Каковы основные характеристики транзистора КТ837Г. Для каких целей он предназначен. Какие у него предельные режимы эксплуатации. Каковы его электрические параметры. В чем особенности его конструкции.
Общее описание и назначение транзистора КТ837Г
КТ837Г представляет собой мощный биполярный эпитаксиально-планарный PNP-транзистор отечественного производства. Этот транзистор разработан для применения в различных электронных устройствах, где требуется высокая мощность и надежность.
Основные области применения КТ837Г включают:
- Схемы переключения
- Выходные каскады низкочастотных усилителей
- Преобразователи напряжения
- Стабилизаторы постоянного напряжения
- Другая аппаратура промышленного и бытового назначения
Транзистор КТ837Г производится по техническим условиям аАО.336.403 ТУ / 03, что гарантирует его соответствие установленным стандартам качества и надежности.
Конструктивные особенности и физические характеристики
КТ837Г выпускается в пластмассовом корпусе КТ-28, который соответствует международному стандарту TO-220. Такой тип корпуса обеспечивает хороший теплоотвод и удобство монтажа на печатную плату или радиатор.
Каковы особенности корпуса КТ-28? Этот корпус имеет следующие преимущества:
- Компактные размеры при высокой мощности рассеивания
- Удобное расположение выводов для монтажа
- Металлическая подложка для эффективного отвода тепла
- Возможность установки на радиатор для повышения мощности
Назначение выводов транзистора КТ837Г:
- Эмиттер
- Коллектор
- База
Важной характеристикой КТ837Г является широкий диапазон рабочих температур: от -60°C до +100°C. Это позволяет использовать транзистор в различных климатических условиях и в аппаратуре с жесткими требованиями к температурному режиму.
Электрические параметры и характеристики КТ837Г
Транзистор КТ837Г обладает рядом важных электрических параметров, которые определяют его производительность и области применения. Рассмотрим основные из них:
Статический коэффициент передачи тока (h21э)
Этот параметр характеризует усилительные свойства транзистора. Для КТ837Г он измеряется при следующих условиях:
- Напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ) = 5 В
- Ток коллектора (Iк) = 2 А
Значение h21э для КТ837Г находится в диапазоне от 20 до 80, что обеспечивает хорошее усиление сигнала.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Uкэ нас)
Этот параметр важен для оценки энергоэффективности транзистора в ключевых режимах работы. Для КТ837Г он составляет не более 0,9 В при следующих условиях:
- Ток коллектора (Iк) = 3 А
- Ток базы (Iб) = 0,37 А
Низкое значение Uкэ нас способствует уменьшению потерь мощности в транзисторе.
Обратные токи
КТ837Г характеризуется следующими значениями обратных токов:
- Обратный ток коллектор-эмиттер (Iкэr) ≤ 10 мА
- Обратный ток коллектор-база (Iкбо) ≤ 0,15 мА
- Обратный ток эмиттера (Iэбо) ≤ 0,3 мА
Эти параметры важны для оценки утечек и энергоэффективности устройства в целом.
Предельно допустимые режимы эксплуатации
Для обеспечения надежной и долговременной работы транзистора КТ837Г необходимо соблюдать предельно допустимые режимы эксплуатации. Каковы основные ограничения?
- Максимальное постоянное напряжение коллектор-база (Uкб max) = 60 В
- Максимальное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ max) = 45 В при Rэб = 0 Ом
- Максимальное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ max) = 55 В при Rэб = 100 Ом
- Максимальное постоянное напряжение эмиттер-база (Uэб max) = 5 В
- Максимальный постоянный ток коллектора (Iк max) = 7,5 А
- Максимальный постоянный ток базы (Iб max) = 1 А
Особенности применения КТ837Г в электронных схемах
Транзистор КТ837Г обладает рядом характеристик, которые делают его привлекательным для использования в различных электронных устройствах. Каковы основные преимущества этого транзистора?
- Высокая мощность рассеивания: до 30 Вт без теплоотвода и более с применением радиатора
- Хорошие частотные характеристики для работы в низкочастотных усилителях
- Низкое напряжение насыщения, что важно для энергоэффективных схем
- Возможность работы при высоких токах коллектора
Эти особенности позволяют эффективно применять КТ837Г в следующих областях:
Выходные каскады усилителей звуковой частоты
В этом применении КТ837Г может обеспечить высокую выходную мощность при низких искажениях. Как правило, транзисторы включаются по схеме с общим эмиттером в двухтактном режиме.
Импульсные преобразователи напряжения
Низкое напряжение насыщения и высокий допустимый ток коллектора делают КТ837Г подходящим для использования в ключевых режимах работы преобразователей напряжения.
Стабилизаторы напряжения
В линейных стабилизаторах напряжения КТ837Г может выполнять роль регулирующего элемента, обеспечивая стабильное выходное напряжение при изменениях входного напряжения и тока нагрузки.
