 837 Х
    КТ 838 А
    КТ 838 А малая утечка
    КТ 839 А
    КТ 840 А
    КТ 840 Б
    КТ 841 А смотри  = 2Т 841 А
    КТ 842 А
    КТ 842Б
    КТ 844 А
    КТ 845 А
    КТ 846 А
    КТ 846 Б
    КТ 846 В
    КТ 846 В  малая утечка
    КТ 846 В  утечка
    КТ 847 А
    КТ 848 А
    КТ 850 А
    КТ 851 А
    КТ 851 Б
    КТ 852 А
    КТ 853 А
    КТ 854 А
    КТ 855 А
    КТ 855 Б
    КТ 858 А
    КТ 859 А
    КТ 860 А
    КТ 863 А
    КТ 864 А
    КТ 865 А
    КТ 868 Б
    КТ 872 А
    КТ 872 Г
    КТ 878 А =2Т 878А
    КТ 878 Б
    КТ 878 В
    КТ 890 А
    КТ 892 А2 (пластм,)
    КТ 892 Б (металл)
    КТ 892 В2 (пластм,)
    КТ 896 А
    КТ 896 Б
    КТ 897 А (металл,)
    КТ 898 А
    КТ 898 А1 (изол)
    КТ 902 А
    КТ 903 А
    КТ 903 Б
    КТ 904 А
    КТ 904 Б      ЖЁЛ.
    КТ 907 А  ЖЁЛ.
    КТ 907 Б       ЖЁЛ.
    КТ 907 В  ЖЁЛ.
    КТ 908 А
    КТ 908 Б
    КТ 909 А
    КТ 909 Б          ЖЁЛ.
    КТ 909 В      ЖЁЛ.
    КТ 909 Г
    КТ 910 А
    КТ 911 А
    КТ 911 Б
    КТ 911 В
    КТ 911 Г
    КТ 9115 А
    КТ 912 А
    КТ 912 Б
    КТ 913 А
    КТ 913 Б
    КТ 913 В
    КТ 914 А
    КТ 9142 А
    КТ 9180
    КТ 9181 А
    КТ 918Б
    КТ 919 б
    КТ 920 А
    КТ 920 Б
    КТ 920 В
    КТ 920 Г       ЖЁЛ.
    КТ 921 А
    КТ 922 А
    КТ 922 А (88г)
    КТ 922 Б
    КТ 922 Б (86г)
    КТ 922 В
    КТ 922 Г
    КТ 925 А
    КТ 925 Б
    КТ 925 В
    КТ 925 Г
    КТ 926 А
    КТ 926 Б
    КТ 927 А
    КТ 928 А  желт
    КТ 928 Б  желт
    КТ 928 Б  никель
    КТ 929 А      ЖЁЛ.
    КТ 930 А
    КТ 930 Б
    КТ 931 А
    КТ 933 А
    КТ 934 А
    КТ 934 Б
    КТ 934 В
    КТ 935 А
    КТ 940 А
    КТ 940 А1
    КТ 940 Б
    КТ 940 В
    КТ 941 А
    КТ 944 А
    КТ 945 А
    КТ 945Б
    КТ 948 А
    КТ 958 А
    КТ 960 А
    КТ 961 А
    КТ 961 Б
    КТ 961 В
    КТ 962 А
    КТ 969 А
    КТ 970 А   Au
    КТ 971 А   Au
    КТ 972 А
    КТ 972 Б
    КТ 973 А
    КТ 973 Б
    КТ 977 А
    КТ 983 А облуженные
    КТ 983 Б
    КТ 983 В
    МП 10
    МП 10 А
    МП 10 Б
    МП 101
    МП 101 Б
    МП 102
    МП 103 (А)
    МП 105
    МП 106
    МП 11 и 11А
    МП 111
    МП 111 А
    МП 111 Б
    МП 112
    МП 113
    МП 114
    МП 115
    МП 116
    МП 13
    МП 13 Б
    МП 14
    МП 14 А
    МП 14 Б
    МП 15 и 15А
    МП 16 А
    МП 16 Б
    МП 16 и 16Я
    МП 20
    МП 20 А
    МП 20 Б
    МП 21 А
    МП 21 В
    МП 21 Г
    МП 21 Д
    МП 21 Е
    МП 25
    МП 25 А
    МП 25 Б
    МП 25 В
    МП 26
    МП 26 А
    МП 26 Б
    МП 27 А
    МП 29
    МП 30
    МП 308
    МП 35
    МП 36 А
    МП 37
    МП 37 А
    МП 37 Б
    МП 38
    МП 38 А
    МП 39
    МП 39 Б
    МП 4 б/у
    МП 40
    МП 40 А
    МП 41
    МП 41 А
    МП 42
    МП 42 А
    МП 42 Б
    П 13
    П 201 Э(А)
    П 203 Э
    П 209 А
    П 210 А
    П 210 Б
    П 210 В
    П 210 Ш
    П 213
    П 213 А
    П 213 Б
    П 214
    П 214 А
    П 214 Б
    П 214 В
    П 214 Г
    П 214 Д
    П 215
    П 216
    П 216 А
    П 216 Б
    П 216 В
    П 216 Г
    П 216 Д
    П 217
    П 217 А
    П 217 Б
    П 217 В
    П 217 Г
    П 27 А
    П 28
    П 30
    П 302
    П 303
    П 303 А
    П 304
    П 306
    П 306  пластм. =аналог см.КТ837А
    П 306 А
    П 307
    П 307 Б
    П 307 В
    П 307 В          ЖЁЛ.
    П 307 ВМ пластм.
    П 308 бел
    П 308 желт
    П 308 пл
    П 309
    П 309 желт
    П 4 (Э)
    П 4 А
    П 4 Б
    П 4 В
    П 4 ГЭ
    П 401
    П 402
    П 403
    П 403 А
    П 410 А
    П 411 А
    П 416
    П 416 А
    П 416 Б
    П 416 ВП
    П 417
    П 417 А
    П 422
    П 423
    П 601 АИ
    П 601 БИ
    П 601 И
    П 602 АИ
    П 605
    П 605 А
    П 606 А
    П 607
    П 607 А
    П 609 А
    П 701
    П 701 А
    П 701 Б
    П 701 ВП
    П 702
    П 703 Б,Д
    Фототранзистор ФТ-1К
    Фототранзистор ФТ-2К

    Схема УМЗЧ на транзисторах и ОУ КР1408УД1, КТ972, КТ908 (60Вт)

    Усилитель НЧ, схема которого приведена на рис. 1, несмотря на его простоту, предназначен для высококачественного усиления речи и музыкальных программ.

    При его разработке учтены рекомендации, обеспечивающие малые динамические искажения сигнала и малый уровень шума в АС: отрицательная обратная связь (ООС) по току, улучшающий симметрию раскачки выходного каскада усилителя. В табл. 1 приведены технические параметры усилителя.

    Рис. 1. Принципиальная схема простого усилителя на транзисторах и ОУ.

    Табл. 1. Технические параметры усилителя.

    Выходная мощность на нагрузке 4 Ом, Вт 60
    Выходная мощность на нагрузке 8 Ом, Вт 30
    Диапазон воспроизводимых частот, Гц 10…30000
    КНИ, не более, % 0,1
    Номинальное входное напряжение, мВ 700
    Входное сопротивление, ком 50
    Выходное сопротивление, Ом 0,04
    Относительный уровень шумов, дБ -95

    Усилитель напряжения собран на высоковольтном ОУ КР1408УД1 (DA1), предоконечный каскад — на транзисторах КТ972А (ѴТ1) и КТ973А (ѴТ2), а оконечный усилитель тока — на транзисторах КТ908А (ѴТЗ, ѴТ4).

    Для исключения возможности самовозбуждения пришлось отказаться от применения в оконечном каскаде составных транзисторов, состоящих из трех транзисторов (так называемых “троек”).

    Однако это потребовало подбора выходных транзисторов ѴТЗ и ѴТ4 по статическому коэффициенту передачи тока, который в данном случае должен быть не менее 25.

    Ток покоя выходных транзисторов — 20…30 мА, как говорилось выше, стабилизируется при изменении температуры VD1 …VD4, которые имеют контакт с теплоотводами ѴТЗ и ѴТ4. Функции фазоинвертора выполняет каскад на транзисторе ѴТ2. Коэффициент усиления всего устройства:

    Для устранения искажений типа “ступенька” на базы ѴТ1 и ѴТ2 подано небольшое напряжение смещения, создаваемое по цепочке диодов VD1 …VD4. Цепь R9C4 предотвращает самовозбуждение усилителя на высших звуковых частотах и при отключении нагрузки. Для этой же цели установлены конденсаторы С2, C3 которые необходимо разместить вблизи микросхемы DA1.

    Источник питания

    Трансформатор питания выполнен на двух половинках магнитопро-вода ШЛ32х25 мм. Первичная обмотка содержит 2500 витков провода ПЭВ-2 диаметром 0,27 мм, а вторичная -400 витков провода ПЭВ-2 диаметром 0,83 мм.

    Экранирующая обмотка состоит из одного слоя провода ПЭВ-2 диаметром 0,27 мм, намотка ведется виток к витку. Также можно использовать любой трансформатор с напряжением на вторичной обмотке 2×21 В и током не менее 3 А.

    Конструкция и детали

    При сборке усилителя использованы постоянные резисторы МЛТ-0,125 (R1 …R4) и МЛТ-0,5 (R6…R9), конденсаторы КМ-6. Диоды Д220 можно заменить любыми высокочастотными.

    Использовать другие микросхемы и транзисторы не рекомендуется, поскольку это приведет к изменению параметров УМЗЧ. Оконечные транзисторы ѴТЗ, ѴТ4 установлены на теплоотводах с охлаждаемой площадью 400 см2.

    Правильно собранный усилитель из исправных деталей в настройке не нуждается.

    А. Тычинский. (РЛ, №2, 2003 г).

    Автоматическое зарядное устройство — Меандр — занимательная электроника

    В далёком 1991 г я приобрёл радиоприёмник Меридиан РП-248. Питался он от встроенной батареи, составленной из четырёх гальванических элементов 316 или аккумуляторов ЦНК-045 (по современной терминологии — типоразмера АА). Чтобы питать приёмник от аккумуляторов, необходим был сетевой блок питания, способный заряжать их номинальным током в течение времени, необходимого для полной зарядки.

    Для удобства пользования приёмником с питанием от батареи аккумуляторов в нём был замкнут перемычкой контакт, отсоединяющий встроенную батарею при подключении внешнего источника питания, стало возможным заряжать аккумуляторы без извлечения их из приёмника. Для аккумуляторов определены условия зарядки: это ток 0,1Q (Q — номинальная ёмкость аккумулятора) в течение 15 ч (напряжение на каждом аккумуляторе в конце зарядки — 1,5 В). Следить за этим, как правило, не получается, возникает необходимость в автоматическом зарядном устройстве (АЗУ), не требующем никакого внимания, работающем по принципу «включил и забыл». Для этого зарядное устройство должно обеспечить указанный режим зарядки до достижения на каждом аккумуляторе напряжения 1,5 В, затем уменьшить зарядный ток до значения 0,01…0,02Q и оставаться в таком состоянии неограниченное время, поддерживая аккумуляторную батарею (АКБ) всегда готовой к работе [1]. Будет удобно, если режим работы АЗУ будет отображаться световой индикацией. Исходя из этой задачи, было разработано автоматическое устройство (рис. 1), содержащее минимум деталей широкого применения — всего потребовались четыре транзистора, которые уже в то время были устаревшими, но подходящими по параметрам для работы в данном устройстве.

    Рис. 1

    Устройство работает по сей день, причём постоянно включённое, по крайней мере, около 20 последних лет. Радиоприёмник уже с перестроенным УКВ-диапазоном используется ежедневно как радиоточка на кухне. Практикой подтверждается высокая надёжность полупроводниковых приборов, если только они не работают в запредельных режимах и не имеют заводского брака или подделки. Однако при сборке устройства необходимо проверить и измерить параметры каждого элемента, особенно оксидных конденсаторов, которые оказываются самыми ненадёжными элементами. При повторении этого устройства можно применить множество других транзисторов и диодов, чьи предельно допустимые параметры превышают величины, действующие в устройстве.

