Кт814Б: КТ814Б, Транзистор PNP, низкочастотный, большой мощности, TO-126 (КТ-27) (BD136)

Содержание

Транзисторы типа: КТ814А, КТ814Б, КТ814В, КТ814Г

Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные p-n-p универсальные низкочастотные мощные: КТ814А, КТ814Б, КТ814В, КТ814Г. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

Масса транзистора не более 1 грамма.

Чертёж транзистора КТ814А, КТ814Б, КТ814В, КТ814Г

Электрические параметры.

Граничное напряжение при IЭ=50 мА, τи≤300 мкс, Q≥100, не менее
КТ814А 25 В
КТ814Б 40 В
КТ814В 60 В
КТ814Г 80 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=0,5 А, IБ=0,05 А, не более 0,6 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при IК=0,5 А, IБ=0,05 А, не более 1,2 В
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКБ=2 В, IЭ=0,15 А, не менее
КТ814А, КТ814Б, КТ814В 40
КТ814Г 30
Граничная частота коэффициента передачи тока при UКЭ=5 В, IЭ=0,03 А, не менее 3 МГц
Ёмкость коллекторного перехода при UКЭ=5 В, ƒ=465 кГц, не более 60 пФ
Ёмкость эмиттерного перехода при UЭБ=0,5 В, ƒ=465 кГц, не более 75 пФ
Обратный ток коллектора при UКБ=40 В, не более
при Тк≤298 К 50 мкА
при Тк=373 К 1000 мкА

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБЭ≤100 Ом
КТ814А 40 В
КТ814Б 50 В
КТ814В 70 В
КТ814Г 100 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при IБ=0
КТ814А 25 В
КТ814Б 40 В
КТ814В 60 В
КТ814Г 80 В
Постоянное напряжение база-эмиттер 5 В
Постоянный ток коллектора 1,5 А
Импульсный ток коллектора при τи≤10 мс, Q≥100 3 А
Постоянный ток базы 0,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом при Тк≤298 К 10 Вт
без теплоотвода при Т=233-298 К 1 Вт
Температура перехода 24,85°С
Температура окружающей среды От -40,15 до Тк=99,85°С

Примечания: 1. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода при Т=298÷373 К снижается линейно на 0,01 Вт через 1 К и с теплоотводом при Тк=298-373 К на 0,1 Вт через 1 К.

2. Пайку выводов разрешается производить на расстоянии не менее 5 мм от корпуса. При пайке жало паяльника должно быть заземлено.

Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора с радиусом закругления 1,5-2 мм, при этом должны приниматься меры, исключающие возможность передачи усилий на корпус. Изгиб в плоскости выводов не допускается.

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора и зависимость максимально допустимой постоянной рассеиваемой мощности коллектора от температуры корпуса

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора и зависимость максимально допустимой постоянной рассеиваемой мощности коллектора от температуры корпуса.


Транзистор КТ814Б

Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ814Б предназначены для использования в ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.

Основные электрические параметры КТ814 при Токр. среды = 25 С
Параметры Обозначение Ед. измер Режимы измерения Min Max
Граничное напряжение колл-эмит Uкэо гр. В Iэ=50mA,

tи=0,3 - 1 мс

30 -
КТ814А, А9
КТ814Б, Б9 45
КТ814В, В9 65
КТ814Г, Г9 85
Обратный ток коллектора

КТ814А, А9, Б, Б9

КТ814В, В9, Г, Г9

Iкбо мкА Uкэ=50 В

Uкэ=65 В

- 50

50

Обратный ток коллектор-эмиттер

КТ814А, А9, Б, Б9

КТ814В, В9, Г, Г9

Iкэr мкА Uкэ=50 В, Rбэ

Uкэ=65 В, Rбэ

- 100

100

Статический коэффициент передачи тока h31э - Uкб=2 B, Iэ=0,15A 40 275
КТ814А, А9, Б, Б9, В, В9
КТ814Г, Г9 30 275
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Uкэ нас В Iк=0,5 A, Iб=50 мA - 0,6

Транзистор КТ814Б, Г, КТ815Б, В, Г, КТ817В, Г

Транзистор КТ814Б, Г, КТ815Б, В, Г, КТ817В, Г
Справочник содержания драгоценных металлов в радиодеталях основанный на справочных данных различных организаций занимающихся переработкой лома радиодеталей, паспортах устройств, формулярах и других открытых источников.

Стоит отметить, что реальное содержание может отличатся на 20-30% в меньшую сторону.

Радиодетали могут содержать золото, серебро, платину и МПГ (Металлы платиновой группы, Платиновая группа, Платиновые металлы, Платиноиды, ЭПГ)

Содержание драгоценных металлов в транзисторе: КТ814Б, Г, КТ815Б, В, Г, КТ817В, Г

Золото: 0.0039
Серебро: 0
Платина: 0
МПГ: 0
По данным: Справочник по драгоценным металлам ПРИКАЗ №70

Транзистор, полупроводниковый триод — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет его использовать для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. В настоящее время транзистор является основой схемотехники подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.

Типы транзисторов

Существует два основных типа транзисторов: биполярные и полевые.

1. Биполярные транзисторы. Они являются, вероятно, более распространенным типом (именно о них, например, шла речь в предыдущих разделах этой главы). В базу такого транзистора подается небольшой ток, а он, в свою очередь, управляет количеством тока, протекающего между коллектором и эмиттером.
2. Полевые транзисторы. Имеют три вывода, но они называются затвор (вместо базы у биполярного), сток (вместо коллектора) и исток (вместо эмиттера). Аналогично воздействие на затвор транзистора (но на этот раз не тока, а напряжения) управляет током между стоком и истоком. Полевые транзисторы также имеют разную полярность: они бывают N-канальные (аналог NPN-биполярного транзистора) и Р-канальные (аналог PNP).

Маркировка транзисторов СССР

Обозначение транзисторов до 1964 года
Первый элемент обозначения – буква П, означающая, что данная деталь и является, собственно, транзистором. Биполярные транзисторы в герметичном корпусе обозначались двумя буквами – МП, буква М означала модернизацию. Второй элемент обозначения – одно, двух или трехзначное число, которое определяет порядковый номер разработки и подкласс транзистора, по роду полупроводникового материала, значениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной(или предельной) частоты.

От 1 до 99 – германиевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 101 до 199 – кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 201 до 299 – германиевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 301 до 399 – кремниевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 401 до 499 – германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 501 до 599 – кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 601 до 699 – германиевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.
От 701 до 799 – кремниевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.

Обозначение транзисторов после 1964 года

Первый символ необходим для обозначения типа используемого материала
Буква Г или цифра 1 – германий.
Буква К или цифра 2 – кремний.
Буква А или цифра 3 – арсенид галлия.

Второй символ обозначает тип транзистора
П – полевой транзистор
Т – биполярный транзистор

Третий символ необходим для обозначения мощности и граничной частоты
1 – транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) низкочастотные(до 3 МГц).
2 – транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) средней частоты(до 30 МГц).
3 – транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) высокочастотные.
4 – транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
5 – транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),средней частоты(до 30 МГц).
6 – транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),высокочастотные и СВЧ.
7 – транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
8 – транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), средней частоты(до 30 МГц).
9 – транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), высокочастотные и СВЧ.

Четвертый и пятый элементы обозначения – определяют порядковый номер разработки.

Изменения в маркировке вступившие в силу в 1978 году. Изменения коснулись обозначения функциональных возможностей – третьего элемента.

Для биполярных транзисторов:
1 – транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.

2 – транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
4 – транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой более 300 МГц.
7 – транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
8 – транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
9 – транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой свыше 300 МГц.

Поделиться ссылкой:

Понравилось это:

Нравится Загрузка...

Похожее

КТ814Б (BD136), Транзистор PNP, низкочастотный, большой мощности, TO-126 (КТ-27)

КТ814Б (BD136), Транзистор PNP, низкочастотный, большой мощности, TO-126 (КТ-27) - Доступно: 106 шт. на складе в Москве

РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

Производитель: Кремний

Арт: 28655

Техническая спецификация

Структура 
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 
Статический коэффициент передачи тока hfe мин 
Hfe при токе коллектора, А 
Hfe при напряжении к-э, В 
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 
Корпус 
Диапазон рабочих температур, оС 

Описание

КТ814Б (BD136), Транзистор PNP, низкочастотный, большой мощности, TO-126 (КТ-27) - Транзисторы биполярные

Транзисторы биполярные КТ814Б (BD136), Транзистор PNP, низкочастотный, большой мощности, TO-126 (КТ-27)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)

Доступно: 106 шт.

Мин. кол-воЦена
58.53 р. 
100 49.09 р. 
1000 45.75 р. 

Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.

транзистор КТ814Б

Цена:
от: до:

Название:

Артикул:

Текст:

Выберите категорию:
Все Диоды Динамики Инструмент Источники питания Кабельная продукция и аксессуары Коммутационные изделия Конденсаторы КОПИ-центр Микросхемы Пайка. Клей. Химия. Платы макетные Приборы Разъемы Расходные материалы Резисторы Реле Светильники. Фонари Светодиоды Светодиодная лента. Аксессуары Телефония Транзисторы Установочные изделия Устройство защиты Хозяйственные товары Чип конденсаторы Чип резисторы Электролампы Электротехнические изделия Прочее Заказ 1-2.sale

Производитель:
Все1-2.saleA&OABBACPAgelentALFAAMDAMTECHAnarenANENGAnhui Safe Electronics Co., LtdAnsmannAPECapeuronASDATMEGAATMELAttacheAUKAVEAVIORAAVS ELECTRONICSAVXAWSWBAOKEZHEN ELECTRONICBaronsBerlingoBOOMBosi toolsBOURNSBRIDGELUXBrunoViscontiBRUSHTIMECamelionCANNONCapXonCardinallChangCHEMI.CONCHIPSEACNDIYLFCNEIECComchipComtechConnectorConnflyCREECROWNCZTDaewooDC ComponentsDegsonDeltaDigitexDingfengDIOTEC SEMICONDUCTORDPTDPT Diptronics ManufacturingDragon SityDuracellEASTEastpowerEATONEcmaxEcolaEddingEEMBEKFEKF ElectrotechnicaElcoELEMENTElzetEnergizerEnergy Tehnology CoEnlincaEPCOSEPISTARERGOLUXErichKrauseESKAFairchildFANUCFeronFinderFITFOCUSrayFORYARDFSCFujiGalaxyGarinGaussGEGeneralGERMANYGL (New Land Group Co., LtdGolden PowerGPGTFGuanzhou HohgLi Opto-ElectronicHebeiHelvarHi-WattHITACHAICHITACHIHITANOHoneywellHXSHyelesiontekHyundaiiEKImationInfineonINFINIONIRFJAKEMYJamiconjaZZwayJBJETTJIAJiaweicheng Elctronic CoJieJietong SwitchJl WorldJoyin Co. , LTDJWCOKAINAKBPMKBTKECKellerKEMET Electronics CorporationKFKIAKiccKingbrightKlaukeKlebebanderKLSKodakKOH-I-NOORKOMEKomironKomtexKOOCUKRAFTOOLLast oneLDLGLITEONLittle DoktorMactronicMAKELMAKR PLASTMatsushita PanasonicMaxellMCCMCHPMean WellMECHANICMicrochip Tehhology IncMinamotoMirexMoellerMOLYKOTEMONO ElectrikMULTICOMPMurataNavigatorNEOMAXnetkoNEXNonameNSNSCNXPOmronONSOsramOT-LEDPanasonicParkPhilipsPHOENIX LIGHTPHOENIX LIGHTPilaPOWER CUBEPOWERMANPREMIERPROconnectProffProsKitProsKit,PulsarPWRQINGYINGR6RaymaxRenataRenesasREXANTRobitonRubiconRubyconRUiCHiS-LineSafeLineSAFFITSAFTSAIFUSamsungSamwhaSanyoSchneider ElectricSenonAudioSEPSHARPSHESIBASiemensSilan MicroelectronicsSIMCOMSINOTOP TRADING Co. LTDSLSmartBuySOLINSSong Huei ElectricSonySPC TechnoligySTST1StabiloSTANDARTSTAYERSTMicroelectronicsSUNONSunriseSuntanSupertechSUPRASWEKOSwitronicTaizhonTaizhouTALEMATDKTDK Corporation of AmericaTDM ELEKTRICTE ConnectivityTEAPOTexasTexas InTidarTITANTOKERToshibaTRECTTi RelayTTi Relay (Tai Shing Comp)TycoULTRA LIGHTUltraFlashUNEVersalUNI-TUnielUTSVansonVartaVerbatimVetusVishayVitooneVolpeVOLSTENWagoWalsin LihwaWEENWeidyWelsoloWettoWoltaXicon Passive ComponentsXing yuanquanXLSemiYAGEOYBCYCD (Yueqing Chaodao Electrical Conne...Yi FengYiHuAYinZhouYJYOUKILOONYREYun-FanZEONZeonZFZhenhuiZhenHui Electronics CoZhongboАЛЗАСАльфаАтлант-ИзобильныйБелая церковьБЭЛЗВекта-21ГаммаГарнизонГлобусДалексЕвро профильЕрмакЗУБР ОВКИнтегралИСКРАИЭККалашниковКЗККитайКонтактКонтакт г.Йошкар-ОлаКопирКосмосКремнийКронаКунцево-ЭлектроКЭЛЗЛисмаЛучМастерМастикс ОООМикроММоментНе определенНева пластик ОООНЗКНОМАКОННТЦОБЛИКОНЛАЙТОтечественныеПайка и монтажПаяльные материалыПромреагентПромТехКЗК (Кузнецкий завод конденсатор)ПротонРадиодетальРадиоТехКомплектРезисторРесурсРЗППРикорРикор-ЭлектрониксРоссияРусАудиоСАВСветСветоприбор г. МинскСеймСигналСинтроникСклад РЭКСледопытСмолТехноХимСпутникСТАРТТРОФИУкркабельФАZАФАЗАФотонХенькель-русЧЭАЗЭверестЭлеком г. ПензаЭлектрик Дом Строй ОООЭлектрическая МануфактураЭЛКОД ЗАОЭраЭРКОН

