Параметры транзистора кт837. Транзисторы КТ837 и КТ805: характеристики, аналоги и применение

Какие основные характеристики имеют транзисторы КТ837 и КТ805. Какие у них есть аналоги. Где применяются эти транзисторы. Как правильно выбрать транзистор для конкретной схемы.

Основные характеристики транзисторов КТ837 и КТ805

Транзисторы КТ837 и КТ805 относятся к биполярным кремниевым транзисторам средней и большой мощности. Рассмотрим их основные характеристики:

Транзистор КТ837

КТ837 — это p-n-p транзистор со следующими параметрами:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 60-80 В
• Максимальный ток коллектора: 7 А
• Максимальная рассеиваемая мощность: 30 Вт
• Статический коэффициент передачи тока: 10-40
• Граничная частота коэффициента передачи тока: не менее 5 МГц

Транзистор КТ805

КТ805 — это n-p-n транзистор с характеристиками:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 60-160 В (зависит от группы)
• Максимальный ток коллектора: 5 А
• Максимальная рассеиваемая мощность: 30 Вт
• Статический коэффициент передачи тока: 15-150
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 20 МГц

Как видно, КТ837 имеет несколько большую токовую нагрузочную способность, а КТ805 может работать при более высоких напряжениях.

Аналоги транзисторов КТ837 и КТ805

У рассматриваемых транзисторов есть ряд отечественных и зарубежных аналогов с похожими характеристиками:

Аналоги КТ837:

• 2SA1941
• BD244
• TIP42
• 2SB1202

Аналоги КТ805:

• MJE13009
• 2SC5198
• TIP41
• BD243

При замене транзисторов на аналоги важно сверять их основные параметры и проверять совместимость с конкретной схемой.

Области применения транзисторов КТ837 и КТ805

Благодаря своим характеристикам, транзисторы КТ837 и КТ805 нашли широкое применение в различных электронных устройствах:

• Выходные каскады усилителей низкой частоты
• Импульсные источники питания
• Преобразователи напряжения
• Стабилизаторы напряжения и тока
• Драйверы электродвигателей
• Схемы управления мощной нагрузкой

Какие конкретно устройства используют эти транзисторы? Рассмотрим несколько примеров.

Примеры использования КТ837 и КТ805 в электронных схемах

Транзисторы КТ837 и КТ805 часто применяются в следующих устройствах:

Усилитель мощности звуковой частоты

В выходных каскадах УМЗЧ транзисторы КТ837 и КТ805 могут работать в двухтактной схеме, обеспечивая мощность до 50-100 Вт на нагрузке 4-8 Ом. КТ837 используется в плече p-n-p, а КТ805 — в плече n-p-n.

Импульсный блок питания

КТ805 часто применяется в качестве силового ключа в преобразователях напряжения. Его высокая рабочая частота позволяет создавать компактные и эффективные источники питания.

Регулятор мощности

На основе КТ837 можно построить простой регулятор мощности для нагревательных элементов, ламп накаливания и других резистивных нагрузок мощностью до 1-2 кВт.

Как правильно выбрать транзистор для схемы

При выборе транзистора для конкретного применения следует учитывать несколько ключевых параметров:

1. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер должно быть выше, чем напряжение питания схемы
2. Максимальный ток коллектора должен превышать расчетный рабочий ток с запасом 20-30%
3. Рассеиваемая мощность транзистора должна быть достаточной с учетом КПД схемы
4. Коэффициент усиления по току (h21э) должен обеспечивать требуемое усиление
5. Граничная частота должна быть в 5-10 раз выше рабочей частоты схемы

Также важно учитывать тип проводимости (n-p-n или p-n-p), корпус и цоколевку транзистора.

Особенности монтажа и эксплуатации мощных транзисторов

При работе с транзисторами КТ837, КТ805 и аналогичными мощными устройствами следует соблюдать ряд правил:

• Использовать качественные теплоотводы достаточной площади
• Применять теплопроводящую пасту между корпусом и радиатором
• Не превышать максимально допустимую температуру перехода (обычно 150°C)
• Защищать транзистор от перегрузок по току и напряжению
• Соблюдать правила монтажа для предотвращения электростатических разрядов

Правильный монтаж и эксплуатация позволят обеспечить надежную и долговременную работу транзисторов в составе электронных устройств.

Измерение параметров и проверка исправности транзисторов

Для оценки состояния транзисторов КТ837 и КТ805 можно провести следующие измерения:

1. Проверка целостности переходов мультиметром в режиме «прозвонки диодов»
2. Измерение статического коэффициента передачи тока h21э
3. Измерение тока утечки коллектор-эмиттер IКЭО
4. Оценка напряжения насыщения коллектор-эмиттер UКЭ нас
5. Проверка теплового сопротивления переход-корпус

Как проводить эти измерения? Рассмотрим основные методики.

Характеристики транзисторов кт805, аналоги, цоколевка

КТ805 – кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор большой мощности средней частоты.

Зарубежный аналог КТ805

• Во многих случаях можно заменить на MJE13009 (расположение выводов другое)

Особенности

• Комплиментарная пара – наиболее подходящая пара КТ837

Корпусное исполнение и цоколевка КТ805АМ, КТ805БМ, КТ805ВМ

• пластмассовый корпус КТ-28 (ТО-220)

Корпусное исполнение и цоколевка КТ805А, КТ805Б

Характеристики транзистора КТ805

Предельные параметры КТ805

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (I_{К max}):

• КТ805А — 5 А
• КТ805АМ — 5 А
• КТ805Б — 5 А
• КТ805БМ — 5 А
• КТ805ВМ — 5 А

Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (I_{К, и max}):

• КТ805А — 8 А
• КТ805АМ —
  8 А
• КТ805Б — 8 А
• КТ805БМ — 8 А
• КТ805ВМ — 8 А

Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттеp при сопротивлении в цепи база-эмиттеp (U_{КЭR max}) при Т_п = 25° C:

• КТ805А — 160 В
• КТ805АМ — 160 В
• КТ805Б — 135 В
• КТ805БМ — 135 В
• КТ805ВМ — 135 В

Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (U_{ЭБ0 max}) при Т_п = 25° C:

• КТ805А — 5 В
• КТ805АМ — 5 В
• КТ805Б — 5 В
• КТ805БМ — 5 В
• КТ805ВМ — 5 В

Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора (P

К, ср max) при Т_к = 50° C:

• КТ805А — 30 Вт
• КТ805АМ — 30 Вт
• КТ805Б — 30 Вт
• КТ805БМ — 30 Вт
• КТ805ВМ — 30 Вт

Максимально допустимая температура перехода (T_{п max}):

• КТ805А — 150 ° C
• КТ805АМ — 150 ° C
• КТ805Б — 150 ° C
• КТ805БМ — 150 ° C
• КТ805ВМ — 150 ° C

Максимально допустимая температура окружающей среды (T_max):

• КТ805А — 100 ° C
• КТ805АМ — 100 ° C
• КТ805Б — 100 ° C
• КТ805БМ — 100 ° C
• КТ805ВМ — 100 ° C

Электрические характеристики транзисторов КТ805 при Т_п = 25^oС

Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора (h

21Э) при постоянном напряжении коллектор-эмиттеp (U_КЭ) 10 В, при постоянном токе коллектоpа (I_К) 2 А:

• КТ805А — 15
• КТ805АМ — 15
• КТ805Б — 15
• КТ805БМ — 15
• КТ805ВМ — 15

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (U_{КЭ нас})

• КТ805А — 2,5 В
• КТ805АМ — 2,5 В
• КТ805Б — 5 В
• КТ805БМ — 5 В
• КТ805ВМ — 2,5 В

Обратный ток коллектор-эмиттеp при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттеp (I_КЭR)

• КТ805А — 60 мА
• КТ805АМ — 60 мА
• КТ805Б — 70 мА
• КТ805БМ — 70 мА
• КТ805ВМ — 70 мА

Граничная частота коэффициента передачи тока (f_гр)

• КТ805А — 20 МГц
• КТ805АМ — 20 МГц
• КТ805Б — 20 МГц
• КТ805БМ — 20 МГц
• КТ805ВМ — 20 МГц

Тепловое сопротивление переход-корпус (R_{Т п-к})

• КТ805А — 3,3 ° C/Вт
• КТ805АМ — 3,3 ° C/Вт
• КТ805Б — 3,3 ° C/Вт
• КТ805БМ — 3,3 ° C/Вт
• КТ805ВМ — 3,3 ° C/Вт

Опубликовано 11. 02.2020

DC-DC понижающий преобразователь — ссылка на товар.

