Кт837Б параметры – КТ837, 2Т837 — биполярный кремниевый PNP транзистор — параметры, использование, цоколёвка. — Биполярные отечественные транзисторы — Транзисторы — Справочник Радиокомпонентов — РадиоДом

Кт837Б параметры – КТ837, 2Т837 — биполярный кремниевый PNP транзистор — параметры, использование, цоколёвка. — Биполярные отечественные транзисторы — Транзисторы — Справочник Радиокомпонентов — РадиоДом

КТ837, 2Т837 — биполярный кремниевый PNP транзистор — параметры, использование, цоколёвка. — Биполярные отечественные транзисторы — Транзисторы — Справочник Радиокомпонентов — РадиоДом


Основные технические параметры транзистора КТ837

Транз
истор
IК, макс
А
UКЭ макс
В
UКБ макс
В
UЭБ макс
В
PК макс
 Вт
h21ЭUКЭ нас
В
IКБ0
мА
fгр
МГц
КТ837А7,56080153010…402,50,15≤1
КТ837Б7,56080153020…802,50,15≤1
КТ837В7,56080153050…1502,50,15≤1
КТ837Г7,54560153010…400,50,15≤1
КТ837Д7,54560153020…800,50,15≤1
КТ837Е7,54560153050…1500,50,15≤1
КТ837Ж7,53045153010…402,50,15≤1
КТ837И7,53045153020…802,50,15≤1
КТ837К7,53045153050…1502,50,15≤1
КТ837Л7,5608053010…402,50,15≤1
КТ837М7,5608053020…802,50,15≤1
КТ837Н7,5608053050…1502,50,15≤1
КТ837П7,5456053010…400,90,15≤1
КТ837Р7,5456053020…800,90,15≤1
КТ837С7,5456053050…1500,90,15≤1
КТ837Т7,5304553010…400,50,15≤1
КТ837У7,5304553020…800,50,15≤1
КТ837Ф7,5304553050…1500,50,15≤1

Основные технические параметры транзистора 2Т837

Транз
истор
IК, макс
А
UКЭ макс
В
UКБ макс
В
UЭБ макс
В
PК макс
Вт
h21ЭUКЭ нас
В
IКБ0
мА
fгр
МГц
2Т837А85580153015…1200,90,153
2Т837Б84560153030…1200,90,153
2Т837В83545153040…1800,90,153
2Т837Г8558053015…1200,90,153
2Т837Д8456053030…1500,90,153
2Т837Е8354553040…1800,90,153

Обозначение на схеме кремниевого PNP транзистора КТ837


Цоколёвка и размеры транзистора КТ837


Внешний вид транзистора на примере КТ837Х

Разное

Каковы основные параметры транзистора КТ837. Где применяется КТ837. Какие особенности имеет данный транзистор. Как правильно подключать и использовать КТ837 в электронных схемах.

Содержание

Основные характеристики транзистора КТ837

Транзистор КТ837 представляет собой биполярный кремниевый PNP транзистор, предназначенный для использования в различных электронных схемах. Рассмотрим его ключевые параметры:

  • Структура: p-n-p
  • Максимальный постоянный ток коллектора: 7,5 А
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: от 30 В до 60 В (зависит от модификации)
  • Максимальная рассеиваемая мощность коллектора: 30 Вт
  • Коэффициент усиления по току (h21э): от 10 до 150 (зависит от модификации)
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: не менее 1 МГц
  • Корпус: пластмассовый TO-220

Модификации транзистора КТ837

Транзистор КТ837 выпускается в нескольких модификациях, отличающихся некоторыми параметрами:

  • КТ837А, КТ837Б, КТ837В — максимальное напряжение коллектор-эмиттер 60 В
  • КТ837Г, КТ837Д, КТ837Е — максимальное напряжение коллектор-эмиттер 45 В
  • КТ837Ж, КТ837И, КТ837К — максимальное напряжение коллектор-эмиттер 30 В
  • КТ837Л — КТ837Ф — отличаются коэффициентом усиления по току и напряжением эмиттер-база

Области применения транзистора КТ837

Благодаря своим характеристикам, транзистор КТ837 находит применение в различных электронных устройствах:


  • Выходные каскады низкочастотных усилителей мощности
  • Импульсные схемы переключения
  • Стабилизаторы напряжения и тока
  • Преобразователи постоянного напряжения
  • Драйверы электродвигателей
  • Источники питания

Особенности использования транзистора КТ837

При работе с транзистором КТ837 следует учитывать некоторые особенности:

  1. Тепловой режим: Из-за высокой рассеиваемой мощности необходимо обеспечить эффективный теплоотвод. Рекомендуется использовать радиатор.
  2. Защита от перегрузки: Желательно предусмотреть схемы защиты от короткого замыкания и перегрузки по току.
  3. Статическое электричество: Соблюдайте меры предосторожности для защиты от статического электричества при монтаже.
  4. Выбор режима работы: Учитывайте зависимость параметров транзистора от температуры и тока коллектора.

Цоколевка и подключение транзистора КТ837

Транзистор КТ837 имеет следующую цоколевку в корпусе TO-220:

  • 1 вывод — Эмиттер (Э)
  • 2 вывод — Коллектор (К)
  • 3 вывод — База (Б)

При подключении транзистора в схему важно соблюдать правильную полярность. Для PNP-транзистора:


  • Эмиттер подключается к положительному полюсу питания
  • Коллектор — к нагрузке
  • База управляется отрицательным относительно эмиттера напряжением

Аналоги и замена транзистора КТ837

При необходимости замены КТ837 можно использовать следующие аналоги:

  • Отечественные: КТ819, КТ827, КТ829
  • Зарубежные: TIP42, BD536, 2N6107, MJF6107

При выборе аналога необходимо тщательно сравнивать параметры и убедиться в их соответствии требованиям схемы.

Проверка работоспособности транзистора КТ837

Для проверки исправности транзистора КТ837 можно использовать следующие методы:

  1. Проверка мультиметром:
    • Измерьте сопротивление переходов база-эмиттер и база-коллектор в обоих направлениях
    • Исправный PNP-транзистор должен показывать низкое сопротивление при подключении «+» щупа к базе, а «-» к эмиттеру или коллектору
  2. Проверка тестером транзисторов:
    • Используйте специализированный прибор для измерения коэффициента усиления и других параметров
  3. Проверка в реальной схеме:
    • Установите транзистор в рабочую схему и измерьте ключевые напряжения и токи

Особенности монтажа транзистора КТ837

При монтаже транзистора КТ837 в электронное устройство следует учитывать следующие рекомендации:


  • Используйте качественный теплопроводящий компаунд между транзистором и радиатором
  • Обеспечьте надежное механическое крепление транзистора к радиатору
  • Соблюдайте температурный режим пайки: не более 260°C в течение 10 секунд
  • При необходимости изолируйте корпус транзистора от радиатора с помощью слюдяной прокладки
  • Обеспечьте достаточное расстояние между силовыми цепями и цепями управления для минимизации наводок

Типовые схемы включения транзистора КТ837

Рассмотрим несколько типовых схем с использованием транзистора КТ837:

  1. Усилитель мощности звуковой частоты:
    • КТ837 используется в выходном каскаде в паре с комплементарным NPN-транзистором
    • Обеспечивает усиление мощности сигнала для подключения громкоговорителя
  2. Ключевой каскад:
    • КТ837 работает в режиме насыщения-отсечки для управления мощной нагрузкой
    • Применяется в схемах управления двигателями, реле, электромагнитами
  3. Стабилизатор напряжения:
    • КТ837 выступает в роли регулирующего элемента
    • Обеспечивает стабильное выходное напряжение при изменении входного и нагрузки

При разработке схем с использованием КТ837 важно учитывать предельные параметры транзистора и обеспечивать правильный тепловой режим работы.



КТ837, 2Т837 — биполярный кремниевый PNP транзистор — параметры, использование, цоколёвка. — Биполярные отечественные транзисторы — Транзисторы — Справочник Радиокомпонентов — РадиоДом


Основные технические параметры транзистора КТ837

Транз
истор
IК, макс
А
UКЭ макс
В
UКБ макс
В
UЭБ макс
В
PК макс
 Вт
h21ЭUКЭ нас
В
IКБ0
мА
fгр
МГц
КТ837А7,56080153010…402,50,15≤1
КТ837Б7,56080153020…802,50,15≤1
КТ837В7,56080153050…1502,50,15≤1
КТ837Г7,54560153010…400,50,15≤1
КТ837Д7,54560153020…800,50,15≤1
КТ837Е7,54560153050…1500,50,15≤1
КТ837Ж7,53045153010…402,50,15≤1
КТ837И7,53045153020…802,50,15≤1
КТ837К7,53045153050…1502,50,15≤1
КТ837Л7,5608053010…402,50,15≤1
КТ837М7,5608053020…802,50,15≤1
КТ837Н 7,5608053050…1502,50,15≤1
КТ837П7,5456053010…400,90,15≤1
КТ837Р7,5456053020…800,90,15≤1
КТ837С7,5456053050…1500,90,15≤1
КТ837Т7,5304553010…400,50,15≤1
КТ837У7,5304553020…800,50,15≤1
КТ837Ф7,5304553050…150
0,5
0,15≤1