Новинка:
Всенетда

Спецпредложение:
Всенетда

Результатов на странице:
5203550658095

Транзистор КТ814Б -

Драгоценные металлы в транзисторе КТ814Б согласно данных и паспортов-формуляров. Бесплатный онлайн справочник содержания ценных и редкоземельных драгоценных металлов с указанием его веса вида которые используются при производстве электрических радио транзисторов.

Содержание драгоценных металлов в транзисторе КТ814Б.
Золото: 0.00422 грамм.
Серебро: 0 грамм.
Платина: 0 грамм.
Палладий:  0 грамм.
Примечание: .

Если у вас есть интересная информация о транзисторе КТ814Б сообщите ее нам мы самостоятельно разместим ее на сайте.

Вопросы справочника по транзисторах которые интересуют наших посетителей: найти аналог транзистора, усилитель на транзисторе, замена транзистора, как проверить транзистор или чем заменить транзистор в схеме, правила включения транзистора,

Также интересны ваши рекомендации по мощным транзисторам, импортным и отечественным комплектующим, как самостоятельно проверить транзистор,

Фото транзистора марки КТ814Б:

Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия «перпендикулярного» току электрического поля, создаваемого напряжением на затворе.

Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда только одного знака (электронами или дырками), поэтому такие приборы часто включают в более широкий класс униполярных электронных приборов (в отличие от биполярных).

Схемы включения полевых транзисторов

Так же, как и биполярные транзисторы, полевые транзисторы могут иметь три схемы включения: с общим истоком, с общим стоком и с общим затвором. Схема включения определяется тем, какой из трех электродов транзистора является общим и для входной и выходной цепи. Очевидно, что рассмотренный нами пример (рис. 4.2) является схемой с общим истоком (рис. а).

Схема с общим затвором (рис. ) аналогична схеме с общей базой у биполярных транзисторов. Она не дает усиления по току, а входное сопротивление здесь маленькое, так как входным током является ток стока, вследствие этого данная схема на практике не используется.

Схема с общим стоком (рис в) подобна схеме эмиттерного повторителя на биполярном транзисторе и ее называют истоковым повторителем. Для данной схемы коэффициент усиления по напряжению близок к единице. Выходное напряжение по величине и фазе повторяет входное. В этой схеме очень высокое входное сопротивление и малое выходное.

Справочные данные на транзисторы (DataSheet) КТ814Б включая его характеристики:

Актуальные Даташиты (datasheets) транзисторов – Схемы радиоаппаратуры:

Транзистор доступное описание принципа работы.

Жуткая вещь, в детстве все не мог понять как он работает, а оказалось все просто.
В общем, транзистор можно сравнить с управляемым вентилем, где крохотным усилием мы управляем мощнейшим потоком. Чуть повернул рукоятку и тонны дерьма умчались по трубам, открыл посильней и вот уже все вокруг захлебнулось в нечистотах. Т.е. выход пропорционален входу умноженному на какую то величину. Этой величиной является коэффициент усиления.

Делятся эти устройства на полевые и биполярные.
В биполярном транзисторе есть эмиттер, коллектор и база (смотри рисунок условного обозначения). Эмиттер он со стрелочкой, база обозначается как прямая площадка между эмиттером и коллектором. Между эмиттером и коллектором идет большой ток полезной нагрузки, направление тока определяется стрелочкой на эмиттере. А вот между базой и эмиттером идет маленький управляющий ток. Грубо говоря, величина управляющего тока влияет на сопротивление между коллектором и эмиттером. Биполярные транзисторы бывают двух типов: p-n-p и n-p-n принципиальная разница только лишь в направлении тока через них.

Полевой транзистор отличается от биполярного тем
, что в нем сопротивление канала между истоком и стоком определяется уже не током, а напряжением на затворе. Последнее время полевые транзисторы получили громадную популярность (на них построены все микропроцессоры), т. к. токи в них протекают микроскопические, решающую роль играет напряжение, а значит потери и тепловыделение минимальны.
Обозначение транзисторов или камень преткновения всех студентов. Как запомнить тип биполярного транзистора по его условной схеме? Представь что стрелочка это направление твоего движения на машине… Если едем в стенку то дружный вопль «Писец Нам Писец.

В общем, транзистор позволяет тебе слабеньким сигналом, например с ноги микроконтроллера, управлять мощной нагрузкой типа реле, двигателя или лампочки. Если не хватит усиления одного транзистора, то их можно соединять каскадами – один за другим, все мощней и мощней. А порой хватает и одного могучего полевого MOSFET транзистора. Посмотри, например, как в схемах сотовых телефонов управляется виброзвонок. Там выход с процессора идет на затвор силового MOSFET ключа.
Купить транзисторы или продать а также цены на  КТ814Б:

Оставьте отзыв или бесплатное объявление о покупке или продаже транзисторов (полевых транзисторов, биполярных транзисторов, КТ814Б:

Транзистор кт814 аналоги советские - Морской флот

КТ814 – биполярные транзисторы p-n-p большой мощности (Pк max > 1,5 Вт) низкой частоты (Fгр ≤ 3 МГц). Применяются в линейных и ключевых схемах, узлах и блоках радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.

Аналог КТ814

  • Прототип КТ814 Б – BD136
  • Прототип КТ814 В – BD138
  • Прототип КТ814 Г – BD140

Особенности

  • Максимально допустимая температура корпуса – 100 °C
  • Комплиментарная пара – КТ815

Корпусное исполнение

  • пластмассовый корпус КТ-27 (ТО-126)

Цоколевка КТ814 (корпус КТ-27)

Характеристики транзистора КТ814

Предельные параметры КТ814

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (IK max):

  • КТ814А, Б, В, Г – 1,5 А

Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (IK, и max):

  • КТ814А, Б, В, Г – 3 А

Граничное напряжение (UKЭ0 гр):

  • КТ814А – 25 В
  • КТ814Б – 40 В
  • КТ814В – 60 В
  • КТ814Г – 80 В

Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (UЭБ0 max):

  • КТ814А, Б, В, Г – 5 В

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектоpа (PK max) при температуре корпуса 25° C:

  • КТ814А, Б, В, Г – 10 Вт

Максимально допустимая температура перехода (Тп max):

  • КТ814А, Б, В, Г – 125° C
Значения параметров КТ814 при Т
перехода=25 o С

Статический коэффициент передачи тока (h21Э) при постоянном напряжении коллектор-база (UКБ) 2 В, при постоянном токе эмиттера (IЭ) 0,15 А:

  • КТ814А, Б, В – 40
  • КТ814Г – 30

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (UКЭ нас)

  • КТ814А, Б, В, Г – 0,6 В

Обратный ток коллектоpа (IКБО)

  • КТ814А, Б, В, Г – 0,05 мА

Граничная частота коэффициента передачи тока (fгр)

  • КТ814А, Б, В, Г – 3 МГц

Емкость коллектоpного перехода (CК)

  • КТ814А, Б, В, Г – 60 пф

Емкость эмиттеpного перехода (CЭ)

  • КТ814А, Б, В, Г – 75 пф

Тепловое сопротивление переход-корпус (RТп-к)

  • КТ814А, Б, В, Г – 10° С/Вт

– дополнительная информация.

Транзисторы КТ814

Т ранзисторы КТ814 – кремниевые, мощные, низкочастотные, структуры – p-n-p.
Корпус пластмассовый, с гибкими выводами.
Масса – около 0,7 г. Маркировка буквенно – цифровая, на боковой поверхности корпуса, может быть двух типов.

Кодированая четырехзначная маркировка в одну строчку и некодированная – в две. Первый знак в кодированной маркировке КТ814 цифра 4, второй знак – буква, означающая класс. Два следующих знака, означают месяц и год выпуска. В некодированной маркировке месяц и год указаны в верхней строчке. На рисунке ниже – цоколевка и маркировка КТ814.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока У транзисторов КТ814А, КТ814Б, КТ814В – от 40
У транзисторов КТ814Г – 30

Граничная частота передачи тока.3МГц.

Максимальное напряжение коллектор – эмиттер. У транзисторов КТ814А – 25 в.
У транзисторов КТ814Б – 40 в.
У транзисторов КТ814В – 60 в.
У транзисторов КТ814Г – 80 в.

Максимальный ток коллектора(постоянный). У всех транзисторов КТ814 – 1,5 А.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 0,5А и базовом 0,05А – 0,6 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 0,5А и базовом 0,05А – 1,2 в.

Рассеиваемая мощность коллектора. – 10 Вт(с радиатором).

Обратный ток коллектора при напряжении коллектор-база 40в и температуре окружающей среды не превышающей +25 по Цельсию не более – 50 мкА.

Емкость эмиттерного перехода при напряжении эмиттер-база 0,5в при частоте 465 КГц не более – 75 пФ.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-эмиттер 5в при частоте 465 КГц не более – 60 пФ.

Транзистор комплементарный КТ814 – КТ815.

Транзисторы КТ827

Транзисторы КТ827 – кремниевые, мощные, низкочастотные,составные(схема Дарлингтона) структуры – n-p-n.
Корпус металло-стекляный(ТО-3). Применяются в усилительных и генераторных схемах.

Внешний вид и расположение выводов на рисунке:

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока – У транзисторов КТ827А – от 500 до 18000.
У транзисторов КТ827Б, КТ827В – от 750 до 18000.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер:
У транзисторов КТ827А – 100в.
У транзисторов КТ827Б – 80в.
У транзисторов КТ827В – 60в.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 10А и базовом 40мА до 2-х в, при типовом значении – 1,75в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 10 А и базовом 200мА до – 4-х в, при типовом значении – 3 в.

Максимальный ток коллектора20 А.

Рассеиваемая мощность коллектора125 Вт(с радиатором).

Граничная частота передачи тока4МГц.

Обратный ток коллектор-эмиттер при сопротивлении база-эмиттер 1кОм и температуре окружающей среды от -60 до +25 по Цельсию не более – 3 мА.

Обратный ток эмиттера при напряжении база-эмиттер 5в не более – 2 мА.

Емкость эмиттерного перехода при напряжении база-эмиттер 5в – не более 350 пФ.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10в не более – 400 пФ.

Транзистор комплементарный КТ827 – КТ825.

Транзисторы – купить. или найти бесплатно.

Где сейчас можно найти советские транзисторы?
В основном здесь два варианта – либо купить, либо – получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.

Во время промышленного коллапса начала 90-х, образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки – можно купить. Если же нет – всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -"Гулливер".

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника – можно попытаться добыть транзисторы (и другие детали) из нее.
Транзисторы КТ814 можно найти в магнитофонах – "Весна 205-1", "Вильма 204 стерео", Маяк 240С-1, Маяк 233, Ореанда 204С и. т. д.

Использование каких – либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт "Электрика это просто".

КТ814 – кремниевый биполярный p-n-p транзистор низкочастотный средней мощности, в пластмассовом корпусе TO-126, либо в корпусе D-PAK для поверхностного монтажа (в наименовании суффикс 9, например, КТ814А9).

Назначение: КТ814 -транзистор широкого применения для использования в ключевых и линейных схемах.

Типы: КТ814А, КТ814Б, КТ814В, КТ814Г

Комплементарная пара: КТ815 (npn транзистор с такими же характеристиками)

Аналог: BD136, BD138, BD140

Цоколевка КТ814: Э-К-Б , смотри рисунок

Производители: Интеграл (Беларусь), Кремний-Маркетинг (Брянск)

Цена КТ814: вывести цену (прямой запрос в интернет-магазины)

Datasheet: (подробные характеристики с графиками зависимостей параметров)

Основные характеристики транзисторов КТ814:

Подробные параметры КТ814 и многих других отечественных транзисторов приведены в справочнике мощных транзисторов

ПараметрыРежим измерения параметраMin (минимальное значение параметра)Max (максимальное значение параметра)
Статический коэффициент передачи тока КТ814(А-Г)Uкб=2B, Iэ=0. 15A40275
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер КТ814(А-Г)Iк=0.5А, Iб=0.05A0.6В

Предельные параметры транзисторов КТ814:

Постоянное напряжение коллектоp-эмиттеp
КТ814А
КТ814Б
КТ814В
КТ814Г
Rэб ≤ 100Ом40В
50В
70В
100В
Напряжение эмиттер-база (обратное)
Постоянный ток коллектора КТ8141.5А
Импульсный ток коллектораtи ≤ 10 мс, Т/tи≥100
Максимально допустимый постоянный ток базы0.5А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектораТк ≤ 50 °С10Вт
Температура перехода-60+150

КТ814Б = БД136, БД166, ТИП30А, ТИП62А Транзистор СССР Лот 4 шт.

Номер телефона eBay:

132404309321

Sprzedawca ponosi pełną odpowiedzialność za wystawienie oferty sprzeday przedmiotu.

Parametry przedmiotu

Стандарт: Новы: инни (zobacz szczegóły) : Nowy i nieużywany przedmiot bez absolutnie żadnych znaków użytkowania.Przedmiotowi może brakować oryginalnego opakowania lub opakowanie było otwierane i nie jest już zapieczętowane. Może być przedmiot w другим gatunku lub nowy, nieużywany przedmiot z drobnymi wadami. Aby sprawdzić szczegóły, zobacz opis podany przez sprzedającego, w tym informacje o uszkodzeniach i wadach. Wyświetl wszystkie Definicje stanu przedmiotu - otwiera się w nowym oknie lub nowej karcie
Uwagi sprzedawcy: «Новый, никогда не использованный / Б / У / Новый старый сток /»
MPN: Не применяется Торговая марка: СССР

елена8913

Odwiedź mój Sklep eBay

Pytania i odpowiedzi dotyczące tego przedmiotu

Na temat tego przedmiotu nie zamieszczono żadnych pytań i odpowiedzi.

Sprzedawca ponosi pełną odpowiedzialność za wystawienie oferty sprzeday przedmiotu.

Wysyłka i obsługa

Nie można obliczyć kosztów wysyłki. Podaj prawidłowy kod pocztowy.

Lokalizacja przedmiotu: г. Томск, Томская область, Рось

Wysyłka do: Cały świat

Wykluczenia: Federacja Rosyjska

Змень край: -Wybierz-AfganistanAlbaniaAlgieriaAndoraAngolaAnguillaAntigua я BarbudaAntyle HolenderskieArabia SaudyjskaArgentynaArmeniaArubaAustraliaAustriaAzerbejdżanBahamyBahrajnBangladeszBarbadosBelgiaBelizeBeninBermudyBhutanBiałoruśBoliwiaBośnia я HercegowinaBotswanaBrazyliaBruneiBrytyjskie Wyspy DziewiczeBurkina FasoBurundiBułgariaChileChinyChorwacjaCyprCzadCzarnogóraCzechyDaniaDemokratyczna Republika KongaDominikaDominikanaDżibutiEgiptEkwadorErytreaEstoniaEtiopiaFalklandy (Malwiny) FidżiFilipinyFinlandiaFrancjaGabonGambiaGhanaGibraltarGrecjaGrenadaGrenlandiaGruzjaGuamGuernseyGujanaGujana FrancuskaGwadelupaGwatemalaGwineaGwinea BissauGwinea RównikowaHaitiHiszpaniaHolandiaHondurasHongkongIndieIndonezjaIrakIrlandiaIslandiaIzraelJamajkaJaponiaJemenJerseyJordaniaKajmanyKambodżaKamerunKanadaKatarKazachstanKeniaKirgistanKiribatiKolumbiaKomoryKongoKorea PołudniowaKostarykaKuwejtLaosLesothoLibanLiberiaLibiaLiechtensteinLitwaLuksemburgMacedoniaMadagaskarMajottaMakauMalawiMalediwyMalezjaMaliMaltaMarokoMa rtynikaMauretaniaMauritiusMeksykMikronezjaMonakoMongoliaMontserratMozambikMołdawiaNamibiaNauruNepalNiemcyNigerNigeriaNikaraguaNiueNorwegiaNowa KaledoniaNowa ZelandiaOmanPakistanPalauPanamaPapua-Нова GwineaParagwajPeruPolinezja FrancuskaPolskaPortugaliaPołudniowa AfrykaPuerto RicoRepublika ŚrodkowoafrykańskaReunionRuandaRumuniaSahara ZachodniaSaint Киттс I NevisSaint LuciaSaint Pierre я MiquelonSaint Винсент я GrenadynySalwadorSamoa AmerykańskieSamoa ZachodnieSan MarinoSenegalSerbiaSeszeleSierra LeoneSingapurSomaliaSri LankaStany ZjednoczoneSuaziSurinamŚwięta HelenaSzwajcariaSzwecjaSłowacjaSłoweniaTadżykistanTajlandiaTajwanTanzaniaTogoTongaTrynidad я TobagoTunezjaTurcjaTurkmenistanTuwaluUgandaUkrainaUrugwajUzbekistanVanuatuWallis я FutunaWatykanWęgryWenezuelaWielka BrytaniaWietnamWybrzeże Kości SłoniowejWyspy CookaWyspy Dziewicze (США) Wyspy MarshallaWyspy SalomonaWyspy Турки я CaicosWyspy Zielonego PrzylądkaWłochyZambiaZimbabweZjednoczone Emiraty ArabskieŁotwa

Liczba dostępnych przedmiotów: 7. Wpisz liczbę mniejszą lub równą 7.

Wybierz prawidłowy kraj.

Kod pocztowy:

Podaj prawidłowy kod pocztowy.

Podaj kod pocztowy składający się z 5 lub 9 cyfr.

Ten przedmiot nie jest wysyłany do: Federacja Rosyjska

Czas na wysłanie przesyłki krajowej

Przesyłka zostanie wysłana w ciągu 1 dnia roboczego po otrzymaniu rozliczonej płatności.


Warunki zwrotów

Po otrzymaniu przedmiotu skontaktuj się ze sprzedawcą w ciągu

Zwrot pieniędzy zostanie dokonany jako

30 дней

Zwrot gotówki

Kupujący jest odpowiedzialny za opłacenie kosztów wysyłki zwrotnej.

Szczegóły warunków zwrotów

Zwroty są przyjmowane

Szczegóły dotyczące płatności

кт814б, 9. мая 2013 г. Srbija Mi poštanska vozila ** 1/2

********************************************************************************************************************************************************************************************************************************************************** ********************************************************************************************************************************************************************************************************************************************************** ********************************************************************************************************************************************************************************************************************************************************** ********************************************************************************************************************************************************************************************************************************************************** ******
Dragi Kupindovci,
hvala Vam što ste se odlučili za moja fiksne ponude. Кликните на `сви предметы продажи` и погляди сву мою понуду ...

Моя любовь: када стэ завршили на куповином, тражите од мене обрачун. Само након, и на основу тога извршите уплату:

Уплатом износа на текучи рачун:
Тибор Коллар
325-9300600023840-49 код ОТП Войволанске банке
сверхаалий вверх и вверх по адресу:
вверху вверх и вниз по адресу
. не плацате провизию.

Ne šaljem pouzećem. Али зато sve šaljem frankirano, po mogućstvu, posbnim markicama !!!!

Molim Vas za razumevanje, ne šaljem običnu pošiljku.
Препарат 85 дин, само и исключено на ризик купца.
Preferiram vrednosno sa poštanskom garancijom povrata vrednosti. 110 дин.
Ovi iznosi mogu biti veći za cenu doplatne marke, za koje pošta zadržava pravo uvesti, bilo kada na bilo koji period.
Cene se one na pismo do 100grama na teritoriji Srbije.

Troškove Kupinda, i pakovanja snosim ja, osim kad kupac zahteva posbnu vrstu ambalaže.

Molim Vas komunicirajmo preko Kupindo poruka, jer za većinu odgovora potreban mi je računar...

По прибытии вверх šaljem u roku od nedelju dana. Paralelno pri pakovanju ocenjujem Vas, signalizirajući tako da je pošiljka na putu. Молим Вас да и Ви после прегледа садржая завршите купопродаю даваньем позитивне океане.

Lično preuzimanje u Bajmoku. Не разносим ...

Обратите пажню на берегу. Први контакт 2 дана после кузповине. Istu je poželjno završiti 8 dana od pokretanja. Krajnji rok za uplatu je 14 dana. Naravno uvek postoji mogućnost dogovora ...
Meni nije cilj da uvodim red na Kupindu i da delim negativne.
Али правила на разлогом ...

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * *
I na kraju ovog dugog monologa: mada dajem sve od sebe za najbolji opis, za slike visoke rezolucije, ali molim Vas ako se desi da ipak omanem, tada kontaktirajte prvo mene. .. Težim ka tome da najbrže, najljjubaznije и najtačnije obavim kupoprodaju, ali molim Vas za razumevanje, ovo je ipak privatna prodaja, shodno tome ne dajem nikakvu garanciju ...
********* ************************************************ ************************************************* ************************************************ ****************************************

Посмотреть техническое описание KT973A_358592.PDF онлайн --- IC-ON-ЛИНИЯ

Дискретные полупроводники Транзисторы
* биполярных транзисторах
Часть KT6136A KT6137A Pin к Pin Совместимость 2N3906 2N3904 BC182 BC182A BC182B BC183 BC183A BC183B BC183C 2N4073 BC639 BC640 2SC495 2CS496 BC337 BC338 KSD362 KSD773 ПНП BD136 BD138 BD140 BD135 BD137 NPN BD139 PNP BD234 BD236 BD238 NPN BD233 BD235 BD237 MJE13007 MJE13006 MJE13005 MJE13004 MJE13003 MJE13002 TIP31A TIP31B TIP31C 25 25 10 10
IC макс.05 0,05 0,015 0,015 FT, Гц 250300150150 Nf, дБ Корпус (колодки) TO-92 TO-92 TO-92 TO-92
C VCB VCE VEB Полярность макс., Макс, макс, макс, WVVV PNP NPN NPN NPN 0,625 0,625 0,5 0,5 40 60 60 45 40 40 50 30 5 6 6 6
100 ... 300 0,4 100 ... 300 0,3 120 ... 450 0,6
120 ... 220 200 ... 450 110 ... 800 0,6 110 ... 220 200 ... 450 420 ... 800
10 10
607-4 607-4
NPN NPN PNP NPN NPN NPN
1,5 0,625 0,625 1,0 0,5 30
646 646 646 KT660A KT660 805 805 805 805 KT814A KT814 KT814B KT814 KT815A KT815 KT815B KT815 KT816A KT816 KT816B KT816 KT817A KT817 KT817B KT817 81261 81261 8164 8164 81701 81703 30176 40 100 6010 40 35 100 4010 30 30 30 40 100 3010 4010 4010 4010 3010 4010 4010 4010 4010 4010 40 50 70100 40 50 70100 40 45 60100 40 45 60100400300400300400300 60 80100
4 5 5 4 5 5
150 1500 0.5 25 1500 0,5 25 1000 40 ... 200 0,85> 150 0,25 150 ... 340 0,25 800 110 ... 220 0,5 200 ... 450 VKER 5000> 15> 15 2,5> 15 3,0> 25 1500 40 ... 275 0,6 40 ... 275 40 ... 275 30 ... 275 1500 40 ... 275 0,6 40 ... 275 40 ... 275 30 ... 275 3000 25 . .. 275 0,6
0,1 0,1 0,1 10 10 0,05 1,0 1,0
1000100100250200
700
TO-92 TO-92 TO-126 TO-92 TO-92
5
50
40
TO-126
5
50
40
TO -126
5
100
3,0
TO-126
5
3000
25..,275 0,6
100
3,0
TO-126
NPN NPN NPN NPN
80 75 40 40
700600700600700600 60 80100
9 9 9 9 5
8000 4000 1500 3000
8 ... 60 8 ... 40 8 ... 40> 25
1.0 1.0 1.0 1.2
1000 1000 1000
4.0
TO-220 TO-220
4.0 3.0
TO-126 TO-220
70
ДИСКРЕТНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ Транзисторы
* Биполярные транзисторы
Часть 8177 8177 8177 8212 8212 8212 8213 8213 8213
738 739 732 733 8224 8224 * 8225A 8228 8228 * 8229 8230 8261 8247 8248 KT538A 82481 KT8290A 8255 KT8270A KT8296A KT8296 KT8296 KT8296 KT8297A KT8297 KT8297 KT8297 KT872A KT872 KT872B KT872 *
с зажимным диод
(продолжение) C VCB VCE VEB IC Полярность контактов max, max, max, max, max, Совместимость WVVV м 5 3000 60 PNP 40 60 TIP32A 80 80 TIP32B 100100 TIP32C 5 6000 60 NPN 65 60 TIP41 80 80 TIP41B 100100 TIP41A 5 6000 60 PNP 65 60 TIP42C 80 80 TIP42B 100100 TIP42A MJE2955 PNP 75 70 60 5 10000 MJE3055 NPN 75 70 60 5 10000 TIP3055 NPN 90 70 60 5 15000 TIP2955 PNP MJE4343 NPN 125160160 7 16000 MJE4353 PNP BU2508A NPN 100 1500700 7.5 8000 BU2508D BU941ZP npn-155 350 5 15000 BU2525A BU2525D TIP35F TIP36F BUD44D2 BUL44D2 BUL45D2 BU2506F NPN NPN PNP NPN транзистора npn-NPN NPN NPN NPN транзистора npn-npn-npn-npn-125 125 125 25 40 75 90 0,7 90 100 60 0,7 10 1500 180 180 700 700 700 Vcek 1500600 Учек 1500700330600 40800180180400400700400700400160400 30 7,5 5 5 9 9 12 7,5 9 7,5 9 6 9 5 12000 25000 25000 2000 5000 5000 5000
hFE> 25 15 ... 75 15 ... 75
VCE sat, В 1,2
ICBO,
FT, Гц 3,0 3,0 3,0
Nf, дБ
Корпус (колодки) TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-218
1 .5 ICES = 400 1,5 ICES = 400 1000 1000 1000 750
100..187
20 . .. 100 1,1 20 ... 100 1,1 20 ... 100 1,1 8 ... 15 4 ... 7> 300 2,0
1.0
TO-218 TO-218 TO-218 TO-218
1.0 Iebo = 1.0 1.8
Veb = 5.0V
Iebo = 20 80 ... 150
5.0 ... 9.5 5.0 Iebo = 1.0 15 ... 75 15 ... 75> 10> 10> 22 3,8 ... 9,0 3,0 3,0
MJE13001 BU2506F BUh200 BU407 MJE13001 KSD882R KSD882O KSD882Y KSD882G KSB772R KSB772O KSB772Y KSB772R KSB772O KSB772Y KSB772G BU50810 BU509 BU508 2508 2508 9010 9010 9010 2508 2508 2508 2508 2508 2508 2508 2509 2508 2509 2508 2508 2508 2508
NPN
100
1500 1500 1200 1500 60 60 75300250160300
700700600700 60 60 75300250160250
6
1.8 Iceo = 1,0 1,8 1,0 0,65 0,1 0,65 0,1 0,5 100 3,0 Icek, мА 1,0 0,5 5 ... 90 0,5 1000 Icek, 5000 3,8 ... 9,0 3,0 1,0 10000> 10 1,0 0,1 7000> 15 1,0 1,0 0,5 5 ... 90 0,5 1000 100 3000 60 ... 120 0,5 100 ... 200160 ... 320 200 ... 400 100 3000 60 ... 120 0,5 100 ... 200160 ... 320 200 ... 400 1000 1.0 5.0 1.0> 6 1.0 0.8 0.8 0.8 100100 20 ... 100 1.0 50 ... 200 1.0 100 ... 300 1.0> 25
50 ... 250
TO-218 TO-218 TO-126 TO-220 ТО-220 ТО-218 ТО-92 ТО-218-220-220 ТО-126 ТО-126
4
4
ТО-126 4.0 TO-218
KT928A KT928 KT928B KT940A KT940 KT940B 969
NPN NPN NPN NPN NPN
0,5 0,5 0,5 10 6
5 5 5 5 5
5,0 5,0 1,0 0,05 0,05
250250250
TO-126 TO-126 TO-126 TO-126
1,0 1,0
60
TO-126
71
Дискретные полупроводники Транзисторы
* силовые биполярные Дарлингтона Транзисторы
Часть KT8115A KT8115 KT8115B KT8116A KT8116 KT8116B 8214 8214 8214 8215 8215 8215 KT8156A 8156 KT8158A KT8158 KT8158B KT8159A KT8159 KT8159 8225 8251 KT972A KT972 KT972B KT972 KT973A KT973 KT973B Закрепить в контактный Полярность Совместимость TIP127 TIP126 TIP125 TIP122 TIP121 TIP120 TIP110 TIP111 TIP112 TIP115 TIP116 TIP117 BU807 BDV65A BDV65B BDV65C BDV64A BDV64B BDV64C BU941ZP BDV65F BD875 ПНП NPN NPN PNP NPN транзистора NPN PNP NPN транзистора npn-типа NPN C макс, Вт 65 65 50 50 60 125 125 125 155 125 8. 0 VCB max, В 100 80 60100 80 60 60 80100 60 80100330 60 80100 60 80100350180 60 45 60 60 60 45 60 VCE max, В 100 80 60100 80 60 60 80100 60 80100150 200 60 80100 60 80100350180 60 45 60 60 60 45 60 VEB max, В 5 5 5 5 5 6 5 5 5 5 5 IC max, м 5000 5000 2000 2000 8000 12000 12000 15000 10000 2000 hFE> 1000> 1000> 500> 500> 100> 1000> 1000 VCE I FT, Packasat, CBO, ge Hz V 2.0 200 4 TO-220 2.0 200 4 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-218 TO-218 TO-218 ТО-218 ТО-126
2.5 1000 2,5 1000 1,5 1000 2,0 2,0 400 400
BD876
PNP
8,0
5
2000
> 300 2,7 100> 100 2,0 0,4 1,5> 750 1,5> 750 750 ... 5000 1,5 750 ... 5000 0,95 1,5> 750 1,5> 750 750 ... 5000 1,5
200
200
TO-126
* Однопереходные транзисторы
Деталь KT132A KT132 KT133A KT133 Pin to Pin P max, Vb, b2 max, Совместимость WV 2N2646 0,3 35 2N2647 2N4870 0,3 35 2N4871 Ie pulse , A 2.0 1.5 Ie rev, A 12.0 0.2 1.0 Veb sat, V 3.5 2.5 0.56 ... 0.75 0.68 ... 0.82 0.56 ... 0,75 0,70 ... 0,85 Корпус 22A-01 TO-92
* N-канальные МОП-транзисторы логического уровня
Часть 723 727 744 745 746 737 750 775 775 775 Pin to Pin Vds max, Совместимость V IRLZ44 60 IRLZ34 60 IRL520 100 IRL530 100 IRL540 100 IRL630 200 IRL640 200 2SK2498- 60 55 60 Rds (вкл.) Ом 0,028 0,05 0,27 0,22 0,077 0,4 0,18 0,009 0,009 0,011 Id max, A 50 30 9,2 15 28 18 18 50 Vgs max, V 10 10 10 10 10 10 10 20 P макс, Вт 150 88 60 88150 50 50150 Vgs (th), V 1,0 ... 2,0 1,0 ... 2,0 1,0 ... 2,0 1,0 ... 2,0 1,0 ... 2,0 1.0 ... 2,0 1,0 ... 2,0 1,0 ... 2,0 1,0 ... 2,0 1,0 ... 2,0 Комплект ТО-220 ТО-220 ТО-220 ТО-220 ТО-220 ТО-220 ТО-220 ТО-220
72
ДИСКРЕТНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ Транзисторы
* МОП-транзисторы малой мощности
Часть 501 501 501 502 503 504 504 504 504 504 504 505 505 505 505 507A 508A 5099 5099 5099 510A9 511A 511 523 523 214920 Совместимость с контактами 0,5 BSS129 BSS88 1,0 1,0 1,0 1,0 0,7 0,7 0,7 0,7 1,0 1,0 1,0 0,7 1,0 1,0 0,36 0,50 0,36 0,54 0,75 1,0 1,0 0,2 Vgs max, В 20 10 10 10 Vds max, В 240200200400400250250200180200200 50 50 60 8-50-240 240 240 200 20 350 400 200 200 60 Vgs (выкл. ), V 1.0 ... 3,0 1,0 ... 3,0 1,5 ... 2,5 1,5 ... 2,5 0,6 ... 1,2 Ом (вкл.), Ом 10 10 15 28 28 8 8 8 10 8 8 0,3 0,3 0,3 1,2 0,8 20 16 8 16 0,25 22 2,0 4,0 7,5 Id max, A 10 0,12 0,12 0,32 г фс, A / V> 0,1 0,1 0,1 0,14 Корпус TO-92 TO-92 TO-92 TO-92
BSS295
10
BSS315 BSS92 BSS131 IRML2402 TN0535 TN0540 BSS297 2N7002LT1
20 20 14 12 20 20 14 40
0,8 ... 2,0 0,8 ... 2,0 0,8 ... 2,0 0,4 ... 0,8 -0,8 ...- 2,0 -0,8 ...- 2,0 0,8 ...- 2,0 0,6 ...- 1,2 0,8 ...- 2,0 0,7 ...- 1,6 0,8 ...- 2,0 0,8 ... 2,0 0,8 ... 2,0 1,0 ... 2.5
1,4
0,5 0,5 0,5
ТО-92
-1,1 -0,15 0,1 0,25 0,1 1,2 0,14 0,48 0,34 0,115
0,06 0,14 0,06 1,3 0,125 0,5 0,5 0,08
ТО-92 ТО-92 СОТ-23 СОТ-23 ТО-92 ТО -92 SOT-23
* Power N-Channel MOSFET
Pin to Pin Vds max, Совместимость V 60 IRFZ44 723 60 IRFZ45 723 50 IRFZ40 723 726 BUZ90A 600 726 BUZ90 727 BUZ71 50 727 IRFZ34 60 700 7281,2 BUZ80A 650 7281,2 600 7281,2 60 IRFZ14 739 50 IRFZ10 739 60 IRFZ15 739 60 IRFZ24 740 50 IRFZ20 740 60 IRFZ25 740 741 IRFZ48 60 741 IRFZ46 50 742 STH75N06 60 742 STH80N05 50 Клеммы (вкл.), Ом 0.028 0,035 0,028 2,0 1,6 0,1 0,05 5,0 4,0 3,0 0,2 0,2 ​​0,3 0,1 0,1 0,12 0,018 0,024 0,014 0,012 Id max, A 50 50 50 4,0 4,5 14 30 3,0 10 10 8,3 17 17 14 50 75 80 Vgs max, V 20 20 20 20 20 20 20 20 P max, Вт 150 75 75 75 43 60 190 150 200 Vgs (th), V 2,0 ... 4,0 2,0 ... 4,0 2,0 ... 4,0 2,0 ... 4,0 2,0 ... 4,0 2,0 .. .4.0 2.0 ... 4.0 2.0 ... 4.0 Пакет TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-218
73
ДИСКРЕТНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ Транзисторы
* N-канальные полевые МОП-транзисторы
Часть 743 743 743 7431 744 744 744 745 745 745 746 746 746 747 748 748 748 749 749 749 737 737 737 750 750 750 731 731 731 751 751 751 752 752 752
Опытное производство
Pin to Pin Vds max, совместимость V 100 IRF510 80 IRF511 100 IRF512 100100 IRF520 80 IRF521 100 IRF522 100 IRF530 80 IRF531 100 IRF532 100 IRF540 80 IRF541 100 IRF542 IRFP150 100 200 IRF610 150 IRF611 200 IRF612 200 IRF620 150 IRF621 200 IRF622 20064 IRF621 200 IRF622 20064 IRF621 200 IRF622 20064 20064 IRF621 200 IRF622 20064 400 IRF710 350 IRF711 400 IRF712 40 0 IRF720 350 IRF721 400 IRF722 400 IRF730 350 IRF731 400 IRF732 IRF830 IRF831 IRF832 STP40N10 IRF740 IRF741 IRF742 IRF744 500450500100400350400450
Rds (вкл. ), Ом 0.54 0,54 0,74 0,54 0,27 0,27 0,36 0,16 0,16 0,23 0,077 0,077 0,1 0,055 1,5 1,5 2,4 0,8 0,8 1,2 0,4 0,45 0,68 0,18 0,18 0,22 3,6 3,6 5,0 1,8 1,8 2,5 1,0 1,0 1,5 1,5 1,5 2,0 0,04 0,55 0,55 0,8 0,63
(продолжение) Id max, Vgs max, AV 5,6 20 5,6 4,9 5,5 20 9,2 20 9,2 8,0 14,0 20 14,0 12,0 28,0 20 28,0 25,0 41,0 20 3,3 20 3,3 2,6 5,2 20 5,2 4,0 9,0 20 8,1 6,5 18,0 20 18,0 16,0 2,0 20 2,0 1,7 3,3 20 3,3 2,8 5,5 20 5,5 4,5 4,5 4,5 4,0 40 10,0 10,0 8,3 8,8 20
P max, W 43 40 60 88150230 36 50 74125 36 50 74
Vgs (th), V 2.0 ... 4,0 2,0 ... 4,0 2,0 ... 4,0 2,0 ... 4,0 2,0 ... 4,0 2,0 ... 4,0 2,0 ... 4,0 2,0 ... 4,0 2,0 ... 4,0 2,0 ... 4,0 2,0 ... 4,0 2,0 ... 4,0 2,0 ... 4,0
Пакет ТО-220 ТО-126 ТО-126 ТО-220 ТО-220 ТО-220 ТО-218 ТО-220 ТО-220 ТО-220 ТО-220 TO-220 TO-220 TO-220
753 753
Опытное производство
74
2,0 ... 4,0
TO-220
771 776 776 776 776
Опытное производство
20 20
150 125
2,0 ... 4,0 2,0 ... 4.0
TO-220 TO-220
74
ДИСКРЕТНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ Транзисторы
* Полевые МОП-транзисторы с N-каналом питания
Часть 777 777 777
Опытное производство
Pin to Pin Vds max, Совместимость V 500 IRF840 450 IRF841 500 IRF842 IRFP250820FP4 IRF821 IRF822 IRFP350 IRF3205
Pilot Pilot
Rds (on), Ом 0.85 0,85 1,1 0,085 0,4 3,0 3,0 4,0 0,3 0,008 3,0 0,9 0,008
(продолжение) Id max, Vgs max, AV 8,0 20 8,0 7,0 30,0 14,0 2,5 2,5 2,2 16,0 70,0 4,0 8,0 80,0 20 20 20 20 20 20 20 20
P max, W 125
Vgs (th), V 2.0 ... 4.0
Пакет ТО-220
778 779
Опытное производство
200500500450500 400 55800600320
1
50 1
100150250
2.0 ... 4.0 2.0 ... 4.0 2.0 ... 4.0 2.0 ... 4.0 2.0 ... 4.0 2.0 ... 4.0 2.0 ... 4.0 2.1 ... 4.0
TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO -220 TO-220 TO-220 TO-220
780 780 780 781
Опытное производство
783
Опытное производство
786
Производство
BUZ80A BUZ91A BUZ111S
787
Производство
789
Опытное производство
* Канальные MOSFET для питания P-
784A 785A 796
В разработке
Pin to Pin Vds max, Совместимость V IRF9Z34 -60 IRF9540 -100 IRF9634 -250
Rds (вкл. ), Ом 0.14 0.20 1.0
Id max, A -18.0 -19.0 -4.3
Vgs max, V 20 20 20
P max, W 88150 74
Vgs (th), V -2.0 ...- 4.0 -2.0 ...- 4,0 -2,0 ...- 4,0
Комплект ТО-220 ТО-220 ТО-220
75

Сверхмощный шнек RanchEx диаметром 9 дюймов для деловых и промышленных предприятий 32baar.com

  1. Home
  2. Business & Industrial
  3. Тяжелое оборудование, запчасти и навесное оборудование
  4. Навесное оборудование для тяжелого оборудования
  5. Копатели для ямок с опорой на столб
  6. 9-дюймовый шнек RanchEx

9-дюймовый диаметр Heavy Duty 9-дюймовый шнек Ranch



Шнек для тяжелых условий эксплуатации диаметром 9 дюймов RanchEx

Шнек для тяжелых условий эксплуатации диаметром 9 дюймов - RanchEx 856206004379.Сменные режущие зубья и болт на наконечнике. УДИВИТЕЛЬНАЯ ПОДДЕРЖКА ..

Сверхмощный шнек RanchEx диаметром 9 дюймов

Akro-Mils Cross-Stack Akro-Tub 34303 Серый 23 x 17 x 8 6 упаковок, GN4C ---- B5 --- 21 ИННОВАЦИОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ Стальная шариковая ручка, 1 1/2 дюйма, 1 / 4-20,1 5 / 8 дюймов, Mitutoyo 050101 Устройство определения края хвостовика наконечника. 200 дюймов диаметром 3/8 дюйма, транзистор TIP62A СССР Лот из 4 шт. BD166 KT814B = BD136 TIP30A, -40 ~ 105c Кол-во Panasonic 1800 мкФ 25 В Алюминиевые радиальные конденсаторы 8 мм X 11,5 мм 2, большие Силовой портативный прочный сварочный аппарат IGBT DC Inverter MMA Welders Glasses. TS5A3159DBVR TI 1-R АНАЛОГОВЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ SOT23-6. 50 рулонов термобумаги 2-1 / 4 X 50 Verifone Vx520 Ingenico ICT220 ICT250 FD400 50, 10x GE 96716 Ge432mvps-N T8 120-277v Люминесцентная балластная лампа с затемнением 4N, 63a 4p Автоматический переключатель ATS с двойным питанием Литой AC-33iB 110V 50Hz / 60 Гц, 50 1 / 4-28x5 / 16 Винты с шестигранной головкой под торцевой ключ, легированная сталь. 6x6 мм 1/4 "x1 / 4" Магнит на холодильник 6 мм x 6 мм Сверхпрочные неодимовые магниты для дисков. Март 0150-0098-0200 Рабочее колесо для TE-5C-MD. 5 шт. HUF75339P3 75339P N-канальные силовые полевые МОП-транзисторы UltraFET.Прозрачные прозрачные наклейки в виде точек в круге 500 наклеек в рулоне 3 дюйма круглой формы. 10шт 0,0237 дюйма 0,6 мм твердосплавные наконечники для гравировки печатных плат ЧПУ, хвостовик 1/8 дюйма, 2 сменных фильтра для воды EV9612-22 Картридж фильтра Everpure i2000, M1 M1.2 M1.4 M1.6 M1.7 M3 Phillips с круглой головкой Self- Саморезы Цинк 100шт.

Сверхмощный шнек RanchEx диаметром 9 дюймов

B10 Лот из 2 рулонов изолированной ленты AA59163-1-I-0030 Деловые и промышленные клеи, герметики и ленты

B10 Лот из 2 рулонов изолированной ленты AA59163-1-I-0030

Лот из 2 рулонов изолированной ленты Лента AA59163-1-I-0030 (В10).Лот 2 рулона изоленты. Коммуникация является ключевым моментом .. Состояние: Новое другое (см. Подробности): Новый, неиспользованный предмет без каких-либо следов износа. Товар может отсутствовать в оригинальной упаковке или быть в оригинальной, но не запечатанной. Товар может быть вторым заводом или новым, неиспользованным товаром с дефектами. См. Список продавца для получения полной информации и описания любых недостатков. См. Все определения условий , Примечания продавца: «Без оригинальной упаковки и на складе». ,。









B10 Партия из 2 рулонов изолированной ленты AA59163-1-I-0030

KT814B = Транзистор BD136 TIP62A СССР Лот из 40 шт. BD166 TIP30A, Rh3BUL110120VAC НОВАЯ КОРОБКА IDEC Rh3B-UL-110-120VAC, 3M 07447 Scotch-Brite Коробка для ручек общего назначения, 20 шт., 10x квадратных 8x8 мм 6-контактных кнопок DPDT -блокирующий переключатель мультиметраN * SS, 1/2 "-1" 2-ходовой шаровой кран с электроприводом из нержавеющей стали 110–230 В с вилкой для США из США.Алюминиевый лист 3 мм 100x100x3 мм Алюминий Almg 3 планка лицевой панели 38,76 € / м, 2 заглушки для ключей O4N L13. 2x 18483 Черно-белая Перманентная лента с промышленными этикетками для Dymo Rhino 5200, THFP63DPK General Electric 600V QMR THFP Монтажное оборудование автоматического выключателя, M8 НЕРЖАВЕЮЩАЯ СТАЛЬ A2 DOME NUTS QTY = 15, НОВАЯ Ультра портативное устройство для запуска двигателя от солнечных батарей CS1000 900A 12 В с Фонарик. *** LOT AU CHOIX DE 1 * 2 OU PANACHE VOYANTS RONDS MINIATURES 24V DC ***, Руководство по запчастям для трактора Caterpillar 615C серии II 9XG1 и более поздних версий, размеры 24 "72" 96 "120" Аптека. Открыт БАННЕРНЫЙ ЗНАК 48 ".S TO-126N TOS 5PCS X TTC004B, Q. Hydraulik Schraubkupplung Muffe 12L 18x1,5 Baugröße 3. Цифровой измеритель напряжения 1-10 шт. DC100V 10A Вольтметр Амперметр Синий + красный светодиодный усилитель Dual. Силовой биполярный транзистор 5A I CEO BR TO-220AB 400V V 5x Motorola BUL45 C, CARBONE EG367 CARBON BRUSH NEW NO BOX *.


ИНТЕГРАЛЬНЫЙ КТ3117А

DtSheet
    Загрузить

ИНТЕГРАЛЬНЫЙ КТ3117А

Открыть как PDF
Похожие страницы
TGS MJE13001
ETC BC182 / D
ETC MJE13001
ETC HEXFETPOWERMOSFETS
ETC IRFZ14STRR
ISC KSD362
МИКРОЛИНЕЙНЫЙ ML4819
IRF IRFZ14S / L
PHILIPS BU2525DW
IRF IRFI3205PBF
КОДЕНШИ КК91214АН
ИНТЕРСИЛ IRF820
ИНТЕРСИЛ IRFP9150
ДИОДЫ ZVN2120GTA
ONSEMI BC182A
ALLEGRO SLA7042
FAIRCHILD ML4819CS
ETC TCA785
TYSEMI IRF3205
ISC MJE13004
SAVANTIC BU2508D
SAVANTIC BU508D

dtsheet © 2021 г.

О нас DMCA / GDPR Злоупотребление здесь

Multivibrador de sonido en transistores.Una selección de esquemas simples y eficientes. Multivador asimétrico en transistores de Diferentes estructuras.

Parpadeando en LEDs o cómo ensamblar un multitivibrador simétrico con sus propias manos. El diagrama de un multivibrador simétrico se estudia y se ensamblan necesariamente en los círculos electrónicos. El esquema multivibrador es uno de los más famosos y frecuentemente utilizados en diversas estructuras electrónicas. Multivibrador simétrico cuando el trabajo genera oscilaciones en forma que se aproxima a rectangular.La simplicidad del multivibrador se debe a su disño, esto es solo dos transistores y varios elementos adicionales. El maestro te invita a reunir tu primera. электрическая схема Parpadeando и светодиоды. ¿Qué no se sentiría decepcionado en caso de fracaso, a continación se detallan? инструкция пасо на Монтандо с лас-маносом-де-ун-мульлибрадором перемежающимся светодиодами с фотографиями и иллюстрацией видео.

Комбинированная мигалка и светодиоды Hágalo usted mismo

Un poco de teoría El multivibrador es esentialmente un ampificador doble en transistores VT1 y VT2 con una cadena positiva realimentación A través del конденсатор C2, электролитический вход в каскады усиления на транзисторах VT2 и VT1.Tales comentarios convierten el esquema al generador. El nombre Multivibrador simétrico se debe a los mismos parámetros de los parámetros de los elementos R1 = R2, R3 = R4, C1 = C2. Con tales valores de los elementos, el multivibrador generará pulsos y pausas entre los pulsos de igual duración. La frecuencia de los pulsos se establece en mayor medida a los valores de los pares R1 = R2 y C1 = C2. Control La duración de los pulsos y las pausas puede ser posible por los destellos de los LED.Cuando violan la igualdad de elementos de steam, el multivibrador se vuelve asimétrico. La asimetría se deba Principalmente a la diferencia en la duración del pulso y la duración de la pausa.

Мультивибрадор, установленный на переходниках, точках, требующихся электролитических сопротивлениях, электролитических конденсаторах и светодиодах для индикации мультивибрадоров. La tarea de adquirir partes y tarjeta de circuito impreso Se resuelve fácilmente. Aquí hay un enlace a la compra de un concunto de detalles terminado. http://ali.pub/2bk9qh . Этот набор включает в себя все пьезоэпизоды, площадь изображения, размеры которой составляют 28 мм × 30 мм, un esquema, un esquema de montaje y una especificación. Prácticamente no hay errores de ubicación en el patrón de placa de circuito impreso.

Составной мультивибрадор

Continuaremos a reunir el esquema, necesitará un hierro de soldadura de baja Potencia, un flujo para soldar, soldadura, tableros y baterías.El esquema es simple, pero debe recogerse correctiveamente y sin errores.

  1. Echa un vistazo a los contenidos del paquete. Decry el código de color de las resistencias e instálelas en la tarifa.
  2. Resistores de soldadura y muerden los restos sobresalientes de los electrodos.
  3. Los Condensadores electrolíticos deben colocarse en la placa de cierta manera. En la colocación correa, el esquema de montaje y el patrón en la pizarra lo ayudarán. Лос-конденсаторные электролитические электроды имеют отрицательную марку электродов ан-ла-каркаса, и электроды положительно лежат на больших расстояниях.La ubicación del electrodo negativo en la placa está en la parte sombreada de la designación del columnsador.
  4. Установите конденсаторы в тарифе и продавцы.
  5. Colocando transistores en el tablero estrictamente por clave.
  6. Los LED tienen tienen polaridad de electrodos. Ver foto. Instalarlos y soldarlos. Trate de no sobrecalentar este artículo al soldar. Добавлен светодиод LED2, установленный на устойчивость R4 (с видео).

    Светодиодная лампа установлена ​​на мультивибрадорной площади.

  7. Se vende de acuerdo con la polaridad de losconductores de energía y el voltaje de suministro de las baterías. Con un voltaje de suministro de 3 voltios, los LED se convirtieron juntos. Después de una segunda decepción, se presentó el voltaje de tres baterías y los LED comenzaron a parpadear alternativamente. La frecuencia multivibrador depende de la tensión de suministro. Dado que el esquema se instaló en un juguete con las comidas de 3 voltios, tuve que reemplazar las resistencias R1 y R2 en las resistencias con un par 120 kΩ, se logró un Destello alternativo Claro.Ver el vídeo.

Parpadeando en LEDs - Multivibrador simétrico

La aplicación de un esquema multivibrador simétrico es bastante ampio. Los elementos de los esquemas multivibradores se encontrarán en tecnología de computación, medición de radio y equipos médicos.

Подробные сведения о вспышках, установленных на светодиодах, которые включены в комплект поставки http://ali.pub/2bk9qh . Si quieres Practicar seriamente la soldadura.Простые конструкции El Maestro Recomienda, состоящие из 9 наборов, lo que ahorrará en gran medida sus costos de envío. Aquí hay un enlace para comprar. http://ali.pub/2bkb42. . Эль маэстро воссоединение todos los Concuntos y se ganaron. Éxitos y habilidades de crecimiento en soldadura.

En este artículo, informaremos sobre el multivibrador, ya que funciona, formas de conectar la carga en el multitivibrador y el cálculo del multitivibrador simétrico del transistor.

Multivibrador - Это простой генератор прямоугольных импульсов, который функционирует в режиме Autoganador. Es necesario para su operación solo energía de la batería, u otra fuente de energía. Рассмотрим мультивибрадор simétrico más fácil de los transistores. El diagrama se Presenta en la imageen. El multivibrador puede ser сложная зависимость de las funciones necesarias realizadas, pero todos los elementos presentados en la cifra son Obligatorios, no habrá multivibrador sin ellos.

El funcionamiento de un multivibrador simétrico se basa en los process de carga y descarga de Capacitores que se forman junto con resistencias de cadena RC.

Acerca de cómo funcionan las cadenas RC, escribí anteriormente en mi artículodensador, que puede leer en mi sitio. En Internet, si encuentra un material sobre un multivibrador simétrico, se presenta brevemente, y no esible. Esta circunstancia no permite que los amateurs de radio novatos entiendan nada, sino que solo ayuda a Experimentar Electrónicos or recordar nada.A petición de uno de los visitantes de mi sitio, decidí excluir esta brecha.

¿Cómo funciona el multivibrador?

En el momento inicial de la alimentación de suministro, los condencadores C1 y C2 se descargan, por lo tanto, su resistencia actual es pequeña. La pequeña resistencia de los Concondadores Purce al hecho de que la apertura "Rápida" de los transistores causadospor el flujo actual está ocurriendo:

- VT2 en el camino (que se muestra en rojo): "+ fuión de alimento" > resistencia R1> pequeña resistencia del C1 descargado> Transición de emisor básico VT2> - Fuente de alimentación ";

- VT1 a lo largo del camino (que se muestra en azul): "+ fuente de alimentación> resistencia R4> PEQUEÑA RESISTENCIA DE LA TRANSICIÓN C2> Transición de emisor básicoe de VT1.

Este es un modo de operación "inestable" del multivibrador. Dura un tiempo muy pequeñoterminado solo por la velocidad de los transistores. Y los dos son absolutamente los mismos en los parámetros del transistor no existen. ¿Qué transistor se abrirá más rápido, permanecerá abierto? Эль "ганадор". Supongamos que en nuestro esquema resultó ser VT2. Проследите, чтобы путь к основному сопротивлению конденсатора C2 был загружен и восстановлено сопротивление преобразователя коллектора VT2, основанного на транзисторе VT1, установленном на преобразователе VT1.В результате транзистор VT1 обязательно должен быть обозначен: "Ser derrotado".

Dado que el transistor VT1 está cerrado, la carga "rápida" del Condender C1 a lo largo de la forma: "+ Fuente de alimentación> Resistencia R1> PEQUEÑA RESISTENCIA DE LA TRANSICIná de Transición de Transición C1 \ u00 básico VT2> - Fuente de alimentación ". Este cargo ocurre casi a la tensión de la fuente de alimentación.

Al mismo tiempo, el condencador C2 es el condender de polaridad inversa a lo largo de la forma: "+ fuente de alimentación> resistencia R3> PEQUEÑA RESISTENCIA DE LA TRANSICIÓN C2> Transición decaris-decaris-decaris-decaris-decaris-decaris-emoris decaris-emoris decaris-decaris-emoris decaris-decaris decaris-emoris decaris-emoris decaris-emoris decaris-emoris de car. VT2> - Fuente de alimentación ".La duración de la carga estáterminada por las tasas R3 y C2. Determinen el tiempo en que VT1 está en un estado cerrado.

Конденсатор C2 Cobra с приблизительным напряжением 0,7–1,0 вольт, с дополнительным сопротивлением и транзистором VT1, который не работает с напряжением, применяемым в локальном режиме: "+ fuente de alimentaci. > resistencia R3> Transición de emisor básico VT1> - Fuente de alimentación. En este caso, el voltaje del condender C1 cargado, través de un colector abierto, el emisor de transiciónvers de un colector abierto, el emisor de transiciónvers de la VT1 se aplicadará de emisor básico.Como resultado, VT2 se cerrará, y la corriente que pasó previamente a través del colector abierto-Emiss Transition VT2 se ejecutará a través de la cadena: "+ fuente de alimentación> resistencia R4> PEQUEÑA emacis u003e & reg; VT1> - Fuente de alimentación. Según esta cadena, se producirá un regocijo rápido de C2 Condender. A partir de este punto, comienza el régimen "establecido" de la autodogenración. "instalado"

Comienza el primer semestre de operación (fluaciones) del multivibrador.

Con un transistor abierto VT1 y CERRADO VT2, como simplemente escribí, se производит un regocijo rápido del condenador C2 (с напряжением 0,7 ... 1,0 вольт поляридада, вольтажом в питании от источника питания). polaridad opuesta) por cadena: "+ Fuente de alimentación> Resistor R4> PEQUEÑA RESISTENCIA C2> Transición de emisor básico VT1> - Fuente de alimentación". Además, hay un Capacitor de liberación lento C1 (desde el voltaje de la fuente de alimentación de una polaridad, un voltaje de 0.7 ... 1,0 voltios de la polaridad opuesta) por cadena: "+ fuente de alimentación> resistencia R2> Operación correa C1> Operación izquierda C1> COLECTOR La transición del emisor fu del transistor es un una VT1> de alimentación ".

Cuando, в результате чего восстановлен C1, напряжение базы данных VT2 изменено, и значение +0,6 напряжения при изменении напряжения с эмиссором VT2 было отключено от транзистора. Por lo tanto, el voltaje del condender C2 cargado, través de un colector abierto, la transición del emisor VT2 se aplicará a la polaridad inversa del транзистор-базисный VT1.Vt1 se cierra.

Comienza el segundo semestre de la operación (oscilación) del multivibrador.

Con un transistor abierto VT2 y CERRADO VT1, el columnsador C1 se vuelve a cargar rápidamente (a partir del voltaje de 0.7 ... 1.0 voltios de una polaridad, al voltaje de la fuente de alimentación de la polaridad opuesta) por cadenas: "+ fuente de alimentación> Resistor R1> PEQUEÑA RESISTENCIA C1> Emisor de base Transición VT2> - Fuente de alimentación.Además, hay una recarga lenta del condenador C2 (desde el voltaje de la fuente de alimentación de una polaridad, unatensión de 0,7 ... 1,0 voltios de la polaridad opuesta) por cadena: "Operación derecha C2> Color- emisor Transistor Transistor VT2> - Fuente de alimentación> + Fuente de alimentación de origen> Resistor R3> Operación izquierda C2 ". Срабатывает напряжение на базе данных VT1 с изменением напряжения +0,6 напряжения в относительном напряжении с эмиссором VT1, которое используется транзистором.Por lo tanto, el voltaje del конденсатор C1 cargado, través de un colector abierto, el emisor de transición VT1 se aplicará a la polaridad inversa del транзистор-базис VT2. Vt2 se cierra. En esto, el segundo medio período de la vibración del multivibrador termina, y el primer semestre comienza de nuevo.

El processso se repite hasta que el multivibrador se apaga de la fuente de alimentación.

Formas de conectar la carga a un multitivibrador simétrico.

Los Pulsos rectangulares se ellean de dos puntos de un multivibrador simétrico - Coleccionistas de transistores.Cuando hay un потенция "alto" en un colector, luego en otro colector: el потенция "bajo" (falta) y наоборот, cuando se encuentra en un Potencial "bajo" de salida, luego, en el otro, "alto". Esto se muestra claramente en la tabla temporal descrito a continación.

Мультивибрадор может быть соединен в параллельном соединении с одним из сопротивлений сборщика, перо на нингун, который находится в параллельном соединителе транзисторов с эмиссионным преобразователем. ВНИМАНИЕ !!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!! Невозможно найти транзистор. Si esta condición no realiza, al menos, la duración de los pulsos cambiará, y como máximo, el multivibrador no funcionará.La siguiente figura muestra cómo conectar la carga rightamente, pero cómo no lo hacen.

Para que la carga no afecte al propio multivibrador, debe tener suficiente resistencia de entrada. Para esto, se usan las cascadas del transistor de tampón.

Se muestra el ejemplo conexión de la cabeza dinámica de bajo volumen al multivibrador . Дополнительное сопротивление сопротивлению энтрада де ла каскада буфера у, пор ло танто, исключение эффекта каскада буфера и мультивибрадора транзистора.Su valor no debe menos de 10 veces para exceder el valor de la resistencia del colector. Conexión de dos transistores de acuerdo con el esquema de "Transistor Compuesto" значительно важнее корриенте де солида. В этом случае правильная схема соединения базового каскада буфера на параллельном сопротивлении мультивибрадора коллектора отсутствует, и нет никаких параллелей в переходе эмиссора сборки мультивибрадора транзистора.

Para conectarse a un multivibrador de una cabeza dinámica de alta ala La cascada del búfer no es necesaria.La cabeza está conectada en lugar de una de las resistencias del colector. Se debe realizar una condición única: la corriente que pasa por el cabezal dinámico no debe exceder la corriente máxima del colector de transistores.

Si desea conectar LED конвенциональные мультивибрадоры - Haz un "flasher", входит в каскады буфера без каких-либо требований. Se pueden conectar constantemente con resistencias colectoras. Esto se debe al hecho de que la corriente LED es pequeña, y la caída de voltaje durante el funcionamiento de no más de un voltio.Por lo tanto, no tienen efecto en la operación del multivibrador. Es cierto que esto no se aplica a LED súper amurallados, que tienen una corriente de trabajo anterior, y la caída de voltaje puede ser de 3.5 на 10 вольт. Pero, en este caso, hay una salida: aumente el voltaje de suministro y use transistores con una alta Potencia, proporcionando una corriente de colector suficiente.

Tenga en cuenta que los columnsadores de óxido (electrolítico) están conectados por ventajas a los colectores de transistores.Esto se debe al hecho de que en las base de los transistores bipolares, el voltaje no aumenta por encima de 0.7 voltios en relación con el emisor, y en nuestro caso, los emisores son menos poderes. Pero en los colectores de transistores, el voltaje varía casi de cero a la tensión de la fuente de alimentación. Los Condenses de óxido no son capaces de realizar su función cuando están conectados por polaridad inversa. Naturalmente, si aplica los transistores de otra estructura (no NPN, A Estructura PNP), Además de cambiar la polaridad de la fuente de energía, es necesario implar los LED con los cátodos "Arriba de acuerdo con el Esquema", y конденсатор, вентилируемый Лас-базисы данных-лос-транзисторов.

Vamos a entender ahora ¿Cuáles son los parámetros de los elementos multitivibradores Especifique las corrientes de salida y la frecuencia de generación multitivibrador?

¿Cuáles son las tasas de resistencias del colector? Me reuní en algunos artistas mediocres de Internet que las resistencias de coleccionistas se realizan ligeramente, pero afectan la frecuencia multivibradora. ¡Todo esto es completeto sin sentido! Con el cálculo correo del multivibrador, la desviación de los valores de estas resistencias es mayor de cinco veces a partir de la calcada, no cambiará la frecuencia del multibulador.Lo primary es que su resistencia es menos resistencias básicas, ya que las resistencias del colector proporcionan una carga rápida de columnsadores. Pero, pero las calificaciones de las resistencias del colector son los Principales, para calcular la потенция consumida de la fuente de energía, cuyo valor no debe exceder la Potencia de los transistores. Si te averiguas, entonces conexión correa Incluso en Potencia de salida Influencia directa El multivibrador no proporciona. Pero la duración entre la conmutación (la frecuencia del multivibrador) является определением по ла рекарга "лента" де лос конденсадорес.El Tiempo de recarga - это детерминированный пор лас тасас RC де лас каденас: базовые сопротивления и конденсаторы (R2C1 и R3C2).

El multivibrador, aunque se llama simétrico, esto se aplica solo a los circuitos de su construcción, y puede producir pulsos de salida simétricos y no simétricos. Duración del Pulso (nivel alto) El colector VT1 является детерминированным портом R3 y C2, y la duración del pulso (nivel alto) en el colector VT2 is definedado por R2 y C1.

La duración de la reducción de los columnsadores estáterminada por la fórmula simple donde Tau - Duración del pulso en segundos, R. - Resistencia de la resistencia en Omah, DESDE - Capacitancia de capitancia en las ácaras:

Por lo tanto, si ya no ha olvidado escrito en este artículo para un par de párrafos anteriores:

u0003 = 9002 R2 R3. y C1 = C2. En las salidas multivibrador, habrá "serpenteas", pulsos rectangulares con una duración de igual a las pausas entre los pulsos que ve en la figura.

Período complete de la oscilación del Medivibrador - T. igual a la suma de los duraciones de pulso y pausa:

Frecuencia de oscilaciones. F. (Hz) está asociado con un período T. (SEC) a través de la proporción:

Como regla general, en Internet, si hay algún cálculo de papeles de radio, entonces son escasos. por lo tanto calcule los elementos de un multivibrador simétrico usando el ejemplo. .

Al igual que cualquier cascada de transistores, el cálculo debe realizarse desde la salida final.Y en la salida valemos una cascada de búfer, entonces las resistencias del colector son. Сопротивления коллектора R1 и R4 реализуют функцию транзистора. Las resistencias del colector no tienen ninguna influencia en la frecuencia de generación. Se Calculan en Función de los parámetros de los transistores seleccionados. Por lo tanto, primero calcamos resistencias colectivas, luego resistencias básicas, luego condencadores, y luego una cascada de búfer.

Заказ на вычисление мультивибрадора или симметричный транзистор.

Datos iniciales:

Fuente de alimentación Ui.p. = 12 В. .

La frecuencia Requerida del multivibrador. F = 0,2 Гц (T = 5 segundos) , y la duración del pulso es igual. 1 (un segundo.

Como una carga, se usa una bombilla incandescente automotriz en 12 voltios, 15 vatios .

Como adivinó, calcaremos el "Flasher", que parpadeará una vez en cinco segundiós, y del duracandiós es 1 segundo.

Выберите Transistores для мультивибратора. Por ejemplo, tenemos los transistores más comunes en los tiempos soviéticos. Кт315г .

Паралл .: PMAX = 150 МВт; Imax = 150 мА; h31> 50. .

Los transistores para la cascada del búfer se eligen en función de la corriente de carga.

Para notifyar el esquema dos veces, ya he firmado las nominaciones de los elementos en el diagrama. Su cálculo se proporciona más tarde en la decisión.

Decisión:

1. En primer lugar, es necesario comprender que el funcionamiento del transistor en altas corrientes en el modo clave es más seguro para el Transistor en sí mismo que el trabajo en modo de refuerzo. Por lo tanto, el cálculo de la energía para el estado de transición en el momento del paso de la señal de la variable, través del punto de operación "IN" del modo estático del transistor: la transición del estado abierta en el cerrado y la espalda no es necesaria.Para esquemas de pulsoconstruido por transistores bipolares, Normalmente Calcula la Potencia para los transistores en el estado abierto.

Пример, пример определения максимального потенциала транзисторов, который следует за максимальным потенциалом транзистора в директории с 20 порциями (коэффициент 0,8). Pero, por qué deberíamos conducir un multivibrador en un marco duro de grandes corrientes? Sí, y OT aumento de poder El consumo de energía de la fuente de alimentación será grande, y hay pocos beneficios.Por lo tanto, определитель la disipación de Potencia máxima de los transistores, lo que lo redujo 3 veces. Una disminución adicional en el poder de disipar es undeseable porque el funcionamiento del multibulador en los transistores bipolares en el modo de corriente débil es el fenómeno "no resistente". Si la fuente de alimentación se usa no solo para el multivibrador, o no es bastante estable, "nadará" y la frecuencia del multivibrador.

Определить максимальную дисперсию потенции: PRAS.MAX = 0,8 * PMAX = 0,8 * 150 МВт = 120 МВт

Определение номинального значения мощности дисперсии: PRAC. = 120/3 = 40mw

2. Определите la corriente del colector en el estado abierto: IK0 = PRAC. / Ui.p. = 40 мВт / 12в = 3,3 м

Lo tomaremos para el colector de corriente máximo.

3. Encuentre el valor de la resistencia y la Potencia de carga del colector: RK.

Elegimos en una gama nominal existente de resistencias lo más cerca posible de 3.6 ком. En la gama nominal de resistencias, hay un valor nominal de 3.6 com, por lo tanto, consideramos el valor de las resistencias del colector R1 y R4 del multivibrador: Rk = r1 = r4 = 3.6 com .

Элемент сопротивления коллектора R1 и R4 по существу соответствует номинальному сопротивлению транзисторов PRAC. = 40 МВт. Utilizamos resistencias con un poder que de el PRAC especificado. - Типо МЛТ-0,125.

4. Pasemos al cálculo de las resistencias básicas R2 y R3 .Sus denominaciones se encuentran en función de la ganancia de los transistores h31. Al mismo tiempo, para un funcionamiento confiable del multivibrador, el valor de resistencia debe estar dentro de: 5 veces la resistencia de las resistencias del colector, y menos que el producto RK * h31. En nuestro caso RMIN = 3,6 * 5 = 18 ком, y rmax = 3,6 * 50 = 180 ком

Por lo tanto, los valores de resistencia RB de RB (R2 y R3) pueden estar en el rango де 18 ...180 ком. Preseleccione el valor promedio = 100 ком. Pero finalmente no es, ya que debemos proporcionar la frecuencia multivibradora deseada, y como escribí anteriormente, la frecuencia multivibradora depende directamente de las resistencias básicas R2 y R3, así como en losdensadores de los columnsadores.

5. Расчет емкости конденсаторов C1 y C2 y, si es necesario, vuelva a calcular los valores R2 y R3. .

Конденсатор конденсатора C1 и сопротивление резистора R2 определено по прочности пульсирующего солида и сборщика VT2.Es durante la acción de este impulso que nuestra bombilla debe encenderse. Y la condición se estableció en la duración del pulso de 1 segundo.

определить конденсаторную емкость: C1 = 1 SEK / 100 км = 10 мкФ

Конденсатор, емкость 10 мкФ доступна в номинальном режиме, по умолчанию соответствует условию.

Значения емкости конденсатора C2 и устойчивости к сопротивлению R3 являются определенными средними параметрами пульсирующего солидола на сборщике VT1.Fue durante la acción de este pulso en el colector VT2 "Pausa" y nuestra bombilla no debe brillar. Y la condición se estableció un período complete de 5 segundos con una duración del pulso de 1 segundo. Por lo tanto, la duración de la pausa es igual a 5 segundos - 1Sek = 4 segundos.

Convertir una duración de la duración de la recarga, nosotros определяет емкость конденсатора: C2 = 4SEK / 100KOM = 40 мкФ

Конденсатор, номинальная емкость 40 мкФ, номинальная мощность в диапазоне que no nos conviene, y llevaremos al contestador lo más cerca posible de él con una capacity de 47 microfin.Pero como entiendes, el tiempo "Pausa" cambiará. Para que esto sucediera nosotros resistencia de resistencia recalcula R3 Basado en la duración de la pausa y la Capacitancia del Condensador C2: R3 = 4x / 47 мкФ = 85 com

De acuerdo con la filora nominal, más cercano de la resistencia de la resistencia es de 82 com.

Entonces, obtuvimos las nominaciones de los elementos multivibradores:

R1 = 3,6 ком, r2 = 100 ком, r3 = 82 ком, r4 = 3.6 ком, С1 = 10 мкФ, С2 = 47 мкФ .

6. Calcule el valor de la resistencia de la cascada R5 del búfer. .

Resistencia de una resistencia Restrictiva adicional R5 для устранения эффекта на мультивибрадоре, которое выбрано из двух элементов, 2 veces la resistencia de la resistencia del colector R4 (y en algunos casos más). Su resistencia, junto con la resistencia de las transiciones básicas de emisor, VT3 y VT4, en este caso, no afectará los parámetros multivibradores.

R5 = R4 * 2 = 3,6 * 2 = 7,2 ком

Bajo el número nominal, la resistencia más cercana es de 7.5 com.

En la proporción de la resistencia R5 = 7,5 kΩ, la corriente de control de la cascada del búfer será:

IURPR. = (Ui.p. - ube) / r5 = (12v - 1,2v) / 7,5k = 1,44 ma

Además, como escribí anteriormente, la carga nominal de Transistor Multivibrator Multivibrator Multi-Caliber no afecta su frecuencia, por lo que si no tiene tal resistencia, puede reemplazarlo a otro "Cerrar" номинальный (5... 9 ком). Mejor, si depende de la reducción, de modo que no haya caída en la corriente de control en la cascada del búfer. Pero tenga en cuenta que la resistencia adicional es una carga adicional del transistor VT2 multivibrador, por lo que la corriente que viene a través de esta resistencia se pliega con la resistencia de colector R4 de corriente y es la carga para el transistor VT2: IOBSCH = ИК + ИУПР. = 3,3 м + 1,44 м = 4,74 м

Суммарная нагрузка на коллектор транзистора VT2 в нормальном состоянии.Если требуется, чтобы увеличить максимальное количество ссылок и мультипликаторов на коэффициент 0,8, обеспечить достаточное сопротивление R4 и использовать резервный транзистор с потенциалом.

7. Necesitamos proporcionar una corriente en la bombilla. En = ph / ui.p. = 15 Вт / 12 В = 1,25 a

Pero la corriente de control actual de la cascada del búfer es de 1,44º. La corriente multivibradora debe aumentarse igual a la proporción:

IU / IURP.= 1,25a / 0,00144a = 870 veces .

¿Cómo hacerlo? Para una ganancia de Corriente Meaning. Используйте каскады транзисторов, которые конструируют акустику с эскемой «транзисторных вычислений». Праймерный транзистор suele ser bajo (usaremos CT361G), tiene la ganancia más grande, y la segunda debe proporcionar suficiente corriente de carga (no tome menos comunes KT814B). Luego, sus coeficientes de transferencia h31 se multiplican. При этом транзистор CT361G h31> 50, транзистор KT814B es h31 = 40.Общий коэффициент передачи транзисторов, в том числе acuerdo con el esquema de "transistor compuesto": h31 = 50 * 40 = 2000 . Esta cifra es mayor que 870, por lo que estos transistores son suficientes para control la bombilla.

¡Bueno eso es todo!

Мультивибрадор en los transistores es un generador de señales rectangulares. Продолжение на фото на осцилограммах мультивибрадора.

Un multivibrador simétrico genera pulsos rectangulares con dos camas.Conozca más sobre el estándar se puede leer en el generador de frecuencia de artículos. Принцип использования мультивибрадора и симулятора, который используется для альтернативного использования светодиодов.


El esquema consiste en:

- Dos KT315B (usted puede con cualquier otra carta)

- Dos слушатели с емкостью 10 микрофрейдов.

- Куатро, 300 ом и 27 км.

- Светодиодные брюки чинос Dos на 3 светодиода.


Así es como el dispositivo se parece a una tarifa por lotes:


Y así funciona:

Para cambiar la duración de la morgue de los LED, puede los valores de los valores de los valores , o las resistencias R2 y R3.

También hay otras variedades de multivibradores. Puedes leer más sobre ellos. Тамбиен описывает принцип работы мультивибрадора.

Alguien que recolecte dicho dispositivo, puede comprar listo 😉 en Alik, incluso encontré el dispositivo terminado. Puedes mirar por esta Enlace.

Aquí hay un video donde se description en detalle cómo funciona el multitivibrador:

En este artículo, diré en detalle cómo hacer un multivibrador que es el el primer esquema casi cada segundo aficionado de la radio.Como sabemos, el multivibrador se llama dispositivos electrónicos generadores. oscilaciones eléctricasCerrar в форме прямоугольника, который отражается на солнце: "MULTI-AUSE", "VIBRO - Oscilación". En otras palabras, el multivibrador es un generador de pulso rectangular de tipo relajación con retroalimentación positiva capacitya resistencia, используя усиление каналов и anillo de retroalimentación positivo. Cuando se opera un multivibrador en el modo de autoesalación, производит Pulsos rectangulares Repetidos periódicamente.La frecuencia de los pulsos generados setermina mediante los parámetros de la cadena actual, las propiedades del circuito y el modo de su Potencia. La frecuencia de las auto-oscilaciones también afecta a la carga conectada. Por lo general, el multivibrador se utiliza como un generador de pulsos conpecto a una duración grande, que luego se usa para formar pulsos de la durabilidad y ampitud Requeridas.

Plan de trabajo multitivibrador de trabajo

Multivibrador simétrico en transistores.

Esquemáticamente multivibrador consiste De las dos cascadas ampificadoras con un emisor común, el voltaje de salida de cada uno de los cuales se alimenta a la entrada de otro. Al conectar el circuito a la fuente de alimentación, ambos transistores saltan los puntos de colección: sus puntos de funcionamiento están en el área activa, ya que se aplica un desplazamiento negativo a las base a través RB1 de resistencias. Sin embargo, este estado del plan es inestable.Debido a la presencia en un esquema de retroalimentación positiva, se realiza una condición? KU> 1 y un ampificador de dos cadenas es auto-emocionado. Процедура регенерации comienza, ускорение процесса восстановления транзистора и уменьшение скорости транзистора. Дайте нам результат, полученный с помощью альтернативных элементов и напряжений на базах данных или сборщиков, добавленных в фактический транзистор VT1 IK1. Это добавление энергии к сопротивлению RK1 и сборщик транзисторов VT1, увеличивающий потенциальное положение.Dado que el voltaje en el конденсатор SB no puede cambiar Instantáneamente, este incremento se aplica a la base del transistor VT2, perfore. Корректор коллектора IK2 сокращается, напряжение и коллектор транзисторов VT2 являются отрицательными, передаются через конденсатор SB2 на базе транзистора VT1, с минимальным током, на фактическом уровне IK1. Эта процедура похожа на лавинную и завершает работу транзистора VT1, переходящего в режим насыщения, и транзистор VT2 находится в режиме ожидания.El esquema entra en uno de sus estados de equilibrio temporalmente estables. En este caso, el estado abierto del transistor VT1 proporciona el desplazamiento de la fuente de alimentación de la CE и través de la resistencia de RB1, y el estado bloqueado del транзистор VT2 es unatensión positiva en el конденсатор SB (UCM = UB u003e 0), внешний вид транзистора VT1 включает в себя базу интервала: эмиссор транзистора VT2.

Для строительства мультивибрадора. Список компонентов радио:

1. Транзисторы CT315.
2. Электролитические конденсаторы на 16 В, 10–200 микропроцессоров (Cuanto Menor Sea La Capsidad, Más A Menudo El Parpadeo).
3. 4 резистора с сопротивлением: 100-500 Ом 2 пьез (si pone 100 Ом, соответствует функциональному значению, включая 2,5 В), 10 кОм 2 пьезоэлемента. Todas las resistencias con una Capacidad de 0.125 vatios.
4. Dos LED no brillantes (cualquier color, excepto blanco).


Placa de circuito impreso en formato LEY6.Вам нужно выполнить процедуру а-ля Fabricación. La tarifa impresa en sí tiene este tipo:

Solderamos a dos transistores, no confundimos al colector y la base de data en el transistor es un error común.


Сольдерамос конденсадорес 10-200 микрофрейдов. Tenga en cuenta que los condensed de 10 voltios son extremadamente undeseables de usar en este esquema si alimenta 12 voltios. ¡Recuerda que los columnsadores electrolíticos tienen polaridad!



El multivibrador está casi listo.Los LED permanecen, y los кабели de entrada. La foto del dispositivo terminado se ve así:


Y para que todos ustedes se vuelvan claramenteclaros, la operación de video de un simple multivibrador:

En la práctica, los multivibradores sempuls de divores, en la practica de frecuencia, formadores de pulsos, interruptores sin contacto и т. д., en juguetes electrónicos, dispositivos de automatización, computación y equipo de mediciónEn el relé de tiempo y dispositivos maestros.Contigo fue Hervir-: D. . (El material sepaparó bajo petición. Demyan " а)

Мультивибрадор Discutir un artículo

Мультивибрадор.

El primer esquema es el multivibrador más simple. A pesar de su sencillez, el alcance de su uso es muy ampio. Ninguno dispositivo electronico No lo hace sin él.

La primera figura muestra su diagrama esquemático.

Светодиодные лампы используются в одном автомобиле.Cuando funciona el multivibrador: los LED están cambiados.

Para la Asamblea hará falta un minimo de detalles:

1. Сопротивление 500 Ом - 2 пьезы.

2. Резисторы 10 ком - 2 пьезы.

3. Электролитический конденсатор 47 мкФ 16 напряжений - 2 пьезы

4. Транзистор KT972A - 2 пьезы

5. Светодиод - 2 пьезоэлемента

Los transistores CT972A son transistores compuestos, es decir, supos viviendares en tiene una alta sensibilidad y soporta una corriente migativa sin un disipador de calor.

Cuando compre todos los detalles, flecha el soldador de hierro y asuma el ensamblaje. Для экспериментов, нет необходимости в том, чтобы иметь место на плакате по схеме, не следует забывать, что нужно делать с архивами адъюнктов. Desliza como se muestra en las imágenes.

¡Y cómo aplicar el dispositivo ensamblado, deje que su solicitud de fantasía! Por ejemplo, en lugar de LED, puede colocar el релево, y este relé desplazando una carga más poderosa. Si cambia las calificaciones de las resistencias o los Concondadores, la frecuencia de conmutación cambiará.El cambio en la frecuencia se puede lograr muy efectos interesantes, de Pisch en Dynamics, antes de la pausa durante muchos segundos.

Photorele.

Y esquema de un simple photoyeler. Это устройство работает с приложением, которое используется для работы с приложением, для автоматического создания фонового изображения на DVD-диске, для повышения уровня проникновения или обнаружения в системе. Hay dos opciones para el esquema. En una realización, el esquema se activa por la luz, y su otra ausencia.

Funciona así: Cuando la luz del LED cae en el fotodiodo, el transistor se abrirá y el LED-2 comenzará encenderse. La resistencia del gatillo se ajusta por la sensibilidad del dispositivo. Puede aplicar un fotodiodo de un mouse de bolas viejo como un fotodio. LED - Cualquier LED infrarrojo. El uso de fotodiodo infrarrojo y LED evitará la interferencia de la luz visible. Cualquier LED или различные светодиодные кадены, подключенные к LED-2. Puede aplicar la lámpara incandescente.Y, en lugar de la LED, para poner un relé electromagnético, entonces puede administrar lámparas poderosas Incandescentes, o algunos mecanismos.

En las figuras, se proporcionan ambos esquemas, la base (disición de las patas) del transistor y el LED, así el esquema de Ensamblaje.

En ausencia de fotodiodo, puede tomar el viejo transistor MP39 или MP42 y cortar el estuche frente al colector, como este:

En lugar de fotodiodo en el diagrama será necesón transici transici.Lo que funcionará exactamente mejor, debeterminarse experimentalmente.

Усилитель мощности на микросхеме tda1558q.

Este ampificador tiene una Potencia de Salida de 2 x 22 vatios y es bastante fácil Repetir los aficionados de radio para Principiantes. Tal esquema lo usará para columnas caseras, o para caseras Centro Musicalque se puede hacer del viejo воспроизводящий MP3.

Tomará cinco partes para su asamblea:

1. Микросхема - tda1558q

2.Конденсор 0,22 мкФ

3. Конденсор 0,33 мкФ - 2 пьезы

4. Электролитический конденсатор 6800 мкФ для 16 напряжений.

El microcircuito tiene una Potencia de salida bastante alta y el radiador necesitará para su enfriamiento. Puede aplicar el radiador del процесадор.

Todo el conjunto se puede hacer al montar sin el uso de la placa de circuito impreso. Пример, микросхемы, которые не требуются, устраняют все выводы 4, 9 и 15. Нет использования. Эль-конео де лас выводы ва де izquierda a derecha si lo mantiene con sus выводы y marca.Luego endereza cuidadosamente las results. Продолжение, исключение всех выводов 5, 13 и 14, должно быть заключено в соответствии с требованиями POWER PLUS. Эль сигиенте пасо, муева лас выводы 3, 7 и 11 хасиа абахо, эс менос подер, о "тьерра".

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *