Кт819Гм технические характеристики. КТ819ГМ: Технические характеристики и применение мощного биполярного транзистора

Каковы основные параметры транзистора КТ819ГМ. Где используется этот транзистор. Какие у него есть аналоги. Как правильно подобрать и использовать КТ819ГМ в схемах.

Общая характеристика транзистора КТ819ГМ

КТ819ГМ — это мощный биполярный транзистор структуры NPN, широко применяемый в усилителях мощности и импульсных преобразователях. Данный транзистор обладает следующими ключевыми характеристиками:

  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 80 В
  • Максимальный ток коллектора: 15 А
  • Рассеиваемая мощность: 100 Вт
  • Материал: кремний
  • Производитель: ОАО «Группа КРЕМНИЙ ЭЛ» (г. Брянск)

КТ819ГМ выпускается в металлическом корпусе ТО-3, что обеспечивает хороший теплоотвод и позволяет использовать транзистор в мощных схемах.

Области применения транзистора КТ819ГМ

Благодаря своим характеристикам, КТ819ГМ нашел широкое применение в различных электронных устройствах:

  • Усилители мощности звуковой частоты
  • Импульсные источники питания
  • Преобразователи напряжения
  • Регуляторы напряжения и тока
  • Коммутационные схемы

В каких конкретных случаях используется этот транзистор? КТ819ГМ часто применяется в выходных каскадах усилителей мощности класса AB и B. Также он подходит для построения мощных эмиттерных повторителей и ключевых каскадов.


Основные параметры и характеристики КТ819ГМ

Рассмотрим подробнее основные электрические параметры транзистора КТ819ГМ:

  • Структура: NPN
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 80 В
  • Максимальное напряжение коллектор-база: 100 В
  • Максимальный постоянный ток коллектора: 15 А
  • Максимальный импульсный ток коллектора: 20 А
  • Рассеиваемая мощность коллектора: 100 Вт
  • Коэффициент усиления по току (h21Э): 20-70
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц
  • Максимальная температура перехода: 150°C

Как интерпретировать эти параметры при выборе транзистора? Высокие значения допустимых токов и напряжений позволяют использовать КТ819ГМ в мощных схемах. Коэффициент усиления 20-70 типичен для мощных транзисторов и обеспечивает хорошее усиление сигнала.

Особенности применения КТ819ГМ в схемах

При использовании транзистора КТ819ГМ в электронных устройствах следует учитывать некоторые важные моменты:

  • Необходимость качественного теплоотвода из-за высокой рассеиваемой мощности
  • Контроль температуры корпуса, не допуская превышения 150°C
  • Правильный выбор режима работы для обеспечения линейности усиления
  • Учет зависимости параметров от температуры
  • Защита от перегрузок по току и напряжению

Как обеспечить надежную работу транзистора? Важно использовать массивный радиатор с хорошим тепловым контактом. Рекомендуется применять термопасту и изолирующие прокладки при монтаже. В мощных схемах желательно предусмотреть защиту от перегрева.


Аналоги и замены транзистора КТ819ГМ

В случае отсутствия КТ819ГМ его можно заменить следующими аналогами:

  • 2N3055 — популярный зарубежный аналог с похожими параметрами
  • КТ818ГМ — комплементарная пара PNP-типа
  • КТ8127А — более мощный отечественный аналог (150 Вт)
  • MJ15003 — зарубежный транзистор с близкими характеристиками
  • TIP3055 — современный аналог в пластиковом корпусе

На что обратить внимание при выборе замены? Важно учитывать не только электрические параметры, но и тип корпуса, особенности монтажа и теплоотвода. Прямая замена не всегда возможна без изменения печатной платы или конструкции устройства.

Схемотехника с использованием КТ819ГМ

Рассмотрим типовые схемы включения транзистора КТ819ГМ:

  1. Усилитель мощности звуковой частоты:
    • Выходной каскад на комплементарной паре КТ819ГМ и КТ818ГМ
    • Работа в классе AB для снижения искажений
    • Цепи термостабилизации и защиты от перегрузки
  2. Регулятор напряжения:
    • КТ819ГМ в качестве проходного транзистора
    • Операционный усилитель для управления и стабилизации
    • Цепь ограничения тока для защиты транзистора
  3. Импульсный преобразователь:
    • КТ819ГМ как ключевой элемент
    • Быстродействующие драйверы для управления
    • Снабберные цепи для защиты от перенапряжений

Какие особенности нужно учесть при разработке схем? В усилителях важно обеспечить хорошую линейность и температурную стабильность. В импульсных схемах критичны скорость переключения и минимизация потерь.


