Что такое КТ818Б. Каковы основные характеристики транзистора КТ818Б. Где применяется КТ818Б. Какие особенности имеет КТ818Б. Как выглядит корпус КТ818Б. Каковы предельные режимы эксплуатации КТ818Б.
Общая характеристика транзистора КТ818Б
КТ818Б представляет собой мощный PNP транзистор, разработанный для использования в ключевых и линейных схемах. Этот кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор выпускается в пластмассовом корпусе и находит широкое применение в различной радиоэлектронной аппаратуре, производимой для нужд народного хозяйства.
Основные характеристики КТ818Б:
- Тип проводимости: PNP
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 50 В
- Максимальный ток коллектора: 10 А
- Максимальная рассеиваемая мощность: 60 Вт
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 3 МГц
- Корпус: TO-220 (КТ-28)
Особенности и применение транзистора КТ818Б
КТ818Б обладает рядом особенностей, делающих его привлекательным для разработчиков электронных устройств:
- Широкий диапазон рабочих температур: от -45°C до +100°C
- Комплиментарная пара с транзистором КТ819 (NPN)
- Высокая надежность и стабильность характеристик
Где применяется КТ818Б? Этот транзистор широко используется в следующих областях:
- Источники питания
- Усилители мощности
- Ключевые схемы
- Драйверы двигателей
- Системы управления промышленным оборудованием
Конструкция и корпус транзистора КТ818Б
КТ818Б выпускается в пластмассовом корпусе типа КТ-28, который соответствует международному стандарту TO-220. Этот тип корпуса обеспечивает хороший теплоотвод, что критически важно для мощных транзисторов.
Назначение выводов КТ818Б:
- Вывод 1: Эмиттер
- Вывод 2: Коллектор
- Вывод 3: База
Корпус TO-220 имеет металлическую подложку, которая служит для эффективного отвода тепла. При монтаже транзистора важно обеспечить надежный тепловой контакт с радиатором для предотвращения перегрева устройства.
Электрические параметры транзистора КТ818Б
Рассмотрим основные электрические параметры КТ818Б при температуре окружающей среды +25°C:
- Обратный ток коллектора (Iкбо): не более 1 мА при Uкб = 40 В
- Статический коэффициент передачи тока (h21э): 20-60 при Uкб = 5 В, Iэ = 5 А
- Граничное напряжение (Uкэо гр): не менее 40 В при Iэ = 0.3 А, tи = 270-330 мкс
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Uкэ нас): не более 2 В при Iк = 5 А, Iб = 0.5 А
Как интерпретировать эти параметры? Обратный ток коллектора показывает утечку транзистора в закрытом состоянии. Статический коэффициент передачи тока характеризует усилительные свойства транзистора. Граничное напряжение и напряжение насыщения важны для определения рабочей области транзистора в ключевых режимах.
Предельно допустимые режимы эксплуатации КТ818Б
Для обеспечения надежной работы и длительного срока службы транзистора КТ818Б необходимо соблюдать следующие предельно допустимые режимы эксплуатации:
- Постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ max): 50 В
- Напряжение эмиттер-база (Uэб max): 5 В
- Постоянный ток коллектора (Iк max): 10 А
- Импульсный ток коллектора (Iки max): 15 А при длительности импульса не более 100 мкс
- Максимально допустимый постоянный ток базы (Iб max): 3 А
- Импульсный ток базы (Iби max): 5 А при длительности импульса не более 100 мкс
- Рассеиваемая мощность (Рк max): 60 Вт
Почему важно соблюдать эти параметры? Превышение предельно допустимых значений может привести к необратимым повреждениям транзистора, снижению его характеристик или полному выходу из строя.
Сравнение КТ818Б с другими транзисторами серии КТ818
Транзистор КТ818Б входит в серию КТ818, которая включает в себя несколько модификаций. Рассмотрим основные отличия между ними:
- КТ818А: Uкэ max = 40 В
- КТ818Б: Uкэ max = 50 В
- КТ818В: Uкэ max = 70 В
- КТ818Г: Uкэ max = 90 В
Как выбрать подходящий транзистор из серии КТ818? Выбор зависит от требуемого рабочего напряжения в вашей схеме. КТ818Б представляет собой «золотую середину» с оптимальным соотношением характеристик для большинства применений.
Особенности применения КТ818Б в ключевых схемах
КТ818Б часто используется в ключевых схемах благодаря своим характеристикам. При проектировании таких схем следует учитывать несколько важных аспектов:
- Напряжение насыщения: не более 2 В при номинальном токе, что обеспечивает низкие потери в открытом состоянии
- Время переключения: относительно небольшое, что позволяет использовать транзистор на частотах до нескольких сотен кГц
- Теплоотвод: необходимо обеспечить эффективный отвод тепла при работе в ключевом режиме
Как оптимизировать работу КТ818Б в ключевых схемах? Рекомендуется использовать схемы ускоренного переключения, правильно подбирать ток базы и обеспечивать хороший теплоотвод.
Схема включения КТ818Б в ключевом режиме
Типичная схема включения КТ818Б в ключевом режиме выглядит следующим образом:
- Коллектор подключается к нагрузке
- Эмиттер соединяется с общим проводом (для PNP транзистора это обычно положительный полюс источника питания)
- На базу подается управляющий сигнал через резистор, ограничивающий ток базы
Почему важно правильно выбрать резистор базы? Слишком большое сопротивление приведет к медленному переключению и повышенным потерям, а слишком малое может вызвать перегрузку по току базы.
Применение КТ818Б в линейных схемах
Помимо ключевых применений, КТ818Б находит свое место и в линейных схемах, таких как усилители мощности. При использовании транзистора в линейном режиме следует обратить внимание на следующие аспекты:
- Коэффициент усиления по току: достаточно высокий для эффективного усиления сигнала
- Линейность характеристик: обеспечивает низкий уровень искажений
- Температурная стабильность: важна для поддержания постоянных параметров усилителя
Как обеспечить стабильную работу КТ818Б в линейном режиме? Рекомендуется использовать схемы температурной компенсации и отрицательную обратную связь для улучшения линейности и стабильности усилителя.
Схема простого усилителя на КТ818Б
Рассмотрим пример простой схемы усилителя мощности на КТ818Б:
- Входной сигнал подается на базу через разделительный конденсатор
- Эмиттер подключен к общему проводу через резистор, обеспечивающий отрицательную обратную связь по току
- Коллектор соединен с нагрузкой (например, динамиком) через разделительный конденсатор
- Питание подается на коллектор через резистор или дроссель
Какие преимущества дает такая схема? Она обеспечивает хорошую линейность, температурную стабильность и защиту от короткого замыкания благодаря эмиттерному резистору.
Особенности монтажа и эксплуатации КТ818Б
При работе с транзистором КТ818Б необходимо учитывать несколько важных моментов:
- Теплоотвод: обязательное использование радиатора при работе с большими токами и мощностями
- Электростатическая защита: соблюдение мер предосторожности при обращении с транзистором
- Правильная ориентация при монтаже: соблюдение полярности и расположения выводов
- Качественная пайка: использование соответствующего оборудования и материалов
Как обеспечить надежный монтаж КТ818Б? Рекомендуется использовать теплопроводящую пасту между транзистором и радиатором, применять антистатические меры предосторожности и качественный паяльный инструмент.
Расчет теплового режима КТ818Б
Для обеспечения долговременной и надежной работы транзистора КТ818Б необходимо правильно рассчитать его тепловой режим. Основные шаги расчета:
- Определение максимальной рассеиваемой мощности в конкретной схеме
- Расчет теплового сопротивления системы транзистор-радиатор-окружающая среда
- Выбор подходящего радиатора с учетом максимально допустимой температуры кристалла транзистора
Почему важен правильный расчет теплового режима? Перегрев транзистора может привести к ухудшению его характеристик, снижению надежности и даже выходу из строя.
Транзистор КТ818Б
В корзину
- Описание и характеристики
- Отзывы(0)
- Инструкция
Транзистор КТ818Б p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе предназначен для использования в ключевых и линейных схемах; другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства.
Номер технических условий
- аАО.336.188 ТУ / 02
Особенности
- Диапазон рабочих температур: — 45 до + 100 С
- комплиментарная пара КТ819
Корпусное исполнение
- пластмассовый корпус КТ-28 (ТО-220)
| Вывод | Назначение |
| №1 | Эмиттер |
| №2 | Коллектор |
| №3 | База |
| Параметры | Обозначение | Ед.изм. | Режимы измерения | Min | Max |
| Обратный ток коллектора | Iкбо | мА | Uкб=40B | — | 1 |
| Статический коэффициент передачи тока КТ818А, В КТ818Б КТ818Г | h31э | — | Uкб = 5 B, Iэ =5 A | 15 20 12 | — |
| Граничное напряжение | Uкэо гр | В | Iэ =0.3 A, tи= 270 330 мкс | 25 | — |
| КТ818А | |||||
| КТ818Б | 40 | ||||
| КТ818В | 60 | ||||
| КТ818Г | 80 | ||||
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Uкэ нас | В | Iк=5A, Iб=0. 5A | — | 2 |
среды = + 25 С| Параметры | Обознач. | Ед. изм. | Значение |
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Rэб | Uкэ max | В | 40 |
| КТ818А | |||
| КТ818Б | 50 | ||
| КТ818В | 70 | ||
| КТ818Г | 90 | ||
| Напряжение эмиттер-база | Uэб max | В | 5 |
| Постоянный ток коллектора | Iк max | А | 10 |
| Импульсный ток коллектора tи 100 | Iки max | А | 15 |
| Максимально допустимый постоянный ток базы | Iб max | А | 3 |
| Импульсный ток базы tи 100 | Iби max | А | 5 |
Рассеиваемая мощность при Ткорп. | Рк мах | Вт | 60 |
Отзывы
Транзистор КТ818Б
Срок доставки:
5 — 15 дней
Цена:
По запросу
Транзистор КТ818Б p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе предназначен для использования в ключевых и линейных схемах; другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства.
Номер технических условий
- аАО.336.188 ТУ / 02
Особенности
- Диапазон рабочих температур: — 45 до + 100 С
- комплиментарная пара КТ819
Корпусное исполнение
- пластмассовый корпус КТ-28 (ТО-220)
| Вывод | Назначение |
| №1 | Эмиттер |
| №2 | Коллектор |
| №3 | База |
| Параметры | Обозначение | Ед.изм. | Режимы измерения | Min | Max |
| Обратный ток коллектора | Iкбо | мА | Uкб=40B | — | 1 |
| Статический коэффициент передачи тока КТ818А, В КТ818Б КТ818Г | h31э | — | Uкб = 5 B, Iэ =5 A | 15 20 12 | — |
| Граничное напряжение | Uкэо гр | В | Iэ =0.3 A, tи= 270 330 мкс | 25 | — |
| КТ818А | |||||
| КТ818Б | 40 | ||||
| КТ818В | 60 | ||||
| КТ818Г | 80 | ||||
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Uкэ нас | В | Iк=5A, Iб=0. 5A | — | 2 |
среды = + 25 С