    Питание АЗУ от сети осуществляется через понижающий трансформатор, чем обеспечивается электробезопасность, далее следует выпрямительный мост VD1 -VD4. Если АЗУ будет использоваться для питания радиоприёмника, то для устранения так называемого мультипликативного фона диоды следует шунтировать керамическими конденсаторами. Конденсатор С1 сглаживает пульсации выпрямленного напряжения, его ёмкость должна быть не менее 1000 мкФ на каждые 100 мА потребляемого тока. Образцовое напряжение (9 В) снимается с прецизионного стабилитрона VD5. Резистор R1 определяет его номинальный ток стабилизации (10 мА). Ограничение напряжения на аккумуляторной батарее (АКБ) при достижении полной зарядки осуществляется дифференциальным каскадом VT1VT2 следующим образом. Заданное напряжение, при котором требуется ограничить ток зарядки, определяется делителем напряжения R2R3 и подаётся на базу транзистора VT1, а на базу VT2 поступает напряжение с АКБ, с учётом падения напряжения на диоде VD7, который отключает АЗУ от АКБ при пропадании напряжения в сети. Пока АКБ не зарядилась, напряжение на базе VT2 меньше, чем на базе VT1, и, следовательно, VT2 закрыт и светодиод HL2 не светится. Светится HL1, поскольку VT1 находится в активном режиме. Величина тока определяется сопротивлением резистора R5 и напряжением на базе VT1 и не зависит от напряжения на его коллекторе. Такая схема известна как источник тока (ИТ) [2]. Следовательно, и падение напряжения на резисторе R4 будет стабильным, при этом будет светиться HL1, указывая, что идёт процесс зарядки АКБ. Ток её зарядки стабилен и не зависит от напряжения на АКБ, поскольку транзисторы VT3 и VT4 образуют ИТ.

    Особая точность поддержания зарядного тока не требуется, решающее значение имеет ограничение напряжения АКБ при достижении полной зарядки. Точности дифференциального каскада и параметрического стабилизатора напряжения вполне достаточно для решения этой задачи. При достижении напряжения на АКБ, соответствующего полной зарядке, транзистор VT2 переходит в активный режим, появляется его коллекторный ток, начинает светиться светодиод HL2, указывая, что АКБ зарядилась, соответственно ток через VT1 уменьшится, соответственно уменьшится и ток зарядки до величины 0,01…0,02Q, что исключает перезарядку и порчу АКБ. Конденсатор С2 устраняет возможное самовозбуждение, резистор R6 снижает напряжение на коллекторе VT2, а следовательно, и рассеиваемую на нём мощность. Диод VD6 обеспечивает надёжное закрывание транзистора VT4.

    Транзистор VT4 можно заменить любым из серий КТ973, КТ814, КТ816 и другими (учитывая ток зарядки и рассеиваемую при этом мощность), VT3 — любым транзистором из серий КТ3102, КТ315, КТ503, а VT1, VT2 — любыми из серий КТ203, КТ208, КТ209, КТ502. Коэффициент передачи тока базы транзисторов — не менее 50.

    Если потребуется заряжать АКБ больших ёмкости и (или) напряжения, то можно собрать АЗУ по схеме, изображённой на рис. 2, с применением транзисторов другой структуры как более распространённых. Образцовое и сравниваемое с ним напряжение подают на базы транзисторов дифференциального каскада через делители или непосредственно, в зависимости от напряжения АКБ. Так, если её напряжение меньше 9 В (напряжение стабилизации Д818 = 9 В), то исключают резисторы R9, R11, на базу VT2 напряжение подают через резистор R8, а требуемое значение напряжения окончания зарядки АКБ устанавливают делителем R3R4R5.

    Рис. 2

    Если же напряжение АКБ более 9 В, то исключают резисторы R4, R5, а напряжение окончания зарядки устанавливают делителем R8R9R1 1. Ток делителей выбирают в интервале 0,5…1 мА. Резистором R6 выставляется ток зарядки около 10 мА после определения напряжения на базе транзистора VT1. Подбором резистора R1 устанавливают номинальный ток стабилизации стабилитрона VD5 — 10 мА. Диод VD6 ограничивает обратное напряжение на эмиттерном переходе VT2, что может произойти при коротком замыкании в цепи АКБ.

    Транзисторы VT3, VT4, VT5 образуют мощный источник тока [2]. Благодаря первому из них падение напряжения на резисторах R7, R12 можно задать порядка 1 В, что может потребоваться, если напряжение АКБ соизмеримо с напряжением на выходе выпрямителя. При напряжении на АКБ менее 9 В можно исключить транзистор VT3, а падение напряжения на резисторах R7, R12 выбрать равным нескольким вольтам, при этом уменьшится мощность, рассеиваемая на транзисторе VT5, но потребуется резистор R12 соответственно с большей мощностью рассеяния.

    Мощность и напряжение на вторичной обмотке понижающего трансформатора Т1, электрические параметры диодов VD1-VD4, VD7, транзистора VT5 определяются ёмкостью и напряжением АКБ. Для обеспечения длительной безотказной работы устройства предельные значения параметров полупроводниковых приборов и резисторов должны превосходить действующие в устройстве значения в 2…3 раза. Если предполагается, что устройство будет работать круглосуточно без надзора, особое внимание следует уделить пожарной безопасности. Трансформатор должен быть достаточной мощности, с надёжной изоляцией и небольшим током холостого хода, свидетельствующем об отсутствии насыщения магнитопровода и достаточном числе витков первичной обмотки. Для определения максимально допустимого сетевого напряжения и выявления короткозамкнутых витков полезно снять характеристику намагничивания трансформатора (зависимость тока холостого хода от напряжения на сетевой обмотке). Резкий рост тока холостого хода допустим только при напряжении на обмотке, превышающем номинальное сетевое на 10% (при номинальном 230 В — это 253 В), что свидетельствует о достаточном числе витков первичной обмотки. Корпус АЗУ также должен удовлетворять требованиям пожарной и электробезопасности.

    При налаживании следует нагрузить выпрямитель АЗУ током 0,01…0,02Q и установить подбором резистора R6 номинальный ток зарядки (примерно 10 мА), поскольку именно при таком режиме должно происходить ограничение зарядного тока. Затем, в зависимости от напряжения АКБ, выбирают конфигурацию схемы устройства и устанавливают предварительно напряжение ограничения зарядки АКБ. Если это напряжение более 9 В, то, согласно вышеизложенному, базу транзистора VT1 подключают к стабилитрону VD5 через резистор R3, в этом случае напряжение на его эмиттере будет меньше примерно на 0,65 В, т. е. около 8,4 В. Следовательно, при токе около 10 мА ближайший номинал резистора R6 — 820 Ом. Затем определяют номиналы резисторов R7, R12 и необходимость в транзисторе VT3 для достижения требуемого тока зарядки. При измерении тока зарядки светодиод HL1 не должен гореть. Для выполнения этой работы АЗУ нагружают цепью по схеме на рис. 3. Далее подстроечным резистором R11 устанавливают ток 0,01 …0,2Q при напряжении на выходе АЗУ, соответствующем 1,5 В на каждый аккумулятор АКБ.

    Рис. 3

    Если напряжение АКБ менее 9 В, то исключают R9, R11, с помощью делителей R3R4R5 устанавливают предварительно напряжение, соответствующее заряженной АКБ плюс падение напряжения на диоде VD7, затем, согласно вышеизложенному, определяют сопротивление резисторов R6, R7, R12 и окончательно устанавливают напряжение ограничения зарядки АКБ подстроечным резистором R5.

    Литература

    1. Немного о зарядке никель-кадмиевых аккумуляторов. — Радио, 1996, № 7, с. 48.
    2. Семушин С. Источники тока и их применение. — Радио, 1978, №1, с. 39; №2, с. 44.

    Автор: С. Тихонов, г. Калтан Кемеровской обл.

    (PDF) Эмпирические корреляции между параметрами Аррениуса коэффициентов диффузии примесей в кристаллах CdTe

    21. Р. Гриль, Б. Нахловский, Э. Белас, М. Бугар, П. Моравец и

    П. Хёшль, Химическая диффузия в CdTe: Cl, Semicond. Sci.

    Технол., 2010, 25, с 045019. doi: 10.1088 / 0268-1242 / 25/4/

    045019

    22. Павлова Г.С., Э.Л. Канунова, Ю.М.Иванов, Диффузия

    лития и алюминия в CdTe, легированный хлоридом // Неорган. Материалы.

    Матер., 1991, 27, с. 190-193

    23. Ю.М. Иванов, Г.С.Павлова, Е.Л. Канунова, Диффузия

    индия и натрия в CdTe, легированном хлором, Неорган.

    Mater., 1988, 24, p 1681-1684

    24. H.H. Woodbury, M. Aven, Some Diffusion and Solubility

    Измерения Cu в CdTe, J. Appl. Phys., 1968, 39, с.

    5485-5488. DOI: 10.1063 / 1.1655999

    25. Х. Манн, Г. Линкер и О. Мейер, Процессы диффузии на границе раздела

    Cu-CdTe для испаренных и химически покрытых слоев Cu

    , Solid State Comm., 1972, 11, с. 475-479. doi:

    10.1016 / 0038-1098 (72)

    -X

    26. О. Панчук, В. Грицив, Д. Белоцкий, Диффузия меди в

    CdTe, Неорг. Матер., 1975, 11, с. 1510-1512

    27. E.D. Джонс, Н.М. Стюарт, Дж. Б. Маллин, Диффузия меди

    в теллуриде кадмия, J. Cryst. Рост, 1992, 117, стр.

    244-248. DOI: 10.1016 / 0022-0248 (92) -6

    28. B.O. Wartlick, JF Barbot, and C. Blanchard, Определение

    коэффициентов диффузии доноров в полупроводниках p-типа из

    переходных процессов емкости: применение к диффузии Cu и Ag в

    Hg с высоким содержанием Cd

    1x

    x

    Те, Философ.Mag. B, 1997, 75, p 639-646.

    doi: 10.1080 / 13642819708202345

    29. Б.О. Вартлик, К. Бланшар и Дж. Ф. Барбот, Исследование серебра

    и диффузии меди в р-типе Hg

    0,3

    Cd

    0,7

    d

    d

    Измерения емкости, Науки. Engin. B (Solid-State Mate-

    rials for Advanced Technology), 2000, B71, стр. 254-257. doi:

    10.1016 / S0921-5107 (99) 00385-2

    30. Грицив В. Исследование поведения Cu, Ag и Au в теллуриде кадмия

    , Ph.Докторская диссертация, Черновицкий университет

    , Черновцы (Украина), 1975

    31. К. С

    Шермак, Диффузия серебра в тонких пленках теллурида кадмия

    , Чешскослов. C

    ˇasop. Физ. (In Czech.), 1962, A12, p. 84-87

    32. Терамото, С. Такаянаги, Поведение золота в кадмий

    Кристаллы теллурида, J. ​​Phys. Soc. Jpn., 1962, 17, p. 1137-1141.

    doi: 10.1143 / JPSJ.17.1137

    33. М. Хаге-Али, И.В. Митчелл, Дж. Дж. Гроб, П.Зифферт, Heavy

    Элементная диффузия в теллуриде кадмия, тонкие твердые пленки,

    1973, 19, стр. 409-418. DOI: 10.1016 / 0040-6090 (73)

    -1

    34. Джафаров Т.Д., Калискан М., Влияние диффузии Au на структурные, электрические и оптические характеристики пленок CdTe Thin

    , J. Phys. Д, 2007, 40, с. 4003-4009. DOI: 10.1088 / 0022-

    3727/40/13/014

    35. Щербак Л. Радиометрическое исследование процессов легирования CdTe

    цинком, Оптоэлектроника I, Полупроводниковая техника,

    1996, 31, с 39-44 , на русском языке

    36.Джафаров Т.Д., Онгул Ф. Модификация пленок CdTe Thin

    реактивной диффузией Zn // Журн. Физ. D, 2005, 38, p 3764-

    3767. doi: 10.1088 / 0022-3727 / 38/20/002

    37. M.U. Ахмед, Э. Джонс, Дж. Б. Маллин, Н. М. Стюарт,

    Результаты Аррениуса для диффузии Hg в CdTe, J. Cryst.

    Рост, 1996, 159, стр. 1141-1147. DOI: 10.1016 / 0022-0248 (95)

    00698-2

    38. Э. Д. Джонс, В. Тамбипиллай, Дж. Б. Маллин, Диффузия

    ртути в теллуриде кадмия, J.Cryst. Рост, 1992, 118,

    , стр. 1-13. DOI: 10.1016 / 0022-0248 (92)

    -I

    39. К. Такита, К. Мураками, Х. Отаке, К. Масуда, С. Секи и Х.

    Кудо, Наблюдение диффузии ртути в CdTe с помощью

    40 МэВ O

    5+

    Обратное рассеяние ионов., Прил. Phys. Lett., 1984, 44,

    p 996-998. DOI: 10.1063 / 1.96440

    40. J.C.H. Hogg, A. Bairstow, G.W. Мэтьюз, Д. Шоу, Дж. Д.

    Стедман, Химическая диффузия Hg в CdTe, Mater.Sci. Англ.

    В, 1993, 16, стр.195-198. doi: 10.1016 / 0921-5107 (93)

    -L

    41. П. Фейчук, Исследование механизма действия примесей III группы:

    Введение в CdTe, кандидатская диссертация, Черновицкий университет,

    Черновцы (Украина) ), 1979, на русск. Яз.

