Какие основные характеристики имеет транзистор КТ825. Каковы предельные параметры КТ825. Где применяется КТ825. Какие существуют аналоги КТ825. Как выглядит цоколевка КТ825.

Общая характеристика транзистора КТ825

КТ825 представляет собой кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный составной транзистор структуры p-n-p в корпусе TO-3. Он относится к семейству мощных низкочастотных транзисторов и выполнен по схеме Дарлингтона.

Основные особенности КТ825:

• Высокий коэффициент усиления по току (750-18000)
• Большой допустимый ток коллектора (до 20 А)
• Значительная рассеиваемая мощность (125 Вт при использовании радиатора)
• Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Эти характеристики определяют области применения КТ825 в мощных усилителях низкой частоты, импульсных источниках питания, схемах управления электродвигателями и других силовых каскадах.

Предельные параметры транзистора КТ825

Для безопасной и надежной работы устройств с КТ825 необходимо соблюдать предельно допустимые значения параметров:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
  • КТ825Г — 70 В
  • КТ825Д — 45 В
  • КТ825Е — 25 В
• Максимальное напряжение эмиттер-база: 5 В
• Максимальный постоянный ток коллектора: 20 А
• Максимальный импульсный ток коллектора: 30 А
• Максимальная рассеиваемая мощность коллектора: 125 Вт (при температуре корпуса не более 25°C)
• Максимальная температура перехода: 150°C

При проектировании схем важно обеспечить работу транзистора в пределах этих значений, чтобы избежать его повреждения или деградации характеристик.

Основные электрические параметры КТ825

Ключевые параметры транзистора КТ825 включают:

• Статический коэффициент передачи тока: 750-18000 (при Uкэ = 10 В, Iк = 10 А)
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: не более 2 В (при Iк = 10 А, Iб = 40 мА)
• Напряжение насыщения база-эмиттер: 2.6-4.0 В (при Iк = 20 А, Iб = 200 мА)
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц
• Емкость коллекторного перехода: не более 600 пФ

Эти параметры определяют возможности применения КТ825 в различных схемах и позволяют рассчитать режимы его работы.

Применение транзистора КТ825 в электронных устройствах

Благодаря своим характеристикам, КТ825 находит широкое применение в следующих областях:

• Выходные каскады мощных усилителей низкой частоты
• Импульсные источники питания
• Схемы управления электродвигателями
• Стабилизаторы напряжения большой мощности
• Ключевые схемы с большими токами коммутации
• Драйверы светодиодов высокой яркости

Высокий коэффициент усиления по току делает КТ825 удобным для применения в схемах, где требуется управление большими токами при малых токах базы. Это позволяет упростить схемы управления и повысить общую эффективность устройств.

Особенности конструкции и корпуса КТ825

КТ825 выпускается в металлическом корпусе TO-3, который обеспечивает хороший теплоотвод и позволяет применять транзистор в мощных устройствах. Особенности конструкции включают:

• Металлический корпус, служащий одновременно радиатором и выводом коллектора
• Изолированный вывод эмиттера
• Изолированный вывод базы
• Возможность крепления дополнительного радиатора для повышения рассеиваемой мощности

При монтаже КТ825 на печатную плату или радиатор необходимо учитывать, что корпус электрически соединен с коллектором. Для изоляции транзистора от радиатора используются специальные теплопроводящие прокладки.

Аналоги и замена КТ825

При необходимости замены КТ825 можно использовать следующие аналоги:

• 2N6051 (аналог КТ825Г)
• 2N6050 (аналог КТ825Д)
• BDX64 (аналог КТ825Е)
• TIP142 (близкий по характеристикам)
• TIP147 (близкий по характеристикам)

При замене необходимо учитывать не только электрические параметры, но и особенности корпуса и теплового режима. В некоторых случаях может потребоваться корректировка схемы или параметров охлаждения.

Рекомендации по применению КТ825

Для эффективного и надежного использования КТ825 рекомендуется соблюдать следующие правила:

1. Обеспечить адекватное охлаждение транзистора, особенно при работе с большими токами или в импульсных режимах.
2. Использовать теплопроводящую пасту при монтаже на радиатор для улучшения теплоотвода.
3. Применять защитные цепи для предотвращения пробоя при работе с индуктивной нагрузкой.
4. Учитывать большой коэффициент усиления при расчете токов базы, чтобы избежать перегрузки транзистора.
5. При работе в ключевом режиме обеспечивать достаточный ток базы для полного насыщения транзистора.

Соблюдение этих рекомендаций поможет максимально использовать возможности КТ825 и продлить срок его службы в устройстве.

Заключение о характеристиках и применении КТ825

КТ825 является мощным и надежным транзистором, широко применяемым в различных электронных устройствах. Его ключевые преимущества:

• Высокая нагрузочная способность по току
• Большой коэффициент усиления
• Хорошие частотные характеристики для мощного транзистора
• Возможность работы с большими мощностями при правильном охлаждении

Эти качества делают КТ825 востребованным компонентом в разработке силовой электроники, аудиотехники и промышленного оборудования. При правильном применении КТ825 обеспечивает высокую надежность и эффективность работы устройств.

Транзисторы КТ818 и КТ825 — Основные параметры, маркировка и цоколевка.

Транзисторы КТ825

Транзисторы КТ825 — кремниевые, составные(схема Дарлингтона), усилительные мощные низкочастотные, структуры p-n-p.
Применяются в усилительных и генераторных схемах. Цоколевка КТ825 и разновидности корпусов такие же как и у КТ818.

КТ825 — можно заменить эквивалентной схемой на двух транзисторах. Обычно, для этой цели используются КТ818 и КТ814. Сама схема выглядит вот таким образом.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока — У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е — 750.
У транзисторов 2Т825А, 2Т825А2 — от 500 , до 18000 .
У транзисторов 2Т825Б, 2Т825В2, 2Т825Б2 — от 750 , до 18000

.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер
У транзисторов КТ825Д, 2Т825В, 2Т825В2 — 45 в.
У транзисторов КТ825Е — 25 в.
У транзисторов 2Т825Б, 2Т825Б2 — 60 в.
У транзисторов КТ825Г — 70 в.
У транзисторов 2Т825А, 2Т825А2 — 45 в.

Максимальный ток коллектора.
У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е, 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В — 20 А.
У транзисторов 2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2 — 15 А.

Рассеиваемая мощность коллектора.(на радиаторе)
У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е — 125 Вт.
У транзисторов 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В — 160 Вт.
У транзисторов 2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2 — 30 Вт.
Без радиатора — 3 Вт.

Напряжение насыщения база — эмиттер при токе коллектора 10 А и базовом токе 40 мА
— 3 в, при токе коллектора 20 А и базовом токе 200 мА — 4в

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в на частоте 100 КГц — не более 600пФ.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 10А, базы 40мА — не более 2в.

Максимальная температура перехода:
У транзисторов КТ825А, КТ825Б, КТ825В — +175 Цельсия.
У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е — +150 Цельсия.

Граничная частота передачи тока — 4 МГц.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ825

КТ825Г — 2N6051.
КТ825Д — 2N6050.
КТ825Е — BDX64.
КТ825ГM — 2N6052G.
2Т825В -2N6285.
2Т825Б — 2N6286.

2Т825А — TIP147, TIP142

Транзисторы — купить… или найти бесплатно.

Где сейчас можно найти советские транзисторы?
В основном здесь два варианта — либо купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.

Во время промышленного коллапса начала 90-х? образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки — можно купить. Если же нет — всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -«Гулливер».

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — можно попытаться выпаять необходимые транзисторы из ее схем.
Например, транзисторы КТ818(вместе с КТ819) можно обнаружить в выходных каскадах усилителей «Амфитон», «Вега», «Эстония», «Ода».

На главную страницу

elektrikaetoprosto.ru

КТ825, kt825 характеристики (datasheet) | Техника и Программы

September 7, 2012 by admin Комментировать »

   Кремниевый составной транзистор КТ825 (p-n-p)

Кремниевые меза-планарные p-n-p составные транзисторы типов 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В в металло-стеклянном корпусе КТ-9 ГОСТ 18472-88 предназначенные для работы в линейных и ключевых схемах.

Содержание драгоценных металлов в 1000 штук транзисторов: золото 10.0332 грамм, серебро 48.0028 грамм. Содержание цветных металлов медь – 3.8 грамм в одном транзисторе.

Сведения о приемке: Транзисторы типов 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В соответствуют техническим условиям аА0.339.054 ТУ.

Основные технические характеристики тарнзисторов КТ825:

Прибор	Предельные параметры									Параметры при T = 25°C											RТ п-к, °C/Вт
		при T = 25°C
IК, max, А	IК и, max, А	UКЭ0 гр, В	UКБ0 max, В	UЭБ0 max, В	PК max, Вт	при TК, °C	Tп max, °C	TК max, °C	h21Э	UКБ,В	IЭ, А	UКЭ нас, В	IКБ0, мА	fгр, МГц	Кш, дБ	CК, пФ	CЭ, пФ	tвкл, мкс	tвыкл, мкс
КТ825Г	20	30	70		5	125	25	150	100	750	10	10	2		4		600	600	1	4,5	1
КТ825Д	20	30	45		5	125	25	150	100	750	10	10	2		4		600	600	1	4,5	1
КТ825Е	20	30	25		5	125	25	150	100	750	10	10	2		4		600	600	1	4,5	1
2Т825А	20	40	80		5	160	25	175	125	500…18000	10	10	2		4		600	600	1	4,5	1,2
2Т825Б	20	40	60		5	160	25	175	125	750…18000	10	10	2		4		600	600	1	4,5	1,2
2Т825В	20	40	45		5	160	25	175	125	750…18000	10	10	2		4		600	600	1	4,5	1,2
2Т825А2	15	40	80	100	5	30	25	150	100	500…18000	10	10	2		4		250	400			4,17
2Т825Б2	15	40	60	80	5	30	25	150	100	750…18000	10	10	2		4		250	400			4,17
2Т825В2	15	40	45	60	5	30	25	150	100	750…18000	10	10	2		4		250	400			4,17

nauchebe.net

КТ825 характеристики (datasheet) | Техника и Программы

 

 

 

 

         

 

 

Кремниевые меза-планарные p-n-p составные транзисторы типов 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В в металло-стеклянном корпусе КТ-9 ГОСТ 18472-88 предназначенные для работы в линейных и ключевых схемах.

Содержание драгоценных металлов в 1000 штук транзисторов: золото 10.0332 грамм, серебро 48.0028 грамм. Содержание цветных металлов медь – 3.8 грамм в одном транзисторе.

Сведения о приемке: Транзисторы типов 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В соответствуют техническим условиям аА0.339.054 ТУ.

Прибор	Предельные параметры									Параметры при T = 25°C											RТ п-к, °C/Вт
		при T = 25°C
IК, max, А	IК и, max, А	UКЭ0 гр, В	UКБ0 max, В	UЭБ0 max, В	PК max, Вт	при TК, °C	Tп max, °C	TК max, °C	h21Э	UКБ,В	IЭ, А	UКЭ нас, В	IКБ0, мА	fгр, МГц	Кш, дБ	CК, пФ	CЭ, пФ	tвкл, мкс	tвыкл, мкс
КТ825 Г	20	30	70		5	125	25	150	100	750	10	10	2		4		600	600	1	4,5	1
КТ825 Д	20	30	45		5	125	25	150	100	750	10	10	2		4		600	600	1	4,5	1
КТ825 Е	20	30	25		5	125	25	150	100	750	10	10	2		4		600	600	1	4,5	1
2Т825 А	20	40	80		5	160	25	175	125	500…18000	10	10	2		4		600	600	1	4,5	1,2
2Т825 Б	20	40	60		5	160	25	175	125	750…18000	10	10	2		4		600	600	1	4,5	1,2
2Т825 В	20	40	45		5	160	25	175	125	750…18000	10	10	2		4		600	600	1	4,5	1,2
2Т825 А2	15	40	80	100	5	30	25	150	100	500…18000	10	10	2		4		250	400			4,17
2Т825 Б2	15	40	60	80	5	30	25	150	100	750…18000	10	10	2		4		250	400			4,17
2Т825 В2	15	40	45	60	5	30	25	150	100	750…18000	10	10	2		4		250	400			4,17

nauchebe.net

Параметры транзистора КТ825. Datasheet. Цоколевка и аналоги.

Параметры транзистора КТ825. Datasheet. Цоколевка и аналоги.

КТ825 — кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный составной (Дарлингтона) n-p-n транзистор в пластмассовом корпусе TO-3

Назначение: КТ825 предназначен для применения усилителях низкой частоты, переключающих устройствах

Типы: КТ825 Г, КТ825 Д, КТ825 Е

Аналог КТ825 : по параметрам близок 2N6050

Комплементарная пара: npn транзистор КТ827

Цоколевка КТ825 : см. рисунок

Производители: Интеграл (Беларусь), Кремний-Маркетинг (Брянск)

Цена КТ825 : вывести цену (прямой запрос в интернет-магазины)

Datasheet: (подробные характеристики с графиками зависимостей параметров)

Основные параметры транзисторов КТ825:
Параметры	Режим измерения	Min (минимальное значение параметра)	Max (максимальное значение параметра)
Статический коэффициент передачи тока КТ825	Uкэ=10B, Iк=10A	750	18000
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер КТ825	Iк=10А, Iб=40мA	1	2.0В
Напряжение насыщения база-эмиттер КТ825	Iк=20A, Iб=200мA	2.6	4.0В
Предельные параметры транзисторов КТ825 :
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер КТ825 Г КТ825 Д КТ825 Е	Rэб≤ 1кОм		90В 60В 30В
Напряжение эмиттер-база (обратное)			5В
Постоянный ток коллектора КТ825			20А
Импульсный ток коллектора			40А
Постоянный ток базы			0.5А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора	Тк ≤ 25 °С		125Вт

Подробные характеристики КТ825 и графики зависимостей параметров приведены в справочнике мощных транзисторов

www.trzrus.ru