Основные технические параметры транзистора 2Т837

Транз
истор
IК, макс
А
UКЭ макс
В
UКБ макс
В
UЭБ макс
В
PК макс
Вт
h21ЭUКЭ нас
В
IКБ0
мА
fгр
МГц
2Т837А85580153015…1200,90,153
2Т837Б84560153030…1200,90,153
2Т837В83545153040…1800,90,153
2Т837Г8558053015…1200,90,153
2Т837Д8456053030…1500,90,153
2Т837Е8354553040…1800,90,153

Обозначение на схеме кремниевого PNP транзистора КТ837


Цоколёвка и размеры транзистора КТ837


Внешний вид транзистора на примере КТ837Х

radiohome.ru

Транзистор КТ837 — DataSheet

ПараметрОбозначениеМаркировкаУсловияЗначениеЕд. изм.
АналогКТ837АBD534, TIP42C, 2N3192 *3, 2N3188 *3, 2N3180 *3, 2N3176 *3, 2N3196 *3, 2N3184 *3
КТ837БBD536, 2N6106, MJF6107 *3, 2N5981 *1, NTB708, NTB707, 2N5975 *3, 2N6133 *2
КТ837ВBD234, 2N6106, MJF6107 *3, KSB707, 2SB707, 2SB1097M,

2SB1097L, KSB1097

КТ837ГBD225, 2N5162 *3, 2N3191 *3, 2N3187 *3, 2N3179 *3, 2N3175 *3, 2N3195 *3, 2N3183 *3
 КТ837Д2SB434, 2N6108, RCA1C06, KP055 *3, 40876, 2N5974 *3
 КТ837Е2N6125, 2N6108, 2N6109, 

BD738 *2

 КТ837Ж2N6124, 2N6132, 2N3191 *3, 2N3187 *3, 2N3179 *3, 2N3175 *3
 КТ837И2SB435, 2N6132, TIP42 *2
 КТ837КBD944, 2N6110, RCA1C11, BD544,

 40980, 2N6110 *2, 2N6111 *2, 2SA1129M *2

 КТ837Л2N6126,  2N3192 *3, 2N3188 *3, 2N3180 *3, 2N3176 *3, 2N3196 *3, 2N3184 *3
 КТ837МBD223, MJF6107 *3, 2N5981 *1, NTB708, NTB707, 2N5975 *3, 2N6133 *2
КТ837НBD223, 2N6106, MJF6107 *3, KSB707, 2SB707, 2SB1097M,

2SB1097L, KSB1097

 КТ837П2SB435G, 2N5162 *3, 2N3191 *3, 2N3187 *3, 2N3179 *3, 2N3175 *3, 2N3195 *3, 2N3183 *3
 КТ837Р2SB434, RCA1C06, KP055 *3, 40876, 2N5974 *3 
 КТ837СBD225, 2N6108, 2N6109, BD738 *2
 КТ837ТBD948,  2N3191 *3, 2N3187 *3, 2N3179 *3, 2N3175 *3
 КТ837У2SB435,  2N6132, TIP42 *2
КТ837ФBD224,  RCA1C11, BD544,

 40980, 2N6110 *2, 2N6111 *2, 2SA1129M *2

Структура —p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектораPK max,P*K, τ max,P**K, и maxКТ837А30*Вт
КТ837Б30*
КТ837В30*
КТ837Г30*
 КТ837Д30*
 КТ837Е30*
 КТ837Ж30*
 КТ837И30*
 КТ837К30*
 КТ837Л30*
 КТ837М30*
КТ837Н30*
 КТ837П30*
 КТ837Р30*
 КТ837С30*
 КТ837Т30*
 КТ837У30*
КТ837Ф30*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттеромfгр, f*h31б, f**h31э, f***maxКТ837А≥1МГц
КТ837Б≥1
КТ837В≥1
КТ837Г≥1
 КТ837Д≥1
 КТ837Е≥1
 КТ837Ж≥1
 КТ837И≥1
 КТ837К≥1
 КТ837Л≥1
 КТ837М≥1
КТ837Н≥1
 КТ837П≥1
 КТ837Р≥1
 КТ837С≥1
 КТ837Т≥1
 КТ837У≥1
КТ837Ф≥1
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттераUКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб.КТ837А80В
КТ837Б80
КТ837В80
КТ837Г60
 КТ837Д60
 КТ837Е60
 КТ837Ж45
 КТ837И45
 КТ837К45
 КТ837Л80
 КТ837М80
КТ837Н80
 КТ837П60
 КТ837Р60
 КТ837С60
 КТ837Т45
 КТ837У45
КТ837Ф45
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектораUЭБО проб., КТ837А15В
КТ837Б15
КТ837В15
КТ837Г15
 КТ837Д15
 КТ837Е15
 КТ837Ж15
 КТ837И15
 КТ837К15
 КТ837Л5
 КТ837М5
КТ837Н5
 КТ837П5
 КТ837Р5
 КТ837С5
 КТ837Т5
 КТ837У5
КТ837Ф5
Максимально допустимый постоянный ток коллектораIK max, I*К , и maxКТ837А7.5А
КТ837Б7.5
КТ837В7.5
КТ837Г7.5
 КТ837Д7.5
 КТ837Е7.5
 КТ837Ж7.5
 КТ837И7.5
 КТ837К7.5
 КТ837Л7.5
 КТ837М7.5
КТ837Н7.5
 КТ837П7.5
 КТ837Р7.5
 КТ837С7.5
 КТ837Т7.5
 КТ837У7.5
КТ837Ф7.5
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттераIКБО, I*КЭR, I**КЭOКТ837А80 В≤0.15мА
КТ837Б80 В≤0.15
КТ837В80 В≤0.15
КТ837Г60 В≤0.15
 КТ837Д60 В≤0.15
 КТ837Е60 В≤0.15
 КТ837Ж45 В≤0.15
 КТ837И45 В≤0.15
 КТ837К45 В≤0.15
 КТ837Л80 В≤0.15
 КТ837М80 В≤0.15
КТ837Н80 В≤0.15
 КТ837П60 В≤0.15
 КТ837Р60 В≤0.15
 КТ837С60 В≤0.15
 КТ837Т45 В≤0.15
 КТ837У45 В≤0.15
КТ837Ф45 В≤0.15
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттеромh21э,  h*21ЭКТ837А5 В; 2 А10…40*
КТ837Б5 В; 2 А20…80*
КТ837В5 В; 2 А50…150*
КТ837Г5 В; 2 А10…40*
 КТ837Д5 В; 2 А20…80*
 КТ837Е5 В; 2 А50…150*
 КТ837Ж5 В; 2 А10…40*
 КТ837И5 В; 2 А20…80*
 КТ837К5 В; 2 А50…150*
 КТ837Л5 В; 2 А10…40*
 КТ837М5 В; 2 А20…80*
КТ837Н5 В; 2 А50…150*
 КТ837П5 В; 2 А10…40*
 КТ837Р5 В; 2 А20…80*
 КТ837С5 В; 2 А50…150*
 КТ837Т5 В; 2 А10…40*
 КТ837У5 В; 2 А20…80*
КТ837Ф5 В; 2 А50…150*
Емкость коллекторного переходаcк,  с*12эКТ837АпФ
КТ837Б
КТ837В
КТ837Г
 КТ837Д
 КТ837Е
 КТ837Ж
 КТ837И
 КТ837К
 КТ837Л
 КТ837М
КТ837Н
 КТ837П
 КТ837Р
 КТ837С
 КТ837Т
 КТ837У
КТ837Ф
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р.КТ837А≤0.8Ом, дБ
КТ837Б≤0.8
КТ837В≤0.8
КТ837Г≤0.3
 КТ837Д≤0.3
 КТ837Е≤0.3
 КТ837Ж≤0.25
 КТ837И≤0.25
 КТ837К≤0.25
 КТ837Л≤0.8
 КТ837М≤0.8
КТ837Н≤0.8
 КТ837П≤0.3
 КТ837Р≤0.3
 КТ837С≤0.3
 КТ837Т≤0.25
 КТ837У≤0.25
КТ837Ф≤0.25
Коэффициент шума транзистораКш, r*b, P**выхКТ837АДб, Ом, Вт
КТ837Б
КТ837В
КТ837Г
 КТ837Д
 КТ837Е
 КТ837Ж
 КТ837И
 КТ837К
 КТ837Л
 КТ837М
КТ837Н
 КТ837П
 КТ837Р
 КТ837С
 КТ837Т
 КТ837У
КТ837Ф —
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частотеτк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс)КТ837Апс
КТ837Б
КТ837В
КТ837Г
 КТ837Д
 КТ837Е
 КТ837Ж
 КТ837И —
 КТ837К
 КТ837Л
 КТ837М
КТ837Н
 КТ837П —
 КТ837Р
 КТ837С
 КТ837Т
 КТ837У
КТ837Ф —

rudatasheet.ru

Транзисторы КТ837(2Т837) и КТ829 — маркировка и цоколевка.

Особености проверки(прозвонки)на целосность транзисторов КТ829.

Так как транзистор КТ829 является составным, его вполне можно заменить несложной схемой КТ817+КТ819.

Не удивительно, что при проверки тестером переход база-эмиттер будет звониться в обе стороны, причем у разных КТ829 может наблюдаться значительный разброс по значению обратного сопротивления. От суммы сопротивлений изображенных в схеме на картинке, до гораздо меньших значений (7 кОм, к примеру). Отчего разброс так велик, автору доподлинно не известно, но то что на работоспособность КТ829 это влияет незначительно — это точно. Ведь имеющееся сопротивление эмиттер-база всего лишь слегка «подпирает» транзистор.

Транзисторы — купить… или найти бесплатно.

Где сейчас можно найти советские транзисторы?
В основном здесь два варианта — либо купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.

Во время промышленного коллапса начала 90-х? образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки — можно купить. Если же нет — всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например — «Гулливер».

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — можно попытаться выпаять необходимые транзисторы из ее схем.
Например, транзисторы КТ837 можно обнаружить в блоке усилителя активной акустической системы 35АС-013(Радиотехника S-70).
в усилителях «Радиотехника У-7101 стерео,» «Радиотехника У-101 стерео.» На главную страницу

elektrikaetoprosto.ru

Параметры транзистора КТ837. Datasheet, цоколевка, аналоги.

Параметры транзистора КТ837. Datasheet, цоколевка, аналоги.

КТ837 — кремниевый биполярный низкочастотный p-n-p транзистор в пластмассовом корпусе TO-220

Назначение: КТ837 предназначен для применения в схемах переключения, выходных каскадах низкочастотных усилителей, преобразователях и стабилизаторах постоянного напряжения и иной аппаратуре.

Типы: КТ837А, КТ837Б, КТ837В, КТ837Г, КТ837Д, КТ837Е, КТ837Ж, КТ837И, КТ837К, КТ837Л, КТ837М, КТ837Н, КТ837П, КТ837Р, КТ837С, КТ837Т, КТ837У, КТ837Ф

Комплементарная пара: по параметрам близок КТ805, но идентичность неполная

Аналог: 2N6111

Цоколевка КТ837: Э-К-Б, см. рисунок

Производители: Интеграл (Беларусь), Кремний-Маркетинг (Брянск)

Цена КТ837: вывести цену (прямой запрос в интернет-магазины)

Datasheet: (подробные характеристики с графиками зависимостей параметров)

 

Основные параметры транзисторов КТ837:
ПараметрРежим измеренияMin (минимальное значение параметра)Max (максимальное значение параметра)
Статический коэффициент передачи тока
КТ837А, Л, Г, П, Ж, Т
КТ837Б, М, Д, Р, И, У
КТ837В, Н, Е, С, К, Ф
Uкэ=5B, Iк=2A10
20
50
40
80
150
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
КТ837А, Б, В, Л, М, Н
КТ837Г, Д, Е, П, Р, С
КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф
Iк=3А, Iб=0.37A
Iк=3А, Iб=0.37A
Iк=2А, Iб=0.3A
  2.5В
0.9В
0.5В
Предельные параметры транзисторов КТ837:
Постоянное напряжение коллектоp-эмиттеp
КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф
КТ837Г, Д, Е, П, Р, С
КТ837А, Б, В, Л, М, Н
Rэб =100 Ом 40В
55В
70В
Напряжение эмиттер-база (обратное)
КТ837А-К
КТ837Л-Ф
  15В
Постоянный ток коллектора КТ837  7.5А
Максимально допустимый постоянный ток базы  
Постоянная рассеиваемая мощность коллектораТк ≤ 25 °С 30Вт
Температура перехода  -60 +125

Подробные параметры КТ837, входная и выходная характеристики и datasheet на аналог приведены в справочнике по мощным транзисторам

www.trzrus.ru