Рекомендации по выбору и приобретению КТ819ГМ

При покупке транзисторов КТ819ГМ следует обратить внимание на следующие аспекты:

  • Приобретение у надежных поставщиков электронных компонентов
  • Проверка подлинности и даты выпуска транзисторов
  • Возможность выбора транзисторов с близкими параметрами для парного включения
  • Учет условий хранения и транспортировки
  • Соответствие приобретаемой партии заявленным характеристикам

Как убедиться в качестве приобретаемых транзисторов? Рекомендуется проводить входной контроль, измеряя основные параметры выборочных образцов. При массовом применении желательно приобретать транзисторы у официальных дистрибьюторов производителя.

Перспективы развития и альтернативы КТ819ГМ

Несмотря на свою популярность, транзистор КТ819ГМ постепенно вытесняется более современными решениями:

  • MOSFET-транзисторы с низким сопротивлением открытого канала
  • IGBT-модули для высоковольтных применений
  • Интегральные усилители мощности в компактных корпусах
  • GaN и SiC-транзисторы для высокочастотных преобразователей

Означает ли это, что КТ819ГМ устарел? Не совсем. В ряде применений, особенно в области аудиотехники, биполярные транзисторы все еще сохраняют свои позиции благодаря хорошей линейности и простоте применения. Кроме того, КТ819ГМ остается востребованным при ремонте и модернизации существующей аппаратуры.



Схема высококачественного УНЧ на транзисторах (60Вт)

Описываемый ниже усилитель пригоден для усиления мощных звуковых сигналов в составе звуковоспроизводящих установок высокого класса, а также для использования в качестве мощного широкополосного операционного усилителя.

Основные технические характеристики усилителя:

Номинальная выходная мощность, Вт, при сопротивлении нагрузки, Ом:

8……………………………………………………………………………..48

4………………………………………………………………………………60

Диапазон воспроизводимых частот при неравномерности АЧХ не

более 0,5 дБ и выходной мощности 2 Вт, Гц………………10…200000

Коэффициент нелинейных искажений при номинальной мощности

в диапазоне 20…20000 Гц, %…………………………………………….0,05

Номинальное входное напряжение, В ……………………………. 0,8

Входное сопротивление, кОм . ……………………………………………..47

Выходное сопротивление, Ом…………………………………………..0,02

Входной каскад усилителя представляет собой два дифференциальных усилителя (включенных параллельно), выполненных на транзисторах VT1, VT3 и VT2, VT4 противоположной структуры. Генераторы тока на транзисторах VT5, VТ6 обеспечивают стабильность значений (около 1 мА) суммарных эмиттерных токов дифференциальных пар, а также развязку по цепям питания. Сигнал на выходной усилитель подается с управляемых генераторов тока (VT7, VT7), которые работают противофазно. Такое включение увиличило ток «раскачки» в два раза, снизило нелинейные искажения и улучшило частотные свойства усилителя в целом. Каждое из плеч симметричного выходного усилителя выполнено по схеме Дарлингтона, и представляет собой трехкаскадный усилитель (в двух каскадах транзисторы включены по схеме с общим эмиттером и в одном — с общим коллектором). Усилитель охвачен частотно — зависимой ООС, определяющей его коэффициент передачи по напряжению, который в звуковом диапазоне близок к трем.

Так как сигнал обратной связи, снимаемый с резистора R39 (R40), пропорционален изменениям тока выходного транзистора, то дополнительно осуществляется довольно жесткая стабилизация рабочей точки этого транзистора. Напряжение смещения выходной ступени определяется сопротивлением перехода коллектор — эмиттер транзистора VT9 и регулируется резистором R24. Напряжение смещения термостабилизировано диодом VD4, который закреплен на теплоотводе одного из мощных транзисторов.

