Транзистор КТ646 — DataSheet
Перейти к содержимому
Цоколевка транзистора КТ646
Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
Аналог | КТ646А | 2SC2720 *1, 2SC3739 *3, KN100 *1, 6101 *1, 2SD1423A *3, 2SD602A *3 | |||
КТ646Б | YTS2222 *3, KST4401 *1, KN4401 *3, 2SC4097R *1, 2SC2411KR *1, 2SC2411KQ *1 | ||||
Структура | — | n-p-n | |||
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ646А | — | 1(2. 5*) | Вт |
КТ646Б | — | 1 | |||
КТ646В | — | 1 | |||
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h31б, f**h31э, f***max | КТ646А | — | ≥200 | МГц |
КТ646Б | — | ≥200 | |||
КТ646В | — | ≥200 | |||
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ646А | — | 60 | В |
КТ646Б | — | 40 | |||
КТ646В | — | 40 | |||
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб. , | КТ646А | — | 4(5) | В |
КТ646Б | — | 4 | |||
КТ646В | — | 4 | |||
Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ646А | — | 1; 1.2* | А |
КТ646Б | — | 1; 1.2* | |||
КТ646В | — | 1; 1.2* | |||
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ646А | 60 В | ≤10 | мкА |
КТ646Б | 40 В | ≤10 | |||
КТ646В | 40 В | ≤10 | |||
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ646А | 5 В; 0. 2 А | 40…200* | |
КТ646Б | 5 В; 0.2 А | 150…200* | |||
КТ646В | 5 В; 0.2 А | 150…300* | |||
Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ646А | 10 В | ≤10 | пФ |
КТ646Б | 10 В | ≤10 | |||
КТ646В | 10 В | ≤10 | |||
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТ646А | — | ≤1.7 | Ом, дБ |
КТ646Б | — | ≤1. 2 | |||
КТ646В | — | ≤0.06 | |||
Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ646А | — | — | Дб, Ом, Вт |
КТ646Б | — | — | |||
КТ646В | — | — | |||
КТ646Г | — | — | |||
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ646А | — | ≤120; ≤60* | пс |
КТ646Б | — | ≤120; ≤60* | |||
КТ646В | — | ≤120; ≤60* |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter
Транзисторы, тиристоры
Сортировка
По умолчаниюНазвание (А — Я)Название (Я — А)Цена (низкая > высокая)Цена (высокая > низкая)Модель (А — Я)Модель (Я — А)
Показать
25405075100
Наименование | Корпус | Розн | Опт | Характеристика | Инфо | Купить |
2N06L | D-Pak | 150.00р. | 116р. | |||
2N1711 | TO-39 | 170.00р. | 140р. | 50В NPN транзистор | ||
2N1893 | TO-39 | 230.00р. | 176р. | NPN транзистор, 80В, 0.5А | ||
2N2219A | TO-39 | 130.00р. | 90р. | NPN transistor | ||
2N2222A | TO-92 | 10.00р. | 2р. | NPN транзистор, 75В, 0.6А | ||
2N2369 | TO-92 | 25.00р. | 18р. | NPN транзистор, 40В, 0.2А | ||
2N2369A CSC | TO-18 | 40.00р. | 28р. | high-speed saturated switch | ||
2N2904 Au | TO-39 | 180.00р. | 141р. | PNP транзистор | ||
2N2905A | TO-39 | 200.00р. | 155р. | PNP транзистор | ||
2N2907A | TO-92 | 20.00р. | 7р. | PNP транзистор, 60В, 0. 6А | ||
2N3053 | TO-39 | 41р. | NPN транзистор | |||
2N3055 | TO-3 | 140.00р. | 106р. | NPN транзистор, 100В, 15А | ||
2N3391A | TO-92 | 170.00р. | 129р. | NPN транзистор | ||
2N3439 | TO-39 | 300.00р. | 234р. | NPN транзистор, 450В, 1А | ||
2N3771 | TO-3 | 290.00р. | 229р. | NPN транзистор, 40В, 30А | ||
2N3772 | TO-3 | 410.00р. | 322р. | NPN транзистор, 60В, 20А | ||
2N3773 | TO-3 | 160.00р. | 123р. | 2N3773G NPN транзистор, 140В, 16А | ||
2N3866A | TO-39 | 350. 00р. | 275р. | NPN транзистор | ||
