Основные технические параметры транзистора КТ837
Основные технические параметры транзистора 2Т837
Обозначение на схеме кремниевого PNP транзистора КТ837Цоколёвка и размеры транзистора КТ837 Внешний вид транзистора на примере КТ837Х |
radiohome.ru
| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | КТ837А | BD534, TIP42C, 2N3192 *3, 2N3188 *3, 2N3180 *3, 2N3176 *3, 2N3196 *3, 2N3184 *3 | |||
| КТ837Б | BD536, 2N6106, MJF6107 *3 , 2N5981 *1, NTB708, NTB707, 2N5975 *3, 2N6133 *2 | ||||
| КТ837В | BD234, 2N6106, MJF6107 *3, KSB707, 2SB707, 2SB1097M, 2SB1097L, KSB1097 | ||||
| КТ837Г | BD225, 2N5162 *3, 2N3191 *3, 2N3187 *3, 2N3179 *3, 2N3175 *3, 2N3195 *3, 2N3183 *3 | ||||
| КТ837Д | 2SB434, 2N6108, RCA1C06, KP055 *3, 40876, 2N5974 *3 | ||||
| КТ837Е | 2N6125, 2N6108, 2N6109, BD738 *2 | ||||
| КТ837Ж | 2N6124, 2N6132, 2N3191 *3, 2N3187 *3, 2N3179 *3, 2N3175 *3 | ||||
| 2SB435, 2N6132, TIP42 *2 | |||||
| КТ837К | BD944, 2N6110, RCA1C11, BD544, 40980, 2N6110 *2, 2N6111 *2, 2SA1129M *2 | ||||
| КТ837Л | 2N6126, 2N3192 *3, 2N3188 *3, 2N3180 *3, 2N3176 *3, 2N3196 *3, 2N3184 *3 | ||||
| КТ837М | BD223, MJF6107 *3, 2N5981 *1, NTB708, NTB707, 2N5975 *3, 2N6133 *2 | ||||
| КТ837Н | BD223, 2N6106, MJF6107 *3, KSB707, 2SB707, 2SB1097M, 2SB1097L, KSB1097 | ||||
| КТ837П | 2SB435G, 2N5162 *3, 2N3191 *3, 2N3187 *3, 2N3179 *3, 2N3175 *3, 2N3195 *3, 2N3183 *3 | ||||
| КТ837Р | 2SB434, RCA1C06, KP055 *3, 40876, 2N5974 *3 | ||||
| КТ837С | BD225, 2N6108, 2N6109, BD738 *2 | ||||
| КТ837Т | BD948, 2N3191 *3, 2N3187 *3, 2N3179 *3, 2N3175 *3 | ||||
| КТ837У | 2SB435, 2N6132, TIP42 *2 | ||||
| КТ837Ф | BD224, RCA1C11, BD544, 40980, 2N6110 *2, 2N6111 *2, 2SA1129M *2 | ||||
| Структура | — | p-n-p | |||
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ837А | — | 30* | Вт |
| КТ837Б | — | 30* | |||
| КТ837В | — | 30* | |||
| КТ837Г | — | 30* | |||
| КТ837Д | — | 30* | |||
| КТ837Е | — | 30* | |||
| КТ837Ж | — | 30* | |||
| КТ837И | — | 30* | |||
| КТ837К | — | 30* | |||
| КТ837Л | — | 30* | |||
| КТ837М | — | 30* | |||
| КТ837Н | — | 30* | |||
| КТ837П | — | 30* | |||
| КТ837Р | — | 30* | |||
| КТ837С | — | 30* | |||
| КТ837Т | — | 30* | |||
| КТ837У | — | 30* | |||
| КТ837Ф | — | 30* | |||
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h31б, f**h31э, | КТ837А | — | ≥1 | МГц |
| КТ837Б | — | ≥1 | |||
| КТ837В | — | ≥1 | |||
| КТ837Г | — | ≥1 | |||
| КТ837Д | — | ≥1 | |||
| КТ837Е | — | ≥1 | |||
| КТ837Ж | — | ≥1 | |||
| КТ837И | — | ≥1 | |||
| КТ837К | — | ≥1 | |||
| КТ837Л | — | ≥1 | |||
| КТ837М | — | ≥1 | |||
| КТ837Н | — | ≥1 | |||
| КТ837П | — | ≥1 | |||
| КТ837Р | — | ≥1 | |||
| КТ837С | — | ≥1 | |||
| КТ837Т | — | ≥1 | |||
| КТ837У | — | ≥1 | |||
| КТ837Ф | — | ≥1 | |||
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ837А | — | 80 | В |
| КТ837Б | — | 80 | |||
| КТ837В | — | 80 | |||
| КТ837Г | — | 60 | |||
| КТ837Д | — | 60 | |||
| КТ837Е | — | 60 | |||
| КТ837Ж | — | 45 | |||
| КТ837И | — | 45 | |||
| КТ837К | — | 45 | |||
| КТ837Л | — | 80 | |||
| КТ837М | — | 80 | |||
| КТ837Н | — | 80 | |||
| КТ837П | — | 60 | |||
| КТ837Р | — | 60 | |||
| КТ837С | — | 60 | |||
| КТ837Т | — | 45 | |||
| КТ837У | — | 45 | |||
| КТ837Ф | — | 45 | |||
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ837А | — | 15 | В |
| КТ837Б | — | 15 | |||
| КТ837В | — | 15 | |||
| КТ837Г | — | 15 | |||
| КТ837Д | — | 15 | |||
| КТ837Е | — | 15 | |||
| КТ837Ж | — | 15 | |||
| КТ837И | — | 15 | |||
| КТ837К | — | 15 | |||
| КТ837Л | — | 5 | |||
| КТ837М | — | 5 | |||
| КТ837Н | — | 5 | |||
| КТ837П | — | 5 | |||
| КТ837Р | — | 5 | |||
| КТ837С | — | 5 | |||
| КТ837Т | — | 5 | |||
| КТ837У | — | 5 | |||
| КТ837Ф | — | 5 | |||
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ837А | — | 7.5 | А |
| КТ837Б | — | 7.5 | |||
| КТ837В | — | 7.5 | |||
| КТ837Г | — | 7.5 | |||
| КТ837Д | — | 7.5 | |||
| КТ837Е | — | 7.5 | |||
| КТ837Ж | — | 7.5 | |||
| КТ837И | — | 7.5 | |||
| КТ837К | — | 7.5 | |||
| КТ837Л | — | 7.5 | |||
| КТ837М | — | 7.5 | |||
| КТ837Н | — | 7.5 | |||
| КТ837П | — | 7.5 | |||
| КТ837Р | — | 7.5 | |||
| КТ837С | — | 7.5 | |||
| КТ837Т | — | 7.5 | |||
| КТ837У | — | 7.5 | |||
| КТ837Ф | — | 7.5 | |||
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ837А | 80 В | ≤0.15 | мА |
| КТ837Б | 80 В | ≤0.15 | |||
| КТ837В | 80 В | ≤0.15 | |||
| КТ837Г | 60 В | ≤0.15 | |||
| КТ837Д | 60 В | ≤0.15 | |||
| КТ837Е | 60 В | ≤0.15 | |||
| КТ837Ж | 45 В | ≤0.15 | |||
| КТ837И | 45 В | ≤0.15 | |||
| КТ837К | 45 В | ≤0.15 | |||
| КТ837Л | 80 В | ≤0.15 | |||
| КТ837М | 80 В | ≤0.15 | |||
| КТ837Н | 80 В | ≤0.15 | |||
| КТ837П | 60 В | ≤0.15 | |||
| КТ837Р | 60 В | ≤0.15 | |||
| КТ837С | 60 В | ≤0.15 | |||
| КТ837Т | 45 В | ≤0.15 | |||
| КТ837У | 45 В | ≤0.15 | |||
| КТ837Ф | 45 В | ≤0.15 | |||
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ837А | 5 В; 2 А | 10…40* | |
| КТ837Б | 5 В; 2 А | 20…80* | |||
| КТ837В | 5 В; 2 А | 50…150* | |||
| КТ837Г | 5 В; 2 А | 10…40* | |||
| КТ837Д | 5 В; 2 А | 20…80* | |||
| КТ837Е | 5 В; 2 А | 50…150* | |||
| КТ837Ж | 5 В; 2 А | 10…40* | |||
| КТ837И | 5 В; 2 А | 20…80* | |||
| КТ837К | 5 В; 2 А | 50…150* | |||
| КТ837Л | 5 В; 2 А | 10…40* | |||
| КТ837М | 5 В; 2 А | 20…80* | |||
| КТ837Н | 5 В; 2 А | 50…150* | |||
| КТ837П | 5 В; 2 А | 10…40* | |||
| КТ837Р | 5 В; 2 А | 20…80* | |||
| КТ837С | 5 В; 2 А | 50…150* | |||
| КТ837Т | 5 В; 2 А | 10…40* | |||
| КТ837У | 5 В; 2 А | 20…80* | |||
| КТ837Ф | 5 В; 2 А | 50…150* | |||
| Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ837А | — | — | пФ |
| КТ837Б | — | — | |||
| КТ837В | — | — | |||
| КТ837Г | — | — | |||
| КТ837Д | — | — | |||
| КТ837Е | — | — | |||
| КТ837Ж | — | — | |||
| КТ837И | — | — | |||
| КТ837К | — | — | |||
| КТ837Л | — | — | |||
| КТ837М | — | — | |||
| КТ837Н | — | — | |||
| КТ837П | — | — | |||
| КТ837Р | — | — | |||
| КТ837С | — | — | |||
| КТ837Т | — | — | |||
| КТ837У | — | — | |||
| КТ837Ф | — | — | |||
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТ837А | — | ≤0.8 | Ом, дБ |
| КТ837Б | — | ≤0.8 | |||
| КТ837В | — | ≤0.8 | |||
| КТ837Г | — | ≤0.3 | |||
| КТ837Д | — | ≤0.3 | |||
| КТ837Е | — | ≤0.3 | |||
| КТ837Ж | — | ≤0.25 | |||
| КТ837И | — | ≤0.25 | |||
| КТ837К | — | ≤0.25 | |||
| КТ837Л | — | ≤0.8 | |||
| КТ837М | — | ≤0.8 | |||
| КТ837Н | — | ≤0.8 | |||
| КТ837П | — | ≤0.3 | |||
| КТ837Р | — | ≤0.3 | |||
| КТ837С | — | ≤0.3 | |||
| КТ837Т | — | ≤0.25 | |||
| КТ837У | — | ≤0.25 | |||
| КТ837Ф | — | ≤0.25 | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ837А | — | — | Дб, Ом, Вт |
| КТ837Б | — | — | |||
| КТ837В | — | — | |||
| КТ837Г | — | — | |||
| КТ837Д | — | — | |||
| КТ837Е | — | — | |||
| КТ837Ж | — | — | |||
| КТ837И | — | — | |||
| КТ837К | — | — | |||
| КТ837Л | — | — | |||
| КТ837М | — | — | |||
| КТ837Н | — | — | |||
| КТ837П | — | — | |||
| КТ837Р | — | — | |||
| КТ837С | — | — | |||
| КТ837Т | — | — | |||
| КТ837У | — | — | |||
| КТ837Ф | — | — | |||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ837А | — | — | пс |
| КТ837Б | — | — | |||
| КТ837В | — | — | |||
| КТ837Г | — | — | |||
| КТ837Д | — | — | |||
| КТ837Е | — | — | |||
| КТ837Ж | — | — | |||
| КТ837И | — | — | |||
| КТ837К | — | — | |||
| КТ837Л | — | — | |||
| КТ837М | — | — | |||
| КТ837Н | — | — | |||
| КТ837П | — | — | |||
| КТ837Р | — | — | |||
| КТ837С | — | — | |||
| КТ837Т | — | — | |||
| КТ837У | — | — | |||
| КТ837Ф | — | — |
rudatasheet.ru
Транзисторы КТ837(2Т837) и КТ829 — маркировка и цоколевка.
Особености проверки(прозвонки)на целосность транзисторов КТ829.
Так как транзистор КТ829 является составным, его вполне можно заменить несложной схемой КТ817+КТ819.
Не удивительно, что при проверки тестером переход база-эмиттер будет звониться в обе стороны, причем у разных КТ829 может наблюдаться значительный разброс по значению обратного сопротивления. От суммы сопротивлений изображенных в схеме на картинке, до гораздо меньших значений (7 кОм, к примеру). Отчего разброс так велик, автору доподлинно не известно, но то что на работоспособность КТ829 это влияет незначительно — это точно. Ведь имеющееся сопротивление эмиттер-база всего лишь слегка «подпирает» транзистор.
Транзисторы — купить… или найти бесплатно.
Где сейчас можно найти советские транзисторы?
В основном здесь два варианта — либо
купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.
Во время промышленного коллапса начала 90-х? образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки — можно купить. Если же нет — всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например — «Гулливер».
Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — можно попытаться выпаять необходимые
транзисторы из ее схем.
Например, транзисторы КТ837 можно обнаружить в блоке усилителя активной акустической системы 35АС-013(Радиотехника S-70).
в усилителях «Радиотехника У-7101 стерео,» «Радиотехника У-101 стерео.»
На главную страницу
elektrikaetoprosto.ru
Параметры транзистора КТ837. Datasheet, цоколевка, аналоги.
Параметры транзистора КТ837. Datasheet, цоколевка, аналоги.КТ837 — кремниевый биполярный низкочастотный p-n-p транзистор в пластмассовом корпусе TO-220
Назначение: КТ837 предназначен для применения в схемах переключения, выходных каскадах низкочастотных усилителей, преобразователях и стабилизаторах постоянного напряжения и иной аппаратуре.
Типы: КТ837А, КТ837Б, КТ837В, КТ837Г, КТ837Д, КТ837Е, КТ837Ж, КТ837И, КТ837К, КТ837Л, КТ837М, КТ837Н, КТ837П, КТ837Р, КТ837С, КТ837Т, КТ837У, КТ837Ф
Комплементарная пара: по параметрам близок КТ805, но идентичность неполная
Аналог: 2N6111
Цоколевка КТ837: Э-К-Б, см. рисунок
Производители: Интеграл (Беларусь), Кремний-Маркетинг (Брянск)
Цена КТ837: вывести цену (прямой запрос в интернет-магазины)
Datasheet: (подробные характеристики с графиками зависимостей параметров)
| Основные параметры транзисторов КТ837: | |||
|---|---|---|---|
| Параметр | Режим измерения | Min (минимальное значение параметра) | Max (максимальное значение параметра) |
| Статический коэффициент передачи тока КТ837А, Л, Г, П, Ж, Т КТ837Б, М, Д, Р, И, У КТ837В, Н, Е, С, К, Ф | Uкэ=5B, Iк=2A | 10 20 50 | 40 80 150 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер КТ837А, Б, В, Л, М, Н КТ837Г, Д, Е, П, Р, С КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф | Iк=3А, Iб=0.37A Iк=3А, Iб=0.37A Iк=2А, Iб=0.3A | 2.5В 0.9В 0.5В | |
| Предельные параметры транзисторов КТ837: | |||
| Постоянное напряжение коллектоp-эмиттеp КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф КТ837Г, Д, Е, П, Р, С КТ837А, Б, В, Л, М, Н | Rэб =100 Ом | 40В 55В 70В | |
| Напряжение эмиттер-база (обратное) КТ837А-К КТ837Л-Ф | 15В 5В | ||
| Постоянный ток коллектора КТ837 | 7.5А | ||
| Максимально допустимый постоянный ток базы | 1А | ||
| Постоянная рассеиваемая мощность коллектора | Тк ≤ 25 °С | 30Вт | |
| Температура перехода | -60 | +125 | |
Подробные параметры КТ837, входная и выходная характеристики и datasheet на аналог приведены в справочнике по мощным транзисторам
www.trzrus.ru
