Какие основные параметры имеет транзистор КТ818. Где применяется КТ818 в электронных схемах. Какие существуют аналоги КТ818 и чем они отличаются. Как правильно выбрать и использовать КТ818 в своих проектах.
Общая характеристика транзистора КТ818
КТ818 представляет собой кремниевый биполярный PNP-транзистор низкой частоты средней мощности. Этот транзистор выпускается в пластмассовом корпусе TO-220 и предназначен для широкого применения в ключевых и линейных схемах.
Существует несколько модификаций данного транзистора:
- КТ818А
- КТ818Б
- КТ818В
- КТ818Г
Комплементарной парой для КТ818 является транзистор КТ819. Среди зарубежных аналогов можно выделить BD906, BD908, BD910 и BD912.
Основные параметры и характеристики КТ818
Рассмотрим ключевые параметры транзистора КТ818:
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: от 40В (КТ818А) до 90В (КТ818Г)
- Максимальный постоянный ток коллектора: 10А
- Максимальный импульсный ток коллектора: 15А
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора: 60Вт
- Статический коэффициент передачи тока: от 12 до 20 (в зависимости от модификации)
- Граничная частота коэффициента передачи тока: не менее 3 МГц
Как мы видим, КТ818 обладает достаточно высокими показателями по току и мощности, что делает его подходящим для применения в мощных усилительных каскадах и ключевых схемах.
Области применения транзистора КТ818
Благодаря своим характеристикам, КТ818 находит применение в различных электронных устройствах:
- Усилители низкой частоты
- Операционные и дифференциальные усилители
- Преобразователи напряжения
- Импульсные схемы
- Источники питания
- Ключевые каскады
Особенно эффективно использование КТ818 в выходных каскадах усилителей мощности звуковой частоты, где требуется обеспечить значительную выходную мощность при относительно низком напряжении питания.
Особенности использования КТ818 в электронных схемах
При работе с КТ818 следует учитывать несколько важных моментов:
- Необходимость обеспечения эффективного теплоотвода из-за высокой рассеиваемой мощности
- Контроль температуры перехода, которая не должна превышать 150°C
- Учет зависимости коэффициента усиления от тока коллектора и температуры
- Возможность возникновения вторичного пробоя при работе в импульсном режиме
Для оптимальной работы транзистора рекомендуется использовать радиатор и правильно рассчитывать режим работы с учетом температурных зависимостей параметров.
Сравнение КТ818 с аналогами
Как уже упоминалось, КТ818 имеет ряд зарубежных аналогов. Давайте сравним его с некоторыми из них:
| Параметр | КТ818 | BD906 | BD910 |
|---|---|---|---|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер | 40-90В | 80В | 100В |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 10А | 15А | 15А |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 60Вт | 75Вт | 75Вт |
Как видно из сравнения, зарубежные аналоги имеют несколько лучшие характеристики по току и мощности, однако КТ818 остается вполне конкурентоспособным, особенно учитывая его доступность и низкую стоимость на отечественном рынке.
Рекомендации по выбору и использованию КТ818
При выборе КТ818 для своего проекта обратите внимание на следующие аспекты:
- Определите необходимое напряжение коллектор-эмиттер и выберите соответствующую модификацию (А, Б, В или Г).
- Учтите максимальный ток коллектора и рассеиваемую мощность для вашего применения.
- Проверьте, соответствует ли граничная частота требованиям вашей схемы.
- Рассчитайте необходимый теплоотвод и выберите подходящий радиатор.
- При использовании в усилителях мощности звуковой частоты обратите внимание на линейность характеристик в рабочем диапазоне токов и напряжений.
Помните, что правильный выбор и грамотное использование транзистора КТ818 позволит создать надежные и эффективные электронные устройства.
Практические советы по монтажу и эксплуатации КТ818
Чтобы обеспечить долговременную и надежную работу транзистора КТ818 в вашем устройстве, следуйте этим практическим советам:
- Используйте качественную теплопроводящую пасту при монтаже транзистора на радиатор.
- Обеспечьте хорошую вентиляцию устройства для эффективного отвода тепла.
- При пайке выводов транзистора используйте теплоотвод, чтобы избежать перегрева кристалла.
- В импульсных схемах обеспечьте защиту от перенапряжений и всплесков тока.
- Периодически проверяйте температуру корпуса транзистора во время работы устройства.
Соблюдение этих рекомендаций поможет продлить срок службы транзистора и повысить надежность вашего электронного устройства.
Перспективы развития и альтернативы КТ818
Несмотря на то, что КТ818 остается популярным выбором для многих применений, технологии не стоят на месте. Какие альтернативы могут появиться в будущем?
- MOSFET-транзисторы с улучшенными характеристиками для применений, где ранее использовался КТ818.
- Интегральные схемы, объединяющие функции нескольких дискретных компонентов.
- Новые поколения биполярных транзисторов с лучшими параметрами по току, напряжению и частоте.
Однако, учитывая простоту применения и отработанную технологию производства, КТ818 вероятно еще долго будет находить применение в различных электронных устройствах.
Основные технические параметры транзистора КТ818, 2Т818
Обозначение на схеме КТ818, 2Т818Цоколёвка транзистора КТ818, 2Т818 Цоколёвка транзистора КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМВнешний вид транзистора на примере КТ818А Внешний вид транзистора на примере КТ818ГМ | |||||||||||||||||||||
radiohome.ru
| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | КТ818А | BD292, BD202, 2N6132 *2, TIP42 *2 | |||
| КТ818Б | BD202, BDT92, 40876, BD664, BD244 *2, BD246 *2 | ||||
| КТ818В | BD204, BDT94, RCA1C08, BD500A, BD244A *2 | ||||
| КТ818Г | BD538, BDT96, BD500B *2, NTE197 *2, ECG197 *2, BDW22B *3, BD710, BD244B *2 | ||||
| КТ818АМ | 2N6469, BDW52, MJ2901 | ||||
| КТ818БМ | BDW22, BDX92, 2N6469, BDW52 | ||||
| КТ818ВМ | BDW52A, 2N5867, 2N6246 *2, BDX18N, 2N5879, BDW52A, MJ2940 *2, 2N5875 *2, 2N4908 *2, BDX92 *2 | ||||
| КТ818ГМ | BDW22C, BDX18, SM2183 *1, АР1119, BD910 *1, BD710 *3, BDW22B *2 | ||||
| КТ818А-1 | BD546C, MJE1290 *1, TIP34F *3 | ||||
| КТ818Б-1 | BD546B, BD906 *3, BDW52 *1, BD706 *1, BD664 *3, TIP74 *3 | ||||
| КТ818В-1 | BD546A, BD908, BD500A, BD708 *2, BD244A *2 | ||||
| КТ818Г-1 | BD546, АР1119 *1, BD910, BD710 *2, SM2183 | ||||
| Структура | — | p-n-p | |||
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ818А | — | 60* | Вт |
| КТ818Б | — | 60* | |||
| КТ818В | — | 60* | |||
| КТ818Г | — | 60* | |||
| КТ818АМ | — | 100* | |||
| КТ818БМ | — | 100* | |||
| КТ818ВМ | — | 100* | |||
| КТ818ГМ | — | 100* | |||
| КТ818А-1 | — | 100* | |||
| КТ818Б-1 | — | 100* | |||
| КТ818В-1 | — | 100* | |||
| КТ818Г-1 | — | 100* | |||
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h31б, f**h31э, f***max | КТ818А(М,-1) | — | ≥3 | МГц |
| КТ818Б(М,-1) | — | ≥3 | |||
| КТ818В(М,-1) | — | ≥3 | |||
| КТ818Г(М,-1) | — | ≥3 | |||
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ818А(М,-1) | 0.1к | 40* | В |
| КТ818Б(М,-1) | 0.1к | 50* | |||
| КТ818В(М,-1) | 0.1к | 70* | |||
| КТ818Г(М,-1) | 0.1к | 90* | |||
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ818А(М,-1) | — | 5 | В |
| КТ818Б(М,-1) | — | 5 | |||
| КТ818В(М,-1) | — | 5 | |||
| КТ818Г(М,-1) | — | 5 | |||
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ818А | — | 10(15*) | А |
| КТ818Б | — | 10(15*) | |||
| КТ818В | — | 10(15*) | |||
| КТ818Г | — | 10(15*) | |||
| КТ818АМ(-1) | — | 15(20*) | |||
| КТ818БМ(-1) | — | 15(20*) | |||
| КТ818ВМ(-1) | — | 15(20*) | |||
| КТ818ГМ(-1) | — | 15(20*) | |||
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ818А(М,-1) | 40 В | ≤1 | мА |
| КТ818Б(М,-1) | 40 В | ≤1 | |||
| КТ818В(М,-1) | 40 В | ≤1 | |||
| КТ818Г(М,-1) | 40 В | ≤1 | |||
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ818А(М,-1) | 5 В; 5 А | ≥15* | |
| КТ818Б(М,-1) | 5 В; 5 А | ≥20* | |||
| КТ818В(М,-1) | 5 В; 5 А | ≥15* | |||
| КТ818Г(М,-1) | 5 В; 5 А | ≥12* | |||
| Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ818А(М,-1) | 5 В | ≤1000 | пФ |
| КТ818Б(М,-1) | 5 В | ≤1000 | |||
| КТ818В(М,-1) | 5 В | ≤1000 | |||
| КТ818Г(М,-1) | 5 В | ≤1000 | |||
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТ818А(М) | — | ≤0.27 | Ом, дБ |
| КТ818Б(М) | — | ≤0.27 | |||
| КТ818В(М) | — | ≤0.27 | |||
| КТ818Г(М) | — | ≤0.27 | |||
| КТ818А-1 | — | ≤0.4 | |||
| КТ818Б-1 | — | ≤0.4 | |||
| КТ818В-1 | — | ≤0.4 | |||
| КТ818Г-1 | — | ≤0.4 | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ818А(М,-1) | — | — | Дб, Ом, Вт |
| КТ818Б(М,-1) | — | — | |||
| КТ818В(М,-1) | — | — | |||
| КТ818Г(М,-1) | — | — | |||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ818А(М,-1) | — | ≤2500** | пс |
| КТ818Б(М,-1) | — | ≤2500** | |||
| КТ818В(М,-1) | — | ≤2500** | |||
| КТ818Г(М,-1) | — | ≤2500** |
rudatasheet.ru
Биполярный транзистор КТ818 | NALADCHIKKIP.RU
Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные универсальные низкочастотные мощные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и
дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных схемах. Транзисторы КТ818А, КТ818Б, KT8I8B, КТ818Г выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами, транзисторы КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ – в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора в пластмассовом корпусе не более 2,5 г, в металлостеклянном не более 15 г.
| Группа | Uкэ max(и). B | Jк max(и). А | Pк max[Т]. Вт | h31э | fгр. Мгц | Uкэ нас. В |
| А | 40 | 10(15) | 1.5[60] | 15 | >=3 | <2 |
| АМ | 40 | 15(20) | 2[100] | 15 | >=3 | <2 |
| Б | 50 | 10(15) | 1.5[60] | 20 | >=3 | <2 |
| БМ | 50 | 15(20) | 2[100] | 20 | >=3 | <2 |
| В | 70 | 10(15) | 1.5[60] | 15 | >=3 | <2 |
| ВМ | 70 | 15(20) | 2[100] | 15 | >=3 | <2 |
| Г | 100 | 10(15) | 1.5[60] | 12 | >=3 | <2 |
| ГМ | 100 | 15(20) | 2[100] | 12 | >=3 | <2 |
Поделиться ссылкой:
[Всего голосов: 0 Средний: 0/5]naladchikkip.ru
Параметры транзистора КТ818. Datasheet, цоколевка, аналоги.
Параметры транзистора КТ818. Datasheet, цоколевка, аналоги.КТ818 — кремниевый биполярный p-n-p транзистор низкочастотный средней мощности, в пластмассовом корпусе TO-220
Назначение: КТ818 -транзистор широкого применения для использования в ключевых и линейных схемах.
Типы: КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г
Комплементарная пара: КТ819
Аналог: BD906, BD908, BD910, BD912
Цоколевка КТ818: Э-К-Б, смотри рисунок
Производители: Интеграл (Беларусь), Кремний-Маркетинг (Брянск)
Цена КТ818: вывести цену (формируется прямой запрос в 6 популярных интернет-магазинов)
Datasheet: (подробные характеристики с графиками зависимостей параметров)
| Основные параметры транзисторов КТ818: | |||
|---|---|---|---|
| Параметр | Режим измерения | Min (минимальное значение параметра) | Max (максимальное значение параметра) |
| Статический коэффициент передачи тока КТ818А,В КТ818А КТ818Г | Uкб=5B, Iэ=5A | 15 20 12 | |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
КТ818(А-Г) | Iк=5А, Iб=0.5A | 2В | |
| Предельные параметры транзисторов КТ818: | |||
| Постоянное напряжение коллектоp-эмиттеp КТ818А КТ818Б КТ818В КТ818Г | Rэб ≤ 1кОм | 40В 50В 70В 90В | |
| Напряжение эмиттер-база (обратное) | 5В | ||
| Постоянный ток коллектора КТ818 | 10А | ||
| Импульсный ток коллектора | tи ≤ 10 мс, Т/tи≥100 | 15А | |
| Максимально допустимый постоянный ток базы | 3А | ||
| Постоянная рассеиваемая мощность коллектора | Тк ≤ 25 °С | 60Вт | |
| Температура перехода | -60 | +150 | |
Подробные параметры КТ818, входная характеристика и datasheet на аналоги приведены в справочнике мощных транзисторов
www.trzrus.ru
