Каковы основные характеристики транзистора КТ812Б. Какие параметры важны для его применения в импульсных схемах. Где используется этот транзистор. В чем его преимущества перед аналогами.
Общая характеристика транзистора КТ812Б
КТ812Б — это кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор, предназначенный для использования в импульсных и переключающих устройствах. Он относится к мощным высоковольтным транзисторам и обладает следующими ключевыми параметрами:
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 300 В
- Максимальный постоянный ток коллектора: 8 А
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора: 50 Вт
- Граничная частота коэффициента передачи тока: не менее 3 МГц
- Статический коэффициент передачи тока: 10-125
Транзистор выпускается в металлическом корпусе КТ-9 (аналог TO-3) со стеклянными изоляторами. Масса транзистора не превышает 20 г.
Особенности применения КТ812Б в импульсных схемах
При использовании КТ812Б в импульсных устройствах важно учитывать следующие параметры:
- Время спада: не более 1.3 мкс
- Емкость коллекторного перехода: не более 100 пФ
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: не более 2.5 В при токе коллектора 8 А
Эти характеристики обеспечивают быстрое переключение транзистора и низкие потери на насыщение, что критически важно для импульсных схем.
Основные области применения транзистора КТ812Б
Благодаря своим параметрам, КТ812Б находит широкое применение в следующих областях:
- Импульсные источники питания
- Преобразователи напряжения
- Драйверы электродвигателей
- Схемы управления индуктивными нагрузками
- Выходные каскады усилителей мощности
Особенно эффективно использование этого транзистора в схемах с индуктивными нагрузками, где требуется коммутация больших токов.
Преимущества КТ812Б перед аналогами
Транзистор КТ812Б имеет ряд преимуществ по сравнению с аналогичными приборами:
- Высокая надежность благодаря прочному металлическому корпусу
- Хорошие тепловые характеристики, позволяющие работать при температуре корпуса до +100°C
- Низкое напряжение насыщения, обеспечивающее малые потери
- Высокая устойчивость к статическому электричеству (до 2 кВ)
Эти качества делают КТ812Б отличным выбором для ответственных применений, где требуется надежная работа в жестких условиях.
Особенности эксплуатации транзистора КТ812Б
При использовании КТ812Б следует учитывать некоторые особенности его эксплуатации:
- Необходимо обеспечить хороший тепловой контакт корпуса с радиатором
- Рекомендуется использовать теплопроводящую пасту для улучшения теплоотвода
- Следует избегать превышения максимально допустимых значений напряжений и токов
- При монтаже нужно соблюдать меры предосторожности для защиты от статического электричества
Правильное применение этих рекомендаций позволит максимально использовать возможности транзистора и обеспечить его долгую и надежную работу.
Сравнение КТ812Б с современными аналогами
Хотя КТ812Б был разработан несколько десятилетий назад, он до сих пор остается востребованным в некоторых применениях. Однако современные транзисторы имеют ряд преимуществ:
- Меньшие размеры корпуса при сохранении мощностных характеристик
- Более высокие рабочие частоты (до десятков МГц)
- Лучшие температурные характеристики
- Меньшее напряжение насыщения
Несмотря на это, КТ812Б остается хорошим выбором для устройств, где важна надежность и устойчивость к перегрузкам.
Рекомендации по выбору режима работы КТ812Б
Для оптимальной работы транзистора КТ812Б рекомендуется:
- Выбирать рабочую точку в области безопасной работы транзистора
- Обеспечивать достаточный теплоотвод, особенно при работе на высоких частотах
- Использовать схемы защиты от перенапряжений и перегрузок по току
- При работе в ключевом режиме обеспечивать достаточный базовый ток для минимизации потерь на насыщение
Соблюдение этих рекомендаций позволит максимально эффективно использовать возможности транзистора и продлить срок его службы.
Заключение
Транзистор КТ812Б, несмотря на свой возраст, остается надежным и эффективным компонентом для многих применений. Его высокая устойчивость к перегрузкам, хорошие тепловые характеристики и способность работать с большими токами и напряжениями делают его отличным выбором для импульсных устройств и силовой электроники. При правильном применении КТ812Б может обеспечить долгую и надежную работу в самых ответственных устройствах.
Транзистор КТ812 — DataSheet
Перейти к содержимому
Цоколевка транзистора КТ812| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | КТ812А | BDY94, BUY79, BUY78, SVT300-3 *2 | |||
| КТ812Б | BU106, BUY79, BUY78, SVT300-3 *2 | ||||
| КТ812В | BDY25, BUX97 *2, BUS21A *2, BU109D, 2N6544, 2N6542 *2, 2N6514, 2N6512, SDT31307 *2, SVT300-3 *2, BUS21 *2, 2N6511, BD550B | ||||
| Структура | — | n-p-n | |||
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ812А | 50 °C | 50* | Вт |
| КТ812Б | 50 °C | 50* | |||
| КТ812В | 50 °C | 50* | |||
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h31б, f**h31э, f***max | КТ812А | — | ≥3 | МГц |
| КТ812Б | — | ≥3 | |||
| КТ812В | — | ||||
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб. , U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ812А | 0.01к | 400* | В |
| КТ812Б | 0.01к | 300* | |||
| КТ812В | 0.01к | 200* | |||
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ812А | — | 7 | В |
| КТ812Б | — | 7 | |||
| КТ812В | — | 7 | |||
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ812А | — | 8(12*) | А |
| КТ812Б | — | 8(12*) | |||
| КТ812В | — | 8(12*) | |||
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ812А | 700 В | ≤5* | мА |
| КТ812Б | 500 В | ≤5* | |||
| КТ812В | 300 В | ≤5* | |||
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ812А | 2. 5 В; 8 А | ≥4* | |
| КТ812Б | 2.5 В; 8 А | ≥4* | |||
| КТ812В | 5 В; 5 А | ≥10* | |||
| Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ812А | 100 В | ≤100 | пФ |
| КТ812Б | 100 В | ≤100 | |||
| КТ812В | 100 В | ≤100 | |||
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас , r*БЭ нас, К**у.р. | КТ812А | — | ≤0.3 | Ом, дБ |
| КТ812Б | — | ≤0.3 | |||
| КТ812В | — | ≤0. 3 | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ812А | — | — | Дб, Ом, Вт |
| КТ812Б | — | — | |||
| КТ812В | — | — | |||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t** | КТ812А | — | tсп≤1.3 мкс | пс |
| КТ812Б | — | tсп≤1.3 мкс | |||
| КТ812В | — | tсп≤1.3 мкс |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
Транзисторы КТ812B — ООО «ЯРОСТАНМАШ»
Разработка и производство оборудования для тестирования Химических Источников Тока. | Разработка и производство систем балансировки элементов в батареях ХИТ.
