Кт835А характеристики транзистора. Транзистор КТ835А: характеристики, применение и аналоги PNP-транзистора для усилителей и преобразователей

Какие основные характеристики имеет транзистор КТ835А. Где применяется данный PNP-транзистор российского производства. Какие существуют зарубежные аналоги КТ835А. В чем отличия модификаций КТ835А и КТ835Б.

Общая характеристика транзистора КТ835А

Транзистор КТ835А представляет собой биполярный PNP-транзистор российского производства. Он относится к семейству мощных низкочастотных транзисторов и широко применяется в различных электронных устройствах.

Основные характеристики КТ835А:

• Структура: p-n-p
• Максимальная рассеиваемая мощность коллектора: 25 Вт
• Максимальный постоянный ток коллектора: 3 А
• Пробивное напряжение коллектор-база: 30 В
• Статический коэффициент передачи тока: ≥25
• Граничная частота коэффициента передачи тока: ≥1 МГц

Области применения транзистора КТ835А

Транзистор КТ835А находит широкое применение в различных электронных устройствах благодаря своим характеристикам. Основные области его использования включают:

1. Усилители мощности звуковой частоты
2. Импульсные источники питания
3. Преобразователи напряжения
4. Драйверы электродвигателей
5. Регуляторы напряжения

Почему КТ835А популярен в усилителях мощности. Этот транзистор обладает хорошими характеристиками для работы в выходных каскадах усилителей, обеспечивая высокую выходную мощность и низкие искажения сигнала.

Сравнение модификаций КТ835А и КТ835Б

Транзистор КТ835 выпускается в двух модификациях: КТ835А и КТ835Б. Рассмотрим их основные отличия:

Параметр	КТ835А	КТ835Б
Максимальный ток коллектора	3 А	7.5 А
Пробивное напряжение коллектор-база	30 В	45 В
Статический коэффициент передачи тока	≥25 (при 1 В; 1 А)	10…100 (при 5 В; 2 А)

Как выбрать между КТ835А и КТ835Б. Выбор зависит от конкретных требований схемы. КТ835Б подходит для более мощных устройств с большим током коллектора и высоким напряжением.

Зарубежные аналоги транзистора КТ835А

При проектировании электронных устройств часто возникает необходимость в использовании зарубежных аналогов отечественных компонентов. Для транзистора КТ835А существуют следующие аналоги:

• 2SB906 (Япония)
• MJE370 / MJE370K (США)
• BD434 (Европа)

Чем отличаются зарубежные аналоги от КТ835А. Основные различия могут заключаться в типе корпуса, незначительных отклонениях параметров и технологии производства. При замене необходимо внимательно сравнивать характеристики.

Особенности использования КТ835А в усилителях мощности

Транзистор КТ835А часто применяется в усилителях мощности звуковой частоты. Рассмотрим некоторые особенности его использования в этой области:

1. Высокая линейность характеристик обеспечивает низкие искажения сигнала
2. Достаточная мощность рассеивания позволяет работать с большими токами
3. Низкая граничная частота ограничивает применение в высокочастотных схемах
4. Требуется обеспечение хорошего теплоотвода для стабильной работы

Как правильно обеспечить теплоотвод для КТ835А. Для эффективного отвода тепла рекомендуется использовать алюминиевые радиаторы с площадью не менее 50 см². При монтаже следует применять теплопроводящую пасту.

Параметры и характеристики транзистора КТ835А

Рассмотрим подробнее основные электрические параметры и характеристики транзистора КТ835А:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 30 В
• Максимальное напряжение эмиттер-база: 4 В
• Максимальный импульсный ток коллектора: 5 А
• Емкость коллекторного перехода: ≤800 пФ
• Сопротивление насыщения коллектор-эмиттер: ≤0.35 Ом
• Обратный ток коллектора: ≤0.1 мА (при 30 В)

Какие факторы влияют на параметры транзистора. На характеристики КТ835А могут влиять температура окружающей среды, качество монтажа, режим работы и другие внешние факторы. При проектировании устройств необходимо учитывать возможные отклонения параметров.

Особенности монтажа и эксплуатации КТ835А

При работе с транзистором КТ835А следует учитывать ряд особенностей монтажа и эксплуатации:

1. Чувствительность к статическому электричеству
2. Необходимость правильной ориентации выводов при монтаже
3. Важность качественной пайки для обеспечения надежного контакта
4. Соблюдение температурного режима при пайке
5. Использование изоляционных прокладок при монтаже на радиатор

Как правильно паять транзистор КТ835А. Рекомендуется использовать паяльник мощностью не более 40 Вт, ограничивать время пайки до 3-5 секунд на один вывод, применять флюс и качественный припой.

Цоколевка транзистора КТ835А

Правильное подключение выводов транзистора критически важно для его корректной работы. Цоколевка КТ835А следующая:

• Левый вывод (если смотреть на плоскую сторону корпуса) — эмиттер (Э)
• Средний вывод — база (Б)
• Правый вывод — коллектор (К)

Почему важно соблюдать правильную цоколевку. Неправильное подключение выводов может привести к выходу транзистора из строя или некорректной работе устройства.

Применение КТ835А в импульсных источниках питания

Транзистор КТ835А часто используется в импульсных источниках питания благодаря своим характеристикам. Рассмотрим особенности его применения в этой области:

• Высокая скорость переключения обеспечивает эффективную работу на повышенных частотах
• Низкое сопротивление насыщения снижает потери энергии
• Достаточный запас по напряжению позволяет работать в различных схемах
• Хорошая температурная стабильность обеспечивает надежность устройства

Какие преимущества дает использование КТ835А в импульсных источниках питания. Применение этого транзистора позволяет создавать компактные и эффективные блоки питания с высоким КПД и низким уровнем электромагнитных помех.

Схема включения КТ835А в импульсном источнике питания

Типовая схема включения транзистора КТ835А в импульсном источнике питания может выглядеть следующим образом:

1. Коллектор подключается к первичной обмотке трансформатора
2. Эмиттер соединяется с общим проводом через токоизмерительный резистор
3. База управляется через резистор и разделительный конденсатор
4. Между коллектором и эмиттером устанавливается защитный диод

Как оптимизировать работу КТ835А в импульсном источнике питания. Для повышения эффективности рекомендуется использовать быстродействующие драйверы, оптимизировать топологию печатной платы и применять качественные пассивные компоненты.

Транзистор КТ835 — DataSheet

Перейти к содержимому

Цоколевка транзистора КТ835

 

Параметры транзистора КТ835

Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		КТ835А		2SB906, MJE370K *1, MJE370 *1
		КТ835Б		BD434, 41501 *2, BD196 *3, 2N6110, 2N6111
Структура			—	p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	PK max,P*K, τ max,P**K, и max	КТ835А	—	25*	Вт
		КТ835Б	—	25*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	fгр, f*h31б, f**h31э, f***max	КТ835А	—	≥1	МГц
		КТ835Б	—	≥1
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	UКБО проб. , U*КЭR проб.,  U**КЭО проб.	КТ835А	—	30	В
		КТ835Б	—	45
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	UЭБО проб.,	КТ835А	—	4	В
		КТ835Б	—	4
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	IK max, I*К , и max	КТ835А	—	3	А
		КТ835Б	—	7.5
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	IКБО, I*КЭR, I**КЭO	КТ835А	30 В	≤0. 1	мА
		КТ835Б	45 В	≤0.15
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h21э,  h*21Э	КТ835А	1 В; 1 А	≥25*
		КТ835Б	5 В; 2 А	10…100*
Емкость коллекторного перехода	cк,  с*12э	КТ835А	10 В	≤800	пФ
		КТ835Б	10 В	≤800
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р.	КТ835А	—	≤0.35	Ом, дБ
		КТ835Б	—	≤0.8
Коэффициент шума транзистора	Кш, r*b, P**вых	КТ835А	—	—	Дб, Ом, Вт
		КТ835Б	—	—
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс)	КТ835А	—	—	пс
		КТ835Б	—	—

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Сторінку не знайдено. Світлодіодне освітлення та радіокомпоненти

Сторінку не знайдено

Помилка 404

Запитуваний вами товар або послуга не знайдені, пропонуємо вам переглянути інші подібні пропозиції. Також ви можете скористатися пошуком, щоб знайти потрібні вам товари або послуги. Щоб переглянути інші товари з цієї ж групи, перейдіть за посиланням Корінна група.

• CVmyBHddAslGSC5yFDlPXxFqJttr-GxOZn4QgMDqmkk» data-advtracking-product-id=»731178492″ data-tg-chain=»{"view_type": "preview"}»>

  Купити

• Купити

• L0Kkx3v3Bo5n37ts0M6guV3G-boBGPfoIuFO6D4yMW8″ data-advtracking-product-id=»91235214″ data-tg-chain=»{"view_type": "preview"}»>

  Купити

• Купити