    42. ГВт. Блэкмор, Э. Джонс, Дж. Б. Маллин, Н. М. Стюарт,

    Диффузия галлия в теллуриде кадмия, Mater. Sci. Англ.

    В, 1993, 16, стр.186-190. DOI: 10.1016 / 0921-5107 (93)

    -T

    43.Х. Като и С. Такаянаги, Диффузия индия в кадмии

    Теллурид, Япония. J. Appl. Phys., 1963, 2, с. 250-251. doi:

    10.1143 / JJAP.2.250

    44. М. Йокодзава, Х. Като и С. Такаянаги, Поведение In в

    кристаллах

    CdTe, Denki Kagaku, 1966, 43, стр. 828-833, в

    Японский

    45. С. С. Черн, Ф. А. Крогер, Относительная величина констант диффузии

    вакансий кадмия и индия-

    пар вакансий кадмия в CdS и CdTe, Phys.Статус Solidi

    A, 1974, 25, стр. 215-222. doi: 10.1002 / pssa.2210250119

    46. П. Фейчук, О. Панчук, Л. Щербак, В диффузии и

    Отклонение от стехиометрии в CdTe, Неорган. Mater., 1979,

    15, p 1390-1392

    47. Уотсон Э., Шоу Д. Растворимость и диффузия In в

    CdTe, J. Phys. С, 1983, 16, стр. 515-537. doi: 10.1088 / 0022-3719 /

    16/3/013

    48. А.Е. Городецкий, Г.А. Качурин, Л. Смирнов, Распространение

    примесей, внесенных ионной бомбардировкой, Диффуз.

    Полупроводников, 1969, с 72-80. http://www.scientifc.net/

    DDF.308 / abstracts.A69

    49. Панчук О., Фейчук П., Щербак Л. Допирование теллурида кадмия

    таллием, Неорг. Mater., 1986, 22, с.

    1438-1442

    50. Панчук О., Щербак Л. Растворимость и диффузия Ge

    в CdTe, Неорган. Mater., 1979, 15, p 1049-1052

    51. Панчук О., Щербак Л., Фейчук П., Савицкий А.,

    Диффузия олова и собственных дефектов в CdTe, Неорган.

    Mater., 1978, 14, p. 41-44

    52. E. Hoonnivathana, E.D. Джонс, И.В.Ф. Viney, L.J. Duckers,

    Диффузия фосфора в CdTe, J. Electron. Матер., 1998,

    27, с. 610-614. doi: 10.1007 / s11664-998-0024-4

    53. Водоватов Ф., Инденбаум Г., Ванюков А. Исследование диффузии кислорода

    в теллуриде кадмия с помощью масс-спектрометра-

    ric analyzer, Sov. Phys.-Semiconductors, 1970, 12, p 17-19

    54. D.W. Лейн, Г.Дж. Конибер, Д.А. Вуд, К. Rogers, P.

    Capper, S. Romani и S. Hearne, Диффузия серы в CdTe

    и фазовая диаграмма псевдобинарного сплава CdS-CdTe,

    J. Cryst. Рост, 1999, 197, стр. 743-748. DOI: 10.1016 / S0022-

    0248 (98) 00813-6

    55. Х. Като, М. Йокодзава и С. Такаянаги, Распространение Se в

    CdTe, яп. J. Appl. Phys., 1965, 4, p 1019. doi:

    10.1143 / JJAP.4.1019

    56. Шоу Д., Уотсон Э. Диффузия хлора C1 в CdTe, J.

    Phys. C, 1984, 17, p 4945-4950. DOI: 10.1088 / 0022-3719 /

    17/28/011

    57. E.D. Джонс, Дж. Мальцбендер, Дж. Б. Маллин и Н. Шоу, Диффузия

    C1 в CdTe, J. Phys., 1994, 6, стр. 7499-7504.

    doi: 10.1088 / 0953-8984 / 6/37/005

    58. Дж. Мальцбендер, Э. Д. Джонс, Н. Шоу и Дж. Б. Маллин. Исследования

    диффузии галогенов в CdTe, Semicond. Sci. Technol.,

    1996, 11, с. 741-747. DOI: 10,1088 / 0268-1242 / 11/5/015

    59.E.D. Джонс, Дж. К. Кларк, Дж. Мальцбендер, Дж. Б. Маллин, Н. Шоу,

    и А. Бринкман, Исследования диффузии цинка и йода

    в CdTe, J. Electron. Матер., 1995, 24, с. 581-585.

    doi: 10.1007 / BF02657966

    Журнал фазового равновесия и диффузии

    Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности. Если ваш браузер не принимает файлы cookie, вы не можете просматривать этот сайт.

    Настройка вашего браузера для приема файлов cookie

    Существует множество причин, по которым cookie не может быть установлен правильно.Ниже приведены наиболее частые причины:

    • В вашем браузере отключены файлы cookie. Вам необходимо сбросить настройки своего браузера, чтобы он принимал файлы cookie, или чтобы спросить вас, хотите ли вы принимать файлы cookie.
    • Ваш браузер спрашивает вас, хотите ли вы принимать файлы cookie, и вы отказались. Чтобы принять файлы cookie с этого сайта, используйте кнопку «Назад» и примите файлы cookie.
    • Ваш браузер не поддерживает файлы cookie. Если вы подозреваете это, попробуйте другой браузер.
    • Дата на вашем компьютере в прошлом.Если часы вашего компьютера показывают дату до 1 января 1970 г., браузер автоматически забудет файл cookie. Чтобы исправить это, установите правильное время и дату на своем компьютере.
    • Вы установили приложение, которое отслеживает или блокирует установку файлов cookie. Вы должны отключить приложение при входе в систему или проконсультироваться с системным администратором.

    Почему этому сайту требуются файлы cookie?

    Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности, запоминая, что вы вошли в систему, когда переходите со страницы на страницу.Чтобы предоставить доступ без файлов cookie потребует, чтобы сайт создавал новый сеанс для каждой посещаемой страницы, что замедляет работу системы до неприемлемого уровня.

    Что сохраняется в файле cookie?

    Этот сайт не хранит ничего, кроме автоматически сгенерированного идентификатора сеанса в cookie; никакая другая информация не фиксируется.

    Как правило, в файле cookie может храниться только информация, которую вы предоставляете, или выбор, который вы делаете при посещении веб-сайта.Например, сайт не может определить ваше имя электронной почты, пока вы не введете его. Разрешение веб-сайту создавать файлы cookie не дает этому или любому другому сайту доступа к остальной части вашего компьютера, и только сайт, который создал файл cookie, может его прочитать.

    Оценка параметров переднего сегмента и возможных факторов влияния у нормальных субъектов с использованием двойного анализатора Scheimpflug

    Абстракция

    Назначение

    Для исследования нормальных параметров переднего сегмента и анализа возможных влияющих факторов с помощью двойной системы Scheimpflug.

    Настройка

    Отделение офтальмологии, Шестая народная больница филиала Шанхайский университет Цзяо Тонг , Шанхай, Китай.

    Дизайн

    Серия перспективных наблюдений.

    Методы

    Всего было обследовано 153 здоровых человека (153 глаза). Параметры переднего сегмента, включая центральную толщину роговицы (CCT), глубину передней камеры (ACD), диаметр зрачка (PD), индекс прогнозирования кератоконуса (KPI), значения моделированной кератометрии (SimK), переднюю мгновенную кривизну (AIC), заднюю осевую Кривизну (PAC), эксцентриситет роговицы, общую мощность роговицы (TCP), осевую кривизну (AC), общий волновой фронт роговицы (TCW), аберрацию высокого порядка (HOA) и сферическую аберрацию (SA) определяли с помощью двойного анализатора Scheimpflug.

    Результаты

    CCT и ACD отрицательно коррелировали с возрастом (r = -0,203, p = 0,012; r = -0,589, p <0,001). Значимой разницы показателей преломления AIC и SimK не было. По сравнению с отрицательной корреляцией HOA и SA (r = -0,358, p <0,001), была обнаружена положительная корреляция между TCW и HOA (r = 0,561, p <0,001). В отличие от тенденции к уменьшению AC, TCP постепенно увеличивался от центра к периферии в центральном диаметре 8 мм.TCP показал значительную корреляцию с AC в анализируемой области.

    Выводы

    AIC и SimK предоставляют различную информацию в клинике, но их показатели преломления не показали различий в этой здоровой исследуемой популяции, и при использовании значений CCT и ACD следует учитывать возраст.

    Образец цитирования: Wang X, Dong J, Wu Q (2014) Оценка параметров переднего сегмента и возможных факторов влияния у нормальных субъектов с использованием двойного анализатора Scheimpflug.PLoS ONE 9 (5): e97913. https://doi.org/10.1371/journal.pone.0097913

    Редактор: Андреас Ведрих, Медицинский университет Граца, Австрия

    Поступила: 16 августа 2013 г .; Одобрена: 27 апреля 2014 г .; Опубликовано: 16 мая 2014 г.

    Авторские права: © 2014 Wang et al. Это статья в открытом доступе, распространяемая в соответствии с условиями лицензии Creative Commons Attribution License, которая разрешает неограниченное использование, распространение и воспроизведение на любом носителе при условии указания автора и источника.

    Финансирование: Нет текущих внешних источников финансирования для этого исследования.

    Конкурирующие интересы: Авторы заявили, что никаких конкурирующих интересов не существует.

    Введение

    Характеристики рефракции роговицы, такие как центральная толщина роговицы (CCT), передняя кривизна, задняя кривизна, общая мощность роговицы (TCP) и общий волновой фронт роговицы (TCW), полезны во всех типах рефракционной хирургии, особенно при помощи лазера in situ кератомилез (ЛАСИК).[1] — [5] Более того, понимание того, как кераторефракционная хирургия влияет на форму и структуру роговицы, становится все более важным. Глубина передней камеры (ACD), определяемая как расстояние от слезной пленки или эндотелия роговицы до передней поверхности хрусталика, является одним из наиболее важных факторов при расчете интраокулярной линзы. Подробная информация о задней кривизне роговицы полезна для выявления легкой кератэктазии.

    Топография роговицы — ценный инструмент для оценки заболеваний, связанных с изменениями формы роговицы, особенно для диагностики кератоконуса.Точное измерение параметров переднего сегмента нормальной и кератоконической роговицы чрезвычайно важно для диагностики и мониторинга заболеваний роговицы, а также для хирургического планирования.

    Анализатор Galilei Dual-Scheimpflug (GSA) — это бесконтактная высокоточная оптическая система, используемая для исследования топографии роговицы с помощью вращающейся камеры Scheimpflug и спокойного диска. Он может реконструировать трехмерное изображение переднего сегмента и предоставить подробную информацию о передней и задней поверхности роговицы, в дополнение к ACD от эндотелия роговицы до хрусталика с помощью внутреннего программного обеспечения.Кроме того, взаимосвязь между потенциальными влияющими факторами, такими как возраст, пол, аномалия рефракции, кривизна роговицы и параметры переднего сегмента, все еще остаются неопределенными. [6] — [10] Таким образом, целью этого проспективного исследования было наблюдение за рефракционным статусом роговицы у здоровых субъектов и изучение возможного влияния некоторых факторов, таких как возраст, пол, аномалия рефракции и кривизна роговицы, с использованием GSA. система.

    Материалы и методы

    Диаметр зрачка (PD) и другие параметры в области интереса (ROI) диаметром приблизительно 1–4 мм, такие как моделируемая кератометрия (SimK), передняя мгновенная кривизна (AIC), задняя осевая кривизна (PAC), общая мощность роговицы (TCP), осевая кривизна (AC) центрального диаметра 8 мм и общий волновой фронт роговицы (TCW) в ROI диаметром примерно 6 мм были определены анализатором Galilei Dual-Scheimpflug (Ziemer Group, Порт, Швейцария) после адаптации к темноте 5 минут.Подробное описание каждого параметра приводится ниже.

