Кт361Е. Транзистор КТ361Е: характеристики, применение и аналоги

Каковы основные параметры транзистора КТ361Е. Где применяется этот транзистор. Какие есть аналоги КТ361Е. Как правильно использовать КТ361Е в схемах.

Общая характеристика транзистора КТ361Е

КТ361Е — это кремниевый эпитаксиально-планарный p-n-p транзистор малой мощности. Он относится к семейству транзисторов КТ361, куда также входят модификации КТ361А, КТ361Б, КТ361В, КТ361Г и КТ361Д. Транзистор предназначен для работы в усилителях высокой частоты.

Основные характеристики КТ361Е:

• Структура: p-n-p
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 35 В
• Максимальный ток коллектора: 50 мА
• Статический коэффициент передачи тока: 50-350
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 250 МГц
• Максимальная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт
• Корпус: пластмассовый TO-92

Основные параметры и особенности КТ361Е

Рассмотрим более подробно ключевые параметры транзистора КТ361Е:

Предельно допустимые значения

• Напряжение коллектор-база: -40 В
• Напряжение коллектор-эмиттер: -35 В
• Напряжение эмиттер-база: -4 В
• Постоянный ток коллектора: -50 мА
• Импульсный ток коллектора: -100 мА
• Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт

Статические характеристики

• Статический коэффициент передачи тока (h21э): 50-350
• Обратный ток коллектора: не более 1 мкА
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: не более 0.3 В

Динамические характеристики

• Граничная частота коэффициента передачи тока: не менее 250 МГц
• Емкость коллекторного перехода: не более 7 пФ
• Постоянная времени цепи обратной связи: не более 1000 пс

Области применения транзистора КТ361Е

Благодаря своим характеристикам, КТ361Е находит применение в следующих областях:

• Усилители высокой частоты
• Малошумящие усилители
• Генераторы и преобразователи частоты
• Импульсные схемы
• Электронные устройства общего назначения

Транзистор хорошо подходит для работы в схемах с напряжением питания до 35 В и током коллектора до 50 мА. Высокий коэффициент усиления позволяет использовать КТ361Е в качестве предварительного усилителя в радиоприемных устройствах.

Аналоги и замены КТ361Е

При необходимости замены КТ361Е можно рассмотреть следующие аналоги:

• КТ361А, КТ361Б, КТ361В, КТ361Г — другие модификации того же семейства
• КТ3102Е — схожий по характеристикам p-n-p транзистор
• BC557, BC558 — зарубежные аналоги
• 2N3906 — популярный p-n-p транзистор с похожими параметрами

При замене необходимо внимательно сравнивать все ключевые параметры и проверять работоспособность схемы с новым компонентом.

Особенности использования КТ361Е в схемах

При работе с транзистором КТ361Е следует учитывать несколько важных моментов:

• Соблюдать полярность включения (p-n-p структура)
• Не превышать максимально допустимые напряжения и токи
• Обеспечивать достаточный теплоотвод при работе на предельных режимах
• Учитывать температурную зависимость параметров
• При работе на высоких частотах минимизировать паразитные емкости и индуктивности

Правильное применение этих рекомендаций позволит максимально эффективно использовать возможности транзистора КТ361Е в различных схемах.

Типовые схемы включения КТ361Е

Рассмотрим несколько базовых схем с использованием транзистора КТ361Е:

Усилитель с общим эмиттером

Это наиболее распространенная схема включения, обеспечивающая усиление как по току, так и по напряжению:

• Коллектор подключается через нагрузочный резистор к отрицательному полюсу питания
• Эмиттер соединяется с общим проводом
• На базу подается входной сигнал через делитель напряжения
• Выходной сигнал снимается с коллектора

Эмиттерный повторитель

Схема с общим коллектором, обеспечивающая согласование высокоомного входа с низкоомной нагрузкой:

• Коллектор подключается к отрицательному полюсу питания
• Эмиттер соединяется с нагрузкой
• Входной сигнал подается на базу
• Выходной сигнал снимается с эмиттера

Ключевой режим

В этом режиме транзистор работает как электронный ключ:

• Коллектор подключается через нагрузку к отрицательному полюсу питания
• Эмиттер соединяется с общим проводом
• На базу подаются управляющие импульсы через ограничительный резистор

Рекомендации по монтажу и эксплуатации КТ361Е

Для обеспечения надежной работы транзистора КТ361Е следует придерживаться следующих рекомендаций:

• Использовать антистатические меры предосторожности при работе с транзистором
• Не допускать перегрева выводов при пайке (не более 260°C в течение 5 секунд)
• Обеспечивать зазор не менее 2 мм между корпусом транзистора и печатной платой
• При необходимости применять радиаторы для улучшения теплоотвода
• Избегать механических нагрузок на выводы транзистора
• Хранить транзисторы в сухом месте при комнатной температуре

Соблюдение этих правил поможет продлить срок службы транзистора и обеспечить его стабильную работу в различных электронных устройствах.

КТ361А, КТ361Б, КТ361В, КТ361Г, КТ361Д, КТ361Е

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p усилительные высокочастотные: КТ361А, КТ361Б, КТ361В, КТ361Г, КТ361Д, КТ361Е. Предназначены для работы в усилителях высокой частоты. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

Масса транзистора не более 0,3 грамма.

Чертёж транзистора КТ361А, КТ361Б, КТ361В, КТ361Г, КТ361Д, КТ361Е

Электрические параметры.

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКБ==10 В, IЭ=1 мА
при Т=24,85°С
КТ361А, КТ361Д	20-90
КТ361Б, КТ361Г, КТ361Е	50-350
КТ361В	40-160
при Т=99,85°С
КТ361А, КТ361Д	20-250
КТ361Б, КТ361Г, КТ361Е	50-500
КТ361В	20-300
при Т=-60,15°С
КТ361А, КТ361Д	10-90
КТ361Б, КТ361Г, КТ361Е	15-350
КТ361В	10-160
Модуль коэффициента передачи тока при ƒ=100 МГц, UКЭ=10 В, IЭ=5 мА, не менее	2,5
Постоянная времени цепи обратной связи при ƒ=5 МГц, UКБ=10 В, IЭ=5 мА, не более
КТ361А, КТ361Б, КТ361Г	500 пс
КТ361В, КТ361Е	1000 пс
КТ361Д	250 пс
Ёмкость коллекторного перехода при UКБ=10 В, ƒ=10 МГц, не более
КТ361А, КТ361Б	9 пФ
КТ361В, КТ361Г, КТ361Д, КТ361Е	7 пФ
Обратный ток коллектора при UКБ=10 В, не более
при Т=24,85°С и Т=-60,15°С	1 мкА
при Т=99,85°С	25 мкА
Обратный ток коллектор-эмиттер при RБЭ=10 кОм, UКЭ=UКЭ макс, не более	1 мкА

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянные напряжения коллектор-база, коллектор-эмиттер при RБЭ=10 кОм
при Т=213÷308 К
КТ361А	25 В
КТ361Б	20 В
КТ361В, КТ361Д	40 В
КТ361Г, КТ361Е	35 В
при Т=99,85°С
КТ361А	20 В
КТ361Б	15 В
КТ361В, КТ361Д	35 В
КТ361Г, КТ361Е	30 В
Постоянное напряжение база-эмиттер	4 В
Постоянный ток коллектора	50 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
при Т=213÷308 К	150 мВт
при Т=99,85°С	30 мВт
Температура перехода	119,85°С
Температура окружающей среды	От -60,15 до 99,85°С

Примечание. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт, при Т=308÷373 К определяется по формуле:

P_{К макс}=(393-Т)/0,67.

Допускается производить пайку на расстоянии не менее 2 мм от корпуса транзистора. Допускается трёхкратный изгиб выводов на расстоянии не менее 2 мм от корпуса при радиусе изгиба 1,5-2 мм. Категорически запрещается кручение выводов вокруг оси.

Входные характеристики и зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера

Входные характеристики и зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера.

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от температуры и зависимость постоянной времени цепи обратной связи от тока эмиттера

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от температуры и зависимость постоянной времени цепи обратной связи от тока эмиттера.

Зависимость граничной частоты от тока эмиттера и зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от температуры

Зависимость граничной частоты от тока эмиттера и зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от температуры.

50-350) 0,15W, цена 2.80 грн — Prom.ua (ID#1374277935)

Характеристики и описание

Наимен.	тип	Uкбо(и),В	Uкэо(и), В	Iкmax(и), мА	Pкmax(т), Вт	h21э	Iкбо, мкА	fгр., МГц	Кш, Дб
КТ361А	p-n-p	25	25	100	0.15	20-90	1	250	—
КТ361Б		20	20	100	0. 15	50-350	1	250	—
КТ361В		40	40	100	0.15	40-160	1	250	—
КТ361Г		35	35	100	0.15	50-350	1	250	—
КТ361Г1		35	35	100	0.15	100-350	1	250	—
КТ361Д		40	40	50	0. 15	20-90	1	250	—
КТ361Е		35	35	50	0.15	50-350	1	250	—
КТ361Ж		10	10	50	0.15	50-350	1	250	—
КТ361И		15	15	50	0.15	250	1	250	—
КТ361К		60	60	50	0. 15	50-350	1	250	—

 

Корпус:

Uкбо	— Максимально допустимое напряжение коллектор-база
Uкбои	— Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база
Uкэо	— Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер
Uкэои	— Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер
Iкmax	— Максимально допустимый постоянный ток коллектора
Iкmax и	— Максимально допустимый импульсный ток коллектора
Pкmax	— Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода
Pкmax т	— Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом
h21э	— Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
Iкбо	— Обратный ток коллектора
fгр	— граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
Кш	— коэффициент шума биполярного транзистора

Был online: Сегодня

Продавец CAR-LED. Радіокомпоненти.та LED освітлення.

92% положительных отзывов

11 лет на Prom.ua

1000+ заказов

• Каталог продавца
• Отзывы

  1889

Код: КТ361Е

Доставка из г. Киев

20+ купили

2.80 грн

Киев ∙ 

Продавец CAR-LED. Радіокомпоненти.та LED освітлення.

Доставка

Оплата и гарантии

bf509 техническое описание и примечания по применению

тфк

BF509S Маломощный биполярный транзистор

КомС.И.Т. Европа BF509S 19 955 — — — — — Больше информации

Технический паспорт bf509 (22)

Краткое техническое описание транзистора

Часть	ECAD-модель	Производитель	Описание	Тип	ПДФ
BF509		Моторола	Руководство по выбору европейского мастера 1986	Сканировать	PDF
BF509		Другие		Скан	PDF
BF509		Другие	Краткое техническое описание электронных компонентов	Сканировать	PDF
BF509		Другие	Краткие данные и перекрестные ссылки (Разное)	Сканировать	PDF
BF509		Другие	Базовый транзистор и спецификация перекрестных ссылок	Сканировать	PDF
BF509		Другие	Транзистор Shortform PDF Лист данных	Сканировать	PDF
BF509		Другие	Диоды, транзисторы, тиристоры Листы данных и многое другое	Сканировать	PDF
BF509		Компоненты Филипс	Philips Data Book Scan	Сканировать	PDF
BF509		SGS-Атес	Краткое техническое описание 1977/78	Сканировать	PDF
BF509		SGS-Атес	Справочник по потребительским транзисторам и интегральным схемам 1975/76	Сканировать	PDF
BF509		Телефункен Электронный	Кремниевый PNP RF транзистор	Сканировать	PDF
BF509		Телефункен Электронный	Каталог электронных компонентов 1976	Сканировать	PDF
BF509		Телефункен Электронный	Справочник по маломощным транзисторам, 1977 г.	Сканировать	PDF
BF509		Томсон-КСФ	Сигнальные транзисторы и полевые транзисторы 1976	Сканировать	PDF
BF509		Томсон-КСФ	Сборник кратких данных 1977	Сканировать	PDF
БФ509С		Другие	Краткое техническое описание микросхем и компонентов (плюс перекрестные справочные данные)	Сканировать	PDF
БФ509С		Другие	Краткие данные и перекрестные ссылки (Разное)	Сканировать	PDF
БФ509С		Другие	Транзистор Shortform PDF Лист данных	Сканировать	PDF
БФ509С		Компоненты Филипс	Philips Data Book Scan	Сканировать	PDF
БФ509Т		Другие	Краткое техническое описание микросхем и компонентов (плюс перекрестные справочные данные)	Сканировать	PDF

bf509 Листы данных Context Search

Лист данных по каталогу	MFG и тип	ПДФ	Теги документов
н3904 Реферат: CEB npn BF509 pnp BF959 BF240 CEB BF255 BF371 MOTOROLA MPSH81 BF241 CEB MPS3640 Текст: bf255 ceb 20 625 100 35 1 10 200 0. 9bf509 cbe 35 625 50 20 3 10 850 0,25 2,5″ 200	OCR-сканирование	PDF	мпш27 мпш20 бф374 бф375 бф959 mps918 n3904 2n3903 2н4400 mps2369 CEB нпн BF509 п-н-п BF959 BF240 СЕБ BF255 BF371 МОТОРОЛА МПШ81 BF241 ЦЕБ MPS3640
транзистор BF 509 Реферат: BF509 транзистор bf 196 транзистор bf 198 vhf предусилитель транзистор vhf предусилитель s-0877 транзистор bf 195 Text: КРЕМНИЙ ПЛАНАРНЫЙ PNP BF509 УКВ УСИЛИТЕЛЬ С АРУ УКВ BF 509 представляет собой планарный кремниевый эпитаксиальный PNP транзистор в пластиковом корпусе Jedec TO-92. Он предназначен для использования в качестве управляемого предусилителя УКВ, когда требуется высокий уровень усиления с особенно низким уровнем шума. АБСОЛЮТНО-МАКСИМАЛЬНЫЕ ПАРАМЕТРЫ Vcbo Напряжение коллектор-база (lE = 0) -40 В VcEO Напряжение коллектор-эмиттер (lB = 0) -35 В Vebo Напряжение эмиттер-база (lc = 0) -4 В «c Ток коллектора -30 мА	OCR-сканирование	PDF	BF509 -200MHI с-0877 транзистор БФ 509 BF509 транзистор бф 196 транзистор бф 198 Транзистор предусилителя УКВ предусилитель УКВ с-0877 транзистор бф 195
2010 — BF681 Реферат: BF272 BF272A BC116 KT361G BF679 BFR38 KT361E BF509 КРЕМНИЯ МАЛОЙ МОЩНОСТИ PNP Текст: RF LOW-POWER SILICON PNP Номер изделия Номер детали Изготовитель V(BR)CEO (V) fT (Hz) hFE Ic Max (A) Cobo Max (F) ICBO Max lA) tr Max (81 tf Max (8) Po Max (Вт) Toper Max (OC) Тип упаковки V(BR)CEO KT361E KT361G 2N3307 2N3829BF506 BF680 BF680 BF316 BF509T BF509 >= 30 В, (продолжение) 35 35 35 35 35 35 35 35 35 35 35 35 35 35 35 35 35 35 35 35 35 35 35 35 35 35 35 35 35 35 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40	Оригинал	PDF	КТ361Э КТ361Г 2Н3307 2Н3829 BF506 BF680 BF316 BF509T BF509 BF681 BF272 BF272A до н. э.116 BF679 БФР38 BF509 МАЛОМОЩНЫЙ КРЕМНИЕВЫЙ PNP
2010 — BF907 Реферат: BF900 BF910 BF914 BF479S Siemens BF479T NE56755 BF540 BFQ14 Текст: BF495 Eleoma Piher Int’l BF497 BF501 BF502 BF503 BF505 BF506 Siemens Akt BF507 BF509 BF509S BF516 BF523	Оригинал	PDF	BFQ73S БФР96 АТ41435-5 AT420S5 AT414S5 АТ41435-3 AT41470 AT41410 NE9S203 NE9S20S BF907 BF900 BF910 BF914 BF479S Сименс BF479T NE56755 BF540 BFQ14
БФ679Т Резюме: BF606 VALVO GMBH BF440 funkamateur BF681 BF479T Транзистор BF023 BF936 Транзистор BF451 Текст: БФ509 СПЭп ВФв 25 450 40 35 4 30 150 275 10 3 70>25 750 ТО-92З Т 2б 10 3 17>15* 200* 2,6 БФ509С СПЭп ВФв 45 300 40 35 4 30 1 50 350 10 3 70 >25 800 ТО-92З Т 2б 10 3 17 >15* 200* 2,6	OCR-сканирование	PDF
ТРАНЗИСТОР ТЕХНИЧЕСКИЕ ДАННЫЕ D1555 Реферат: транзистор д1555 ТРАНЗИСТОР Д1651 Д1555 Д1557 Д1554 транзистор д1651 с1854 транзистор д1555 транзистор д1878 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2Н109 2Н1304 2Н1305 2Н1307 2Н1613 2Н1711 2Н1893 2Н2102 2Н2148 2Н2165 ТЕХНИЧЕСКИЕ ДАННЫЕ ТРАНЗИСТОРА D1555 транзистор д1555 ТРАНЗИСТОР D1651 Д1555 Д1557 Д1554 д1651 транзистор с1854 транзистор д1555 транзистор д1878
к2645 Реферат: K4005 U664B MOSFET K4005 MB8719 Транзистор MOSFET K4004 SN16880N stk5392 STR451 BC417 Текст: нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	МК135 МК136 МК137 МК138 МК139 МК140 Мк142 МК145 МК155 157 крон к2645 к4005 U664B мосфет к4005 MB8719 транзистор мосфет к4004 СН16880Н стк5392 STR451 BC417
СХЕМА ЦЕПЕЙ ИБП APC rs 1500 Реферат: APC UPS es 500 ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ СХЕМА APC UPS 650 ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ СХЕМА APC back ups XS 1000 TAA550 APC UPS ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ СХЕМА ИБП APC rs 1000 ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ СХЕМА ИБП APC rs 800 ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ СХЕМА APC Back ES 500 ИБП ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ СХЕМА APC UPS 700 Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	AF106 AF106 СХЕМА ЦЕПЕЙ ИБП APC rs 1500 ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ СХЕМА APC UPS es 500 ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ СХЕМА ИБП APC UPS 650 принципиальная схема резервного копирования APC XS 1000 ТАА550 СХЕМА ЦЕПЕЙ ИБП APC ИБП APC rs 1000 СХЕМА ЦЕПЕЙ ИБП APC rs 800 СХЕМА ЦЕПЕЙ Принципиальная схема ИБП APC Back ES 500 ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ СХЕМА APC UPS 700
APY12 Реферат: BYY32 ac176 AEY26 BAV77 bby20 BD545B BAV27 транзистор КТ 209М AF367 Текст: нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	Издание-1978) Аусгабе-1978) БС3934 СО-26 ОТ-114 NS371 APY12 BYY32 ac176 AEY26 БАВ77 20 БД545Б БАВ27 транзистор КТ 209 М AF367
2сб504 Реферат: KPL 3009 2SB502 BLY34 германиевые BF316A BSX12 2SD716, 2SB686 35W усилители bf197 acy52 Текст: нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF
УАА2001 Реферат: Микромодуль MC8500 m68mm19 1N9388 74ALS643 2N6058 MC145026 2N5160 MOTOROLA MC3340 аналог pn3402 Текст: нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	0HF40 0HF60 0HF80 6FP10 6Ф100 70HF10 УАА2001 MC8500 микромодуль м68мм19 1N9388 74АЛС643 2Н6058 MC145026 2N5160 МОТОРОЛА Эквивалент MC3340 pn3402
2N2222A 338 Реферат: TFK 949 2N1167 транзистор индекса Halbleiter ad161 BSY19 al103 ac128 TFK 404 Tfk 931 Текст: нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	2CY17 2CY18 2CY19 2CY20 2CY21 500 мА 500 мА 2Н2222А 338 ТФК 949 2Н1167 транзистор с индексом Хальбляйтера объявление161 BSY19 ал103 ac128 ТФК 404 ТФК 931
т110 94в 0 Резюме: PTC SY 16P 2N2955T Philips диод PH 37m 2N3349 ASI 2N4948 NJS Trimble R8 модель 2 2n6259сси 2SA749 2sd73 Текст: нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	Барселона-28, С-171 СН-5400 т110 94в 0 PTC SY 16P 2Н2955Т диод филипс PH 37m 2N3349 АСИ 2N4948 NJS тримбл R8 модель 2 2n6259 сси 2SA749 2сд73
НТ101 Реферат: SEMICON INDEXES Kt606 Mps56 bf503 KT-934 BD245C перекрестная ссылка 72284 ss120a 2SB618 Текст: нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF
y51 ч 120c Реферат: bd124 KT368 BFQ59 Silec Semiconductors BD214 al103 AFY18 bd192 MM1711 Текст: нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	500 мА 500 мА 240 МВт 240 МВт у51 ч 120с бд124 КТ368 БФК59 Силек Полупроводники БД214 ал103 AFY18 бд192 ММ1711
БТИЗ М16 100-44 Реферат: GM378 SEMICON INDEXES Ericsson SPO 1410 Kt606 Transistor B0243C ASEA HAFO AB транзистор 8BB smd Ericsson RBS 6102 GD243 Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	W211d W296o W211c БТИЗ М16 100-44 GM378 ПОЛУКОНТРОЛЬНЫЕ ИНДЕКСЫ Эрикссон СПО 1410 Кт606 Транзистор B0243C АСЕА ХАФО АБ транзистор 8ВВ smd Эрикссон РБС 6102 ГД243
BF689 Резюме: 2N5651 BF272 2N5652 BF251 BFY82 BFY70 BF316 BF479 BFX36 Текст: Тип корпуса: TO-205AD/TO-39: Тип корпуса: BF337 Тип STI: BF509DIE Тип корпуса: BF509DIE V	Оригинал	PDF	BF200 О-206АФ/ТО-72: BF183 BF206 BF208 BF689 2N5651 BF272 2N5652 BF251 BFY82 BFY70 BF316 BF479 BFX36

Устройство зарядное ЗУ-2М (1986г) — EasyEDA open source hardware lab

Описание


Дизайн чертежа

схематическая диаграмма

（ 1 / ）

печатная плата

（ 1 / ）

Пустой

ID	Имя	Обозначение	След	Количество
1	0,1 мкФ	С1	КРЫШКА 474X400В	1
2	0,1 мкФ	С2	2А104Дж	1
3	в	+,_,+В,-В	ОТВЕРСТИЕ 0,75 ММ2	4
4	из	г, ВНЕ	ОТВЕРСТИЕ 0,75 ММ2	2
5	РП1	1,2,3,РП1,РП2,СРЕДНЯЯ	ОТВЕРСТИЕ 0,75 ММ2	6
6	КТ315Б	ВТ2	КТ315(А-И)	1
7	С945	ВТ02	С945	1
8	КТ361Э	ВТ1	КТ361(А-П)	1
9	А733	VT01	А733	1
10	6,2к	Р1	МЛТ-0,5	1
11	300р	Р2	МЛТ-0,5	1
12	1к	Р3	МЛТ-0,5	1
13	12к	Р4	МЛТ-0,5	1
14	51Р	Р5	МЛТ-0,5	1
15	15к	Р01	РЕЗ 1/4 Вт	1
16	2,2к	Р02	РЕЗ 1/4 Вт	1
17	2,7к	Р03	РЕЗ 1/4W	1
18	13к	Р04	РЕЗ 1/4 Вт	1
19	51R 1/2 Вт	Р05	РЕЗ 1/2 Вт	1

Развернуть

Приложения к проекту

Участники проекта

0

0

Собрать в альбом

Идет загрузка.