- Главная
- Блог технического директора
- Продам
- Транзисторы КТ812B
Поделиться
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные. Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах. Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Масса транзистора не более 20 г.
Электрические параметры
|
Параметр |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единицы |
Условия |
|
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ |
10 |
80 |
125 |
— |
ТК = +25°С, UКЭ = 5В, IК = 5А |
|
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте |
3.5 |
6.5 |
8.4 |
— |
f = 1МГц, UКЭ = 10В, IК = 0.2А |
|
Граничное напряжение |
350 |
450 |
650 |
В |
IК = 0. L = 40мГн |
|
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер |
1 |
1.35 |
2.5 |
В |
IК = 8А, IБ = 1.6А |
|
Напряжение насыщения база-эмиттер |
1.8 |
2.2 |
2.5 |
В |
IК = 8А, IБ = 1.6А |
|
Время спада |
0.22 |
0.6 |
1.3 |
мкс |
UКЭ = 250В, UБЭ = 4В, IК = 5А, IБ = 2.5А |
|
Обратный ток коллектора |
— |
0. |
5 |
мА |
ТК = +25°С, UКБ = 300В |
|
Обратный ток эмиттера |
— |
— |
150 |
мА |
UЭБ = 7В |
|
Емкость коллекторного перехода |
70 |
80 |
100 |
пФ |
UКБ = 100В |
1А, IК.НАС = 300мА,
5Предельные эксплуатационные параметры
|
Параметр |
Мин. |
Макс. |
Единицы |
Условия |
|
Импульсное напряжение коллектор-эмиттер |
— |
300 |
В |
RБ = 10 Ом, tИ ≤ 1мс, Q ≥ 10 или tИ ≤ 50мкс, Q ≥ 2 |
| — |
350 |
В |
RБ = 10 Ом, tИ ≤ 50мкс, tФ ≥ 0. Т = -40…+85°С |
|
|
Постоянное напряжение база-эмиттер |
— |
7 |
В |
|
|
Постоянный ток коллектора |
— |
8 |
А |
|
|
Импульсный ток коллектора |
— |
12 |
А |
tИ ≤ 1мс, Q ≥ 10 или tИ ≤ 50мкс, Q ≥ 2 |
|
Постоянный ток базы |
— |
3 |
А |
|
|
Импульсный ток базы |
— |
4 |
А |
tИ ≤ 1мс, Q ≥ 10 или tИ ≤ 50мкс, Q ≥ 2 |
| Постоянная рассеиваемая мощность коллектора1 | — | 50 | Вт | ТК = -40. ..+50°С |
| Температура p-n перехода | — | +150 | °С | |
|
Температура окружающей среды |
-45 |
+85 |
°С |
3мкс, Q ≥ 2,1 При повышении температуры корпуса выше +50°С PК.МАКС снижается в соответствии с формулой PК.МАКС = (ТП — ТК)·RТ(П-К), Вт. Значение RТ (П-К) определяется из области максимальных режимов.
При применении транзисторов в каскадах строчной развертки телевизоров допускается эксплуатация эксплуатация их с коэффициентом загрузки, равным единице по UК и IК; при этом температура корпуса не должна превышать +100°С.
Минимальное расстояние места пайки выводов от корпуса 5мм, температура пайки не выше +250°С в течение 3 с.
Допустимое значение статического потенциала 2кВ.
Приобрести транзисторы КТ812В можно в Москве в районе метро «Щелковская». По вопросам приобретения обращайтесь на почтовый ящик Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript..
Выпадающие категории
| Главная › ТРАНЗИСТОРЫ › БИПОЛЯРНЫЕ › Транзистор КТ812Б NPN 8А 300В 3МГц 50Вт Код: 05865 Описание Транзистор КТ812Б NPN 8А 300В 3МГц 50Вт СССР Тип: Si NPN Максимальная рабочая частота: 3 МГц Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 300 В Непрерывный ток коллектора: 8 A х31Е -> 4 Мощность: 50 Вт Кейс: КТ-9 /ТО-3/ Изображение иллюстративное!
Цена:
6. Количество: Отправить другу Оцените этот продукт Добавить в список желаний |
……
..
00лв.Лист данных PDF Search Site
Вы устали рыскать по Интернету в поисках нужных спецификаций? Не ищите ничего, кроме Datasheet39.com, основного источника таблиц данных. С обширной коллекцией спецификаций электронных компонентов, от транзисторов до микроконтроллеров, на Datasheet39.com есть все, что вам нужно для завершения ваших электронных проектов. |
Преимущества использования сайта
Вы можете бесплатно скачать все спецификации на Datasheet39.com. Для доступа к необходимой информации не требуется абонентской платы или требований к подписке. Похожие записи |
