Что представляет собой транзистор КТ817. Каковы его основные параметры и характеристики. Для чего применяется КТ817 в электронных схемах. Какие существуют модификации и аналоги данного транзистора.
Общая характеристика транзистора КТ817
КТ817 — это кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный транзистор структуры n-p-n. Он относится к семейству мощных низкочастотных транзисторов и предназначен для применения в ключевых и линейных схемах различной радиоэлектронной аппаратуры.
Основные особенности КТ817:
- Структура n-p-n
- Материал — кремний
- Технология изготовления — эпитаксиально-планарная
- Высокая мощность рассеивания — до 25 Вт
- Максимальный ток коллектора — 3 А (6 А импульсный)
- Низкая рабочая частота — до 3 МГц
- Различные модификации по напряжению
Модификации транзистора КТ817
Транзистор КТ817 выпускается в нескольких модификациях, различающихся максимально допустимым напряжением коллектор-эмиттер:
- КТ817А — 40 В
- КТ817Б — 45 В
- КТ817В — 60 В
- КТ817Г — 100 В
Чем обусловлено наличие разных модификаций? Это позволяет выбрать оптимальный вариант транзистора под конкретную схему, не переплачивая за излишний запас по напряжению. При этом остальные параметры у всех модификаций идентичны.
Основные параметры и характеристики КТ817
Рассмотрим подробнее электрические параметры транзистора КТ817:
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 40-100 В (зависит от модификации)
- Максимальное напряжение эмиттер-база: 5 В
- Максимальный постоянный ток коллектора: 3 А
- Максимальный импульсный ток коллектора: 6 А
- Максимальный ток базы: 1 А
- Рассеиваемая мощность коллектора: 25 Вт
- Коэффициент усиления по току: 40-275
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 3 МГц
- Емкость коллекторного перехода: 60 пФ
- Емкость эмиттерного перехода: 75 пФ
Как видим, КТ817 обладает достаточно высокими показателями по току и мощности при относительно низкой рабочей частоте. Это определяет области его применения.
Применение транзистора КТ817 в электронных схемах
Благодаря своим характеристикам, КТ817 нашел широкое применение в различных электронных устройствах:
- Выходные каскады усилителей мощности звуковой частоты
- Импульсные источники питания
- Ключевые схемы управления нагрузкой
- Стабилизаторы напряжения
- Преобразователи напряжения
- Драйверы электродвигателей
- Зарядные устройства
Почему КТ817 так востребован в этих применениях? Транзистор способен коммутировать большие токи при достаточно высоком напряжении, что критично для силовых схем. При этом он относительно недорог по сравнению с более высокочастотными аналогами.
Особенности конструкции и монтажа КТ817
Транзистор КТ817 выпускается в двух типах корпусов:
- Пластиковый корпус КТ-27 (аналог TO-126) — для обычного монтажа
- Пластиковый корпус КТ-89 (DPAK) — для поверхностного монтажа
При монтаже КТ817 следует учитывать несколько важных моментов:
- Необходимо обеспечить хороший теплоотвод, особенно при работе на большой мощности. Рекомендуется использовать радиатор.
- Выводы транзистора достаточно толстые и жесткие. При изгибе нужно соблюдать осторожность, чтобы не повредить корпус.
- Температура пайки не должна превышать 260°C, а время пайки — не более 10 секунд.
- При групповой пайке рекомендуется использовать теплоотвод.
Соблюдение этих правил поможет избежать повреждения транзистора при монтаже и обеспечит его надежную работу в схеме.
Аналоги транзистора КТ817
При разработке или ремонте электронных устройств часто возникает необходимость замены КТ817 на аналог. Какие транзисторы можно использовать вместо КТ817?
Отечественные аналоги:
- КТ815 — близкий аналог, но с меньшим током
- КТ818 — аналог с большим током
- КТ819 — высоковольтный аналог
Зарубежные аналоги:
- BD237 — прямой аналог КТ817Г
- BD235 — аналог КТ817В
- BD233 — аналог КТ817Б
- TIP31 — близкий аналог по параметрам
При выборе аналога следует внимательно сравнивать все ключевые параметры: напряжение, ток, мощность, коэффициент усиления, частотные свойства. Прямая замена возможна не всегда, иногда требуется небольшая корректировка схемы.
Особенности применения КТ817 в усилителях мощности
Одно из самых распространенных применений КТ817 — выходные каскады усилителей мощности звуковой частоты. Почему этот транзистор хорошо подходит для такого применения?