2N3904 | TO-92 | 10.00р. | 2р. | NPN транзистор, 40В, 0.2А | ||
2N3906G | TO-92 | 15.00р. | 5р. | PNP транзистор, 40В, 0.2А | ||
2N4401 | TO-92 | 15.00р. | 5р. | NPN транзистор, 60В, 0.6А | ||
2N4403 | TO-92 | 15.00р. | 5р. | PNP транзистор, 40В, 0.6А | ||
2N4988 | TO-92 | 25.00р. | 9р. | silicon unilateral switch | ||
2N5087 | TO-92 | 35.00р. | 23р. | PNP транзистор, 50В, 0.1А | ||
2N5088 | TO-92 | 20. 00р. | 7р. | NPN транзистор, 30В, 0.05А | ||
2N5089 | TO-92 | 50.00р. | 35р. | биполярный транзистор | ||
2N5192 | TO-126 | 100.00р. | 70р. | NPN транзистор, 80В, 4А | ||
2N5401 | TO-92 | 20.00р. | 7р. | PNP транзистор, 150В, 0.1А | ||
2N5457 | TO-92 | 130.00р. | 102р. | транзистор: N-ch, 25В, 10мА | ||
2N5458 | TO-92 | 150.00р. | 116р. | N-ch general purpose amplifier, BF245C | ||
2N5484 | TO-92 | 140.00р. | 99р. | N-ch RF amplifier | ||
2N5551 | TO-92 | 10. 00р. | 2р. | NPN транзистор, 160В, 0.6А | ||
2N5639 | TO-92 | 35.00р. | 25р. | N-ch switch | ||
2N6027G | TO-92 | 95.00р. | 67р. | транзистор однопереходный 40В, 0.15A, 0.35Вт | ||
2N6028 | TO-92 | 95.00р. | 67р. | programmable unijunction transistor | ||
2N6039G | TO-126 | 110.00р. | 76р. | NPN транзистор, 80В, 4А | ||
2N6073A | TO-126 | 170.00р. | 134р. | симистор: 400В, 4А | ||
2N6133 | TO-220 | 130.00р. | 90р. | PNP транзистор | ||
2N6488 | TO-220 | 150. 00р. | 120р. | NPN транзистор, 80В, 15А | ||
2N6490 | TO-220 | 160.00р. | 125р. | PNP транзистор, 60В, 15А |
Показано с 1 по 40 из 2001 (всего 51 страниц)
Транзистор КТ646А | Радиодетали в приборах
Транзисторы
30.06.2019
Arazbor
Транзистор КТ646А
Справочник содержания драгоценных металлов в радиодеталях основанный на справочных данных различных организаций занимающихся переработкой лома радиодеталей, паспортах устройств, формулярах и других открытых источников. Стоит отметить, что реальное содержание может отличатся на 20-30% в меньшую сторону.
Радиодетали могут содержать золото, серебро, платину и МПГ (Металлы платиновой группы, Платиновая группа, Платиновые металлы, Платиноиды, ЭПГ)
Содержание драгоценных металлов в транзисторе: КТ646А
Золото: 0.0035
Серебро: 0
Платина: 0
МПГ: 0
По данным: Справочник по драгоценным металлам ПРИКАЗ №70
Транзистор, полупроводниковый триод — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет его использовать для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. В настоящее время транзистор является основой схемотехники подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.
Типы транзисторов
Существует два основных типа транзисторов: биполярные и полевые.
1. Биполярные транзисторы. Они являются, вероятно, более распространенным типом (именно о них, например, шла речь в предыдущих разделах этой главы). В базу такого транзистора подается небольшой ток, а он, в свою очередь, управляет количеством тока, протекающего между коллектором и эмиттером.
2. Полевые транзисторы. Имеют три вывода, но они называются затвор (вместо базы у биполярного), сток (вместо коллектора) и исток (вместо эмиттера). Аналогично воздействие на затвор транзистора (но на этот раз не тока, а напряжения) управляет током между стоком и истоком. Полевые транзисторы также имеют разную полярность: они бывают N-канальные (аналог NPN-биполярного транзистора) и Р-канальные (аналог PNP).
Маркировка транзисторов СССР
Обозначение транзисторов до 1964 года
Первый элемент обозначения — буква П, означающая, что данная деталь и является, собственно, транзистором. Биполярные транзисторы в герметичном корпусе обозначались двумя буквами — МП, буква М означала модернизацию. Второй элемент обозначения — одно, двух или трехзначное число, которое определяет порядковый номер разработки и подкласс транзистора, по роду полупроводникового материала, значениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной(или предельной) частоты.
От 1 до 99 — германиевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 101 до 199 — кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 201 до 299 — германиевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 301 до 399 — кремниевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 401 до 499 — германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 501 до 599 — кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 601 до 699 — германиевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.
От 701 до 799 — кремниевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.
Обозначение транзисторов после 1964 года
Первый символ необходим для обозначения типа используемого материала
Буква Г или цифра 1 — германий.
Буква К или цифра 2 — кремний.
Буква А или цифра 3 — арсенид галлия.
Второй символ обозначает тип транзистора
П — полевой транзистор
Т — биполярный транзистор
Третий символ необходим для обозначения мощности и граничной частоты
1 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) низкочастотные(до 3 МГц).
2 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) средней частоты(до 30 МГц).
3 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) высокочастотные.
4 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
5 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),средней частоты(до 30 МГц).
6 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),высокочастотные и СВЧ.
7 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
8 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), средней частоты(до 30 МГц).
9 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), высокочастотные и СВЧ.
Четвертый и пятый элементы обозначения — определяют порядковый номер разработки.
Изменения в маркировке вступившие в силу в 1978 году. Изменения коснулись обозначения функциональных возможностей — третьего элемента.
Для биполярных транзисторов:
1 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
2 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
4 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой более 300 МГц.
7 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
8 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
9 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой свыше 300 МГц.
Понравилось это:
Нравится Загрузка…
Tags: транзисторТранзистор КТ646А
Загрузка …
Все с рубля!-
- Основной раздел
- Как работает аукцион
- Зачем регистрироваться?
- Как покупать?
- Как продавать?
- Частые вопросы
- Корзина
- Продать
- Регистрация «> Недавние 1
- Лоты 1
- Разделы
- Поиски
- Избранные
- Лоты
- Разделы
- Поиски
-
- Недавние 1
- Лоты 1
- Разделы
- Поиски
- Избранные
- Лоты
- Разделы
- Поиски
- Покупаю
- Главная страница
- Избранные лоты
- Торгуюсь сейчас
- Я купил
- Не купил
- Подписка на новые лоты
- Запросы лотов у продавцов
- Предложения продавцов
- Продаю
- Продать
- В продаже
- Сделки
- Завершенные торги
- Пополнить счет
- Спрос
- Настройки продавца
- Мой магазин [подробнее]
- Активация
- Настройка
-
- Покупаю
- Избранные лоты
- Торгуюсь сейчас
- Я купил
- Подписка на новые лоты
- Запросы лотов у продавцов
- Предложения продавцов
- Продаю
- Продать
- В продаже
- Сделки
- Завершенные торги
- Пополнить счет
- Спрос
- Настройки продавца
Положить в корзину
Все фото на одной странице 2 человека добавили лот в Избранное
|
| |||
2т646 кт646 транзистор транзисторы
Что можно сделать:
Обычно отвечает в течение дня.
— Приватный вопрос
Положите в корзину один или несколько лотов, а затем купите их все сразу.
Купить этот лот по цене 15.00 р.
Помощь: Как покупать?
Вы можете наблюдать за ходом торгов по этому лоту, добавив его в «Избранное».
2 человека добавили лот в Избранное
Все права защищены 1999 — 2021 года.
Мешок
Thu, 29 Sep 2022 20:54:38 +0300
Транзистор КТ646А —
Драгоценные металлы в транзисторе КТ646А согласно данных и паспортов-формуляров. Бесплатный онлайн справочник содержания ценных и редкоземельных драгоценных металлов с указанием его веса вида которые используются при производстве электрических радио транзисторов.
Содержание драгоценных металлов в транзисторе КТ646А.
Золото: 0.0035 грамм.
Серебро: 0 грамм.
Платина: 0 грамм.