    1. Значения SimK рассчитываются с использованием кератометрического индекса (KI, n = 1,3375) от топографа Пласидо. Этот показатель отличается от фактического показателя преломления роговицы (n = 1,376), поскольку он не учитывает параметры задней поверхности.
    2. AIC, который использует тот же KI, что и значения SimK, рассчитывается по фактическому радиусу кривизны в точке пересечения точки поверхности роговицы.
    3. PAC, который использует реальный показатель преломления роговицы (n = 1.376) и водный (n = 1,336), рассчитывается по осевой длине, которая проходит перпендикулярно от точки пересечения к исходной оси.
    4. TCP, который использует фактический показатель преломления воздуха (n = 1,0), роговицы и водной оболочки, рассчитывается путем трассировки лучей через переднюю и заднюю поверхности с использованием закона Снеллиуса. Оценивали TCP в центральных 8 мм, которые были разделены на центральную (диаметр 0–4 мм), парацентральную (диаметр 4–7 мм) и периферическую (диаметр 7–8 мм) зоны.
    5. Оценивался AC в центральных 8 мм, которые были разделены на центральную (диаметр 0–4 мм), парацентральную (диаметр 4–7 мм) и периферическую (диаметр 7–8 мм) зоны.
    6. Среднеквадратическое значение (RMS) волнового фронта, которое было центрировано на зрачке и зарегистрировало приблизительный центральный диаметр 6 мм, было рассчитано по передней и задней поверхности. Он отображается как RMS в микронах и состоит из трех частей: RMS в целом, RMS аберрации высокого порядка (HOA) и RMS сферической аберрации.
    7. Эксцентриситет (ε 2 ) был рассчитан по центральному диаметру роговицы 8 мм. Он основан на математическом описании эллипса и определяет форму роговицы.
    8. Индекс прогнозирования кератоконуса (KPI), который потенциально полезен для раннего выявления кератоконуса, был рассчитан после дискриминантного анализа SimK1, SimK2, индекса дифференциального сектора и индекса противоположного сектора. [11]

    Предыдущие исследования показали высокую повторяемость и воспроизводимость GSA [12] — [14], поэтому измерение проводилось один раз на каждом глазу одним и тем же оператором. Основываясь на минимальных требованиях к качеству изображения для компенсации движения (85%), Пласидо (85%), Шаймпфлюга (90%) и расстояния движения (70%), для дальнейшего анализа было выбрано общее качество изображения выше 95%.Испытуемые были проинструктированы полностью моргнуть непосредственно перед измерением. GSA — это двойная система Scheimpflug, которая измеряет передний сегмент глаза от передней поверхности роговицы до задней поверхности хрусталика; любые изображения, расположенные за радужной оболочкой, блокируются пигментами радужной оболочки. Все индексы рассчитывались с помощью программы Galilei (версия 5.2.1). Внутриглазное давление (ВГД) измеряли бесконтактным тонометром с затяжкой воздуха (Topcon CT-80; Topcon Corp., Токио, Япония). Осевую длину глаза измеряли с помощью IOL Master 500 (Zeiss, Оберкохен, Германия), а объективную общую рефракцию определяли с помощью автоматического рефрактометра KR-8800 (Topcon, Токио, Япония).

    Субъектов

    В исследование были включены 153 здоровых субъекта (58 мужчин, 95 женщин), и от всех участников было получено письменное информированное согласие. Для субъектов младше 18 лет письменные формы информированного согласия были получены от опекунов от имени детей-участников, участвовавших в этом исследовании. Для анализа случайным образом выбирали по одному глазу каждого испытуемого. Нормальные добровольцы были выбраны случайным образом (каждый третий субъект из Центра медицинского осмотра при Шестой народной больнице Шанхая), чтобы уменьшить систематическую ошибку отбора.Люди хань составляют более 90% населения Китая, поэтому участники ханьского происхождения были отобраны с использованием уникальной информации об этнической принадлежности, указанной в удостоверениях личности добровольцев. Это помогло устранить любое возможное влияние со стороны разных этнических групп. Одобрение комитета по этике было получено от Шанхайского центра клинических исследований. Возраст испытуемых колебался от 12 до 85 лет (в среднем 34 ± 17 лет). Подходящие пациенты прошли нормальное офтальмологическое обследование, которое включало следующее: наиболее скорректированная острота зрения ≥20 / 40, ошибка рефракции <5 диоптрий (D) сферическая и <3 D цилиндрическая, нормальная щелевая лампа и обследование глазного дна, осевое обследование. длина <24.5 мм и ВГД <22 мм рт. [15] Критерии исключения включали все выявляемые глазные заболевания, недавние офтальмологические операции, ношение контактных линз и использование глазных капель. Чтобы избежать каких-либо колебаний толщины роговицы из-за времени суток, все измерения проводились в полдень.

    Статистика

    Статистический анализ был выполнен с использованием коммерческого программного обеспечения (SPSS ver. 13.0; SPSS Inc., Чикаго, Иллинойс, США). Чтобы сравнить разницу между AIC и SimK, был проведен независимый выборочный t-критерий.Линейный регрессионный анализ использовался для исследования влияния возраста на измерения CCT и ACD, а также для демонстрации взаимосвязи HOA по сравнению с TCW и SA по сравнению с HOA. Корреляционный анализ Пирсона использовался для оценки корреляций между CCT и возрастом, полом, средним TCP, ACD, средней ошибкой рефракции и средней цилиндрической ошибкой рефракции, а также для оценки корреляций между TCP и AC в центральных диаметрах 8 мм. Модель многомерной регрессии использовалась для анализа влияния возраста на ACD с одновременным контролем нескольких других независимых переменных, включая пол и диаметр зрачка.Все тесты имели уровень значимости 0,05.

    Результаты

    Всего 153 субъекта (153 глаза) были оценены с помощью GSA. Значения параметров переднего сегмента показаны в таблице 1. Соответствуя значениям в таблице 1, значения SimK в миллиметрах составляли 7,77 ± 0,23 для среднего, 7,86 ± 0,24 для плоского и 7,68 ± 0,24 для крутого; значения AIC составляли 7,81 ± 0,24, 7,90 ± 0,24 и 7,73 ± 0,25; а значения PAC составили 6,39 ± 0,23, 6,56 ± 0,24 и 6,22 ± 0,25 соответственно. Не было существенной разницы между AIC и SimK по каждому соответствующему индексу (таблица 2).На рис. 1А показана регрессия ЧМТ в зависимости от возраста. Линейная модель лучше всего продемонстрировала эту взаимосвязь: CCT (мкм) = 563,2–0,32 * возраст (r = -0,203, p = 0,012). Согласно этой модели, увеличение возраста на 10 лет приводит к снижению ЧМТ примерно на 3,2 мкм. CCT также отрицательно коррелировал со средним значением TCP (r = -0,172, p = 0,033), но не коррелировал с другими показателями, такими как пол, ACD, средняя ошибка рефракции и средняя цилиндрическая ошибка рефракции. ACD положительно коррелировал с полом (r = 0,254, p = 0.002) и PD (r = 0,409, p <0,001). На Рисунке 1B показан регресс ACD с возрастом. Линейная модель лучше всего продемонстрировала эту взаимосвязь: ACD (мм) = 3,458–0,013 * возраст (r = -0,589, p <0,001). Согласно этой модели, увеличение возраста на 10 лет приводит к снижению ACD примерно на 0,13 мм.

    Рис. 1. График разброса возраста (A) в зависимости от толщины центральной роговицы и (B) возраста в зависимости от глубины передней камеры, измеренной с помощью системы Galilei Scheimpflug.

    Линия: одномерная регрессия, суммирующая взаимосвязь между двумя переменными.

    https://doi.org/10.1371/journal.pone.0097913.g001

    HOA положительно коррелировал с TCW (r = 0,561, p <0,001), а на рисунке 2A показана регрессия TCW с HOA. Напротив, SA роговицы, как важная часть HOA, отрицательно коррелировала с HOA (r = -0,358, p <0,001), а на рисунке 2B показана регрессия HOA с SA.

    Рис. 2. Диаграммы рассеяния (A) аберрации высокого порядка по отношению к общему волновому фронту роговицы и (B) сферической аберрации по сравнению с аберрацией высокого порядка, измеренной с помощью системы Galilei Scheimpflug.

    Линии: одномерная регрессия, суммирующая взаимосвязь между двумя переменными.

    https://doi.org/10.1371/journal.pone.0097913.g002

    По сравнению с тенденцией к снижению AC, TCP постепенно увеличивался от центра к периферии в центральном диаметре 8 мм (Таблица 1). Более того, TCP положительно коррелировал с AC в соответствующей области (таблица 3).

    В многомерном анализе, где зависимой переменной была ACD (таблица 4), возраст был доминирующей независимой переменной, на которую приходилось примерно 35% дисперсии (R2).При группировке по возрасту в многомерных моделях пол и PD учитывали не столько, сколько возраст. Это говорит о том, что возраст является относительно сильным индикатором изменений ACD.

    Обсуждение

    Эктазия роговицы — хорошо известное осложнение рефракционной хирургии, а заднее возвышение роговицы является ранним признаком кератоконуса; поэтому очень важно оценивать заднюю кривизну роговицы у каждого кандидата на рефракционную операцию. С помощью неинвазивных методов визуализации можно реконструировать структуру глаза и четко наблюдать в более высоком разрешении in vivo .По сравнению с ультразвуком, Orbscan и Pentcam, GSA может создавать трехмерное изображение переднего сегмента с использованием метода двойной визуализации Scheimpflug-Placido.

    Существует ряд отчетов или оценок значений CCT с использованием различных инструментов, таких как измерения на основе щелевой лампы, на основе зеркального микроскопа, других оптических / лазерных или ультразвуковых измерений. Согласно исследованию Mishima et al., Нормальный диапазон значений CCT человека должен составлять от 500 до 570 мкм, что, очевидно, отличается от диапазона от 700 до 1000 мкм, который использовался до 1950-х годов.[16], [17] Это может быть в значительной степени связано с улучшением точности и точности измерительных инструментов. По сравнению с недавними исследованиями GSA у здоровых субъектов, значения CCT в этом исследовании были аналогичными. Зайна сообщила о среднем значении 549,2 ± 30,5 мкм для 77 нормальных глаз, что толще, чем 541,27 ± 30,07 мкм для 92 глаз в исследовании Ladi et al, но тоньше, чем 560,57 ± 29,10 мкм, сообщенное для 47 глаз в исследовании. Hosseini et al. [18] — [20] На ЧМТ может влиять ряд факторов, таких как возраст, раса, пол, аномалия рефракции и кривизна роговицы.[8] — [10] В нашем исследовании мы обнаружили, что CCT уменьшалась примерно на 3,2 мкм за каждое десятилетие увеличения возраста. Точно так же несколько исследователей сообщили о значительной скорости снижения ЧМТ с возрастом, но снижение скорости показало небольшую разницу. [21], [22] Однако некоторые исследования показали, что возраст не влияет на ЧМТ. [8], [23] Пол, ACD, средняя ошибка рефракции и средняя цилиндрическая ошибка рефракции не оказали значительного влияния на CCT, что согласуется с некоторыми предыдущими сообщениями. [8] — [10], [23]

    Точная оценка ACD важна для хирургического планирования и последующего наблюдения при глаукоме и имплантации интраокулярных линз.Значение ACD у нормальных субъектов в этом исследовании было немного глубже, чем ∼2,8 мм, измеренное с помощью системы Orbscan, и немного меньше, чем ∼3,3 мм, измеренное системой Pentacam и оптической когерентной томографией переднего сегмента. [24], [25] Это может быть связано с разными расами и условиями проживания в исследованиях. ACD коррелировал с возрастом, полом и PD, в соответствии с некоторыми предыдущими исследованиями. [6], [7], [24] Модель множественной регрессии (таблица 4) предполагает, что возраст является основным фактором, влияющим на ACD, по сравнению с полом и PD.

    Мы получили средние значения передней и задней кривизны роговицы, аналогичные результатам предыдущего исследования с использованием Pentacam; в этом исследовании для контрольной группы были получены значения 7,81 ± 0,28 и 6,40 ± 0,24 мм для средней передней и задней кривизны роговицы соответственно. [26] Более того, наши значения SimK были аналогичны значениям в исследовании, разработанном Савини и др. С использованием Pentacam и видеокератографии. [27] Поскольку для расчета AIC и SimK использовался один и тот же смоделированный KI (n = 1,3375), легко понять согласованность между значениями AIC и SimK.Однако мы должны заметить разницу между мгновенной кривизной и переменным током. По сравнению с другим методом вычисления для мгновенной кривизны, переменный ток сильно зависит от положения опорной оси. Мгновенная кривизна может дать более подробное описание локальной кривизны, но может быть очень шумной. Хотя AC может дать более общее описание формы, он будет недооценивать области относительной более высокой кривизны и переоценивать области относительной более низкой кривизны. [28], [29]

    Значения TCP для центрального диаметра 8 мм были ниже, чем в исследовании Wang et al, которые сообщили о значениях 43.36 ± 1,37, 44,05 ± 1,51 и 44,30 ± 1,67 D для центральной, парацентральной и периферической зон на 20 нормальных глазах. [14] Однако два исследования показали аналогичную тенденцию к увеличению значений TCP в центральной области. Средние K и значения астигматизма PAC были аналогичны исследованию Wang et al, но ниже их результатов. [14] SA и HOA показали разные значения, хотя мы использовали одно и то же оборудование для анализа. Разные значения могут быть связаны с разным размером выборки и человеческими расами.

