Основные технические параметры транзистора КТ818, 2Т818
Обозначение на схеме КТ818, 2Т818Цоколёвка транзистора КТ818, 2Т818Цоколёвка транзистора КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМВнешний вид транзистора на примере КТ818АВнешний вид транзистора на примере КТ818ГМ |
radiohome.ru
Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
Аналог | КТ818А | BD292, BD202, 2N6132 *2, TIP42 *2 | |||
КТ818Б | BD202, BDT92, 40876, BD664, BD244 *2, BD246 *2 | ||||
КТ818В | BD204, BDT94, RCA1C08, BD500A, BD244A *2 | ||||
КТ818Г | BD538, BDT96, BD500B *2, NTE197 *2, ECG197 *2, BDW22B *3 | ||||
КТ818АМ | 2N6469, BDW52, MJ2901 | ||||
КТ818БМ | BDW22, BDX92, 2N6469, BDW52 | ||||
КТ818ВМ | BDW52A, 2N5867, 2N6246 *2, BDX18N, 2N5879, BDW52A, MJ2940 *2, 2N5875 *2, 2N4908 *2, BDX92 *2 | ||||
КТ818ГМ | BDW22C, BDX18, SM2183 *1, АР1119, BD910 *1, BD710 *3, BDW22B *2 | ||||
КТ818А-1 | BD546C, MJE1290 *1, TIP34F *3 | ||||
КТ818Б-1 | BD546B, BD906 *3, BDW52 *1, BD706 *1, BD664 *3, TIP74 *3 | ||||
КТ818В-1 | BD546A, BD908, BD500A, BD708 *2, BD244A *2 | ||||
КТ818Г-1 | BD546, АР1119 *1, BD910, BD710 *2, SM2183 | ||||
Структура | — | p-n-p | |||
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ818А | — | 60* | Вт |
КТ818Б | — | 60* | |||
КТ818В | — | 60* | |||
КТ818Г | — | 60* | |||
КТ818АМ | — | ||||
КТ818БМ | — | 100* | |||
КТ818ВМ | — | 100* | |||
КТ818ГМ | — | 100* | |||
КТ818А-1 | — | 100* | |||
КТ818Б-1 | — | 100* | |||
КТ818В-1 | — | 100* | |||
КТ818Г-1 | — | 100* | |||
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h31б, f**h31э, f***max | КТ818А(М,-1) | — | ≥3 | МГц |
КТ818Б(М,-1) | — | ≥3 | |||
КТ818В(М,-1) | — | ≥3 | |||
КТ818Г(М,-1) | — | ≥3 | |||
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ818А(М,-1) | 0.1к | 40* | В |
КТ818Б(М,-1) | 0.1к | 50* | |||
КТ818В(М,-1) | 0.1к | 70* | |||
КТ818Г(М,-1) | 0.1к | 90* | |||
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | КТ818А(М,-1) | — | 5 | В | |
КТ818Б(М,-1) | — | 5 | |||
КТ818В(М,-1) | — | 5 | |||
КТ818Г(М,-1) | — | 5 | |||
Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ818А | — | 10(15*) | А |
КТ818Б | — | 10(15*) | |||
КТ818В | — | 10(15*) | |||
КТ818Г | — | 10(15*) | |||
КТ818АМ(-1) | — | 15(20*) | |||
КТ818БМ(-1) | — | 15(20*) | |||
КТ818ВМ(-1) | — | 15(20*) | |||
КТ818ГМ(-1) | — | 15(20*) | |||
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ818А(М,-1) | 40 В | ≤1 | мА |
КТ818Б(М,-1) | 40 В | ≤1 | |||
КТ818В(М,-1) | 40 В | ≤1 | |||
КТ818Г(М,-1) | 40 В | ≤1 | |||
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ818А(М,-1) | 5 В; 5 А | ≥15* | |
КТ818Б(М,-1) | 5 В; 5 А | ≥20* | |||
КТ818В(М,-1) | 5 В; 5 А | ≥15* | |||
КТ818Г(М,-1) | 5 В; 5 А | ≥12* | |||
Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ818А(М,-1) | 5 В | ≤1000 | пФ |
КТ818Б(М,-1) | 5 В | ≤1000 | |||
КТ818В(М,-1) | 5 В | ≤1000 | |||
КТ818Г(М,-1) | 5 В | ≤1000 | |||
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТ818А(М) | — | ≤0.27 | Ом, дБ |
КТ818Б(М) | — | ≤0.27 | |||
КТ818В(М) | — | ≤0.27 | |||
КТ818Г(М) | — | ≤0.27 | |||
КТ818А-1 | — | ≤0.4 | |||
КТ818Б-1 | — | ≤0.4 | |||
КТ818В-1 | — | ≤0.4 | |||
