Каковы основные параметры транзистора КТ819ГМ. Где используется этот транзистор. Какие у него есть аналоги. Как правильно подобрать и использовать КТ819ГМ в схемах.
Общая характеристика транзистора КТ819ГМ
КТ819ГМ — это мощный биполярный транзистор структуры NPN, широко применяемый в усилителях мощности и импульсных преобразователях. Данный транзистор обладает следующими ключевыми характеристиками:
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 80 В
- Максимальный ток коллектора: 15 А
- Рассеиваемая мощность: 100 Вт
- Материал: кремний
- Производитель: ОАО «Группа КРЕМНИЙ ЭЛ» (г. Брянск)
КТ819ГМ выпускается в металлическом корпусе ТО-3, что обеспечивает хороший теплоотвод и позволяет использовать транзистор в мощных схемах.
Области применения транзистора КТ819ГМ
Благодаря своим характеристикам, КТ819ГМ нашел широкое применение в различных электронных устройствах:
- Усилители мощности звуковой частоты
- Импульсные источники питания
- Преобразователи напряжения
- Регуляторы напряжения и тока
- Коммутационные схемы
В каких конкретных случаях используется этот транзистор? КТ819ГМ часто применяется в выходных каскадах усилителей мощности класса AB и B. Также он подходит для построения мощных эмиттерных повторителей и ключевых каскадов.
Основные параметры и характеристики КТ819ГМ
Рассмотрим подробнее основные электрические параметры транзистора КТ819ГМ:
- Структура: NPN
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 80 В
- Максимальное напряжение коллектор-база: 100 В
- Максимальный постоянный ток коллектора: 15 А
- Максимальный импульсный ток коллектора: 20 А
- Рассеиваемая мощность коллектора: 100 Вт
- Коэффициент усиления по току (h21Э): 20-70
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц
- Максимальная температура перехода: 150°C
Как интерпретировать эти параметры при выборе транзистора? Высокие значения допустимых токов и напряжений позволяют использовать КТ819ГМ в мощных схемах. Коэффициент усиления 20-70 типичен для мощных транзисторов и обеспечивает хорошее усиление сигнала.
Особенности применения КТ819ГМ в схемах
При использовании транзистора КТ819ГМ в электронных устройствах следует учитывать некоторые важные моменты:
- Необходимость качественного теплоотвода из-за высокой рассеиваемой мощности
- Контроль температуры корпуса, не допуская превышения 150°C
- Правильный выбор режима работы для обеспечения линейности усиления
- Учет зависимости параметров от температуры
- Защита от перегрузок по току и напряжению
Как обеспечить надежную работу транзистора? Важно использовать массивный радиатор с хорошим тепловым контактом. Рекомендуется применять термопасту и изолирующие прокладки при монтаже. В мощных схемах желательно предусмотреть защиту от перегрева.
Аналоги и замены транзистора КТ819ГМ
В случае отсутствия КТ819ГМ его можно заменить следующими аналогами:
- 2N3055 — популярный зарубежный аналог с похожими параметрами
- КТ818ГМ — комплементарная пара PNP-типа
- КТ8127А — более мощный отечественный аналог (150 Вт)
- MJ15003 — зарубежный транзистор с близкими характеристиками
- TIP3055 — современный аналог в пластиковом корпусе
На что обратить внимание при выборе замены? Важно учитывать не только электрические параметры, но и тип корпуса, особенности монтажа и теплоотвода. Прямая замена не всегда возможна без изменения печатной платы или конструкции устройства.
Схемотехника с использованием КТ819ГМ
Рассмотрим типовые схемы включения транзистора КТ819ГМ:
- Усилитель мощности звуковой частоты:
- Выходной каскад на комплементарной паре КТ819ГМ и КТ818ГМ
- Работа в классе AB для снижения искажений
- Цепи термостабилизации и защиты от перегрузки
- Регулятор напряжения:
- КТ819ГМ в качестве проходного транзистора
- Операционный усилитель для управления и стабилизации
- Цепь ограничения тока для защиты транзистора
- Импульсный преобразователь:
- КТ819ГМ как ключевой элемент
- Быстродействующие драйверы для управления
- Снабберные цепи для защиты от перенапряжений
Какие особенности нужно учесть при разработке схем? В усилителях важно обеспечить хорошую линейность и температурную стабильность. В импульсных схемах критичны скорость переключения и минимизация потерь.
Рекомендации по выбору и приобретению КТ819ГМ
При покупке транзисторов КТ819ГМ следует обратить внимание на следующие аспекты:
- Приобретение у надежных поставщиков электронных компонентов
- Проверка подлинности и даты выпуска транзисторов
- Возможность выбора транзисторов с близкими параметрами для парного включения
- Учет условий хранения и транспортировки
- Соответствие приобретаемой партии заявленным характеристикам
Как убедиться в качестве приобретаемых транзисторов? Рекомендуется проводить входной контроль, измеряя основные параметры выборочных образцов. При массовом применении желательно приобретать транзисторы у официальных дистрибьюторов производителя.
Перспективы развития и альтернативы КТ819ГМ
Несмотря на свою популярность, транзистор КТ819ГМ постепенно вытесняется более современными решениями:
- MOSFET-транзисторы с низким сопротивлением открытого канала
- IGBT-модули для высоковольтных применений
- Интегральные усилители мощности в компактных корпусах
- GaN и SiC-транзисторы для высокочастотных преобразователей
Означает ли это, что КТ819ГМ устарел? Не совсем. В ряде применений, особенно в области аудиотехники, биполярные транзисторы все еще сохраняют свои позиции благодаря хорошей линейности и простоте применения. Кроме того, КТ819ГМ остается востребованным при ремонте и модернизации существующей аппаратуры.
Схема высококачественного УНЧ на транзисторах (60Вт)
Описываемый ниже усилитель пригоден для усиления мощных звуковых сигналов в составе звуковоспроизводящих установок высокого класса, а также для использования в качестве мощного широкополосного операционного усилителя.
Основные технические характеристики усилителя:
Номинальная выходная мощность, Вт, при сопротивлении нагрузки, Ом:
8……………………………………………………………………………..48
4………………………………………………………………………………60
Диапазон воспроизводимых частот при неравномерности АЧХ не
более 0,5 дБ и выходной мощности 2 Вт, Гц………………10…200000
Коэффициент нелинейных искажений при номинальной мощности
в диапазоне 20…20000 Гц, %…………………………………………….0,05
Номинальное входное напряжение, В ……………………………. 0,8
Входное сопротивление, кОм . ……………………………………………..47
Выходное сопротивление, Ом…………………………………………..0,02
Входной каскад усилителя представляет собой два дифференциальных усилителя (включенных параллельно), выполненных на транзисторах VT1, VT3 и VT2, VT4 противоположной структуры. Генераторы тока на транзисторах VT5, VТ6 обеспечивают стабильность значений (около 1 мА) суммарных эмиттерных токов дифференциальных пар, а также развязку по цепям питания. Сигнал на выходной усилитель подается с управляемых генераторов тока (VT7, VT7), которые работают противофазно. Такое включение увиличило ток «раскачки» в два раза, снизило нелинейные искажения и улучшило частотные свойства усилителя в целом. Каждое из плеч симметричного выходного усилителя выполнено по схеме Дарлингтона, и представляет собой трехкаскадный усилитель (в двух каскадах транзисторы включены по схеме с общим эмиттером и в одном — с общим коллектором). Усилитель охвачен частотно — зависимой ООС, определяющей его коэффициент передачи по напряжению, который в звуковом диапазоне близок к трем.
Так как сигнал обратной связи, снимаемый с резистора R39 (R40), пропорционален изменениям тока выходного транзистора, то дополнительно осуществляется довольно жесткая стабилизация рабочей точки этого транзистора. Напряжение смещения выходной ступени определяется сопротивлением перехода коллектор — эмиттер транзистора VT9 и регулируется резистором R24. Напряжение смещения термостабилизировано диодом VD4, который закреплен на теплоотводе одного из мощных транзисторов.В схеме усилителе можно использовать и другие маломощные высокочастотные кремниевые транзисторы, например КТ342А, КТ342Б и КТ313Б, КТ315 и КТ361 (с индексами от В до Е). Транзисторы VT14 и VT15 (возможная замена — КТ816В, КТ816Г и КТ817В, КТ817Г или КТ626В и КТ904А) снабжены ребристыми теплоотводами размерами 23х25х12 мм. В качестве выходных можно применить транзисторы КТ818ГМ и КТ819ГМ, которые позволяют при повышении напряжения питания получать мощности свыше 70 Вт. Стабилитрон VD1 может быть также Д816Г или 2С536А, VD2 и VD3 — КС147А (при соответствующей коррекции сопротивлений резисторов R11 и R14). Описание усилителя приведено в [30].
Литература: Николаев А.П., Малкина М.В. Н82 500 схем для радиолюбителей. Уфа.: SASHKIN SOFT, 1998, 143 с.
Источник: Radiostorage.net/
Транзистор 2N3055: Распиновка, характеристики и аналог
В этом тексте мы обсудим технические характеристики биполярного NPN-транзистора 2N3055, его распиновку и эквиваленты для замены. Изготавливается по эпитаксиальному основному процессу, в герметичном металлическом корпусе ТО-3. Устройство предназначено для работы в коммутационных схемах и усилителях мощности.
Содержание
- Распиновка
- Историческая справка
- Технические характеристики
- Аналоги
- Комплементарная пара
- Изготовители
Цоколевка
Цоколевка 2н3055 выполнена в металлическом корпусе ТО-3 со стеклянными изоляторами, через которые выводы базы (Б) и эмиттера (Э) выведены наружу. Контакт коллектора (C) физически соединен с корпусом. Подробности показаны ниже.
Корпус транзистора и соединительные болты изолированы при установке на радиатор специальной слюдяной или керамической подложкой.
Историческая справка
История этого популярного полупроводникового устройства хорошо известна. Первоначально он был разработан в 60-х годах компанией RCA (инженеры из группы Херба Мейзеля) и производился с использованием мезапланарного процесса. Он был разработан для работы в усилителях мощности. Позже он использовался в стабилизаторах и регуляторах напряжения в источниках питания. С середины 70-х годов, вместе с поиском более экономичного способа производства, его стали изготавливать по эпитаксиальной технологии. Неплохие усилительные свойства, их линейность в то же время, сделали прибор незаменимым спутником многих УШУ того времени.
К сожалению, RCA прекратила свое существование в 1988 году. Ее полупроводниковый бизнес был приобретен американской корпорацией Harris. Сейчас многие зарубежные фирмы выпускают транзисторы с маркировкой 2N 3055, в том числе по экологически чистым бессвинцовым (Pb-Free) стандартам. Считается, что более новые экземпляры (изготовленные по эпитаксиальной технологии) лучше работают в схемах усиления, но менее защищены от высоких напряжений.
Однако в последнее время качество изготовления таких транзисторов сильно упало, особенно с появлением китайских конкурентов. Кроме того, бывают случаи подделки транзисторов. Купить оригинальную копию на интернет-площадках вроде Aliexpress, Amazon, eBay и т.п. вряд ли получится. Поэтому многие радиолюбители отдают предпочтение ее более старым версиям, выпущенным в основном до 2000 года.
Технические характеристики
2N3055 — низкочастотный транзистор. При этом считается, что типичная граничная частота его перехода находится в диапазоне 3-6 МГц. Но так было не всегда. Этот параметр впервые появился в 1971 году в технических паспортах RCA и составлял всего 0,8 МГц. Постепенно она росла вместе с совершенствованием технического процесса производства. В 1977 году она достигла современного значения 2,5 МГц.
Основные параметры рассматриваемого транзистора, с начала его производства (с 1967), почти не изменились. Они могут немного отличаться от производителя к производителю.
Максимальные характеристики 2N3055:
- K-B ограничение напряжения (В СВО max) до 100 В, при разомкнутой цепи Е;
- К-Е предел напряжения (В СЕО max) до 70 В, при обрыве цепи на В;
- максимальный ток коллектора (I C max) до 15 А; рассеиваемая мощность
- (R C max) до 115 Вт;
- Статический коэффициент передачи тока (H FE ) 20…70;
- Температура перехода (T C ) до 200 o C, температура хранения (T stg ) -65…+200 o C.
Превышение любого из этих значений может привести к отказу устройства. При повышении температуры окружающей среды рассеиваемая мощность падает линейно.
Аналоги
В качестве замены можно использовать современные варианты с более высоким номинальным напряжением 2N3055HV (В СЕО = 100В), MJ15015G (В СЕО = 120 В). Хорошая альтернатива — T2N6371HV. Стоит обратить внимание на имеющиеся в настоящее время варианты в пластиковом корпусе ТО-3ПН типа ТИП3055 мощностью до 90Вт. Наиболее популярным российским аналогом 2N3055 является мощный биполярный транзистор КТ819ГМ производства ОАО «Группа КРЕМНИЙ ЭЛ».
В 70-х компания Philips производила очень похожие устройства с маркировкой BDY20 (V CEO до 60 В) и позиционировала их для использования в Hi-Fi оборудовании. KD502, KD503 бывшего чехословацкого производителя Tesla до сих пор считаются радиолюбителями очень надежными и качественными аналогами. К сожалению, сейчас их очень сложно найти, потому что они больше не производятся, а компания пришла в упадок после распада Советского Союза.
Комплементарная пара
Устройство имеет комплементарную пару MJ2955 с соединением PNP. По своим параметрам, кроме кремниевой структуры, он является практически полной копией транзистора 2N3055. Применяется в сочетании с ним в выходных каскадах усилителей большой мощности до 40 Вт при нагрузке до 8 Ом и 60 Вт при 4 Ом.
Производители
Наиболее распространены продукты следующих производителей: Inchange, ON Semiconductor, STMicroelectronics. Вы можете скачать Datasheet для 2N3055, перейдя в этот раздел.
OKmall — 1등 명품 이커머스
OKmall 매출&영업이익
오늘 실시간 매 출 310 559 745 фунтов стерлингов 12/05 13:35
주요 명품 이커머스 플랫폼과의 매출&영업이익 비교*2022년 기준
매출
영업이익
17년 연속 매출 성장, 18년 연속 영업 이익 흑자 Ура!
이커머스 오케이몰은 100% 모델을 토대로 적자투성이 이커머스 업계에서 독보적인 성장을 이어가고 있습니다. 실시간으로 자신있게 공개 중인 모든 수치는 부가가치세를 제외한 금액으로, 공식 기준 없 이 부풀린 거래액 등의 수치와는 차원을 달리합니다. 2 104 억여원으로 오케이몰 단일 매출의 67%에 불과하며, 영업이익 흑자를 달성한 도 전무합니다. 이러한 기준에서 오케이몰은 진정한 대한민국 1등 명품 이커머스라고 자부합니다.
2017 года 2022 года 나오지 않았을 뿐더러, 2018 г. 하게 운영되고 있습니다.
OKmall 국내 최저가 110% 보상
국내최저가 보상신청 비율
- 2023 г. 0,008%
- 879 131 фунтов стерлингов на 67 фунтов стерлингов
- 5월 0,007%
- 93,543 중 7 개
[ 2023년 5월 현재 네이버 쇼핑 주요 입점 업체 ]
46만여 개의 온라인 쇼핑몰 이 입점 중입니다.