    Значения KPI в этом исследовании были в основном сгруппированы около 0%, а среднее значение было менее 3%. KPI с диапазоном от 0 до 100% может указывать на умеренный и тяжелый кератоконус, но не может четко их различать, поэтому его роль в отображении степени асимметрии роговицы может быть ограничена. [11], [30] Эксцентриситет роговицы является показателем асферичности роговицы. В этом исследовании значения среднего переднего и заднего эксцентриситета были схожими (0,27 ± 0,63), как измерено с помощью Pentacam. [31] По сравнению с Orbscan, система GSA может одновременно обеспечивать точный анализ передней и задней поверхностей роговицы с помощью техники Scheimpflug.Средние передний и задний радиусы роговицы были намного ближе к значениям (7,81 ± 0,28 и 6,40 ± 0,24 мм соответственно) в исследовании Camellin et al., Которые были измерены с помощью Pentacam на 71 глазу, который не был прооперирован. [26]

    Технология

    Wavefront может быть полезным дополнением к топографии для диагностики кератоконуса. [32] — [34] Нормальные глаза в нашем исследовании показали, что TCW положительно коррелировал с HOA роговицы, а HOA отрицательно коррелировал с SA роговицы. Это может быть полезно для анализа волнового фронта глаза в будущем.Однако различные факторы могут добавить шум к измерению волнового фронта роговицы, например, изменение местоположения зрачка и колебания в измерении слезной пленки. Несколько исследований показали, что нестабильные слезные пленки увеличивают нерегулярный астигматизм и ухудшают оптическое качество. [35] — [38] Более того, HOA динамически изменяется при моргании, даже у нормальных субъектов. [39]

    Ограничения этого исследования заключаются в том, что значения преломления и корреляции оценивались только в нормальных китайских роговицах, и все измеренные значения не сравнивались с показателями других топографов.Следовательно, необходимы дальнейшие исследования с несколькими расами, статусом болезни и другими топографами.

    В заключение, AIC и SimK предоставляют разную информацию в клинике, но их показатели преломления не показали различий в этой здоровой исследуемой популяции, и при использовании значений CCT и ACD следует учитывать возраст.

    Вклад авторов

    Задумал и спроектировал эксперименты: XGW JD QW. Проведены эксперименты: XGW. Проанализированы данные: XGW JD. Предоставленные реагенты / материалы / инструменты анализа: QW.Написал статью: XGW JD.

    Список литературы

    1. 1. Алио Дж. Л., Пинеро Д., Муфтуоглу О. (2008) Повторное лечение под контролем волнового фронта роговицы для значительных симптомов ночного видения после миопической лазерной рефракционной хирургии. Am J Ophthalmol 145: 65–74.
    2. 2. Alio JL, Pinero DP, Plaza Puche AB (2008) Фоторефракционная кератэктомия под контролем волнового фронта роговицы у пациентов с нерегулярной роговицей после рефракционной хирургии роговицы. J Cataract Refract Surg 34: 1727–1735.
    3. 3.Hashemi H, Mehravaran S (2007) Изменения роговицы после лазерной рефракционной хирургии по поводу миопии: сравнение результатов Orbscan II и Pentacam. J Cataract Refract Surg 33: 841–847.
    4. 4. Oliveira CM, Ferreira A, Franco S (2012) Анализ волнового фронта и разложение полиномов Цернике для оценки оптического качества роговицы. J Cataract Refract Surg 38: 343–356.
    5. 5. Queiros A, Gonzalez-Meijome JM, Villa-Collar C, Gutierrez AR, Jorge J (2010) Локальное усиление кривизны периферической роговицы после рефракционной терапии роговицы и LASIK.Optom Vis Sci 87: 432–439.
    6. 6. Foster PJ, Alsbirk PH, Baasanhu J, Munkhbayar D, Uranchimeg D, et al. (1997) Глубина передней камеры у монголов: варьируется в зависимости от возраста, пола и метода измерения. Am J Ophthalmol 124: 53–60.
    7. 7. Wang X, Wu Q (2013) Исследование переднего сегмента человека у нормальных китайских субъектов с использованием двойного анализатора Scheimpflug. Офтальмология 120: 703–708.
    8. 8. Прасад А., Фрай К., Херш П.С. (2011) Взаимосвязь возраста и рефракции с толщиной центральной роговицы.Роговица 30: 553–555.
    9. 9. Lekskul M, Aimpun P, Nawanopparatskul B, Bumrungsawat S, Trakulmungkijkarn T, et al. (2005) Корреляция между толщиной центральной роговицы и возрастом, полом, внутриглазным давлением и аномалией рефракции в возрасте 12–60 лет в сельской тайской общине. J Med Assoc Thai 88 Suppl 3S175–179.
    10. 10. Chen MJ, Liu YT, Tsai CC, Chen YC, Chou CK и др. (2009) Взаимосвязь между центральной толщиной роговицы, аномалией рефракции, кривизной роговицы, глубиной передней камеры и осевой длиной.J Chin Med Assoc 72: 133–137.
    11. 11. Маеда Н., Клайс С.Д., Смолек М.К., Томпсон Х.В. (1994) Автоматизированный скрининг кератоконуса с анализом топографии роговицы. Инвестируйте в офтальмол Vis Sci 35: 2749–2757.
    12. 12. Арамберри Дж., Араиз Л., Гарсия А., Илларраменди И., Олмос Дж. И др. (2012) Двойная камера по сравнению с одиночной камерой Scheimpflug для анализа переднего сегмента: точность и согласованность. J Cataract Refract Surg 38: 1934–1949.
    13. 13. Savini G, Carbonelli M, Barboni P, Hoffer KJ (2011) Повторяемость автоматических измерений, выполняемых двойным анализатором Шаймпфлюга на неоперированных глазах и глазах после рефракционной хирургии.J Cataract Refract Surg 37: 302–309.
    14. 14. Wang L, Shirayama M, Koch DD (2010) Повторяемость измерений мощности роговицы и аберрации волнового фронта с помощью роговичного топографа с двойным шаймпфлюгом Placido. J Cataract Refract Surg 36: 425–430.
    15. 15. Oliveira C, Harizman N, Girkin CA, Xie A, Tello C и др. (2007) Осевая длина и размер диска зрительного нерва в нормальных глазах. Br J Ophthalmol 91: 37–39.
    16. 16. Mishima S (1968) Толщина роговицы. Surv Ophthalmol 13: 57–96.
    17. 17. Морис Д.М., Джардини А.А. (1951) Простой оптический прибор для измерения толщины роговицы и средней толщины роговицы человека. Br J Ophthalmol 35: 169–177.
    18. 18. Al-Mohtaseb ZN, Wang L, Weikert MP (2013) Повторяемость и сопоставимость измерений толщины роговицы, полученных с помощью анализатора Dual Scheimpflug Analyzer и ультразвуковой пахиметрии. Graefes Arch Clin Exp Ophthalmol 251: 1855–1860.
    19. 19. Ladi JS, Shah NA (2010) Сравнение измерений центральной толщины роговицы с помощью двойного анализатора Шаймпфлюга Galilei и ультразвуковой пахиметрии.Индийский J Ophthalmol 58: 385–388.
    20. 20. Джахади Хоссейни HR, Катбаб А., Халили М.Р., Абтахи МБ (2010) Сравнение измерений толщины роговицы с использованием Galilei, HR Pentacam и ультразвука. Роговица 29: 1091–1095.
    21. 21. Фостер П.Дж., Баасанху Дж., Альсбирк П.Х., Мункхбаяр Д., Уранчимег Д. и др. (1998) Центральная толщина роговицы и внутриглазное давление у населения Монголии. Офтальмология 105: 969–973.
    22. 22. Brandt JD, Beiser JA, Kass MA, Gordon MO (2001) Толщина центральной роговицы в исследовании лечения глазной гипертензии (OHTS).Офтальмология 108: 1779–1788.
    23. 23. Эйстейнссон Т., Йонассон Ф., Сасаки Х., Арнарссон А., Сверриссон Т. и др. (2002) Центральная толщина роговицы, радиус кривизны роговицы и внутриглазное давление у здоровых субъектов с использованием бесконтактных методов: Рейкьявикское исследование глаз. Acta Ophthalmol Scand 80: 11–15.
    24. 24. Руфер Ф., Шредер А., Клеттнер А., Фримпонг-Боатенг А., Ройдер Дж. Б. и др. (2010) Глубина передней камеры и угол радужки роговицы у здоровых белых субъектов: влияние возраста, пола и рефракции.Acta Ophthalmol 88: 885–890.
    25. 25. Йи Дж. Х., Хонг С., Сеонг Дж. Дж., Кан С. Ю., Ма К. Т. и др. (2008) Измерения передней камеры с помощью pentacam и AS-OCT в глазах с нормальным открытым углом. Корейский J Ophthalmol 22: 242–245.
    26. 26. Camellin M, Savini G, Hoffer KJ, Carbonelli M, Barboni P (2012) Измерение с помощью камеры Scheimpflug передней и задней кривизны роговицы в глазах с предыдущей радиальной кератотомией. J Refract Surg 28: 275–279.
    27. 27. Savini G, Barboni P, Carbonelli M, Hoffer KJ (2009) Соглашение между Pentacam и видеокератографией при оценке мощности роговицы.J Refract Surg 25: 534–538.
    28. 28. Харрис В.Ф. (2006) Кривизна эллипсоидов и других поверхностей. Ophthalmic Physiol Opt 26: 497–501.
    29. 29. Кляйн С.А. (1997) Осевая кривизна и ошибка перекоса луча в топографии роговицы. Optom Vis Sci 74: 931–944.
    30. 30. Смолек М.К., Клайс С.Д. (1997) Современные методы обнаружения кератоконуса по сравнению с нейросетевым подходом. Инвестируйте в офтальмол Vis Sci 38: 2290–2299.
    31. 31. Асгари С., Хашеми Х., Мехраваран С., Хабазхуб М., Эмамиан М. Х. и др.(2013) преломляющая сила и эксцентриситет роговицы у 40-64-летнего населения Шахруда, Иран. Роговица 32: 25–29.
    32. 32. Buhren J, Kook D, Yoon G, Kohnen T (2010) Выявление субклинического кератоконуса с использованием аберраций передней и задней поверхности роговицы и пространственных профилей толщины. Инвестируйте в офтальмол Vis Sci 51: 3424–3432.
    33. 33. Саад А., Гатинель Д. (2012) Оценка общих аберраций и аберраций высокого порядка волнового фронта роговицы для обнаружения формального кератоконуса.Инвестируйте в офтальмол Vis Sci 53: 2978–2992.
    34. 34. Schlegel Z, Lteif Y, Bains HS, Gatinel D (2009) Тотальные, роговичные и внутренние оптические аберрации глаза у пациентов с кератоконусом. J Refract Surg 25: S951–957.
    35. 35. Эпплгейт Р.А., Марсак Д.Д., Сарвер Э.Дж. (2010) Шум при измерении ошибки волнового фронта из-за неопределенности местоположения центра зрачка. J Refract Surg 26: 796–802.
    36. 36. Denoyer A, Rabut G, Baudouin C (2012) Динамика аберраций слезной пленки и качество жизни, связанное со зрением, у пациентов с синдромом сухого глаза.Офтальмология 119: 1811–1818.
    37. 37. Монтес-Мико Р., Червино А., Феррер-Бласко Т., Гарсия-Лазаро С., Мадрид-Коста Д. (2010) Слезная пленка и оптическое качество глаза. Ocul Surf 8: 185–192.
    38. 38. Прадо П., Аринес Дж., Бара С., Манзанера С., Мира-Агудело А. и др. (2009) Изменения аберраций глаза при взгляде. Ophthalmic Physiol Opt 29: 264–271.
    39. 39. Ван И, Сюй Дж., Сунь Х, Чу Р., Чжуан Х. и др. (2009) Динамические аберрации волнового фронта и острота зрения в нормальных и сухих глазах.Clin Exp Optom 92: 267–273.

    Новый параметр лучше, чем AHI, для оценки ночной гипоксемии и чрезмерной дневной сонливости при обструктивном апноэ во сне

  • 1.

    Heatley, E. M. et al. Обструктивное апноэ во сне у взрослых: распространенное хроническое заболевание, требующее комплексного подхода к ведению хронических заболеваний. Sleep Med. Ред. 17 , 349–355 (2013).

    PubMed Статья PubMed Central Google Scholar

  • 2.

    Альбукерке, Ф. Н. и др. Нарушение дыхания во сне и чрезмерная дневная сонливость у пациентов с фибрилляцией предсердий. Сундук 141 , 967–973 (2012).

    PubMed Статья PubMed Central Google Scholar

  • 3.

    Xie, J. et al. Чрезмерная дневная сонливость независимо предсказывает повышение сердечно-сосудистого риска после инфаркта миокарда. J. Am. Сердце доц. 7 , e007221 (2018).

    PubMed PubMed Central Google Scholar

  • 4.

    Weaver, E. M., Woodson, B. T. и Steward, D. L. Индексы полисомнографии не соответствуют качеству жизни, симптомам и времени реакции у пациентов с апноэ во сне. Отоларингол. Head Neck Surg. 132 , 255–262 (2005).

    PubMed Статья PubMed Central Google Scholar

  • 5.

    Санна А. Обструктивное апноэ во сне, дорожно-транспортные происшествия и трудоспособность. Chronic Respir. Дис. 10 , 29–33 (2013).

    Артикул Google Scholar

  • 6.

    Sasaki, N. et al. Связь между характеристиками обструктивного апноэ во сне и ночным скачком артериального давления. Гипертония 72 , 1133–1140 (2018).

    CAS PubMed Статья PubMed Central Google Scholar

  • 7.

    Uyama, H. et al. Влияние возбуждения, сопровождающего апноэ, на артериальное давление и активность симпатических нервов при тяжелом обструктивном апноэ во сне. Дыхание во сне 22 , 149–155 (2018).

    PubMed Статья PubMed Central Google Scholar

  • 8.

    Xie, J. et al. Ночная гипоксемия, вызванная обструктивным апноэ во сне, является независимым предиктором неблагоприятного прогноза после инфаркта миокарда. J. Am. Сердце доц. 5 , e003162 (2016).

    PubMed PubMed Central Google Scholar

  • 9.

    Ichikawa, Y. et al. Тяжелое обструктивное апноэ во сне связано с коронарной микрососудистой дисфункцией и обструкцией у пациентов с инфарктом миокарда с подъемом сегмента ST. Eur. Heart J. Acute Cardiovasc. Уход https://doi.org/10.1177/2048872620919946 (2020).

    Артикул PubMed PubMed Central Google Scholar

  • 10.

    Yaggi, H.K. et al. Обструктивное апноэ во сне как фактор риска инсульта и смерти. N. Engl. J. Med 353 , 2034–2041 (2005).

    CAS PubMed Статья PubMed Central Google Scholar

  • 11.

    Parati, G. et al. Сердечная недостаточность и нарушения сна. Nat. Rev. Cardiol. 13 , 389–403 (2016).

    CAS PubMed Статья PubMed Central Google Scholar

  • 12.

    Xu, P.H. et al. Случай диабета 2 типа при СОАС и эффект лечения CPAP: ретроспективное клиническое когортное исследование. Сундук 156 , 743–753 (2019).

    PubMed Статья PubMed Central Google Scholar

  • 13.

    Yeboah, J. et al. Связь между апноэ во сне, храпом, сердечно-сосудистыми событиями и общей смертностью среди взрослого населения: MESA. Атеросклероз 219 , 963–968 (2011).

    CAS PubMed PubMed Central Статья Google Scholar

  • 14.

    Jennum, P., Tønnesen, P., Ibsen, R. & Kjellberg, J. Обструктивное апноэ во сне: влияние сопутствующих заболеваний и положительного давления в дыхательных путях на общую смертность. Sleep Med. 36 , 62–66 (2017).

    PubMed Статья PubMed Central Google Scholar

  • 15.

    Kulkas, A., Duce, B., Leppänen, T., Hukins, C. & Töyräs, J. Тяжесть событий десатурации различается между гипопноэ и обструктивным апноэ и модулируется их продолжительностью при обструктивном апноэ во сне. Дыхание сна 21 , 829–835 (2017).

    PubMed Статья PubMed Central Google Scholar

  • 16.

    Бливайз, Д. Л., Кэри, Э. и Демент, В. С. Ночные колебания связанных со сном респираторных нарушений у пожилых людей. Exp. Aging Res. 9 , 77–81 (1983).

    CAS PubMed Статья PubMed Central Google Scholar

  • 17.

    Картрайт Р. Д. Влияние положения во время сна на тяжесть апноэ во сне. Sleep 7 , 110–114 (1984).

    CAS PubMed Статья PubMed Central Google Scholar

  • 18.

    Butler, M. P. et al. Продолжительность эпизода апноэ-гипопноэ позволяет прогнозировать смертность мужчин и женщин в исследовании Sleep Heart Health Study. Am. J. Respir. Крит. Care Med. 199 , 903–912 (2019).

    PubMed PubMed Central Статья Google Scholar

  • 19.

    Koch, H. et al. Нарушения дыхания без гипоксии связаны с объективной сонливостью при апноэ во сне. Спящий режим 40 , zsx152 (2017).

    PubMed Central Статья PubMed Google Scholar

  • 20.

    Sagaspe, P. et al. Поддержание теста на бодрствование как предиктора способности управлять автомобилем у пациентов с нелеченым синдромом обструктивного апноэ во сне. Сон 30 , 327–330 (2007).

    PubMed Статья PubMed Central Google Scholar

  • 21.

    Вс, Ю. et al. Полисомнографические характеристики дневной сонливости при синдроме обструктивного апноэ во сне. Дыхание сна 16 , 375–381 (2012).

    PubMed Статья PubMed Central Google Scholar

  • 22.

    Dundar, Y. et al. Достаточно ли значений AHI для оценки степени тяжести обструктивного апноэ во сне ?. Индийский J. Отоларингол. Head Neck Surg. 67 , 16–20 (2015).

    PubMed Статья PubMed Central Google Scholar

  • 23.

    Gami, A. S. et al. Обструктивное апноэ во сне и риск внезапной сердечной смерти: продольное исследование с участием 10 701 взрослого. J. Am. Coll. Кардиол. 62 , 610–616 (2013).

    PubMed Статья PubMed Central Google Scholar

  • 24.

    Пенджаби, Н. М.КОНТРОЛЬНАЯ ТОЧКА: Является ли индекс апноэ-гипопноэ лучшим способом количественной оценки тяжести нарушения дыхания во сне? № Chest 149 , 16–19 (2016).

    PubMed Статья PubMed Central Google Scholar

  • 25.

    Цао, В., Ло, Дж. И Сяо, Ю. Обзор современных инструментов, используемых для оценки тяжести обструктивного апноэ во сне. Nat. Sci. Сон 12 , 1023–1031 (2020).

    PubMed PubMed Central Статья Google Scholar

  • 26.

    Zhao, Y. Y. et al. Связь между апноэ во сне и субклиническим атеросклерозом сонных артерий: мультиэтническое исследование атеросклероза. Инсульт 50 , 3340–3346 (2019).

    PubMed PubMed Central Статья Google Scholar

  • 27.

    Oldenburg, O. et al. Ночная гипоксемия связана с повышенной смертностью у пациентов со стабильной сердечной недостаточностью. Eur. Харт Дж. 37 , 1695–1703 (2016).

    PubMed Статья PubMed Central Google Scholar

  • 28.

    Ашаари, З. А., Рахман, Дж. А., Мохамед, А. Х., Абдулла, К. и Леман, В. И. Связь между тяжестью обструктивного апноэ во сне и количеством и местами операций на верхних дыхательных путях с хирургическими осложнениями. JAMA Отоларингол. Head Neck Surg. 143 , 239–246 (2017).

    PubMed Статья PubMed Central Google Scholar

  • 29.

    Ravesloot, M. J., van Maanen, J. P., Hilgevoord, A. A., van Wagensveld, B. A. & de Vries, N. Обструктивное апноэ во сне недооценивается и не диагностируется у пациентов, перенесших бариатрическую операцию. Eur. Arch. Оториноларингол. 269 , 1865–1871 (2012).

    CAS PubMed PubMed Central Статья Google Scholar

  • 30.

    Азарбарзин, А. и др. Гипоксическое бремя апноэ во сне позволяет прогнозировать смертность, связанную с сердечно-сосудистыми заболеваниями: исследование остеопоротических переломов у мужчин и исследование здоровья сердца во время сна. Eur. Харт J. 40 , 1149–1157 (2019).

    PubMed Статья PubMed Central Google Scholar

  • 31.

    Kulkas, A., Tiihonen, P., Julkunen, P., Mervaala, E. & Töyräs, J. Новые параметры указывают на значительные различия в степени тяжести обструктивного апноэ во сне с пациентами, имеющими аналогичный индекс апноэ-гипопноэ. Med. Биол. Англ. Comput. 51 , 697–708 (2013).

    PubMed Статья PubMed Central Google Scholar

  • 32.

    Leppanen, T., Toyras, J., Mervaala, E., Penzel, T. & Kulkas, A. Серьезность индивидуальных явлений обструкции увеличивается с возрастом у пациентов с синдромом обструктивного апноэ во сне. Sleep Med. 37 , 32–37 (2017).

    PubMed Статья PubMed Central Google Scholar

  • 33.

    Linz, D. et al. Ночная гипоксическая нагрузка связана с объемом эпикардиального жира у пациентов с острым инфарктом миокарда. Дыхание сна 22 , 703–711 (2018).

    PubMed Статья PubMed Central Google Scholar

  • 34.

    Utriainen, K. T. et al. Изменения вариабельности сердечного ритма у пациентов с заболеванием периферических артерий, требующих хирургической реваскуляризации, имеют ограниченную связь с послеоперационными серьезными сердечно-сосудистыми и цереброваскулярными событиями. PLoS ONE 13 , e0203519 (2018).

    PubMed PubMed Central Статья CAS Google Scholar

  • 35.

    Randerath, W. et al. Проблемы и перспективы при обструктивном апноэ во сне: отчет специальной рабочей группы Группы по нарушению дыхания во сне Европейского респираторного общества и Европейского общества исследования сна. Eur. Респир. J. 52 , 1702616 (2018).

    PubMed Статья PubMed Central Google Scholar

  • 36.

    Джонс, М. В. Новый метод измерения дневной сонливости: шкала сонливости Эпворта. Сон 14 , 540–545 (1991).

    CAS PubMed Статья PubMed Central Google Scholar

  • 37.

    Zhan, X. et al. Ретроспективное исследование для сравнения использования средней продолжительности апноэ-гипопноэ и индекса апноэ-гипопноэ с оксигенацией крови и режимами сна у пациентов с синдромом обструктивного апноэ во сне, диагностированным с помощью полисомнографии. Med. Sci. Монит. 24 , 1887–1893 (2018).

    CAS PubMed PubMed Central Статья Google Scholar

  • 38.

    Сарач С. и Афсар Г. С. Влияние средней продолжительности апноэ-гипопноэ у пациентов с обструктивным апноэ во сне на клинические и полисомнографические параметры. Дыхание во сне 24 , 77–81 (2020).

    PubMed Статья PubMed Central Google Scholar

  • 39.

    Деван, Н. А., Нието, Ф. Дж. И Сомерс, В. К. Прерывистая гипоксемия и СОАС: последствия для сопутствующих заболеваний. Сундук 147 , 266–274 (2015).

    PubMed PubMed Central Статья Google Scholar

  • 40.

    Куклисова, З., Ткакова, Р., Джоппа, П., Воутерс, Э. и Састри, М. Тяжесть ночной гипоксии и дневной гиперкапнии позволяет прогнозировать неэффективность CPAP у пациентов с ХОБЛ и синдромом перекрытия обструктивного апноэ во сне. . Sleep Med. 30 , 139–145 (2017).

    PubMed Статья Google Scholar

  • 41.

    Зинчук А.В. и др. Полисомнографические фенотипы и их сердечно-сосудистые последствия при обструктивном апноэ во сне. Грудь 73 , 472–480 (2018).

    PubMed Статья PubMed Central Google Scholar

  • 42.

    Suen, C. et al. Исследование сна и параметры оксиметрии для прогнозирования послеоперационных осложнений у пациентов с СОАС. Сундук 155 , 855–867 (2019).

    PubMed Статья Google Scholar

  • 43.

    Kainulainen, S. et al. Выраженность десатурации лучше отражает сонливость в дневное время, связанную с OSA, чем AHI. J. Clin. Sleep Med. 15 , 1135–1142 (2019).

    PubMed PubMed Central Статья Google Scholar

  • 44.

    Khan, S.U. et al. Метаанализ непрерывной терапии положительным давлением в дыхательных путях для предотвращения сердечно-сосудистых событий у пациентов с обструктивным апноэ во сне. Eur. Харт J. 39 , 2291–2297 (2018).

    PubMed Статья PubMed Central Google Scholar

  • 45.

    Boden-Albala, B. et al. Дневная сонливость и риск инсульта и сосудистых заболеваний, данные исследования Северного Манхэттена (NOMAS). Circ. Кардиоваск. Qual. Результаты 5 , 500–507 (2012).

    PubMed PubMed Central Статья Google Scholar

  • 46.

    Endeshaw, Y. et al. Храп, дневная сонливость и сердечно-сосудистые заболевания в исследовании здоровья, старения и состава тела. Сон 36 , 1737–1745 (2013).

    PubMed PubMed Central Статья Google Scholar

  • 47.