- Высокая мощность рассеивания позволяет получить большую выходную мощность
- Большой максимальный ток обеспечивает хорошую нагрузочную способность
- Низкая рабочая частота достаточна для звукового диапазона
- Хорошая линейность характеристик в рабочем режиме
При проектировании усилителя на КТ817 следует учитывать несколько моментов:
- Необходимо обеспечить надежный теплоотвод, особенно в мощных конструкциях
- Рекомендуется использовать схему с глубокой отрицательной обратной связью для улучшения линейности
- Желательно применять парные транзисторы для уменьшения искажений
- Следует предусмотреть защиту от перегрузки и короткого замыкания
При правильном применении КТ817 позволяет создавать качественные и надежные усилители мощности.
Применение КТ817 в импульсных источниках питания
Еще одна популярная область применения КТ817 — импульсные источники питания. Какие свойства транзистора важны для этого применения?
- Высокое максимальное напряжение коллектор-эмиттер
- Способность работать в ключевом режиме на частотах до нескольких десятков кГц
- Низкое напряжение насыщения, уменьшающее потери
- Высокая устойчивость к перегрузкам
При разработке импульсного источника питания на КТ817 нужно учитывать следующие аспекты:
- Выбирать частоту преобразования с учетом частотных свойств транзистора
- Обеспечивать быстрое переключение для снижения динамических потерь
- Использовать снабберные цепи для защиты от выбросов напряжения
- Предусматривать эффективный теплоотвод
При грамотном проектировании КТ817 позволяет создавать эффективные и надежные импульсные источники питания мощностью до нескольких сотен ватт.
Транзистор КТ817 характеристики, параметры, аналоги
Транзистор КТ817 характеристики, параметры, аналоги | Зарядные устройства | Металлоискатели | Основы электроники | Справка по электронным компонентам | Строительство | Прочее |
КТ817 n-p-n кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.
- Прототип КТ817 Б – BD233
- Прототип КТ817 В – BD235
- Прототип КТ817 Г – BD237
- Диапазон рабочих температур корпуса от — 60 до + 150 °C
- Комплиментарная пара – КТ816
- аАО.336.187 ТУ/02
- пластмассовый корпус КТ-27 (ТО-126) – КТ817 А, Б, В, Г
- пластмассовый корпус КТ-89 (DPAK) — КТ817 А9, Б9, В9, Г9
Напряжение коллектор — эмиттер Uкэ max (Rэб≤1 кОм):
- КТ817 А, А9 — 40 В
- КТ817 Б, Б9 — 45 В
- КТ817 В, В9 — 60 В
- КТ817 Г, Г9 — 100 В
Напряжение эмиттер — база Uэб max:
- КТ817 А, А9 — 5 В
- КТ817 Б, Б9 — 5 В
- КТ817 В, В9 — 5 В
- КТ817 Г, Г9 — 5 В
Постоянный ток коллектора Iк max:
- КТ817 А, А9 — 3 А
- КТ817 Б, Б9 — 3 А
- КТ817 В, В9 — 3 А
- КТ817 Г, Г9 — 3 А
Импульсный ток коллектора Iки max:
- КТ817 А, А9 — 6 А
- КТ817 Б, Б9 — 6 А
- КТ817 В, В9 — 6 А
- КТ817 Г, Г9 — 6 А
Максимально допустимый постоянный ток базы Iб max:
- КТ817 А, А9 — 1 А
- КТ817 Б, Б9 — 1 А
- КТ817 В, В9 — 1 А
- КТ817 Г, Г9 —
Рассеиваемая мощность коллектора Pк max:
- КТ817 А, А9 — 25 Вт
- КТ817 Б, Б9 — 25 Вт
- КТ817 В, В9 — 25 Вт
- КТ817 Г, Г9 — 25 Вт
Температура перехода Tпер:
- КТ817 А, А9 — 150 °C
- КТ817 Б, Б9 — 150 °C
- КТ817 В, В9 — 150 °C
- КТ817 Г, Г9 — 150 °C
Таблица 1.
Основные электрические параметры КТ817 при Токр.среды=25 °С
Источник: www.integral.by
Опубликовано 17.07.2017
| Микросхемы | Транзисторы | Диоды | Тиристоры |
Транзистор КТ815: характеристики (параметры), зарубежные аналоги
Главная » Транзистор
КТ815 — биполярный транзистор на кремниевой основе, изготовлен по эпитаксиально-планарной технологии со структурой перехода NPN.
Содержание
- Корпус, цоколевка и размеры
- Применение
- Особенности транзистора
- Маркировка
- Модификации
- Предельные эксплуатационные характеристики
- Электрические параметры
- Условия монтажа
- Комплементарная пара
- Аналоги
- Графические зависимости
Корпус, цоколевка и размеры
Корпус компонента исполнен в стандарте КТ-27, который является аналогом ТО-126. Транзистор также встречается в корпусе КТ-89 для поверхностного монтажа.
Применение
КТ815 — низкочастотный и мощный транзистор, что позволяет его применять во многих линейных или ключевых схемам.
Компонент может использоваться в операционных схемах, дифференциальных или низкочастотных усилителях, различных импульсных электрических устройствах и преобразователях.
Наличие у транзистора комплементарной пары обуславливает частое их применение в схемах предкаскадах усилителей мощности и стабилизаторов напряжения небольших нагрузок.
Особенности транзистора
- Низкая частота;
- Высокая мощность;
- Наличие комплементарной пары;
- Несколько модификаций.
Маркировка
Транзисторы серии КТ815 имеют два основных метода маркировки:
- Первый заключается в нанесении на корпус полного названия, например КТ815А;
- Второй заключается в нанесении четырехзначной маркировки, где первым символом будет 5, вторым модель, а последние два символа — дата выпуска. Например 5ВU2 это транзистор КТ815В.
Модификации
Транзистор имеет несколько модификаций, которые имеют небольшие, но важные различия:
- КТ815А — Uкбо(и) = 40 В, Uкэо(и) = 30 В;
- КТ815Б — Uкбо(и) = 50 В, Uкэо(и) = 45 В;
- КТ815В — Uкбо(и) = 70 В, Uкэо(и) = 65 В;
- КТ815Г — Uкбо(и) = 100 В, Uкэо(и) = 85 В.
Предельные эксплуатационные характеристики
| Характеристика | Обозначение | КТ815А | КТ815Б | КТ815В | КТ815Г |
|---|---|---|---|---|---|
| Значение напряжения коллектор-эмиттер | Uкэ макс, В | 40 | 50 | 70 | 100 |
| Значение напряжения эмиттер-база | Uэб макс, В | 5 | |||
| Значение постоянного тока на коллекторе | Iк макс, А | 1.5 | |||
| Значение импульсного тока на коллекторе | Iки макс, А | 3 | |||
| Максимальный рабочий ток на базе | Iб макс, А | 0.5 | |||
| Значение рассеиваемой мощности на коллекторе | Pк макс, Вт | 10 | |||
| Максимальная рабочая температура на переходе | Tмакс, °C | 150 | |||
| Диапазон температуры окружающей среды | Tокр, °C | -60. .+125 | |||
Стоит отметить, что граничная частота для данных транзисторов находится в районе 3 МГц, и редко указывается в документации.
Электрические параметры
| Характеристика | Обозначение | КТ815А | КТ815Б | КТ815В | КТ815Г |
|---|---|---|---|---|---|
| Значение граничного напряжения на коллекторе-эмиттере | Uкэо гp. , В | 30 | 45 | 65 | 85 |
| Значение обратного тока на коллекторе | Iкбо, мкА | 50 | |||
| Значение обратного тока на коллекторе-эмиттере | Iкэr, мкА | 100 | |||
| Коэффициент усиления | h21э | 40..275 | 30..275 | ||
| Значение напряжения насыщения коллектор-эмиттер | Uкэ нас, В | 0.6 | |||
| Емкость коллекторного перехода | Ск, пФ | 60 | |||
| Емкость эмиттерного перехода | Сэ, 75 пФ | 75 | |||
Условия монтажа
При применении транзисторов КТ815 и их монтаже, следует придерживаться следующих правил:
- Изгиб выводов транзистора должен находиться минимум в 5 мм от корпуса, при этом радиус закругления должен быть в районе от 1. 5 до 2 мм;
- Не допускается установка, при которой на корпус будет передаваться усилие;
- При пайке транзистора необходимо держать жало паяльника на расстоянии не менее 5 мм от корпуса;
- Выводы должны подвергаться пайке при температуре не выше 250 °C не более 2 секунд.
5 до 2 мм;Комплементарная пара
Для всех моделей транзистора КТ815 имеется своя комплементарная пара серии КТ814, с соответствующей буквой в маркировке. Например: для КТ815В комплементарной парой является КТ814В.
Аналоги
| Тип | Uкбо(и), В | Uкэо(и), В | Iкmax(и), А | Pкmax(т), Вт | h21э | fгр., МГц |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Оригинал | ||||||
| КТ815А | 40 | 25 | 1.5 (3) | 10 | 40 | 3 |
| КТ815Б | 50 | 40 | 1.5 (3) | 10 | 40 | 3 |
| КТ815В | 70 | 60 | 1. 5 (3) | 10 | 40 | 3 |
| КТ815Г | 100 | 80 | 1.5 (3) | 10 | 30 | 3 |
| Зарубежное производство | ||||||
| BD135 | 45 | 45 | 1.5 (3) | 8 | 63 | — |
| BD137 | 60 | 60 | 1.5 (3) | 8 | 63 | — |
| BD139 | 80 | 80 | 1.5 (3) | 8 | 63 | — |
| Отечественное производствто | ||||||
| КТ817 | от 40 | от 40 | 3 (6) | 25 | 25 | 3 |
Стоит отметить, что транзистор КТ817 имеет широкий модельный ряд, позволяющий подобрать замену для каждой из модификации КТ815.
Примечание: данные в таблице взяты из даташип компаний-производителей.
Графические зависимости
Основные зависимости на которые стоит обращать внимание при проектировании устройств с применением транзисторов КТ815
Рис 1.
Зависимость коэффициента усиления от значения тока на эмиттере.
Рис 2. Зависимость значений напряжений насыщения КЭ и БЭ от тока на коллекторе.
Преобразователь 220 вольт от аккумулятора 3,7 В
В быту мы чаще всего сталкиваемся с блоками питания, понижающими высокое напряжение в сети до нескольких вольт, необходимых для подключения различных устройств. Тем не менее, вы можете сделать обратное преобразование. При этом схема совершенно несложная. Может пригодиться в двух случаях:- Для подключения оборудования и устройств, которые питаются только от 220 вольт в полевых условиях.
- В случае отключения электроэнергии.
Правда, следует отметить, что представленный преобразователь маломощный и не выдержит большую нагрузку, например телевизор. Однако, как будет видно на примере, от него работает энергосберегающая лампочка.
Изготовление датчика
Нам нужно всего несколько деталей:
- Трансформатор от старой зарядки телефона.
- Транзистор 882П или его отечественные аналоги КТ815, КТ817.
- Диод ИН5398, аналог КД226 или любой другой, рассчитанный на обратный ток до 10 вольт средней или большой мощности.
- Резистор (сопротивление) на 1 кОм.
- Маленькая макетная плата.
1. Первые 0,7 Ом. 2. Второй 1,3 Ом. 3. Третий 6,2 Ом. Та обмотка, в которой наибольшее сопротивление было первичным, на нее подавалось напряжение 220 В. В нашем устройстве он будет вторичным, то есть выходным. Остальное сбрасывалось пониженным напряжением. У нас они будут служить первичкой (тот, что сопротивлением 0,7 Ом) и частью генератора (сопротивлением 1,3). Результаты измерений для разных трансформаторов могут различаться, нужно ориентироваться на их взаимосвязь между собой.
Схема устройства
Как видите, она самая простая. Для удобства мы отметили сопротивления обмоток. Трансформатор не может преобразовывать постоянный ток. Поэтому на транзисторе и одной из его обмоток собран генератор. Он подает пульсирующее напряжение с входа (аккумулятора) на первичную обмотку, со вторичной снимается напряжение около 220 вольт.
Собираем преобразователь
Берем макетную плату. Устанавливаем на него трансформатор. Выбрать резистор номиналом 1 кОм.
Вставляем его в отверстия платы, рядом с трансформатором. Загибаем выводы резистора так, чтобы соединить их с соответствующими контактами трансформатора. Припаяйте. При этом плату удобно фиксировать в любом зажиме, как на фото, чтобы не возникало проблемы с недостающей «третьей рукой». Впаиваем резистор. Откусываем лишнюю длину вывода. Плата с перекушенными выводами резистора. Далее берем транзистор. Устанавливаем его на плату с другой стороны трансформатора, как на скриншоте (места расположения деталей я выбрал так, чтобы было удобнее их соединять согласно принципиальной схеме). Подгибаем выводы транзистора. Припаяйте их. Установлен транзистор. Возьми диод. Устанавливаем его на плату параллельно транзистору. Мы паяем. Наша схема готова. Припаяйте провода для подключения постоянного напряжения (вход постоянного тока). И провода для пульсирующего высокого напряжения (выход переменного тока). Для удобства берем провода 220 вольт с крокодилами. Наше устройство готово.
