Кт819Гм параметры транзистора. Транзистор КТ819ГМ: характеристики, параметры и применение

alexxlabРазное
Каковы основные технические характеристики транзистора КТ819ГМ. Для чего он используется. Какие у него аналоги. Как правильно выбрать и применить этот транзистор в схемах.

Содержание

Общая информация о транзисторе КТ819ГМ

КТ819ГМ — это кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный транзистор структуры n-p-n. Относится к мощным высоковольтным транзисторам и предназначен для применения в усилителях мощности, импульсных источниках питания, преобразователях напряжения и других устройствах силовой электроники.

Основные особенности транзистора КТ819ГМ:

  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер — 100 В
  • Максимальный ток коллектора — 15 А
  • Рассеиваемая мощность — до 100 Вт (с теплоотводом)
  • Граничная частота коэффициента передачи тока — 3-12 МГц
  • Коэффициент передачи тока — не менее 12

Транзистор выпускается в металлическом корпусе TO-3 со стеклянными изоляторами. Масса транзистора не более 20 г.

Основные электрические параметры КТ819ГМ

Рассмотрим подробнее основные электрические характеристики транзистора КТ819ГМ:


  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 100 В
  • Максимальное напряжение коллектор-база: 100 В
  • Максимальное напряжение эмиттер-база: 5 В
  • Максимальный постоянный ток коллектора: 15 А
  • Импульсный ток коллектора: 20 А
  • Рассеиваемая мощность: 100 Вт (с теплоотводом), 2 Вт (без теплоотвода)
  • Коэффициент передачи тока: 12-40
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 3-12 МГц
  • Емкость коллекторного перехода: 360-1000 пФ
  • Температурный диапазон: -40…+125°C

Как видно из параметров, КТ819ГМ обладает достаточно высокими значениями рабочих напряжений и токов, что позволяет использовать его в мощных устройствах.

Области применения транзистора КТ819ГМ

Благодаря своим характеристикам, транзистор КТ819ГМ находит применение в следующих областях:

  • Мощные усилители звуковой частоты
  • Импульсные источники питания
  • Преобразователи напряжения
  • Регуляторы напряжения и тока
  • Ключевые схемы
  • Драйверы электродвигателей

Этот транзистор часто используется в выходных каскадах усилителей мощности звуковой частоты, где требуется обеспечить большой выходной ток при высоком напряжении питания. Также КТ819ГМ подходит для применения в импульсных блоках питания и преобразователях напряжения благодаря достаточно высокой граничной частоте.


Аналоги и замена транзистора КТ819ГМ

В качестве аналогов транзистора КТ819ГМ можно использовать следующие типы:

  • КТ818ГМ (комплементарная пара)
  • КТ819А, КТ819Б, КТ819В
  • 2N3055
  • MJ15003, MJ15004
  • TIP3055

При замене необходимо учитывать основные параметры транзисторов — максимальные напряжения, токи и рассеиваемую мощность. Также важно обращать внимание на коэффициент усиления по току и частотные свойства.

Особенности применения КТ819ГМ в схемах

При использовании транзистора КТ819ГМ в схемах следует учитывать несколько важных моментов:

  1. Необходимо обеспечить эффективный теплоотвод для рассеивания выделяемой мощности. Рекомендуется использовать радиатор площадью не менее 150 см².
  2. Следует правильно выбирать режим работы по току и напряжению, не превышая предельно допустимых значений.
  3. Для повышения надежности рекомендуется использовать транзистор с некоторым запасом по мощности и току.
  4. При работе на высоких частотах необходимо минимизировать паразитные индуктивности в цепях базы и эмиттера.
  5. Для защиты от пробоя при работе с индуктивной нагрузкой рекомендуется применять защитные диоды.

Соблюдение этих рекомендаций позволит обеспечить надежную и долговременную работу устройств на транзисторах КТ819ГМ.


Измерение параметров и проверка исправности КТ819ГМ

Для проверки исправности транзистора КТ819ГМ можно выполнить следующие измерения:

  1. Измерить сопротивление переходов коллектор-эмиттер, база-эмиттер и коллектор-база в обоих направлениях.
  2. Проверить коэффициент усиления по току с помощью специального измерителя или по схеме с общим эмиттером.
  3. Измерить ток утечки коллектора при заданном напряжении коллектор-эмиттер.
  4. Проверить напряжение насыщения коллектор-эмиттер при заданном токе базы и коллектора.

Исправный транзистор должен иметь параметры в пределах, указанных в технической документации. При обнаружении отклонений транзистор следует заменить.

Заключение

Транзистор КТ819ГМ является надежным и проверенным компонентом для применения в мощных электронных устройствах. Благодаря хорошим электрическим параметрам он до сих пор широко используется в различной аппаратуре. При правильном применении КТ819ГМ обеспечивает стабильную работу и высокую надежность схем.


Транзисторы КТ819ГМ — ООО «ЯРОСТАНМАШ»

Разработка и производство оборудования для тестирования Химических Источников Тока. | Разработка и производство систем балансировки элементов в батареях ХИТ.

  2. Главная
  3. Блог технического директора
  4. Продам
  5. Транзисторы КТ819ГМ

Поделиться

 

   Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.

   Масса транзистора не более 20 г.

   Электрические параметры

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

Условия

Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ

12

—

—

—

UКБ = 5В, IК = 5А,

TК = +25°С. ..TК.МАКС
7 — — —

UКБ = 5В, IК = 5А,

TК = TК.МИН

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ

3

5

12

МГц

UКБ = 5В, IЭ = 0.5А

Граничное напряжение

80

100

110

В

IК = 0.1мА, tИ ≤ 300мкс,

Q ≥ 100

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

—

—

2

В

IК = 5А, IБ = 0. 5А
— — 4 В IК = 15А, IБ = 3А

Напряжение насыщения база-эмиттер

—

—

3

В

IК = 5А, IБ = 0.5А
Пробивное напряжение эмиттер-база 5 — — В

IЭ = 5мА

Обратный ток коллектора

—

—

1

мА

UКБ = UКБ.МАКС,

ТК = -40…+25°С
— — 10 мА

UКБ = UКБ. МАКС,

ТК = +100°С

Время выключения

—

—

2.5

мкс

UКБ = 5В, IК = 0.5А

Емкость коллекторного перехода

360

600

1000

пФ

UКБ = 5В

Емкость эмиттерного перехода

—

—

2000

пФ

UБЭ = 0.5В, f = 1МГц

   Предельные эксплуатационные параметры

Параметр

 Мин.

Макс.

Единицы

Условия

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер

 — 100 В

RБЭ

 ≤ 100 Ом,

ТК = ТМИН…+50°С

Постоянное напряжение база-эмиттер

 —

5

В

  

Постоянный ток коллектора

 —

15

А

  

Импульсный ток коллектора

 —

20

А

tИ ≤ 10мс, Q ≥ 100

Постоянный ток базы

 —

3

А

  

Импульсный ток базы

 —

5

А

 tИ ≤ 10мс, Q ≥ 100
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора1 с теплоотводом — 100 Вт ТК = TМИН. ..+25°С
без теплоотвода — 2
Температура p-n перехода — +125 °С  

Температура окружающей среды

 -40

+100

°С

  

   1 При повышении температуры окружающей среды (корпуса) свыше +25°С постоянная рассеиваемая мощность коллектора уменьшается на 1Вт/°С с теплоотводом и на 0.02Вт/°С без теплоотвода.

   Пайка выводов транзисторов рекомендуется не ближе 5мм от корпуса. При пайке жало паяльника должно быть заземлено. Допускается пайка без теплоотвода и групповой метод пайки. Температура припоя +260°С, время пайки не более 3с, время лужения выводов не более 2 с.

   При включения транзисторов в цепь, находящуюся под напряжением, базовый вывод должен присоединятся первым и отключаться последним.

   Допустимое значение статического потенциала 1кВ.

   Транзисторы являются комплементарными с транзисторами КТ818ГМ.

   Приобрести транзисторы КТ819ГМ можно в Москве в районе метро «Щелковская». По вопросам приобретения обращайтесь на почтовый ящик Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript..

транзистор кт819гм в Челябинске, Аудиотехника (TCS-52981548842574)

транзистор кт819гм в Челябинске, Аудиотехника (TCS-52981548842574)