Элементы коррекции R16, C4, C6 — C11 обеспечивают устойчивость усилителя и выравнивают его АЧХ. Пассивный фильтр низких частот R2C1 предотвращает попадание на вход радиочастотных сигналов. Цепочка C12R45L1R47 компенсирует реактивную составляющую сопротивления нагрузки. На транзисторах VT12 и VT13 собран узел защиты выходных транзисторов от перегрузок по току и напряжению. Резистор R1 позволяет при необходимости ограничить выходную мощность в соответствии с уровнем сигнала от предварительного усилителя и возможностями применяемого громкоговорителя.

В схеме усилителе можно использовать и другие маломощные высокочастотные кремниевые транзисторы, например КТ342А, КТ342Б и КТ313Б, КТ315 и КТ361 (с индексами от В до Е). Транзисторы VT14 и VT15 (возможная замена — КТ816В, КТ816Г и КТ817В, КТ817Г или КТ626В и КТ904А) снабжены ребристыми теплоотводами размерами 23х25х12 мм. В качестве выходных можно применить транзисторы КТ818ГМ и КТ819ГМ, которые позволяют при повышении напряжения питания получать мощности свыше 70 Вт. Стабилитрон VD1 может быть также Д816Г или 2С536А, VD2 и VD3 — КС147А (при соответствующей коррекции сопротивлений резисторов R11 и R14). Описание усилителя приведено в [30].

Литература:  Николаев А.П., Малкина М.В.  Н82 500 схем для радиолюбителей. Уфа.: SASHKIN SOFT, 1998, 143 с.

Источник: Radiostorage.net/

Транзистор 2N3055: Распиновка, характеристики и аналог

В этом тексте мы обсудим технические характеристики биполярного NPN-транзистора 2N3055, его распиновку и эквиваленты для замены. Изготавливается по эпитаксиальному основному процессу, в герметичном металлическом корпусе ТО-3. Устройство предназначено для работы в коммутационных схемах и усилителях мощности.

Содержание

  1. Распиновка
  2. Историческая справка
  3. Технические характеристики
  4. Аналоги
  5. Комплементарная пара
  6. Изготовители

Цоколевка

Цоколевка 2н3055 выполнена в металлическом корпусе ТО-3 со стеклянными изоляторами, через которые выводы базы (Б) и эмиттера (Э) выведены наружу. Контакт коллектора (C) физически соединен с корпусом. Подробности показаны ниже.

Корпус транзистора и соединительные болты изолированы при установке на радиатор специальной слюдяной или керамической подложкой.

Историческая справка

История этого популярного полупроводникового устройства хорошо известна. Первоначально он был разработан в 60-х годах компанией RCA (инженеры из группы Херба Мейзеля) и производился с использованием мезапланарного процесса. Он был разработан для работы в усилителях мощности. Позже он использовался в стабилизаторах и регуляторах напряжения в источниках питания. С середины 70-х годов, вместе с поиском более экономичного способа производства, его стали изготавливать по эпитаксиальной технологии. Неплохие усилительные свойства, их линейность в то же время, сделали прибор незаменимым спутником многих УШУ того времени.

К сожалению, RCA прекратила свое существование в 1988 году. Ее полупроводниковый бизнес был приобретен американской корпорацией Harris. Сейчас многие зарубежные фирмы выпускают транзисторы с маркировкой 2N 3055, в том числе по экологически чистым бессвинцовым (Pb-Free) стандартам. Считается, что более новые экземпляры (изготовленные по эпитаксиальной технологии) лучше работают в схемах усиления, но менее защищены от высоких напряжений.

Однако в последнее время качество изготовления таких транзисторов сильно упало, особенно с появлением китайских конкурентов. Кроме того, бывают случаи подделки транзисторов. Купить оригинальную копию на интернет-площадках вроде Aliexpress, Amazon, eBay и т.п. вряд ли получится. Поэтому многие радиолюбители отдают предпочтение ее более старым версиям, выпущенным в основном до 2000 года.

Технические характеристики

2N3055 — низкочастотный транзистор. При этом считается, что типичная граничная частота его перехода находится в диапазоне 3-6 МГц. Но так было не всегда. Этот параметр впервые появился в 1971 году в технических паспортах RCA и составлял всего 0,8 МГц. Постепенно она росла вместе с совершенствованием технического процесса производства. В 1977 году она достигла современного значения 2,5 МГц.

Основные параметры рассматриваемого транзистора, с начала его производства (с 1967), почти не изменились. Они могут немного отличаться от производителя к производителю.

Максимальные характеристики 2N3055:

  • K-B ограничение напряжения (В СВО max) до 100 В, при разомкнутой цепи Е;
  • К-Е предел напряжения (В СЕО max) до 70 В, при обрыве цепи на В;
  • максимальный ток коллектора (I C max) до 15 А;
  • рассеиваемая мощность
  • (R C max) до 115 Вт;
  • Статический коэффициент передачи тока (H FE ) 20…70;
  • Температура перехода (T C ) до 200 o C, температура хранения (T stg ) -65…+200 o C.

Превышение любого из этих значений может привести к отказу устройства. При повышении температуры окружающей среды рассеиваемая мощность падает линейно.

Аналоги

В качестве замены можно использовать современные варианты с более высоким номинальным напряжением 2N3055HV (В СЕО = 100В), MJ15015G (В СЕО = 120 В). Хорошая альтернатива — T2N6371HV. Стоит обратить внимание на имеющиеся в настоящее время варианты в пластиковом корпусе ТО-3ПН типа ТИП3055 мощностью до 90Вт. Наиболее популярным российским аналогом 2N3055 является мощный биполярный транзистор КТ819ГМ производства ОАО «Группа КРЕМНИЙ ЭЛ».

В 70-х компания Philips производила очень похожие устройства с маркировкой BDY20 (V CEO до 60 В) и позиционировала их для использования в Hi-Fi оборудовании. KD502, KD503 бывшего чехословацкого производителя Tesla до сих пор считаются радиолюбителями очень надежными и качественными аналогами. К сожалению, сейчас их очень сложно найти, потому что они больше не производятся, а компания пришла в упадок после распада Советского Союза.

Комплементарная пара

Устройство имеет комплементарную пару MJ2955 с соединением PNP. По своим параметрам, кроме кремниевой структуры, он является практически полной копией транзистора 2N3055. Применяется в сочетании с ним в выходных каскадах усилителей большой мощности до 40 Вт при нагрузке до 8 Ом и 60 Вт при 4 Ом.

Производители

Наиболее распространены продукты следующих производителей: Inchange, ON Semiconductor, STMicroelectronics. Вы можете скачать Datasheet для 2N3055, перейдя в этот раздел.

OKmall — 1등 명품 이커머스

OKmall 매출&영업이익

오늘 실시간 매 출 310 559 745 фунтов стерлингов 12/05 13:35

주요 명품 이커머스 플랫폼과의 매출&영업이익 비교*2022년 기준

매출

영업이익

17년 연속 매출 성장, 18년 연속 영업 이익 흑자 Ура!

이커머스 오케이몰은 100% 모델을 토대로 적자투성이 이커머스 업계에서 독보적인 성장을 이어가고 있습니다. 실시간으로 자신있게 공개 중인 모든 수치는 부가가치세를 제외한 금액으로, 공식 기준 없 이 부풀린 거래액 등의 수치와는 차원을 달리합니다. 2 104 억여원으로 오케이몰 단일 매출의 67%에 불과하며, 영업이익 흑자를 달성한 도 전무합니다. 이러한 기준에서 오케이몰은 진정한 대한민국 1등 명품 이커머스라고 자부합니다.

2017 года 2022 года 나오지 않았을 뿐더러, 2018 г. 하게 운영되고 있습니다.

OKmall 국내 최저가 110% 보상

국내최저가 보상신청 비율
  • 2023 г. 0,008%
  • 879 131 фунтов стерлингов на 67 фунтов стерлингов
  • 5월 0,007%
  • 93,543 중 7 개

[ 2023년 5월 현재 네이버 쇼핑 주요 입점 업체 ]

46만여 개의 온라인 쇼핑몰 이 입점 중입니다.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *