Каковы основные характеристики транзистора КТ835Б. Где применяется этот транзистор в электронных схемах. Какие аналоги существуют у КТ835Б. Как расшифровывается маркировка КТ835Б.
Общие сведения о транзисторе КТ835Б
Транзистор КТ835Б — это кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор средней мощности. Он относится к семейству биполярных транзисторов и широко применяется в различных электронных устройствах.
Основные характеристики КТ835Б:
- Структура: n-p-n
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 40 В
- Максимальный ток коллектора: 4 А
- Рассеиваемая мощность: 10 Вт
- Коэффициент усиления по току: 20-100
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 3 МГц
Параметры и технические характеристики КТ835Б
Рассмотрим подробнее основные электрические параметры транзистора КТ835Б:
- Максимально допустимое напряжение коллектор-база: 60 В
- Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 40 В
- Максимально допустимое напряжение эмиттер-база: 5 В
- Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 4 А
- Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 6 А
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора: 10 Вт
- Коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером: 20-100
- Граничная частота коэффициента передачи тока: не менее 3 МГц
- Емкость коллекторного перехода: не более 200 пФ
- Тепловое сопротивление переход-корпус: не более 12°C/Вт
Области применения транзистора КТ835Б
КТ835Б находит широкое применение в различных электронных устройствах и схемах. Основные области его использования включают:
- Усилители низкой частоты
- Импульсные схемы
- Стабилизаторы напряжения
- Преобразователи напряжения
- Драйверы двигателей
- Коммутационные схемы
- Источники питания
Как используется КТ835Б в усилителях низкой частоты? В таких схемах транзистор может применяться в качестве выходного каскада, обеспечивая необходимую мощность для нагрузки. Его высокий коэффициент усиления по току позволяет эффективно усиливать сигнал.
Цоколевка и корпус транзистора КТ835Б
Транзистор КТ835Б выпускается в пластмассовом корпусе ТО-126 (SOT-32). Цоколевка транзистора следующая:
- Вывод 1 — эмиттер (Э)
- Вывод 2 — коллектор (К)
- Вывод 3 — база (Б)
Коллектор КТ835Б электрически соединен с металлической пластиной корпуса. Это необходимо учитывать при монтаже, чтобы избежать короткого замыкания.
Маркировка КТ835Б на корпусе
На корпусе транзистора обычно наносится сокращенная маркировка «835Б». Полное обозначение «КТ835Б» указывается в сопроводительной документации.
Аналоги транзистора КТ835Б
У КТ835Б существует ряд отечественных и зарубежных аналогов с близкими характеристиками:
- Отечественные: КТ837Б, КТ839А, КТ8116А
- Зарубежные: BD237, BD239, 2SD882
Чем отличаются аналоги от КТ835Б? Основные различия могут быть в максимально допустимых токах и напряжениях, коэффициенте усиления, частотных свойствах. При замене важно внимательно сравнивать параметры транзисторов.
Особенности эксплуатации КТ835Б
При использовании транзистора КТ835Б следует учитывать некоторые особенности:
- Необходимость теплоотвода при работе на больших токах
- Чувствительность к статическому электричеству
- Возможность теплового пробоя при неправильном включении
- Зависимость параметров от температуры
Как обеспечить надежную работу КТ835Б? Важно соблюдать рекомендации по монтажу, не превышать предельно допустимые параметры, использовать качественный теплоотвод при необходимости.
Преимущества и недостатки КТ835Б
Рассмотрим основные достоинства и ограничения транзистора КТ835Б:
Преимущества:
- Высокая надежность
- Доступность и низкая стоимость
- Хорошие частотные свойства
- Высокий коэффициент усиления
Недостатки:
- Чувствительность к перегреву
- Ограниченная мощность рассеивания
- Необходимость теплоотвода при больших токах
Как выбрать между КТ835Б и современными MOSFET-транзисторами? Выбор зависит от конкретного применения. КТ835Б может быть предпочтительнее в простых схемах, где важна низкая стоимость и высокая надежность. MOSFET имеют преимущества в высокочастотных приложениях и схемах с низким энергопотреблением.
Расшифровка маркировки КТ835Б
Обозначение КТ835Б несет в себе информацию о типе и характеристиках транзистора:
- К — кремниевый
- Т — транзистор
- 8 — средняя мощность
- 35 — порядковый номер разработки
- Б — вторая модификация
Что означает буква «Б» в маркировке КТ835Б? Она указывает на то, что это вторая модификация транзистора КТ835. Обычно такие модификации имеют улучшенные характеристики по сравнению с базовой моделью.
Сетки Super Trammel из моноволокна — сети и многое другое
Нажмите на ссылку Типы жаберных сетей, чтобы узнать о различных типах жаберных сетей.
Нажмите на эту ссылку на Gillnetting-Wikipedia, чтобы получить дополнительную информацию о жаберных сетях.
Особенности для «Super Trammel Nets»
- 750 или более футов сетки на 300 футов сетки.
- Сети глубиной 4, 6, 8 и 10 футов имеют нижний мешок длиной 4 фута.
- 5, 7 и 9сети футов глубиной имеют 3 фута нижнего мешка.
- Длина галстука соответствует размеру квадратной стены.
- 1/2-дюймовый поплавковый трос и 3/16-дюймовый полипропиленовый верхний трос.
- 30-фунтовый трос с сердечником.
| Глубина | Кв. Настенный | Моноразмер | Номер по каталогу и цена за фут | |||||||||||||||||
2″ кв. 4″ ул. | 2 1/2″ кв. 5″ ул. | 3″ кв. 6″ ул. | 3 1/4 кв. 6 1/2 кв. | 3 1/2″ кв. 7″ ул. | 4″ кв. 8″ ул. | |||||||||||||||
| Net No. | Price | Net No. | Price | Net No. | Price | Net No. | Price | Net No. | Price | Net No. | Price | |||||||||
| 14″ | #6 | TMS-EP620 | $ 1. 78 | TMS-EP625 | $ 1.72 | TMS-EP630 | $ 1.72 | TMS-EP632 | 1,72 $ | TMS-EP635 | 1,69 $ | TMS-EP640 | 1,70 $ | |||||||
| 4 фута. | 14″ | #8 | TMS-EP830 | $ 1.78 | TMS-EP832 | $ 1.79 | TMS-EP835 | $ 1.74 | TMS-EP840 | $ 1. 74 | ||||||||||
| 5 футов | 18 дюймов | #6 | TMS-FT620 | $ 1,52 | TMS-FT625 | $ 1.46 | TMS-FT630 | $ 1.46 | TMS-FT632 | $ 1.43 | TMS-FT635 | $ 1.44 | TMS-FT640 | $ 1.42 | ||||||
| 5 Ft. | 18″ | #8 | TMS-FT830 | $ 1. 51 | TMS-FT832 | $ 1.50 | TMS-FT835 | $ 1.48 | TMS-FT840 | $ 1.47 | ||||||||||
| 6 футов | 14 дюймов | #6 | TMS-GP620 | $ 1.89 | TMS-GP625 | $ 1.82 | TMS-GP630 | $ 1.81 | TMS-GP632 | $ 1.81 | TMS-GP635 | $ 1.78 | TMS-GP640 | $ 1,77 | ||||||
| 6 футов. | 14″ | #8 | TMS-GP830 | $ 1. 87 | TMS-GP835 | $ 1.83 | TMS-GP840 | $ 1.83 | ||||||||||||
| 7 футов. | 16 « | #6 | TMS-HR620 | $ 1,73 | TMS-HR625 | $ 1,68 | TMS-HR630 | $ 1,682 | TMS-HR630 | $ 1,682 | -HR630-HR630 | $ 1,682 | -HR630-HR630 | . | $ 1.64 | TMS-HR640 | $ 1. 61 | |||
| 7 Ft. | 16″ | #8 | TMS-HR830 | $ 1.73 | TMS-HR835 | 1,70 $ | TMS-HR840 | 1,65 $ | ||||||||||||
| 8 футов. | 18″ | #6 | TMS-IT620 | $ 1.66 | TMS-IT625 | $ 1.56 | TMS-IT630 | $ 1.57 | TMS-IT632 | $ 1. 54 | TMS-IT635 | $ 1,53 | TMS-IT640 | $ 1,50 | ||||||
| 8 футов. | 18 « | #8 | TMS-IT830 1 | TMS-8309330 | .0057 $ 1,66 | TMS-IT832 | $ 1,65 | TMS-IT835 | $ 1,60 | TMS-IT840 | $ 1,56 | |||||||||
8 8 FT. | 14″ | #6 | TMS-IP620 | $ 2.02 | TMS-IP625 | $ 1.94 | TMS-IP630 | $ 1.94 | TMS-IP632 | $ 1.94 | TMS-IP635 | 1,89 $ | TMS-IP640 | 1,89 $ | ||||||
| 8 футов | 14″ | #8 | TMS-IP830 | $ 2.02 | TMS-IP832 | $ 2. 05 | TMS-IP835 | $ 1.96 | TMS-IP840 | $ 1.95 | ||||||||||
| 9 Ft. | 16″ | #6 | TMS-JR620 | $ 1.88 | TMS-JR625 | $ 1.80 | TMS-JR630 | $ 1.81 | TMS-JR632 | $ 1.81 | TMS-JR635 | $ 1,77 | TMS-JR640 | $ 1,73 | ||||||
| 9 футов. | 16″ | #8 | TMS-JR830 | $ 1. 89 | TMS-JR832 | $ 1.93 | TMS-JR835 | $ 1.84 | TMS-JR840 | $ 1.79 | ||||||||||
| 10 Ft. | 18″ | #6 | TMS-KT630 | $ 1.71 | TMS-KT632 | $ 1.68 | TMS-KT635 | 1,67 $ | TMS-KT640 | 1,64 $ | ||||||||||
| 10 футов. | 18″ | #8 | TMS-KT830 | $ 1. 81 | TMS-KT835 | $ 1.72 | TMS-KT840 | $ 1.71 | ||||||||||||
| 10 Ft. | 14″ | #6 | TMS-KP630 | $ 2,06 | TMS-KP632 | $ 2,08 | TMS-KP632 | $ 2,08 | 2 | 0322,02 $ | TMS-KP640 | 2,03 $ | ||||||||
| 10 футов. | 14″ | #8 | TMS-KP830 | $ 2. 16 | TMS-KP835 | $ 2.06 | TMS-KP840 | $ 2.10 | ||||||||||||
Set up charge for менее 300 футов Артикул TN-SHORT — Добавьте $ за сетку
5 % Скидка на от 4 до 9 сеток по 100 ярдов. ступня, плюс плата за установку для каждой сети. (минимум 50 долларов США)
Варианты для «Super Trammel Nets»
Сеть плавающего типа — поплавковый канат 5/8 дюйма и поводковый трос 20 # для 14-дюймовых настенных сетей. тип сети — 5/8-дюймовый поплавковый канат и поводок 20 # для настенных сетей 16 дюймов. Номер по каталогу TN-FL16 — добавьте 0,03 доллара США за фут.
Сеть плавучего типа — поплавковый трос 5/8 дюйма и поводковый трос 20# для настенных сетей 18 дюймов.0004
Дополнительная сетка на стяжку для 14-дюймовых настенных сеток.
Артикул TN-XM14 – добавьте 0,04 доллара США за фут. Артикул TN-XM16 — добавьте 0,04 доллара США за фут.
Дополнительная сетка на стяжку для настенных сеток 18 дюймов. Номер по каталогу TN-XM18 – добавьте 0,04 доллара США за фут. Сетки, подвешенные на стенах из моноволокна:
Артикул TN-MW18 Добавьте 0,10 доллара США за фут
Освинцованные жаберные сети, жаберные сети с привязью и трамвайные сети доступны с нейлоновой сеткой. Скачать спецификацию в формате PDF — IC-ON-LINE
| ЧАСТЬ | Описание | Производитель |
| АРФ447 АРФ446 | RF POWER MOSFET N-КАНАЛЬНЫЙ РЕЖИМ РАСШИРЕНИЯ 250 В 250 Вт 65 МГц N-КАНАЛЬНЫЙ РЕЖИМ РАСШИРЕНИЯ | ADPOW [Передовые технологии питания] |
| БСП75Г БСП75Г2 | Диоды для подавления переходных напряжений со сверхнизкой емкостью0674 60 В N-КАНАЛЬНЫЙ САМОЗАЩИЩЕННЫЙ РЕЖИМ РАСШИРЕНИЯ IntelliFET??MOSFET IntelliFET 60 В самозащищенный MOSFET | Список неклассифицированных производителей ETC Нет данных Zetex Semiconductors |
| STB9NB50 5376 | N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N沟道增强模式MOSFET) N — CHANNEL ENHANCEMENT MODE Power MESH MOSFET N — CHANNEL ENHANCEMENT MODE Power MESH] MOSFET Из старой системы спецификаций | 意法半导 STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics] |
| ВН2410 ВН2406 | N-канальный режим режима вертикального DMOS FET (击穿 电压 240V, 10 Ом ， n 沟道 增强 型 垂直 DMOS 结构场 效应 管) N 沟道 增强 场 效应 管 垂直 DMOS （电 40 伏 ， 10 Ом 沟道增强型垂直的DMOS结构场效应管 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(?荤┛?靛?240V,10惟锛?娌??澧?己????茨MOS缁???烘?搴??) N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(?荤┛?靛?240V,6惟锛?娌??澧?己????茨MOS缁???烘?搴??) | Элан Микроэлектроника, Корп. ЭЛАН Микроэлектроникс Корп. |
| ТН2010Т | N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (最小漏源击穿电00V，夹断电.12AN沟道增强型MOSFET晶体 N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor | Vishay Intertechnology, Inc. И Т.Д. |
| LS4D18-270-RN LS4D18-3R3-RN LS4D18-560-RN LS4D18-2 | Одиночная пара N-канальных и P-канальных МОП-транзисторов, режим расширения, 8L PDIP 1 ЭЛЕМЕНТ, 3,3 мкГн, ОБЩАЯ НАЗНАЧЕНИЕ ИНДУКТОР, SMD 10,0 мВ Двойной N-канальный массив МОП-транзисторов с согласованной парой, режим расширения, 8L CDIP 1 ЭЛЕМЕНТ, 56 мкГн, ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ ИНДУКТОРА, SMD Массив МОП-транзисторов с согласованной парой каналов, режим расширения, 8L CDIP 1 ЭЛЕМЕНТ, 8,2 мкГн, ИНДУКТОР ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ, SMD Двойной N-канальный массив программируемых МОП-транзисторов с согласованной парой, режим расширения, 8L PDIP, EPAD включен 1 ЭЛЕМЕНТ, 22 мкГн, ИНДУКТОР ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ , SMD Одиночная N-канальная и P-канальная пара MOSFET, режим расширения, 8L MSOP Одиночная пара N-канальных и P-канальных МОП-транзисторов, режим расширения, 8L SOIC | http:// ICE Components, Inc.  ICE COMPONENTS INC |
| STB55NE06L 5722 | N-Channel Enhancement Mode «SINGLE FEATURE SIZETM» Power MOSFET(N娌??澧?己妯″????MOSFET) N-CHANNEL Enhancement MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET Режим одиночной функции размер мощности MOSFET Режим улучшения N-канала «Single Featural Sizetm» Power Mosfet (n 沟道 增强 模式 功率 Mosfet) n 沟道 增强 模式 模式 的 的 功能 sizetm »功率 功率 功率 不 适用 增强 模式 功率 功率 功率 功率 功率 功率 功率 功率 模式 模式 模式МОП-транзистор №） | STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics] STMicroelectronics N.V. |
| ZXMN2B14FHTA ZXMN2B14FH | 20 В N-КАНАЛЬНЫЙ МОП-транзистор с режимом расширения С НИЗКИМИ ВОЗМОЖНОСТЯМИ ЗАТВОРА 20 В SOT23 N-канальный МОП-транзистор с режимом расширения | Диоды Инкорпорейтед |
| СТН2Н10Л 4585 | N-канальный режим режима мощности MOS Transistor (ｎ 沟道 增强 功率 ｍｏｓ 晶体 n 沟道 增强 模式 功率 功率 晶体 管 （适用 沟道 增强 模式 马鞍山 晶体管 Из старой системы технических данных N — РЕЖИМ УСОВЕРШЕНСТВОВАНИЯ КАНАЛА МОЩНЫЙ МОП-транзистор СТАРЫЙ ПРОДУКТ: НЕ ПОДХОДИТ ДЛЯ НОВОЙ КОНСТРУКЦИИ | STMicroelectronics N. V. ST Microelectronics |
| СТП60НЕ03Л-10 5467 | PC 26C 26#20 PIN RECP N — РЕЖИМ УСОВЕРШЕНСТВОВАНИЯ КАНАЛА SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET N — РЕЖИМ УСОВЕРШЕНСТВОВАНИЯ КАНАЛА ” SINGLE FEATURE SIZE] ” POWER MOSFET Из старой системы спецификаций0674 | 意法半导 STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics] |
| ЗВП4525З ЗВП4525ЗТА ЗВП4525ЗТК | 250 В, полевой МОП-транзистор с P-канальным режимом расширения 250 В, P-канальный полевой МОП-транзистор с режимом улучшения | ZETEX[Zetex Semiconductors] |
| Лазерный диод IRFZ44NS | IRFZ44NS номер | IRFZ44NS макс. Похожие записи |