    McEvoy, R.D. et al. CPAP для предотвращения сердечно-сосудистых событий при обструктивном апноэ во сне. N. Engl. J. Med. 375 , 919–931 (2016).

    PubMed Статья PubMed Central Google Scholar

  • 48.

    Кезирян, Э. Дж. и др. Хирургия глотки при обструктивном апноэ во сне: модели практики, восприятия и отношения. Отоларингол. Head Neck Surg. 147 , 964–971 (2012).

    PubMed Статья PubMed Central Google Scholar

    • % PDF-1.3 % 16901 0 объект > эндобдж xref 16901 398 0000000016 00000 н. 0000013764 00000 п. 0000013967 00000 п. 0000013998 00000 н. 0000014048 00000 п. 0000014087 00000 п. 0000014315 00000 п. 0000014534 00000 п. 0000015127 00000 п. 0000015232 00000 п. 0000015465 00000 п. 0000021703 00000 п. 0000026973 00000 п. 0000033219 00000 п. 0000041777 00000 п. 0000049317 00000 п. 0000056977 00000 п. 0000063063 00000 п. 0000070768 00000 п. 0000096536 00000 п. 0000096579 00000 п. 0000096781 00000 п. 0000097236 00000 п. 0000097437 00000 п. 0000097575 00000 п. 0000097688 00000 п. 0000097889 00000 п. 0000098341 00000 п. 0000098543 00000 п. 0000098680 00000 п. 0000098793 00000 п. 0000099248 00000 н. 0000099449 00000 н. 0000099587 00000 н. 0000099700 00000 н. 0000100155 00000 н. 0000100356 00000 н. 0000100491 00000 н. 0000100604 00000 н. 0000101059 00000 н. 0000101197 00000 н. 0000101314 00000 н. 0000101429 00000 н. 0000101546 00000 н. 0000101610 00000 н. 0000101706 00000 н. 0000101799 00000 н. 0000101974 00000 н. 0000102082 00000 н. 0000102290 00000 н. 0000102428 00000 н. 0000102610 00000 п. 0000102720 00000 н. 0000102892 00000 н. 0000103009 00000 п. 0000103104 00000 п. 0000103275 00000 н. 0000103368 00000 н. 0000103469 00000 н. 0000103649 00000 н. 0000103758 00000 п. 0000103899 00000 н. 0000104095 00000 п. 0000104194 00000 п. 0000104315 00000 н. 0000104475 00000 н. 0000104574 00000 н. 0000104731 00000 н. 0000104883 00000 н. 0000105101 00000 п. 0000105208 00000 н. 0000105339 00000 п. 0000105529 00000 п. 0000105637 00000 п. 0000105783 00000 н. 0000105969 00000 н. 0000106061 00000 н. 0000106221 00000 н. 0000106327 00000 н. 0000106518 00000 н. 0000106725 00000 н. 0000106831 00000 н. 0000107025 00000 н. 0000107195 00000 н. 0000107301 00000 п. 0000107450 00000 н. 0000107603 00000 н. 0000107709 00000 н. 0000107883 00000 н. 0000108050 00000 н. 0000108156 00000 н. 0000108298 00000 н. 0000108466 00000 н. 0000108571 00000 н. 0000108690 00000 н. 0000108821 00000 н. 0000108948 00000 н. 0000109078 00000 н. 0000109218 00000 п. 0000109354 00000 п. 0000109472 00000 н. 0000109596 00000 н. 0000109779 00000 п. 0000109876 00000 п. 0000110009 00000 н. 0000110208 00000 н. 0000110322 00000 н. 0000110484 00000 н. 0000110658 00000 н. 0000110805 00000 н. 0000110928 00000 н. 0000111134 00000 н. 0000111259 00000 н. 0000111382 00000 н. 0000111521 00000 н. 0000111667 00000 н. 0000111783 00000 н. 0000111895 00000 н. 0000112074 00000 н. 0000112239 00000 н. 0000112351 00000 н. 0000112469 00000 н. 0000112674 00000 н. 0000112832 00000 н. 0000112998 00000 н. 0000113151 00000 п. 0000113254 00000 н. 0000113369 00000 н. 0000113480 00000 н. 0000113641 00000 п. 0000113775 00000 п. 0000113910 00000 н. 0000114097 00000 н. 0000114224 00000 н. 0000114371 00000 н. 0000114571 00000 н. 0000114696 00000 н. 0000114833 00000 н. 0000115006 00000 н. 0000115135 00000 н. 0000115256 00000 н. 0000115428 00000 н. 0000115527 00000 н. 0000115666 00000 н. 0000115808 00000 н. 0000115975 00000 н. 0000116114 00000 н. 0000116263 00000 н. 0000116377 00000 н. 0000116511 00000 н. 0000116633 00000 н. 0000116777 00000 н. 0000116923 00000 н. 0000117113 00000 н. 0000117239 00000 н. 0000117357 00000 н. 0000117489 00000 н. 0000117619 00000 н. 0000117767 00000 н. 0000117889 00000 н. 0000118025 00000 н. 0000118171 00000 н. 0000118327 00000 н. 0000118453 00000 н. 0000118609 00000 н. 0000118751 00000 н. 0000118859 00000 н. 0000118995 00000 н. 0000119177 00000 н. 0000119347 00000 н. 0000119489 00000 н. 0000119637 00000 н. 0000119783 00000 н. 0000119935 00000 н. 0000120081 00000 н. 0000120199 00000 н. 0000120349 00000 н. 0000120483 00000 н. 0000120631 00000 н. 0000120757 00000 н. 0000120893 00000 н. 0000121017 00000 н. 0000121203 00000 н. 0000121371 00000 н. 0000121491 00000 н. 0000121610 00000 н. 0000121734 00000 н. 0000121876 00000 н. 0000122028 00000 н. 0000122176 00000 н. 0000122320 00000 н. 0000122460 00000 н. 0000122620 00000 н. 0000122780 00000 н. 0000122936 00000 н. 0000123074 00000 н. 0000123210 00000 н. 0000123335 00000 н. 0000123442 00000 н. 0000123609 00000 н. 0000123748 00000 н. 0000123897 00000 н. 0000124033 00000 н. 0000124171 00000 н. 0000124329 00000 н. 0000124471 00000 н. 0000124633 00000 н. 0000124759 00000 н. 0000124941 00000 н. 0000125083 00000 н. 0000125219 00000 н. 0000125334 00000 н. 0000125463 00000 н. 0000125630 00000 н. 0000125755 00000 н. 0000125868 00000 н. 0000126031 00000 н. 0000126134 00000 н. 0000126247 00000 н. 0000126403 00000 н. 0000126514 00000 н. 0000126697 00000 н. 0000126857 00000 н. 0000126968 00000 н. 0000127119 00000 н. 0000127237 00000 н. 0000127401 00000 н. 0000127525 00000 н. 0000127689 00000 н. 0000127828 00000 н. 0000127979 00000 н. 0000128145 00000 н. 0000128271 00000 н. 0000128415 00000 н. 0000128534 00000 н. 0000128667 00000 н. 0000128839 00000 н. 0000128966 00000 н. 0000129167 00000 н. 0000129349 00000 н. 0000129492 00000 н. 0000129637 00000 н. 0000129825 00000 н. 0000129974 00000 н. 0000130103 00000 п. 0000130255 00000 н. 0000130352 00000 п. 0000130493 00000 п. 0000130645 00000 н. 0000130772 00000 н. 0000130901 00000 н. 0000131053 00000 н. 0000131180 00000 н. 0000131307 00000 н. 0000131461 00000 н. 0000131590 00000 н. 0000131719 00000 н. 0000131872 00000 н. 0000131995 00000 н. 0000132094 00000 н. 0000132250 00000 н. 0000132404 00000 н. 0000132544 00000 н. 0000132694 00000 н. 0000132818 00000 н. 0000132964 00000 н. 0000133098 00000 н. 0000133242 00000 н. 0000133384 00000 н. 0000133512 00000 н. 0000133638 00000 н. 0000133764 00000 н. 0000133916 00000 н. 0000134066 00000 н. 0000134216 00000 н. 0000134390 00000 н. 0000134558 00000 н. 0000134718 00000 н. 0000134880 00000 н. 0000135018 00000 н. 0000135170 00000 н. 0000135324 00000 н. 0000135474 00000 н. 0000135614 00000 н. 0000135752 00000 н. 0000135908 00000 н. 0000136038 00000 н. 0000136172 00000 н. 0000136316 00000 н. 0000136506 00000 н. 0000136652 00000 н. 0000136808 00000 н. 0000136962 00000 н. 0000137124 00000 н. 0000137268 00000 н. 0000137394 00000 н. 0000137544 00000 н. 0000137704 00000 н. 0000137866 00000 н. 0000138010 00000 н. 0000138160 00000 н. 0000138316 00000 н. 0000138480 00000 н. 0000138646 00000 н. 0000138770 00000 н. 0000138892 00000 н. 0000139036 00000 н. 0000139190 00000 н. 0000139320 00000 н. 0000139456 00000 н. 0000139604 00000 н. 0000139760 00000 н. 0000139918 00000 н. 0000140056 00000 н. 0000140192 00000 н. 0000140326 00000 н. 0000140456 00000 п. 0000140586 00000 п. 0000140752 00000 н. 0000140890 00000 н. 0000141030 00000 н. 0000141156 00000 н. 0000141278 00000 н. 0000141436 00000 н. 0000141552 00000 н. 0000141710 00000 н. 0000141826 00000 н. 0000141938 00000 н. 0000142062 00000 н. 0000142170 00000 н. 0000142282 00000 н. 0000142400 00000 н. 0000142512 00000 н. 0000142626 00000 н. 0000142804 00000 н. 0000142940 00000 н. 0000143068 00000 н. 0000143188 00000 п. 0000143322 00000 н. 0000143472 00000 н. 0000143598 00000 н. 0000143757 00000 н. 0000143894 00000 н. 0000144083 00000 н. ‘& CQ˴-n5} ~ |.: Z {w

    Применение теории нормального режима к извлечению структурных параметров и механизмов источника из сейсмических спектров на JSTOR

    Abstract

    Разработан циклический процесс уточнения моделей механического строения Земли и моделей механизма одного или нескольких землетрясений. На основе теории упруго-гравитационных свободных колебаний Земли выводятся процедуры разрешения почти вырожденных мультиплетов нормальных мод.Мы показываем, что глобальная сеть сейсмографов (W.W.S.S.N.) допускает разрешение для угловых порядков l ≤ 76 и для частот ω ≤ 0,090 с-1. Пиковая или центральная частота каждого почти вырожденного мультиплета интерпретируется как грубая земная точка отсчета. Вместе эти данные используются для уточнения моделей механической структуры Земли. Теория свободных колебаний используется в дальнейшем для получения процедур восстановления механизма или тензора момента точечного очага землетрясения. Мы показываем, что глобальная сеть сейсмографов позволяет выполнять поиск для частот 0.0125 с-1 ≤ ω ≤ 0,0825 с-1. Мы показываем, что уточненные модели структуры и механизма приводят к улучшенному разрешению и поиску, и что массив источников дополнительно дополняет разрешение мультиплетов. Мы представляем «стандартизированный набор данных» из 1064 различных наблюдаемых собственных частот упруго-гравитационных свободных колебаний Земли. Эти данные о валовой Земле составлены из 1461 мод, описанных в пяти исследованиях: 2 режима, о которых сообщил Дерр (1969), 159 мод, наблюдаемых Брюном и Гилбертом (1974), 240 мод, наблюдаемых Мендигуреном (1973), 248 мод, наблюдаемых Дзевонски и Gilbert (1972, 1973) и 812 мод сообщили здесь.По нашему мнению, создание стандартизированного набора данных должно предшествовать созданию стандартизированной модели Земли. Представлены две новые модели Земли, совместимые с модальными данными. Один заимствован из модели 508 (Гилберт и Дзевонски, 1973), а другой — из модели B1 (Джордан и Андерсон, 1974). Во внешнем ядре и в нижней мантии, ниже глубины около 950 км, различия между двумя моделями пренебрежимо малы. Во внутреннем ядре есть незначительные различия, а в верхней мантии есть большие различия в деталях.Две модели и модальные данные совместимы с традиционными лучевыми данными при условии, что в последние внесены соответствующие базовые поправки. Механизмы источников или тензоры момента двух глубоких землетрясений, Колумбии (31 июля 1970 г.) и Перу-Боливии (15 августа 1963 г.), были восстановлены из сейсмических спектров. В обоих случаях тензор момента обладает сжимающей (имплозивной) изотропной частью. Имеются убедительные доказательства того, что изотропное снятие напряжения начинается постепенно, более чем за 80 с до момента возникновения, определяемого началом короткопериодных P- и S-волн.В процессе снятия напряжения мигрируют главные оси тензора скорости момента. Ось сжатия относительно стабильна, степень сжимающего напряжения является доминирующей, а две другие оси вращаются вокруг оси сжатия. Мы предполагаем, что землетрясения, происходящие глубоко внутри нисходящих литосферных плит, не являются одними только внезапными сдвиговыми движениями, но действительно демонстрируют сжимающие изменения в объеме, такие как изменение фазы. Мы также предполагаем, что компрессионные изменения объема могут происходить без резких сдвиговых движений, что могут быть «тихие землетрясения».

    Информация для издателя

    Королевское общество — это самоуправляемое товарищество многих самых выдающихся ученых мира, представляющих все области науки, техники и медицины, и старейшая научная академия, которая постоянно существует. Основная цель Общества, отраженная в его учредительных документах 1660-х годов, заключается в признании, продвижении и поддержке передового опыта в науке, а также в поощрении развития и использования науки на благо человечества.Общество сыграло роль в некоторых из самых фундаментальных, значительных и изменяющих жизнь открытий в истории науки, и ученые Королевского общества продолжают вносить выдающийся вклад в науку во многих областях исследований.

    Права и использование

    Этот предмет является частью коллекции JSTOR.
    Условия использования см. В наших Положениях и условиях
    Философские труды Лондонского королевского общества.Серия A, Математические и физические науки © 1975 Королевское общество
    Запросить разрешения

    Анализ обратного смещения на основе нейронной сети для определения геомеханических параметров оползня Юнланг в Китае

  • Анандараджа А., Агарвал Д. (1991) Калибровка модели пластичности почвы с помощью компьютера. Международный журнал численных и аналитических методов в геомеханике 15 (12): 835–856.https://doi.org/10.1002/nag.1610151202

    Статья Google Scholar

  • Араи К., Охта Х., Кодзима К. (1984) Оценка параметров почвы на основе отслеживаемого движения грунта при консолидации. Почвы и фундаменты 24 (4): 95–108. https://doi.org/10.3208/sandf1972.24.4_95

    Статья Google Scholar

  • Кундалл П.А. (1976) Явные конечно-разностные методы в геомеханике.In Numerical Methods in Engineering, Proceedings of the International Conference on Numerical Methods in Geomechanics, Blacksburg, Virginia, USA 1: 132–150

    Google Scholar

  • Das SK (2013) Искусственные нейронные сети в геотехнической инженерии: моделирование и вопросы применения. Глава 10, Метаэвристика в воде, геотехническая и транспортная инженерия, редакторы X Ян, AH Gandomi, S. Talatahari, AH Alavi, Elsevier, London, ISBN: 978-0-12-398296-4 pp.231–270. https://doi.org/10.1016/B978-0-12-398296-4.00010-6

    Google Scholar

  • Дас С.К., Басудхар П.К. (2008) Прогнозирование угла остаточного трения глин с использованием искусственной нейронной сети. Инженерная геология 100 (3–4): 142–145. https://doi.org/10.1016/j.enggeo.2008.03.001

    Статья Google Scholar

  • Дас С.К., Сивакуган Н. (2010) Обсуждение интеллектуальных вычислений для моделирования осевой нагрузки свайных фундаментов.Канадский геотехнический журнал 47 (8): 928–930. https://doi.org/10.1139/T10-048

    Статья Google Scholar

  • Deng JH, Lee CF (2001) Анализ обратного смещения для крутого склона на участке проекта «Три ущелья». Международный журнал механики горных пород и горных наук 38 (2): 259–268. https://doi.org/10.1016/S1365-1609(00)00077-0

    Статья Google Scholar

  • Фанг К.Т. (1980) Единый дизайн: применение теоретико-числовых методов в экспериментальном дизайне.Acta Mathematicae Applicatae Sinica 3 (4): 363–372

    Google Scholar

  • Фанг К.Т., Ли Р.З. (2006) Единый дизайн для компьютерных экспериментов и его оптимальные свойства. Международный журнал материалов и технологий продуктов 25 (1–3): 198–210. https://doi.org/10.1504/IJMPT.2006.008282

    Статья Google Scholar

  • Fang KT, Lin DKJ, Winker P, Zhang Y (2000) Unifrom design: теория и приложения.Технометрика 42 (3): 237–248. https://doi.org/10.2307/1271079

    Статья Google Scholar

  • Фосетт Л.В. (1994) Основы нейронных сетей: архитектуры, алгоритмы и приложения. Prentice-Hall, Inc., США.

    Google Scholar

  • Feng XT, Zhang ZQ, Sheng Q (2000) Оценка механических параметров горной массы, связанных с постоянным шлюзом проекта «Три ущелья», с использованием интеллектуального метода обратного анализа смещения.Международный журнал механики горных пород и горных наук 37 (7): 1039–1054. https://doi.org/10.1016/S1365-1609(00)00035-6

    Статья Google Scholar

  • Feng XT, Zhao HB, Li SJ (2004) Новый анализ обратного смещения для определения механических параметров геоматериалов на основе гибридной интеллектуальной методологии. Международный журнал численных и аналитических методов в геомеханике 28 (11): 1141–1165. https://doi.org/10.1002/nag.381

    Артикул Google Scholar

  • Gioda G, Locatelli L (1999) Обратный анализ измерений, выполненных во время рытья неглубокого туннеля в песке. Численные и аналитические методы в геомеханике, 23 (13): 1407–1425. https://doi.org/10.1002/(SICI)1096-9853(199911)23:13<1407::AID-NAG934>3.0.CO;2-Q

    Статья Google Scholar

  • Hagan MT, Menha, MB (1994).Обучение сетей с прямой связью с алгоритмом Марквардта. Транзакции IEEE в нейронной сети 5 (6): 989–993. https://doi.org/10.1109/72.329697

    Статья Google Scholar

  • Хуанг Р.К., Ли В.Л. (2011) Формирование, распространение и контроль рисков оползней в Китае. Журнал механики горных пород и инженерной геологии 3 (2): 97–116. https://doi.org/10.3724/SP.J.1235.2011.00097

    Статья Google Scholar

  • Kavanagh KT, Clough RW (1971) Применение конечных элементов в характеристике упругих твердых тел.Международный журнал твердых тел и структур 7 (1): 11–23. https://doi.org/10.1016/0020-7683(71)

    -1

    Статья Google Scholar

  • Kong P, Granger DE, Wu FY, Caffee MW, Wang YJ, Zhao XT, Zheng Y (2009) Возраст захоронений космогенных нуклидов и происхождение палео-озера Сигеда: последствия для эволюции реки Средней Янцзы. Письма о Земле и планетологии 278 (1-2): 131–141. https://doi.org/10.1016/j.epsl.2008.12.003

    Артикул Google Scholar

  • Marquardt DW (1963) Алгоритм оценки нелинейных параметров методом наименьших квадратов. Журнал Общества промышленной и прикладной математики 11 (2): 431–441. https://doi.org/10.1137/0111030

    Статья Google Scholar

  • Марти Дж., Кундалл П. (1982) Смешанная процедура дискретизации для точного решения проблем пластичности.Международный журнал численных и аналитических методов в геомеханике 6 (1): 129–139. https://doi.org/10.1002/nag.1610060109

    Статья Google Scholar

  • Matlab (2011) Matrix Laboratory: Версия R2011b. MathWorks Inc., США

    Google Scholar

  • Морейра Н., Миранда Т., Пинейро М., Фернандес П., Диас Д., Коста Л., Сена-Крус Дж. (2013) Обратный анализ геомеханических параметров подземных работ с использованием алгоритма стратегии эволюции.Туннельные и подземные космические технологии 33: 143–158. https://doi.org/10.1016/j.tust.2012.08.011

    Статья Google Scholar

  • Наджар Ю.М., Башир И.А., Наус В.А. (1996) Об идентификации характеристик уплотнения нейросетями. Компьютеры и геотехника 18 (3): 167–187. https://doi.org/10.1016/0266-352X(95)00030-E

    Статья Google Scholar

  • Накамура С., Вакай А., Умемура Дж., Сугимото Х., Такеши Т. (2014) Оползни, вызванные землетрясением: распространение, движение и механизмы.Почвы и фундаменты 54 (4): 544–559. https://doi.org/10.1016/j.sandf.2014.06.001

    Статья Google Scholar

  • Оресте П. (2005) Методы обратного анализа для улучшения понимания горных пород в подземных сооружениях. Туннелирование и подземная космическая техника 20 (1): 7–21. https://doi.org/10.1016/j.tust.2004.04.002

    Статья Google Scholar

  • Пихлер Б., Лакнер Р., Манг Х.А. (2003) Обратный анализ параметров модели в геотехнической инженерии с помощью мягких вычислений.Международный журнал численных методов в инженерии 57 (14): 1943–1978. https://doi.org/10.1002/nme.740

    Статья Google Scholar

  • Rumelhart DE, Hinton GE, Williams RJ (1986) Изучение представлений с помощью ошибок обратного распространения. Природа 323: 533–536. https://doi.org/10.1038/323533a0

    Статья Google Scholar

  • Сакурай С. (1997) Уроки, извлеченные из полевых измерений при проходке туннелей.Тоннелирование и технология подземного космоса 12 (4): 453–460. https://doi.org/10.1016/S0886-7798(98)00004-2

    Статья Google Scholar

  • Сакурай С., Такеучи К. (1983) Обратный анализ измеренных смещений туннелей. Механика горных пород и горная инженерия 16 (3): 173–180. https://doi.org/10.1007/BF01033278

    Статья Google Scholar

  • Шахин М.А. (2010) Интеллектуальные вычисления для моделирования осевой нагрузки свайных фундаментов.Канадский геотехнический журнал 47 (2): 230–243. https://doi.org/10.1139/T09-094

    Статья Google Scholar

  • Шахин М.А., Майер Х.Р., Якса М.Б. (2002) Прогнозирование осадки фундаментов мелкого заложения с помощью нейронной сети. Журнал геотехнической и геоэкологической инженерии 128 (9): 785–793. https://doi.org/10.1061/(ASCE)1090-0241(2002)128:9(785)

    Статья Google Scholar

  • Ширанги М.Г., Эмерик А.А. (2016) Усовершенствованный алгоритм Левенберга – Марквардта на основе TSVD для сопоставления истории и сравнения с Гауссом-Ньютоном.Журнал нефтегазовой науки и техники 143: 258–271. https://doi.org/10.1016/j.petrol.2016.02.026

    Статья Google Scholar

  • Swoboda G, Ichikawa Y, Dong QX, Zaki M (1999) Обратный анализ больших геотехнических моделей. Международный журнал численных и аналитических методов в геомеханике 23 (13): 1455–1472. https://doi.org/10.1002/(SICI)1096-9853(199911)23:13<1455::AID-NAG33>3.0.CO;2-C

    Статья Google Scholar

  • Ван И, Фанг К.Т. (1981) Заметка о равномерном распределении и экспериментальном дизайне.Китайский научный бюллетень 26 (6): 485–489. https://doi.org/10.1142/9789812701190_0035

    Google Scholar

  • Ван З.Л., Ли Ю.К., Шен Р.Ф. (2007) Корректировка параметров грунта при расчете осадки насыпи с использованием модели обратного анализа сети BP. Инженерная геология 91 (2–4): 168–177. https://doi.org/10.1016/j.enggeo.2007.01.007

    Статья Google Scholar

  • Ян З.Ф., Ли К.Ф., Ван С.Дж. (2000) Трехмерный бэканализ смещения в разведочных штольнях — принципы и применение.Международная конференция по механике горных пород и горным наукам 37 (3): 525–533. https://doi.org/10.1016/S1365-1609(99) 00079-9

    Статья Google Scholar

  • Ян З.Ф., Ван З.Й., Чжан Л.К., Чжоу Р.Г., Син Н.Х. (2001) Бэк-анализ вязкоупругих смещений в туннеле для дороги из мягких пород. Международный журнал механики горных пород и горных наук 38 (3): 331–341. https://doi.org/10.1016/S1365-1609(00)000 81-2

    Статья Google Scholar

  • Yu YZ, Zhang BY, Yuan HN (2007) Интеллектуальный метод обратного анализа смещения для земляно-каменных плотин.Компьютеры и геотехника 34 (6): 423–434. https://doi.org/10.1016/j.compgeo.2007.03.002

    Статья Google Scholar

  • Zhang LQ, Yue ZQ, Yang ZF, Qi JX, Liu FC (2006) Метод обратного анализа на основе смещения для определения модуля упругости горной массы и горизонтального напряжения на месте при проходке туннелей — проиллюстрирован на примере конкретного случая.

    • Похожие записи

    05.09.2023 0

    Coocox: CooCox. Текущее состояние дел. / CoIDE / Pluslab

    05.09.2023 0

    Приборы для измерения давления жидкости: Манометр — из чего состоит? Виды и типы

    05.09.2023 0

    Регулируемая индуктивность: Регулируемая катушка индуктивности на кольцевом сердечнике

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *