Что такое КТ817В и для чего он используется. Каковы основные параметры и характеристики транзистора КТ817В. Какие особенности делают КТ817В популярным выбором для разработчиков электроники. Как правильно применять транзистор КТ817В в электронных схемах.
Общее описание и назначение транзистора КТ817В
КТ817В — это кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный транзистор NPN-типа. Данный транзистор широко применяется в радиоэлектронной аппаратуре различного назначения. Рассмотрим основные особенности и области применения КТ817В:
- Предназначен для использования в ключевых и линейных схемах
- Применяется в блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер — 60 В
- Максимальный ток коллектора — 3 А
- Рассеиваемая мощность — 25 Вт
- Граничная частота коэффициента передачи тока — 3 МГц
За счет своих характеристик КТ817В является универсальным транзистором, подходящим для широкого спектра применений в электронике.
Ключевые электрические параметры транзистора КТ817В
Для правильного применения транзистора КТ817В важно знать его основные электрические параметры. Рассмотрим наиболее значимые характеристики:
- Граничное напряжение коллектор-эмиттер (Uкэо гр): 60 В
- Максимальный постоянный ток коллектора (Iк max): 3 А
- Импульсный ток коллектора (Iки max): 6 А
- Статический коэффициент передачи тока (h21э): 25-275
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Uкэ нас): не более 0,6 В
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pк max): 25 Вт
Какова максимальная рабочая температура транзистора КТ817В? Согласно техническим характеристикам, максимальная температура перехода составляет 150°C. При этом диапазон рабочих температур транзистора от -60°C до +150°C, что позволяет использовать его в широком спектре условий эксплуатации.
Особенности конструкции и корпусного исполнения КТ817В
Транзистор КТ817В выпускается в двух основных вариантах корпусного исполнения:- Пластмассовый корпус КТ-27 (TO-126)
- Пластмассовый корпус КТ-89 (DPAK)
Чем отличается расположение выводов в разных корпусах? В корпусе КТ-27 выводы расположены следующим образом:
- Вывод 1 — Эмиттер
- Вывод 2 — Коллектор
- Вывод 3 — База
В корпусе КТ-89 (DPAK) расположение выводов иное:
- Вывод 1 — База
- Вывод 2 — Коллектор
- Вывод 3 — Эмиттер
Важно учитывать эти различия при проектировании печатных плат и монтаже транзисторов в электронные устройства.
Применение КТ817В в электронных схемах
Благодаря своим характеристикам, транзистор КТ817В находит широкое применение в различных электронных схемах. Рассмотрим некоторые типичные области применения:
- Усилители мощности звуковой частоты
- Импульсные источники питания
- Драйверы электродвигателей
- Ключевые схемы
- Стабилизаторы напряжения
Как правильно использовать КТ817В в усилителях мощности? При проектировании усилителя следует учитывать следующие рекомендации:
- Обеспечить достаточное охлаждение транзистора
- Использовать схему с общим эмиттером для максимального усиления
- Правильно выбрать рабочую точку для оптимальной линейности
- Применять отрицательную обратную связь для улучшения характеристик
Сравнение КТ817В с аналогами
Для оценки преимуществ и недостатков КТ817В полезно сравнить его с аналогичными транзисторами. Рассмотрим сравнение с некоторыми распространенными аналогами:
| Параметр | КТ817В | BD235 | 2N3055 |
|---|---|---|---|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер | 60 В | 60 В | 60 В |
| Максимальный ток коллектора | 3 А | 2 А | 15 А |
| Рассеиваемая мощность | 25 Вт | 25 Вт | 115 Вт |
| Коэффициент усиления по току (h21э) | 25-275 | 25-250 | 20-70 |
Какие преимущества имеет КТ817В перед аналогами? Транзистор КТ817В обладает оптимальным сочетанием параметров для широкого спектра применений. Он имеет более высокий коэффициент усиления по сравнению с 2N3055, что делает его предпочтительным выбором для линейных схем. При этом КТ817В способен работать с бóльшими токами, чем BD235, что расширяет возможности его применения в мощных схемах.
Особенности эксплуатации и монтажа КТ817В
При использовании транзистора КТ817В в электронных устройствах необходимо учитывать ряд важных аспектов:
- Обеспечение надежного теплоотвода
- Правильный выбор режима работы
- Защита от перегрузок и короткого замыкания
- Соблюдение правил монтажа и пайки
Как обеспечить эффективный теплоотвод для КТ817В? Для оптимального охлаждения транзистора рекомендуется:
- Использовать качественный теплопроводящий компаунд между транзистором и радиатором
- Применять радиатор с достаточной площадью рассеивания
- При необходимости использовать принудительное охлаждение (вентилятор)
- Размещать транзистор на печатной плате с учетом оптимального теплоотвода
Соблюдение этих рекомендаций позволит обеспечить надежную работу транзистора КТ817В в различных условиях эксплуатации.
Типовые схемы включения КТ817В
Для эффективного использования транзистора КТ817В важно знать типовые схемы его включения. Рассмотрим несколько распространенных вариантов:
Схема с общим эмиттером
Это наиболее распространенная схема включения, обеспечивающая усиление как по току, так и по напряжению. Основные особенности:
- Высокий коэффициент усиления
- Инверсия фазы входного сигнала
- Средний входной и выходной импеданс
Схема с общим коллектором (эмиттерный повторитель)
Данная схема используется для согласования импедансов и буферизации сигналов. Ключевые характеристики:
- Коэффициент усиления по напряжению близок к единице
- Высокий входной и низкий выходной импеданс
- Отсутствие инверсии фазы входного сигнала
Схема с общей базой
Эта схема применяется реже, но имеет свои преимущества в определенных приложениях:
- Высокое усиление по напряжению
- Низкий входной и высокий выходной импеданс
- Хорошие частотные характеристики
Какую схему включения выбрать для конкретного применения? Выбор схемы зависит от требований к усилению, импедансу и частотным характеристикам. Для большинства применений оптимальной является схема с общим эмиттером, обеспечивающая хороший компромисс между усилением и другими параметрами.
Транзистор КТ817В
В корзину
- Описание и характеристики
- Отзывы(0)
- Инструкция
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ817В предназначены для использования в ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.
Особенности
- Диапазон рабочих температур: — 60 до + 150 C
- Комплиментарная пара – КТ816
Обозначение технических условий
- аАО. 336.187 ТУ / 02
Корпусное исполнение
- пластмассовый корпус КТ-27 (ТО-126) – КТ817А, Б, В, Г
- пластмассовый корпус КТ-89 (DPAK) – КТ817А9, Б9, В9, Г9
| Вывод (корпус КТ-27) | Назначение (корпус КТ-27) | Вывод (корпус КТ-89) | Назначение (корпус КТ-89) |
| №1 | Эмиттер | №1 | База |
| №2 | Коллектор | №2 | Коллектор |
| №3 | База | №3 | Эмиттер |
| Параметры | Обозначение | Ед. изм. | Режимы измерения | Min | Max |
| Граничное напряжение коллектор-эмиттер | Uкэо гр. | В | Iэ=0,1A, tи=0,3 — 1 мс | 25 | — |
| КТ817А, А9 | |||||
| КТ817Б, Б9 | 45 | — | |||
| КТ817В, В9 | 60 | — | |||
| КТ817Г, Г9 | 80 | ||||
| Обратный ток коллектора | Iкбо | мкА | Uкэ=40 В | — | 100 |
| КТ817А, А9 | |||||
| КТ817Б, Б9 | Uкэ=45 В | — | 100 | ||
| КТ817В, В9 | Uкэ=60 В | — | 100 | ||
| КТ817Г, Г9 | Uкэ=100 В | — | 100 | ||
| Обратный ток коллектор-эмиттер | Iкэr | мкА | Uкэ=40 В, Rбэ | — | 200 |
| КТ817А, А9 | |||||
| КТ817Б, Б9 | Uкэ=45 В, Rбэ | — | 200 | ||
| КТ817В, В9 | Uкэ=60 В, Rбэ | — | 200 | ||
| КТ817Г, Г9 | Uкэ=100В, Rбэ | — | 200 | ||
| Статический коэффициент передачи тока | h31э | Uкб=2 B, Iэ=1A | 25 | 275 | |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Uкэ нас | В | Iк=1 A, Iб=0,1A | — | 0,6 |
среды = 25 С| Параметры | Обозначение | Единица измер. | Значение |
| Напряжение коллектор-эмиттер (Rэб | Uкэ max | В | 40 |
| КТ817А, А9 | |||
| КТ817Б, Б9 | 45 | ||
| КТ817В, В9 | 60 | ||
| КТ817Г, Г9 | 100 | ||
| Напряжение эмиттер-база | Uэб max | В | 5 |
| Постоянный ток коллектора | Iк max | А | 3 |
| Импульсный ток коллектора | Iки max | А | 6 |
| Максимально допустимый постоянный ток базы | Iб max | А | 1 |
| Рассеиваемая мощность коллектора | Pк max | Вт | 25 |
| Температура перехода | Tпер | C | 150 |
Отзывы
Транзистор КТ817В
Срок доставки:
5 — 15 дней
Цена:По запросу
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ817В предназначены для использования в ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.
Особенности
- Диапазон рабочих температур: — 60 до + 150 C
- Комплиментарная пара – КТ816
Обозначение технических условий
- аАО. 336.187 ТУ / 02
Корпусное исполнение
- пластмассовый корпус КТ-27 (ТО-126) – КТ817А, Б, В, Г
- пластмассовый корпус КТ-89 (DPAK) – КТ817А9, Б9, В9, Г9
| Вывод (корпус КТ-27) | Назначение (корпус КТ-27) | Вывод (корпус КТ-89) | Назначение (корпус КТ-89) |
| №1 | Эмиттер | №1 | База |
| №2 | Коллектор | №2 | Коллектор |
| №3 | База | №3 | Эмиттер |
| Параметры | Обозначение | Ед. изм. | Режимы измерения | Min | Max |
| Граничное напряжение коллектор-эмиттер | Uкэо гр. | В | Iэ=0,1A, tи=0,3 — 1 мс | 25 | — |
| КТ817А, А9 | |||||
| КТ817Б, Б9 | 45 | — | |||
| КТ817В, В9 | 60 | — | |||
| КТ817Г, Г9 | 80 | ||||
| Обратный ток коллектора | Iкбо | мкА | Uкэ=40 В | — | 100 |
| КТ817А, А9 | |||||
| КТ817Б, Б9 | Uкэ=45 В | — | 100 | ||
| КТ817В, В9 | Uкэ=60 В | — | 100 | ||
| КТ817Г, Г9 | Uкэ=100 В | — | 100 | ||
| Обратный ток коллектор-эмиттер | Iкэr | мкА | Uкэ=40 В, Rбэ | — | 200 |
| КТ817А, А9 | |||||
| КТ817Б, Б9 | Uкэ=45 В, Rбэ | — | 200 | ||
| КТ817В, В9 | Uкэ=60 В, Rбэ | — | 200 | ||
| КТ817Г, Г9 | Uкэ=100В, Rбэ | — | 200 | ||
| Статический коэффициент передачи тока | h31э | Uкб=2 B, Iэ=1A | 25 | 275 | |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Uкэ нас | В | Iк=1 A, Iб=0,1A | — | 0,6 |
| Параметры | Обозначение | Единица измер. Похожие записи |