Сравнение КТ837Г с аналогами
Для оценки преимуществ и недостатков КТ837Г полезно сравнить его с аналогичными транзисторами. Какие транзисторы можно считать близкими аналогами КТ837Г?
- TIP32 — популярный зарубежный PNP-транзистор в корпусе TO-220
- 2N6109 — мощный PNP-транзистор производства США
- КТ818 — отечественный аналог, также широко применяемый в усилительной технике
При сравнении с этими аналогами КТ837Г демонстрирует следующие особенности:
- Более высокий максимальный ток коллектора (7,5 А против 3-5 А у аналогов)
- Сопоставимое или более низкое напряжение насыщения
- Широкий диапазон рабочих температур, что особенно важно для промышленного применения
- Доступность на отечественном рынке и потенциально более низкая стоимость
Рекомендации по монтажу и эксплуатации КТ837Г
Для обеспечения надежной работы и максимальной производительности транзистора КТ837Г следует учитывать ряд рекомендаций по его монтажу и эксплуатации:
Теплоотвод
При работе на высоких мощностях критически важно обеспечить эффективный теплоотвод. Каковы основные методы улучшения теплоотвода для КТ837Г?
- Использование качественной теплопроводящей пасты между транзистором и радиатором
- Выбор радиатора с достаточной площадью рассеивания
- Обеспечение хорошей вентиляции в корпусе устройства
- При необходимости — применение принудительного охлаждения
Защита от перегрузок
Для предотвращения выхода транзистора из строя рекомендуется реализовать следующие меры защиты:
- Ограничение тока базы для предотвращения превышения максимального тока коллектора
- Использование быстродействующих предохранителей в цепи коллектора
- Реализация схем температурной защиты, отключающих транзистор при перегреве
Монтаж на печатную плату
При монтаже КТ837Г на печатную плату следует учитывать следующие факторы:
- Обеспечение достаточной площади медных дорожек для токоведущих цепей
- Расположение транзистора с учетом оптимального теплоотвода
- Использование качественных материалов и технологий пайки для обеспечения надежного контакта
Перспективы развития и альтернативы КТ837Г
Несмотря на свою надежность и широкое применение, транзистор КТ837Г относится к классической технологии биполярных транзисторов. В современной электронике наблюдается тенденция к переходу на более энергоэффективные решения. Какие альтернативы могут прийти на смену КТ837Г в будущем?
- MOSFET-транзисторы: обладают меньшими потерями в ключевых режимах работы
- IGBT-транзисторы: сочетают преимущества биполярных и полевых транзисторов
- SiC (карбид-кремниевые) транзисторы: работают при более высоких температурах и частотах
Однако для многих применений, особенно в области аудиотехники и стабилизаторов напряжения, биполярные транзисторы типа КТ837Г еще долго будут оставаться актуальными благодаря своей надежности, доступности и хорошо изученным характеристикам.
Транзистор КТ837Г
Биполярный эпитаксиально-планарный p-n-p транзистор КТ837Г предназначен для применения в схемах переключения, выходных каскадах низкочастотных усилителей, преобразователях и стабилизаторах постоянного напряжения и другой аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства.
Номер технических условий
- аАО.336.403 ТУ / 03
Особенности
- Диапазон рабочих температур: — 60 до + 100 С
Корпусное исполнение
- пластмассовый корпус КТ-28 (ТО-220)
| Вывод | Назначение |
| №1 | Эмиттер |
| №2 | Коллектор |
| №3 | База |
Uкэ нас
| Параметры | Обозн. | Ед. изм. | Режимы измерения | Min | Max |
| Обратный ток коллектор-эмиттер | Iкэr | мА | Uкэ = Uкэ max при Rэб = | — | 10 |
| Обратный ток коллектор-эмиттер | Iкэr | мА | Uкэ = Uкэ max при Rэб= 100 Ом | — | 10 |
| Обратный ток коллектор-база | Iкбо | мА | Uкб = Uкб max | — | 0,15 |
| Обратный ток эмиттера КТ837А — К КТ837 Л — Ф | Iэбо | мА | Uэб =15 В Uэб =5 В | — | 0,3 0,3 |
Стат. коэффициент передачи тока | h31э | — | Uкэ =5 B, Iк =2A | 10 | 40 |
| КТ837А, Л, Г, П, Ж, Т | |||||
| КТ837Б, М, Д, Р, И, У | 20 | 80 | |||
| КТ837В, Н, Е, С, К, Ф | 50 | 150 | |||
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | В | Iк= 3 A, Iб= 0,37 A | — | — | 2,5 |
| КТ837А — В, Л — Н | |||||
| КТ837Г — Е, П — С | Iк= 3 A, Iб= 0,37 A | — | 0,9 | ||
| КТ837Ж — К, Т — Ф | Iк= 2 А, Iб= 0,3 A | — | 0,5 | ||
| Напряжение насыщения база-эмиттер | Uбэ нас | В | Iк= 2 A, Iб=0,5 A | — | 1,5 |
| Параметры | Обознач. | Ед. измер. | Знач. |
| Постоянное напряжение коллектор-база | Uкб max | В | 80 |
| КТ837А, Б, В, Л, М, Н | |||
| КТ837Г, Д, Е, П, Р, С | 60 | ||
| КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф | 45 | ||
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттер Rэб= Ом | Uкэ max | В | 60 |
| КТ837А, Б, В, Л, М, Н | |||
| КТ837Г, Д, Е, П, Р, С | 45 | ||
| КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф | 30 | ||
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттер Rэб=100 Ом | Uкэ max | В | 70 |
| КТ837А, Б, В, Л, М, Н | |||
| КТ837Г, Д, Е, П, Р, С | 55 | ||
| КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф | 40 | ||
| Постоянное напряжение эмиттер-база КТ837А — К КТ837Л — ф | Uэб max | В | 15 5 |
| Постоянный ток коллектора | Iк max | А | 7. 5 |
| Максимально допустимый постоянный ток базы | Iб max | А | 1 |
| Пост. рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода | Pк max | Вт | 30 |
| Пост. рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом | Pк max | Pк max | 1 |
Транзистор КТ837Г
Биполярный эпитаксиально-планарный p-n-p транзистор КТ837Г предназначен для применения в схемах переключения, выходных каскадах низкочастотных усилителей, преобразователях и стабилизаторах постоянного напряжения и другой аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства.
Биполярный эпитаксиально-планарный p-n-p транзистор КТ837Г предназначен для применения в схемах переключения, выходных каскадах низкочастотных усилителей, преобразователях и стабилизаторах постоянного напряжения и другой аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства.
Номер технических условий
- аАО.336.403 ТУ / 03
Особенности
- Диапазон рабочих температур: — 60 до + 100 С
Корпусное исполнение
- пластмассовый корпус КТ-28 (ТО-220)
| Вывод | Назначение |
| №1 | Эмиттер |
| №2 | Коллектор |
| №3 | База |
Uкэ нас
| Параметры | Обозн. | Ед. изм. | Режимы измерения | Min | Max |
| Обратный ток коллектор-эмиттер | Iкэr | мА | Uкэ = Uкэ max при Rэб = | — | 10 |
| Обратный ток коллектор-эмиттер | Iкэr | мА | Uкэ = Uкэ max при Rэб= 100 Ом | — | 10 |
| Обратный ток коллектор-база | Iкбо | мА | Uкб = Uкб max | — | 0,15 |
| Обратный ток эмиттера КТ837А — К КТ837 Л — Ф | Iэбо | мА | Uэб =15 В Uэб =5 В | — | 0,3 0,3 |
Стат. коэффициент передачи тока | h31э | — | Uкэ =5 B, Iк =2A | 10 | 40 |
| КТ837А, Л, Г, П, Ж, Т | |||||
| КТ837Б, М, Д, Р, И, У | 20 | 80 | |||
| КТ837В, Н, Е, С, К, Ф | 50 | 150 | |||
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | В | Iк= 3 A, Iб= 0,37 A | — | — | 2,5 |
| КТ837А — В, Л — Н | |||||
| КТ837Г — Е, П — С | Iк= 3 A, Iб= 0,37 A | — | 0,9 | ||
| КТ837Ж — К, Т — Ф | Iк= 2 А, Iб= 0,3 A | — | 0,5 | ||
| Напряжение насыщения база-эмиттер | Uбэ нас | В | Iк= 2 A, Iб=0,5 A | — | 1,5 |
| Параметры | Обознач. | Ед. измер. | Знач. |
| Постоянное напряжение коллектор-база | Uкб max | В | 80 |
| КТ837А, Б, В, Л, М, Н | |||
| КТ837Г, Д, Е, П, Р, С | 60 | ||
| КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф | 45 | ||
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттер Rэб= Ом | Uкэ max | В | 60 |
| КТ837А, Б, В, Л, М, Н | |||
| КТ837Г, Д, Е, П, Р, С | 45 | ||
| КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф | 30 | ||
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттер Rэб=100 Ом | Uкэ max | В | 70 |
| КТ837А, Б, В, Л, М, Н | |||
| КТ837Г, Д, Е, П, Р, С | 55 | ||
| КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф | 40 | ||
| Постоянное напряжение эмиттер-база КТ837А — К КТ837Л — ф | Uэб max | В | 15 5 |
| Постоянный ток коллектора | Iк max | А | 7. 5 |
| Максимально допустимый постоянный ток базы | Iб max | А | 1 |
| Пост. рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода | Pк max | Вт | 30 |
| Пост. рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом | Pк max | Pк max | 1 |