КТ117 — Справочная — Каталог статей — Микроконтроллеры

Транзистор КТ117: КТ117А, КТ117Б, КТ117В, КТ117Г Транзистор КТ117 — эпитаксиально-планарный, однопереходный, кремниевый, с базой n-типа. Применяется в маломощных генераторах. Имеет металлический корпус. Выводы — гибкие. Надпись о типе элемента нанесена на корпусе. Весит не более 0.45 г. КТ117 цоколевка Цоколевка КТ117 показана на рисунке. Электрические параметры транзистора КТ117 • Коэффициент передачи тока. (Режим малого сигнала.) UБ1Б2 = 10В: T = +25°C: КТ117А, КТ117В, 2Т117А, 2Т117В 0.5 ÷ 0.7 2Т117Б, 2Т117Г 0.65 ÷ 0.85 КТ117Б, КТ117Г 0. 65 ÷ 0.9 T = +70°C: КТ117А, КТ117В, 2Т117А, 2Т117В 0.45 ÷ 0.7 2Т117Б 0.6 ÷ 0.85 2Т117Г 0.6 ÷ 0.8 КТ117Б, КТ117Г 0.6 ÷ 0.9 T = −60°C: КТ117А, КТ117В, 2Т117А, 2Т117В 0.5 ÷ 0.8 2Т117Б, 2Т117Г 0.65 ÷ 0.9 КТ117Б, КТ117Г 0.65 ÷ 0.95 • Частота генерации (максимальная) 200 КГц • Время включения UБ1Б2 = 10 В, Iэ = 50 мА, не более: T = +25°C 3 мкс T = −60…+125°C 5 мкс • Напряжение Э-Б (остаточное), не более: T = −60…+25°C 5 В при Tэ = 10 мА, Т = +70°C для 2Т117(А-Г) 4 В при Tэ = 50 мА, Т = +70°C для КТ117(А-Г) 4 В • Ток включения эмиттера при UБ1Б2 = 10 В, не более 20 мкА • Ток выключения эмиттера при UБ1Б2 = 20 В, не менее 1 мА • Ток модуляции, не менее: 10 мА • Обратный ток эмиттера при UБ1Б2 = 30 В, не более: T = +25°C 1 мкА T = +125°C 10 мкА • Межбазовое сопротивление: при T = +25°C: 2Т117А, 2Т117Б 4 ÷ 7. 5 КОм 2Т117В, 2Т117Г 6 ÷ 9 КОм КТ117А, КТ117Б 4 ÷ 9 КОм КТ117В, КТ117Г 8 ÷ 12 КОм при T = +70°C: 2Т117В, 2Т117Г 6 ÷ 15 КОм КТ117В, КТ117Г 6 ÷ 18 КОм при T = −60°C: 2Т117В, 2Т117Г 3 ÷ 8.5 КОм КТ117В, КТ117Г 4 ÷ 12 КОм     Предельные эксплуатационные характеристики транзистора КТ117 • Межбазовое напряжение (постоянное) 30 В • Напряжение Б-Э 30 В • Ток Э (постоянный) 50 мА • Ток Э (импульсный) при tи ≤ 10 мкс, Q ≥ 200 1 А • Рассеиваемая мощность Э (постоянная): при Т = −60…+35°C 300 мВт при Т = +125°C 15 мВт • Температура p-n перехода 130°C • Рабочая температура (окружающей среды) −60°. ..+125°C

Биполярный транзистор КТ837

p-n-p

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные, мощные, низкочастотные.Предназначены для применения в схемах переключения, выходных каскадах низкочастотных усилителей, преобразователях и стабилизаторах постоянного напряжения и другой аппаратуре. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами типа КТ-28 (TO-220). Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 2,5 г.

Технические характеристики

Группа	Uкэ max(и). B	Jк max(и). А	Pк max[Т]. Вт	h31э	fгр. Мгц	Uкэ нас. В
А	60	7.5	1[30]	10-40	>=5	<2.5
Б	60	7. 5	1[30]	20-80	>=5	<2.5
В	60	7.5	1[30]	50-150	>=5	<2.5
Г	45	7.5	1[30]	10-40	>=5	<0.9
Д	45	7.5	1[30]	20-80	>=5	<0.9
Е	45	7.5	1[30]	50-150	>=5	<0.9
Ж	30	7.5	1[30]	10-40	>=5	<0.5
И	30	7.5	1[30]	20-80	>=5	<0.5
К	30	7.5	1[30]	50-150	>=5	<0.5
Л	60	7.5	1[30]	10-40	>=5	<2.5
М	60	7. 5	1[30]	20-80	>=5	<2.5
Н	60	7.5	1[30]	50-150	>=5	<2.5
П	45	7.5	1[30]	10-40	>=5	<0.9
Р	45	7.5	1[30]	20-80	>=5	<0.9
С	45	7.5	1[30]	50-150	>=5	<0.9
Т	30	7.5	1[30]	10-40	>=5	<0.5
У	30	7.5	1[30]	20-80	>=5	<0.5
Ф	30	7.5	1[30]	50-150	>=5	<0.5
Х	70	7.5	1[30]	15-120	>=1	<0.5

Цоколёвка («распино́вка»)

:

2N6040, 2N6042, 2N6043, 2N6045 — 60/100 В, 8,0 А, 75 Вт, 4 МГц, TO-220 — PNP / NPN (BDX33 / 34) [ON Semiconductor]9 2SB649A — 120/160 В, 1,5 A, 20 Вт, 140 МГц — NPN (2SD669) [SECOS]SC. .. мА , 0,4 Вт — NPN (2SA1316) [Toshiba] 60015 2SC5148 — NPN [Toshiba]9 BD241, BD241A, BD241B, BD241C — 45/60/80 / 100V, 3A, 40W, TO-220 — NPN (BD242) [Bourns], TIP132, TIP137 — 80 / 100V, 8A, 70W — NPN / PNP [ON Semiconductor] ZT , 3,0А, 1Вт — NPN [Zetex]

Лаборатория АК, 2002 г. .

. ..
3107		3107 — 20/25/40 В, 100 мА, 300 мВт, 250 МГц, TO-92 — PNP [Alfa]
368		368, 368, 368 — 15 В, 30 мА — NPN []
502		502 — 40/60/80/90 В, 150 мА, 350 мВт — PNP []
503		503 — 40/60/80/100 В, 150 мА, 350 мВт — PNP []
639		639 — 40/60/80 В, 1,5 А, 1 Вт, 80 МГц, TO-126 — PNP [Alfa]
644		644 — 40/60 В, 600 мА, 1 Вт, 200 МГц, TO-126 — PNP [Alfa]
645		645 — 40/50 В, 300 мА, 500 мВт, 250 МГц, TO-92 — NPN []
646		645 — 40/60 В, 1000 мА, 1 Вт, 50 МГц, TO-126 — NPN []
805		805, 805, 805 — 70/60 В, 5A, 30 Вт — NPN []
829		829A, 829, 829, 829 — 100/80/60/45 В, 8A, 60 Вт — NPN [ ]
837		837A. ..837 80/60/45 В, 7 А, 30 Вт — PNP []
972		972 — 45/60 В, 2,0 А, 8 Вт — PNP []
973		973 — 45/60 В, 2,0 А, 8 Вт — NPN []
2N …
2N2221		2N2221, 2N2222 — 30 В, 800 мА, 250 МГц — NPN [ Central Semiconductor]
2N2222		2N2222, 2N2222A — 30/40 В, 500 мА, 250 МГц — NPN (2N2907) [Philips]
2N2907		2N2907 600, 40/2907 В 200 МГц — PNP (2N2222) [Philips]
2N3707		2N3707, 2N3708, 2N3709, 2N3710, 2N3711 — 30 В, 200 мА — NPN (2N4058 / 59/60/61/62000) [Central Semiconductor]
2N3903		2N3903, 2N3904 — 40 В, 200 мА, 250 МГц — NPN (2N3905 / 2N 3906) [ON Semiconductor]
2N3904		2N3904 — 40 В, 200 мА, 250 МГц — NPN (2N3906) [ST]
2N3905		2N3905, 2N3906 мА — (2N3904) [Motorola]
2N3906		2N3906 — 40 В, 200 мА, 250 МГц — PNP (2N3903 / 2N3904) [ON Semiconductor]
2N440mA1		2N440mA1		2N NPN (2N4403) [SECOS]
2N4403		2N4403 — 40 В, 600 мА, 250 МГц — PNP (2N4401) [SECOS]
2N5550		2N5550 140 / 2NV55, 2NV55 0. 625 Вт, 100 МГц — NPN (2N5400 / 2N5401) [ON Semiconductor]
2N5879		2N5879 — 80 В, 15 А, 160 Вт, 4 МГц, TO-3 — PNP [Semelab]
2N6012
2SA …
2SA496		2SA496, 2SA505 — 40/60 В, 1 А, 1 Вт, 100 МГц, TO-126 — PNP (2SC496, 2SC495) [Toshiba]
2SA505		2SA505		2SA , 1 Вт, 100 МГц, TO-126 — PNP (2SC495) [ISC]
2SA684		2SA684 — 50 В, 1.0A, 1,0 Вт — PNP (2SC1384) [UTC]
2SA733		2SA733 — 50 В, 100 мА, 190 МГц — PNP (2SC945) [NEC]
2SA733		2SA733 — 50 мА (?), 50 МГц — PNP (2SC945) [Fairchild]
2SA817		2SA817 — 80 В, 300 мА, 0,4 Вт — PNP (2SC1627) [Toshiba]
2SA940		2SA , 1,5 А, 25 Вт, TO-220 — PNP (2SC2073) [Mospec]
2SA1015		2SA1015 — 50 В, 150 мА, 0. 625 Вт — PNP (2SC1815) [UTC]
2SA1025		2SA1025, 2SA1081, 2SA1082 — 60/90/120 В, 100 мА, 0,4 Вт, 90 МГц — PNP (2SC2396 / 2SC2543 / 2SC254412) [Hitachi]
2SA1081		2SA1081 — 90 В, 100 мА, 0,4 Вт, 90 МГц — PNP (2SC2543) [SECOS]
2SA1082		2SA1081 — 90 В, 100 мА, 0,4 Вт, 90 МГц — PNP (2SC2543) [ SECOS]
2SA1273		2SA1273 — 30 В, 2A, 3 Вт — PNP (2SC3205) [KEC]
2SA1300		2SA1300 — 20 В, 2A, 0.75 Вт — PNP [Toshiba]
2SA1316		2SA1316 — 80 В, 100 мА, 0,4 Вт — PNP (2SC3329) [Toshiba]
2SA1320		2SA1320 — 250 Вт, 50 мА (2SC3333) [Toshiba]
2SA1488		2SA1488, 2SA1488A — 80 / 100V, 4A, 25W — PNP (2SC3851) [SanKen]
2SA1469		60W, 2SA, — PNP (2SC3746) [Sanyo]
2SA1797		2SA1797 — 50 В, 2A, 1 Вт, SOT-89 — PNP (2SC4672) [GME]
2SA1797		2SA1797, 2SA1797 , 1 Вт, SOT-89 — PNP (2SC4672) [ROHM]
2SA1837		2SA1837 — 230 В, 1 A, 20 Вт — PNP (2SC4793) [Toshiba]
2SA1941		2SA1941		, 10А, 100Вт — PNP (2SC5198) [Toshiba]
2SA1942		2SA1942 — 160 В, 12 А, 120 Вт — PNP (2SC5199) [Toshiba]
2SA1972		2SA1972 — 400 В, 0. 5A, 0,9 Вт — PNP (??) [Toshiba]
2SA2040		2SA2040, 2SC5707 — 50 В, 8A, 15 Вт — PNP / NPN (2SC5707) [ON Semiconductor]
						2SB …
2SB649		2SB649, 2SB649A — 120/160 В, 1,5 А, 20 Вт, 140 МГц — NPN (2SD669) [Hitachi]
2SB649
2SB798		2SB798 — 30 В, 1.5A, 2W — PNP (2SD999) [UTC]
2SB892		2SB892 — 50V, 2.0A, 1.0W — PNP (2SD1207) [Sanyo]
2SB1202		2SBD1 2SBD1 50 В, 3,0 А, 15 Вт — PNP / NPN (2SD1802) [ON Semiconductor]
2SB1320A		2SB1320A — 50 В, 0,1 A, 0,4 Вт — PNP (2SD1991A) [Panasonic]
2SB132	2SB1321A — 50 В, 0,5 А, 0. 6 Вт — PNP (2SD1992A) [Panasonic]
2SB1322		2SB1322 — 25 В, 1.0A, 1 Вт — PNP (2SD1994) [Panasonic]
2SB1322A		2SB132 1 Вт — PNP (2SD1994A) [Panasonic]
2SB1323		2SB1323, 2SD1997 — 30 В, 3,0 A, 1,5 Вт — PNP / NPN () [Sanyo]
2SC495		2SC495, 2SC496 — 60/40 В, 1000 мА, 1 Вт, 50 МГц, TO-126 — NPN (2SA505, 2SA496) [Toshiba]
2SC945		2SC945 50 В, 100 мА, 250 МГц — NPN (2SA733) [NEC]
2SC945		2SC945 — 50 В, 150 мА, 190 МГц — NPN (2SA733) [UTC]
2SC945		C945 — 150 мА, 200 МГц — NPN (2SA733) [SECOS]
2SC2073		2SC2073 — 150 В, 1. 5A, 25W, TO-220 — NPN (2SA940) [Mospec]
2S1384		2S1384 — 50V, 1.0A, 1.0W — NPN (2SA684) [UTC]
2SC1627		2SC1627 — 80 В, 300 мА, 0,4 Вт — NPN (2SA817) [Toshiba]
2SC1815		2SC1815 — 50 В, 150 мА, 0,625 Вт — NPN (2SA1015) [UTC]
2SC2383			2SC2383 — 160 В, 1,0 А, 0,9 Вт — NPN [UTC]
2SC2396		2SC2396, 2SC2543, 2SC2544 — 60/90/120 В, 100 мА, 0.4 Вт, 90 МГц — NPN (2SA1024 / 2SA1081 / 2SA1082) [Hitachi]
2SC2625		2SC2625 — 400 В, 10 А, 80 Вт — NPN [Mospec]
2SC3329	3	2SC3329	3
2SC3333		2SC3333 — 250 В, 50 мА, 0,6 Вт — NPN (2SA1320) [Toshiba]
2SC3746		2SC3746A — 60 , 20 Вт — NPN (2SA1469) [Sanyo]
2SC3851		2SC3851, 2SC3851A — 80/100 В, 4A, 25 Вт — NPN (2SA1488) [SanKen]
2SC4001		2SC4001		, 100 мА, 7 Вт, TO-126 — NPN (2SA1546) [NEC]
2SC4002		2SC4002 — 400 В, 200 мА, 0. 6W, TO-92 — NPN [Sanyo]
2SC4003		2SC4003 — 400V, 200mA, 10W, TO-251 — NPN [Sanyo]
2SC4004		2SC4004 — 800V, 1A, 30 Вт, TO-220F — NPN [Panasonic]
2SC4005		2SC4005 — 42V, 2A, 12W, TO-220M — NPN [Sanyo]
2SC4006		2SC4006 — 42V, 3A, 12Вт, TO-220M — NPN [Sanyo]
2SC4008		2SC4008 — 80V, 4A, 30W, TO-220F — NPN [ROHM]
2SC4672		2SC4672 — 50V, 2A, 1 Вт, SOT-89 — NPN (2SA1797) [Weitron]
2SC4793		2SC4793 — 230 В, 1 А, 20 Вт — NPN (2SA1837) [Toshiba]
2SC5027		2SC50 3A, 50 Вт, TO-220 — NPN [UTC]
2SC5048		2SC5048 — 600 В, 12 А, 50 Вт — NPN [Toshiba]
2SC5129		2SC5129 — 600 В, 10 А, 50 Вт — NPN [Toshiba]
2SC5148
2SC5198		2SC5198 — 140 В, 10 А, 100 Вт — NPN (2SA1941) [Toshiba]
2SC5199		2SC5199 — 160V19 NP42, 12A, 120 [Toshiba]
2SC5552		2SC5552 — 600 В, 16 А, 65 Вт — NPN [Panasonic]
2SC5707		2SC5707, 2SA2040 — 50 В, 8A, 15 Вт — NPN20 PNP (2 ON Semiconductor]
2SD. ..
2SD667		2SD667 — 80 В, 1,0 А, 0,9 Вт, 140 МГц — NPN [UTC]
2SD669		2SD669, 2SD669A — 120/160 В, 1,5 А, 20 Вт, 140 МГц — NPN (2SB649) [Hitachi]
2SD669		2SD669, 2SD669A — 120/160 В, 1,5 А, 20 Вт, 140 МГц — NPN (2SB649) [SECOS]
2SD	2SD999 — 30 В, 1,0 А, 0,5 Вт — NPN (2SB798) [WEJ]
2SD999		2SD999 — 30 В, 1.0A, 0,5 Вт — NPN (2SB798) [HT Wang]
2SD1207		2SD1207 — 50 В, 2,0 A, 1,0 Вт — NPN (2SB892) [ON Semiconductor]
2SD112802	D , 2SB1202 — 50 В, 3,0 А, 15 Вт — NPN / PNP (2SB1202) [ON Semiconductor]
2SD1990		2SD1990 — 60 В, 4A, 35 Вт, TO-220 — NPN [Panasonic]
2SD		2SD1991A — 50В, 0. 1A, 0,4 Вт — NPN (2SB1320A) [Panasonic]
2SD1992A		2SD1992A — 50 В, 0,5 A, 0,6 Вт — NPN (2SB1321A) [Panasonic]
2SD1993		2SD1993 , 0,1 A, 0,4 Вт — NPN [Panasonic]
2SD1994A		2SD1994A — 50 В, 1,0 A, 1 Вт — NPN (2SB1322A) [Panasonic]
2SD1997		2SD1997, 2SB , 3,0 A, 1,5 Вт — PNP / NPN () [Sanyo]
BC…
BC107		BC107, BC108, BC109 — 45/25 / 20V, 100mA, 300mW, TO-18 — NPN (BC177 / 178/179) [CDIL]
BC177		BC177 — 45 В, 100 мА, 300 мВт, TO-18 — PNP (BC107) [Philips]
BC177		BC177, BC178, BC179 — 45/25/20 В, 100 мА, 300 мВт, TO-18 — PNP (BC107 / 108/109) [CDIL]
BC327		BC327, BC327-16, BC327-25, BC327-40 — 45 В, 800 мА, 625 мВт, TO-92 — PNP (BC337) [ON Полупроводник]
BC337		BC337, BC337-25, BC337-40 — 45 В, 800 мА, 625 мВт, TO-92 — NPN (BC327) [ON Semiconductor]
BC546		BC546, BC547, BC548 — 65/45 / 30V, 100mA, 500 мВт, TO-92 — NPN (BC556, BC557, BC558) [NXP]
BC549		BC546, BC547, BC548, BC549, BC550 — 65 / 45/30 В, 100 мА, 50 0 мВт, TO-92 — NPN (BC556, BC557, BC558) [Fairchild]
BC639		BC639, BCP56, BCX56 — 80 В, 1. 0A, 1W, TO-92 / SOT223 / SOT89 — NPN (BC640 / BCP53 / BCX53) [NXP]
BC640		BC640 — 80V, 1.0A, 1W, TO-92 — PNP (BC639) [ Fairchild]
BC640-016		BC640-016 — 80 В, 1,0 А, 1 Вт, TO-92 — PNP (BC639) [ON Semiconductor]
BC846		BC846, BC847 — 65 / 45 В, 100 мА, 0,2 Вт, SOT323 — NPN + PNP [Infineon]
BCP53		BCP53 — 80 В, 1.5A, 1,5 Вт, SOT223 — PNP (BCP56) [ON Semiconductor]
BCP56		BCP56, BCX56, BC56PA — 80 В, 1,0 A, 1 Вт, SOT223 / SOT89 / SOT1061 — PNP (BCP53 / BCX53 / BC53P ) [NXP]
BCV61		BCV61 — 30 В, 100 мА, 0,3 Вт, SOT143 — NPN «» (BCV62) [Infineon]
BCV62		BCV62 — 30 В, 100 мА, 0,3 Вт , SOT143 — PNP «» (BCV61) [Infineon]
BCX20		BCX20 [U2] — 30 В, 800 мА, 310 мВт, SOT23 — NPN [NXP]
. ..
BD179		BD179 — 80V, 3A, 30W, TO-225 — NPN (BD180) [ON Semiconductor]
BD180		BD180 — 80V, 3A, 30W, TO -225 — PNP (BD179) [ON Semiconductor]
BD239		BD239, BD239A, BD239B, BD239C — 45/60/80 / 100V, 2A, 30W, TO-220 — NPN (BD240) [Bourns ]
BD240		BD240, BD240A, BD240B, BD240C — 45/60/80/100 В, 2A, 30 Вт, TO-220 — PNP (BD239) [Bourns]
BD241
BD242		BD242, BD242A, BD242C — 45 / BD24 60/80 / 100V, 3A, 40W, TO-220 — PNP (BD241) [Bourns]
BD243		BD243, BD243A, BD243B, BD243C — 45/60/80 / 100V /, 6.0A, 65Вт, TO-220 — NPN (BD244) [Bourns]
BD243		BD243, BD243A, BD243B, BD243C — 45/60/80 / 100V /, 6. 0A, 65W, TO-220 — NPN (BD244) [Fairchild]
BD244		BD244, BD244A, BD244B, BD244C — 45/60/80 / 100V /, 6.0A, 65W, TO-220 — PNP (BD243) [Bourns]
BD244		BD244, BD244A, BD244B, BD244C — 45/60/80/100 В /, 6,0 А, 65 Вт, TO-220 — PNP (BD243) [Fairchild]
BD243C / 244C	BD243C, BD244C 100 В /, 6.0A, 65Вт, TO-220 — NPN / PNP () [ST]
MJE …
MJE340		MJE340 — 300V, 0.5A, 20W — NPN (MJE350) [ON Semiconductor]
MJE350		MJE350 — 300 В, 0,5 А, 20 Вт — PNP (MJE340) [ON Semiconductor]
MJE5730		MJE5731A, MJE5731A, MJE5731 350/375 В, 1,0 А, 40 Вт — PNP (TIP47 / TIP48 / TIP50) [ON Semiconductor]
MJE5850		MJE5850, MJE5851, MJE5852 — 300/350/400 В, 8A, 80 Вт — PNP [ON Semicon ]
MJE13001		MJE13001 — 400 В, 0. 2A, 0,5 Вт — NPN [UTC]
MJE13002		MJE13002 — 300 В, 1,5 A, 40 Вт — NPN [UTC]
MJE13003		MJE13003 — 400 В, 1,5 A, 40 Вт — NPN [ON Semiconductor]
MJE13005		MJE13005 — 400 В, 4,0 A, 75 Вт — NPN [ON Semiconductor]
MJE13007		MJE13007 — 400 В, 8A, 80 Вт —	MJE13007 — 400 В, 8A, 80 Вт —
MJE13007		MJE13007, MJF13007 — 400 В, 8 А, 80/40 Вт — NPN [Motorola]
MJE13009		MJE13009 — 400 В, 12 А, 10012 Вт — 9 NP4ductor 9000 В, 12 А, 10012 3 — NP4ductor 9 [ON]
TIP…
TIP29		TIP29, TIP29A, TIP29B, TIP29C — 40/60/80 / 100V, 1A, 30W — NPN (TIP30) [Fairchild]
TIP30		TIP30, TIP30A, TIP30B, TIP30C — 40/60/80/100 В, 1A, 30 Вт — PNP (TIP29) [Fairchild]
TIP31		TIP31A, TIP31C — 60/100 В, 3A, 40 Вт, TO-220 — NPN (TIP32) [Fairchild]
TIP32		TIP32, TIP32A, TIP32C — 40/60/100 В, 3A, 40 Вт, TO-220 — PNP (TIP31) [Fairchild]
TIP41		TIP41A, TIP41B, TIP42C — 60/80 / 100V, 6A, 65W, TO-220 — NPN (TIP42) [Fairchild]
TIP42		TIP42, TIP42C — 40 / 100V, 6A, 65W, TO-220 — PNP (TIP41) [Fairchild]
TIP47		TIP47, TIP48, TIP50 — 250/300/400 В, 1. 0A, 40 Вт, TO-220 — NPN (MJE5730 / MJE5731 / MJE5731A) [ON Semiconductor]
TIP49		TIP47, TIP48, TIP49, TIP50 — 250/300/350/400 В, 1.0A, 40 Вт, TO-220 — NPN (MJE5730 / MJE5731 / MJE5731A) [Fairchild]
TIP130		TIP130, TIP131, TIP132, TIP135, TIP136, TIP137 — 60/80 / 100V, 8A, 70P — NPN [ Mospec]
TIP130		TIP130, TIP131, TIP132, TIP135, TIP136, TIP137 — 60/80 / 100V, 8A, 70W — NPN / PNP [CDIL]
TIP131
TIP132		TIP132, TIP135, TIP137 — 60 / 100V, 8A, 70W — NPN / PNP [ST]
TIP140		TIP140, TIP141, TIP142 — 60/80/100 В, 10 А, 125 Вт — NPN [ON Semiconductor]
TIP140		TIP140, TIP141, TIP142 — 60/80 / 100V, 10A, 125W — NPN [Fairchild]
TIP140T		TIP140T, TIP141T, TIP142T — 60/80 / 100V, 10A, 80W — NPN [Fairchild ]
TIP145		TIP145, TIP146, TIP147 — 60/80 / 100V, 10A, 125W — PNP [Fairchild]
ZTX. ..
ZTX552		ZTX552, ZTX553 — 80 / 100V, 1.0A, 1W — PNP [Zetex]
ZTX558		ZTX558 — 400V, 200mA, 1W — PNP [Zetex]
ZTX955		ZTX955 — 140 В, 3,0 А, 1 Вт — PNP [Zetex]
ZTX956		ZTX956 — 200 В, 2,0 А, 1 Вт — PNP [Zetex]
ZTX957		ZTX957 — 300 В, 1,0 А, 1 Вт — PNP [Zetex]
ZTX1051A		ZTX1051A — 40 В, 4,0 А, 1 Вт — NPN [Zetex]
ZTX105112A	ZTX1051A — 40 В, 4,0 А, 1 Вт — NPN [Zetex]
ZTX1055A		ZTX1055A — 120 В, 3,0 А, 1 Вт — NPN [Zetex]
ZTX1056A

Транзистор ＜ Общие сведения о транзисторах ＞ | Основы электроники

обратный ток при включении

В транзисторе NPN база находится под положительным смещением, коллектор — с отрицательным смещением, а обратный ток течет от эмиттера к коллектору. Также обратите внимание на проблемы, которые могут возникнуть при использовании в качестве транзисторов (например, меньшее усиление по току).

1. Было установлено, что при использовании не возникнет никаких проблем, таких как ухудшение качества или разрушение.

2. В случае NPN-транзистора B симметричен с C, а E с N. Следовательно, C и E могут использоваться в качестве транзистора, даже если они соединены в обратном порядке. В этом случае ток будет течь от E к C.

3. Ниже приведены характеристики транзисторов, подключенных в обратном порядке.

• Низкая h _FE (примерно 10% от значения прямого направления)
• Низкое сопротивление напряжению (около 7-8 В, примерно такое же, как у VEBO) В некоторых стандартных транзисторах напряжение может быть даже ниже (ниже 5 В) (учтите, что слишком низкое сопротивление напряжению может привести к пробою и ухудшению характеристик)
• V _CE (sat) и V _BE (ON) не должны сильно меняться

Допустимая потеря мощности в корпусе

Допустимая потеря мощности в корпусе — это когда напряжение подается на транзистор, и устройство начинает выделять тепло из-за потери мощности из-за протекания тока, особенно когда температура перехода Tj достигает абсолютного максимального значения (150 ° C).

Метод расчета (где △ Tx — величина повышения температуры при подаче питания Px)

В этом случае Pc, Ta, △ Tx и Px могут быть получены непосредственно из результатов измерения. Tj — единственное значение, которое нельзя получить напрямую. Поэтому ниже показано, как измерить VBE, по которому мы можем определить температуру перехода Tj.

В кремниевых транзисторах VBE зависит от температуры.

Следовательно, температуру перехода можно определить путем измерения VBE.Из измерительной схемы, показанной на диаграмме 1, к транзистору применяется условие мощности Pc (max) корпуса (в случае транзистора мощностью 1 Вт условия для питания VCB = 10VIE = 100 мА).

Как видно на Диаграмме 2:

• V _BE 1 измеряется как начальное значение VBE
• При подаче питания на транзистор произойдет тепловое насыщение на переходе
• значение VBE после будет V _BE 2

Из этих результатов: △ V _BE = V _BE 2-V _BE 1

Здесь кремниевый транзистор будет иметь фиксированный температурный коэффициент, равный примерно -2. 2 мВ / ºC. (Примечание: транзисторы Дарлингтона созданы из-за использования двух транзисторов -4,4 мВ / ºC). Следовательно, △ VBE от подаваемой мощности может быть получено из повышения температуры перехода по следующей формуле.

fT: полоса усиления, частота среза

fT: ширина полосы пропускания указывает максимальную рабочую частоту транзистора. В это время отношение тока коллектора к току базы ограничено до 1 (hFE = 1).

Когда частота входного сигнала, подаваемого на базу, приближается к рабочей частоте, hFE начинает уменьшаться.Когда hFE становится равным 1, рабочая частота fT называется полосой усиления. fT обозначает предел рабочей частоты. Однако в действительности для работы значение будет примерно от 1/5 до 1/10 от значения fT.

f: Зависит от измерительного оборудования. Опорная частота для измерения.
VCE: дополнительная настройка — стандартное значение обычно используется для продуктов ROHM.
Ic: дополнительная настройка — стандартное значение обычно используется для продуктов ROHM.

Транзисторы

на страницу продукта

В дополнение к низковольтным МОП-транзисторам для портативных устройств и цифровым транзисторам со встроенным резистором, ROHM предлагает ряд транзисторных продуктов, включая стандартные МОП-транзисторы, биполярные транзисторы и сложные транзисторы со встроенным диодом.

Лучшая цена 2 транзистора — Выгодные предложения на 2 транзистора от глобальных продавцов 2 транзисторов

Отличные новости !!! Вы находитесь в правильном месте для 2 транзисторов. К настоящему времени вы уже знаете, что что бы вы ни искали, вы обязательно найдете это на AliExpress. У нас буквально тысячи отличных продуктов во всех товарных категориях. Ищете ли вы товары высокого класса или дешевые и недорогие оптовые закупки, мы гарантируем, что он есть на AliExpress.

Вы найдете официальные магазины торговых марок наряду с небольшими независимыми продавцами со скидками, каждый из которых предлагает быструю доставку, надежные, а также удобные и безопасные способы оплаты, независимо от того, сколько вы решите потратить.

AliExpress никогда не уступит по выбору, качеству и цене.Каждый день вы будете находить новые онлайн-предложения, скидки в магазинах и возможность сэкономить еще больше, собирая купоны. Но вам, возможно, придется действовать быстро, так как этот транзистор 2 лучших должен стать одним из самых востребованных бестселлеров в кратчайшие сроки. Подумайте, как вам будут завидовать друзья, когда вы скажете им, что купили 2 транзистора на AliExpress. Благодаря самым низким ценам в Интернете, дешевым тарифам на доставку и возможности получения на месте вы можете еще больше сэкономить.

Если вы все еще не уверены в двух транзисторах и думаете о выборе аналогичного товара, AliExpress — отличное место для сравнения цен и продавцов. Мы поможем вам разобраться, стоит ли доплачивать за высококачественную версию или вы получаете столь же выгодную сделку, приобретая более дешевую вещь. И, если вы просто хотите побаловать себя и потратиться на самую дорогую версию, AliExpress всегда позаботится о том, чтобы вы могли получить лучшую цену за свои деньги, даже сообщая вам, когда вам будет лучше дождаться начала рекламной акции. и ожидаемая экономия.AliExpress гордится тем, что у вас всегда есть осознанный выбор при покупке в одном из сотен магазинов и продавцов на нашей платформе.Реальные покупатели оценивают качество обслуживания, цену и качество каждого магазина и продавца. Кроме того, вы можете узнать рейтинги магазина или отдельных продавцов, а также сравнить цены, доставку и скидки на один и тот же продукт, прочитав комментарии и отзывы, оставленные пользователями. Каждая покупка имеет звездный рейтинг и часто имеет комментарии, оставленные предыдущими клиентами, описывающими их опыт транзакций, поэтому вы можете покупать с уверенностью каждый раз. Короче говоря, вам не нужно верить нам на слово — просто слушайте миллионы наших довольных клиентов.

А если вы новичок на AliExpress, мы откроем вам секрет. Непосредственно перед тем, как вы нажмете «купить сейчас» в процессе транзакции, найдите время, чтобы проверить купоны — и вы сэкономите еще больше. Вы можете найти купоны магазина, купоны AliExpress или собирать купоны каждый день, играя в игры в приложении AliExpress. Вместе с бесплатной доставкой, которую предлагают большинство продавцов на нашем сайте, вы сможете приобрести transistor 2 по самой выгодной цене.

Мы всегда в курсе последних технологий, новейших тенденций и самых обсуждаемых лейблов. На AliExpress отличное качество, цена и сервис всегда в стандартной комплектации. Начните лучший опыт покупок прямо здесь.

837, 2837, kt837, 2t837«,

837, 2837, kt837, 2t837«,

---

837, 2837 (, п-н-п)

										Т = 25С										R — , C /
			Т = 25С
	I , макс.	I , макс.	U 0 макс. ,	U 0 макс. ,	U 0 макс. ,	P макс. ,	Т , С	T макс , C	T макс , C	ч 21	У ,	I ,	У ,	I 0 ,	f ,	,	С ,	С ,	т ,
837	7,5		60	80	15	30	25	125	100	10..,40	5	2	2,5	0,15						3,33
837	7,5		60	80	15	30	25	125	100	20. ..80	5	2	2,5	0,15						3,33
837	7,5		60	80	15	30	25	125	100	50…150	5	2	2,5	0,15						3,33
837	7,5		45	60	15	30	25	125	100	10..,40	5	2	0,5	0,15						3,33
837	7,5		45	60	15	30	25	125	100	20. ..80	5	2	0,5	0,15						3,33
837	7,5		45	60	15	30	25	125	100	50…150	5	2	0,5	0,15						3,33
837	7,5		30	45	15	30	25	125	100	10..,40	5	2	2,5	0,15						3,33
837	7,5		30	45	15	30	25	125	100	20. ..80	5	2	2,5	0,15						3,33
837	7,5		30	45	15	30	25	125	100	50…150	5	2	2,5	0,15						3,33
837	7,5		60	80	5	30	25	125	100	10..,40	5	2	2,5	0,15						3,33
837	7,5		60	80	5	30	25	125	100	20. ..80	5	2	2,5	0,15						3,33
837	7,5		60	80	5	30	25	125	100	50…150	5	2	2,5	0,15						3,33
837	7,5		45	60	5	30	25	125	100	10..,40	5	2	0,9	0,15						3,33
837	7,5		45	60	5	30	25	125	100	20. ..80	5	2	0,9	0,15						3,33
837	7,5		45	60	5	30	25	125	100	50…150	5	2	0,9	0,15						3,33
837	7,5		30	45	5	30	25	125	100	10..,40	5	2	0,5	0,15						3,33
837	7,5		30	45	5	30	25	125	100	20. ..80	5	2	0,5	0,15						3,33
837	7,5		30	45	5	30	25	125	100	50…150	5	2	0,5	0,15						3,33

										Т = 25С											R — , C /
			Т = 25С
	I , макс.	I , макс.	U 0 макс. ,	U 0 макс. ,	U 0 макс. ,	P макс. ,	Т , С	T макс , C	T макс , C	ч 21	У ,	I ,	У ,	I 0 ,	f ,	,	С ,	С ,	т ,	т ,
2837	8		55	80	15	30	25	125	100	15.. 120	5	2	0,9	0,15	3				0,5	1	3,33
2837	8		45	60	15	30	25	125	100	30. ..150	5	2	0,9	0,15	3				0,5	1	3,33
2837	8		35	45	15	30	25	125	100	40…180	5	2	0,9	0,15	3				0,5	1	3,33
2837	8		55	80	5	30	25	125	100	15. . 120	5	2	0,9	0,15	3				0,5	1	3,33
2837	8		45	60	5	30	25	125	100	30…150	5	2	0,9	0,15	3				0,5	1	3,33
2837	8		35	45	5	30	25	125	100	40. ..180	5	2	0,9	0,15	3				0,5	1	3,33

---

www.5v.ru

Perbedaan jenis Transistor Final Power, Jengkolan Sanken, Toshiba, Mjl, NJW, дан TIP

Ada bermacam merk dan varian dari transistor yang cocok sebagai penguat akhir atau final untuk power audio янь banyak dijual ditoko elektronika.Hal ini tentu saja sangat bagus bagi kita para perakit audio, sehingga kita bisa mudah menyesuaikan dengan kebutuhan akan amp kita. Dipasaran ada tersedia berbagai merk dan type, misalnya Thosiba, Sanken, MOSPEC, MJL, jengkolan, MEXICO, TIP, NJW, dsb. Апа ян мембедакан диантара семуанья?…. secara prinsip kerja transistor sama saja, namun hal utama yang paling mempengaruhi terhadap kebutuhan audio kita adalah voltasenya, disipasi daya, dan tentu saja harga dari masing-masing transistor tersebut.

Baca juga: Kerusakan Umum pada Driver Усилитель мощности OCL 150 Вт

Untuk itu anda perlu melihat kebutuhan Anda terlebih dahulu sebelum memilih diantara masing-masing type transistor, sehingga nantinya nggak akan ada hal yang sia-sia.

Misalnya sebagai contoh: Anda saat ini sudah memiliki sebuah trafo berukuran 5 ампер; dengan tegangan выход максимум 32вольт…. Нет, dengan adanya trafo yang sebesar itu, maka anda hanya akan sia-sia jika memilih конечный транзистор sanken 2SC3264 дан pasangannya 2SA1295; hal ini karena транзисторный тип tersebut selain cukup mahal, juga memiliki spesifikasi yang tinggi, yaitu 230v, 17 ampere, dengan daa maksimal 200watt.

Kenapa saya bilang sia-sia? . Sia-sianya karena trafo yang anda miliki kurang mencukupi Untuk kebutuhan Supply arus (kurang ampere) Untuk tr final tersebut, sehingga daa outputnya pun tidak akan bisa maksimal; артинья анда ханья буангбуанг дуит саджа. Транзистор Yang sesuai dengan trafo anda adalah TIP 3055 / TIP2955 atau jengkolan 2N3055 и pasangannya yaitu MJ2955. Tapi kalau trafo Anda adalah produk 5 amper besar / 5A murni, maka 1 set sanken 2SC2922 — 2SA1216 mungkin masih sesuai. Paham khan maksud saya?… Hehe Lain hal nya jika Anda memiliki trafo 10amper, yang mampu menyuplai tegangan hingga 60VDC, maka Anda bisa memilih final type 2SC3264 dan pasangannya 2SA1295 supaya Максимальный усилитель мощности Стерео усилитель мощности. Apakah hal itu sudah tidak sia-sia?…. Тидак, Карена Дая Келуаран Максимал Джуга Тергантунг Дари Фактор Спикерня Джуга, Мака спикер Анда Харусня Мампу Менампунг Дайа 400 Вт dengan Impedansi 4ohm. Anda bisa menggunakan 2 buah динамик 8 0hm 200 ватт ян дипаралель.Бару иту наманйа тидак сиа-сиа. Segitu saja basa-poolya, sekarang marilah kita mengenal berbagai, транзисторный оконечный усилитель.

Baca juga: Penyebab dan cara mengatasi Suara Mendengung Усилитель Rakitan

Berikut mengenai perbedaan berbagai TR конечный аудиоусилитель ян баньяк дигунакан олех перакит atau penggemar audio

Транзистор выпускной аудиосистемы Sanken 2SC2922 — 2SA1216

Сепасанг TR окончательный тип дари продукт санкен Ини каякня янь палинг menjadi primadona diantara para penggemar audio.Selain mudah dijumpai dipasaran, тип транзистора sanken ini harganya relatif terjangkau, максимальное напряжение cukup yaitu hingga 180V дан куат arus maksimal 17 ampere, mampu mengeluarkan daya hingga 200watt.