КТ818Г-1 | — | ≤0.4 | |||
Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ818А(М,-1) | — | — | Дб, Ом, Вт |
КТ818Б(М,-1) | — | — | |||
КТ818В(М,-1) | — | — | |||
КТ818Г(М,-1) | — | — | |||
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ818А(М,-1) | — | ≤2500** | пс |
КТ818Б(М,-1) | — | ≤2500** | |||
КТ818В(М,-1) | — | ≤2500** | |||
КТ818Г(М,-1) | — | ≤2500** |
rudatasheet.ru
Биполярный транзистор КТ818 | NALADCHIKKIP.RU
Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные универсальные низкочастотные мощные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и
дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных схемах. Транзисторы КТ818А, КТ818Б, KT8I8B, КТ818Г выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами, транзисторы КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ – в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора в пластмассовом корпусе не более 2,5 г, в металлостеклянном не более 15 г.
Группа | Uкэ max(и). B | Jк max(и). А | Pк max[Т]. Вт | h31э | fгр. Мгц | Uкэ нас. В |
А | 40 | 10(15) | 1.5[60] | 15 | >=3 | <2 |
АМ | 40 | 15(20) | 2[100] | 15 | >=3 | <2 |
Б | 50 | 10(15) | 1.5[60] | 20 | >=3 | <2 |
БМ | 50 | 15(20) | 2[100] | 20 | >=3 | <2 |
В | 70 | 10(15) | 1.5[60] | 15 | >=3 | <2 |
ВМ | 70 | 15(20) | 2[100] | 15 | >=3 | <2 |
Г | 100 | 10(15) | 1.5[60] | 12 | >=3 | <2 |
ГМ | 100 | 15(20) | 2[100] | 12 | >=3 | <2 |
Поделиться ссылкой:
[Всего голосов: 0 Средний: 0/5]naladchikkip.ru
Параметры транзистора КТ818. Datasheet, цоколевка, аналоги.
Параметры транзистора КТ818. Datasheet, цоколевка, аналоги.КТ818 — кремниевый биполярный p-n-p транзистор низкочастотный средней мощности, в пластмассовом корпусе TO-220
Назначение: КТ818 -транзистор широкого применения для использования в ключевых и линейных схемах.
Типы: КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г
Комплементарная пара: КТ819
Аналог: BD906, BD908, BD910, BD912
Цоколевка КТ818: Э-К-Б, смотри рисунок
Производители: Интеграл (Беларусь), Кремний-Маркетинг (Брянск)
Цена КТ818: вывести цену (формируется прямой запрос в 6 популярных интернет-магазинов)
Datasheet: (подробные характеристики с графиками зависимостей параметров)
Основные параметры транзисторов КТ818: | |||
---|---|---|---|
Параметр | Режим измерения | Min (минимальное значение параметра) | Max (максимальное значение параметра) |
Статический коэффициент передачи тока КТ818А,В КТ818А КТ818Г | Uкб=5B, Iэ=5A | 15 20 12 | |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
КТ818(А-Г) | Iк=5А, Iб=0.5A | 2В | |
Предельные параметры транзисторов КТ818: | |||
Постоянное напряжение коллектоp-эмиттеp КТ818А КТ818Б КТ818В КТ818Г | Rэб ≤ 1кОм | 40В 50В 70В 90В | |
Напряжение эмиттер-база (обратное) | 5В | ||
Постоянный ток коллектора КТ818 | 10А | ||
Импульсный ток коллектора | tи ≤ 10 мс, Т/tи≥100 | 15А | |
Максимально допустимый постоянный ток базы | 3А | ||
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора | Тк ≤ 25 °С | 60Вт | |
Температура перехода | -60 | +150 |
Подробные параметры КТ818, входная характеристика и datasheet на аналоги приведены в справочнике мощных транзисторов
www.trzrus.ru