Палладий: 0 грамм.
Примечание: Из Перечней МЧС.
Если у вас есть интересная информация о транзисторе КТ646А сообщите ее нам мы самостоятельно разместим ее на сайте.
Вопросы справочника по транзисторах которые интересуют наших посетителей: найти аналог транзистора, усилитель на транзисторе, замена транзистора, как проверить транзистор или чем заменить транзистор в схеме, правила включения транзистора,
Также интересны ваши рекомендации по мощным транзисторам, импортным и отечественным комплектующим, как самостоятельно проверить транзистор,
Фото транзистора марки КТ646А:
Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия «перпендикулярного» току электрического поля, создаваемого напряжением на затворе.
Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда только одного знака (электронами или дырками), поэтому такие приборы часто включают в более широкий класс униполярных электронных приборов (в отличие от биполярных).
Схемы включения полевых транзисторов
Так же, как и биполярные транзисторы, полевые транзисторы могут иметь три схемы включения: с общим истоком, с общим стоком и с общим затвором. Схема включения определяется тем, какой из трех электродов транзистора является общим и для входной и выходной цепи. Очевидно, что рассмотренный нами пример (рис. 4.2) является схемой с общим истоком (рис. а).
Схема с общим затвором (рис. ) аналогична схеме с общей базой у биполярных транзисторов. Она не дает усиления по току, а входное сопротивление здесь маленькое, так как входным током является ток стока, вследствие этого данная схема на практике не используется.
Схема с общим стоком (рис в) подобна схеме эмиттерного повторителя на биполярном транзисторе и ее называют истоковым повторителем. Для данной схемы коэффициент усиления по напряжению близок к единице. Выходное напряжение по величине и фазе повторяет входное. В этой схеме очень высокое входное сопротивление и малое выходное.
Справочные данные на транзисторы (DataSheet) КТ646А включая его характеристики:
Актуальные Даташиты (datasheets) транзисторов — Схемы радиоаппаратуры:
Транзистор доступное описание принципа работы.
Жуткая вещь, в детстве все не мог понять как он работает, а оказалось все просто.
В общем, транзистор можно сравнить с управляемым вентилем, где крохотным усилием мы управляем мощнейшим потоком. Чуть повернул рукоятку и тонны дерьма умчались по трубам, открыл посильней и вот уже все вокруг захлебнулось в нечистотах. Т.е. выход пропорционален входу умноженному на какую то величину. Этой величиной является коэффициент усиления.
Делятся эти устройства на полевые и биполярные.
В биполярном транзисторе есть эмиттер, коллектор и база (смотри рисунок условного обозначения). Эмиттер он со стрелочкой, база обозначается как прямая площадка между эмиттером и коллектором. Между эмиттером и коллектором идет большой ток полезной нагрузки, направление тока определяется стрелочкой на эмиттере. А вот между базой и эмиттером идет маленький управляющий ток. Грубо говоря, величина управляющего тока влияет на сопротивление между коллектором и эмиттером. Биполярные транзисторы бывают двух типов: p-n-p и n-p-n принципиальная разница только лишь в направлении тока через них.
Полевой транзистор отличается от биполярного тем, что в нем сопротивление канала между истоком и стоком определяется уже не током, а напряжением на затворе. Последнее время полевые транзисторы получили громадную популярность (на них построены все микропроцессоры), т.к. токи в них протекают микроскопические, решающую роль играет напряжение, а значит потери и тепловыделение минимальны.
Обозначение транзисторов или камень преткновения всех студентов. Как запомнить тип биполярного транзистора по его условной схеме? Представь что стрелочка это направление твоего движения на машине… Если едем в стенку то дружный вопль «Писец Нам Писец.
В общем, транзистор позволяет тебе слабеньким сигналом, например с ноги микроконтроллера, управлять мощной нагрузкой типа реле, двигателя или лампочки. Если не хватит усиления одного транзистора, то их можно соединять каскадами – один за другим, все мощней и мощней. А порой хватает и одного могучего полевого MOSFET транзистора. Посмотри, например, как в схемах сотовых телефонов управляется виброзвонок. Там выход с процессора идет на затвор силового MOSFET ключа.
Купить транзисторы или продать а также цены на КТ646А:
Оставьте отзыв или бесплатное объявление о покупке или продаже транзисторов (полевых транзисторов, биполярных транзисторов, КТ646А:
kt645 техническое описание и примечания по применению
kt645 техническое описание (3)
Часть | Модель ECAD | Производитель | Описание | Тип | ПДФ |
---|---|---|---|---|---|
КТ645 | Другие | Краткие данные и перекрестные ссылки (Разное) | Сканировать | ||
КТ645А | интеграл | Русский Транзистор | Оригинал | ||
КТ645А | Другие | Краткие данные и перекрестные ссылки (Разное) | Сканировать |
kt645 Листы данных Context Search
Лист данных по каталогу | MFG и тип | ПДФ | Теги документов |
---|---|---|---|
КТ805М Реферат: кт805бм КТ872А КТ837 КТ837К КТ805 КТ818 КТ837Б КТ837А КТ610А | Оригинал | KSC1623 3102М КТ805М кт805бм КТ872А КТ837 КТ837К КТ805 КТ818 КТ837Б КТ837А КТ610А | |
транзистор SMD s72 Реферат: nec mys 501 MYS 99 ст МИС 99 102 транзистор 8ББ смд квп 81А квп 81А диод квп 69А smd транзистор А7п квп 86а | Оригинал | ОТ323 BC818W МУН5131Т1. BC846A СМБТ3904, МВН5131Т1 SMBT3904 ОТ323 транзистор смд с72 nec mys 501 МИС 99 ст МИС 99 102 транзистор 8ВВ smd квп 81а квп 81А ДИОД КВП 69А smd-транзистор A7p квп 86а | |
2010 — bcy591x Резюме: 2N6429A 2N2161 2N2196 2SC538A 2N2147 2N2214 KT645A 2N2207 trw гибрид | Оригинал | до н. э.382 KSC1072 2SC538A BCX59-9 BCX70J BCY591X TBC337A BCW66RG 2Н6429А 2Н2161 2Н2196 2Н2147 2Н2214 КТ645А 2Н2207 настоящий гибрид | |
КТ805АМ Реферат: КТ805 КТ610А КТ837Б BD140 npn КТ872А КТ837К КТ315Б КТ315 КТ818 | Оригинал | КТ3126А КТ3126Б КТ3127А КТ3128А КТ3128А1 КТ3128 КТ3129А9 КТ3129 КТ3129Б9 КТ805АМ КТ805 КТ610А КТ837Б БД140 нпн КТ872А КТ837К КТ315Б КТ315 КТ818 | |
2T3130A9 Реферат: HEP310 kp303g kt117 HEP-310 kt117b kt117a KT117G kt816g kt3102e | Оригинал | КТ117АМ КТ117БМ КТ117Г КТ117ГМ КТ117ВМ 2Н1923 2Н739 БСВ56С, HEP310 2Н844 2Т3130А9 HEP310 КП303Г кт117 ГЭП-310 кт117б кт117а КТ117Г кт816г кт3102е | |
2Т931А Реферат: КТ853 2Т926А КТ838А 2Т803А 2Т809А 2Т904А 2Т808А 2Т603 2Т921А | OCR-сканирование | МОКП51КОБ, KTC631 ТИ2023 II2033 ТТ213 ТИ216 fI217 II302 XI306 н306А 2Т9КТ645А « 10 | OCR-сканирование | Т336А -КТ336р. КТ384АМ-2. КТ385АМ-2. КТ60ИАМ. КТ602АМ, КТ602ЭМ КТ604АМ, КТ604БМ КТ607А-4, КТ835А КТ827А КТ827А-КТ827Б кт601 КТ604 КТ835Б КТ827Б КТ645 СССР КТ827 |
2010 — bcy591x Реферат: 2N6429A sot23 12p BCY590 2SC538A BC107C BC521 КРЕМНИЯ МАЛОЙ МОЩНОСТИ NPN TMPT6429 BCY59C | Оригинал | до н.э.382 KSC1072 2SC538A BCX59-9 BCX70J BCY591X TBC337A BCW66RG 2Н6429А сот23 12р BCY590 BC107C BC521 МАЛОМОЩНЫЙ КРЕМНИЯ NPN ТМПТ6429 BCY59C |