Тип Ини Джуга Биса ди Gunakan Untuk усилитель мощности Луар Руанган Ян Бердая Бесар Рибуан Ватт, Джуга Багус Дигунакан Унтук Аудио Румахан. Bagaimana caranya jika akan kita digunakan Untuk Power Audio Lapangan Berdaya Ribuan Watt?… Tentu saja tegangan dan kuat arus (ampere) trafo supply perlu ditingkatkan, namun kita juga perlu menggunakan beberapa set sanken de dA126122 — источник питания 2SC121622 — sankenSedangkan kalau Untuk kebutuhan audio ruangan, maka 1 set TR final ini dengan 10 amper trafo sudah sangat baik.

Masih ada beberapa type varian TR penguat akhir produk dari sanken yang tentunya tersedia dalam bermacam spsifikasi yaitu termasuk: Sanken 2SC3858 — 2SA1494 => 200 Вт, 200 В, 17 ампер. 2SC3264 — 2SA1295 => 200 Вт, 230 В, 17 ампер.

Транзистор выпускной аудиосистемы TOSHIBA 2SC5200 dan 2SA1943

Beda dengan SANKEN 2SC2922 дан 2SA1216, TOSHIBA 2SC5200 дан 2SA1943 memiliki bentu fisik yang lebih kecil.Транзистор jenis ini juga banyak dipilih oleh penggemar audio Untuk menggetarkan lingkungan sekitarnya.

Menurut datasheet, тип TR final ini mampu menerima tegangan max 230V dengan kuat arus hingga 15 ампер. Намун денган дайа максимальная ханья 150 Вт, максимальная дайа Тошиба 2SC5200 дан 2SA1943 lebih kecil daripada sanken 2SC2922 дан 2SA1216. Namun meskipun lebih kecil dari sanken 2SC2922 дан 2SA1216, TOSHIBA 2SC5200 дан 2SA1943 bisa menerima arus listrik hingga sebesar 230V.

Dengan demikian, транзистор вначале меняет настройки, чтобы получить доступ к дипакайам TR, окончательный вариант для звуковой мощности; dengan asumsi mampu menerima strum yang jauh lebih tinggi yang artinya akan lebih tahan panas.

Транзистор выпускной аудиосистемы NJW0302 — NJW 0281

Тип транзистора NJW lebih kecil lagi daripada Thosiba, namun memiliki tegangan maksimal yang besar hampir setara dengan THOSIBA 2SC5200 dan 2SA1943 yaitu Voltase maksimal 250V, 15 Amper, dan daa maksimal 150watt.Jika Anda memilih NJW, artinya Anda akanmbangun power amp dengan daya yang tinggi. Karena tegangannya tinggi, maka jenis type ini bisa dipakai untuk класс водителя H. Alasannya class h memakai steper yang menggunakan tegangan versi high sebesar 120V — транзистор Artinya NJW lebih dingin daripada jika pakai sanken untuk class H.

Транзистор выпускной аудиосистемы MOTOROLA MJ15003-15004 dan MJ15024-15025 (jengkolan)

MJ15003-15004 дан MJ15024-15025 транзистор янь дибуат для оконечного усилителя ян бердайа сангат бесар, яиту унтук 1 сетня мэмпу memberikan дайа усилитель себесар максимум 240 ватт.Транзистор ini berbentuk jengkolan . TR final buatan Motorola ini sama-sama mampu menghasilkan daya hingga 240 ватт. Cukup besar bukan?… .. Lalu apa yang memedakan?…. Тегангання максимальня-лах янь мембедакання. Kalau MJ15003-15004 mampu menerima tegangan hingga 140V 20A, sedangkan MJ15024-15025 hingga 400V 16 ампер. Сехингга акан лебих дингин джика дибандингкан денган санкен джика менггунакан теганган ян сама мисальнйа 90 вольт — артинья тентулах лебих авет… .Лха вонг харганья саджа беда джаух.. хехе

Нет, анда пилих ян мана?…. Sesuaikan saja dengan kebutuhan anda ,,,

Транзистор выпускной аудиосистемы MJL21193 — MJL21194

Transistor ini memiliki kemampuan menerima tegangan hingga 250v 16 ampere, dan keluaran daya maksimal hingga 200 ватт. Sepertinya setara dengan Sanken 2SC3264 — 2SA1295, дан янь мембуат pilihan diantara keduanya adalah harganya. Тапи менурут сая, калау мазинг-масинг адалах продукт асли дан букан К.В., мака кедуанйа акан сама-сама мантаб унтук ПА Анда.

Jengkolan 2N3055 — MJ2955 дан TIP TIP3055-TIP2955

Транзисторный оконечный усилитель Kedua jenis ini memiliki datasheet ян сама яиту 100 вольт 15 ампер дан 150 ватт. Kalau saya mendingan memilih yang TIP, karena lebih mudah dipasang pada pendingin, :). Ханья саджа, карена тело jengkolan adalah logam, maka panas yang dihasilkan lebih cepat di salurkan ke heatsink sehingga tida cepat mengalamipenurunan daa dan berpeluang lebih awet. Kalau Anda memilih jenis transistor ini maka Anda hanya akanmbuat sebuah audio ruangan yang sedikit lebih menendang.Намун секали лаги, халини джуга перлу дисесуайкан денган кебутухан.

Masih banyak lagi merk dan type dari TRansistor final audio yang beredar dipasaran, termasuk:

2SA1103 — 2SC2578; spek datasheet = 100 вольт, 7 ампер, 70 ватт

============

2SA1105 — 2SC2577; spek datasheet = 120 вольт, 9 ампер, 90 ватт

============

2SA1106 — 2SC2851; spek datasheet = 140 вольт, 10 ампер, 100 ватт

============

2SC2580 — 2SA1105; spek datasheet = 120 вольт, 9 ампер, 90 ватт

============

2SC2581- 2SA1106; spek datasheet = 140 вольт, 10 ампер, 100 ватт

============

JENGKOLAN 2N3773 — 2N6609; spek datasheet = 160 вольт, 16 ампер, 160 ватт

===========

SANKEN 2SA1295 -2SC3264; spek datasheet = 200 вольт, 17 ампер, 200 ватт

===========

SANKEN 2SA1494-2SC3858; spek datasheet = 200 вольт, 17 ампер, 200 ватт

============

TOSHIBA 2SA1095 — 2SC2565; spek datasheet = 160 вольт, 15 ампер, 150 ватт

============

Кататан:

• спецификация данных V misalnya 160V atau 250V adalah tegangan C dan E, jadi bukan berarti power ampi bisa disuply dengan tegangan secara langsung sebesar itu.
• Spesifikasi W (misalnya 200W) adalah disipasi daya, bukan keluaran dalam output. Дисипаси дайа биса меруджук кепада операси аман атау безопасная операционная дари компонен краткий — джади артинья компонен терсебут mampu beroperasi hingga batas itu. Misalnya disipasi daya final sanken adalah 200W, maka bisa diartikan bahwa tr final sanken itu mampu atau aman mengeluarkan daya выходной усилитель hingga sebesar 200W puncak. Jadi bukan berarti kita menggunakan 1set final sanken dengan disipasi daya 200W, maka outputnya pasti 200watt rms.Тидак сеперти иту, карена дайа терджади карена П = V.I. Baca juga: усилитель мощности Cara menghitung дайа келуаран.

Baca juga: динамик Cara Membuat Box PLANAR, Skema & kelebihannya

Demikian sekilas pembahasan tentang Perbedaan dari berbagai type Transistor Final Untuk Power Amplifier, yaitu TR final jenis Jengkolan, merk Sanken, Toshiba, type Mjl, NJW, Mexico, Mospec, dan TIP. Хал Ини bertujuan Untuk Menambah Wawasan Pengetahuan Menngenai Macam транзисторный конечный усилитель Ян Умум Beredar dipasaran Ян Биса Кита manfaatkan sesuai dengan kebutuhan звуковой системы.

Radartutorial

npn- Работа транзистора

pn-переход с прямым смещением сопоставим с элементом схемы с низким сопротивлением. потому что он пропускает большой ток при заданном напряжении. В свою очередь, обратносмещенный pn-переход сравним с высокоомным элементом схемы. Используя формулу закона Ома для мощности (P = I ² · R) и если ток остается постоянным, можно сделать вывод, что мощность, развиваемая через высокое сопротивление больше, чем при низком сопротивлении.Таким образом, если бы в кристалле было два pn-переходы (один с прямым смещением, а другой с обратным смещением), маломощный сигнал может быть введен в переход с прямым смещением и генерировать мощный сигнал на обратном смещении соединение. Таким образом можно получить усиление мощности на кристалле. Эта концепция, которая является просто продолжением материала, рассмотренного в предыдущих темах, это основная теория усиления транзистора. С этой свежей информацией в памяти, перейдем непосредственно к npn-транзистору.

коллектор

база

излучатель

прямое смещение

Рисунок 1: Прямо-смещенный переход в npn-транзисторе

коллектор

база

излучатель

прямое смещение

Рисунок 1: Прямо смещенный переход в npn-транзисторе

Как и в случае диода с pn-переходом, материал n-типа состоящий из двух концевых секций npn-транзистора, содержит ряд свободных электронов, в то время как центральная секция p содержит избыточное количество отверстий.Действие на каждом стыке между эти разделы такие же, как и ранее описанные для диод; то есть развиваются области истощения и появляется переходной барьер. Чтобы использовать транзистор в качестве усилителя, каждый из этих переходов должен быть модифицирован некоторым внешним напряжением смещения. Для транзистора чтобы функционировать в этом качестве, первый pn-переход (переход эмиттер-база) смещен в прямое направление или направление с низким сопротивлением. В то же время второй pn-переход (переход база-коллектор) смещен в обратном или высокоомном направлении.Буквы этих элементы указывают, какую полярность напряжения использовать для правильного смещения. Например, обратите внимание на транзистор npn, показанный на рисунке 2:

Эмиттер, который является первой буквой в последовательности n pn, подключен к n типичная сторона батареи, а основание, которое является второй буквой (n p n), подключается к положительной стороне p . Однако, поскольку второй pn-переход требуется обратное смещение для правильной работы транзистора, коллектор должен быть подключен на напряжение противоположной полярности (положительное), чем указано в его буквенном обозначении (npn).Напряжение на коллекторе также должно быть более положительным, чем на базе, как показано рядом:

Теперь у нас есть правильно смещенный npn-транзистор.

Таким образом, база npn-транзистора должна быть положительной относительно к эмиттеру, а коллектор должен быть положительнее базы.

коллектор

база

излучатель

обратное смещение

прямое смещение

Рис. 2. Переходы в npn-транзисторе.

коллектор

база

излучатель

обратное смещение

прямое смещение

Рис. 2. Переходы в npn-транзисторе.

переход npn с прямым смещением

Важный момент, который следует отметить в это время, который не обязательно упоминался во время объяснение диода, это тот факт, что n-материал на одной стороне перехода с прямым смещением более сильно легирован, чем материал p.Это приводит к тому, что через переход переносится больший ток электронами основных носителей заряда. из n-материала, чем большинство несущих отверстий из p-материала. Следовательно, проводимость через смещенный в прямом направлении переход, как показано на рисунке 3, В основном это электроны-носители из n-материала (эмиттера).

отверстие потока

электронный поток

Bild 3: Strom durch den pn- Übergang in Durchlasspolung

отверстие потока

электронный поток

Bild 3: Strom durch den pn- Übergang in Durchlasspolung

Когда переход эмиттер-база на рисунке смещен в прямом направлении, электроны покидают отрицательную клемму батареи и попадают в материал n-типа (эмиттер).Поскольку электроны являются основными носителями тока в n-материале, они легко проходят через эмиттер, пересеките переход и совместите с отверстиями в материале p (основание). За с каждым электроном, заполняющим дырку в материале p, другой электрон покидает p материала (создавая новое отверстие) и введите положительный полюс батареи.

обратносмещенный переход npn

коллектор

база

излучатель

обратный
смещенный
переход

отверстие потока

электрон
поток

Рис. 4. Обратносмещенный переход в npn-транзисторе.

коллектор

база

излучатель

обратный
смещенный
переход

отверстие потока

электрон
поток

Рис. 4. Обратносмещенный переход в npn-транзисторе.

Второй pn-переход (база-коллектор), или соединение с обратным смещением, как его называют (рисунок 4), блокирует основной ток перевозчики от пересечения перекрестка. Однако есть очень слабый ток, что действительно проходит через этот перекресток.Этот ток называется током меньшинства или обратным. текущий. Как вы помните, этот ток создавался электронно-дырочными парами. В неосновными носителями для обратносмещенного pn-перехода являются электроны в p-материале и дырки в n-материале. Эти неосновные носители фактически проводят ток для обратносмещенного перехода, когда электроны из материала p входят в материал n, а дырки из n-материала войдите в p-материал. Однако неосновные электроны тока играют наиболее важную роль в работе. транзистора npn.

взаимодействие npn-переходов

Батареи смещения на рисунке 5 имеют маркировку V _CC для коллектора. напряжение питания и V _BB для источника напряжения базы. Также обратите внимание на базу Батарея питания довольно мала, на что указывает количество ячеек в батарее, обычно 1 вольт или меньше. Однако запас коллектора обычно намного выше базового. питание, обычно около 6 вольт. Эта разница в напряжениях питания необходима для есть ток от эмиттера к коллектору.

коллектор

база

излучатель

обратное
смещение

вперед
смещение

отверстие потока

электрон
поток

В _BB

В _CC

Рисунок 5: Работа npn-транзистора — это, в основном, действие относительно небольшое напряжение смещения эмиттер-база, управляющее относительно большим током эмиттер-коллектор.

коллектор

база

излучатель

обратное
смещение

вперед
смещение

отверстие потока

электрон
поток

В _BB

В _CC

Рисунок 5: Работа npn-транзистора — это, в основном, действие относительно небольшое напряжение смещения эмиттер-база, управляющее относительно большим током эмиттер-коллектор.

Ток во внешней цепи всегда связан с движение свободных электронов. Следовательно, электроны текут с отрицательных выводов подавать батареи к эмиттеру n-типа. Это комбинированное движение электронов известно как эмиттер. ток (I _E ). Поскольку электроны являются основными носителями в n-материале, они будут двигаться через эмиттер из n-материала к переходу эмиттер-база. С этим переход смещен вперед, электроны продолжают движение в основную область.Как только электроны находятся в основе, которая представляет собой материал p-типа, они становятся неосновными носителями. Некоторые из электроны, которые движутся в базу, рекомбинируют с доступными дырками. Для каждого электрона который рекомбинирует, другой электрон движется через вывод базы в виде тока базы I _B (создавая новое отверстие для возможной комбинации) и возвращается к базовой аккумуляторной батарее V.

Электроны, которые рекомбинируют, теряются в отношении коллектора. Поэтому, чтобы сделать транзистор более эффективным, базовая область сделана очень тонкой и слегка допированный.Это уменьшает возможность рекомбинации электрона с дыркой и Потерянный. Таким образом, большая часть электронов, которые перемещаются в базовую область, попадают под влияние обратного смещения большого коллектора. Это смещение действует как смещение вперед для неосновных носителей (электронов) в базе и, как таковые, ускоряет их через переход база-коллектор и далее в коллекторную область. Поскольку коллектор изготовлен из материал n-типа, электроны, которые достигают коллектора, снова становятся большинством текущие носители.Попадая в коллектор, электроны легко проходят через n материал и возврат к плюсовой клемме коллекторной аккумуляторной батареи V _CC как ток коллектора (I _C ).

Для дальнейшего повышения КПД транзистора выполнен коллектор физически больше, чем база, по двум причинам: (1) для увеличения шансов собрать носители, которые диффундируют в сторону, а также непосредственно через основную область, и (2) к позвольте коллектору обрабатывать больше тепла без повреждений.

Рисунок 6: Полный ток, протекающий через npn-транзистор

Рисунок 6: Полный ток, протекающий через npn-транзистор

Таким образом, полный ток в npn-транзисторе проходит через вывод эмиттера. Следовательно, в процентном отношении I _E составляет 100 процентов. С другой стороны, поскольку база очень тонкая и слегка легированная, меньший процент от общего тока (ток эмиттера) будет течь в цепи базы, чем в цепи коллектора.Обычно нет от 2 до 5 процентов общего тока составляет базовый ток (I _B ), в то время как оставшиеся от 95 до 98 процентов — ток коллектора (I _C ). Очень простые отношения существует между этими двумя токами:

I _E = I _B + I _C

Простыми словами это означает, что ток эмиттера разделен на базовый и коллекторный ток. Поскольку количество тока, выходящего из эмиттера, является исключительно функцией смещение эмиттер-база, и поскольку коллектор принимает большую часть этого тока, небольшой изменение смещения эмиттер-база будет иметь гораздо большее влияние на величину коллектора.