Кт818 транзистор характеристики – 818 — , , , —

КТ818, 2Т818 - биполярный кремниевый PNP транзистор - параметры, использование, цоколёвка. - Биполярные отечественные транзисторы - Транзисторы - Справочник Радиокомпонентов - РадиоДом


Основные технические параметры транзистора КТ818, 2Т818

Модель Максимальные параметры Параметры при температуре = 25°C RТ п-к, °C/ватт
    при температуре =25°C                        
IК, макс, ампер IК и, макс, ампер UКЭ0 гран, вольт UКБ0 макс, вольт UЭБ0 макс, вольт PК макс, ватт TК, °C Tп макс, °C TК макс
, °C
h21Э UКЭ
(UКБ),
вольт
IК(IЭ), ампер UКЭ насыщ, вольт IКБ0, мАмпер fгр, МГц Кш, дБ CК, пФ CЭ, пФ tвкл, мкс tвыкл, мкс
КТ818А 10 15 25   5 60 25 125 100 15 (5) 5 2 1 3   1000     2,5 1,67
КТ818Б 10 15 40   5 60 25 125 100 20 (5) 5 2 1 3   1000     2,5 1,67
КТ818В 10 15 60   5 60 25 125 100 15 (5) 5 2 1
3
  1000     2,5 1,67
КТ818Г 10 15 80   5 60 25 125 100 12 (5) 5 2 1 3   1000     2,5 1,67
КТ818АМ 15 20 25   5 100 25 125 100 20 5 5 1   3   1000     2,5 1
КТ818БМ 15 20 40   5 100 25 125 100 20 5 5 1   3   1000     2,5 1
КТ818ВМ 15 20 60   5 100 25 125 100 20 5 5 1   3   1000     2,5 1
КТ818ГМ 15 20 80   5 100 25 125 100 20 5 5 1   3   1000     2,5 1
2Т818А 15 20 80 100 5 100 25 150 125 20 (5) (5) 1   3   1000     2,5 1,25
2Т818Б 15 20 60 80 5 100 25 150 125 20 (5) (5) 1   3   1000     2,5 1,25
2Т818В 15 20 40 60 5 100 25 150 125 20 (5) (5) 1   3   1000     2,5 1,25
2Т818А2 15 20 80 100 5 40 25 150 100 20 (5) (5) 1   3   1000 2000   1,2 3,13
2Т818Б2 15 20 60 80 5 40 25 150 100 20 (5) (5) 1   3   1000 2000   1,2 3,13
2Т818В2 15 20 40 60 5 40 25 150 100 20 (5) (5) 1   3   1000 2000   1,2 3,13

Обозначение на схеме КТ818, 2Т818

 

Цоколёвка транзистора КТ818, 2Т818

Цоколёвка транзистора КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ

Внешний вид транзистора на примере КТ818А

 

Внешний вид транзистора на примере  КТ818ГМ

radiohome.ru

Транзистор КТ818 — DataSheet

Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ818А BD292, BD202, 2N6132 *2, TIP42 *2
КТ818Б BD202, BDT92, 40876, BD664, 

BD244 *2, BD246 *2

КТ818В BD204, BDT94, RCA1C08, 

BD500A,  BD244A *2

КТ818Г BD538, BDT96, BD500B *2, NTE197 *2, ECG197 *2, BDW22B *3, BD710, BD244B *2
КТ818АМ 2N6469, BDW52, MJ2901
КТ818БМ BDW22, BDX92, 2N6469, BDW52
КТ818ВМ BDW52A, 2N5867, 2N6246 *2, BDX18N, 2N5879, BDW52A, 

MJ2940 *2, 2N5875 *2, 2N4908 *2, BDX92 *2

КТ818ГМ BDW22C, BDX18, SM2183 *1, АР1119, BD910 *1, BD710 *3, BDW22B *2
КТ818А-1 BD546C, MJE1290 *1, TIP34F *3
КТ818Б-1 BD546B, BD906 *3, BDW52 *1, BD706 *1, BD664 *3, TIP74 *3
КТ818В-1 BD546A, BD908, BD500A, 

BD708 *2, BD244A *2

КТ818Г-1 BD546, АР1119 *1, BD910, BD710 *2, SM2183
Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ818А 60* Вт
КТ818Б 60*
КТ818В 60*
КТ818Г 60*
КТ818АМ
100*
КТ818БМ 100*
КТ818ВМ 100*
КТ818ГМ 100*
КТ818А-1 100*
КТ818Б-1 100*
КТ818В-1 100*
КТ818Г-1 100*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h31б, f**h31э, f***max КТ818А(М,-1) ≥3 МГц
КТ818Б(М,-1) ≥3
КТ818В(М,-1) ≥3
КТ818Г(М,-1) ≥3
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ818А(М,-1) 0.1к 40* В
КТ818Б(М,-1) 0.1к 50*
КТ818В(М,-1) 0.1к 70*
КТ818Г(М,-1) 0.1к 90*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ818А(М,-1) 5 В
КТ818Б(М,-1) 5
КТ818В(М,-1) 5
КТ818Г(М,-1) 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ818А 10(15*) А
КТ818Б 10(15*)
КТ818В 10(15*)
КТ818Г 10(15*)
КТ818АМ(-1) 15(20*)
КТ818БМ(-1) 15(20*)
КТ818ВМ(-1) 15(20*)
КТ818ГМ(-1) 15(20*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ818А(М,-1) 40 В ≤1 мА
КТ818Б(М,-1) 40 В ≤1
КТ818В(М,-1) 40 В ≤1
КТ818Г(М,-1) 40 В ≤1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ818А(М,-1) 5 В; 5 А ≥15*
КТ818Б(М,-1) 5 В; 5 А ≥20*
КТ818В(М,-1) 5 В; 5 А ≥15*
КТ818Г(М,-1) 5 В; 5 А ≥12*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ818А(М,-1) 5 В ≤1000 пФ
КТ818Б(М,-1) 5 В ≤1000
КТ818В(М,-1) 5 В ≤1000
КТ818Г(М,-1) 5 В ≤1000
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ818А(М) ≤0.27 Ом, дБ
КТ818Б(М) ≤0.27
КТ818В(М) ≤0.27
КТ818Г(М) ≤0.27
КТ818А-1 ≤0.4
КТ818Б-1 ≤0.4
КТ818В-1 ≤0.4
КТ818Г-1 ≤0.4
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ818А(М,-1) Дб, Ом, Вт
КТ818Б(М,-1)
КТ818В(М,-1)
КТ818Г(М,-1)
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ818А(М,-1) ≤2500** пс
КТ818Б(М,-1) ≤2500**
КТ818В(М,-1) ≤2500**
КТ818Г(М,-1) ≤2500**

rudatasheet.ru

Биполярный транзистор КТ818 | NALADCHIKKIP.RU

Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные универсальные низкочастотные мощные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и
дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных схемах. Транзисторы КТ818А, КТ818Б, KT8I8B, КТ818Г выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами, транзисторы КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ – в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора в пластмассовом корпусе не более 2,5 г, в металлостеклянном не более 15 г.

ГруппаUкэ max(и). BJк max(и). АPк max[Т]. Втh31эfгр. МгцUкэ нас. В
А4010(15)1.5[60]15>=3<2
АМ4015(20)2[100]15>=3<2
Б5010(15)1.5[60]20>=3<2
БМ5015(20)2[100]20>=3<2
В7010(15)1.5[60]15>=3<2
ВМ7015(20)2[100]15>=3<2
Г10010(15)1.5[60]12>=3<2
ГМ10015(20)2[100]12>=3<2

Поделиться ссылкой:

[Всего голосов: 0    Средний: 0/5]

naladchikkip.ru

Параметры транзистора КТ818. Datasheet, цоколевка, аналоги.

Параметры транзистора КТ818. Datasheet, цоколевка, аналоги.

КТ818 - кремниевый биполярный  p-n-p транзистор низкочастотный средней мощности, в пластмассовом корпусе TO-220

Назначение: КТ818 -транзистор широкого применения для использования в ключевых и линейных схемах.

Типы: КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г

Комплементарная пара: КТ819

Аналог: BD906, BD908, BD910, BD912

Цоколевка КТ818: Э-К-Б, смотри рисунок

Производители: Интеграл (Беларусь), Кремний-Маркетинг (Брянск)

Цена КТ818: вывести цену (формируется прямой запрос в 6 популярных интернет-магазинов)

Datasheet: (подробные характеристики с графиками зависимостей параметров)

 

Основные параметры транзисторов КТ818:
Параметр Режим измерения Min (минимальное значение параметра) Max (максимальное значение параметра)
Статический коэффициент передачи тока
КТ818А,В
КТ818А
КТ818Г
Uкб=5B, Iэ=5A 15
20
12
 
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер КТ818(А-Г)
Iк=5А, Iб=0.5A  
Предельные параметры транзисторов КТ818:
Постоянное напряжение коллектоp-эмиттеp
КТ818А
КТ818Б
КТ818В
КТ818Г
Rэб ≤ 1кОм   40В
50В
70В
90В
Напряжение эмиттер-база (обратное)    
Постоянный ток коллектора КТ818     10А
Импульсный ток коллектора tи ≤ 10 мс, Т/tи≥100   15А
Максимально допустимый постоянный ток базы    
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора Тк ≤ 25 °С   60Вт
Температура перехода   -60 +150

Подробные параметры КТ818, входная характеристика и datasheet на аналоги приведены в справочнике мощных транзисторов

www.trzrus.ru

Отправить ответ

avatar
  Подписаться  
Уведомление о